JP4838399B2 - 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置への書き込み方法 - Google Patents
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Description
[装置構成]
図1(a)及び(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る2種類の不揮発性記憶装置100a及び100bの基本構成の一例を示すブロック図である。本図を用いて、まず、メモリセルへの従来の書き込み、及び読み出しを行なった場合について説明する。なお、本明細書において、メモリセルへの書き込み・読み出しとは、より厳密には、そのメモリセルを構成する抵抗変化型素子への書き込み・読み出しを意味する。また、メモリセルの抵抗状態とは、より厳密には、そのメモリセルを構成する抵抗変化型素子の抵抗状態を意味する。
では次に、従来方式によって情報を書き込む場合の書き込みサイクルと、書き込まれた情報を読み出す場合の読み出しサイクルにおける不揮発性記憶装置300の動作例について、図7に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
本発明者らは電極界面付近に発生する酸化還元反応による抵抗変化現象は電極と抵抗変化層との境界面の近傍全てで均一に起こっているのではなく、酸化還元反応の程度が局所的な偏りをおこしている場合があると仮定した。この仮定に基づくと、抵抗変化素子の抵抗値が変動する場合、例えばHR化(酸化)しているときは電極と抵抗変化層との境界面の近傍に不十分な酸化エリアができており、LR化(還元)しているときは不十分な還元エリアができていて、ストレスに極めて弱いエリアができていることになる。このことは、その局所エリアの活性化エネルギーが低いことにもつながる。このために、書き込み時よりも低い電圧である読み出し電圧でも抵抗値が劣化したり、あるいは短時間の放置で抵抗値が変化したりするといった現象が発生すると思われる。
まず、図11(a)及び(b)を用いて本発明の第1の実施の形態における書き込みの手法の一例について説明する。既に図7で例示したときと同様に図6のメモリセルアレイのM211のメモリセルへの書き込みを例にとり説明する。そして、図11(a)はメモリセルを高抵抗状態(HR化)にする書き込み手法を示し、図11(b)では低抵抗状態(LR化)にする書き込み手法を示した。これらの図から明らかなように、1回の書き込みサイクルは3つのステップで実行されていることがわかる。また、図11(a)及び(b)で「M211両端電位差」を示したが、この波形はメモリセルに対して図1の矢印108に電流が流れる印加方向を正極性印加として書きあらわすために、プレート線の電位を0Vとしたときの波形が示されている。図11(a)から分かるように、HR化の書き込み手法では、「第1ステップ」で通常の電圧振幅がVhのHRパルスが印加され、「第2ステップ」で通常のLRパルス(振幅がVl)より振幅の小さい高抵抗化時の逆極性パルス電圧(VlLow)を印加し、さらに「第3ステップ」で再度、電圧振幅VhのHRパルスを印加している。そして、図11(b)に示されるように、LR化の書き込み手法では、「第1のステップ」で通常の電圧振幅がVlのLRパルスが印加され、「第2ステップ」で通常のHRパルス(振幅がVh)より振幅の小さい低抵抗化時の逆極性パルス電圧(VhLow)を印加し、さらに「第3ステップ」で再度、電圧振幅VlのLRパルスを印加している。このように図11(a)及び(b)の書き込み手法に従えば、前述したような一旦書き込みを実行したときに発生した不具合エリアを選択的にリセットし、再度書き直しする行為が実行できる。
次に本発明の書き込み方式の変形例について説明する。最も基本となる書き込みの基本パターンは図11(a)及び(b)に示した3ステップで行なうものであるが、パルス幅や第2ステップで行う逆方向印加の電圧振幅値などの組み合わせによりパターンは多数の種類が考えられる。つまり、図11(a)及び(b)の第1ステップのパルス振幅とパルス幅に対して、第2ステップのパルス幅が「広い、狭い、同じ」の3条件があり、第3ステップのパルス振幅が「大きい、小さい、同じ」、及びパルス幅が「広い、狭い、同じ」の6条件があるため、これらの組合せは、高抵抗化書き込み及び低抵抗化書き込みのそれぞれについて1×3×6の18通りある。
引き続き、本発明の第2の実施の形態について説明する。
不具合現象が収束する時間(500μs)÷1セルあたりの書き込み時間(500ns)=バッファ容量(1000ビット)
という関係にあり、1000ビット以上の単位で、書き込み・ベリファイ・追加書き込みを実施すれば、全てのメモリセルで最初のベリファイ処理が実行されるまでの時間が必ず500μs以降になり、前述ようなの書き込み不具合を見逃すことがなくなり、不具合ビットを確実に解消することができ、抵抗変化型の不揮発性メモリの高速性と高信頼性の実力を十分に活かした信頼性の極めて高い不揮発性記憶装置300aを提供できる。
101 書き込み回路
102 センスアンプ
103 コントローラ
104 スイッチ回路
105a、105b メモリセル
106 抵抗変化型素子
107 3端子型選択素子
109 ゲート電圧ドライバ
110 2端子型選択素子
122 (半導体)基板
124 下部電極
126 抵抗変化層
128 上部電極
130 レファレンス電圧発生回路
131 ドライバ
132 レベル比較器
133 Refカウンタ値保持回路
134 カウンタ
135 比較器
136 スイッチ回路
137 コンデンサ
301 メモリ本体部
302 メモリセルアレイ
303 行選択回路・ドライバ
304 列選択回路
307 データ入出力回路
308 電源制御回路
309 アドレス入力回路
310 制御回路
500 ライトデータバッファ
501 リードデータバッファ
502 マスク回路
503 データ比較回路
BL ビット線
PL プレート線
M メモリセル
Vh 高抵抗化電圧
Vl 低抵抗化電圧
VhLow 低抵抗化時の逆極性パルス電圧
VlLow 高抵抗化時の逆極性パルス電圧
WL ワード線
LR 低抵抗状態
HR 高抵抗状態
Claims (11)
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配設された抵抗変化層とを有する抵抗変化型素子と、
前記抵抗変化型素子に情報を書き込む書き込み回路とを備え、
前記抵抗変化型素子は、第1電圧のパルスが印加されると、第1情報の記憶に用いられる第1抵抗状態から、第2情報の記憶に用いられる第2抵抗状態へと変化し、前記第1電圧とは極性が異なる第2電圧のパルスが印加されると、前記第2抵抗状態から前記第1抵抗状態へと変化する特性を有し、
前記書き込み回路は、前記抵抗変化型素子を前記第1抵抗状態から前記第2抵抗状態に変化せしめるときに、前記抵抗変化型素子に対して、少なくとも、前記第1電圧のパルスと、前記第2電圧よりも電圧の絶対値が小さく、かつ、前記第2電圧と極性が等しい第3電圧のパルスと、前記第1電圧のパルスとを、この順で印加する
不揮発性記憶装置。 - 前記第3電圧のパルスの幅は、前記第1電圧のパルスの幅よりも広い
請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記第1電圧のパルスの幅は、前記第3電圧のパルスの幅よりも広い
請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記書き込み回路は、前記抵抗変化型素子に対して、前記第1電圧のパルスを印加した後に前記第3電圧のパルスを印加することをN(2以上の整数)回繰り返した後に、少なくとも1回、前記第1電圧のパルスを印加する
請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記書き込み回路は、前記N回の繰り返しにおいて、繰り返し回数の増加にともなって前記第3電圧の絶対値が小さくなっていくように、前記第3電圧のパルスをN回印加する
請求項4に記載の不揮発性記憶装置。 - さらに、前記抵抗変化型素子の情報を読み出す読み出し回路と、
前記書き込み回路と前記読み出し回路とを制御する制御回路とを備え、
前記読み出し回路は、前記書き込み回路が、前記抵抗変化型素子を前記第1抵抗状態から前記第2抵抗状態に変化せしめるときに、前記抵抗変化型素子に対して、少なくとも、(1)前記第1電圧のパルスを印加する第1の書き込み処理と、(2)前記第3電圧のパルスと前記第1電圧のパルスとをこの順で印加する第2の書き込み処理と、を実行した後に、読み出し処理を実行し、
前記制御回路は、前記抵抗変化型素子が所定の抵抗値になるまで前記第2の書き込み処理と、前記読み出し処理とを繰り返すように前記書き込み回路と前記読み出し回路とを制御する
請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記制御回路は、前記書き込み回路が前記第2の書き込み処理を実行した後、所定の時間経過後に前記読み出し回路が前記読み出し処理を実行し、かつ、前記抵抗変化型素子が所定の抵抗値になるまで前記第2の書き込み処理と、前記読み出し処理とを繰り返すように前記書き込み回路と前記読み出し回路とを制御する
請求項6に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記抵抗変化型素子は、当該抵抗変化型素子と直列接続され、当該抵抗変化型素子を導通状態にするか非導通状態にするかを切り替える選択素子とともにメモリセルを構成し、
前記不揮発性記憶装置はさらに、
前記メモリセルの集まりであるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイから少なくとも一つのメモリセルを選択する選択回路と、
前記選択回路で選択されたメモリセルから情報を読み出す読み出し回路と、
前記メモリセルアレイのうちのM(2以上の整数)個のメモリセルに書き込むべきデータを蓄えるライトデータバッファと、
前記メモリセルアレイのうちのM個のメモリセルから読み出されたデータを蓄えるリードデータバッファと、
前記ライトデータバッファとリードデータバッファとに蓄えられたM個のメモリセル分のデータが一致しているかどうかを比較する比較回路と、
前記ライトデータバッファに蓄えられたデータを前記メモリセルアレイのうちの対応するM個のメモリセルに対して書き込むように前記選択回路及び前記書き込み回路を制御すること、前記メモリセルアレイのうちのM個のメモリセルからデータを読み出して前記リードデータバッファに蓄えるように前記選択回路及び前記読み出し回路を制御すること、及び、前記比較回路の比較結果に基づき、前記ライトデータバッファに蓄えられたデータを対応するメモリセルに再度書き直すか否かを制御することを行う制御回路とを備える
請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記ライトデータバッファと前記リードデータバッファは、それぞれ、対応する複数のデータバッファ領域を有し、
前記制御回路は、前記ライトデータバッファに蓄えられたデータを前記メモリセルアレイのうちの対応する前記M個のメモリセルに対して書き込むように前記選択回路及び前記書き込み回路を制御すること、前記メモリセルアレイのうちの前記M個のメモリセルからデータを読み出して前記リードデータバッファに蓄えるように前記選択回路及び前記読み出し回路を制御すること、及び、前記比較回路の比較結果に基づき、前記ライトデータバッファに蓄えられたデータを対応するメモリセルに再度書き直すか否かを制御することを前記ライトデータバッファが有する、それぞれ対応する複数の前記データバッファ領域と前記リードデータバッファが有する、それぞれ対応する複数の前記データバッファ領域とに対して順次実行する
請求項8に記載の不揮発性記憶装置。 - 抵抗変化型素子を備える不揮発性記憶装置における情報の書き込み方法であって、
前記抵抗変化型素子は、第1電圧のパルスが印加されると、第1情報の記憶に用いられる第1抵抗状態から、第2情報の記憶に用いられる第2抵抗状態へと変化し、前記第1電圧とは極性が異なる第2電圧のパルスが印加されると、前記第2抵抗状態から前記第1抵抗状態へと変化する特性を有し、
前記書き込み方法は、
前記抵抗変化型素子を前記第1抵抗状態から前記第2抵抗状態に変化せしめるときに、前記抵抗変化型素子に対して、少なくとも、前記第1電圧のパルスを印加する第1ステップと、その後に、前記第2電圧よりも電圧の絶対値が小さく、かつ、前記第2電圧と極性が等しい第3電圧のパルスを印加する第2ステップと、さらにその後に、前記第1電圧のパルスを印加する第3ステップとを含む
書き込み方法。 - さらに、前記第1ステップと、前記第2ステップと、前記第3ステップの後に、前記第1電圧または前記第2電圧のパルスより電圧振幅が小さく、その電圧パルスを印加しても前記抵抗変化型素子の抵抗状態が変化しない電圧パルスを用いて、前記抵抗変化型素子の抵抗状態を読み出す読み出しステップを含み、
前記抵抗変化型素子の抵抗状態が所定の抵抗状態に達するまで、第2ステップと、前記第3ステップと、前記読み出しステップとを繰り返す
請求項10に記載の書き込み方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013140768A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US9583188B2 (en) | 2014-11-19 | 2017-02-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory device including rewriting operation for improving the long-term reliability of the resistance variable element |
US9679647B2 (en) | 2015-06-10 | 2017-06-13 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory device including a resistance change element and a control circuit for changing resistance of the resistance change element |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8139409B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-03-20 | Unity Semiconductor Corporation | Access signal adjustment circuits and methods for memory cells in a cross-point array |
WO2010023762A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 株式会社 東芝 | 多値抵抗変化型メモリ |
US8593853B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
US8890567B1 (en) * | 2010-09-30 | 2014-11-18 | Altera Corporation | High speed testing of integrated circuits including resistive elements |
JP5626529B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2014-11-19 | ソニー株式会社 | 記憶装置およびその動作方法 |
CN103415889B (zh) | 2011-03-10 | 2017-02-15 | 国际商业机器公司 | 相变存储器中的单元状态确定 |
KR20130021198A (ko) * | 2011-08-22 | 2013-03-05 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 소자를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법 |
JP5642649B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2014-12-17 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体装置 |
JP5662304B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
WO2013076928A1 (ja) | 2011-11-22 | 2013-05-30 | パナソニック株式会社 | 不揮発性ラッチ回路、不揮発性フリップフロップ回路および不揮発性信号処理装置 |
WO2013080499A1 (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
US9378792B2 (en) | 2011-12-15 | 2016-06-28 | Everspin Technologies, Inc. | Method of writing to a spin torque magnetic random access memory |
CN103177761A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 北京大学 | 阻变存储设备及其操作方法 |
CN104040634A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-09-10 | 索尼公司 | 存储控制装置、存储装置、信息处理系统及其处理方法 |
US20140301132A1 (en) * | 2012-01-16 | 2014-10-09 | Sony Corporation | Storage control device, storage device, information processing system, and processing method thereof |
JP5400253B1 (ja) * | 2012-03-23 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP5602175B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 |
US9183925B2 (en) | 2012-04-09 | 2015-11-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory device and method of performing the forming operation |
WO2013157261A1 (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子の駆動方法および不揮発性記憶装置 |
JP5867264B2 (ja) * | 2012-04-24 | 2016-02-24 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、メモリシステム、情報処理システム、および、記憶制御方法 |
US9166598B1 (en) | 2012-05-08 | 2015-10-20 | Altera Corporation | Routing and programming for resistive switch arrays |
US8958235B2 (en) * | 2012-08-31 | 2015-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US9070441B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-06-30 | Sony Corporation | Non-volatile memory system with reset verification mechanism and method of operation thereof |
US9153317B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Non-volatile memory system with power reduction mechanism and method of operation thereof |
JP6021688B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2016-11-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその制御方法 |
JP5839201B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2016-01-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置および情報読出方法 |
JP2014211937A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP6251885B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-12-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびその書き込み方法 |
JP5830655B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2015-12-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性記憶素子の駆動方法 |
WO2015005920A1 (en) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage device write pulse control |
JP2015018591A (ja) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US9123414B2 (en) * | 2013-11-22 | 2015-09-01 | Micron Technology, Inc. | Memory systems and memory programming methods |
JP6107625B2 (ja) * | 2013-12-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよびその記憶制御方法 |
US9196320B2 (en) * | 2013-12-13 | 2015-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method, apparatus and device for data processing |
US9336875B2 (en) | 2013-12-16 | 2016-05-10 | Micron Technology, Inc. | Memory systems and memory programming methods |
CN104882161B (zh) * | 2014-02-28 | 2017-07-11 | 复旦大学 | 一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法 |
US9224433B1 (en) * | 2014-04-09 | 2015-12-29 | Altera Corporation | Method and apparatus for power supply aware memory access operations in an integrated circuit |
WO2015167551A1 (en) | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Regulating memristor switching pulses |
US9224951B1 (en) * | 2014-07-21 | 2015-12-29 | Intermolecular, Inc. | Current-limiting electrodes |
CN105304129B (zh) * | 2014-07-23 | 2019-07-12 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻可变型存储器及其写入方法 |
US10310742B2 (en) | 2014-09-16 | 2019-06-04 | Sony Corporation | Memory controller, storage apparatus, information processing system, and method for controlling nonvolatile memory |
US9552863B1 (en) * | 2014-10-01 | 2017-01-24 | Everspin Technologies, Inc. | Memory device with sampled resistance controlled write voltages |
KR20160044847A (ko) * | 2014-10-16 | 2016-04-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저항변화 메모리 장치, 이를 위한 읽기쓰기 회로부 및 동작 방법 |
US9502106B2 (en) * | 2014-12-10 | 2016-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device |
US10043564B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-08-07 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device |
US9484094B2 (en) * | 2015-01-21 | 2016-11-01 | Ememory Technology Inc. | Control method of resistive random-access memory |
US9633710B2 (en) * | 2015-01-23 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for operating semiconductor device |
KR102292217B1 (ko) * | 2015-02-06 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 내부적으로 데이터 읽기 검증을 수행할 수 있는 메모리 장치, 이의 작동 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US9478308B1 (en) * | 2015-05-26 | 2016-10-25 | Intel IP Corporation | Programmable memory device sense amplifier |
JP6587188B2 (ja) | 2015-06-18 | 2019-10-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 乱数処理装置、集積回路カード、および乱数処理方法 |
JP6139623B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
CN105702289B (zh) * | 2016-02-16 | 2019-11-05 | 江苏时代全芯存储科技有限公司 | 一种相变存储器的写入电路和写入方法 |
US20170263299A1 (en) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US10152276B2 (en) * | 2016-07-18 | 2018-12-11 | Winbond Electronics Corporation | Memory device including data processor and program method of same |
JP6829831B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2021-02-17 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 抵抗変化型メモリ |
JP2018147966A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気メモリおよび磁気メモリアレイ |
JP2018147532A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶装置及び情報処理装置 |
JP2018163718A (ja) | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置及びその制御方法 |
JP2018163706A (ja) | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置及びその制御方法 |
US10510423B2 (en) * | 2017-08-04 | 2019-12-17 | Micron Technology, Inc. | Mitigating disturbances of memory cells |
US10818358B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-10-27 | Toshiba Memory Corporation | Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell |
JP6951191B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2021-10-20 | フクダ電子株式会社 | 電圧供給回路および超音波診断装置 |
CN108053852B (zh) * | 2017-11-03 | 2020-05-19 | 华中科技大学 | 一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法 |
US10354729B1 (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-16 | Micron Technology, Inc. | Polarity-conditioned memory cell write operations |
KR102520035B1 (ko) | 2018-06-29 | 2023-04-12 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 프로그램 방법 |
TWI684862B (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 多重狀態憶體元件及其記憶狀態值的調整方法 |
US10903272B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-01-26 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Memory device and a method for forming the memory device |
US10665313B1 (en) * | 2019-05-02 | 2020-05-26 | Sandisk Technologies Llc | Detecting short circuit between word line and source line in memory device and recovery method |
US10726897B1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-07-28 | International Business Machines Corporation | Trimming MRAM sense amp with offset cancellation |
JP2021039815A (ja) | 2019-09-05 | 2021-03-11 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2021048184A (ja) | 2019-09-17 | 2021-03-25 | キオクシア株式会社 | 記憶装置 |
WO2021171454A1 (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | Tdk株式会社 | 演算回路、及びニューロモーフィックデバイス |
US11139034B1 (en) * | 2020-07-15 | 2021-10-05 | Micron Technology, Inc. | Data-based polarity write operations |
CN112071347B (zh) * | 2020-09-08 | 2024-01-16 | 清华大学 | 阻变存储器的操作方法、存储装置的控制方法和存储装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515026A (ja) * | 2003-12-18 | 2007-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗変化材料の初期化方法、抵抗変化材料を用いた記憶素子、可変抵抗体を用いた不揮発性メモリ回路を初期化する方法 |
WO2008153124A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Nec Corporation | 半導体装置及びその駆動方法 |
JP2009099199A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2009145308A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、素子再生回路および素子再生方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2519585B2 (ja) | 1990-07-03 | 1996-07-31 | 三菱電機株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3113520B2 (ja) | 1994-10-26 | 2000-12-04 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6317375B1 (en) | 2000-08-31 | 2001-11-13 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for reading memory cells of a resistive cross point array |
JP4249992B2 (ja) | 2002-12-04 | 2009-04-08 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法 |
JP4205938B2 (ja) | 2002-12-05 | 2009-01-07 | シャープ株式会社 | 不揮発性メモリ装置 |
JP4129170B2 (ja) | 2002-12-05 | 2008-08-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 |
JP4535439B2 (ja) | 2005-02-10 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
TWI431761B (zh) | 2005-02-10 | 2014-03-21 | Renesas Electronics Corp | 半導體積體電路裝置 |
US8531863B2 (en) | 2005-05-20 | 2013-09-10 | Adesto Technologies Corporation | Method for operating an integrated circuit having a resistivity changing memory cell |
JP4742696B2 (ja) | 2005-06-27 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 記憶装置 |
WO2007145295A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Panasonic Corporation | 不揮発性メモリ装置 |
EP2077580B1 (en) | 2006-11-17 | 2011-11-30 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element, nonvolatile memory device, nonvolatile semiconductor device, and method for manufacturing nonvolatile memory element |
JP4695059B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2011-06-08 | 株式会社小糸製作所 | 車両用照明灯具 |
JP4252624B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2009-04-08 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型記憶装置 |
JP4344011B2 (ja) | 2007-08-01 | 2009-10-14 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
US8102696B2 (en) * | 2007-09-10 | 2012-01-24 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device and method of writing data to nonvolatile memory device |
CN101627438B (zh) * | 2007-10-29 | 2013-10-09 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质 |
US8094485B2 (en) * | 2008-05-22 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device with oxygen-deficient oxide layer and asymmetric substrate bias effect |
CN101933096A (zh) * | 2008-10-21 | 2010-12-29 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储装置及向其存储单元的写入方法 |
US8406035B2 (en) * | 2009-05-14 | 2013-03-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device and method of writing data to nonvolatile memory device |
US8625328B2 (en) * | 2009-10-15 | 2014-01-07 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device |
US8593853B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
-
2011
- 2011-03-28 US US13/322,603 patent/US8593853B2/en active Active
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2013
- 2013-10-23 US US14/060,707 patent/US8787071B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515026A (ja) * | 2003-12-18 | 2007-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗変化材料の初期化方法、抵抗変化材料を用いた記憶素子、可変抵抗体を用いた不揮発性メモリ回路を初期化する方法 |
WO2008153124A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Nec Corporation | 半導体装置及びその駆動方法 |
JP2009099199A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2009145308A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、素子再生回路および素子再生方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013140768A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US9583188B2 (en) | 2014-11-19 | 2017-02-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory device including rewriting operation for improving the long-term reliability of the resistance variable element |
US9679647B2 (en) | 2015-06-10 | 2017-06-13 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory device including a resistance change element and a control circuit for changing resistance of the resistance change element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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