CN101116128A - 编程和驱动有源矩阵发光器件像素的方法和系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于编程和驱动有源矩阵发光器件像素的方法和系统。像素是电压编程的像素电路,并具有发光器件、驱动晶体管和存储电容器。像素具有包括多个操作周期的编程周期和一个驱动周期。在编程周期,控制OLED和驱动晶体管之间的连接的电压,使得所需的驱动晶体管的栅-源极电压被存储在存储电容器中。

Description

编程和驱动有源矩阵发光器件像素的方法和系统
技术领域
本发明涉及发光器件显示器,更特别地,涉及发光器件显示器的驱动技术。
背景技术
近年来,带有非晶硅(a-Si)、多晶硅、有机或其它驱动背板的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器,由于具备优于有源矩阵液晶显示器的优点,而变得更具吸引力。这些优点包括,例如,可进行低温制造而因此可广泛使用不同的基板并可实现灵活显示,并且其低生产成本使得可以得到带有宽视角的高分辨率显示器。
AMOLED显示器包括由像素的行和列组成的阵列,在行和列组成的阵列中设置有有机发光二极管(OLED)和背板电子设备。由于OLED是电流驱动装置,AMOLED的像素电路应该能够提供准确且恒定的驱动电流。
图1示出了美国专利第5,748,160号公开的像素电路。图1的像素电路包括OLED 10、驱动薄膜晶体管(TFT)11、开关TFT 13和存储电容器14。驱动TFT 11的漏极端连接到OLED 10。驱动TFT 11栅极端通过开关TFT 13连接到列线12。在驱动TFT 11的栅极端和地之间连接的存储电容器14用于在像素电路从列线12断开时保持驱动TFT11的栅极端电压。流过OLED 10的电流很大程度上取决于驱动TFT 11的特性参数。由于驱动TFT 11的特性参数,特别是偏置应力下的阈值电压随时间变化,并且该变化可能随像素不同而不同,产生的图像失真可能高到不可接受的程度。
美国专利第6,229,508号公开了一种电压编程像素电路,其向OLED提供与驱动TFT的阈值电压不相关的电流。在该像素中,驱动TFT的栅-源极电压由编程电压和驱动TFT的阈值电压组成。美国专利第6,229,508号的一个缺点是像素电路需要额外的晶体管,并且复杂,导致产量减少、像素孔径减小和显示器寿命减少。
使像素电路对驱动晶体管的阈值电压的移位不敏感的其它方法是使用电流编程的像素电路,例如美国专利第6,734,636号中公开的像素电路。在常规电流编程像素电路中,驱动TFT的栅-源极电压基于在下一帧中流过其的电流自动调整,以使OLED电流较少地依赖于驱动TFT的电流-电压特性。电流编程的像素电路的一个缺点是,由于线电容大,从列线充电时间产生与低编程电流等级相关的开销。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种消除或减小现有系统的至少一个缺点的方法和系统。
根据本发明的一个方面,提供一种编程和驱动显示系统的方法,显示系统包括:具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:具有第一端和第二端的发光器件,发光器件的第一端连接到电压供应电极;具有第一端和第二端的电容器;具有栅极端、第一端和第二端的开关晶体管,开关晶体管的栅极端连接到选择线,开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线,开关晶体管的第二端连接到电容器的第一端;具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,驱动晶体管的栅极端在第一节点(A)处连接到开关晶体管的第二端和电容器的第一端,驱动晶体管的第一端在第二节点(B)处连接到发光器件的第二端和电容器的第二端,驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;驱动器,用于驱动选择线、可控制的电压供应线和信号线以操作显示阵列;该方法包括以下步骤:在编程周期,在第一操作周期,以由(VREF-VT)或(-VREF+VT)定义的第一电压,对第二节点充电,其中VREF表示基准电压,VT表示驱动晶体管的阈值电压;在第二操作周期,以由(VREF+VP)或(-VREF+VP)定义的第二电压,对第一节点充电,第一和第二节点之间的电压差值被存储在存储电容器中,其中,VP表示编程电压;在驱动周期,存储在存储电容器中的电压被施加到驱动晶体管的栅极端。
根据本发明的另一方面,提供一种编程和驱动显示系统的方法,显示系统包括:具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:具有第一端和第二端的发光器件,发光器件的第一端连接到电压供应电极;第一电容器和第二电容器,分别具有第一端和第二端;具有栅极端、第一端和第二端的第一开关晶体管,第一开关晶体管的栅极端连接到第一选择线,第一开关晶体管的第一端连接到发光器件的第二端,第一开关的第二端连接到第一电容器的第一端;具有栅极端、第一端和第二端的第二开关晶体管,第二开关晶体管的栅极端与第二选择线连接,第二开关晶体管的第一端与用于传递电压数据的信号线连接;具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,驱动晶体管的第一端在第一节点(A)处与发光器件的第二端连接,驱动晶体管的栅极端在第二节点(B)处与第一开关晶体管的第二端和第一电容器的第一端连接,驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;第二开关晶体管的第二端在第三节点(C)处与第一电容器的第二端和第二电容器的第一端连接;驱动器,用于驱动第一和第二选择线、可控制的电压供应线和信号线以操作显示阵列,该方法包括以下步骤:在编程周期,在第一操作周期,控制第一节点和第二节点的每一个的电压,以在第一存储电容器中存储(VT+VP)或-(VT+VP),其中VT表示驱动晶体管的阈值电压,VP表示编程电压;在第二操作周期,第三节点放电;在驱动周期,存储在存储电容器中的电压被施加到驱动晶体管的栅极端。
根据本发明的另一方面,提供一种显示系统,包括:具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:具有第一端和第二端的发光器件,发光器件的第一端连接到电压供应电极;具有第一端和第二端的电容器;具有栅极端、第一端和第二端的开关晶体管,开关晶体管的栅极端连接到选择线,开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线,开关晶体管第二端连接到电容器的第一端;和具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,驱动晶体管的栅极端在第一节点(A)处连接到开关晶体管的第二端和电容器的第一端,驱动晶体管的第一端在第二节点(B)处连接到发光器件的第二端和电容器的第二端,驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;驱动器,用于驱动选择线、可控制的电压供应线和信号线以操作显示阵列;和使用驱动器在显示阵列的每一行上实现编程周期和驱动周期的控制器;其中编程周期包括第一操作周期和第二操作周期,其中在第一操作周期,以由(VREF-VT)或(-VREF+VT)定义的第一电压,对第二节点充电,其中VREF表示基准电压,VT表示驱动晶体管的阈值电压,在第二操作周期,以由(VREF+VP)或(-VREF+VP)定义的第二电压,对第一节点充电,这样,第一和第二节点电压之间的差值被存储在存储电容器中,其中VP表示编程电压;其中在驱动周期,存储在存储电容器中的电压被施加到驱动晶体管的栅极端。
根据本发明的另一方面,提供一种显示系统,包括:具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:具有第一端和第二端的发光器件,发光器件的第一端连接到电压供应电极;第一电容器和第二电容器,每一个具有第一端和第二端;具有栅极端、第一端和第二端的第一开关晶体管,第一开关晶体管的栅极端连接到第一选择线,第一开关晶体管的第一端连接到发光器件的第二端,第一开关的第二端连接到第一电容器的第一端;具有栅极端、第一端和第二端的第二开关晶体管,第二开关晶体管的栅极端连接到第二选择线,第二开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线;具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,驱动晶体管的第一端在第一节点(A)处连接到发光器件的第二端,驱动晶体管的栅极端在第二节点(B)处连接到第一开关晶体管的第二端和第一电容器的第一端,驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;第二开关晶体管的第二端在第三节点(C)处连接到第一电容器的第二端和第二电容器的第一端;驱动器,用于驱动第一和第二选择线、可控制的电压供应线和信号线以操作显示阵列;使用驱动器在显示阵列的每一行上实现编程周期和驱动周期的控制器;其中,编程周期包括第一操作周期和第二操作周期,其中,在第一操作周期,控制第一节点和第二节点的每一个的电压,以在第一存储电容器中存储(VT+VP)或-(VT+VP),其中VT表示驱动晶体管的阈值电压,VP表示编程电压,在第二操作周期,第三节点放电,其中,在驱动周期,存储在存储电容器中的电压被施加到驱动晶体管的栅极端。
本发明的发明内容不必说明本发明的所有特征。
本领域的技术人员在结合附图参阅以下优选实施例的详细说明时,将会清楚本发明的其它方面和特征。
附图说明
参照附图的以下说明,将会更加清楚本发明的这些和其它特征,在附图中:
图1是显示常规2-TFT电压编程像素电路的示图;
图2是显示应用到显示阵列的根据本发明的一个实施例的编程和驱动周期的一个实例的时序图;
图3是显示应用了根据本发明的一个实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图4是显示对图3中的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图5是显示图3的像素电路的寿命测试结果的示图;
图6是显示具有图3的像素电路的显示系统的示图;
图7(a)是显示具有可应用到图6的阵列的顶部发光像素的阵列结构的一个实例的示图;
图7(b)是显示具有可应用到图6的阵列的底部发光像素的阵列结构的一个实例的示图;
图8是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图9是显示对图8的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图10是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图11是显示对图10的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图12是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图13是显示对图12的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图14是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图15是显示对图14的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图16是显示具有图14的像素电路的显示系统的示图;
图17是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图18是显示对图17的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图19是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;
图20是显示对图19的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图;
图21是显示应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路的示图;和
图22是显示对图21的像素电路进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。
具体实施方式
本发明的实施例是使用具有有机发光二极管(OLED)和驱动薄膜晶体管(TFT)的像素进行说明的。然而,像素可包括不同于OLED的任何发光器件,并且像素可包括不同于TFT的任何驱动晶体管。应注意,在说明书中,“像素电路”和“像素”被可互换地使用。
图2是显示根据本发明的一个实施例的编程和驱动周期的示图。在图2中,行(j)、行(j+1)和行(j+2)中的每一个表示显示阵列的一行,在显示阵列中,多个像素电路排列成行和列。
帧的编程和驱动周期出现在下一帧的编程和驱动周期之后。在一行处的帧的编程和驱动周期与在下一行处的同一帧的编程和驱动周期重叠。如下所述,在编程周期中,提取像素电路的与时间有关的参数以生成稳定的像素电流。
图3示出了应用了根据本发明的一个实施例的编程和驱动技术的像素电路200。像素电路200包括OLED 20、存储电容器21、驱动晶体管24和开关晶体管26。像素电路200是电压编程像素电路。晶体管24和26中的每一个具有栅极端、第一端和第二端。在说明书中,第一端(第二端)可以是,但不限于,漏极端或源极端(源极端或漏极端)。
晶体管24和26是n型TFT。然而,晶体管24和26可以是p型晶体管。如下所述,应用到像素电路200的驱动技术也可应用于如图14所示的具有p型晶体管的互补像素电路。晶体管24和26可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、NMOS/PMOS工艺或CMOS工艺(例如,MOSFET)来制造。
驱动晶体管24的第一端连接到可控制的电压供应线VDD。驱动晶体管24的第二端连接到OLED 20的阳极电极。驱动晶体管24的栅极端通过开关晶体管26连接到信号线VDATA。存储电容器21连接在驱动晶体管24的源极端和栅极端之间。
开关晶体管26的栅极端连接到选择线SEL。开关晶体管26的第一端连接到信号线VDATA。开关晶体管26的第二端连接到驱动晶体管24的栅极端。OLED 20的阴极电极连接到地电压供应电极。
晶体管24和26和存储电容器21在节点A1处连接在一起。晶体管24、OLED 20和存储电容器21在节点B1处连接在一起。
图4示出了对图3的像素电路200进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。参照图3和4,像素电路200的操作包括编程周期和驱动周期,编程周期有三个操作周期X11、X12和X13,驱动周期有一个操作周期X14。
在编程周期,节点B1被充电到驱动晶体管24的负阈值电压,节点A1被充电到编程电压VP。
结果,驱动晶体管24的栅-源极电压变为:
VGS=VP-(-VT)=VP+VT     ...(1)
其中,VGS表示驱动晶体管24的栅-源极电压,VT表示驱动晶体管24的阈值电压。
由于驱动晶体管24处于操作的饱和状态,其电流主要由其栅-源极电压限定。结果,由于其栅-源极电压被存储在存储电容器21中,即使OLED电压改变,驱动晶体管24的电流仍保持恒定。
在第一操作周期X11:VDD达到补偿电压VCOMPB,VDATA达到高正补偿电压VCOMPA,并且SEL为高。结果,节点A1被充电到VCOMPA,节点B1被充电到VCOMPB。
在第二操作周期X12:当VDATA达到基准电压VREF时,节点B1通过驱动晶体管24放电,直到驱动晶体管24截止。结果,节点B1的电压达到(VREF-VT)。VDD具有正电压VH以加速此周期X12。对于最优设置时间,VH可在驱动周期中被设置为等于工作电压(即,VDD上的电压)。
在第三操作周期X13:VDD达到其工作电压。在SEL为高时,节点A1被充电到(VP+VREF)。因为OLED 20的电容22很大,所以节点B1上的电压保持在先前的周期X12所生成的电压。因此,节点B1的电压为(VREF-VT)。因此,驱动晶体管24的栅-源极电压为(VP+VT),并且此栅-源极电压被存储在存储电容器21中。
在第四操作周期X14中:SEL和VDATA达到零。VDD与第三操作周期X13中的相同。然而,VDD可以比第三操作周期X13中的高。存储在存储电容器21中的电压被施加到驱动晶体管24的栅极端。由于驱动晶体管24的栅-源极电压包括其阈值电压并且也与OLED电压无关,所以OLED 20的老化和驱动晶体管24的不稳定性不会影响流过驱动晶体管24和OLED 20的电流的量。
应注意,可以用VCOMPB、VCOMPA、VP、VREF和VH的不同值来操作像素电路200。VCOMPB、VCOMPA、VP、VREF和VH限定像素电路200的寿命。因此,可根据像素规格来定义这些电压。
图5示出了图3和4中所示的像素电路和波形的寿命测试结果。在测试中,制造的像素电路可被置于长时间的操作下,同时监控驱动晶体管(图3的24)的电流以调查驱动方案的稳定性。结果显示,OLED电流在120小时的操作后是稳定的。驱动晶体管的VT移位是0.7V。
图6示出了具有图3的像素电路200的显示系统。图6的VDD1和VDD2与图3的VDD相对应。图6的SEL1和SEL2与图3的SEL相对应。图6的VDATA1和VDATA2与图3的VDATA相对应。图6的阵列是具有多个图3的像素电路200的有源矩阵发光二极管(AMOLED)显示器。像素电路排列为行和列,和互连线41、42和43(VDATA1、SEL1、VDD1)。VDATA1(或VDATA2)在阵列结构中的共同列像素之间被共用,而SEL1(或SEL2)和VDD1(或VDD2)在阵列结构中的共同行像素之间被共用。
提供驱动器300,用于驱动VDATA1和VDATA2。提供驱动器302,用于驱动VDD1、VDD2、SEL1和SEL2,然而,还可分别实现驱动VDD和SEL线的驱动器。控制器304控制驱动器300和302,以编程和驱动如上所述的像素电路。在图2中示出了对图6的显示阵列进行编程和驱动的时序图。每一个编程和驱动周期可与图4中的相同。
图7(a)示出了排列有顶部发光像素的阵列结构的一个实例。图7(b)示出了排列有底部发光像素的阵列结构的一个实例。图6的阵列可具有图7(a)或7(b)中所示的阵列结构。在图7(a)中,400表示基板,402表示像素触点(contact),403表示(顶部发光)像素电路,并且404表示OLED上的透明顶部电极。在图7(b)中,410表示透明基板,411表示(底部发光)像素电路,并且412表示顶部电极。所有包括TFT、存储电容器、SEL、VDATA和VDD线的像素电路被制作在一起。之后,为所有像素电路制作OLED。使用如图7(a)和7(b)所示的通路(via)(例如,图3的B1)将OLED连接到相应的驱动晶体管。面板可通过在OLED上沉积顶部电极来完成,其可以是连续层,从而降低设计的复杂度,并且可用于开启/关闭整个显示器或控制亮度。
图8示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路202。像素电路202包括OLED 50、两个存储电容器52和53、驱动晶体管54和开关晶体管56和58。像素电路202是顶部发光的电压编程的像素电路。该实施例以与图3的实施例大体相同的方式工作。然而,在像素电路202中,OLED 50连接到驱动晶体管54的漏极端。结果,电路可被连接到OLED 50的阴极。这样,OLED沉积可以从阴极开始。
晶体管54、56和58是n型TFT。然而,晶体管54、56和58可以是p型晶体管。应用到像素电路202的驱动技术也可应用到如图17所示的具有p型晶体管的互补像素电路。晶体管54、56和58可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、NMOS/PMOS工艺或CMOS工艺(例如,MOSFET)来制作。
驱动晶体管54的第一端连接到OLED 50的阴极电极。驱动晶体管54的第二端连接到可控制的电压供应线VSS。驱动晶体管54的栅极端通过开关晶体管56连接到驱动晶体管54的第一线(端)。存储电容器52和53串联在驱动晶体管54的栅极端和公共接地之间。电压供应线VSS上的电压是可控制的。公共接地可连接到VSS。
开关晶体管56的栅极端连接到第一选择线SEL1。开关晶体管56的第一端连接到驱动晶体管54的漏极端。开关晶体管56的第二端连接到驱动晶体管54的栅极端。
开关晶体管58的栅极端连接到第二选择线SEL2。开关晶体管58的第一端连接到信号线VDATA。开关晶体管58的第二端连接到存储电容器52和53的共用端(即,节点C2)。OLED 50的阳极电极连接到电压供应电极VDD。
OLED 50和晶体管54和56在节点A2处相连接。存储电容器52和晶体管54和56在节点B2处相连接。
图9示出了对图8的像素电路202进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。参照图8和9,像素电路202的操作包括具有四个操作周期X21、X22、X23和X24的编程周期,和具有一个操作周期X25的驱动周期。
在编程周期,编程电压加上驱动晶体管54的阈值电压被存储在存储电容器52中。驱动晶体管54的源极端达到零,并且第二存储电容器53充电到零。
结果,驱动晶体管54的栅-源极电压达到:
VGS=VP+VT    …(2)
其中,VGS表示驱动晶体管54的栅-源极电压,VP表示编程电压,VT表示驱动晶体管54的阈值电压。
在第一操作周期X21:VSS达到正高压,并且VDATA为零。SEL1和SEL2为高。因此,节点A2和B2充电到正电压。
在第二操作周期X22:SEL1为低,开关晶体管56截止,而VDATA达到正高压。结果,节点B2处的电压增加(即自举),并且节点A2充电到VSS的电压。在此电压,OLED 50关闭。
在第三操作周期X23:VSS达到基准电压VREF。VDATA达到(VREF-VP)。在此周期开始时,因为OLED 50的电容51大于存储电容器52的电容,所以节点B2的电压基本上等于节点A2的电压。之后,节点B2的电压和节点A2的电压通过驱动晶体管54放电,直到驱动晶体管54截止。结果,驱动晶体管54的栅-源极电压为(VREF+VT),并且存储在存储电容器52中的电压为(VP+VT)。
在第四操作周期X24:SEL1为低。由于SEL2为高,并且VDATA为零,所以节点C2处的电压达到零。
在第五操作周期X25:VSS在驱动周期中达到其工作电压。在图5中,VSS的工作电压为零。然而,其可以是不同于零的任何电压。SEL2为低。存储在存储电容器52中的电压被施加到驱动晶体管54的栅极端。因此,与驱动晶体管54的阈值电压VT和OLED 50的电压无关的电流流过驱动晶体管54和OLED 50。因此,OLED 50的老化和驱动晶体管54的不稳定性不影响流过驱动晶体管54和OLED 50的电流量。
图10示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路204。像素电路204包括OLED 60、两个存储电容器62和63、驱动晶体管64和开关晶体管66和68。像素电路204是顶部发光的电压编程的像素电路。像素电路204以与图8的像素电路大体相同的方式工作。然而,使用一个共用选择线来操作像素电路204,这可以增加可用像素区域和孔径比。
晶体管64、66和68是n型TFT。然而,晶体管64、66和68可以是p型晶体管。应用到像素电路204的驱动技术也可应用到如图19所示的具有p型晶体管的互补像素电路。晶体管64、66和68可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、NMOS/PMOS工艺或CMOS工艺(例如,MOSFET)来制造。
驱动晶体管64的第一端连接到OLED 60的阴极电极。驱动晶体管64的第二端连接到可控制的电压供应线VSS。驱动晶体管64的栅极端通过开关晶体管66连接到驱动晶体管64的第一线(端)。存储电容器62和63串联在驱动晶体管64的栅极端和公共接地之间。电压供应线VSS的电压是可控制的。公共接地可连接到VSS。
开关晶体管66的栅极端连接到选择线SEL。开关晶体管66的第一端连接到驱动晶体管64的第一端。开关晶体管66的第二端连接到驱动晶体管64的栅极端。
开关晶体管68的栅极端连接到选择线SEL。开关晶体管68的第一端连接到信号线VDATA。第二端连接到存储电容器62和63的共用端(即,节点C3)。OLED 60的阳极电极连接到电压供应电极VDD。
OLED 60和晶体管64和66在节点A3处相连接。存储电容器62和晶体管64和66在节点B3处相连接。
图11示出了对图10的像素电路204进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。参照图10和11,像素电路204的操作包括具有三个操作周期X31、X32和X33的编程周期,和包括一个操作周期X34的驱动周期。
在编程周期,编程电压加上驱动晶体管64的阈值电压被存储在存储电容器62中。驱动晶体管64的源极端达到零,并且存储电容器63充电到零。
结果,驱动晶体管64的栅-源极电压达到:
VGS=VP+VT    ...(3)
其中,VGS表示驱动晶体管64的栅-源极电压,VP表示编程电压,VT表示驱动晶体管64的阈值电压。
在第一操作周期X31:VSS达到正高压,并且VDATA为零。SEL为高。结果,节点A3和B3充电到正电压。OLED 60关闭。
在第二操作周期X32:SEL为高,而VSS达到基准电压VREF。VDATA达到(VREF-VP)。结果,节点B3处的电压和节点A3处的电压通过驱动晶体管64放电,直到驱动晶体管64截止。节点B3处的电压为(VREF+VT),并且存储在存储电容器62中的电压为(VP+VT)。
在第三操作周期X33:SEL达到VM。VM是中间电压,在该中间电压,开关晶体管66截止而开关晶体管68导通。VDATA达到零。由于SEL为VM并且VDATA为零,所以节点C3处的电压达到零。
VM被定义为:
VT3<<VM<VREF+VT1+VT2  ...(a)
其中,VT1表示驱动晶体管64的阈值电压,VT2表示开关晶体管66的阈值电压,VT3表示开关晶体管68的阈值电压。
条件(a)使开关晶体管66截止而开关晶体管68导通。存储在存储电容器62中的电压保持不变。
在第四操作周期X34:VSS在驱动周期达到其工作电压。在图11中,VSS的工作电压为零。然而,VSS的工作电压可以是不同于零的任何电压。SEL为低。存储在存储电容器62中的电压被施加到驱动晶体管64的栅极。驱动晶体管64导通。因此,与驱动晶体管64的阈值电压VT和OLED 60的电压无关的电流流过驱动晶体管64和OLED60。这样,OLED 60的老化和驱动晶体管64的不稳定性不会影响流过驱动晶体管64和OLED 60的电流。
图12示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路206。像素电路206包括OLED 70、两个存储电容器72和73、驱动晶体管74和开关晶体管76和78。像素电路206是顶部发散的电压编程的像素电路。
晶体管74、76和78是n型TFT。然而,晶体管74、76和78可以是p型晶体管。应用到像素电路206的驱动技术也可应用到如图21所示的具有p型晶体管的互补像素电路。晶体管74、76和78可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、NMOS/PMOS工艺或CMOS工艺(例如,MOSFET)来制造。
驱动晶体管74的第一端连接到OLED 70的阴极电极。驱动晶体管74的第二端连接到公共接地。驱动晶体管74的栅极端通过开关晶体管76连接到驱动晶体管74的第一线(端)。存储电容器72和73串联在驱动晶体管74的栅极端和公共接地之间。
开关晶体管76的栅极端连接到选择线SEL。开关晶体管76的第一端连接到驱动晶体管74的第一端。开关晶体管76的第二端连接到驱动晶体管74的栅极端。
开关晶体管78的栅极端连接到选择线SEL。开关晶体管78的第一端连接到信号线VDATA。第二端连接到存储电容器72和73的共用端(即,节点C4)。OLED 70的阳极电极连接到电压供应电极VDD。电压电极VDD的电压是可控制的。
OLED 70和晶体管74和76在节点A4处相连接。存储电容器72和晶体管74和76在节点B4处相连接。
图13示出了对图12的像素电路206进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。参照图12和13,像素电路206的操作包括具有四个操作周期X41、X42、X43和X44的编程周期和具有一个驱动周期X45的驱动周期。
在编程周期,编程电压加上驱动晶体管74的阈值电压被存储在存储电容器72中。驱动晶体管74的源极端达到零,并且存储电容器73充电到零。
结果,驱动晶体管74的栅-源极电压达到:
VGS=VP+VT    ...(4)
其中,VGS表示驱动晶体管74的栅-源极电压,VP表示编程电压,并且VT表示驱动晶体管74的阈值电压。
在第一操作周期X41:SEL为高。VDATA达到低电压。在VDD为高时,节点B4和节点A4被充电到正电压。
在第二操作周期X42:SEL为低,并且VDD达到基准电压VREF,其中OLED 70在基准电压是关闭的。
在第三操作周期X43:VDATA达到(VREF2-VP),其中VREF2是基准电压。假定VREF2为零。然而,VREF2可以是不同于零的任何电压。SEL为高。因此,节点B4处的电压和节点A4处的电压在该周期开始时变得相等。应注意,第一存储电容器72足够大,因此它的电压占优势。之后,节点B4通过驱动晶体管74放电,直到驱动晶体管74截止。
结果,节点B4的电压为VT(即,驱动晶体管74的阈值电压)。存储在第一存储电容器72中的电压为(VP-VREF2+VT)=(VP+VT),其中VREF2=0。
在第四操作周期X44:SEL达到VM,其中VM是中间电压,在该中间电压,开关晶体管76截止而开关晶体管78导通。VM满足以下条件:
VT3<<VM<VP+VT  ...(b)
其中VT3表示开关晶体管78的阈值电压。
VDATA达到VREF2(=0)。节点C4的电压达到VREF2(=0)。
这导致驱动晶体管74的栅-源极电压VGS为(VP+VT)。由于VM<VP+VT,所以开关晶体管76截止,并且存储在存储电容器72中的电压保持在VP+VT。
在第五操作周期X45:VDD达到工作电压。SEL为低。存储在存储电容器72中的电压被施加到驱动晶体管74的栅极。因此,与驱动晶体管74的阈值电压VT和OLED 70的电压无关的电流流过驱动晶体管74和OLED 70。这样,OLED 70的老化和驱动晶体管74的不稳定性不会影响到流过驱动晶体管74和OLED 70的电流量。
图14示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路208。像素电路208包括OLED 80、存储电容器81、驱动晶体管84和开关晶体管86。像素电路208对应于图3的像素电路200和电压编程的像素电路。
晶体管84和86是p型TFT。晶体管84和86可以使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、CMOS工艺(例如,MOSFET)和提供p型晶体管的任何其它工艺来制造。
驱动晶体管84的第一端连接到可控制的电压供应线VSS。驱动晶体管84的第二端连接到OLED 80的阴极电极。驱动晶体管84的栅极端通过开关晶体管86连接到信号线VDATA。存储电容器81连接在驱动晶体管84的第二端和栅极端之间。
开关晶体管86的栅极端连接到选择线SEL。开关晶体管86的第一端连接到信号线VDATA。开关晶体管86的第二端连接到驱动晶体管84的栅极端。OLED 80的阳极电极连接到地电压供应电极。
存储电容器81和晶体管84和85在节点A5处相连接。OLED 80、存储电容器81和驱动晶体管84在节点B5处相连接。
图15示出了对图14的像素电路208进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。图15与图4相对应。VDATA和VSS用于编程和补偿像素电路208的与时间有关的参数,这与图4的VDATA和VDD类似。参照图14和15,像素电路208的操作包括具有三个操作周期X51、X52和X53的编程周期和具有一个操作周期X54的驱动周期。
在编程周期,节点B5被充电到驱动晶体管84的正阈值电压,并且节点A5被充电到负编程电压。
结果,驱动晶体管84的栅-源极电压达到:
VGS=-VP+(-|VT|)=-VP-|VT|  …(5)
其中VGS表示驱动晶体管84的栅-源极电压,VP表示编程电压,VT表示驱动晶体管84的阈值电压。
在第一操作周期X51:VSS达到正补偿电压VCOMPB,VDATA达到负补偿电压(-VCOMPA),并且SEL为低。结果,开关晶体管86导通。节点A5被充电到(-VCOMPA)。节点B5被充电到VCOMPB。
在第二操作周期X52:VDATA达到基准电压VREF。节点B5通过驱动晶体管84放电,直到驱动晶体管84截止。结果,节点B5的电压达到VREF+|VT|。VSS达到负电压VL以加速该周期X52。对于最优设置时间,选择VL,使其等于工作电压,工作电压是驱动周期中的VSS的电压。
在第三操作周期X53:在VSS在VL等级并且SEL为低时,节点A5被充电到(VREF-VP)。因为OLED 80的电容82很大,所以节点B5的电压保持在驱动晶体管84的正阈值电压。因此,驱动晶体管84的栅-源极电压为(-VP-|VT|),该电压被存储在存储电容器81中。
在第四操作周期X54:SEL和VDATA达到零。VSS达到负高压(即,其工作电压)。存储在存储电容器81中的电压被施加到驱动晶体管84的栅极端。因此,与OLED 80的电压和驱动晶体管84的阈值电压无关的电流流过驱动晶体管84和OLED 80。因此,OLED 80的老化和驱动晶体管84的不稳定性不影响流过驱动晶体管84和OLED 80的电流量。
应注意,可以用VCOMPB、VCOMPA、VL、VREF和VP的不同值来操作像素电路208。VCOMPB、VCOMPA、VL、VREF和VP限定了像素电路的寿命。这样,这些电压可根据像素规格来定义。
图16示出了具有图14的像素电路208的显示系统。图16的VSS1和VSS2与图14的VSS相对应。图16的SEL1和SEL2与图14的SEL相对应。图16的VDATA1和VDATA2与图14的VDATA相对应。图16的阵列是具有多个图14的像素电路208的有源矩阵发光二极管(AMOLED)显示器。像素电路208排列成行和列,和互连线91、92和93(VDATA1、SEL2、VSS2)。VDATA1(或VDATA2)在共同列像素之间共用,而SEL1(或SEL2)和VSS1(或VSS2)在阵列结构中的共同行像素之间共用。
提供驱动器310以驱动VDATA1和VDATA2。提供驱动器312以驱动VSS1、VSS2、SEL1和SEL2。控制器314控制驱动器310和312以实现如上所述的编程和驱动周期。图2中示出了对图6的显示阵列进行编程和驱动的时序图。每一个编程和驱动周期可与图15中的相同。
图16的阵列可具有图7(a)或7(b)所示的阵列结构。图16的阵列的产生方式与图6的相似。所有包括TFT、存储电容器、SEL、VDATA和VSS的像素电路被一起制造。之后,为所有像素电路制造OLED。使用通路(例如图14中的B5)将OLED连接到相应的驱动晶体管。面板可通过在OLED上沉积顶部电极来完成,其可以是连续层,以减小设计的复杂度并且可用于开启/关闭整个显示器或控制亮度。
图17示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路210。像素电路210包括OLED 100、两个存储电容器102和103、驱动晶体管104和开关晶体管106和108。像素电路210与图8的像素电路202相对应。
晶体管104、106和108是p型TFT。晶体管84和86可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、CMOS工艺(例如,MOSFET)和提供p型晶体管的任何其它工艺来制造。
在图17中,驱动晶体管104的一端连接到OLED 100的阳极电极,而另一端连接到可控制的电压供应线VDD。存储电容器102和103串联在驱动晶体管104的栅极端和电压供应电极V2之间。同样,V2可连接到VDD。OLED 100的阴极电极连接到地电压供应电极。
OLED 100和晶体管104和106在节点A6处相连接。存储电容器102和晶体管104和106在节点B6处相连接。晶体管108和存储电容器102和103在节点C6处相连接。
图18示出了对图17的像素电路210进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。图18与图9相对应。VDATA和VDD用于编程和补偿像素电路210的与时间有关的参数,这与图9的VDATA和VSS类似。参照图17和图18,像素电路210的操作包括具有四个操作周期X61、X62、X63和X64的编程周期,和具有一个操作周期X65的驱动周期。
在编程周期,负编程电压加上驱动晶体管104的负阈值电压被存储在存储电容器102中,并且第二存储电容器103被放电到零。
结果,驱动晶体管104的栅-源极电压达到:
VGS=-VP-|VT|    ...(6)
其中,VGS表示驱动晶体管104的栅-源极电压,VP表示编程电压,VT表示驱动晶体管104的阈值电压。
在第一操作周期X61:VDD达到负高压,VDATA被设置为V2。SEL1和SEL2为低。因此,节点A6和B6被充电到负电压。
在第二操作周期X62:SEL1为高,并且开关晶体管106截止,VDATA达到负电压。结果,节点B6的电压降低,并且节点A6的电压被充电到电压VDD。在此电压,OLED 100关闭。
在第三操作周期X63:VDD达到基准电压VREF。VDATA达到(V2-VREF+VP),其中VREF为基准电压。假定VREF为零。然而,VREF可以是任何不同于零的电压。在该周期开始时,因为OLED 100的电容101大于存储电容器102的电容,所以节点B6的电压变为几乎等于节点A6的电压。之后,节点B6的电压和节点A6的电压通过驱动晶体管104被充电,直到驱动晶体管104截止。结果,驱动晶体管104的栅-源极电压为(-VP-|VT|),该电压被存储在存储电容器102中。
在第四操作周期X64:SEL1为高。由于SEL2为低,VDATA达到V2,节点C6的电压达到V2。
在第五操作周期X65:在驱动周期,VDD达到其工作电压。在图18中,VDD的工作电压为零。然而,VDD的工作电压可以是任何电压。SEL2为高。存储在存储电容器102中的电压被施加到驱动晶体管104的栅极端。这样,与驱动晶体管104的阈值电压VT和OLED 100的电压无关的电流流过驱动晶体管104和OLED 100。因此,OLED 100的老化和驱动晶体管104的不稳定性不会影响流过驱动晶体管54和OLED 100的电流量。
图19示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路212。像素电路212包括OLED 110、两个存储电容器112和113、驱动晶体管114和开关晶体管116和118。像素电路212与图10的像素电路204相对应。
晶体管114、116和118是p型TFT。晶体管84和86可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、CMOS工艺(例如,MOSFET)和任何提供p型晶体管的其它工艺来制造。
在图19中,驱动晶体管114的一端连接到OLED110的阳极电极,而另一端连接到可控制的电压供应线VDD。存储电容器112和113串联在驱动晶体管114的栅极端和电压供应电极V2之间。并且,V2可连接到VDD。OLED 100的阴极电极连接到地电压供应电极。
OLED 110和晶体管114和11 6在节点A7处相连接。存储电容器112和晶体管114和116在节点B7处相连接。晶体管118和存储电容器112和113在节点C7处相连接。
图20示出了对图19的像素电路212进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。图20与图11相对应。VDATA和VDD用于编程和补偿像素电路212的与时间有关的参数,这与图11的VDATA和VSS类似。参照图19和20,像素电路212的操作包括具有四个操作周期X71、X72和X73的编程周期,和具有一个操作周期X74的驱动周期。
在编程周期,负编程电压加上驱动晶体管114的负阈值电压被存储在存储电容器112中。存储电容器113放电到零。
结果,驱动晶体管114的栅-源极电压达到:
VGS=-VP-|VT|  ...(7)
其中,VGS表示驱动晶体管114的栅-源极电压,VP表示编程电压,VT表示驱动晶体管114的阈值电压。
在第一操作周期X71:VDD达到负电压。SEL为低。节点A7和节点B7被充电到负电压。
在第二操作周期X72:VDD达到基准电压VREF。VDATA达到(V2-VREF+VP)。节点B7处的电压和节点A7的电压改变,直到驱动晶体管114截止。B7的电压为(-VREF-VT),并且存储在存储电容器112中的电压为(-VP-|VT|)。
在第三操作周期X73:SEL达到VM。VM是使开关晶体管106截止并且使开关晶体管118导通的中间电压。VDATA达到V2。节点C7的电压达到V2。存储在存储电容器112中的电压与X72的情况相同。
在第四操作周期X74:VDD达到其工作电压。SEL为高。存储在存储电容器112中的电压被施加到驱动晶体管114的栅极。驱动晶体管114导通。因此,与驱动晶体管114的阈值电压VT和OLED110的电压无关的电流流过驱动晶体管114和OLED 110。
图21示出了应用了根据本发明的另一实施例的编程和驱动技术的像素电路214。像素电路214包括OLED 120、两个存储电容器122和123,驱动晶体管124和开关晶体管126和128。像素电路212与图12的像素电路206相对应。
晶体管124、126和128是p型TFT。晶体管84和86可使用非晶硅、纳晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体工艺(例如,有机TFT)、CMOS工艺(例如,MOSFET)和提供p型晶体管的任何其它工艺来制造。
在图21中,驱动晶体管124的一端连接到OLED 120的阳极电极,而另一端连接到电压供应线VDD。存储电容器122和123串联在驱动晶体管124的栅极端和VDD之间。OLED 120的阴极电极连接到可控制电压供应电极VSS。
OLED 120和晶体管124和126在节点A8处相连接。存储电容器122和晶体管124和126在节点B8处相连接。晶体管128和存储电容器122和123在节点C8处相连接。
图22示出了对图21的像素电路214进行编程和驱动的波形的一个实例的时序图。图22与图13相对应。VDATA和VSS用于编程和补偿像素电路214的与时间有关的参数,这与图13中的VDATA和VDD类似。参照图21和22,编程像素电路214包括具有四个操作周期X81、X82、X83和X84的编程周期和具有一个驱动周期X85的驱动周期。
在编程周期,负编程电压加上驱动晶体管124的负阈值电压被存储在存储电容器122中。存储电容器123放电到零。
结果,驱动晶体管124的栅-源极电压达到:
VGS=-VP-|VT|  ...(8)
其中,VGS表示驱动晶体管114的栅-源极电压,VP表示编程电压,VT表示驱动晶体管124的阈值电压。
在第一操作周期X81:VDATA达到高电压。SEL为低。节点A8和节点B8充电到正电压。
在第二操作周期X82:SEL为高。VSS达到基准电压VREF1,其中OLED 60关闭。
在第三操作周期X83:VDATA达到(VREF2+VP),其中VREF2为基准电压。SEL为低。因此,节点B8的电压和节点A8的电压在此周期开始时变为相等。应注意,第一存储电容器112足够大,使得其电压占优势。之后,节点B8通过驱动晶体管124充电,直到驱动晶体管124截止。结果,节点B8的电压为(VDD-|VT|)。存储在第一存储电容器122中的电压为(-VREF2-VP-|VT|)。
在第四操作周期X84:SEL达到VM,其中VM是使开关晶体管126截止而使开关晶体管128导通的中间电压。VDATA达到VREF2。节点C8的电压达到VREF2。
这使得驱动晶体管124的栅-源极电压VGS为(-VP-|VT|)。由于VM<-VP-VT,所以开关晶体管126截止,并且存储在存储电容器122中的电压保持在-(VP+|VT|)。
在第五操作周期X85:VSS达到工作电压。SEL为低。存储在存储电容器122中的电压被施加到驱动晶体管124的栅极。
应注意,用于操作具有图8、10、12、17、19或21的像素电路的阵列的系统可与图6或16中的相类似。具有图8、10、12、17、19或21的像素电路的阵列可具有如图7(a)或7(b)中所示的阵列结构。
应注意,根据互补电路的概念,每一个晶体管可以用p型或n型晶体管来替换。
根据本发明的实施例,驱动晶体管处于操作的饱和状态。这样,其电流主要由其栅-源极电压VGS限定。结果,由于其栅-源极电压被存储在存储电容器中,所以即使OLED电压改变,驱动晶体管的电流也保持恒定。
根据本发明的实施例,提供到驱动晶体管的过驱动电压是通过应用与驱动晶体管的阈值电压和/或发光二极管电压的电压无关的波形而生成的。
根据本发明的实施例,提供了基于自举的稳定驱动技术(例如,图2-12和16-20)。
像素元件的移位特性(例如,驱动晶体管的阈值电压移位和长时间显示操作下发光器件的老化)由存储在存储电容器中并且被施加到驱动晶体管的栅极的电压进行补偿。这样,像素电路可提供流过发光器件的稳定电流,而不会受到移位的任何影响,这改善了显示操作寿命。此外,因为电路的简化,保证了比常规像素电路更高的产量、更低的制造成本和更高的分辨率。
所有引用由此结合在本文中作为参考。
本发明是根据一个或多个实施例进行说明的。然而,本领域的技术人员应该清楚,可以在不偏离权利要求限定的本发明范围的情况下进行一些变形和修改。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
在编程周期,
在第一操作周期,控制所述第一节点和所述第二节点中的每一个的电压,使得(VT+VP)或-(VT+VP)被存储在所述第一存储电容器中,其中VT表示所述驱动晶体管的阈值电压,VP表示编程电压;
在第二操作周期,使所述第三节点放电;
在驱动周期,将存储在所述存储电容器中的电压施加到所述驱动晶体管的栅极端。
6.如权利要求5所述的方法,其中,发光器件是有机发光二极管。
7.如权利要求5所述的方法,其中,至少一个所述晶体管是薄膜晶体管。
8.如权利要求5-7中的任一项所述的方法,其中,所述第一和第二选择线是公共选择线。
9.如权利要求5-7中的任一项所述的方法,其中,一行的编程周期和驱动周期与相邻行的编程周期和驱动周期重叠。
10.一种显示系统,包括:
具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:
具有第一端和第二端的发光器件,所述发光器件的第一端连接到电压供应电极;
具有第一端和第二端的电容器;
具有栅极端、第一端和第二端的开关晶体管,所述开关晶体管的栅极端连接到选择线,所述开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线,所述开关晶体管的第二端连接到所述电容器的第一端;和
具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,所述驱动晶体管

Claims (18)

1.一种编程和驱动显示系统的方法,所述显示系统包括:
具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:
具有第一端和第二端的发光器件,所述发光器件的第一端连接到电压供应电极;
具有第一端和第二端的电容器;
具有栅极端、第一端和第二端的开关晶体管,所述开关晶体管的栅极端连接到选择线,所述开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线,所述开关晶体管的第二端连接到所述电容器的第一端;和
具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,所述驱动晶体管的栅极端在第一节点(A)处连接到所述开关晶体管的第二端和所述电容器的第一端,所述驱动晶体管的第一端在第二节点(B)处连接到所述发光器件的第二端和所述电容器的第二端,所述驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;
驱动器,其用于驱动所述选择线、所述可控制的电压供应线和所述信号线,以操作所述显示阵列;
所述方法包括以下步骤:
在编程周期,
在第一操作周期,以由(VREF-VT)或(-VREF+VT)定义的第一电压对所述第二节点进行充电,其中VREF表示基准电压,VT表示所述驱动晶体管的阈值电压;
在第二操作周期,以由(VREF+VP)或(-VREF+VP)定义的第二电压对所述第一节点进行充电,所述第一和第二电压之间的差值被存储在所述存储电容器中,其中VP表示编程电压;
在驱动周期,将存储在所述存储电容器中的电压施加到所述驱动晶体管的栅极端。
2.如权利要求1所述的方法,其中,发光器件是有机发光二极管。
3.如权利要求1所述的方法,其中,至少一个所述晶体管是薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的方法,其中,对每一行连续实施所述编程周期和所述驱动周期。
5.一种编程和驱动显示系统的方法,所述显示系统包括:
具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:
具有第一端和第二端的发光器件,所述发光器件的第一端连接到电压供应电极;
第一电容器和第二电容器,每一个电容器具有第一端和第二端;
具有栅极端、第一端和第二端的第一开关晶体管,所述第一开关晶体管的栅极端连接到第一选择线,所述第一开关晶体管的第一端连接到所述发光器件的第二端,所述第一开关的第二端连接到所述第一电容器的第一端;
具有栅极端、第一端和第二端的第二开关晶体管,所述第二开关晶体管的栅极端连接到第二选择线,所述第二开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线;
具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,所述驱动晶体管的第一端在第一节点(A)处连接到所述发光器件的第二端,所述驱动晶体管的栅极端在第二节点(B)处连接到所述第一开关晶体管的第二端和所述第一电容器的第一端,所述驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;
所述第二开关晶体管的第二端在第三节点(C)处连接到所述第一电容器的第二端和所述第二电容器的第一端;
驱动器,其用于驱动所述第一和第二选择线、所述可控制的电压供应线和所述信号线以操作所述显示阵列;
所述方法包括以下步骤:
在编程周期,
在第一操作周期,控制所述第一节点和所述第二节点中的每一个的电压,使得(VT+VP)或-(VT+VP)被存储在所述第一存储电容器中,其中VT表示所述驱动晶体管的阈值电压,VP表示编程电压;
在第二操作周期,使所述第三节点放电;
在驱动周期,将存储在所述存储电容器中的电压施加到所述驱动晶体管的栅极端。
6.如权利要求7所述的方法,其中,发光器件是有机发光二极管。
7.如权利要求7所述的方法,其中,至少一个所述晶体管是薄膜晶体管。
8.如权利要求7所述的方法,其中,所述第一和第二选择线是公共选择线。
9.如权利要求7所述的方法,其中,一行的编程周期和驱动周期与相邻行的编程周期和驱动周期重叠。
10.一种显示系统,包括:
具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:
具有第一端和第二端的发光器件,所述发光器件的第一端连接到电压供应电极;
具有第一端和第二端的电容器;
具有栅极端、第一端和第二端的开关晶体管,所述开关晶体管的栅极端连接到选择线,所述开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线,所述开关晶体管的第二端连接到所述电容器的第一端;和
具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,所述驱动晶体管的栅极端在第一节点(A)处连接到所述开关晶体管的第二端和所述电容器的第一端,所述驱动晶体管的第一端在第二节点(B)处连接到所述发光器件的第二端和所述电容器的第二端,所述驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;
驱动器,其用于驱动所述选择线、所述可控制的电压供应线和所述信号线,以操作所述显示阵列;和
控制器,其用于使用所述驱动器在所述显示阵列的每一行上实施编程周期和驱动周期;
其中,所述编程周期包括第一操作周期和第二操作周期,
其中,在所述第一操作周期,以由(VREF-VT)或(-VREF+VT)定义的第一电压,对所述第二节点进行充电,其中VREF表示基准电压,VT表示所述驱动晶体管的阈值电压,在所述第二操作周期,以由(VREF+VP)或(-VREF+VP)定义的第二电压,对所述第一节点进行充电,所述第一和第二电压的差值被存储在所述存储电容器中,其中VP表示编程电压;
其中,在所述驱动周期,将存储在所述存储电容器中的电压施加到所述驱动晶体管的栅极端。
11.如权利要求10所述的显示系统,其中,发光器件是有机发光二极管。
12.如权利要求10所述的显示系统,其中,至少一个所述晶体管是薄膜晶体管。
13.如权利要求10所述的显示系统,其中,一行的编程周期和驱动周期与相邻行的编程周期和驱动周期重叠。
14.一种显示系统,包括:
具有排列成行和列的多个像素电路的显示阵列,每一个像素电路具有:
具有第一端和第二端的发光器件,所述发光器件的第一端连接到电压供应电极;
第一电容器和第二电容器,每一个电容器具有第一端和第二端;
具有栅极端、第一端和第二端的第一开关晶体管,所述第一开关晶体管的栅极端连接到第一选择线,所述第一开关晶体管的第一端连接到所述发光器件的第二端,所述第一开关的第二端连接到所述第一电容器的第一端;
具有栅极端、第一端和第二端的第二开关晶体管,所述第二开关晶体管的栅极端连接到第二选择线,所述第二开关晶体管的第一端连接到用于传递电压数据的信号线;
具有栅极端、第一端和第二端的驱动晶体管,所述驱动晶体管的第一端在第一节点(A)处连接到所述发光器件的第二端,所述驱动晶体管的栅极端在第二节点(B)处连接到所述第一开关晶体管的第二端和所述第一电容器的第一端,所述驱动晶体管的第二端连接到可控制的电压供应线;
所述第二开关晶体管的第二端在第三节点(C)处连接到所述第一电容器的第二端和所述第二电容器的第一端;
驱动器,其用于驱动所述第一和第二选择线、所述可控制的电压供应线和所述信号线,以操作所述显示阵列;和
控制器,其用于使用所述驱动器在所述显示阵列的每一行上实施编程周期和驱动周期;
其中,所述编程周期包括第一操作周期和第二操作周期;
其中,在所述第一操作周期,控制所述第一节点和所述第二节点中的每一个节点的电压,使得(VT+VP)或-(VT+VP)被存储在所述第一存储电容器中,其中VT表示所述驱动晶体管的阈值电压,VP表示编程电压,在所述第二操作周期,使所述第三节点放电;
其中,在所述驱动周期,将存储在所述存储电容器中的电压施加到所述驱动晶体管的栅极端。
15.如权利要求14所述的显示系统,其中,发光器件是有机发光二极管。
16.如权利要求14所述的显示系统,其中,至少一个所述晶体管是薄膜晶体管。
17.如权利要求14所述的显示系统,其中,所述第一和第二选择线是公共选择线。
18.如权利要求14所述的显示系统,其中,一行的编程周期和驱动周期与相邻行的编程周期和驱动周期重叠。
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