JP5291248B2 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Description
ケース2:8回目のTp(8)の50μsパルス幅でフォーミングが完了したと判定された場合
の2つを例に説明している。
100a 下部電極(第1電極)
100b 抵抗変化層(遷移金属酸化物層)
100b−1 第1の遷移金属酸化物層
100b−2 第2の遷移金属酸化物層
100c 上部電極(第2電極)
101、105 下部電極端子
102 上部電極端子
103 ゲート端子
104 NMOSトランジスタ
110 メモリセル
200 抵抗変化型不揮発性記憶装置
201 メモリ本体部
202 メモリセルアレイ
203 列選択回路
204 センスアンプ
205 データ入出力回路
206 パルス幅可変書き込み回路
207 行ドライバ
208 行選択回路
209 アドレス入力回路
210 制御回路
211 書き込み用電源
212 低抵抗(LR)化用電源
213 高抵抗(HR)化用電源
218 カレントミラー回路
219、220 クランプトランジスタ
221 基準回路
222、223 選択トランジスタ
224 差動アンプ
225、226 トランジスタ
500 フォーミング用電源
702 通常動作用基準電流生成回路
703 フォーミング動作用基準電流生成回路
704 比較回路
Claims (25)
- 抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続されたメモリセルに対して電圧パルスを印加することにより、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を、印加される電圧パルスの極性によって高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な状態とはなっていない製造後の、前記高抵抗状態よりさらに高抵抗な初期状態から、印加される電圧パルスの極性によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを可逆的に遷移可能でかつ前記初期状態より低抵抗な状態に変化させるフォーミング方法であって、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記スイッチ素子と接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に挟まれた酸素不足型の遷移金属酸化物層とを有し、
前記遷移金属酸化物層は、前記第1電極と接する第1の遷移金属酸化物層と、前記第2電極と接し、前記第1の遷移金属酸化物層よりも低い酸素不足度をもつ第2の遷移金属酸化物層とを含み、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、
前記第2電極を基準として前記第1電極に対して正の電位を持つ第1の閾値電圧以上の電圧パルスである低抵抗化電圧パルスが印加されると前記低抵抗状態に遷移し、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電位をもつ第2の閾値電圧以上の電圧パルスである高抵抗化電圧パルスが印加されると高抵抗状態に遷移する特性と、
前記初期状態における非線形の電流・電圧特性と、
前記初期状態において前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に流れる電流が増加すると、指数関数的に当該フォーミング時間が減少する特性とを有し、
前記フォーミング方法は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記初期状態にあるときに、(1)前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電位を持ち、前記第2の閾値電圧より大きい所定電圧以上の振幅、又は、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して負の電位を持ち、前記第1の閾値電圧より大きい所定電圧以上の振幅を有し、かつ、(2)第1のパルス幅を有する第1の電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加する第1電圧印加ステップと、
前記第1電圧印加ステップにおける前記第1の電圧パルスの印加によってフォーミングが完了したか否かを判断する判断ステップとを有し、
前記第1電圧印加ステップと前記判断ステップとは、前記判断ステップで前記フォーミングが完了したと判断されるまで繰り返され、
前記繰り返しにおいて、前記第1電圧印加ステップでは、直前の前記第1電圧印加ステップで印加した第1の電圧パルスのパルス幅よりも長いパルス幅を有する新たな第1の電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加する
抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1電圧印加ステップでは、前記第1の電圧パルスとして、(1)前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電位を持つ前記所定電圧以上の振幅を有し、かつ、(2)前記第1のパルス幅を有する第1の正電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加し、
前記判断ステップでは、前記低抵抗化電圧パルスの電圧振幅以上の電圧振幅を有し、かつ、前記低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第1の負電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加した後、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記低抵抗状態にあるか否かを判断することによって、前記フォーミングが完了したか否かを判断する
請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1電圧印加ステップと前記判断ステップの繰り返しにおいて、前記第1電圧印加ステップでは、直前の前記第1電圧印加ステップで印加した第1の電圧パルスのパルス幅を指数関数的に増加させたパルス幅を有する新たな第1の電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加する
請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1の負電圧パルスのパルス幅は、前記低抵抗化電圧パルスのパルス幅と同一である
請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - さらに、前記判断ステップにおける前記第1の負電圧パルスの印加後に、前記第1の正電圧パルスと極性、電圧振幅およびパルス幅が同じ第2の正電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加する第2電圧印加ステップを含む
請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1の負電圧パルスのパルス幅は、前記低抵抗化電圧パルスのパルス幅よりも長い
請求項5に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1電極と前記第2電極とは異なる材料から成り、
前記第2電極は、イリジウム、又は、イリジウムと白金の合金から成る
請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1の遷移金属酸化物層は、TaOxで表される組成を有する層であり、
前記第2の遷移金属酸化物層は、TaOy(ただし、x<y)で表される組成を有する
層である
請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1の遷移金属酸化物層を構成する遷移金属と、前記第2の遷移金属酸化物層を構成する遷移金属とは異なる
請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記初期状態における抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記高抵抗状態における抵抗変化型不揮発性記憶素子の抵抗値よりも高い初期抵抗値を有し、
前記初期抵抗値は、1MΩより大きい
請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記スイッチ素子は、MOSトランジスタである
請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記スイッチ素子は、双方向ダイオードである
請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続されたメモリセルを用いた抵抗変化型不揮発性記憶装置であって、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記スイッチ素子と接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に挟まれた酸素不足型の遷移金属酸化物層とを有し、
前記遷移金属酸化物層は、前記第1電極と接する第1の遷移金属酸化物層と、前記第2電極と接し、前記第1の遷移金属酸化物層よりも低い酸素不足度をもつ第2の酸素不足型の遷移金属酸化物層とを含み、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、
前記第2電極を基準として前記第1電極に対して正の電圧をもつ第1の閾値電圧以上の電圧パルスである低抵抗化電圧パルスが印加されると、前記低抵抗状態に遷移し、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電圧をもつ第2の閾値電圧以上の電圧パルスである高抵抗化電圧パルスが印加されると、高抵抗状態に遷移する特性と、
印加される電圧パルスの極性によって高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な状態とはなっていない製造後の、前記高抵抗状態よりさらに高抵抗な初期状態における非線形の電流・電圧特性と、
前記初期状態において所定電圧以上の電圧の電圧パルスが印加され、かつ、所定時間、当該電圧が印加され続けると、前記初期状態から、印加される電圧パルスの極性によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを可逆的に遷移可能でかつ前記初期状態より低抵抗な状態に変化するフォーミングが起こり、かつ、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に流れる電流が増加すると、指数関数的に当該フォーミング時間が減少する特性と、を有し、
前記抵抗変化型不揮発性記憶装置は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続された複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの中から、少なくとも1つメモリセルを選択する選択部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子をフォーミングするためのフォーミング用電圧を発生するフォーミング用電源部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に、又は、前記低抵抗状態から前記高抵抗状態に遷移させる書き込みのための書き込み用電圧を発生する書き込み用電源部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子をフォーミングする場合、又は、書き込む場合に、当該抵抗変化型不揮発性記憶素子の抵抗状態を所望の状態に遷移させるためのパルス幅可変の書き込み用電圧パルスを発生するパルス幅可変書き込み用電圧パルス発生部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミングが完了したか否かを判定するフォーミング判定部、及び、前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子が高抵抗状態か低抵抗状態かを判定する通常判定部とを有する読み出し部とを備え、
前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部は、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子をフォーミングするために、(1)前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電位を持ち、前記第2の閾値電圧より大きい所定電圧以上の振幅、又は、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して負の電位を持ち、前記第1の閾値電圧より大きい所定電圧以上の振幅を有し、かつ、(2)第1のパルス幅を有する第1の電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加し、
前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部による前記第1の電圧パルスの印加と前記フォーミング判定部による判断とは、前記フォーミング判定部で前記フォーミングが完了したと判断されるまで繰り返され、
前記繰り返しにおいて、前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部は、直前に印加した第1の電圧パルスのパルス幅よりも長いパルス幅を有する新たな第1の電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加する
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部は、前記第1の電圧パルスとして、(1)前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電位を持つ前記所定電圧以上の振幅を有し、かつ、(2)前記第1のパルス幅を有する第1の正電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加し、
前記フォーミング判定部は、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記低抵抗状態にあるか否かを判定することによって、前記第1の正電圧パルスの印加後における前記抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミングが完了したか否かを判断する
請求項13に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記フォーミング判定部は、前記低抵抗化電圧パルスの電圧振幅以上の電圧振幅を有し、かつ、前記低抵抗化電圧パルスと同じ極性の第1の負電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加した後、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記低抵抗状態にあるか否かを判断する
請求項14に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1の負電圧パルスのパルス幅は、前記低抵抗化電圧パルスのパルス幅とが同一である
請求項15に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1電極と前記第2電極とは異なる材料から成り、
前記第2電極は、イリジウム、又は、イリジウムと白金の合金から成る
請求項13乃至請求項16のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1の遷移金属酸化物層は、TaOxで表される組成を有する層であり、
前記第2の遷移金属酸化物層は、TaOy(ただし、x<y)で表される組成を有する層である
請求項13乃至請求項17のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1の遷移金属酸化物層を構成する遷移金属と、前記第2の遷移金属酸化物層を構成する遷移金属とは異なる
請求項13乃至請求項17のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記初期状態における抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記高抵抗状態における抵抗変化型不揮発性記憶素子の抵抗値よりも高い初期抵抗値を有し、
前記初期抵抗値は、1MΩより大きい
請求項13乃至請求項19のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記スイッチ素子は、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の第1電極を基準として第2電極に対して正の電位をもつ電圧パルスが抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加されるときにおける電流駆動能力が、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の第1電極を基準として第2電極に対して負の電位をもつ電圧パルスが抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加されるときにおける電流駆動能力よりも大きい
請求項13乃至請求項20のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記スイッチ素子は、MOSトランジスタである
請求項13乃至請求項21のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記スイッチ素子は、双方向ダイオードである
請求項13乃至請求項21のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記選択部は、前記メモリセルアレイに含まれる全てのメモリセルを順に選択し、
前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部は、前記選択部で選択された全てのメモリセルに含まれる前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第1の電圧パルスを印加した後、前記選択部で選択された全てのメモリセルのうち、前記フォーミング判定部によってフォーミングが完了していないと判断された抵抗変化型不揮発性記憶素子を含むメモリセルに対して、前記新たな第1の電圧パルスを印加する
請求項13乃至請求項23のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - スイッチ素子と直列に接続されてメモリセルを構成する抵抗変化型不揮発性記憶素子であって、
前記スイッチ素子と接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に挟まれた酸素不足型の遷移金属酸化物層とを有し、
前記遷移金属酸化物層は、前記第1電極と接する第1の遷移金属酸化物層と、前記第2電極と接し、前記第1の遷移金属酸化物層よりも低い酸素不足度をもつ第2の遷移金属酸化物層とを含み、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、
前記第2電極を基準として前記第1電極に対して正の電位を持つ第1の閾値電圧以上の電圧パルスである低抵抗化電圧パルスが印加されると低抵抗状態に遷移し、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して正の電位をもつ第2の閾値電圧以上の電圧パルスである高抵抗化電圧パルスが印加されると高抵抗状態に遷移する特性と、
印加される電圧パルスの極性によって高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な状態とはなっていない製造後の、前記高抵抗状態よりさらに高抵抗な初期状態における非線形の電流・電圧特性と、
前記初期状態において所定電圧以上の電圧の電圧パルスが印加され、かつ、所定時間、当該電圧が印加され続けると、前記初期状態から、印加される電圧パルスの極性によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを可逆的に遷移可能でかつ前記初期状態より低抵抗な状態に変化するフォーミングが起こり、かつ、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に流れる電流が増加すると、指数関数的に当該フォーミング時間が減少する特性と、
前記フォーミングにおいては、印加される少なくとも1個以上の電圧パルスの累積的なパルス印加時間が大きくなるほどフォーミングが完了する確率が大きくなる特性とを有する
抵抗変化型不揮発性記憶素子。
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KR20120115798A (ko) * | 2011-04-11 | 2012-10-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 집적 회로 및 그의 동작 방법 |
US8958233B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-02-17 | Micron Technology, Inc. | Stabilization of resistive memory |
US9001557B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory element writing method and variable resistance nonvolatile memory device |
WO2013084412A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | パナソニック株式会社 | クロスポイント型不揮発性記憶装置とそのフォーミング方法 |
WO2013140754A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
WO2013145737A1 (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | パナソニック株式会社 | クロスポイント型不揮発性記憶装置とその駆動方法 |
US9183925B2 (en) | 2012-04-09 | 2015-11-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory device and method of performing the forming operation |
US8853713B2 (en) * | 2012-05-07 | 2014-10-07 | Micron Technology, Inc. | Resistive memory having confined filament formation |
JP5909155B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-04-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化素子のフォーミング方法 |
CN104685474B (zh) * | 2012-09-25 | 2018-04-20 | 慧与发展有限责任合伙企业 | 用于处理不可纠正的内存错误的方法及非瞬态处理器可读介质 |
FR3002072B1 (fr) * | 2013-02-08 | 2016-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Methode de programmation d'une memoire resistive non volatile |
JP2014238897A (ja) | 2013-06-06 | 2014-12-18 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびその制御方法 |
US9286973B2 (en) * | 2013-09-24 | 2016-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Device and method for forming resistive random access memory cell |
US9123414B2 (en) | 2013-11-22 | 2015-09-01 | Micron Technology, Inc. | Memory systems and memory programming methods |
US9336875B2 (en) | 2013-12-16 | 2016-05-10 | Micron Technology, Inc. | Memory systems and memory programming methods |
US10026474B2 (en) | 2014-04-26 | 2018-07-17 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Switched memristor analog tuning |
JP6425137B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2018-11-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | データ記録方法および不揮発性記憶装置 |
KR102237735B1 (ko) | 2014-06-16 | 2021-04-08 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 장치의 메모리 코어, 이를 포함하는 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 데이터 감지 방법 |
TWI584283B (zh) * | 2014-07-16 | 2017-05-21 | 東芝股份有限公司 | 非揮發性記憶裝置及其控制方法 |
JP2017528862A (ja) | 2014-07-24 | 2017-09-28 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | 相変化メモリのためのデータ記憶方法および制御装置 |
KR20170031746A (ko) * | 2014-07-24 | 2017-03-21 | 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 데이터 저장 방법 및 상변화 메모리 |
US9263127B1 (en) * | 2014-08-12 | 2016-02-16 | Winbond Electronics Corp. | Memory with specific driving mechanism applied on source line |
US9548113B2 (en) * | 2014-11-21 | 2017-01-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Tamper-resistant non-volatile memory device |
US9484094B2 (en) * | 2015-01-21 | 2016-11-01 | Ememory Technology Inc. | Control method of resistive random-access memory |
TWI570723B (zh) * | 2015-02-16 | 2017-02-11 | 華邦電子股份有限公司 | 電阻式記憶體及量測該電阻式記憶體的量測系統 |
US9524776B2 (en) | 2015-04-28 | 2016-12-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Forming method for variable-resistance nonvolatile memory element |
TWI585765B (zh) * | 2015-06-17 | 2017-06-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 可變電阻式記憶體、及其操作方法與操作系統 |
TWI579848B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-04-21 | 華邦電子股份有限公司 | 記憶體寫入裝置以及方法 |
CN106558335B (zh) * | 2015-09-30 | 2020-04-24 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器驱动装置以及方法 |
US10134470B2 (en) | 2015-11-04 | 2018-11-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including memory and operation of same |
US9978810B2 (en) | 2015-11-04 | 2018-05-22 | Micron Technology, Inc. | Three-dimensional memory apparatuses and methods of use |
US10163503B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RRAM array with current limiting element to enable efficient forming operation |
US10446226B2 (en) | 2016-08-08 | 2019-10-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses including multi-level memory cells and methods of operation of same |
TWI608567B (zh) * | 2016-10-07 | 2017-12-11 | Targps科技公司 | 電阻性元件的結構及製作方法 |
US10157670B2 (en) | 2016-10-28 | 2018-12-18 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses including memory cells and methods of operation of same |
JP2018147532A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶装置及び情報処理装置 |
FR3064395B1 (fr) * | 2017-03-23 | 2021-12-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formage d'une cellule memoire non volatile, cellule memoire non volatile formee suivant ce procede et dispositif microelectronique comportant des telles cellules memoire |
CN109410997B (zh) * | 2017-08-16 | 2021-04-30 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式存储器存储装置及其写入方法 |
CN109658963B (zh) * | 2017-10-11 | 2020-11-17 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式存储器存储装置的操作方法 |
US10354729B1 (en) | 2017-12-28 | 2019-07-16 | Micron Technology, Inc. | Polarity-conditioned memory cell write operations |
KR20200016667A (ko) * | 2018-08-07 | 2020-02-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 입출력 회로와 이를 포함하는 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR20200129453A (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자장치, 메모리 소자, 및 메모리 소자의 동작방법 |
CN112735494B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-09-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质 |
JP2022147390A (ja) * | 2021-03-23 | 2022-10-06 | キオクシア株式会社 | 記憶装置 |
US11495639B1 (en) * | 2021-04-23 | 2022-11-08 | Macronix International Co., Ltd. | Memory unit, array and operation method thereof |
CN113436664B (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-14 | 之江实验室 | 一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007004873A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sony Corp | 記憶装置の初期化方法 |
JP2007515026A (ja) * | 2003-12-18 | 2007-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗変化材料の初期化方法、抵抗変化材料を用いた記憶素子、可変抵抗体を用いた不揮発性メモリ回路を初期化する方法 |
JP2007226883A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 可変抵抗素子の抵抗制御方法及び不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008210441A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化型メモリ装置のフォーミング方法および抵抗変化型メモリ装置 |
WO2008149484A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2010021134A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法 |
JP2011066363A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4715320B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 記憶素子及び記憶装置 |
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US8094481B2 (en) | 2007-03-13 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Resistance variable memory apparatus |
KR101060793B1 (ko) | 2007-10-15 | 2011-08-30 | 파나소닉 주식회사 | 비휘발성 기억 소자 및 이 비휘발성 기억 소자를 이용한 비휘발성 반도체 장치 |
CN101978496B (zh) | 2008-07-11 | 2012-11-07 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515026A (ja) * | 2003-12-18 | 2007-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗変化材料の初期化方法、抵抗変化材料を用いた記憶素子、可変抵抗体を用いた不揮発性メモリ回路を初期化する方法 |
JP2007004873A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sony Corp | 記憶装置の初期化方法 |
JP2007226883A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 可変抵抗素子の抵抗制御方法及び不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008210441A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化型メモリ装置のフォーミング方法および抵抗変化型メモリ装置 |
WO2008149484A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2010021134A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法 |
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