JP5351363B1 - 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[不揮発性記憶素子の構成]
図1は、本発明の実施の形態1に係る不揮発性記憶素子の一構成例を示す断面図である。
次に、図4A〜図4Dを参照しながら、本実施の形態の不揮発性記憶素子100の製造方法の一例について説明する。
上述した実施の形態1に係る不揮発性記憶素子は、種々の形態の不揮発性記憶装置へ適用することが可能である。上述の不揮発性記憶素子を不揮発性記憶装置へ適用することにより、抵抗変化特性のばらつきが少ない不揮発性記憶装置が得られる。そのため、例えば、不揮発性記憶装置を大容量化した場合に、安定した動作が得られる。実施の形態2に係る不揮発性記憶装置は、実施の形態1に係る不揮発性記憶素子を備える不揮発性記憶装置であって、ワード線とビット線との交点(立体交差点)に実施の形態1に係る不揮発性記憶素子を介在させた所謂クロスポイント型のものである。
図6は、本発明の実施の形態2に係る不揮発性記憶装置300の構成を示すブロック図である。また、図7は、図6におけるA部の構成(4ビット分の構成)を示す斜視図である。
図8は、本発明の実施の形態2に係る不揮発性記憶装置200が備える不揮発性記憶素子(図6ではメモリセル)220の構成を示す断面図である。なお、図8には、図7のB部における構成が示されている。
次に、情報を書き込む場合の書き込みサイクルおよび情報を読み出す場合の読み出しサイクルにおける本実施の形態に係る不揮発性記憶装置の動作例について、図9に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
実施の形態3に係る不揮発性記憶装置は、実施の形態1に係る不揮発性記憶素子を備える不揮発性記憶装置であって、1トランジスタ/1不揮発性記憶部とした所謂1T1R型のものである。
図10は、本発明の実施の形態3に係る不揮発性記憶装置300の構成を示すブロック図である。また、図11は、図10におけるC部の構成(2ビット分の構成)を示す断面図である。
次に、情報を書き込む場合の書き込みサイクルおよび情報を読み出す場合の読み出しサイクルにおける本実施の形態に係る不揮発性記憶装置300の動作例について、図12に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
101 基板
102 層間絶縁膜
103、1403 第1の電極
104、224、324、1405 抵抗変化層
104a、224a、324a 第1の酸化物層
104b、224b、324b 第2の酸化物層
105、225、325 局所領域
105a、225a、325a 第1の局所領域
105b、225b、325b 第2の局所領域
106、1406 第2の電極
107 パターン
110、230、330 酸素リザーバ領域
200、300 不揮発性記憶装置
201、301 メモリ本体部
202、302 メモリアレイ
203、303 行選択回路・ドライバ
204 列選択回路・ドライバ
205、305 書き込み回路
206、306 センスアンプ
207、307 データ入出力回路
208 アドレス入力回路
209、310 制御回路
211 上部配線
212 下部配線
214 内部電極
215 電流制御層
216、323 下部電極
226、326 上部電極
304 列選択回路
308 VCP電源
309 アドレス入力回路
317 プラグ層
318 金属配線層
319 ソース/ドレイン領域
1405c フィラメント
BL0,BL1,… ビット線
T11,T12,… トランジスタ
M111,M112,… メモリセル
M211,M212,… メモリセル
PL0,PL1,… プレート線
WL0,WL1,… ワード線
Claims (14)
- 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に介在し、前記第1の電極および前記第2の電極間に与えられる電圧極性に基づいて可逆的に高抵抗状態と低抵抗状態とを遷移する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、
p型キャリアを有する非化学量論的組成の金属酸化物から構成される第1の酸化物層と、
前記第1の酸化物層及び前記第2の電極の間に接して配置され、n型キャリアを有する非化学量論的組成の金属酸化物から構成される第2の酸化物層と、
前記第1の酸化物層内に配置され、前記第1の電極と接しておらず、前記第1の酸化物層に比べて酸素含有率が高い酸素リザーバ領域と、
前記第2の酸化物層内に前記酸素リザーバ領域と接して配置され、前記第2の酸化物層に比べて酸素含有率が低い局所領域とを含む、
抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記局所領域には、前記酸素リザーバ領域と接するように配置された第1の局所領域と、前記第2の電極および前記第1の局所領域と接するように、前記第2の電極と前記第1の局所領域との間に配置された第2の局所領域とから構成され、
前記第2の局所領域の酸素含有率は、前記第1の局所領域の酸素含有率より高い、
請求項1に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記第1の酸化物層は、金属不足酸化物または酸素過剰酸化物である、
請求項1又は2に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記第2の酸化物層は、酸素不足酸化物または金属過剰酸化物である、
請求項1又は2に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記第2の酸化物層の厚みは、前記第1の酸化物層の厚みよりも薄い、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記第1の酸化物層は、ニッケルを金属とする非化学量論的組成の金属酸化物で構成される、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記第2の酸化物層は、タンタルを金属とする非化学量論的組成の金属酸化物で構成される、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記第1の電極と前記第2の電極とは同一材料から構成される
請求項1〜7のいずれか1項に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - さらに、前記抵抗変化層に電気的に接続された負荷素子を備える、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記負荷素子は、固定抵抗、トランジスタ、またはダイオードである、
請求項9に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 前記局所領域は、前記抵抗変化層に1つのみ形成されている、
請求項1〜10のいずれか1項に記載の抵抗変化型の不揮発性記憶素子。 - 基板と、前記基板上に互いに平行に形成された複数の第1の配線と、
前記複数の第1の配線の上方に前記基板の主面に平行な面内において互いに平行に且つ前記複数の第1の配線と立体交差するように形成された複数の第2の配線と、
前記複数の第1の配線と前記複数の第2の配線との立体交差点に対応して設けられた請求項1〜9のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子とを具備するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイが具備する不揮発性記憶素子から、少なくとも一つの不揮発性記憶素子を選択する選択回路と、
前記選択回路で選択された不揮発性記憶素子に電圧を印加することでデータを書き込む書き込み回路と、
前記選択回路で選択された不揮発性記憶素子の抵抗値を検出することでデータを読み出す読み出し回路と、を備える、
不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性記憶素子は、前記抵抗変化層に電気的に接続された電流制御素子を備える
請求項12に記載の不揮発性記憶装置。 - 基板と、前記基板上に形成された、複数のワード線および複数のビット線、前記複数のワード線および複数のビット線にそれぞれ接続された複数のトランジスタ、並びに前記複数のトランジスタに一対一で対応して設けられた複数の請求項1〜9のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子とを具備するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイが具備する不揮発性記憶素子から、少なくとも一つの不揮発性記憶素子を選択する選択回路と、
前記選択回路で選択された不揮発性記憶素子に電圧を印加することでデータを書き込む書き込み回路と、
前記選択回路で選択された不揮発性記憶素子の抵抗値を検出することでデータを読み出す読み出し回路と、を備える、
不揮発性記憶装置。
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