KR20070019377A - Display device and method of making display device - Google Patents

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KR20070019377A
KR20070019377A KR1020050074302A KR20050074302A KR20070019377A KR 20070019377 A KR20070019377 A KR 20070019377A KR 1020050074302 A KR1020050074302 A KR 1020050074302A KR 20050074302 A KR20050074302 A KR 20050074302A KR 20070019377 A KR20070019377 A KR 20070019377A
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light emitting
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이동원
정진구
김남덕
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 디스플레이장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이장치는 기판소재와; 상기 기판소재에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극과; 상기 공통전극 상에 형성되어 있는 컬러필터층을 포함한다. 이에 의해 색재현성이 우수한 디스플레이장치가 제공된다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same. Display device according to the present invention is a substrate material; A plurality of thin film transistors formed on the substrate material; A passivation layer formed on the thin film transistor; A plurality of pixel electrodes formed on the passivation layer and electrically connected to the thin film transistors; A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; An organic layer formed on the pixel electrode; A common electrode formed on the organic layer; It includes a color filter layer formed on the common electrode. Thereby, a display apparatus excellent in color reproducibility is provided.

Description

디스플레이 장치와 디스플레이 장치의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MAKING DISPLAY DEVICE} Display device and manufacturing method of display device {DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MAKING DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention;

도2a 내지 도2f는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치의 제조과정을 순차적으로 나타낸 단면도, 및2A through 2F are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a display apparatus according to a first embodiment of the present invention, and

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 디스플레이장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a display device according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 기판소재 20 : 박막트랜지스터10: substrate material 20: thin film transistor

31 : 박막트랜지스터 보호막 32 : 화소전극31: thin film transistor protective film 32: pixel electrode

40 : 격벽 50 : 유기층 40: partition 50: organic layer

51 : 정공주입층 55 : 유기발광층51: hole injection layer 55: organic light emitting layer

61 : 금속막 62, 63 : 공통전극61 metal film 62, 63 common electrode

70, 80 : 컬러필터층 71 : LITI필름70, 80: color filter layer 71: LITI film

72 : 컬러필터층 형성막 73 : 열변환막72 color filter layer forming film 73 heat conversion film

74 : 베이스막 82 : 컬러필터층 보호막74: base film 82: color filter layer protective film

본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 색재현성을 증가시키기 위해 유기발광층과 컬러필터층을 같이 사용하는 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a display device using the organic light emitting layer and the color filter layer to increase color reproducibility, and a method for manufacturing the same.

평판 디스플레이 장치(flat panel display) 중 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여, 최근 OLED(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다. OLED는 구동방식에 따라 수동형(passive matrix)과 능동형(active matrix)으로 나누어진다. 이중 수동형은 제조과정은 간단하지만 디스플레이 면적과 해상도가 증가할수록 소비전력이 급격히 증가하는 문제가 있다. 따라서 수동형은 주로 소형 디스플레이에 응용되고 있다. 반면 능동형은 제조과정은 복잡하지만 대화면과 고해상도를 실현할 수 있는 장점이 있다.Among flat panel displays, organic light emitting diodes (OLEDs) have recently been in the spotlight due to advantages such as low voltage driving, light weight, wide viewing angle, and high speed response. OLEDs are classified into a passive matrix and an active matrix according to the driving method. The passive type has a simple manufacturing process, but the power consumption increases rapidly as the display area and resolution increase. Therefore, the passive type is mainly applied to small displays. Active type, on the other hand, has a complex manufacturing process but has the advantage of realizing a large screen and high resolution.

능동형 OLED는 박막트랜지스터가 각 화소 영역마다 연결되어, 각 화소 영역별로 유기발광층의 자발광을 제어한다. 각 화소 영역에는 화소전극이 위치하고 있는데, 각 화소전극은 독립된 구동을 위해 인접한 화소전극과 전기적으로 분리되어 있다. 또한 화소 영역간에는 화소전극보다 더 높은 격벽층이 형성되어 있는데, 이 격벽층은 화소전극 간의 단락을 방지하고 화소 영역 간을 분리하는 역할을 한다. 격벽층 사이의 화소전극 상에는 유기층인 정공주입층과 유기발광층이 순차적으로 형성되어 있다.In the active OLED, a thin film transistor is connected to each pixel region to control self-emission of the organic light emitting layer for each pixel region. Pixel electrodes are located in each pixel area, and each pixel electrode is electrically separated from adjacent pixel electrodes for independent driving. In addition, a partition layer higher than the pixel electrode is formed between the pixel regions, which serves to prevent a short circuit between the pixel electrodes and to separate the pixel regions. On the pixel electrodes between the partition layers, a hole injection layer and an organic light emitting layer, which are organic layers, are sequentially formed.

유기발광층이 각각 R,G,B 색상을 자발광 하는 능동형 OLED는 컬러필터를 사용하는 수발광 LCD에 비해 색순도 측면에서 우수하지 못해 색재현성이 떨어지는 문 제점이 있다.Active OLEDs in which the organic light emitting layer emits R, G, and B colors, respectively, are less excellent in color purity than the light emitting LCDs using color filters.

따라서, 본 발명의 목적은 색재현성이 우수한 디스플레이장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a display device having excellent color reproducibility and a method of manufacturing the same.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판소재와; 상기 기판소재에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극과; 상기 공통전극 상에 형성되어 있는 컬러필터층을 포함하는 디스플레이 장치에 의해 달성된다. The above object, according to the present invention, a substrate material; A plurality of thin film transistors formed on the substrate material; A passivation layer formed on the thin film transistor; A plurality of pixel electrodes formed on the passivation layer and electrically connected to the thin film transistors; A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; An organic layer formed on the pixel electrode; A common electrode formed on the organic layer; A display device including a color filter layer formed on the common electrode is achieved.

상기 컬러필터층은 제조효율 향상을 위해 레이저전사(Laser-induced thermal imaging; LITI)방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The color filter layer is preferably formed by a laser-induced thermal imaging (LITI) method to improve manufacturing efficiency.

상기 유기층과 상기 공통전극 사이에 형성되어 있는 금속막을 더 포함하며,상기 금속막은 공통전극의 전자(electron)가 유기층에 원활히 공급되도록 하기 위해 두께가 15Å 내지 60Å인 것이 바람직하다.A metal film is formed between the organic layer and the common electrode, and the metal film preferably has a thickness of 15 kPa to 60 kPa in order to smoothly supply electrons of the common electrode to the organic layer.

상기 유기층은 순차적으로 적층되어 있는 정공주입층과 유기발광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic layer may include a hole injection layer and an organic light emitting layer that are sequentially stacked.

한편, 상기의 목적은, 기판소재와; 상기 기판소재의 일면에 형성되어 있는 컬러필터층과; 기판소재의 타면에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치에 의해서도 달성된다.On the other hand, the above object, the substrate material; A color filter layer formed on one surface of the substrate material; A plurality of thin film transistors formed on the other surface of the substrate material; A passivation layer formed on the thin film transistor; A plurality of pixel electrodes formed on the passivation layer and electrically connected to the thin film transistors; A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; It is also achieved by a display device comprising an organic layer formed on the pixel electrode.

상기 유기층의 상부에 위치하는 공통전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include a common electrode positioned on the organic layer.

상기 유기층은 순차적으로 적층되어 있는 정공주입층과 유기발광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic layer may include a hole injection layer and an organic light emitting layer that are sequentially stacked.

상기 컬러필터층을 보호하는 보호막을 더 포함하는 것이 컬러필터층의 파손 및 불량을 방지하기 의해 바람직하다.It is preferable to further include a protective film for protecting the color filter layer by preventing breakage and defect of the color filter layer.

또한, 상기의 목적은, 기판소재와; 상기 기판소재에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과; 상기 보호막 상에 레이저전사(Laser-induced thermal imaging; LITI)방법에 의해 형성되어 있는 컬러필터층과; 상기 컬러필터층의 상부에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치에 의해서도 달성된다.In addition, the above object, the substrate material; A plurality of thin film transistors formed on the substrate material; A passivation layer formed on the thin film transistor; A color filter layer formed on the protective film by a laser-induced thermal imaging (LITI) method; A plurality of pixel electrodes formed on the color filter layer and electrically connected to the thin film transistors; A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; An organic layer formed on the pixel electrode; It is also achieved by a display device comprising a common electrode formed on the organic layer.

상기 유기층은 순차적으로 적층되어 있는 정공주입층과 유기발광층을 포함하 는 것을 특징으로 한다.The organic layer is characterized in that it comprises a hole injection layer and an organic light emitting layer are sequentially stacked.

본 발명의 다른 목적은 기판소재 상에 레이저전사(Laser-induced thermal imaging; LITI)방법에 의해 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 기판소재 상에 유기발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법에 의해 달성된다.Another object of the present invention is to form a color filter layer on a substrate material by laser-induced thermal imaging (LITI) method; It is achieved by a method of manufacturing a display device comprising the step of forming an organic light emitting layer on the substrate material.

상기 디스플레이장치의 제조방법은 상기 기판소재 상에 박막트랜지스터 및 보호막을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극을 마련하는 단계와; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 유기발광층은 상기 화소전극의 상부에 형성되는 것이 바람직하다.The method of manufacturing the display device includes forming a thin film transistor and a protective film on the substrate material; Providing a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors; The method may further include forming a partition layer between the pixel electrodes, wherein the organic light emitting layer is formed on the pixel electrode.

상기 디스플레이 장치의 제조방법은 상기 유기발광층 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 컬러필터층은 상기 공통전극 상에 형성되는 것이 바람직하다.The method of manufacturing the display apparatus further includes forming a common electrode on the organic light emitting layer, and the color filter layer is preferably formed on the common electrode.

상기 디스플레이 장치의 제조방법은 상기 유기발광층과 상기 공통전극 사이에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.The method of manufacturing the display device may further include forming a metal film between the organic light emitting layer and the common electrode.

상기 컬러필터층은 제조의 편의를 위해 상기 기판소재의 일면에 형성되며, 상기 유기발광층은 상기 기판소재의 타면에 형성되는 것이 바람직하다.The color filter layer is formed on one surface of the substrate material for convenience of manufacture, and the organic light emitting layer is preferably formed on the other surface of the substrate material.

상기 디스플레이장치의 제조방법은 상기 기판소재 상에 박막트랜지스터 및 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성되며, 상기 유기발광층은 상기 컬러필터층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 할 수 도 있다.The method of manufacturing the display apparatus further includes forming a thin film transistor and a protective film on the substrate material, wherein the color filter layer is formed on the protective film, and the organic light emitting layer is formed on the color filter layer. You can also

상기 디스플레이장치의 제조방법은 상기 컬러필터층 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극을 마련하는 단계와; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 유기발광층은 상기 격벽층을 경계로 상기 화소전극의 상부에 형성되는 것을 특징으로 할 수도 있다.The method of manufacturing the display apparatus includes providing a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistor on the color filter layer; The method may further include forming a partition layer that divides the pixel electrodes, wherein the organic light emitting layer may be formed on the pixel electrode at the boundary of the partition layer.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 제1실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.In various embodiments, like reference numerals refer to like elements, and like reference numerals refer to like elements in the first embodiment and may be omitted in other embodiments.

본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치를 도1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치의 단면도이다. 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치는 탑 에미션(top emission) 구조임을 미리 밝혀둔다.A display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 is a cross-sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention. The display device according to the first embodiment of the present invention is known in advance that the top emission (top emission) structure.

본 발명에 따른 디스플레이 장치(1)는 기판 소재(10) 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터(20), 박막트랜지스터(20)에 전기적으로 연결되어 있는 화소전극(32), 화소전극(32) 간을 구획하는 격벽층(40), 화소전극(32) 상에 형성되어 있는 유기층(50), 유기층(50) 상에 순차적으로 형성되어 있는 금속막(61)과 공통전극(62) 및 공통전극(62) 상에 형성되어 있는 컬러필터층(70)을 포함한다.The display device 1 according to the present invention includes a thin film transistor 20 formed on a substrate material 10, a pixel electrode 32 and a pixel electrode 32 electrically connected to the thin film transistor 20. The partition layer 40 to be partitioned, the organic layer 50 formed on the pixel electrode 32, the metal film 61 sequentially formed on the organic layer 50, the common electrode 62, and the common electrode 62. It includes a color filter layer 70 formed on the).

제1실시예에서는 비정질 실리콘을 사용한 박막트랜지스터(20)를 예시하였으나 폴리실리콘을 사용하는 박막트랜지스터를 사용할 수 있음은 물론이다.In the first embodiment, the thin film transistor 20 using amorphous silicon is illustrated, but a thin film transistor using polysilicon may be used.

제1실시예에 따른 디스플레이 장치를 자세히 살펴보면 다음과 같다. Looking at the display device according to the first embodiment in detail as follows.

유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 기판 소재(10) 상에 게이트 전극(21)이 형성되어 있다. The gate electrode 21 is formed on the substrate material 10 made of an insulating material such as glass, quartz, ceramic, or plastic.

기판 소재(10)와 게이트 전극(21) 위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(22)이 형성되어 있다. 게이트 전극(21)이 위치한 게이트 절연막(22) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(23)과 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 저항성 접촉층(24)이 순차적으로 형성되어 있다. 여기서, 저항성 접촉층(24)은 게이트 전극(21)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 있다.A gate insulating layer 22 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the substrate material 10 and the gate electrode 21. A semiconductor layer 23 made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 24 made of n + hydrogenated amorphous silicon heavily doped with n-type impurities are sequentially formed on the gate insulating film 22 where the gate electrode 21 is located. Here, the ohmic contact layer 24 is separated on both sides with respect to the gate electrode 21.

저항 접촉층(24) 및 게이트 절연막(22) 위에는 소스 전극(25)과 드레인 전극(26)이 형성되어 있다. 소스 전극(25)과 드레인 전극(26)은 게이트 전극(21)을 중심으로 분리되어 있다.The source electrode 25 and the drain electrode 26 are formed on the ohmic contact layer 24 and the gate insulating film 22. The source electrode 25 and the drain electrode 26 are separated around the gate electrode 21.

소스 전극(25)과 드레인 전극(26) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(23)의 상부에는 박막트랜지스터 보호막(31)이 형성되어 있다. 박막트랜지스터 보호막(31)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는/그리고 유기막으로 이루어질 수 있다. 박막트랜지스터 보호막(31)에는 드레인 전극(26)을 드러내는 접촉구(27)가 형성되어 있다.The thin film transistor passivation layer 31 is formed on the source electrode 25, the drain electrode 26, and the semiconductor layer 23 that is not covered. The thin film transistor protective layer 31 may be formed of silicon nitride (SiNx) and / or an organic layer. The thin film transistor passivation layer 31 is provided with a contact hole 27 exposing the drain electrode 26.

박막트랜지스터 보호막(31)의 상부에는 화소전극(32)이 형성되어 있다. 화소전극(32)은 음극(anode)라고도 불리며 유기층(50)에 정공(hole)을 공급한다. 화소전극(32)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있다. 화소전극(32)은 평면에서 보아 대략 사각형으로 패터닝되어 있으며 두께는 50 내지 200nm정도이다.The pixel electrode 32 is formed on the thin film transistor passivation layer 31. The pixel electrode 32 is also called an anode and supplies holes to the organic layer 50. The pixel electrode 32 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The pixel electrode 32 is patterned in a substantially rectangular shape in plan view and has a thickness of about 50 to 200 nm.

각 화소전극(32) 간에는 격벽층(40)이 형성되어 있다. 격벽층(40)은 화소전극(32) 간을 구분하여 화소영역을 정의하며 박막트랜지스터(20)와 접촉구(27) 상에 형성되어 있다. 격벽층(40)은 박막트랜지스터(20)의 소스 전극(25)과 드레인 전극(26)이 공통전극(62)과 단락되는 것을 방지하는 역할도 한다. 격벽층(40)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 감광물질이나 SiO2, TiO2와 같은 무기재료로 이루어질 수 있으며 유기층과 무기층의 2층 구조도 가능하다.A partition layer 40 is formed between each pixel electrode 32. The partition layer 40 defines a pixel area by dividing the pixel electrodes 32 and is formed on the thin film transistor 20 and the contact hole 27. The barrier layer 40 also serves to prevent the source electrode 25 and the drain electrode 26 of the thin film transistor 20 from being short-circuited with the common electrode 62. The partition layer 40 may be formed of a photoresist having heat resistance and solvent resistance, such as an acrylic resin and a polyimide resin, or an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2, and may have a two-layer structure of an organic layer and an inorganic layer.

화소전극(32) 상에는 유기층(50)이 형성되어 있다. 유기층(50)은 정공주입층(51, hole injecting layer)과 유기발광층(55)으로 이루어져 있다.The organic layer 50 is formed on the pixel electrode 32. The organic layer 50 includes a hole injecting layer 51 and an organic light emitting layer 55.

정공주입층(51)의 두께는 약 50nm 내지 400nm이며 이 중 200nm정도가 바람직하다. 정공주입층(51)의 재료로는 예를 들어 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물을 사용할 수 있다.The thickness of the hole injection layer 51 is about 50 nm to 400 nm, of which about 200 nm is preferable. As a material of the hole injection layer 51, for example, a mixture of polythiophene derivatives such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) can be used.

유기발광층(55)은 적색을 발광하는 적색발광층(55a), 녹색을 발광하는 녹색발광층(55b), 청색을 발광하는 청색발광층(55c)으로 이루어져 있다. 유기발광층(55)의 두께는 약 50nm 내지 400nm이며 이 중 200nm정도가 바람직하다. 유기발광층(55)은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체 또는, 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다. The organic light emitting layer 55 includes a red light emitting layer 55a emitting red light, a green light emitting layer 55b emitting green light, and a blue light emitting layer 55c light emitting blue light. The organic light emitting layer 55 has a thickness of about 50 nm to 400 nm, of which about 200 nm is preferable. The organic light emitting layer 55 may be a polyfluorene derivative, a (poly) paraphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or a perylene-based dye, a rhomine-based pigment, Rubene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone and the like can be used by doping.

화소전극(32)에서 전달된 정공과 공통전극(62)에서 전달된 전자는 유기발광 층(55)에서 결합하여 여기자(exciton)가 된 후, 여기자의 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다. Holes transferred from the pixel electrode 32 and electrons transferred from the common electrode 62 are combined in the organic light emitting layer 55 to form excitons, and then generate light in the process of deactivating excitons.

도시하지는 않았지만 디스플레이장치(1)는 정공주입층(51, hole injecting layer)과 유기발광층(55) 사이에 정공수송층(hole transfer layer)을 더 포함할 수 있다.격벽층(40) 및 유기발광층(55)의 상부에는 순착적으로 형성되어 있는 금속막(61)과 공통전극(62)이 위치한다. Although not shown, the display apparatus 1 may further include a hole transfer layer between the hole injecting layer 51 and the organic light emitting layer 55. The barrier layer 40 and the organic light emitting layer ( The metal film 61 and the common electrode 62 which are sequentially formed on the upper portion 55 are positioned.

금속막(61)은 칼슘 또는 알루미늄으로 이루어지거나 이들이 적층되어 이루어질 수 있다. 금속막(61)은 공통전극(62)의 전자(electron)가 유기발광층(55)에 원활히 전달되도록 하며, 유기발광층(55)에서 자발광한 빛이 상부의 컬러 필터층(70)으로 입사되는 과정에서 휘도가 감소하는 것을 방지하기 위해 거의 투명하도록 두께가 15Å 내지 60Å인 것이 바람직하다. The metal film 61 may be made of calcium or aluminum, or they may be stacked. The metal layer 61 allows electrons of the common electrode 62 to be smoothly transferred to the organic light emitting layer 55, and the light emitted from the organic light emitting layer 55 is incident on the upper color filter layer 70. It is preferable that the thickness is from 15 kHz to 60 kHz to be nearly transparent to prevent the luminance from decreasing.

공통전극(62)은 양극(cathode)이라고도 불리며 유기발광층(55)에 전자를 공급한다. 공통전극(62)은 화소전극(32)과 마찬가지로ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있다. 따라서 유기발광층(55)에서 자발광한 빛이 투명한 금속막(61)과 투명한 공통전극(62)을 거쳐 컬러필터층(70)을 통과해 나가는 탑 에미션 구조를 이루게 된다. 공통전극(62)의 두께는 50 내지 200nm정도이다. 본 발명의 제1실시예에서는 유기발광층(55)과 공통전극(62)의 사이에 금속막(61)이 형성되어 있으나, 이를 제외하고 유기발광층(55)의 상부에 바로 투명한 공통전극(62)을 형성하여도 무방하다.The common electrode 62 is also called a cathode and supplies electrons to the organic light emitting layer 55. Like the pixel electrode 32, the common electrode 62 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). Therefore, the light emitted by the organic light emitting layer 55 passes through the color filter layer 70 through the transparent metal film 61 and the transparent common electrode 62 to form a top emission structure. The thickness of the common electrode 62 is about 50 to 200 nm. In the first embodiment of the present invention, the metal layer 61 is formed between the organic light emitting layer 55 and the common electrode 62, but except for this, the common electrode 62 is directly transparent on the organic light emitting layer 55. It may be formed.

공통전극(62)의 상부에는 컬러필터층(70)이 형성되어 있다. 컬러필터층(70) 은 유기발광층(55)의 적색발광층(55a), 녹색발광층(55b) 및 청색발광층(55c)의 상부에 각각 대응되게 형성되어 적색, 녹색 및 청색을 색을 부여하는 적색컬러필터층(70a), 녹색컬러필터층(70b) 및 청색컬러필터층(70c)으로 이루어져 있다. 컬러필터층(70)은 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 갖는 착색 감광성 유기 조성물로 이루어져 있다.The color filter layer 70 is formed on the common electrode 62. The color filter layer 70 is formed on the red light emitting layer 55a, the green light emitting layer 55b, and the blue light emitting layer 55c of the organic light emitting layer 55 to correspond to the red color filter layer which gives red, green, and blue colors, respectively. 70a, a green color filter layer 70b, and a blue color filter layer 70c. The color filter layer 70 is made of a colored photosensitive organic composition having any one of red, green, and blue colors.

컬러필터층(70)은 제조가 간편하고 제조효율이 우수한 후술할 레이저전사(laser induced thermal imaging) 방법에 의해 형성되나, 각 색상의 착색 감광성 유기 조성물을 도포, 노광, 현상, 베이크를 거쳐서 형성시킬 수도 있다. The color filter layer 70 is formed by a laser induced thermal imaging method, which will be described later, which is easy to manufacture and has excellent manufacturing efficiency. However, the color photosensitive organic composition of each color may be formed through coating, exposure, development, and baking. have.

도시하지는 않았지만 디스플레이장치(1)는 유기발광층(55)과 금속막(61) 사이에 전자수송층(electron transfer layer)과 전자주입층(electron injection layer)을 더 포함할 수 있다. 한편 상기에서 설명한 바와 같이 금속막(61)이 없는 경우에는 유기 발광층(55)과 공통전극(62) 사이에 전자수송층(electron transfer layer)과 전자주입층(electron injection layer)을 더 포함하여도 무방하다. 또한 공통전극(62)의 보호를 위한 보호막, 유기층(50)으로의 수분 및 공기 침투를 방지하기 위한 봉지부재를 더 포함할 수 있다. 봉지부재는 밀봉수지와 밀봉캔으로 이루어질 수 있다.Although not shown, the display device 1 may further include an electron transfer layer and an electron injection layer between the organic light emitting layer 55 and the metal film 61. As described above, when the metal layer 61 is not present, an electron transfer layer and an electron injection layer may be further included between the organic emission layer 55 and the common electrode 62. Do. In addition, a protective film for protecting the common electrode 62 may further include an encapsulation member for preventing penetration of moisture and air into the organic layer 50. The sealing member may be formed of a sealing resin and a sealing can.

이상의 구성에 의하면 유기발광층(55)의 적색발광층(55a), 녹색발광층(55b) 및 청색발광층(55c)에서 자발광한 색순도가 낮은 적색, 녹색 및 청색의 빛이 상부에 각각 대응되게 형성되어 적색, 녹색 및 청색을 색을 부여하는 적색컬러필터층(70a), 녹색컬러필터층(70b) 및 청색컬러필터층(70c)으로 이루어진 컬러필터층(70) 을 다시 통과함으로써 색순도가 증가하여 색재현성이 우수한 디스플레이장치(1)가 제공된다.According to the above configuration, red, green, and blue light having low color purity emitted from the red light emitting layer 55a, the green light emitting layer 55b, and the blue light emitting layer 55c of the organic light emitting layer 55 are respectively formed to correspond to the red color. Display device having excellent color reproducibility by increasing color purity by passing back through the color filter layer 70 including the red color filter layer 70a, the green color filter layer 70b, and the blue color filter layer 70c, which gives green and blue colors. (1) is provided.

이하에서는 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치의 제조방법을 도2a 내지 도2f를 참조하여 설명한다. 도2a 내지 도2f는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2F. 2A to 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention, respectively.

먼저 도 2a와 같이 기판소재(10) 상에 박막트랜지스터(20)와 박막트랜지스터 보호막(31)을 형성한다. First, a thin film transistor 20 and a thin film transistor protective film 31 are formed on the substrate material 10 as shown in FIG. 2A.

박막트랜지스터(20)는 채널부가 비정질 실리콘으로 이루어져 있으며 공지의 방법으로 제조될 수 있다. 박막트랜지스터(20) 형성 후 박막트랜지스터(20) 상에 박막트랜지스터 보호막(31)을 형성한다. 박막트랜지스터 보호막(31)이 실리콘 질화물인 경우 화학 기상 증착법(CVD)을 사용할 수 있다. The thin film transistor 20 has a channel portion made of amorphous silicon and may be manufactured by a known method. After forming the thin film transistor 20, the thin film transistor passivation layer 31 is formed on the thin film transistor 20. When the thin film transistor protective layer 31 is silicon nitride, chemical vapor deposition (CVD) may be used.

이 후 도2b에서 보는 바와 같이 박막트랜지스터 보호막(31)을 사진 식각하여 드레인 전극(26)을 드러내는 접촉구(27)를 형성한다. 접촉구(27)를 형성한 후 접촉구(27)를 통해 드레인 전극(26)과 연결되어 있는 화소전극(32)을 형성한다. 화소전극(32)은 ITO를 스퍼터링 방식으로 증착한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 2B, the thin film transistor protective layer 31 is etched to form a contact hole 27 exposing the drain electrode 26. After forming the contact hole 27, the pixel electrode 32 connected to the drain electrode 26 is formed through the contact hole 27. The pixel electrode 32 may be formed by depositing and patterning ITO by sputtering.

화소전극(32)을 형성한 후 화소전극(32) 간을 구획하며, 접촉구(27)를 덮고 있는 격벽층(40)을 형성한다. 격벽층(40)의 형성은 우선 격벽 물질층(미도시)을 형성하고 노광한다. 격벽 물질층(미도시)은 감광성 물질로 이루어져 있으며 슬릿 코팅 또는 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 그런 다음 격벽 물질층(미도시)을 노광 및 현상하면 격벽층(40)이 완성된다. 현상에 의해 격벽층(40)의 높이는 격 벽 물질층(미도시)의 높이보다 다소 낮아진다.After the pixel electrode 32 is formed, the partition layer 40 is partitioned between the pixel electrodes 32 and the barrier layer 40 covering the contact hole 27 is formed. Formation of the barrier layer 40 first forms and exposes a barrier material layer (not shown). The barrier material layer (not shown) is made of a photosensitive material and may be formed by a method such as slit coating or spin coating. Then, when the barrier material layer (not shown) is exposed and developed, the barrier layer 40 is completed. Due to the phenomenon, the height of the barrier layer 40 is somewhat lower than the height of the barrier material layer (not shown).

이후 도 2c에서 보는 바와 같이 유기층(50)인 정공주입층(51)과 유기발광층(55)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 2C, the hole injection layer 51 and the organic light emitting layer 55, which are the organic layer 50, are formed.

우선 정공주입층(51)을 형성하기 위해 정공주입물질을 포함하는 고분자 용액인 정공주입용액(미도시)을 화소전극(32) 상에 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한다. 정공주입용액(미도시)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물과 이들 혼합물이 용해되어 있는 극성 용매를 포함할 수 있다. 극성 용매로는, 예를 들어 이소프로필알콜(IPA), n-부탄올, γ-부틸올락톤, N-메틸피를리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI) 및 그 유도체, 카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트 등의 글리콜에테류 등을 들 수 있다.First, to form the hole injection layer 51, a hole injection solution (not shown), which is a polymer solution containing a hole injection material, is dropped onto the pixel electrode 32 using an inkjet method. The hole injection solution (not shown) may include a mixture of polythiophene derivatives such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), polystyrene sulfonic acid (PSS), and a polar solvent in which these mixtures are dissolved. have. As a polar solvent, for example, isopropyl alcohol (IPA), n-butanol, γ-butylollactone, N-methylpyridone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) And glycol ethers such as derivatives thereof, carbitol acetate and butyl carbitol acetate, and the like.

정공주입용액(미도시)을 건조하여 용매를 제거하는 과정을 살펴보면 다음과 같다. 건조는 질소 분위기 하 실온에서 압력을 1Torr 정도로 낮추어 행할 수 있다. 압력이 너무 낮으면 정공주입용액(미도시)이 급격히 끊을 위험이 있다. 한편 온도를 실온 이상으로 하면 용매의 증발 속도가 높아져 균일한 두께의 막을 형성하기 어려워 바람직하지 않다. Looking at the process of removing the solvent by drying the hole injection solution (not shown) as follows. Drying can be performed by reducing the pressure to about 1 Torr at room temperature under a nitrogen atmosphere. If the pressure is too low, there is a risk that the hole injection solution (not shown) may break rapidly. On the other hand, when the temperature is higher than or equal to room temperature, the solvent evaporation rate increases, which makes it difficult to form a film of uniform thickness, which is not preferable.

정공주입용액(미도시)의 건조가 완료되면 정공주입층(51)이 완성된다. 정공주입용액(미도시)의 건조 과정에서 정공주입물질의 이동이 없어 화소전극(32) 상에 형성된 정공주입층(51)은 비교적 일정한 두께를 가지게 된다. 건조가 완료된 후 질소 중, 바람직하게는 진공 중에서 약 200℃에서 10분 정도 열처리를 할 수 있는데, 이 과정을 통해 정공주입층(51) 내에 잔존하는 용매나 물이 제거된다.When the drying of the hole injection solution (not shown) is completed, the hole injection layer 51 is completed. The hole injection layer 51 formed on the pixel electrode 32 has a relatively constant thickness because there is no movement of the hole injection material during the drying of the hole injection solution (not shown). After the drying is completed, heat treatment may be performed for about 10 minutes at about 200 ° C. in nitrogen, preferably in vacuum, and the solvent or water remaining in the hole injection layer 51 is removed through this process.

다음으로 유기발광층(55)을 형성하기 위해 발광물질을 포함하는 고분자 용액인 발광용액(미도시)을 정공주입층(51)이 형성되어 있는 화소전극(32) 상에 드로핑한다. 발광용액(미도시)은 격벽층(40)보다 낮게 형성되어 이웃하는 발광용액(미도시)은 혼합되지 않고 분리되어 있게 된다. 발광용액(미도시)의 용매는 정공주입층(51)의 재용해를 방지하게 위해 정공주입층(51)에 대하여 불용인 비극성 용매를 사용한다. 비극성 용매로는 시클로헥실벤젠, 디하이드로벤조퓨란, 트리메틸벤젠, 테트라메틸벤젠 등이 있다.Next, in order to form the organic light emitting layer 55, a light emitting solution (not shown), which is a polymer solution including a light emitting material, is dropped on the pixel electrode 32 on which the hole injection layer 51 is formed. The light emitting solution (not shown) is formed lower than the partition layer 40 so that neighboring light emitting solutions (not shown) are separated without being mixed. The solvent of the light emitting solution (not shown) uses a nonpolar solvent insoluble to the hole injection layer 51 to prevent re-dissolution of the hole injection layer 51. Non-polar solvents include cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like.

한편 정공주입층(51)은 비극성 용매에 대한 친화성이 낮으므로, 비극성 용매를 포함하는 발광용액(미도시)을 사용할 경우 정공주입층(51)과 유기발광층(55)을 밀착시킬 수 없게 되거나, 유기발광층(55)을 균일하게 도포할 수 없게 될 우려가 있다. 따라서 비극성 용매에 대한 정공주입층(51)의 친화성을 높이기 위하여, 발광용액(미도시)의 드로핑 전에 정공주입층(51)의 표면개질공정을 거치는 것이 바람직하다. On the other hand, since the hole injection layer 51 has low affinity for the nonpolar solvent, when the light emitting solution (not shown) containing the nonpolar solvent is used, the hole injection layer 51 and the organic light emitting layer 55 may not be in close contact with each other. There is a possibility that the organic light emitting layer 55 may not be uniformly applied. Therefore, in order to increase the affinity of the hole injection layer 51 with respect to the nonpolar solvent, it is preferable to go through the surface modification process of the hole injection layer 51 before dropping the light emitting solution (not shown).

표면개질공정에서는 표면개질제를 정공주입층(51)에 도포한 후 건조 증발시킨다. 표면개질제는 발광용액(미도시)의 용매인 시클로헥실벤젠, 디하이드로벤조퓨란, 트리메틸벤젠, 테트라메틸벤젠 또는 이들 용매와 유사한 톨루엔 또는 자일렌을 사용할 수 있다. 표면개질제의 도포방법은 잉크젯 방법, 스핀 코팅법 또는 딥 방법이 가능하다.In the surface modification process, the surface modifier is applied to the hole injection layer 51 and then evaporated to dryness. The surface modifier may use cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, or toluene or xylene similar to these solvents, which are solvents of a luminescent solution (not shown). The method of applying the surface modifier may be an inkjet method, a spin coating method or a dip method.

표면개질공정을 통해 정공주입층(51)의 표면이 비극성 용매에 융합하기 쉬워 져 발광용액(미도시)을 균일하게 도포할 수 있다. 발광용액(미도시)의 건조가 완료되면 유기발광층(55)이 완성된다. 발광용액(미도시)의 건조 과정은 정공주입용액(미도시)의 건조 과정과 같다. Through the surface modification process, the surface of the hole injection layer 51 becomes easy to fuse with a nonpolar solvent, and can apply | coat a light emitting solution (not shown) uniformly. When the drying of the light emitting solution (not shown) is completed, the organic light emitting layer 55 is completed. The drying process of the light emitting solution (not shown) is the same as the drying process of the hole injection solution (not shown).

이후 도2d에서 보는 바와 같이 격벽층(40)과 유기발광층(55)상에 순차적으로 금속막(61)과 공통전극(62)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2D, the metal layer 61 and the common electrode 62 are sequentially formed on the barrier layer 40 and the organic light emitting layer 55.

금속막(61)의 칼슘 또는 알루미늄을 스퍼터링 방법으로 증착시켜 형성한다. 금속막(61)은 칼슘과 알루미늄이 상호 적층된 이중막으로 이루어질 수도 있으며 두께는15Å 내지 60Å가 되도록 형성된다.Calcium or aluminum of the metal film 61 is formed by vapor deposition by sputtering. The metal film 61 may be formed of a double film in which calcium and aluminum are laminated to each other and have a thickness of 15 kPa to 60 kPa.

공통전극(62)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전 물질을 스퍼터링 방법에 의해 두께가 50 내지 200nm정도가 되도록 증착시켜 마련된다.The common electrode 62 is formed by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) so as to have a thickness of about 50 to 200 nm by a sputtering method.

이 후 도2e에서 보는 바와 같이 레이저전사(LITI) 방법에 의해 공통전극(62)의 상부에 컬러필터층(70)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 2E, the color filter layer 70 is formed on the common electrode 62 by the laser transfer (LITI) method.

레이저전사방식에 의한 컬러필터층(70) 형성과정을 살펴보면 우선 공통전극(62)의 상부에 LITI필름(71)을 위치시킨다.Looking at the process of forming the color filter layer 70 by the laser transfer method, first, the LITI film 71 is positioned on the common electrode 62.

LITI필름(71)은 베이스막(74), 열변환막(73) 및 컬러필터층 형성막(72)을 포함한다. 베이스막(74)은 다른 막(72,73)의 형성장소를 제공하는 막이며, 열변환막(73)은 레이저 빔의 빛 에너지를 열에너지로 바꾸어 준다. 컬러필터층 형성막(72)은 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 갖는 착색 감광성 유기 조성물로 이루어진 막으로 컬러필터층(70)이 된다.The LITI film 71 includes a base film 74, a heat conversion film 73, and a color filter layer forming film 72. The base film 74 is a film providing a place for forming other films 72 and 73, and the heat conversion film 73 converts light energy of the laser beam into thermal energy. The color filter layer forming film 72 is a color filter layer 70 made of a colored photosensitive organic composition having any one of red, green, and blue colors.

이 후 레이저 빔을 공통전극(62)의 상부에 위치하는LITI필름(71)의 특정 구역에 조사한다. 그러면 열변환막(73)이 레이저 빔의 빛 에너지를 열에너지로 바꾸어서 이를 컬러필터층 형성막(72)에 공급하게 된다. 이에 따라 컬러필터층 형성막(72) 중 열에너지를 공급받은 부분은 다른 부분과 달리 유동성을 가지게 되며 공통전극(62)의 상부에 부착되면서 도2f에서 보는 바와 같이 적색컬러필터층(70a)이 형성되게 된다. 마찬가지 방법으로 녹색컬러필터층(70b)과 청색컬러필터층(70c)의 순차적으로 형성하면 도1의 색재현성이 우수한 디스플레이 장치(1)가 완성되게 된다. Thereafter, the laser beam is irradiated to a specific region of the LITI film 71 positioned on the common electrode 62. Then, the thermal conversion film 73 converts the light energy of the laser beam into thermal energy and supplies it to the color filter layer forming film 72. Accordingly, the portion of the color filter layer forming film 72 that receives the heat energy has fluidity unlike other portions, and is attached to the upper portion of the common electrode 62 to form the red color filter layer 70a as shown in FIG. 2F. . In the same manner, when the green color filter layer 70b and the blue color filter layer 70c are sequentially formed, the display device 1 having excellent color reproducibility of FIG. 1 is completed.

컬러필터층(70)은 각 색상의 착색 감광성 유기 조성물을 도포, 노광, 현상, 베이크를 거쳐서 형성시킬 수도 있으나, 제조공정이 복잡하고 제조시간이 많이 걸리며 제조비용이 높아 제조효율이 떨어진다. 그러나 상기의 레이저전사(LITI) 방법에 의해 컬러필터층(71)을 형성하면 제조공정이 간단하고 제조시간을 줄일 수 있어 제조효율을 증대시킬 수 있다. The color filter layer 70 may be formed by coating, exposing, developing, and baking a colored photosensitive organic composition of each color, but the manufacturing process is complicated, takes a lot of manufacturing time, and high manufacturing cost, thereby lowering manufacturing efficiency. However, when the color filter layer 71 is formed by the laser transfer method (LITI), the manufacturing process is simple and the manufacturing time can be reduced, thereby increasing the manufacturing efficiency.

이하에서는 본 발명의 제2실시예에 따른 디스플레이장치을 도3을 참조하여 제1실시예에 따른 디스플레이장치와의 차이를 중심으로 설명하면 다음과 같다. 도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 디스플레이장치의 단면도이다. 본 발명의 제2실시예에 따른 디스플레이장치는 바텀 에미션(bottom emission) 구조임을 미리 밝혀둔다.Hereinafter, the display device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 with the differences from the display device according to the first embodiment. 3 is a cross-sectional view of a display device according to a second embodiment of the present invention. The display device according to the second embodiment of the present invention is known in advance that the bottom emission (bottom emission) structure.

본 발명의 제2실시예에 따른 디스플레이장치(2)는 본 발명의 제1실시예에 따른 디스플레이장치(1)와 달리 유기발광층(55)에서 자발광한 빛이 기판소재(10)의 배면으로 나오는 바텀 에미션 구조로서 컬러필터층(80)이 기판소재(10)의 배면에 형성되어 있으며, 컬러필터층(80)을 보호하기 위한 컬러필터층 보호막(82)이 형성되어 있다.In the display device 2 according to the second embodiment of the present invention, unlike the display device 1 according to the first embodiment of the present invention, light emitted from the organic light emitting layer 55 is directed to the rear surface of the substrate material 10. As a bottom emission structure, a color filter layer 80 is formed on the back surface of the substrate material 10, and a color filter layer protective film 82 for protecting the color filter layer 80 is formed.

디스플레이장치(2)의 제조과정에서 기판소재(10)의 하부는 다른 물질과 접촉하게 됨에 따라 컬러필터층(80)이 오염되거나 파손될 수 있다. 따라서 컬러필터층 보호막(82)은 오염이나 파손으로부터 컬러필터층(80)을 보호한다. 컬러필터층 보호막(82)은 박막트랜지스터 보호막(31)과 마찬가지로 실리콘 질화물(SiNx) 또는/그리고 유기막으로 이루어질 수 있다.As the lower portion of the substrate material 10 comes into contact with other materials in the manufacturing process of the display apparatus 2, the color filter layer 80 may be contaminated or damaged. Therefore, the color filter layer protective film 82 protects the color filter layer 80 from contamination or damage. The color filter layer passivation layer 82 may be formed of silicon nitride (SiNx) and / or an organic layer similarly to the thin film transistor passivation layer 31.

한편 제1실시예에 따른 디스플레이장치(1)와 달리 제2실시예에 따른 디스플레이장치(2)는 금속막(61)과 투명한 공통전극(62)이 따로 형성되는 것이 아니라 은 또는 알루미늄으로 이루어진 불투명한 공통전극(63)만으로 형성된다. 공통전극(63)은 유기발광층(55)에 직접 접하여 전자를 주입하며 격벽층(40)의 상부면과 직접 접해 있다. On the other hand, unlike the display device 1 according to the first embodiment, the display device 2 according to the second embodiment does not have a metal film 61 and a transparent common electrode 62 but is opaque made of silver or aluminum. Only one common electrode 63 is formed. The common electrode 63 directly contacts the organic light emitting layer 55 to inject electrons and directly contacts the upper surface of the barrier layer 40.

불화 리튬은 유기발광층(55)의 재료에 따라서는 발광효율을 증가시키기 때문에, 유기발광층(55)과 공통전극(63) 사이에 불화리튬층을 형성할 수도 있다. Since lithium fluoride increases the luminous efficiency depending on the material of the organic light emitting layer 55, a lithium fluoride layer may be formed between the organic light emitting layer 55 and the common electrode 63.

따라서 상기의 구성에 의해서도 제1실시예와 마찬가지로 유기발광층(55)의 적색발광층(55a), 녹색발광층(55b) 및 청색발광층(55c)에서 자발광한 색순도가 낮은 적색, 녹색 및 청색의 빛이 유리 기판(10)의 배면에 각각 대응되게 형성되어 적색, 녹색 및 청색을 색을 부여하는 적색컬러필터층(80a), 녹색컬러필터층(80b) 및 청색컬러필터층(80c)으로 이루어진 컬러필터층(80)을 다시 통과함으로써 색순도가 증가하여 색재현성이 우수한 디스플레이장치(2)가 제공된다.Therefore, according to the above configuration, red, green, and blue light having low color purity emitted by the red light emitting layer 55a, the green light emitting layer 55b, and the blue light emitting layer 55c of the organic light emitting layer 55, similarly to the first embodiment, A color filter layer 80 formed of a red color filter layer 80a, a green color filter layer 80b, and a blue color filter layer 80c formed to correspond to the rear surface of the glass substrate 10 to impart red, green, and blue colors, respectively. By passing through again, the color purity is increased to provide a display device 2 excellent in color reproducibility.

본 발명의 제2실시예에 따른 디스플레이장치(2)의 제조방법은 제1실시예에 따른 디스플레이 제조방법과 유리기판(10)의 배면에 컬러필터층(80)을 레이저전사방식(LITI)에 또는 각 색상의 착색 감광성 유기 조성물을 도포, 노광, 현상, 베이크를 거쳐서 컬러필터층(70)을 형성시킨다는 것과 금속막(61)을 제외한 불투명한 공통전극(63)을 형성시키는 것을 제외하고는 동일한바 상세한 설명은 생략한다.In the manufacturing method of the display apparatus 2 according to the second embodiment of the present invention, the color filter layer 80 is formed on the back surface of the glass substrate 10 and the display manufacturing method according to the first embodiment by laser transfer method (LITI) or The color filter layer 70 is formed by applying, exposing, developing, and baking the colored photosensitive organic composition of each color, except that the opaque common electrode 63 except for the metal film 61 is formed. Description is omitted.

한편 본 발명은 제1실시예 및 제2실시예에 따른 디스플레이장치(1, 2)의 제조방법 중 레이저전사방식(LITI)에 의해 컬러필터층(80)을 형성하는 방법은 일반적인 바텀 에미션 구조이며 박막트랜지스터(20)와 화소전극(32) 사이에 컬러필터층(70,80)이 형성되는 구조에서도 사용 가능함은 물론이다.Meanwhile, in the method of manufacturing the display apparatuses 1 and 2 according to the first and second embodiments, the method for forming the color filter layer 80 by laser transfer method (LITI) is a general bottom emission structure. Of course, the color filter layers 70 and 80 may be formed between the thin film transistor 20 and the pixel electrode 32.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 따라서 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다. Although some embodiments of the invention have been shown and described, it will be apparent to those skilled in the art that modifications may be made to the embodiment without departing from the spirit or spirit of the invention. . Therefore, the scope of the invention will be defined by the appended claims and equivalents thereof.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 색재현성이 우수한 디스플레이장치 및 그 제조방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, a display device excellent in color reproducibility and a manufacturing method thereof are provided.

Claims (18)

기판소재와;Substrate material; 상기 기판소재에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와;A plurality of thin film transistors formed on the substrate material; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과;A passivation layer formed on the thin film transistor; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과;A plurality of pixel electrodes formed on the passivation layer and electrically connected to the thin film transistors; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과;A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과;An organic layer formed on the pixel electrode; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극과;A common electrode formed on the organic layer; 상기 공통전극 상에 형성되어 있는 컬러필터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And a color filter layer formed on the common electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬러필터층은 레이저전사(Laser-induced thermal imaging; LITI)방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.The color filter layer is formed by a laser-induced thermal imaging (LITI) method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기층과 상기 공통전극 사이에 형성되어 있는 금속막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And a metal film formed between the organic layer and the common electrode. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 금속막은 두께가 15Å 내지 60Å인 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.The metal film is a display device, characterized in that the thickness of 15 ~ 60Å. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기층은 순차적으로 적층되어 있는 정공주입층과 유기발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And the organic layer includes a hole injection layer and an organic light emitting layer that are sequentially stacked. 기판소재와;Substrate material; 상기 기판소재의 일면에 형성되어 있는 컬러필터층과;A color filter layer formed on one surface of the substrate material; 기판소재의 타면에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와;A plurality of thin film transistors formed on the other surface of the substrate material; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과;A passivation layer formed on the thin film transistor; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과;A plurality of pixel electrodes formed on the passivation layer and electrically connected to the thin film transistors; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과;A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And an organic layer formed on the pixel electrode. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유기층의 상부에 위치하는 공통전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And a common electrode disposed on the organic layer. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유기층은 순차적으로 적층되어 있는 정공주입층과 유기발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And the organic layer includes a hole injection layer and an organic light emitting layer that are sequentially stacked. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 컬러필터층을 보호하는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And a passivation layer protecting the color filter layer. 기판소재와;Substrate material; 상기 기판소재에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와;A plurality of thin film transistors formed on the substrate material; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과;A passivation layer formed on the thin film transistor; 상기 보호막 상에 레이저전사(Laser-induced thermal imaging; LITI)방법에 의해 형성되어 있는 컬러필터층과;A color filter layer formed on the protective film by a laser-induced thermal imaging (LITI) method; 상기 컬러필터층의 상부에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과;A plurality of pixel electrodes formed on the color filter layer and electrically connected to the thin film transistors; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과;A barrier layer partitioning between the pixel electrodes; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과;An organic layer formed on the pixel electrode; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And a common electrode formed on the organic layer. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 유기층은 순차적으로 적층되어 있는 정공주입층과 유기발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.And the organic layer includes a hole injection layer and an organic light emitting layer that are sequentially stacked. 기판소재 상에 레이저전사(Laser-induced thermal imaging; LITI)방법에 의해 컬러필터층을 형성하는 단계와;Forming a color filter layer on a substrate material by a laser-induced thermal imaging (LITI) method; 상기 기판소재 상에 유기발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법.And forming an organic light emitting layer on the substrate material. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 기판소재 상에 박막트랜지스터 및 보호막을 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor and a protective film on the substrate material; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극을 마련하는 단계와;Providing a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층을 형성하는 단계를 더 포함하며,Forming a partition layer partitioning the pixel electrodes; 상기 유기발광층은 상기 화소전극의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법.And the organic light emitting layer is formed on the pixel electrode. 제12항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 to 13, 상기 유기발광층 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하며, The method may further include forming a common electrode on the organic light emitting layer. 상기 컬러필터층은 상기 공통전극 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법. And the color filter layer is formed on the common electrode. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 유기발광층과 상기 공통전극 사이에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법.And forming a metal film between the organic light emitting layer and the common electrode. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 컬러필터층은 상기 기판소재의 일면에 형성되며, 상기 유기발광층은 상기 기판소재의 타면에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법.The color filter layer is formed on one surface of the substrate material, the organic light emitting layer is a manufacturing method of a display device, characterized in that formed on the other surface of the substrate material. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 기판소재 상에 박막트랜지스터 및 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하며, The method may further include forming a thin film transistor and a passivation layer on the substrate material. 상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성되며, 상기 유기발광층은 상기 컬러필터층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법. And the color filter layer is formed on the passivation layer, and the organic light emitting layer is formed on the color filter layer. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 컬러필터층 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극을 마련하는 단계와;Providing a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors on the color filter layer; 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층을 형성하는 단계를 더 포함하며, Forming a partition layer partitioning the pixel electrodes; 상기 유기발광층은 상기 격벽층을 경계로 상기 화소전극의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제조방법.The organic light emitting layer is a manufacturing method of a display device, characterized in that formed on top of the pixel electrode bordering the partition layer.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101476207B1 (en) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
US8946005B2 (en) 2007-06-14 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin-film transistor, array substrate having the thin-film transistor and method of manufacturing the array substrate
US8982023B2 (en) 2009-02-16 2015-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and display device having the same
US9036122B2 (en) 2008-12-23 2015-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and display device having the same
US9083967B2 (en) 2010-11-19 2015-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Method for displaying a stereoscopic image and display apparatus for performing the same
US9269317B2 (en) 2003-04-29 2016-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US9570027B2 (en) 2014-01-07 2017-02-14 Samsung Display Co., Ltd. Method of protecting a gate driver circuit and display apparatus performing the method
US10324318B2 (en) 2012-08-22 2019-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Curved liquid crystal display panel and curved display device having the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9269317B2 (en) 2003-04-29 2016-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US10283070B2 (en) 2003-04-29 2019-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US10847111B2 (en) 2003-04-29 2020-11-24 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US11361728B2 (en) 2003-04-29 2022-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US8946005B2 (en) 2007-06-14 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin-film transistor, array substrate having the thin-film transistor and method of manufacturing the array substrate
US9036122B2 (en) 2008-12-23 2015-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and display device having the same
US8982023B2 (en) 2009-02-16 2015-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and display device having the same
US9083967B2 (en) 2010-11-19 2015-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Method for displaying a stereoscopic image and display apparatus for performing the same
KR101476207B1 (en) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
US10324318B2 (en) 2012-08-22 2019-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Curved liquid crystal display panel and curved display device having the same
US9570027B2 (en) 2014-01-07 2017-02-14 Samsung Display Co., Ltd. Method of protecting a gate driver circuit and display apparatus performing the method

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