JP3528182B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置

Info

Publication number
JP3528182B2
JP3528182B2 JP53136098A JP53136098A JP3528182B2 JP 3528182 B2 JP3528182 B2 JP 3528182B2 JP 53136098 A JP53136098 A JP 53136098A JP 53136098 A JP53136098 A JP 53136098A JP 3528182 B2 JP3528182 B2 JP 3528182B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential
pixel
tft
electrode
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP53136098A
Other languages
English (en)
Inventor
徳郎 小澤
睦 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP3528182B2 publication Critical patent/JP3528182B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0847—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory without any storage capacitor, i.e. with use of parasitic capacitances as storage elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0283—Arrangement of drivers for different directions of scanning
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関し、
特に有機半導体膜等の発光薄膜に駆動電流が流れること
によって発光するEL（エレクトロルミネッセンス）素子
またはLED（発光ダイオード）素子などの発光素子と、
この発光素子の発光動作を制御する薄膜トランジスタ
（以下、TFT）とを用いた表示装置に関するものであ
る。さらに詳しくは、このタイプの表示装置の駆動技術
に関するものである。
背景技術 EL素子またはLED素子などの電流制御型発光素子を用
いたアクティブマトリクス型の表示装置が提案されてい
る。このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいず
れも自己発光するため、液晶表示装置と違ってバックラ
イトを必要とせず、また視野角依存性が少ないなどの利
点がある。
図31は、このような表示装置の一例として、電荷注入
型の有機薄膜EL素子を用いたアクティブマトリクス型表
示装置のブロック図である。この図に示す表示装置1Aで
は、透明基板上に、複数の走査線gateと、これらの走査
線gateの延設方向に対して交差する方向に延設された複
数のデータsigと、これらのデータ線sigに並列する複数
の共通給電線comと、データ線sigと走査線gateとの交差
点に対応する画素７とが構成されている。
画素７の各々には、走査線gateを介して走査信号がゲ
ート電極（第１のゲート電極）に供給される第１のTFT2
0と、この第１のTFT20を介してデータ線sigから供給さ
れる画像信号を保持する保持容量capと、この保持容量c
apによって保持された画像信号がゲート電極（第２のゲ
ート電極）に供給される第２のTFT3と、第２のTFT30を
介して共通給電線comに電気的に接続したときに共通給
電線comから駆動電流が流れ込む発光素子40（抵抗とし
て表してある。）とが構成されている。
このように構成された表示装置1Aにおいて、第１のTF
T20および第２のTFT30は、従来、Ｎチャネル型を例にと
ると、製造プロセスを簡略化するという観点から、図32
にその等価回路を示すように、いずれもＮチャネル型あ
るいはＰチャネル型のTFTとして構成されている。従っ
て、Ｎチャネル型を例にとると、図33（Ａ）、（Ｂ）に
示すように、走査線gateから供給される走査信号Sgate
が高電位になって第１のTFT20がオン状態になったとき
にデータ線sigから保持容量capに高電位の画像信号data
が書き込まれると、第２のTFT30がオン状態に保持され
る。その結果、発光素子40では、画素電極41から対向電
極opに向けて矢印Ｅで示す方向の駆動電流が流れ続け、
発光素子40が発光し続ける（点灯状態）。これに対し
て、走査線gateから供給される走査信号Sgateが高電位
になって第１のTFT20がオン状態になったときに、デー
タ線sigから保持容量capに共通給電線comの電位と対向
電極opの電位の間のある電位よりも低い電位の画像信号
dataが書き込まれると、第２のTFT30がターンオフし、
発光素子40が消灯する（消灯状態）。
このような表示装置1Aにおいて、各素子を構成する半
導体膜、絶縁膜、電極などは基板上に堆積した薄膜から
構成され、かつ、この薄膜は基板の耐熱性などを考慮し
て低温プロセスで形成されることが多い。従って、薄膜
とバルクとの物性の差異などに起因して欠陥が多いほど
膜品質が劣る ため、TFTなどでは絶縁破壊や経時劣化などの問題が表
面化しやすい。
液晶を光変調素子として用いた液晶表示装置でも薄膜
を用いるという点で共通するが、この場合には光変調素
子を交流駆動するので、液晶だけでなく、TFTの経時劣
化も抑えることができる。これに対して、電流制御型発
光素子を用いた表示装置1Aでは直流駆動せざるを得ない
という点では、液晶表示装置よりもTFTに経時劣化が起
きやすい。このような問題点を解消するため、電流制御
型発光素子を用いた表示装置1AでもTFTの構造やプロセ
ス技術に改良が加えられているものの、未だ、十分に改
良されたとはいえない。
また、液晶を光変調素子として用いた場合には、この
光変調素子を電圧により制御するので、個々の素子には
電流が瞬間的に流れるだけであるので、消費電力が小さ
い。これに対して、電流制御型発光素子を用いた表示装
置1Aでは、発光素子を点灯させ続けるには駆動電流を定
常的に流す必要があるので、消費電力が高くなり、絶縁
破壊や経時劣化が起きやすい。
さらに、液晶表示装置では１画素当たり１つのTFTで
液晶を交流駆動することができるが、電流制御型発光素
子を用いた表示装置1Aでは、１画素当たり２つのTFT2
0、30で発光素子40を直流駆動するので、駆動電圧が高
くなり、前記の絶縁破壊や消費電力が大きいという問題
が顕著である。たとえば、図33（Ａ）に示すように、画
素を選択する際の第１のTFT20のゲート電圧Vgswは、走
査信号Sgateの高電位に相当する電位と電位保持電極st
の電位（保持容量capの電位、または第２のTFT30のゲー
ト電極の電位）との電位差に相当するため、発光素子40
を高い輝度で点灯させようと電位保持電極stの電位を高
めて第２のTFT30のゲート電圧Vgcurを高めたときには、
その分、第１のTFT20のゲート電圧Vgswが低くなってし
まうので、走査信号Sgateの振幅を大きくする必要が生
じ、表示装置1Aの駆動電圧が高くなってしまう。また、
前記の表示装置1Aでは、発光素子40を消灯させる際に画
像信号dataの電位を共通給電線comの電位と対向電極op
の電位の間のある電位よりも低くして第２のTFT30をタ
ーンオフさせるため、画像信号dataの振幅が大きいとい
う問題点もある。従って、この種の表示装置1Aでは、液
晶表示装置と比較して、消費電力やTFTの耐電圧などに
格段の配慮が必要であるが、従来の表示装置1Aではかか
る配慮が十分になされていない。
そこで、本発明の課題は、電流駆動型の発光素子の発
光動作を制御するTFTの導電型を考慮した駆動方式を採
用して、駆動電圧の低電圧化による消費電力、絶縁破
壊、経時劣化の低減と表示品位の向上とを併せて図るこ
とができる表示装置を提供することにある。
発明の開示 本発明の第１の表示装置は、走査線と、データ線と、
給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画
素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給
される第１のトランジスタと、前記データ線から前記第
１のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて
駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素電極が
前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に
接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れ
る駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記
第２のトランジスタはＰチャネル型であり、前記給電線
の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されてお
り、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前
記第１のトランジスタを介して供給される画像信号の電
位は、前記対向電極の電位と比較して高電位であること
を特徴とする。
本発明の第２の表示装置は、走査線と、データ線と、
給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画
素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給
される第１のトランジスタと、前記データ線から前記第
１のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて
駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素電極が
前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に
接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れ
る駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記
第２のトランジスタはＰチャネル型であり、前記給電線
の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されてお
り、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前
記第１のトランジスタを介して供給される画像信号によ
って前記第２のトランジスタのゲート電極に供給される
電位は、前記対向電極の電位と比較して高電位であるこ
とを特徴する。
さらに、上記第１または第２の表示装置において、前
記画素は、前記データ線から前記第１のトランジスタを
介して供給される画像信号を保持する保持容量を含み、
前記第２のトランジスタのゲート電極には前記保持容量
の保持した電位が供給されることを特徴とする。
さらに、上記各表示装置において、前記第１のトラン
ジスタはＰチャネル型であることを特徴とする。
また、本発明の第３の表示装置は、走査線と、データ
線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、
前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号
が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から
前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に
応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素
電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電
気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間
に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含
み、前記第１のトランジスタはＮチャネル型であり、前
記第２のトランジスタはＰチャネル型であり、前記給電
線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されて
おり、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から
前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号の
電位は、前記対向電極の電位と比較して高電位であるこ
とを特徴とする。
また、本発明の第４の表示装置は、走査線と、データ
線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、
前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号
が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から
前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に
応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素
電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電
気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間
に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含
み、前記第１のトランジスタはＮチャネル型であり、前
記第２のトランジスタはＰチャネル型であり、前記給電
線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されて
おり、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から
前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に
よって前記第２のトランジスタのゲート電極に供給され
る電位は、前記対向電極の電位と比較して高電位である
ことを特徴する。
さらに、上記第３または第４の表示装置において、前
記画素は、前記データ線から前記第１のトランジスタを
介して供給される画像信号を保持する保持容量を含み、
前記第２のトランジスタのゲート電極には前記保持容量
の保持した電位が供給されることを特徴とする。
さらに、上記の各表示装置において、前記第１のトラ
ンジスタのゲート電極に供給される前記走査信号は、そ
の高電位が前記画像信号の電位より高く、その低電位が
前記画像信号の電位より低いことを特徴とする。
さらに、上記各表示装置において、前記走査信号の電
位振幅は、前記給電線と前記対向電極の間の電圧より大
きいことを特徴とする。
さらに、上記各表示装置において、前記発光素子は有
機半導体膜を含むことを特徴とする。
さらに、上記各表示装置において、前記第２のトラン
ジスタは飽和領域で動作するように構成されていること
を特徴とする。
さらに、上記各表示装置において、前記第２のトラン
ジスタは線形領域で動作するように構成されていること
を特徴とする。
具体的には、本発明では、基板上に、複数の走査線
と、該走査線に交差する複数のデータ線と、複数の共通
給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリク
ス状に形成された画素とを有し、該画素の各々には、前
記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供給さ
れる第１のTFTと、該第１のTFTを介して前記データ線か
ら供給される画素信号を保持する保持容量と、該保持容
量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電極
に供給される第２のTFTと、前記画素毎に形成された画
素電極が前記第２のTFTを介して前記共通給電線に電気
的に接続したときに前記画素電極と発光薄膜を介して対
向する対向電極との間に流れる駆動電流によって前記発
光薄膜が発光する表示装置において、前記第２のTFTが
Ｎチャネル型の場合には、前記共通給電線は前記対向電
極よりも低電位に設定されていることを特徴とする。
本発明に係る表示装置では、第２のTFTのオン時のゲ
ート電圧は、共通給電線の電位および画素電極の電位の
うちの一方の電位と、ゲート電極の電位（画像信号の電
位）との差に相当するので、第２のTFTの導電型に応じ
て、共通給電線の電位と発光素子の対向電極の電位との
相対的な高低を最適化し、第２のTFTのゲート電圧は、
共通給電線の電位と電位保持電極の電位との差に相当す
るように構成してある。たとえば、第２のTFTがＮチャ
ネル型であれば、発光素子の対向電極の電位に対して共
通給電線の電位を低くしてある。
この共通給電線の電位については、画素電極の電位と
相違して、十分に低い値に設定することができるため、
第２のTFTが大きなオン電流が得られ、高い輝度で表示
を行うことができる。また、画素を点灯状態とする際
に、第２のTFTにおいて高いゲート電圧が得られるので
あれば、画像信号の電位を下げることができるので、画
像信号の振幅を小さくし、表示装置における駆動電圧を
下げることができる。
それ故、消費電力を低減できるともに、薄膜で構成さ
れた各素子で懸念されていた耐電圧の問題が顕在化しな
いという利点がある。
本発明において、上記第２のTFTがＮチャネル型の場
合には点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から
供給される画像信号の電位は、前記対向電極の電位と比
較して低電位、あるいは等電位であることが好ましい。
このように構成した場合も、第２のTFTをオン状態に保
ったまま、画像信号の振幅を小さくすることができ、表
示装置における駆動電圧を下げることができる。
本発明において、第２のTFTがＮチャネル型の場合に
は、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供
給される画像信号の電位は、前記共通給電線の電位と比
較して高電位、あるいは等電位であることが好ましい。
すなわち、画素を消灯状態にするときには、第２のTFT
を完全にターンオフさせるほどのゲート電圧（画像信
号）を印加しない。発光素子の非線型電気特性とあいま
って、消灯状態は実現できる。それ故、画像信号の振幅
を小さくすることができ、表示装置における駆動電圧を
下げ、また画像信号の高周波化を図ることができる。
本発明において、上記の各構成とは逆に、前記第２の
TFTがＰチャネル型の場合には、各電位の相対的な関係
を逆転させる。すなわち、前記第２のTFTがＰチャネル
型の場合には、前記共通給電線は前記対向電極よりも高
電位に設定されていることを特徴とする。この場合に
は、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供
給される画像信号の電位は、前記対向電極の電位と比較
して高電位、あるいは、等電位であることが好ましい。
また、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から
供給される画像信号の電位は、前記共通給電線の電位と
比較して低電位、あるいは等電位であることが好まし
い。
本発明において、前記第１のTFTと前記第２のTFTと
は、逆導電型のTFTで構成されていることが好ましい。
すなわち、第１のTFTがＮチャネル型であれば、第２のT
FTはＰチャネル型であり、第１のTFTがＰチャネル型で
あれば、第２のTFTはＮチャネル型であることが好まし
い。詳しくは後述するが、このように構成すると、表示
装置の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信
号の電位を、第１のTFTのオン時の抵抗が小さくなる方
向に変更するだけで、表示動作の高速化を図ることがで
きる。
また、この時には画素を点灯させるための画像信号の
電位が第２のTFTのオン時の抵抗が小さくなる方向に変
更したことになるので、輝度の向上を図ることができ
る。よって、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを
併せて達成することができる。
本発明の別の形態では、基板上に、複数の走査線と、
該走査線に交差する複数のデータ線と、複数の共通給電
線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状
に形成された画素とを有し、該画素の各々には、前記走
査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供給される
第１のTFTと、該第１のTFTを介して前記データ線から供
給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量に
よって保持された前記画像信号が第２のゲート電極に供
給される第２のTFTと、前記画素毎に形成された画素電
極と該画素電極に対向する対向電極との層間において前
記画素電極が前記第２のTFTを介して前記共通給電線に
電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極と
の間に流れる駆動電流によって発光する発光薄膜を具備
する発光素子とを備える表示装置において、前記第１の
TFTと前記第２のTFTとは、逆導電型のTFTで構成されて
いることを特徴とする。
本発明では、例えば第１のTFTがＮ型であれば、第２
のTFTがＰ型であるように、第１のTFTと第２のTFTとが
逆導電型であるため、第１のTFTの書き込み能力を上げ
るためには、走査信号の選択パルス高を高くし、第２の
TFTのオン抵抗を下げて発光輝度を上げるためには、画
像信号の電位を低くすることになる。このような走査信
号および画像信号の最適化は、第１のTFTのゲート電圧
に対して、画素の選択期間中、発光素子を点灯させるレ
ベルの画像信号が保持容量に書き込まれていくにつれ
て、当該TFTのオン電流が増大する方にシフトさせるの
に効く、それ故、データ線から第１のTFTを介して保持
容量に画像信号がスムーズに書き込まれる。ここで、画
素を選択する際の第１のTFTのゲート電圧は、走査信号
の高電位に相当する電位と点灯時の電位保持電極の電位
（点灯のための画像信号の電位、保持容量の電位、また
は第２のTFTのゲート電極の電位）との差に相当し、第
２のTFTのゲート電圧は、点灯時の電位保持電極の電位
と共通給電線の電位との差に相当し、このときの電位保
持電極の電位を基準にしたときには、走査信号の高電位
に相当する電位と共通給電線の電位は同じ極性である。
従って、点灯時の電位保持電極の電位（点灯のための画
像信号の電位）を変更すれば、その分、第１のTFTのゲ
ート電圧および第２のTFTのゲート電圧の双方が同じ方
向に同じ分だけシフトする。それ故、表示装置の駆動電
圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号の電位を、
第１のTFTのオン時の抵抗が小さくなる方向にシフトさ
せれば、表示動作の高速化を図ることができる。また、
この時には点灯のための画像信号の電位が第２のTFTの
オン時の抵抗が小さくなる方向にシフトしたことになる
ので、輝度の向上を図ることができる。よって、駆動電
圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成すること
ができる。
本発明において、消灯状態にある画素における前記第
２のTFTに印加されるゲート電圧は、該第２のTFTがオン
状態となるときの極性と同じで、かつ、該第２のTFTの
しきい値電圧を越えない値であることが好ましい。
すなわち、画素を消灯状態にするときには、第２のTF
Tを完全にターンオフさせるほどのゲート電圧（画像信
号）を印加しない。それ故、画像信号の振幅を小さくす
ることができ、画像信号の高周波化を実現できる。
このように構成した場合において、前記第１のTFTが
Ｎチャネル型、前記第２のTFTがＰチャネル型であれ
ば、前記第１のTFTをオン状態にするときの走査信号の
電位と前記共通給電線の電位とが等しく、かつ、消灯状
態にある画素の前記第２のTFTに印加されるゲート電極
の電位は、前記第１のTFTをオン状態にするときの走査
信号の電位から当該第１のTFTのしきい値電圧を差し引
いた電位よりも低電位であることが好ましい。それとは
逆に、前記第１のTFTがＰチャネル型、前記第２のTFTが
Ｎチャネル型であれば、前記第１のTFTをオン状態にす
るときの走査信号の電位と前記共通給電線の電位とが等
しく、かつ、消灯状態にある画素の前記第２のTFTに印
加されるゲート電極の電位は、前記第１のTFTをオン状
態にするときの走査信号の電位に当該第１のTFTのしき
い値電圧を加えた電位よりも高電位であることが好まし
い。
このように第１のTFTをオン状態にするときの走査信
号の電位と共通給電線の電位とを等しくすると、各駆動
信号のレベルの数が減るため、表示装置への信号入力端
子の数を減らすことができるとともに、電源数を減らす
ことができるので、低消費電力となる。
本発明では、前記保持容量の両電極のうち、前記第２
のTFTの第２のゲート電極に電気的に接続する電極とは
反対側の電極には、前記走査信号の選択パルスより遅延
して該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供
給されることが好ましい。このように構成すると、保持
容量への画像信号の書き込みを補うことができるので、
画像信号の振幅を大きくせずに、第２のTFTのゲート電
極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方向にシフ
トさせることができる。
本発明のさらに別の形態においては、基板上に、複数
の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ線と、複
数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とにより
マトリクス状に形成された画素とを有し、該画素の各々
には、前記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極
に供給される第１のTFTと、該第１のTFTを介して前記デ
ータ線から供給される画像信号を保持する保持容量と、
該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲ
ート電極に供給される第２のTFTと、前記画素毎に形成
された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層
間において前記画素電極が前記第２のTFTを介して前記
共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前
記対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発
光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置におい
て、前記保持容量の両電極のうち、前記第２のTFTの第
２のゲート電極に電気的に接続する電極とは反対側の電
極には、前記走査信号の選択パルスより遅延して該選択
パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるこ
とを特徴とする。
このように構成すると、保持容量への画像信号の書き
込みを補うことができるので、画像信号の振幅を大きく
せずに、第２のTFTのゲート電極に印加される画像信号
の電位を高輝度化の方向にシフトさせることができる。
上記のいずれの発明においても、前記発光薄膜として
は、たとえば、有機半導体膜を用いることができる。
本発明では、上記のいずれの発明においても、第２の
TFTについては、その飽和領域で動作させることによ
り、発光素子に異常電流が流れ、電圧降下等により他画
素にクロストーク等が発生するのを防止することができ
る。
また、その線形領域で動作させることによりそのしき
い値電圧のばらつきが表示動作に影響を及ぼすことを防
止することができる。
図面の簡単な説明 図１は、本発明を適用した表示装置を模式的に示す平
面図である。
図２は、本発明を適用した表示装置の基本的な構成を
示すブロック図である。
図３は、図２に示す表示装置の画素を拡大して示す平
面図である。
図４は、図３のＡ−Ａ′線における断面図である。
図５は、図３のＢ−Ｂ′線における断面図である。
図６（Ａ）は、図３のＣ−Ｃ′線における断面図であ
り、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示すように構成したと
きの効果を説明するための説明図である。
図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図２に示す表示装置
に用いる発光素子の断面図である。
図８（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図７に示す発光素子
と別の構造を有する発光素子の断面図である。
図９は、図７（Ａ）、図８（Ｂ）に示す発光素子の電
流−電圧特性を示すグラフである。
図10は、図７（Ｂ）、図８（Ａ）に示す発光素子の電
流−電圧特性を示すグラフである。
図11は、Ｎチャネル型TFTの電流−電圧特性を示すグ
ラフである。
図12は、Ｐチャネル型TFTの電流−電圧特性を示すグ
ラフである。
図13は、本発明を適用した表示装置の製造方法を示す
工程断面図である。
図14（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図３から図６に示す
表示装置の画素とは異なる構成の画素の平面図、および
断面図である。
図15は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の画素
構成を示す等価回路図である。
図16（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図15に示す画素に構
成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図17は、本発明の実施の形態１の変形例に係る表示装
置の画素構成を示す等価回路図である。
図18（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図17に示す画素に構
成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図19は、本発明の実施の形態２に係る表示装置の画素
構成を示す等価回路図である。
図20（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図19に示す画素に構
成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図21は、本発明の実施の形態２の変形例に係る表示装
置の画素構成を示す等価回路図である。
図22（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図21に示す画素に構
成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図23は、本発明の実施の形態３に係る表示装置の画素
構成を示す等価回路図である。
図24（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図23に示す画素を駆
動するための信号の波形図、これらの信号と等価回路と
の対応を示す説明図である。
図25は、本発明の実施の形態２に係る表示装置の画素
を駆動するための信号の波形図である。
図26は、本発明の実施の形態３の変形例に係る表示装
置の画素構成を示す等価回路図である。
図27（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図26に示す画素を駆
動するための信号の波形図、これらの信号と等価回路と
の対応を示す説明図である。
図28（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態
４に係る表示装置の画素の等価回路図、それを駆動する
ための信号の波形図である。
図29は、図28に示す信号を発生させるための走査側駆
動回路のブロック図である。
図30は、図29に示す走査側駆動回路から出力される各
信号の波形図である。
図31は、表示装置のブロック図である。
図32は、図31に示す表示装置における従来の画素構成
を示す等価回路図である。
図33（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図32に示す画素を駆
動するための信号の波形図、これらの信号と等価回路と
の対応を示す説明図である。
図34（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、隣接するゲート線を
用いて容量を形成する構成のブロック図と、そのゲート
電圧の信号波形である。
［符号の説明］ 1 表示装置 2 表示部 3 データ側駆動回路 4 走査側駆動回路 5 検査回路 6 実装用パッド 7 画素 10 透明基板 20 第１のTFT 21 第１のTFTのゲート電極 30 第２のTFT 31 第２のTFTのゲート電極 40 発光素子 41 画素電極 42 正孔注入層 43 有機半導体膜 50 ゲート絶縁膜 bank バンク層 cap 保持容量 cline 容量線 com 共通給電線 gate 走査線 op 対向電極 sig データ線 st 電位保持電極 発明を実施するための最良の形態 図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。な
お、本発明の各実施の形態を説明する前に、各形態で共
通の構成について説明しておく。ここで、各形態で共通
の機能を有する部分については、同一の符合を付して説
明の重複を避けることとする。
（アクティブマトリクス基板の全体構成） 図１は、表示装置の全体のレイアウトを模式的に示す
ブロック図、図２は、それに構成されたアクティブマト
リクスの等価回路図である。
図１に示すように、本形態の表示装置１では、その基
体たる透明基板10の中央部分が表示部２とされている。
透明基板10の外周部分のうち、図面に向かって上下の側
には、データ線sigに対して画像信号を出力するデータ
側駆動回路３、および検査回路５がそれぞれ構成され、
図面に向かって左右の側には、走査線gateに対して走査
信号を出力する走査側駆動回路４が構成されている。こ
れらの駆動回路３、４では、Ｎ型のTFTとＰ型のTFTとに
よって相補型TFTが構成され、この相補型TFTは、シフト
レジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回
路などを構成している。透明基板10上において、データ
側駆動回路３よりも外周領域には、画像信号や各種の電
位、パルス信号を入力するための端子群とされる実装用
パッド６が形成されている。
表示装置１では、液晶表示装置のアクティブマトリク
ス基板と同様、透明基板10上に、複数の走査線gateと、
該走査線gateの延設方向に対して交差する方向に延設さ
れた複数のデータ線sigとが構成され、図２に示すよう
に、これらのデータ線sigと走査線gateとの交差により
マトリクス状に画素７が多数、構成されている。
これらの画素７のいずれにも、走査線gateを介して走
査信号がゲート電極21（第１のゲート電極）に供給され
る第１のTFT20が構成されている。このTFT20のソース・
ドレイン領域の一方は、データ線sigに電気的に接続
し、他方のソース・ドレイン領域は電位保持電極stに電
気的に接続している。すなわち、走査線gateに対しては
容量線clineが並列配置され、この容量線clineと電位保
持電極stとの間には保持容量capが形成されている。従
って、走査信号によって選択されて第１のTFT20がオン
状態になると、データ線sigから画像信号が第１のTFT20
を介して保持容量capに書き込まれる。
電位保持電極stには第２のTFT30のゲート電極31（第
２のゲート電極）が電気的に接続し、第２のTFT30のソ
ース・ドレイン領域の一方は、共通給電線comに電気的
に接続する一方、他方のソース・ドレイン領域は発光素
子40の一方の電極（後述する画素電極）に電気的に接続
している。共通給電線comは定電位に保持されている。
第２のTFT30がオン状態になったときに、第２のTFT30を
介して共通給電線comの電流が発光素子40を流れ、発光
素子40を発光させる。
このように構成した表示装置１において、駆動電流
は、発光素子40、第２のTFT30、および共通給電線comか
ら構成される電流経路を流れるため、第２のTFT30がオ
フ状態になると、流れなくなる。但し、本形態の表示装
置１では、走査信号によって選択されて第１のTFT20が
オン状態になると、データ線sigから画像信号が第１のT
FT20を介して保持容量capに書き込まれる。従って、第
２のTFT30のゲート電極は、第１のTFT20がオフ状態にな
っても、保持容量capによって画像信号に相当する電位
に保持されるので、第２のTFT30はオン状態のままであ
る。それ故、発光素子40には駆動電流が流れ続け、この
画素は点灯状態のままである。この状態は、新たな画像
データが保持容量capに書き込まれて、第２のTFT30がオ
フ状態になるまで維持される。
表示装置１において共通給電線com、画素７、および
データ線sigについては各種の配列が可能であるが、本
形態では、共通給電線comの両側に、該共通給電線comと
の間で駆動電流の供給が行われる発光素子40を有する複
数の画素７が配置され、これらの画素７に対して共通給
電線comとは反対側を２本のデータ線sigが通っている。
すなわち、データ線sig、それに接続する画素群、１本
の共通給電線com、それに接続する画素群、および該画
素群に画素信号を供給するデータ線sigを１つの単位と
してそれを走査線gateの延設方向に繰り返してあり、共
通給電線comは、１本で２列分の画素７に対して駆動電
流を供給する。そこで、本形態では、共通給電線comを
挟むように配置された２つの画素７の間では、第１のTF
T20、第２のTFT30、および発光素子40が当該共通給電線
comを中心に線対称に配置され、これらの素子と各配線
層との電気的な接続を容易なものにしてある。
このように、本形態では、１本の共通給電線comで２
列分の画素を駆動するので、１列の画素群ごとに共通給
電線comを形成する場合と比較して、共通給電線comの数
が1/2で済むとともに、同一の層間に形成される共通給
電線comとデータ線sigとの間に確保していた隙間が不要
である。それ故、透明基板10上において配線のための領
域を狭くすることができるので、輝度、コントラスト比
などの表示性能を向上させることができる。なお、この
ように１本の共通給電線comに２列分の画素が接続され
る構成としたため、データ線sigは２本ずつ並列する状
態にあって、それぞれの列の画素群に対して画像信号を
供給することになる。
（画素の構成） このように構成した表示装置１の各画素７の構造を、
図３ないし図６を参照して詳述する。
図３は、本形態の表示装置１に形成されている複数の
画素７のうちの３つの画素７を拡大して示す平面図、図
４、図５、および図６はそれぞれは、そのＡ−Ａ′線に
おける断面図、Ｂ−Ｂ′線における断面図、およびＣ−
Ｃ′線における断面図である。
まず、図３におけるＡ−Ａ′線に相当する位置では、
図４に示すように、透明基板10上には各画素７の各々
に、第１のTFT20を形成するための島状のシリコン膜200
が形成され、その表面にはゲート絶縁膜50が形成されて
いる。ゲート絶縁膜50の表面にはゲート電極21（走査線
gateの一部）が形成され、該ゲート電極21に対して自己
整合的にソース・ドレイン領域22、23が形成されてい
る。ゲート絶縁膜50の表面側には第１の層間絶縁膜51が
形成され、この層間絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ル61、62を介して、ソース・ドレイン領域22、23にはデ
ータ線sig、および電位保持電極stがそれぞれ電気的に
接続している。
各画素７には走査線gateと並列するように、走査線ga
teやゲート電極21と同一の層間（ゲート絶縁膜50と第１
の層間絶縁膜51との間）には容量線clineが形成されて
おり、この容量線clineに対しては、第１の層間絶縁膜5
1を介して電位保持電極stの延設部分st1が重なってい
る。このため、容量線clineと電位保持電極stの延設部
分st1とは、第１の層間絶縁膜51を誘電体膜とする保持
容量capを構成している。なお、電位保持電極stおよび
データ線sigの表面側には第２の層間絶縁膜52が形成さ
れている。
図３におけるＢ−Ｂ′線に相当する位置では、図５に
示すように、透明基板10上に形成された第１の層間絶縁
膜51および第２の層間絶縁膜52の表面に各画素７に対応
するデータ線sigが２本、並列している状態にある。
図３におけるＣ−Ｃ′線に相当する位置では、図６
（Ａ）に示すように、透明基板10上には共通給電線com
を挟む２つの画素７に跨がるように、第２のTFT30を形
成するための島状のシリコン膜300が形成され、その表
面にはゲート絶縁膜50が形成されている。ゲート絶縁膜
50の表面には、共通給電線comを挟むように、各画素７
の各々にゲート電極31がそれぞれ形成され、このゲート
電極31に対して自己整合的にソース・ドレイン領域32、
33が形成されている。ゲート絶縁膜50の表面側には第１
の層間絶縁膜51が形成され、この層間絶縁膜に形成され
たコンタクトホール63を介して、ソース・ドレイン領域
62に中継電極35が電気的に接続している。一方、シリコ
ン膜300の中央の２つの画素７において共通のソース・
ドレイン領域33となる部分に対しては、第１の層間絶縁
膜51のコンタクトホール64を介して、共通給電線comが
電気的に接続している。これらの共通給電線com、およ
び中継電極35の表面には第２の層間絶縁膜52が形成され
ている。第２の層間絶縁膜52の表面にはITO膜からなる
画素電極41が形成されている。この画素電極41は、第２
の層間絶縁膜52に形成されたコンタクトホール65を介し
て中継電極35に電気的に接続し、この中継電極35を介し
て第２のTFT30のソース・ドレイン領域32に電気的に接
続されている。
（発光素子の特性） 発光素子40としては、いずれの構造のものを用いた場
合でも本発明を適用できるので、その代表的なものを以
下に説明する。
まず、前記のITO膜からなる画素電極41は、図７
（Ａ）に示すように、発光素子40の一方の電極（正極）
を構成している。この画素電極41の表面には正孔注入層
42および発光薄膜として有機半導体膜43が積層され、さ
らに有機半導体膜43の表面には、リチウム含有アルミニ
ウムまたはカルシウムなどの金属膜からなる対向電極op
（負極）が形成されている。この対向電極opは、透明基
板10の全面、あるいはストライプ状に形成された共通電
極となるべきもので、一定の電位に保持されている。こ
れに対して、図７（Ａ）に示す発光素子40とは逆の方向
に駆動電流を流す場合には、図７（Ｂ）に示すように、
下層側から上層側に向かって、ITO膜からなる画素電極4
1（負極）、透光性をもつほど薄いリチウム含有アルミ
ニウム電極45、有機半導体層43、正孔注入層42、ITO膜
層46、リチウム含有アルミニウムまたはカルシウムなど
の金属膜からなる対向電極op（正極）をこの順に積層し
て、発光素子40を構成する場合もある。このように構成
すると、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す各発光素子40におい
てそれぞれ逆極性の駆動電流が流れる場合でも、正孔注
入層42および有機半導体層43が直接、接する電極層の構
成が同一であるため、発光特性が同等である。これらの
図７（Ａ）、（Ｂ）に示した発光素子40は、いずれも下
層側（基板の側）にITO膜からなる画素電極41を有し、
光は、矢印ｈνで示すように、画素電極41および透明基
板10を透過して透明基板10の裏面側から射出される。
これに対して、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように発光
素子40を構成すると、光は、矢印ｈνで示すように、対
向電極opを透過して透明基板10の表面側に射出される。
すなわち、図８（Ａ）に示すように、リチウム含有アル
ミニウムなどの金属膜からなる画素電極41（負極）の表
面には有機半導体43および正孔注入層42が積層され、さ
らに正孔注入層42の表面にはITO膜からなる対向電極op
（正極）が形成されている。この対向電極opも、全面に
一枚板で、あるいはストライプ状に形成された共通電極
で、一定の電位に保持されている。これに対して、図８
（Ａ）に示す発光素子とは逆の方向に駆動電流を流すに
は、図８（Ｂ）に示すように、下層側から上層側に向か
って、リチウム含有アルミニウムなどの金属膜からなる
画素電極41（正極）、ITO膜層46、正孔注入層42、有機
半導体層43、透光性をもつほど薄いリチウム含有アルミ
ニウム電極45、ITO膜からなる対向電極op（負極）をこ
の順に積層して、発光素子40を構成する場合もある。
いずれの構造を有する発光素子40を形成するにあたっ
ても、正孔注入層42および有機半導体膜43は、後述する
ように、インクジェット法によりバンク層bankの内側に
形成すれば、上下位置が反対でも製造工程が複雑になる
ことはない。また、透光性をもつほど薄いリチウム含有
アルミニウム電極45、およびITO膜層46を追加する場合
でも、リチウム含有アルミニウム電極45は画素電極41と
同じ領域で積層している構造になっていても表示に支障
がなく、ITO膜層46も対向電極opと同じ領域で積層して
いる構造になっていても表示に支障がない。それ故、リ
チウム含有アルミニウム電極45と画素電極41とはそれぞ
れ別々にパターニングしてもよいが、同じレジストマス
クで一括してパターニングしてもよい。同様に、ITO膜
層46と対向電極opとはそれぞれ別々にパターニングして
もよいが、同じレジストマスクで一括してパターニング
してもよい。リチウム含有アルミニウム電極45およびIT
O膜層46はバンク層bankの内側領域のみに形成してもよ
いことは勿論である。
さらに、対向電極opの方をITO膜で形成し、画素電極4
1の方を金属膜で構成してもよい。いずれも場合でも透
明なITO膜の方から光が射出されることになる。
このように構成された発光素子40は、対向電極opおよ
び画素電極41をそれぞれ正極および負極として電圧が印
加され、図９（図７（Ａ）、図８（Ｂ）に示す発光素子
40の電流−電圧特性）、図10（図７（Ｂ）、図８（Ａ）
に示す発光素子40の電流−電圧特性）にそれぞれ示すよ
うに、印加電圧（横軸／画素電極41に対する対向電極op
の電位）がしきい値電圧を越えた領域でオン状態、すな
わち、低抵抗状態になって有機半導体膜43に流れる電流
（駆動電流）が急激に増大する。その結果、発光素子40
は、エレクトロルミネッセンス素子あるいはLED素子と
して発光し、発光素子40の射出光は、対向電極opに反射
され、透明な画素電極41および透明基板10を通して射出
される。それとは反対に、印加電圧（横軸／画素電極41
に対する対向電極opの電位）がしきい値電圧を下回る領
域ではオフ状態、すなわち、高抵抗状態になって有機半
導体膜43に電流（駆動電流）が流れず、発光素子40は消
灯する。なお、図９、図10に示す例ではそれぞれ＋2V付
近、−2V付近がしきい値電圧である。
ここで、発光効率はやや低下する傾向にあるものの、
正孔注入層42を省略することもある。また、正孔注入層
42を用いずに、有機半導体層43に対して正孔注入層42が
形成されている位置とは反対側の位置に電子注入層を設
ける場合もある。また、正孔注入層42および電子注入層
の両方を設ける場合もある。
（TFTの特性） このように構成した発光素子40での発光を制御するた
めのTFT（図２における第１のTFT20および第２のTFT3
0）として、Ｎチャネル型、およびＰチャネル型のTFTの
電流電圧特性を図11および図12（いずれの図において
も、ドレイン電圧が4V、8Vの例を示してある。）に示
す。これらの図からわかるように、TFTは、ゲート電極
に印加するゲート電圧によってオン、オフ動作を行う。
すなわち、ゲート電圧がしきい値電圧を越えると、TFT
はオン状態（低抵抗状態）になってドレイン電流が増大
する。これに対して、ゲート電圧がしきい値電圧を下回
ると、TFTはオフ状態（高抵抗状態）になってドレイン
電流が低減する。
（表示装置の製造方法） このように構成した表示装置１の製造方法において、
透明基板10上に第１のTFT20および第２のTFT30を製造す
るまでの工程は、液晶表示装置１のアクティブマトリク
ス基板を製造する工程と略同様であるため、簡単に図13
を参照してその概要を説明する。
図13は、表示装置１の各構成部分を600℃以下の温度
条件下で形成していく過程を模式的に示す工程断面図で
ある。
すなわち、図13（Ａ）に示すように、透明基板10に対
して、必要に応じて、TEOS（テトラエトキシシラン）や
酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマCVD法により厚
さが約2000〜5000オングストロームのシリコン酸化膜か
らなる下地保護膜（図示せず。）を形成する。次に基板
の温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面にプラ
ズマCVD法により厚さが約300〜700オングストロームの
アモルファスのシリコン膜からなる半導体膜100を形成
する。次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜
100に対して、レーザアニールまたは固相成長法などの
結晶化工程を行い、半導体膜100をポリシリコン膜に結
晶化する。レーザアニール法では、たとえば、エキシマ
レーザでビーム形状の長寸が400mmのラインビームを用
い、その出力強度はたとえば200mJ/cm2である。ライン
ビームについてはその短寸方向におけるレーザ強度のピ
ーク値の90％に相当する部分が各領域毎に重なるように
ラインビームを走査していく。
次に、図13（Ｂ）に示すように、半導体膜100をパタ
ーニングして島状の半導体膜200、300とし、その表面に
対して、TEOS（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなど
を原料ガスとしてプラズマCVD法により厚さが約600〜15
00オングストロームのシリコン酸化膜または窒化膜から
なるゲート絶縁膜50を形成する。
次に、図13（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タン
タル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜
からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パター
ニングし、走査線gateの一部としてのゲート電極21、31
を形成する。この工程では容量線clineも形成する。な
お、図中、310はゲート電極31の延設部分である。
この状態で高濃度のリンイオンあるいはボロンイオン
などの不純物を打ち込んで、シリコン薄膜200、300には
ゲート電極21、31に対して自己整合的にソース・ドレイ
ン領域22、23、32、33を形成する。なお、不純物が導入
されなかった部分がチャネル領域27、37となる。本形態
では、後述するように、同一の基板上に導電型の異なる
TFTを製造する場合があるので、その場合には、不純物
導入工程において逆導電型のTFT形成領域をマスクで覆
いながら不純物の導入をすすめていく。
次に、図13（Ｄ）に示すように、第１の層間絶縁膜51
を形成した後、コンタクトホール61、62、63、64、69を
形成し、データ線sig、容量線clineおよびゲート電極31
の延設部分310に重なる延設部分st1を備える電位保持電
極st、共通給電線com、および中継電極35を形成する。
その結果、電位保持電極stはコンタクトホール69および
延設部分310を介してゲート電極31に電気的に接続す
る。このようにして第１のTFT20および第２のTFT30を形
成する。また、容量線clineと電位保持電極stの延設部
分st1とによって保持容量capが形成される。
次に、図13（Ｅ）に示すように、第２の層間絶縁膜52
を形成し、この層間絶縁膜には、中継電極35に相当する
部分にコンタクトホール65を形成する。次に、第２の層
間絶縁膜52の表面全体に導電膜を形成した後、パターニ
ングし、コンタクトホール65を介して第２のTFT30のソ
ース・ドレイン領域32に電気的に接続する画素電極41を
形成する。
次に、図13（Ｆ）に示すように、第２の層間絶縁膜52
の表面側に黒色のレジスト層を形成した後、このレジス
トを発光素子40の有機半導体膜43、および正孔注入層42
を形成すべき領域を囲むように残し、バンク層bankを形
成する。ここで、有機半導体膜43は、各画素毎に独立し
て箱状に形成される場合、データ線sigに沿ってストラ
イプ状に形成される場合のいずれであっても、それに対
応する形状にバンク層bankを形成するだけで、本形態に
係る製造方法を適用できる。
次に、バンク層bankの内側領域に対してインクジェッ
トヘッドIJから、有機半導体膜43を構成するための液状
の材料（前駆体）を吐出し、バンク層bankの内側領域に
有機半導体膜43を形成する。同様に、バンク層bankの内
側領域に対してインクジェットヘッドIJから、正孔注入
層42を構成するための液状の材料（前駆体）を吐出し、
バンク層bankの内側領域に正孔注入層42を形成する。な
お、図７（Ａ）、（Ｂ）および図８（Ａ）、（Ｂ）を参
照して発光素子40の構造を説明したように、その構造に
よっては、有機半導体膜43および正孔注入層42を形成し
ていく順序が入れ替わることもある。
ここで、バンク層bankはレジストから構成されている
ため、撥水性である。これに対して、有機半導体膜43や
正孔注入層42の前駆体は親水性の溶媒を用いているた
め、有機半導体膜43の塗布領域はバンク層bankによって
確実に規定され、隣接する画素にはみ出ることがない。
また、バンク層bankを十分高く形成しておくと、インク
ジェット法を用いなくてもスピンコート法などといった
塗布法を用いた場合でも、所定領域に有機半導体膜43や
正孔注入層42を形成できる。
本形態では、有機半導体膜43や正孔注入層42をインク
ジェット法により形成する際の作業効率を高めるため
に、図３に示すように、走査線gateの延設方向に沿って
隣接するいずれの画素７間でも、前記有機半導体膜43の
形成領域の中心のピッチＰを等しくしてある。従って、
矢印Ｑで示すように、走査線gateの延設方向に沿って等
間隔の位置にインクジェットヘッドIJから有機半導体膜
43の材料などを吐出すればよいという利点がある。ま
た、等ピッチの移動でよいため、インクジェットヘッド
IJの移動機構が簡易になり、かつ、インクジェットヘッ
ドIJの打ち込み精度を上げることも容易となる。
しかる後には、図13（Ｇ）に示すように、透明基板10
の表面側に対向電極opを形成する。ここで、対向電極op
は全面またはストライプ状に形成されるが、対向電極op
をストライプ状に形成する場合には、透明基板10の表面
全体に導電膜を形成した後、それをストライプ状にパタ
ーニングする。
なお、図１に示すデータ側駆動回路３や走査側駆動回
路４にもTFTが形成されるが、これらのTFTは前記の画素
７にTFTを形成していく工程の全部あるいは一部を援用
して行われる。それ故、駆動回路を構成するTFTも、画
素７のTFTと同一の層間に形成されることになる。
本形態において、バンク層bankは黒色で絶縁性のレジ
ストから構成されているので、そのまま残し、ブラック
マトリクスBM、および寄生容量を低減するための絶縁層
として利用する。
すなわち、図１に示すように、透明基板10の周辺領域
に対しても前記のバンク層bank（形成領域に斜線を付し
てある。）を形成する。従って、データ側駆動回路３お
よび走査側駆動回路４はいずれも、バンク層bankによっ
て覆われているため、これらの駆動回路の形成領域に対
して対向電極opが重なる状態にあっても、駆動回路の配
線層と対向電極opとの間にバンク層bankが介在すること
になる。それ故、駆動回路３、４に容量が寄生すること
を防止できるので、データ側駆動回路３の負荷を低減で
き、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ること
ができる。
また、本形態では、図３ないし図５に示すように、デ
ータ線sigに重なるようにバンク層bankを形成してあ
る。従って、データ線sigと対向電極opとの間にバンク
層bankが介在することになるので、データ線sigに容量
が寄生することを防止できる。その結果、駆動回路の負
荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の
高速化を図ることができる。
さらに、本形態では、図３、図４、および図６（Ａ）
に示すように、画素電極41と中継電極35とが重なる領域
にもバンク層bankを形成するとよい。すなわち、図６
（Ｂ）に示すように、画素電極51と中継電極35とが重な
る領域にバンク層bankが形成されていない場合、たとえ
画素電極と対向電極opとの間に駆動電流が流れて有機半
導体膜43が発光しても、この光は中継電極35と対向電極
opとに挟まれているため出射されず、表示に寄与しな
い。かかる表示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、
表示という面からみて無効電流といえる。しかるに本形
態では、このような無効電流が流れるはずの部分にバン
ク層bankを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止
するので、共通給電線comに無駄な電流が流れることが
防止できる。それ故、共通給電線comの幅はその分狭く
てよい。
また、前記のように黒色のレジストで構成したバンク
層bankを残しておくと、バンク層bankはブラックマトリ
クスとして機能し、輝度、コントラスト比等の表示の品
位が向上する。すなわち、本形態に係る表示装置１で
は、対向電極opが透明基板10の表面側の全面、あるいは
広い領域にわたってストライプ状に形成されるため、対
向電極opでの反射光がコントラスト比を低下させる。し
かるに本形態では、有機半導体膜43の形成領域を規定し
ながら寄生容量を抑える機能を有するバンク層bankを黒
色のレジストで構成したため、バンク層bankはブラック
マトリクスとしても機能し、対向電極opからの無駄な反
射光を遮るので、コントラスト比が高いという利点があ
る。また、バンク層bankを利用して自己整合的に発光領
域を規定することができるので、バンク層bankをブラッ
クマトリクスとして用いずに別の金属層などをブラック
マトリクスとして用いたときに問題となる発光領域との
アライメント余裕が不要である。
（アクティブマトリクス基板の別の構成） なお、本発明は上記の構成に限らず、各種のアクティ
ブマトリクス基板に適用できる。たとえば、図31を参照
して説明したように、透明基板１の上において、１本の
データ線sig、１本の共通給電線com、１列の画素７を１
つの単位として走査線gateの延設方向に繰り返した構成
の表示装置1Aについても本発明を適用できる。
また、保持容量capについては、容量線を用いずに、
共通給電線comと電位保持電極stとの間に構成してもよ
い。この場合には、図14（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
電位保持電極stとゲート電極31とを電気的に接続させる
ためのゲート電極31の延設部分310を共通給電線comの下
層側にまで拡張し、この延設部分310と共通給電線comと
の間の位置する第１の層間絶縁膜51を誘電体膜とする保
持容量capを構成する。
さらに、保持容量capについては、図示を省略する
が、TFTを構成するためのポリシリコン膜を利用して構
成してもよく、また、容量線や共通給電線に限らず、前
段の走査線との間に構成することも可能である。
［実施の形態１］ 図15は、本形態の表示装置１の画素構成を示す等価回
路図である。図16（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に
構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、お
よび駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図15、図16（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態で
は、第１のTFT20はＮチャネル型である。従って、走査
線gateから供給される走査信号Sgateが高電位になった
ときに、第１のTFT20がオン状態になって、データ線sig
から第１のTFT20を介して保持容量capに画像信号dataが
書き込まれ、走査線gateから供給される走査信号Sgate
が低電位になっている間は、保持容量capに保持された
画像信号dataによって第２のTFT30が駆動制御される。
本形態では、第２のTFT30もＮチャネル型である。従
って、テータ線sigからは、点灯状態とすべき画素の保
持容量capには高電位側の画像信号dateが書き込まれ、
消灯状態とすべき画素の保持容量capには低電位側の画
像信号dateが書き込まれ、それに応じて、電位保持電極
stの電位が変化する。
ここで、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電
線comの電位、および画素電極30の電位のうちの低い方
の電位と、電位保持電極stの電位との差に相当する。し
かるに本形態では、発光素子40の対向電極opの電位に対
して共通給電線comの電位を低くして、第２のTFT30がオ
ン状態になったときには、矢印Ｆで示すように、発光素
子40の方から共通給電線comの方に電流が流れるように
構成してある。このため、第２のTFT30のゲート電圧Vgc
urは、共通給電線comの電位と電位保持電極stの電位と
の差に相当する。この共通給電線comの電位について
は、共通給電線comの電位と対向電極opの電位との間の
電位に相当する画素電極30の電位と相違して、十分に低
い値に設定することができる。従って、本形態では、第
２のTFT30のゲート電圧Vgcurを十分、高い値とすること
ができるため、第２のTFT30のオン電流が大きいので、
高い輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯
状態とする際に、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurとして
高い値が得られるのであれば、その分、そのときの電位
保持電極stの電位、すなわち、画像信号dataの高電位側
の電位を下げることができるので、画像信号dataの振幅
を小さくし、表示装置１における駆動電圧を下げること
ができる。
なお、第２のTFT30のオン電流は、ゲート電圧Vgcurに
限らず、ドレイン電圧にも依存するが、上記の結論が変
わることはない。
また、本形態では、第２のTFT30のオン電流が共通給
電線comの電位と電位保持電極stの電位との差に規定さ
れ、対向電極opの電位から直接的な影響を受けないの
で、画素を点灯状態とするための画像信号dataの高電位
側の電位を、対向電極opの電位より低い電位にまで下
げ、画像信号dataの振幅を小さくして、表示装置１にお
ける駆動電圧の低電圧化を図ってある。なお、画素を点
灯状態とするための画像信号dataの高電位側の電位を、
対向電極opと等電位にまで下げ、画像信号dataの振幅を
小さくしてもよい。
さらに、本形態では、消灯状態とすべき画素に対して
データ線sigから供給される画像信号dataの電位を、共
通給電線comの電位と比較してやや高電位側にしてあ
る。第２のTFT30はＮチャネル型であるため、それを完
全にターンオフさせるには、第２のTFT30のゲート電圧V
gcurを負（共通給電線comより低い電位）とすることに
なる。または、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurの絶対値
が第２のTFT30のしきい値電圧の絶対値に相当するレベ
ルよりやや低い電位となるなるように、画像信号dataの
低電位側の電位を高めに設定する。このときは、消灯状
態にある画素７において第２のTFT30のゲート電圧を、
第２のTFT30がオン状態となるときの極性と同じで、か
つ、第２のTFT30のしきい値電圧を下回る値に設定す
る。この時、画像信号dataの低電位側の電位を上記の通
りに高めに設定した場合でも、第２のTFT30は高抵抗状
態にあって、オン電流が極めて小さいので、発光素子40
は消灯にある。なお、消灯状態とすべき画素に対してデ
ータ線sigから供給される画像信号dataの電位を、共通
給電線comと等電位にして画像信号dataの振幅を小さく
してもよい。
このように画像信号dataの低電位側の電位を第２のTF
T30のしきい値を越えない程度に高めに設定すると、画
像信号dataの振幅を小さくできるので、画像信号dataの
駆動電圧を下げることができる。しかも、前記のとお
り、画素を点灯状態とするための画像信号dataの高電位
側の電位を、対向電極opの電位より低い電位にまで下げ
てあるので、画像信号dataの電位は、対向電極opと共通
給電線comとで規定されるレンジ内におさまる。それ
故、表示装置１における駆動電圧を下げることができ、
表示装置１の消費電力を下げることができる。また、こ
のように構成しても、画質の低下、動作の異常、動作可
能な周波数の低下を招くものではなく、表示装置１の駆
動電圧が低い分、薄膜から構成した各素子で懸念されて
いた耐電圧（絶縁耐圧）の問題が顕在化しないという利
点もある。
［実施の形態１の変形例］ 図17は、本形態の表示装置１の画素構成を示す等価回
路図である。図18（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に
構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、お
よび駆動信号などの電位変化を示す波形図である。な
お、本形態では、実施の形態１とは反対に、第１のTFT2
0および第２のTFT30のいずれをもＰチャネル型のTFTで
構成してある。但し、本形態は、実施の形態１と同一の
技術的思想のもとで各素子を駆動制御することとし、実
施の形態１で説明した駆動信号の極性を反転させてある
だけであり、その他の点については同様な構成を有する
ものであるため、構成については簡単に説明するだけと
する。
図17、図18（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態で
は、第１のTFT20はＰチャネル型であるため、走査線gat
eから供給される走査信号Sgateが低電位になったとき
に、第１のTFT20がオン状態になる。
本形態では、第２のTFT30もＰチャネル型である。従
って、データ線sigからは、点灯状態とすべき画素の保
持容量capに低電位側の画像信号dateが書き込まれ、消
灯状態とすべき画素の保持容量capには高電位側の画像
信号dateが書き込まれる。
ここで、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電
線comの電位、および画素電極30の電位のうちの高い方
の電位と、電位保持電極stの電位との差に相当する。し
かるに本形態では、発光素子40の対向電極opの電位に対
して共通給電線comの電位を高くして、第２のTFT30がオ
ン状態になったときには、矢印Ｅで示すように、共通給
電線comの方から発光素子40の方に電流が流れるように
構成してある。このため、第２のTFT30のゲート電圧Vgc
urは、共通給電線comの電位と電位保持電極stの電位と
の差に相当する。この共通給電線comの電位について
は、共通給電線comの電位と対向電極opの電位との間の
電位に相当する画素電極30の電位と相違して、十分に高
い値に設定することができる。従って、本形態では、第
２のTFT30のゲート電圧Vgcurを十分、高い値とすること
ができるため、第２のTFT30のオン電流が大きいので、
高い輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯
状態とする際に、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurとして
高い値が得られるのであれば、その分、そのときの電位
保持電極stの電位、すなわち、画像信号dataの低電位側
の電位を上げることができるので、画像信号dataの振幅
を小さくできる。
また、本形態では、第２のTFT30のオン電流が対向電
極opの電位から直接的には影響を受けないので、画素を
点灯状態とするための画像信号dataの低電位側の電位
を、対向電極opの電位よりやや高い電位まで上げ、画像
信号dataの振幅を小さくしてある。なお、画素を点灯状
態とするための画像信号dataの低電位側の電位を、対向
電極opと等電位にまで上げ、画像信号dataの振幅を小さ
くしてもよい。
さらに、本形態では、消灯状態とすべき画素に対して
データ線sigから供給される画像信号dataの電位を、共
通給電線comの電位と比較してやや低電位にまで下げて
ある。すなわち、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurの絶対
値がこのTFTのしきい値電圧の絶対値に相当するレベル
よりやや低い電位となるなるように、画像信号dataの高
電位側の電位を低めに設定してある。これにより、第２
のTFT30ではオン電流が極めて小さくなり、発光素子40
は消灯にある。なお、消灯状態とすべき画素に対してデ
ータ線sigから供給される画像信号dataの電位を、共通
給電線comと等電位にして画像信号dataの振幅を小さく
してもよい。
このように画像信号dataの低電位側の電位を高めに設
定し、かつ、画素を点灯状態とするための画像信号data
の高電位側の電位を低めに設定してあるので、画像信号
dataの電位は、対向電極opと共通給電線comとで規定さ
れるレンジ内におさまる。それ故、表示装置１における
駆動電圧を下げることができ、表示装置１の消費電力を
下げることができるなど、実施の形態１と同様な効果を
奏する。
［実施の形態２］ 図19は、本形態の表示装置１の画素構成を示す等価回
路図である。図20（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に
構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、お
よび駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図19、図20（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態で
は、第１のTFT20をＮチャネル型のTFTで、第２のTFT30
をＰチャネル型のTFTで構成してある。第２のTFT30はＰ
チャネル型であるため、データ線sigからは、点灯状態
とすべき画素の保持容量capには低電位側の画像信号dat
eが書き込まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量capに
は高電位側の画像信号dateが書き込まれる。第２のTFT3
0のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位、および
画素電極30の電位のうちの高い方の電位と、電位保持電
極stの電位との差に相当する。
本形態では、発光素子40の対向電極opの電位に対して
共通給電線comの電位を高くして、第２のTFT30のゲート
電圧Vgcurは、共通給電線comの電位と電位保持電極stの
電位との差に相当するように構成してある。この共通給
電線comの電位については、画素電極41と比較して十分
に高い値に設定することができるので、第２のTFT30の
オン電流が大きく、高い輝度で表示を行うことができ
る。また、その分、そのときの電位保持電極stの電位、
すなわち、画像信号dataの低電位側の電位を上げること
ができるので、画像信号dataの振幅を小さくできる。ま
た、第２のTFT30のオン電流が対向電極opの電位から直
接的には影響を受けないので、画素を点灯状態とするた
めの画像信号dataの低電位側の電位を、対向電極opの電
位より高い電位、あるいは等電位にまで上げ、画像信号
dataの振幅を小さくしてある。さらに、本形態では、消
灯状態とすべき画素に対してデータ線sigから供給され
る画像信号dataの電位を、共通給電線comの電位と比較
してやや低電位、あるいは等電位にして画像信号dataの
振幅を小さくしてある。それ故、画像信号dataの電位
を、対向電極opと共通給電線comとで規定されるレンジ
内におさめ、ひいては表示装置１における駆動電圧を下
げてあるので、表示装置１の消費電力を下げることがで
きるなど、実施の形態１、あるいはその変形例と同様な
効果を奏する。
本形態では、第１のTFT20はＮチャネル型で、第２のT
FT30と逆導電型であるため、画素を選択するときの走査
線gateの電位（走査信号Sgate）は高電位である。この
ときの第１のTFT20のゲート電圧Vgswは、走査信号Sgate
の高電位にある電位と電位保持電極st（保持容量stの電
位、第２のTFT30のゲート電極の電位）との電位差に相
当する。ここで、第２のTFT30はＰチャネル型であるた
め、画素７を点灯させるための画像信号dataは低電位側
であり、画素７の選択期間中、電位保持電極stの電位は
低下していく。従って、第１のTFT20のゲート電圧Vgsw
は、オン電流が増大する方にシフトしていく。
一方、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線
comと電位保持電極stとの電位差に相当し、選択した画
素７が点灯状態にあるときには、選択期間中、電位保持
電極stの電位は低下する傾向にあるため、第２のTFT30
のゲート電圧Vgcurは、オン電流が増大する方にシフト
していく。
このように、本形態では、第１のTFT20と第２のTFT30
とが逆導電型であるため、第１のTFT20の書き込み能力
を上げるためには走査信号Sgateの選択パルス高を高く
し、発光素子40の輝度を上げるために第２のTFT30のオ
ン抵抗を下げるべく画像信号dataを低くすることにな
る。このような走査信号Sgateの選択パルス高と画像信
号dataとに対する最適化は、画素７の選択期間中、発光
素子40を点灯させるレベルの画像信号dataが保持容量ca
pに書き込まれていくにつれて、第１のTFT20のゲート電
圧に対して、当該TFTのオン電流が増大する方にシフト
させるのに効く。それ故、データ線sigから第１のTFT20
を介して保持容量capに画像信号dataがスムーズに書き
込まれる。ここで、画素７を選択する際の第１のTFT20
のゲート電圧Vgswは、走査信号Sgateの高電位に相当す
る電位と電位保持電極stの電位（保持容量capの電位、
または第２のTFT30のゲート電極の電位）との差に相当
し、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線com
の電位と電位保持電極stの電位との差に相当し、電位保
持電極stの電位を基準にしたときには、走査信号Sgate
の高電位に相当する電位と共通給電線comの電位は同じ
極性である。従って、電位保持電極stの電位を変更すれ
ば、その分、第１のTFT20のゲート電圧Vgswおよび第２
のTFT30のゲート電圧Vgcurの双方が同じ方向に同じ分だ
けシフトする。それ故、表示装置１の駆動電圧レンジの
範囲内で、点灯のための画像信号dataの電位を、第１の
TFT20のオン時の抵抗が小さくなる方向に変更すれば、
表示動作の高速化を図ることができるとともに、このと
きには第２のTFT30のオン時の抵抗が小さくなる方向に
点灯のための画像信号dataの電位が変更したことになる
ので、輝度の向上を図ることができる。よって、駆動電
圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成すること
ができる。
［実施の形態２の変形例］ 図21は、本形態の表示装置１の画素構成を示す等価回
路図である。図22（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に
構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、お
よび駆動信号などの電位変化を示す波形図である。な
お、本形態では、実施の形態２とは反対に、第１のTFT2
0をＰチャネル型とし、第２のTFT30をＮチャネル型のTF
Tで構成してある。但し、本形態では、実施の形態２と
同一の技術的思想のもとで各素子を駆動制御することと
し、実施の形態２で説明した駆動信号の極性を反転させ
てあるだけであるため、その構成を簡単に説明するに止
める。
図21、図22（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態で
は、実施の形態１と同様、第２のTFT30はＮチャネル型
であるため、データ線sigからは、点灯状態とすべき画
素の保持容量capには高電位側の画像信号dateが書き込
まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量capには低電位
側の画像信号dateが書き込まれる。ここで、第２のTFT3
0のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位、および
画素電極30の電位のうちの低い方の電位と、電位保持電
極stの電位との差に相当する。しかるに本形態では、発
光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線comの
電位を低くしてあるため、第２のTFT30のゲート電圧Vgc
urは、共通給電線comの電位と電位保持電極stの電位と
の差に相当する。この共通給電線comの電位については
十分に低く電位とすることができるので、第２のTFT30
のオン電流が大きく、高い輝度で表示を行うことができ
る。または、輝度が高い分、そのときの電位保持電極st
の電位、すなわち、画像信号dataの高電位側の電位を上
げて、画像信号dataの振幅を小さくできる。また、第２
のTFT30のオン電流が対向電極opの電位から直接的には
影響を受けないので、画素を点灯状態とするための画像
信号dataの高電位側の電位を、対向電極opの電位より低
い電位、あるいは等電位にまで下げ、画像信号dataの振
幅を小さくしてある。さらに、本形態では、消灯状態と
すべき画素に対してデータ線sigから供給される画像信
号dataの電位を、共通給電線comの電位と比較してやや
高電位、あるいは等電位にして画像信号dataの振幅を小
さくしてある。それ故、画像信号dataの電位を、対向電
極opと共通給電線comとで規定されるレンジ内におさ
め、表示装置１における駆動電圧を下げてあるので、表
示装置１の消費電力を下げることができるなど、実施の
形態１、あるいはその変形例と同様な効果を奏する。
本形態では第１のTFT20はＰチャネル型で、第２のTFT
30と逆導電型であるため、画素を選択するときの走査線
gateの電位（走査信号Sgate）は低電位である。これに
対して、第２のTFT30はＮチャネル型であるため、画素
７を点灯させるための画像信号dataは高電位側である。
このように、本形態では、第１のTFT20と第２のTFT30
とが逆導電型であるため、第１のTFT20の書き込み能力
を上げるためには走査信号Sgateの選択パルスの電位を
低くし、発光素子40の輝度を上げるために第２のTFT30
のオン抵抗を下げるべく画像信号dataの電位を低くする
ことになる。このような走査信号Sgateの選択パルス高
と画像信号dataとに対する最適化は、画素７の選択期間
中、発光素子40を点灯させるレベルの画像信号dataが保
持容量capに書き込まれていくにつれて、第１のTFT20の
ゲート電圧に対して、当該TFTのオン電流が増大する方
にシフトさせるのに効く。従って、電位保持電極stの電
位を基準にしたときには、走査信号Sgateの低電位に相
当する電位と共通給電線comの電位は同じ極性であるた
め、電位保持電極stの電位を変更すれば、その分、第１
のTFT20のゲート電圧Vgswおよび第２のTFT30のゲート電
圧Vgcurの双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。そ
れ故、表示装置１の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯の
ための画像信号dataの電位を、第１のTFT20のオン時の
抵抗が小さくなる方向に変更すれば、表示動作の高速化
を図ることができる。このときには第２のTFT30のオン
時の抵抗が小さくなる方向に点灯のための画像信号data
の電位を変更したことになるので、輝度の向上を図るこ
ともできる。よって、実施の形態２と同様、駆動電圧の
低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することがで
きる。
尚、上述の実施の形態２及び実施の形態２の変形例にお
いて、最適な駆動方法について図25を用いて説明する。
実施の形態２においては、第１のTFTはＮチャネル型
であり、第２のTFTはＰチャネル型である。図25に示さ
れるように、発光素子40を消灯させる際には、画像信号
dataの電位を共通給電線comの電位よりも高くしてＰチ
ャネル型の第２のTFT30をターンオフさせているが、本
形態では、図25に示すように、発光素子40を消灯させる
場合でも、第２のTFT30を完全にターンオフさせない。
すなわち、本形態では、第２のTFT30がＰチャネル型で
あるため、それを完全にターンオフさせるには、ゲート
電圧Vgcurを0V（共通給電線comと同電位）、あるいは正
の電位（共通給電線comより高い電位）とすることにな
るが、本形態では、第２のTFT30のゲート電圧Vgcurがこ
のTFTのしきい値電圧Vthp（cur）に相当するレベルより
やや高い電位となるなるように、画像信号dataの消灯時
の電位を低めに設定してある。従って、消灯状態にある
画素７において第２のTFT30に印加されるゲート電圧
は、第２のTFT30がオン状態となるときの極性と同じで
あるが、第２のTFT30のしきい値電圧（Vthp（cur））を
上回るような値である。例えば、第２のTFT30のしきい
値電圧（Vthp（cur））を−4Vとしたとき、消灯状態で
第２のTFT30に印加されるゲート電圧は−3Vとする。
このように第１のTFTがＮ型、第２のTFTがＰ型の場
合、画像信号dataの消灯側の電位を従来より低めに設定
すると、画像信号dataの振幅を小さくできるので、画像
信号dataの低電圧化および高周波化を図ることができ
る。また、このように画像信号dataの消灯側の電位を低
めに設定した場合でも、Ｐチャネル型の第２のTFT30で
は、しきい値電圧Vthp（cur）に相当するレベルよりや
や高めの電位であるので、消灯時に流れる電流は極めて
小さい。また、発光素子40にかかる電圧が低ければ、極
めて小さい駆動電流しか流れ込まない。それ故、発光素
子40を消灯させるのに実質上、問題点がない。
また、本形態では、画像信号dataの消灯時の電位が共
通給電線comの電位を越える必要がなければ、共通給電
線comの電位を比較的高めに設定できる。そこで、本形
態では、共通給電線comの電位を、第１のTFT20をオン状
態にするときの走査信号Sgateの電位と等しくしてあ
る。それ故、走査側駆動回路において、走査信号Sgate
の高電位として用いた信号レベルをそのまま共通給電線
comに供給すればよいので、本形態の表示装置１では、
使用する駆動信号のレベルの数が少なくて済み、表示装
置１に駆動信号を入力するための端子数を減らすことが
できる。また、電源数を減らすことができるため、電源
回路の低消費電力化、省スペース化を図ることができ
る。
この場合には、第１のTFT20がＮチャネル型で、第２
のTFT30がＰチャネル型なので、消灯状態にある画素７
の第２のTFT30に印加されるゲート電極の電位は、第１
のTFT20をオン状態にするときの走査信号gateの電位か
ら当該第１のTFT20のしきい値電圧Vthn（sw）を差し引
いた電位よりも低電位にする。すなわち、画素７を消灯
状態にするときの画像信号data（電位保持電極stの電
位）と共通給電線comとの電位差Voffの絶対値を下式 Vthn（sw） ＜|Voff| に示すように、第１のTFT20のしきい値電圧Vthn（sw）
よりも大きく設定し、画素７を選択する際の第１のTFT2
0の書き込み動作に支障が発生することを防止すればよ
い。
なお、実施の形態２の変形例の第１のTFT20がＰチャ
ネル型で、第２のTFT30がＮチャネル型の場合には、図2
6および図27（Ａ）、（Ｂ）を参照して後述するよう
に、本形態で説明した各信号の相対的な高低を入れ換え
て、第１のTFT20や第２のTFT30に印加される電圧の極性
を反転させることになる。この場合でも、本形態のよう
に、発光素子40を消灯させる際に第２のTFT30を完全に
ターンオフさせなければ、画像信号dataの低電圧化およ
び高周波化を図ることができる。また、共通給電線com
の電位を、第１のTFT20をオン状態にするときの走査信
号Sgateの電位と等しくすることにより、電源数を減ら
すことができる。この場合には、画素７を選択する際の
第１のTFT20の書き込み動作に支障がないように、消灯
状態にある画素７の第２のTFT30に印加されるゲート電
極の電位は、第１のTFT20をオン状態にするときの走査
信号gateの電位に当該第１のTFT20のしきい値電圧Vthn
（sw）を加えた電位よりも高電位にする。
［実施の形態３］ 本形態は、図23にその等価回路を示すように、実施の
形態２と同様、いずれの画素７においても第１のTFT20
をＮチャネル型とし、第２のTFT30をＰチャネル型とし
た構成の一例である。また、本形態に係る表示装置１で
も、第２のTFT30がＰチャネル型なので、発光素子40の
対向電極opの電位に対して共通給電線comの電位を高く
してある。従って、第２のTFT30がオン状態になったと
きには、矢印Ｅで示すように、共通給電線comの方から
発光素子40の方に電流が流れる。尚、実施の形態２と同
様であるため、共通する点については説明を省略し、異
なる点についてのみ記載する。実施の形態２では保持容
量が設けられていたが、本実施の形態では、保持容量ca
pが無い点で異なる。このような構成とすることによ
り、出に保持電極stの電位の変化を大きくすることがで
きる。
なお、第１のTFT20がＰチャネル型で、第２のTFT30が
Ｎチャネル型の場合には、図26および図27（Ａ）、
（Ｂ）を参照して後述するように、本形態で説明した各
信号の相対的な高低を入れ換えて、第１のTFT20や第２
のTFT30に印加される電圧の極性を反転させることにな
る。この場合でも、第１のTFT20の書き込み能力を上げ
るために走査信号の選択パルスの電位を低くし、第２の
TFT30のオン抵抗を下げて発光輝度を上げるためには画
像信号の電位を高くすることになる。
［実施の形態３の変形例］ なお、上記実施の形態３では、いずれの画素７におい
ても、第１のTFT20がＮチャネル型で、第２のTFT30がＰ
チャネル型の場合を説明したが、図26に等価回路を示す
ように、第１のTFT20がＰチャネル型で、第２のTFT30が
Ｎチャネル型として構成してもよい。この図に示す例で
は、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線
comの電位を低くして、第２のTFT30がオン状態になった
ときには、矢印Ｆで示すように、発光素子40の対向電極
opの方から共通給電線comの方に電流が流れるように構
成してある。
このように画素７を構成した場合には、図27（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、図24（Ａ）に示した波形の各駆動
信号の極性を反転させることになる。
なお、実施の形態３においては、第１のTFT20がＮチ
ャネル型で、第２のTFT30がＰチャネル型のときには、
発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線com
の電位を低くして、第２のTFT30がオン状態になったと
きは、発光素子40の対向電極opの方から共通給電線com
の方に電流が流れるように構成する場合もあり、このよ
うに構成した場合でも、第１のTFT20および第２のTFT30
を逆導電型にしたことの効果については得ることができ
る。それとは逆に、第１のTFT20がＰチャネル型で、第
２のTFT30がＮチャネル型のときには、発光素子40の対
向電極opの電位に対して共通給電線comの電位を高くし
て、第２のTFT30がオン状態になったときは、共通給電
線comの方から発光素子40の方に電流が流れるように構
成した場合も、第１のTFT20および第２のTFT30を逆導電
型にしたことの効果については得ることができる。
［実施の形態４］ 上記のいずれの形態１、２、３においても、図28
（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明するように、保持容量ca
pの両電極のうち、第２のTFT30のゲート電極に電気的に
接続する電極とは反対側の電極には、走査信号gateの選
択パルスより遅延して該選択パルスとは電位が逆方向に
振れるパルスが供給されるように構成してもよい。
ここに示す例では、図28（Ａ）に示すように、保持容
量capの両電極のうち、第２のTFT30のゲート電極に電位
保持電極stを介して電気的に接続する電極とは反対側の
電極が、走査線gateと並列するように延設された容量線
clineで構成されている。
この容量線clineには、図28（Ｂ）に示すように、走
査信号Sgateの選択パルスPgateより遅延して該選択パル
スPgateとは電位が逆方向に振れるパルス信号Pstgを含
む電位stgが供給されるように構成されている。
パルス信号Pstgは、該選択パルスPgateが非選択状態
になった後、保持容量capの容量結合を利用して画像信
号dataの電位をシフトさせる。このため、画素７が消灯
状態の保持容量capには画像信号dataの電位にパルス信
号Pstgの電位を加算した分の信号が保持される。画像信
号dataの高電位側の信号は第１のTFT20のオン抵抗が大
きいため、書き込みを限られた時間で十分に行うは難し
い。この例では、書き込みが十分でない場合、点灯でき
ないことになる。しかし、本形態の実施例を用いること
により、保持容量capへの画像信号dataの書き込みを補
うことができる。それでいて、駆動信号の電位の最大レ
ンジが拡がることがない。
このようにして、容量線clineにパルス信号Pstgをの
せるにあたっては、図29に示すように、容量線clineを
走査側駆動回路４から引き出すとともに、走査側駆動回
路４においては、いずれのゲート段にもシフトレジスタ
401からの出力信号をNANDゲート回路およびインバータ
を介して走査線gateに走査信号Sgateとして出力する一
方、シフトレジスタ401からの出力信号をNANDゲート回
路および２段のインバータを介して遅延させながら、図
30に示すように、高電位側の電源レベルをVddから電位V
ccyにレベルシフトして容量線clineに出力すればよい。
上述の実施の形態及びそれらの変形例においては、保
持容量を付加する場合は、容量線clineを設けたタイプ
の発光素子について説明した。しかしながら、本実施の
形態はこのような容量線clineを設ける構成に限るもの
ではなく、保持容量の一方の電極を隣接するゲート線に
より構成にしてもよい。かかる構成の一例を図34（Ａ）
に回路ブロック図を、ゲート線の走査方向に対するゲー
ト電極の電圧波形を図34（Ｂ）にそれぞれ示す。このよ
うに、当該画素に対して、隣接するゲート線を保持容量
の一方の電極として構成することにより、容量線cline
をわざわざ設ける必要がないという効果を有するもので
ある。
［その他の実施の形態］ 上記のいずれの形態についても、第２のTFT30の電流
−電圧特性のいずれの領域で動作させるかについて記載
しなかったが、第２のTFT30をその飽和領域で動作させ
れば、TFTの弱い定電流特性を利用して発光素子40に異
常電流が流れることを防止することができる。例えば、
発光素子40を構成する有機半導体膜等にピンホール欠陥
が生じていることがあるが、その場合でも、欠陥のある
発光素子に流れる電流は制限され、発光素子40の電極間
で完全ショートになることがない。
これに対して、第２のTFT30をその線形領域で動作さ
せれば、そのしきい値電圧のばらつきが表示動作に影響
を及ぼすことを防止することができる。
なお、TFTの構造についても、トップゲート型に限ら
ず、ボトムゲート型でもよく、その製造方法に関しても
低温プロセスに限定されるものではない。
発明の利用可能性 以上説明したように、本発明の請求項第１項から第７
項に係る表示装置では、第２のTFTのオン時のゲート電
圧は、共通給電線の電位および画素電極の電位のうちの
一方の電位と、ゲート電極の電位（画像信号の電位）と
の差に相当するので、第２のTFTの導電型に応じて、共
通給電線の電位と発光素子の対向電極の電位との相対的
な高低を設定し、第２のTFTのゲート電圧は、共通給電
線の電位と電位保持電極の電位との差に相当するように
構成してある。たとえば、第２のTFTがＮチャネル型で
あれば、発光素子の対向電極の電位に対して共通給電線
の電位を低くしてある。この共通給電線の電位について
は、画素電極の電位と相違して、十分に低い値に設定す
ることができるため、第２のTFTで大きなオン電流が得
られ、高い輝度で表示を行うことができる。また、画素
を点灯状態とする際に、第２のTFTのとして高いゲート
電圧が得られるのであれば、その分、そのときの画像信
号の電位を下げることができるので、画像信号の振幅を
小さくし、表示装置における駆動電圧を下げることがで
きる。それ故、消費電力を低減できるともに、薄膜で構
成された各素子で懸念されていた耐電圧の問題が顕在化
しないという利点がある。
また、本発明の請求項第７項から第11項に係る表示装
置では、第１のTFTと第２のTFTとが逆導電型であるた
め、画素を選択するための走査信号のパルスと、発光素
子を点灯させるための画像信号の電位とは逆にふれる関
係にある。従って、点灯時の電位保持電極の電位（点灯
のための画像信号の電位）を基準にしたときには、走査
信号の高電位に相当する電位と共通給電線の電位は同じ
極性であるため、点灯時の電位保持電極の電位（点灯の
ための画像信号の電位）を変更すれば、その分、第１の
TFTのゲート電圧および第２のTFTのゲート電圧の双方が
同じ方向に同じ分だけシフトする。それ故、表示装置の
駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号の電
位を、第１のTFTのオン時の抵抗が小さくなる方向にシ
フトさせれば、表示動作の高速化を図ることができると
ともに、このときには第２のTFTのオン時の抵抗が小さ
くなる方向に点灯のための画像信号の電位がシフトした
ことになるので、輝度の向上を図ることができる。よっ
て、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達
成することができる。
さらに、本発明の請求項第11項または第12項に係る表
示装置では、保持容量の両電極のうち、第２のTFTの第
２のゲート電極に電気的に接続する電極とは反対側の電
極には、走査信号の選択パルスより遅延して該選択パル
スとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるので、
保持容量への画像信号の書き込みを補うことができる。
それ故、画像信号の振幅を大きくせずに、第２のTFTの
ゲート電極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方
向にシフトさせることができる。
フロントページの続き 早期審査対象出願 (56)参考文献 特開 平９−16123（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−129358（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−184997（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−78192（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09G 3/00 - 3/38 H05B 33/00 - 33/28 H01L 33/00

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】走査線と、データ線と、給電線と、画素
    と、を備えた表示装置であって、 前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号
    が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から
    前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に
    応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素
    電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電
    気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間
    に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含
    み、 前記第２のトランジスタはＰチャネル型であり、 前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設
    定されており、 点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第
    １のトランジスタを介して供給される画像信号の電位
    は、前記対向電極の電位と比較して高電位である ことを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項２】走査線と、データ線と、給電線と、画素
    と、を備えた表示装置であって、 前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号
    が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から
    前記第１のトランジスタを介して供給される画素信号に
    応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素
    電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電
    気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間
    に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含
    み、 前記第２のトランジスタはＰチャネル型であり、 前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設
    定されており、 点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第
    １のトランジスタを介して供給される画像信号によって
    前記第２のトランジスタのゲート電極に供給される電位
    は、前記対向電極の電位と比較して高電位である。 ことを特徴する表示装置。
  3. 【請求項３】請求項１または２に記載の表示装置におい
    て、 前記画素は、前記データ線から前記第１のトランジスタ
    を介して供給される画像信号を保持する保持容量を含
    み、前記第２のトランジスタのゲート電極には前記保持
    容量の保持した電位が供給されることを特徴とする表示
    装置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装
    置において、 前記第１のトランジスタはＰチャネル型であることを特
    徴とする表示装置。
  5. 【請求項５】走査線と、データ線と、給電線と、画素
    と、を備えた表示装置であって、 前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号
    が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から
    前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に
    応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素
    電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電
    気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間
    に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含
    み、 前記第１のトランジスタはＮチャネル型であり、 前記第２のトランジスタはＰチャネル型であり、 前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設
    定されており、 点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第
    １のトランジスタを介して供給される画像信号の電位
    は、前記対向電極の電位と比較して高電位である ことを特徴とする表示装置。
  6. 【請求項６】走査線と、データ線と、給電線と、画素
    と、を備えた表示装置であって、 前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号
    が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から
    前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に
    応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素
    電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電
    気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間
    に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含
    み、 前記第１のトランジスタはＮチャネル型であり、 前記第２のトランジスタはＰチャネル型であり、 前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設
    定されており、 点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第
    １のトランジスタを介して供給される画像信号によって
    前記第２のトランジスタのゲート電極に供給される電位
    は、前記対向電極の電位と比較して高電位である ことを特徴する表示装置。
  7. 【請求項７】請求項５または６に記載の表示装置におい
    て、 前記画素は、前記データ線から前記第１のトランジスタ
    を介して供給される画像信号を保持する保持容量を含
    み、前記第２のトランジスタのゲート電極には前記保持
    容量の保持した電位が供給されることを特徴とする表示
    装置。
  8. 【請求項８】請求項１乃至７のいずれかに記載の表示装
    置において、 前記第１のトランジスタのゲート電極に供給される前記
    走査信号は、その高電位が前記画像信号の電位より高
    く、その低電位が前記画像信号の電位より低いことを特
    徴とする表示装置。
  9. 【請求項９】請求項８に記載の表示装置において、 前記走査信号の電位振幅は、前記給電線と前記対向電極
    の間の電圧より大きいことを特徴とする表示装置。
  10. 【請求項１０】請求項１乃至９のいずれかに記載の表示
    装置において、 前記発光素子は有機半導体膜を含むことを特徴とする表
    示装置。
  11. 【請求項１１】請求項１乃至10のいずれかに記載の表示
    装置において、 前記第２のトランジスタは飽和領域で動作するように構
    成されていることを特徴とする表示装置。
  12. 【請求項１２】請求項１乃至11のいずれかに記載の表示
    装置において、 前記第２のトランジスタは線形領域で動作するように構
    成されていることを特徴とする表示装置。
JP53136098A 1997-02-17 1998-02-17 表示装置 Expired - Lifetime JP3528182B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3247497 1997-02-17
JP9-32474 1997-02-17
JP23635197 1997-09-01
JP9-236351 1997-09-01
JP23635397 1997-09-01
JP9-236353 1997-09-01
PCT/JP1998/000656 WO1998036407A1 (en) 1997-02-17 1998-02-17 Display device

Related Child Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003182907A Division JP3620539B2 (ja) 1997-02-17 2003-06-26 表示装置
JP2003182908A Division JP3912340B2 (ja) 1997-02-17 2003-06-26 表示装置
JP2003182906A Division JP3620538B2 (ja) 1997-02-17 2003-06-26 表示装置
JP2003182909A Division JP2004004911A (ja) 1997-02-17 2003-06-26 表示装置
JP2003366039A Division JP3882804B2 (ja) 1997-02-17 2003-10-27 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3528182B2 true JP3528182B2 (ja) 2004-05-17

Family

ID=27287719

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53136098A Expired - Lifetime JP3528182B2 (ja) 1997-02-17 1998-02-17 表示装置
JP2008206695A Expired - Lifetime JP5120141B2 (ja) 1997-02-17 2008-08-11 表示装置
JP2009089815A Expired - Lifetime JP5018819B2 (ja) 1997-02-17 2009-04-02 表示装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008206695A Expired - Lifetime JP5120141B2 (ja) 1997-02-17 2008-08-11 表示装置
JP2009089815A Expired - Lifetime JP5018819B2 (ja) 1997-02-17 2009-04-02 表示装置

Country Status (8)

Country Link
US (11) US6522315B2 (ja)
EP (7) EP1830342B1 (ja)
JP (3) JP3528182B2 (ja)
KR (9) KR100585261B1 (ja)
CN (4) CN100341042C (ja)
DE (2) DE69841721D1 (ja)
TW (2) TW578130B (ja)
WO (1) WO1998036407A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723197B2 (en) 2005-03-30 2010-05-25 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Families Citing this family (318)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
WO1998040871A1 (fr) * 1997-03-12 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Circuit pixel, afficheur, et equipement electronique a dispositif photoemetteur commande par courant
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3541625B2 (ja) 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US6380672B1 (en) * 1997-08-21 2002-04-30 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR100244185B1 (ko) * 1997-09-18 2000-02-01 구자홍 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
JP2000227771A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2000227770A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2005166687A (ja) * 1998-12-01 2005-06-23 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2005209656A (ja) * 1998-12-01 2005-08-04 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
TW468269B (en) * 1999-01-28 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same
JP2000231346A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US6576926B1 (en) 1999-02-23 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP4637315B2 (ja) * 1999-02-24 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6858898B1 (en) * 1999-03-23 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4472073B2 (ja) 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2001093666A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Sharp Corp 有機ｌｅｄディスプレイおよびその製造方法
JP2001109404A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP4854840B2 (ja) * 1999-10-12 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW591584B (en) * 1999-10-21 2004-06-11 Semiconductor Energy Lab Active matrix type display device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
TW525122B (en) * 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
US6750835B2 (en) * 1999-12-27 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device and driving method thereof
JP4212079B2 (ja) * 2000-01-11 2009-01-21 ローム株式会社 表示装置およびその駆動方法
TWI252592B (en) 2000-01-17 2006-04-01 Semiconductor Energy Lab EL display device
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
TW577241B (en) * 2000-03-28 2004-02-21 Sanyo Electric Co Display device
GB2360870A (en) * 2000-03-31 2001-10-03 Seiko Epson Corp Driver circuit for organic electroluminescent device
TWI282457B (en) * 2000-04-06 2007-06-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect
TW521237B (en) * 2000-04-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6847341B2 (en) * 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
US7633471B2 (en) * 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
US8610645B2 (en) 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3723747B2 (ja) 2000-06-16 2005-12-07 松下電器産業株式会社 表示装置およびその駆動方法
US6738034B2 (en) 2000-06-27 2004-05-18 Hitachi, Ltd. Picture image display device and method of driving the same
JP2002083689A (ja) * 2000-06-29 2002-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TWI292143B (en) 2000-07-07 2008-01-01 Seiko Epson Corp Circuit, driver circuit, organic electroluminescent display device electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling the current supply to an organic electroluminescent pixel, and method for driving a circuit
CN1658266A (zh) 2000-07-07 2005-08-24 精工爱普生株式会社 驱动电流驱动元件的驱动电路及其方法
KR100344810B1 (ko) * 2000-07-26 2002-07-20 엘지전자주식회사 고전압소자를 이용한 전류구동회로
US6879110B2 (en) * 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US6864628B2 (en) 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP2002185813A (ja) * 2000-08-31 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高圧偏向回路
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
US7315295B2 (en) * 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP3972354B2 (ja) 2000-10-17 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の製造方法
SG114502A1 (en) 2000-10-24 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
JP2002200936A (ja) 2000-11-06 2002-07-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び車両
JP2002162644A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002169509A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 平面表示パネルの駆動方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの駆動方法
US7088330B2 (en) * 2000-12-25 2006-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device and method for driving the display device
JP3757797B2 (ja) 2001-01-09 2006-03-22 株式会社日立製作所 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法
US6825496B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3989718B2 (ja) * 2001-01-18 2007-10-10 シャープ株式会社 メモリ一体型表示素子
TW525402B (en) 2001-01-18 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Process for producing a light emitting device
JP2002244617A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ画素回路
SG143945A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6720198B2 (en) * 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
WO2002077958A1 (fr) * 2001-03-22 2002-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Circuit servant a alimenter un element d'emission lumineuse a matrice active
JP3612494B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-19 株式会社日立製作所 表示装置
JP3608614B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP3608613B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TW540020B (en) * 2001-06-06 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab Image display device and driving method thereof
KR100448448B1 (ko) * 2001-07-12 2004-09-13 주식회사 디알텍 Ｘ선 센서용 스위칭소자 및 그 제조방법
TWI283427B (en) * 2001-07-12 2007-07-01 Semiconductor Energy Lab Display device using electron source elements and method of driving same
TWI221268B (en) * 2001-09-07 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
US20030103022A1 (en) * 2001-11-09 2003-06-05 Yukihiro Noguchi Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7483001B2 (en) 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP3698208B2 (ja) 2001-12-06 2005-09-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4314820B2 (ja) * 2001-12-11 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
CN1245703C (zh) * 2001-12-11 2006-03-15 精工爱普生株式会社 显示装置及其电子机器
JP2003186437A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6747639B2 (en) * 2001-12-28 2004-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays
JP2003195810A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
JP2003255899A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7224333B2 (en) 2002-01-18 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Display device and driving method thereof
JP3953330B2 (ja) 2002-01-25 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3723507B2 (ja) 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003308030A (ja) 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
KR100892945B1 (ko) 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2003332058A (ja) 2002-03-05 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP2003258094A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
JP2003330387A (ja) * 2002-03-05 2003-11-19 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
CN100517422C (zh) 2002-03-07 2009-07-22 三洋电机株式会社 配线结构、其制造方法、以及光学设备
JP3671012B2 (ja) * 2002-03-07 2005-07-13 三洋電機株式会社 表示装置
JP3837344B2 (ja) 2002-03-11 2006-10-25 三洋電機株式会社 光学素子およびその製造方法
JP3957535B2 (ja) * 2002-03-14 2007-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の駆動方法、電子機器
WO2003079449A1 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture
CN1293631C (zh) 2002-03-20 2007-01-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵电致发光显示装置及其制造
WO2003079441A1 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display devices, and their manufacture
US7218298B2 (en) * 2002-04-03 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7579771B2 (en) * 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2004004788A (ja) 2002-04-24 2004-01-08 Seiko Epson Corp 電子素子の制御回路、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器、並びに電子素子の制御方法
JP3637911B2 (ja) 2002-04-24 2005-04-13 セイコーエプソン株式会社 電子装置、電子機器、および電子装置の駆動方法
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP3918642B2 (ja) * 2002-06-07 2007-05-23 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4046015B2 (ja) * 2002-06-07 2008-02-13 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、電気光学装置及び電子機器
JP2004070293A (ja) * 2002-06-12 2004-03-04 Seiko Epson Corp 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器
JP4610843B2 (ja) 2002-06-20 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP3700714B2 (ja) 2002-06-21 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4216008B2 (ja) 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4001066B2 (ja) 2002-07-18 2007-10-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、配線基板及び電子機器
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
JP4123084B2 (ja) 2002-07-31 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電気光学装置、及び電子機器
JP2004126523A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置及び電子機器
US7352133B2 (en) * 2002-08-05 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4103500B2 (ja) * 2002-08-26 2008-06-18 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
US7291970B2 (en) * 2002-09-11 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus with improved bank structure
JP4122949B2 (ja) * 2002-11-29 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器
KR100521272B1 (ko) 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
JP4373086B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6936960B2 (en) * 2003-01-10 2005-08-30 Eastman Kodak Company OLED displays having improved contrast
JP4048969B2 (ja) * 2003-02-12 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP3952965B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
EP1607931B1 (en) * 2003-03-26 2014-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate and light-emitting device
JP4197287B2 (ja) * 2003-03-28 2008-12-17 シャープ株式会社 表示装置
KR100762026B1 (ko) * 2003-03-31 2007-09-28 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
JP4273809B2 (ja) * 2003-03-31 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4016962B2 (ja) * 2003-05-19 2007-12-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法
US20040257352A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-23 Nuelight Corporation Method and apparatus for controlling
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4443179B2 (ja) 2003-09-29 2010-03-31 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4488709B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
CN1864194A (zh) * 2003-10-03 2006-11-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 电泳显示单元
JP4165478B2 (ja) 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100666549B1 (ko) * 2003-11-27 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 구동방법
TWI233457B (en) * 2003-12-23 2005-06-01 Ind Tech Res Inst Method of forming poly-silicon crystallization
JP4203656B2 (ja) * 2004-01-16 2009-01-07 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
JP4131243B2 (ja) * 2004-02-06 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
CN100353560C (zh) * 2004-02-12 2007-12-05 友达光电股份有限公司 有机发光显示面板
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
US20060007248A1 (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Damoder Reddy Feedback control system and method for operating a high-performance stabilized active-matrix emissive display
US20050200292A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input
US20050200294A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device
JP4665419B2 (ja) * 2004-03-30 2011-04-06 カシオ計算機株式会社 画素回路基板の検査方法及び検査装置
JP2005292503A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
CN1957471A (zh) * 2004-04-06 2007-05-02 彩光公司 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器
US7129938B2 (en) * 2004-04-12 2006-10-31 Nuelight Corporation Low power circuits for active matrix emissive displays and methods of operating the same
KR100589324B1 (ko) * 2004-05-11 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100637164B1 (ko) * 2004-06-26 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
KR100578812B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
JP5364227B2 (ja) * 2004-07-16 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器
KR100590042B1 (ko) * 2004-08-30 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치, 그 구동방법 및 신호구동장치
KR101581943B1 (ko) 2004-09-13 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명장치
JP4517804B2 (ja) * 2004-09-29 2010-08-04 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
KR100583519B1 (ko) * 2004-10-28 2006-05-25 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 그를 이용한 발광표시장치
KR100688799B1 (ko) * 2004-11-17 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치, 발광 표시장치의 구동 방법 및 화소회로의구동방법
JP4437110B2 (ja) 2004-11-17 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示装置，有機発光表示装置の駆動方法及び画素回路の駆動方法
KR101333509B1 (ko) 2004-12-06 2013-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 모듈, 및 휴대 전화
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US7619597B2 (en) * 2004-12-15 2009-11-17 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
KR100624317B1 (ko) 2004-12-24 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법
KR101142996B1 (ko) 2004-12-31 2012-05-08 재단법인서울대학교산학협력재단 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR100645700B1 (ko) 2005-04-28 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법
JP5355080B2 (ja) 2005-06-08 2013-11-27 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 発光デバイス・ディスプレイを駆動するための方法およびシステム
JP4773777B2 (ja) * 2005-08-30 2011-09-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー アクティブマトリクス型表示装置
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
EP1777689B1 (en) * 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
TWI419105B (zh) * 2005-12-20 2013-12-11 Thomson Licensing 顯示面板之驅動方法
TWI294254B (en) * 2006-01-02 2008-03-01 Au Optronics Corp Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo
EP2458579B1 (en) 2006-01-09 2017-09-20 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
EP1808844B1 (en) * 2006-01-13 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
JP5224702B2 (ja) * 2006-03-13 2013-07-03 キヤノン株式会社 画素回路、及び当該画素回路を有する画像表示装置
ATE488452T1 (de) * 2006-03-31 2010-12-15 Graphic Packaging Int Inc Behälter, um runde lebensmittel in einem mikrowellenofen zu erwärmen, knusprig werden zu lassen und zu bräunen
CN101501748B (zh) 2006-04-19 2012-12-05 伊格尼斯创新有限公司 有源矩阵显示器的稳定驱动设计
JP4361549B2 (ja) * 2006-06-09 2009-11-11 株式会社日立製作所 表示装置
JP2007329417A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
JP5092306B2 (ja) 2006-08-02 2012-12-05 ソニー株式会社 表示装置および画素回路のレイアウト方法
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
KR101277975B1 (ko) * 2006-09-07 2013-06-27 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 구비한 데이터 드라이버,액정표시장치
JP4259556B2 (ja) * 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4259592B2 (ja) * 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2008065778A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, and driving method for display device
JP4757186B2 (ja) * 2006-12-28 2011-08-24 キヤノン株式会社 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ
KR100805599B1 (ko) * 2007-03-16 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101293570B1 (ko) * 2007-03-21 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
TWI412125B (zh) * 2007-07-17 2013-10-11 Creator Technology Bv 電子元件及電子元件之製法
JP5179806B2 (ja) * 2007-08-31 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
TW200949807A (en) 2008-04-18 2009-12-01 Ignis Innovation Inc System and driving method for light emitting device display
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
JP2010104861A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Seiko Epson Corp 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法および有機ｅｌ装置の製造方法
TWI574423B (zh) 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP2010122355A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Canon Inc 表示装置及びカメラ
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US8283967B2 (en) 2009-11-12 2012-10-09 Ignis Innovation Inc. Stable current source for system integration to display substrate
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) * 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
KR101309863B1 (ko) 2009-12-14 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
JP5443588B2 (ja) * 2010-06-22 2014-03-19 パナソニック株式会社 発光表示装置及びその製造方法
CN102346997B (zh) * 2010-08-04 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 像素结构及显示器的驱动方法
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
WO2012086662A1 (en) 2010-12-24 2012-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
JP5993141B2 (ja) * 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
CN103262656B (zh) 2010-12-28 2016-08-24 株式会社半导体能源研究所 发光单元、发光装置以及照明装置
CN102156368A (zh) * 2011-01-18 2011-08-17 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法
US9516713B2 (en) 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP5925511B2 (ja) 2011-02-11 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光ユニット、発光装置、照明装置
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
CN103562989B (zh) 2011-05-27 2016-12-14 伊格尼斯创新公司 用于amoled显示器的老化补偿的系统和方法
CN103597534B (zh) 2011-05-28 2017-02-15 伊格尼斯创新公司 用于快速补偿显示器中的像素的编程的系统和方法
JP5316590B2 (ja) * 2011-06-07 2013-10-16 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置
KR101917753B1 (ko) * 2011-06-24 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5442678B2 (ja) * 2011-08-12 2014-03-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101810048B1 (ko) * 2011-09-22 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6077280B2 (ja) * 2011-11-29 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
JP5209109B2 (ja) * 2011-12-21 2013-06-12 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
JP5380560B2 (ja) * 2012-02-08 2014-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
JP2013068964A (ja) * 2012-11-30 2013-04-18 Panasonic Corp Ｅｌ表示装置
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9366920B2 (en) * 2013-01-02 2016-06-14 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and fabricating method thereof
US9171504B2 (en) 2013-01-14 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP2779147B1 (en) 2013-03-14 2016-03-02 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays
JP5991490B2 (ja) 2013-03-22 2016-09-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
DE112014002086T5 (de) 2013-04-22 2016-01-14 Ignis Innovation Inc. Prüfsystem für OLED-Anzeigebildschirme
KR102173707B1 (ko) 2013-05-31 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN105474296B (zh) 2013-08-12 2017-08-18 伊格尼斯创新公司 一种使用图像数据来驱动显示器的方法及装置
JP6223126B2 (ja) * 2013-10-30 2017-11-01 キヤノン株式会社 発光素子の駆動回路、露光ヘッド及び画像形成装置
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
JP6521610B2 (ja) * 2014-11-10 2019-05-29 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
JP6405561B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
KR102302275B1 (ko) * 2015-02-28 2021-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
JP6131289B2 (ja) * 2015-05-08 2017-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CN104880879A (zh) 2015-06-19 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 Coa阵列基板及其制造方法、显示装置
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
KR102665790B1 (ko) * 2016-01-14 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP6764248B2 (ja) 2016-04-26 2020-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ アクティブマトリクス表示装置
WO2018042907A1 (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
KR102642017B1 (ko) * 2016-11-30 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20190096967A1 (en) * 2017-09-25 2019-03-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent display apparatus
KR102591768B1 (ko) * 2018-07-17 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11296156B2 (en) * 2018-11-28 2022-04-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device
WO2020208774A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15 シャープ株式会社 発光素子および表示装置
US11063495B2 (en) 2019-07-01 2021-07-13 Nidec Motor Corporation Heatsink clamp for multiple electronic components
CN110609188B (zh) * 2019-09-25 2022-07-15 潍柴动力股份有限公司 油量计量单元老化的检测方法、装置及设备
CN110676298B (zh) * 2019-09-30 2022-06-03 昆山国显光电有限公司 阵列基板及oled显示面板
KR102159137B1 (ko) 2020-01-30 2020-09-23 김재곤 기름 순환 정제 기능을 갖는 튀김장치
KR102159131B1 (ko) 2020-01-30 2020-09-23 김재곤 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 일체형으로 갖는 튀김장치
KR102159125B1 (ko) 2020-03-06 2020-09-23 김재곤 튀김 기름 순환 정제 기능 및 기름 유출 방지 기능을 갖는 튀김장치
KR20220079760A (ko) * 2020-12-04 2022-06-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102485139B1 (ko) 2021-06-17 2023-01-04 김재곤 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 갖는 튀김장치
KR20240043892A (ko) * 2022-09-27 2024-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN117452716A (zh) * 2022-12-30 2024-01-26 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US599073A (en) * 1898-02-15 Pump-head
US4042854A (en) * 1975-11-21 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Flat panel display device with integral thin film transistor control system
US4087792A (en) * 1977-03-03 1978-05-02 Westinghouse Electric Corp. Electro-optic display system
FR2488016A1 (fr) * 1980-07-29 1982-02-05 Thomson Csf Module elementaire pour panneau d'affichage matriciel et panneau d'affichage comportant un tel module
JPS58140781A (ja) * 1982-02-17 1983-08-20 株式会社日立製作所 画像表示装置
JPS59112700A (ja) 1982-12-17 1984-06-29 松下電器産業株式会社 プリント基板の防水装置
JPS59119390A (ja) * 1982-12-25 1984-07-10 株式会社東芝 薄膜トランジスタ回路
JPS6159474A (ja) 1984-08-31 1986-03-26 株式会社日立製作所 アクティブマトリクスディスプレイ
JPS61255384A (ja) 1985-05-09 1986-11-13 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリツクスとその製造方法
JPS6241193A (ja) 1985-08-15 1987-02-23 清水建設株式会社 クレ−ンブ−ム接近判別方法
JPS62229952A (ja) 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp Ｍｉｓ型半導体集積回路装置
JPS63170682A (ja) 1986-10-03 1988-07-14 セイコーエプソン株式会社 アクテイブマトリクス基板
JP2679036B2 (ja) 1986-12-18 1997-11-19 富士通株式会社 ガス放電パネルの製造方法
JPS6432236A (en) 1987-07-28 1989-02-02 Seiko Instr & Electronics X driver for matrix panel display
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0266873A (ja) 1988-06-27 1990-03-06 Eastman Kodak Co 電界発光デバイス
JP2568659B2 (ja) * 1988-12-12 1997-01-08 松下電器産業株式会社 表示装置の駆動方法
US5095461A (en) 1988-12-28 1992-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Erase circuitry for a non-volatile semiconductor memory device
JPH03168617A (ja) 1989-11-28 1991-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置の駆動方法
JP2734464B2 (ja) 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH03269995A (ja) 1990-03-16 1991-12-02 Ricoh Co Ltd 電界発光素子の作製方法
JP2616153B2 (ja) 1990-06-20 1997-06-04 富士ゼロックス株式会社 Ｅｌ発光装置
JP3062552B2 (ja) 1990-08-27 2000-07-10 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその検査方法
JP3202219B2 (ja) 1990-09-18 2001-08-27 株式会社東芝 Ｅｌ表示装置
JPH04161984A (ja) 1990-10-26 1992-06-05 Opt Tec Corp 多重グレイレベルを有する大型映像表示ボードシステム
JPH04264527A (ja) 1991-02-20 1992-09-21 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
JP2873632B2 (ja) * 1991-03-15 1999-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6713783B1 (en) * 1991-03-15 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Compensating electro-optical device including thin film transistors
JPH04311066A (ja) 1991-04-09 1992-11-02 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
DE69225105T2 (de) * 1991-10-04 1999-01-07 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristallanzeigegerät
JPH05107557A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JPH05210089A (ja) 1992-01-31 1993-08-20 Sharp Corp アクティブマトリクス表示装置及びその駆動方法
JP2946921B2 (ja) 1992-03-10 1999-09-13 日本電気株式会社 低電力駆動回路
JP2850072B2 (ja) 1992-05-13 1999-01-27 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体装置
US5302966A (en) * 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
JP3328654B2 (ja) 1992-07-15 2002-09-30 昭和電工株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子
GB9215929D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP3343968B2 (ja) * 1992-12-14 2002-11-11 ソニー株式会社 バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
JPH06186416A (ja) 1992-12-21 1994-07-08 Toray Ind Inc カラーフィルタとその製造方法
JPH06230745A (ja) 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Xerox Co Ltd Ｅｌ発光装置及びその駆動方法
KR0140041B1 (ko) * 1993-02-09 1998-06-15 쯔지 하루오 표시 장치용 전압 발생 회로, 공통 전극 구동 회로, 신호선 구동 회로 및 계조 전압 발생 회로
DE69419070T2 (de) * 1993-05-14 1999-11-18 Sharp Kk Steuerungsverfahren für Anzeigevorrichtung
JPH06325869A (ja) * 1993-05-18 1994-11-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光パネル
JPH07120722A (ja) * 1993-06-30 1995-05-12 Sharp Corp 液晶表示素子およびその駆動方法
JP2821347B2 (ja) 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JPH07122362A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光パネル
JPH07128639A (ja) 1993-11-04 1995-05-19 Sharp Corp 表示装置
JP3451291B2 (ja) 1993-11-25 2003-09-29 カシオ計算機株式会社 電界発光素子とその製造方法
JP3463362B2 (ja) 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JPH0845663A (ja) * 1994-02-09 1996-02-16 Nec Kansai Ltd Ｅｌ素子点灯装置
JP3488735B2 (ja) * 1994-03-03 2004-01-19 三菱電機株式会社 半導体装置
US5701055A (en) 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3813217B2 (ja) 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP2701738B2 (ja) 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3312083B2 (ja) 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5508532A (en) * 1994-06-16 1996-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with braded silicon nitride
US5525867A (en) * 1994-08-05 1996-06-11 Hughes Aircraft Company Electroluminescent display with integrated drive circuitry
JP2689917B2 (ja) * 1994-08-10 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
US5714968A (en) * 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
US5463279A (en) * 1994-08-19 1995-10-31 Planar Systems, Inc. Active matrix electroluminescent cell design
TW289097B (ja) * 1994-08-24 1996-10-21 Hitachi Ltd
US5587329A (en) * 1994-08-24 1996-12-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region
US5818068A (en) * 1994-09-22 1998-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor circuit and an active matrix type display device
JP3467334B2 (ja) 1994-10-31 2003-11-17 Ｔｄｋ株式会社 エレクトロルミネセンス表示装置
JPH08129358A (ja) 1994-10-31 1996-05-21 Tdk Corp エレクトロルミネセンス表示装置
JPH08129360A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Tdk Corp エレクトロルミネセンス表示装置
DE69535970D1 (de) 1994-12-14 2009-08-06 Eastman Kodak Co Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JP3545078B2 (ja) 1995-02-03 2004-07-21 三洋電機株式会社 コードレス電話装置
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH08241057A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 画像表示装置
US5693962A (en) * 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array
US5640067A (en) * 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US6853083B1 (en) * 1995-03-24 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5644327A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
JP3636777B2 (ja) 1995-07-04 2005-04-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
JP3744980B2 (ja) 1995-07-27 2006-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH0943640A (ja) 1995-07-31 1997-02-14 Sony Corp 液晶表示装置
JPH09106887A (ja) * 1995-08-09 1997-04-22 Citizen Watch Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法
JP3124230B2 (ja) * 1995-08-11 2001-01-15 株式会社沖データ 駆動装置
US5748160A (en) 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
JPH0980412A (ja) 1995-09-13 1997-03-28 Canon Inc 液晶表示装置の製造方法
JP3892068B2 (ja) 1995-10-20 2007-03-14 株式会社日立製作所 画像表示装置
US6268895B1 (en) * 1995-10-27 2001-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
TW329500B (en) * 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
JPH09146119A (ja) 1995-11-27 1997-06-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US6294799B1 (en) * 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
TW309633B (ja) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3645379B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645378B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3417514B2 (ja) * 1996-04-09 2003-06-16 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6157356A (en) * 1996-04-12 2000-12-05 International Business Machines Company Digitally driven gray scale operation of active matrix OLED displays
JPH09281508A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JP3036436B2 (ja) * 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
US5714838A (en) 1996-09-20 1998-02-03 International Business Machines Corporation Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures
KR100393039B1 (ko) * 1996-11-20 2003-10-17 삼성에스디아이 주식회사 액정표시소자
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
DE69739633D1 (de) 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
US5949188A (en) * 1996-12-18 1999-09-07 Hage Gmbh & Co. Kg Electroluminescent display device with continuous base electrode
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
JPH10214060A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
TW441136B (en) * 1997-01-28 2001-06-16 Casio Computer Co Ltd An electroluminescent display device and a driving method thereof
US5869929A (en) * 1997-02-04 1999-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multicolor luminescent device
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
WO1998040871A1 (fr) * 1997-03-12 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Circuit pixel, afficheur, et equipement electronique a dispositif photoemetteur commande par courant
WO1998048322A1 (fr) * 1997-04-22 1998-10-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Afficheur a cristaux liquides a fonction de lecture d'image, procede de lecture d'image et procede de fabrication associe
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
JP4073107B2 (ja) 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型ｅｌ表示装置
TW480727B (en) 2000-01-11 2002-03-21 Semiconductor Energy Laboratro Semiconductor display device
US6528950B2 (en) 2000-04-06 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US7173612B2 (en) * 2000-12-08 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. EL display device providing means for delivery of blanking signals to pixel elements
JP2004296303A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法および電子機器
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723197B2 (en) 2005-03-30 2010-05-25 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1830342B1 (en) 2013-01-23
DE69841721D1 (de) 2010-07-29
EP1255240A1 (en) 2002-11-06
KR20050103982A (ko) 2005-11-01
KR20040000395A (ko) 2004-01-03
EP1830343A2 (en) 2007-09-05
EP1359789A1 (en) 2003-11-05
TW491985B (en) 2002-06-21
EP1830342A3 (en) 2008-06-04
KR100585261B1 (ko) 2006-06-02
EP1336953A2 (en) 2003-08-20
JP2008287288A (ja) 2008-11-27
US7221339B2 (en) 2007-05-22
CN1506929B (zh) 2010-09-01
KR20050103518A (ko) 2005-10-31
KR20050103517A (ko) 2005-10-31
US20060273995A1 (en) 2006-12-07
KR20050104425A (ko) 2005-11-02
US20060273996A1 (en) 2006-12-07
US6839045B2 (en) 2005-01-04
US20100066652A1 (en) 2010-03-18
KR20040000396A (ko) 2004-01-03
JP5018819B2 (ja) 2012-09-05
US8354978B2 (en) 2013-01-15
EP1336953A3 (en) 2003-10-22
US7710364B2 (en) 2010-05-04
CN1506929A (zh) 2004-06-23
KR20040000394A (ko) 2004-01-03
KR100586715B1 (ko) 2006-06-08
KR100541253B1 (ko) 2006-07-10
KR20050056203A (ko) 2005-06-14
KR100509240B1 (ko) 2005-08-22
KR20000064918A (ko) 2000-11-06
CN1506930A (zh) 2004-06-23
KR100588271B1 (ko) 2006-06-12
JP2009187019A (ja) 2009-08-20
US8247967B2 (en) 2012-08-21
EP1830344A3 (en) 2009-04-01
CN1506928A (zh) 2004-06-23
EP1830344A2 (en) 2007-09-05
EP1830344B1 (en) 2012-07-04
EP0895219A4 (en) 2001-01-31
US8154199B2 (en) 2012-04-10
US20080246700A1 (en) 2008-10-09
US20030098827A1 (en) 2003-05-29
EP1359789B1 (en) 2011-09-14
CN100341042C (zh) 2007-10-03
US20020024493A1 (en) 2002-02-28
KR100509241B1 (ko) 2005-08-23
EP1830342A2 (en) 2007-09-05
EP1830343A3 (en) 2009-03-11
US7880696B2 (en) 2011-02-01
US20020097213A1 (en) 2002-07-25
TW578130B (en) 2004-03-01
US20040150591A1 (en) 2004-08-05
DE69829084D1 (de) 2005-03-24
US6522315B2 (en) 2003-02-18
US20120299902A1 (en) 2012-11-29
US20100097410A1 (en) 2010-04-22
CN100533528C (zh) 2009-08-26
KR100539988B1 (ko) 2006-01-10
CN1217807A (zh) 1999-05-26
JP5120141B2 (ja) 2013-01-16
EP0895219B1 (en) 2010-06-16
KR100539291B1 (ko) 2005-12-27
DE69829084T2 (de) 2005-12-29
WO1998036407A1 (en) 1998-08-20
EP0895219A1 (en) 1999-02-03
CN100538790C (zh) 2009-09-09
US20060279491A1 (en) 2006-12-14
EP1255240B1 (en) 2005-02-16
US7253793B2 (en) 2007-08-07
KR100544821B1 (ko) 2006-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3528182B2 (ja) 表示装置
JP3541625B2 (ja) 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US7460094B2 (en) Display apparatus
JP4207979B2 (ja) 表示装置
JP3620538B2 (ja) 表示装置
JP3882804B2 (ja) 発光装置
JP3818309B2 (ja) 表示装置
JP3620539B2 (ja) 表示装置
JP3912340B2 (ja) 表示装置
JP2007219531A (ja) 表示装置
JP2004004911A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term