JP5380560B2 - 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 142
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 205
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 18
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical class C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical class OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- AIYYMMQIMJOTBM-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) acetate Chemical compound [Ni+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O AIYYMMQIMJOTBM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Description
図12におけるA−A'断面図を図11に示している。
コントロール回路813は、映像信号とクロックを、データ信号側駆動回路815とゲート信号側駆動回路814のそれぞれのタイミング仕様に変換する機能を持っている。
Claims (9)
- 第1乃び第2のTFTと、
第1乃至第6の配線と、
絶縁膜と、
画素電極と、
前記画素電極の上の発光層と、を有し、
前記第1の配線は、映像信号を供給することができる機能を有し、
前記第1の配線と、前記第1のTFTのゲートとは、同じ層の上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記第1の配線の上、及び、前記第1のTFTのゲートの上に設けられ、
前記第2乃至第4の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第2の配線は、前記第1の配線と、前記第1のTFTのソース又はドレインの一方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第3の配線は、前記第2のTFTのゲートと、前記第1のTFTのソース又はドレインの他方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第4の配線は、前記第2のTFTのソース又はドレインの一方と、前記画素電極とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第5の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第5の配線は、選択信号を供給することができる機能を有し、
前記第1のTFTのゲートは、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のTFTのソース又はドレインの他方は、前記第6の配線と、電気的に接続され、
前記第6の配線は、前記第2のTFTを介して、前記画素電極に電流を供給することができる機能を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第1の配線と重なる領域を有し、
前記第1のTFT及び前記第2のTFTは、同一の導電型のトランジスタであることを特徴とする表示装置。 - 第1乃び第2のTFTと、
第1乃至第6の配線と、
絶縁膜と、
画素電極と、
前記画素電極の上の発光層と、を有し、
前記第1の配線は、映像信号を供給することができる機能を有し、
前記第1の配線と、前記第1のTFTのゲートとは、同じ層の上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記第1の配線の上、及び、前記第1のTFTのゲートの上に設けられ、
前記第2乃至第4の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第2の配線は、前記第1の配線と、前記第1のTFTのソース又はドレインの一方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第3の配線は、前記第2のTFTのゲートと、前記第1のTFTのソース又はドレインの他方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第4の配線は、前記第2のTFTのソース又はドレインの一方と、前記画素電極とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第5の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第5の配線は、選択信号を供給することができる機能を有し、
前記第1のTFTのゲートは、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のTFTのソース又はドレインの他方は、前記第6の配線と、電気的に接続され、
前記第6の配線は、前記第2のTFTを介して、前記画素電極に電流を供給することができる機能を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第1の配線と重なる領域を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第6の配線と重なる領域を有し、
前記第1のTFT及び前記第2のTFTは、同一の導電型のトランジスタであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2において、
容量素子を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第2のTFTの半導体層とひと続きの半導体層で構成され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第2のTFTのゲートとひと続きの導電層で構成されていることを特徴とする表示装置。 - 第1乃び第2のTFTと、
第1乃至第6の配線と、
絶縁膜と、
発光素子の一部として用いることができる機能を有する画素電極と、を有し、
前記第1の配線は、映像信号を供給することができる機能を有し、
前記第1の配線と、前記第1のTFTのゲートとは、同じ層の上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記第1の配線の上、及び、前記第1のTFTのゲートの上に設けられ、
前記第2乃至第4の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第2の配線は、前記第1の配線と、前記第1のTFTのソース又はドレインの一方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第3の配線は、前記第2のTFTのゲートと、前記第1のTFTのソース又はドレインの他方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第4の配線は、前記第2のTFTのソース又はドレインの一方と、前記画素電極とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第5の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第5の配線は、選択信号を供給することができる機能を有し、
前記第1のTFTのゲートは、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のTFTのソース又はドレインの他方は、前記第6の配線と、電気的に接続され、
前記第6の配線は、前記第2のTFTを介して、前記画素電極に電流を供給することができる機能を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第1の配線と重なる領域を有し、
前記第1のTFT及び前記第2のTFTは、同一の導電型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 第1乃び第2のTFTと、
第1乃至第6の配線と、
絶縁膜と、
発光素子の一部として用いることができる機能を有する画素電極と、を有し、
前記第1の配線は、映像信号を供給することができる機能を有し、
前記第1の配線と、前記第1のTFTのゲートとは、同じ層の上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記第1の配線の上、及び、前記第1のTFTのゲートの上に設けられ、
前記第2乃至第4の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第2の配線は、前記第1の配線と、前記第1のTFTのソース又はドレインの一方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第3の配線は、前記第2のTFTのゲートと、前記第1のTFTのソース又はドレインの他方とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第4の配線は、前記第2のTFTのソース又はドレインの一方と、前記画素電極とを、電気的に接続することができる機能を有し、
前記第5の配線は、前記絶縁膜の上に設けられ、
前記第5の配線は、選択信号を供給することができる機能を有し、
前記第1のTFTのゲートは、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のTFTのソース又はドレインの他方は、前記第6の配線と、電気的に接続され、
前記第6の配線は、前記第2のTFTを介して、前記画素電極に電流を供給することができる機能を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第1の配線と重なる領域を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第6の配線と重なる領域を有し、
前記第1のTFT及び前記第2のTFTは、同一の導電型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4または5において、
容量素子を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第2のTFTの半導体層とひと続きの半導体層で構成され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第2のTFTのゲートとひと続きの導電層で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の表示装置、または、請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置と、
FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の表示装置、請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置、または、請求項7に記載の表示モジュールと、
アンテナ、音声入力部、操作スイッチ、受像部、画像入力部、スピーカ部、または、バッテリーと、を有することを特徴とする電子機器。 - 請求項8に記載の電子機器は、携帯情報端末、カメラ、パーソナルコンピュータ、又はテレビとしての機能を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024675A JP5380560B2 (ja) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024675A JP5380560B2 (ja) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000261983A Division JP2002076352A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 表示装置及びその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013076785A Division JP5467165B2 (ja) | 2013-04-02 | 2013-04-02 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012133383A JP2012133383A (ja) | 2012-07-12 |
JP5380560B2 true JP5380560B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=46648954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012024675A Expired - Lifetime JP5380560B2 (ja) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5380560B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2814752B2 (ja) * | 1991-01-21 | 1998-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置 |
JP3615556B2 (ja) * | 1992-11-04 | 2005-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス基板とその製造方法 |
EP1255240B1 (en) * | 1997-02-17 | 2005-02-16 | Seiko Epson Corporation | Active matrix electroluminescent display with two TFTs and storage capacitor in each pixel |
JP4531175B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7023021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2012
- 2012-02-08 JP JP2012024675A patent/JP5380560B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012133383A (ja) | 2012-07-12 |
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