JP5079927B2 - 不揮発性メモリ装置の製造方法、不揮発性メモリ素子、および不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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Description
また、前記不揮発性メモリ装置の製造方法は、前記工程(c)において、各々が対応する層の導電層によって外周面を囲まれて、当該導電層と接続する前記複数の抵抗変化層を形成してもよい。
また、前記不揮発性メモリ装置の製造方法は、前記工程(c)において、基板の主面に平行な面内における厚みが等しい環状に前記複数の抵抗変化層を形成してもよい。
図1に、本発明に係る実施の形態1の不揮発性メモリ素子を示す。図1(a)は不揮発性メモリ素子10の断面図であり、図1(b)は不揮発性メモリ素子10を上面から見た(基板11に垂直な方向から見た)平面図である。
図3に本発明に係る実施の形態2の不揮発性メモリ装置30を示す。図3(a)は不揮発性メモリ装置30の断面図であり、図3(b)は不揮発性メモリ装置30を上面から見た(基板11に垂直な方向から見た)平面図である。
図5は本発明に係る実施の形態3の不揮発性メモリ装置50を示す。本実施の形態3の不揮発性メモリ装置50は、実施の形態2における不揮発性メモリ装置30の変形例である。図5(a)は不揮発性メモリ装置50の断面図であり、図5(b)は上面から見た(基板11に垂直な方向から見た)平面図である。本実施の形態3においても、実施の形態2と同様に、プロセスが簡素化でき、抵抗変化層14の膜厚の均一性を制御することができる。
本実施の形態4の不揮発性メモリ装置40は、実施の形態2における不揮発性メモリ装置30に、さらに、柱状電極12(ビット線)の選択回路41を設けたものである。図7(a)は本実施の形態4に係る選択回路41を含む不揮発性メモリ装置40の等価回路図であり、図7(b)は選択回路41を構成している選択トランジスタを上面から見た平面図である。
図8から図11は、本発明の実施の形態2に係る不揮発性メモリ装置30の製造方法を示す工程断面図および上面図である。
図12および図13は、本発明の実施の形態3に係る不揮発性メモリ装置50の製造方法を示す工程断面図および上面図である。
11 基板
12 柱状電極
13 導電層
14 抵抗変化層
15 第1の抵抗変化層
16 第2の抵抗変化層
17 層間絶縁膜
30、40、50 不揮発性メモリ装置
41 選択回路
57 絶縁層
98 コンタクトホール
129 帯状溝
1412 柱状電極
1413 導電層
1414 抵抗変化層
1417 層間絶縁膜
1511 基板
1512 柱状電極
1513 導電層
1514 抵抗変化層
1517 層間絶縁膜
Claims (21)
- 基板上に、遷移金属を含む複数の導電層と絶縁材料で構成される複数の層間絶縁膜とを積層して積層構造体を形成する工程(a)と、
前記積層構造体を貫通し、かつ前記各層の導電層を内周面に露出させるコンタクトホールを形成する工程(b)と、
前記各層の導電層の前記コンタクトホール中に露出した部分を酸化して、与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する複数の抵抗変化層を形成する工程(c)と、
前記コンタクトホールに導電材料を埋め込んで、前記コンタクトホール中に前記各層の抵抗変化層によって外周面を囲まれて、前記各層の抵抗変化層と接続する柱状電極を形成する工程(d)と、
を含む不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記工程(b)において、前記コンタクトホールを含む複数のコンタクトホールを、前記積層構造体上に定められる二次元マトリクスの各行列位置に形成し、
前記工程(b)以降に、前記積層構造体を前記二次元マトリクスの所定の数の行、所定の数の列、または所定の数の行及び所定の数の列からなる単位毎に分離する1つ以上の溝を形成する工程(e)と、
前記各溝に絶縁材料を埋め込む工程(f)と、
をさらに含む請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記工程(c)において、酸化処理を2回行い、第1の抵抗変化層と、前記第1の抵抗変化層と比べて酸素含有量がより小さい第2の抵抗変化層とで構成される抵抗変化層を形成する、
請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 基板の主面に対し垂直に配置された柱状電極と、
前記基板の主面と平行に、かつ前記柱状電極と交差するように配置され、遷移金属で構成された導電層と、
前記柱状電極と前記導電層との交差部のみに前記柱状電極の外周面を内周面によって囲み、かつ前記導電層によって外周面を囲まれるように形成され、前記導電層を構成する遷移金属の酸化物で構成され、電気的信号の印加に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層と、
を備える不揮発性メモリ素子。 - 前記抵抗変化層の酸素含有量は、前記柱状電極と前記抵抗変化層との界面から前記導電層へ向かって低くなる、
請求項4に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記不揮発性メモリ素子は、前記基板の主面と平行な方向に隣り合うもう1つの不揮発性メモリ素子と共に設けられており、
前記導電層は、前記2つの不揮発性メモリ素子のそれぞれの抵抗変化層の間の領域全面に形成されている、
請求項4に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記抵抗変化層が、前記基板の主面と平行な面内において、前記導電層を前記柱状電極から等方的に酸化することにより形成されている、
請求項4に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記抵抗変化層が、等幅の環状に形成されている、
請求項4に記載の不揮発性メモリ素子。 - 基板の主面に対し垂直に配置された複数の柱状電極と、
前記基板の主面と平行に、かつ前記複数の柱状電極と交差するように配置され、遷移金属を含む複数の導電層と、
前記複数の導電層の層間に介在し、絶縁材料で構成された複数の層間絶縁膜と、
前記各柱状電極と前記各層の導電層との交差部のみに、対応する柱状電極の外周面を内周面によって囲み、かつ対応する層の導電層によって外周面を囲まれるように形成され、前記複数の導電層を構成する遷移金属の酸化物で構成され、電気的信号の印加に基づいて可逆的に抵抗値が変化する複数の抵抗変化層と、
を備える不揮発性メモリ装置。 - 前記各抵抗変化層の酸素含有量は、対応する柱状電極と前記抵抗変化層との界面から前記導電層へ向かって低くなる、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記各導電層は、前記基板の主面と平行な面内で隣り合う抵抗変化層の間の領域全面に形成されている、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記各抵抗変化層が、前記基板の主面と平行な面内において、対応する導電層を対応する柱状電極から等方的に酸化することにより形成されている、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記各抵抗変化層が、等幅の環状に形成されている、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記各抵抗変化層は、第1の抵抗変化層と、前記第1の抵抗変化層と比べて酸素含有量がより小さい第2の抵抗変化層とが、前記基板の主面と平行な方向に積層されて構成されている、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記各柱状電極は、前記基板の主面上に定められる二次元マトリクスの対応する行列位置に配置されている、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記各導電層は、前記二次元マトリクスの所定の数の行、所定の数の列、または所定の数の行および所定の数の列からなる単位毎に電気的に絶縁されている、
請求項15に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数の柱状電極は、白金、イリジウム、パラジウム、銅、タングステンのいずれかを含む材料で構成される、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記導電層および前記抵抗変化層を構成する遷移金属はタンタルである、
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記柱状電極の一端に接続された選択トランジスタをさらに備える
請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記工程(c)において、各々が対応する層の導電層によって外周面を囲まれて、当該導電層と接続する前記複数の抵抗変化層を形成する、
請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記工程(c)において、基板の主面に平行な面内における抵抗変化層の厚みが等しい環状に前記複数の抵抗変化層を形成する、
請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
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