KR100682926B1 - 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100682926B1
KR100682926B1 KR1020050008752A KR20050008752A KR100682926B1 KR 100682926 B1 KR100682926 B1 KR 100682926B1 KR 1020050008752 A KR1020050008752 A KR 1020050008752A KR 20050008752 A KR20050008752 A KR 20050008752A KR 100682926 B1 KR100682926 B1 KR 100682926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data storage
storage layer
memory device
nonvolatile memory
forming
Prior art date
Application number
KR1020050008752A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060087882A (ko
Inventor
이정현
최성규
김규식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050008752A priority Critical patent/KR100682926B1/ko
Priority to EP05256190A priority patent/EP1686624B1/en
Priority to DE602005001924T priority patent/DE602005001924T2/de
Priority to JP2005337858A priority patent/JP5472888B2/ja
Priority to US11/295,551 priority patent/US7820996B2/en
Publication of KR20060087882A publication Critical patent/KR20060087882A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100682926B1 publication Critical patent/KR100682926B1/ko
Priority to US12/923,429 priority patent/US8168469B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/021—Formation of the switching material, e.g. layer deposition
    • H10N70/023—Formation of the switching material, e.g. layer deposition by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/061—Patterning of the switching material
    • H10N70/066—Patterning of the switching material by filling of openings, e.g. damascene method
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자에 전기적으로 연결된 데이터 저장부를 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 있어서,
상기 데이터 저장부는 상기 스위칭 소자에 연결된 하부전극, 상기 하부전극 위에 형성되는 것으로 상기 하부전극이 노출되는 콘택홀이 마련된 소정두께의 절연층, 상기 콘택홀을 채우는 것으로 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층 및 상기 절연층 및 데이터 저장층 위에 마련된 상부전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.

Description

저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법{Nonvolatile memory device using resistance material and fabrication method of the same}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 개략적 단면도이다.
도 2는 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층의 전류-전압특성을 보여주는 그래프이다.
도 3은 도 1에 도시한 비휘발성 메모리 소자의 등가회로도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 실시예에 따라 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층 및 종래 박막형태의 데이터 저장층의 전류-전압특성을 보여주는 그래프이다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이다.
도 6은 3차원 구조로 입체화된 니켈 산화물(NiO) 데이터 저장층을 보여주는 단면사진이다.
도 7은 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층의 산소함유량에 따른 스위칭특성을 보여주는 그래프이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
40:기판 42:소오스
44:드레인 46:채널영역
48:게이트 절연막 50:게이트 전극
52:하부전극 53:절연층
54:데이터 저장층 56:상부전극
58:플레이트 전극 60:층간절연층
h1:콘택홀 S:데이터 저장부
본 발명은 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고집적화가 가능하고 리셋전류를 낮출 수 있는 구조를 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래 저항체(resistance material)를 이용한 비휘발성 메모리 소자로서 FRAM, MRAM 및 PRAM 등이 개발되었다. DRAM이나 플래시 메모리가 전하(charge)를 이용하여 이진정보를 저장하는 반면, 이들 소자들은 강유전체 물질의 분극현상(FRAM), 강자성체의 자화상태에 따른 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 박막의 저항변화(MRAM), 상변화로 인한 저항변화(PRAM) 등을 이용하여 이진정보를 저장하는 특징을 가진다. 특히, 이들은 DRAM이 가지는 고집적 특성과 플래시 메모리가 가지는 비휘발성 특성을 모두 갖고 있어 종래의 휘발성이나 비휘발성 메모리를 대체할 만 한 가능성이 있는 소자들로 주목된다.
종래 저항체(resistance material)를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 일례로, PRAM(phase-change RAM)은 GeSbTe와 같은 상변화(phase-change) 물질이 전기적인 펄스에 의한 국부적인 열발생에 의해 크리스탈(crystalline)과 아몰포스(amorphous) 상태로 변화하는 특성을 이용하여 이진정보를 기억하는 소자이다. PRAM은 이진정보를 기억하는 메모리셀이 상변화층과 레지스터(resistor) 및 스위치 트랜지스터로 구성된다. 트랜지스터는 일반적으로 실리콘 웨이퍼 위에 만들어지며, 레지스터와 상변화층은 상기 트랜지스터 위에 만들어진다. 상변화층은 이른바 GST(GeSbTe) 기반의 물질로서 갈코게나이드(chalcogenide)라는 명칭으로 불린다. 레지스터의 용도는 상변화층을 가열할 목적으로 쓰인다. 가열되는 정도에 따라 상변화층이 크리스탈과 아몰포스 상태로 상변화를 일으키게 되어 저항값이 달라지게 되고, 저항에 흐르는 전류로 인해 전압이 달라지게 되므로 이진정보를 저장 및 판독할 수 있게 된다.
그런데, 이러한 종래의 비휘발성 메모리 소자에서 저항체는 내식각성이 우수하여, 기존의 DRAM공정을 이용해서는 식각이 어렵거나 식각이 가능하더라도 시간이 오래걸리는 물질이다. 이러한 이유로 종래 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 경우 생산성이 낮아져서 제품단가가 높아지게 되는데, 이러한 결과는 시장에서의 경쟁력을 상실하게 만든다. 따라서, 새로운 저항 재료의 개발이 요구된다.
또한, 종래의 비휘발성 메모리 소자에서 저항체는 PVD(physical vapor deposition)법을 이용하여 박막 형태로 형성되기 때문에, 치밀하고 균일한 막질을 얻기가 어려웠으며, 그 저항체를 구성하는 원소의 조성비를 제어하기가 곤란하였다. 저항체를 구성하는 원소의 조성비는 메모리 소자의 스위칭 특성에 큰 영향을 미칠 수 있다.
대한민국 공개특허공보 2004-0055594는 MOCVD에 의한 금속 산화물 증착방법을 개시한다. 상기 공개특허는 선택된 전구체를 이용하여 저항 메모리 재료를 포함하는 금속-함유막을 형성하는 기술에 관한 것이다. 그러나, 금속-함유막 중의 산소함유량은 메모리 소자의 스위칭 특성에 영향을 미치는데, 이와 같은 MOCVD 방법에서는 상기 산소함유량의 제어에는 한계가 있다. 또한, 상기 금속-함유막은 박막 형태를 가지기 때문에, 메모리 소자의 고집적화 및 리셋전류를 낮추는 데에 한계가 있다. 따라서, 고집적화가 가능하고 리셋전류를 낮출 수 있는 메모리 소자의 구조 개발이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고집적화가 가능하고 리셋전류를 낮출 수 있는 구조를 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따르면,
스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자에 전기적으로 연결된 데이터 저장부를 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 있어서,
상기 데이터 저장부는,
상기 스위칭 소자에 연결된 하부전극;
상기 하부전극 위에 형성되는 것으로 상기 하부전극이 노출되는 콘택홀이 마련된 소정두께의 절연층;
상기 콘택홀을 채우는 것으로 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층; 및
상기 절연층 및 데이터 저장층 위에 마련된 상부전극;을 포함하는 비휘발성 메모리 소자가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면,
스위칭 소자를 준비하는 단계; 및
상기 스위칭 소자에 전기적으로 연결된 데이터 저장부를 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법에 있어서,
상기 데이터 저장부를 형성하는 단계:는,
상기 스위칭 소자에 연결되는 하부전극을 형성하는 단계;
상기 하부전극 위에 소정두께의 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층에 상기 하부전극이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 콘택홀에 전이금속 산화물로 데이터 저장층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 및 데이터 저장층 위에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법이 제공된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층을 얻을 수 있다. 이와 같이 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층에 의하면, 메모리 소자의 집적도를 높일 수 있고, 데이터의 기록 및 소거에 필요한 전류, 즉 메모리 소 자의 리셋전류(Ireset;reset current)를 낮출 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 개략적 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자는 기판(40), 기판(40)에 형성된 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 일 영역에 연결된 데이터 저장부(S)를 포함한다. 상기 트랜지스터는 도전성 불순물이 도핑된 소오스(42)와 드레인(44) 및 소오스(42)와 드레인(44)사이의 채널 영역(46) 상에 형성된 게이트 적층물(48, 50)을 포함한다. 게이트 적층물(48, 50)은 순차적으로 적층된 게이트 절연막(48)과 게이트 전극(50)으로 구성된다. 여기에서, 상기 트랜지스터는 스위칭 소자의 일 실시예에 불과하며, 상기 트랜지스터 대신에 스위치 기능을 갖는 다이오드가 이용될 수도 있다.
상기 데이터 저장부(S)는 드레인(44) 상에 형성되어 있다. 상기 데이터 저장부(S)는 드레인(44)과 직접 접촉되는 하부전극(52), 하부전극(52) 위에 마련된 것으로 상기 하부전극(52)이 노출되는 콘택홀(h1)이 마련된 소정두께의 절연층(53), 상기 콘택홀(h1)을 채우는 것으로 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층(54), 상기 절연층(53) 및 데이터 저장층(54) 위에 마련된 상부전극(56)을 포함한다.
또한, 상기 트랜지스터 및 데이터 저장부(S)를 매립하는 층간 절연층(60)이 형성되어 있으며, 상기 상부전극(56)의 상부면은 노출된다. 또한, 층간 절연층(60) 위에 플레이트 전극(58)이 적층되어 있고, 플레이트 전극(58)은 상부전극(56)의 노출된 영역과 콘택된다. 플레이트 전극(58)과 상부전극(56)은 동일 물질일 수 있다.
여기에서, 상기 절연층(53)은 SiO2 물질로 형성될 수 있다. 상기 데이터 저장층(54)은 인가되는 전압의 크기에 따라 저항이 변화하는 가변 저항체이다. 이와 같은 데이터 저장층(54)은 전이금속 산화물로 형성된다. 전이금속 산화물은 주기율표 상의 전이금속으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 원소의 산화물이다. 예를 들어 Ni, V, Zn, Nb, Ti, W 또는 Co의 산화물을 말하며, 이러한 전이금속 산화물의 일례로서 니켈 산화물(NiO), 바나듐 산화물(V2O5), 아연 산화물(ZnO), 니오븀 산화물(Nb2O5), 티타늄 산화물(TiO2), 텅스텐 산화물(WO3) 또는 코발트 산화물(CoO) 등이 있다. 이러한 전이금속 산화물로 형성된 저항체, 즉 데이터 저장층(54)을 이용하여 데이터를 저장하는 원리는 도 2와 함께 설명될 수 있다.
도 2는 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층의 전류-전압특성을 보여주는 그래프이다. 구체적으로는, 니켈 산화물로 형성된 데이터 저장층의 전류-전압특성 그래프이다. 그래프에서 보여주듯이, 전이금속 산화물은 인가되는 전압에 따라 서로 다른 저항값을 가질 수 있으며, 이와 같은 저항값의 차이를 이용하여 이진정보를 저장 및 판독할 수 있게 된다. 도 2를 참조하여 구체적으로 설명하면, 가로축 은 데이터 저장부(S)에 인가되는 전압을 나타내고, 세로축은 상기 전압에 따른 소오스(42)와 드레인(44)간에 흐르는 드레인 전류(Id)를 나타낸다.
참조부호 G1은 데이터 저장부(S)의 저항, 보다 정확하게는 데이터 저장층(54)의 저항값이 낮아졌을 때 적용되는 전류-전압 곡선을 보여주는 제1 그래프를 나타낸다. 그리고 참조부호 G2는 데이터 저장층(54)의 저항값이 높아졌을 때(드레인 전류값이 낮을 때) 적용되는 전류-전압 곡선을 보여주는 제2 그래프를 나타낸다.
제1 그래프(G1)를 참조하면, 데이터 저장층(54)에 인가되는 전압에 비례해서 드레인 전류(Id)가 변화하는 것을 알 수 있다. 그러나 데이터 저장층(54)에 인가되는 전압이 제1 전압(V1)(V1>0)이 되면서 데이터 저장층(54)의 저항이 갑자기 커지고 데이터 저장층(54)의 드레인 전류(Id)는 급격히 작아짐을 알 수 있다. 데이터 저장층(54)의 이러한 상태는 데이터 저장층(54)에 제2 전압(V2)(V2>V1)이 인가 될 때까지 유지된다. 곧, 데이터 저장층(54)에 전압이 인가되는 중에 △V(V1∼V2) 동안은 데이터 저장층(54)의 저항이 급격히 높아지게 된다. 계속해서 데이터 저장층(54)에 인가되는 전압이 제2 전압(V2)보다 커지면서 데이터 저장층(54)의 저항은 다시 급격히 낮아져 데이터 저장층(54)의 드레인 전류(Id) 변화는 데이터 저장층(54)에 제1 전압(V1)보다 작은 전압이 인가될 때와 동일하게, 인가되는 전압에 비례함을 알 수 있다.
한편, 본 발명자는 실험을 통해서 제1 전압(V1)보다 큰 전압 범위에서 데이터 저장 물질층(54)에 어떤 값의 전압이 인가되었느냐에 따라 제1 전압(V1)보다 작은 전압에서 측정된 전류값은 상기 측정 전압이 동일하더라도 다른 것을 알 수 있었다.
구체적으로, 데이터 저장층(54)에 제3 전압(V3>V2)을 인가하여 데이터 저장층(54)이 제1 저항값을 갖게 한 후, 데이터 저장층(54)에 제1 전압(V1)보다 작은 전압을 인가하였을 때는 데이터 저장층(54)으로부터 제1 그래프(G1)에 따른 전류값(저항값)이 측정되었다(이하, 제1 경우라 함).
반면, 데이터 저장층(54)에 제1 전압(V1)보다 크거나 같되, 제2 전압(V2)보다 작거나 같은 소정의 전압(V1≤V≤V2)을 인가하여 도 2에 도시한 바와 같이 데이터 저장층(54)이 제2 저항값(>제1 저항값)을 갖게 한 후, 데이터 저장층(54)에 제1 전압(V1)보다 작은 전압을 인가하였을 때는 데이터 저장층(54)으로부터 제2 그래프(G2)에 따른 전류값(저항값)이 측정되었다(이하, 제2 경우라 함).
제1 전압(V1)보다 작은 소정의 전압에서, 제2 그래프(G2)를 따라 측정된 전류값은 제1 그래프(G1)를 따라 측정된 전류값보다 훨씬 작다. 저항값의 경우는 반대로 된다. 이것은 제1 전압(v1)보다 작은 소정의 전압에서 데이터 저장층(54)으로부터 서로 다른 두 전류값이 측정될 수 있음을 의미한다. 측정되는 두 전류값은 각각 데이터 저장층(54)에 기록된 데이터 "0" 및 "1"에 해당된다.
이렇게 볼 때, 상기 제1 경우는 데이터 저장층(54)에 데이터 "1"을 기록하고 읽는 경우이고, 상기 제2 경우는 데이터 저장층(54)에 데이터 "0"을 기록하고 읽는 경우인 것을 알 수 있다.
상기 제1 및 제2 경우에 대한 데이터 값의 지정은 임의적인 것이다. 따라서, 상기 제1 경우는 데이터 "0"을 기록하고 읽는 경우가 될 수 있고, 상기 제2 경우는 데이터 "1"을 기록하고 읽는 경우가 될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시한 비휘발성 메모리 소자의 등가회로도이다. 여기에서, 참조 부호 Tr은 상기한 트랜지스터를 나타내고, Rv는 데이터 저장 층(54)에 해당되는 가변 저항체를 나타낸다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기 데이터 저장층(54)을 절연층(53)의 콘택홀(h1) 내에 형성함으로써, 종래 박막형태의 데이터 저장층이 아닌 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층(54)을 얻을 수 있다. 이러한 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층(54)은 종래보다 작은 사이즈를 가지면서도, 메모리 저장 특성은 종래보다 떨어지지 않는다. 특히, 이와 같이 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층(54)에 의하면, 메모리 소자의 집적도를 높일 수 있고, 데이터의 기록 및 소거에 필요한 전류, 즉 메모리 소자의 리셋전류(Ireset;reset current)를 낮출 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 실시예에 따라 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층 및 종래 박막형태의 데이터 저장층의 전류-전압특성을 보여주는 그래프이다. 여기에서 데이터 저장층은 NiO 물질로 형성하였으며, 각각 CVD법(도 4a) 및 PVD법(도 4b)에 의해 형성하였다. 도 4a 및 도 4b를 비교하면, 본 발명에 따른 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층에 있어서 전류-전압특성이 훨씬 우수한 것을 알 수 있다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제조방법을 보여주는 공정흐름도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 스위칭 소자로서 기판(40)에 형성된 트랜지스터를 준비한다. 상기 트랜지스터는 도전성 불순물이 도핑된 소오스(42)와 드레인(44) 및 소오스(42)와 드레인(44)사이의 채널 영역(46) 상에 형성된 게이트 적층물(48, 50)을 포함한다. 게이트 적층물(48, 50)은 순차적으로 적층된 게이트 절연막(48)과 게이트 전극(50)으로 구성된다. 여기에서, 상기 트랜지스터는 스위칭 소자의 일 실시예에 불과하며, 상기 트랜지스터 대신에 스위치 기능을 갖는 다이오드가 이용될 수도 있다.
다음에는 도 5b 내지 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 트랜지스터의 드레인(44) 상에 하부전극(52)을 형성하고, 상기 하부전극(52) 위에 소정두께의 SiO2 절연층(53)을 형성한다. 다음에는 상기 절연층(53)을 에칭하여 상기 절연층(53)에 상기 하부전극(52)의 소정영역이 노출되는 콘택홀(h1)을 형성한다. 그 다음에, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 콘택홀(h1)을 전이금속 산화물로 채워넣어 데이터 저장층(54)을 형성한다. 상기 데이터 저장층(54)의 형성과정에서 상기 절연층(53) 위에 전이금속 산화물층(미도시)이 더 형성될 수 있으나, 이러한 전이금속 산화물층(미 도시)은 에칭 등과 같은 공정에 의해 제거될 수 있다. 이와 같이 소정깊이를 가지는 콘택홀(h1)에 데이터 저장층(54)을 형성하기 위해서는 화학기상증착(CVD;chemical vapor deposition)법을 수행하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 CVD법에서 기상화된 전이금속과 산소소스가스를 반응시킬 수 있으며, 상기 화학기상증착법을 수행하는 동안 산소소스로서 H2O, O2, O2-활성화 플라즈마 가스 등을 교차 주입하여 상기 전이금속 산화물의 산소함유량을 조절할 수 있다. 상기 산소함유량을 제어함으로써 스위칭 특성이 우수한 데이터 저장층(54)를 얻을 수 있다. 데이터 저장층, 즉 전이금속 산화물의 산소함유량에 따른 스위칭특성에 대하여는 도 7의 그래프를 참고할 수 있다. CVD법에 의하면, 치밀하고 균일한 막질을 가지는 데이터 저장층(54)을 얻을 수 있다. 특히, 상기 데이터 저장층(54)을 절연층(53)의 콘택홀(h1) 내에 형성함으로써, 종래 박막형태의 데이터 저장층이 아닌 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층을 얻을 수 있다. 종래의 PVD법에 의할 경우 이러한 3차원 구조의 입체화된 데이터 저장층을 얻을 수 없었으며, 또한 전이금속 산화물로 데이터 저장층을 형성시에 산소함유량을 제어하는 것이 곤란하였다.
다음에는, 도 f에 도시된 바와 같이 상기 절연층(53) 및 데이터 저장층(54) 위에 상부전극을 형성한다. 그 다음에 도 5g 내지 도 5i에 도시된 바와 같이 상기 트랜지스터 및 데이터 저장부(S)를 매립하는 층간절연층(60)을 형성한 후, 상기 상부전극(56)의 상부면을 일부 노출시킨다. 그 다음에 상기 층간 절연층(60) 및 상부전극(56)의 노출된 영역 위에 플레이트 전극(58)을 형성한다.
상기와 같은 본 발명의 제조방법에 따르면, 종래 박막형태의 데이터 저장층이 아닌 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층을 얻을 수 있다. 이러한 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층은 종래보다 작은 사이즈를 가지면서도, 메모리 저장 특성은 종래보다 떨어지지 않는다. 특히, 이와 같이 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층에 의하면, 메모리 소자의 집적도를 높일 수 있고, 데이터의 기록 및 소거에 필요한 전류, 즉 메모리 소자의 리셋전류(Ireset;reset current)를 낮출 수 있다.
도 6은 3차원 구조로 입체화된 니켈 산화물(NiO) 데이터 저장층을 보여주는 단면사진이다.
도 7은 전이금속 산화물로 형성된 데이터 저장층의 산소함유량에 따른 스위칭특성을 보여주는 그래프이다. 도시된 그래프에서 알 수 있는 바와 같이 산소함유량은 데이터 저장층의 스위칭특성에 상당한 영향을 줄 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 화학기상증착(CVD)법에 의해 데이터 저장층이 형성되기 때문에, 치밀하고 균일한 막질을 가지는 데이터 저장층을 얻을 수 있다. 특히, 상기 데이터 저장층을 절연층의 콘택홀 내에 형성함으로써, 종래 박막형태의 데이터 저장층이 아닌 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층을 얻을 수 있다. 이러한 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층은 종래보다 작은 사이즈를 가지면서도, 메모리 저장 특성은 종래보다 떨어지지 않는다. 특히, 이와 같이 3차원 구조로 입체화된 데이터 저장층에 의하면, 메모리 소자의 집적도를 높일 수 있고, 데이터 의 기록 및 소거에 필요한 전류, 즉 메모리 소자의 리셋전류(Ireset;reset current)를 낮출 수 있다.
이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 스위칭 소자를 준비하는 단계; 및
    상기 스위칭 소자에 전기적으로 연결된 데이터 저장부를 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법에 있어서,
    상기 데이터 저장부를 형성하는 단계:는,
    상기 스위칭 소자에 연결되는 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 하부전극 위에 소정두께의 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층에 상기 하부전극이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀에 전이금속 산화물로 데이터 저장층을 형성하는 단계; 및
    상기 절연층 및 데이터 저장층 위에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 전이금속 산화물은 Ni, V, Zn, Nb, Ti, W 또는 Co의 산화물인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 데이터 저장층은 화학기상증착(CVD)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 화학기상증착법을 수행하는 동안 산소소스로서 H2O, O2, O2-활성화 플라즈마 가스 등을 교차 주입하여 상기 전이금속 산화물의 산소함유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연층은 SiO2 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 트랜지스터 또는 스위칭 기능을 갖는 다이오드인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
KR1020050008752A 2005-01-31 2005-01-31 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 KR100682926B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050008752A KR100682926B1 (ko) 2005-01-31 2005-01-31 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
EP05256190A EP1686624B1 (en) 2005-01-31 2005-10-04 Method of fabricating a nonvolatile memory device made of electric resistance material
DE602005001924T DE602005001924T2 (de) 2005-01-31 2005-10-04 Verfahren zur Herstellung eines nicht-flüchtigen Speicherbauelements aus elektrischem Widerstandsmaterial
JP2005337858A JP5472888B2 (ja) 2005-01-31 2005-11-22 抵抗体を利用した不揮発性メモリ素子の製造方法
US11/295,551 US7820996B2 (en) 2005-01-31 2005-12-07 Nonvolatile memory device made of resistance material and method of fabricating the same
US12/923,429 US8168469B2 (en) 2005-01-31 2010-09-21 Nonvolatile memory device made of resistance material and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050008752A KR100682926B1 (ko) 2005-01-31 2005-01-31 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060087882A KR20060087882A (ko) 2006-08-03
KR100682926B1 true KR100682926B1 (ko) 2007-02-15

Family

ID=36297229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050008752A KR100682926B1 (ko) 2005-01-31 2005-01-31 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7820996B2 (ko)
EP (1) EP1686624B1 (ko)
JP (1) JP5472888B2 (ko)
KR (1) KR100682926B1 (ko)
DE (1) DE602005001924T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8426837B2 (en) 2007-05-11 2013-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Resistive memory device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8468777B2 (en) * 2005-02-16 2013-06-25 Yuyama Mfg. Co., Ltd. Tablet filling device
KR100684908B1 (ko) 2006-01-09 2007-02-22 삼성전자주식회사 다수 저항 상태를 갖는 저항 메모리 요소, 저항 메모리 셀및 그 동작 방법 그리고 상기 저항 메모리 요소를 적용한데이터 처리 시스템
KR100764343B1 (ko) * 2006-09-22 2007-10-08 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
KR100785032B1 (ko) * 2006-11-29 2007-12-12 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법
US7704789B2 (en) * 2007-02-05 2010-04-27 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
US7678607B2 (en) * 2007-02-05 2010-03-16 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
US7972897B2 (en) 2007-02-05 2011-07-05 Intermolecular, Inc. Methods for forming resistive switching memory elements
US7629198B2 (en) * 2007-03-05 2009-12-08 Intermolecular, Inc. Methods for forming nonvolatile memory elements with resistive-switching metal oxides
US8097878B2 (en) * 2007-03-05 2012-01-17 Intermolecular, Inc. Nonvolatile memory elements with metal-deficient resistive-switching metal oxides
KR100852206B1 (ko) * 2007-04-04 2008-08-13 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법.
JP5422552B2 (ja) * 2007-05-09 2014-02-19 インターモレキュラー， インコーポレイテッド 抵抗性スイッチング不揮発性メモリ要素
US7863087B1 (en) 2007-05-09 2011-01-04 Intermolecular, Inc Methods for forming resistive-switching metal oxides for nonvolatile memory elements
US7881092B2 (en) * 2007-07-24 2011-02-01 Rising Silicon, Inc. Increased switching cycle resistive memory element
WO2009015298A2 (en) * 2007-07-25 2009-01-29 Intermolecular, Inc. Nonvolatile memory elements
JP5501966B2 (ja) 2007-07-25 2014-05-28 インターモレキュラー， インコーポレイテッド 多状態の不揮発性メモリ素子
KR20090055874A (ko) * 2007-11-29 2009-06-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
US7768812B2 (en) 2008-01-15 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices
US7741630B2 (en) * 2008-02-08 2010-06-22 Qimonda Ag Resistive memory element and method of fabrication
DE102008008144A1 (de) * 2008-02-08 2009-08-20 Qimonda Ag Resistives Speicherelement und Herstellungsverfahren
JP2009206418A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Elpida Memory Inc 不揮発性メモリ装置及びその製造方法
JP5364280B2 (ja) 2008-03-07 2013-12-11 株式会社東芝 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP5488458B2 (ja) 2008-04-07 2014-05-14 日本電気株式会社 抵抗変化素子及びその製造方法
US8034655B2 (en) * 2008-04-08 2011-10-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays
US8211743B2 (en) * 2008-05-02 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes
JP5215741B2 (ja) * 2008-06-09 2013-06-19 シャープ株式会社 可変抵抗素子
US8134137B2 (en) * 2008-06-18 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Memory device constructions, memory cell forming methods, and semiconductor construction forming methods
US9343665B2 (en) 2008-07-02 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory cell and methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
KR20110080153A (ko) * 2008-10-08 2011-07-12 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 저항을 조정할 수 있는 실리콘계 나노 스케일 저항 디바이스
KR20100041155A (ko) 2008-10-13 2010-04-22 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자
EP2202816B1 (en) * 2008-12-24 2012-06-20 Imec Method for manufacturing a resistive switching memory device
JP5462490B2 (ja) * 2009-01-19 2014-04-02 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JP2010177624A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2010287683A (ja) 2009-06-10 2010-12-24 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP5001464B2 (ja) * 2010-03-19 2012-08-15 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置
US8362477B2 (en) * 2010-03-23 2013-01-29 International Business Machines Corporation High density memory device
US8427859B2 (en) 2010-04-22 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8411477B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8289763B2 (en) 2010-06-07 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Memory arrays
US8351242B2 (en) 2010-09-29 2013-01-08 Micron Technology, Inc. Electronic devices, memory devices and memory arrays
US8927909B2 (en) 2010-10-11 2015-01-06 Stmicroelectronics, Inc. Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability
US8759809B2 (en) 2010-10-21 2014-06-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells having platelike electrode and ion conductive material layer
US8526213B2 (en) 2010-11-01 2013-09-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of programming memory cells, and methods of forming memory cells
US8796661B2 (en) 2010-11-01 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell
JP5148025B2 (ja) * 2010-11-19 2013-02-20 パナソニック株式会社 不揮発性半導体記憶素子の製造方法
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8809861B2 (en) 2010-12-29 2014-08-19 Stmicroelectronics Pte Ltd. Thin film metal-dielectric-metal transistor
US9159413B2 (en) 2010-12-29 2015-10-13 Stmicroelectronics Pte Ltd. Thermo programmable resistor based ROM
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8488365B2 (en) 2011-02-24 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Memory cells
US8537592B2 (en) 2011-04-15 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
WO2013009316A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristors having mixed oxide phases
US8526214B2 (en) * 2011-11-15 2013-09-03 Stmicroelectronics Pte Ltd. Resistor thin film MTP memory
TWI503949B (zh) * 2011-11-18 2015-10-11 Chrongjung Lin 可變且可逆之電阻式記憶儲存單元及記憶儲存模組
KR20150043759A (ko) * 2013-10-15 2015-04-23 에스케이하이닉스 주식회사 저항 변화 메모리 장치 및 그의 제조방법
KR101726178B1 (ko) * 2015-12-15 2017-04-12 현대오트론 주식회사 전자제어장치 모듈
JP2017174860A (ja) * 2016-03-18 2017-09-28 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
US9978942B2 (en) 2016-09-20 2018-05-22 Arm Ltd. Correlated electron switch structures and applications
US20230065465A1 (en) * 2021-08-23 2023-03-02 Macronix International Co., Ltd. Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030024156A (ko) * 2001-09-17 2003-03-26 한국전자통신연구원 급격한 금속-절연체 상전이를 이용한 전계 효과 트랜지스터
KR20040104967A (ko) * 2003-06-03 2004-12-14 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20060023860A (ko) * 2004-09-10 2006-03-15 삼성전자주식회사 전이금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는비휘발성 기억 셀들 및 그 제조방법들

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761896A (en) * 1972-04-18 1973-09-25 Ibm Memory array of cells containing bistable switchable resistors
US4472296A (en) * 1982-06-21 1984-09-18 Iowa State University Research Foundation, Inc. Bulk, polycrystalline switching materials for threshold and/or memory switching
JPS6242582A (ja) 1985-08-20 1987-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非線形抵抗素子及びその製造方法
JPS63226981A (ja) * 1987-03-16 1988-09-21 Fujitsu Ltd 超伝導集積回路装置およびその製造方法
JPH0258264A (ja) 1988-08-23 1990-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリー素子
FR2636481B1 (fr) * 1988-09-14 1990-11-30 Sgs Thomson Microelectronics Diode active integrable
US5406509A (en) 1991-01-18 1995-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
KR950002113B1 (ko) 1991-08-09 1995-03-13 이상일 알칼리성 산업폐수의 처리방법
JP3454821B2 (ja) 1991-08-19 2003-10-06 エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド 電気的に消去可能な、直接重ね書き可能なマルチビット単セルメモリ素子およびそれらから作製したアレイ
JP3253696B2 (ja) * 1992-09-11 2002-02-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子
US5310359A (en) 1993-06-10 1994-05-10 Molex Incorporated Cable connector with strain relief
US5751012A (en) * 1995-06-07 1998-05-12 Micron Technology, Inc. Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell
US5640343A (en) * 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells
US6461982B2 (en) * 1997-02-27 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming a dielectric film
US6586790B2 (en) * 1998-07-24 2003-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
GB9902993D0 (en) * 1999-02-11 1999-03-31 Univ Strathclyde Low pressure chemical vapour deposition of titanium dioxide
EP1153434A1 (en) 1999-02-17 2001-11-14 International Business Machines Corporation Microelectronic device for storing information and method thereof
US6151241A (en) * 1999-05-19 2000-11-21 Symetrix Corporation Ferroelectric memory with disturb protection
US6297539B1 (en) * 1999-07-19 2001-10-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same
JP2001148465A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2001237380A (ja) * 2000-02-25 2001-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変抵抗素子およびそれを用いた半導体装置
EP1282911B1 (en) * 2000-05-15 2018-09-05 Asm International N.V. Process for producing integrated circuits
JP4050446B2 (ja) * 2000-06-30 2008-02-20 株式会社東芝 固体磁気メモリ
JP2002176150A (ja) * 2000-09-27 2002-06-21 Canon Inc 磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法
JP4223189B2 (ja) * 2000-12-26 2009-02-12 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6358756B1 (en) * 2001-02-07 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Self-aligned, magnetoresistive random-access memory (MRAM) structure utilizing a spacer containment scheme
JP3892736B2 (ja) * 2001-03-29 2007-03-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE10128482A1 (de) * 2001-06-12 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7135734B2 (en) * 2001-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Graded composition metal oxide tunnel barrier interpoly insulators
CN100448049C (zh) 2001-09-25 2008-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 使用固体电解质的电气元件和存储装置及其制造方法
KR20030034500A (ko) 2001-10-23 2003-05-09 주식회사 하이닉스반도체 마그네틱 램
US6847535B2 (en) * 2002-02-20 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation
US6891749B2 (en) * 2002-02-20 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Resistance variable ‘on ’ memory
WO2003079463A2 (en) * 2002-03-15 2003-09-25 Axon Technologies Corporation Programmable structure, an array including the structure, and methods of forming the same
US20030189851A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Brandenberger Sarah M. Non-volatile, multi-level memory device
JP4103497B2 (ja) 2002-04-18 2008-06-18 ソニー株式会社 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
US7041609B2 (en) * 2002-08-28 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using alcohols
US6583003B1 (en) * 2002-09-26 2003-06-24 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of fabricating 1T1R resistive memory array
US7205562B2 (en) * 2002-12-13 2007-04-17 Intel Corporation Phase change memory and method therefor
US6887523B2 (en) 2002-12-20 2005-05-03 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for metal oxide thin film deposition via MOCVD
JP4613478B2 (ja) * 2003-05-15 2011-01-19 ソニー株式会社 半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置
KR101051704B1 (ko) * 2004-04-28 2011-07-25 삼성전자주식회사 저항 구배를 지닌 다층막을 이용한 메모리 소자
JP2006080259A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性メモリ、ならびにこれらの製造方法
US20070132049A1 (en) * 2005-12-12 2007-06-14 Stipe Barry C Unipolar resistance random access memory (RRAM) device and vertically stacked architecture

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030024156A (ko) * 2001-09-17 2003-03-26 한국전자통신연구원 급격한 금속-절연체 상전이를 이용한 전계 효과 트랜지스터
KR20040104967A (ko) * 2003-06-03 2004-12-14 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20060023860A (ko) * 2004-09-10 2006-03-15 삼성전자주식회사 전이금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는비휘발성 기억 셀들 및 그 제조방법들

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8426837B2 (en) 2007-05-11 2013-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Resistive memory device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005001924T2 (de) 2008-04-30
EP1686624B1 (en) 2007-08-08
EP1686624A1 (en) 2006-08-02
US7820996B2 (en) 2010-10-26
JP5472888B2 (ja) 2014-04-16
KR20060087882A (ko) 2006-08-03
US20060170027A1 (en) 2006-08-03
US8168469B2 (en) 2012-05-01
JP2006210882A (ja) 2006-08-10
DE602005001924D1 (de) 2007-09-20
US20110008945A1 (en) 2011-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100682926B1 (ko) 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US7602042B2 (en) Nonvolatile memory device, array of nonvolatile memory devices, and methods of making the same
US7615769B2 (en) Nonvolatile memory device and fabrication method thereof
US7821809B2 (en) Nonvolatile memory device and method including resistor and transistor
US9236568B2 (en) Sidewall thin film electrode with self-aligned top electrode and programmable resistance memory
US7400027B2 (en) Nonvolatile memory device having two or more resistance elements and methods of forming and using the same
US7932506B2 (en) Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device
US7599216B2 (en) Phase change memory devices and fabrication methods thereof
JP4805865B2 (ja) 可変抵抗素子
KR101206036B1 (ko) 전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법
KR20180109287A (ko) 메모리 소자
US20080258126A1 (en) Memory Cell Sidewall Contacting Side Electrode
US20100019215A1 (en) Mushroom type memory cell having self-aligned bottom electrode and diode access device
KR101058856B1 (ko) 기억소자 및 이를 이용한 기억장치
US7449360B2 (en) Phase change memory devices and fabrication methods thereof
US20070200108A1 (en) Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same
WO1997040499A1 (en) Multibit single cell memory having tapered contact
KR20150093149A (ko) 기억 소자 및 기억 장치
KR100647332B1 (ko) 저항 변환 물질을 포함하는 ｒｒａｍ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130115

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200131

Year of fee payment: 14