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KR100773537B1
(ko)
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삼성전자주식회사 |
한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
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KR101051704B1
(ko)
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2004-04-28 |
2011-07-25 |
삼성전자주식회사 |
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KR100593448B1
(ko)
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삼성전자주식회사 |
전이금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는비휘발성 기억 셀들 및 그 제조방법들
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(en)
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2004-09-29 |
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KR100738070B1
(ko)
*
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2004-11-06 |
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삼성전자주식회사 |
한 개의 저항체와 한 개의 트랜지스터를 지닌 비휘발성메모리 소자
|
|
KR100657911B1
(ko)
|
2004-11-10 |
2006-12-14 |
삼성전자주식회사 |
한 개의 저항체와 한 개의 다이오드를 지닌 비휘발성메모리 소자
|
|
KR100593750B1
(ko)
*
|
2004-11-10 |
2006-06-28 |
삼성전자주식회사 |
이성분계 금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는교차점 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법
|
|
KR100576369B1
(ko)
*
|
2004-11-23 |
2006-05-03 |
삼성전자주식회사 |
전이 금속 산화막을 데이타 저장 물질막으로 채택하는비휘발성 기억소자의 프로그램 방법
|
|
KR100682908B1
(ko)
*
|
2004-12-21 |
2007-02-15 |
삼성전자주식회사 |
두개의 저항체를 지닌 비휘발성 메모리 소자
|
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KR100693409B1
(ko)
*
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2005-01-14 |
2007-03-12 |
광주과학기술원 |
산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법
|
|
KR100682926B1
(ko)
*
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2005-01-31 |
2007-02-15 |
삼성전자주식회사 |
저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
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KR100657956B1
(ko)
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삼성전자주식회사 |
다치 저항체 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법
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Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
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可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置
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半導体装置
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スイッチング素子
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삼성전자주식회사 |
비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
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Memory cell comprising nickel-cobalt oxide switching element
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シャープ株式会社 |
可変抵抗素子及びその製造方法
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2005-12-02 |
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シャープ株式会社 |
可変抵抗素子及びその製造方法
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(ja)
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2005-12-02 |
2008-03-19 |
シャープ株式会社 |
可変抵抗素子及びその製造方法
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JP3989506B2
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2007-10-10 |
シャープ株式会社 |
可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置
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KR100684908B1
(ko)
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2006-01-09 |
2007-02-22 |
삼성전자주식회사 |
다수 저항 상태를 갖는 저항 메모리 요소, 저항 메모리 셀및 그 동작 방법 그리고 상기 저항 메모리 요소를 적용한데이터 처리 시스템
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US7714315B2
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삼성전자주식회사 |
두 개의 산화층을 이용한 비휘발성 메모리 소자
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パナソニック株式会社 |
不揮発性記憶素子、不揮発記憶装置、及びそれらの製造方法
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저항성 메모리소자
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Multilevel nonvolatile memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
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抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法
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パナソニック株式会社 |
抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ
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삼성전자주식회사 |
비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법, 및 그 제조 방법
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2013-03-06 |
삼성전자주식회사 |
하부 전극 상에 형성된 버퍼층을 포함하는 가변 저항메모리 소자
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KR101206034B1
(ko)
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2006-05-19 |
2012-11-28 |
삼성전자주식회사 |
산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법
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삼성전자주식회사 |
펄스전압을 인가하는 비휘발성 메모리 소자의 문턱 스위칭동작 방법
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KR100738116B1
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삼성전자주식회사 |
가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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可変抵抗素子
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2006-11-08 |
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시메트릭스 주식회사 |
저항 스위칭 집적 회로 메모리, 저항 스위칭 메모리의 형성 방법 및 비휘발성 저항 스위칭 집적 회로 메모리의 제조 방법
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KR100816759B1
(ko)
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2006-11-09 |
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삼성전자주식회사 |
가변저항 스토리지를 갖는 비휘발성 기억 장치 및 동작방법
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(ko)
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2006-11-16 |
2012-11-28 |
삼성전자주식회사 |
전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법
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KR101012896B1
(ko)
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2006-11-17 |
2011-02-08 |
파나소닉 주식회사 |
비휘발성 기억 소자, 비휘발성 기억 장치, 비휘발성 반도체장치, 및 비휘발성 기억 소자의 제조 방법
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