JP5874905B2 - アルミナ抵抗変化型メモリ素子の製造方法 - Google Patents
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Description
また最近は、電極層の一方を半導体Siなどにより形成することでの素子形成、消費電力の低下を試みる例もあるが、この方法においては一方の電極材料が指定されることにより、素子の実用化、特に他の素子と組み合わせた回路形成ないしは製造工程において自由度が低下することは避けられないという欠点がある。
発明の第4は、第3の発明において、同時スパッタは10 −4 Pa台よりよい真空度で、前記抵抗変化層を形成することを特徴とする。
この添加材料は基本的に導電性を有していればよく、例えば、金(Au)、白金(Pt)、Ru(ルテニウム)、Ir(イリジウム)、Al(アルミニウム)、Ti(チタニウム)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)等金属あるいはこれらの合金、あるいは電気伝導性を示す物質であれば、金属元素又は半導体元素の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物等の化合物でも構わない。例えば、酸素欠損性TiO2(二酸化チタン)、ITO(スズ添加インジウム酸化物)、AlN、SiC、MgB2等の導電性を有する化合物を使用することができる。
このような機構上の違いから、一般的にフィラメント型は形成されるフィラメントのサイズに素子の特性が依存し、電極サイズには依存しない。対して界面型は電極サイズへの依存性が見られる特徴を有する。
SiO2(200nm)付きSi(100)基板上に、電子ビーム蒸着法でTi密着層20nm、1〜3nm/minの成長速度にて、Al下部配線層を500nm、1〜3nm/minの成長速度で成膜する。
その後、下部電極層状にDC/RF同時スパッタ法を用いて抵抗変化層を成膜する。AlをDCスパッタ法で、Al2O3をRFスパッタ法で90‐100nm同時成膜する。
成膜後のサンプルはフォトレジストAZ5214(AZ Electronic Materials社製)をスピンコート法にて1.4μmコートし、90℃で2分フォトレジスト中の溶液を飛ばす(ソフトベーク)。その後コンタクトマスクアライナー(波長350nmの水銀ランプ)を用いて1.5秒電極パターンを露光。露光後120℃で30秒の反転ベークを経て、もう一度マスクアライナーにて6秒Hgランプを照射することで上部電極パターンを露光形成する。
下部電極を真空蒸着装置でリフトオフ工程を用いて、Ti20nm、Al200nmを1×10−4Pa台以下の高真空下において成膜する。アルミニウムはこの真空度以下では膜中にアルミナが混入、もしくは表面のラフネスが増大(Ra 数nmから数十nmへ)し、Al表面が銀色から、銀色と白色の混合色に変化した。
下部電極をスパッタ装置でTi20nm、Al200nmを1×10−4Pa以下の高真空下において成膜する。抵抗変化層は実施例1及び2同様にDC/RF同時スパッタ装置において、アルミナターゲットをRFスパッタ200Wにて作製を行った。アルミナターゲットのRFスパッタにおいてはArプラズマ(Arガス18sccm)をベースに窒素ガスを2sccm導入することによりチャンバ内にアルゴンプラズマと窒素プラズマを発生させ窒素を膜中に添加する。図11にこの膜のN1sのXPSスペクトルを示す。横軸が結合エネルギーを、縦軸が光電子検出強度を示す。結合エネルギーから膜中には窒素が添加され、窒化アルミが形成されていることがわかる。
2 抵抗変化層
3 下部電極層
4 密着層
5 酸化物層
6 基板
7 抵抗変化型メモリ素子
Claims (5)
- 金属/金属酸化物(抵抗変化層)/金属の3層からなる抵抗変化型メモリ素子の製造方法であって、
前記金属酸化物中に電気伝導性を有する物質が添加され、
物質を介して抵抗変化を引き起こす伝導性パスが形成され、
素子の作動開始時において前記添加材料による導電性パスの高電圧のフォーミングプロセスを経ることなく導電性プレフィラメントが形成されていると共に、
前記金属酸化物がAlOx(xの範囲はx<1.5)であり、
前記導電性プレフィラメントがAl、ITO(スズ添加インジウム酸化物)、AlN、SiC、MgB 2 の何れか一つで構成されていることを特徴とする抵抗変化メモリ素子の製造方法。 - 前記金属酸化物中に電気伝導性を有する物質が添加される工程において、
前記電気伝導性を有する物質はAlであり、
前記抵抗変化層に前記Alが5%から10%の範囲で添加されることを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化メモリ素子の製造方法。 - 前記金属酸化物中に電気伝導性を有する物質が添加される工程において、
前記抵抗変化層はAlターゲットとアルミナ(Al 2 O 3 )ターゲットの同時スパッタで製造されることを特徴とする請求項1または2に記載の抵抗変化メモリ素子の製造方法。 - 前記同時スパッタは10 −4 Pa台よりよい真空度で、前記抵抗変化層を形成することを特徴とする請求項3に記載の抵抗変化メモリ素子の製造方法。
- 前記金属酸化物中に電気伝導性を有する物質が添加される工程において、
前記電気伝導性を有する物質はAlNであり、
前記抵抗変化層はAlターゲットとアルミナ(Al 2 O 3 )ターゲットの同時スパッタで製造されると共に、
前記アルミナターゲットのスパッタ中に、Arガスをベースに窒素ガスを導入することにより窒素を前記抵抗変化層の膜中に添加することを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化メモリ素子の製造方法。
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