JP5148025B2 - 不揮発性半導体記憶素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1および図2は、本発明の実施の形態1における不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。
図5は、本発明の実施の形態2における不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。図5において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
図5に示す実施の形態2の製造方法において、抵抗変化素子を構成する各層の積層順を上下逆にしてもよい。ここで、第2の導電膜107Mを形成した後までの工程は、上述の実施の形態2と同じである。
図6は、本発明の実施の形態3における不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。図6において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
実施の形態2の変形例と同様、実施の形態3の製造方法においても、抵抗変化素子を構成する各層の積層順を上下逆にしてもよい。その製造方法は、実施の形態2の変形例に準じた製造方法を適用可能である。
上述した、図7で抵抗変化素子の側壁酸化のためのアニールを上部電極110形成の直後に実施すると、実効的な側壁酸化レートが向上することを確認したが、その一方で側壁酸化を過剰にすると、初期抵抗が通常の初期抵抗値よりさらに高い絶縁状態になる場合があることが分かった。これを解析すると、上部電極110が剥離していることが原因であると判明した。これは、抵抗変化層109が全面に残った状態での酸化処理は、ストレス変動が大きく、その影響を受けて上部電極110が剥離したものと考えられる。本実施の形態4の製造方法は、これを解決するものである。
101 下層配線
102 層間絶縁層
103 コンタクトホール
104 コンタクトプラグ
105 ダイオード素子の下部電極
105M 第1の導電膜
106 半導体層
106S 半導体膜
107 ダイオード素子の上部電極
107M 第2の導電膜
108 抵抗変化素子の下部電極
108M 第3の導電膜
109 抵抗変化層
109a 第1の抵抗変化層
109aF 第1の抵抗変化膜
109b 第2の抵抗変化層
109bF 第2の抵抗変化膜
109c 絶縁領域(第2の抵抗変化領域)
109cF 絶縁膜領域
110 抵抗変化素子の上部電極
110M 第4の導電膜
111 ストレス強化層
111M ストレス強化膜
Claims (7)
- 基板上に第1の導電膜を成膜する工程と、
前記第1の導電膜上に半導体膜を成膜する工程と、
前記半導体膜上に第2の導電膜を成膜する工程と、
前記第2の導電膜上に第3の導電膜を成膜する工程と、
前記第3の導電膜上に酸素含有率が異なる複数層で構成される抵抗変化膜を成膜する工程と、
前記抵抗変化膜上に第4の導電膜を成膜する工程と、
前記第4の導電膜をパターニングして抵抗変化素子の上部電極を形成する工程と、
前記抵抗変化膜をパターニングして前記抵抗変化素子の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第3の導電膜をパターニングして前記抵抗変化素子の下部電極を形成する工程と、
前記第2の導電膜をパターニングしてMSMダイオード素子の上部電極を形成する工程と、
前記半導体膜をパターニングして前記MSMダイオード素子の半導体層を形成する工程と、
前記第1の導電膜をパターニングして前記MSMダイオード素子の下部電極を形成する工程とを備え、
さらに、前記抵抗変化素子の上部電極をパターニングして形成した後、少なくとも前記MSMダイオード素子の上部電極をパターニングして形成する工程の前に、前記抵抗変化層の端面近傍領域における抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する工程を有する
不揮発性半導体記憶素子の製造方法。 - 前記抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する工程は、前記抵抗変化素子の下部電極をパターニングして形成する工程と前記MSMダイオード素子の上部電極をパターニングして形成する工程との間に、前記抵抗変化膜の一部を酸化する工程である
請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。 - 前記抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する工程は、前記抵抗変化層をパターニングして形成する工程と前記抵抗変化素子の下部電極をパターニングして形成する工程との間に、前記抵抗変化膜の一部を酸化する工程である
請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。 - 前記抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する工程は、前記抵抗変化素子の上部電極をパターニングして形成する工程と前記抵抗変化層をパターニングして形成する工程との間に、前記抵抗変化膜の一部を酸化する工程である
請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。 - さらに、前記抵抗変化素子の上部電極の上に、前記上部電極の機械的ストレス極性と逆極性の機械的ストレス極性を有するストレス強化層を形成する工程を有する
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。 - さらに、前記第1の導電膜を成膜する工程の前に、前記第1の導電膜に接続するコンタクトプラグを形成する工程を有する
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。 - 前記抵抗変化層は、タンタル、ハフニウム又はジルコニウムの酸化物層で構成される
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。
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