CN102346997B - 像素结构及显示器的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

一种像素结构、显示面板、显示器及其驱动方法。像素结构包括有机发光二极管、驱动晶体管、储存电容及开关晶体管。驱动晶体管的第一端接收画面迟滞消除信号。画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使所述驱动晶体管工作于正向曲线。驱动晶体管的第二端耦接至发光二极管。储存电容的一端接收共同电压，储存电容的另一端耦接驱动晶体管的控制端。开关晶体管受控于扫描信号输出数据信号至驱动晶体管的控制端。

Description

像素结构及显示器的驱动方法
技术领域
本发明涉及一种像素结构、显示面板、显示器及其驱动方法，且特别是涉及有机发光二极管的一种像素结构、显示面板、显示器及其驱动方法。 
背景技术
参照图1，图1绘示为P型晶体管的正向曲线与反向曲线的示意图。当P型晶体管由截止(Turn Off)状态改变为导通(Turn On)状态时，其沟道电流Id与栅-源极电压Vgs的对应关系如正向曲线(Forward Curve)110绘示。相反地，当P型晶体管由导通(Turn On)状态改变为截止(Turn Off)状态时，其沟道电流Id与栅-源极电压Vgs的对应关系如反向曲线(Backward Curve)120绘示。由于相同的栅-源极电压Vgs于正向曲线110与反向曲线120中却对应至不同的沟道电流Id，即电流Id大小会视晶体管以正向曲线110或反向曲线120操作而有不同，容易造成画面迟滞(Image Retention)现象。 
同时参照图2及图3，图2绘示为第一种传统像素的电路图，图3绘示为图2的信号时序图。传统像素20包括有机发光二极管D1、电容C1、电容C2、驱动晶体管TFT_DRI开关晶体管TFT_SW及开关晶体管TFT_SW2。开关晶体管TFT_SW受控于扫描信号Sn以输出数据信号Data至驱动晶体管TFT_DRI的控制端，开关晶体管TFT_SW根据数据信号Data与电压Vdd的电压差产生沟道电流。电容C1的一端接收电压Vdd，而电容C1的另一端耦接至驱动晶体管TFT_DRI的控制端。电容C2的一端耦接至驱动晶体管TFT_DRI的控制端，而电容C2的另一端接收前一个扫描信号Sn-1。开关晶体管TFT_SW2受控于前一个扫描信号Sn-1的反相信号以输出驱动晶体管TFT_DRI所产生的沟道电流至有机发光二极管D1。然而，传统像素20需使用3个P型晶体管才能驱动有机发光二极管D1，因此将降低显示面板的开口率。 
同时参照图4及图5，图4绘示为第二种传统像素的电路图，图5绘示 为图4的信号时序图。另一种传统像素40与前述传统像素20不同之处在于：传统像素40不使用开关晶体管TFT_SW2，而是将驱动晶体管TFT_DRI直接连接至有机发光二极管D1。由于驱动晶体管TFT_DRI的控制端的电位因前一个扫描信号Sn-1的反相信号而拉高，因此扫描信号Sn需要增加摆幅的大小才能确保开关晶体管TFT_SW的正常工作。然而，如此一来，必须提高扫描驱动器的输出电压范围，才能确保开关晶体管TFT_SW的正常工作。 
发明内容
本发明涉及一种像素结构、显示面板、显示器及其驱动方法，不仅能减少晶体管的使用个数，更能降低扫描驱动器的输出电压范围。 
根据本发明的一方面，提出一种像素结构。像素结构包括有机发光二极管、驱动晶体管、储存电容及开关晶体管。驱动晶体管的第一端接收画面迟滞消除信号。画面迟滞消除信号于该驱动晶体管驱动该有机发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使该驱动晶体管工作于正向曲线。驱动晶体管的第二端耦接至有机发光二极管。储存电容的一端接收共同电压，储存电容的另一端耦接驱动晶体管的控制端。开关晶体管受控于扫描信号输出数据信号至驱动晶体管的控制端。 
根据本发明的另一方面，提出一种显示面板。显示面板包括至少一扫描信号线、至少一数据信号线、至少一像素。扫描信号线用以传递扫描信号，而数据信号线用以传递数据信号。像素包括有机发光二极管、驱动晶体管、储存电容及开关晶体管。驱动晶体管的第一端接收画面迟滞消除信号。画面迟滞消除信号于该驱动晶体管驱动该有机发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使该驱动晶体管工作于正向曲线。驱动晶体管的第二端耦接至有机发光二极管。储存电容的一端接收共同电压，储存电容的另一端耦接驱动晶体管的控制端。开关晶体管受控于扫描信号输出数据信号至驱动晶体管的控制端。 
根据本发明的再一方面，提出一种显示器。显示器包括显示面板、扫描驱动器及数据驱动器。显示面板包括至少一扫描信号线、至少一数据信号线、至少一像素。扫描信号线用以传递扫描信号，而数据信号线用以传 递数据信号。像素包括有机发光二极管、驱动晶体管、储存电容及开关晶体管。驱动晶体管的第一端接收画面迟滞消除信号。画面迟滞消除信号于该驱动晶体管驱动该有机发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使该驱动晶体管工作于正向曲线。驱动晶体管的第二端耦接至有机发光二极管。储存电容的一端接收共同电压，储存电容的另一端耦接驱动晶体管的控制端。开关晶体管受控于扫描信号输出数据信号至驱动晶体管的控制端。扫描驱动器用以提供扫描信号，而数据驱动器用以提供该数据信号。 
根据本发明的再一方面，提出一种平面显示器的驱动方法。平面显示器的驱动方法包括提供画面迟滞消除信号至驱动晶体管的第一端，驱动晶体管的第二端耦接至有机发光二极管，驱动晶体管的控制端耦接至开关晶体管及储存电容，开关晶体管受控于扫描信号输出数据信号至控制端；画面迟滞消除信号于驱动晶体管驱动有机发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使驱动晶体管工作于正向曲线(Forward Curve)；以及驱动有机发光二极管。 
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并结合附图，作详细说明如下： 
附图说明
图1绘示为P型晶体管的正向曲线与反向曲线的示意图； 
图2绘示为第一种传统像素的电路图； 
图3绘示为图2的信号时序图； 
图4绘示为第二种传统像素的电路图； 
图5绘示为图4的信号时序图； 
图6绘示为一种显示器的示意图； 
图7绘示为依照本实施例的一种像素结构的电路图； 
图8绘示为图7的信号时序图； 
图9绘示为依照本发明实施例与传统技术的画面迟滞现象比较示意图； 
图10绘示为本实施例的一种显示器的驱动方法的流程图。 
具体实施方式
参照图6，图6绘示为一种显示器的示意图。显示器6包括显示面板61、扫描驱动器62及数据驱动器63。扫描驱动器62及数据驱动器63用以驱动显示面板61。 
同时参照图7及图8，图7绘示为依照本实施例的一种像素结构的电路图，而图8绘示为图7的信号时序图。显示面板61包括像素610、扫描信号线620、数据信号线630、共同电压信号线640、画面迟滞消除信号线650及偏压信号线660。像素610包括有机发光二极管D1、驱动晶体管TFT_DRI、储存电容Cst及开关晶体管TFT_SW。驱动晶体管TFT_DRI及开关晶体管TFT_SW例如为P型晶体管。 
驱动晶体管TFT_DRI的第一端耦接画面迟滞消除信号线650以接收画面迟滞消除信号ARVDD，而驱动晶体管TFT_DRI的第二端耦接有机发光二极管D1的阳极。有机发光二极管D1的阴极耦接至偏压信号线660以接收偏压ARVSS。储存电容Cst的一端耦接至共同电压信号线以接收共同电压Vcom，而储存电容Cst的另一端耦接驱动晶体管TFT_DRI的控制端及开关晶体管TFT_SW的第二端。开关晶体管TFT_SW的第一端耦接至数据信号线630以接收数据信号Data_j，而开关晶体管TFT_SW的控制端耦接至扫描信号线620以接收扫描信号Scan_i。扫描信号Scan_i由前述的扫描驱动器62所提供，而数据信号Data_j由前述的数据驱动器63所提供。 
第i个画面时间TF(i)(Frame Time)包括显示时段TP(i)与重置时段TR(i)，且重置时段TR(i)位于显示器6的空白时间(Blanking Time)内。数据信号Data_1至Data_n于显示时段TP(i)写入像素610，且数据信号Data_1至Data_n不会于重置时段TR(i)写入像素610。相似地，第i+1个画面时间TF(i+1)包括显示时段TP(i+1)与重置时段TR(i+1)，且重置时段TR(i+1)位于显示器6的另一空白时间(Blanking Time)内。数据信号Data_1至Data_n于显示时段TP(i+1)写入像素610，且数据信号Data_1至Data_n不会于重置时段TR(i+1)写入像素610。 
数据信号Data_1至Data_n分别对应至扫描信号S_1至S_n。图7绘示的扫描信号Scan_i例如为图8绘示的扫描信号S_1至S_n其中之一，而图7绘示的数据信号Data_j例如为图8绘示的数据信号Data_1至Data_n其中之一。于显示时段T2，开关晶体管TFT_SW受控于扫描信号Scan_n输出 数据信号Data_m至驱动晶体管TFT_DRI的控制端。 
画面迟滞消除信号ARVDD于驱动晶体管TFT_DRI驱动发光二极管D1前由电位V1改变为小于电位V1的电位V2以使驱动晶体管TFT_DRI工作于正向曲线(Forward Curve)。进一步来说，画面迟滞消除信号ARVDD于驱动晶体管TFT_DRI驱动发光二极管D1前的第i个画面时间TF(i)的重置时段TR(i)，由电位V1改变为电位V2以截止(Turn Off)驱动晶体管TFT_DRI。画面迟滞消除信号ARVDD于驱动晶体管TFT_DRI驱动发光二极管D1的第i+1个画面时间TF(i+1)的显示时段TR(i+1)由电位V2改变为电位V1以导通(Turn On)驱动晶体管TFT_DRI。由于画面迟滞消除信号ARVDD能确保驱动晶体管TFT_DRI由截止(Turn Off)状态改变为导通(TurnOn)状态，因此将使得驱动晶体管TFT_DRI根据正向曲线驱动发光二极管D1。由于驱动晶体管TFT_DRI于第i+1个画面时间TF(i+1)的显示时段TP(i+1)驱动发光二极管D1的前，已于第i个画面时间TF(i)的重置时段TR(i)中被截止，因此能确保驱动晶体管TFT_DRI按正向曲线（Forward Curve）驱动发光二极管D1以抑制画面迟滞(Image Retention)的现象发生。 
前述画面迟滞消除信号ARVDD不是一个固定不变的电位，而是于电位V1与电位V2之间变化。为了防止驱动晶体管TFT_DRI的控制端的电位受到画面迟滞消除信号ARVDD电位变化的影响，储存电容Cst优选地大于寄生电容Cgs的10倍。其中，寄生电容Cgs形成于驱动晶体管TFT_DRI的第一端与驱动晶体管TFT_DRI的控制端之间。 
相较于前述图1绘示的像素20，像素610的结构设计能少用一个晶体管，进而提高显示面板61的开口率。此外，相较于前述图4绘示的像素40，像素610的结构设计能降低扫描驱动器62的输出电压范围。 
参照图9，图9绘示为依照本发明实施例与传统技术的画面迟滞现象比较示意图。为比较本发明实施例与传统技术的画面迟滞现象的差异，图9分别列举6英寸及2.8英寸的平面显示器为例做说明。传统7.6英寸平面显示器的画面迟滞IMR2约为12秒，而本发明实施例7.6英寸平面显示器的画面迟滞IMR1约为1秒；传统6英寸平面显示器的画面迟滞IMR2约为11秒，而本发明实施例6英寸平面显示器的画面迟滞IMR1约为1秒；传统2.8英寸平面显示器的画面迟滞IMR2约为12秒，而本发明实施例2.8 英寸平面显示器的画面迟滞IMR1约为2秒。本发明实施例相较于传统技术更进一步地改善画面迟滞(Image Retention)现象。 
参照图10，图10绘示为本实施例的一种显示器的驱动方法的流程图。显示器的驱动方法例如应用于前述显示器6，且驱动方法至少包括如下步骤：首先如步骤1010所示，提供画面迟滞消除信号ARVDD至驱动晶体管TFT_DRI的第一端，驱动晶体管TFT_DRI的第二端耦接至发光二极管D1，驱动晶体管TFT_DRI的控制端耦接至开关晶体管TFT_SW及储存电容Cst，开关晶体管TFT_SW受控于扫描信号Scan_i输出数据信号Data_j至控制端。接着如步骤1020所示，画面迟滞消除信号ARVDD于驱动晶体管TFT_DRI驱动发光二极管D1前由电位V1改变为电位V2以使驱动晶体管TFT_DRI工作于正向曲线(Forward Curve)。跟着如步骤1030所示，驱动发光二极管D1。 
本发明上述实施例所揭露的像素结构、显示面板及显示器，具有多项优点，以下仅列举部分优点说明如下： 
一、减少晶体管的使用个数。 
二、降低扫描驱动器的输出电压范围。 
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。 

Claims (19)

1.一种像素结构，包括：
有机发光二极管；
驱动晶体管，包括：
第一端，接收画面迟滞消除信号，所述画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使所述驱动晶体管工作于正向曲线；
第二端，耦接至所述有机发光二极管；
控制端；
储存电容，所述储存电容的一端接收共同电压，所述储存电容的另一端耦接所述控制端；以及
开关晶体管，受控于扫描信号输出数据信号至所述控制端。
2.如权利要求1所述的像素结构，其中所述画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管前的重置时段，由所述第一电位改变为所述第二电位以截止所述驱动晶体管，且所述画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管的显示时段由所述第二电位改变为所述第一电位以导通所述驱动晶体管，使得所述驱动晶体管根据所述正向曲线驱动所述有机发光二极管。
3.如权利要求2所述的像素结构，其中所述重置时段位于第i个画面时间，且所述显示时段位于第i+1个画面时间。
4.如权利要求2所述的像素结构，其中所述重置时段位于空白时间。
5.如权利要求1所述的像素结构，其中所述第一电位大于所述第二电位。
6.如权利要求1所述的像素结构，其中所述储存电容大于寄生电容的10倍，所述寄生电容形成于所述第一端与所述控制端之间。
7.如权利要求1所述的像素结构，其中所述驱动晶体管及所述开关晶体管为P型晶体管。
8.如权利要求1所述的像素结构，其中所述第一端耦接至画面迟滞消除信号线。
9.如权利要求1所述的像素结构，其中所述储存电容的一端耦接至共同电压信号线。
10.一种显示器的驱动方法，包括：
提供画面迟滞消除信号至驱动晶体管的第一端，所述驱动晶体管的第二端耦接至有机发光二极管，所述驱动晶体管的控制端耦接至开关晶体管及储存电容，所述开关晶体管受控于扫描信号输出数据信号至所述控制端；
所述画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管前由第一电位改变为第二电位以使所述驱动晶体管工作于正向曲线；以及
驱动所述有机发光二极管。
11.如权利要求10所述的驱动方法，其中于由第一电位改变为第二电位的所述步骤中，所述画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管前的重置时段，由所述第一电位改变为所述第二电位以截止所述驱动晶体管。
12.如权利要求11所述的驱动方法，其中于驱动所述有机发光二极管的所述步骤中，所述画面迟滞消除信号于所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管的显示时段由所述第二电位改变为所述第一电位以导通所述驱动晶体管。
13.如权利要求12所述的驱动方法，其中所述重置时段位于第i个画面时间，且所述显示时段位于于第i+1个画面时间。
14.如权利要求11所述的驱动方法，其中于驱动所述有机发光二极管的所述步骤中，所述重置时段位于空白时间。
15.如权利要求10所述的驱动方法，其中所述第一电位大于所述第二电位。
16.如权利要求10所述的驱动方法，其中所述储存电容大于寄生电容的10倍，所述寄生电容形成于所述第一端与所述控制端之间。
17.如权利要求10所述的驱动方法，其中所述驱动晶体管及所述开关晶体管为P型晶体管。
18.如权利要求10所述的驱动方法，其中所述第一端耦接至画面迟滞消除信号线。
19.如权利要求10所述的驱动方法，其中所述储存电容的一端耦接至共同电压信号线。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107016960B (zh) * 2017-06-01 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控驱动电路及方法、触控面板
CN109817165B (zh) * 2019-03-08 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1506930A (zh) * 1997-02-17 2004-06-23 ������������ʽ���� 显示装置
CN1831918A (zh) * 2005-03-11 2006-09-13 三洋电机株式会社 主动矩阵型显示装置及其驱动方法
JP3862271B2 (ja) * 2004-05-14 2006-12-27 パイオニア株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
CN101114422A (zh) * 2006-07-27 2008-01-30 索尼株式会社 显示装置及其驱动方法、以及电子设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1506930A (zh) * 1997-02-17 2004-06-23 ������������ʽ���� 显示装置
JP3862271B2 (ja) * 2004-05-14 2006-12-27 パイオニア株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
CN1831918A (zh) * 2005-03-11 2006-09-13 三洋电机株式会社 主动矩阵型显示装置及其驱动方法
CN101114422A (zh) * 2006-07-27 2008-01-30 索尼株式会社 显示装置及其驱动方法、以及电子设备

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