JP2005235568A - Deposition device and manufacturing device of organic el device - Google Patents

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JP2005235568A JP2004043027A JP2004043027A JP2005235568A JP 2005235568 A JP2005235568 A JP 2005235568A JP 2004043027 A JP2004043027 A JP 2004043027A JP 2004043027 A JP2004043027 A JP 2004043027A JP 2005235568 A JP2005235568 A JP 2005235568A
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英和 小林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition device preventing a material evaporated from a deposition source from adhering to a mask or an inside wall of a chamber, further facilitating maintenance, and sufficiently reducing waste of the material used as the deposition source, and also to provide a manufacturing method of an organic EL device reducing a cost by forming a function layer by using it to eliminate waste of a function layer formation material. <P>SOLUTION: This deposition device 1 is used for forming a film of a predetermined pattern by using a physical mask 5 having an opening pattern on a processing object 4. This deposition device is provided with the, chamber 2 having the deposition source, and a pressure reducing means 3 for reducing pressure in the chamber 2. An isolation chamber 7 for isolating a space between the deposition source and the physical mask 5 from other spaces in the chamber 2 is formed in the the chamber 2, and heating means 8 and 9 are mounted on the isolation chamber 7 and the physical mask 5, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、真空雰囲気下で蒸発源を蒸発(昇華)させ、被処理体に成膜を行うようにした蒸発装置と、これを用いてなる有機EL装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an evaporation apparatus configured to evaporate (sublimate) an evaporation source in a vacuum atmosphere and form a film on an object to be processed, and a method for manufacturing an organic EL device using the evaporation apparatus.

真空蒸着装置は、真空チャンバー内に蒸発源と被処理体とを配置し、真空チャンバー内を減圧雰囲気(真空雰囲気)とした後、蒸発源を加熱して蒸発源を溶融させ蒸発させるか、もしくは蒸発源を昇華させることにより、蒸発源を蒸散させてこれを被処理体の表面に堆積させ、蒸着するようにしたものである。   In the vacuum evaporation apparatus, an evaporation source and an object to be processed are arranged in a vacuum chamber, and after the inside of the vacuum chamber is set to a reduced pressure atmosphere (vacuum atmosphere), the evaporation source is heated to melt and evaporate the evaporation source, or By evaporating the evaporation source, the evaporation source is evaporated and deposited on the surface of the object to be processed for vapor deposition.

このような真空蒸着装置は、例えば開口パターンを有するフィジカルマスクを用いることで、所望のパターン形状の成膜をなすことができる(例えば、特許文献1参照)。例えば、近年では自発光型の素子として有機EL素子の開発が進められており、さらに赤色発光、緑色発光、青色発光をそれぞれになす各有機EL素子を備えた、フルカラー表示の有機EL装置も開発され一部に提供されている。   Such a vacuum evaporation apparatus can form a film having a desired pattern shape by using, for example, a physical mask having an opening pattern (see, for example, Patent Document 1). For example, in recent years, organic EL elements have been developed as self-luminous elements, and full-color display organic EL devices including red, green, and blue light emitting elements have also been developed. And provided to some.

有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)は、一対の電極間に機能層が挟まれた構造となっており、機能層は通常、有機材料からなる発光層を含む積層構造となっている。この積層構造として、代表的なものとしては、「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は、非常に発光効率が高いものとして知られている。また、他にも、陽極上に正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造も知られている。   An organic EL device (organic electroluminescence device) has a structure in which a functional layer is sandwiched between a pair of electrodes, and the functional layer usually has a laminated structure including a light emitting layer made of an organic material. A typical example of the laminated structure is a laminated structure of “hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer”. This structure is known as having very high luminous efficiency. In addition, the hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer or hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer are laminated in this order on the anode. Structures that do this are also known.

このような機能層としては、全ての層を低分子系の有機材料で形成してもよく、また、一部あるい全部を高分子系の有機材料で形成してもよく、さらに、電子注入層等については無機材料によって形成してもよい。
ここで、発光層の形成材料については低分子系(モノマー系)の有機材料と高分子系(ポリマー系)の有機材料とに大別されるが、低分子系の有機材料を用いて発光層を形成する場合、通常はその形成方法として前述したような真空蒸着装置によるフィジカルマスクを用いた蒸着法が採用される。なぜなら、発光層の形成材料は極めて劣化しやすく、酸素もしくは水の存在により容易に酸化し劣化してしまう。したがって、成膜後にフォトリソグラフィ工程を行うことができず、よって、パターン化するためには開口パターンを有したフィジカルマスクを用い、成膜と同時にパターニングを行う必要があるからである。
As such a functional layer, all the layers may be formed of a low molecular organic material, or part or all of the functional layer may be formed of a high molecular organic material. The layer or the like may be formed of an inorganic material.
Here, the material for forming the light emitting layer is roughly classified into a low molecular weight (monomer based) organic material and a high molecular weight (polymer based) organic material. In general, a vapor deposition method using a physical mask by a vacuum vapor deposition apparatus as described above is employed as the formation method. This is because the light-emitting layer forming material is very easily deteriorated and easily oxidized and deteriorated due to the presence of oxygen or water. Therefore, the photolithography process cannot be performed after the film formation. Therefore, in order to form a pattern, it is necessary to perform the patterning simultaneously with the film formation using a physical mask having an opening pattern.

ところが、このような真空蒸着装置によるフィジカルマスクを用いた蒸着法では、成膜材料、すなわち蒸着源から昇華し蒸散した材料の多くがチャンバーの内壁やフィジカルマスクに付着してしまう。
このようにして成膜材料の付着が起こると、例えば発光層形成材料の種類を発光する色に対応させて変更する場合に、新たに蒸着させる材料が付着物によって汚染され、得られる膜(発光層)の特性が低下してしまう。そこで、このような特性低下を防止するため従来では、フィジカルマスクを新たなものに替え、また、チャンバー内についてもこれをクリーニングする必要があった。
However, in the vapor deposition method using the physical mask by such a vacuum vapor deposition apparatus, most of the film forming material, that is, the material sublimated from the vapor deposition source and evaporated, adheres to the inner wall of the chamber and the physical mask.
When deposition of the film forming material occurs in this way, for example, when the type of the light emitting layer forming material is changed in accordance with the light emission color, the newly deposited material is contaminated by the deposit, and the resulting film (light emission) The properties of the layer will be degraded. Therefore, conventionally, in order to prevent such characteristic deterioration, it has been necessary to replace the physical mask with a new one and also clean the inside of the chamber.

しかしながら、このような方法では、フィジカルマスクの交換が頻繁となり、同様にチャンバー内のクリーニングも頻繁になるなどメンテナンスが複雑となることから、生産性が著しく悪いものとなっていた。
このような背景から、従来、マスクに加熱手段を設け、蒸着後、加熱手段によってマスクを加熱することにより、このマスクに付着した材料を再度昇華させ、マスクから付着物を除去してクリーニングすることができるようにした技術が提供されている(例えば、特許文献2参照)。
特開平8−227276号公報 特開2003−313654号公報
However, in such a method, the physical mask is frequently replaced, and the maintenance in the chamber is complicated, for example, the chamber is frequently cleaned. Therefore, the productivity is extremely poor.
From such a background, conventionally, a heating means is provided on the mask, and after vapor deposition, the mask is heated by the heating means, so that the material adhering to the mask is sublimated again, and the adhering material is removed from the mask for cleaning. There has been provided a technique that can perform the above (see, for example, Patent Document 2).
JP-A-8-227276 JP 2003-313654 A

ところが、前述したように例えばマスクに加熱手段を設け、蒸着後、マスクを加熱することでマスクから付着物を除去する技術では、たしかにメンテナンスが容易になって生産性は向上するものの、マスクに蒸着源から蒸散した材料が付着してしまうといった、根本的な問題は解消されていない。
すなわち、付着が起こる以上はこれを除去するための最低限のメンテナンスが必要となり、これに伴う生産性低下は少なからず残ってしまう。
また、このように付着が起こると、当然ながらこの付着した材料は再使用ができず、したがってこの分は材料の無駄となってしまう。しかし、特に前記の発光層の形成材料などは、極めて高価な材料であることから、僅かな無駄もコストを引き上げる要因となってしまう。
However, as described above, for example, a technique for removing the deposits from the mask by providing a heating means on the mask and heating the mask after vapor deposition, the maintenance is easy and the productivity is improved. The fundamental problem of material transpiration from the source has not been solved.
That is, as long as adhesion occurs, a minimum maintenance is required to remove the adhesion, and a considerable decrease in productivity is left.
In addition, when adhesion occurs in this way, it is a matter of course that the adhered material cannot be reused, and therefore this portion is wasted material. However, since the material for forming the light emitting layer is an extremely expensive material, a slight waste is a factor that increases the cost.

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、マスクやチャンバーの内壁などに蒸着源から蒸散した材料が付着してしまうのを防止し、メンテナンスをより容易にし、かつ蒸着源となる材料の無駄を十分減少できるようにした蒸着装置を提供するとともに、これを用いて機能層を形成することにより、機能層形成材料の無駄を無くしてコストの低減化を可能にした有機EL装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to prevent the material evaporated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the mask or the chamber, to facilitate maintenance, and In addition to providing a vapor deposition device that can sufficiently reduce the waste of the material used as the vapor deposition source, and forming a functional layer using this, it was possible to reduce the cost by eliminating the waste of the functional layer forming material. The object is to provide a method of manufacturing an organic EL device.

前記目的を達成するため本発明の蒸着装置は、被処理体に対し、開口パターンを有したフィジカルマスクを用いて所定パターンの成膜をなすための蒸着装置であって、蒸着源を有するチャンバーと、該チャンバー内を減圧する減圧手段とを備え、前記チャンバー内に、前記蒸着源と前記フィジカルマスクとの間の空間をチャンバー内の他の空間から隔離する隔離部屋を設け、前記隔離部屋及び前記フィジカルマスクに、それぞれ加熱手段を設けたことを特徴としている。
この蒸着装置によれば、隔離部屋及びフィジカルマスクにそれぞれ加熱手段を設けているので、前記加熱手段によって隔離部屋及びフィジカルマスクをそれぞれ加熱しつつ、成膜を行うようにすれば、これら隔離部屋やフィジカルマスクに蒸着源から蒸散した材料が付着してしまうのが抑えられ、さらにはこのような付着が防止される。よって、メンテナンスが容易になり、しかも蒸着源となる材料の無駄が十分に少なくなる。
In order to achieve the above object, a vapor deposition apparatus of the present invention is a vapor deposition apparatus for forming a predetermined pattern on an object to be processed using a physical mask having an opening pattern, comprising: a chamber having a vapor deposition source; And a decompression means for decompressing the inside of the chamber, and an isolation room for isolating a space between the vapor deposition source and the physical mask from other spaces in the chamber is provided in the chamber, and the isolation room and the Each of the physical masks is provided with heating means.
According to this vapor deposition apparatus, since the heating unit is provided in each of the isolation chamber and the physical mask, if the film is formed while heating the isolation chamber and the physical mask by the heating unit, respectively, It is possible to prevent the material evaporated from the vapor deposition source from adhering to the physical mask, and to prevent such adhesion. Therefore, maintenance is facilitated, and the waste of the material serving as the vapor deposition source is sufficiently reduced.

本発明の有機EL装置の製造方法は、対向する電極と、これら電極間に設けられた、有機材料からなる有機層を有した機能層と、を備えた有機EL装置の製造方法において、前記の蒸着装置を用い、かつ前記蒸着源として少なくとも前記有機層の形成材料を用い、前記加熱手段によって前記隔離部屋内及び前記フィジカルマスクをそれぞれ加熱しつつ、前記有機層形成材料を昇華させて前記フィジカルマスクにより該有機層形成材料を前記被処理体となる基体上の各ドット領域毎に選択的に配し、各ドット領域毎に有機層を形成することを特徴としている。
なお、前記有機層が発光層であるのが好ましい。
この有機EL装置の製造方法によれば、特に前記の蒸着装置を用いて有機層を形成するので、蒸着装置の隔離部屋内やフィジカルマスクに蒸着源から蒸散した材料が付着してしまうのを抑え、このような付着を防止することができる。したがって、付着によって高価な有機層形成材料が無駄になるのを防止することができ、これによりコストの低減化を図ることができるとともに、メンテナンスを容易にすることもできる。特に、発光層の形成材料は高価であるので、この発光層形成を前記蒸着装置で行うことにより、コストの低減化をより効果的に行うことができる。
The method for producing an organic EL device according to the present invention includes a method for producing an organic EL device comprising: opposing electrodes; and a functional layer having an organic layer made of an organic material provided between the electrodes. Using the vapor deposition apparatus and using at least the organic layer forming material as the vapor deposition source, heating the inside of the isolation chamber and the physical mask by the heating means, respectively, sublimating the organic layer forming material, and the physical mask Thus, the organic layer forming material is selectively provided for each dot region on the substrate to be processed, and an organic layer is formed for each dot region.
In addition, it is preferable that the said organic layer is a light emitting layer.
According to this method for manufacturing an organic EL device, the organic layer is formed using the above-described vapor deposition device, so that the material evaporated from the vapor deposition source is prevented from adhering to the isolation chamber of the vapor deposition device or the physical mask. Such adhesion can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the expensive organic layer forming material from being wasted due to adhesion, thereby reducing costs and facilitating maintenance. In particular, since the material for forming the light emitting layer is expensive, the cost can be reduced more effectively by forming the light emitting layer with the vapor deposition apparatus.

また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記隔離部屋内及び前記フィジカルマスクを、それぞれ前記有機層形成材料の処理雰囲気圧下における昇華温度以上の温度となるように、前記加熱手段によって加熱するのが好ましい。
このようにすれば、隔離部屋内及びフィジカルマスが、有機層形成材料の処理雰囲気圧下における昇華温度以上の温度となるので、これら隔離部屋やフィジカルマスクに有機層形成材料が付着してしまうのを防止することができ、したがってコストの低減化を図ることができるとともに、メンテナンスを容易にすることができる。
Further, in the method for manufacturing the organic EL device, the heating unit heats the inside of the isolation chamber and the physical mask so that each temperature is equal to or higher than the sublimation temperature under the processing atmosphere pressure of the organic layer forming material. Is preferred.
In this way, the temperature in the isolation chamber and the physical mass is equal to or higher than the sublimation temperature under the processing atmosphere pressure of the organic layer forming material, so that the organic layer forming material adheres to the isolation chamber and the physical mask. Therefore, the cost can be reduced and the maintenance can be facilitated.

また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記隔離部屋内及び前記フィジカルマスクを、それぞれ前記有機層形成材料の処理雰囲気圧下における分解温度より低い温度となるように、前記加熱手段によって加熱するのが好ましい。
このようにすれば、前記有機層形成材料が分解してしまうことにより、材料が無駄になってしまうのを防止することができる。
Further, in the method of manufacturing the organic EL device, the heating unit heats the inside of the isolation chamber and the physical mask so that the temperature is lower than the decomposition temperature under the processing atmosphere pressure of the organic layer forming material. Is preferred.
In this way, it is possible to prevent the material from being wasted by decomposing the organic layer forming material.

また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記フィジカルマスクは、その開口パターンが、有機層形成時での加熱温度において、形成する所定パターンにほぼ一致するよう設計されてなるのが好ましい。
このようにすれば、有機層をより高い精度でパターニングし、形成することができる。
In the method for manufacturing the organic EL device, the physical mask is preferably designed so that the opening pattern thereof substantially matches the predetermined pattern to be formed at the heating temperature when forming the organic layer.
In this way, the organic layer can be patterned and formed with higher accuracy.

また、前記有機EL装置の製造方法においては、前記チャンバー内を、前記の有機層形成に先立ち、前記減圧手段によって予め1.333×10−4Pa以下の真空雰囲気にしておくのが好ましい。
このようにすれば、機能層の水分や酸素による劣化を防止することができる。
Further, in the method for manufacturing the organic EL device, it is preferable that the inside of the chamber is previously set in a vacuum atmosphere of 1.333 × 10 −4 Pa or less by the decompression unit prior to the formation of the organic layer.
In this way, deterioration of the functional layer due to moisture and oxygen can be prevented.

以下、本発明をその実施形態に基づいて詳しく説明する。
まず、本発明の蒸着装置について説明する。図1は、本発明の蒸着装置の一実施形態を示す図であり、図1中符号1は蒸着装置である。この蒸着装置1は、チャンバー2と、このチャンバー2に接続されて該チャンバー2内を高真空度(1.333×10−4Pa以下)の真空雰囲気に減圧することのできる真空ポンプ(減圧手段)3とを有し、被処理体となる基板4に対して、これに所定パターンの成膜を行うようにするためのフィジカルマスク5を備えて構成されたものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the embodiments.
First, the vapor deposition apparatus of this invention is demonstrated. FIG. 1 is a view showing an embodiment of a vapor deposition apparatus of the present invention, and reference numeral 1 in FIG. 1 is a vapor deposition apparatus. The vapor deposition apparatus 1 includes a chamber 2 and a vacuum pump (pressure reducing means) connected to the chamber 2 and capable of reducing the pressure inside the chamber 2 to a vacuum atmosphere with a high degree of vacuum (1.333 × 10 −4 Pa or less). ) 3, and a physical mask 5 for forming a predetermined pattern on the substrate 4 to be processed.

チャンバー2内には、蒸着源を内部に保持する容器状の蒸着源保持部6が設けられており、さらにこの蒸着源保持部6内に連通した状態で隔離部屋7が設けられている。蒸着源保持部6には、この蒸着源保持部6内に保持された蒸着源を加熱し昇華させるための、ヒータ等による加熱手段(図示せず)が設けられている。
隔離部屋7は、前記蒸着源保持部6と前記フィジカルマスク5との間に設けられた金属等からなる筒状のもので、底部側にて蒸着源保持部6内に連通し、上部側にてフィジカルマスク5に通じるよう構成されたものである。このような構成のもとに隔離部屋7は、蒸着源保持部6とフィジカルマスク5との間の空間を、チャンバー2内の他の空間から隔離したものとなっている。そして、これによって隔離部屋7は、蒸着源が加熱によって昇華し蒸散した際、蒸散した材料をその外に流出(拡散)させることなく、この材料をフィジカルマスク5側にまで案内するようになっている。ここで、この隔離部屋7には加熱手段8が設けられている。加熱手段8は、本実施形態では隔離部屋7の外周に巻回されたシーズヒーターによって形成されたものであり、隔離部屋7を所望する温度に制御できるよう構成されたものである。ただし、この加熱手段8については、シーズヒーター以外にも、公知の加熱手段を採用することができるのはもちろんである。
In the chamber 2, a container-like vapor deposition source holding unit 6 for holding the vapor deposition source is provided, and an isolation chamber 7 is provided in communication with the vapor deposition source holding unit 6. The vapor deposition source holding unit 6 is provided with a heating means (not shown) such as a heater for heating and sublimating the vapor deposition source held in the vapor deposition source holding unit 6.
The isolation chamber 7 has a cylindrical shape made of metal or the like provided between the vapor deposition source holding unit 6 and the physical mask 5 and communicates with the vapor deposition source holding unit 6 on the bottom side, and on the upper side. Thus, it is configured to communicate with the physical mask 5. Under such a configuration, the isolation chamber 7 is configured such that the space between the vapor deposition source holding unit 6 and the physical mask 5 is isolated from other spaces in the chamber 2. As a result, when the vapor deposition source is sublimated and evaporated by heating, the isolation chamber 7 guides the material to the physical mask 5 side without causing the evaporated material to flow out (diffuse) to the outside. Yes. Here, the isolation room 7 is provided with a heating means 8. In this embodiment, the heating means 8 is formed by a sheathed heater wound around the outer periphery of the isolation room 7, and is configured to control the isolation room 7 to a desired temperature. However, as for this heating means 8, it is needless to say that a known heating means can be adopted in addition to the sheathed heater.

フィジカルマスク5は、前述したように基板4に対して所定パターンの成膜を行うことができるようにしたもので、形成する所定パターンに対応した開口パターン(図示せず)を有したものである。このフィジカルマスク5には、加熱手段9が設けられている。この加熱手段9は、本実施形態では抵抗加熱によるものであって、フィジカルマスク5に電流を流す電源9aと、この電源9aによって電流が流れることで発熱するフィジカルマスク5自身とによって構成されたものである。すなわち、このフィジカルマスク5は、タングステンやモリブデンなどの、耐熱性が高く熱によって変形しにくい(低熱膨張率である)金属やこれらの合金からなっており、電流が流されることで良好に発熱するようになっている。なお、このフィジカルマスク5には温度センサ(図示せず)が設けられており、これによってフィジカルマスク5の温度(加熱温度)は、電源9aによって調整可能となっている。   As described above, the physical mask 5 can form a predetermined pattern on the substrate 4, and has an opening pattern (not shown) corresponding to the predetermined pattern to be formed. . The physical mask 5 is provided with heating means 9. In the present embodiment, the heating means 9 is based on resistance heating, and is constituted by a power source 9a for supplying a current to the physical mask 5 and the physical mask 5 itself that generates heat when a current flows through the power source 9a. It is. That is, the physical mask 5 is made of a metal such as tungsten or molybdenum that has high heat resistance and is not easily deformed by heat (having a low coefficient of thermal expansion) or an alloy thereof, and generates heat well when an electric current is applied. It is like that. The physical mask 5 is provided with a temperature sensor (not shown), whereby the temperature (heating temperature) of the physical mask 5 can be adjusted by the power source 9a.

また、このフィジカルマスク5の前記開口パターンは、これを用いて所望のパターンを形成する際、その形成時における加熱温度において、形成する所定パターンにほぼ一致するように予め設計され形成されている。すなわち、フィジカルマスク5は加熱時に膨張することから、その開口パターンも熱膨張に伴って常温時に比べ大きくなる。したがって、常温での開口パターンの大きさを所望のパターンに一致させて形成すると、実際に成膜を行うときには開口パターンが大きくなってしまい、結果として得られる膜パターンが所望のパターンより大きくなってしまうからである。   The opening pattern of the physical mask 5 is designed and formed in advance so as to substantially match a predetermined pattern to be formed at a heating temperature at the time of forming a desired pattern using the opening pattern. That is, since the physical mask 5 expands when heated, the opening pattern thereof becomes larger than that at normal temperature as the heat expands. Therefore, if the opening pattern at room temperature is formed so as to match the desired pattern, the opening pattern becomes larger when actually forming a film, and the resulting film pattern becomes larger than the desired pattern. Because it ends up.

なお、本実施形態では、前記加熱手段9について、前述したように抵抗加熱方式を採用することにより、電源9aとフィジカルマスク5とから構成するようにしたが、このようなフィジカルマスク5を加熱する手段としては、例えば赤外線を照射することでフィジカルマスク5を加熱する方式や、フィジカルマスク5にヒートブロックを接触させておくことで加熱する方式などを採用することもできる。   In the present embodiment, the heating means 9 is composed of the power source 9a and the physical mask 5 by adopting the resistance heating method as described above. However, such a physical mask 5 is heated. As a means, for example, a method of heating the physical mask 5 by irradiating infrared rays, a method of heating the physical mask 5 by contacting a heat block, or the like can be adopted.

被処理体となる基板4は、フィジカルマスク5上に位置決めされ、セットされる。これら基板4およびフィジカルマスク5には、基板4およびフィジカルマスク5をチャンバー2内にて移動させるための移送機構(図示せず)が設けられている。この移送機構は、基板4とフィジカルマスク5とをそれぞれ別に移動することができ、かつこれらを一体に(同時に)移動できるように構成されたものである。   The substrate 4 to be processed is positioned and set on the physical mask 5. The substrate 4 and the physical mask 5 are provided with a transfer mechanism (not shown) for moving the substrate 4 and the physical mask 5 in the chamber 2. This transfer mechanism is configured to be able to move the substrate 4 and the physical mask 5 separately and to move them together (simultaneously).

このような蒸着装置1にあっては、特に隔離部屋7及びフィジカルマスク5にそれぞれ加熱手段8、9を設けているので、これら加熱手段8、9によって隔離部屋7及びフィジカルマスク5をそれぞれ加熱しつつ、成膜を行うようにすれば、これら隔離部屋7やフィジカルマスク5に蒸着源から蒸散した材料が付着してしまうのを抑え、さらにはこのような付着を防止することができる。   In such a vapor deposition apparatus 1, heating means 8 and 9 are provided in the isolation chamber 7 and the physical mask 5, respectively. Therefore, the isolation chamber 7 and the physical mask 5 are heated by the heating means 8 and 9, respectively. On the other hand, if film formation is performed, it is possible to prevent the material evaporated from the vapor deposition source from adhering to the isolation chamber 7 and the physical mask 5, and to prevent such adhesion.

次に、このような構成からなる蒸着装置1を、有機EL装置の機能層の形成に適用した例を基に、本発明の有機EL装置の製造方法の一実施形態について説明する。
まず、有機EL装置の概略構成について、図2、図3を参照して説明する。
図2に示したように、本実施形態に係る有機EL装置10は、R(赤)、G(緑)、B(青)をそれぞれ発光するドットをその実表示領域4に有し、これによりフルカラー表示をなすものとなっている。
Next, based on the example which applied the vapor deposition apparatus 1 which consists of such a structure to formation of the functional layer of an organic EL apparatus, one Embodiment of the manufacturing method of the organic EL apparatus of this invention is described.
First, a schematic configuration of the organic EL device will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 2, the organic EL device 10 according to the present embodiment has dots that emit R (red), G (green), and B (blue) in the actual display area 4, thereby providing full color. It is a display.

この有機EL装置10は、図2のA−B線における断面の一部である図2に示すように、基板20側から発光した光を取り出す構成、すなわちボトムエミッション型に構成されたものである。したがって、基板20としては、透明あるいは半透明のものが採用され、具体的にはガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が用いられる。なお、有機EL装置がいわゆるトップエミッション型である場合には、前記基板20の対向側である封止基板(図示略)側から発光した光を取り出す構成となるので、基板20としては透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。   The organic EL device 10 is configured to take out light emitted from the substrate 20 side, that is, a bottom emission type, as shown in FIG. 2 which is a part of a cross section taken along line AB in FIG. . Accordingly, a transparent or translucent substrate is used as the substrate 20, and specifically, glass, quartz, resin (plastic, plastic film) or the like is used. In the case where the organic EL device is a so-called top emission type, since the light emitted from the sealing substrate (not shown) side opposite to the substrate 20 is extracted, the substrate 20 is a transparent substrate and Any opaque substrate can be used.

基板20上には、画素電極23を駆動するための駆動用TFT123などを含む回路部11が形成されており、その上に有機EL素子が設けられている。有機EL素子は、陽極として機能する画素電極23と、この画素電極23上に形成された正孔注入/輸送層70と、この正孔注入/輸送層70上に形成された発光層60と、この発光層60上に形成された電子注入/輸送層65と、この電子注入/輸送層65上に形成された陰極50とから構成されたものである。すなわち、本実施形態では、正孔注入/輸送層70、発光層60、および電子注入/輸送層65により、機能層が構成されている。ただし、本発明はこれに限定されることなく、機能層としては少なくとも発光層60を有していればよい。また、正孔注入/輸送層70や電子注入/輸送層65については、それぞれ一層からなる構成でなく、注入層と輸送層との積層構造となっていてもよい。   A circuit unit 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 and the like is formed on the substrate 20, and an organic EL element is provided thereon. The organic EL element includes a pixel electrode 23 functioning as an anode, a hole injection / transport layer 70 formed on the pixel electrode 23, a light emitting layer 60 formed on the hole injection / transport layer 70, The electron injection / transport layer 65 is formed on the light emitting layer 60 and the cathode 50 is formed on the electron injection / transport layer 65. That is, in this embodiment, the hole injection / transport layer 70, the light emitting layer 60, and the electron injection / transport layer 65 constitute a functional layer. However, the present invention is not limited to this, and the functional layer only needs to have at least the light emitting layer 60. Further, the hole injection / transport layer 70 and the electron injection / transport layer 65 may not have a single layer structure but may have a stacked structure of an injection layer and a transport layer.

正孔注入/輸送層70は、画素電極23からの正孔を発光層60側に注入/輸送するものであり、電子注入/輸送層65は陰極50からの電子を発光層60側に注入/輸送するものである。このような構成のもとに発光素子は、発光層60において、画素電極23側から輸送された正孔と陰極50側から輸送された電子とが結合することにより、発光をなすようになっている。   The hole injection / transport layer 70 is for injecting / transporting holes from the pixel electrode 23 to the light emitting layer 60 side, and the electron injection / transport layer 65 is for injecting / transporting electrons from the cathode 50 to the light emitting layer 60 side. To be transported. Under such a configuration, the light emitting element emits light by combining holes transported from the pixel electrode 23 side and electrons transported from the cathode 50 side in the light emitting layer 60. Yes.

ここで、前記機能層は、そのうちの少なくとも発光層60が、有機材料によって形成された有機層となっている。この発光層60の形成材料としては、低分子系(モノマー系)の有機材料や高分子系(ポリマー系)の有機材料が用いられるが、本実施形態では、前述した蒸着装置1を用いて蒸着法で発光層60を形成するものとし、したがって低分子系の有機材料を用いるものとする。低分子系の有機材料として具体的には、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、さらには特開昭57−51781号公報や特開昭59−194393号公報等に記載された、公知のものが使用可能である。   Here, the functional layer is an organic layer in which at least the light emitting layer 60 is formed of an organic material. As a material for forming the light emitting layer 60, a low molecular (monomer) organic material or a high molecular (polymer) organic material is used. In the present embodiment, vapor deposition is performed using the vapor deposition apparatus 1 described above. It is assumed that the light emitting layer 60 is formed by a method, and therefore a low molecular organic material is used. Specific examples of low molecular weight organic materials include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroquinoline and its metal complexes, aromatic Known amines, tetraphenylcyclopentadiene derivatives, and the like described in JP-A-57-51781 and JP-A-59-194393 can be used.

また、正孔注入/輸送層70や電子注入/輸送層65についても、有機材料からなる有機層としてもよく、その場合に、低分子系の材料を用いることもできる。このように低分子系の材料を用いれば、これら正孔注入/輸送層70や電子注入/輸送層65についても、前述した蒸着装置1による蒸着法で形成を行うことができる。
このように機能層については、全ての層を有機材料による有機層としてもよく、その場合に、これら有機層を全て低分子系の有機材料で形成してもよく、また、その一部を高分子系の有機材料で形成してもよい。さらに、例えば電子注入/輸送層については、無機材料によって形成してもよい。なお、正孔注入/輸送層70や電子注入/輸送層65が、注入層と輸送層との積層構造となっている場合、いずれか一方のみが有機材料であって、他方が無機材料であってもよく、また両方が有機材料からなる場合にも、いずれか一方が低分子系材料であって、他方が高分子系材料であってもよい。
Also, the hole injection / transport layer 70 and the electron injection / transport layer 65 may be organic layers made of organic materials, and in that case, a low molecular weight material may be used. When such a low molecular weight material is used, the hole injection / transport layer 70 and the electron injection / transport layer 65 can be formed by the vapor deposition method using the vapor deposition apparatus 1 described above.
As described above, regarding the functional layer, all the layers may be organic layers made of organic materials, and in this case, all of these organic layers may be formed of low molecular weight organic materials, and a part of them may be high. It may be formed of a molecular organic material. Further, for example, the electron injection / transport layer may be formed of an inorganic material. When the hole injection / transport layer 70 and the electron injection / transport layer 65 have a laminated structure of an injection layer and a transport layer, only one of them is an organic material and the other is an inorganic material. Alternatively, when both are made of an organic material, either one may be a low molecular weight material and the other may be a high molecular weight material.

陽極として機能する画素電極23は、本例ではボトムエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはITOが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide :IZO/アイ・ゼット・オー)(登録商標))(出光興産社製)等を用いることができる。なお、本実施形態ではITOを用いるものとする。
陰極50は、電子注入/輸送層65及び有機バンク層221を覆うように形成されたもので、LiFとAlとの積層構造や、マグネシウムと銀との積層構造、さらにカルシウムとアルミニウムとの積層構造など従来公知の種々のものが使用可能である。なお、本実施形態はボトムエミッション型であることから、この陰極50は特に光透過性である必要はない。
The pixel electrode 23 functioning as an anode is formed of a transparent conductive material because it is a bottom emission type in this example. ITO is suitable as the transparent conductive material. In addition, for example, an indium oxide / zinc oxide amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / registered trademark)) (Idemitsu Kosan) Etc.) can be used. In the present embodiment, ITO is used.
The cathode 50 is formed so as to cover the electron injection / transport layer 65 and the organic bank layer 221, and has a laminated structure of LiF and Al, a laminated structure of magnesium and silver, and a laminated structure of calcium and aluminum. Various conventionally known ones can be used. Since the present embodiment is a bottom emission type, the cathode 50 does not have to be particularly light transmissive.

画素電極23が形成された層間絶縁層284の表面は、画素電極23と、例えばSiOなどの親液性材料を主体とする親液性制御層25と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層221とによって覆われている。そして、画素電極23には親液性制御層25に設けられた開口部25a、および有機バンク221に設けられた開口部221aの開口内部に、正孔注入層70と、発光層60とが画素電極23側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層25の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層221を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板20から層間絶縁層284までの層が、回路部11を構成するものとなっている。
The surface of the interlayer insulating layer 284 on which the pixel electrode 23 is formed has a pixel electrode 23, a lyophilic control layer 25 mainly composed of a lyophilic material such as SiO 2, and an organic bank layer made of acrylic or polyimide. 221. In the pixel electrode 23, the hole injection layer 70 and the light emitting layer 60 are formed in the opening 25 a provided in the lyophilic control layer 25 and the opening 221 a provided in the organic bank 221. They are stacked in this order from the electrode 23 side. In addition, “lyophilic” of the lyophilic control layer 25 in this embodiment means that the lyophilic property is higher than at least materials such as acrylic and polyimide constituting the organic bank layer 221. .
The layers from the substrate 20 to the interlayer insulating layer 284 described above constitute the circuit unit 11.

なお、本実施形態の有機EL装置10は、前述したようにカラー表示を行うべく、各発光層60が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、発光層60として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層60、緑色に対応した緑色用発光層60、青色に対応した青色用有機EL層60とをそれぞれに対応する表示領域R、G、Bに設け、これら表示領域R、G、Bをもってカラー表示を行う1画素が構成されている。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のBM(ブラックマトリクス)が、有機バンク層221と親液性化制御層25との間に位置して形成されている。   In the organic EL device 10 of the present embodiment, each light emitting layer 60 is formed so that the light emission wavelength bands correspond to the three primary colors of light in order to perform color display as described above. For example, as the light emitting layer 60, a red light emitting layer 60 whose light emission wavelength band corresponds to red, a green light emitting layer 60 corresponding to green, and a blue organic EL layer 60 corresponding to blue, respectively, are displayed. , G, and B constitute one pixel that performs color display with these display regions R, G, and B. In addition, a BM (black matrix) (not shown) in which metallic chromium is formed by sputtering or the like is positioned between the organic bank layer 221 and the lyophilic control layer 25 at the boundary of each color display region. Has been.

このような有機EL装置10を製造方法を、図4(a)〜(c)、図5(a)〜(c)を参照して説明する。なお、図4、図5に示す各断面図は、図2のA−B線における断面の一部に対応した図である。
まず、公知の手法によって基板20の表面に、図3に示した回路部11までを形成し、続いて、基板20の全面を覆うように画素電極23となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図4(a)に示すように、画素電極23を形成する。
A method for manufacturing such an organic EL device 10 will be described with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (c) and FIGS. 5 (a) to 5 (c). Each of the cross-sectional views shown in FIGS. 4 and 5 corresponds to a part of the cross section taken along line AB in FIG.
First, up to the circuit portion 11 shown in FIG. 3 is formed on the surface of the substrate 20 by a known method, and then a conductive film to be the pixel electrode 23 is formed so as to cover the entire surface of the substrate 20. Then, by patterning this transparent conductive film, a pixel electrode 23 is formed as shown in FIG.

次いで、図4(b)に示すように、画素電極23および層間絶縁膜284上に絶縁層である親液性制御層25を形成する。続いて、親液性制御層25において、異なる2つの画素電極23の間に位置して形成された凹状部にBM(図示せず)を形成する。具体的には、親液性制御層25の前記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。   Next, as shown in FIG. 4B, a lyophilic control layer 25 that is an insulating layer is formed on the pixel electrode 23 and the interlayer insulating film 284. Subsequently, in the lyophilic control layer 25, a BM (not shown) is formed in a concave portion formed between two different pixel electrodes 23. Specifically, a film is formed on the concave portion of the lyophilic control layer 25 by sputtering using metallic chromium.

次いで、図4(c)に示すように、親液性制御層25の所定位置、詳しくは前記BMを覆うように有機バンク層221を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。
続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層にバンク開口部221aを形成することにより、開口部221aに壁面を有した有機バンク層221を形成する。
Next, as shown in FIG. 4C, an organic bank layer 221 is formed so as to cover a predetermined position of the lyophilic control layer 25, specifically, the BM. As a specific method for forming the organic bank layer, for example, an organic layer is formed by applying a resist in which a resist such as an acrylic resin or a polyimide resin is dissolved in a solvent by various coating methods such as a spin coating method or a dip coating method. .
Subsequently, the organic layer is patterned using a photolithography technique and an etching technique, and a bank opening 221a is formed in the organic layer, thereby forming an organic bank layer 221 having a wall surface in the opening 221a.

次いで、正孔注入/輸送層70、発光層60、電子注入/輸送層65をこの順に形成し、機能層を形成する。本実施形態では、これら各層は低分子系の有機材料からなるものとし、したがってその成膜を、図1に示した蒸着装置1を用いて行うものとする。なお、低分子系の有機材料を用いて有機層を形成する場合、これら有機材料(特に発光層の形成材料)は酸素や水の存在によって容易に酸化し、劣化してしまうことから、パターニング法としてはリソグラフィー法を採用することができず、したがって真空蒸着装置によるフィジカルマスクを用いた蒸着法が採用される。   Next, the hole injection / transport layer 70, the light emitting layer 60, and the electron injection / transport layer 65 are formed in this order to form a functional layer. In the present embodiment, each of these layers is made of a low molecular organic material, and therefore the film is formed using the vapor deposition apparatus 1 shown in FIG. Note that when an organic layer is formed using a low molecular weight organic material, these organic materials (particularly, the light emitting layer forming material) are easily oxidized and deteriorated by the presence of oxygen and water. Therefore, the lithography method cannot be employed, and therefore, a vapor deposition method using a physical mask by a vacuum vapor deposition apparatus is employed.

まず、前記チャンバー2内の隔離部屋7上にフィジカルマスク5をセットし、さらにこれの上に前記の開口部221aまで形成した基板20を、その成膜側、すなわち開口部221aを形成した側をフィジカルマスク5に向け、位置決めしてセットする。フィジカルマスク5については、開口部221aに対応した開口パターンを有したものを用いる。この開口パターンは、前述したようにこれを用いて所望パターン(ここでは正孔注入/輸送層70)を形成する際、その形成時における加熱温度において、形成する所定パターンにほぼ一致するように予め設計されたものとする。   First, the physical mask 5 is set on the isolation chamber 7 in the chamber 2, and the substrate 20 formed up to the opening 221a is further formed on the film forming side, that is, the side on which the opening 221a is formed. Position and set toward the physical mask 5. As the physical mask 5, a mask having an opening pattern corresponding to the opening 221a is used. As described above, when the desired pattern (here, the hole injection / transport layer 70) is formed using this opening pattern, the opening pattern is preliminarily matched with the predetermined pattern to be formed at the heating temperature at the time of formation. It shall be designed.

このようにして基板20をセットしたら、真空ポンプ3を作動させ、チャンバー2内を所望の真空度、例えば1.333×10−4Pa以下、具体的には1.333×10−4Pa〜1.333×10−5Pa(10−6Torr〜10−7Torr)程度に減圧する。また。これとは別に、隔離部屋7の加熱手段8、及びフィジカルマスク5用の加熱手段9をそれぞれ作動させ、隔離部屋7内、及びフィジカルマスク5をそれぞれ所定の温度に加熱し、その温度に保持する。 After placing the substrate 20 In this way, by operating the vacuum pump 3, the inside of the chamber 2 the desired degree of vacuum, for example, 1.333 × 10 -4 Pa or less, in particular 1.333 × 10 -4 Pa to The pressure is reduced to about 1.333 × 10 −5 Pa (10 −6 Torr to 10 −7 Torr). Also. Separately from this, the heating means 8 in the isolation chamber 7 and the heating means 9 for the physical mask 5 are operated to heat the inside of the isolation chamber 7 and the physical mask 5 to a predetermined temperature, respectively, and maintain that temperature. .

隔離部屋7内及びフィジカルマスク5の加熱温度としては、形成するパターン(正孔注入/輸送層70)の形成材料(低分子系有機材料)の、成膜処理雰囲気圧下における昇華温度以上の温度(通常は200〜400℃)となるように、前記加熱手段8、9によってそれぞれ加熱するのが望ましい。このようにすれば、隔離部屋7内及びフィジカルマス5が、前記形成材料の処理雰囲気圧下における昇華温度以上の温度となるので、これら隔離部屋7やフィジカルマスク5に前記形成材料が付着してしまうのを防止することができ、したがってコストの低減化を図ることができるとともに、メンテナンスを容易にすることができる。
また、前記の加熱温度としては、前記形成材料の、成膜処理雰囲気圧下における分解温度より低い温度となるように、前記加熱手段8、9によってそれぞれ加熱するのが望ましい。このようにすれば、前記形成材料が分解してしまい、結果的に材料が無駄になってしまうのを防止することができる。
The heating temperature for the inside of the isolation chamber 7 and the physical mask 5 is a temperature higher than the sublimation temperature of the forming material (low molecular weight organic material) of the pattern to be formed (hole injection / transport layer 70) under the film forming treatment atmospheric pressure ( It is desirable to heat by the heating means 8 and 9 so that the temperature is usually 200 to 400 ° C. In this case, the inside of the isolation chamber 7 and the physical mass 5 are at a temperature equal to or higher than the sublimation temperature under the processing atmosphere pressure of the forming material, so that the forming material adheres to the isolation chamber 7 and the physical mask 5. Therefore, the cost can be reduced and the maintenance can be facilitated.
Further, it is desirable that the heating means 8 and 9 respectively heat the forming material so as to be lower than the decomposition temperature of the forming material under the film forming treatment atmospheric pressure. By doing so, it is possible to prevent the formation material from being decomposed and the material from being wasted as a result.

隔離部屋7内及びフィジカルマスク5を、加熱手段8、9によってこのような温度範囲に加熱したら、蒸着源保持部6をその加熱手段(図示せず)によって加熱する。この蒸着源保持部6の加熱温度についても、前記の隔離部屋7内及びフィジカルマスク5の加熱温度と同様に、蒸着源となる前記形成材料(低分子系有機材料)の、成膜処理雰囲気圧下における昇華温度以上の温度で、かつその分解温度未満の温度とする。   If the inside of the isolation room 7 and the physical mask 5 are heated to such a temperature range by the heating means 8 and 9, the vapor deposition source holding | maintenance part 6 will be heated by the heating means (not shown). The heating temperature of the vapor deposition source holding unit 6 is also reduced in the film forming treatment atmosphere pressure of the forming material (low molecular organic material) serving as the vapor deposition source, similarly to the heating temperature of the isolation chamber 7 and the physical mask 5. The temperature is equal to or higher than the sublimation temperature and lower than the decomposition temperature.

このようにして蒸着源保持部6を加熱すると、その中に設けられた蒸着源、すなわち前記形成材料が昇華し、蒸散する。この蒸散した材料は、前述したように隔離部屋7がその昇華温度以上に加熱されていることから、この隔離部屋7の内壁に接触しても、これに冷却され付着するといったことが起こらず、そのまま隔離部屋7を上昇してフィジカルマスク5側に至る。このとき、フィジカルマスク5も加熱されていることから、蒸散した材料はこのフィジカルマスク5に接触してもこれに冷却され付着するといったことが起こらない。   When the vapor deposition source holding part 6 is heated in this way, the vapor deposition source provided therein, that is, the forming material is sublimated and evaporated. As described above, since the isolated chamber 7 is heated to a temperature higher than the sublimation temperature as described above, the evaporated material is not cooled and attached to the inner wall of the isolated chamber 7, The ascending room 7 is moved up to the physical mask 5 side. At this time, since the physical mask 5 is also heated, the evaporated material does not cool and adhere to the physical mask 5 even if it comes into contact with the physical mask 5.

したがって、蒸散した材料はフィジカルマスク5に至り、その開口パターンを通り抜けて基板20の前記開口部221aに到達し、接触する。すると、前記材料はここで冷却されて固化(昇華)し、図4(c)に示すように開口部221a内で成膜して正孔注入/輸送層70となる。   Accordingly, the evaporated material reaches the physical mask 5, passes through the opening pattern, reaches the opening 221 a of the substrate 20, and comes into contact therewith. Then, the material is cooled and solidified (sublimated) here, and is formed into a hole injection / transport layer 70 in the opening 221a as shown in FIG. 4C.

このようにして正孔注入/輸送層70を形成したら、蒸着源保持部6への加熱を停止し、蒸着による成膜を終了する。そして、必要に応じてフィジカルマスク5を発光層形成用のもの変え、また蒸着源を、発光層形成用の有機材料に蒸着源保持部6ごと変える。
そして、正孔注入/輸送層70の場合と同様にして、発光層60をその形成材料に応じた温度に加熱しつつ成膜し、図5(a)に示すように発光層60を形成する。なお、この発光層60については、赤色の発光をなす赤色発光層、緑色の発光をなす緑色発光層、青色の発光をなす青色発光層を、それぞれに形成するようにする。その際、フィジカルマスク5については、前述したようにこれに有機材料が付着しないことから、色をかえるとき、前記移送機構によって各色の発光層に対応するピッチ(サブピクセルピッチ)分だけずらし、そのまま次の蒸着工程に移ることができる。
その後、これら正孔注入/輸送層70、発光層60の場合と同様にして、電子注入/輸送層65をその形成材料に応じた温度に加熱しつつ成膜し、図5(b)に示すように発光層60を形成する。
When the hole injection / transport layer 70 is formed in this way, heating to the vapor deposition source holding unit 6 is stopped, and film formation by vapor deposition is completed. Then, if necessary, the physical mask 5 is changed for forming the light emitting layer, and the evaporation source is changed to the organic material for forming the light emitting layer together with the evaporation source holding unit 6.
Then, in the same manner as in the case of the hole injection / transport layer 70, the light emitting layer 60 is formed while being heated to a temperature corresponding to the forming material, and the light emitting layer 60 is formed as shown in FIG. . For the light emitting layer 60, a red light emitting layer that emits red light, a green light emitting layer that emits green light, and a blue light emitting layer that emits blue light are formed respectively. At this time, since the organic material does not adhere to the physical mask 5 as described above, when the color is changed, the physical mechanism 5 is shifted by the pitch (sub-pixel pitch) corresponding to the light emitting layer of each color by the transfer mechanism, and remains as it is. It can move to the next vapor deposition process.
Thereafter, in the same manner as in the case of the hole injecting / transporting layer 70 and the light emitting layer 60, the electron injecting / transporting layer 65 is formed while being heated to a temperature corresponding to the forming material, as shown in FIG. Thus, the light emitting layer 60 is formed.

次いで、蒸着法やスパッタ法等によって陰極材料を成膜し、陰極50の形成を行う。この陰極層形成工程においても、蒸着法を採用する場合には、図1に示した蒸着装置1を用いることができる。
その後、図5(c)に示すように、封止工程によって封止基板30の形成を行う。この封止工程では、作製した有機EL素子内部に水や酸素が浸入するのを防ぐため、封止基板30の内側に例えば乾燥剤45を貼着しつつ、該封止基板30と基板20とを封止樹脂(図示略)にて封止する。封止樹脂としては、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂が用いられる。なお、この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
Next, a cathode material is formed by vapor deposition or sputtering, and the cathode 50 is formed. Also in this cathode layer forming step, the vapor deposition apparatus 1 shown in FIG. 1 can be used when the vapor deposition method is employed.
Then, as shown in FIG.5 (c), the sealing substrate 30 is formed by a sealing process. In this sealing step, in order to prevent water and oxygen from entering the produced organic EL element, for example, a desiccant 45 is adhered to the inside of the sealing substrate 30 while the sealing substrate 30 and the substrate 20 Is sealed with a sealing resin (not shown). As the sealing resin, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used. In addition, it is preferable to perform this sealing process in inert gas atmosphere, such as nitrogen, argon, and helium.

このような有機EL装置10の製造方法にあっては、機能層中の有機層、すなわち正孔注入/輸送層70、発光層60、電子注入/輸送層65の各層を前記の蒸着装置1によって形成するので、蒸着装置1の隔離部屋7内やフィジカルマスク5に各形成材料が付着してしまうのを防止することができる。したがって、付着によって高価な形成材料が無駄になるのを防止することができ、これによりコストの低減化を図ることができるとともに、メンテナンスを容易にすることもできる。特に、発光層の形成材料は高価であるので、この発光層形成を前記蒸着装置1で行うことにより、コストの低減化をより効果的に行うことができる。
また、例えば発光層を形成する際、前述したように赤色発光層、緑色発光層、青色発光層について、それぞれフィジカルマスク5を変えることなく同一のものを用いて成膜することができることから、処理操作が容易になるとともにメンテナンスも容易になり、したがって成膜のスループットを向上することができる。
In such a manufacturing method of the organic EL device 10, the organic layer in the functional layer, that is, each of the hole injection / transport layer 70, the light emitting layer 60, and the electron injection / transport layer 65 is formed by the vapor deposition device 1. Since it forms, it can prevent that each formation material adheres in the isolation | separation room 7 of the vapor deposition apparatus 1, or the physical mask 5. FIG. Therefore, it is possible to prevent the expensive forming material from being wasted due to the adhesion, thereby reducing the cost and facilitating maintenance. In particular, since the material for forming the light emitting layer is expensive, the cost can be reduced more effectively by forming the light emitting layer with the vapor deposition apparatus 1.
For example, when forming the light emitting layer, the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer can be formed using the same material without changing the physical mask 5 as described above. The operation becomes easy and the maintenance becomes easy, so that the throughput of the film formation can be improved.

また、このような製造方法に用いられる前記蒸着装置1にあっては、前述したように隔離部屋7やフィジカルマスク5に蒸着源から蒸散した材料が付着してしまうのを防止することができるため、メンテナンスを容易にすることができるとともに、蒸着源となる材料の無駄が十分に少なくしてコストの低減化を図ることができる。
さらに、フィジカルマスク5への材料の付着を防止することができることから、このフィジカルマスク5のライフタイムを長くすることができ、したがってこのことからもコストの低減化を進めることができる。
Moreover, in the said vapor deposition apparatus 1 used for such a manufacturing method, it can prevent that the material evaporated from the vapor deposition source adheres to the isolation room 7 or the physical mask 5 as mentioned above. In addition to facilitating maintenance, it is possible to reduce the waste by sufficiently reducing the material used as the evaporation source.
Furthermore, since it is possible to prevent the material from adhering to the physical mask 5, the lifetime of the physical mask 5 can be lengthened. Therefore, the cost can be further reduced.

なお、前記実施形態では、正孔注入/輸送層70、発光層60、電子注入/輸送層65の各層を前記の蒸着装置1によって形成したが、本発明はこれに限定されることなく、これら各層のうちの少なくとも一層を低分子系材料による有機層とし、前記蒸着装置1を用いてこれを成膜・パターニングするようにすればよい。
また、有機層ではないものの、陽極(画素電極23)や陰極50についても、その形成に前記蒸着装置1を用いることができる。
また、前記実施形態では、本発明の有機EL装置の製造方法を、アクティブマトリクス型の有機EL装置の製造方法に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば単純マトリクス型の有機EL装置の製造方法に適用することもできる。
In the embodiment, each of the hole injection / transport layer 70, the light emitting layer 60, and the electron injection / transport layer 65 is formed by the vapor deposition apparatus 1, but the present invention is not limited thereto, At least one of the layers may be an organic layer made of a low molecular material, and this may be formed and patterned using the vapor deposition apparatus 1.
Moreover, although it is not an organic layer, the said vapor deposition apparatus 1 can be used for the formation also about the anode (pixel electrode 23) and the cathode 50. FIG.
In the above-described embodiment, the case where the method for manufacturing an organic EL device of the present invention is applied to a method for manufacturing an active matrix organic EL device has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, simple It can also be applied to a method for manufacturing a matrix type organic EL device.

また、本発明によって得られた有機EL装置10は、各種の電子機器に表示部などとして用いることができる。具体的には、携帯電話の表示部や、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の表示部、腕時計型電子機器の表示部、さらにはフラットパネルディスプレイ(例えばテレビ)などに適用可能である。   The organic EL device 10 obtained by the present invention can be used as a display unit or the like in various electronic devices. Specifically, the present invention can be applied to a display unit of a mobile phone, a display unit of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer, a display unit of a wristwatch type electronic device, and a flat panel display (for example, a television).

本発明の蒸着装置の一実施形態の、概略構成図である。It is a schematic block diagram of one Embodiment of the vapor deposition apparatus of this invention. 本発明の有機EL装置の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the organic electroluminescent apparatus of this invention. 図2のA−B線での要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view in the AB line of FIG. 有機EL装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus in order of a process. 図4に続く工程を説明するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step following the step in FIG. 4.

符号の説明Explanation of symbols

1…蒸着装置、2…チャンバー、3…真空ポンプ(減圧手段)、
4…基板(被処理体)、6…蒸着保持部、7…隔離部屋、8…加熱手段、
9…加熱手段、
10…有機EL装置、23…画素電極(陽極)、50…陰極、60…発光層、
65…電子注入/輸送層、70…正孔注入/輸送層

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Deposition apparatus, 2 ... Chamber, 3 ... Vacuum pump (pressure reduction means),
4 ... Substrate (object to be processed), 6 ... Deposition holder, 7 ... Isolation chamber, 8 ... Heating means,
9 ... heating means,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL device, 23 ... Pixel electrode (anode), 50 ... Cathode, 60 ... Light emitting layer,
65 ... Electron injection / transport layer, 70 ... Hole injection / transport layer

Claims (7)

被処理体に対し、開口パターンを有したフィジカルマスクを用いて所定パターンの成膜をなすための蒸着装置であって、
蒸着源を有するチャンバーと、該チャンバー内を減圧する減圧手段とを備え、
前記チャンバー内に、前記蒸着源と前記フィジカルマスクとの間の空間をチャンバー内の他の空間から隔離する隔離部屋を設け、
前記隔離部屋及び前記フィジカルマスクに、それぞれ加熱手段を設けたことを特徴とする蒸着装置。
A vapor deposition apparatus for forming a predetermined pattern on a workpiece using a physical mask having an opening pattern,
A chamber having a deposition source, and a decompression means for decompressing the inside of the chamber,
In the chamber, an isolation room for isolating a space between the deposition source and the physical mask from other spaces in the chamber is provided.
A vapor deposition apparatus, wherein the isolation chamber and the physical mask are each provided with heating means.
対向する電極と、これら電極間に設けられた、有機材料からなる有機層を有した機能層と、を備えた有機EL装置の製造方法において、
請求項1記載の蒸着装置を用い、かつ前記蒸着源として少なくとも前記有機層の形成材料を用い、前記加熱手段によって前記隔離部屋内及び前記フィジカルマスクをそれぞれ加熱しつつ、前記有機層形成材料を昇華させて前記フィジカルマスクにより該有機層形成材料を前記被処理体となる基体上の各ドット領域毎に選択的に配し、各ドット領域毎に有機層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
In a method for manufacturing an organic EL device comprising: an opposing electrode; and a functional layer having an organic layer made of an organic material provided between the electrodes.
2. The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein at least the organic layer forming material is used as the vapor deposition source, and the organic layer forming material is sublimated while heating the inside of the isolation chamber and the physical mask by the heating means. An organic EL device characterized in that the organic layer forming material is selectively arranged for each dot region on the substrate to be processed by the physical mask, and an organic layer is formed for each dot region. Manufacturing method.
前記有機層が発光層であることを特徴とする請求項2記載の有機EL装置の製造方法。   3. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 2, wherein the organic layer is a light emitting layer. 前記隔離部屋内及び前記フィジカルマスクを、それぞれ前記有機層形成材料の処理雰囲気圧下における昇華温度以上の温度となるように、前記加熱手段によって加熱することを特徴とする請求項2又は3記載の有機EL装置の製造方法。   4. The organic material according to claim 2, wherein the inside of the isolation chamber and the physical mask are heated by the heating means so as to have a temperature equal to or higher than a sublimation temperature under a processing atmosphere pressure of the organic layer forming material. Manufacturing method of EL device. 前記隔離部屋内及び前記フィジカルマスクを、それぞれ前記有機層形成材料の処理雰囲気圧下における分解温度より低い温度となるように、前記加熱手段によって加熱することを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。   5. The heating means is used to heat the inside of the isolation chamber and the physical mask so that the temperature becomes lower than the decomposition temperature of the organic layer forming material under the processing atmosphere pressure. A method for producing an organic EL device according to one item. 前記フィジカルマスクは、その開口パターンが、有機層形成時での加熱温度において、形成する所定パターンにほぼ一致するよう設計されてなることを特徴とする請求項2〜5のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。   The said physical mask is designed so that the opening pattern may substantially correspond to the predetermined pattern to form at the heating temperature at the time of organic layer formation. Manufacturing method of the organic EL device. 前記チャンバー内を、前記の有機層形成に先立ち、前記減圧手段によって予め1.333×10−4Pa以下の真空雰囲気にしておくことを特徴とする請求項2〜6のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
The inside of the chamber is previously set to a vacuum atmosphere of 1.333 × 10 −4 Pa or less by the decompression unit prior to the formation of the organic layer. Manufacturing method of the organic EL device.
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