JP5406515B2 - 可変抵抗素子並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
前記金属酸化物電極は、前記可変抵抗体を構成する酸化物を構成する遷移金属とは異なる金属の酸化物、或いは、前記可変抵抗体を構成する酸化物を構成する遷移金属と同じ金属の酸化物(Ni酸化物を除く)からなり、
前記金属酸化物電極は、前記金属酸化物の室温で安定した化学量論的組成と比べて過剰に酸素を含有していることを特徴とする。
図1は、第1実施形態における可変抵抗素子の概略的構成を示す断面図である。図1に示す可変抵抗素子1は、半導体基板10,シリコン酸化膜11,第1電極12,可変抵抗体13,第2電極14を備えて構成される。
図8は、第2実施形態(以下、適宜「本実施形態」という)における可変抵抗素子の概略的構成を示す断面図である。図8に示す可変抵抗素子2は、半導体基板10,シリコン酸化膜11,第1電極21,可変抵抗体13,第2電極22を備えて構成される。なお、第1実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付している。
図10は、第3実施形態(以下、適宜「本実施形態」という)における可変抵抗素子の概略的構成を示す断面図である。図10に示す可変抵抗素子3は、半導体基板10,シリコン酸化膜11,第1電極31,可変抵抗体13,第2電極32,下地電極35を備えて構成される。なお、第1あるいは第2実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付している。
図14は、第4実施形態(以下、適宜「本実施形態」という)における可変抵抗素子の概略的構成を示す断面図である。図14に示す可変抵抗素子4は、半導体基板10,シリコン酸化膜11,第1電極12,可変抵抗体41,第2電極22を備えて構成される。なお、第1〜第3実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付している。
11: シリコン酸化膜
12,21,31: 第1電極
12a,21a: Ti膜
12b: TiN膜
21b: 酸化チタン膜
13,41: 可変抵抗体
14,22,32: 第2電極
35: 下地電極
Claims (12)
- 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が各電極と接触して狭持され、前記両電極の間に電圧パルスが印加されることで前記両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、
前記可変抵抗体が、遷移金属を含む材料の酸化物で構成されており、
前記第1電極または前記第2電極の一方または双方が、金属酸化物からなる金属酸化物電極で構成され、
前記金属酸化物電極は、前記可変抵抗体を構成する酸化物を構成する遷移金属とは異なる金属の酸化物からなり、
前記金属酸化物電極は、前記金属酸化物の室温で安定した化学量論的組成と比べて過剰に酸素を含有していることを特徴とする可変抵抗素子。 - 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が各電極と接触して狭持され、前記両電極の間に電圧パルスが印加されることで前記両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、
前記可変抵抗体が、遷移金属を含む材料の酸化物で構成されており、
前記第1電極または前記第2電極の一方または双方が、金属酸化物からなる金属酸化物電極で構成され、
前記金属酸化物電極は、前記可変抵抗体を構成する酸化物を構成する遷移金属と同じ金属の酸化物(Ni酸化物を除く)からなり、
前記金属酸化物電極は、前記金属酸化物の室温で安定した化学量論的組成と比べて過剰に酸素を含有していることを特徴とする可変抵抗素子。 - 前記可変抵抗体と接触しない側の前記金属酸化物電極の面に接触して、金属材料で構成された補助電極をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の可変抵抗素子。
- 前記金属酸化物電極が、
前記可変抵抗体を構成する酸化物を構成する遷移金属とは異なる金属の酸化物の場合、Co,Ta,Ti,Ni,Cu,Wのうち少なくともいずれか一つの元素を含む材料の酸化物であり、
前記可変抵抗体を構成する酸化物を構成する遷移金属と同じ金属の酸化物の場合、Co,Ta,Ti,Cu,Wのうち少なくともいずれか一つの元素を含む材料の酸化物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の可変抵抗素子。 - 前記可変抵抗体が、Ta,Tiのうち少なくともいずれか一つの元素を含む材料の酸化物であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の可変抵抗素子。
- 請求項1又は2に記載の可変抵抗素子の製造方法であって、
所定の基板上に金属材料を成膜して前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極に接触するように、遷移金属を含む材料の酸化物を成膜して前記可変抵抗体を形成する工程と、
前記可変抵抗体に接触するように、前記可変抵抗体よりも酸素含有濃度を高くして前記金属酸化物を成膜することで、低抵抗状態の前記可変抵抗体よりも抵抗値が低い前記金属酸化物電極で構成された前記第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の可変抵抗素子の製造方法であって、
所定の基板上に前記金属酸化物を成膜して前記金属酸化物電極で構成された前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極に接触するように、前記第1電極よりも酸素含有濃度を低くして遷移金属を含む材料の酸化物を成膜することで、低抵抗状態において前記第1電極よりも抵抗値が高い前記可変抵抗体を形成する工程と、
前記可変抵抗体に接触するように、金属材料を成膜して前記第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。 - 前記所定の基板上に金属材料を成膜して補助電極を形成した後、当該補助電極上に前記金属酸化物を成膜することで前記第1電極を形成することを特徴とする請求項7に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 少なくとも酸素を含む雰囲気下でスパッタ法によって前記金属酸化物を成膜することを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の可変抵抗素子の製造方法であって、
所定の基板上に金属材料を成膜する工程と、
成膜された金属材料膜の上面を酸化することで、少なくとも前記金属材料膜の上面に前記金属酸化物電極で構成された前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極に接触するように、前記第1電極よりも酸素含有濃度を低くして遷移金属を含む材料の酸化物を成膜することで、前記第1電極よりも抵抗値が高い前記可変抵抗体を形成する工程と、
前記可変抵抗体に接触するように、金属材料を成膜して前記第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。 - 前記金属材料膜の上面を酸素ラジカル雰囲気下で酸化することで前記第1電極を形成することを特徴とする請求項10に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記金属材料膜が、Co,Ta,Ti,Cu,Wのうち少なくともいずれか一つの元素を含む金属材料で構成されることを特徴とする請求項10又は11に記載の可変抵抗素子の製造方法。
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