CN1574363B - 包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管、和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。

Description

包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法
技术领域
本发明涉及一种非易失存储器，更具体地，涉及一种包括一个晶体管和一种电阻材料的非易失存储器，在电阻材料中写入了数据，以及涉及一种制造非易失存储器的方法。
背景技术
包括一个晶体管和一种电阻材料(下文中的1T-1R)的传统存储器的例子是参数随机存取存储器(parameter random access memory，PRAM)。
PRAM中所用的电阻材料是硫族化物材料(calcogenide material)。硫族化物材料可以是非结晶或结晶状态，这取决于制造温度。当硫族化物材料呈非结晶状态时它的阻值高，而当它呈结晶状态时阻值低。
PRAM是非易失存储器，通过改变硫族化物电阻材料的状态来读取和写入数据。
很难通过传统DRAM工艺对使用具有优良抗蚀性能的电阻材料的传统非易失存储器，例如PRAM进行蚀刻。即使可用DRAM工艺蚀刻非易失存储器，这需要相当大量的时间。于是，在包括1T-1R的传统非易失存储器的情况下，由于生产率低而增加制造成本，由此不能获得产品的竞争优势。
发明内容
本发明提供具有一个开关器件如晶体管(Tr)或二极管和一种电阻材料的非易失存储器，和涉及可以用较低制造成本批量加工非易失存储器的制造方法。电阻材料的存储性能不会直接影响存储装置的集成度。
按照本发明的一方面，提供一种非易失存储器，包括：
一衬底；
一形成于所述衬底上的晶体管；和
一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元，
其中所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
可以在数据存储材料层的上和下表面上分别形成一上部电极和一下部电极。
可以在下部电极和衬底之间形成一层间绝缘层，在层间绝缘层中形成露出漏极的接触孔，以及可以用导电塞填充所述接触孔。
所述数据存储材料层可以是其电阻值在预定电压范围内陡然增加的过渡金属氧化物层。
根据本发明的另一方面，提供一种非易失存储器，包括：
一衬底；
一形成于所述衬底上的具有开关功能的二极管；和
一连接至所述二极管的数据存储单元，
其中所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
根据本发明的又一方面，提供一种制造非易失存储器的方法，该非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元，所述方法包括：
顺序地形成一下部电极、一数据存储材料层、和一上部电极以形成所述数据存储单元，
其中所述数据存储材料层由在不同电压范围具有不同阻值特性的材料层形成，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
所述材料层可以由电阻值在所述电压范围内陡然增加的过渡金属氧化物层形成。
根据本发明的又一方面，提供一种制造非易失存储器的方法，所述方法包括：
在衬底上形成一二极管；和
形成连接至所述衬底上的所述二极管的数据存储单元，
其中通过顺序地形成一连接至所述二极管的下部电极、一数据存储材料层和一上部电极而形成所述数据存储单元，
其中所述数据存储材料层由在不同电压范围具有不同阻值特性的材料层形成，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，所述数据存储材料层具有第一电阻，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
所述数据存储材料层可以由在不同电压范围具有不同阻值特性的材料层形成。数据存储材料层与上文中描述的相同。
因此，按照本发明的特定实施例，因为用过渡金属氧化物层作为电阻材料，可以采用传统DRAM制造工艺。于是，提高了产量和降低了制造成本。而且，电阻材料的存储性能不会改变，即使其尺寸因更高集成密度而减小时也是如此，这是因为利用了电阻材料的阻值变化来读取和写入数据。此外，由于写入到电阻材料层的数据可被非破坏性地读取，因此电阻材料维持读取数据前的相同状态，且降低了工作电压。于是，在读取数据后，不需要恢复处理。
附图说明
通过参考附图对本发明示例性实施例的详细阐述，本发明的上述和其它特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明一实施例的非易失存储器的剖面图；
图2是图1的非易失存储器的电路图；
图3是根据本发明在图1中示出的非易失存储器的变化例的剖面图；
图4是示出当图1的非易失存储器中的数据存储材料层是NiO层时电压-电流特性的示意图；
图5是示出当图1的非易失存储器中的数据存储材料层是TiO2层时电压-电流特性的示意图；
图6是示出当数据存储材料是NiO层时，加在图1的非易失存储器上的电压脉冲的示意图；
图7是示出当数据存储材料是TiO2层时，加在图1的非易失存储器上的电压脉冲的示意图；
图8是示出用二极管替换图2电路中的晶体管的情况的示意图；以及
图9是示出根据所执行的加工顺序制造图1的非易失存储器的方法的方块图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地阐述本发明，在附图中示出了其示例性实施例。但是，本发明可以实施为多种形式，且不应当理解为被这里公开的实施例所限制；而是提供这些实施例来使得本发明的公开更充分和完整，并将本发明的概念传达给本领域内的技术人员。在附图中，为了清晰起见放大了元件的形状。为便于理解，全文附图中采用相同的参考数字表示相同的元件。
图1是根据本发明一实施例的非易失存储器的剖面图。
参考图1，具有一个晶体管和一种电阻材料的非易失存储器包括一衬底40、形成于衬底40上的晶体管、以及与晶体管的一部分连接的数据存储单元S。晶体管被形成在衬底40的上表面上，包括掺有导电杂质的源极42和漏极44以及位于在源极42和漏极44之间的沟道46上的栅极叠层材料48和50。栅极叠层材料48和50包括栅极绝缘层48和栅极电极50。数据存储单元S形成于漏极44上。数据存储单元S包括直接接触漏极44的下部电极52、堆叠在下部电极52上的数据存储材料层54、以及堆叠在数据存储材料层54上的上部电极56。数据存储材料层54是可变电阻材料层，其中阻值根据电压或电流脉冲的大小和方向而变化。可用作数据存储材料层54的可变电阻材料层优选的是过渡金属氧化物层，例如NiO、V2O5、ZnO、Nb2O5、TiO2、WO3、CoO层等。
过渡金属氧化物层具有值得注意的特性。即，如果在过渡金属氧化物层上施加特定电压或电流值且由此使得过渡金属氧化物层具有特定值，则过渡金属氧化物层维持特定值直到加上新的特定值。下文中将详细阐述过渡金属氧化物层的这种性质。
覆盖晶体管并围绕数据存储单元S的层间绝缘层60被形成在衬底40上。去除形成于上部电极56上的层间绝缘层60部分以暴露上部电极56的上表面。堆叠在层间绝缘层60上的板电极58被连接至上部电极56的暴露表面的前面。板电极58和上部电极56可以用相同的材料形成。
电流放大器61被连接至漏极44并且检测和放大漏极电流Id。
图2是图1的非易失存储器的电路图。在图2中，Tr表示晶体管，且Rv表示对应于数据存储材料层54的可变电阻材料。
图3是根据本发明在图1中示出的非易失存储器的变化例的剖面图。
参考图3，覆盖源极42、栅极叠层材料48和50、以及漏极44的第一层间绝缘层62被形成在衬底40上且具有平坦的上表面。在第一层间绝缘层62中形成接触孔h1。漏极44经由接触孔h1而露出。用导电塞64填充接触孔h1。在第一层间绝缘层62上形成覆盖导电塞64的数据存储单元S。在第一层间绝缘层62上形成覆盖数据存储单元S的第二层间绝缘层66，在第二层间绝缘层66中形成通孔h2以便露出数据存储单元S的上部电极56。在此处露出数据存储单元S的上部电极56。在第二层间绝缘层66上形成填充通孔h2的板电极58。
而数据存储单元S的元件可以不是叠置型。
例如，数据存储单元S的下部电极52可以具有圆筒形，且可以在下部电极52的表面上形成数据存储材料层54。或者下部电极52可以呈柱形，且可以在下部电极52的上表面上形成数据存储材料层54。
接下来，将参考图4和5阐述非易失存储器的数据存储单元S的性能。
图4是示出当数据存储材料层54是NiO层时数据存储单元S的电流-电压特性曲线图，和图5是示出当数据存储材料层54是TiO2层时数据存储单元S的电流-电压特性曲线图。
参考图4和5，水平轴表示加在数据存储单元S上的电压，垂直轴表示在源极42和漏极44间流动的漏极电流Id。
第一曲线G1示出数据存储单元S的阻值即数据存储材料层54的阻值减小时的情况，而第二曲线G2示出数据存储材料层54的阻值增加时的情况。
参考第一曲线G1，漏极电流Id随着加在数据存储材料层54上的电压成比例地变化。但是，当加在数据存储材料层54上的电压达到第一电压V1(V1＞0)时，数据存储材料层54的阻值突然增加，且数据存储材料层54的漏极电流Id陡然降低。数据存储材料层54维持这种状态直至被加上第二电压V2(V2＞V1)。即，当在ΔV(V1～V2)范围内的电压加到数据存储材料层54时，数据存储材料层54的阻值显著增加。然后，当加到数据存储材料层54的电压增加超过第二电压V2时，数据存储材料层54的阻值显著降低。在这种情况下，漏极电流Id的变化情况与当第一电压V1加到数据存储材料层54时发生的变化情况相同。数据存储材料层54的漏极电流Id的变化与所加电压成比例，并且与当低于第一电压V1的电压被施加时的情况是相同的。
数据存储材料层54的电流根据加在其上的电压而变化，即加在其上的电压是否大于第一电压V1还是小于第一电压V1。
尤其是，当第三电压V3(V3＞V2)被加在数据存储材料层54上使得数据存储材料层54具有第一阻值时，以及当小于第一电压V1的电压加到数据存储材料层54时，数据存储材料层54具有如第一曲线G1所示的电流(电阻)值(下文中，称为第一情况)。
另一方面，当被加上预定电压V3(V1≤V≤V2)使得数据存储材料层54具有大于第一阻值的第二阻值时，如图4所示，和小于第一电压V1的电压被加在数据存储材料层54上，则数据存储材料层54具有如第二曲线G2所示的电流值(下文中，称为第二情况)。
第二情况中在预定电压下测得的电流大大小于在第一情况中测到的电流。第二情况中阻值大得多。这就是说在小于第一电压V1的预定电压处可以从数据存储材料层54测得这两种不同的电流。这两个电流值分别对应于数据存储材料层54中写入的数据“0”和“1”。
第一情况对应于在数据存储材料层54中存储的数据“1”，第二情况对应于在数据存储材料层54中存储的数据“0”。
用于第一和第二情况的数据“0”和“1”是可选择地设计的。即，第一情况可对应于在数据存储材料层54中存储的数据“0”，第二情况可以对应于在数据存储材料层54中存储的数据“1”。
当数据存储材料层54是TiO2层时，数据存储材料层54的电压-电流特性不同于图4中示出的电压-电流特性。
参考图5，第三和第五曲线G3和G5示出当负电压即小于第五电压V5(|V|≥|V5|＞0)的电压加到数据存储单元S时的电压-电流特性，且数据存储材料层54的阻值显著降低。第四和第六曲线G4和G6示出当正电压即大于第四电压V4(V≥V4＞0)的电压加到数据存储单元S时的电压-电流特性，且数据存储材料层54的阻值显著增加。
参考图5，当大于第四电压V4的电压被加到数据存储单元S后，数据存储材料层54的电压-电流特性在电压为正时成为第四曲线G4所示的情形，而在电压为负时成为第六曲线G6所示的情形。因此，当大于第四电压V4的电压加到数据存储单元S后，数据存储材料层54维持高阻值直到第五电压V5加到数据存储单元S(下文中，称为第三情况)。
而且，参考第三和第五曲线G3和G5，当小于第五电压V5的电压加到数据存储单元S后，数据存储材料层54的电压-电流特性在电压为负时成为第五曲线G5示出的情形，而在电压为正时成为第三曲线G3所示的情形。因此，当小于第五电压V5的电压加到数据存储单元S后，数据存储材料层54维持低阻值直至第四电压V4加到数据存储单元S(下文中，称为第四情况)。
在第三和第四情况中，在为负的第五电压V5和为正的第四电压V4之间的范围内数据存储材料层54具有两种不同的电流(或电阻)。这就是说，数据存储材料层54在上述电压范围内具有两种不同的状态，两种不同状态中的一种可以对应于数据“1”，而另一种可以对应于在数据存储材料层54中存储的数据“0”。
数据存储材料层54的上述两种状态取决于加到数据存储单元S的电压是大于第四电压V4还是小于第五电压V5。然而，由于加到数据存储材料层54以检测这些状态的电压是小于第四电压V4或是大于第五电压V5，因此，即使在检测完状态之后，数据存储材料层54维持它最初的状态。即，甚至在读取相关数据之后存储在数据存储材料层54中的数据被保留。
图6和7示出加到数据存储单元S以将数据写入数据存储材料层54中以及读取或擦除在数据存储材料层54中所写入数据的电压脉冲的示例。
具体地，图6示出当数据存储材料层54是NiO层时加在其上的电压脉冲，而图7示出当数据存储材料层54是TiO2层时加在其上的电压脉冲。
参考图6，第二写入电压脉冲VW2被加到数据存储材料层54以便写入数据例如“1”到数据存储材料层54中。第二写入电压脉冲VW2具有对应于图4的第三电压V3的值。第三读取电压脉冲VR3被加到数据存储材料层54以便读取在数据存储材料层54中存储的数据“1”。第三读取电压脉冲VR3具有低于图4的第一电压V1的电压。
参考图4的第一曲线，当第三电压V3施加到数据存储材料层54时，数据存储材料层54的阻值处于低的状态。当小于第一电压V1的电压加到数据存储材料层54时维持这种低的状态。接着，当小于第一电压V1的第三读取电压脉冲VR3加到数据存储材料层54时，流过数据存储材料层54的电流比当第一电压V1和第二电压V2间的电压加到数据存储材料层54时的电流大得多。这种结果表明在数据存储材料层54中写入了数据“1”。
第三写入电压脉冲VE2被加到数据存储材料层54以便将数据例如“0”写入数据存储材料层54中。第三写入电压脉冲VE2具有在第一和第二电压V1和V2之间的电压。因此，当小于第二写入电压脉冲VW2的第三写入电压脉冲VE2被加到数据存储材料层54时，数据存储材料层54的阻值显著增加(见图4)。当加到数据存储材料层54的电压脉冲低于第一电压V1时，数据存储材料层54维持这种状态(见图4的第二曲线G2)。
当第四读取电压脉冲VR4被加到数据存储材料层54以便从数据存储材料层54读取数据“0”时，第四读取电压脉冲VR4具有低于图4的第一电压V1的电压。另外，由于当第四读取电压脉冲VR4加到数据存储材料层54时读取数据“0”，因此从数据存储材料层54测得的电流比当读取数据“1”时测得的电流小得多。
通过简单地施加电压脉冲，该电压脉冲具有与在数据存储单元S中写入数据时所施加的电压脉冲相反的极性，将存储在数据存储材料层54中的数据擦除。
参考图7，第一写入电压脉冲VW1被加到数据存储材料层54以便将预定数据例如“1”写入到数据存储材料层54中。在数据存储单元S上施加第一读取电压脉冲VR1，以便读取通过施加第一写入电压脉冲VW1而在数据存储材料层54中存储的数据“1”。低于第一写入电压脉冲VW1的第一读取电压脉冲VR1具有高于零和低于第四电压V4的电压。
如上所述，尽管第一读取电压脉冲VR1被加到数据存储材料层54，数据存储材料层54的阻值特性不会改变，因为第一读取电压脉冲VR1具有不仅低于第一写入电压脉冲VW1而且与第一写入电压脉冲VW1极性相同的电压。于是，尽管第一读取电压脉冲VR1被加到数据存储材料层54，写入到数据存储材料层54中的数据不会被破坏和毁坏。
如上所述，当数据存储材料层54是TiO2层时，数据存储材料层54在第五电压V5下的阻值显著降低。因此，可以采用第五电压V5来擦除通过施加第一写入电压脉冲VW1而写入到数据存储材料层54中的数据。
参考图7，VE1表示对应于第五电压V5的第一擦除电压脉冲。如果第一擦除电压脉冲VE1(|VE1|＞VR1)被加到数据存储材料层54，数据存储材料层54的阻值显著下降，且写入到数据存储材料层54中的数据被擦除。当数据存储材料层54的阻值低时，假定在数据存储材料层54中写入了数据“0”。在这种情况下，第一擦除电压脉冲VE1可以认为是施加用于将数据“0”写入到数据存储材料层54中的写入电压。
第二读取电压脉冲VR2被加到数据存储材料层54以便从数据存储材料层54中读取数据“0”。第二读取电压脉冲VR2低于第一擦除电压脉冲VE1的绝对值(VR2＜|VE1|)。在这种情况下，尽管在将第一擦除电压脉冲VE1加到数据存储材料层54后施加第二读取电压脉冲VR2，在施加第一擦除电压脉冲VE1之后数据存储材料层54维持该阻值。
如上所述，根据加在数据存储材料层54上用来写入数据的电压，其具有不同电流值。因此，可以精确地读取在数据存储材料层54中写入的数据。另外，由于施加用于从数据存储材料层54读取数据的电压低于用于写入数据而施加到其上的电压，即使在读取数据之后数据存储材料层54的数据状态能够保持不变。因此，在读取数据后不需要在传统存储装置中进行的刷新处理。
同时，图2中用作开关器件的晶体管Tr可以由其它开关器件，例如二极管来替代，如图8所示。图8是包括一个二极管D和一个可变电阻材料Rv即1D-1R的非易失存储器的电路图。
下面将参考图9阐述制造图1的非易失存储器的方法。
参考图1和9，在步骤S1中在衬底40上形成晶体管。在步骤S2中，通过在衬底40的漏极44上顺序地形成下部电极52、数据存储材料层54和上部电极56，在衬底40上形成与晶体管的漏极44连接的数据存储单元S。数据存储材料层54可以由具有根据所加电压变化的电阻的过渡金属氧化物层。例如，可以采用NiO、V2O5、ZnO、Nb2O5、TiO2、WO3或CoO层。在步骤S3中，在衬底40上形成覆盖晶体管和数据存储单元S的层间绝缘层60。在步骤S4中，暴露出数据存储单元S的上部电极，和在数据存储单元S的上部电极56的暴露部分和层间绝缘层60上形成板电极58。当数据存储材料层54由NiO层形成时，板电极58可以用板焊接垫替代，所述板焊接垫与所有存储元(未示出)中所有的包括在数据存储单元中的上部电极相接触。
参考图3，当在数据存储单元S和衬底40之间形成第一层间绝缘层62以及在第一层间绝缘层62中形成露出漏极44的接触孔h1后，可以用导电塞64填充接触孔h1。另外，可以在第一层间绝缘层62上形成与导电塞64接触的数据存储单元S。
而且，可以将下部电极52和数据存储材料层54形成为非叠置型而不是叠置型。
尽管在附图中没有示出，当在衬底40上形成二极管后，可以在衬底40上形成与二极管连接的数据存储单元S。可以按照与上述相同的方式形成数据存储单元S。
如上所述，按照本发明的示例性实施例，包括1T-1R或1D-1R的非易失存储器包括具有如图4所示的电压-电流特性且易于加工的过渡金属氧化物层作为存储数据的电阻材料。因此，可以利用传统DRAM制造工艺，且可以在降低制造成本时实现高的产量。而且，即使电阻材料的尺寸由于高集成密度而减小，电阻材料的存储性能不会改变。这是因为数据的写入或读取利用电阻材料的阻值变化来实现。而且，因为写入到电阻材料中的数据被非破坏性的读出，即使在读取数据和加上更低的工作电压后，电阻材料的状态保持不变。于是，不需要在读取数据后进行传统存储装置中的刷新处理。
尽管在这里充分地阐述了本发明，但是，本发明可以实施为许多不同的方式，且不应当被这里列举的实施例所限制；相反地，提供这些实施例是使得公开的内容充分和完整，并且将本发明的构思充分地传达给本领域内的普通技术人员。例如，作为将过渡金属氧化物层用作数据存储材料层54的替代方式，可以采用另一种材料层，其具有所述数据在读取数据之后不会被破坏或损坏的电压-电流特性。
尽管参照本发明的示例性实施例具体显示和阐述了本发明，本领域内的普通技术人员应当理解，可以在其中做出各种形式和细节上的变化，而不会脱离由后附的权利要求所限定的本发明的精神和保护范围。

Claims (12)

1.一种非易失存储器，包括：
一衬底；
一形成于所述衬底上的晶体管；和
一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元，
其中所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
2.如权利要求1所述的非易失存储器，其中所述数据存储单元包括一形成于所述数据存储材料层上的上部电极和一上面形成有所述数据存储材料层的下部电极。
3.如权利要求2所述的非易失存储器，其中在所述下部电极和所述衬底之间形成一层间绝缘层，在所述层间绝缘层中形成一露出所述漏极的接触孔，且用导电塞填充该接触孔。
4.如权利要求1所述的非易失存储器，其中所述数据存储材料层是在预定电压范围内电阻值陡然增加的过渡金属氧化物层。
5.一种非易失存储器，包括：
一衬底；
一形成于所述衬底上的具有开关功能的二极管；和
一连接至所述二极管的数据存储单元，
其中所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
6.如权利要求5所述的非易失存储器，其中所述数据存储单元包括一形成于所述数据存储材料层上的上部电极和一上面形成有数据存储材料层的下部电极。
7.如权利要求6所述的非易失存储器，其中在所述下部电极和所述衬底之间形成一层间绝缘层，在所述层间绝缘层中形成一露出所述漏极的接触孔，且用导电塞填充该接触孔。
8.如权利要求5所述的非易失存储器，其中所述数据存储材料层是在预定电压范围内其电阻值陡然增加的过渡金属氧化物层。
9.一种制造非易失存储器的方法，该非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元，所述方法包括：
顺序地形成一下部电极、一数据存储材料层、和一上部电极以形成所述数据存储单元，
其中所述数据存储材料层由在不同电压范围具有不同阻值特性的材料层形成，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述材料层由电阻值在预定电压范围内陡然增加的过渡金属氧化物层形成。
11.一种制造非易失存储器的方法，所述方法包括：
在衬底上形成一二极管；和
形成连接至所述衬底上的所述二极管的数据存储单元，
其中通过顺序地形成一连接至所述二极管的下部电极、一数据存储材料层和一上部电极而形成所述数据存储单元，
其中所述数据存储材料层由在不同电压范围具有不同阻值特性的材料层形成，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，
其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，
其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述材料层由电阻值当电压在预定电压范围内时陡然增加的过渡金属氧化物层形成。
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Families Citing this family (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2988331B1 (en) * 2000-08-14 2019-01-09 SanDisk Technologies LLC Semiconductor memory device
DE10255117A1 (de) * 2002-11-26 2004-06-17 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
KR100773537B1 (ko) 2003-06-03 2007-11-07 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101051704B1 (ko) * 2004-04-28 2011-07-25 삼성전자주식회사 저항 구배를 지닌 다층막을 이용한 메모리 소자
FR2887149B1 (fr) * 2005-06-17 2007-08-03 Galderma Sa Procede de solubilisation du metronidazole
KR100593448B1 (ko) * 2004-09-10 2006-06-28 삼성전자주식회사 전이금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는비휘발성 기억 셀들 및 그 제조방법들
US7405465B2 (en) 2004-09-29 2008-07-29 Sandisk 3D Llc Deposited semiconductor structure to minimize n-type dopant diffusion and method of making
KR100738070B1 (ko) * 2004-11-06 2007-07-12 삼성전자주식회사 한 개의 저항체와 한 개의 트랜지스터를 지닌 비휘발성메모리 소자
KR100657911B1 (ko) * 2004-11-10 2006-12-14 삼성전자주식회사 한 개의 저항체와 한 개의 다이오드를 지닌 비휘발성메모리 소자
KR100593750B1 (ko) * 2004-11-10 2006-06-28 삼성전자주식회사 이성분계 금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는교차점 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법
KR100576369B1 (ko) * 2004-11-23 2006-05-03 삼성전자주식회사 전이 금속 산화막을 데이타 저장 물질막으로 채택하는비휘발성 기억소자의 프로그램 방법
KR100682908B1 (ko) * 2004-12-21 2007-02-15 삼성전자주식회사 두개의 저항체를 지닌 비휘발성 메모리 소자
KR100693409B1 (ko) * 2005-01-14 2007-03-12 광주과학기술원 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법
KR100682926B1 (ko) 2005-01-31 2007-02-15 삼성전자주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
KR100657956B1 (ko) 2005-04-06 2006-12-14 삼성전자주식회사 다치 저항체 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법
US7812404B2 (en) * 2005-05-09 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
KR100695150B1 (ko) * 2005-05-12 2007-03-14 삼성전자주식회사 금속-절연체 변환 물질을 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5190182B2 (ja) * 2005-05-31 2013-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20060273298A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Matrix Semiconductor, Inc. Rewriteable memory cell comprising a transistor and resistance-switching material in series
JP4843259B2 (ja) * 2005-06-10 2011-12-21 シャープ株式会社 可変抵抗素子の製造方法
JP4783070B2 (ja) * 2005-06-24 2011-09-28 シャープ株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100723872B1 (ko) * 2005-06-30 2007-05-31 한국전자통신연구원 급격한 금속-절연체 전이를 이용한 메모리소자 및 그동작방법
KR100622268B1 (ko) * 2005-07-04 2006-09-11 한양대학교 산학협력단 ＲｅＲＡＭ 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
US7955515B2 (en) * 2005-07-11 2011-06-07 Sandisk 3D Llc Method of plasma etching transition metal oxides
JP3889023B2 (ja) * 2005-08-05 2007-03-07 シャープ株式会社 可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置
JP5019821B2 (ja) * 2005-08-12 2012-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101369864B1 (ko) * 2005-08-12 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제조방법
US7521705B2 (en) 2005-08-15 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Reproducible resistance variable insulating memory devices having a shaped bottom electrode
JP4854233B2 (ja) 2005-08-15 2012-01-18 独立行政法人産業技術総合研究所 スイッチング素子
KR101100427B1 (ko) * 2005-08-24 2011-12-30 삼성전자주식회사 이온 전도층을 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치와 그제조 및 동작 방법
US7601995B2 (en) * 2005-10-27 2009-10-13 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having resistive memory cells
US8222917B2 (en) * 2005-11-03 2012-07-17 Agate Logic, Inc. Impedance matching and trimming apparatuses and methods using programmable resistance devices
KR100668348B1 (ko) 2005-11-11 2007-01-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US7816659B2 (en) * 2005-11-23 2010-10-19 Sandisk 3D Llc Devices having reversible resistivity-switching metal oxide or nitride layer with added metal
US7834338B2 (en) * 2005-11-23 2010-11-16 Sandisk 3D Llc Memory cell comprising nickel-cobalt oxide switching element
JP4939324B2 (ja) * 2005-12-02 2012-05-23 シャープ株式会社 可変抵抗素子及びその製造方法
JP4017650B2 (ja) * 2005-12-02 2007-12-05 シャープ株式会社 可変抵抗素子及びその製造方法
JP4061328B2 (ja) * 2005-12-02 2008-03-19 シャープ株式会社 可変抵抗素子及びその製造方法
JP3989506B2 (ja) * 2005-12-27 2007-10-10 シャープ株式会社 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置
KR100684908B1 (ko) 2006-01-09 2007-02-22 삼성전자주식회사 다수 저항 상태를 갖는 저항 메모리 요소, 저항 메모리 셀및 그 동작 방법 그리고 상기 저항 메모리 요소를 적용한데이터 처리 시스템
US7714315B2 (en) 2006-02-07 2010-05-11 Qimonda North America Corp. Thermal isolation of phase change memory cells
KR100718155B1 (ko) * 2006-02-27 2007-05-14 삼성전자주식회사 두 개의 산화층을 이용한 비휘발성 메모리 소자
US7692178B2 (en) 2006-03-08 2010-04-06 Panasonic Corporation Nonvolatile memory element, nonvolatile memory apparatus, and method of manufacture thereof
KR101176543B1 (ko) * 2006-03-10 2012-08-28 삼성전자주식회사 저항성 메모리소자
US7875871B2 (en) 2006-03-31 2011-01-25 Sandisk 3D Llc Heterojunction device comprising a semiconductor and a resistivity-switching oxide or nitride
US7829875B2 (en) 2006-03-31 2010-11-09 Sandisk 3D Llc Nonvolatile rewritable memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
US7808810B2 (en) 2006-03-31 2010-10-05 Sandisk 3D Llc Multilevel nonvolatile memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
TWI462099B (zh) * 2006-03-31 2014-11-21 Sandisk 3D Llc 非揮發性記憶體單元、整體三維記憶體陣列及用於程式化所述記憶體陣列之方法
JP4699932B2 (ja) * 2006-04-13 2011-06-15 パナソニック株式会社 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法
JP4857014B2 (ja) * 2006-04-19 2012-01-18 パナソニック株式会社 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ
KR101213702B1 (ko) * 2006-04-21 2012-12-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법, 및 그 제조 방법
KR101239962B1 (ko) * 2006-05-04 2013-03-06 삼성전자주식회사 하부 전극 상에 형성된 버퍼층을 포함하는 가변 저항메모리 소자
KR101206034B1 (ko) * 2006-05-19 2012-11-28 삼성전자주식회사 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법
US20070267621A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Infineon Technologies Ag Resistive memory device
KR100818271B1 (ko) * 2006-06-27 2008-03-31 삼성전자주식회사 펄스전압을 인가하는 비휘발성 메모리 소자의 문턱 스위칭동작 방법
KR100738116B1 (ko) * 2006-07-06 2007-07-12 삼성전자주식회사 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
JP5263856B2 (ja) * 2006-07-26 2013-08-14 独立行政法人産業技術総合研究所 スイッチング素子及びその製造方法
WO2008023637A1 (fr) 2006-08-25 2008-02-28 Panasonic Corporation Élément de stockage, dispositif mémoire et circuit intégré à semi-conducteur
US8232175B2 (en) 2006-09-14 2012-07-31 Spansion Llc Damascene metal-insulator-metal (MIM) device with improved scaleability
JP4655019B2 (ja) * 2006-10-04 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 可変抵抗素子
CN101174672A (zh) 2006-10-04 2008-05-07 旺宏电子股份有限公司 存储单元及其制程
US7524722B2 (en) 2006-10-12 2009-04-28 Macronix International Co., Ltd. Resistance type memory device and fabricating method and operating method thereof
WO2008050716A1 (fr) 2006-10-24 2008-05-02 Panasonic Corporation Mémoire non volatile à semi-conducteurs et procédé de fabrication associé
JP5156023B2 (ja) * 2006-11-08 2013-03-06 シメトリックス・コーポレーション 相関電子メモリ
KR100816759B1 (ko) * 2006-11-09 2008-03-25 삼성전자주식회사 가변저항 스토리지를 갖는 비휘발성 기억 장치 및 동작방법
KR101206036B1 (ko) 2006-11-16 2012-11-28 삼성전자주식회사 전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법
CN101636840B (zh) 2006-11-17 2011-05-25 松下电器产业株式会社 非易失性存储元件、非易失性存储器件、非易失性半导体器件以及非易失性存储元件的制造方法
KR101048199B1 (ko) 2006-11-20 2011-07-08 파나소닉 주식회사 비휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
KR100846502B1 (ko) * 2006-11-21 2008-07-17 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법
KR100982424B1 (ko) * 2006-11-28 2010-09-15 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자의 제조 방법
JP4973666B2 (ja) 2006-11-30 2012-07-11 富士通株式会社 抵抗記憶素子及びその製造方法、並びに不揮発性半導体記憶装置
EP2099071B1 (en) 2006-12-19 2012-08-22 Fujitsu Limited Resistance change device and process for producing the same
WO2008075412A1 (ja) * 2006-12-19 2008-06-26 Fujitsu Limited 抵抗変化素子及びその製造方法
WO2008075414A1 (ja) * 2006-12-19 2008-06-26 Fujitsu Limited 抵抗変化素子の製造方法
US8018761B2 (en) 2006-12-28 2011-09-13 Panasonic Corporation Resistance variable element, resistance variable memory apparatus, and resistance variable apparatus
CN101501851B (zh) 2006-12-28 2010-11-17 松下电器产业株式会社 电阻变化型元件和电阻变化型存储装置
KR20080064353A (ko) * 2007-01-04 2008-07-09 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2008182154A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> メモリ装置
JP2008182156A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金属酸化物素子及びその製造方法
WO2008097742A1 (en) * 2007-02-05 2008-08-14 Interolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
US7704789B2 (en) 2007-02-05 2010-04-27 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
US7678607B2 (en) * 2007-02-05 2010-03-16 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
US7972897B2 (en) 2007-02-05 2011-07-05 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
WO2008107941A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-12 Fujitsu Limited 半導体装置及びその製造方法
US7629198B2 (en) 2007-03-05 2009-12-08 Intermolecular, Inc. Methods for forming nonvolatile memory elements with resistive-switching metal oxides
US8097878B2 (en) 2007-03-05 2012-01-17 Intermolecular, Inc. Nonvolatile memory elements with metal-deficient resistive-switching metal oxides
JP5345052B2 (ja) * 2007-03-23 2013-11-20 富士通株式会社 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置
JP4252110B2 (ja) 2007-03-29 2009-04-08 パナソニック株式会社 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子および不揮発性記憶素子アレイ
US7960224B2 (en) 2007-04-03 2011-06-14 Macronix International Co., Ltd. Operation method for multi-level switching of metal-oxide based RRAM
US7948789B2 (en) 2007-04-09 2011-05-24 Panasonic Corporation Resistance variable element, nonvolatile switching element, and resistance variable memory apparatus
WO2008132899A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Nec Corporation 抵抗変化素子及び該抵抗変化素子を含む半導体装置
JP5422552B2 (ja) 2007-05-09 2014-02-19 インターモレキュラー， インコーポレイテッド 抵抗性スイッチング不揮発性メモリ要素
JP4967176B2 (ja) * 2007-05-10 2012-07-04 シャープ株式会社 可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置
KR101350979B1 (ko) 2007-05-11 2014-01-14 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP4299882B2 (ja) 2007-05-18 2009-07-22 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置
US8173989B2 (en) * 2007-05-30 2012-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Resistive random access memory device and methods of manufacturing and operating the same
US8022502B2 (en) 2007-06-05 2011-09-20 Panasonic Corporation Nonvolatile memory element, manufacturing method thereof, and nonvolatile semiconductor apparatus using the nonvolatile memory element
US7824956B2 (en) 2007-06-29 2010-11-02 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US7902537B2 (en) 2007-06-29 2011-03-08 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US8233308B2 (en) 2007-06-29 2012-07-31 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
KR101494335B1 (ko) 2007-06-29 2015-02-23 쌘디스크 3디 엘엘씨 선택적으로 증착된 가역 저항-스위칭 소자를 사용하는 메모리 셀과 상기 메모리 셀을 형성하는 방법
US7846785B2 (en) 2007-06-29 2010-12-07 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
TWI402980B (zh) 2007-07-20 2013-07-21 Macronix Int Co Ltd 具有緩衝層之電阻式記憶結構
JP5501966B2 (ja) 2007-07-25 2014-05-28 インターモレキュラー， インコーポレイテッド 多状態の不揮発性メモリ素子
WO2009015298A2 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Intermolecular, Inc. Nonvolatile memory elements
JP5012312B2 (ja) * 2007-08-15 2012-08-29 ソニー株式会社 記憶装置の駆動方法
JP4545823B2 (ja) * 2007-10-15 2010-09-15 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置
US8253136B2 (en) 2007-10-30 2012-08-28 Panasonic Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8345462B2 (en) 2007-12-05 2013-01-01 Macronix International Co., Ltd. Resistive memory and method for manufacturing the same
JP2009141225A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Sharp Corp 可変抵抗素子、可変抵抗素子の製造方法、不揮発性半導体記憶装置
US7759201B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-20 Sandisk 3D Llc Method for fabricating pitch-doubling pillar structures
US7706169B2 (en) * 2007-12-27 2010-04-27 Sandisk 3D Llc Large capacity one-time programmable memory cell using metal oxides
US7764534B2 (en) * 2007-12-28 2010-07-27 Sandisk 3D Llc Two terminal nonvolatile memory using gate controlled diode elements
US8125818B2 (en) * 2008-02-25 2012-02-28 Panasonic Corporation Method of programming variable resistance element and variable resistance memory device using the same
JP4549401B2 (ja) * 2008-03-11 2010-09-22 富士通株式会社 抵抗記憶素子の製造方法
JP5488458B2 (ja) * 2008-04-07 2014-05-14 日本電気株式会社 抵抗変化素子及びその製造方法
US7981592B2 (en) * 2008-04-11 2011-07-19 Sandisk 3D Llc Double patterning method
US7786015B2 (en) * 2008-04-28 2010-08-31 Sandisk 3D Llc Method for fabricating self-aligned complementary pillar structures and wiring
JPWO2009142165A1 (ja) * 2008-05-20 2011-09-29 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7781269B2 (en) * 2008-06-30 2010-08-24 Sandisk 3D Llc Triangle two dimensional complementary patterning of pillars
US7732235B2 (en) 2008-06-30 2010-06-08 Sandisk 3D Llc Method for fabricating high density pillar structures by double patterning using positive photoresist
US7981742B2 (en) * 2008-07-02 2011-07-19 Macronic International Co., Ltd. Semiconductor device, data element thereof and method of fabricating the same
JP4469023B2 (ja) 2008-07-11 2010-05-26 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置
WO2010038442A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 パナソニック株式会社 抵抗変化素子の駆動方法、初期処理方法、及び不揮発性記憶装置
CN101878530B (zh) * 2008-10-01 2012-03-07 松下电器产业株式会社 非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置
US8076056B2 (en) * 2008-10-06 2011-12-13 Sandisk 3D Llc Method of making sub-resolution pillar structures using undercutting technique
KR20100041155A (ko) 2008-10-13 2010-04-22 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자
US8080443B2 (en) * 2008-10-27 2011-12-20 Sandisk 3D Llc Method of making pillars using photoresist spacer mask
JP4607257B2 (ja) * 2008-12-04 2011-01-05 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置
US8084347B2 (en) 2008-12-31 2011-12-27 Sandisk 3D Llc Resist feature and removable spacer pitch doubling patterning method for pillar structures
US7846756B2 (en) * 2008-12-31 2010-12-07 Sandisk 3D Llc Nanoimprint enhanced resist spacer patterning method
US8114765B2 (en) 2008-12-31 2012-02-14 Sandisk 3D Llc Methods for increased array feature density
WO2010086916A1 (ja) * 2009-01-29 2010-08-05 パナソニック株式会社 抵抗変化素子およびその製造方法
JP2010177624A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置
WO2010087211A1 (ja) 2009-02-02 2010-08-05 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法
CN101960595B (zh) * 2009-02-04 2012-11-14 松下电器产业株式会社 非易失性存储元件
KR101344799B1 (ko) 2009-03-12 2013-12-26 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
JP4628501B2 (ja) 2009-03-25 2011-02-09 パナソニック株式会社 抵抗変化素子の駆動方法及び不揮発性記憶装置
JP2010251529A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Sony Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US8488362B2 (en) * 2009-04-29 2013-07-16 Macronix International Co., Ltd. Graded metal oxide resistance based semiconductor memory device
JP5287544B2 (ja) 2009-06-25 2013-09-11 ソニー株式会社 不揮発性メモリの記録方法及び不揮発性メモリ
JP5016699B2 (ja) 2009-12-16 2012-09-05 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR20110072921A (ko) 2009-12-23 2011-06-29 삼성전자주식회사 메모리소자 및 그 동작방법
KR20110074354A (ko) 2009-12-24 2011-06-30 삼성전자주식회사 메모리소자 및 그 동작방법
JP5120967B2 (ja) * 2009-12-25 2013-01-16 シャープ株式会社 可変抵抗素子
CN102656689B (zh) * 2009-12-28 2014-12-10 松下电器产业株式会社 存储装置及其制造方法
US8026178B2 (en) 2010-01-12 2011-09-27 Sandisk 3D Llc Patterning method for high density pillar structures
US7923305B1 (en) 2010-01-12 2011-04-12 Sandisk 3D Llc Patterning method for high density pillar structures
CN102301425B (zh) 2010-02-02 2013-10-30 松下电器产业株式会社 电阻变化元件的驱动方法、初始处理方法、以及非易失性存储装置
KR20110101983A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성전자주식회사 바이폴라 메모리셀 및 이를 포함하는 메모리소자
JP4969707B2 (ja) 2010-07-08 2012-07-04 パナソニック株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
US8264868B2 (en) 2010-10-25 2012-09-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory array with metal-insulator transition switching devices
CN102064276B (zh) * 2010-11-01 2014-06-04 华中科技大学 一种非对称相变存储器单元及器件
US8699258B2 (en) 2011-01-21 2014-04-15 Macronix International Co., Ltd. Verification algorithm for metal-oxide resistive memory
US9153319B2 (en) 2011-03-14 2015-10-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device having a variable resistance element
US8951829B2 (en) 2011-04-01 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Resistive switching in memory cells
US9142289B2 (en) 2011-06-13 2015-09-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for driving variable resistance element, and nonvolatile memory device
US9111610B2 (en) 2012-04-20 2015-08-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method of driving nonvolatile memory element and nonvolatile memory device
JP2014032724A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Sharp Corp 半導体記憶装置
US9231204B2 (en) 2012-09-28 2016-01-05 Intel Corporation Low voltage embedded memory having conductive oxide and electrode stacks
TWI513074B (zh) * 2013-01-08 2015-12-11 Nat Univ Tsing Hua 電阻式記憶體
JP5830655B2 (ja) 2013-04-30 2015-12-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 不揮発性記憶素子の駆動方法
CN103367639B (zh) * 2013-07-25 2015-09-09 福州大学 一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器及其制备方法
CN103682100B (zh) * 2013-12-06 2016-04-06 南昌大学 氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法
CN103985816B (zh) * 2014-05-28 2016-09-14 淮阴师范学院 一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法
TWI548127B (zh) * 2014-09-19 2016-09-01 華邦電子股份有限公司 電阻式隨機存取記憶體
CN105448948B (zh) * 2014-09-30 2019-01-11 华邦电子股份有限公司 电阻式随机存取存储器
WO2016099511A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Intel Corporation Resistive memory cells including localized filamentary channels, devices including the same, and methods of making the same
US20170117464A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Winbond Electronics Corp. Resistive random access memory device
JP7080178B2 (ja) 2017-09-12 2022-06-03 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 不揮発性記憶装置、及び駆動方法
CN109698213A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制作方法
JP7308026B2 (ja) 2018-12-26 2023-07-13 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 抵抗変化型不揮発性記憶素子及びそれを用いた抵抗変化型不揮発性記憶装置
US11424407B2 (en) * 2020-09-02 2022-08-23 Winbond Electronics Corp. Resistive random access memory and method of manufacturing the same
US11456418B2 (en) 2020-09-10 2022-09-27 Rockwell Collins, Inc. System and device including memristor materials in parallel
US11469373B2 (en) * 2020-09-10 2022-10-11 Rockwell Collins, Inc. System and device including memristor material
US11631808B2 (en) 2020-12-07 2023-04-18 Rockwell Collins, Inc. System and device including memristor material
US11462267B2 (en) 2020-12-07 2022-10-04 Rockwell Collins, Inc. System and device including memristor material

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436757B1 (en) * 1999-11-18 2002-08-20 Nec Corporation Method for fabricating a capacitor having a tantalum oxide dielectrics in a semiconductor device
CN1379472A (zh) * 2001-03-29 2002-11-13 株式会社东芝 半导体存储装置

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761896A (en) * 1972-04-18 1973-09-25 Ibm Memory array of cells containing bistable switchable resistors
US4472296A (en) * 1982-06-21 1984-09-18 Iowa State University Research Foundation, Inc. Bulk, polycrystalline switching materials for threshold and/or memory switching
JPS6242582A (ja) 1985-08-20 1987-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非線形抵抗素子及びその製造方法
JPS63226981A (ja) 1987-03-16 1988-09-21 Fujitsu Ltd 超伝導集積回路装置およびその製造方法
JPH0258264A (ja) 1988-08-23 1990-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリー素子
FR2636481B1 (fr) * 1988-09-14 1990-11-30 Sgs Thomson Microelectronics Diode active integrable
US5406509A (en) 1991-01-18 1995-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
JP3454821B2 (ja) 1991-08-19 2003-10-06 エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド 電気的に消去可能な、直接重ね書き可能なマルチビット単セルメモリ素子およびそれらから作製したアレイ
KR970009616B1 (en) * 1993-12-31 1997-06-14 Hyundai Electronics Ind Fabricating method of semiconductor device
US5751012A (en) * 1995-06-07 1998-05-12 Micron Technology, Inc. Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell
US5640343A (en) * 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells
US6461982B2 (en) * 1997-02-27 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming a dielectric film
JP3236262B2 (ja) * 1998-06-16 2001-12-10 松下電器産業株式会社 強誘電体メモリ装置
US6586790B2 (en) * 1998-07-24 2003-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
GB9902993D0 (en) 1999-02-11 1999-03-31 Univ Strathclyde Low pressure chemical vapour deposition of titanium dioxide
EP1153434A1 (en) * 1999-02-17 2001-11-14 International Business Machines Corporation Microelectronic device for storing information and method thereof
US6151241A (en) * 1999-05-19 2000-11-21 Symetrix Corporation Ferroelectric memory with disturb protection
US6297539B1 (en) 1999-07-19 2001-10-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same
EP1282911B1 (en) * 2000-05-15 2018-09-05 Asm International N.V. Process for producing integrated circuits
US20020036313A1 (en) * 2000-06-06 2002-03-28 Sam Yang Memory cell capacitor structure and method of formation
US6605311B2 (en) * 2000-06-22 2003-08-12 The Procter & Gamble Company Insoluble protein particles
JP4050446B2 (ja) * 2000-06-30 2008-02-20 株式会社東芝 固体磁気メモリ
JP2002176150A (ja) * 2000-09-27 2002-06-21 Canon Inc 磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法
JP4223189B2 (ja) * 2000-12-26 2009-02-12 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6358756B1 (en) * 2001-02-07 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Self-aligned, magnetoresistive random-access memory (MRAM) structure utilizing a spacer containment scheme
DE10128482A1 (de) * 2001-06-12 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7135734B2 (en) * 2001-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Graded composition metal oxide tunnel barrier interpoly insulators
US6773929B2 (en) * 2001-09-14 2004-08-10 Hynix Semiconductor Inc. Ferroelectric memory device and method for manufacturing the same
CN100448049C (zh) 2001-09-25 2008-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 使用固体电解质的电气元件和存储装置及其制造方法
KR20030034500A (ko) * 2001-10-23 2003-05-09 주식회사 하이닉스반도체 마그네틱 램
EP1326254B1 (en) * 2001-12-27 2009-02-25 STMicroelectronics S.r.l. Architecture of a phase-change nonvolatile memory array
US6667900B2 (en) * 2001-12-28 2003-12-23 Ovonyx, Inc. Method and apparatus to operate a memory cell
US6891749B2 (en) * 2002-02-20 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Resistance variable ‘on ’ memory
US6847535B2 (en) * 2002-02-20 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation
WO2003079463A2 (en) * 2002-03-15 2003-09-25 Axon Technologies Corporation Programmable structure, an array including the structure, and methods of forming the same
US20030189851A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Brandenberger Sarah M. Non-volatile, multi-level memory device
JP4103497B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-18 ソニー株式会社 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
US6850432B2 (en) * 2002-08-20 2005-02-01 Macronix International Co., Ltd. Laser programmable electrically readable phase-change memory method and device
US6583003B1 (en) * 2002-09-26 2003-06-24 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of fabricating 1T1R resistive memory array
US6795338B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-21 Intel Corporation Memory having access devices using phase change material such as chalcogenide
US7589343B2 (en) * 2002-12-13 2009-09-15 Intel Corporation Memory and access device and method therefor
US7205562B2 (en) * 2002-12-13 2007-04-17 Intel Corporation Phase change memory and method therefor
US6887523B2 (en) 2002-12-20 2005-05-03 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for metal oxide thin film deposition via MOCVD
US7042052B2 (en) * 2003-02-10 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Transistor constructions and electronic devices
KR100773537B1 (ko) 2003-06-03 2007-11-07 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101051704B1 (ko) * 2004-04-28 2011-07-25 삼성전자주식회사 저항 구배를 지닌 다층막을 이용한 메모리 소자
KR100651656B1 (ko) * 2004-11-29 2006-12-01 한국과학기술연구원 투명전도성 산화물 전극 접촉 재료를 갖는 상변화 메모리 셀
KR100585175B1 (ko) * 2005-01-31 2006-05-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착법에 의한 ＧｅＳｂＴｅ 박막의 제조방법
US20070132049A1 (en) * 2005-12-12 2007-06-14 Stipe Barry C Unipolar resistance random access memory (RRAM) device and vertically stacked architecture
KR100718155B1 (ko) * 2006-02-27 2007-05-14 삼성전자주식회사 두 개의 산화층을 이용한 비휘발성 메모리 소자
WO2008107941A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-12 Fujitsu Limited 半導体装置及びその製造方法
KR100809724B1 (ko) * 2007-03-02 2008-03-06 삼성전자주식회사 터널링층을 구비한 바이폴라 스위칭 타입의 비휘발성메모리소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436757B1 (en) * 1999-11-18 2002-08-20 Nec Corporation Method for fabricating a capacitor having a tantalum oxide dielectrics in a semiconductor device
CN1379472A (zh) * 2001-03-29 2002-11-13 株式会社东芝 半导体存储装置

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