KR101335422B1 - Fabricating method of electroluminescent device - Google Patents

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KR101335422B1 KR1020060139109A KR20060139109A KR101335422B1 KR 101335422 B1 KR101335422 B1 KR 101335422B1 KR 1020060139109 A KR1020060139109 A KR 1020060139109A KR 20060139109 A KR20060139109 A KR 20060139109A KR 101335422 B1 KR101335422 B1 KR 101335422B1
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Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극이 형성된 기판 상에 롤프린팅을 이용하여 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽 사이의 제1전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device, the method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention comprises the steps of preparing a substrate having a plurality of pixel areas defined; Forming a first electrode on the pixel region of the substrate; Forming barrier ribs on the substrate on which the first electrode is formed to separate pixel regions by using roll printing; Forming a light emitting layer on the first electrode between the barrier ribs; And forming a second electrode on the substrate on which the light emitting layer and the partition wall are formed.

격벽, 롤프린팅, 멀티레이어 Bulkhead, roll printing, multilayer

Description

유기전계발광소자의 제조방법{FABRICATING METHOD OF ELECTROLUMINESCENT DEVICE}Manufacturing method of organic electroluminescent device {FABRICATING METHOD OF ELECTROLUMINESCENT DEVICE}

도 1은 종래의 일반적인 유기전계 발광소자를 나타낸 개념도.1 is a conceptual view showing a conventional general organic light emitting device.

도 2는 상기 유기전계 발광소자의 밴드다이어그램(band diagram).2 is a band diagram of the organic light emitting device.

도 3a 내지 도 3d는 종래의 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에서 격벽을 형성하고 격벽 내에 유기발광물질을 형성하는 과정을 나타낸 도면.3A to 3D are views illustrating a process of forming a barrier rib and forming an organic light emitting material in the barrier rib in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the related art.

도 4는 본 발명에 따른 제조방법으로 제조한 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도.4 is a cross-sectional view showing an organic light emitting device manufactured by the manufacturing method according to the present invention.

도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도.5A through 5B are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention.

도 6a 내지 6c는 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성하는 과정을 나타낸 순차적인 도면.6a to 6c are sequential views showing a process of forming a partition wall using roll printing.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110 : 기판 120 : 제1전극110 substrate 120 first electrode

131 : 전자주입층 133 : 전자수송층131: electron injection layer 133: electron transport layer

135 : 발광층 137 : 정공수송층135 light emitting layer 137 hole transport layer

139 : 정공주입층 140 : 제2전극139: hole injection layer 140: second electrode

150 : 격벽 151 : 인쇄롤150: bulkhead 151: printing roll

본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 발광층을 분리하는 격벽을 롤프린팅으로 형성함으로써 포토리소그래피를 이용하여 격벽을 형성할 때 발생할 수 있는 불량을 감소시킨 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device, and more particularly, by forming a barrier rib separating the light emitting layer by roll printing, thereby reducing defects that may occur when forming the barrier rib using photolithography.

21세기는 정보화 사회로, 이에 따라 어디에서나 손쉽게 정보를 얻을 필요가 있기 때문에 멀티미디어용 고성능 평판표시소자의 개발이 중요시되고 있다. 특히, 통신 및 컴퓨터에 관련하여 반도체와 표시장치의 소자개발에 관련한 기술개발이 중요시되고 있고 있다. 그 중 천연색표시소자로써 주목받는 소자가 유기전계 발광소자이다.As the 21st century is an information society, it is important to develop high-performance flat panel display devices for multimedia because it is necessary to easily obtain information from anywhere. In particular, technology development related to device development of semiconductors and display devices is becoming important in relation to communication and computers. Among them, an organic electroluminescent device is an element attracting attention as a color display device.

도 1은 종래의 일반적인 유기전계 발광소자를 나타낸 개념도이며, 도 2는 상기 유기전계 발광소자의 밴드다이어그램(band diagram)이다.1 is a conceptual diagram illustrating a conventional organic EL device, and FIG. 2 is a band diagram of the organic EL device.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계 발광소자는 일함수(work function)가 높은 금속전극과 낮은 금속전극 사이에 발광물질이 삽입되는 구조로 되어 있다. 일함수가 높은 금속전극은 발광물질에 정공을 주입하는 양극(anode;7)으로 사용되고 낮은 금속전극은 발광물질에 전자를 주입하는 음극(cathode;3)으로 사용된다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting diode has a structure in which a light emitting material is inserted between a metal electrode having a high work function and a low metal electrode. The metal electrode having a high work function is used as an anode 7 for injecting holes into the light emitting material and the low metal electrode is used as a cathode 3 for injecting electrons into the light emitting material.

발광된 빛이 발광소자 외부로 발산되게 하기 위하여 한쪽 전극은 발광파장영역에서 빛의 흡수가 거의 없는 투명한 물질을 사용한다. 투명전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 많이 사용되며, 이 금속은 통상 정공이 주입되는 양극(7)으로 사용된다. 음극(3)으로는 전자의 주입을 용이하게 하기 위해 일반적으로 일함수가 낮은 금속을 사용한다.In order to emit the emitted light to the outside of the light emitting device, one electrode uses a transparent material having almost no light absorption in the light emitting wavelength region. Indium Tin Oxide (ITO) is most commonly used as the transparent electrode, and this metal is usually used as the anode 7 into which holes are injected. As the cathode 3, a metal having a low work function is generally used to facilitate the injection of electrons.

유기전계 발광소자의 발광의 원리는 다음과 같다. 일함수가 높은 양극(7)과 낮은 음극(3)에서 각각 정공과 전자가 유기발광층(5)에 주입되면, 상기 유기발광층(5) 내에 엑시톤(exciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 발광, 소멸(decay)함에 따라 도 2에 도시된 유기발광층(5)의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 빛이 발생하게 된다.The principle of light emission of the organic light emitting device is as follows. When holes and electrons are injected into the organic light emitting layer 5 at the anode 7 and the cathode 3 having a high work function, excitons are generated in the organic light emitting layer 5, and the excitons emit and disappear. As a result, light corresponding to the energy difference between the low unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the organic light emitting layer 5 shown in FIG. 2 is generated.

상기한 원리로 작동하는 유기전계 발광소자는 발광층은 단일층(mono-layer)로 형성할 수도 있으나 유기도전막을 적층하여 복수층(multi-layer)로도 형성이 가능하며, 일반적으로 양극으로부터 정공이 주입되는 정공주입층과, 주입된 정공이 발광층으로 수송되는 정공수송층과, 음극으로부터 전자가 주입되는 전자주입층, 주입된 전자가 발광층으로 수송되는 전자수송층, 및 상기 수송된 전자와 정공이 만나 엑시톤을 이루는 발광층으로 이루어진다.In the organic light emitting device operating on the above principle, the light emitting layer may be formed as a mono-layer, but may be formed as a multi-layer by laminating the organic conductive film, and holes are generally injected from the anode. A hole injection layer, a hole transport layer through which injected holes are transported to a light emitting layer, an electron injection layer through which electrons are injected from a cathode, an electron transport layer through which injected electrons are transported to a light emitting layer, and the transported electrons and holes meet excitons It consists of a light emitting layer.

이때, 상기 발광층은 각 화소마다 적, 녹, 청색의 빛을 발광하는 유기발광물질이 형성되어 화상을 형성하게 된다.In this case, an organic light emitting material emitting red, green, and blue light is formed for each pixel to form an image.

상기한 발광층에 각기 다른 유기발광물질을 형성하기 위해서는 각 화소 사이를 구분하는 격벽이 구비되며, 각 격벽으로 이루어진 화소영역의 내부에 유기발광물질이 형성된다.In order to form different organic light emitting materials in the light emitting layer, barrier ribs are formed between the pixels, and an organic light emitting material is formed in the pixel region formed of the barrier ribs.

도 3a 내지 도 3c는 종래의 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에서 격벽을 형성하고 격벽 내에 유기발광물질을 형성하는 과정을 나타낸 것이다. 3A to 3C illustrate a process of forming a barrier rib and forming an organic light emitting material in the barrier rib in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the related art.

도면을 참조하여 살펴보면, 절연기판(10) 상에 각 화소마다 제1전극(20)이 음극(cathode)으로 형성되며, 제1전극(20) 상에는 전자주입층(31)과 전자수송층 (33)이 순차적으로 형성된다.Referring to the drawings, the first electrode 20 is formed as a cathode for each pixel on the insulating substrate 10, and the electron injection layer 31 and the electron transport layer 33 are formed on the first electrode 20. This is formed sequentially.

전자수송층(33) 상에는 화소와 화소 사이에 격벽이 형성되는데, 격벽을 형성하기 위해서는, 먼저 도 3a와 같이, 전자수송층(33)에 포토레지스트(50A)를 도포한다. 그 다음, 도 3b와 같이 상기 포토레지스트(50A)를 형성할 격벽에 대응하여 투과영역과 차단영역이 형성된 마스크(80)를 사이에 두고 광을 조사하여 노출시킨다. 이후, 노출된 포토레지스트(50A)에 현상용액을 가하여 현상하면, 도 3c와 같이, 화소와 화소 사이에 포토레지스트로 이루어진 격벽(50)이 형성된다. 그 다음, 도 3d와 같이, 상기 격벽(50)이 형성된 기판(10) 상에 적, 녹, 청색을 발광하는 유기발광층(35)을 형성하는 과정을 거친다.A partition is formed between the pixel and the pixel on the electron transport layer 33. To form the partition, first, a photoresist 50A is applied to the electron transport layer 33 as shown in FIG. 3A. Next, as shown in FIG. 3B, light is irradiated and exposed through a mask 80 having a transmissive region and a blocking region therebetween corresponding to the partition wall on which the photoresist 50A is to be formed. Thereafter, when the developing solution is added to the exposed photoresist 50A, the barrier rib 50 made of photoresist is formed between the pixel and the pixel as shown in FIG. 3C. Next, as shown in FIG. 3d, the organic light emitting layer 35 emitting red, green, and blue light is formed on the substrate 10 on which the barrier rib 50 is formed.

이때, 상기 포토레지스트(50A)가 포지티브 타입이면 빛에 노출된 부분의 포토레지스트가 제거되며, 네거티브 타입이면 빛에 노출되지 않은 부분의 포토레지스트가 제거된다. 도면에서는 네거티브 타입의 포토레지스트를 나타내었으며, 포지티브 포토레지스트를 사용하여도 무방하다.At this time, if the photoresist 50A is the positive type, the photoresist of the portion exposed to light is removed. If the photoresist 50A is the positive type, the photoresist of the portion not exposed to the light is removed. In the figure, a negative photoresist is shown, and a positive photoresist may be used.

그런데, 상기한 바와 같은 광 노출 방법을 사용하여 포토레지스트를 제거하여 격벽을 형성하는 방법은, 노출과정 후 현상을 진행하게 되면 빛에 노출되지 않는 부분의 포토레지스트가 제거되며, 포토레지스트가 제거되는 부분에 노출된 상면-예를 들어 전자수송층-이 상기 현상용액과의 반응에 의하여 훼손되는 등 피해를 입게 된다. However, in the method of forming a barrier rib by removing the photoresist using the light exposure method as described above, when the development is performed after the exposure process, the photoresist of the portion not exposed to light is removed, and the photoresist is removed. The upper surface exposed to the portion—for example, the electron transport layer—is damaged by the reaction with the developing solution.

이로 인해 이후 발광층과의 발광 구성과정에서 효과적으로 전자수송층으로서 기능할 수 없게 되어 유기전계 발광소자의 효율이나 수명에 막대한 영향을 미치게 된다.As a result, the light emitting layer may not effectively function as an electron transport layer in the light emitting composition process with the light emitting layer, thereby greatly affecting the efficiency and lifetime of the organic light emitting device.

상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 포토레지스트를 이용한 노출, 현상과정 없이 격벽을 형성하여 제공하는 고품질의 유기전계 발광소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a high-quality organic electroluminescent device manufacturing method that forms and provides a partition without exposure and development using a photoresist.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극이 형성된 기판 상에 롤프린팅을 이용하여 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽 사이의 제1전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, including: preparing a substrate in which a plurality of pixel regions are defined; Forming a first electrode on the pixel region of the substrate; Forming barrier ribs on the substrate on which the first electrode is formed to separate pixel regions by using roll printing; Forming a light emitting layer on the first electrode between the barrier ribs; And forming a second electrode on the substrate on which the light emitting layer and the partition wall are formed.

여기서, 상기 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성하는 단계는, 유기절연물질이 외주면에 도포된 인쇄롤을 준비하는 단계와; 상기 인쇄롤을 클리체에 작용하여 인쇄롤에 도포된 유기절연물질을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 유기절연물질을 제1전극이 형성된 기판 상에 전사시키는 단계; 및 상기 전사된 유기절연물질을 경 화시켜 격벽을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Here, the forming of the partition wall using the roll printing may include preparing a printing roll coated with an organic insulating material on an outer circumferential surface thereof; Patterning the organic insulating material applied to the printing roll by applying the printing roll to the cliché; Transferring the patterned organic insulating material onto a substrate on which a first electrode is formed; And hardening the transferred organic insulating material to form a partition wall.

이때, 상기 유기절연물질을 경화시켜 격벽을 형성하는 단계는 자외선과 같은 광을 유기절연물질에 조사하여 경화시키는 것을 특징으로 하며, 상기 유기절연물질은 벤조시클로부텐(BCB), 폴리아크릴 계열, 폴리이미드 계열의 유기물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하며, 상기 격벽은 발광층의 높이보다 높게 형성할 수 있다.At this time, the step of forming the partition by curing the organic insulating material is characterized in that the curing by irradiating the organic insulating material with light such as ultraviolet rays, the organic insulating material is benzocyclobutene (BCB), polyacrylic series, poly It is characterized in that any one of the mid-based organic material, the partition wall may be formed higher than the height of the light emitting layer.

한편, 상기 발광층을 형성하는 단계는 인쇄 또는 잉크젯으로 형성할 수 있다.On the other hand, the step of forming the light emitting layer may be formed by printing or inkjet.

그리고, 상기 제1전극을 형성하는 단계와 상기 격벽을 형성하는 단계 사이에 상기 제1전극이 형성된 기판의 전면에 전자주입층을 형성하는 단계와, 상기 전자주입층 상에 전자수송층을 형성하는 단계와, 상기 발광층을 형성하는 단계와 제2전극을 형성하는 단계 사이에 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판의 전면에 정공수송층을 형성하는 단계와, 상기 정공수송층 상에 정공주입층을 형성하는 단계를 각각 더 포함할 수 있다.And forming an electron injection layer on the entire surface of the substrate on which the first electrode is formed between the forming of the first electrode and the forming the partition wall, and forming an electron transport layer on the electron injection layer. And forming a hole transport layer on the entire surface of the substrate on which the light emitting layer and the partition wall are formed between forming the light emitting layer and forming the second electrode, and forming a hole injection layer on the hole transport layer, respectively. It may further include.

이때, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층은 진공증착법으로 형성이 가능하다.In this case, the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer can be formed by a vacuum deposition method.

또한, 상기 제1전극은 상기 제2전극보다 일함수가 작은 금속으로, 상기 제2전극은 상기 제1전극보다 일함수가 큰 투명도전물질로 형성할 수 있으며, 그 역으로도 형성이 가능하다.In addition, the first electrode may be formed of a metal having a work function smaller than that of the second electrode, and the second electrode may be formed of a transparent conductive material having a work function greater than that of the first electrode, and vice versa. .

한편, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계는, 절연기판 상에 게이트 라인과 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트전극 상에 게이트절연막 을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 상에 반도체층과 오믹콘택층을 형성하는 단계; 및 상기 오믹콘택층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고 상기 게이트전극과 실질적으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하며, 상기 소스전극 및 드레인전극이 형성된 기판 상에 보호층을 형성하고 드레인전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하고, 상기 제1전극을 상기 콘택홀을 통해 드레인전극과 전기적으로 접속하도록 형성하는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, preparing a substrate in which a plurality of pixel regions are defined may include forming a gate line and a gate electrode on an insulating substrate; Forming a gate insulating film on the gate electrode; Forming a semiconductor layer and an ohmic contact layer on the gate insulating film; And forming a source electrode and a drain electrode on the ohmic contact layer, and forming a data line substantially crossing the gate electrode to define a pixel area, wherein the source electrode and the drain electrode are formed on the substrate. Forming a protective layer thereon and forming a contact hole exposing a portion of the drain electrode, and electrically connecting the first electrode to the drain electrode through the contact hole.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서 어떤 막이나 층이 다른 막이나 층 상에 형성되어 있다는 것은 두 막이나 층이 접한 경우뿐만 아니라 두 막이나 층 사이에 다른 막이나 층이 존재하는 경우도 포함한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the formation of a film or layer on another film or layer includes not only when two films or layers are in contact with each other but also when another film or layer is present between the two films or layers.

본 발명에 있어서, 제1전극과 제2전극은 각각 화소전극과 공통전극으로서 전극의 형성 물질에 따라 음극과 양극이 바뀔 수 있다. 특히 일함수가 상대적으로 높은 물질로 전극을 형성하게 되면 그 전극이 정공을 제공하는 양극이 되며, 일함수가 상대적으로 낮은 물질로 전극을 형성하게 되면 그 전극이 전자를 제공하는 음극이 된다. 본 발명에서는 제1전극(즉, 화소전극)을 일함수가 낮은 금속으로 형성한 경우에 대해 설명한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2전극이 일함수가 낮은 금속으로 형성될 수 있음은 물론이다.In the present invention, the first electrode and the second electrode are the pixel electrode and the common electrode, respectively, and the cathode and the anode may be changed according to the material for forming the electrode. In particular, when the electrode is formed of a material having a relatively high work function, the electrode becomes an anode providing holes, and when the electrode is formed of a material having a relatively low work function, the electrode becomes a cathode providing electrons. In the present invention, a case in which the first electrode (ie, the pixel electrode) is formed of a metal having a low work function will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the second electrode may be formed of a metal having a low work function.

도 4는 본 발명에 따른 제조방법으로 제조한 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing an organic light emitting device manufactured by the manufacturing method according to the present invention.

도면을 참조하면, 유리나 석영 등의 절연성 재질로 만들어진 기판(110) 상에 게이트전극(102)이 형성되어 있다. 상기 게이트전극(102) 상에는 게이트절연막(105)이 질화규소(SiNx)나 산화규소(SiO2) 등의 절연물질로 형성되어 있다. 상기 게이트전극(102) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(106)과 n형 불순물이 도핑된 n+ 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성되어 있다. n+비정질 실리콘층은 상기 게이트전극(102)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 오믹콘택층(ohmic contact layer, 107)을 이룬다.Referring to the drawings, a gate electrode 102 is formed on a substrate 110 made of an insulating material such as glass or quartz. The gate insulating film 105 is formed of an insulating material such as silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO 2 ) on the gate electrode 102. The semiconductor layer 106 made of amorphous silicon and the n + amorphous silicon layer doped with n-type impurities are sequentially formed on the gate electrode 102. The n + amorphous silicon layer is separated on both sides of the gate electrode 102 to form an ohmic contact layer 107.

오믹콘택층(107) 상에는 소스전극(103)과 드레인전극(104)이 게이트전극 (102)을 중심으로 이격되어 형성되어 있다.The source electrode 103 and the drain electrode 104 are formed on the ohmic contact layer 107 so as to be spaced apart from the gate electrode 102.

이때, 도시하지는 않았으나 상기 기판(110) 상에는 종횡으로 가로지르며 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인이 형성되어 있다. 상기 게이트전극(102)은 게이트라인에서 분지되어 형성되어 있으며, 상기 소스전극(103)은 데이터라인에서 분지되어 형성되어 있다.At this time, although not shown, gate lines and data lines are formed on the substrate 110 to cross the sides and define pixel regions. The gate electrode 102 is branched off the gate line and is formed, and the source electrode 103 is branched off the data line.

소스전극(103)과 드레인전극(104)이 형성된 기판(110)의 전면에는 보호막(108)이 형성되어 있으며, 상기 보호막(108)에는 드레인전극(104)의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형성되어 있다. A passivation layer 108 is formed on an entire surface of the substrate 110 on which the source electrode 103 and the drain electrode 104 are formed, and a contact hole for exposing a part of the drain electrode 104 is formed in the passivation layer 108. have.

상기 보호막(108)의 상부에는 제1전극(120)이 형성되어 있다. 상기 제1전극(120)은 화소전극이라고도 하며, 전도성 물질로 형성된다. 상기 제1전극(120)은 일함수가 후술할 제2전극(140)보다 상대적으로 낮은 알루미늄(Al)이나 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성된다. 이때 상기 제1전극(120)은 음극(cathode)로 작용하여 이후 형성될 유기발광층(135)에 전자를 공급한다. The first electrode 120 is formed on the passivation layer 108. The first electrode 120 is also referred to as a pixel electrode and is formed of a conductive material. The first electrode 120 is formed of a metal such as aluminum (Al) or chromium (Cr), which has a lower work function than the second electrode 140, which will be described later. In this case, the first electrode 120 serves as a cathode to supply electrons to the organic light emitting layer 135 to be formed later.

제1전극(120)이 형성된 기판(110)의 전면에는 전자주입층(electron injection layer; EIL, 131)이 형성되며, 전자주입층(131) 상에는 전자수송층(electron transport layer; ETL, 133)이 순차적으로 적층되어 있다. 상기 전자주입층(131)과 전자수송층(133)은 도전성의 유기물질로 형성할 수 있다. An electron injection layer (EIL) 131 is formed on the entire surface of the substrate 110 on which the first electrode 120 is formed, and an electron transport layer (ETL) 133 is formed on the electron injection layer 131. Laminated sequentially. The electron injection layer 131 and the electron transport layer 133 may be formed of a conductive organic material.

전자수송층(133)의 상부에는 제1전극(120)의 영역에 해당하는 부분을 둘러싸고 있는 격벽(150)이 형성되어 있다. 격벽(150)은 제1전극(120) 사이를 구분하여 각각의 화소영역의 둘레에 형성된다. 격벽(150)은 벤조시클로부텐(benzocyclobutene; BCB), 폴리아크릴 계열, 폴리이미드 계열 등 내열성, 내용매성이 있는 유기물질로 형성된다.A partition wall 150 is formed on the electron transport layer 133 to surround a portion corresponding to the region of the first electrode 120. The partition wall 150 is formed around the pixel area by separating the first electrode 120. The partition wall 150 is formed of an organic material having heat resistance and solvent resistance, such as benzocyclobutene (BCB), polyacrylic series, and polyimide series.

격벽(150)이 가리지 않은 전자수송층(133) 상에는 발광층(emissive layer, 135)이 형성되어 있다. 발광층(135)은 적색을 발광하는 적색 발광층(R), 녹색을 발광하는 녹색 발광층(G), 청색을 발광하는 청색 발광층(B)으로 이루어져 있다. An emission layer 135 is formed on the electron transport layer 133 not covered by the barrier wall 150. The light emitting layer 135 includes a red light emitting layer R emitting red, a green light emitting layer G emitting green, and a blue light emitting layer B emitting blue.

상기 발광층(135)은 다양한 유기물질이 사용될 수 있으나, 폴리플루오렌 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9, 10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다.Various organic materials may be used for the emission layer 135, but a perylene-based polyfluorene derivative, a polyparaphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or a polymer material thereof It can be used by doping with a pigment | dye, a laumine pigment | dye, rubrene, a perylene, 9, 10- diphenyl anthracene, tetraphenyl butadiene, nile, coumarin 6, quinacridone, etc.

발광층(135)과 격벽(150)을 포함하는 기판(110) 상에는 정공수송층(hole transport layer; HTL, 137)이 형성되며, 정공수송층(137) 상에는 정공주입층(hole injection layer; HIL, 139)이 적층되어 있다. 상기 정공수송층(137)과 정공주입층(139)은 도전성의 유기물질로 형성될 수 있다.A hole transport layer (HTL) 137 is formed on the substrate 110 including the light emitting layer 135 and the partition wall 150, and a hole injection layer (HIL) 139 is formed on the hole transport layer 137. Is laminated. The hole transport layer 137 and the hole injection layer 139 may be formed of a conductive organic material.

정송주입층 상에는 정공주입층(139)에 정공을 주입하는 제2전극(140)이 형성되어 있다. 제2전극(140)은 공통전극이라고도 하며, 전도성 물질로 형성된다. 상기 제2전극(140)은 일함수가 제1전극(120)보다 상대적으로 높은 투명한 도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성된다. 이때, 제2전극(140)은 양극(anode)로 작용하여 발광층(135)에 정공을 제공한다.The second electrode 140 for injecting holes into the hole injection layer 139 is formed on the hole injection layer. The second electrode 140 is also called a common electrode and is formed of a conductive material. The second electrode 140 is formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which are transparent conductive materials having a higher work function than the first electrode 120. In this case, the second electrode 140 serves as an anode to provide holes to the emission layer 135.

이상에서 설명한 유기전계 발광소자는 제1전극(120)이 불투명한 금속전극이며, 제2전극(140)이 투명한 ITO 등으로 제2전극(140)의 상부 방향으로 화상이 형성되는 탑 에미션(top emission) 방식이다. 그러나 이에 한정되지 않고 바텀 에미션(bottom emission) 방식에도 적용될 수 있음은 물론이다. The organic electroluminescent device described above is a top emission in which the first electrode 120 is an opaque metal electrode, and the second electrode 140 is transparent, such as ITO, in which an image is formed in the upper direction of the second electrode 140. top emission). However, the present invention is not limited thereto, and may be applied to a bottom emission method.

이하, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다. 본 도면에서는 제1전극(120)과 유기층 및 제2전극(140)의 적층과정을 나타내기 위하여 제1전극(120)의 하부에 형성되며 제1전극(120)에 전압을 인가하는 박막트랜지스터 등을 생략하고 도시하였다.5A through 5B are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention. In this drawing, a thin film transistor is formed under the first electrode 120 to apply a voltage to the first electrode 120 to show the lamination process of the first electrode 120, the organic layer, and the second electrode 140. Are omitted.

먼저, 도 5a와 같이 복수 개의 화소영역이 정의된 기판(110)을 준비하여 제1전극(120)을 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, a substrate 110 having a plurality of pixel regions defined therein is prepared to form a first electrode 120.

복수 개의 화소영역이 정의된 기판(110)을 준비하기 위해서는, 도시하지는 않았지만, 절연기판(110) 상에 제1전극(120)에 전압을 인가하는 박막트랜지스터를 형성하는 과정을 포함한다. 도 4를 참조하여 살펴보면, 박막트랜지스터를 형성하기 위해서는 절연기판(110) 상에 게이트라인 및 게이트전극(102)을 형성하고, 게이트전극(102) 상에 게이트절연막(105)을 형성한다. 게이트절연막(105) 상에는 반도체층(106)과 오믹콘택층(107)을 형성하고 상기 오믹콘택층(107) 상에 게이트전극(102)을 중심으로 서로 이격되어 형성된 소스전극(103)과 드레인전극(104)을 형성한다. 이때, 상기 게이트라인과 교차하여 복수 개의 화소영역을 정의하는 데이터라인을 함께 형성할 수 있다.In order to prepare the substrate 110 in which a plurality of pixel regions are defined, a process of forming a thin film transistor for applying a voltage to the first electrode 120 on the insulating substrate 110 may be included. Referring to FIG. 4, to form a thin film transistor, a gate line and a gate electrode 102 are formed on the insulating substrate 110, and a gate insulating layer 105 is formed on the gate electrode 102. The semiconductor layer 106 and the ohmic contact layer 107 are formed on the gate insulating layer 105, and the source electrode 103 and the drain electrode are formed on the ohmic contact layer 107 with the gate electrode 102 spaced apart from each other. Form 104. In this case, a data line defining a plurality of pixel regions may be formed to cross the gate line.

그 다음 상기 소스전극(103)과 드레인전극(104) 등이 개재된 기판(110) 상에 보호막(108)을 형성하고 드레인전극(104)의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성한다. 그리고, 상기 박막트랜지스터가 형성된 기판(110)의 화소영역에 알루미늄이나 크롬 등의 일함수가 낮은 금속으로 상기 콘택홀을 통해 박막트랜지스터와 전기적으로 접속하는 제1전극(120)을 형성한다. Next, a passivation layer 108 is formed on the substrate 110 including the source electrode 103, the drain electrode 104, and the like, and a contact hole exposing a portion of the drain electrode 104 is formed. In addition, a first electrode 120 is formed in the pixel region of the substrate 110 on which the thin film transistor is formed by a metal having a low work function such as aluminum or chromium and electrically connected to the thin film transistor through the contact hole.

다음으로, 도 5b와 같이, 제1전극(120)이 형성된 기판(110)의 전면에 전자주입층(131)과 전자수송층(133)을 순차적으로 형성한다. 전자주입층(131)과 전자수송층(133)은 도전성 유기물질로 형성되며 진공증착 방식으로 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 5B, the electron injection layer 131 and the electron transport layer 133 are sequentially formed on the entire surface of the substrate 110 on which the first electrode 120 is formed. The electron injection layer 131 and the electron transport layer 133 may be formed of a conductive organic material and may be formed by a vacuum deposition method.

진공증착법은 형성하고자 하는 막의 원료 물질을 진공 챔버 내에서 가열, 증발시켜 기판 위에 그 박막을 형성하는 방법이다. 더 자세하게는 금속 또는 석영 기판이 들어있는 챔버를 고진공으로 배기한 다음, 상기 챔버의 내부에 증발시킬 원료 물질(target)과 기판을 삽입한다. 그 다음 저항 가열식이나 전자빔 장치를 이용하여 원료물질을 가열하여 증착물질을 증류시킨다. 이때 증류된 증착물질이 차가운 기판의 표면에 응축됨으로써 박막이 형성된다.Vacuum deposition is a method of forming a thin film on a substrate by heating and evaporating the raw material of the film to be formed in a vacuum chamber. More specifically, the chamber containing the metal or quartz substrate is evacuated to high vacuum, and then a target and a substrate to be evaporated are inserted into the chamber. The raw material is then heated using a resistive heating or electron beam device to distill the deposited material. At this time, the thin film is formed by condensation of the distilled deposition material on the surface of the cold substrate.

그 다음으로, 도 5c와 같이, 제1전극(120)이 형성된 기판(110) 상에 화소영역을 구분하는 격벽(150)을 형성한다. 상기 격벽(150)은 화소영역의 가장자리 부분에 형성되며 이후 형성될 발광층(135)을 구분하는 역할을 한다. Next, as shown in FIG. 5C, a partition wall 150 for dividing the pixel area is formed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is formed. The partition wall 150 is formed at an edge portion of the pixel area and serves to distinguish the light emitting layer 135 to be formed later.

본 발명의 실시예에 따르면 상기 격벽(150)은 롤프린팅(roll printing)을 이용하여 형성하며, 도 6a 내지 6c는 롤프린팅을 이용하여 격벽(150)을 형성하는 과정을 나타낸 순차적인 도면이다. 롤프린팅을 이용하여 격벽(150)을 형성하게 되면, 종래의 포토리소그래피를 이용하여 포토레지스트를 도포한 후 노광하고 현상하는 과정에서 발생하는 불량을 방지할 수 있다. 특히, 전자수송층(133)이 현상액과 반응하여 훼손되는 등의 문제점을 방지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the partition wall 150 is formed using roll printing, and FIGS. 6A to 6C are sequential views showing a process of forming the partition wall 150 using roll printing. When the barrier rib 150 is formed by using roll printing, defects occurring during the process of exposing and developing the photoresist using conventional photolithography may be prevented. In particular, the electron transport layer 133 may be prevented from being damaged by reacting with the developer.

도면을 참조하면, 인쇄롤(151)의 외주면에 격벽(150)을 형성할 유기절연물질(150A)을 도포한다. 유기절연물질(150A)을 도포하는 과정은 인쇄롤(151)의 외주면에 인쇄하고자 하는 유기절연물질(150A)을 공급용기(154)에 채운 다음, 유기절연물질(150A)이 채워진 공급용기(154)를 인쇄롤(151)에 닿도록 한 후, 인쇄롤(151)을 회전시켜 외주면에 유기절연물질(150A)을 도포하는 과정으로 이루어질 수 있다.Referring to the drawings, the organic insulating material 150A to form the partition wall 150 is coated on the outer circumferential surface of the printing roll 151. In the process of applying the organic insulating material 150A, the supply container 154 is filled with the organic insulating material 150A to be printed on the outer circumferential surface of the printing roll 151, and then the supply container 154 filled with the organic insulating material 150A. ) To the printing roll 151, it may be made by the process of applying the organic insulating material (150A) to the outer peripheral surface by rotating the printing roll 151.

그 다음, 도 6b와 같이, 먼저 형성하고자 하는 패턴과 대응하는 홈이 형성된 클리체(155)(cliche)를 준비하여 인쇄롤(151)을 클리체(155) 상에 접촉시켜 회전시 킴으로써 인쇄롤(151)의 유기절연물질(150A) 패턴, 즉 격벽(150)의 패턴을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6B, first, a cliché 155 having a groove corresponding to a pattern to be formed is prepared, and the printing roll 151 is contacted and rotated on the cliché 155 for printing. The organic insulating material 150A pattern of the roll 151, that is, the pattern of the partition wall 150 is formed.

이후, 도 6c와 같이, 패턴이 형성된 유기절연물질(150A)이 도포된 인쇄롤(151)을 격벽(150)을 형성할 기판(110) 상에 접촉하여 회전시킴으로써 유기절연물질(150A) 패턴을 기판(110)에 전사한다.Thereafter, as shown in FIG. 6C, the printing roll 151 coated with the organic insulating material 150A having the pattern is contacted and rotated on the substrate 110 to form the partition 150 to thereby form the organic insulating material 150A pattern. It is transferred to the substrate 110.

다음으로, 기판(110)에 전사된 유기절연물질(150)에 자외선과 같은 광을 조사하여 광경화시켜 격벽(150)을 형성하게 된다. 이때, 상기 격벽(150)은 이후 형성할 발광층(135)이 이루는 높이보다 높게 형성하는 것이 바람직하다. Next, the barrier rib 150 is formed by irradiating the organic insulating material 150 transferred to the substrate 110 with light such as ultraviolet rays and photocuring the light. At this time, the partition wall 150 is preferably formed higher than the height of the light emitting layer 135 to be formed later.

격벽(150)을 형성한 다음에는, 도 5d와 같이, 상기 격벽(150)과 격벽(150)의 사이의 제1전극(120) 상에 발광층(135)을 형성한다. 발광층(135)은 다양한 유기물질을 사용하여 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들어 인쇄의 방법으로 형성할 수 있으며, 잉크젯 방법으로 유기발광물질 액적를 적하하여 형성할 수도 있다. 도면에서는 디스펜서(170)을 이용하여 잉크젯 방법으로 발광층(135)을 형성하는 모습을 나타내었으나 이는 실시예에 불과하며 발광층(135)을 형성하는 방법을 한정하는 것은 아니다. 이때, 발광층(135)은 적색을 발광하는 적색 발광층(R), 녹색을 발광하는 녹색 발광층(G), 청색을 발광하는 청색 발광층(B)으로 형성한다.After the partition wall 150 is formed, a light emitting layer 135 is formed on the first electrode 120 between the partition wall 150 and the partition wall 150 as shown in FIG. 5D. The emission layer 135 may be formed by various methods using various organic materials. For example, it can be formed by the printing method, it may be formed by dropping the organic light emitting material droplets by the inkjet method. In the drawing, the light emitting layer 135 is formed by the inkjet method using the dispenser 170, but this is only an example and is not limited to the method of forming the light emitting layer 135. In this case, the light emitting layer 135 is formed of a red light emitting layer R emitting red, a green light emitting layer G emitting green, and a blue light emitting layer B emitting blue.

발광층(135)을 형성한 다음에는, 도 5e와 같이, 발광층(135)과 격벽(150)이 형성된 기판(110)의 상부에 정공수송층(137)과 정공주입층(139)을 순차적으로 형성한다. 정공주입층(139)과 정공수송층(137)은 도전성 유기물질로 형성되며 진공증착 방식으로 형성할 수 있다.After forming the light emitting layer 135, as shown in FIG. 5E, the hole transport layer 137 and the hole injection layer 139 are sequentially formed on the substrate 110 on which the light emitting layer 135 and the partition wall 150 are formed. . The hole injection layer 139 and the hole transport layer 137 are formed of a conductive organic material and may be formed by a vacuum deposition method.

다음으로는, 도 5f와 같이, ITO와 같은 일함수가 높은 투명한 도전성 물질로 제2전극(140)을 형성한다. 상기 제2전극(140)은 양극(anode)로 작용하며 정공을 정공주입층(139)에 공급하는 역할을 한다. 이때, 제2전극(140)은 필요에 따라 화소영역에만 형성할 수 있으며, 다양한 모양으로 패터닝이 가능하다.Next, as shown in FIG. 5F, the second electrode 140 is formed of a transparent conductive material having a high work function such as ITO. The second electrode 140 serves as an anode and serves to supply holes to the hole injection layer 139. In this case, the second electrode 140 may be formed only in the pixel area as needed, and may be patterned in various shapes.

상기한 바와 같은 방법으로 도 4에 도시된 바와 같은 유기전계 발광소자를 제조할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode as shown in FIG. 4 may be manufactured.

본 발명에 대해서 구체적으로 기재된 설명은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예를 들어 본 발명은 탑 에미션 방식의 유기전계 발광소자에 대해 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며 바텀 에미션 방식의 유기전계 발광소자에도 적용될 수 있음은 물론이다. The detailed description of the invention should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than as limiting the scope of the invention. For example, the present invention has been described with respect to an organic light emitting device having a top emission method, but is not limited thereto and may be applied to an organic light emitting device having a bottom emission method.

이뿐만 아니라, 본 발명에서는 제1전극과 제2전극 사이에 복수 층의 유기층이 형성된 유기전계 발광소자에 대해 설명하였으나, 단일층이나, 어느 유기층이 생략된 형태 등 다양하게 적용이 가능하다. 즉, 제1전극 상에 격벽을 형성하고 단일층으로 이루어진 발광층을 형성한다거나, 제1전극 상에 전자수송층을 형성하고 격벽을 형성한 다음 발광층을 형성한다거나, 발광층 다음에 정공주입층만 형성하는 등 유기층을 다양하게 변화시켜 적용이 가능하다.In addition, the present invention has been described with respect to the organic light emitting device in which a plurality of organic layers are formed between the first electrode and the second electrode, but various applications such as a single layer or a form in which any organic layer is omitted are applicable. That is, a barrier rib is formed on the first electrode and a light emitting layer formed of a single layer is formed, an electron transport layer is formed on the first electrode, a barrier rib is formed, and then a light emitting layer is formed, or only a hole injection layer is formed after the light emitting layer. It is possible to apply by varying the organic layer in various ways.

따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Accordingly, the invention is not to be determined by the embodiments described, but should be determined by equivalents to the claims and the appended claims.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성함으 로써 격벽 형성시 발생할 수 있는 불량을 감소시킬 수 있어 고품질의 유기전계 발광소자가 제공된다.As described above, according to the present invention, by forming a partition wall by using roll printing, a defect that may occur when the partition wall is formed can be reduced, thereby providing a high quality organic light emitting device.

Claims (19)

복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate in which a plurality of pixel regions are defined; 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the pixel region of the substrate; 상기 제1전극이 형성된 상기 기판의 전면에 전자주입층과 전자 수송층을 차례로 형성하는 단계;Sequentially forming an electron injection layer and an electron transport layer on the entire surface of the substrate on which the first electrode is formed; 상기 전자 수송층이 형성된 기판상에 롤프린팅을 이용하여 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계;Forming barrier ribs on the substrate on which the electron transport layer is formed to separate pixel regions by using roll printing; 상기 격벽 사이의 상기 제1전극과 대응하는 상기 전자 수송층 상에 디스펜서를 이용한 잉크젯 방법에 의해 발광층을 형성하는 단계; Forming a light emitting layer by an inkjet method using a dispenser on the electron transport layer corresponding to the first electrode between the partition walls; 상기 발광층과 격벽을 포함한 상기 기판 전면에 정공 수송층과 정공 주입층을 차례로 형성하는 단계; 및Sequentially forming a hole transport layer and a hole injection layer on the entire surface of the substrate including the light emitting layer and the partition wall; And 상기 정공 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,And forming a second electrode on the hole injection layer. 상기 격벽은 상기 발광층의 높이보다 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.The barrier rib is formed higher than the height of the light emitting layer, characterized in that the organic light emitting device manufacturing method. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성하는 단계는,Forming a partition wall using the roll printing, 유기절연물질이 외주면에 도포된 인쇄롤을 준비하는 단계;Preparing a printing roll coated with an organic insulating material on an outer circumferential surface thereof; 상기 인쇄롤을 클리체에 작용하여 인쇄롤에 도포된 유기절연물질을 패터닝하는 단계;Patterning the organic insulating material applied to the printing roll by applying the printing roll to the cliché; 상기 패터닝된 유기절연물질을 제1전극이 형성된 기판 상에 전사시키는 단계; 및Transferring the patterned organic insulating material onto a substrate on which a first electrode is formed; And 상기 전사된 유기절연물질을 경화시켜 상기 전자 수송층이 형성된 기판상에 격벽을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.And hardening the transferred organic insulating material to form a partition on the substrate on which the electron transport layer is formed. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 유기절연물질을 경화시켜 상기 전자 수송층이 형성된 기판상에 격벽을 형성하는 단계는 광을 유기절연물질에 조사하여 경화시키는 것을 특징으로 하는 제조방법.Hardening the organic insulating material to form a partition on the substrate on which the electron transport layer is formed, wherein the organic insulating material is irradiated with light to cure the organic insulating material. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 광은 자외선인 것을 특징으로 하는 제조방법.The light is a manufacturing method, characterized in that the ultraviolet. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 유기절연물질은 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 폴리아크릴 계열, 폴리이미드 계열의 유기물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 제조방법.The organic insulating material is a benzocyclobutene (benzocyclobutene), polyacryl-based, polyimide-based manufacturing method characterized in that any one of the organic material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자주입층, 전자수송층, 정공주입층, 정공수송층은 진공증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.The electron injection layer, the electron transport layer, the hole injection layer, the hole transport layer is a manufacturing method, characterized in that formed by vacuum deposition method. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계는,Preparing a substrate in which a plurality of pixel regions are defined, 절연기판 상에 게이트 라인과 게이트전극을 형성하는 단계; Forming a gate line and a gate electrode on the insulating substrate; 상기 게이트전극 상에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the gate electrode; 상기 게이트절연막 상에 반도체층과 오믹콘택층을 형성하는 단계; 및Forming a semiconductor layer and an ohmic contact layer on the gate insulating film; And 상기 오믹콘택층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고 상기 게이트전극과 실질적으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.And forming a source electrode and a drain electrode on the ohmic contact layer and forming a data line substantially crossing the gate electrode to define a pixel region. 제18항에 있어서, 19. The method of claim 18, 상기 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 소스전극 및 드레인전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 드레인전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계를 더 포함하며, Between preparing a substrate in which the plurality of pixel regions are defined and forming a first electrode on the pixel region of the substrate, a protective film is formed on a substrate on which the source electrode and the drain electrode are formed, and a part of the drain electrode is formed. Forming a contact hole exposing the contact hole; 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계는 상기 제1전극을 상기 콘택홀을 통해 드레인전극과 전기적으로 접속하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.The forming of the first electrode on the pixel area of the substrate may include forming the first electrode to electrically connect with the drain electrode through the contact hole.
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