JP7080178B2 - 不揮発性記憶装置、及び駆動方法 - Google Patents
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Description
近年、デジタル技術の進展に伴って携帯情報機器や情報家電等の電子機器が、より一層高機能化している。これらの電子機器の高機能化に伴い、使用される半導体素子の微細化及び高速化が急速に進んでいる。その中でも、フラッシュメモリに代表されるような大容量の不揮発性メモリの用途が急速に拡大している。
[抵抗変化素子の構成]
まず、実施の形態1に係る抵抗変化素子の構成の一例について説明する。
次に、抵抗変化素子10の製造方法の一例について説明する。
次に、上述した製造方法により得られた抵抗変化素子10の動作について説明する。
本実施の形態では、上記の通常の抵抗変化動作によって抵抗変化素子10を高抵抗状態及び低抵抗状態に設定後、抵抗変化素子10を含む不揮発性記憶装置使用者は、不揮発性記憶装置のユーザーインターフェース等を通じて、不揮発性記憶装置に対し記憶させた情報の今後の取り扱いについて指令を与えることができる。この指令は、今後は書き換えを行わずに記憶させた情報の読み出し動作のみを行うという指令であってもよいし、今後は抵抗変化層3の抵抗状態を、現時点よりも長期間に渡って安定化させるという指令(以下、「長期記憶の指令」とも呼ぶ。)でもよい。上記指令を受けると、不揮発性記憶装置は、抵抗変化素子10の抵抗状態が高か低かを読み出す。そして低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、追加で通常の低抵抗化電圧パルスよりも高いエネルギーで低抵抗化電圧パルスと同極性の電圧パルスを印加する。一方、高抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、追加で通常の高抵抗化電圧パルスよりも高いエネルギーで高抵抗化電圧パルスと同極性の電圧パルスを印加する。
ここで、通常動作時よりも高エネルギーの追加電圧パルス印加を行うことでデータの保持特性がなぜ改善するかについて推定されるメカニズムを述べる。ただし、上述の保持特性の改善メカニズムについては確定的な結論を導出するまでには至っていないため、可能性を述べるにとどめる。
本実施の形態1では、ユーザによる長期保存の指令を受けて抵抗変化素子10の読み出しを行った後の追加過程において、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第2追加電圧パルスを印加する例を示した。本変形例では、追加過程において、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスと異なる極性の電圧パルスを印加した後に、低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第2追加電圧パルスを印加する。すなわち、不揮発性記憶装置は、読み出し過程により読み出された抵抗状態が低抵抗状態である場合には、第2追加電圧パルスを印加する前に、第1電極2及び第2電極4間に、第1極性の第4追加電圧パルスを印加する。
本実施の形態1では、ユーザによる長期保存の指令を受けて抵抗変化素子10の読み出しを行った後の追加過程において、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第2追加電圧パルスを印加する例を示した。本変形例では、追加過程において、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスより高いエネルギーで低抵抗化電圧パルスと同じ極性の追加電圧パルスを2回以上印加する。こうすることにより、抵抗変化素子10のフィラメント内の酸素含有率NLOxを通常の低抵抗化過程後よりも確実に低下させることができる。図9は、本変形例2に係る、通常動作時における電圧パルスと、追加過程における追加電圧パルスとの関係を示す模式図である。
本実施の形態1における追加電圧パルスの変形例1では、追加過程において、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスと異なる極性の第4追加電圧パルスを印加した後に、低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第2追加電圧パルスを印加する例を示した。また、本実施の形態1における追加電圧パルスの変形例2では、追加過程において、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスより高いエネルギーで低抵抗化電圧パルスと同じ極性の追加電圧パルスを2回以上印加する例を示した。本変形例では、上記変形例1及び変形例2を組み合わせることにより、低抵抗状態の抵抗変化素子10に対しては、低抵抗化電圧パルスと異なる極性の追加電圧パルスを印加した後に、低抵抗化電圧パルスよりも高いエネルギーで低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第2追加電圧パルスを印加するという過程を2回以上繰り返す。こうすることにより、抵抗変化素子10のフィラメント内の酸素含有率NLOxを通常の低抵抗化過程後よりもさらに確実に低下させることができる。図10は、本変形例3に係る、通常動作時における電圧パルスと、追加過程における追加電圧パルスとの関係を示す模式図である。
実施の形態1における追加電圧パルスの変形例3の駆動方法を実施し、抵抗を設定した抵抗変化素子群に対してデータ保持特性の評価を行った。
実施の形態2では、実施の形態1において説明した抵抗変化素子10を用いて構成される、1トランジスタ/1不揮発性記憶部型(1T1R型)の不揮発性記憶装置について説明する。
図12は、実施の形態2に係る不揮発性記憶装置100の構成の一例を示すブロック図である。図12に示すように、1T1R型の不揮発性記憶装置100は、半導体基板上にメモリ本体部101を備えており、このメモリ本体部101は、アレイ状に配置される抵抗変化素子10及びアクセストランジスタ(電流制御素子)を具備するメモリアレイ102と、電圧パルス印加回路300とを備える。
制御回路110は、初期過程において、第1の初期電圧パルス及び第2の初期電圧パルスを各メモリセルM111,M112,…に対してこの順に印加することを指示する書き込み信号を書込み回路105に対して出力する。書込み回路105は、この書き込み信号を受け取った場合、すべてのビット線BL0,BL1,BL2,…に対して第1の初期電圧パルス及び第2の初期電圧パルスを印加することを指示する信号を列選択回路104に対して出力する。
制御回路110は、通常動作時のデータの書き込み過程においては、データ入出力回路107に入力された入力データDinに応じて、低抵抗化電圧パルス又は高抵抗化電圧パルスの印加を指示する書き込み信号を書込み回路105へ出力する。他方、データの読み出し過程において、制御回路110は、読み出し用電圧パルスの印加を指示する読み出し信号を列選択回路104へ出力する。
受け付け部310は、外部から所定の指令(例えば、ユーザによる長期保存の指令)を受け付けると、メモリアレイ102に含まれる全てのメモリセルの抵抗状態を読み出すことを指示する信号を電圧パルス印加回路300へ出力して、全てのメモリセルの抵抗状態を読み出す。
実施の形態3では、実施の形態1において説明した抵抗変化素子10を用いて構成される、クロスポイント型の不揮発性記憶装置について説明する。
図13は、実施の形態3に係る不揮発性記憶装置200の構成の一例を示すブロック図である。図13に示すように、クロスポイント型の不揮発性記憶装置200は、半導体基板上にメモリ本体部201を備えており、このメモリ本体部201は、アレイ状に配置される抵抗変化素子10及び電流制御素子を具備するメモリアレイ202と、電圧パルス印加回路400とを備える。
制御回路210は、初期過程において、第1の初期電圧パルス及び第2の初期電圧パルスを各メモリセルM211,M212,…に対してこの順に印加することを指示する書き込み信号を書込み回路205に対して出力する。書込み回路105は、この書き込み信号を受け取った場合、すべてのワード線WL0,WL1,WL2,…に対して所定の電圧を印加することを指示する信号を行選択回路/ドライバ203に対して出力するとともに、すべてのビット線BL0,BL1,BL2,…に対して第1の初期電圧パルス及び第2の初期電圧パルスを印加することを指示する信号を列選択回路/ドライバ204に対して出力する。
制御回路210は、通常動作時のデータの書き込み過程において、データ入出力回路207に入力された入力データDinに応じて、低抵抗化電圧パルス又は高抵抗化電圧パルスの印加を指示する書き込み信号を書込み回路205へ出力する。他方、データの読み出し工程において、制御回路210は、読み出し用電圧パルスの印加を指示する読み出し信号を列選択回路/ドライバ204へ出力する。
受け付け部410は、外部から所定の指令(例えば、ユーザによる長期保存の指令)を受け付けると、メモリアレイ202に含まれる全てのメモリセルの抵抗状態を読み出すことを指示する信号を電圧パルス印加回路400へ出力して、全てのメモリセルの抵抗状態を読み出す。
実施の形態2では、実施の形態2に係る不揮発性記憶装置100が単独で、追加過程における動作を実施する構成の例について例示した。これに対して他の例として、複数の装置又は回路が共同で、追加過程における動作を実施する構成の例も考えられる。
3 抵抗変化層
4 第2電極
10 抵抗変化素子
110、110a、210 制御回路
300、400 電圧パルス印加回路
Claims (17)
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在し、前記第1電極及び前記第2電極間に印加される電圧パルスに応じて抵抗値が変化する抵抗変化層とを備える抵抗変化素子と、
前記第1電極及び前記第2電極間に電圧パルスを印加する電圧パルス印加回路と、
前記電圧パルス印加回路を制御する制御回路とを備え、
前記電圧パルス印加回路は、
前記第1電極及び前記第2電極間に、第1極性の第1電圧パルスを印加することによって、前記抵抗変化層を、第1の論理情報を示す低抵抗状態から、前記低抵抗状態よりも抵抗値が高い、前記第1の論理情報とは異なる第2の論理情報を示す高抵抗状態へと変化させる高抵抗化過程と、
前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1極性とは極性が異なる第2極性の第2電圧パルスを印加することによって、前記抵抗変化層を、前記高抵抗状態から前記低抵抗状態へと変化させる低抵抗化過程と、を実行し、
前記制御回路は、外部からの指令を受けて、
前記抵抗変化素子の抵抗状態を読み出し、読み出した抵抗状態が前記高抵抗状態である場合には、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1電圧パルスよりもエネルギーの大きい、前記第1極性の第1追加電圧パルスを印加するよう、前記電圧パルス印加回路を制御し、読み出した抵抗状態が前記低抵抗状態である場合には、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第2電圧パルスよりもエネルギーの大きい、前記第2極性の第2追加電圧パルスを印加するよう、前記電圧パルス印加回路を制御する
不揮発性記憶装置。 - 前記制御回路は、プロセッサとメモリとを含み、前記プロセッサが、前記メモリに記憶されるプログラムを実行することで、前記電圧パルス印加回路の制御を行う
請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記外部からの指令は、前記抵抗変化層の抵抗状態を、現時点よりも長期間に渡って安定化させる旨の、ユーザによる指令である
請求項1又は2に記載の不揮発性記憶装置。 - 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在し、前記第1電極及び前記第2電極間に印加される電圧パルスに応じて抵抗値が変化する抵抗変化層とを備える抵抗変化素子の駆動方法であって、
前記第1電極及び前記第2電極間に、第1極性の第1電圧パルスを印加することによって、前記抵抗変化層を、第1の論理情報を示す低抵抗状態から、前記低抵抗状態よりも抵抗値が高い、前記第1の論理情報とは異なる第2の論理情報を示す高抵抗状態へと変化させる高抵抗化過程と、
前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1極性とは極性が異なる第2極性の第2電圧パルスを印加することによって、前記抵抗変化層を、前記高抵抗状態から前記低抵抗状態へと変化させる低抵抗化過程と、
外部からの指令を受けて、前記抵抗変化素子の抵抗状態を読み出す読み出し過程と、
前記読み出し過程により読み出された抵抗状態が前記高抵抗状態である場合には、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1電圧パルスよりもエネルギーの大きい、前記第1極性の第1追加電圧パルスを印加し、前記読み出し過程により読み出された抵抗状態が前記低抵抗状態である場合には、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第2電圧パルスよりもエネルギーの大きい、前記第2極性の第2追加電圧パルスを印加する追加過程と、を含む
駆動方法。 - 前記第1追加電圧パルスは、前記抵抗変化層に流れる電流が、前記第1電圧パルスよりも大きくなる電圧パルスである
請求項4に記載の駆動方法。 - 前記第2追加電圧パルスは、前記抵抗変化層に流れる電流が、前記第2電圧パルスよりも大きくなる電圧パルスである
請求項4又は5に記載の駆動方法。 - 前記第1追加電圧パルスは、前記抵抗変化層に印加される電圧の絶対値が、前記第1電圧パルスよりも大きくなる電圧パルスである
請求項4に記載の駆動方法。 - 前記第2追加電圧パルスは、前記抵抗変化層に印加される電圧の絶対値が、前記第2電圧パルスよりも大きくなる電圧パルスである
請求項4又は7に記載の駆動方法。 - 前記第1追加電圧パルスは、前記第1電圧パルスよりも、パルス幅が大きな電圧パルスである
請求項4に記載の駆動方法。 - 前記第2追加電圧パルスは、前記第2電圧パルスよりも、パルス幅が大きな電圧パルスである
請求項4又は9に記載の駆動方法。 - 前記追加過程では、前記読み出し過程により読み出された抵抗状態が前記高抵抗状態である場合には、前記第1追加電圧パルスを印加する前に、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第2極性の第3追加電圧パルスを印加する
請求項4~10のいずれか1項に記載の駆動方法。 - 前記第3追加電圧パルスと前記第2電圧パルスとは、同一の電圧パルスである
請求項11に記載の駆動方法。 - 前記追加過程では、前記読み出し過程により読み出された抵抗状態が前記低抵抗状態である場合には、前記第2追加電圧パルスを印加する前に、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1極性の第4追加電圧パルスを印加する
請求項4~12のいずれか1項に記載の駆動方法。 - 前記第4追加電圧パルスと前記第1電圧パルスとは、同一の電圧パルスである
請求項13に記載の駆動方法。 - 前記追加過程を2回以上繰り返す
請求項4~14のいずれか1項に記載の駆動方法。 - 前記抵抗変化層は、金属酸化物層を有し、
前記金属酸化物層は、周囲よりも酸素含有量の低い局所領域を有し、
前記追加過程において、
前記第1電極及び前記第2電極間に前記第1追加電圧パルスが印加されることで、前記局所領域における酸素含有量が上昇し、
前記第1電極及び前記第2電極間に前記第2追加電圧パルスが印加されることで、前記局所領域における酸素含有量が低下する
請求項4~15のいずれか1項に記載の駆動方法。 - 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在し、前記第1電極及び前記第2電極間に印加される電圧パルスに応じて抵抗値が変化する抵抗変化層とを備える複数の抵抗変化素子の駆動方法であって、
前記複数の抵抗変化素子の内の少なくとも1つに対して、前記第1電極及び前記第2電極間に、第1極性の第1電圧パルスを印加することによって、前記抵抗変化層を、第1の論理情報を示す低抵抗状態から、前記低抵抗状態よりも抵抗値が高い、前記第1の論理情報とは異なる第2の論理情報を示す高抵抗状態へと変化させる高抵抗化過程と、
前記複数の抵抗変化素子の内の少なくとも1つに対して、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1極性とは極性が異なる第2極性の第2電圧パルスを印加することによって、前記抵抗変化層を、前記高抵抗状態から前記低抵抗状態へと変化させる低抵抗化過程と、
外部からの指令を受けて、前記複数の抵抗変化素子の全てに対して、前記抵抗変化素子の抵抗状態を読み出す読み出し過程と、
前記読み出し過程により読み出された抵抗状態が前記高抵抗状態である抵抗変化素子に対して、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第1電圧パルスよりもエネルギーの大きい、前記第1極性の第1追加電圧パルスを印加し、前記読み出し過程により読み出された抵抗状態が前記低抵抗状態である抵抗変化素子に対して、前記第1電極及び前記第2電極間に、前記第2電圧パルスよりもエネルギーの大きい、前記第2極性の第2追加電圧パルスを印加する追加過程と、を含む
駆動方法。
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