JPH0845663A - Ｅｌ素子点灯装置 - Google Patents
Ｅｌ素子点灯装置Info
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- JPH0845663A JPH0845663A JP6263015A JP26301594A JPH0845663A JP H0845663 A JPH0845663 A JP H0845663A JP 6263015 A JP6263015 A JP 6263015A JP 26301594 A JP26301594 A JP 26301594A JP H0845663 A JPH0845663 A JP H0845663A
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- lighting device
- transistor
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型，薄型，低コストを実現するＥＬ素子点
灯装置。 【構成】 インダクタ（L1）と、ダイオード（D1）と、
スイッチング素子（Tr1)とで構成されたＥＬ素子の充電
回路（10）と、ＥＬ素子の電荷を放電させる放電回路
（20）とで構成され、充電回路（10）は発振回路（11）
により常時動作させる一方、発振回路（21）により、あ
る周期の一定期間に放電回路（20）を動作させる。ま
た、不要な消費電力の増加をなくすために、放電回路
（20）を動作させる期間を一周期の10％以下とする。 【効果】 充電回路と放電回路を一括制御する制御回路
が省略できるため、インバータの回路が簡略化でき、小
型，薄型，低コストのＥＬ素子点灯装置が実現できる。
灯装置。 【構成】 インダクタ（L1）と、ダイオード（D1）と、
スイッチング素子（Tr1)とで構成されたＥＬ素子の充電
回路（10）と、ＥＬ素子の電荷を放電させる放電回路
（20）とで構成され、充電回路（10）は発振回路（11）
により常時動作させる一方、発振回路（21）により、あ
る周期の一定期間に放電回路（20）を動作させる。ま
た、不要な消費電力の増加をなくすために、放電回路
（20）を動作させる期間を一周期の10％以下とする。 【効果】 充電回路と放電回路を一括制御する制御回路
が省略できるため、インバータの回路が簡略化でき、小
型，薄型，低コストのＥＬ素子点灯装置が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイのバ
ックライトなどに用いるＥＬ素子点灯装置、特に回路の
簡略化により小型化と低コスト化、さらには電池などの
低電圧電源を入力とした場合の高効率化、或はＥＬの高
輝度化が実現できるＥＬ素子点灯装置に関する。
ックライトなどに用いるＥＬ素子点灯装置、特に回路の
簡略化により小型化と低コスト化、さらには電池などの
低電圧電源を入力とした場合の高効率化、或はＥＬの高
輝度化が実現できるＥＬ素子点灯装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子は、薄型，軽量，フレキシブル
等の特長を持ち、液晶ディスプレイのバックライトなど
に利用されているが、ＥＬ素子を点灯させるためには、
100Ｖ，800 Hz程度の交流電圧が必要であり、一般的に
は直流を交流に変換する DC-ACインバータが用いられて
いる。
等の特長を持ち、液晶ディスプレイのバックライトなど
に利用されているが、ＥＬ素子を点灯させるためには、
100Ｖ，800 Hz程度の交流電圧が必要であり、一般的に
は直流を交流に変換する DC-ACインバータが用いられて
いる。
【０００３】現在、一般的に使用されているインバータ
として、特公昭62-15032号公報などで提案されているよ
うに、トランスとトランジスタと抵抗とコンデンサで構
成されたブロッキング発振回路による自励式インバ−タ
がある。
として、特公昭62-15032号公報などで提案されているよ
うに、トランスとトランジスタと抵抗とコンデンサで構
成されたブロッキング発振回路による自励式インバ−タ
がある。
【０００４】また、10ｃｍ2 程度の小面積のＥＬ素子を
電池１本の入力電源で駆動するインバータとして、特公
昭62−11314 号公報などに記載されているインバータが
ある。このインバータの回路構成、動作原理を図９を参
照して説明する。回路構成としては、ＥＬ素子の充電回
路（10）と放電回路（20）、及び制御回路（30）とから
成り、さらに前記充電回路（10) は、インダクタ（L1）
とトランジスタ（Tr1 ）、及びトランジスタをON/OFFす
るための発振回路（11）とで構成された昇圧回路（12）
と、昇圧回路（12）で昇圧された電圧を整流するダイオ
ード（D1）とで構成され、また、前記放電回路（20）
は、トランジスタ（Tr2 ）で構成されている。以上の回
路構成により、制御回路（30）によって充電回路（10）
と放電回路（20）とを交互に動作させ、ＥＬ素子を点灯
させる。この動作を図10を用いてもう少し詳しく説明す
る。まず、発振回路（11）の信号がハイレベルになると
トランジスタ（Tr１）がONになりインダクタ（L1）に電
流が流れる。この時、インダクタ（L1）には 1/2・Ｌ・
Ｉ2 （Ｌ：インダクタ（L1）のインダクタンス，Ｉ：イ
ンダクタ（L1）に流れるピーク電流）の電磁エネルギが
蓄えられる。次に、発振回路（11）の信号がローレベル
になってトランジスタ（Tr1 ）がOFF になると蓄えられ
たエネルギが放出され、ダイオード（D1）を通してＥＬ
素子を充電する。
電池１本の入力電源で駆動するインバータとして、特公
昭62−11314 号公報などに記載されているインバータが
ある。このインバータの回路構成、動作原理を図９を参
照して説明する。回路構成としては、ＥＬ素子の充電回
路（10）と放電回路（20）、及び制御回路（30）とから
成り、さらに前記充電回路（10) は、インダクタ（L1）
とトランジスタ（Tr1 ）、及びトランジスタをON/OFFす
るための発振回路（11）とで構成された昇圧回路（12）
と、昇圧回路（12）で昇圧された電圧を整流するダイオ
ード（D1）とで構成され、また、前記放電回路（20）
は、トランジスタ（Tr2 ）で構成されている。以上の回
路構成により、制御回路（30）によって充電回路（10）
と放電回路（20）とを交互に動作させ、ＥＬ素子を点灯
させる。この動作を図10を用いてもう少し詳しく説明す
る。まず、発振回路（11）の信号がハイレベルになると
トランジスタ（Tr１）がONになりインダクタ（L1）に電
流が流れる。この時、インダクタ（L1）には 1/2・Ｌ・
Ｉ2 （Ｌ：インダクタ（L1）のインダクタンス，Ｉ：イ
ンダクタ（L1）に流れるピーク電流）の電磁エネルギが
蓄えられる。次に、発振回路（11）の信号がローレベル
になってトランジスタ（Tr1 ）がOFF になると蓄えられ
たエネルギが放出され、ダイオード（D1）を通してＥＬ
素子を充電する。
【０００５】以上の動作を繰り返すことによって、ＥＬ
素子は段階的に充電され、所定の電圧まで充電した後、
制御回路（30）によって、トランジスタ（Tr2 ）をONに
し、ＥＬ素子に蓄えられた電荷を放電させる。以上で一
周期が完了し、ＥＬ素子には、図10の（ｄ）に示すよう
な電圧が印加され、充電時，放電時とを合わせて一周期
に２回発光する。 ここで、充電回路（10）と放電回路
（20）を交互に制御するために制御回路（30）からは、
図10の（ａ），（ｃ）に示すような信号が発振回路（1
1）と放電用トランジスタ（Tr2 ）に与えられ、発振回
路（11）は制御回路（30）からの信号を受け、図10の
（ｂ）に示すような信号をトランジスタ（Tr1 ）に出力
し、放電用トランジスタが動作している期間、発振回路
（11）の出力をローレベルにして、充電動作を停止する
ようにしている。
素子は段階的に充電され、所定の電圧まで充電した後、
制御回路（30）によって、トランジスタ（Tr2 ）をONに
し、ＥＬ素子に蓄えられた電荷を放電させる。以上で一
周期が完了し、ＥＬ素子には、図10の（ｄ）に示すよう
な電圧が印加され、充電時，放電時とを合わせて一周期
に２回発光する。 ここで、充電回路（10）と放電回路
（20）を交互に制御するために制御回路（30）からは、
図10の（ａ），（ｃ）に示すような信号が発振回路（1
1）と放電用トランジスタ（Tr2 ）に与えられ、発振回
路（11）は制御回路（30）からの信号を受け、図10の
（ｂ）に示すような信号をトランジスタ（Tr1 ）に出力
し、放電用トランジスタが動作している期間、発振回路
（11）の出力をローレベルにして、充電動作を停止する
ようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のブロッキング発
振回路による自励式インバータでは、動作原理上、入力
電源電圧が小さくなるほど、トランスの１次，２次巻き
線比を大きくしなければならず、電池などの低電圧入力
電源の場合には、２次巻き線を多く巻く必要があるため
にトランスが大きくなり、さらに、動作原理上、ＥＬ素
子の駆動周波数は、トランスの２次巻き線のインダクタ
ンス（ＬT2）と、ＥＬ素子の静電容量（ＣEL）との共振
周波数（１／２π）・（ＬT2・ＣEL）-1/2にほぼ一致す
るため、小面積のＥＬ素子で所定の駆動周波数（ 800Hz
程度）を得るためには、トランスの２次巻き線を多く
し、インダクタンス（ＬT2）を大きくしなければなら
ず、その結果インバータ全体が大型化するといった問題
があった。このように、低電圧電源で小面積のＥＬ素子
を点灯させる目的では、ブロッキング発振回路による自
励式インバータは大きさの点で不利になっていた。
振回路による自励式インバータでは、動作原理上、入力
電源電圧が小さくなるほど、トランスの１次，２次巻き
線比を大きくしなければならず、電池などの低電圧入力
電源の場合には、２次巻き線を多く巻く必要があるため
にトランスが大きくなり、さらに、動作原理上、ＥＬ素
子の駆動周波数は、トランスの２次巻き線のインダクタ
ンス（ＬT2）と、ＥＬ素子の静電容量（ＣEL）との共振
周波数（１／２π）・（ＬT2・ＣEL）-1/2にほぼ一致す
るため、小面積のＥＬ素子で所定の駆動周波数（ 800Hz
程度）を得るためには、トランスの２次巻き線を多く
し、インダクタンス（ＬT2）を大きくしなければなら
ず、その結果インバータ全体が大型化するといった問題
があった。このように、低電圧電源で小面積のＥＬ素子
を点灯させる目的では、ブロッキング発振回路による自
励式インバータは大きさの点で不利になっていた。
【０００７】一方、特公昭62-11314号公報などに記載さ
れているような電池などの低電圧電源を使ったＥＬ素子
点灯装置では、充電回路に使われるインダクタは、発振
周波数をＥＬ素子の駆動周波数より２桁以上高く設定す
るため、使用するインダクタは数百μＨ（ヘンリー）程
度と、前述のブロッキング発振回路による自励式インバ
ータのトランスに比べて５桁程度小さいインダクタンス
で小型のインバータが実現できるが、充電回路，放電回
路に加えて、これらを制御する制御回路が必要で、しか
も、充電回路と放電回路とをそれぞれ異なった信号で制
御するために、回路が複雑になって部品点数が多くな
り、小型化が十分におこなえないことに加え、コストの
面でも不利であった。また、電池などの低電圧電源を使
った場合、インダクタ（L1）をスイッチングする素子
（Tr1 ）として、使われるスイッチング素子は動作電圧
の低いバイポーラトランジスタに限られていた。しかし
ながら、バイポーラトランジスタはターンオフ時間が１
μ秒以上もあるため、バイポーラトランジスタ（Tr1 ）
のOFF 時に、ＥＬ素子へ充電される電流の一部がバイポ
ーラトランジスタ（Tr1 ）自身に流れるといった悪影響
が発生し、これによって、ＥＬ素子への充電エネルギが
低下し、効率が低いといった問題があった。
れているような電池などの低電圧電源を使ったＥＬ素子
点灯装置では、充電回路に使われるインダクタは、発振
周波数をＥＬ素子の駆動周波数より２桁以上高く設定す
るため、使用するインダクタは数百μＨ（ヘンリー）程
度と、前述のブロッキング発振回路による自励式インバ
ータのトランスに比べて５桁程度小さいインダクタンス
で小型のインバータが実現できるが、充電回路，放電回
路に加えて、これらを制御する制御回路が必要で、しか
も、充電回路と放電回路とをそれぞれ異なった信号で制
御するために、回路が複雑になって部品点数が多くな
り、小型化が十分におこなえないことに加え、コストの
面でも不利であった。また、電池などの低電圧電源を使
った場合、インダクタ（L1）をスイッチングする素子
（Tr1 ）として、使われるスイッチング素子は動作電圧
の低いバイポーラトランジスタに限られていた。しかし
ながら、バイポーラトランジスタはターンオフ時間が１
μ秒以上もあるため、バイポーラトランジスタ（Tr1 ）
のOFF 時に、ＥＬ素子へ充電される電流の一部がバイポ
ーラトランジスタ（Tr1 ）自身に流れるといった悪影響
が発生し、これによって、ＥＬ素子への充電エネルギが
低下し、効率が低いといった問題があった。
【０００８】本発明の目的は、上記従来のインバータの
問題点を解消するもので、小型，薄型で、より実用的な
ＥＬ素子点灯装置を提供することにある。
問題点を解消するもので、小型，薄型で、より実用的な
ＥＬ素子点灯装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ素子点灯装
置は、ＥＬ素子を充電する充電回路と、ＥＬ素子の電荷
を放電させる放電回路とを備え、前記充電回路は第１の
スイッチング素子、第１の発振回路及び誘導性素子を含
む昇圧回路と、整流素子とを有し、前記第１の発振回路
によりＥＬ素子の点灯周波数よりも高い周波数で前記第
１のスイッチング素子を常時ON/OFF動作して前記ＥＬ素
子を段階的に充電させ、前記放電回路は第２のスイッチ
ング素子と、第２の発振回路とを有し、前記第２の発振
回路により一周期のうちの一定期間だけ前記第２のスイ
ッチング素子を動作してＥＬ素子を放電させることを特
徴とする。この時、前記放電回路を動作させる一定期間
は、前記一周期の10％以下に設定する。また、前記充電
回路の第１のスイッチング素子にＦＥＴを使用し、該Ｆ
ＥＴのゲートにコレクタ出力を接続したトランジスタ
と、該トランジスタのコレクタ負荷としてインダクタと
ダイオードとを直列接続してなるＦＥＴ駆動電圧発生回
路とを具備することを特徴とする。
置は、ＥＬ素子を充電する充電回路と、ＥＬ素子の電荷
を放電させる放電回路とを備え、前記充電回路は第１の
スイッチング素子、第１の発振回路及び誘導性素子を含
む昇圧回路と、整流素子とを有し、前記第１の発振回路
によりＥＬ素子の点灯周波数よりも高い周波数で前記第
１のスイッチング素子を常時ON/OFF動作して前記ＥＬ素
子を段階的に充電させ、前記放電回路は第２のスイッチ
ング素子と、第２の発振回路とを有し、前記第２の発振
回路により一周期のうちの一定期間だけ前記第２のスイ
ッチング素子を動作してＥＬ素子を放電させることを特
徴とする。この時、前記放電回路を動作させる一定期間
は、前記一周期の10％以下に設定する。また、前記充電
回路の第１のスイッチング素子にＦＥＴを使用し、該Ｆ
ＥＴのゲートにコレクタ出力を接続したトランジスタ
と、該トランジスタのコレクタ負荷としてインダクタと
ダイオードとを直列接続してなるＦＥＴ駆動電圧発生回
路とを具備することを特徴とする。
【００１０】また、ＥＬ素子を充電する充電回路と、Ｅ
Ｌ素子の電荷を放電させる放電回路と、制御回路とを備
え、前記充電回路はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、
発振回路及び誘導性素子を含む昇圧回路と、整流素子と
を有し、かつ、前記昇圧回路は該ＦＥＴのゲートにコレ
クタ出力を接続したトランジスタと、該トランジスタの
コレクタ負荷として直列接続したインダクタとダイオー
ドとを含むＦＥＴ駆動電圧発生回路を有し、前記発振回
路によりＥＬ素子の点灯周波数よりも高い周波数で前記
ＦＥＴをON/OFF動作して前記ＥＬ素子を段階的に充電さ
せ、前記放電回路はスイッチング素子を有し、前記制御
回路によって前記充電回路と前記放電回路とを交互に動
作させることを特徴とする。
Ｌ素子の電荷を放電させる放電回路と、制御回路とを備
え、前記充電回路はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、
発振回路及び誘導性素子を含む昇圧回路と、整流素子と
を有し、かつ、前記昇圧回路は該ＦＥＴのゲートにコレ
クタ出力を接続したトランジスタと、該トランジスタの
コレクタ負荷として直列接続したインダクタとダイオー
ドとを含むＦＥＴ駆動電圧発生回路を有し、前記発振回
路によりＥＬ素子の点灯周波数よりも高い周波数で前記
ＦＥＴをON/OFF動作して前記ＥＬ素子を段階的に充電さ
せ、前記放電回路はスイッチング素子を有し、前記制御
回路によって前記充電回路と前記放電回路とを交互に動
作させることを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記の手段によれば、充電回路と放電回路とを
それぞれ制御する制御回路を省略できるため、部品点数
を少なくでき、ＥＬ素子点灯装置の小型化，薄型化，低
コスト化が可能となり、また、前記放電回路が動作する
期間を一周期の10％以下とすることによって、消費電力
にほとんど悪影響を及ぼすことなく動作できる。また、
電池などの低電圧電源を入力とした場合においても、ス
イッチング素子にＦＥＴを使うことができるため、スイ
ッチング素子のターンオフ時間が速くなりＥＬ点灯装置
の効率が改善され、制御回路を省略した場合は勿論，制
御回路を省略しない場合であっても実用性を向上した点
灯装置が提供できる。これによって、従来と同じ消費電
力でもＥＬ素子を高輝度で点灯させることができ、ま
た、ＥＬ素子の輝度が決まった場合には、消費電力を小
さくすることができる。このように、本発明により、小
型，薄型で、より実用的なＥＬ素子点灯装置を提供で
き、特に小型電子機器などの液晶デイスプレイのバック
ライトにＥＬを使う場合に、最適な点灯装置が実現でき
る。
それぞれ制御する制御回路を省略できるため、部品点数
を少なくでき、ＥＬ素子点灯装置の小型化，薄型化，低
コスト化が可能となり、また、前記放電回路が動作する
期間を一周期の10％以下とすることによって、消費電力
にほとんど悪影響を及ぼすことなく動作できる。また、
電池などの低電圧電源を入力とした場合においても、ス
イッチング素子にＦＥＴを使うことができるため、スイ
ッチング素子のターンオフ時間が速くなりＥＬ点灯装置
の効率が改善され、制御回路を省略した場合は勿論，制
御回路を省略しない場合であっても実用性を向上した点
灯装置が提供できる。これによって、従来と同じ消費電
力でもＥＬ素子を高輝度で点灯させることができ、ま
た、ＥＬ素子の輝度が決まった場合には、消費電力を小
さくすることができる。このように、本発明により、小
型，薄型で、より実用的なＥＬ素子点灯装置を提供で
き、特に小型電子機器などの液晶デイスプレイのバック
ライトにＥＬを使う場合に、最適な点灯装置が実現でき
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の第１の一実施例について図
１，図２を参照して説明する。図１のＥＬ素子点灯装置
１は、ＥＬ素子の充電回路（10）と、ＥＬ素子の電荷を
放電させる放電回路（20）とで構成され、さらに充電回
路（10）は、第１のスイッチング素子（トランジスタ
（Tr1 ））と、第１のスイッチング素子をON/OFFさせる
第１の発振回路（11）と、誘電素子（この場合はインダ
クタ（L1））とから成る昇圧回路（12）と、整流素子
（ダイオード（D1））とで構成され、前記放電回路（2
0）は、第２のスイッチング素子（トランジスタ（Tr2
））、及び第２のスイッチング素子をON/OFFさせる第
２の発振回路（21）とで構成されている。
１，図２を参照して説明する。図１のＥＬ素子点灯装置
１は、ＥＬ素子の充電回路（10）と、ＥＬ素子の電荷を
放電させる放電回路（20）とで構成され、さらに充電回
路（10）は、第１のスイッチング素子（トランジスタ
（Tr1 ））と、第１のスイッチング素子をON/OFFさせる
第１の発振回路（11）と、誘電素子（この場合はインダ
クタ（L1））とから成る昇圧回路（12）と、整流素子
（ダイオード（D1））とで構成され、前記放電回路（2
0）は、第２のスイッチング素子（トランジスタ（Tr2
））、及び第２のスイッチング素子をON/OFFさせる第
２の発振回路（21）とで構成されている。
【００１３】次に、このＥＬ素子点灯装置の原理を図２
のタイミングチャートを用いて詳述する。図２の（ａ）
は、充電回路（10）の中の発振回路（11）の出力波形
で、ある一定の周期でハイレベルとローレベル（０レベ
ル）が繰り返され、これによって、トランジスタ（Tr1
）がON/OFFされる。ここで、この出力信号がハイレベ
ルになり、トランジスタ（Tr1 ）がONになった場合、イ
ンダクタ（L1）には入力電源（Ｖin）を通して図２
（ｂ）に示すような電流が流れ、この時インダクタ（L
1）には電流の２乗に比例したエネルギが蓄えられる。
このエネルギは、この後、発振回路（11）の出力信号が
ローレベルになり、トランジスタ（Tr1 ）がOFF となっ
た時に放出され、ダイオード（D1）を通してＥＬ素子が
充電される。
のタイミングチャートを用いて詳述する。図２の（ａ）
は、充電回路（10）の中の発振回路（11）の出力波形
で、ある一定の周期でハイレベルとローレベル（０レベ
ル）が繰り返され、これによって、トランジスタ（Tr1
）がON/OFFされる。ここで、この出力信号がハイレベ
ルになり、トランジスタ（Tr1 ）がONになった場合、イ
ンダクタ（L1）には入力電源（Ｖin）を通して図２
（ｂ）に示すような電流が流れ、この時インダクタ（L
1）には電流の２乗に比例したエネルギが蓄えられる。
このエネルギは、この後、発振回路（11）の出力信号が
ローレベルになり、トランジスタ（Tr1 ）がOFF となっ
た時に放出され、ダイオード（D1）を通してＥＬ素子が
充電される。
【００１４】以上のことを繰り返すことによって、ＥＬ
素子は段階的に充電され、図２（ｄ）のように、ＥＬ素
子の端子間電圧も段階的に上昇し、端子間電圧がある電
圧を越えることによってＥＬ素子は点灯する。なお、以
上説明した発振回路（11）の周波数は、数十ＫＨｚ〜数
ＭＨｚで、後に説明する放電回路（20）の周波数、すな
わち、ＥＬ素子の駆動周波数に比べて１桁〜３桁高いた
め、使われるインダクタ（L1）は、数百μＨ程度のイン
ダクタンスとなり、小型のインダクタで実現できる。
素子は段階的に充電され、図２（ｄ）のように、ＥＬ素
子の端子間電圧も段階的に上昇し、端子間電圧がある電
圧を越えることによってＥＬ素子は点灯する。なお、以
上説明した発振回路（11）の周波数は、数十ＫＨｚ〜数
ＭＨｚで、後に説明する放電回路（20）の周波数、すな
わち、ＥＬ素子の駆動周波数に比べて１桁〜３桁高いた
め、使われるインダクタ（L1）は、数百μＨ程度のイン
ダクタンスとなり、小型のインダクタで実現できる。
【００１５】一方、図２（ｃ）は、放電回路（20）の中
の発振回路（21）の出力波形で、ある一定の周期でハイ
レベルとローレベル（０レベル）が繰り返され、これに
よって、放電用トランジスタ（Tr2 ）がON/OFFされる。
この出力信号の周波数は、ＥＬ素子の点灯周波数とな
り、通常 800Hz程度に設定される。この放電回路（20）
は、発振回路（21）の出力信号がローレベルの期間に
は、放電用トランジスタ（Tr2 ）がOFF になるため放電
の動作は停止し、その結果、ＥＬ素子は、前述の充電回
路（10）の動作によって充電がおこなわれ、ＥＬ素子の
端子電圧が上昇する。次に、発振回路（21）の出力信号
がハイレベルになると、放電用トランジスタ（Tr2 ）が
ONとなって、ＥＬ素子の電荷が放電され、ＥＬ素子の端
子電圧は低下していく。この時、充電回路（10）は常に
動作しているため、充電回路（10）と放電回路（20）と
が同時に働くが、放電用トランジスタ（Tr2 ）の電流容
量を大きく設定することによって、放電時に、ＥＬ素子
の電荷はほぼゼロにできるので、ＥＬ素子の充放電を確
実におこなえ、発光輝度を低下させることはない。ま
た、充電回路（10）と放電回路（20）とが同時に働くた
めに、放電期間における充電回路（10）の消費電力がロ
スになるが、放電期間をＥＬ素子の点灯周期の10％以下
とすることによって、このロスは小さくなり、消費電力
への悪影響はほとんどなくなる。
の発振回路（21）の出力波形で、ある一定の周期でハイ
レベルとローレベル（０レベル）が繰り返され、これに
よって、放電用トランジスタ（Tr2 ）がON/OFFされる。
この出力信号の周波数は、ＥＬ素子の点灯周波数とな
り、通常 800Hz程度に設定される。この放電回路（20）
は、発振回路（21）の出力信号がローレベルの期間に
は、放電用トランジスタ（Tr2 ）がOFF になるため放電
の動作は停止し、その結果、ＥＬ素子は、前述の充電回
路（10）の動作によって充電がおこなわれ、ＥＬ素子の
端子電圧が上昇する。次に、発振回路（21）の出力信号
がハイレベルになると、放電用トランジスタ（Tr2 ）が
ONとなって、ＥＬ素子の電荷が放電され、ＥＬ素子の端
子電圧は低下していく。この時、充電回路（10）は常に
動作しているため、充電回路（10）と放電回路（20）と
が同時に働くが、放電用トランジスタ（Tr2 ）の電流容
量を大きく設定することによって、放電時に、ＥＬ素子
の電荷はほぼゼロにできるので、ＥＬ素子の充放電を確
実におこなえ、発光輝度を低下させることはない。ま
た、充電回路（10）と放電回路（20）とが同時に働くた
めに、放電期間における充電回路（10）の消費電力がロ
スになるが、放電期間をＥＬ素子の点灯周期の10％以下
とすることによって、このロスは小さくなり、消費電力
への悪影響はほとんどなくなる。
【００１６】このようにして、ＥＬ素子には図２（ｄ）
のような電圧が印加され、点灯し続ける。以上説明した
ように、本発明は、充電回路は発振回路と、インダクタ
と、トランジスタと、ダイオードとで構成でき、放電回
路も発振回路とトランジスタで構成できるため、従来の
ような複雑な構成の制御回路が不要になり、従来よりも
大幅に小型，薄型化でき、かつ低コストなＥＬ素子点灯
装置を提供できる。また、誘導性素子として、インダク
タを用いているが、これをトランスに代えることも可能
で、これについては次に説明する。
のような電圧が印加され、点灯し続ける。以上説明した
ように、本発明は、充電回路は発振回路と、インダクタ
と、トランジスタと、ダイオードとで構成でき、放電回
路も発振回路とトランジスタで構成できるため、従来の
ような複雑な構成の制御回路が不要になり、従来よりも
大幅に小型，薄型化でき、かつ低コストなＥＬ素子点灯
装置を提供できる。また、誘導性素子として、インダク
タを用いているが、これをトランスに代えることも可能
で、これについては次に説明する。
【００１７】
【実施例２】図３のＥＬ素子点灯装置２は、前述の充電
回路（10）の誘導性素子としてトランス（T1）を使用し
た場合のＥＬ素子点灯装置で、トランスを使用する分、
小型化には実施例１より若干不利であるが、ＥＬ素子に
印加する電圧を高くすることができるため、ＥＬ素子の
高輝度化が可能となる利点がある。なお、トランスを使
ったＥＬ素子点灯装置の動作原理も、前述のインダクタ
を使ったものと基本的に同じで、トランス（T1）の１次
側のインダクタンスによって蓄えられたエネルギを２次
巻き線を通して高い電圧までＥＬ素子を充電できるよう
にしたものであるため、基本的にはトランス（T1）の１
次側のインダクタンスは、図１で説明したインダクタ
（L1）のインダクタンスと同じ数百μＨ程度になり、ま
た、トランス（T1）の２次側のインダクタンスは最大で
も10倍の数ｍＨであるため、両方合わせても前述のブロ
ッキング発振回路による自励式インバータのトランスに
比べて４桁程度小さいインダクタで実現できるので、ト
ランスを非常に小型にできる。また、図３のトランス
（T1）は、１次側，２次側共、電気的につながったタイ
プのトランスであるが、一般のトランスのように、１次
側と２次側が分離したタイプのトランスを使うこともで
きる。
回路（10）の誘導性素子としてトランス（T1）を使用し
た場合のＥＬ素子点灯装置で、トランスを使用する分、
小型化には実施例１より若干不利であるが、ＥＬ素子に
印加する電圧を高くすることができるため、ＥＬ素子の
高輝度化が可能となる利点がある。なお、トランスを使
ったＥＬ素子点灯装置の動作原理も、前述のインダクタ
を使ったものと基本的に同じで、トランス（T1）の１次
側のインダクタンスによって蓄えられたエネルギを２次
巻き線を通して高い電圧までＥＬ素子を充電できるよう
にしたものであるため、基本的にはトランス（T1）の１
次側のインダクタンスは、図１で説明したインダクタ
（L1）のインダクタンスと同じ数百μＨ程度になり、ま
た、トランス（T1）の２次側のインダクタンスは最大で
も10倍の数ｍＨであるため、両方合わせても前述のブロ
ッキング発振回路による自励式インバータのトランスに
比べて４桁程度小さいインダクタで実現できるので、ト
ランスを非常に小型にできる。また、図３のトランス
（T1）は、１次側，２次側共、電気的につながったタイ
プのトランスであるが、一般のトランスのように、１次
側と２次側が分離したタイプのトランスを使うこともで
きる。
【００１８】
【実施例３】次に、電池などの低電圧電源を使った場合
の高効率インバータについて、図４，図５を参照して説
明する。図４のＥＬ素子点灯装置３は、ＥＬ素子の充電
回路（10）と、ＥＬ素子の電荷を放電させる放電回路
（20）、及び制御回路（30) とで構成され、さらに、充
電回路（10）は、発振回路（11）からのパルス信号によ
りスイッチング動作するＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）と、該ＦＥＴのゲートにコレクタ出力を接続したト
ランジスタ（Tr3 ）と、該トランジスタ（Tr3 ）のコレ
クタ負荷としてインダクタ（L2）とダイオード（D2）と
の直列回路、及びコンデンサ（C1）とをそれぞれ接続し
てなるＦＥＴ駆動電圧発生回路（13）、及びインダクタ
（L1）で構成される昇圧回路（12）と、昇圧回路（12）
で昇圧された電圧を整流するダイオード（D1）とで構成
される。また、前記放電回路（20）はトランジスタ（Tr
2 ) で構成され、充電回路（10）と放電回路（20）と
を、制御回路（30）によって交互に動作させ、ＥＬ素子
を点灯させる。
の高効率インバータについて、図４，図５を参照して説
明する。図４のＥＬ素子点灯装置３は、ＥＬ素子の充電
回路（10）と、ＥＬ素子の電荷を放電させる放電回路
（20）、及び制御回路（30) とで構成され、さらに、充
電回路（10）は、発振回路（11）からのパルス信号によ
りスイッチング動作するＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）と、該ＦＥＴのゲートにコレクタ出力を接続したト
ランジスタ（Tr3 ）と、該トランジスタ（Tr3 ）のコレ
クタ負荷としてインダクタ（L2）とダイオード（D2）と
の直列回路、及びコンデンサ（C1）とをそれぞれ接続し
てなるＦＥＴ駆動電圧発生回路（13）、及びインダクタ
（L1）で構成される昇圧回路（12）と、昇圧回路（12）
で昇圧された電圧を整流するダイオード（D1）とで構成
される。また、前記放電回路（20）はトランジスタ（Tr
2 ) で構成され、充電回路（10）と放電回路（20）と
を、制御回路（30）によって交互に動作させ、ＥＬ素子
を点灯させる。
【００１９】このＥＬ素子点灯装置の原理は基本的に前
述と同様、ＦＥＴのON期間にインダクタ（L1）に蓄えら
れた電磁エネルギによってＦＥＴの OFF期間にダイオー
ド（D1）を通してＥＬ素子を充電し、この動作を繰り返
すことによって段階的に所定の電圧まで充電する動作
と、所定の電圧まで充電した後、制御回路（30）からの
信号によって放電用トランジスタ（Tr2 ）を動作させて
ＥＬ素子の電荷を放電する動作を交互におこなうことに
よってＥＬ素子を点灯させるものである。
述と同様、ＦＥＴのON期間にインダクタ（L1）に蓄えら
れた電磁エネルギによってＦＥＴの OFF期間にダイオー
ド（D1）を通してＥＬ素子を充電し、この動作を繰り返
すことによって段階的に所定の電圧まで充電する動作
と、所定の電圧まで充電した後、制御回路（30）からの
信号によって放電用トランジスタ（Tr2 ）を動作させて
ＥＬ素子の電荷を放電する動作を交互におこなうことに
よってＥＬ素子を点灯させるものである。
【００２０】次に、本発明の最も特徴的なＦＥＴの駆動
電圧発生回路（13）について、図５のタイミングチャー
トを用いて詳述する。図５の（S1）は、充電回路（10）
の中の発振回路（11）の出力波形で、ある一定の周期で
ハイレベルとローレベル（０レベル）が繰り返され、こ
れによって、トランジスタ（Tr3 ）がON/OFFされる。こ
こで、この出力信号がハイレベルになり、トランジスタ
（Tr3 ）がONになった場合、インダクタ（L2）には電源
（Ｖin）を通して図５の（IL2 ）に示すような電流が流
れ、この時インダクタ（L2）には電流の２乗に比例した
エネルギが蓄えられる。このエネルギは、この後、発振
回路（11）の出力信号がローレベルになり、トランジス
タ（Tr3 ）がOFF となった時に放出され、ダイオード
（D2）を通してＦＥＴのゲート容量、及びコンデンサ
（C1）に充電される。このようにして、ＦＥＴのゲート
には図５の（Ｇ）に示すようにＦＥＴのしきい値電圧よ
り高い電圧が印加され、ＦＥＴはONになる。
電圧発生回路（13）について、図５のタイミングチャー
トを用いて詳述する。図５の（S1）は、充電回路（10）
の中の発振回路（11）の出力波形で、ある一定の周期で
ハイレベルとローレベル（０レベル）が繰り返され、こ
れによって、トランジスタ（Tr3 ）がON/OFFされる。こ
こで、この出力信号がハイレベルになり、トランジスタ
（Tr3 ）がONになった場合、インダクタ（L2）には電源
（Ｖin）を通して図５の（IL2 ）に示すような電流が流
れ、この時インダクタ（L2）には電流の２乗に比例した
エネルギが蓄えられる。このエネルギは、この後、発振
回路（11）の出力信号がローレベルになり、トランジス
タ（Tr3 ）がOFF となった時に放出され、ダイオード
（D2）を通してＦＥＴのゲート容量、及びコンデンサ
（C1）に充電される。このようにして、ＦＥＴのゲート
には図５の（Ｇ）に示すようにＦＥＴのしきい値電圧よ
り高い電圧が印加され、ＦＥＴはONになる。
【００２１】次に、発振回路（11）の出力信号が再びハ
イレベルになると、前述と同様、トランジスタ（Tr3 ）
がONになってインダクタ（L2）に電流が流れると共に、
ＦＥＴのゲート容量、及びコンデンサ（C1）に充電され
ていた電荷が放電され、ＦＥＴがOFF になる。以上の動
作を繰り返すことによって、ＦＥＴはON/OFFを繰り返
し、ＥＬ素子を段階的に充電していく。ここで、ＦＥＴ
のゲートに接続されたコンデンサ（C1）は、ＦＥＴのゲ
ート電圧を安定にするためのもので、ＦＥＴのゲート容
量が大きい場合などは省略できる。以上のＥＬ素子点灯
装置を用いることにより、例えば、10ｃｍ2 のＥＬ素子
を1.5Ｖの電池入力で駆動させた場合、従来のバイポー
ラトランジスタを用いたものでは、60ｍＷで３ｃｄ／ｍ
2 の輝度しか得られなかったのに対し、同じ条件で2.5
倍以上の８ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られる。
イレベルになると、前述と同様、トランジスタ（Tr3 ）
がONになってインダクタ（L2）に電流が流れると共に、
ＦＥＴのゲート容量、及びコンデンサ（C1）に充電され
ていた電荷が放電され、ＦＥＴがOFF になる。以上の動
作を繰り返すことによって、ＦＥＴはON/OFFを繰り返
し、ＥＬ素子を段階的に充電していく。ここで、ＦＥＴ
のゲートに接続されたコンデンサ（C1）は、ＦＥＴのゲ
ート電圧を安定にするためのもので、ＦＥＴのゲート容
量が大きい場合などは省略できる。以上のＥＬ素子点灯
装置を用いることにより、例えば、10ｃｍ2 のＥＬ素子
を1.5Ｖの電池入力で駆動させた場合、従来のバイポー
ラトランジスタを用いたものでは、60ｍＷで３ｃｄ／ｍ
2 の輝度しか得られなかったのに対し、同じ条件で2.5
倍以上の８ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られる。
【００２２】また、入力電圧が数ボルト以上で、ＦＥＴ
のしきい値電圧より高い電圧である場合、本発明のＦＥ
Ｔ駆動電圧発生回路がなくてもＦＥＴを使うことができ
るが、ＦＥＴは図６に示すように、同じON状態、すなわ
ちＦＥＴのしきい値電圧以上の領域（図６では約 2.5Ｖ
以上の領域）においても、ゲート電圧が高いほど大きな
ドレンイン電流が得られる（オン抵抗が小さくなる）た
め、本発明のＥＬ点灯装置を使うことにより、高効率化
が達成できる。なお、実施例３のＥＬ素子点灯装置は制
御回路を有するので、実施例１より小型，薄型化の点で
は不利であるが、実施例１よりは高効率であり、実用性
の高い装置になっている。また、図４のインダクタ（L
1）に代えてトランスを使用してもよく、この場合には
ＥＬ素子に高い電圧を印加することができ、ＥＬ素子の
高輝度化が実現できる利点がある。
のしきい値電圧より高い電圧である場合、本発明のＦＥ
Ｔ駆動電圧発生回路がなくてもＦＥＴを使うことができ
るが、ＦＥＴは図６に示すように、同じON状態、すなわ
ちＦＥＴのしきい値電圧以上の領域（図６では約 2.5Ｖ
以上の領域）においても、ゲート電圧が高いほど大きな
ドレンイン電流が得られる（オン抵抗が小さくなる）た
め、本発明のＥＬ点灯装置を使うことにより、高効率化
が達成できる。なお、実施例３のＥＬ素子点灯装置は制
御回路を有するので、実施例１より小型，薄型化の点で
は不利であるが、実施例１よりは高効率であり、実用性
の高い装置になっている。また、図４のインダクタ（L
1）に代えてトランスを使用してもよく、この場合には
ＥＬ素子に高い電圧を印加することができ、ＥＬ素子の
高輝度化が実現できる利点がある。
【００２３】
【実施例４】次に、図４のＥＬ素子点灯装置３で説明し
た制御回路（30）を省略し、小型，薄型化，低コスト
化，高効率化をあわせて実現させたＥＬ素子点灯装置の
例を図７を用いて説明する。図７のＥＬ素子点灯装置４
は、前述と同様にＦＥＴ、及びＦＥＴ駆動電圧発生回路
を用い、前記ＥＬ素子点灯装置３で説明した制御回路
（30）を省略することによって、充電回路（10）を常時
動作させ、ある一定の周期で放電用トランジスタ（Tr2
）をONにして、ＥＬ素子の電荷を間欠的に放電する。
これによってＥＬ素子には、図２（ｄ）で説明した電圧
が印加され、ＥＬ素子を点灯させることができる。この
具体的な回路を図８に示す。
た制御回路（30）を省略し、小型，薄型化，低コスト
化，高効率化をあわせて実現させたＥＬ素子点灯装置の
例を図７を用いて説明する。図７のＥＬ素子点灯装置４
は、前述と同様にＦＥＴ、及びＦＥＴ駆動電圧発生回路
を用い、前記ＥＬ素子点灯装置３で説明した制御回路
（30）を省略することによって、充電回路（10）を常時
動作させ、ある一定の周期で放電用トランジスタ（Tr2
）をONにして、ＥＬ素子の電荷を間欠的に放電する。
これによってＥＬ素子には、図２（ｄ）で説明した電圧
が印加され、ＥＬ素子を点灯させることができる。この
具体的な回路を図８に示す。
【００２４】図８は図７のＥＬ素子点灯装置４の２組の
発振回路（11），（21），図４のＥＬ素子点灯装置３の
発振回路（11）などをそれぞれ２個のトランジスタと、
２個のコンデンサ、４個の抵抗を使った、いわゆるマル
チバイブータで構成した回路で、高価なＩＣを使わず、
かつ小型化が可能となる。さらに、充電回路（10）を構
成するトランジスタ（Tr4 ）、及びコンデンサ（C2）
が、それぞれＦＥＴを駆動するトランジスタ（図７では
Tr3 ）、及びＦＥＴのゲート電圧安定化用コンデンサ
（図７ではC1）を兼ねているため、ＦＥＴを使用しても
部品点数の増加はインダクタ（L2）とダイオード（D2）
のみであり、部品点数の増加は最小限に抑えられるとい
った特徴をもっている。
発振回路（11），（21），図４のＥＬ素子点灯装置３の
発振回路（11）などをそれぞれ２個のトランジスタと、
２個のコンデンサ、４個の抵抗を使った、いわゆるマル
チバイブータで構成した回路で、高価なＩＣを使わず、
かつ小型化が可能となる。さらに、充電回路（10）を構
成するトランジスタ（Tr4 ）、及びコンデンサ（C2）
が、それぞれＦＥＴを駆動するトランジスタ（図７では
Tr3 ）、及びＦＥＴのゲート電圧安定化用コンデンサ
（図７ではC1）を兼ねているため、ＦＥＴを使用しても
部品点数の増加はインダクタ（L2）とダイオード（D2）
のみであり、部品点数の増加は最小限に抑えられるとい
った特徴をもっている。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるＥＬ素
子点灯装置は、誘導素子として使用されるインダクタ、
あるいはトランスが、従来に比べて４〜５桁程度小さい
インダクタンスで実現でき、さらに、複雑な制御回路が
不要で、発振回路だけでスイッチング素子を制御するた
め、非常に小型，薄型，低コストのＥＬ素子点灯装置が
実現できる。また、本発明のＥＬ素子点灯装置の放電回
路を動作させる期間を、一周期の10％以下とすることに
よって、消費電力のロスを最小限に抑えることができ
る。また、電池などの低電圧電源を入力とした場合でも
スイッチングスピードの速いＦＥＴが使用できるため、
制御回路を省略した場合は勿論、省略しない場合でも高
効率のＥＬ素子点灯装置が実現でき、ＦＥＴをON/OFFさ
せる発振回路にトランジスタとコンデンサと抵抗とで構
成されたマルチバイブレータを用い、このトランジスタ
とＦＥＴの駆動電圧発生回路のトランジスタと兼ねるこ
とにより、部品点数を最小限に抑えることができる。こ
れによって、少ない部品点数で従来と同じ消費電力でも
ＥＬ素子を高輝度で点灯させることができる。これらの
特長によって、本発明により、小型電子機器などの液晶
デイスプレイのバックライトにＥＬを使う場合に最適
な、小型，薄型でより実用性の高いＥＬ素子点灯装置が
実現できる。
子点灯装置は、誘導素子として使用されるインダクタ、
あるいはトランスが、従来に比べて４〜５桁程度小さい
インダクタンスで実現でき、さらに、複雑な制御回路が
不要で、発振回路だけでスイッチング素子を制御するた
め、非常に小型，薄型，低コストのＥＬ素子点灯装置が
実現できる。また、本発明のＥＬ素子点灯装置の放電回
路を動作させる期間を、一周期の10％以下とすることに
よって、消費電力のロスを最小限に抑えることができ
る。また、電池などの低電圧電源を入力とした場合でも
スイッチングスピードの速いＦＥＴが使用できるため、
制御回路を省略した場合は勿論、省略しない場合でも高
効率のＥＬ素子点灯装置が実現でき、ＦＥＴをON/OFFさ
せる発振回路にトランジスタとコンデンサと抵抗とで構
成されたマルチバイブレータを用い、このトランジスタ
とＦＥＴの駆動電圧発生回路のトランジスタと兼ねるこ
とにより、部品点数を最小限に抑えることができる。こ
れによって、少ない部品点数で従来と同じ消費電力でも
ＥＬ素子を高輝度で点灯させることができる。これらの
特長によって、本発明により、小型電子機器などの液晶
デイスプレイのバックライトにＥＬを使う場合に最適
な、小型，薄型でより実用性の高いＥＬ素子点灯装置が
実現できる。
【図１】 本発明の第１の実施例のＥＬ素子点灯装置の
回路図である。
回路図である。
【図２】 本発明の第１の実施例の動作説明図である。
【図３】 本発明の第２の実施例のＥＬ素子点灯装置の
回路図である。
回路図である。
【図４】 本発明の第３の実施例のＥＬ素子点灯装置の
回路図である。
回路図である。
【図５】 本発明の第３の実施例の動作説明図である。
【図６】 ＦＥＴのゲート電圧とドレイン電流の関係図
である。
である。
【図７】 本発明の第４の実施例のＥＬ素子点灯装置の
回路図である。
回路図である。
【図８】 本発明の第４の実施例の具体的な回路図であ
る。
る。
【図９】 従来のＥＬ素子点灯装置の回路図である。
【図10】 従来のＥＬ素子点灯装置の動作説明図であ
る。
る。
１，２，３，４ ＥＬ素子点灯装置 １０ 充電回路 １１，２１ 発振回路 １２ 昇圧回路 １３ ＦＥＴ駆動電圧発生回路 ２０ 放電回路 ３０ 制御回路 Ｌ１，Ｌ２ 誘導性素子（インダクタ） Ｔ１ 誘導性素子（トランス） ＦＥＴ 電界効果トランジスタ Tr1,Tr2,Tr3,Tr4 バイポーラトランジスタ Ｄ1 ，Ｄ２ 整流素子（ダイオード）
Claims (8)
- 【請求項１】ＥＬ素子を充電する充電回路と、ＥＬ素子
の電荷を放電させる放電回路とを備え、前記充電回路は
第１のスイッチング素子、第１の発振回路及び誘導性素
子を含む昇圧回路と、整流素子とを有し、前記第１の発
振回路によりＥＬ素子の点灯周波数よりも高い周波数で
前記第１のスイッチング素子を常時ON/OFF動作して前記
ＥＬ素子を段階的に充電させ、前記放電回路は第２のス
イッチング素子と、第２の発振回路とを有し、前記第２
の発振回路により一周期のうちの一定期間だけ前記第２
のスイッチング素子を動作してＥＬ素子を放電させるＥ
Ｌ素子点灯装置。 - 【請求項２】放電回路を動作させる一定期間が、一周期
の10％以下に設定された請求項１記載のＥＬ素子点灯装
置。 - 【請求項３】誘導性素子がインダクタまたはトランスで
ある請求項１記載のＥＬ素子点灯装置。 - 【請求項４】第１のスイッチング素子、第１の発振回路
及び誘導性素子を含む昇圧回路の第１のスイッチング素
子がＦＥＴ（電界効果トランジスタ）であり、該ＦＥＴ
のゲートにコレクタ出力を接続したトランジスタと、該
トランジスタのコレクタ負荷として直列接続したインダ
クタとダイオードとを含むＦＥＴ駆動電圧発生回路とを
具備した請求項１記載のＥＬ素子点灯装置。 - 【請求項５】第１の発振回路が、複数のトランジスタ
と、コンデンサと、抵抗とで構成されたマルチバイブレ
ータで、かつ前記トランジスタの少なくとも１つが、Ｆ
ＥＴのゲートにコレクタ出力を接続したトランジスタを
兼ねたことを特徴とする請求項４記載のＥＬ素子点灯装
置。 - 【請求項６】ＥＬ素子を充電する充電回路と、ＥＬ素子
の電荷を放電させる放電回路と、制御回路とを備え、前
記充電回路はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、発振回
路及び誘導性素子を含む昇圧回路と、整流素子とを有
し、かつ、前記昇圧回路は該ＦＥＴのゲートにコレクタ
出力を接続したトランジスタと、該トランジスタのコレ
クタ負荷として直列接続したインダクタとダイオードと
を含むＦＥＴ駆動電圧発生回路を有し、前記発振回路に
よりＥＬ素子の点灯周波数よりも高い周波数で前記ＦＥ
ＴをON/OFF動作して前記ＥＬ素子を段階的に充電させ、
前記放電回路はスイッチング素子を有し、前記制御回路
によって前記充電回路と前記放電回路とを交互に動作さ
せることを特徴としたＥＬ素子点灯装置。 - 【請求項７】誘導性素子がインダクタまたはトランスで
ある請求項６記載のＥＬ素子点灯装置。 - 【請求項８】発振回路が、複数のトランジスタと、コン
デンサと、抵抗とで構成されたマルチバイブレータで、
かつ前記トランジスタの少なくとも１つが、ＦＥＴのゲ
ートにコレクタ出力を接続したトランジスタを兼ねたこ
とを特徴とする請求項６記載のＥＬ素子点灯装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263015A JPH0845663A (ja) | 1994-02-09 | 1994-10-27 | Ｅｌ素子点灯装置 |
| EP95101300A EP0667733B1 (en) | 1994-02-09 | 1995-01-31 | A method and apparatus for lighting an EL element |
| DE69510573T DE69510573T2 (de) | 1994-02-09 | 1995-01-31 | Verfahren und Gerät zum Betreiben eines Lumineszenselementes |
| US08/383,171 US5581160A (en) | 1994-02-09 | 1995-02-03 | Method and apparatus for lighting an EL element |
| KR1019950002093A KR0166432B1 (ko) | 1994-02-09 | 1995-02-07 | 전계발광 소자용 전계발광 소자 점등 장치 및 방법 |
| CN95101807A CN1070683C (zh) | 1994-02-09 | 1995-02-09 | 点亮电致发光元件的方法和装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1502394 | 1994-02-09 | ||
| JP6-15023 | 1994-05-26 | ||
| JP6-112361 | 1994-05-26 | ||
| JP11236194 | 1994-05-26 | ||
| JP6263015A JPH0845663A (ja) | 1994-02-09 | 1994-10-27 | Ｅｌ素子点灯装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845663A true JPH0845663A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=27280849
Family Applications (1)
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