JP5018819B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5018819B2
JP5018819B2 JP2009089815A JP2009089815A JP5018819B2 JP 5018819 B2 JP5018819 B2 JP 5018819B2 JP 2009089815 A JP2009089815 A JP 2009089815A JP 2009089815 A JP2009089815 A JP 2009089815A JP 5018819 B2 JP5018819 B2 JP 5018819B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential
pixel
tft
electrode
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2009089815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009187019A (ja
Inventor
徳郎 小澤
睦 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009089815A priority Critical patent/JP5018819B2/ja
Publication of JP2009187019A publication Critical patent/JP2009187019A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5018819B2 publication Critical patent/JP5018819B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0847—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory without any storage capacitor, i.e. with use of parasitic capacitances as storage elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0283—Arrangement of drivers for different directions of scanning
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、表示装置に関するものである。
ＥＬ素子またはＬＥＤ素子などの電流制御型発光素子を用いたアクティブマトリクス型
の表示装置が提案されている。このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自
己発光するため、液晶表示装置と違ってバックライトを必要とせず、また視野角依存性が
少ないなどの利点がある。
図３１は、このような表示装置の一例として、電荷注入型の有機薄膜ＥＬ素子を用いた
アクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。この図に示す表示装置１Ａでは、
透明基板上に、複数の走査線ｇａｔｅと、これらの走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交
差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、これらのデータ線ｓｉｇに並列する複
数の共通給電線ｃｏｍと、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとの交差点に対応する画素７
とが構成されている。
画素７の各々には、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極（第１のゲート電極
）に供給される第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから
供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持され
た画像信号がゲート電極（第２のゲート電極）に供給される第２のＴＦＴ３０と、第２の
ＴＦＴ３０を介して共通給電線ｃｏｍに電気的に接続したときに共通給電線ｃｏｍから駆
動電流が流れ込む発光素子４０（抵抗として表してある。）とが構成されている。
このように構成された表示装置１Ａにおいて、第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３
０は、従来、Ｎチャネル型を例にとると、製造プロセスを簡略化するという観点から、図
３２にその等価回路を示すように、いずれもＮチャネル型あるいはＰチャネル型のＴＦＴ
として構成されている。従って、Ｎチャネル型を例にとると、図３３（Ａ）、（Ｂ）に示
すように、走査線ｇａｔｃから供給される走査信号Ｓgateが高電位になって第１のＴＦＴ
２０がオン状態になったときにデータ線ｓｉｇから保持容量ｃａｐに高電位の画像信号ｄ
ａｔａが書き込まれると、第２のＴＦＴ３０がオン状態に保持される。その結果、発光素
子４０では、画素電極４１から対向電極ｏｐに向けて矢印Ｅで示す方向の駆動電流が流れ
続け、発光素子４０が発光し続ける（点灯状熊）。これに対して、走査線ｇａｔｅから供
給される走査信号Ｓgateが高電位になって第１のＴＦＴ２０がオン状態になったときに、
データ線ｓｉｇから保持容量ｃａｐに共通給電線ｃｏｍの電位と対向電極ｏｐの電位の間
のある電位よりも低い電位の画像信号ｄａｔａが書き込まれると、第２のＴＦＴ３０がタ
ーンオフし、発光素子４０が消灯する（消灯状態）。
このような表示装置１Ａにおいて、各素子を構成する半導体膜、絶縁膜、電極などは基
板上に堆積した薄膜から構成され、かつ、この薄膜は基板の耐熱性などを考慮して低温プ
ロセスで形成されることが多い。従って、薄膜とバルクとの物性の差異などに起因して欠
陥が多いなど膜品質が劣るため、ＴＦＴなどでは絶縁破壊や経時劣化などの問題が表面化
しやすい。
液晶を光変調素子として用いた液晶表示装置でも薄膜を用いるという点で共通するが、
この場合には光変調素子を交流駆動するので、液晶だけでなく、ＴＦＴの経時劣化も抑え
ることができる。これに対して、電流制御型発光素子を用いた表示装置１Ａでは直流駆動
せざるを得ないという点では、液晶表示装置よりもＴＦＴに経時劣化が起きやすい。この
ような問題点を解消するため、電流制御型発光素子を用いた表示装置１ＡでもＴＦＴの構
造やプロセス技術に改良が加えられているものの、未だ、十分に改良されたとはいえない
。
また、液晶を光変調素子として用いた場合には、この光変調素子を電圧により制御する
ので、個々の素子には電流が瞬間的に流れるだけであるので、消費電力が小さい。これに
対して、電流制御型発光素子を用いた表示装置１Ａでは、発光素子を点灯させ続けるには
駆動電流を定常的に流す必要があるので、消費電力が高くなり、絶縁破壊や経時劣化が起
きやすい。
さらに、液晶表示装置では１画素当たり１つのＴＦＴで液晶を交流駆動することができ
るが、電流制御型発光素子を用いた表示装置１Ａでは、１画素当たり２つのＴＦＴ２０、
３０で発光素子４０を直流駆動するので、駆動電圧が高くなり、前記の絶縁破壊や消費電
力が大きいという問題が顕著である。
たとえば、図３３（Ａ）に示すように、画素を選択する際の第１のＴＦＴ２０のゲート
電圧Ｖｇswは、走査信号Ｓgateの高電位に相当する電位と電位保持電極ｓｔの電位（保持
容量ｃａｐの電位、または第２のＴＦＴ３０のゲート電極の電位）との電位差に相当する
ため、発光素子４０を高い輝度で点灯させようと電位保持電極ｓｔの電位を高めて第２の
ＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurを高めたときには、その分、第１のＴＦＴ２０のゲート
電圧Ｖｇswが低くなってしまうので、走査信号Ｓgateの振幅を大きくする必要が生じ、表
示装置１Ａの駆動電圧が高くなってしまう。
また、前記の表示装置１Ａでは、発光素子４０を消灯させる際に画像信号ｄａｔａの電
位を共通給電線ｃｏｍの電位と対向電極ｏｐの電位の間のある電位よりも低くして第２の
ＴＦＴ３０をターンオフさせるため、画像信号ｄａｔａの振幅が大きいという問題点もあ
る。従って、この種の表示装置１Ａでは、液晶表示装置と比較して、消費電力やＴＦＴの
耐電圧などに格段の配慮が必要であるが、従来の表示装置１Ａではかかる配慮が十分にな
されていない。
そこで、本発明の課題は、電流駆動型の発光素子の発光動作を制御するＴＦＴの導電型
を考慮した駆動方式を採用して、駆動電圧の低電圧化による消費電力、絶縁破壊、経時劣
化の低減と表示品位の向上とを併せて図ることができる表示装置を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明の表示装置は、 走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、点灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される前記画像信号の電位より低い電位であり、前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であることを特徴とする。
また、本発明に係る表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第２のトランジスタのゲート電極の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位より低い電位であり、前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であることを特徴とする。
上記の表示装置において、前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位を基準としたとき、前記給電線の電位と同じ極性であることが好ましい。
上記の表示装置において、前記給電線の電位は、前記画素を選択するときの前記走査線の電位と等電位であることが好ましい。
上記の表示装置において、前記給電線の電位及び前記画素電極の電位のうち高い方の電位と、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位との電位差は、前記第２のトランジスタのしきい値電圧に相当する電圧よりも大であることが好ましい。
上記の表示装置において、前記発光素子は有機半導体膜を含むことが好ましい。
上記の表示装置において、前記第２のトランジスタは飽和領域で動作するように構成されていることが好ましい。
上記の表示装置において、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するように構成されていることが好ましい。
本発明の第１の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記画素が点灯状態にある場合において、当該点灯状態にある画素に対応する前記給電線の電位は、当該点灯状態にある画素に対応する前記対向電極の電位よりも高く設定され、かつ、当該点灯状態にある画素の前記画素電
極の電位は、当該点灯状態にある画素に対応する前記対向電極の電位より高く設定されていること、を特徴とする。
本発明の第２の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記画素が点灯状態にある場合は、当該点灯
状態にある画素に対応する前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定され
ており、当該点灯状態にある画素の前記画素電極の電位は、前記対向電極の電位より高く
設定されており、かつ、当該点灯状態にある画素に対応する前記給電線の電位より低く設
定されていること、を特徴とする。
本発明の第３の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記第２のトランジスタのゲート電圧は、前
記対向電極の電位と同電位、あるいは、それ以上であること、を特徴とする。
本発明の第４の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記第２のトランジスタのゲート電圧は、前
記給電線の電位と同電位、あるいは、それ以下であること、を特徴とする。
本発明の第５の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記第２のトランジスタのゲート電圧は、前
記給電線の電位及び前記対向電極のいずれかと同電位、あるいは、前記給電線の電位と前
記対向電極との間の電位であること、を特徴とする。
本発明の第６の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、消灯状態とすべき画素における前記第２のト
ランジスタに印加されるゲート電圧は、当該第２のトランジスタがオン状態となるときの
極性と同じで、かつ、当該第２のトランジスタのしきい値電圧を越えない値であることを
特徴とする。
本発明の第７の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素毎に形成された画素電極と対向電極
との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、消灯状態とすべき画素に
対して前記データ線から供給される前記画像信号の電位は、前記給電線の電位と比較して
低電位、あるいは等電位あること、を特徴とする。
上記の表示装置において、前記第１トランジスタ及び前記第２のトランジスタは、互い
に逆導電型のトランジスタで構成されていることが好ましい。
上記の表示装置において、前記第２のトランジスタは、Ｐチャネル型であってもよい。
上記の表示装置において、前記発光素子は有機半導体膜を含んでいてもよい。
上記の表示装置において、前記第２のトランジスタは飽和領域で動作するように構成さ
れていてもよい。
上記の表示装置において、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するように構成さ
れていてもよい。
さらに、本発明では、基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ線
と、複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状に形成された
画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供
給される第１のＴＦＴと、該第１のＴＦＴを介して前記データ線から供給される画像信号
を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電極
に供給される第２のＴＦＴと、前記画素毎に形成された画素電極が前記第２のＴＦＴを介
して前記共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と発光薄膜を介して対向する
対向電極との間に流れる駆動電流によって前記発光薄膜が発光する表示装置において、前
記第２のＴＦＴがＮチャネル型の場合には、前記共通給電線は前記対向電極よりも低電位
に設定されていることを特徴とする。
本発明に係る表示装置では、第２のＴＦＴのオン時のゲート電圧は、共通給電線の電位
および画素電極の電位のうちの一方の電位と、ゲート電極の電位（画像信号の電位）との
差に相当するので、第２のＴＦＴの導電型に応じて、共通給電線の電位と発光素子の対向
電極の電位との相対的な高低を最適化し、第２のＴＦＴのゲート電圧は、共通給電線の電
位と電位保持電極の電位との差に相当するように構成してある。たとえば、第２のＴＦＴ
がＮチャネル型であれば、発光素子の対向電極の電位に対して共通給電線の電位を低くし
てある。
この共通給電線の電位については、画素電極の電位と相違して、十分に低い値に設定す
ることができるため、第２のＴＦＴで大きなオン電流が得られ、高い輝度で表示を行うこ
とができる。また、画素を点灯状態とする際に、第２のＴＦＴにおいて高いゲート電圧が
得られるのであれば、画像信号の電位を下げることができるので、画像信号の振幅を小さ
くし、表示装置における駆動電圧を下げることができる。
それ故、消費電力を低減できるともに、薄膜で構成された各素子で懸念されていた耐電
圧の問題が顕在化しないという利点がある。
本発明において、上記第２のＴＦＴがＮチャネル型の場合には点灯状態とすべき画素に
対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、前記対向電極の電位と比較して低
電位、あるいは等電位であることが好ましい。このように構成した場合も、第２のＴＦＴ
をオン状態に保ったまま、画像信号の振幅を小さくすることができ、表示装置における駆
動電圧を下げることができる。
本発明において、第２のＴＦＴがＮチャネル型の場合には、消灯状態とすべき画素に対
して前記データ線から供給される画像信号の電位は、前記共通給電線の電位と比較して高
電位、あるいは等電位であることが好ましい。すなわち、画素を消灯状態にするときには
、第２のＴＦＴを完全にターンオフさせるほどのゲート電圧（画像信号）を印加しない。
発光素子の非線型電気特性とあいまって、消灯状態は実現できる。それ故、画像信号の振
幅を小さくすることができ、表示装置における駆動電圧を下げ、また画像信号の高周波化
を図ることができる。
本発明において、上記の各構成とは逆に、前記第２のＴＦＴがＰチャネル型の場合には
、各電位の相対的な関係を逆転させる。すなわち、前記第２のＴＦＴがＰチャネル型の場
合には、前記共通給電線は前記対向電極よりも高電位に設定されていることを特徴とする
。この場合には、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供給される画像信号の
電位は、前記対向電極の電位と比較して高電位、あるいは、等電位であることが好ましい
。また、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、
前記共通給電線の電位と比較して低電位、あるいは等電位であることが好ましい。
本発明において、前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴとは、逆導電型のＴＦＴで構成
されていることが好ましい。すなわち、第１のＴＦＴがＮチャネル型であれば、第２のＴ
ＦＴはＰチャネル型であり、第１のＴＦＴがＰチャネル型であれば、第２のＴＦＴはＮチ
ャネル型であることが好ましい。詳しくは後述するが、このように構成すると、表示装置
の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号の電位を、第１のＴＦＴのオン時の
抵抗が小さくなる方向に変更するだけで、表示動作の高速化を図ることができる。
また、この時には画素を点灯させるための画像信号の電位が第２のＴＦＴのオン時の抵
抗が小さくなる方向に変更したことになるので、輝度の向上を図ることができる。よって
、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することができる。
本発明の別の形態では、基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ
線と、複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状に形成され
た画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に
供給される第１のＴＦＴと、該第１のＴＦＴを介して前記データ線から供給される画像信
号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電
極に供給される第２のＴＦＴと、前記画素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向す
る対向電極との層間において前記画素電極が前記第２のＴＦＴを介して前記共通給電線に
電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発
光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置において、前記第１のＴＦＴと前
記第２のＴＦＴとは、逆導電型のＴＦＴで構成されていることを特徴とする。
本発明では、例えば第１のＴＦＴがＮ型であれば、第２のＴＦＴがＰ型であるように、
第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとが逆導電型であるため、第１のＴＦＴの書き込み能力を上
げるためには、走査信号の選択パルス高を高くし、第２のＴＦＴのオン抵抗を下げて発光
輝度を上げるためには、画像信号の電位を低くすることになる。このような走査信号およ
び画像信号の最適化は、第１のＴＦＴのゲート電圧に対して、画素の選択期間中、発光素
子を点灯させるレベルの画像信号が保持容量に書き込まれていくにつれて、当該ＴＦＴの
オン電流が増大する方にシフトさせるのに効く。それ故、データ線から第１のＴＦＴを介
して保持容量に画像信号がスムーズに書き込まれる。ここで、画素を選択する際の第１の
ＴＦＴのゲート電圧は、走査信号の高電位に相当する電位と点灯時の電位保持電極の電位
（点灯のための画像信号の電位、保持容量の電位、または第２のＴＦＴのゲート電極の電
位）との差に相当し、第２のＴＦＴのゲート電圧は、点灯時の電位保持電極の電位と共通
給電線の電位との差に相当し、このときの電位保持電極の電位を基準にしたときには、走
査信号の高電位に相当する電位と共通給電線の電位は同じ極性である。従って、点灯時の
電位保持電極の電位（点灯のための画像信号の電位）を変更すれば、その分、第１のＴＦ
Ｔのゲート電圧および第２のＴＦＴのゲート電圧の双方が同じ方向に同じ分だけシフトす
る。それ故、表示装置の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号の電位を、第
１のＴＦＴのオン時の抵抗が小さくなる方向にシフトさせれば、表示動作の高速化を図る
ことができる。また、この時には点灯のための画像信号の電位が第２のＴＦＴのオン時の
抵抗が小さくなる方向にシフトしたことになるので、輝度の向上を図ることができる。よ
って、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することができる。
本発明において、消灯状態にある画素における前記第２のＴＦＴに印加されるゲート電
圧は、該第２のＴＦＴがオン状態となるときの極性と同じで、かつ、該第２のＴＦＴのし
きい値電圧を越えない値であることが好ましい。
すなわち、画素を消灯状態にするときには、第２のＴＦＴを完全にターンオフさせるほ
どのゲート電圧（画像信号）を印加しない。それ故、画像信号の振幅を小さくすることが
でき、画像信号の高周波化を実現できる。
このように構成した場合において、前記第１のＴＦＴがＮチャネル型、前記第２のＴＦ
ＴがＰチャネル型であれば、前記第１のＴＦＴをオン状態にするときの走査信号の電位と
前記共通給電線の電位とが等しく、かつ、消灯状態にある画素の前記第２のＴＦＴに印加
されるゲート電極の電位は、前記第１のＴＦＴをオン状態にするときの走査信号の電位か
ら当該第１のＴＦＴのしきい値電圧を差し引いた電位よりも低電位であることが好ましい
。それとは逆に、前記第１のＴＦＴがＰチャネル型、前記第２のＴＦＴがＮチャネル型で
あれば、前記第１のＴＦＴをオン状態にするときの走査信号の電位と前記共通給電線の電
位とが等しく、かつ、消灯状態にある画素の前記第２のＴＦＴに印加されるゲート電極の
電位は、前記第１のＴＦＴをオン状態にするときの走査信号の電位に当該第１のＴＦＴの
しきい値電圧を加えた電位よりも高電位であることが好ましい。
このように第１のＴＦＴをオン状態にするときの走査信号の電位と共通給電線の電位と
を等しくすると、各駆動信号のレベルの数が減るため、表示装置への信号入力端子の数を
減らすことができるとともに、電源数を減らすことができるので、低消費電力となる。
本発明では、前記保持容量の両電極のうち、前記第２のＴＦＴの第２のゲート電極に電
気的に接続する電極とは反対側の電極には、前記走査信号の選択パルスより遅延して該選
択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されることが好ましい。このように構成
すると、保持容量への画像信号の書き込みを補うことができるので、画像信号の振幅を大
きくせずに、第２のＴＦＴのゲート電極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方向に
シフトさせることができる。
本発明のさらに別の形態においては、基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する
複数のデータ線と、複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス
状に形成された画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第１の
ゲート電極に供給される第１のＴＦＴと、該第１のＴＦＴを介して前記データ線から供給
される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第
２のゲート電極に供給される第２のＴＦＴと、前記画素毎に形成された画素電極と該画素
電極に対向する対向電極との層間において前記画素電極が前記第２のＴＦＴを介して前記
共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電
流によって発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置において、前記保持
容量の両電極のうち、前記第２のＴＦＴの第２のゲート電極に電気的に接続する電極とは
反対側の電極には、前記走査信号の選択パルスより遅延して該選択パルスとは電位が逆方
向に振れるパルスが供給されることを特徴とする。
このように構成すると、保持容量への画像信号の書き込みを補うことができるので、画
像信号の振幅を大きくせずに、第２のＴＦＴのゲート電極に印加される画像信号の電位を
高輝度化の方向にシフトさせることができる。
上記のいずれの発明においても、前記発光薄膜としては、たとえば、有機半導体膜を用
いることができる。
本発明では、上記のいずれの発明においても、第２のＴＦＴについては、その飽和領域
で動作させることにより、発光素子に異常電流が流れ、電圧降下等により他画素にクロス
トーク等が発生するのを防止することができる。
また、その線形領域で動作させることによりそのしきい値電圧のばらつきが表示動作に
影響を及ぼすことを防止することができる。
本発明を適用した表示装置を模式的に示す平面図である。 本発明を適用した表示装置の基本的な構成を示すブロック図である。 図２に示す表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図３のＡ−Ａ’線における断面図である。 図３のＢ−Ｂ’線における断面図である。 図６（Ａ）は、図３のＣ−Ｃ’線における断面図であり、（Ｂ）は、図６（Ａ）に示すように構成したときの効果を説明するための説明図である。 図７（Ａ）及び図７（Ｂ）はそれぞれ、図２に示す表示装置に用いる発光素子の断面図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）はそれぞれ、図７に示す発光素子と別の構造を有する発光素子の断面図である。 図７（Ａ）、図８（Ｂ）に示す発光素子の電流−電圧特性を示すグラフである。 図７（Ｂ）、図８（Ａ）に示す発光素子の電流−電圧特性を示すグラフである。 Ｎチャネル型ＴＦＴの電流−電圧特性を示すグラフである。 Ｐチャネル型ＴＦＴの電流−電圧特性を示すグラフである。 本発明を適用した表示装置の製造方法を示す工程断面図である。 図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）はそれぞれ、図３から図６に示す表示装置の画素とは異なる構成の画素の平面図、および断面図である。 本発明の実施の形態１に係る表示装置の画素構成を示す等価回路図である。 図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）はそれぞれ、図１５に示す画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、及び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。 本発明の実施の形態１の変形例に係る表示装置の画素構成を示す等価回路図である。 図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）はそれぞれ、図１７に示す画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、および駆動信号などの電位変化を示す波形図である。 、本発明の実施の形態２に係る表示装置の画素構成を示す等価回路図である。 図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）はそれぞれ、図１９に示す画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、および駆動信号などの電位変化を示す波形図である。 本発明の実施の形態２の変形例に係る表示装置の画素構成を示す等価回路図である。 図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）はそれぞれ、図２１に示す画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、および駆動信号などの電位変化を示す波形図である。 本発明の実施の形態３に係る表示装置の画素構成を示す等価回路図である。 図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）はそれぞれ、図２３に示す画素を駆動するための信号の波形図、これらの信号と等価回路との対応を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る表示装置の画素を駆動するための信号の波形図である。 本発明の実施の形態３の変形例に係る表示装置の画素構成を示す等価回路図である。 図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）はそれぞれ、図２６に示す画素を駆動するための信号の波形図、これらの信号と等価回路との対応を示す説明図である。 図２８（Ａ）及び図２８（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態４に係る表示装置の画素の等価回路図、それを駆動するための信号の波形図である。 図２８に示す信号を発生させるための走査側駆動回路のブロック図である。 図２９に示す走査側駆動回路から出力される各信号の波形図である。 表示装置のブロック図である。 図３１に示す表示装置における従来の画素構成を示す等価回路図である。 図３３（Ａ）及び図３３（Ｂ）はそれぞれ、図３２に示す画素を駆動するための信号の波形図、これらの信号と等価回路との対応を示す説明図である。 図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）はそれぞれ、隣接するゲート線を用いて容量を形成する構成のブロック図と、そのゲート電圧の信号波形である。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明の各実施の形態を説明
する前に、各形態で共通の構成について説明しておく。ここで、各形態で共通の機能を有
する部分については、同一の符合を付して説明の重複を避けることとする。
アクティブマトリクス基板の全体構成）
図１は、表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図、図２は、それに構成
されたアクティブマトリクスの等価回路図である。図１に示すように、本実施形態の表示
装置１では、その基体たる透明基板１０の中央部分が表示部２とされている。透明基板１
０の外周部分のうち、図面に向かって上下の側には、データ線ｓｉｇに対して画像信号を
出力するデータ側駆動回路３、および検査回路５がそれぞれ構成され、図面に向かって左
右の側には、走査線ｇａｔｅに対して走査信号を出力する走査側駆動回路４が構成されて
いる。これらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによって相補型ＴＦ
Ｔが構成され、この相補型ＴＦＴは、シフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログ
スイッチ回路などを構成している。透明基板１０上において、データ側駆動回路３よりも
外周領域には、画像信号や各種の電位、パルス信号を入力するための端子群とされる実装
用パッド６が形成されている。
表示装置１では、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板と同様、透明基板１０上に
、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設さ
れた複数のデータ線ｓｉｇとが構成され、図２に示すように、これらのデータ線ｓｉｇと
走査線ｇａｔｅとの交差によりマトリクス状に画素７が多数、構成されている。
これらの画素７のいずれにも、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極２１（第
１のゲート電極）に供給される第１のＴＦＴ２０が構成されている。このＴＦＴ２０のソ
ース・ドレイン領域の一方は、データ線ｓｉｇに電気的に接続し、他方のソース・ドレイ
ン領域は電位保持電極ｓｔに電気的に接続している。すなわち、走査線ｇａｔｅに対して
は容量線ｃｌｉｎｅが並列配置され、この容量線ｃｌｉｎｅと電位保持電極ｓｔとの間に
は保持容量ｃａｐが形成されている。従って、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ
２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇから画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持
容量ｃａｐに書き込まれる。
電位保持電極ｓｔには第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１（第２のゲート電極）が電気
的に接続し、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方は、共通給電線ｃｏｍに電
気的に接続する一方、他方のソース・ドレイン領域は発光素子４０の一方の電極（後述す
る画素電極）に電気的に接続している。共通給電線ｃｏｍは定電位に保持されている。第
２のＴＦＴ３０がオン状態になったときに、第２のＴＦＴ３０を介して共通給電線ｃｏｍ
の電流が発光素子４０を流れ、発光素子４０を発光させる。
このように構成した表示装置１において、駆動電流は、発光素子４０、第２のＴＦＴ３
０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を流れるため、第２のＴＦＴ３０が
オフ状態になると、流れなくなる。但し、本実施形態の表示装置１では、走査信号によっ
て選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇから画像信号が第１
のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。従って、第２のＴＦＴ３０のゲー
ト電極は、第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａｐによって画像信号に
相当する電位に保持されるので、第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発
光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新
たな画像データが保持容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になるま
で維持される。
表示装置１において共通給電線ｃｏｍ、画素７、およびデータ線ｓｉｇについては各種
の配列が可能であるが、本実施形態では、共通給電線ｃｏｍの両側に、該共通給電線ｃｏ
ｍとの間で駆動電流の供給が行われる発光素子４０を有する複数の画素７が配置され、こ
れらの画素７に対して共通給電線ｃｏｍとは反対側を２本のデータ線ｓｉｇが通っている
。すなわち、データ線ｓｉｇ、それに接続する画素群、１本の共通給電線ｃｏｍ、それに
接続する画素群、および該画素群に画素信号を供給するデータ線ｓｉｇを１つの単位とし
てそれを走査線ｇａｔｅの延設方向に繰り返してあり、共通給電線ｃｏｍは、１本で２列
分の画素７に対して駆動電流を供給する。そこで、本実施形態では、共通給電線ｃｏｍを
挟むように配置された２つの画素７の間では、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３０、お
よび発光素子４０が当該共通給電線ｃｏｍを中心に線対称に配置され、これらの素子と各
配線層との電気的な接続を容易なものにしてある。
このように、本実施形態では、１本の共通給電線ｃｏｍで２列分の画素を駆動するので
、１列の画素群ごとに共通給電線ｃｏｍを形成する場合と比較して、共通給電線ｃｏｍの
数が１／２で済むとともに、同一の層間に形成される共通給電線ｃｏｍとデータ線ｓｉｇ
との間に確保していた隙間が不要である。それ故、透明基板１０上において配線のための
領域を狭くすることができるので、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させるこ
とができる。なお、このように１本の共通給電線ｃｏｍに２列分の画素が接続される構成
としたため、データ線ｓｉｇは２本ずつ並列する状態にあって、それぞれの列の画素群に
対して画像信号を供給することになる。
（画素の構成）
このように構成した表示装置１の各画素７の構造を、図３ないし図６を参照して詳述す
る。図３は、本実施形態の表示装置１に形成されている複数の画素７のうちの３つの画素
７を拡大して示す平面図、図４、図５、および図６はそれぞれは、そのＡ−Ａ’線におけ
る断面図、Ｂ−Ｂ’線における断面図、およびＣ−Ｃ’線における断面図である。
まず、図３におけるＡ−Ａ’線に相当する位置では、図４に示すように、透明基板１０
上には各画素７の各々に、第１のＴＦＴ２０を形成するための島状のシリコン膜２００が
形成され、その表面にはゲート絶縁膜５０が形成されている。
ゲート絶縁膜５０の表面にはゲート電極２１（走査線ｇａｔｅの一部）が形成され、該
ゲート電極２１に対して自己整合的にソース・ドレイン領域２２、２３が形成されている
。ゲート絶縁膜５０の表面側には第１の層間絶縁膜５１が形成され、この層間絶縁膜に形
成されたコンタクトホール６１、６２を介して、ソース・ドレイン領域２２、２３にはデ
ータ線ｓｉｇ、および電位保持電極ｓｔがそれぞれ電気的に接続している。
各画素７には走査線ｇａｔｅと並列するように、走査線ｇａｔｅやゲート電極２１と同
一の層間（ゲート絶縁膜５０と第１の層間絶縁膜５１との間）には容量線ｃｌｉｎｅが形
成されており、この容量線ｃｌｉｎｅに対しては、第１の層間絶縁膜５１を介して電位保
持電極ｓｔの延設部分ｓｔ１が重なっている。このため、容量線ｃｌｉｎｅと電位保持電
極ｓｔの延設部分ｓｔ１とは、第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜とする保持容量ｃａｐを
構成している。なお、電位保持電極ｓｔおよびデータ線ｓｉｇの表面側には第２の層間絶
縁膜５２が形成されている。
図３におけるＢ−Ｂ’線に相当する位置では、図５に示すように、透明基板１０上に形
成された第１の層間絶縁膜５１および第２の層間絶縁膜５２の表面に各画素７に対応する
データ線ｓｉｇが２本、並列している状態にある。図３におけるＣ−Ｃ’線に相当する位
置では、図６（Ａ）に示すように、透明基板１０上には共通給電線ｃｏｍを挟む２つの画
素７に跨がるように、第２のＴＦＴ３０を形成するための島状のシリコン膜３００が形成
され、その表面にはゲート絶縁膜５０が形成されている。ゲート絶縁膜５０の表面には、
共通給電線ｃｏｍを挟むように、各画素７の各々にゲート電極３１がそれぞれ形成され、
このゲート電極３１に対して自己整合的にソース・ドレイン領域３２、３３が形成されて
いる。
ゲート絶縁膜５０の表面側には第１の層間絶縁膜５１が形成され、この層間絶縁膜に形
成されたコンタクトホール６３を介して、ソース・ドレイン領域６２に中継電極３５が電
気的に接続している。
一方、シリコン膜３００の中央の２つの画素７において共通のソース・ドレイン領域３
３となる部分に対しては、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホール６４を介して、共通
給電線ｃｏｍが電気的に接続している。これらの共通給電線ｃｏｍ、および中継電極３５
の表面には第２の層間絶縁膜５２が形成されている。
第２の層間絶縁膜５２の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極４１が形成されている。こ
の画素電極４１は、第２の層間絶縁膜５２に形成されたコンタクトホール６５を介して中
継電極３５に電気的に接続し、この中継電極３５を介して第２のＴＦＴ３０のソース・ド
レイン領域３２に電気的に接続されている。
（発光素子の特性）
発光素子４０としては、いずれの構造のものを用いた場合でも本発明を適用できるので
、その代表的なものを以下に説明する。まず、前記のＩＴＯ膜からなる画素電極４１は、
図７（Ａ）に示すように、発光素子４０の一方の電極（正極）を構成している。この画素
電極４１の表面には正孔注入層４２および発光薄膜として有機半導体膜４３が積層され、
さらに有機半導体膜４３の表面には、リチウム含有アルミニウムまたはカルシウムなどの
金属膜からなる対向電極ｏｐ（負極）が形成されている。この対向電極ｏｐは、透明基板
１０の全面、あるいはストライプ状に形成された共通電極となるべきもので、一定の電位
に保持されている。これに対して、図７（Ａ）に示す発光素子４０とは逆の方向に駆動電
流を流す場合には、図７（Ｂ）に示すように、下層側から上層側に向かって、ＩＴＯ膜か
らなる画素電極４１（負極）、透光性をもつほど薄いリチウム含有アルミニウム電極４５
、有機半導体層４３、正孔注入層４２、ＩＴＯ膜層４６、リチウム含有アルミニウムまた
はカルシウムなどの金属膜からなる対向電極ｏｐ（正極）をこの順に積層して、発光素子
４０を構成する場合もある。
このように構成すると、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す各発光素子４０においてそれぞれ逆
極性の駆動電流が流れる場合でも、正孔注入層４２および有機半導体層４３が直接、接す
る電極層の構成が同一であるため、発光特性が同等である。これらの図７（Ａ）、（Ｂ）
に示した発光素子４０は、いずれも下層側（基板の側）にＩＴＯ膜からなる画素電極４１
を有し、光は、矢印ｈνで示すように、画素電極４１および透明基板１０を透過して透明
基板１０の裏面側から射出される。
これに対して、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように発光素子４０を構成すると、光は、矢
印ｈνで示すように、対向電極ｏｐを透過して透明基板１０の表面側に射出される。すな
わち、図８（Ａ）に示すように、リチウム含有アルミニウムなどの金属膜からなる画素電
極４１（負極）の表面には有機半導体膜４３および正孔注入層４２が積層され、さらに正
孔注入層４２の表面にはＩＴＯ膜からなる対向電極ｏｐ（正極）が形成されている。この
対向電極ｏｐも、全面に一枚板で、あるいはストライプ状に形成された共通電極で、一定
の電位に保持されている。
これに対して、図８（Ａ）に示す発光素子とは逆の方向に駆動電流を流すには、図８（
Ｂ）に示すように、下層側から上層側に向かって、リチウム含有アルミニウムなどの金属
膜からなる画素電極４１（正極）、ＩＴＯ膜層４６、正孔注入層４２、有機半導体層４３
、透光性をもつほど薄いリチウム含有アルミニウム電極４５、ＩＴＯ膜からなる対向電極
ｏｐ（負極）をこの順に積層して、発光素子４０を構成する場合もある。いずれの構造を
有する発光素子４０を形成するにあたっても、正孔注入層４２および有機半導体膜４３は
、後述するように、インクジェット法によりバンク層ｂａｎｋの内側に形成すれば、上下
位置が反対でも製造工程が複雑になることはない。また、透光性をもつほど薄いリチウム
含有アルミニウム電極４５、およびＩＴＯ膜層４６を追加する場合でも、リチウム含有ア
ルミニウム電極４５は画素電極４１と同じ領域で積層している構造になっていても表示に
支障がなく、ＩＴＯ膜層４６も対向電極ｏｐと同じ領域で積層している構造になっていて
も表示に支障がない。それ故、リチウム含有アルミニウム電極４５と画素電極４１とはそ
れぞれ別々にパターニングしてもよいが、同じレジストマスクで一括してパターニングし
てもよい。同様に、ＩＴＯ膜層４６と対向電極ｏｐとはそれぞれ別々にパターニングして
もよいが、同じレジストマスクで一括してパターニングしてもよい。リチウム含有アルミ
ニウム電極４５およびＩＴＯ膜層４６はバンク層ｂａｎｋの内側領域のみに形成してもよ
いことは勿論である。
さらに、対向電極ｏｐの方をＩＴＯ膜で形成し、画素電極４１の方を金属膜で構成して
もよい。いずれも場合でも透明なＩＴＯ膜の方から光が射出されることになる。このよう
に構成された発光素子４０は、対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ正極および負
極として電圧が印加され、図９（図７（Ａ）、図８（Ｂ）に示す発光素子４０の電流−電
圧特性）、図１０（図７（Ｂ）、図８（Ａ）に示す発光素子４０の電流−電圧特性）にそ
れぞれ示すように、印加電圧（横軸／画素電極４１に対する対向電極ｏｐの電位）がしき
い値電圧を越えた領域でオン状態、すなわち、低抵抗状態になって有機半導体膜４３に流
れる電流（駆動電流）が急激に増大する。その結果、発光素子４０は、エレクトロルミネ
ッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発光素子４０の射出光は、対向電極ｏｐ
に反射され、透明な画素電極４１および透明基板１０を通して射出される。それとは反対
に、印加電圧（横軸／画素電極４１に対する対向電極ｏｐの電位）がしきい値電圧を下回
る領域ではオフ状態、すなわち、高抵抗状態になって有機半導体膜４３に電流（駆動電流
）が流れず、発光素子４０は消灯する。なお、図９、図１０に示す例ではそれぞれ＋２Ｖ
付近、−２Ｖ付近がしきい値電圧である。
ここで、発光効率はやや低下する傾向にあるものの、正孔注入層４２を省略することも
ある。また、正孔注入層４２を用いずに、有機半導体層４３に対して正孔注入層４２が形
成されている位置とは反対側の位置に電子注入層を設ける場合もある。また、正孔注入層
４２および電子注入層の両方を設ける場合もある。
（ＴＦＴの特性）
このように構成した発光素子４０での発光を制御するためのＴＦＴ（図２における第１
のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０）として、Ｎチャネル型、およびＰチャネル型のＴ
ＦＴの電流電圧特性を図１１および図１２（いずれの図においても、ドレイン電圧が４Ｖ
、８Ｖの例を示してある。）に示す。これらの図からわかるように、ＴＦＴは、ゲート電
極に印加するゲート電圧によってオン、オフ動作を行う。すなわち、ゲート電圧がしきい
値電圧を越えると、ＴＦＴはオン状態（低抵抗状態）になってドレイン電流が増大する。
これに対して、ゲート電圧がしきい値電圧を下回ると、ＴＦＴはオフ状態（高抵抗状態）
になってドレイン電流が低減する。
（表示装置の製造方法）
このように構成した表示装置１の製造方法において、透明基板１０上に第１のＴＦＴ２
０および第２のＴＦＴ３０を製造するまでの工程は、液晶表示装置１のアクティブマトリ
クス基板を製造する工程と略同様であるため、簡単に図１３を参照してその概要を説明す
る。
図１３は、表示装置１の各構成部分を６００℃以下の温度条件下で形成していく過程を
模式的に示す工程断面図である。すなわち、図１３（Ａ）に示すように、透明基板１０に
対して、必要に応じて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスと
してプラズマＣＶＤ法により厚さが約２０００〜５０００オングストロームのシリコン酸
化膜からなる下地保護膜（図示せず。）を形成する。次に基板の温度を約３５０℃に設定
して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが約３００〜７００オングストロ
ームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜１００を形成する。
次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜１００に対して、レーザアニールまた
は固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜１００をポリシリコン膜に結晶化する。
レーザアニール法では、たとえば、エキシマレーザでビーム形状の長寸が４００ｍｍのラ
インビームを用い、その出力強度はたとえば２００ｍＪ／ｃｍ2である。ラインビームに
ついてはその短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎
に重なるようにラインビームを走査していく。
次に、図１３（Ｂ）に示すように、半導体膜１００をパターニングして島状の半導体膜
２００、３００とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス
などを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約６００〜１５００オングストロー
ムのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜５０を形成する。
次に、図１３（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タ
ングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターニングし
、走査線ｇａｔｅの一部としてのゲート電極２１、３１を形成する。この工程では容量線
ｃｌｉｎｅも形成する。なお、図中、３１０はゲート電極３１の延設部分である。この状
態で高濃度のリンイオンあるいはボロンイオンなどの不純物を打ち込んで、シリコン薄膜
２００、３００にはゲート電極２１、３１に対して自己整合的にソース・ドレイン領域２
２、２３、３２、３３を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域
２７、３７となる。
本実施形態では、後述するように、同一の基板上に導電型の異なるＴＦＴを製造する場
合があるので、その場合には、不純物導入工程において逆導電型のＴＦＴ形成領域をマス
クで覆いながら不純物の導入をすすめていく。
次に、図１３（Ｄ）に示すように、第１の層間絶縁膜５１を形成した後、コンタクトホ
ール６１、６２、６３、６４、６９を形成し、データ線ｓｉｇ、容量線ｃｌｉｎｅおよび
ゲート電極３１の延設部分３１０に重なる延設部分ｓｔ１を備える電位保持電極ｓｔ、共
通給電線ｃｏｍ、および中継電極３５を形成する。その結果、電位保持電極ｓｔはコンタ
クトホール６９および延設部分３１０を介してゲート電極３１に電気的に接続する。この
ようにして第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０を形成する。また、容量線ｃｌｉｎ
ｅと電位保持電極ｓｔの延設部分ｓｔ１とによって保持容量ｃａｐが形成される。
次に、図１３（Ｅ）に示すように、第２の層間絶縁膜５２を形成し、この層間絶縁膜に
は、中継電極３５に相当する部分にコンタクトホール６５を形成する。
次に、第２の層間絶縁膜５２の表面全体に導電膜を形成した後、パターニングし、コン
タクトホール６５を介して第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域３２に電気的に接続
する画素電極４１を形成する。
次に、図１３（Ｆ）に示すように、第２の層間絶縁膜５２の表面側に黒色のレジスト層
を形成した後、このレジストを発光素子４０の有機半導体膜４３、および正孔注入層４２
を形成すべき領域を囲むように残し、バンク層ｂａｎｋを形成する。ここで、有機半導体
膜４３は、各画素毎に独立して箱状に形成される場合、データ線ｓｉｇに沿ってストライ
プ状に形成される場合のいずれであっても、それに対応する形状にバンク層ｂａｎｋを形
成するだけで、本実施形態に係る製造方法を適用できる。
次に、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインクジェットヘッドＩＪから、有機半導
体膜４３を構成するための液状の材料（前駆体）を吐出し、バンク層ｂａｎｋの内側領域
に有機半導体膜４３を形成する。同様に、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインクジ
ェットヘッドＩＪから、正孔注入層４２を構成するための液状の材料（前駆体）を吐出し
、バンク層ｂａｎｋの内側領域に正孔注入層４２を形成する。なお、図７（Ａ）、（Ｂ）
および図８（Ａ）、（Ｂ）を参照して発光素子４０の構造を説明したように、その構造に
よっては、有機半導体膜４３および正孔注入層４２を形成していく順序が入れ替わること
もある。ここで、バンク層ｂａｎｋはレジストから構成されているため、撥水性である。
これに対して、有機半導体膜４３や正孔注入層４２の前駆体は親水性の溶媒を用いている
ため、有機半導体膜４３の塗布領域はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接す
る画素にはみ出ることがない。また、バンク層ｂａｎｋを十分高く形成しておくと、イン
クジェット法を用いなくてもスピンコート法などといった塗布法を用いた場合でも、所定
領域に有機半導体膜４３や正孔注入層４２を形成できる。
本実施形態では、有機半導体膜４３や正孔注入層４２をインクジェット法により形成す
る際の作業効率を高めるために、図３に示すように、走査線ｇａｔｅの延設方向に沿って
隣接するいずれの画素７間でも、前記有機半導体膜４３の形成領域の中心のピッチＰを等
しくしてある。従って、矢印Ｑで示すように、走査線ｇａｔｅの延設方向に沿って等間隔
の位置にインクジェットヘッドＩＪから有機半導体膜４３の材料などを吐出すればよいと
いう利点がある。また、等ピッチの移動でよいため、インクジェットヘッドＩＪの移動機
構が簡易になり、かつ、インクジェットヘッドＩＪの打ち込み精度を上げることも容易と
なる。
しかる後には、図１３（Ｇ）に示すように、透明基板１０の表面側に対向電極ｏｐを形
成する。ここで、対向電極ｏｐは全面またはストライプ状に形成されるが、対向電極ｏｐ
をストライプ状に形成する場合には、透明基板１０の表面全体に導電膜を形成した後、そ
れをストライプ状にパターニングする。
なお、図１に示すデータ側駆動回路３や走査側駆動回路４にもＴＦＴが形成されるが、
これらのＴＦＴは前記の画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部あるいは一部を援用し
て行われる。それ故、駆動回路を構成するＴＦＴも、画素７のＴＦＴと同一の層間に形成
されることになる。
本実施形態において、バンク層ｂａｎｋは黒色で絶縁性のレジストから構成されている
ので、そのまま残し、ブラックマトリクスＢＭ、および寄生容量を低減するための絶縁層
として利用する。
すなわち、図１に示すように、透明基板１０の周辺領域に対しても前記のバンク層ｂａ
ｎｋ（形成領域に斜線を付してある。）を形成する。従って、データ側駆動回路３および
走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａｎｋによって覆われているため、これらの駆
動回路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっても、駆動回路の配線層と対
向電極ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路３、４に
容量が寄生することを防止できるので、データ側駆動回路３の負荷を低減でき、低消費電
力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
また、本実施形態では、図３ないし図５に示すように、データ線ｓｉｇに重なるように
バンク層ｂａｎｋを形成してある。従って、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間にバン
ク層ｂａｎｋが介在することになるので、データ線ｓｉｇに容量が寄生することを防止で
きる。その結果、駆動回路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高
速化を図ることができる。
さらに、本実施形態では、図３、図４、および図６（Ａ）に示すように、画素電極４１
と中継電極３５とが重なる領域にもバンク層ｂａｎｋを形成するとよい。すなわち、図６
（Ｂ）に示すように、画素電極５１と中継電極３５とが重なる領域にバンク層ｂａｎｋが
形成されていない場合、たとえ画素電極と対向電極ｏｐとの間に駆動電流が流れて有機半
導体、膜４３が発光しても、この光は中継電極３５と対向電極ｏｐとに挟まれているため
出射されず、表示に寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示
という面からみて無効電流といえる。しかるに本実施形態では、このような無効電流が流
れるはずの部分にバンク層ｂａｎｋを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止するの
で、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れることが防止できる。それ故、共通給電線ｃｏ
ｍの幅はその分狭くてよい。
また、前記のように黒色のレジストで構成したバンク層ｂａｎｋを残しておくと、バン
ク層ｂａｎｋはブラックマトリクスとして機能し、輝度、コントラスト比等の表示の品位
が向上する。すなわち、本実施形態に係る表示装置１では、対向電極ｏｐが透明基板１０
の表面側の全面、あるいは広い領域にわたってストライプ状に形成されるため、対向電極
ｏｐでの反射光がコントラスト比を低下させる。
しかるに本実施形態では、有機半導体膜４３の形成領域を規定しながら寄生容量を抑え
る機能を有するバンク層ｂａｎｋを黒色のレジストで構成したため、バンク層ｂａｎｋは
ブラックマトリクスとしても機能し、対向電極ｏｐからの無駄な反射光を遮るので、コン
トラスト比が高いという利点がある。また、バンク層ｂａｎｋを利用して自己整合的に発
光領域を規定することができるので、バンク層ｂａｎｋをブラックマトリクスとして用い
ずに別の金属層などをブラックマトリクスとして用いたときに問題となる発光領域とのア
ライメント余裕が不要である。
（アクティブマトリクス基板の別の構成）
なお、本発明は上記の構成に限らず、各種のアクティブマトリクス基板に適用できる。
たとえば、図３１を参照して説明したように、透明基板１の上において、１本のデータ線
ｓｉｇ、１本の共通給電線ｃｏｍ、１列の画素７を１つの単位として走査線ｇａｔｅの延
設方向に繰り返した構成の表示装置１Ａについても本発明を適用できる。
また、保持容量ｃａｐについては、容量線を用いずに、共通給電線ｃｏｍと電位保持電
極ｓｔとの間に構成してもよい。この場合には、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電
位保持電極ｓｔとゲート電極３１とを電気的に接続させるためのゲート電極３１の延設部
分３１０を共通給電線ｃｏｍの下層側にまで拡張し、この延設部分３１０と共通給電線ｃ
ｏｍとの間の位置する第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜とする保持容量ｃａｐを構成する
。
さらに、保持容量ｃａｐについては、図示を省略するが、ＴＦＴを構成するためのポリ
シリコン膜を利用して構成してもよく、また、容量線や共通給電線に限らず、前段の走査
線との間に構成することも可能である。
［実施の形態１］
図１５は、本実施形態の表示装置１の画素構成を示す等価回路図である。図１６（Ａ）
、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
図１５、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本実施形態では、第１のＴＦＴ２０はＮ
チャネル型である。従って、走査線ｇａｔｅから供給される走査信号Ｓgateが高電位にな
ったときに、第１のＴＦＴ２０がオン状態になって、データ線ｓｉｇから第１のＴＦＴ２
０を介して保持容量ｃａｐに画像信号ｄａｔａが書き込まれ、走査線ｇａｔｅから供給さ
れる走査信号Ｓgateが低電位になっている間は、保持容量ｃａｐに保持された画像信号ｄ
ａｔａによって第２のＴＦＴ３０が駆動制御される。
本実施形態では、第２のＴＦＴ３０もＮチャネル型である。従って、データ線ｓｉｇか
らは、点灯状態とすべき画素の保持容量ｃａｐには高電位側の画像信号ｄａｔｅが書き込
まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量ｃａｐには低電位側の画像信号ｄａｔｅが書き込
まれ、それに応じて、電位保持電極ｓｔの電位が変化する。
ここで、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧、Ｖｇcurに、共通給電線ｃｏｍの電位、およ
び画素電極３０の電位のうちの低い方の電位と、電位保持電極ｓｔの電位との差に相当す
る。しかるに本実施形態では、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃ
ｏｍの電位を低くして、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには、矢印Ｆで示すよ
うに、発光素子４０の方から共通給電線ｃｏｍの方に電流が流れるように構成してある。
このため、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位と電位保
持電極ｓｔの電位との差に相当する。この共通給電線ｃｏｍの電位については、共通給電
線ｃｏｍの電位と対向電極ｏｐの電位との間の電位に相当する画素電極３０の電位と相違
して、十分に低い値に設定することができる。従って、本実施形態では、第２のＴＦＴ３
０のゲート電圧Ｖｇcurを十分、高い値とすることができるため、第２のＴＦＴ３０のオ
ン電流が大きいので、高い輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯状態とする
際に、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurとして高い値が得られるのであれば、その
分、そのときの電位保持電極ｓｔの電位、すなわち、画像信号ｄａｔａの高電位側の電位
を下げることができるので、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくし、表示装置１における駆
動電圧を下げることができる。
なお、第２のＴＦＴ３０のオン電流は、ゲート電圧Ｖｇcurに限らず、ドレイン電圧に
も依存するが、上記の結論が変わることはない。また、本実施形態では、第２のＴＦＴ３
０のオン電流が共通給電線ｃｏｍの電位と電位保持電極ｓｔの電位との差に規定され、対
向電極ｏｐの電位から直接的な影響を受けないので、画素を点灯状態とするための画像信
号ｄａｔａの高電位側の電位を、対向電極ｏｐの電位より低い電位にまで下げ、画像信号
ｄａｔａの振幅を小さくして、表示装置１における駆動電圧の低電圧化を図ってある。な
お、画素を点灯状態となるための画像信号ｄａｔａの高電位側の電位を、対向電極ｏｐと
等電位にまで下げ、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてもよい。
さらに、本実施形態では、消灯状態とすべき画素に対してデータ線ｓｉｇから供給され
る画像信号ｄａｔａの電位を、共通給電線ｃｏｍの電位と比較してやや高電位側にしてあ
る。第２のＴＦＴ３０はＮチャネル型であるため、それを完全にターンオフさせるには、
第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurを負（共通給電線ｃｏｍより低い電位）とするこ
とになる。または、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurの絶対値が第２のＴＦＴ３０
のしきい値電圧の絶対値に相当するレベルよりやや低い電位となるように、画像信号ｄａ
ｔａの低電位側の電位を高めに設定する。このときは、消灯状態にある画素７において第
２のＴＦＴ３０のゲート電圧を、第２のＴＦＴ３０がオン状態となるときの極性と同じで
、かつ、第２のＴＦＴ３０のしきい値電圧を下回る値に設定する。この時、画像信号ｄａ
ｔａの低電位側の電位を上記の通りに高めに設定した場合でも、第２のＴＦＴ３０は高抵
抗状態にあって、オン電流が極めて小さいので、発光素子４０は消灯にある。なお、消灯
状態とすべき画素に対してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号ｄａｔａの電位を、共
通給電線ｃｏｍと等電位にして画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてもよい。
このように画像信号ｄａｔａの低電位側の電位を第２のＴＦＴ３０のしきい値を越えな
い程度に高めに設定すると、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくできるので、画像信号ｄａ
ｔａの駆動電圧を下げることができる。しかも、前記のとおり、画素を点灯状態とするた
めの画像信号ｄａｔａの高電位側の電位を、対向電極ｏｐの電位より低い電位にまで下げ
てあるので、画像信号ｄａｔａの電位は、対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとで規定され
るレンジ内におさまる。それ故、表示装置１における駆動電圧を下げることができ、表示
装置１の消費電力を下げることができる。また、このように構成しても、画質の低下、動
作の異常、動作可能な周波数の低下を招くものではなく、表示装置１の駆動電圧が低い分
、薄膜から構成した各素子で懸念されていた耐電圧（絶縁耐圧）の問題が顕在化しないと
いう利点もある。
［実施の形態１の変形例］
図１７は、本実施形態の表示装置１の画素構成を示す等価回路図である。図１８（Ａ）
、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。なお、本実施形態では、実施の形態１と
は反対に、第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０のいずれをもＰチャネル型のＴＦＴ
で構成してある。但し、本実施形態は、実施の形態１と同一の技術的思想のもとで各素子
を駆動制御することとし、実施の形態１で説明した駆動信号の極性を反転させてあるだけ
であり、その他の点については同様な構成を有するものであるため、構成については簡単
に説明するだけとする。
図１７、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本実施形態では、第１のＴＦＴ２０はＰ
チャネル型であるため、走査線ｇａｔｅから供給される走査信号Ｓgateが低電位になった
ときに、第１のＴＦＴ２０がオン状態になる。本実施形態では、第２のＴＦＴ３０もＰチ
ャネル型である。従って、データ線ｓｉｇからは、点灯状態とすべき画素の保持容量ｃａ
ｐに低電位側の画像信号ｄａｔｅが書き込まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量ｃａｐ
には高電位側の画像信号ｄａｔｅが書き込まれる。
ここで、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位、および
画素電極３０の電位のうちの高い方の電位と、電位保持電極ｓｔの電位との差に相当する
。しかるに本実施形態では、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃｏ
ｍの電位を高くして、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには、矢印Ｅで示すよう
に、共通給電線ｃｏｍの方から発光素子４０の方に電流が流れるように構成してある。こ
のため、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位と電位保持
電極ｓｔの電位との差に相当する。この共通給電線ｃｏｍの電位については、共通給電線
ｃｏｍの電位と対向電極ｏｐの電位との間の電位に相当する画素電極３０の電位と相違し
て、十分に高い値に設定することができる。従って、本実施形態では、第２のＴＦＴ３０
のゲート電圧Ｖｇcurを十分、高い値とすることができるため、第２のＴＦＴ３０のオン
電流が大きいので、高い輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯状態とする際
に、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurとして高い値が得られるのであれば、その分
、そのときの電位保持電極ｓｔの電位、すなわち、画像信号ｄａｔａの低電位側の電位を
上げることができるので、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくできる。
また、本実施形態では、第２のＴＦＴ３０のオン電流が対向電極ｏｐの電位から直接的
には影響を受けないので、画素を点灯状態とするための画像信号ｄａｔａの低電位側の電
位を、対向電極ｏｐの電位よりやや高い電位まで上げ、画像信号ｄａｔａの振幅を小さく
してある。なお、画素を点灯状態とするための画像信号ｄａｔａの低電位側の電位を、対
向電極ｏｐと等電位にまで上げ、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてもよい。
さらに、本実施形態では、消灯状態とすべき画素に対してデータ線ｓｉｇから供給され
る画像信号ｄａｔａの電位を、共通給電線ｃｏｍの電位と比較してやや低電位にまで下げ
てある。すなわち、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurの絶対値がこのＴＦＴのしき
い値電圧の絶対値に相当するレベルよりやや低い電位となるように、画像信号ｄａｔａの
高電位側の電位を低めに設定してある。これにより、第２のＴＦＴ３０ではオン電流が極
めて小さくなり、発光素子４０は消灯にある。なお、消灯状態とすべき画素に対してデー
タ線ｓｉｇから供給される画像信号ｄａｔａの電位を、共通給電線ｃｏｍと等電位にして
画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてもよい。
このように画像信号ｄａｔａの低電位側の電位を高めに設定し、かつ、画素を点灯状態
とするための画像信号ｄａｔａの高電位側の電位を低めに設定してあるので、画像信号ｄ
ａｔａの電位は、対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとで規定されるレンジ内におさまる。
それ故、表示装置１における駆動電圧を下げることができ、表示装置１の消費電力を下げ
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
［実施の形態２］
図１９は、本実施形態の表示装置１の画素構成を示す等価回路図である。
図２０（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示
す説明図、および駆動信号などの電位変化を示す波形図である。図１９、図２０（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、本実施形態では、第１のＴＦＴ２０をＮチャネル型のＴＦＴで、第
２のＴＦＴ３０をＰチャネル型のＴＦＴで構成してある。第２のＴＦＴ３０はＰチャネル
型であるため、データ線ｓｉｇからは、点灯状態とすべき画素の保持容量ｃａｐには低電
位側の画像信号ｄａｔｅが書き込まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量ｃａｐには高電
位側の画像信号ｄａｔｅが書き込まれる。第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共
通給電線ｃｏｍの電位、および画素電極３０の電位のうちの高い方の電位と、電位保持電
極ｓｔの電位との差に相当する。
本実施形態では、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃｏｍの電位
を高くして、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位と電位
保持電極ｓｔの電位との差に相当するように構成してある。この共通給電線ｃｏｍの電位
については、画素電極４１と比較して十分に高い値に設定することができるので、第２の
ＴＦＴ３０のオン電流が大きく、高い輝度で表示を行うことができる。また、その分、そ
のときの電位保持電極ｓｔの電位、すなわち、画像信号ｄａｔａの低電位側の電位を上げ
ることができるので、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくできる。また、第２のＴＦＴ３０
のオン電流が対向電極ｏｐの電位から直接的には影響を受けないので、画素を点灯状態と
するための画像信号ｄａｔａの低電位側の電位を、対向電極ｏｐの電位より高い電位、あ
るいは等電位にまで上げ、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてある。
さらに、本実施形態では、消灯状態とすべき画素に対してデータ線ｓｉｇから供給され
る画像信号ｄａｔａの電位を、共通給電線ｃｏｍの電位と比較してやや低電位、あるいは
等電位にして画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてある。それ故、画像信号ｄａｔａの電
位を、対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとで規定されるレンジ内におさめ、ひいては表示
装置１における駆動電圧を下げてあるので、表示装置１の消費電力を下げることができる
など、実施の形態１、あるいはその変形例と同様な効果を奏する。
本実施形態では、第１のＴＦＴ２０はＮチャネル型で、第２のＴＦＴ３０と逆導電型で
あるため、画素を選択するときの走査線ｇａｔｅの電位（走査信号Ｓgate）は高電位であ
る。このときの第１のＴＦＴ２０のゲート電圧Ｖｇswは、走査信号Ｓgateの高電位にある
電位と電位保持電極ｓｔ（保持容量ｓｔの電位、第２のＴＦＴ３０のゲート電極の電位）
との電位差に相当する。ここで、第２のＴＦＴ３０はＰチャンネル型であるため、画素７
を点灯させるための画像信号ｄａｔａは低電位側であり、画素７の選択期間中、電位保持
電極ｓｔの電位は低下していく。従って、第１のＴＦＴ２０のゲート電圧Ｖｇswは、オン
電流が増大する方にシフトしていく。
一方、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍと電位保持電極ｓ
ｔとの電位差に相当し、選択した画素７が点灯状態にあるときには、選択期間中、電位保
持電極ｓｔの電位は低下する傾向にあるため、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは
、オン電流が増大する方にシフトしていく。
このように、本実施形態では、第１のＴＦＴ２０と第２のＴＦＴ３０とが逆導電型であ
るため、第１のＴＦＴ２０の書き込み能力を上げるためには走査信号Ｓgateの選択パルス
高を高くし、発光素子４０の輝度を上げるために第２のＴＦＴ３０のオン抵抗を下げるべ
く画像信号ｄａｔａを低くすることになる。このような走査信号Ｓgateの選択パルス高と
画像信号ｄａｔａとに対する最適化は、画素７の選択期間中、発光素子４０を点灯させる
レベルの画像信号ｄａｔａが保持容量ｃａｐに書き込まれていくにつれて、第１のＴＦＴ
２０のゲート電圧に対して、当該ＴＦＴのオン電流が増大する方にシフトさせるのに効く
。それ故、データ線ｓｉｇから第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに画像信号ｄａ
ｔａがスムーズに書き込まれる。
ここで、画素７を選択する際の第１のＴＦＴ２０のゲート電圧Ｖｇswは、走査信号Ｓga
teの高電位に相当する電位と電位保持電極ｓｔの電位（保持容量ｃａｐの電位、または第
２のＴＦＴ３０のゲート電極の電位）との差に相当し、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖ
ｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位と電位保持電極ｓｔの電位との差に相当し、電位保持
電極ｓｔの電位を基準にしたときには、走査信号Ｓgateの高電位に相当する電位と共通給
電線ｃｏｍの電位は同じ極性である。従って、電位保持電極ｓｔの電位を変更すれば、そ
の分、第１のＴＦＴ２０のゲート電圧Ｖｇswおよび第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcu
rの双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。
それ故、表示装置１の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号ｄａｔａの電
位を、第１のＴＦＴ２０のオン時の抵抗が小さくなる方向に変更すれば、表示動作の高速
化を図ることができるとともに、このときには第２のＴＦＴ３０のオン時の抵抗が小さく
なる方向に点灯のための画像信号ｄａｔａの電位が変更したことになるので、輝度の向上
を図ることができる。よって、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成する
ことができる。
［実施の形態２の変形例］
図２１は、本実施形態の表示装置１の画素構成を示す等価回路図である。図２２（Ａ）
、（Ｂ）はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。なお、本実施形態では、実施の形態２と
は反対に、第１のＴＦＴ２０をＰチャネル型とし、第２のＴＦＴ３０をＮチャネル型のＴ
ＦＴで構成してある。但し、本実施形態は、実施の形態２と同一の技術的思想のもとで各
素子を駆動制御することとし、実施の形態２で説明した駆動信号の極性を反転させてある
だけであるため、その構成を簡単に説明するに止める。
図２１、図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本実施形態では、実施形態１と同様、第
２のＴＦＴ３０はＮチャネル型であるため、データ線ｓｉｇからは、点灯状態とすべき画
素の保持容量ｃａｐには高電位側の画像信号ｄａｔｅが書き込まれ、消灯状態とすべき画
素の保持容量ｃａｐには低電位側の画像信号ｄａｔｅが書き込まれる。ここで、第２のＴ
ＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位、および画素電極３０の電位
のうちの低い方の電位と、電位保持電極ｓｔの電位との差に相当する。しかるに本実施形
態では、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃｏｍの電位を低くして
あるため、第２のＴＦＴ３０のゲート電圧Ｖｇcurは、共通給電線ｃｏｍの電位と電位保
持電極ｓｔの電位との差に相当する。この共通給電線ｃｏｍの電位については十分に低く
電位とすることができるので、第２のＴＦＴ３０のオン電流が大きく、高い輝度で表示を
行うことができる。または、輝度が高い分、そのときの電位保持電極ｓｔの電位、すなわ
ち、画像信号ｄａｔａの高電位側の電位を上げて、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくでき
る。また、第２のＴＦＴ３０のオン電流が対向電極ｏｐの電位から直接的には影響を受け
ないので、画素を点灯状態とするための画像信号ｄａｔａの高電位側の電位を、対向電極
ｏｐの電位より低い電位、あるいは等電位にまで下げ、画像信号ｄａｔａの振幅を小さく
してある。さらに、本実施形態では、消灯状態とすべき画素に対してデータ線ｓｉｇから
供給される画像信号ｄａｔａの電位を、共通給電線ｃｏｍの電位と比較してやや高電位、
あるいは等電位にして画像信号ｄａｔａの振幅を小さくしてある。それ故、画像信号ｄａ
ｔａの電位を、対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとで規定されるレンジ内におさめ、表示
装置１における駆動電圧を下げてあるので、表示装置１の消費電力を下げることができる
など、実施形態１、あるいはその変形例と同様な効果を奏する。
本実施形態では第１のＴＦＴ２０はＰチャネル型で、第２のＴＦＴ３０と逆導電型であ
るため、画素を選択するときの走査線ｇａｔｅの電位（走査信号Ｓgate）は低電位である
。これに対して、第２のＴＦＴ３０はＮチャネル型であるため、画素７を点灯させるため
の画像信号ｄａｔａは高電位側である。このように、本実施形態では、第１のＴＦＴ２０
と第２のＴＦＴ３０とが逆導電型であるため、第１のＴＦＴ２０の書き込み能力を上げる
ためには走査信号Ｓgateの選択パルスの電位を低くし、発光素子４０の輝度を上げるため
に第２のＴＦＴ３０のオン抵抗を下げるべく画像信号ｄａｔａの電位を低くすることにな
る。このような走査信号Ｓgateの選択パルス高と画像信号ｄａｔａとに対する最適化は、
画素７の選択期間中、発光素子４０を点灯させるレベルの画像信号ｄａｔａが保持容量ｃ
ａｐに書き込まれていくにつれて、第１のＴＦＴ２０のゲート電圧に対して、当該ＴＦＴ
のオン電流が増大する方にシフトさせるのに効く。
従って、電位保持電極ｓｔの電位を基準にしたときには、走査信号Ｓgateの低電位に相
当する電位と共通給電線ｃｏｍの電位は同じ極性であるため、電位保持電極ｓｔの電位を
変更すれば、その分、第１のＴＦＴ２０のゲート電圧Ｖｇswおよび第２のＴＦＴ３０のゲ
ート電圧Ｖｇcurの双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。それ故、表示装置１の駆動
電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号ｄａｔａの電位を、第１のＴＦＴ２０のオ
ン時の抵抗が小さくなる方向に変更すれば、表示動作の高速化を図ることができる。この
ときには第２のＴＦＴ３０のオン時の抵抗が小さくなる方向に点灯のための画像信号ｄａ
ｔａの電位を変更したことになるので、輝度の向上を図ることもできる。よって、実施の
形態２と同様、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することができる。
尚、上述の実施の形態２及び実施の形態２の変形例において、最適な駆動方法について図
２５を用いて説明する。
実施形態２においては、第１のＴＦＴはＮチャネル型であり、第２のＴＦＴはＰチャネ
ル型である。図２５に示されるように、発光素子４０を消灯させる際には、画像信号ｄａ
ｔａの電位を共通給電線ｃｏｍの電位よりも高くしてＰチャネル型の第２のＴＦＴ３０を
ターンオフさせているが、本実施形態では、図２５に示すように、発光素子４０を消灯さ
せる場合でも、第２のＴＦＴ３０を完全にターンオフさせない。すなわち、本実施形態で
は、第２のＴＦＴ３０がＰチャネル型であるため、それを完全にターンオフさせるには、
ゲート電圧Ｖｇcurを０Ｖ（共通給電線ｃｏｍと同電位）、あるいは正の電位（共通給電
線ｃｏｍより高い電位）とすることになるが、本実施形態では、第２のＴＦＴ３０のゲー
ト電圧ＶｇcurがこのＴＦＴのしきい値電圧Ｖthp(cur)に相当するレベルよりやや高い電
位となるように、画像信号ｄａｔａの消灯時の電位を低めに設定してある。
従って、消灯状態にある画素７において第２のＴＦＴ３０に印加されるゲート電圧は、
第２のＴＦＴ３０がオン状態となるときの極性と同じであるが、第２のＴＦＴ３０のしき
い値電圧（Ｖthp(cur)）を上回るような値である。例えば、第２のＴＦＴ３０のしきい値
電圧（Ｖthp(cur)）を−４Ｖとしたとき、消灯状態で第２のＴＦＴ３０に印加されるゲー
ト電圧は−３Ｖとする。
このように第１のＴＦＴがＮ型、第２のＴＦＴがＰ型の場合、画像信号ｄａｔａの消灯
側の電位を従来より低めに設定すると、画像信号ｄａｔａの振幅を小さくできるので、画
像信号ｄａｔａの低電圧化および高周波化を図ることができる。また、このように画像信
号ｄａｔａの消灯側の電位を低めに設定した場合でも、Ｐチャネル型の第２のＴＦＴ３０
では、しきい値電圧Ｖthp(cur)に相当するレベルよりやや高めの電位であるので、消灯時
に流れる電流は極めて小さい。
また、発光素子４０にかかる電圧が低ければ、極めて小さい駆動電流しか流れ込まない
。それ故、発光素子４０を消灯させるのに実質上、問題点がない。また、本実施形態では
、画像信号ｄａｔａの消灯時の電位が共通給電線ｃｏｍの電位を越える必要がなければ、
共通給電線ｃｏｍの電位を比較的高めに設定できる。そこで、本実施形態では、共通給電
線ｃｏｍの電位を、第１のＴＦＴ２０をオン状態にするときの走査信号Ｓgateの電位と等
しくしてある。それ故、走査側駆動回路において、走査信号Ｓgateの高電位として用いた
信号レベルをそのまま共通給電線ｃｏｍに供給すればよいので、本実施形態の表示装置１
では、使用する駆動信号のレベルの数が少なくて済み、表示装置１に駆動信号を入力する
ための端子数を減らすことができる。また、電源数を減らすことができるため、電源回路
の低消費電力化、省スペース化を図ることができる。
この場合には、第１のＴＦＴ２０がＮチャネル型で、第２のＴＦＴ３０がＰチャネル型
なので、消灯状態にある画素７の第２のＴＦＴ３０に印加されるゲート電極の電位は、第
１のＴＦＴ２０をオン状態にするときの走査信号ｇａｔｅの電位から当該第１のＴＦＴ２
０のしきい値電圧Ｖthn(sw)を差し引いた電位よりも低電位にする。すなわち、画素７を
消灯状態にするときの画像信号ｄａｔａ（電位保持電極ｓｔの電位）と共通給電線ｃｏｍ
との電位差Ｖoffの絶対値を下式Ｖthn(sw)＜｜Ｖoff｜に示すように、第１のＴＦＴ２０
のしきい値電圧Ｖthn(sw)よりも大きく設定し、画素７を選択する際の第１のＴＦＴ２０
の書き込み動作に支障が発生することを防止すればよい。
なお、実施形態２の変形例の第１のＴＦＴ２０がＰチャネル型で、第２のＴＦＴ３０が
Ｎチャネル型の場合には、図２６および図２７（Ａ）、（Ｂ）を参照して後述するように
、本実施形態で説明した各信号の相対的な高低を入れ換えて、第１のＴＦＴ２０や第２の
ＴＦＴ３０に印加される電圧の極性を反転させることになる。この場合でも、本実施形態
のように、発光素子４０を消灯させる際に第２のＴＦＴ３０を完全にターンオフさせなけ
れば、画像信号ｄａｔａの低電圧化および高周波化を図ることができる。また、共通給電
線ｃｏｍの電位を、第１のＴＦＴ２０をオン状態にするときの走査信号Ｓgateの電位と等
しくすることにより、電源数を減らすことができる。この場合には、画素７を選択する際
の第１のＴＦＴ２０の書き込み動作に支障がないように、消灯状態にある画素７の第２の
ＴＦＴ３０に印加されるゲート電極の電位は、第１のＴＦＴ２０をオン状態にするときの
走査信号ｇａｔｅの電位に当該第１のＴＦＴ２０のしきい値電圧Ｖthn(sw)を加えた電位
よりも高電位にする。
［実施形態３］
本実施形態は、図２３にその等価回路を示すように、実施の形態２と同様、いずれの画
素７においても第１のＴＦＴ２０をＮチャネル型とし、第２のＴＦＴ３０をＰチャネル型
とした構成の一例である。また、本実施形態に係る表示装置１でも、第２のＴＦＴ３０が
Ｐチャネル型なので、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃｏｍの電
位を高くしてある。従って、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには、矢印Ｅで示
すように、共通給電線ｃｏｍの方から発光素子４０の方に電流が流れる。
尚、実施の形態２と同様であるため、共通する点については説明を省略し、異なる点に
ついてのみ記載する。実施の形態２では保持容量が設けられていたが、本実施の形態では
、保持容量ｃａｐが無い点で異なる。このような構成とすることにより、出に保持電極ｓ
ｔの電位の変化を大きくすることができる。
なお、第１のＴＦＴ２０がＰチャネル型で、第２のＴＦＴ３０がＮチャネル型の場合に
は、図２６および図２７（Ａ）、（Ｂ）を参照して後述するように、本実施形態で説明し
た各信号の相対的な高低を入れ換えて、第１のＴＦＴ２０や第２のＴＦＴ３０に印加され
る電圧の極性を反転させることになる。この場合でも、第１のＴＦＴ２０の書き込み能力
を上げるために走査信号の選択パルスの電位を低くし、第２のＴＦＴ３０のオン抵抗を下
げて発光輝度を上げるためには画像信号の電位を高くすることになる。
［実施形態３の変形例］
なお、上記実施の形態３では、いずれの画素７においても、第１のＴＦＴ２０がＮチャ
ネル型で、第２のＴＦＴ３０がＰチャネル型の場合を説明したが、図２６に等価回路を示
すように、第１のＴＦＴ２０がＰチャネル型で、第２のＴＦＴ３０がＮチャネル型として
構成してもよい。この図に示す例では、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通
給電線ｃｏｍの電位を低くして、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには、矢印Ｆ
で示すように、発光素子４０の対向電極ｏｐの方から共通給電線ｃｏｍの方に電流が流れ
るように構成してある。
このように画素７を構成した場合には、図２７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、図２４（
Ａ）に示した波形の各駆動信号の極性を反転させることになる。なお、実施の形態３にお
いては、第１のＴＦＴ２０がＮチャネル型で、第２のＴＦＴ３０がＰチャネル型のときに
は、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃｏｍの電位を低くして、第
２のＴＦＴ３０がオン状態になったときは、発光素子４０の対向電極ｏｐの方から共通給
電線ｃｏｍの方に電流が流れるように構成する場合もあり、このように構成した場合でも
、第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０を逆導電型にしたことの効果については得る
ことができる。それとは逆に、第１のＴＦＴ２０がＰチャネル型で、第２のＴＦＴ３０が
Ｎチャネル型のときには、発光素子４０の対向電極ｏｐの電位に対して共通給電線ｃｏｍ
の電位を高くして、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときは、共通給電線ｃｏｍの方
から発光素子４０の方に電流が流れるように構成した場合も、第１のＴＦＴ２０および第
２のＴＦＴ３０を逆導電型にしたことの効果については得ることができる。
［実施形態４］
上記のいずれの形態１、２、３においても、図２８（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する
ように、保持容量ｃａｐの両電極のうち、第２のＴＦＴ３０のゲート電極に電気的に接続
する電極とは反対側の電極には、走査信号ｇａｔｅの選択パルスより遅延して該選択パル
スとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるように構成してもよい。
ここに示す例では、図２８（Ａ）に示すように、保持容量ｃａｐの両電極のうち、第２
のＴＦＴ３０のゲート電極に電位保持電極ｓｔを介して電気的に接続する電極とは反対側
の電極が、走査線ｇａｔｅと並列するように延設された容量線ｃｌｉｎｅで構成されてい
る。
この容量線ｃｌｉｎｅには、図２８（Ｂ）に示すように、走査信号Ｓgateの選択パルス
Ｐgateより遅延して該選択パルスＰgateとは電位が逆方向に振れるパルス信号Ｐstgを含
む電位ｓｔｇが供給されるように構成されている。パルス信号Ｐstgは、該選択パルスＰg
ateが非選択状態になった後、保持容量ｃａｐの容量結合を利用して画像信号ｄａｔａの
電位をシフトさせる。このため、画素７が消灯状態の保持容量ｃａｐには画像信号ｄａｔ
ａの電位にパルス信号Ｐstgの電位を加算した分の信号が保持される。画像信号ｄａｔａ
の高電位側の信号は第１のＴＦＴ２０のオン抵抗が大きいため、書き込みを限られた時間
で十分に行うは難しい。この例では、書き込みが十分でない場合、点灯できないことにな
る。しかし、本実施形態の実施例を用いることにより、保持容量ｃａｐへの画像信号ｄａ
ｔａの書き込みを補うことができる。それでいて、駆動信号の電位の最大レンジが拡がる
ことがない。
このようにして、容量線ｃｌｉｎｅにパルス信号Ｐstgをのせるにあたっては、図２９
に示すように、容量線ｃｌｉｎｅを走査側駆動回路４から引き出すとともに、走査側駆動
回路４においては、いずれのゲート段にもシフトレジスタ４０１からの出力信号をＮＡＮ
Ｄゲート回路およびインバータを介して走査線ｇａｔｅに走査信号Ｓgateとして出力する
一方、シフトレジスタ４０１からの出力信号をＮＡＮＤゲート回路および２段のインバー
タを介して遅延させながら、図３０に示すように、高電位側の電源レベルをＶｄｄから電
位Ｖｃｃｙにレベルシフトして容量線ｃｌｉｎｅに出力すればよい。
上述の実施の形態及びそれらの変形例においては、保持容量を付加する場合は、容量線
ｃｌｉｎｅを設けたタイプの発光素子について説明した。しかしながら、本実施の形態は
このような容量線ｃｌｉｎｅを設ける構成に限るものではなく、保持容量の一方の電極を
隣接するゲート線により構成にしてもよい。かかる構成の一例を図３４（Ａ）に回路ブロ
ック図を、ゲート線の走査方向に対するゲート電極の電圧波形を図３４（Ｂ）にそれぞれ
示す。このように、当該画素に対して、隣接するゲート線を保持容量の一方の電極として
構成することにより、容量線ｃｌｉｎｅをわざわざ設ける必要がないという効果を有する
ものである。
［その他の実施の形態］
上記のいずれの形態についても、第２のＴＦＴ３０の電流−電圧特性のいずれの領域で
動作させるかについて記載しなかったが、第２のＴＦＴ３０をその飽和領域で動作させれ
ば、ＴＦＴの弱い定電流特性を利用して発光素子４０に異常電流が流れることを防止する
ことができる。例えば、発光素子４０を構成する有機半導体膜等にピンホール欠陥が生じ
ていることがあるが、その場合でも、欠陥のある発光素子に流れる電流は制限され、発光
素子４０の電極間で完全ショートになることがない。
これに対して、第２のＴＦＴ３０をその線形領域で動作させれば、そのしきい値電圧の
ばらつきが表示動作に影響を及ぼすことを防止することができる。なお、ＴＦＴの構造に
ついても、トップゲート型に限らず、ボトムゲート型でもよく、その製造方法に関しても
低温プロセスに限定されるものではない。
（発明の利用可能性）
以上説明したように、上記の表示装置では、第２のＴＦＴのオン時のゲート電圧は、共
通給電線の電位および画素電極の電位のうちの一方の電位と、ゲート電極の電位（画像信
号の電位）との差に相当するので、第２のＴＦＴの導電型に応じて、共通給電線の電位と
発光素子の対向電極の電位との相対的な高低を設定し、第２のＴＦＴのゲート電圧は、共
通給電線の電位と電位保持電極の電位との差に相当するように構成してある。たとえば、
第２のＴＦＴがＮチャネル型であれば、発光素子の対向電極の電位に対して共通給電線の
電位を低くしてある。この共通給電線の電位については、画素電極の電位と相違して、十
分に低い値に設定することができるため、第２のＴＦＴで大きなオン電流が得られ、高い
輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯状態とする際に、第２のＴＦＴのとし
て高いゲート電圧が得られるのであれば、その分、そのときの画像信号の電位を下げるこ
とができるので、画像信号の振幅を小さくし、表示装置における駆動電圧を下げることが
できる。それ故、消費電力を低減できるともに、薄膜で構成された各素子で懸念されてい
た耐電圧の問題が顕在化しないという利点がある。
また、本発明の上記の表示装置では、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとが逆導電型である
ため、画素を選択するための走査信号のパルスと、発光素子を点灯させるための画像信号
の電位とは逆にふれる関係にある。従って、点灯時の電位保持電極の電位（点灯のための
画像信号の電位）を基準にしたときには、走査信号の高電位に相当する電位と共通給電線
の電位は同じ極性であるため、点灯時の電位保持電極の電位（点灯のための画像信号の電
位）を変更すれば、その分、第１のＴＦＴのゲート電圧および第２のＴＦＴのゲート電圧
の双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。それ故、表示装置の駆動電圧レンジの範囲内
で、点灯のための画像信号の電位を、第１のＴＦＴのオン時の抵抗が小さくなる方向にシ
フトさせれば、表示動作の高速化を図ることができるとともに、このときには第２のＴＦ
Ｔのオン時の抵抗が小さくなる方向に点灯のための画像信号の電位がシフトしたことにな
るので、輝度の向上を図ることができる。よって、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上
とを併せて達成することができる。
さらに、上記の表示装置では、保持容量の両電極のうち、第２のＴＦＴの第２のゲート
電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、走査信号の選択パルスより遅延して
該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるので、保持容量への画像信号
の書き込みを補うことができる。それ故、画像信号の振幅を大きくせずに、第２のＴＦＴ
のゲート電極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方向にシフトさせることができる
。
１…表示装置、２…表示部、３…データ側駆動回路、４…走査側駆動回路、５…検査回
路、６…実装用パッド、７…画素、１０…透明基板、２０…第１のＴＦＴ、２１…第１の
ＴＦＴのゲート電極、３０…第２のＴＦＴ、３１…第２のＴＦＴのゲート電極、４０…発
光素子、４１…画素電極、４２…正孔注入層、４３…有機半導体膜、５０…ゲート絶縁膜
、ｂａｎｋ…バンク層、ｃａｐ…保持容量、ｃｌｉｎｅ…容量線、ｃｏｍ…共通給電線、
ｇａｔｅ…走査線、ｏｐ…対向電極、ｓｉｇ…データ線、ｓｔ…電位保持電極。

Claims (8)

  1. 走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、
    前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、
    前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、
    消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、
    点灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される前記画像信号の電位より低い電位であり、
    前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であること、
    を特徴とする表示装置。
  2. 走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、
    前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第１のトランジスタと、前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第２のトランジスタと、前記画素電極が前記第２のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、
    前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、
    消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第２のトランジスタのゲート電極の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、
    点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位より低い電位であり、
    前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であること、
    を特徴とする表示装置。
  3. 請求項１又は２に記載の表示装置であって、
    前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位を基準としたとき、前記給電線の電位と同じ極性であること、
    を特徴とする表示装置。
  4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置であって、
    前記給電線の電位は、前記画素を選択するときの前記走査線の電位と等電位であること、
    を特徴とする表示装置。
  5. 請求項２に記載の表示装置であって、
    前記給電線の電位及び前記画素電極の電位のうち高い方の電位と、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第１のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の電位との電位差は、前記第２のトランジスタのしきい値電圧に相当する電圧よりも大であること、
    を特徴とする表示装置。
  6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置であって、
    前記発光素子は有機半導体膜を含むこと、
    を特徴とする表示装置。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置であって、
    前記第２のトランジスタは飽和領域で動作するように構成されていること、
    を特徴とする表示装置。
  8. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置であって、
    前記第２のトランジスタは線形領域で動作するように構成されていること、
    を特徴とする表示装置。
JP2009089815A 1997-02-17 2009-04-02 表示装置 Expired - Lifetime JP5018819B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089815A JP5018819B2 (ja) 1997-02-17 2009-04-02 表示装置

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3247497 1997-02-17
JP1997032474 1997-02-17
JP23635197 1997-09-01
JP1997236351 1997-09-01
JP1997236353 1997-09-01
JP23635397 1997-09-01
JP2009089815A JP5018819B2 (ja) 1997-02-17 2009-04-02 表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003182909A Division JP2004004911A (ja) 1997-02-17 2003-06-26 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009187019A JP2009187019A (ja) 2009-08-20
JP5018819B2 true JP5018819B2 (ja) 2012-09-05

Family

ID=27287719

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53136098A Expired - Lifetime JP3528182B2 (ja) 1997-02-17 1998-02-17 表示装置
JP2008206695A Expired - Lifetime JP5120141B2 (ja) 1997-02-17 2008-08-11 表示装置
JP2009089815A Expired - Lifetime JP5018819B2 (ja) 1997-02-17 2009-04-02 表示装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53136098A Expired - Lifetime JP3528182B2 (ja) 1997-02-17 1998-02-17 表示装置
JP2008206695A Expired - Lifetime JP5120141B2 (ja) 1997-02-17 2008-08-11 表示装置

Country Status (8)

Country Link
US (11) US6522315B2 (ja)
EP (7) EP1830343A3 (ja)
JP (3) JP3528182B2 (ja)
KR (9) KR100541253B1 (ja)
CN (4) CN1506929B (ja)
DE (2) DE69829084T2 (ja)
TW (2) TW578130B (ja)
WO (1) WO1998036407A1 (ja)

Families Citing this family (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
US6518962B2 (en) * 1997-03-12 2003-02-11 Seiko Epson Corporation Pixel circuit display apparatus and electronic apparatus equipped with current driving type light-emitting device
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR100627091B1 (ko) * 1997-08-21 2006-09-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시장치
KR100244185B1 (ko) * 1997-09-18 2000-02-01 구자홍 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
JP2005166687A (ja) * 1998-12-01 2005-06-23 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2000227771A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
JP2005209656A (ja) * 1998-12-01 2005-08-04 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2000227770A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
TW468269B (en) * 1999-01-28 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same
JP2000231346A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4372943B2 (ja) 1999-02-23 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP4637315B2 (ja) * 1999-02-24 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6858898B1 (en) * 1999-03-23 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4472073B2 (ja) 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2001093666A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Sharp Corp 有機ｌｅｄディスプレイおよびその製造方法
JP2001109404A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
TW468283B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP4854840B2 (ja) * 1999-10-12 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW591584B (en) * 1999-10-21 2004-06-11 Semiconductor Energy Lab Active matrix type display device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
US6750835B2 (en) * 1999-12-27 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device and driving method thereof
JP4212079B2 (ja) * 2000-01-11 2009-01-21 ローム株式会社 表示装置およびその駆動方法
TWI252592B (en) 2000-01-17 2006-04-01 Semiconductor Energy Lab EL display device
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
TW577241B (en) * 2000-03-28 2004-02-21 Sanyo Electric Co Display device
GB2360870A (en) * 2000-03-31 2001-10-03 Seiko Epson Corp Driver circuit for organic electroluminescent device
TWI282457B (en) 2000-04-06 2007-06-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect
TW521237B (en) * 2000-04-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6847341B2 (en) * 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
US8610645B2 (en) 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7633471B2 (en) 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
JP3723747B2 (ja) 2000-06-16 2005-12-07 松下電器産業株式会社 表示装置およびその駆動方法
US6738034B2 (en) 2000-06-27 2004-05-18 Hitachi, Ltd. Picture image display device and method of driving the same
JP2002083689A (ja) * 2000-06-29 2002-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
CN1658266A (zh) 2000-07-07 2005-08-24 精工爱普生株式会社 驱动电流驱动元件的驱动电路及其方法
DE60142321D1 (de) 2000-07-07 2010-07-22 Seiko Epson Corp Stromabtastschaltung für organische Elektrolumineszenzanzeige
KR100344810B1 (ko) * 2000-07-26 2002-07-20 엘지전자주식회사 고전압소자를 이용한 전류구동회로
US6879110B2 (en) * 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US6864628B2 (en) 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP2002185813A (ja) * 2000-08-31 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高圧偏向回路
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
US7315295B2 (en) * 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP3972354B2 (ja) 2000-10-17 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の製造方法
SG114502A1 (en) 2000-10-24 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
JP2002200936A (ja) 2000-11-06 2002-07-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び車両
JP2002162644A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002169509A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 平面表示パネルの駆動方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの駆動方法
US7088330B2 (en) * 2000-12-25 2006-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device and method for driving the display device
JP3757797B2 (ja) 2001-01-09 2006-03-22 株式会社日立製作所 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法
US6825496B2 (en) 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3989718B2 (ja) * 2001-01-18 2007-10-10 シャープ株式会社 メモリ一体型表示素子
US6893887B2 (en) 2001-01-18 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for producing a light emitting device
JP2002244617A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ画素回路
SG143942A1 (en) * 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6720198B2 (en) * 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JPWO2002077958A1 (ja) 2001-03-22 2004-07-15 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路
JP3608614B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP3612494B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-19 株式会社日立製作所 表示装置
JP3608613B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP4801278B2 (ja) 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TW540020B (en) * 2001-06-06 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab Image display device and driving method thereof
TWI283427B (en) * 2001-07-12 2007-07-01 Semiconductor Energy Lab Display device using electron source elements and method of driving same
KR100448448B1 (ko) * 2001-07-12 2004-09-13 주식회사 디알텍 Ｘ선 센서용 스위칭소자 및 그 제조방법
TWI221268B (en) * 2001-09-07 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
US20030103022A1 (en) * 2001-11-09 2003-06-05 Yukihiro Noguchi Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7483001B2 (en) 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US6949883B2 (en) 2001-12-06 2005-09-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and an electronic apparatus
JP4314820B2 (ja) * 2001-12-11 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
CN1245703C (zh) * 2001-12-11 2006-03-15 精工爱普生株式会社 显示装置及其电子机器
JP2003186437A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6747639B2 (en) * 2001-12-28 2004-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays
JP2003195810A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
JP2003255899A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7224333B2 (en) 2002-01-18 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Display device and driving method thereof
JP3953330B2 (ja) 2002-01-25 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3723507B2 (ja) 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003308030A (ja) 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
KR100892945B1 (ko) * 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2003332058A (ja) 2002-03-05 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP2003330387A (ja) * 2002-03-05 2003-11-19 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003258094A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
JP3671012B2 (ja) * 2002-03-07 2005-07-13 三洋電機株式会社 表示装置
CN100517422C (zh) 2002-03-07 2009-07-22 三洋电机株式会社 配线结构、其制造方法、以及光学设备
JP3837344B2 (ja) 2002-03-11 2006-10-25 三洋電機株式会社 光学素子およびその製造方法
JP3957535B2 (ja) * 2002-03-14 2007-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の駆動方法、電子機器
CN1299360C (zh) 2002-03-20 2007-02-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵显示装置及其制造
EP1488459B1 (en) 2002-03-20 2008-05-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture
WO2003079442A1 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture
US7218298B2 (en) * 2002-04-03 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2004004788A (ja) 2002-04-24 2004-01-08 Seiko Epson Corp 電子素子の制御回路、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器、並びに電子素子の制御方法
JP3637911B2 (ja) 2002-04-24 2005-04-13 セイコーエプソン株式会社 電子装置、電子機器、および電子装置の駆動方法
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP3918642B2 (ja) * 2002-06-07 2007-05-23 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4046015B2 (ja) * 2002-06-07 2008-02-13 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、電気光学装置及び電子機器
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004070293A (ja) * 2002-06-12 2004-03-04 Seiko Epson Corp 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器
JP4610843B2 (ja) 2002-06-20 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP3700714B2 (ja) 2002-06-21 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4216008B2 (ja) 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4001066B2 (ja) * 2002-07-18 2007-10-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、配線基板及び電子機器
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
JP2004126523A (ja) 2002-07-31 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置及び電子機器
JP4123084B2 (ja) 2002-07-31 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電気光学装置、及び電子機器
US7352133B2 (en) * 2002-08-05 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4103500B2 (ja) * 2002-08-26 2008-06-18 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
KR101061882B1 (ko) * 2002-09-11 2011-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP4122949B2 (ja) 2002-11-29 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器
KR100521272B1 (ko) * 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
JP4373086B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6936960B2 (en) * 2003-01-10 2005-08-30 Eastman Kodak Company OLED displays having improved contrast
JP4048969B2 (ja) 2003-02-12 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP3952965B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
EP1607931B1 (en) * 2003-03-26 2014-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate and light-emitting device
JP4197287B2 (ja) * 2003-03-28 2008-12-17 シャープ株式会社 表示装置
KR100762026B1 (ko) * 2003-03-31 2007-09-28 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
JP4273809B2 (ja) 2003-03-31 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4016962B2 (ja) 2003-05-19 2007-12-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法
US20040257352A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-23 Nuelight Corporation Method and apparatus for controlling
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4488709B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4443179B2 (ja) 2003-09-29 2010-03-31 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
KR20060090681A (ko) * 2003-10-03 2006-08-14 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전기영동 디스플레이 유닛
JP4165478B2 (ja) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100666549B1 (ko) * 2003-11-27 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 구동방법
TWI233457B (en) * 2003-12-23 2005-06-01 Ind Tech Res Inst Method of forming poly-silicon crystallization
JP4203656B2 (ja) * 2004-01-16 2009-01-07 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
JP4131243B2 (ja) * 2004-02-06 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
CN100353560C (zh) * 2004-02-12 2007-12-05 友达光电股份有限公司 有机发光显示面板
US20050200292A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input
US20050200294A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
JP4665419B2 (ja) * 2004-03-30 2011-04-06 カシオ計算機株式会社 画素回路基板の検査方法及び検査装置
JP2005292503A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
CN1957471A (zh) * 2004-04-06 2007-05-02 彩光公司 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器
CN1981318A (zh) * 2004-04-12 2007-06-13 彩光公司 用于有源矩阵发光显示器的低功耗电路及其控制方法
KR100589324B1 (ko) * 2004-05-11 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100637164B1 (ko) 2004-06-26 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치
US20050285822A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Damoder Reddy High-performance emissive display device for computers, information appliances, and entertainment systems
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
KR100578812B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
JP5364227B2 (ja) * 2004-07-16 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器
KR100590042B1 (ko) * 2004-08-30 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치, 그 구동방법 및 신호구동장치
KR101581943B1 (ko) 2004-09-13 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명장치
JP4517804B2 (ja) 2004-09-29 2010-08-04 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
KR100583519B1 (ko) * 2004-10-28 2006-05-25 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 그를 이용한 발광표시장치
JP4437110B2 (ja) 2004-11-17 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示装置，有機発光表示装置の駆動方法及び画素回路の駆動方法
KR100688799B1 (ko) * 2004-11-17 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치, 발광 표시장치의 구동 방법 및 화소회로의구동방법
CN102738180B (zh) 2004-12-06 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
KR20070101275A (ko) 2004-12-15 2007-10-16 이그니스 이노베이션 인크. 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
KR100624317B1 (ko) * 2004-12-24 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법
KR101142996B1 (ko) 2004-12-31 2012-05-08 재단법인서울대학교산학협력재단 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
JP2006310741A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100645700B1 (ko) 2005-04-28 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법
EP1904995A4 (en) 2005-06-08 2011-01-05 Ignis Innovation Inc METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING A LIGHT EMITTING DEVICE DISPLAY
JP4773777B2 (ja) 2005-08-30 2011-09-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー アクティブマトリクス型表示装置
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
EP1777689B1 (en) * 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
TWI419105B (zh) * 2005-12-20 2013-12-11 Thomson Licensing 顯示面板之驅動方法
TWI294254B (en) * 2006-01-02 2008-03-01 Au Optronics Corp Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo
EP2458579B1 (en) 2006-01-09 2017-09-20 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
EP1808844B1 (en) * 2006-01-13 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
JP5224702B2 (ja) * 2006-03-13 2013-07-03 キヤノン株式会社 画素回路、及び当該画素回路を有する画像表示装置
EP2077240B1 (en) * 2006-03-31 2010-11-17 Graphic Packaging International, Inc. Microwavable construct for heating, browning and crisping rounded food items
EP2008264B1 (en) 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
JP2007329417A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法
JP4361549B2 (ja) * 2006-06-09 2009-11-11 株式会社日立製作所 表示装置
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
JP5092306B2 (ja) 2006-08-02 2012-12-05 ソニー株式会社 表示装置および画素回路のレイアウト方法
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
KR101277975B1 (ko) * 2006-09-07 2013-06-27 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 구비한 데이터 드라이버,액정표시장치
JP4259556B2 (ja) * 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4259592B2 (ja) * 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US8988328B2 (en) * 2006-11-30 2015-03-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device configured to supply a driving current in accordance with a signal voltage selected based on a temperature dependency of the driving current and driving method thereof
JP4757186B2 (ja) * 2006-12-28 2011-08-24 キヤノン株式会社 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ
KR100805599B1 (ko) * 2007-03-16 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101293570B1 (ko) * 2007-03-21 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
TWI412125B (zh) * 2007-07-17 2013-10-11 Creator Technology Bv 電子元件及電子元件之製法
JP5179806B2 (ja) * 2007-08-31 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
CA2660598A1 (en) 2008-04-18 2009-06-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
JP2010104861A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Seiko Epson Corp 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法および有機ｅｌ装置の製造方法
TWI606595B (zh) * 2008-11-07 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP2010122355A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Canon Inc 表示装置及びカメラ
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US8497828B2 (en) 2009-11-12 2013-07-30 Ignis Innovation Inc. Sharing switch TFTS in pixel circuits
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) * 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
KR101309863B1 (ko) 2009-12-14 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
JP5443588B2 (ja) * 2010-06-22 2014-03-19 パナソニック株式会社 発光表示装置及びその製造方法
CN102346997B (zh) * 2010-08-04 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 像素结构及显示器的驱动方法
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR101872925B1 (ko) 2010-12-24 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명 장치
JP5993141B2 (ja) * 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
WO2012090889A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting device, and lighting device
CN102156368A (zh) * 2011-01-18 2011-08-17 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法
US9516713B2 (en) 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP5925511B2 (ja) 2011-02-11 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光ユニット、発光装置、照明装置
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
JP2014517940A (ja) 2011-05-27 2014-07-24 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド Ａｍｏｌｅｄディスプレイにおけるエージング補償ためのシステムおよび方法
EP2945147B1 (en) 2011-05-28 2018-08-01 Ignis Innovation Inc. Method for fast compensation programming of pixels in a display
JP5316590B2 (ja) * 2011-06-07 2013-10-16 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置
KR101917753B1 (ko) * 2011-06-24 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5442678B2 (ja) * 2011-08-12 2014-03-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101810048B1 (ko) * 2011-09-22 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
JP6077280B2 (ja) * 2011-11-29 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
JP5209109B2 (ja) * 2011-12-21 2013-06-12 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
JP5380560B2 (ja) * 2012-02-08 2014-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
JP2013068964A (ja) * 2012-11-30 2013-04-18 Panasonic Corp Ｅｌ表示装置
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9366920B2 (en) * 2013-01-02 2016-06-14 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and fabricating method thereof
US9171504B2 (en) 2013-01-14 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
JP5991490B2 (ja) 2013-03-22 2016-09-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN110634431B (zh) 2013-04-22 2023-04-18 伊格尼斯创新公司 检测和制造显示面板的方法
KR102173707B1 (ko) 2013-05-31 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US9437137B2 (en) 2013-08-12 2016-09-06 Ignis Innovation Inc. Compensation accuracy
JP6223126B2 (ja) * 2013-10-30 2017-11-01 キヤノン株式会社 発光素子の駆動回路、露光ヘッド及び画像形成装置
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
JP6521610B2 (ja) * 2014-11-10 2019-05-29 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
US20170352312A1 (en) * 2014-12-18 2017-12-07 Joled Inc. Display device
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
KR102302275B1 (ko) * 2015-02-28 2021-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
JP6131289B2 (ja) * 2015-05-08 2017-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CN104880879A (zh) 2015-06-19 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 Coa阵列基板及其制造方法、显示装置
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
KR102665790B1 (ko) * 2016-01-14 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP6764248B2 (ja) * 2016-04-26 2020-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ アクティブマトリクス表示装置
JP6867737B2 (ja) * 2016-08-30 2021-05-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
KR102642017B1 (ko) * 2016-11-30 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20190096967A1 (en) * 2017-09-25 2019-03-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent display apparatus
KR102591768B1 (ko) * 2018-07-17 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11296156B2 (en) * 2018-11-28 2022-04-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device
WO2020208774A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15 シャープ株式会社 発光素子および表示装置
US11063495B2 (en) 2019-07-01 2021-07-13 Nidec Motor Corporation Heatsink clamp for multiple electronic components
CN110609188B (zh) * 2019-09-25 2022-07-15 潍柴动力股份有限公司 油量计量单元老化的检测方法、装置及设备
CN110676298B (zh) * 2019-09-30 2022-06-03 昆山国显光电有限公司 阵列基板及oled显示面板
KR102159131B1 (ko) 2020-01-30 2020-09-23 김재곤 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 일체형으로 갖는 튀김장치
KR102159137B1 (ko) 2020-01-30 2020-09-23 김재곤 기름 순환 정제 기능을 갖는 튀김장치
KR102159125B1 (ko) 2020-03-06 2020-09-23 김재곤 튀김 기름 순환 정제 기능 및 기름 유출 방지 기능을 갖는 튀김장치
KR20220056591A (ko) * 2020-10-28 2022-05-06 엘지디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치
KR20220079760A (ko) * 2020-12-04 2022-06-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN115083261B (zh) * 2021-03-11 2024-08-02 昆山国显光电有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
KR102485139B1 (ko) 2021-06-17 2023-01-04 김재곤 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 갖는 튀김장치
CN116168646A (zh) * 2021-09-14 2023-05-26 厦门天马显示科技有限公司 显示面板和显示装置
KR20240043892A (ko) * 2022-09-27 2024-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN117452716A (zh) * 2022-12-30 2024-01-26 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US599073A (en) * 1898-02-15 Pump-head
US4042854A (en) * 1975-11-21 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Flat panel display device with integral thin film transistor control system
US4087792A (en) * 1977-03-03 1978-05-02 Westinghouse Electric Corp. Electro-optic display system
FR2488016A1 (fr) * 1980-07-29 1982-02-05 Thomson Csf Module elementaire pour panneau d'affichage matriciel et panneau d'affichage comportant un tel module
JPS58140781A (ja) * 1982-02-17 1983-08-20 株式会社日立製作所 画像表示装置
JPS59112700A (ja) 1982-12-17 1984-06-29 松下電器産業株式会社 プリント基板の防水装置
JPS59119390A (ja) * 1982-12-25 1984-07-10 株式会社東芝 薄膜トランジスタ回路
JPS6159474A (ja) 1984-08-31 1986-03-26 株式会社日立製作所 アクティブマトリクスディスプレイ
JPS61255384A (ja) 1985-05-09 1986-11-13 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリツクスとその製造方法
JPS6241193A (ja) 1985-08-15 1987-02-23 清水建設株式会社 クレ−ンブ−ム接近判別方法
JPS62229952A (ja) 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp Ｍｉｓ型半導体集積回路装置
JPS63170682A (ja) 1986-10-03 1988-07-14 セイコーエプソン株式会社 アクテイブマトリクス基板
JP2679036B2 (ja) 1986-12-18 1997-11-19 富士通株式会社 ガス放電パネルの製造方法
JPS6432236A (en) 1987-07-28 1989-02-02 Seiko Instr & Electronics X driver for matrix panel display
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
EP0349265A3 (en) 1988-06-27 1990-03-14 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Electroluminescent devices
JP2568659B2 (ja) * 1988-12-12 1997-01-08 松下電器産業株式会社 表示装置の駆動方法
KR920009054B1 (ko) * 1988-12-28 1992-10-13 가부시키가이샤 도시바 불휘발성 반도체메모리
JPH03168617A (ja) 1989-11-28 1991-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置の駆動方法
JP2734464B2 (ja) 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH03269995A (ja) 1990-03-16 1991-12-02 Ricoh Co Ltd 電界発光素子の作製方法
JP2616153B2 (ja) 1990-06-20 1997-06-04 富士ゼロックス株式会社 Ｅｌ発光装置
JP3062552B2 (ja) 1990-08-27 2000-07-10 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその検査方法
JP3202219B2 (ja) 1990-09-18 2001-08-27 株式会社東芝 Ｅｌ表示装置
JPH04161984A (ja) 1990-10-26 1992-06-05 Opt Tec Corp 多重グレイレベルを有する大型映像表示ボードシステム
JPH04264527A (ja) 1991-02-20 1992-09-21 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
US6713783B1 (en) 1991-03-15 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Compensating electro-optical device including thin film transistors
JP2873632B2 (ja) 1991-03-15 1999-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH04311066A (ja) 1991-04-09 1992-11-02 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
EP0535954B1 (en) 1991-10-04 1998-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH05107557A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JPH05210089A (ja) 1992-01-31 1993-08-20 Sharp Corp アクティブマトリクス表示装置及びその駆動方法
JP2946921B2 (ja) 1992-03-10 1999-09-13 日本電気株式会社 低電力駆動回路
JP2850072B2 (ja) 1992-05-13 1999-01-27 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体装置
US5302966A (en) 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
JP3328654B2 (ja) 1992-07-15 2002-09-30 昭和電工株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子
GB9215929D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP3343968B2 (ja) 1992-12-14 2002-11-11 ソニー株式会社 バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
JPH06186416A (ja) 1992-12-21 1994-07-08 Toray Ind Inc カラーフィルタとその製造方法
JPH06230745A (ja) 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Xerox Co Ltd Ｅｌ発光装置及びその駆動方法
KR0140041B1 (ko) * 1993-02-09 1998-06-15 쯔지 하루오 표시 장치용 전압 발생 회로, 공통 전극 구동 회로, 신호선 구동 회로 및 계조 전압 발생 회로
EP0624862B1 (en) * 1993-05-14 1999-06-16 Sharp Kabushiki Kaisha Driving circuit for display apparatus
JPH06325869A (ja) * 1993-05-18 1994-11-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光パネル
JPH07120722A (ja) 1993-06-30 1995-05-12 Sharp Corp 液晶表示素子およびその駆動方法
JP2821347B2 (ja) 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JPH07122362A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光パネル
JPH07128639A (ja) 1993-11-04 1995-05-19 Sharp Corp 表示装置
JP3451291B2 (ja) 1993-11-25 2003-09-29 カシオ計算機株式会社 電界発光素子とその製造方法
JP3463362B2 (ja) 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JPH0845663A (ja) * 1994-02-09 1996-02-16 Nec Kansai Ltd Ｅｌ素子点灯装置
JP3488735B2 (ja) * 1994-03-03 2004-01-19 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3813217B2 (ja) 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
US5701055A (en) 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP2701738B2 (ja) 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3312083B2 (ja) 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5508532A (en) 1994-06-16 1996-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with braded silicon nitride
US5525867A (en) 1994-08-05 1996-06-11 Hughes Aircraft Company Electroluminescent display with integrated drive circuitry
US5714968A (en) 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
JP2689917B2 (ja) * 1994-08-10 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
US5463279A (en) * 1994-08-19 1995-10-31 Planar Systems, Inc. Active matrix electroluminescent cell design
TW289097B (ja) 1994-08-24 1996-10-21 Hitachi Ltd
US5587329A (en) * 1994-08-24 1996-12-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region
US5818068A (en) 1994-09-22 1998-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor circuit and an active matrix type display device
JP3467334B2 (ja) 1994-10-31 2003-11-17 Ｔｄｋ株式会社 エレクトロルミネセンス表示装置
JPH08129360A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Tdk Corp エレクトロルミネセンス表示装置
JPH08129358A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Tdk Corp エレクトロルミネセンス表示装置
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
EP0717445B1 (en) 1994-12-14 2009-06-24 Eastman Kodak Company An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer
JP3545078B2 (ja) 1995-02-03 2004-07-21 三洋電機株式会社 コードレス電話装置
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH08241057A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 画像表示装置
US5693962A (en) * 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array
US5640067A (en) 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US6853083B1 (en) 1995-03-24 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5644327A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
JP3636777B2 (ja) 1995-07-04 2005-04-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
JP3744980B2 (ja) 1995-07-27 2006-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH0943640A (ja) 1995-07-31 1997-02-14 Sony Corp 液晶表示装置
JPH09106887A (ja) * 1995-08-09 1997-04-22 Citizen Watch Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法
JP3124230B2 (ja) * 1995-08-11 2001-01-15 株式会社沖データ 駆動装置
US5748160A (en) 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
JPH0980412A (ja) 1995-09-13 1997-03-28 Canon Inc 液晶表示装置の製造方法
JP3892068B2 (ja) 1995-10-20 2007-03-14 株式会社日立製作所 画像表示装置
US6268895B1 (en) 1995-10-27 2001-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
TW329500B (en) 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
US6294799B1 (en) 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
JPH09146119A (ja) 1995-11-27 1997-06-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
TW309633B (ja) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3645378B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645379B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3417514B2 (ja) * 1996-04-09 2003-06-16 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6157356A (en) * 1996-04-12 2000-12-05 International Business Machines Company Digitally driven gray scale operation of active matrix OLED displays
JPH09281508A (ja) 1996-04-12 1997-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JP3036436B2 (ja) * 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
US5714838A (en) 1996-09-20 1998-02-03 International Business Machines Corporation Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures
KR100393039B1 (ko) * 1996-11-20 2003-10-17 삼성에스디아이 주식회사 액정표시소자
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP0845812B1 (en) 1996-11-28 2009-10-28 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
US5949188A (en) 1996-12-18 1999-09-07 Hage Gmbh & Co. Kg Electroluminescent display device with continuous base electrode
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
JPH10214060A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
US5869929A (en) * 1997-02-04 1999-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multicolor luminescent device
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
US6518962B2 (en) * 1997-03-12 2003-02-11 Seiko Epson Corporation Pixel circuit display apparatus and electronic apparatus equipped with current driving type light-emitting device
US6243069B1 (en) * 1997-04-22 2001-06-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display with image reading function, image reading method and manufacturing method
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
TW439387B (en) 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
JP4073107B2 (ja) 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型ｅｌ表示装置
TW480727B (en) 2000-01-11 2002-03-21 Semiconductor Energy Laboratro Semiconductor display device
US6528950B2 (en) 2000-04-06 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method
JP3695308B2 (ja) 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
TW548621B (en) 2000-12-08 2003-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd EL display device
JP2004296303A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法および電子機器
JP3915806B2 (ja) 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
EP1830342A3 (en) 2008-06-04
KR100588271B1 (ko) 2006-06-12
KR20050103518A (ko) 2005-10-31
CN100538790C (zh) 2009-09-09
EP1255240B1 (en) 2005-02-16
TW491985B (en) 2002-06-21
KR20050104425A (ko) 2005-11-02
US20060273996A1 (en) 2006-12-07
US6839045B2 (en) 2005-01-04
KR100509241B1 (ko) 2005-08-23
KR100539988B1 (ko) 2006-01-10
TW578130B (en) 2004-03-01
KR20050103982A (ko) 2005-11-01
DE69829084T2 (de) 2005-12-29
KR20050056203A (ko) 2005-06-14
KR100586715B1 (ko) 2006-06-08
CN100533528C (zh) 2009-08-26
EP1830344B1 (en) 2012-07-04
KR100585261B1 (ko) 2006-06-02
EP1830342B1 (en) 2013-01-23
US7710364B2 (en) 2010-05-04
US8354978B2 (en) 2013-01-15
EP0895219A1 (en) 1999-02-03
DE69841721D1 (de) 2010-07-29
US7253793B2 (en) 2007-08-07
KR100544821B1 (ko) 2006-01-24
EP0895219B1 (en) 2010-06-16
CN100341042C (zh) 2007-10-03
DE69829084D1 (de) 2005-03-24
EP1830343A2 (en) 2007-09-05
EP1830344A2 (en) 2007-09-05
JP5120141B2 (ja) 2013-01-16
KR20000064918A (ko) 2000-11-06
EP1359789B1 (en) 2011-09-14
US7880696B2 (en) 2011-02-01
EP0895219A4 (en) 2001-01-31
KR20040000396A (ko) 2004-01-03
CN1506929B (zh) 2010-09-01
CN1506928A (zh) 2004-06-23
US20100097410A1 (en) 2010-04-22
EP1830342A2 (en) 2007-09-05
US20080246700A1 (en) 2008-10-09
US8154199B2 (en) 2012-04-10
EP1830344A3 (en) 2009-04-01
JP2009187019A (ja) 2009-08-20
KR100539291B1 (ko) 2005-12-27
US20100066652A1 (en) 2010-03-18
CN1506930A (zh) 2004-06-23
EP1336953A3 (en) 2003-10-22
US20120299902A1 (en) 2012-11-29
US20040150591A1 (en) 2004-08-05
US8247967B2 (en) 2012-08-21
EP1359789A1 (en) 2003-11-05
CN1506929A (zh) 2004-06-23
EP1830343A3 (en) 2009-03-11
US7221339B2 (en) 2007-05-22
KR20040000394A (ko) 2004-01-03
US20020024493A1 (en) 2002-02-28
EP1336953A2 (en) 2003-08-20
US6522315B2 (en) 2003-02-18
US20060279491A1 (en) 2006-12-14
KR20040000395A (ko) 2004-01-03
WO1998036407A1 (en) 1998-08-20
US20020097213A1 (en) 2002-07-25
EP1255240A1 (en) 2002-11-06
JP2008287288A (ja) 2008-11-27
US20060273995A1 (en) 2006-12-07
KR20050103517A (ko) 2005-10-31
KR100509240B1 (ko) 2005-08-22
CN1217807A (zh) 1999-05-26
KR100541253B1 (ko) 2006-07-10
JP3528182B2 (ja) 2004-05-17
US20030098827A1 (en) 2003-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5018819B2 (ja) 表示装置
JP4207979B2 (ja) 表示装置
JP3620538B2 (ja) 表示装置
JP3882804B2 (ja) 発光装置
JP3818309B2 (ja) 表示装置
JP3620539B2 (ja) 表示装置
JP3912340B2 (ja) 表示装置
JP2007219531A (ja) 表示装置
JP2004004911A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120515

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120528

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term