JP2011054766A - 抵抗変化型メモリとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PrxCa1−xMnO3にてなるPCMO層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成した。ここで、上記金属酸化物は上記上部電極の金属の酸化物であり、上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうちのいずれかにてなる。
【選択図】図1
Description
上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成したことを特徴とする。
上記PCMO層上に金属酸化物層を形成するステップと、
上記金属酸化物層上に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。
上記金属酸化物層上にPrxCa1−xMnO3にてなるPCMO層を形成するステップと、
上記PCMO層上に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とする抵抗変化型メモリの製造方法。
11…下部電極、
12…PCMO抵抗変化層、
13…金属酸化物層、
14…上部電極、
15…電圧源。
Claims (8)
- PrxCa1−xMnO3にてなるPCMO層を下部電極と上部電極とにより挟設してなる抵抗変化型メモリにおいて、
上記PCMO層と上記上部電極もしくは下部電極との間に金属酸化物層を挿入形成したことを特徴とする抵抗変化型メモリ。 - 上記金属酸化物は上記上部電極もしくは下部電極の金属の酸化物であることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型メモリ。
- 上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうちのいずれかにてなることを特徴とする請求項1又は2記載の抵抗変化型メモリ。
- 下部電極上にPrxCa1−xMnO3にてなるPCMO層を形成するステップと、
上記PCMO層上に金属酸化物層を形成するステップと、
上記金属酸化物層上に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とする抵抗変化型メモリの製造方法。 - 上記金属酸化物は上記上部電極の金属の酸化物であることを特徴とする請求項4記載の抵抗変化型メモリの製造方法。
- 下部電極上に金属酸化物層を形成するステップと、
上記金属酸化物層上にPrxCa1−xMnO3にてなるPCMO層を形成するステップと、
上記PCMO層上に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とする抵抗変化型メモリの製造方法。 - 上記金属酸化物は上記下部電極の金属の酸化物であることを特徴とする請求項6記載の抵抗変化型メモリの製造方法。
- 上記上部電極と下部電極の少なくとも一方はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のうちのいずれかにてなることを特徴とする請求項4乃至7のうちのいずれか1つに記載の抵抗変化型メモリの製造方法。
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