JP4948688B2 - 抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 620
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 333
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 169
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 169
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 168
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 102
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 74
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 42
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 33
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 44
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 27
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 26
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 24
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
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Description
図1A及び図1Bは、本発明の実施の形態1に係る不揮発性記憶素子10の構成例を示した断面図である。
図3A及び図3Bは、本発明の実施の形態2に係る不揮発性記憶装置20の構成例を示した断面図である。また、図3Cは、本発明の実施の形態2の不揮発性記憶装置20の構成例を示す平面図である。図3C中のAで示された1点鎖線の断面を矢印方向に見た断面図が図3Aに相当し、図3C中のBで示された1点鎖線の断面を矢印方向に見た断面図が図3Bに相当する。図3Cの平面図に示すように、本実施の形態2では、互いに平行してストライプ形状に形成された複数の第1電極111と、互いに平行してストライプ形状に形成された複数の半導体層116及び第2電極117で構成される積層体とが交差する位置にメモリセル113が形成されている。
図7A及び図7Bは、本発明の実施の形態3の不揮発性記憶装置30の構成例を示した断面図である。本発明の実施の形態3の不揮発性記憶装置30は、本発明の実施の形態2の不揮発性記憶装置20とほぼ同様の構造となっているが、メモリセルを構成する抵抗変化層114が第1抵抗変化層114aと第2抵抗変化層114bの2層の積層体からなり、第1抵抗変化層114aが第1電極111と接続され、第1抵抗変化層114aの酸素含有率が第2抵抗変化層114bの酸素含有率よりも高いことが特徴である。
図9A及び図9Bは、本発明の第4の実施の形態に係る不揮発性記憶装置40の構成を説明する図である。本実施の形態の不揮発性記憶装置40は、本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置20の構成をほぼ上下反転した構造になっており、メモリセル113の下側に第2電極117及び半導体層116を形成することが特徴である。
図12A及び図12Bは、本発明の実施の形態5に係る抵抗変化型の不揮発性記憶装置50の構成例を示した断面図である。
20、30、40、50 不揮発性記憶装置
60 不揮発性半導体記憶装置
70 抵抗性メモリ素子
101 第1電極
102 抵抗変化層
102a 第1抵抗変化層(第1のタンタル酸化物層)
102b 第2抵抗変化層(第2のタンタル酸化物層)
102c 第3抵抗変化層(第3のタンタル酸化物層)
103 半導体層
104 第2電極
105 抵抗変化素子
106 ダイオード素子
110 基板
111 第1電極
111a 第1電極層
112 第1の層間絶縁層
113 メモリセル
113a、113b メモリセルホール
114 抵抗変化層
114a 第1抵抗変化層
114b 第2抵抗変化層
115 第2の層間絶縁層
116 半導体層
116a 半導体薄膜
117 第2電極
117a 第2電極層
118 引き出し配線
118a 引き出し配線層
119 引き出しコンタクト
119a コンタクトホール
120 回路接続配線
121 配線溝
122 上層配線層
210 ビット線
220 ワード線
230 抵抗変化層
240 上部電極
250 下部電極
260 抵抗変化素子
270 非線形素子
280 メモリセル
D1 第1ダイオード
E1 第1電極
E2 第2電極
M1 中間電極
R1 抵抗変化層
S1 第1構造体
S2 第2構造体
Claims (13)
- 金属を主成分とする材料で構成された第1電極と、
前記第1電極に厚さ方向に隣接して配置され、極性が異なる所定の電気パルスの印加に応じて抵抗値が可逆的に変化する抵抗変化層と、
前記抵抗変化層に厚さ方向に隣接して配置され、窒素不足型シリコン窒化物を主成分とする材料で構成された半導体層と、
前記半導体層に厚さ方向に隣接して配置された第2電極と、を備え、
前記抵抗変化層が、第1抵抗変化層と第3抵抗変化層と第2抵抗変化層との積層体で構成され、前記第1抵抗変化層が前記第1電極に隣接し、前記第3抵抗変化層が前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層との間に介在し、前記第1抵抗変化層、前記第3抵抗層及び前記第2抵抗変化層は酸素不足型遷移金属酸化物を主成分とする材料で構成され、前記第1抵抗変化層の酸素含有率は前記第2抵抗変化層の酸素含有率よりも高く、前記第3抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率は、前記第1抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも低く、かつ前記第2抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも高く、
前記抵抗変化層、前記半導体層及び前記第2電極で構成される積層体が双方向ダイオードとして機能する
抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記抵抗変化層が酸素不足型タンタル酸化物を主成分とする材料で構成される
請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記第2抵抗変化層に含まれる酸素不足型タンタル酸化物はTaOy(0<y≦1.29)なる組成を有する
請求項2に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記第2抵抗変化層に含まれる酸素不足型タンタル酸化物はTaOy(0.8≦y≦1.29)なる組成を有する
請求項3に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記第1電極を構成する金属の標準電極電位が、前記第1抵抗変化層を構成する遷移金属の標準電極電位より高い
請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記第1電極は、白金、イリジウム、パラジウム、銅、及びタングステンのいずれかの金属、もしくはこれらの金属の組み合わせ及び合金から構成され、前記第2電極は、タンタル窒化物、チタン窒化物、及びタングステンのいずれかの金属、もしくはこれらの金属の組み合わせから構成される
請求項5に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記第2抵抗変化層は、前記半導体層の仕事関数よりも高い仕事関数を有する材料を用いる
請求項1に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 前記第2電極には、前記半導体層よりも高い仕事関数を有する材料を用いる
請求項6に記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子。 - 第1方向に延設された複数の第1配線と、
前記第1方向と交差する第2方向に延設された複数の第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との各交差点に設けられた複数のメモリセルと、を備え、
各前記複数のメモリセルは、請求項1から請求項8の何れかに記載の抵抗変化型不揮発性記憶素子からなり、
前記第1配線は複数の前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の第1電極が連結されてなり、
前記第2配線は複数の前記抵抗変化型不揮発性記憶素子の第2電極が連結されてなる
抵抗変化型不揮発性記憶装置。 - 第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層におけるメモリセル用の領域に、前記第1電極に到達する開口を形成する工程と、
前記開口内に、第1抵抗変化層と第3抵抗変化層と第2抵抗変化層との積層体で構成され、前記第1抵抗変化層が前記第1電極に接続し、前記第3抵抗変化層が前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層との間に介在し、前記第1抵抗変化層、前記第3抵抗層及び前記第2抵抗変化層は酸素不足型遷移金属酸化物を主成分とする材料で構成され、前記第1抵抗変化層の酸素含有率は前記第2抵抗変化層の酸素含有率よりも高く、前記第3抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率は、前記第1抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも低く、かつ前記第2抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも高い抵抗変化層を形成する工程と、
前記抵抗変化層を被覆する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の少なくとも前記抵抗変化層上の部分を被覆する第2電極を形成する工程と
を含む抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法。 - 第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上におけるメモリセル用の領域に、第1抵抗変化層と第3抵抗変化層と第2抵抗変化層との積層体で構成され、前記第1抵抗変化層が前記第1電極に接続し、前記第3抵抗変化層が前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層との間に介在し、前記第1抵抗変化層、前記第3抵抗層及び前記第2抵抗変化層は酸素不足型遷移金属酸化物を主成分とする材料で構成され、前記第1抵抗変化層の酸素含有率は前記第2抵抗変化層の酸素含有率よりも高く、前記第3抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率は、前記第1抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも低く、かつ前記第2抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも高い抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1電極及び前記抵抗変化層を被覆する層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の表面に、深さ方向に前記抵抗変化層まで到達する溝を形成する工程と、
前記溝から露出した前記抵抗変化層を被覆する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の少なくとも前記抵抗変化層上の部分を被覆する第2電極を形成する工程と
を含む抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法。 - 第2電極を形成する工程と、
前記第2電極上に半導体層を形成する工程と、
前記第2電極及び前記半導体層を被覆する層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層におけるメモリセル用の領域に、前記半導体層に到達する開口を形成する工程と、
前記開口内に、第2抵抗変化層と第3抵抗変化層と第1抵抗変化層との積層体で構成され、前記第2抵抗変化層が前記半導体層に接続し、前記第3抵抗変化層が前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層との間に介在し、前記第1抵抗変化層、前記第3抵抗層及び前記第2抵抗変化層は酸素不足型遷移金属酸化物を主成分とする材料で構成され、前記第1抵抗変化層の酸素含有率は前記第2抵抗変化層の酸素含有率よりも高く、前記第3抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率は、前記第1抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも低く、かつ前記第2抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも高い抵抗変化層を形成する工程と、
前記抵抗変化層を被覆する第1電極を形成する工程と
を含む抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法。 - 第2電極を形成する工程と、
前記第2電極上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上におけるメモリセル用の領域に、第2抵抗変化層と第3抵抗変化層と第1抵抗変化層との積層体で構成され、前記第2抵抗変化層が前記半導体層に接続し、前記第3抵抗変化層が前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層との間に介在し、前記第1抵抗変化層、前記第3抵抗層及び前記第2抵抗変化層は酸素不足型遷移金属酸化物を主成分とする材料で構成され、前記第1抵抗変化層の酸素含有率は前記第2抵抗変化層の酸素含有率よりも高く、前記第3抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率は、前記第1抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも低く、かつ前記第2抵抗変化層を構成する酸素不足型遷移金属酸化物の酸素含有率よりも高い抵抗変化層を形成する工程と、
前記第2電極、前記半導体層及び前記抵抗変化層を被覆する層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の表面に、深さ方向に前記抵抗変化層まで到達する溝を形成する工程と、
前記溝から露出した前記抵抗変化層を被覆する第1電極を形成する工程と
を含む抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011554300A JP4948688B2 (ja) | 2010-07-02 | 2011-07-01 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010152526 | 2010-07-02 | ||
JP2010152526 | 2010-07-02 | ||
PCT/JP2011/003785 WO2012001993A1 (ja) | 2010-07-02 | 2011-07-01 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法 |
JP2011554300A JP4948688B2 (ja) | 2010-07-02 | 2011-07-01 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4948688B2 true JP4948688B2 (ja) | 2012-06-06 |
JPWO2012001993A1 JPWO2012001993A1 (ja) | 2013-08-22 |
Family
ID=45401731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011554300A Active JP4948688B2 (ja) | 2010-07-02 | 2011-07-01 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120193600A1 (ja) |
JP (1) | JP4948688B2 (ja) |
WO (1) | WO2012001993A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140013364A (ko) * | 2012-07-23 | 2014-02-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011066313A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体装置 |
US8866121B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-10-21 | Sandisk 3D Llc | Current-limiting layer and a current-reducing layer in a memory device |
US8659001B2 (en) * | 2011-09-01 | 2014-02-25 | Sandisk 3D Llc | Defect gradient to boost nonvolatile memory performance |
US8546275B2 (en) * | 2011-09-19 | 2013-10-01 | Intermolecular, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium and zirconium oxides for memory applications |
US8698119B2 (en) | 2012-01-19 | 2014-04-15 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a current limiter element |
US8686386B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-04-01 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory device using a varistor as a current limiter element |
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TW201408810A (zh) * | 2012-07-12 | 2014-03-01 | Applied Materials Inc | 用於沉積貧氧金屬膜的方法 |
JP2014049749A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2011-07-01 WO PCT/JP2011/003785 patent/WO2012001993A1/ja active Application Filing
- 2011-07-01 US US13/499,961 patent/US20120193600A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-01 JP JP2011554300A patent/JP4948688B2/ja active Active
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Also Published As
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WO2012001993A1 (ja) | 2012-01-05 |
JPWO2012001993A1 (ja) | 2013-08-22 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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