JP4375561B2 - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
半導体素子が形成された基板と、
前記基板の上方に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層に形成されたプラグと、
前記プラグの上方を含む領域に形成された密着層と、
前記密着層の上方に形成され、下部電極、強誘電体層及び上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
を含み、
前記密着層の一部である側壁には、酸化層が形成されている。
前記密着層の上面は、前記下部電極の下面とほぼ同一の面積を有していてもよい。
前記密着層は、アルミニウムを含む導電材料からなり、
前記酸化層は、酸化アルミニウムを含んでもよい。
前記密着層は、前記プラグの上方に形成された第1の密着層と、前記第1の密着層よりも大きい平面形状を有し前記第1の密着層の上方及び側方に形成された第2の密着層と、を含み、
前記酸化層は、前記第2の密着層の一部である側壁に形成されていてもよい。
前記第1の密着層は、前記第2の密着層よりも低抵抗材料から構成されていてもよい。
前記第1の密着層は、窒化チタン層であり、
前記第2の密着層は、窒化チタンアルミニウム層であってもよい。
(a)半導体素子が形成された基板の上方に、層間絶縁層を形成すること、
(b)前記層間絶縁層にプラグを形成すること、
(c)前記プラグの上方を含む領域に、密着層、下部電極、強誘電体層及び上部電極を含む積層体を形成すること、
(d)前記積層体をパターニングすることにより、強誘電体キャパシタを形成すること、
(e)酸素雰囲気においてアニール処理を行うことにより、密着層の一部である側壁に酸化層を形成すること、
を含む。
40…プラグ 42…バリア層42 44…導電層 50…積層体 52…密着層
54…下部電極 56…強誘電体層 58…上部電極 60…密着層 62…導電層
64…酸化層 70…強誘電体キャパシタ 72…下部電極 74…強誘電体層
76…上部電極 80…積層体 81…第1の密着層 82…第2の密着層
84…下部電極 86…強誘電体層 88…上部電極 90…密着層
92…第1の密着層 94…第2の密着層 96…導電層 98…酸化層
100…強誘電体キャパシタ 102…下部電極 104…強誘電体層
106…上部電極
Claims (4)
- 半導体素子が形成された基板と、
前記基板の上方に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層に形成されたプラグと、
前記プラグの上方を含む領域に形成された密着層と、
前記密着層の上方に形成され、下部電極、強誘電体層及び上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
を含み、
前記密着層は、前記プラグの上方に形成された窒化チタンからなる第1の密着層と、前記第1の密着層よりも大きい平面形状を有し前記第1の密着層の上方及び側方に形成された窒化チタンアルミニウムからなる第2の密着層と、を含み、
前記第2の密着層の一部である側壁には、酸化層が形成されている、半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置において、
前記密着層の上面は、前記下部電極の下面とほぼ同一の面積を有する、半導体記憶装置。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置において、
前記酸化層は、酸化アルミニウムを含む、半導体記憶装置。 - (a)半導体素子が形成された基板の上方に、層間絶縁層を形成すること、
(b)前記層間絶縁層にプラグを形成すること、
(c)前記プラグの上方を含む領域に、窒化チタンからなる第1の密着層と、前記第1の密着層よりも大きい平面形状を有し前記第1の密着層の上方及び側方に形成された窒化チタンアルミニウムからなる第2の密着層と、下部電極、強誘電体層及び上部電極を含む積層体を形成すること、
(d)前記積層体をパターニングすることにより、強誘電体キャパシタを形成すること、
(e)酸素雰囲気においてアニール処理を行うことにより、前記第2の密着層の一部である側壁に酸化層を形成すること、
を含む、半導体記憶装置の製造方法。
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