JP5262402B2 - 記憶装置及びデータ保持方法 - Google Patents
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Description
抗性ランダムアクセスメモリ、ReRAM)がある。ReRAMは、外部から印加される電圧に応じて抵抗状態が変化する抵抗素子を有するメモリセルを備えている。抵抗素子は、電圧の印加により抵抗状態が変化する抵抗記憶材料膜と、抵抗記憶材料膜の上下に設けられた一対の電極を有する。ReRAMは、抵抗素子の抵抗状態の変化を利用して、メモリセルへのデータの書き込みを行っている。
スピンオングラス法を用いる。層間絶縁膜21の形成後、Chemical Mechanical Polishing(CMP、化学機械研磨)により層間絶縁膜21を平坦化してもよい。図4は、層間絶
縁膜21を平坦化した場合のシリコン基板13の断面図である。
して、タングステン(W)を堆積した後、CMPによりタングステンを研磨することでコンタクトプラグ12及び19を形成してもよい。また、銅(Cu)を堆積した後、CMPにより銅を研磨することでコンタクトプラグ12及び19を形成してもよい。図5は、層間絶縁膜21にコンタクトプラグ12及び19を形成した場合のシリコン基板13の断面図である。
、VOX、SiOX等である。そして、遷移金属酸化膜上に、上部電極7を形成するための金属膜(上部電極金属膜)をスパッタ法により堆積する。上部電極金属膜は、例えは、PtやTiN等である。
い。また、銅を堆積させた後、CMPにより銅を研磨することでコンタクトプラグ5を形成してもよい。図9は、層間絶縁膜23にコンタクトプラグ5を形成した状態の断面図である。
き込まれているメモリセル2となる。また、これとは逆に、抵抗素子6が高抵抗状態である場合をデータ“1”と定義し、抵抗素子6が低抵抗状態である場合をデータ“0”と定義してもよい。
6とし、抵抗が103Ω付近である抵抗素子6を低抵抗状態の抵抗素子6とする。図12
に示すように、時間経過により抵抗素子6の抵抗状態が自発的に変化する場合がある。このように、抵抗素子6の抵抗状態が自発的に変化すると、書き込んでいたデータが消失することになる。
ていない間は、回路ブロック60に対する電力供給を停止することで、電力消費を抑制することが可能となる。
するメモリセル2の全部に対するデータ書き込みであるか否かを、入出力インターフェース回路43は判定する。
図14に示す不揮発性半導体記憶装置1は、内部にタイマー回路45を備えているが、本開示はこのような構成に限られない。図16において、変形例1に係る不揮発性半導体記憶装置1の構成図を示す。変形例1に係る不揮発性半導体記憶装置1は、単体メモリ又はロジック混載メモリとして機能するReRAM回路である。図16に示すように、タイマー回路70を外部に設けるようにしてもよい。Central Processing Unit(CPU)7
1は、タイマー回路70、主記憶装置72、入出力装置73及び処理装置74を備えている。タイマー回路70は、上記実施形態におけるタイマー回路45と同様の機能を有する。CPU71は、不揮発性半導体記憶装置1と接続されている。入出力装置73は、アドレス線50にアドレス信号を入力し、データ線51にデータ信号を入力し、制御信号線53及び75に制御信号を入力する。また、入出力装置73は、データ線52を介して、入出力インターフェース回路43から出力されるデータ信号を受け取る。
図14に示す不揮発性半導体記憶装置1は、内部にタイマー回路45を備えているが、本開示はこのような構成に限られない。図17において、変形例2に係る不揮発性半導体記憶装置1の構成図を示す。変形例2に係る不揮発性半導体記憶装置1は、単体メモリ又はロジック混載メモリとして機能するReRAM回路である。図17に示すように、タイマー回路80を外部に設けるようにしてもよい。メモリコントローラ81は、タイマー回路80を備えている。タイマー回路80は、上記実施形態におけるタイマー回路45と同様の機能を有する。メモリコントローラ81は、不揮発性半導体記憶装置1とCPU82との間に設けられ、不揮発性半導体記憶装置1及びCPU82にそれぞれ接続されている。
(付記1)
抵抗状態が高抵抗と低抵抗との間で可逆的に変化する抵抗素子を有するメモリセルと、
前記メモリセルへのデータの書き込み及び読み出しを行う入出力部と、
前記メモリセルへのデータの書き込みが行われてからの経過時間を計測する計測部と、
前記計測部からの指示信号に応じて、前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、前記メモリセルに対して前記読み出したデータと同一のデータの書き込みを前記入出力部に指示する再書き込み制御部と、を備える記憶装置。
複数の前記メモリセルを有するメモリセルアレイ、前記入出力部及び前記再書き込み部への電源供給を制御する電源制御部を、更に備え、
前記再書き込み制御部は、前記メモリセルへのデータの書き込みが完了した場合、前記電源制御部に停止信号を送信し、
前記電源制御部は、前記再書き込み制御部からの前記停止信号に応じて前記メモリセルアレイ、前記入出力部及び前記再書き込み制御部への電源供給を停止するとともに、前記計測部からの開始信号に応じて前記メモリセルアレイ、前記入出力部及び前記再書き込み制御部への電源供給を開始する付記1に記載の記憶装置。
前記再書き込み制御部は指示信号に応じて、前記入出力部が、前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、前記読み出したデータと同一のデータを抵抗状態が高抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに書き込むよう制御する付記1又は2に記載の記憶装置。
前記再書き込み制御部は指示信号に応じて、前記入出力部が、前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、前記読み出したデータと反対のデータを抵抗状態が高抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに書き込んだ後に、前記読み出したデータと同一のデータを抵抗状態が高抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに書き込むよう制御する付記1又は2に記載の記憶装置。
前記計測部は、所定のタイミングで前記再書き込み部に前記指示信号を送る付記2から4のいずれか一項に記載の記憶装置。
前記計測部は、所定のタイミングで前記電源制御部に前記開始信号を送る付記2から5のいずれか一項に記載の記憶装置。
抵抗状態が高抵抗と低抵抗との間で可逆的に変化する抵抗素子を有するメモリセルへのデータの書き込みが行われてからの経過時間を計測する計測ステップと、
前記計測に基づき、所定のタイミングで前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、前記メモリセルに対して前記読み出したデータと同一のデータを書き込む再書き込みステップと、を備えるデータ保持方法。
前記再書き込みステップでは、所定のタイミングで前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、前記メモリセルに対して前記読み出したデータと反対のデータを書き込んだ後に、前記読み出したデータと同一のデータを書き込む付記7に記載のデータ保持方法。
前記再書き込みステップでは、所定のタイミングで前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、前記読み出したデータと同一のデータを抵抗状態が高抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに書き込む付記7に記載のデータ保持方法。
前記再書き込みステップによる書き込みが完了した場合、複数の前記メモリセルを有するメモリセルアレイへの電源供給を停止するとともに、所定のタイミングで前記メモリセルアレイへの電源供給を開始する電源制御ステップ、を更に備える付記7から9のいずれか一項に記載のデータ保持方法。
2 メモリセル
3 ビット線(BL)
4 ワード線(WL)
6 抵抗素子
20 GND線
30 メモリセルアレイ
40 IO制御回路
41 行デコーダ
42 列デコーダ
43 入出力インターフェース回路
44 再書き込み制御回路
45、70、80 タイマー回路
46 電源制御回路
60 回路ブロック
71、82 CPU
81 メモリコントローラ
Claims (4)
- 抵抗状態が高抵抗と低抵抗との間で可逆的に変化する抵抗素子を含むメモリセルと、
前記メモリセルへのデータの書き込み及び読み出しを行う入出力部と、
前記メモリセルへのデータの書き込みが行われてからの経過時間を計測する計測部と、
前記計測部からの指示信号に応じて、前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、抵抗状態が低抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに対して前記読み出したデータと同一のデータの書き込みを前記入出力部に指示し、抵抗状態が高抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに対して前記読み出したデータと反対のデータを書き込んだ後に、前記読み出したデータと同一のデータの書き込みを前記入出力部に指示する再書き込み制御部と、
を備える記憶装置。 - 複数の前記メモリセルを有するメモリセルアレイ、前記入出力部及び前記再書き込み制御部への電源供給を制御する電源制御部を、更に備え、
前記再書き込み制御部は、前記メモリセルへのデータの書き込みが完了した場合、前記電源制御部に停止信号を送信し、
前記電源制御部は、前記再書き込み制御部からの前記停止信号に応じて前記メモリセルアレイ、前記入出力部及び前記再書き込み制御部への電源供給を停止するとともに、前記計測部からの開始信号に応じて前記メモリセルアレイ、前記入出力部及び前記再書き込み制御部への電源供給を開始する請求項1に記載の記憶装置。 - 抵抗状態が高抵抗と低抵抗との間で可逆的に変化する抵抗素子を有するメモリセルへのデータの書き込みが行われてからの経過時間を計測する計測ステップと、
前記計測に基づき、所定のタイミングで前記メモリセルに書き込まれているデータを読み出し、抵抗状態が低抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに対して前記読み出したデータと同一のデータを書き込み、抵抗状態が高抵抗である抵抗素子を含む前記メモリセルに対して前記読み出したデータと反対のデータを書き込んだ後に、前記読み出したデータと同一のデータを書き込む再書き込みステップと、
を備えるデータ保持方法。 - 前記再書き込みステップによる書き込みが完了した場合、複数の前記メモリセルを有するメモリセルアレイへの電源供給を停止するとともに、所定のタイミングで前記メモリセルアレイへの電源供給を開始する電源制御ステップ、を更に備える請求項3に記載のデータ保持方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200518A JP5262402B2 (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 記憶装置及びデータ保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200518A JP5262402B2 (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 記憶装置及びデータ保持方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040090A JP2010040090A (ja) | 2010-02-18 |
JP5262402B2 true JP5262402B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=42012489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008200518A Expired - Fee Related JP5262402B2 (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 記憶装置及びデータ保持方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5262402B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9058869B2 (en) * | 2013-02-07 | 2015-06-16 | Seagate Technology Llc | Applying a bias signal to memory cells to reverse a resistance shift of the memory cells |
JP6149598B2 (ja) * | 2013-08-19 | 2017-06-21 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよび記憶制御方法 |
WO2019054001A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置、及び駆動方法 |
US10622065B2 (en) * | 2018-09-12 | 2020-04-14 | Micron Technology, Inc. | Dedicated commands for memory operations |
US11456033B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-09-27 | Micron Technology, Inc. | Dedicated commands for memory operations |
JPWO2021193050A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7010644B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Software refreshed memory device and method |
JP4580621B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ |
DE102004019860B4 (de) * | 2004-04-23 | 2006-03-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen |
JP4742696B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 記憶装置 |
US7679980B2 (en) * | 2006-11-21 | 2010-03-16 | Qimonda North America Corp. | Resistive memory including selective refresh operation |
-
2008
- 2008-08-04 JP JP2008200518A patent/JP5262402B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010040090A (ja) | 2010-02-18 |
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