JP4972238B2 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法 - Google Patents
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Description
以下、代表的な従来の抵抗変化素子を説明する(非特許文献1、特許文献1、2)。
図35は、非特許文献1で示されているフォーミング電圧(V_form)の遷移金属酸化物膜厚(TMO Thickness)依存を示す特性図である。フォーミング電圧とは、フォーミング処理が可能となる電圧である。遷移金属酸化物としては、NiO、TiO2、HfO2、ZrO2の4種類の特性が示されており、フォーミング電圧は、遷移金属酸化物の種類に依存し、また、遷移金属酸化物膜厚が厚くなるほど、高くなる。このため、フォーミング電圧を低減させるためには、NiOのような遷移金属酸化物を選択し、遷移金属酸化物膜厚を薄膜化することが好ましいことが開示されている。
また、特許文献2では、初期化後のデータ書き込みや消去を高速で行うことを可能にする、イオン伝導型不揮発性可変抵抗素子の初期化(フォーミング)方法が示されている。
本願発明者らは、上記開示内容を踏まえ、抵抗変化型不揮発性記憶装置の1つとして、遷移金属の一つであるタンタル(Ta)を用い、その酸素不足型の酸化物(酸化タンタル)の抵抗変化層とスイッチ素子とでメモリセルを構成した抵抗変化型不揮発性記憶装置を検討している。
まず、関連発明および本願発明が適用される典型的なメモリセルの構造および動作の一例について説明する。
まず、1T1R型メモリセルの上部電極100cを標準電極電位が高い白金(Pt)を主成分とする電極材料で構成し(つまり、上部電極と抵抗変化層の界面近傍で抵抗変化を起こし易い状態にし)、下部電極100aを標準電極電位が低い窒化タンタル(TaN)で構成(つまり、下部電極と抵抗変化層の界面近傍で抵抗変化し難い状態に)した場合のフォーミング特性について説明する。
次に、1T1R型メモリセルの上部電極100cを、標準電極電位が高いイリジウム(Ir)を主成分とする電極材料で構成し(つまり、上部電極と抵抗変化層の界面近傍で抵抗変化を起こし易い状態にし)、下部電極100aを標準電極電位が低い窒化タンタル(TaN)で構成(つまり、下部電極と抵抗変化層の界面近傍で抵抗変化し難い状態に)した場合のフォーミング特性について説明する。
当該関連発明に係るフォーミング方法は、抵抗変化型不揮発性記憶装置の基本部分であるIr電極を用いた1T1R型メモリセルの1ビットに着目したときのフォーミング方法など、いくつかの基礎データに基づいてなされている。便宜上、まず当該基礎データについて説明する。
図1Aは、下部電極を基準にして上部電極に正電圧パルスを連続的に印加してフォーミング処理をした場合における、累積的なパルス印加時間(累積パルス印加時間)と各ビットの抵抗変化素子100の抵抗値との関係を測定するために試験的に作成したメモリセルの回路図であり、図1Bは、その測定結果を示す図である。ここでは、3個のメモリ回路(抵抗変化素子100と1T1R型メモリセルのトランジスタのオン抵抗に相当する固定抵抗R1との直列接続で構成される回路)に対して、フォーミング用の正電圧パルスを上部電極に印加してフォーミングを試みたときの、それら3個の抵抗変化素子100の抵抗値と累積パルス印加時間との関係をプロットしている。なお、横軸の累積パルス印加時間は、抵抗変化素子100に印加したフォーミング用の正電圧パルスの累積的な印加時間(パルス幅の合計時間)である。グラフの縦軸および横軸は、いずれもlogスケールで表されている。
図3は、図1Aに示すメモリ回路において正電圧パルス印加によるHR化方向のフォーミング処理を実施した場合における、メモリ回路に流れるセル電流波形図である。縦軸は、図1Aに示すメモリ回路を流れるセル電流であり、横軸の時間は、正電圧パルスの累積印加時間である。ここでは、正電圧パルスを印加した時に抵抗変化素子100に流れる電流の向きは、高抵抗化方向であり、この方向を正方向と定義する。グラフの縦軸および横軸は、いずれもリニアスケールで表されている。
本願発明者らは、先述の基礎データを踏まえて、関連出願である特願2010−79478号の明細書において次のようなフォーミング方法を提案した。
図6は、図5に示す1T1R型メモリセルのフォーミングフローにしたがって1T1R型メモリセルのフォーミングを行った場合の、抵抗変化素子100の抵抗推移を示す図である。グラフの縦軸は抵抗値をlogスケールで表し、横軸はパルス印加の回数を表している。一例として、n回目のパルス印加において、表1に示すパルス幅Tp(n)の正電圧パルスが印加されるとして説明する。
ここで、幾つかの実験データを基に、上部電極100cにIr(イリジウム)を用いた抵抗変化素子とNMOSトランジスタとで構成される1T1R型のメモリセルに関連発明のフォーミング方法を適用するに際して考慮されるべき、当該1T1R型のメモリセルの基礎的な特性を説明する。
以上、関連発明に係るフォーミング方法を示したが、フォーミング方法はフォーミング後の抵抗変化特性とも関係していることを見出した。上記で示した典型的なフォーミング処理を行った場合と、フォーミング条件を変更した本発明の実施形態について説明する。
図14は、図13においてフォーミングを完了した複数の1T1R型メモリセルの高抵抗状態(HR)と低抵抗状態(LR)にセットした時のセル電流の正規確率分布図(ワイブルプロット)である。縦軸は、ワイブルプロットの正規期待値を表し、横軸は、高抵抗状態および低抵抗状態にセットされているメモリセルに、読み出し電圧Vreadを印加した時のセル電流をリニアスケールで表している。図14では、フォーミングにより抵抗変化層中にフィラメントパスが形成され、高抵抗状態と低抵抗状態に遷移が可能となっているが、低抵抗状態のセル電流分布の下限が、規格値ILlimを割り込み、動作ウィンドウが狭くなり、その結果、読み出し速度や信頼性が低下してしまうという新たな課題が判明した。
図16は、本発明の第1の実施の形態に係る、1T1R型メモリセルアレイの低抵抗状態セル電流を増加することが可能な、新たなフォーミングフロー図である。図16に示す第1フォーミング工程は、図5に示すフォーミングフローと同一のため、ここでは説明を省略する。
次に、本発明の第2の実施の形態として、図16のフォーミングフローを実現する不揮発性記憶装置の一例について説明する。
図19は、本発明の第2の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発性記憶装置200(以下では短く、不揮発性記憶装置200と言う)の構成の一例を示すブロック図である。また、図20は、図19におけるA部の構成(4ビット分の構成)を示す斜視図である。
図21Aは、本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置が備えるメモリセルの構成の一例を示す断面図である。また、図21Bは図21Aの等価回路図である。なお、図21Aでは、図20のB部における構成が示されている。
次に、フォーミング処理が完了した後の通常動作として情報を書き込む場合の書き込みサイクルおよび情報を読み出す場合の読み出しサイクルにおける第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の動作例について、図24に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
次に、本発明の第3の実施形態として、第2の実施形態で説明した不揮発性記憶装置において自動フォーミング制御回路211及び自動フォーミング回路210を装置内に持たず、不揮発性記憶装置の外部から制御し、フォーミングを実施する場合について説明する。
図26は、本発明の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発性記憶装置400(以下では短く、不揮発性記憶装置400と言う)の構成の一例を示すブロック図である。
100a 下部電極
100b 抵抗変化層
100b−1 第1の抵抗変化層(第1のタンタル酸化物層)
100b−2 第2の抵抗変化層(第2のタンタル酸化物層)
100c 上部電極
101 下部端子
102 上部電極端子
103 ゲート端子
104 NMOSトランジスタ
105 下部電極端子
106 抵抗変化膜
110 固定抵抗
200 不揮発性記憶装置
201 メモリ本体部
202 メモリセルアレイ
203 行選択回路/ドライバ
204 列選択回路/ドライバ
205 書き込み回路
206 センスアンプ
207 データ入出力回路
208 アドレス入力回路
209 制御回路
210 自動フォーミング回路
211 自動フォーミング制御回路
212 メモリセル
213 上部配線
214 下部配線
215 下部電極
216 整流素子
216−1 整流層
217 内部電極
218 抵抗変化層
218−1 第1の抵抗変化層
218−2 第2の抵抗変化層
219 上部電極
220 抵抗変化素子
224 差動アンプ
300 PMOSトランジスタ
301 スイッチトランジスタ
302 スイッチ
303 差動アンプ
304 プリチャージトランジスタ
305 シフトレジスタ回路
306 AND回路
400 不揮発性記憶装置
401 メモリ本体部
402 メモリセルアレイ
403 列選択回路
404 センスアンプ
405 データ入出力回路
406 パルス幅可変書き込み回路
407 行ドライバ
408 行選択回路
409 アドレス入力回路
410 制御回路
411 書き込み用電源
412 低抵抗(LR)化用電源
413 高抵抗(HR)化用電源
418 カレントミラー回路
419、420 クランプトランジスタ
421 基準回路
422、423、427 選択トランジスタ
424 差動アンプ
425、426 トランジスタ
500 フォーミング用電源
702 通常動作用基準電流生成回路
703 フォーミング動作用基準電流生成回路
704 比較回路
7031 第1フォーミング動作用基準電流生成回路
7032 第2フォーミング動作用基準電流生成回路
Claims (19)
- 抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続されたメモリセルに対してフォーミング用の電圧パルスを印加することにより、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を、製造後に電圧が印加されていない初期状態から、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の抵抗値が前記初期状態よりも低い範囲にあり、かつ印加される通常動作用の電圧パルスの極性によって高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な動作可能状態に変化させるフォーミング方法であって、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記スイッチ素子と接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に挟まれた遷移金属酸化物層とを有し、
前記遷移金属酸化物層は、前記第1電極と接する酸素不足型の第1の遷移金属酸化物層と、前記第2電極と接し前記第1の遷移金属酸化物層よりも小さい酸素不足度をもつ第2の遷移金属酸化物層とで構成され、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、通常動作時において、
前記第2電極を基準として前記第1電極に対して、第1の閾値電圧以上の正の第1書き込み電圧パルスが印加されると前記低抵抗状態に遷移し、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して第2の閾値電圧以上の正の第2書き込み電圧パルスが印加されると高抵抗状態に遷移する特性と、
前記初期状態において、前記第1電極と前記第2電極との間に第1の絶対値以上の振幅を有する第1フォーミング用電圧が印加され、当該第1フォーミング用電圧が印加される累積時間が第1の所定時間を超えたときに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が、前記初期状態から、通常動作用電圧が印加されるに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な第1動作可能状態に変化する第1フォーミングが起こり、かつ、前記第1フォーミング用電圧を印加したときに前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に流れる電流が大きいほど当該第1の所定時間が減少する特性と、
前記第1フォーミング後の前記第1動作可能状態において、さらに、前記第1電極と前記第2電極との間に第2フォーミング用電圧が印加され、当該第2フォーミング用電圧が印加される累積時間が第2の所定時間を超えたときに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が、前記第1動作可能状態から、前記第1動作可能状態で遷移可能な低抵抗状態における抵抗値よりもさらに抵抗値が低い低抵抗状態に遷移可能な第2動作可能状態に変化する第2フォーミングが起こる特性と、を有し、
前記フォーミング方法は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記初期状態にあるときに、前記第1フォーミングが起こるまで、前記第1電極と前記第2電極との間に前記第1フォーミング用電圧を印加する第1フォーミングステップと、
前記第1フォーミング後の前記第1動作可能状態において、前記第2フォーミングが起こるまで、前記第1電極と前記第2電極との間に前記第2フォーミング用電圧を印加する第2フォーミングステップと、
を含む抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1フォーミングステップは、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記初期状態から前記第1動作可能状態に変化させるために、前記第1電極と前記第2電極との間に、前記第1の絶対値以上の振幅を有し、かつ、第1のパルス幅を有する第1電圧パルスを、前記第1フォーミング用電圧として印加する第1電圧印加ステップと、
前記第1電圧印加ステップにおける前記第1電圧の印加によって前記第1フォーミングが完了したか否かを判断する第1判断ステップと、を含み、
前記第1電圧印加ステップは、前記第1判断ステップで前記第1フォーミングが完了していないと判断された場合に再度実行され、
後続の前記第1電圧印加ステップでは、前記第1電極と前記第2電極間に、前記第1の絶対値以上の振幅を有し、かつ、直前の前記第1電圧印加ステップで印加した第1電圧パルスのパルス幅よりも長いパルス幅を有する新たな第1電圧パルスを印加し、
前記第2フォーミングステップは、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記第1フォーミング後の前記第1動作可能状態から前記第2動作可能状態に変化させるために、前記第1電極と前記第2電極との間に第2電圧パルスを、前記第2フォーミング用電圧として印加する第2電圧印加ステップと、
前記第2電圧印加ステップにおける前記第2電圧パルスの印加によって前記第2フォーミングが完了したか否かを判断する第2判断ステップと、を含み、
前記第2電圧印加ステップは、前記第2判断ステップで前記第2フォーミングが完了していないと判断された場合に再度実行される
請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記1判断ステップでは、前記第2電極を基準として前記第1電極に対して第1の閾値電圧以上の正の第3書き込み電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加した後、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記初期抵抗状態よりも抵抗値が低い抵抗状態にあるか否かを判断することによって、前記第1フォーミングが完了したか否かを判断する
請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第2判断ステップでは、前記第2電極を基準として前記第1電極に対して第1の閾値電圧以上の正の第4書き込み電圧パルスを前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加した後、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第2動作可能状態でのみ遷移可能な低抵抗状態にあるか否かを判断することによって、前記第2フォーミングが完了したか否かを判断する
請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1判断ステップと前記第1電圧印加ステップとは、前記第1判断ステップで前記第1フォーミングが完了したと判断されるまで、繰り返される
請求項2又は請求項3に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第2判断ステップと前記第2電圧印加ステップとは、前記第2判断ステップで前記第2フォーミングが完了したと判断されるまで、繰り返される
請求項2又は請求項4に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第3書き込み電圧パルスまたは前記第4書き込み電圧パルスのパルス幅は、前記前記第1書き込み電圧パルスのパルス幅と同一である
請求項4に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1電極と前記第2電極とは異なる材料で構成され、
前記第2電極は、イリジウムIr、又は、IrとPtの合金で構成される
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 前記第1の遷移金属酸化物層は、TaOxで表される組成を有する層であり、
前記第2の遷移金属酸化物層は、TaOy(ただし、x<y)で表される組成を有する層である
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法。 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続されたメモリセルを用いた抵抗変化型不揮発性記憶装置であって、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記スイッチ素子と接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に挟まれた遷移金属酸化物層とを有し、
前記遷移金属酸化物層は、前記第1電極と接する酸素不足型の第1の遷移金属酸化物層と、前記第2電極と接し、前記第1の遷移金属酸化物層よりも小さい酸素不足度をもつ第2の酸素不足型の遷移金属酸化物層とで構成され、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、
前記第2電極を基準として前記第1電極に対して第1の閾値電圧以上の正の第1書き込み電圧パルスが印加されると低抵抗状態に遷移し、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して第2の閾値電圧以上の正の第2書き込み電圧パルスが印加されると高抵抗状態に遷移する特性と、
前記初期状態において、前記第1電極と前記第2電極との間に第1の絶対値以上の振幅を有する第1フォーミング用電圧が印加され、当該第1フォーミング用電圧が印加される累積時間が第1の所定時間を超えたときに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が、前記初期状態から、通常動作用電圧が印加されるに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な第1動作可能状態に変化する第1フォーミングが起こり、かつ、前記第1フォーミング用電圧を印加したときに前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に流れる電流が大きいほど当該第1の所定時間が減少する特性と、
前記第1フォーミング完了後の前記第1動作可能状態において、さらに、前記第1電極と前記第2電極との間に第2フォーミング用電圧が印加され、当該第2フォーミング用電圧が印加される累積時間が第2の所定時間を超えたときに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が、前記第1動作可能状態から、前記第1動作可能状態で遷移可能な低抵抗状態における抵抗値よりもさらに抵抗値が低い低抵抗状態に遷移可能な第2動作可能状態に変化する第2フォーミングが起こる特性と、を有し、
前記抵抗変化型不揮発性記憶装置は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続された複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの中から、少なくとも1つメモリセルを選択する選択部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子が高抵抗状態か低抵抗状態かを判定するセンスアンプと、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加するための前記第1の絶対値以上の振幅を有するフォーミング用電圧パルスを発生するフォーミング用電圧パルス発生部と、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記初期状態よりも抵抗値が低い前記第1フォーミング完了後の抵抗状態にあるかどうかを判定するフォーミング完了検知部と、前記フォーミング完了検知部が、前記第1フォーミング完了を検知してから所定時間後に最終的にフォーミング完了信号を生成するフォーミング完了信号生成部と、から構成される自動フォーミング部と、
アドレス信号を順次自動生成し、そのアドレス信号に応じて前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子に前記第1フォーミング及び前記第2フォーミングを発生させるために、前記自動フォーミング部を制御する自動フォーミング制御部と、を備え、
前記自動フォーミング部は、前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子に、1回のパルス印加で前記第1フォーミングと前記第2フォーミングとを起こすために、前記第1電極と前記第2電極との間に前記所定電圧よりも大きい振幅を有する前記フォーミング用電圧パルスを前記第1フォーミングパルスとして印加しながら、前記フォーミング完了検知部が、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第1フォーミング完了後の抵抗状態に遷移したと判定すると、前記フォーミング用電圧パルスを前記第2フォーミングパルスとして印加し続けながら、当該遷移したと判定してから前記所定時間後にフォーミング完了信号を生成すると共に、前記フォーミング用電圧パルスの印加を停止し、前記選択されたメモリセルのフォーミングを終了する
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記フォーミング用電圧パルスの印加では、印加可能な電流量が、所定電流以下に制限されていることを特徴とする
請求項10に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記フォーミング完了信号生成部は、n(2以上の整数)段のシフトレジスタ回路と、各段の前記シフトレジスタ回路の出力が全て入力されたAND回路とから構成される
請求項10又は請求項11に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続されたメモリセルを用いた抵抗変化型不揮発性記憶装置であって、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記スイッチ素子と接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極に挟まれた遷移金属酸化物層とを有し、
前記遷移金属酸化物層は、前記第1電極と接する酸素不足型の第1の遷移金属酸化物層と、前記第2電極と接し、前記第1の遷移金属酸化物層よりも小さい酸素不足度をもつ第2の酸素不足型の遷移金属酸化物層とで構成され、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、
前記第2電極を基準として前記第1電極に対して第1の閾値電圧以上の正の第1書き込み電圧パルスが印加されると低抵抗状態に遷移し、前記第1電極を基準として前記第2電極に対して第2の閾値電圧以上の正の第2書き込み電圧パルスが印加されると高抵抗状態に遷移する特性と、
前記初期状態において、前記第1電極と前記第2電極との間に第1の絶対値以上の振幅を有する第1フォーミング用電圧が印加され、当該第1フォーミング用電圧が印加される累積時間が第1の所定時間を超えたときに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が、前記初期状態から、通常動作用電圧が印加されるに応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移可能な第1動作可能状態に変化する第1フォーミングが起こり、かつ、前記第1フォーミング用電圧を印加したときに前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に流れる電流が大きいほど当該第1の所定時間が減少する特性と、
前記第1フォーミング完了後の前記第1動作可能状態において、さらに、前記第1電極と前記第2電極との間に第2フォーミング用電圧が印加され、当該第2フォーミング用電圧が印加される累積時間が第2の所定時間を超えたときに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が、前記第1動作可能状態から、前記第1動作可能状態で遷移可能な低抵抗状態における抵抗値よりもさらに抵抗値が低い低抵抗状態に遷移可能な第2動作可能状態に変化する第2フォーミングが起こる特性と、を有し、
前記抵抗変化型不揮発性記憶装置は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続された複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの中から、少なくとも1つメモリセルを選択する選択部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子にフォーミングを発生させるためのフォーミング用電圧を発生するフォーミング用電源部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子に印加する前記第1書き込み電圧及び前記第2書き込み用電圧を発生する書き込み用電源部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子をフォーミングする場合、又は、書き込む場合に、当該抵抗変化型不揮発性記憶素子の抵抗状態を所望の状態に遷移させるためのパルス幅可変の書き込み用電圧パルスを発生するパルス幅可変書き込み用電圧パルス発生部と、
前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記初期状態よりも抵抗値が低い前記第1フォーミング完了後の抵抗状態にあるか否かを判定する第1フォーミング判定部、前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第2の低抵抗状態にあるか否かを判定する第2フォーミング判定部、及び、前記選択部で選択されたメモリセルに含まれる抵抗変化型不揮発性記憶素子が高抵抗状態か低抵抗状態かを判定するセンスアンプと、を備え、
前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に前記第1フォーミングを起こすために、前記第1電極と前記第2電極との間に前記第1の絶対値以上の振幅を有し、かつ、第1のパルス幅を有する第1電圧パルスを印加するとともに、前記第1フォーミング判定部が、前記第1電圧パルスの印加後における前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第1フォーミング完了後の抵抗状態にないと判断した場合に、前記第1電極と前記第2電極との間に前記第1の絶対値以上の振幅を有し、かつ、前記第1のパルス幅よりも長いパルス幅を有する第2電圧パルスを印加し、
さらに、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に、前記第1フォーミング完了後の抵抗状態において遷移可能な前記第1の低抵抗状態から、より抵抗値が低い前記第2の低抵抗状態に遷移可能となる第2フォーミングを起こすために、前記第1電極と前記第2電極との間に第3のパルス幅を有する追加電圧パルスを印加するとともに、前記第2フォーミング判定部が、前記追加電圧パルスの印加後における前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第2の低抵抗状態にないと判断した場合に、前記第1電極と前記第2電極との間に前記第3のパルス幅を有する追加電圧パルスをさらに印加する
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第2フォーミング判定部は、前記第2電極を基準として前記第1電極に対して第1の閾値電圧以上の正の第3書き込み電圧パルスを前記メモリセルに印加した後、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第2の低抵抗状態にあるか否かを判断する
請求項13に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1フォーミング判定部による判断と前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部による前記第2電圧パルスの印加とは、前記第1フォーミング判定部で前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記初期抵抗状態よりも低い抵抗状態にあると判断されるまで、繰り返され、
前記パルス幅可変書き込み用電圧パルス発生部は、前記第2電圧パルスを印加する際に、短いパルス幅から段階的にパルス幅が長くなるような第1フォーミング用電圧パルスを発生する
請求項13に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第2フォーミング判定部による判断と前記パルス幅可変書込み用電圧パルス発生部による前記追加電圧パルスの印加とは、前記第2フォーミング判定部で前記抵抗変化型不揮発性記憶素子が前記第2の低抵抗状態にあると判断されるまで、繰り返され、
前記パルス幅可変書き込み用電圧パルス発生部は、前記追加電圧パルスを印加する際に、所定のパルス幅に固定された第2フォーミング用電圧パルスを発生する
請求項13に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記負電圧パルスのパルス幅は、前記書き込み時に用いられる書き込み用電圧パルスのパルス幅と同一である
請求項14に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1電極と前記第2電極とは異なる材料で構成され、
前記第2電極は、イリジウムIr、又は、IrとPtの合金で構成される
請求項10から請求項17のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第1の遷移金属酸化物層は、TaOxで表される組成を有する層であり、
前記第2の遷移金属酸化物層は、TaOy(ただし、x<y)で表される組成を有する層である
請求項10から請求項18のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。
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