JP2007067385A - Ｒｒａｍ薄膜堆積のためのバッファ層形成方法 - Google Patents
Ｒｒａｍ薄膜堆積のためのバッファ層形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007067385A JP2007067385A JP2006210546A JP2006210546A JP2007067385A JP 2007067385 A JP2007067385 A JP 2007067385A JP 2006210546 A JP2006210546 A JP 2006210546A JP 2006210546 A JP2006210546 A JP 2006210546A JP 2007067385 A JP2007067385 A JP 2007067385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- buffer layer
- rram
- depositing
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 47
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 15
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- -1 cobalt metal oxide Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】 ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法は、基板を準備する準備工程と、前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、前記下部電極上に複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を堆積させる遷移金属膜堆積工程と、前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールするアニール工程と、前記ＲＲＡＭを完成させるＲＲＡＭ形成工程とを有する。
【選択図】 図１
【解決手段】 ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法は、基板を準備する準備工程と、前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、前記下部電極上に複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を堆積させる遷移金属膜堆積工程と、前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールするアニール工程と、前記ＲＲＡＭを完成させるＲＲＡＭ形成工程とを有する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、遷移金属を用いた、ＲＲＡＭ金属酸化薄膜をその上に堆積させるための薄いバッファ層の形成方法に関する。
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、及びコバルトといった遷移金属は、複数の原子価を持つことが知られている。こうした遷移金属は、加熱すると空気中あるいは酸化物の酸素と結びつき、容易に酸化する。電気パルスを印加すると可逆性抵抗変化を示すＰｒ０．３Ｃａ０．７ＭｎＯ３（ＰＣＭＯ）といった金属酸化薄膜が、エピタキシャルＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７（ＹＢＣＯ）上、及び、部分的にエピタキシャルの白金基板上の両方で、パルスレーザーアブレーション法（ＰＬＡ）により形成されることが、下記の非特許文献１及び特許文献１にて開示されている。
本発明の目的は、金属酸化物であるＲＲＡＭのスイッチング特性を高めることにある。
ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法は、基板を準備する準備工程と、前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、前記下部電極上に複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を堆積させる遷移金属膜堆積工程と、前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールするアニール工程と、前記ＲＲＡＭを完成させるＲＲＡＭ形成工程とを有することを特徴とする。
課題を解決するための手段の欄で示した記載によって、本発明の特徴の可及的速やかな理解が提供される。更に、本発明の十分な理解は、下記に詳述された図面と発明を実施するための最良の形態を参照することによって得られる。
ＲＲＡＭ金属酸化薄膜の酸欠特性を考慮して、例えば１０ｎｍ未満といった臨界的な薄さの、コバルト、クロム等の遷移金属から成るバッファ層を、電極とＲＲＡＭ薄膜の間に配置する。ポストアニール工程の間に遷移金属は酸化し、遷移金属酸化物が形成される。選択された遷移金属が複数の原子価を持つため、結果として生じる遷移金属酸化物によって、強い酸欠特性を持つＲＲＡＭ金属酸化物の界面層の形成が容易になるとともに、スイッチング特性を高めることができる。特許文献２及び３は夫々、様々なＲＲＡＭ電極とＲＲＡＭ金属酸化物のスイッチング特性を開示している。
Ｐｒ０．３Ｃａ０．７ＭｎＯ３（ＰＣＭＯ）薄膜は、上記非特許文献１にもあるように、可逆性抵抗変化を有することが分かっている。電気パルスをナノ秒の持続時間で、例えば５Ｖの電気振幅、１００ｎ秒の持続時間で印加することによって、抵抗が高抵抗状態になる。抵抗を低抵抗状態にリセットするには、電気パルスをマイクロ秒の持続時間で、例えば、３Ｖの振幅、１０μ秒のパルス幅で印加する。この抵抗スイッチング特性により、ＰＣＭＯ薄膜は不揮発性メモリへの利用に適している。
白金は、ＰＣＭＯ薄膜を集積化する際に用いられる一般的な電極材料である。特許文献２では、ＲＲＡＭ装置で電極として用いられる遷移金属、及び、金属窒化物を挙げている。特許文献２で明らかにされた遷移金属に加えて、最近、電極とＲＲＡＭ薄膜の間に遷移金属から成るバッファ層を配置することでＲＲＡＭの電気特性に好ましい作用が生じることが判明した。
本発明の方法は、図１の矢符１０で示すように、基板の準備工程（工程１２）から始まる。基板は、単結晶のシリコン、もしくは二酸化シリコンである。次に、工程１４で下部電極が堆積される。下部電極は、白金あるいは、他の貴金属から成り、約５０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で堆積される。次に工程１６にて、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト等の原子価を複数持つ遷移金属膜が、約２ｎｍ〜１０ｎｍの臨界的な膜厚で、電子ビーム蒸着によって堆積される。ここで、遷移金属膜に関して用いられている「薄」という表現は、約２ｎｍ〜１０ｎｍの間の膜厚を意味している。次に工程１８にて、ＰＣＭＯといった金属酸化膜が、約８０ｎｍ〜８００ｎｍの膜厚で堆積される。工程２０では、白金あるいは他の貴金属から成る上部電極が、約５０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で、前記金属酸化膜上に堆積される。工程２２で、工程２０までに形成された構造が約４００℃〜６５０℃の温度の空気中で、約２分〜３０分間アニールされる。最後に工程２４で、前記基板、電極、金属酸化膜を封止し、当該構造に対して金属配線を施すことによって、ＲＲＡＭが形成される。ポストアニール工程の間に遷移金属は酸化し、遷移金属酸化物が形成される。選択された遷移金属が複数の原子価を持つため、結果として生じる遷移金属酸化物によって、強い酸欠特性を持つＲＲＡＭ金属酸化物の界面層の形成が容易になるとともに、スイッチング特性を高めることができる。
本発明方法に係るＲＲＡＭ製造における第１の実施例では、コバルトを遷移金属バッファ層として用いる。コバルト金属バッファ層は電子ビーム蒸着によって白金族電極上に堆積される。コバルトバッファ層の膜厚は約８ｎｍである。次に、ＰＣＭＯのＲＲＡＭ薄膜がスピンコーティングされ、約２００ｎｍの膜厚で成膜される。白金の上部電極が堆積された後、装置は約５２５℃の温度の空気中で、約２０分間ポストアニール処理される。図２に示すように、電気特性の測定値から薄膜のスイッチング特性が分かる。５Ｖの電気振幅、約１００ｎ秒の持続時間の短いパルスを印加して生じる高抵抗状態は、約１００ｋΩであり、３Ｖの電気振幅、１０μ秒の持続時間のパルスを印加して高抵抗状態からリセットされた低抵抗状態は１０ｋΩ程度である。
バッファ層を備えた他の実施例として、Ｐｒ０．３５Ｌａ０．３５Ｃａ０．３ＭｎＯ３（ＰＬＣＭＯ）をコバルトバッファ層を有する白金電極基板上でスピンコーティングする。約５２５℃の温度の空気中で、約２０分間ポストアニール処理された後、電気特性の測定値は、図３に示すような薄膜スイッチング特性を表す。この場合、５Ｖの電気振幅、約５０ｎ秒の持続時間のパルスを印加して生じる高抵抗状態は、約１５ｋΩであり、３Ｖの電気振幅、約５μ秒の持続時間のパルスを印加して高抵抗状態からリセットされた低抵抗状態は６ｋΩ程度である。
本発明を実施する上での最良の形態の全ての工程は、図及び本明細書に示したとおりである。新たに工程が追加されることはなく、ここに記載した様々な膜が順番に形成、堆積される間に新たな工程や膜が追加されることはない。
上記何れの実施例においても、スイッチング特性が観察される。ポストアニール処理の後、薄いコバルトバッファ層は酸化してコバルト金属酸化物となる。薄い酸欠層を形成するポストアニール処理の間に、Ｃｏ２＋あるいはＣｏ３＋といった複数の酸化状態のコバルトが形成されることによってコバルト金属酸化物のバッファ効果が得られ、同時にスイッチング特性を高めることができる。
以上、ＲＲＡＭ薄膜堆積のためのバッファ層の形成方法につき詳細に説明したが、本発明方法は、特許請求の範囲で示される本発明の技術的範囲内において適宜変更可能である。
１０： 本発明に係るバッファ膜形成方法の処理手順全体
Claims (12)
- ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法であって、
基板を準備する準備工程と、
前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、
前記下部電極上に複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を堆積させる遷移金属膜堆積工程と、
前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、
前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、
前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールするアニール工程と、
前記ＲＲＡＭを完成させるＲＲＡＭ形成工程と、
を有することを特徴とするバッファ層形成方法。 - 前記遷移金属膜堆積工程において、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、及び、コバルトから成る遷移金属のグループから選択される遷移金属の薄膜が、約２ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚で堆積されることを特徴とする請求項１に記載のバッファ層形成方法。
- 前記金属酸化膜堆積工程において、ＰＣＭＯ、及び、ＰＬＣＭＯから成る金属酸化物のグループから選択される金属酸化物の膜が、約８０ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚で堆積されることを特徴とする請求項１に記載のバッファ層形成方法。
- 前記アニール工程において、アニールが約４００℃〜６５０℃の温度の空気中で、約２分〜３０分間行われることを特徴とする請求項１に記載のバッファ層形成方法。
- 前記ＲＲＡＭ形成工程において、前記基板、電極、金属酸化膜を封止し、当該構造に対し金属処理することを特徴とする請求項１に記載のバッファ層形成方法。
- ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法であって、
基板を準備する準備工程と、
前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、
前記下部電極上に、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、及び、コバルトから成る遷移金属のグループから選択される複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を、約２ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚で堆積させる遷移金属膜堆積工程と、
前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、
前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、
前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールして、酸欠層を形成するアニール工程と、
前記ＲＲＡＭを完成させるＲＲＡＭ形成工程と、
を有することを特徴とするバッファ層形成方法。 - 前記金属酸化膜堆積工程において、ＰＣＭＯ、及び、ＰＬＣＭＯから成る金属酸化物のグループから選択される金属酸化物の膜が、約８０ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚で堆積されることを特徴とする請求項６に記載のバッファ層形成方法。
- 前記アニール工程において、アニールが約４００℃〜６５０℃の温度の空気中で、約２分〜３０分間行われることを特徴とする請求項６に記載のバッファ層形成方法。
- 前記ＲＲＡＭ形成工程において、前記基板、電極、金属酸化膜を封止し、当該構造に対し金属処理することを特徴とする請求項６に記載のバッファ層形成方法。
- ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるバッファ層の形成方法であって、
基板を準備する準備工程と、
前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、
前記下部電極上に、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、及び、コバルトから成る遷移金属のグループから選択される複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を、約２ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚で堆積させる遷移金属膜堆積工程と、
前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、
前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、
前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜を、約４００℃〜６５０℃の温度の空気中で、約２分〜３０分間アニールして、前記遷移金属を遷移金属酸化物に酸化させて、薄い酸欠層を形成するアニール工程と、
前記ＲＲＡＭを完成させるＲＲＡＭ形成工程と、
を有することを特徴とするバッファ層形成方法。 - 前記金属酸化膜堆積工程において、ＰＣＭＯ、及び、ＰＬＣＭＯから成る金属酸化物のグループから選択される金属酸化物の膜が、約８０ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚で堆積されることを特徴とする請求項１０に記載のバッファ層形成方法。
- 前記ＲＲＡＭ形成工程において、前記基板、電極、金属酸化膜を封止し、当該構造に対し金属処理することを特徴とする請求項１０に記載のバッファ層形成方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/215,520 US20070048990A1 (en) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | Method of buffer layer formation for RRAM thin film deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007067385A true JP2007067385A (ja) | 2007-03-15 |
Family
ID=37804814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006210546A Withdrawn JP2007067385A (ja) | 2005-08-30 | 2006-08-02 | Ｒｒａｍ薄膜堆積のためのバッファ層形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070048990A1 (ja) |
| JP (1) | JP2007067385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218411A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Fujitsu Ltd | 抵抗記憶素子及びその製造方法 |
| JP2011054766A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Semiconductor Technology Academic Research Center | 抵抗変化型メモリとその製造方法 |
| JP2012222059A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Tottori Univ | 不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法 |
| JP2013058792A (ja) * | 2012-11-22 | 2013-03-28 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 抵抗変化型メモリ |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962648B2 (en) * | 2003-09-15 | 2005-11-08 | Global Silicon Net Corp. | Back-biased face target sputtering |
| US20070084717A1 (en) * | 2005-10-16 | 2007-04-19 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage |
| US20070084716A1 (en) * | 2005-10-16 | 2007-04-19 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based high density non-volatile data storage |
| US20070205096A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Makoto Nagashima | Magnetron based wafer processing |
| US8395199B2 (en) | 2006-03-25 | 2013-03-12 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| US8454810B2 (en) | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
| US7932548B2 (en) * | 2006-07-14 | 2011-04-26 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
| KR101187374B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2012-10-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 저항 변화 소자 및 그 제조 방법 |
| JP5007725B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2012-08-22 | 富士通株式会社 | 抵抗変化素子の製造方法 |
| US7768812B2 (en) | 2008-01-15 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices |
| US8143092B2 (en) * | 2008-03-10 | 2012-03-27 | Pragati Kumar | Methods for forming resistive switching memory elements by heating deposited layers |
| US8034655B2 (en) * | 2008-04-08 | 2011-10-11 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays |
| US8211743B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-07-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes |
| CN101577307B (zh) * | 2008-05-05 | 2011-11-30 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 电阻存储器的存储单元及其制作方法 |
| US8134137B2 (en) | 2008-06-18 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Memory device constructions, memory cell forming methods, and semiconductor construction forming methods |
| US9343665B2 (en) | 2008-07-02 | 2016-05-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory cell and methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array |
| US9385314B2 (en) | 2008-08-12 | 2016-07-05 | Industrial Technology Research Institute | Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof |
| US8362454B2 (en) * | 2008-08-12 | 2013-01-29 | Industrial Technology Research Institute | Resistive random access memory having metal oxide layer with oxygen vacancies and method for fabricating the same |
| US8072793B2 (en) * | 2008-09-04 | 2011-12-06 | Macronix International Co., Ltd. | High density resistance based semiconductor device |
| US8411477B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-04-02 | Micron Technology, Inc. | Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells |
| US8427859B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells |
| US8289763B2 (en) | 2010-06-07 | 2012-10-16 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
| CN102299258B (zh) * | 2010-06-28 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电阻存储器存储单元的制作方法 |
| US8351242B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-01-08 | Micron Technology, Inc. | Electronic devices, memory devices and memory arrays |
| US8759809B2 (en) | 2010-10-21 | 2014-06-24 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells having platelike electrode and ion conductive material layer |
| US8526213B2 (en) | 2010-11-01 | 2013-09-03 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of programming memory cells, and methods of forming memory cells |
| US8796661B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-08-05 | Micron Technology, Inc. | Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell |
| US9454997B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-09-27 | Micron Technology, Inc. | Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells |
| US8431458B2 (en) | 2010-12-27 | 2013-04-30 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells |
| US8791447B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-07-29 | Micron Technology, Inc. | Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells |
| US8488365B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-07-16 | Micron Technology, Inc. | Memory cells |
| US8537592B2 (en) | 2011-04-15 | 2013-09-17 | Micron Technology, Inc. | Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells |
| US8796103B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-08-05 | Intermolecular, Inc. | Forming nonvolatile memory elements by diffusing oxygen into electrodes |
| US20160181517A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-23 | Silicon Storage Technology, Inc. | Geometrically Enhanced Resistive Random Access Memory (RRAM) Cell And Method Of Forming Same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204139B1 (en) * | 1998-08-25 | 2001-03-20 | University Of Houston | Method for switching the properties of perovskite materials used in thin film resistors |
| JP3986859B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-10-03 | 富士通株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
| US6774054B1 (en) * | 2003-08-13 | 2004-08-10 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | High temperature annealing of spin coated Pr1-xCaxMnO3 thim film for RRAM application |
| US6849891B1 (en) * | 2003-12-08 | 2005-02-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | RRAM memory cell electrodes |
| US7208372B2 (en) * | 2005-01-19 | 2007-04-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Non-volatile memory resistor cell with nanotip electrode |
-
2005
- 2005-08-30 US US11/215,520 patent/US20070048990A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-08-02 JP JP2006210546A patent/JP2007067385A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218411A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Fujitsu Ltd | 抵抗記憶素子及びその製造方法 |
| JP4549401B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-09-22 | 富士通株式会社 | 抵抗記憶素子の製造方法 |
| JP2011054766A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Semiconductor Technology Academic Research Center | 抵抗変化型メモリとその製造方法 |
| JP2012222059A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Tottori Univ | 不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法 |
| JP2013058792A (ja) * | 2012-11-22 | 2013-03-28 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 抵抗変化型メモリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070048990A1 (en) | 2007-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007067385A (ja) | Ｒｒａｍ薄膜堆積のためのバッファ層形成方法 | |
| JP4756570B2 (ja) | ＲＲＡＭ用途のスピンコーティングされたＰｒ１−ｘＣａｘＭｎＯ３薄膜の高温アニーリング | |
| TW575927B (en) | Method for fabricating variable resistance device, method for fabricating non-volatile variable resistance memory device, and non-volatile variable resistance memory device | |
| TWI322428B (ja) | ||
| KR100622268B1 (ko) | ＲｅＲＡＭ 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법 | |
| US7407858B2 (en) | Resistance random access memory devices and method of fabrication | |
| EP1507297B1 (en) | Method for obtaining reversible resistance switches in a PCMO thin film deposited on a highly crystallized seed layer | |
| JP2005340786A (ja) | メモリ抵抗特性を有するｐｃｍｏ薄膜の形成方法及びｐｃｍｏデバイス | |
| JP2006121050A (ja) | Ｐｃｍｏ薄膜へのドーピングによりｒｒａｍ特性を生じさせる方法 | |
| US6911361B2 (en) | Low temperature processing of PCMO thin film on Ir substrate for RRAM application | |
| JP2008244018A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20120049147A1 (en) | Resistance-variable memory device and a production method therefor | |
| US6824814B2 (en) | Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties | |
| JP2004241396A (ja) | 抵抗変化素子の製造方法および不揮発性抵抗変化メモリデバイスの製造方法、並びに不揮発性抵抗変化メモリデバイス | |
| JP2007288016A (ja) | メモリ素子およびメモリ素子の製造方法 | |
| JP2006024901A (ja) | Ｒｒａｍ薄膜堆積用の基板表面処理方法 | |
| JP5476686B2 (ja) | 抵抗変化型素子および抵抗変化型素子製造方法 | |
| KR101039191B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2005236236A (ja) | ＲＲＡＭに用いるためのＩｒ基板上のＰＣＭＯ薄膜の低温処理 | |
| JP2013058792A (ja) | 抵抗変化型メモリ | |
| JP2011054766A (ja) | 抵抗変化型メモリとその製造方法 | |
| JP2007281457A (ja) | 可変抵抗素子及びその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20091006 |