JP5018819B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5018819B2 JP5018819B2 JP2009089815A JP2009089815A JP5018819B2 JP 5018819 B2 JP5018819 B2 JP 5018819B2 JP 2009089815 A JP2009089815 A JP 2009089815A JP 2009089815 A JP2009089815 A JP 2009089815A JP 5018819 B2 JP5018819 B2 JP 5018819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- pixel
- tft
- electrode
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 68
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 241000581364 Clinitrachus argentatus Species 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 101150110946 gatC gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0847—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory without any storage capacitor, i.e. with use of parasitic capacitances as storage elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
- G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0283—Arrangement of drivers for different directions of scanning
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
- G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
の表示装置が提案されている。このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自
己発光するため、液晶表示装置と違ってバックライトを必要とせず、また視野角依存性が
少ないなどの利点がある。
アクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。この図に示す表示装置1Aでは、
透明基板上に、複数の走査線gateと、これらの走査線gateの延設方向に対して交
差する方向に延設された複数のデータ線sigと、これらのデータ線sigに並列する複
数の共通給電線comと、データ線sigと走査線gateとの交差点に対応する画素7
とが構成されている。
)に供給される第1のTFT20と、この第1のTFT20を介してデータ線sigから
供給される画像信号を保持する保持容量capと、この保持容量capによって保持され
た画像信号がゲート電極(第2のゲート電極)に供給される第2のTFT30と、第2の
TFT30を介して共通給電線comに電気的に接続したときに共通給電線comから駆
動電流が流れ込む発光素子40(抵抗として表してある。)とが構成されている。
0は、従来、Nチャネル型を例にとると、製造プロセスを簡略化するという観点から、図
32にその等価回路を示すように、いずれもNチャネル型あるいはPチャネル型のTFT
として構成されている。従って、Nチャネル型を例にとると、図33(A)、(B)に示
すように、走査線gatcから供給される走査信号Sgateが高電位になって第1のTFT
20がオン状態になったときにデータ線sigから保持容量capに高電位の画像信号d
ataが書き込まれると、第2のTFT30がオン状態に保持される。その結果、発光素
子40では、画素電極41から対向電極opに向けて矢印Eで示す方向の駆動電流が流れ
続け、発光素子40が発光し続ける(点灯状熊)。これに対して、走査線gateから供
給される走査信号Sgateが高電位になって第1のTFT20がオン状態になったときに、
データ線sigから保持容量capに共通給電線comの電位と対向電極opの電位の間
のある電位よりも低い電位の画像信号dataが書き込まれると、第2のTFT30がタ
ーンオフし、発光素子40が消灯する(消灯状態)。
板上に堆積した薄膜から構成され、かつ、この薄膜は基板の耐熱性などを考慮して低温プ
ロセスで形成されることが多い。従って、薄膜とバルクとの物性の差異などに起因して欠
陥が多いなど膜品質が劣るため、TFTなどでは絶縁破壊や経時劣化などの問題が表面化
しやすい。
この場合には光変調素子を交流駆動するので、液晶だけでなく、TFTの経時劣化も抑え
ることができる。これに対して、電流制御型発光素子を用いた表示装置1Aでは直流駆動
せざるを得ないという点では、液晶表示装置よりもTFTに経時劣化が起きやすい。この
ような問題点を解消するため、電流制御型発光素子を用いた表示装置1AでもTFTの構
造やプロセス技術に改良が加えられているものの、未だ、十分に改良されたとはいえない
。
ので、個々の素子には電流が瞬間的に流れるだけであるので、消費電力が小さい。これに
対して、電流制御型発光素子を用いた表示装置1Aでは、発光素子を点灯させ続けるには
駆動電流を定常的に流す必要があるので、消費電力が高くなり、絶縁破壊や経時劣化が起
きやすい。
るが、電流制御型発光素子を用いた表示装置1Aでは、1画素当たり2つのTFT20、
30で発光素子40を直流駆動するので、駆動電圧が高くなり、前記の絶縁破壊や消費電
力が大きいという問題が顕著である。
電圧Vgswは、走査信号Sgateの高電位に相当する電位と電位保持電極stの電位(保持
容量capの電位、または第2のTFT30のゲート電極の電位)との電位差に相当する
ため、発光素子40を高い輝度で点灯させようと電位保持電極stの電位を高めて第2の
TFT30のゲート電圧Vgcurを高めたときには、その分、第1のTFT20のゲート
電圧Vgswが低くなってしまうので、走査信号Sgateの振幅を大きくする必要が生じ、表
示装置1Aの駆動電圧が高くなってしまう。
位を共通給電線comの電位と対向電極opの電位の間のある電位よりも低くして第2の
TFT30をターンオフさせるため、画像信号dataの振幅が大きいという問題点もあ
る。従って、この種の表示装置1Aでは、液晶表示装置と比較して、消費電力やTFTの
耐電圧などに格段の配慮が必要であるが、従来の表示装置1Aではかかる配慮が十分にな
されていない。
を考慮した駆動方式を採用して、駆動電圧の低電圧化による消費電力、絶縁破壊、経時劣
化の低減と表示品位の向上とを併せて図ることができる表示装置を提供することにある。
また、本発明に係る表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1のトランジスタと、前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第2のトランジスタのゲート電極の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位より低い電位であり、前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であることを特徴とする。
上記の表示装置において、前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位を基準としたとき、前記給電線の電位と同じ極性であることが好ましい。
上記の表示装置において、前記給電線の電位は、前記画素を選択するときの前記走査線の電位と等電位であることが好ましい。
上記の表示装置において、前記給電線の電位及び前記画素電極の電位のうち高い方の電位と、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位との電位差は、前記第2のトランジスタのしきい値電圧に相当する電圧よりも大であることが好ましい。
上記の表示装置において、前記発光素子は有機半導体膜を含むことが好ましい。
上記の表示装置において、前記第2のトランジスタは飽和領域で動作するように構成されていることが好ましい。
上記の表示装置において、前記第2のトランジスタは線形領域で動作するように構成されていることが好ましい。
本発明の第1の表示装置は、走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、前記画素が点灯状態にある場合において、当該点灯状態にある画素に対応する前記給電線の電位は、当該点灯状態にある画素に対応する前記対向電極の電位よりも高く設定され、かつ、当該点灯状態にある画素の前記画素電
極の電位は、当該点灯状態にある画素に対応する前記対向電極の電位より高く設定されていること、を特徴とする。
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1
のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記画素が点灯状態にある場合は、当該点灯
状態にある画素に対応する前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定され
ており、当該点灯状態にある画素の前記画素電極の電位は、前記対向電極の電位より高く
設定されており、かつ、当該点灯状態にある画素に対応する前記給電線の電位より低く設
定されていること、を特徴とする。
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1
のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記第2のトランジスタのゲート電圧は、前
記対向電極の電位と同電位、あるいは、それ以上であること、を特徴とする。
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1
のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記第2のトランジスタのゲート電圧は、前
記給電線の電位と同電位、あるいは、それ以下であること、を特徴とする。
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1
のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、前記第2のトランジスタのゲート電圧は、前
記給電線の電位及び前記対向電極のいずれかと同電位、あるいは、前記給電線の電位と前
記対向電極との間の電位であること、を特徴とする。
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1
のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動
電流によって発光する発光素子と、を含み、消灯状態とすべき画素における前記第2のト
ランジスタに印加されるゲート電圧は、当該第2のトランジスタがオン状態となるときの
極性と同じで、かつ、当該第2のトランジスタのしきい値電圧を越えない値であることを
特徴とする。
装置であって、前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1
のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介
して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素毎に形成された画素電極と対向電極
との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、消灯状態とすべき画素に
対して前記データ線から供給される前記画像信号の電位は、前記給電線の電位と比較して
低電位、あるいは等電位あること、を特徴とする。
に逆導電型のトランジスタで構成されていることが好ましい。
れていてもよい。
れていてもよい。
と、複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状に形成された
画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第1のゲート電極に供
給される第1のTFTと、該第1のTFTを介して前記データ線から供給される画像信号
を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第2のゲート電極
に供給される第2のTFTと、前記画素毎に形成された画素電極が前記第2のTFTを介
して前記共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と発光薄膜を介して対向する
対向電極との間に流れる駆動電流によって前記発光薄膜が発光する表示装置において、前
記第2のTFTがNチャネル型の場合には、前記共通給電線は前記対向電極よりも低電位
に設定されていることを特徴とする。
および画素電極の電位のうちの一方の電位と、ゲート電極の電位(画像信号の電位)との
差に相当するので、第2のTFTの導電型に応じて、共通給電線の電位と発光素子の対向
電極の電位との相対的な高低を最適化し、第2のTFTのゲート電圧は、共通給電線の電
位と電位保持電極の電位との差に相当するように構成してある。たとえば、第2のTFT
がNチャネル型であれば、発光素子の対向電極の電位に対して共通給電線の電位を低くし
てある。
ることができるため、第2のTFTで大きなオン電流が得られ、高い輝度で表示を行うこ
とができる。また、画素を点灯状態とする際に、第2のTFTにおいて高いゲート電圧が
得られるのであれば、画像信号の電位を下げることができるので、画像信号の振幅を小さ
くし、表示装置における駆動電圧を下げることができる。
圧の問題が顕在化しないという利点がある。
対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、前記対向電極の電位と比較して低
電位、あるいは等電位であることが好ましい。このように構成した場合も、第2のTFT
をオン状態に保ったまま、画像信号の振幅を小さくすることができ、表示装置における駆
動電圧を下げることができる。
して前記データ線から供給される画像信号の電位は、前記共通給電線の電位と比較して高
電位、あるいは等電位であることが好ましい。すなわち、画素を消灯状態にするときには
、第2のTFTを完全にターンオフさせるほどのゲート電圧(画像信号)を印加しない。
発光素子の非線型電気特性とあいまって、消灯状態は実現できる。それ故、画像信号の振
幅を小さくすることができ、表示装置における駆動電圧を下げ、また画像信号の高周波化
を図ることができる。
、各電位の相対的な関係を逆転させる。すなわち、前記第2のTFTがPチャネル型の場
合には、前記共通給電線は前記対向電極よりも高電位に設定されていることを特徴とする
。この場合には、点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供給される画像信号の
電位は、前記対向電極の電位と比較して高電位、あるいは、等電位であることが好ましい
。また、消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、
前記共通給電線の電位と比較して低電位、あるいは等電位であることが好ましい。
されていることが好ましい。すなわち、第1のTFTがNチャネル型であれば、第2のT
FTはPチャネル型であり、第1のTFTがPチャネル型であれば、第2のTFTはNチ
ャネル型であることが好ましい。詳しくは後述するが、このように構成すると、表示装置
の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号の電位を、第1のTFTのオン時の
抵抗が小さくなる方向に変更するだけで、表示動作の高速化を図ることができる。
抗が小さくなる方向に変更したことになるので、輝度の向上を図ることができる。よって
、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することができる。
線と、複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状に形成され
た画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第1のゲート電極に
供給される第1のTFTと、該第1のTFTを介して前記データ線から供給される画像信
号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第2のゲート電
極に供給される第2のTFTと、前記画素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向す
る対向電極との層間において前記画素電極が前記第2のTFTを介して前記共通給電線に
電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発
光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置において、前記第1のTFTと前
記第2のTFTとは、逆導電型のTFTで構成されていることを特徴とする。
第1のTFTと第2のTFTとが逆導電型であるため、第1のTFTの書き込み能力を上
げるためには、走査信号の選択パルス高を高くし、第2のTFTのオン抵抗を下げて発光
輝度を上げるためには、画像信号の電位を低くすることになる。このような走査信号およ
び画像信号の最適化は、第1のTFTのゲート電圧に対して、画素の選択期間中、発光素
子を点灯させるレベルの画像信号が保持容量に書き込まれていくにつれて、当該TFTの
オン電流が増大する方にシフトさせるのに効く。それ故、データ線から第1のTFTを介
して保持容量に画像信号がスムーズに書き込まれる。ここで、画素を選択する際の第1の
TFTのゲート電圧は、走査信号の高電位に相当する電位と点灯時の電位保持電極の電位
(点灯のための画像信号の電位、保持容量の電位、または第2のTFTのゲート電極の電
位)との差に相当し、第2のTFTのゲート電圧は、点灯時の電位保持電極の電位と共通
給電線の電位との差に相当し、このときの電位保持電極の電位を基準にしたときには、走
査信号の高電位に相当する電位と共通給電線の電位は同じ極性である。従って、点灯時の
電位保持電極の電位(点灯のための画像信号の電位)を変更すれば、その分、第1のTF
Tのゲート電圧および第2のTFTのゲート電圧の双方が同じ方向に同じ分だけシフトす
る。それ故、表示装置の駆動電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号の電位を、第
1のTFTのオン時の抵抗が小さくなる方向にシフトさせれば、表示動作の高速化を図る
ことができる。また、この時には点灯のための画像信号の電位が第2のTFTのオン時の
抵抗が小さくなる方向にシフトしたことになるので、輝度の向上を図ることができる。よ
って、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することができる。
圧は、該第2のTFTがオン状態となるときの極性と同じで、かつ、該第2のTFTのし
きい値電圧を越えない値であることが好ましい。
どのゲート電圧(画像信号)を印加しない。それ故、画像信号の振幅を小さくすることが
でき、画像信号の高周波化を実現できる。
TがPチャネル型であれば、前記第1のTFTをオン状態にするときの走査信号の電位と
前記共通給電線の電位とが等しく、かつ、消灯状態にある画素の前記第2のTFTに印加
されるゲート電極の電位は、前記第1のTFTをオン状態にするときの走査信号の電位か
ら当該第1のTFTのしきい値電圧を差し引いた電位よりも低電位であることが好ましい
。それとは逆に、前記第1のTFTがPチャネル型、前記第2のTFTがNチャネル型で
あれば、前記第1のTFTをオン状態にするときの走査信号の電位と前記共通給電線の電
位とが等しく、かつ、消灯状態にある画素の前記第2のTFTに印加されるゲート電極の
電位は、前記第1のTFTをオン状態にするときの走査信号の電位に当該第1のTFTの
しきい値電圧を加えた電位よりも高電位であることが好ましい。
を等しくすると、各駆動信号のレベルの数が減るため、表示装置への信号入力端子の数を
減らすことができるとともに、電源数を減らすことができるので、低消費電力となる。
気的に接続する電極とは反対側の電極には、前記走査信号の選択パルスより遅延して該選
択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されることが好ましい。このように構成
すると、保持容量への画像信号の書き込みを補うことができるので、画像信号の振幅を大
きくせずに、第2のTFTのゲート電極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方向に
シフトさせることができる。
複数のデータ線と、複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス
状に形成された画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第1の
ゲート電極に供給される第1のTFTと、該第1のTFTを介して前記データ線から供給
される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第
2のゲート電極に供給される第2のTFTと、前記画素毎に形成された画素電極と該画素
電極に対向する対向電極との層間において前記画素電極が前記第2のTFTを介して前記
共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電
流によって発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置において、前記保持
容量の両電極のうち、前記第2のTFTの第2のゲート電極に電気的に接続する電極とは
反対側の電極には、前記走査信号の選択パルスより遅延して該選択パルスとは電位が逆方
向に振れるパルスが供給されることを特徴とする。
像信号の振幅を大きくせずに、第2のTFTのゲート電極に印加される画像信号の電位を
高輝度化の方向にシフトさせることができる。
いることができる。
で動作させることにより、発光素子に異常電流が流れ、電圧降下等により他画素にクロス
トーク等が発生するのを防止することができる。
影響を及ぼすことを防止することができる。
する前に、各形態で共通の構成について説明しておく。ここで、各形態で共通の機能を有
する部分については、同一の符合を付して説明の重複を避けることとする。
図1は、表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図、図2は、それに構成
されたアクティブマトリクスの等価回路図である。図1に示すように、本実施形態の表示
装置1では、その基体たる透明基板10の中央部分が表示部2とされている。透明基板1
0の外周部分のうち、図面に向かって上下の側には、データ線sigに対して画像信号を
出力するデータ側駆動回路3、および検査回路5がそれぞれ構成され、図面に向かって左
右の側には、走査線gateに対して走査信号を出力する走査側駆動回路4が構成されて
いる。これらの駆動回路3、4では、N型のTFTとP型のTFTとによって相補型TF
Tが構成され、この相補型TFTは、シフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログ
スイッチ回路などを構成している。透明基板10上において、データ側駆動回路3よりも
外周領域には、画像信号や各種の電位、パルス信号を入力するための端子群とされる実装
用パッド6が形成されている。
、複数の走査線gateと、該走査線gateの延設方向に対して交差する方向に延設さ
れた複数のデータ線sigとが構成され、図2に示すように、これらのデータ線sigと
走査線gateとの交差によりマトリクス状に画素7が多数、構成されている。
1のゲート電極)に供給される第1のTFT20が構成されている。このTFT20のソ
ース・ドレイン領域の一方は、データ線sigに電気的に接続し、他方のソース・ドレイ
ン領域は電位保持電極stに電気的に接続している。すなわち、走査線gateに対して
は容量線clineが並列配置され、この容量線clineと電位保持電極stとの間に
は保持容量capが形成されている。従って、走査信号によって選択されて第1のTFT
20がオン状態になると、データ線sigから画像信号が第1のTFT20を介して保持
容量capに書き込まれる。
的に接続し、第2のTFT30のソース・ドレイン領域の一方は、共通給電線comに電
気的に接続する一方、他方のソース・ドレイン領域は発光素子40の一方の電極(後述す
る画素電極)に電気的に接続している。共通給電線comは定電位に保持されている。第
2のTFT30がオン状態になったときに、第2のTFT30を介して共通給電線com
の電流が発光素子40を流れ、発光素子40を発光させる。
0、および共通給電線comから構成される電流経路を流れるため、第2のTFT30が
オフ状態になると、流れなくなる。但し、本実施形態の表示装置1では、走査信号によっ
て選択されて第1のTFT20がオン状態になると、データ線sigから画像信号が第1
のTFT20を介して保持容量capに書き込まれる。従って、第2のTFT30のゲー
ト電極は、第1のTFT20がオフ状態になっても、保持容量capによって画像信号に
相当する電位に保持されるので、第2のTFT30はオン状態のままである。それ故、発
光素子40には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新
たな画像データが保持容量capに書き込まれて、第2のTFT30がオフ状態になるま
で維持される。
の配列が可能であるが、本実施形態では、共通給電線comの両側に、該共通給電線co
mとの間で駆動電流の供給が行われる発光素子40を有する複数の画素7が配置され、こ
れらの画素7に対して共通給電線comとは反対側を2本のデータ線sigが通っている
。すなわち、データ線sig、それに接続する画素群、1本の共通給電線com、それに
接続する画素群、および該画素群に画素信号を供給するデータ線sigを1つの単位とし
てそれを走査線gateの延設方向に繰り返してあり、共通給電線comは、1本で2列
分の画素7に対して駆動電流を供給する。そこで、本実施形態では、共通給電線comを
挟むように配置された2つの画素7の間では、第1のTFT20、第2のTFT30、お
よび発光素子40が当該共通給電線comを中心に線対称に配置され、これらの素子と各
配線層との電気的な接続を容易なものにしてある。
、1列の画素群ごとに共通給電線comを形成する場合と比較して、共通給電線comの
数が1/2で済むとともに、同一の層間に形成される共通給電線comとデータ線sig
との間に確保していた隙間が不要である。それ故、透明基板10上において配線のための
領域を狭くすることができるので、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させるこ
とができる。なお、このように1本の共通給電線comに2列分の画素が接続される構成
としたため、データ線sigは2本ずつ並列する状態にあって、それぞれの列の画素群に
対して画像信号を供給することになる。
このように構成した表示装置1の各画素7の構造を、図3ないし図6を参照して詳述す
る。図3は、本実施形態の表示装置1に形成されている複数の画素7のうちの3つの画素
7を拡大して示す平面図、図4、図5、および図6はそれぞれは、そのA−A’線におけ
る断面図、B−B’線における断面図、およびC−C’線における断面図である。
上には各画素7の各々に、第1のTFT20を形成するための島状のシリコン膜200が
形成され、その表面にはゲート絶縁膜50が形成されている。
ゲート電極21に対して自己整合的にソース・ドレイン領域22、23が形成されている
。ゲート絶縁膜50の表面側には第1の層間絶縁膜51が形成され、この層間絶縁膜に形
成されたコンタクトホール61、62を介して、ソース・ドレイン領域22、23にはデ
ータ線sig、および電位保持電極stがそれぞれ電気的に接続している。
一の層間(ゲート絶縁膜50と第1の層間絶縁膜51との間)には容量線clineが形
成されており、この容量線clineに対しては、第1の層間絶縁膜51を介して電位保
持電極stの延設部分st1が重なっている。このため、容量線clineと電位保持電
極stの延設部分st1とは、第1の層間絶縁膜51を誘電体膜とする保持容量capを
構成している。なお、電位保持電極stおよびデータ線sigの表面側には第2の層間絶
縁膜52が形成されている。
成された第1の層間絶縁膜51および第2の層間絶縁膜52の表面に各画素7に対応する
データ線sigが2本、並列している状態にある。図3におけるC−C’線に相当する位
置では、図6(A)に示すように、透明基板10上には共通給電線comを挟む2つの画
素7に跨がるように、第2のTFT30を形成するための島状のシリコン膜300が形成
され、その表面にはゲート絶縁膜50が形成されている。ゲート絶縁膜50の表面には、
共通給電線comを挟むように、各画素7の各々にゲート電極31がそれぞれ形成され、
このゲート電極31に対して自己整合的にソース・ドレイン領域32、33が形成されて
いる。
成されたコンタクトホール63を介して、ソース・ドレイン領域62に中継電極35が電
気的に接続している。
3となる部分に対しては、第1の層間絶縁膜51のコンタクトホール64を介して、共通
給電線comが電気的に接続している。これらの共通給電線com、および中継電極35
の表面には第2の層間絶縁膜52が形成されている。
の画素電極41は、第2の層間絶縁膜52に形成されたコンタクトホール65を介して中
継電極35に電気的に接続し、この中継電極35を介して第2のTFT30のソース・ド
レイン領域32に電気的に接続されている。
発光素子40としては、いずれの構造のものを用いた場合でも本発明を適用できるので
、その代表的なものを以下に説明する。まず、前記のITO膜からなる画素電極41は、
図7(A)に示すように、発光素子40の一方の電極(正極)を構成している。この画素
電極41の表面には正孔注入層42および発光薄膜として有機半導体膜43が積層され、
さらに有機半導体膜43の表面には、リチウム含有アルミニウムまたはカルシウムなどの
金属膜からなる対向電極op(負極)が形成されている。この対向電極opは、透明基板
10の全面、あるいはストライプ状に形成された共通電極となるべきもので、一定の電位
に保持されている。これに対して、図7(A)に示す発光素子40とは逆の方向に駆動電
流を流す場合には、図7(B)に示すように、下層側から上層側に向かって、ITO膜か
らなる画素電極41(負極)、透光性をもつほど薄いリチウム含有アルミニウム電極45
、有機半導体層43、正孔注入層42、ITO膜層46、リチウム含有アルミニウムまた
はカルシウムなどの金属膜からなる対向電極op(正極)をこの順に積層して、発光素子
40を構成する場合もある。
極性の駆動電流が流れる場合でも、正孔注入層42および有機半導体層43が直接、接す
る電極層の構成が同一であるため、発光特性が同等である。これらの図7(A)、(B)
に示した発光素子40は、いずれも下層側(基板の側)にITO膜からなる画素電極41
を有し、光は、矢印hνで示すように、画素電極41および透明基板10を透過して透明
基板10の裏面側から射出される。
印hνで示すように、対向電極opを透過して透明基板10の表面側に射出される。すな
わち、図8(A)に示すように、リチウム含有アルミニウムなどの金属膜からなる画素電
極41(負極)の表面には有機半導体膜43および正孔注入層42が積層され、さらに正
孔注入層42の表面にはITO膜からなる対向電極op(正極)が形成されている。この
対向電極opも、全面に一枚板で、あるいはストライプ状に形成された共通電極で、一定
の電位に保持されている。
B)に示すように、下層側から上層側に向かって、リチウム含有アルミニウムなどの金属
膜からなる画素電極41(正極)、ITO膜層46、正孔注入層42、有機半導体層43
、透光性をもつほど薄いリチウム含有アルミニウム電極45、ITO膜からなる対向電極
op(負極)をこの順に積層して、発光素子40を構成する場合もある。いずれの構造を
有する発光素子40を形成するにあたっても、正孔注入層42および有機半導体膜43は
、後述するように、インクジェット法によりバンク層bankの内側に形成すれば、上下
位置が反対でも製造工程が複雑になることはない。また、透光性をもつほど薄いリチウム
含有アルミニウム電極45、およびITO膜層46を追加する場合でも、リチウム含有ア
ルミニウム電極45は画素電極41と同じ領域で積層している構造になっていても表示に
支障がなく、ITO膜層46も対向電極opと同じ領域で積層している構造になっていて
も表示に支障がない。それ故、リチウム含有アルミニウム電極45と画素電極41とはそ
れぞれ別々にパターニングしてもよいが、同じレジストマスクで一括してパターニングし
てもよい。同様に、ITO膜層46と対向電極opとはそれぞれ別々にパターニングして
もよいが、同じレジストマスクで一括してパターニングしてもよい。リチウム含有アルミ
ニウム電極45およびITO膜層46はバンク層bankの内側領域のみに形成してもよ
いことは勿論である。
もよい。いずれも場合でも透明なITO膜の方から光が射出されることになる。このよう
に構成された発光素子40は、対向電極opおよび画素電極41をそれぞれ正極および負
極として電圧が印加され、図9(図7(A)、図8(B)に示す発光素子40の電流−電
圧特性)、図10(図7(B)、図8(A)に示す発光素子40の電流−電圧特性)にそ
れぞれ示すように、印加電圧(横軸/画素電極41に対する対向電極opの電位)がしき
い値電圧を越えた領域でオン状態、すなわち、低抵抗状態になって有機半導体膜43に流
れる電流(駆動電流)が急激に増大する。その結果、発光素子40は、エレクトロルミネ
ッセンス素子あるいはLED素子として発光し、発光素子40の射出光は、対向電極op
に反射され、透明な画素電極41および透明基板10を通して射出される。それとは反対
に、印加電圧(横軸/画素電極41に対する対向電極opの電位)がしきい値電圧を下回
る領域ではオフ状態、すなわち、高抵抗状態になって有機半導体膜43に電流(駆動電流
)が流れず、発光素子40は消灯する。なお、図9、図10に示す例ではそれぞれ+2V
付近、−2V付近がしきい値電圧である。
ある。また、正孔注入層42を用いずに、有機半導体層43に対して正孔注入層42が形
成されている位置とは反対側の位置に電子注入層を設ける場合もある。また、正孔注入層
42および電子注入層の両方を設ける場合もある。
このように構成した発光素子40での発光を制御するためのTFT(図2における第1
のTFT20および第2のTFT30)として、Nチャネル型、およびPチャネル型のT
FTの電流電圧特性を図11および図12(いずれの図においても、ドレイン電圧が4V
、8Vの例を示してある。)に示す。これらの図からわかるように、TFTは、ゲート電
極に印加するゲート電圧によってオン、オフ動作を行う。すなわち、ゲート電圧がしきい
値電圧を越えると、TFTはオン状態(低抵抗状態)になってドレイン電流が増大する。
これに対して、ゲート電圧がしきい値電圧を下回ると、TFTはオフ状態(高抵抗状態)
になってドレイン電流が低減する。
このように構成した表示装置1の製造方法において、透明基板10上に第1のTFT2
0および第2のTFT30を製造するまでの工程は、液晶表示装置1のアクティブマトリ
クス基板を製造する工程と略同様であるため、簡単に図13を参照してその概要を説明す
る。
模式的に示す工程断面図である。すなわち、図13(A)に示すように、透明基板10に
対して、必要に応じて、TEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料ガスと
してプラズマCVD法により厚さが約2000〜5000オングストロームのシリコン酸
化膜からなる下地保護膜(図示せず。)を形成する。次に基板の温度を約350℃に設定
して、下地保護膜の表面にプラズマCVD法により厚さが約300〜700オングストロ
ームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜100を形成する。
は固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜100をポリシリコン膜に結晶化する。
レーザアニール法では、たとえば、エキシマレーザでビーム形状の長寸が400mmのラ
インビームを用い、その出力強度はたとえば200mJ/cm2である。ラインビームに
ついてはその短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎
に重なるようにラインビームを走査していく。
200、300とし、その表面に対して、TEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガス
などを原料ガスとしてプラズマCVD法により厚さが約600〜1500オングストロー
ムのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜50を形成する。
ングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターニングし
、走査線gateの一部としてのゲート電極21、31を形成する。この工程では容量線
clineも形成する。なお、図中、310はゲート電極31の延設部分である。この状
態で高濃度のリンイオンあるいはボロンイオンなどの不純物を打ち込んで、シリコン薄膜
200、300にはゲート電極21、31に対して自己整合的にソース・ドレイン領域2
2、23、32、33を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域
27、37となる。
合があるので、その場合には、不純物導入工程において逆導電型のTFT形成領域をマス
クで覆いながら不純物の導入をすすめていく。
ール61、62、63、64、69を形成し、データ線sig、容量線clineおよび
ゲート電極31の延設部分310に重なる延設部分st1を備える電位保持電極st、共
通給電線com、および中継電極35を形成する。その結果、電位保持電極stはコンタ
クトホール69および延設部分310を介してゲート電極31に電気的に接続する。この
ようにして第1のTFT20および第2のTFT30を形成する。また、容量線clin
eと電位保持電極stの延設部分st1とによって保持容量capが形成される。
は、中継電極35に相当する部分にコンタクトホール65を形成する。
タクトホール65を介して第2のTFT30のソース・ドレイン領域32に電気的に接続
する画素電極41を形成する。
を形成した後、このレジストを発光素子40の有機半導体膜43、および正孔注入層42
を形成すべき領域を囲むように残し、バンク層bankを形成する。ここで、有機半導体
膜43は、各画素毎に独立して箱状に形成される場合、データ線sigに沿ってストライ
プ状に形成される場合のいずれであっても、それに対応する形状にバンク層bankを形
成するだけで、本実施形態に係る製造方法を適用できる。
体膜43を構成するための液状の材料(前駆体)を吐出し、バンク層bankの内側領域
に有機半導体膜43を形成する。同様に、バンク層bankの内側領域に対してインクジ
ェットヘッドIJから、正孔注入層42を構成するための液状の材料(前駆体)を吐出し
、バンク層bankの内側領域に正孔注入層42を形成する。なお、図7(A)、(B)
および図8(A)、(B)を参照して発光素子40の構造を説明したように、その構造に
よっては、有機半導体膜43および正孔注入層42を形成していく順序が入れ替わること
もある。ここで、バンク層bankはレジストから構成されているため、撥水性である。
これに対して、有機半導体膜43や正孔注入層42の前駆体は親水性の溶媒を用いている
ため、有機半導体膜43の塗布領域はバンク層bankによって確実に規定され、隣接す
る画素にはみ出ることがない。また、バンク層bankを十分高く形成しておくと、イン
クジェット法を用いなくてもスピンコート法などといった塗布法を用いた場合でも、所定
領域に有機半導体膜43や正孔注入層42を形成できる。
る際の作業効率を高めるために、図3に示すように、走査線gateの延設方向に沿って
隣接するいずれの画素7間でも、前記有機半導体膜43の形成領域の中心のピッチPを等
しくしてある。従って、矢印Qで示すように、走査線gateの延設方向に沿って等間隔
の位置にインクジェットヘッドIJから有機半導体膜43の材料などを吐出すればよいと
いう利点がある。また、等ピッチの移動でよいため、インクジェットヘッドIJの移動機
構が簡易になり、かつ、インクジェットヘッドIJの打ち込み精度を上げることも容易と
なる。
成する。ここで、対向電極opは全面またはストライプ状に形成されるが、対向電極op
をストライプ状に形成する場合には、透明基板10の表面全体に導電膜を形成した後、そ
れをストライプ状にパターニングする。
これらのTFTは前記の画素7にTFTを形成していく工程の全部あるいは一部を援用し
て行われる。それ故、駆動回路を構成するTFTも、画素7のTFTと同一の層間に形成
されることになる。
ので、そのまま残し、ブラックマトリクスBM、および寄生容量を低減するための絶縁層
として利用する。
nk(形成領域に斜線を付してある。)を形成する。従って、データ側駆動回路3および
走査側駆動回路4はいずれも、バンク層bankによって覆われているため、これらの駆
動回路の形成領域に対して対向電極opが重なる状態にあっても、駆動回路の配線層と対
向電極opとの間にバンク層bankが介在することになる。それ故、駆動回路3、4に
容量が寄生することを防止できるので、データ側駆動回路3の負荷を低減でき、低消費電
力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
バンク層bankを形成してある。従って、データ線sigと対向電極opとの間にバン
ク層bankが介在することになるので、データ線sigに容量が寄生することを防止で
きる。その結果、駆動回路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高
速化を図ることができる。
と中継電極35とが重なる領域にもバンク層bankを形成するとよい。すなわち、図6
(B)に示すように、画素電極51と中継電極35とが重なる領域にバンク層bankが
形成されていない場合、たとえ画素電極と対向電極opとの間に駆動電流が流れて有機半
導体、膜43が発光しても、この光は中継電極35と対向電極opとに挟まれているため
出射されず、表示に寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示
という面からみて無効電流といえる。しかるに本実施形態では、このような無効電流が流
れるはずの部分にバンク層bankを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止するの
で、共通給電線comに無駄な電流が流れることが防止できる。それ故、共通給電線co
mの幅はその分狭くてよい。
ク層bankはブラックマトリクスとして機能し、輝度、コントラスト比等の表示の品位
が向上する。すなわち、本実施形態に係る表示装置1では、対向電極opが透明基板10
の表面側の全面、あるいは広い領域にわたってストライプ状に形成されるため、対向電極
opでの反射光がコントラスト比を低下させる。
る機能を有するバンク層bankを黒色のレジストで構成したため、バンク層bankは
ブラックマトリクスとしても機能し、対向電極opからの無駄な反射光を遮るので、コン
トラスト比が高いという利点がある。また、バンク層bankを利用して自己整合的に発
光領域を規定することができるので、バンク層bankをブラックマトリクスとして用い
ずに別の金属層などをブラックマトリクスとして用いたときに問題となる発光領域とのア
ライメント余裕が不要である。
なお、本発明は上記の構成に限らず、各種のアクティブマトリクス基板に適用できる。
たとえば、図31を参照して説明したように、透明基板1の上において、1本のデータ線
sig、1本の共通給電線com、1列の画素7を1つの単位として走査線gateの延
設方向に繰り返した構成の表示装置1Aについても本発明を適用できる。
極stとの間に構成してもよい。この場合には、図14(A)、(B)に示すように、電
位保持電極stとゲート電極31とを電気的に接続させるためのゲート電極31の延設部
分310を共通給電線comの下層側にまで拡張し、この延設部分310と共通給電線c
omとの間の位置する第1の層間絶縁膜51を誘電体膜とする保持容量capを構成する
。
シリコン膜を利用して構成してもよく、また、容量線や共通給電線に限らず、前段の走査
線との間に構成することも可能である。
図15は、本実施形態の表示装置1の画素構成を示す等価回路図である。図16(A)
、(B)はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。
チャネル型である。従って、走査線gateから供給される走査信号Sgateが高電位にな
ったときに、第1のTFT20がオン状態になって、データ線sigから第1のTFT2
0を介して保持容量capに画像信号dataが書き込まれ、走査線gateから供給さ
れる走査信号Sgateが低電位になっている間は、保持容量capに保持された画像信号d
ataによって第2のTFT30が駆動制御される。
らは、点灯状態とすべき画素の保持容量capには高電位側の画像信号dateが書き込
まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量capには低電位側の画像信号dateが書き込
まれ、それに応じて、電位保持電極stの電位が変化する。
び画素電極30の電位のうちの低い方の電位と、電位保持電極stの電位との差に相当す
る。しかるに本実施形態では、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線c
omの電位を低くして、第2のTFT30がオン状態になったときには、矢印Fで示すよ
うに、発光素子40の方から共通給電線comの方に電流が流れるように構成してある。
このため、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位と電位保
持電極stの電位との差に相当する。この共通給電線comの電位については、共通給電
線comの電位と対向電極opの電位との間の電位に相当する画素電極30の電位と相違
して、十分に低い値に設定することができる。従って、本実施形態では、第2のTFT3
0のゲート電圧Vgcurを十分、高い値とすることができるため、第2のTFT30のオ
ン電流が大きいので、高い輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯状態とする
際に、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurとして高い値が得られるのであれば、その
分、そのときの電位保持電極stの電位、すなわち、画像信号dataの高電位側の電位
を下げることができるので、画像信号dataの振幅を小さくし、表示装置1における駆
動電圧を下げることができる。
も依存するが、上記の結論が変わることはない。また、本実施形態では、第2のTFT3
0のオン電流が共通給電線comの電位と電位保持電極stの電位との差に規定され、対
向電極opの電位から直接的な影響を受けないので、画素を点灯状態とするための画像信
号dataの高電位側の電位を、対向電極opの電位より低い電位にまで下げ、画像信号
dataの振幅を小さくして、表示装置1における駆動電圧の低電圧化を図ってある。な
お、画素を点灯状態となるための画像信号dataの高電位側の電位を、対向電極opと
等電位にまで下げ、画像信号dataの振幅を小さくしてもよい。
る画像信号dataの電位を、共通給電線comの電位と比較してやや高電位側にしてあ
る。第2のTFT30はNチャネル型であるため、それを完全にターンオフさせるには、
第2のTFT30のゲート電圧Vgcurを負(共通給電線comより低い電位)とするこ
とになる。または、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurの絶対値が第2のTFT30
のしきい値電圧の絶対値に相当するレベルよりやや低い電位となるように、画像信号da
taの低電位側の電位を高めに設定する。このときは、消灯状態にある画素7において第
2のTFT30のゲート電圧を、第2のTFT30がオン状態となるときの極性と同じで
、かつ、第2のTFT30のしきい値電圧を下回る値に設定する。この時、画像信号da
taの低電位側の電位を上記の通りに高めに設定した場合でも、第2のTFT30は高抵
抗状態にあって、オン電流が極めて小さいので、発光素子40は消灯にある。なお、消灯
状態とすべき画素に対してデータ線sigから供給される画像信号dataの電位を、共
通給電線comと等電位にして画像信号dataの振幅を小さくしてもよい。
い程度に高めに設定すると、画像信号dataの振幅を小さくできるので、画像信号da
taの駆動電圧を下げることができる。しかも、前記のとおり、画素を点灯状態とするた
めの画像信号dataの高電位側の電位を、対向電極opの電位より低い電位にまで下げ
てあるので、画像信号dataの電位は、対向電極opと共通給電線comとで規定され
るレンジ内におさまる。それ故、表示装置1における駆動電圧を下げることができ、表示
装置1の消費電力を下げることができる。また、このように構成しても、画質の低下、動
作の異常、動作可能な周波数の低下を招くものではなく、表示装置1の駆動電圧が低い分
、薄膜から構成した各素子で懸念されていた耐電圧(絶縁耐圧)の問題が顕在化しないと
いう利点もある。
図17は、本実施形態の表示装置1の画素構成を示す等価回路図である。図18(A)
、(B)はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。なお、本実施形態では、実施の形態1と
は反対に、第1のTFT20および第2のTFT30のいずれをもPチャネル型のTFT
で構成してある。但し、本実施形態は、実施の形態1と同一の技術的思想のもとで各素子
を駆動制御することとし、実施の形態1で説明した駆動信号の極性を反転させてあるだけ
であり、その他の点については同様な構成を有するものであるため、構成については簡単
に説明するだけとする。
チャネル型であるため、走査線gateから供給される走査信号Sgateが低電位になった
ときに、第1のTFT20がオン状態になる。本実施形態では、第2のTFT30もPチ
ャネル型である。従って、データ線sigからは、点灯状態とすべき画素の保持容量ca
pに低電位側の画像信号dateが書き込まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量cap
には高電位側の画像信号dateが書き込まれる。
画素電極30の電位のうちの高い方の電位と、電位保持電極stの電位との差に相当する
。しかるに本実施形態では、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線co
mの電位を高くして、第2のTFT30がオン状態になったときには、矢印Eで示すよう
に、共通給電線comの方から発光素子40の方に電流が流れるように構成してある。こ
のため、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位と電位保持
電極stの電位との差に相当する。この共通給電線comの電位については、共通給電線
comの電位と対向電極opの電位との間の電位に相当する画素電極30の電位と相違し
て、十分に高い値に設定することができる。従って、本実施形態では、第2のTFT30
のゲート電圧Vgcurを十分、高い値とすることができるため、第2のTFT30のオン
電流が大きいので、高い輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯状態とする際
に、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurとして高い値が得られるのであれば、その分
、そのときの電位保持電極stの電位、すなわち、画像信号dataの低電位側の電位を
上げることができるので、画像信号dataの振幅を小さくできる。
には影響を受けないので、画素を点灯状態とするための画像信号dataの低電位側の電
位を、対向電極opの電位よりやや高い電位まで上げ、画像信号dataの振幅を小さく
してある。なお、画素を点灯状態とするための画像信号dataの低電位側の電位を、対
向電極opと等電位にまで上げ、画像信号dataの振幅を小さくしてもよい。
る画像信号dataの電位を、共通給電線comの電位と比較してやや低電位にまで下げ
てある。すなわち、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurの絶対値がこのTFTのしき
い値電圧の絶対値に相当するレベルよりやや低い電位となるように、画像信号dataの
高電位側の電位を低めに設定してある。これにより、第2のTFT30ではオン電流が極
めて小さくなり、発光素子40は消灯にある。なお、消灯状態とすべき画素に対してデー
タ線sigから供給される画像信号dataの電位を、共通給電線comと等電位にして
画像信号dataの振幅を小さくしてもよい。
とするための画像信号dataの高電位側の電位を低めに設定してあるので、画像信号d
ataの電位は、対向電極opと共通給電線comとで規定されるレンジ内におさまる。
それ故、表示装置1における駆動電圧を下げることができ、表示装置1の消費電力を下げ
ることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。
図19は、本実施形態の表示装置1の画素構成を示す等価回路図である。
図20(A)、(B)はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示
す説明図、および駆動信号などの電位変化を示す波形図である。図19、図20(A)、
(B)に示すように、本実施形態では、第1のTFT20をNチャネル型のTFTで、第
2のTFT30をPチャネル型のTFTで構成してある。第2のTFT30はPチャネル
型であるため、データ線sigからは、点灯状態とすべき画素の保持容量capには低電
位側の画像信号dateが書き込まれ、消灯状態とすべき画素の保持容量capには高電
位側の画像信号dateが書き込まれる。第2のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共
通給電線comの電位、および画素電極30の電位のうちの高い方の電位と、電位保持電
極stの電位との差に相当する。
を高くして、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位と電位
保持電極stの電位との差に相当するように構成してある。この共通給電線comの電位
については、画素電極41と比較して十分に高い値に設定することができるので、第2の
TFT30のオン電流が大きく、高い輝度で表示を行うことができる。また、その分、そ
のときの電位保持電極stの電位、すなわち、画像信号dataの低電位側の電位を上げ
ることができるので、画像信号dataの振幅を小さくできる。また、第2のTFT30
のオン電流が対向電極opの電位から直接的には影響を受けないので、画素を点灯状態と
するための画像信号dataの低電位側の電位を、対向電極opの電位より高い電位、あ
るいは等電位にまで上げ、画像信号dataの振幅を小さくしてある。
る画像信号dataの電位を、共通給電線comの電位と比較してやや低電位、あるいは
等電位にして画像信号dataの振幅を小さくしてある。それ故、画像信号dataの電
位を、対向電極opと共通給電線comとで規定されるレンジ内におさめ、ひいては表示
装置1における駆動電圧を下げてあるので、表示装置1の消費電力を下げることができる
など、実施の形態1、あるいはその変形例と同様な効果を奏する。
あるため、画素を選択するときの走査線gateの電位(走査信号Sgate)は高電位であ
る。このときの第1のTFT20のゲート電圧Vgswは、走査信号Sgateの高電位にある
電位と電位保持電極st(保持容量stの電位、第2のTFT30のゲート電極の電位)
との電位差に相当する。ここで、第2のTFT30はPチャンネル型であるため、画素7
を点灯させるための画像信号dataは低電位側であり、画素7の選択期間中、電位保持
電極stの電位は低下していく。従って、第1のTFT20のゲート電圧Vgswは、オン
電流が増大する方にシフトしていく。
tとの電位差に相当し、選択した画素7が点灯状態にあるときには、選択期間中、電位保
持電極stの電位は低下する傾向にあるため、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurは
、オン電流が増大する方にシフトしていく。
るため、第1のTFT20の書き込み能力を上げるためには走査信号Sgateの選択パルス
高を高くし、発光素子40の輝度を上げるために第2のTFT30のオン抵抗を下げるべ
く画像信号dataを低くすることになる。このような走査信号Sgateの選択パルス高と
画像信号dataとに対する最適化は、画素7の選択期間中、発光素子40を点灯させる
レベルの画像信号dataが保持容量capに書き込まれていくにつれて、第1のTFT
20のゲート電圧に対して、当該TFTのオン電流が増大する方にシフトさせるのに効く
。それ故、データ線sigから第1のTFT20を介して保持容量capに画像信号da
taがスムーズに書き込まれる。
teの高電位に相当する電位と電位保持電極stの電位(保持容量capの電位、または第
2のTFT30のゲート電極の電位)との差に相当し、第2のTFT30のゲート電圧V
gcurは、共通給電線comの電位と電位保持電極stの電位との差に相当し、電位保持
電極stの電位を基準にしたときには、走査信号Sgateの高電位に相当する電位と共通給
電線comの電位は同じ極性である。従って、電位保持電極stの電位を変更すれば、そ
の分、第1のTFT20のゲート電圧Vgswおよび第2のTFT30のゲート電圧Vgcu
rの双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。
位を、第1のTFT20のオン時の抵抗が小さくなる方向に変更すれば、表示動作の高速
化を図ることができるとともに、このときには第2のTFT30のオン時の抵抗が小さく
なる方向に点灯のための画像信号dataの電位が変更したことになるので、輝度の向上
を図ることができる。よって、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成する
ことができる。
図21は、本実施形態の表示装置1の画素構成を示す等価回路図である。図22(A)
、(B)はそれぞれ、各画素に構成された各素子の電気的な接続状態を示す説明図、およ
び駆動信号などの電位変化を示す波形図である。なお、本実施形態では、実施の形態2と
は反対に、第1のTFT20をPチャネル型とし、第2のTFT30をNチャネル型のT
FTで構成してある。但し、本実施形態は、実施の形態2と同一の技術的思想のもとで各
素子を駆動制御することとし、実施の形態2で説明した駆動信号の極性を反転させてある
だけであるため、その構成を簡単に説明するに止める。
2のTFT30はNチャネル型であるため、データ線sigからは、点灯状態とすべき画
素の保持容量capには高電位側の画像信号dateが書き込まれ、消灯状態とすべき画
素の保持容量capには低電位側の画像信号dateが書き込まれる。ここで、第2のT
FT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位、および画素電極30の電位
のうちの低い方の電位と、電位保持電極stの電位との差に相当する。しかるに本実施形
態では、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線comの電位を低くして
あるため、第2のTFT30のゲート電圧Vgcurは、共通給電線comの電位と電位保
持電極stの電位との差に相当する。この共通給電線comの電位については十分に低く
電位とすることができるので、第2のTFT30のオン電流が大きく、高い輝度で表示を
行うことができる。または、輝度が高い分、そのときの電位保持電極stの電位、すなわ
ち、画像信号dataの高電位側の電位を上げて、画像信号dataの振幅を小さくでき
る。また、第2のTFT30のオン電流が対向電極opの電位から直接的には影響を受け
ないので、画素を点灯状態とするための画像信号dataの高電位側の電位を、対向電極
opの電位より低い電位、あるいは等電位にまで下げ、画像信号dataの振幅を小さく
してある。さらに、本実施形態では、消灯状態とすべき画素に対してデータ線sigから
供給される画像信号dataの電位を、共通給電線comの電位と比較してやや高電位、
あるいは等電位にして画像信号dataの振幅を小さくしてある。それ故、画像信号da
taの電位を、対向電極opと共通給電線comとで規定されるレンジ内におさめ、表示
装置1における駆動電圧を下げてあるので、表示装置1の消費電力を下げることができる
など、実施形態1、あるいはその変形例と同様な効果を奏する。
るため、画素を選択するときの走査線gateの電位(走査信号Sgate)は低電位である
。これに対して、第2のTFT30はNチャネル型であるため、画素7を点灯させるため
の画像信号dataは高電位側である。このように、本実施形態では、第1のTFT20
と第2のTFT30とが逆導電型であるため、第1のTFT20の書き込み能力を上げる
ためには走査信号Sgateの選択パルスの電位を低くし、発光素子40の輝度を上げるため
に第2のTFT30のオン抵抗を下げるべく画像信号dataの電位を低くすることにな
る。このような走査信号Sgateの選択パルス高と画像信号dataとに対する最適化は、
画素7の選択期間中、発光素子40を点灯させるレベルの画像信号dataが保持容量c
apに書き込まれていくにつれて、第1のTFT20のゲート電圧に対して、当該TFT
のオン電流が増大する方にシフトさせるのに効く。
当する電位と共通給電線comの電位は同じ極性であるため、電位保持電極stの電位を
変更すれば、その分、第1のTFT20のゲート電圧Vgswおよび第2のTFT30のゲ
ート電圧Vgcurの双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。それ故、表示装置1の駆動
電圧レンジの範囲内で、点灯のための画像信号dataの電位を、第1のTFT20のオ
ン時の抵抗が小さくなる方向に変更すれば、表示動作の高速化を図ることができる。この
ときには第2のTFT30のオン時の抵抗が小さくなる方向に点灯のための画像信号da
taの電位を変更したことになるので、輝度の向上を図ることもできる。よって、実施の
形態2と同様、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成することができる。
尚、上述の実施の形態2及び実施の形態2の変形例において、最適な駆動方法について図
25を用いて説明する。
ル型である。図25に示されるように、発光素子40を消灯させる際には、画像信号da
taの電位を共通給電線comの電位よりも高くしてPチャネル型の第2のTFT30を
ターンオフさせているが、本実施形態では、図25に示すように、発光素子40を消灯さ
せる場合でも、第2のTFT30を完全にターンオフさせない。すなわち、本実施形態で
は、第2のTFT30がPチャネル型であるため、それを完全にターンオフさせるには、
ゲート電圧Vgcurを0V(共通給電線comと同電位)、あるいは正の電位(共通給電
線comより高い電位)とすることになるが、本実施形態では、第2のTFT30のゲー
ト電圧VgcurがこのTFTのしきい値電圧Vthp(cur)に相当するレベルよりやや高い電
位となるように、画像信号dataの消灯時の電位を低めに設定してある。
第2のTFT30がオン状態となるときの極性と同じであるが、第2のTFT30のしき
い値電圧(Vthp(cur))を上回るような値である。例えば、第2のTFT30のしきい値
電圧(Vthp(cur))を−4Vとしたとき、消灯状態で第2のTFT30に印加されるゲー
ト電圧は−3Vとする。
側の電位を従来より低めに設定すると、画像信号dataの振幅を小さくできるので、画
像信号dataの低電圧化および高周波化を図ることができる。また、このように画像信
号dataの消灯側の電位を低めに設定した場合でも、Pチャネル型の第2のTFT30
では、しきい値電圧Vthp(cur)に相当するレベルよりやや高めの電位であるので、消灯時
に流れる電流は極めて小さい。
また、発光素子40にかかる電圧が低ければ、極めて小さい駆動電流しか流れ込まない
。それ故、発光素子40を消灯させるのに実質上、問題点がない。また、本実施形態では
、画像信号dataの消灯時の電位が共通給電線comの電位を越える必要がなければ、
共通給電線comの電位を比較的高めに設定できる。そこで、本実施形態では、共通給電
線comの電位を、第1のTFT20をオン状態にするときの走査信号Sgateの電位と等
しくしてある。それ故、走査側駆動回路において、走査信号Sgateの高電位として用いた
信号レベルをそのまま共通給電線comに供給すればよいので、本実施形態の表示装置1
では、使用する駆動信号のレベルの数が少なくて済み、表示装置1に駆動信号を入力する
ための端子数を減らすことができる。また、電源数を減らすことができるため、電源回路
の低消費電力化、省スペース化を図ることができる。
なので、消灯状態にある画素7の第2のTFT30に印加されるゲート電極の電位は、第
1のTFT20をオン状態にするときの走査信号gateの電位から当該第1のTFT2
0のしきい値電圧Vthn(sw)を差し引いた電位よりも低電位にする。すなわち、画素7を
消灯状態にするときの画像信号data(電位保持電極stの電位)と共通給電線com
との電位差Voffの絶対値を下式Vthn(sw)<|Voff|に示すように、第1のTFT20
のしきい値電圧Vthn(sw)よりも大きく設定し、画素7を選択する際の第1のTFT20
の書き込み動作に支障が発生することを防止すればよい。
Nチャネル型の場合には、図26および図27(A)、(B)を参照して後述するように
、本実施形態で説明した各信号の相対的な高低を入れ換えて、第1のTFT20や第2の
TFT30に印加される電圧の極性を反転させることになる。この場合でも、本実施形態
のように、発光素子40を消灯させる際に第2のTFT30を完全にターンオフさせなけ
れば、画像信号dataの低電圧化および高周波化を図ることができる。また、共通給電
線comの電位を、第1のTFT20をオン状態にするときの走査信号Sgateの電位と等
しくすることにより、電源数を減らすことができる。この場合には、画素7を選択する際
の第1のTFT20の書き込み動作に支障がないように、消灯状態にある画素7の第2の
TFT30に印加されるゲート電極の電位は、第1のTFT20をオン状態にするときの
走査信号gateの電位に当該第1のTFT20のしきい値電圧Vthn(sw)を加えた電位
よりも高電位にする。
本実施形態は、図23にその等価回路を示すように、実施の形態2と同様、いずれの画
素7においても第1のTFT20をNチャネル型とし、第2のTFT30をPチャネル型
とした構成の一例である。また、本実施形態に係る表示装置1でも、第2のTFT30が
Pチャネル型なので、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線comの電
位を高くしてある。従って、第2のTFT30がオン状態になったときには、矢印Eで示
すように、共通給電線comの方から発光素子40の方に電流が流れる。
ついてのみ記載する。実施の形態2では保持容量が設けられていたが、本実施の形態では
、保持容量capが無い点で異なる。このような構成とすることにより、出に保持電極s
tの電位の変化を大きくすることができる。
は、図26および図27(A)、(B)を参照して後述するように、本実施形態で説明し
た各信号の相対的な高低を入れ換えて、第1のTFT20や第2のTFT30に印加され
る電圧の極性を反転させることになる。この場合でも、第1のTFT20の書き込み能力
を上げるために走査信号の選択パルスの電位を低くし、第2のTFT30のオン抵抗を下
げて発光輝度を上げるためには画像信号の電位を高くすることになる。
なお、上記実施の形態3では、いずれの画素7においても、第1のTFT20がNチャ
ネル型で、第2のTFT30がPチャネル型の場合を説明したが、図26に等価回路を示
すように、第1のTFT20がPチャネル型で、第2のTFT30がNチャネル型として
構成してもよい。この図に示す例では、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通
給電線comの電位を低くして、第2のTFT30がオン状態になったときには、矢印F
で示すように、発光素子40の対向電極opの方から共通給電線comの方に電流が流れ
るように構成してある。
A)に示した波形の各駆動信号の極性を反転させることになる。なお、実施の形態3にお
いては、第1のTFT20がNチャネル型で、第2のTFT30がPチャネル型のときに
は、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線comの電位を低くして、第
2のTFT30がオン状態になったときは、発光素子40の対向電極opの方から共通給
電線comの方に電流が流れるように構成する場合もあり、このように構成した場合でも
、第1のTFT20および第2のTFT30を逆導電型にしたことの効果については得る
ことができる。それとは逆に、第1のTFT20がPチャネル型で、第2のTFT30が
Nチャネル型のときには、発光素子40の対向電極opの電位に対して共通給電線com
の電位を高くして、第2のTFT30がオン状態になったときは、共通給電線comの方
から発光素子40の方に電流が流れるように構成した場合も、第1のTFT20および第
2のTFT30を逆導電型にしたことの効果については得ることができる。
上記のいずれの形態1、2、3においても、図28(A)、(B)を参照して説明する
ように、保持容量capの両電極のうち、第2のTFT30のゲート電極に電気的に接続
する電極とは反対側の電極には、走査信号gateの選択パルスより遅延して該選択パル
スとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるように構成してもよい。
のTFT30のゲート電極に電位保持電極stを介して電気的に接続する電極とは反対側
の電極が、走査線gateと並列するように延設された容量線clineで構成されてい
る。
Pgateより遅延して該選択パルスPgateとは電位が逆方向に振れるパルス信号Pstgを含
む電位stgが供給されるように構成されている。パルス信号Pstgは、該選択パルスPg
ateが非選択状態になった後、保持容量capの容量結合を利用して画像信号dataの
電位をシフトさせる。このため、画素7が消灯状態の保持容量capには画像信号dat
aの電位にパルス信号Pstgの電位を加算した分の信号が保持される。画像信号data
の高電位側の信号は第1のTFT20のオン抵抗が大きいため、書き込みを限られた時間
で十分に行うは難しい。この例では、書き込みが十分でない場合、点灯できないことにな
る。しかし、本実施形態の実施例を用いることにより、保持容量capへの画像信号da
taの書き込みを補うことができる。それでいて、駆動信号の電位の最大レンジが拡がる
ことがない。
に示すように、容量線clineを走査側駆動回路4から引き出すとともに、走査側駆動
回路4においては、いずれのゲート段にもシフトレジスタ401からの出力信号をNAN
Dゲート回路およびインバータを介して走査線gateに走査信号Sgateとして出力する
一方、シフトレジスタ401からの出力信号をNANDゲート回路および2段のインバー
タを介して遅延させながら、図30に示すように、高電位側の電源レベルをVddから電
位Vccyにレベルシフトして容量線clineに出力すればよい。
clineを設けたタイプの発光素子について説明した。しかしながら、本実施の形態は
このような容量線clineを設ける構成に限るものではなく、保持容量の一方の電極を
隣接するゲート線により構成にしてもよい。かかる構成の一例を図34(A)に回路ブロ
ック図を、ゲート線の走査方向に対するゲート電極の電圧波形を図34(B)にそれぞれ
示す。このように、当該画素に対して、隣接するゲート線を保持容量の一方の電極として
構成することにより、容量線clineをわざわざ設ける必要がないという効果を有する
ものである。
上記のいずれの形態についても、第2のTFT30の電流−電圧特性のいずれの領域で
動作させるかについて記載しなかったが、第2のTFT30をその飽和領域で動作させれ
ば、TFTの弱い定電流特性を利用して発光素子40に異常電流が流れることを防止する
ことができる。例えば、発光素子40を構成する有機半導体膜等にピンホール欠陥が生じ
ていることがあるが、その場合でも、欠陥のある発光素子に流れる電流は制限され、発光
素子40の電極間で完全ショートになることがない。
ばらつきが表示動作に影響を及ぼすことを防止することができる。なお、TFTの構造に
ついても、トップゲート型に限らず、ボトムゲート型でもよく、その製造方法に関しても
低温プロセスに限定されるものではない。
以上説明したように、上記の表示装置では、第2のTFTのオン時のゲート電圧は、共
通給電線の電位および画素電極の電位のうちの一方の電位と、ゲート電極の電位(画像信
号の電位)との差に相当するので、第2のTFTの導電型に応じて、共通給電線の電位と
発光素子の対向電極の電位との相対的な高低を設定し、第2のTFTのゲート電圧は、共
通給電線の電位と電位保持電極の電位との差に相当するように構成してある。たとえば、
第2のTFTがNチャネル型であれば、発光素子の対向電極の電位に対して共通給電線の
電位を低くしてある。この共通給電線の電位については、画素電極の電位と相違して、十
分に低い値に設定することができるため、第2のTFTで大きなオン電流が得られ、高い
輝度で表示を行うことができる。また、画素を点灯状態とする際に、第2のTFTのとし
て高いゲート電圧が得られるのであれば、その分、そのときの画像信号の電位を下げるこ
とができるので、画像信号の振幅を小さくし、表示装置における駆動電圧を下げることが
できる。それ故、消費電力を低減できるともに、薄膜で構成された各素子で懸念されてい
た耐電圧の問題が顕在化しないという利点がある。
ため、画素を選択するための走査信号のパルスと、発光素子を点灯させるための画像信号
の電位とは逆にふれる関係にある。従って、点灯時の電位保持電極の電位(点灯のための
画像信号の電位)を基準にしたときには、走査信号の高電位に相当する電位と共通給電線
の電位は同じ極性であるため、点灯時の電位保持電極の電位(点灯のための画像信号の電
位)を変更すれば、その分、第1のTFTのゲート電圧および第2のTFTのゲート電圧
の双方が同じ方向に同じ分だけシフトする。それ故、表示装置の駆動電圧レンジの範囲内
で、点灯のための画像信号の電位を、第1のTFTのオン時の抵抗が小さくなる方向にシ
フトさせれば、表示動作の高速化を図ることができるとともに、このときには第2のTF
Tのオン時の抵抗が小さくなる方向に点灯のための画像信号の電位がシフトしたことにな
るので、輝度の向上を図ることができる。よって、駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上
とを併せて達成することができる。
電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、走査信号の選択パルスより遅延して
該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるので、保持容量への画像信号
の書き込みを補うことができる。それ故、画像信号の振幅を大きくせずに、第2のTFT
のゲート電極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方向にシフトさせることができる
。
路、6…実装用パッド、7…画素、10…透明基板、20…第1のTFT、21…第1の
TFTのゲート電極、30…第2のTFT、31…第2のTFTのゲート電極、40…発
光素子、41…画素電極、42…正孔注入層、43…有機半導体膜、50…ゲート絶縁膜
、bank…バンク層、cap…保持容量、cline…容量線、com…共通給電線、
gate…走査線、op…対向電極、sig…データ線、st…電位保持電極。
Claims (8)
- 走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、
前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1のトランジスタと、前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、
前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、
消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、
点灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される前記画像信号の電位より低い電位であり、
前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であること、
を特徴とする表示装置。 - 走査線と、データ線と、給電線と、画素と、を備えた表示装置であって、
前記画素は、画素電極と、前記走査線を介して走査信号が供給される第1のトランジスタと、前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号に応じて駆動制御される第2のトランジスタと、前記画素電極が前記第2のトランジスタを介して前記給電線に電気的に接続したときに、前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する発光素子と、を含み、
前記給電線の電位は、前記対向電極の電位よりも高く設定されており、
消灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第2のトランジスタのゲート電極の電位は、前記給電線の電位と比較して等電位、あるいは低電位であり、
点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される画像信号によって設定される前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位は、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位より低い電位であり、
前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記画素を選択しないときの前記走査線の電位より高い電位であること、
を特徴とする表示装置。 - 請求項1又は2に記載の表示装置であって、
前記画素を選択するときの前記走査線の電位は、前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位を基準としたとき、前記給電線の電位と同じ極性であること、
を特徴とする表示装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の表示装置であって、
前記給電線の電位は、前記画素を選択するときの前記走査線の電位と等電位であること、
を特徴とする表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置であって、
前記給電線の電位及び前記画素電極の電位のうち高い方の電位と、前記消灯とすべき画素に対して前記データ線から前記第1のトランジスタを介して供給される前記画像信号によって設定される前記第2のトランジスタの前記ゲート電極の電位との電位差は、前記第2のトランジスタのしきい値電圧に相当する電圧よりも大であること、
を特徴とする表示装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示装置であって、
前記発光素子は有機半導体膜を含むこと、
を特徴とする表示装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の表示装置であって、
前記第2のトランジスタは飽和領域で動作するように構成されていること、
を特徴とする表示装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置であって、
前記第2のトランジスタは線形領域で動作するように構成されていること、
を特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009089815A JP5018819B2 (ja) | 1997-02-17 | 2009-04-02 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3247497 | 1997-02-17 | ||
JP1997032474 | 1997-02-17 | ||
JP23635197 | 1997-09-01 | ||
JP1997236351 | 1997-09-01 | ||
JP1997236353 | 1997-09-01 | ||
JP23635397 | 1997-09-01 | ||
JP2009089815A JP5018819B2 (ja) | 1997-02-17 | 2009-04-02 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003182909A Division JP2004004911A (ja) | 1997-02-17 | 2003-06-26 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009187019A JP2009187019A (ja) | 2009-08-20 |
JP5018819B2 true JP5018819B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=27287719
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53136098A Expired - Lifetime JP3528182B2 (ja) | 1997-02-17 | 1998-02-17 | 表示装置 |
JP2008206695A Expired - Lifetime JP5120141B2 (ja) | 1997-02-17 | 2008-08-11 | 表示装置 |
JP2009089815A Expired - Lifetime JP5018819B2 (ja) | 1997-02-17 | 2009-04-02 | 表示装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53136098A Expired - Lifetime JP3528182B2 (ja) | 1997-02-17 | 1998-02-17 | 表示装置 |
JP2008206695A Expired - Lifetime JP5120141B2 (ja) | 1997-02-17 | 2008-08-11 | 表示装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (11) | US6522315B2 (ja) |
EP (7) | EP1830343A3 (ja) |
JP (3) | JP3528182B2 (ja) |
KR (9) | KR100541253B1 (ja) |
CN (4) | CN1506929B (ja) |
DE (2) | DE69829084T2 (ja) |
TW (2) | TW578130B (ja) |
WO (1) | WO1998036407A1 (ja) |
Families Citing this family (322)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
US6518962B2 (en) * | 1997-03-12 | 2003-02-11 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit display apparatus and electronic apparatus equipped with current driving type light-emitting device |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100627091B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2006-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스형 표시장치 |
KR100244185B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2000-02-01 | 구자홍 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
US6489952B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type semiconductor display device |
JP2005166687A (ja) * | 1998-12-01 | 2005-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
JP2000227771A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
JP2005209656A (ja) * | 1998-12-01 | 2005-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
JP2000227770A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
TW468269B (en) * | 1999-01-28 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same |
JP2000231346A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP4372943B2 (ja) | 1999-02-23 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP4637315B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6858898B1 (en) * | 1999-03-23 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
JP4627822B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP4472073B2 (ja) | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
JP2001093666A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 有機ledディスプレイおよびその製造方法 |
JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
JP4854840B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2012-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TW591584B (en) * | 1999-10-21 | 2004-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Active matrix type display device |
US6580094B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP2001148291A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
TW525122B (en) | 1999-11-29 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
TW587239B (en) * | 1999-11-30 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Electric device |
US6750835B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image display device and driving method thereof |
JP4212079B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
TWI252592B (en) | 2000-01-17 | 2006-04-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
TW507258B (en) | 2000-02-29 | 2002-10-21 | Semiconductor Systems Corp | Display device and method for fabricating the same |
TW577241B (en) * | 2000-03-28 | 2004-02-21 | Sanyo Electric Co | Display device |
GB2360870A (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-03 | Seiko Epson Corp | Driver circuit for organic electroluminescent device |
TWI282457B (en) | 2000-04-06 | 2007-06-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect |
TW521237B (en) * | 2000-04-18 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
US6847341B2 (en) * | 2000-04-19 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving the same |
US6611108B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method thereof |
US8610645B2 (en) | 2000-05-12 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7633471B2 (en) | 2000-05-12 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric appliance |
JP3723747B2 (ja) | 2000-06-16 | 2005-12-07 | 松下電器産業株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
US6738034B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-05-18 | Hitachi, Ltd. | Picture image display device and method of driving the same |
JP2002083689A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
CN1658266A (zh) | 2000-07-07 | 2005-08-24 | 精工爱普生株式会社 | 驱动电流驱动元件的驱动电路及其方法 |
DE60142321D1 (de) | 2000-07-07 | 2010-07-22 | Seiko Epson Corp | Stromabtastschaltung für organische Elektrolumineszenzanzeige |
KR100344810B1 (ko) * | 2000-07-26 | 2002-07-20 | 엘지전자주식회사 | 고전압소자를 이용한 전류구동회로 |
US6879110B2 (en) * | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
US6864628B2 (en) | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
JP2002185813A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高圧偏向回路 |
JP4925528B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
US7315295B2 (en) * | 2000-09-29 | 2008-01-01 | Seiko Epson Corporation | Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP3972354B2 (ja) | 2000-10-17 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の製造方法 |
SG114502A1 (en) | 2000-10-24 | 2005-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of driving the same |
JP2002200936A (ja) | 2000-11-06 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び車両 |
JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002169509A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 平面表示パネルの駆動方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの駆動方法 |
US7088330B2 (en) * | 2000-12-25 | 2006-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display device and method for driving the display device |
JP3757797B2 (ja) | 2001-01-09 | 2006-03-22 | 株式会社日立製作所 | 有機ledディスプレイおよびその駆動方法 |
US6825496B2 (en) | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3989718B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | メモリ一体型表示素子 |
US6893887B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for producing a light emitting device |
JP2002244617A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el画素回路 |
SG143942A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6720198B2 (en) * | 2001-02-19 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US7301279B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
JPWO2002077958A1 (ja) | 2001-03-22 | 2004-07-15 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路 |
JP3608614B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP3612494B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP3608613B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
TW540020B (en) * | 2001-06-06 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Image display device and driving method thereof |
TWI283427B (en) * | 2001-07-12 | 2007-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device using electron source elements and method of driving same |
KR100448448B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-09-13 | 주식회사 디알텍 | X선 센서용 스위칭소자 및 그 제조방법 |
TWI221268B (en) * | 2001-09-07 | 2004-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of driving the same |
US20030103022A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-06-05 | Yukihiro Noguchi | Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element |
CN101009322B (zh) * | 2001-11-09 | 2012-06-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
JP4149168B2 (ja) | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7483001B2 (en) | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
JP3983037B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
US6949883B2 (en) | 2001-12-06 | 2005-09-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
JP4314820B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
CN1245703C (zh) * | 2001-12-11 | 2006-03-15 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及其电子机器 |
JP2003186437A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
US6747639B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays |
JP2003195810A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
JP2003255899A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
US7224333B2 (en) | 2002-01-18 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP3953330B2 (ja) | 2002-01-25 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3723507B2 (ja) | 2002-01-29 | 2005-12-07 | 三洋電機株式会社 | 駆動回路 |
JP2003308030A (ja) | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
KR100892945B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2009-04-09 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP2003332058A (ja) | 2002-03-05 | 2003-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
JP2003330387A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003258094A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
JP3671012B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
CN100517422C (zh) | 2002-03-07 | 2009-07-22 | 三洋电机株式会社 | 配线结构、其制造方法、以及光学设备 |
JP3837344B2 (ja) | 2002-03-11 | 2006-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
JP3957535B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の駆動方法、電子機器 |
CN1299360C (zh) | 2002-03-20 | 2007-02-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有源矩阵显示装置及其制造 |
EP1488459B1 (en) | 2002-03-20 | 2008-05-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture |
WO2003079442A1 (en) | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture |
US7218298B2 (en) * | 2002-04-03 | 2007-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2004004788A (ja) | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 電子素子の制御回路、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器、並びに電子素子の制御方法 |
JP3637911B2 (ja) | 2002-04-24 | 2005-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、電子機器、および電子装置の駆動方法 |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP3918642B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2007-05-23 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
JP4046015B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2008-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路、電子装置、電気光学装置及び電子機器 |
US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2004070293A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-03-04 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器 |
JP4610843B2 (ja) | 2002-06-20 | 2011-01-12 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
JP3700714B2 (ja) | 2002-06-21 | 2005-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4216008B2 (ja) | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
JP4001066B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
SG130013A1 (en) * | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating light emitting device |
JP2004126523A (ja) | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電気光学装置及び電子機器 |
JP4123084B2 (ja) | 2002-07-31 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路、電気光学装置、及び電子機器 |
US7352133B2 (en) * | 2002-08-05 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4103500B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-06-18 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示パネルの駆動方法 |
KR101061882B1 (ko) * | 2002-09-11 | 2011-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
JP4122949B2 (ja) | 2002-11-29 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器 |
KR100521272B1 (ko) * | 2002-12-20 | 2005-10-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치 |
JP4373086B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US6936960B2 (en) * | 2003-01-10 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | OLED displays having improved contrast |
JP4048969B2 (ja) | 2003-02-12 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP3952965B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2007-08-01 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
EP1607931B1 (en) * | 2003-03-26 | 2014-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device substrate and light-emitting device |
JP4197287B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR100762026B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2007-09-28 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
JP4273809B2 (ja) | 2003-03-31 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4016962B2 (ja) | 2003-05-19 | 2007-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法 |
US20040257352A1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-23 | Nuelight Corporation | Method and apparatus for controlling |
CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
JP4488709B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-06-23 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4443179B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-03-31 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
KR20060090681A (ko) * | 2003-10-03 | 2006-08-14 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전기영동 디스플레이 유닛 |
JP4165478B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
KR100666549B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 구동방법 |
TWI233457B (en) * | 2003-12-23 | 2005-06-01 | Ind Tech Res Inst | Method of forming poly-silicon crystallization |
JP4203656B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2009-01-07 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示パネルの駆動方法 |
JP4131243B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2008-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
CN100353560C (zh) * | 2004-02-12 | 2007-12-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示面板 |
US20050200292A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input |
US20050200294A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device |
US20050200296A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs |
JP4665419B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-04-06 | カシオ計算機株式会社 | 画素回路基板の検査方法及び検査装置 |
JP2005292503A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el表示装置 |
CN1957471A (zh) * | 2004-04-06 | 2007-05-02 | 彩光公司 | 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器 |
CN1981318A (zh) * | 2004-04-12 | 2007-06-13 | 彩光公司 | 用于有源矩阵发光显示器的低功耗电路及其控制方法 |
KR100589324B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR100637164B1 (ko) | 2004-06-26 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치 |
US20050285822A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Damoder Reddy | High-performance emissive display device for computers, information appliances, and entertainment systems |
CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
KR100578812B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
JP5364227B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器 |
KR100590042B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치, 그 구동방법 및 신호구동장치 |
KR101581943B1 (ko) | 2004-09-13 | 2015-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
JP4517804B2 (ja) | 2004-09-29 | 2010-08-04 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
KR100583519B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2006-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 그를 이용한 발광표시장치 |
JP4437110B2 (ja) | 2004-11-17 | 2010-03-24 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光表示装置,有機発光表示装置の駆動方法及び画素回路の駆動方法 |
KR100688799B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치, 발광 표시장치의 구동 방법 및 화소회로의구동방법 |
CN102738180B (zh) | 2004-12-06 | 2018-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
CA2490858A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
KR20070101275A (ko) | 2004-12-15 | 2007-10-16 | 이그니스 이노베이션 인크. | 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템 |
US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
KR100624317B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법 |
KR101142996B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-05-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CA2496642A1 (en) | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Ignis Innovation Inc. | Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming |
JP2006310741A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR100645700B1 (ko) | 2005-04-28 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법 |
EP1904995A4 (en) | 2005-06-08 | 2011-01-05 | Ignis Innovation Inc | METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING A LIGHT EMITTING DEVICE DISPLAY |
JP4773777B2 (ja) | 2005-08-30 | 2011-09-14 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | アクティブマトリクス型表示装置 |
CA2518276A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-13 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
EP1777689B1 (en) * | 2005-10-18 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same |
TWI419105B (zh) * | 2005-12-20 | 2013-12-11 | Thomson Licensing | 顯示面板之驅動方法 |
TWI294254B (en) * | 2006-01-02 | 2008-03-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo |
EP2458579B1 (en) | 2006-01-09 | 2017-09-20 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
US9269322B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-02-23 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
EP1808844B1 (en) * | 2006-01-13 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
JP5224702B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 画素回路、及び当該画素回路を有する画像表示装置 |
EP2077240B1 (en) * | 2006-03-31 | 2010-11-17 | Graphic Packaging International, Inc. | Microwavable construct for heating, browning and crisping rounded food items |
EP2008264B1 (en) | 2006-04-19 | 2016-11-16 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
JP2007329417A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法 |
JP4361549B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2009-11-11 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
US8446394B2 (en) * | 2006-06-16 | 2013-05-21 | Visam Development L.L.C. | Pixel circuits and methods for driving pixels |
US20080062090A1 (en) * | 2006-06-16 | 2008-03-13 | Roger Stewart | Pixel circuits and methods for driving pixels |
US7679586B2 (en) | 2006-06-16 | 2010-03-16 | Roger Green Stewart | Pixel circuits and methods for driving pixels |
JP5092306B2 (ja) | 2006-08-02 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および画素回路のレイアウト方法 |
CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
KR101277975B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2013-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 및 이를 구비한 데이터 드라이버,액정표시장치 |
JP4259556B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2009-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP4259592B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2009-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
US8988328B2 (en) * | 2006-11-30 | 2015-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device configured to supply a driving current in accordance with a signal voltage selected based on a temperature dependency of the driving current and driving method thereof |
JP4757186B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ |
KR100805599B1 (ko) * | 2007-03-16 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101293570B1 (ko) * | 2007-03-21 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
TWI412125B (zh) * | 2007-07-17 | 2013-10-11 | Creator Technology Bv | 電子元件及電子元件之製法 |
JP5179806B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
CA2660598A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-06-22 | Ignis Innovation Inc. | System and driving method for light emitting device display |
CA2637343A1 (en) | 2008-07-29 | 2010-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Improving the display source driver |
JP2010104861A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Seiko Epson Corp | 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法および有機el装置の製造方法 |
TWI606595B (zh) * | 2008-11-07 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
JP2010122355A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Canon Inc | 表示装置及びカメラ |
US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
US8497828B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-07-30 | Ignis Innovation Inc. | Sharing switch TFTS in pixel circuits |
US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
CA2687631A1 (en) * | 2009-12-06 | 2011-06-06 | Ignis Innovation Inc | Low power driving scheme for display applications |
KR101309863B1 (ko) | 2009-12-14 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2696778A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime, uniformity, parameter extraction methods |
JP5443588B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-03-19 | パナソニック株式会社 | 発光表示装置及びその製造方法 |
CN102346997B (zh) * | 2010-08-04 | 2014-07-16 | 群康科技(深圳)有限公司 | 像素结构及显示器的驱动方法 |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
US8552440B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
KR101872925B1 (ko) | 2010-12-24 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
JP5993141B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
WO2012090889A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting unit, light-emitting device, and lighting device |
CN102156368A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法 |
US9516713B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP5925511B2 (ja) | 2011-02-11 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光ユニット、発光装置、照明装置 |
US8772795B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
US8735874B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same |
US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
JP2014517940A (ja) | 2011-05-27 | 2014-07-24 | イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド | Amoledディスプレイにおけるエージング補償ためのシステムおよび方法 |
EP2945147B1 (en) | 2011-05-28 | 2018-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Method for fast compensation programming of pixels in a display |
JP5316590B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2013-10-16 | パナソニック株式会社 | El表示装置 |
KR101917753B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5442678B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2014-03-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101810048B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
JP6077280B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
JP5209109B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-12 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
JP5380560B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2014-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
JP2013068964A (ja) * | 2012-11-30 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | El表示装置 |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9366920B2 (en) * | 2013-01-02 | 2016-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
US9171504B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
EP3043338A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-07-13 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays |
JP5991490B2 (ja) | 2013-03-22 | 2016-09-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
CN110634431B (zh) | 2013-04-22 | 2023-04-18 | 伊格尼斯创新公司 | 检测和制造显示面板的方法 |
KR102173707B1 (ko) | 2013-05-31 | 2020-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
JP6223126B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-11-01 | キヤノン株式会社 | 発光素子の駆動回路、露光ヘッド及び画像形成装置 |
US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
DE102015206281A1 (de) | 2014-04-08 | 2015-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen |
JP6521610B2 (ja) * | 2014-11-10 | 2019-05-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置 |
CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
US20170352312A1 (en) * | 2014-12-18 | 2017-12-07 | Joled Inc. | Display device |
CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
KR102302275B1 (ko) * | 2015-02-28 | 2021-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
JP6131289B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2017-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
CN104880879A (zh) | 2015-06-19 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Coa阵列基板及其制造方法、显示装置 |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
KR102665790B1 (ko) * | 2016-01-14 | 2024-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
JP6764248B2 (ja) * | 2016-04-26 | 2020-09-30 | 株式会社Joled | アクティブマトリクス表示装置 |
JP6867737B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2021-05-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
KR102642017B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US20190096967A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent display apparatus |
KR102591768B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2023-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11296156B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
WO2020208774A1 (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | シャープ株式会社 | 発光素子および表示装置 |
US11063495B2 (en) | 2019-07-01 | 2021-07-13 | Nidec Motor Corporation | Heatsink clamp for multiple electronic components |
CN110609188B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-07-15 | 潍柴动力股份有限公司 | 油量计量单元老化的检测方法、装置及设备 |
CN110676298B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-06-03 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板及oled显示面板 |
KR102159131B1 (ko) | 2020-01-30 | 2020-09-23 | 김재곤 | 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 일체형으로 갖는 튀김장치 |
KR102159137B1 (ko) | 2020-01-30 | 2020-09-23 | 김재곤 | 기름 순환 정제 기능을 갖는 튀김장치 |
KR102159125B1 (ko) | 2020-03-06 | 2020-09-23 | 김재곤 | 튀김 기름 순환 정제 기능 및 기름 유출 방지 기능을 갖는 튀김장치 |
KR20220056591A (ko) * | 2020-10-28 | 2022-05-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치 |
KR20220079760A (ko) * | 2020-12-04 | 2022-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN115083261B (zh) * | 2021-03-11 | 2024-08-02 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
KR102485139B1 (ko) | 2021-06-17 | 2023-01-04 | 김재곤 | 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 갖는 튀김장치 |
CN116168646A (zh) * | 2021-09-14 | 2023-05-26 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR20240043892A (ko) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN117452716A (zh) * | 2022-12-30 | 2024-01-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (119)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US599073A (en) * | 1898-02-15 | Pump-head | ||
US4042854A (en) * | 1975-11-21 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Flat panel display device with integral thin film transistor control system |
US4087792A (en) * | 1977-03-03 | 1978-05-02 | Westinghouse Electric Corp. | Electro-optic display system |
FR2488016A1 (fr) * | 1980-07-29 | 1982-02-05 | Thomson Csf | Module elementaire pour panneau d'affichage matriciel et panneau d'affichage comportant un tel module |
JPS58140781A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-20 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JPS59112700A (ja) | 1982-12-17 | 1984-06-29 | 松下電器産業株式会社 | プリント基板の防水装置 |
JPS59119390A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ回路 |
JPS6159474A (ja) | 1984-08-31 | 1986-03-26 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクスディスプレイ |
JPS61255384A (ja) | 1985-05-09 | 1986-11-13 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリツクスとその製造方法 |
JPS6241193A (ja) | 1985-08-15 | 1987-02-23 | 清水建設株式会社 | クレ−ンブ−ム接近判別方法 |
JPS62229952A (ja) | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | Mis型半導体集積回路装置 |
JPS63170682A (ja) | 1986-10-03 | 1988-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
JP2679036B2 (ja) | 1986-12-18 | 1997-11-19 | 富士通株式会社 | ガス放電パネルの製造方法 |
JPS6432236A (en) | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Seiko Instr & Electronics | X driver for matrix panel display |
JP2653099B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1997-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー |
EP0349265A3 (en) | 1988-06-27 | 1990-03-14 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Electroluminescent devices |
JP2568659B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1997-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
KR920009054B1 (ko) * | 1988-12-28 | 1992-10-13 | 가부시키가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체메모리 |
JPH03168617A (ja) | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
JP2734464B2 (ja) | 1990-02-28 | 1998-03-30 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JPH03269995A (ja) | 1990-03-16 | 1991-12-02 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子の作製方法 |
JP2616153B2 (ja) | 1990-06-20 | 1997-06-04 | 富士ゼロックス株式会社 | El発光装置 |
JP3062552B2 (ja) | 1990-08-27 | 2000-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びその検査方法 |
JP3202219B2 (ja) | 1990-09-18 | 2001-08-27 | 株式会社東芝 | El表示装置 |
JPH04161984A (ja) | 1990-10-26 | 1992-06-05 | Opt Tec Corp | 多重グレイレベルを有する大型映像表示ボードシステム |
JPH04264527A (ja) | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
JP2873632B2 (ja) | 1991-03-15 | 1999-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JPH04311066A (ja) | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
EP0535954B1 (en) | 1991-10-04 | 1998-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
JPH05107557A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
JP2784615B2 (ja) | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
US5276380A (en) | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
JPH05210089A (ja) | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置及びその駆動方法 |
JP2946921B2 (ja) | 1992-03-10 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 低電力駆動回路 |
JP2850072B2 (ja) | 1992-05-13 | 1999-01-27 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置 |
US5302966A (en) | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
JP3328654B2 (ja) | 1992-07-15 | 2002-09-30 | 昭和電工株式会社 | 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
GB9215929D0 (en) * | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JP3343968B2 (ja) | 1992-12-14 | 2002-11-11 | ソニー株式会社 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
JPH06186416A (ja) | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Toray Ind Inc | カラーフィルタとその製造方法 |
JPH06230745A (ja) | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Xerox Co Ltd | El発光装置及びその駆動方法 |
KR0140041B1 (ko) * | 1993-02-09 | 1998-06-15 | 쯔지 하루오 | 표시 장치용 전압 발생 회로, 공통 전극 구동 회로, 신호선 구동 회로 및 계조 전압 발생 회로 |
EP0624862B1 (en) * | 1993-05-14 | 1999-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Driving circuit for display apparatus |
JPH06325869A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 有機電界発光パネル |
JPH07120722A (ja) | 1993-06-30 | 1995-05-12 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
JP2821347B2 (ja) | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
JPH07122362A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光パネル |
JPH07128639A (ja) | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP3451291B2 (ja) | 1993-11-25 | 2003-09-29 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子とその製造方法 |
JP3463362B2 (ja) | 1993-12-28 | 2003-11-05 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
JPH0845663A (ja) * | 1994-02-09 | 1996-02-16 | Nec Kansai Ltd | El素子点灯装置 |
JP3488735B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2004-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3813217B2 (ja) | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
US5701055A (en) | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
JP2701738B2 (ja) | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JP3312083B2 (ja) | 1994-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US5508532A (en) | 1994-06-16 | 1996-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with braded silicon nitride |
US5525867A (en) | 1994-08-05 | 1996-06-11 | Hughes Aircraft Company | Electroluminescent display with integrated drive circuitry |
US5714968A (en) | 1994-08-09 | 1998-02-03 | Nec Corporation | Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device |
JP2689917B2 (ja) * | 1994-08-10 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
US5463279A (en) * | 1994-08-19 | 1995-10-31 | Planar Systems, Inc. | Active matrix electroluminescent cell design |
TW289097B (ja) | 1994-08-24 | 1996-10-21 | Hitachi Ltd | |
US5587329A (en) * | 1994-08-24 | 1996-12-24 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region |
US5818068A (en) | 1994-09-22 | 1998-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor circuit and an active matrix type display device |
JP3467334B2 (ja) | 1994-10-31 | 2003-11-17 | Tdk株式会社 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JPH08129360A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JPH08129358A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
EP0717445B1 (en) | 1994-12-14 | 2009-06-24 | Eastman Kodak Company | An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer |
JP3545078B2 (ja) | 1995-02-03 | 2004-07-21 | 三洋電機株式会社 | コードレス電話装置 |
JP3401356B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JPH08241057A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
US5693962A (en) * | 1995-03-22 | 1997-12-02 | Motorola | Full color organic light emitting diode array |
US5640067A (en) | 1995-03-24 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
US6853083B1 (en) | 1995-03-24 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
US5644327A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate |
JP3636777B2 (ja) | 1995-07-04 | 2005-04-06 | Tdk株式会社 | 画像表示装置 |
JP3744980B2 (ja) | 1995-07-27 | 2006-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JPH0943640A (ja) | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH09106887A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-04-22 | Citizen Watch Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 |
JP3124230B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2001-01-15 | 株式会社沖データ | 駆動装置 |
US5748160A (en) | 1995-08-21 | 1998-05-05 | Mororola, Inc. | Active driven LED matrices |
JPH0980412A (ja) | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Canon Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3892068B2 (ja) | 1995-10-20 | 2007-03-14 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
US6268895B1 (en) | 1995-10-27 | 2001-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having light shield in periphery of display |
TW329500B (en) | 1995-11-14 | 1998-04-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Electro-optical device |
US6294799B1 (en) | 1995-11-27 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
JPH09146119A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
TW309633B (ja) | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
JP3645378B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3645379B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3417514B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2003-06-16 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US6157356A (en) * | 1996-04-12 | 2000-12-05 | International Business Machines Company | Digitally driven gray scale operation of active matrix OLED displays |
JPH09281508A (ja) | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP3036436B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法 |
US5714838A (en) | 1996-09-20 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures |
KR100393039B1 (ko) * | 1996-11-20 | 2003-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시소자 |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
EP0845812B1 (en) | 1996-11-28 | 2009-10-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
US5949188A (en) | 1996-12-18 | 1999-09-07 | Hage Gmbh & Co. Kg | Electroluminescent display device with continuous base electrode |
JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
US5990629A (en) | 1997-01-28 | 1999-11-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent display device and a driving method thereof |
JPH10214060A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-11 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光表示装置およびその駆動方法 |
US5869929A (en) * | 1997-02-04 | 1999-02-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multicolor luminescent device |
US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
US6518962B2 (en) * | 1997-03-12 | 2003-02-11 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit display apparatus and electronic apparatus equipped with current driving type light-emitting device |
US6243069B1 (en) * | 1997-04-22 | 2001-06-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display with image reading function, image reading method and manufacturing method |
JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
TW439387B (en) | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
JP4073107B2 (ja) | 1999-03-18 | 2008-04-09 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型el表示装置 |
TW480727B (en) | 2000-01-11 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Laboratro | Semiconductor display device |
US6528950B2 (en) | 2000-04-06 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method |
JP3695308B2 (ja) | 2000-10-27 | 2005-09-14 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機el表示装置及びその製造方法 |
TW548621B (en) | 2000-12-08 | 2003-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | EL display device |
JP2004296303A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
JP3915806B2 (ja) | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
-
1998
- 1998-02-17 TW TW090129069A patent/TW578130B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-17 JP JP53136098A patent/JP3528182B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR1019980708210A patent/KR100541253B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 EP EP07075433A patent/EP1830343A3/en not_active Withdrawn
- 1998-02-17 CN CN031205046A patent/CN1506929B/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 EP EP03076312A patent/EP1359789B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 WO PCT/JP1998/000656 patent/WO1998036407A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1998-02-17 KR KR1020057017879A patent/KR100588271B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 KR KR10-2003-7002329A patent/KR100509240B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 DE DE69829084T patent/DE69829084T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 EP EP03076313A patent/EP1336953A3/en not_active Ceased
- 1998-02-17 EP EP98902263A patent/EP0895219B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 EP EP07075432A patent/EP1830342B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR1020037002332A patent/KR100539988B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 KR KR1020057017877A patent/KR100586715B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 DE DE69841721T patent/DE69841721D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 CN CNB988001497A patent/CN100341042C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 EP EP07075434A patent/EP1830344B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR10-2003-7002330A patent/KR100539291B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 KR KR10-2005-7002798A patent/KR100509241B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 EP EP02076495A patent/EP1255240B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR1020057017878A patent/KR100585261B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 CN CNB031205054A patent/CN100538790C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 TW TW087102170A patent/TW491985B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-17 US US09/171,224 patent/US6522315B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 CN CNB031205038A patent/CN100533528C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR1020057017875A patent/KR100544821B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-02-11 US US10/068,890 patent/US6839045B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-10 US US10/267,834 patent/US7221339B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-24 US US10/625,617 patent/US7253793B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-17 US US11/505,459 patent/US8154199B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-17 US US11/505,450 patent/US7710364B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-17 US US11/505,457 patent/US8354978B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-06-10 US US12/155,813 patent/US20080246700A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-11 JP JP2008206695A patent/JP5120141B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-04-02 JP JP2009089815A patent/JP5018819B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-10-27 US US12/606,775 patent/US8247967B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-13 US US12/618,229 patent/US7880696B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-08 US US13/492,586 patent/US20120299902A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5018819B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4207979B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3620538B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3882804B2 (ja) | 発光装置 | |
JP3818309B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3620539B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3912340B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2007219531A (ja) | 表示装置 | |
JP2004004911A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |