JP4549401B2 - 抵抗記憶素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による抵抗記憶素子並びにその抵抗記憶素子を用いた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法について図1乃至図11を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による抵抗記憶素子並びにその抵抗記憶素子を用いた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を図12乃至図15を用いて説明する。なお、第1実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第3実施形態による抵抗記憶素子並びにその抵抗記憶素子を用いた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を図16乃至図19を用いて説明する。なお、第1及び第2実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第4実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法について図20及び図21を用いて説明する。図20及び図21は、本実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第1乃至第3実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第5実施形態による抵抗記憶素子並びにその抵抗記憶素子を用いた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を図23乃至図25を用いて説明する。なお、第1乃至第4実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第6実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法について図26を用いて説明する。図26は、本実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第1乃至第5実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第7実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法について図27を用いて説明する。図27は、本実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第1乃至第6実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第8実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法について図28を用いて説明する。図28は、本実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第1乃至第7実施形態による抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記下部電極層上に、遷移金属膜を形成する工程と、
前記遷移金属膜上に、貴金属酸化膜を含む上部電極層を形成する工程と、
前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給して前記遷移金属膜を酸化し、遷移金属酸化膜より成る抵抗記憶層を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層を形成する工程では、前記遷移金属酸化膜と前記貴金属酸化膜との間に、前記貴金属酸化膜を構成する貴金属より成る貴金属膜が形成される
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層を形成する工程では、前記遷移金属膜の全部を酸化することにより、前記遷移金属酸化膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層を形成する工程では、前記遷移金属膜の一部を酸化することにより、前記遷移金属酸化膜を形成し、前記遷移金属酸化膜と前記下部電極層との間に、前記遷移金属膜を残存させる
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層を形成する工程では、前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を解離させ、前記貴金属酸化膜を、前記貴金属酸化膜を構成する貴金属より成る貴金属膜に変化させる
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記上部電極層を形成する工程では、前記貴金属酸化膜上に、前記遷移金属膜の材料よりも酸化されにくい材料より成る導電膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記導電膜は、貴金属を含む
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記上部電極層を形成する工程では、加熱しながら前記貴金属酸化膜を形成することにより、結晶化された前記貴金属酸化膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記上部電極層を形成する工程では、350℃以下の温度で加熱しながら前記貴金属酸化膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記上部電極層を形成する工程では、酸化性ガスを含む雰囲気中で加熱しながら前記貴金属酸化膜を形成することにより、前記遷移金属膜の表面を酸化する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記上部電極層を形成する工程では、350℃以下の温度で加熱しながら前記貴金属酸化膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記貴金属酸化膜上に、遷移金属膜を形成する工程と、
前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給して前記遷移金属膜を酸化し、遷移金属酸化膜より成る抵抗記憶層を形成する工程と、
前記抵抗記憶層上に、上部電極層を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層を形成する工程では、熱処理を行うことにより、前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記熱処理の温度は、200〜750℃である
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記熱処理の温度は、300〜500℃である
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層を形成する工程では、不活性ガス雰囲気中、又は不活性ガスと酸化性ガスとの混合ガス雰囲気中で前記熱処理を行う
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記遷移金属酸化膜は、化学量論的組成よりも酸素の組成比が少ない
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
前記抵抗記憶層は、化学量論的組成よりも酸素の組成比が少ない遷移金属酸化膜より成る
ことを特徴とする抵抗記憶素子。
前記遷移金属酸化膜は、前記上部電極層側から前記下部電極側に向かって酸素濃度が低くなっている
ことを特徴とする抵抗記憶素子。
前記遷移金属酸化膜は、前記下部電極層側から前記上部電極側に向かって酸素濃度が低くなっている
ことを特徴とする抵抗記憶素子。
12…素子分離領域
14…ゲート電極
16,18…ソース/ドレイン拡散層
20…選択トランジスタ
22…層間絶縁膜
24,26…コンタクトホール
28,30…コンタクトプラグ
32…ソース線
34…中継配線
36…層間絶縁膜
38…コンタクトホール
40…コンタクトプラグ
42、42a、42b、42c、42d…抵抗記憶素子
44、44a…下部電極層
46…遷移金属膜
48…抵抗記憶層
48a…遷移金属酸化膜
50、50a、50b…上部電極層
52…密着層
54…貴金属膜
56…貴金属膜
58…貴金属酸化膜
58c…結晶化された貴金属酸化膜
60…層間絶縁膜
62…コンタクトホール
64…コンタクトプラグ
66…ビット線
68、78…下部電極層
70、80…抵抗記憶層
72、82…上部電極層
74…タングステンプラグ
76…層間絶縁膜
84…アルミニウム配線
86…貴金属膜
88…貴金属酸化膜
90…貴金属膜
92…導電膜
Claims (10)
- 半導体基板の上方に、下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層上に、遷移金属膜を形成する工程と、
前記遷移金属膜上に、貴金属酸化膜を含む上部電極層を形成する工程と、
前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給して前記遷移金属膜を酸化し、遷移金属酸化膜より成り、電圧の印加によって高抵抗状態と低抵抗状態とが切り換わる抵抗変化層を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程では、前記遷移金属酸化膜と前記貴金属酸化膜との間に、前記貴金属酸化膜を構成する貴金属より成る貴金属膜が形成される
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程では、前記遷移金属膜の全部を酸化することにより、前記遷移金属酸化膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程では、前記遷移金属膜の一部を酸化することにより、前記遷移金属酸化膜を形成し、前記遷移金属酸化膜と前記下部電極層との間に、前記遷移金属膜を残存させる
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程では、前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を解離させ、前記貴金属酸化膜を、前記貴金属酸化膜を構成する貴金属より成る貴金属膜に変化させる
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記上部電極層を形成する工程では、前記貴金属酸化膜上に、前記遷移金属膜の材料よりも酸化されにくい材料より成る導電膜を形成する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 半導体基板の上方に、貴金属酸化膜を含む下部電極層を形成する工程と、
前記貴金属酸化膜上に、遷移金属膜を形成する工程と、
前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給して前記遷移金属膜を酸化し、遷移金属酸化膜より成り、電圧の印加によって高抵抗状態と低抵抗状態とが切り換わる抵抗変化層を形成する工程と、
前記抵抗変化層上に、上部電極層を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程では、熱処理を行うことにより、前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記上部電極層を形成する工程の後、前記抵抗変化層を形成する工程の前に、少なくとも前記下部電極層と前記遷移金属膜と前記上部電極層とを前記抵抗記憶素子の形状にパターニングする工程を更に有し、
前記抵抗変化層を形成する工程では、熱処理を行うことにより、前記貴金属酸化膜に含まれる酸素を前記遷移金属膜に供給する
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 請求項8又は9記載の抵抗記憶素子の製造方法において、
前記熱処理の温度は、200〜750℃である
ことを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
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