JP5788274B2 - 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 - Google Patents
抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5788274B2 JP5788274B2 JP2011200500A JP2011200500A JP5788274B2 JP 5788274 B2 JP5788274 B2 JP 5788274B2 JP 2011200500 A JP2011200500 A JP 2011200500A JP 2011200500 A JP2011200500 A JP 2011200500A JP 5788274 B2 JP5788274 B2 JP 5788274B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- variable resistance
- nonvolatile memory
- lower electrode
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 227
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 150
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 112
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 90
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 61
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 263
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 description 74
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/50—Resistive cell structure aspects
- G11C2213/51—Structure including a barrier layer preventing or limiting migration, diffusion of ions or charges or formation of electrolytes near an electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明の第1の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発記憶装置の構成について、添付図面を参照して説明する。図5は、本発明の第1の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発記憶装置の主要部の構成を示す断面図である。抵抗変化型不揮発記憶装置90は、基板70aと、第1キャップ絶縁膜61と、第1配線3と、第2層間絶縁膜52と、第2キャップ絶縁膜62と、抵抗変化型素子1と、第3層間絶縁膜53と、第3キャップ絶縁膜63と、第2配線6と、第4層間絶縁膜54とを具備している。
まず、低抵抗化(Forming)を行うため、上部電極11に正の電圧を印加し、抵抗変化層12を低抵抗化する。なお、低抵抗化(Forming)は、上部電極11の代わりに下部電極13に正の電圧を印加しても良い。次に、低抵抗状態から高抵抗状態へのスイッチングのときには、上部電極11に正の電圧を印加する。この場合、低抵抗化(Forming)の場合よりも電流が流れるように、負荷抵抗の抵抗を下げておくことが好ましい。一方、高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチングのときには、上部電極11に正の電圧を印加する。この場合、上部電極11には高抵抗状態へのスイッチングの場合よりも高い電圧を印加する。また、低抵抗化(Forming)の場合と同様に抵抗変化素子1に負荷抵抗をつけておき、低抵抗化後に電流が流れすぎないようにしておくのが好ましい。なお、高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチングのときにも、上部電極11の代わりに下部電極13に正の電圧を印加しても良い。
本発明の第2の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発記憶装置の構成について、添付図面を参照して説明する。第2の実施の形態は、第1の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発記憶装置90を1T1R(1トランジスタ1抵抗)型の抵抗変化型メモリ(ReRAM)に適用し、ロジックLSI(large−scale integration)91と混載した半導体装置に関する。以下、詳細に説明する。
加えて、本実施の形態に係る抵抗変化型不揮発記憶装置は1回のPR工程の追加でロジックLSIに混載可能であり、製造コストの大幅な削減が可能となる。更に、ロジックLSIのデバイスパラメータを変えることなく抵抗変化型不揮発記憶装置を混載することができる。
本発明の第3の実施の形態に係る抵抗変化型不揮発記憶装置の構成について、添付図面を参照して説明する。第3の実施の形態では、抵抗変化素子1aの下部電極13aがホール9の底部だけでなく、底部から側壁の途中まで形成されている点で、第1の実施の形態と異なる。以下詳細に説明する。
次に、図17Aに示すように、表面に第2キャップ絶縁膜62、第3層間絶縁膜53及び第3キャップ絶縁膜63を形成する。第2キャップ絶縁膜62及び第3キャップ絶縁膜63としては、ここではシリコン窒化膜(SiNx)を用いる。第3層間絶縁膜53としては、ここではシリコン酸化膜(SiO2)を用いる。それぞれ、プラズマCVD法を用いて堆積する。
また、選択CVD成長を行わず、通常の成膜方法を用いることができる。それにより、製造コストを削減することができる。また、本実施の形態も、第2の実施の形態のような半導体装置へ適用が可能である。
2、2a 制御トランジスタ
3、3a 第1配線
4、4a コンタクト
5a ビア
6、6a 第2配線
8 共通線
9 ホール
11、11a 上部電極
11p 上部電極1
12、12a 抵抗変化層
13、13a 下部電極
13p 下部電極13の一部分
18 埋め込み層(金属)
21、21a ドレイン
22、22a ゲート
23、23a ゲート絶縁膜
24、24a ソース
25、25a サイドウォール
31、31a 第1メタル配線
32、32a バリアメタル層
34a ビア
35a バリアメタル層
37、37a 第2メタル配線
38、38a バリアメタル層
51 第1層間絶縁膜
52 第2層間絶縁膜
53 第3層間絶縁膜
54 第4層間絶縁膜
61 第1キャップ絶縁膜
62 第2キャップ絶縁膜
63 第3キャップ絶縁膜
70、70a 基板
71 素子分離層
90、90a 抵抗変化型不揮発記憶装置(抵抗変化型メモリ)
91 ロジックLSI
100 抵抗変化素子
101 抵抗変化素子
102 制御トランジスタ
103 第1配線
104 コンタクト
105 第1ビア
106 ビット線(又は第2配線)
108 共通線
111 上部電極
112 抵抗変化層
113 下部電極
114 電流パス
115 電流パス
116 電流パス
117 側部
121 ドレイン
122 ワード線(又はゲート)
123 ゲート絶縁膜
124 ソース
125 サイドウォール
131 銅(Cu)
132 バリアメタル
134 銅(Cu)
135 バリアメタル
151 第1層間絶縁膜
152 第2層間絶縁膜
153 第3層間絶縁膜
161 第1キャップ絶縁膜
162 第2キャップ絶縁膜
163 第3キャップ絶縁膜
170 半導体基板
171 素子分離領域
190 抵抗変化型メモリ
MC メモリセル
Claims (20)
- 第1配線と、
前記第1配線上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁膜上に形成された第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に形成された抵抗変化型素子と
を具備し、
前記層間絶縁層は、前記第1配線と前記第2配線とに挟まれるように形成され、前記第1配線の幅以下の幅を有するホールを備え、
前記抵抗変化型素子は、
前記第1配線と接して、前記ホールの底部に形成された下部電極と、
前記下部電極上に直接に接して形成された抵抗変化層と、
前記抵抗変化層上に形成された上部電極と
を備え、
前記下部電極、前記抵抗変化層及び前記上部電極は、前記ホールの内部に形成され、
前記抵抗変化層は、その全体が前記ホールの内部に位置し、
前記第1配線は銅を含み、前記下部電極はルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含み、
前記抵抗変化層は、
前記下部電極の上面に直接に接して形成される第1部分と、
前記ホールの側壁に接して形成される第2部分と
を含み、
前記上部電極は、前記上部電極の下面が前記抵抗変化層の前記第1部分の上面に接するように形成され、
前記抵抗変化層の前記第2部分の上端が、前記上部電極の下面よりも前記下部電極から離れて位置している
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記銅の配向性は(111)面であり、
前記下部電極はルテニウムを含み、
前記ルテニウムの配向性は(002)面である
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 第1配線と、
前記第1配線上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁膜上に形成された第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に形成された抵抗変化型素子と
を具備し、
前記層間絶縁層は、前記第1配線と前記第2配線とに挟まれるように形成され、前記第1配線の幅以下の幅を有するホールを備え、
前記抵抗変化型素子は、
前記第1配線と接して、前記ホールの底部に形成された下部電極と、
前記下部電極上に直接に接して形成された抵抗変化層と、
前記抵抗変化層上に形成された上部電極と
を備え、
前記下部電極、前記抵抗変化層及び前記上部電極は、前記ホールの内部に形成され、
前記抵抗変化層は、その全体が前記ホールの内部に位置し、
前記抵抗変化層は、
前記下部電極の上面に直接に接して形成される第1部分と、
前記ホールの側壁に接して形成される第2部分と
を含み、
前記上部電極は、前記上部電極の下面が前記抵抗変化層の前記第1部分の上面に接するように形成され、
前記抵抗変化層の前記第2部分の上端が、前記上部電極の下面よりも前記下部電極から離れて位置しており、
前記抵抗変化層の前記第2部分の上端及び前記上部電極の上端は、前記第2配線の底面と接する
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項3に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記第1配線は銅を含み、
前記下部電極はルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項4に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記銅の配向性は(111)面であり、
前記下部電極はルテニウムを含み、
前記ルテニウムの配向性は(002)面である
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項3に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記第1配線はアルミニウムを含み、
前記下部電極はタングステン、タンタル及びチタニウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項3に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記第1配線はシリコンを含み、
前記下部電極はタングステン、タンタル及びチタニウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記下部電極は、更に、前記底部から側壁の途中まで形成されている
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置において、
前記抵抗変化層は、前記下部電極とは異なる材料を用いた酸化物を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 複数の抵抗変化型不揮発性記憶装置と、
ただし前記複数の抵抗変化型不揮発性記憶装置は請求項1乃至7のいずれか一項に記載され、
前記複数の抵抗変化型不揮発性記憶装置を用いる論理回路と
を具備する
半導体装置。 - 第1配線上に形成された層間絶縁層中に、前記第1配線の幅以下の幅を有するホールを形成する工程と、
前記ホールの内部に抵抗変化型素子を形成する工程と、
前記抵抗変化型素子と接するように前記抵抗変化型素子上に第2配線を形成する工程と
を具備し、
前記抵抗変化型素子を形成する工程は、
前記第1配線と接して、前記ホールの底部に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に直接に接して抵抗変化層用の第1膜を形成する工程と、
前記第1膜上に上部電極用の第2膜を形成する工程と、
前記層間絶縁層上の前記第1膜及び前記第2膜を除去して前記ホールの内部に前記下部電極上に直接に接して形成された抵抗変化層と前記抵抗変化層上に形成された上部電極とを形成する工程と
を備え、
前記抵抗変化層は、その全体が前記ホールの内部に位置するように形成され、
前記第1配線は銅を含み、前記下部電極はルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含み、
前記抵抗変化層は、前記下部電極の上面に直接に接して形成される第1部分と、前記ホールの側壁に接して形成される第2部分とを含むように形成され、
前記上部電極は、前記上部電極の下面が前記抵抗変化層の前記第1部分の上面に接するように形成され、
前記抵抗変化層は、前記抵抗変化層の前記第2部分の上端が、前記上部電極の下面よりも前記下部電極から離れて位置するように形成される
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項11に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記銅の配向性は(111)面であり、
前記下部電極はルテニウムを含み、
前記ルテニウムの配向性は(002)面である
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 第1配線上に形成された層間絶縁層中に、前記第1配線の幅以下の幅を有するホールを形成する工程と、
前記ホールの内部に抵抗変化型素子を形成する工程と、
前記抵抗変化型素子と接するように前記抵抗変化型素子上に第2配線を形成する工程と
を具備し、
前記抵抗変化型素子を形成する工程は、
前記第1配線と接して、前記ホールの底部に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に直接に接して抵抗変化層用の第1膜を形成する工程と、
前記第1膜上に上部電極用の第2膜を形成する工程と、
前記層間絶縁層上の前記第1膜及び前記第2膜を除去して前記ホールの内部に前記下部電極上に直接に接して形成された抵抗変化層と前記抵抗変化層上に形成された上部電極とを形成する工程と
を備え、
前記抵抗変化層は、その全体が前記ホールの内部に位置するように形成され、
前記抵抗変化層は、前記下部電極の上面に直接に接して形成される第1部分と、前記ホールの側壁に接して形成される第2部分とを含むように形成され、
前記上部電極は、前記上部電極の下面が前記抵抗変化層の前記第1部分の上面に接するように形成され、
前記抵抗変化層は、前記抵抗変化層の前記第2部分の上端が、前記上部電極の下面よりも前記下部電極から離れて位置するように形成され、
前記抵抗変化層の前記第2部分の上端及び前記上部電極の上端は、前記第2配線の底面と接する
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項13に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記下部電極を形成する工程は、
前記ホールの内部において前記第1配線上に前記下部電極を選択成長させる工程を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項14に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記第1配線は銅を含み、
前記下部電極はルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項15に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記銅の配向性は(111)面であり、
前記下部電極はルテニウムを含み、
前記ルテニウムの配向性は(002)面である
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項14に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記第1配線はアルミニウムを含み、
前記下部電極はタングステン、タンタル及びチタニウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項14に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記第1配線はシリコンを含み、
前記下部電極はタングステン、タンタル及びチタニウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項13に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記下部電極を形成する工程は、
前記層間絶縁層の表面及び前記ホールの内部の表面を覆うように下部電極用の第3膜を形成する工程と、
前記ホールの底部及び側壁の途中まで前記第3膜を覆うように保護膜を形成する工程と、
前記第3膜のうち、前記保護膜で覆われた部分を除く部分を除去する工程と、
前記保護膜を除去する工程と
を備える
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。 - 請求項11乃至19のいずれか一項に記載の抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法において、
前記抵抗変化層は、前記下部電極とは異なる材料を用いた酸化物を含む
抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011200500A JP5788274B2 (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 |
US13/551,511 US9123889B2 (en) | 2011-09-14 | 2012-07-17 | Resistance change nonvolatile memory device, semiconductor device, and method of manufacturing resistance change nonvolatile memory device |
US14/830,660 US9373665B2 (en) | 2011-09-14 | 2015-08-19 | Resistance change nonvolatile memory device, semiconductor device, and method of manufacturing resistance change nonvolatile memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011200500A JP5788274B2 (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013062408A JP2013062408A (ja) | 2013-04-04 |
JP5788274B2 true JP5788274B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=47829733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011200500A Expired - Fee Related JP5788274B2 (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9123889B2 (ja) |
JP (1) | JP5788274B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5788274B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2015-09-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 |
US8629421B1 (en) * | 2012-10-15 | 2014-01-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells |
KR102027133B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-10-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9231206B2 (en) * | 2013-09-13 | 2016-01-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a ferroelectric memory cell |
US9087607B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-21 | International Business Machines Corporation | Implementing sense amplifier for sensing local write driver with bootstrap write assist for SRAM arrays |
JP6282505B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-02-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9577192B2 (en) * | 2014-05-21 | 2017-02-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Method for forming a metal cap in a semiconductor memory device |
US20160043140A1 (en) | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory device and method for manufacturing the same |
IL254225B2 (en) * | 2015-03-09 | 2024-03-01 | Versum Mat Us Llc | A process for depositing porous organosilicate glass layers for use as random access resistant memory |
US9985205B2 (en) | 2015-09-10 | 2018-05-29 | Toshiba Memory Corporation | Layered cross-point semiconductor memory device |
TWI599029B (zh) * | 2015-12-23 | 2017-09-11 | 華邦電子股份有限公司 | 記憶體裝置 |
CN105609633B (zh) * | 2016-02-06 | 2017-12-15 | 河南大学 | 锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法 |
TWI605622B (zh) | 2016-04-27 | 2017-11-11 | 國立中山大學 | 電阻式記憶體 |
US10163981B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal landing method for RRAM technology |
US9893278B1 (en) | 2016-08-08 | 2018-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Embedded memory device between noncontigous interconnect metal layers |
KR20180120019A (ko) * | 2017-04-26 | 2018-11-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
KR102434174B1 (ko) | 2017-11-22 | 2022-08-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 홀 내에 국한된 선택 소자 패턴를 갖는 반도체 메모리 장치 |
US10748966B2 (en) * | 2018-06-28 | 2020-08-18 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing cobalt capped copper lines and method of making the same |
US11411180B2 (en) * | 2020-04-28 | 2022-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Phase-change memory device and method |
CN117337050A (zh) * | 2022-06-20 | 2024-01-02 | 联华电子股份有限公司 | 电阻式随机存取存储器结构及其制作方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10214896A (ja) | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
US7623370B2 (en) * | 2002-04-04 | 2009-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change memory device |
US7767993B2 (en) * | 2002-04-04 | 2010-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change memory device |
US7476618B2 (en) | 2004-10-26 | 2009-01-13 | Asm Japan K.K. | Selective formation of metal layers in an integrated circuit |
JP4889227B2 (ja) | 2005-03-23 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および成膜方法 |
JP5137370B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、記憶装置を有する半導体装置、及び記憶装置の駆動方法 |
KR100883412B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2009-02-11 | 삼성전자주식회사 | 자기 정렬된 전극을 갖는 상전이 메모리소자의 제조방법,관련된 소자 및 전자시스템 |
JP5885285B2 (ja) | 2007-11-07 | 2016-03-15 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | 不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリ |
WO2009125777A1 (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-15 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子及びその製造方法 |
JP2009289822A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 抵抗変化メモリ |
JP5444637B2 (ja) | 2008-06-06 | 2014-03-19 | 富士通株式会社 | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
JP2010027753A (ja) | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
JP5343440B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2013-11-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 抵抗変化素子、抵抗変化素子の製造方法および半導体メモリ |
JP4751432B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2011-08-17 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US20100081274A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method for forming ruthenium metal cap layers |
JP2010225741A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4688979B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置 |
JP5468087B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置 |
JP2012084765A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Sony Corp | 不揮発性メモリ素子及びその製造方法 |
JP5788274B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2015-09-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 |
WO2013051267A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 |
US8957399B2 (en) * | 2011-10-24 | 2015-02-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device |
-
2011
- 2011-09-14 JP JP2011200500A patent/JP5788274B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-17 US US13/551,511 patent/US9123889B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-19 US US14/830,660 patent/US9373665B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130064001A1 (en) | 2013-03-14 |
US9123889B2 (en) | 2015-09-01 |
US20150357381A1 (en) | 2015-12-10 |
US9373665B2 (en) | 2016-06-21 |
JP2013062408A (ja) | 2013-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5788274B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 | |
US8173987B2 (en) | Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method | |
TWI540775B (zh) | 電阻變化型非揮發性記憶裝置、半導體裝置及電阻變化型非揮發性記憶裝置之動作方法 | |
TWI584507B (zh) | 三維可變電阻記憶裝置及其製造方法 | |
CN1819297B (zh) | 侧壁有源接脚存储器及其制造方法 | |
JP6180700B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP5016699B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP6230229B2 (ja) | 集積トランジスタセレクタを有する積層rram | |
US8934283B2 (en) | Semiconductor memory device, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor memory device | |
US8471235B2 (en) | Nonvolatile memory element having a resistance variable layer and manufacturing method thereof | |
JP5039857B2 (ja) | 記憶装置およびその製造方法 | |
US8916847B2 (en) | Variable resistance memory device and method for fabricating the same | |
TWI530953B (zh) | 三維記憶體及解碼技術 | |
US9425238B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
KR20210002327A (ko) | Rram을 위한 상부 전극 배리어층 | |
JP2008306011A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
KR102661235B1 (ko) | 데이터 스토리지 엘리먼트 및 그 제조 방법 | |
JP2010016075A (ja) | 記憶装置及び半導体装置 | |
JP2008288436A (ja) | 不揮発性記憶素子及びその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置及びその製造方法 | |
JP5603721B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2013038279A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI844998B (zh) | 記憶體裝置及其製造方法 | |
JP2006324425A (ja) | 記憶素子の製造方法 | |
CN113629098A (zh) | 电阻式存储器装置 | |
JP2011254024A (ja) | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5788274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |