JP5250726B1 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本願発明者らは、上記開示内容を踏まえ、抵抗変化型不揮発性記憶装置の1つとして、遷移金属の一つであるタンタル(Ta)を用い、その酸素不足型の酸化物(酸化タンタル)の抵抗変化層とスイッチ素子とでメモリセルを構成した抵抗変化型不揮発性記憶装置を検討している。
次に、本発明に係る抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
次に、リテンション特性の弱HR化電圧VHwへの依存性を図6に示す。
次に、図16に示すメモリセルのパルスVR特性(パルス電圧の印加による抵抗値の変化を示す電圧・抵抗特性)を図7に例示する。図7は、横軸に上部電極端子102と下部端子101間に印加されるパルス(パルス幅50ns、ゲート端子103にゲート電圧VG=2.4Vを印加)の電圧VPを示し、縦軸にパルスを印加した後の上部電極端子102と下部端子101間のメモリセルの抵抗値(測定電圧は0.4V、ゲート端子103にゲート電圧VG=1.8Vを印加)を示している。図中のスタートの位置(HR状態)から、負電圧方向に電圧レベルを徐々に低下させて行くと、印加パルス電圧VPが−1.6Vの時に、HR状態からLR状態(10kΩ程度)に遷移し、さらに印加パルス電圧VPを低下させて行くと、−1.8Vで飽和(8kΩ程度)傾向となる。これは、NMOSトランジスタ104がソースフォロワで動作するため、ゲート電圧VG(2.4V)からNMOSトランジスタ104のしきい値電圧(約0.6V)分低下した電圧(1.8V)しか下部電極端子105に供給できなくなり、抵抗変化素子100に印加される端子間電圧の絶対値が1.8Vで飽和するためである。引き続き、印加パルス電圧VPを増加させて行くと、1.2Vを超えたときから徐々にメモリセルの抵抗値が上昇し、高抵抗化し始め、VPが1.4Vから1.6V程度では、弱い(低い)HR状態(破線丸E:約28kΩ〜約51kΩ)に遷移し、さらに印加パルス電圧VPを2.4Vまで増加させると、約670kΩに達する。その後、引き続き、印加パルス電圧VPを低下させて行くと、ほぼ測定開始時のHR状態に復帰する。
本願発明者らは、上述した基礎データから得られた知見に基づき、動作ウィンドウの拡大とリテンション特性の向上の両立を可能とする書き込み(つまり、弱HR化経由LR化書き込み)を実施する不揮発性記憶装置を考案した。以下、本発明の実施の形態として、図16に示された抵抗変化素子を用いた1T1R型の不揮発性記憶装置について説明する。
以上のように構成された抵抗変化型不揮発性記憶装置200について、まず、主要な回路ブロックの動作を説明し、その後、抵抗変化型不揮発性記憶装置200の読み出し動作および書き込み動作を説明する。
3 導体膜
4 絶縁体膜
5 可変抵抗素子
13 高抵抗(HR)化電圧パルスセット
14 低抵抗(LR)化電圧パルスセット
15 負電圧のプレ電圧パルス
16 高抵抗(HR)化電圧パルス
17 正電圧のプレ電圧パルス
18 低抵抗(LR)化電圧パルス
19 弱高抵抗(HR)化電圧パルスセット
20 弱HR化用LR化電圧パルス
21 弱HR化電圧パルス
100 抵抗変化素子
100a 下部電極
100b 抵抗変化層
100b−1 第1の抵抗変化層
100b−2 第2の抵抗変化層
100c 上部電極
101 下部端子
102 上部電極端子
103 ゲート端子
104 NMOSトランジスタ
105 下部電極端子
200 抵抗変化型不揮発性記憶装置
201 メモリ本体部
202 メモリセルアレイ
203 列選択回路
204 センスアンプ
205 データ入出力回路
206 書き込み回路
207 行ドライバ
208 行選択回路
209 アドレス入力回路
210 制御回路
211 書き込み用電源
218 カレントミラー回路
219、220 クランプトランジスタ
221 基準回路
222、223、227 選択トランジスタ
224 差動アンプ
225、226 トランジスタ
702 読み出し用基準電流生成回路
703 LR化用基準電流生成回路
705 HR化用基準電流生成回路
Claims (10)
- 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法であって、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、第1電圧のパルスが印加されると、第1情報の記憶に用いられる第1抵抗状態から第2情報の記憶に用いられる第2抵抗状態へと変化し、前記第1電圧とは極性が異なる第2電圧のパルスが印加されると、前記第2抵抗状態から前記第1抵抗状態へと変化する特性を有し、
前記書き込み方法は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記第1抵抗状態から前記第2抵抗状態に変化せしめるためのステップとして、弱書き込みステップと、前記弱書き込みステップに続く通常書き込みステップとを含み、
前記弱書き込みステップでは、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第1電圧と同極性で絶対値が異なる第3電圧のパルスを印加することによって前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記第2抵抗状態にした後に、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第2電圧と同極性で絶対値が小さい第4電圧のパルスを印加することによって前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を、前記第1抵抗状態における抵抗値と前記第2抵抗状態における抵抗値との間の抵抗値をもつ中間抵抗状態に遷移させ、
前記通常書き込みステップでは、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第1電圧のパルスを少なくとも1回印加することによって前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記中間抵抗状態から前記第2抵抗状態に遷移させ、
前記第4電圧の絶対値は、前記第3電圧の絶対値よりも小さい
抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法。 - 前記第3電圧の絶対値は、前記第1電圧の絶対値より小さい
請求項1記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法。 - 前記通常書き込みステップでは、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して、前記第2電圧と極性が同じで、かつ、前記第4電圧よりも絶対値が小さい第5電圧のパルスを印加した後に、前記第1電圧のパルスを印加する
請求項1または2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法。 - さらに、前記通常書き込みステップの後に、前記第2抵抗状態への書き込みが完了したか否かを判定する判定ステップを含み、
前記通常書き込みステップと前記判定ステップとは、前記判定ステップで前記第2抵抗状態への書き込みが完了したと判定されるまで、繰り返される
請求項1〜3のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法。 - 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配設された抵抗変化層とを有する抵抗変化型不揮発性記憶素子と、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に情報を書き込む書き込み回路と、を備え、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、第1電圧のパルスが印加されると、第1情報の記憶に用いられる第1抵抗状態から第2情報の記憶に用いられる第2抵抗状態へと変化し、前記第1電圧とは極性が異なる第2電圧のパルスが印加されると、前記第2抵抗状態から前記第1抵抗状態へと変化する特性を有し、
前記書き込み回路は、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記第1抵抗状態から前記第2抵抗状態に変化せしめるために、弱書き込みステップと、前記弱書き込みステップに続く通常書き込みステップとを実行し、
前記弱書き込みステップでは、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第1電圧と同極性で絶対値が異なる第3電圧のパルスを印加することによって前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記第2抵抗状態にした後に、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第2電圧と同極性で絶対値が小さい第4電圧のパルスを印加することによって前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を、前記第1抵抗状態における抵抗値と前記第2抵抗状態における抵抗値との間の抵抗値をもつ中間抵抗状態に遷移させ、
前記通常書き込みステップでは、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して前記第1電圧のパルスを少なくとも1回印加することによって前記抵抗変化型不揮発性記憶素子を前記中間抵抗状態から前記第2抵抗状態に遷移させ、
前記第4電圧の絶対値は、前記第3電圧の絶対値よりも小さい
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記第3電圧の絶対値は、前記第1電圧の絶対値より小さい
請求項5記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記書き込み回路は、前記通常書き込みステップでは、前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して、前記第2電圧と極性が同じで、かつ、前記第4電圧よりも絶対値が小さい第5電圧のパルスを印加した後に、前記第1電圧のパルスを印加する
請求項5または6に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - さらに、
前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の情報を読み出す読み出し回路と、
前記書き込み回路と前記読み出し回路とを制御するとともに、前記読み出し回路によって読み出された情報を参照することで、前記書き込み回路による前記通常書き込みステップの後に前記第2抵抗状態への書き込みが完了したか否かを判定する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記第2抵抗状態への書き込みが完了したと判定できるまで、前記書き込み回路による前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の前記第1抵抗状態から前記第2抵抗状態への書き込みと、前記判定とを繰り返すように、前記書き込み回路と前記読み出し回路とを制御する
請求項5〜7のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、当該抵抗変化型不揮発性記憶素子と直列接続され、導通状態または非導通状態になる選択素子とともにメモリセルを構成し、
前記書き込み回路は、前記メモリセルに含まれる前記抵抗変化型不揮発性記憶素子に対して、前記弱書き込みステップおよび前記通常書き込みステップを実行する
請求項5〜8のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 前記抵抗変化型不揮発性記憶素子は、前記第1抵抗状態では、前記第2抵抗状態よりも高い抵抗値をもつ
請求項5〜9のいずれか1項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置。
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