JP4563504B2 - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 166
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 68
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 418
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 207
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 70
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Description
タクトプラグまたは第2のコンタクトプラグと、第1のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して形成された第1の配線と、第1の配線上に形成され、第1の配線と同一端面を有する第1の抵抗変化層と、第2のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して形成された第2の配線と、第2の配線上に形成され、第2の配線と同一端面を有する第2の抵抗変化層と、第1の配線、第2の配線、第1の抵抗変化層及び第2の抵抗変化層を覆い第1の層間絶縁層上に形成された第2の層間絶縁層と、第2の層間絶縁層を貫通して第1の抵抗変化層上に形成された第3のコンタクトプラグと、第2の層間絶縁層及び第2の抵抗変化層を貫通して前記第2の配線上に形成された第4のコンタクトプラグと、第3のコンタクトプラグ及び第4のコンタクトプラグ上を覆い第2の層間絶縁層上に形成された第3の配線及び第4の配線とを備えた構成からなる。
図1(a)は、本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置100の構成例を示した断面図である。
読み取ることにより、抵抗変化素子111に記憶されているデータを読み取ることができる。
図16(a)は、本発明の実施の形態1の変形例Aに係る不揮発性半導体記憶装置100Aの構成例を示した断面図である。図16(b)は、図16(a)の断面図の1点鎖線に沿って切った断面図である。
図19(a)は、本発明の実施の形態1の変形例Bに係る不揮発性半導体記憶装置100Bの構成例を示した断面図である。図19(b)は、図19(a)の断面図の1点鎖線に沿って切った断面図である。
図22(a)は、本発明の実施の形態1の変形例Cに係る不揮発性半導体記憶装置100Cの構成例を示した断面図である。図22(b)は、図22(a)の断面図の1点鎖線に沿って切った断面図である。
図23(b)及び図24(b)は、側壁絶縁膜113を形成する工程を示す図である。該工程においては、電極層109及び抵抗変化層106を完全に被覆するように層間絶縁層103の上面全面に絶縁膜を形成し、全面をエッチバックすることで、電極層109及び抵抗変化層106からなる段差の側壁部に側壁絶縁膜113が形成される。
図4は、本発明の実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置200の構成例を示す断面図である。
図7は、本発明の実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置300の構成例を示す断面図である。
図10は、本発明の実施の形態4に係る不揮発性半導体記憶装置400の構成例を示す断面図である。
図13は、本発明の実施の形態5に係る不揮発性半導体装置500の構成を示すブロック図である。また、図14は、図13に示すC部の構成(2ビット分の構成)を示す拡大断面図である。
101 トランジスタ
101a ドレイン電極
101b ソース電極
101c ドレイン領域
101d ソース領域
101e ゲート電極
102 基板
103 第1の層間絶縁層
104,301,402,511 第1のコンタクトプラグ
104a,301a 第1のコンタクトホール
105,302,403,517 第2のコンタクトプラグ
105a 第2のコンタクトホール
106,305,401,513 抵抗変化層
106a,107a,110 端面
107,201,303,404,515 第1の配線
108,203,304,405,518 第2の配線
109,514 電極層
111,210,306,406 抵抗変化素子
112,211,307,407,516 メモリセル
202 第1の抵抗変化層(抵抗変化層)
204 第2の抵抗変化層(抵抗変化層)
205 第2の層間絶縁層
206,519 第3のコンタクトプラグ
206a 第3のコンタクトホール
207 第4のコンタクトプラグ
207a 第4のコンタクトホール
208 第3の配線
209 第4の配線
500 不揮発性半導体装置
501 メモリ本体部
502 メモリアレイ
503 行選択回路/ドライバ
504 列選択回路
505 書き込み回路
506 センスアンプ
507 データ入出力回路
Claims (7)
- 第1主電極と第2主電極と制御電極とを有するトランジスタが複数形成された基板と、
前記基板上に前記複数のトランジスタを覆うように形成された第1の層間絶縁層と、
前記第1の層間絶縁層を貫通し前記複数のトランジスタが有する第1主電極のそれぞれと電気的に接続されるように形成された複数の第1のコンタクトプラグと、
前記複数の第1のコンタクトプラグのそれぞれについてその上端面の少なくとも一部を被覆するように前記複数の第1のコンタクトプラグのそれぞれに対応して個別に形成された複数の抵抗変化層と、
前記複数の抵抗変化層上に第1の方向に延びるように形成された第1の配線と、を備え、
前記第1の方向を前後方向とし、前記第1の方向に垂直で前記基板の主面に平行な方向を左右方向とするとき、前記抵抗変化層の前後の端面は前記第1の配線の端面と同一面内になく、前記第1の配線の左側の端面と前記抵抗変化層の左側の端面とが同一面内にあり、前記第1の配線の右側の端面と前記抵抗変化層の右側の端面とが同一面内にある、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1の配線は、前記抵抗変化層と接する面に少なくとも貴金属からなる電極層を備えたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記貴金属は白金からなることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- トランジスタが形成された基板と、
前記基板上に前記トランジスタを覆って形成された第1の層間絶縁層と、
前記第1の層間絶縁層に形成され、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された第1のコンタクトプラグまたは第2のコンタクトプラグと、
前記第1のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して形成された第1の配線と、
前記第1の配線上に形成され、前記第1の配線と同一端面を有する第1の抵抗変化層と、
前記第2のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して形成された第2の配線と、
前記第2の配線上に形成され、前記第2の配線と同一端面を有する第2の抵抗変化層と、
前記第1の配線、前記第2の配線、前記第1の抵抗変化層及び前記第2の抵抗変化層を覆い前記第1の層間絶縁層上に形成された第2の層間絶縁層と
前記第2の層間絶縁層を貫通して前記第1の抵抗変化層上に形成された第3のコンタクトプラグと、
前記第2の層間絶縁層及び前記第2の抵抗変化層を貫通して前記第2の配線上に形成された第4のコンタクトプラグと、
前記第3のコンタクトプラグ及び前記第4のコンタクトプラグ上を覆い前記第2の層間絶縁層上に形成された第3の配線及び第4の配線とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含む材料からなることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- トランジスタが形成された基板上に前記トランジスタを覆って第1の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁層を貫通して前記トランジスタのドレイン電極またはソース電極上に第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールを形成し、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホール内に第1のコンタクトプラグ及び第2のコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第1のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して抵抗変化層を形成する工程と、
前記抵抗変化層の少なくとも一部を除去すると同時に、前記抵抗変化層の少なくとも一部を被覆した第1の配線と、前記第2のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆した第2の配線とを形成する工程とを備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - トランジスタが形成された基板上に前記トランジスタを覆って第1の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁層を貫通して前記トランジスタのドレイン電極またはソース電極上に第1のコンタクトホールまたは第2のコンタクトホールを形成し、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホール内に第1のコンタクトプラグ及び第2のコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第1のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して第1の配線層及び前記第1の配線層と同一端面を有する第1の抵抗変化層を、前記第2のコンタクトプラグの少なくとも一部を被覆して第2の配線層及び前記第2の配線層と同一端面を有する第2の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1の配線と前記第1の抵抗変化層及び前記第2の配線と前記第2の抵抗変化層を覆い前記第1の層間絶縁層上に第2の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁層を貫通して前記第1の抵抗変化層上に第3のコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第2の層間絶縁層及び前記第2の抵抗変化層を貫通して前記第2の配線上に第4のコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第3のコンタクトプラグ及び前記第4のコンタクトプラグ上を覆い前記第2の層間絶縁層上に第3の配線及び第4の配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008030242 | 2008-02-12 | ||
JP2008030242 | 2008-02-12 | ||
PCT/JP2009/000501 WO2009101785A1 (ja) | 2008-02-12 | 2009-02-09 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010171014A Division JP2010287905A (ja) | 2008-02-12 | 2010-07-29 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4563504B2 true JP4563504B2 (ja) | 2010-10-13 |
JPWO2009101785A1 JPWO2009101785A1 (ja) | 2011-06-09 |
Family
ID=40956819
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009553358A Active JP4563504B2 (ja) | 2008-02-12 | 2009-02-09 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2010171014A Pending JP2010287905A (ja) | 2008-02-12 | 2010-07-29 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010171014A Pending JP2010287905A (ja) | 2008-02-12 | 2010-07-29 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8537605B2 (ja) |
EP (2) | EP2244293A4 (ja) |
JP (2) | JP4563504B2 (ja) |
KR (1) | KR101104443B1 (ja) |
CN (1) | CN101946321B (ja) |
WO (1) | WO2009101785A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011142386A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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- 2009-02-09 EP EP09710369A patent/EP2244293A4/en not_active Withdrawn
- 2009-02-09 JP JP2009553358A patent/JP4563504B2/ja active Active
- 2009-02-09 US US12/867,437 patent/US8537605B2/en active Active
- 2009-02-09 CN CN200980104930.9A patent/CN101946321B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-09 WO PCT/JP2009/000501 patent/WO2009101785A1/ja active Application Filing
- 2009-02-09 EP EP12152973.9A patent/EP2447996B1/en active Active
- 2009-02-09 KR KR1020107018148A patent/KR101104443B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-07-29 JP JP2010171014A patent/JP2010287905A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2447996A3 (en) | 2013-02-06 |
KR20100101013A (ko) | 2010-09-15 |
CN101946321B (zh) | 2014-03-26 |
JPWO2009101785A1 (ja) | 2011-06-09 |
US8537605B2 (en) | 2013-09-17 |
CN101946321A (zh) | 2011-01-12 |
EP2447996A2 (en) | 2012-05-02 |
JP2010287905A (ja) | 2010-12-24 |
EP2244293A4 (en) | 2011-08-10 |
US20110114912A1 (en) | 2011-05-19 |
EP2244293A1 (en) | 2010-10-27 |
EP2447996B1 (en) | 2014-04-02 |
KR101104443B1 (ko) | 2012-01-12 |
WO2009101785A1 (ja) | 2009-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100728 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |