KR20080098489A - 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체 - Google Patents

시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드, 또는 이의 등전자성 또는 벤즈고리화된 유사체를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이들 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(OLED), 인광 금속 착체, 2배위 리간드

Description

시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체{METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF}
관련 출원에 대한 교차 참조
본 출원은 2006년 2월 10일자로 출원된 미국 가출원 제60/772,154호; 제2006년 11월 3일자로 출원된 미국 가출원 제60/856,824호; 및 2006년 12월 11일자로 출원된 미국 가출원 제60/874,190호의 이익을 특허 청구한 것이다.
연구 계약
특허청구된 본 발명은 공동 산학 연구 개발 계약에 따른 다음의 계약 당사자들: 프린스턴 유니버시티, 더 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 및 유니버설 디스플레이 코포레이션 중 1 이상에 의하여, 이들을 대신하여 및/또는 이들과 관련하여 이루어진 것이다. 그 계약은 본 발명이 이루어진 일자에 그리고 그 이전에 유효하며, 특허청구된 본 발명은 계약의 범위 내에 실시되는 활동의 결과로서 이루어진 것이다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 유기 발광 소자(OLED: organic light emitting device) 및, 이러한 소자에 사용되는 유기 화합물에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전 소자는 여러 가지 이유로 인하여 점차로 바람직해지고 있다. 이와 같은 소자를 생산하는데 사용되는 다수의 물질은 비교적 저렴하며, 그래서 유기 광전 소자는 무기 소자에 비하여 비용면에서의 잇점에 중요하게 된다. 또한, 유기 물질의 고유 성질, 예컨대 이의 가요성은 특정의 적용예, 예컨대 가요성 기판상에서의 제조에 매우 적절하도록 할 수 있다. 유기 광전 소자의 예로는 유기 발광 소자(OLED), 유기 포토트랜지스터, 유기 광기전력 전지 및 유기 광검출기 등이 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능상의 잇점을 지닐 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트를 사용하여 용이하게 조절될 수 있다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전 소자를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체성 물질뿐 아니라, 소 분자 유기 물질을 포함한다. "소 분자"라는 것은 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소 분자"는 실질적으로 꽤 클 수 있다. 소 분자는 특정의 환경에서 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환체로서 장쇄 알킬 기를 사용하는 것은 "소 분자" 유형으로부터 분자를 제거하지는 않는다. 또한, 소 분자는 중합체, 예를 들면 중합체 주쇄상에서의 측쇄로서 또는 주쇄의 일부로서 혼입될 수 있다. 또한, 소 분자는 코어 부분에 형성된 일련의 화학적 쉘로 이루어진 덴드리머의 코어 부분으로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광 또는 인광 소 분자 방출체가 될 수 있다. 덴드리머는 "소 분자"가 될 수 있으며, OLED 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 덴드리머는 소 분자인 것으로 밝혀졌다. 일반적으로, 소 분자는 단일의 분자량을 갖는 잘 정의된 화학식을 갖는 반면, 중합체는 분자에 따라 달라질 수 있는 화학식 및 분자량을 갖는다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, "유기"는 히드로카르빌 리간드 및 이종원자 치환된 히드로카르빌 리간드의 금속 착체를 포함한다.
OLED는 전압이 소자에 걸쳐 인가될 때 광을 방출하게 되는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평판 디스플레이, 조명 및 역광 조명을 비롯한 적용예에 사용하기 위하여 점차로 중요한 기법이 되고 있다. 여러 개의 OLED 물질 및 배치는 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있다.
OLED 소자는 일반적으로(그러나 항상 그러한 것은 아님) 전극중 1 이상을 통하여 광을 방출시키고자 하며, 1 이상의 투명 전극은 유기 광전 소자에 유용할 수 있다. 예를 들면, 투명 전극 물질, 예컨대 산화인듐주석(ITO)은 하부 전극으로서 사용될 수 있다. 투명 상부 전극, 예컨대 전체 내용이 본 명세서에서 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에 개시된 것을 사용할 수 있다. 하부 전극을 통하여서만 광을 방출시키고자 하는 소자의 경우, 상부 전극은 반드시 투명할 필요는 없으며, 전기 전도도가 높은 두꺼운 반사성 금속 층으로 이루어질 수 있다. 유사하게, 상부 전극을 통하여서만 광을 방출시키고자 하는 소자의 경우, 하부 전극은 불투명 및/또는 반사성일 수 있다. 전극이 투명할 필요가 없는 경우, 더 두꺼운 층을 사용하면 더 우수한 전도도를 제공할 수 있으며, 반사성 전극을 사용하면 투명 전극을 향하여 광을 다시 반사시켜 다른 전극을 통하여 방출된 광의 양을 증가시킬 수 있다. 또한, 2 개의 전극이 투명한 경우 완전 투명 소자를 제조할 수 있다. 또한, 측면 발광 OLED를 제조할 수 있으며, 하나의 전극 또는 2 개의 전극은 상기 소자에서 불투명 또는 반사성이 될 수 있다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이, "상부"라는 것은 기판으로부터 가장 멀리 떨어진 것을 의미하며, "하부"라는 것은 기판에 가장 가까운 것을 의미한다. 예를 들면, 2 개의 전극을 갖는 소자의 경우, 하부 전극은 기판에 가장 가까운 전극이며, 일반적으로 제조된 제1의 전극이 된다. 하부 전극은 2 개의 면을 지니며, 하부면은 기판에 가장 가까우며, 상부면은 기판으로부터 멀리 떨어져 있다. 제1의 층이 제2의 층"의 위에 배치된다"로 기재한 경우, 제1의 층은 기판으로부터 더 멀리 떨어져 배치된다. 제1의 층이 제2의 층"과 물리적으로 접하는"이라고 명시하지 않는 한, 제1의 층과 제2의 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐쏘드는 이들 사이에 각종 유기 층이 존재하더라도 애노드"의 위에 배치된다"로서 기재할 수 있다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이, "용액 처리 가능한"이라는 것은, 용액 또는 현탁액의 형태로, 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송되고/되거나, 그 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이 그리고, 당업자에 의하여 일반적으로 이해되는 바와 같이, 제1의 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 가까운 경우, 제1의 "최고 점유 분자 궤도함수"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도함수"(LUMO) 에너지 준위는 제2의 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위"보다 더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)는 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되기 때문에, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절대값을 갖는 IP(음의 값이 더 적은 IP)에 해당한다. 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 더 작은 절대값을 갖는 전자친화도(EA)(음의 값이 더 적은 EA)에 해당한다. 상부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 도표에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 도표의 상부에 더 근접한 것으로 나타난다.
장기간의 청색 발광성 인광 도펀트의 개발은 현재의 OLED 연구 및 개발의 이루어지지 못한 중요한 목적으로서 인지된다. 심청색 또는 근-UV에서의 발광 피이크를 갖는 인광 OLED 소자가 입증되어 있으며, 100 니트 초기 휘도를 나타내는 청색-발광성 소자의 수명은 수백 시간 정도이다(여기서, "수명"은 휘도가 일정한 전류에서 초기 준위의 50%로 감소되는 시간을 지칭하는 경우). 예를 들면, N-메틸-2-페닐이미다졸로부터 유래하는 2배위 리간드의 이리듐(III) 착체는 청색 OLED 소자를 생성하는데 사용할 수 있으나, 이러한 도펀트를 사용하면 수명이 매우 짧은 것으로 관찰되었다(100 니트 초기 휘도에서 약 250 시간).
대부분의 통상적인 적용이 200 니트 초기 휘도에서 10,000 시간 초과의 수명을 필요로 하는 것으로 예상되기 때문에, 청색 인광 OLED 소자 수명에서의 대부분의 개선을 추구한다.
발명의 개요
전술한 목적에 의하면, 본 명세서에서는 장기간의 그리고 효율적인 청색, 녹색 및 적색 발광성 OLED 소자의 제조에서 유용한 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 또는 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드 또는 이의 등전자성 또는 벤즈고리화된 유사체를 포함하는 여러 가지의 신규한 유형의 인광 금속 착체 및 OLED 소자가 기술되어 있다. 놀랍게도, 이들 착체 중 다수는 그러한 고도로 콘쥬게이트화된 분자에 대하여 놀랍게도 높은, 좁은 인광 발광성 선형 또는 3중선 에너지 또는 둘다를 갖는다. G98/B31yp/cep-31g 기본 설정을 사용한 밀도 함수 이론(DFT) 계산은 본 발명의 다수의 청색-발광성 착체가 약 0.25 eV 미만의 비교적 작은 단일선-3중선 갭(gap)을 갖는다는 것을 시사한다. 특정한 이론으로 한정하고자 하는 것은 아니나, 본 발명자들은 18 π 전자 계수 및, 융합된 고리의 특정의 배치는 작은 단일선-3중선 밴드 갭과 관련되어 있으며, 스펙트럼 선형 및 소자 수명에 대한 이로운 효과를 지닐 수 있는 것으로 판단된다. 또한, 작은 단일선-3중선 갭은 저 전압 OLED 소자의 디자인을 용이하게 할 수 있으며, 이러한 화합물을 포함하는 OLED 소자의 전력 소비를 이롭게 감소시킬 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1은 별도의 전자 수송, 정공 수송 및 발광 층뿐 아니라, 기타의 층을 갖는 유기 발광 소자를 도시한 것이다.
도 2는 별도의 전자 수송 층을 갖지 않는 역전 유기 발광 소자를 도시한 것이다.
도 3은 화합물 es1을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 4는 화합물 es6을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 5는 화합물 es8을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 6은 화합물 es9를 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 7은 화합물 es13을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 8은 화합물 es14를 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 9는 화합물 es16을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 10은 화합물 es17을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 11은 화합물 es19를 포함하는 소자에 대한 IVL 및 스펙트럼 데이타를 도시한 것이다.
도 12는 화합물 es20을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 13은 화합물 es4를 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 14는 염화메틸렌 용액중의 es101의 발광 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 15는 방출체로서 화합물 es20 및 정공 주입 층 물질로서 HILx를 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 16은 방출체 및 정공 주입 층 물질 모두로서 화합물 es20을 포함하는 소자에 대한 IVL, 스펙트럼 및 수명 데이타를 도시한 것이다.
도 17은 화합물 HILx의 구조를 도시한 것이다.
발명의 상세한 설명
일반적으로, OLED는 애노드 및 캐쏘드의 사이에 배치되고, 전기 접속된 1 이상의 유기 층을 포함한다. 전류가 인가될 경우, 애노드는 정공을 주입하며, 캐쏘드는 유기 층(들)에 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자 및 정공이 동일한 분자상에 편재되는 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘을 통하여 이완되는 경우 광이 방출된다. 특정의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플랙스상에서 편재화될 수 있다. 비-복사성 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 못한 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일선 상태("형광")로부터 광을 방출하는 발광 분자를 사용한다. 형광 발광은 일반적으로 10 나노초 미만의 기간에서 발생된다.
보다 최근에는, 3중선 상태로부터 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 예시되어 있다. 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998]("Baldo-I") 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl . Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999)]("Baldo-II")을 참조할 수 있다. 인광은 전이가 스핀 상태에서의 변화를 필요로 하기 때문에 "금지된" 전이로서 지칭될 수 있으며, 양자 역학에 의하면 이러한 전이는 바람직하지 않다는 것을 나타낸다. 그 결과, 인광은 일반적으로 10 나노초 이상을 초과하는, 통상적으로 100 나노초 초과의 기간에서 발생한다. 인광의 천연 복사성 수명이 너무 길 경우, 3중선은 광이 방출되지 않도록 비-복사성 메카니즘에 의하여 붕괴될 수 있다. 또한, 유기 인광은 종종 매우 낮은 온도에서 전자의 비공유쌍을 갖는 이종원자를 포함하는 분자에서 관찰된다. 2,2'-비피리딘이 그러한 분자이다. 비-복사성 붕괴 메카니즘은 통상적으로 액체 질소 온도에서 인광을 나타내는 유기 물질이 통상적으로 실온에서 인광을 나타내지 않도록 온도 의존성을 갖는다. 그러나, Baldo의 문헌에서 입증되는 바와 같이, 이러한 문제점은 실온에서 인광을 발생하는 인광 화합물을 선택하여 설명될 수 있다. 대표적인 발광층으로는 도핑된 또는 비-도핑된 인광 유기금속 물질, 예컨대 미국 특허 제6,303,238호; 제6,310,360호; 제6,830,828호; 및 제6,835,469호; 미국 특허 출원 공보 제2002-0182441호; 및 WO-02/074015호에 개시된 것 등이 있다.
일반적으로, OLED에서의 엑시톤은 약 3:1의 비, 즉 약 75% 3중선 및 25% 단일선에서 생성되는 것으로 밝혀졌다. 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 문헌[Adachi et al., "Nearly 100% Internal Phosphorescent Efficiency In An Organic Light Emitting Device," J. Appl . Phys., 90, 5048 (2001)]을 참조할 수 있다. 다수의 경우에서, 단일선 엑시톤은 "계간 교차"를 통하여 에너지를 3중선 여기된 상태로 용이하게 전달할 수 있으나, 3중선 엑시톤은 이의 에너지를 단일선 여기된 상태로 용이하게 전달하지 않을 수 있다. 그 결과, 100% 내부 양자 효율은 이론적으로는 인광 OLED로 가능하다. 형광 소자에서, 3중선 엑시톤의 에너지는 일반적으로 소자를 가열하는 무-방사선 붕괴 과정으로 손실되어 훨씬 더 낮은 내부 양자 효율을 산출한다. 3중선 여기된 상태로부터 방출되는 인광 물질을 사용하는 OLED은 예를 들면 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,303,238호에 개시되어 있다.
3중선 여기된 상태로부터, 발광 붕괴가 발생하는 중간 비-3중선 상태로의 전이에 이어서 인광이 발생할 수 있다. 예를 들면, 란탄족 원소에 배위 결합된 유기 분자는 종종 란탄족 금속상에서 편재화된 여기된 상태로부터 인광을 발생한다. 그러나, 이러한 물질은 3중선 여기된 상태로부터 직접 인광을 발생시키지는 않으나, 그 대신 란탄족 금속 이온에 집중된 원자 여기된 상태로부터 방출된다. 유로퓸 디케토네이트 착체는 이들 유형의 종 중 하나의 군을 예시한다.
3중선으로부터의 인광은 높은 원자 번호를 갖는 원자에 근접하는 유기 분자를 바람직하게는 접합을 통하여 제한하여 형광에 비하여 개선될 수 있다. 이러한 현상은 중원자 효과로 불리우는데, 이러한 현상은 스핀-궤도 커플링으로 공지된 메카니즘에 의하여 생성된다. 이와 같은 인광 전이는 유기금속 분자, 예컨대 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)의 여기된 금속-대-리간드 전하 전달(MLCT) 상태로부터 관찰될 수 있다. 특정 이론으로 한정하고자 하는 의도는 아니나, 유기금속 착체에서의 유기 금속 대 탄소 결합은 특히 원자 번호가 높은 원자에 대한 유기 분자의 목적하는 근접성을 얻는 특히 바람직한 방법인 것으로 밝혀졌다. 구체적으로, 본 명세서에서, 유기금속 착체에서의 유기 탄소-금속 결합의 존재는 더 큰 MLCT 특성을 촉진시킬 수 있으며, 이는 매우 효율적인 소자의 생산에 유용할 수 있다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 "3중선 에너지"는 소정 물질의 인광 스펙트럼에서 식별 가능한 최고 에너지 특징에 해당하는 에너지를 지칭한다. 최고 에너지 특징은 반드시 인광 스펙트럼에서의 최대 강도를 갖는 피이크일 필요는 없으며, 예를 들면, 이러한 피이크의 높은 에너지쪽에서의 뚜렷한 숄더부의 국소 최대치가 될 수 있다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기금속"은 당업자에 의하여 일반적으로 이해되는 바와 같으며, 예를 들면 문헌["Inorganic Chemistry" (2nd Edition) by Gary L. Miessler and Donald A. Tarr, Prentice Hall (1998)]에 제시되어 있는 바와 같다. 그래서, 용어 유기금속은 탄소-금속 결합을 통하여 금속에 결합된 유기 기를 갖는 화합물을 지칭한다. 이러한 유형은 그 자체로서 이종원자로부터의 공여체 결합, 예컨대 아민, 할로겐화물, 슈도할로겐화물(CN, 등) 등의 금속 착체로부터의 공여체 결합만을 갖는 물질인 배위 화합물을 포함하지 않는다. 실제로, 유기금속 화합물은 유기 종에 대한 1 이상의 탄소-금속 결합 이외에, 이종원자로부터의 1 이상의 공여체 결합을 포함할 수 있다. 유기 종에 대한 탄소-금속 결합은 금속 및 유기 기, 예컨대 페닐, 알킬, 알케닐, 등의 탄소 원자 사이의 직접 결합을 지칭하나, "무기 탄소", 예컨대 CN 또는 CO의 탄소로의 금속 결합을 지칭하지는 않는다.
도 1은 유기 발광 소자(100)를 도시한 것이다. 도면은 반드시 일정 비율로 도시하지는 않았다. 소자(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입 층(120), 정공 수송 층(125), 전자 저지 층(130), 발광층(135), 정공 저지 층(140), 전자 수송 층(145), 전자 주입 층(150), 보호층(155) 및 캐쏘드(160)를 포함할 수 있다. 캐쏘드(160)는 제1의 전도성 층(162) 및 제2의 전도성 층(164)을 갖는 복합 캐쏘드이다. 소자(100)는 기재한 층을 순서대로 적층시켜 제조할 수 있다.
기판(110)은 목적하는 구조적 성질을 제공하는 임의의 적절한 기판이 될 수 있다. 기판(110)은 연질 또는 경질이 될 수 있다. 기판(110)은 투명, 반투명 또는 불투명이 될 수 있다. 플라스틱 및 유리는 바람직한 경질 기판 물질의 예가 된다. 플라스틱 및 금속 호일은 바람직한 연질 기판 물질의 예가 된다. 기판(110)은 회로의 제조를 돕기 위하여 반도체 소재가 될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 기판에 차후에 적층된 OLED를 제어할 수 있는, 회로의 제조시 실리콘 웨이퍼가 될 수 있다. 기타의 기판을 사용할 수 있다. 기판(110)의 소재 및 두께는 목적하는 구조적 및 광학적 성질을 얻도록 선택할 수 있다.
애노드(115)는 유기 층에 정공을 수송하기에 충분한 전도성을 갖는 임의의 적절한 애노드가 될 수 있다. 애노드(115)의 소재는 바람직하게는 약 4 eV보다 더 높은 일 함수("높은 일 함수 물질")를 갖는다. 바람직한 애노드 물질로는 전도성 금속 산화물, 예컨대 산화인듐주석(ITO) 및 산화인듐아연(IZO), 산화알루미늄아연(AlZnO) 및 금속을 들 수 있다. 애노드(115)(및 기판(110))는 하부-방출 소자를 생성하기에 충분하게 투명할 수 있다. 바람직한 투명 기판 및 애노드 조합은 유리 또는 플라스틱(기판)에 적층된 시판중인 ITO(애노드)이다. 연질 투명 기판-애노드 조합은 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,844,363호 및 제6,602,540 B2호에 개시되어 있다. 애노드(115)는 불투명 및/또는 반사성이 될 수 있다. 반사성 애노드(115)는 특정의 상부-방출 소자에 대하여 바람직할 수 있어서 소자의 상부로부터 방출된 광의 양을 증가시킬 수 있다. 애노드(115)의 소재 및 두께는 목적하는 전도성 및 광학 성질을 얻도록 선택할 수 있다. 애노드(115)가 투명한 경우, 목적하는 전도율을 제공하기에 충분히 두껍지만, 목적하는 정도의 투명도를 제공하기에 충분히 얇은 특정의 물질에 대하여 소정 범위의 두께를 지닐 수 있다. 기타의 애노드 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
정공 수송 층(125)은 정공을 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 정공 수송 층(130)은 고유하거나(비-도핑된) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도율을 개선시키는데 사용될 수 있다. α-NPD 및 TPD는 고유한 정공 수송 층의 예가 된다. p-도핑된 정공 수송 층의 예는 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 출원 공보 제2003-0230980호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같이 50:1의 몰비에서 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이다. 기타의 정공 수송 층을 사용할 수 있다.
발광층(135)은 전류가 애노드(115) 및 캐쏘드(160) 사이를 통과할 경우 광을 발광할 수 있는 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 형광 발광 물질을 사용할 수도 있으나, 발광층(135)은 인광 발광 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 인광 물질은 상기 물질과 관련된 더 높은 발광성 효율로 인하여 바람직하다. 엑시톤이 광발광 메카니즘에 의하여 발광 물질로부터 이완되도록, 발광층(135)은 전자, 정공 및/또는 엑시톤을 포획할 수 있는 발광 물질로 도핑된 전자 및/또는 정공을 수송할 수 있는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 발광층(135)은 수송 및 발광 성질을 조합한 단일 물질을 포함할 수 있다. 발광 물질이 도펀트 또는 주요 성분이건 간에, 발광층(135)은 기타의 물질, 예컨대 발광 물질의 발광을 조절하는 도펀트를 포함할 수 있다. 발광층(135)은 조합하여 광의 목적하는 스펙트럼을 방출할 수 있는 복수의 발광 물질을 포함할 수 있다. 인광 발광 물질의 예로는 Ir(ppy)3이 있다. 형광 발광 물질의 예로는 DCM 및 DMQA가 있다. 호스트 물질의 예로는 Alq3, CBP 및 mCP가 있다. 발광 및 호스트 물질의 예는 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson et al.)에 개시되어 있다. 발광 물질은 다수의 방법으로 발광층(135)에 포함될 수 있다. 예를 들면, 발광 소 분자는 중합체에 혼입될 수 있다. 이는 여러 가지 방법으로 별도의 그리고 뚜렷한 분자종으로서 중합체에 소분자를 도핑시키거나; 또는 공-중합체를 형성하도록 소 분자를 중합체의 주쇄에 혼입시키거나; 또는 중합체상의 측쇄 기로서 소 분자를 결합시켜 달성될 수 있다. 기타의 발광층 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 예를 들면, 소 분자 발광 물질은 덴드리머의 코어로서 존재할 수 있다.
다수의 유용한 발광 물질로는 금속 중심에 결합된 1 이상의 리간드를 포함한다. 리간드는 유기금속 발광 물질의 광활성 성질에 직접 기여할 경우 "광활성"으로 지칭할 수 있다. "광활성" 리간드는 금속과 함께, 이로부터 전자가 이동되어 광자가 방출될 때 이에 전자가 이동되는 에너지 준위를 제공할 수 있다. 기타의 리간드는 "보조적인" 것으로 지칭될 수 있다. 보조적인 리간드는 예를 들면 광활성 리간드의 에너지 준위를 이동시켜 분자의 광활성 성질을 변경시킬 수 있으나, 보조적인 리간드는 광 발광과 관련된 에너지 준위를 직접 제공하지 않는다. 하나의 분자에서 광활성인 리간드는 서로 보조적일 수 있다. 이러한 광활성 및 보조적인 것의 정의는 한정하기 위한 것이 아니다.
전자 수송 층(145)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송 층(145)은 고유한(비-도핑된) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도율을 개선시키는데 사용될 수 있다. Alq3은 고유한 전자 수송 층의 예가 된다. n-도핑된 전자 수송 층의 예로는 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 출원 공보 제2003-0230980호(Forrest et al.)에 개시된 바와 같이, 1:1 몰비로 도핑된 BPhen이다. 기타의 전자 수송 층을 사용할 수 있다.
전자 수송 층의 전하 보유 성분은 캐쏘드로부터 전자 수송 층의 LUMO(최저 비점유 분자 궤도함수) 에너지 준위로 효과적으로 주입될 수 있도록 선택될 수 있다. "전하 보유 성분"은 전자를 실질적으로 수송하는 LUMO 에너지 준위에 대한 물질이다. 이러한 성분은 기재 물질이 될 수 있거나 또는 도펀트가 될 수 있다. 유기 물질의 LUMO 에너지 준위는 일반적으로 캐쏘드의 소재 및 상대적 전자 주입 효율이 캐쏘드 물질의 일 함수에 관하여 특징이 될 수 있는 상기 물질의 전자 친화도를 특징으로 한다. 이는 전자 수송 층 및 이웃하는 캐쏘드의 바람직한 성질이 캐쏘드 물질의 일 함수 및 ETL의 전하 보유 성분의 전자 친화도에 대하여 명시될 수 있다는 것을 의미한다. 특히, 높은 전자 주입 효율을 얻도록 하기 위하여, 캐쏘드 물질의 일 함수는 전자 수송 층의 전하 보유 성분의 전자 친화도가 바람직하게는 약 0.75 eV 초과만큼, 더욱 바람직하게는, 약 0.5 eV 이하만큼 더 크지 않다. 전자가 주입되는 임의의 층에도 유사한 고려 사항을 적용한다.
캐쏘드(160)는 캐쏘드(160)가 소자(100)의 유기 층으로 전자 전도 및 주입이 가능하도록 당업계에 공지된 임의의 적절한 물질 또는 물질의 조합이 될 수 있다. 캐쏘드(160)는 투명 또는 불투명일 수 있으며, 반사성일 수 있다. 금속 및 금속 산화물은 적절한 캐쏘드 물질의 예이다. 캐쏘드(160)는 단일 층일 수 있거나 또는 복합 구조를 지닐 수 있다. 도 1은 얇은 금속 층(162) 및 더 두꺼운 전도성 금속 산화물 층(164)을 갖는 복합 캐쏘드(160)를 도시한 것이다. 복합 캐쏘드에서, 더 두꺼운 층(164)에 바람직한 물질로는 ITO, IZO 및, 당업계에 공지된 기타의 물질 등이 있다. 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,703,436호, 제5,707,745호, 제6,548,956B2호 및 제6,576,134 B2호에는 금속, 예컨대 Mg:Ag의 박층을 갖는 복합 캐쏘드와, 상부의 투명, 전기 전도성, 스퍼터 증착된 ITO 층을 포함하는 캐쏘드의 예가 개시되어 있다. 하부의 유기 층과 접촉하는 캐쏘드(160)의 일부는 단일 층 캐쏘드(160), 복합 캐쏘드의 얇은 금속 층(162) 또는 일부 다른 부분이건 간에, 바람직하게는 일 함수가 약 4 eV보다 낮은 물질("낮은 일 함수 물질")로 셍성된다. 기타의 캐쏘드 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
저지 층은 발광층에서 방출되는 엑시톤 및/또는 전하 운반체(전자 또는 정공)의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 전자 저지 층(130)은 발광층(135) 및 정공 수송 층(125) 사이에 배치되어 전자가 정공 수송 층(125)의 방향으로 발광층(135)으로부터 방출되는 것을 저지한다. 유사하게, 정공 저지 층(140)은 발광층(135) 및 전자 수송 층(145) 사이에 배치되어 정공이 전자 수송 층(145)의 방향으로 발광층(135)으로부터 방출되는 것을 저지할 수 있다. 또한, 저지 층은 엑시톤이 발광층으로부터 확산되는 것을 저지하는데 사용될 수 있다. 저지 층의 이론 및 사용은 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공보 제2003-0230980호(Forrest et al.)에 구체적으로 설명되어 있다.
본 명세서에서 사용한 바와 같이 그리고 당업자에 의하여 이해되는 바와 같이, 용어 "저지 층"은 층이 소자를 통한 전하 운반체 및/또는 엑시톤의 수송을 상당히 방지하는 차단체를 제공한다는 것을 의미하며, 층은 반드시 전하 운반체 및/또는 엑시톤을 완전 저지한다는 것을 시사하지는 않는다. 소자에서의 이와 같은 저지 층의 존재는 저지 층이 결여되어 있는 유사한 소자와 비교시 실질적으로 더 높은 효율을 산출할 수 있다. 또한, 저지 층은 OLED의 목적하는 영역으로 발광을 한정하는데 사용될 수 있다.
일반적으로, 주입 층은 하나의 층, 예컨대 전극 또는 유기 층으로부터 이웃하는 유기 층으로의 전하 운반체의 주입을 개선시킬 수 있는 물질로 이루어진다. 또한, 주입 층은 전하 수송 기능을 수행할 수 있다. 소자(100)에서, 정공 주입 층(120)은 애노드(115)로부터 정공 수송 층(125)으로 정공의 주입을 개선시키는 임의의 층이 될 수 있다. CuPc는 ITO 애노드(115) 및 기타의 애노드로부터 정공 주입 층으로서 사용될 수 있는 물질의 예이다. 소자(100)에서, 전자 주입 층(150)은 전자 수송 층(145)로의 전자의 주입을 개선시키는 임의의 층이 될 수 있다. LiF/Al은 이웃하는 층으로부터 전자 수송 층으로 전자 주입 층으로서 사용될 수 있는 물질의 예이다. 기타의 물질 또는 물질의 조합을 주입 층에 사용할 수 있다. 특정의 소자의 구조에 따라, 주입 층은 소자(100)에서 도시되는 것과는 상이한 위치에 배치될 수 있다. 주입 층의 더 많은 예는 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 출원 제09/931,948호(Lu et al.)에 제공된다. 정공 주입 층은 용액 증착된 물질, 예컨대 스핀 코팅된 중합체, 예를 들면 PEDOT:PSS를 포함할 수 있거나 또는, 증착된 소 분자 물질, 예를 들면 CuPc 또는 MTDATA가 될 수 있다.
정공 주입 층(HIL)은 정공 주입 물질로 애노드로부터 효과적인 정공 주입을 제공하도록 애노드 표면을 평탄화 또는 습윤화할 수 있다. 또한, 정공 주입 층은 본 명세서에서 설명한 상대적 이온화 준위(IP) 에너지에 의하여 정의된 바와 같이, 바람직하게 필적하는 HOMO(최고 점유 분자 궤도함수) 에너지 준위를 갖는 전하 보유 성분을 지닐 수 있으며, 이웃하는 애노드 층은 HIL의 한면에, 정공 수송 층은 HIL의 다른면에 존재한다. "전하 보유 성분"은 정공을 실질적으로 수송하는 HOMO 에너지 준위의 원인이 되는 물질이다. 이러한 성분은 HIL의 기재 물질이 될 수 있거나 또는, 도펀트가 될 수 있다. 도핑된 HIL을 사용하는 것은 도펀트가 이의 전기 성질에 대하여 선택되도록 하며, 호스트가 형태학적 성질, 예컨대 습윤화, 가요성, 인성 등에 대하여 선택되도록 한다. HIL 물질에 바람직한 성질은 정공이 애노드로부터 HIL 물질로 효과적으로 주입될 수 있도록 한다. 특히, HIL의 전하 보유 성분은 바람직하게는 애노드 물질의 IP보다 더 큰 약 0.7 eV 이하의 IP를 갖는다. 더욱 바람직하게는, 전하 보유 성분은 애노드 물질보다 더 큰 약 0.5 eV 이하의 IP를 갖는다. 정공이 주입되는 임의의 층에 유사한 고려 사항을 적용한다. HIL 물질은 HIL 물질이 통상의 정공 수송 물질의 정공 전도율보다 실질적으로 적은 정공 전도율을 지닐 수 있도록 OLED의 정공 수송 층에 통상적으로 사용되는 통상의 정공 수송 물질과는 추가로 구별된다. 본 발명의 HIL의 두께는 애노드 층을 평탄화 또는 습윤화시키는 것을 돕기에 충분히 두꺼울 수 있다. 예를 들면, 10 ㎚ 정도로 작은 HIL 두께는 매우 평활한 애노드 평면에 대하여 허용 가능할 수 있다. 그러나, 애노드 표면이 매우 거칠게 되는 경향이 있기 때문에, 50 ㎚ 이하의 HIL에 대한 두께가 특정의 경우에서 요구된다.
보호층은 차후의 제조 공정중에 하부의 층을 보호하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 금속 또는 금속 산화물 상부 전극을 제조하는데 사용된 공정은 유기 층을 손상시킬 수 있으며, 보호층은 이러한 손상을 감소 또는 배제시키는데 사용될 수 있다. 소자(100)에서, 보호층(155)은 캐쏘드(160)의 제조중에 하부의 유기 층에 대한 손상을 감소시킬 수 있다. 바람직하게는, 보호층은, 소자(100)의 작동 전압을 상당하게 증가시키지 않도록 (소자(100)에서의 전자)를 수송하는 운반체의 유형에 대한 높은 운반체 이동도를 갖는다. CuPc, BCP 및 각종 금속 프탈로시아닌은 보호층에 사용될 수 있는 물질의 예이다. 기타의 물질 또는 물질의 조합을 사용할 수 있다. 보호층(155)의 두께는 유기 보호층(160)을 증착시킨 후 발생하는 제조 방법으로 인하여 하부의 층에 대한 손상이 거의 또는 전혀 존재하지 않기에 충분히 두꺼우나, 소자(100)의 작동 전압을 상당하게 증가시키기에 두껍지 않은 것이 바람직하다. 보호층(155)은 이의 전도율을 증가시키기 위하여 도핑될 수 있다. 예를 들면, CuPc 또는 BCP 보호층(160)은 Li로 도핑될 수 있다. 보호층의 보다 구체적인 설명은 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 출원 제09/931,948호(Lu et al.)을 참조할 수 있다.
도 2는 역전 OLED(200)를 도시한 것이다. 소자는 기판(210), 캐쏘드(215), 발광층(220), 정공 수송 층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 소자(200)는 설명된 층을 순서대로 적층시켜 제조할 수 있다. 가장 통상적인 OLED 구조가 애노드의 위에 배치된 캐쏘드를 갖고, 소자(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐쏘드(215)를 갖기 때문에, 소자(200)는 "역전" OLED로서 지칭될 수 있다. 소자(100)에 대하여 설명한 것과 유사한 물질을 소자(200)의 해당 층에 사용할 수 있다. 도 2는 일부의 층이 소자(100)의 구조로부터 생략될 수 있는 방법의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시한 단순 적층 구조는 비제한적인 예로서 제시하며, 본 발명의 실시태양은 기타의 각종 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해한다. 본 명세서에 기재된 특정의 물질 및 구조는 본래 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 기능성 OLED는 다양한 방법으로 기재된 각종 층을 합하여 달성될 수 있거나 또는, 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 완전 생략할 수 있다. 구체적으로 기재하지 않은 기타의 층을 포함시킬 수 있다. 본 명세서에 구체적으로 기재된 물질을 제외한 물질을 사용할 수 있다. 본 명세서에 제시된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 각종 층을 설명하기는 하였으나, 물질의 조합, 예컨대 호스트 및 도펀트의 혼합물, 더욱 일반적으로는 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해한다. 또한, 층은 각종 서브층을 지닐 수 있다. 본 명세서에서 각종 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 사용한 것이 아니다. 예를 들면, 소자(200)에서, 정공 수송 층(225)은 정공을 수송하고, 정공을 발광층(220)에 주입하고, 정공 수송 층 또는 정공 주입 층으로서 기재될 수 있다. 하나의 실시태양에서, OLED는 캐쏘드 및 애노드 사이에 배치된 "유기 층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기 층은 단일 층을 포함할 수 있거나 또는, 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 각종 유기 물질의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
또한, 구체적으로 기재되지 않은 구조 및 물질, 예컨대 중합체성 물질(PLED)로 이루어진 OLED, 예컨대 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,247,190호(Friend et al.)에 기재된 것을 사용할 수 있다. 추가의 예로서, 단일 유기 층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,707,745호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 층상화된 구로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 외부 결합을 개선시키기 위한 각이 이루이진 반사성 표면, 예컨대 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,091,195호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같은 메사 구조 및/또는 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic et al.)에 기재된 바와 같은 피트(pit) 구조를 포함할 수 있다.
특별하게 명시하지 않았다면, 각종 실시태양의 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기 층의 경우, 바람직한 방법으로는 열 증발, 잉크젯, 예컨대 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호에 기재된 것, 유기 증기 상 증착(OVPD), 예컨대 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,337,102호(Forrest et al.)에 기재된 것, 유기 증기 제트 인쇄(OVJP)에 의한 증착, 예컨대 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 출원 제10/233,470호에 기재된 것 등이 있다. 기타의 적절한 증착 방법으로는 스핀 코팅 및 기타의 용액계 방법 등이 있다. 용액계 방법은 질소 또는 불활성 대기중에서 실시하는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법으로는 열 증발이 있다. 바람직한 패턴 형성 방법으로는 마스크를 통한 증착, 냉간 압접, 예컨대 전체 내용이 본 명세서에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호에 기재된 것 및 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성, 예컨대 잉크젯 및 OVJD 등이 있다. 또한, 기타의 방법을 사용할 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정의 증착 방법과 친화성을 갖도록 개질될 수 있다. 예를 들면, 치환체, 예컨대 분지되거나 또는 분지되지 않고 그리고 바람직하게는 3 개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴 기는 용액 처리 능력을 개선시키기 위하여 소 분자에 사용할 수 있다. 20 개 이상의 탄소를 갖는 치환체를 사용할 수 있으며, 3 내지 20 개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 처리력을 지닐 수 있는데, 이는 비대칭 물질이 재결정화되는 경향이 더 적을 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환체는 소 분자가 용액 처리되는 능력을 개선시키기 위하여 사용할 수 있다.
본 명세서에 개시된 분자는 본 발명의 범위에서 벗어남이 없이 다수의 다양한 방법으로 치환될 수 있다. 예를 들면, 치환체는 치환체를 첨가한 후 2배위 리간드중 1 이상이 함께 결합되어 예를 들면 4배위 또는 6배위 리간드를 형성하도록, 3 개의 2배위 리간드를 갖는 화합물에 첨가할 수 있다. 기타의 이와 같은 결합이 형성될 수 있다. 이러한 유형의 결합은 일반적으로 "킬레이트화 효과"로서 당업계에서 이해되는 바에 의하여 결합 없이 유사한 화합물에 대하여 안정도가 증가될 수 있는 것으로 밝혀졌다.
본 발명의 실시태양에 의하여 제조된 소자는 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비젼, 광고판, 내부 또는 외부 조명 및/또는 신호를 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 가요성 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 개인 정보 단말기(PDA), 노트북 컴퓨터, 디지탈 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이, 자동차, 대면적 월, 극장 또는 스타디움 스크린 또는 간판을 비롯한 각종 소비자 제품에 사용할 수 있다. 각종 제어 메카니즘은 수동 매트릭스 및 능동 매트릭스를 비롯한 본 발명에 의하여 제조된 소자를 제어하는데 사용할 수 있다. 다수의 소자는 사람에게 편안한 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 보다 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 한다.
본 명세서에 기재된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 소자에서의 적용예를 지닐 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전 소자, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 소자, 예컨대 유기 트랜지스터는 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
용어 "아릴"은 방향족 탄소환 모노라디칼을 지칭한다. 특별하게 명시하지 않았다면, 방향족 탄소환 모노라디칼은 치환 또는 비치환될 수 있다. 치환체는 F, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 등이 될 수 있다.
"히드로카르빌" 기는 탄소 및 수소 원자만을 포함하는 1가 또는 2가, 선형, 분지형 또는 고리형 기를 의미한다. 1가 히드로카르빌의 예로는 C1-C20 알킬; C1-C20 알킬, C3-C8 시클로알킬 및 아릴로부터 선택된 1 이상의 기로 치환된 C1-C20 알킬; C3-C8 시클로알킬; C1-C20 알킬, C3-C8 시클로알킬 및 아릴로부터 선택된 1 이상의 기로 치환된 C3-C8 시클로알킬; C6-C18 아릴; 및 C1-C20 알킬, C3-C8 시클로알킬 및 아릴로부터 선택된 1 이상의 기로 치환된 C6-C18 아릴 등이 있다. 2가 (분지) 히드로카르빌의 기로는 -CH2-; -CH2CH2-; -CH2CH2CH2-; 및 1,2-페닐렌 등이 있다.
"이종원자"는 탄소 또는 수소를 제외한 원자를 지칭한다. 이종원자의 예로는 산소, 질소, 인, 황, 셀레늄, 비소, 염소, 브롬, 규소 및 불소 등이 있다.
"헤테로아릴"은 방향족인 복소환 모노라디칼을 지칭한다. 특별하게 명시하지 않았다면, 방향족 복소환 모노라디칼은 치환된 또는 비치환될 수 있다. 치환체는 F, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노 등이 될 수 있다. 헤테로아릴의 예로는 1-피롤릴, 2-피롤릴, 3-피롤릴, 푸릴, 티에닐, 인데닐, 이미다졸릴, 옥사졸릴, 이속사졸릴, 카르바졸릴, 티아졸릴, 피리미디닐, 피리딜, 피리다지닐, 피라지닐, 벤조티에닐 등 및 이의 치환된 유도체 등이 있다.
"오르토 위치"라는 것은 제1의 고리로의 제2의 고리의 부착점에 이웃하는 아릴 또는 헤테로아릴 기에서의 위치를 의미한다. 1-위치를 경유하여 결합된 6원 고리 아릴 기, 예컨대 2,6-디메틸페닐의 경우, 2- 및 6-위치는 오르토 위치가 된다. 1-위치를 경유하여 결합된 5원 고리 헤테로아릴 기, 예컨대 2,5-디페닐피롤-1-일의 경우, 2- 및 5-위치가 오르토 위치가 된다. 본 발명의 명세서에서, 2,3,4,5,7,8,9,10-옥타히드로안트라센-1-일에서와 같이 부착점에 이웃하는 탄소에서의 고리 융합은 오르토 치환의 유형이 되는 것으로 간주한다.
그래서, 제1의 구체예에서, 본 발명은 하기 세트 1로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이며, 여기서 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 2배위 리간드는 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있다:
세트 1
Figure 112008056848610-PCT00001
상기 화학식에서,
E1a -q는 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되며, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하고; 단 E1a 및 E1p는 상이해야 하며; 그리고
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
제1의 구체예의 제1의 바람직한 실시태양에서, 금속은 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au로 구성된 군으로부터 선택되며, 2배위 리간드는 하기 세트 2로부터 선택되며; 더더욱 바람직하게는 2배위 리간드는 하기 세트 2에서의 화학식 gs1-1을 갖는다:
세트 2
Figure 112008056848610-PCT00002
Figure 112008056848610-PCT00003
Figure 112008056848610-PCT00004
Figure 112008056848610-PCT00005
Figure 112008056848610-PCT00006
상기 화학식에서,
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
제2의 바람직한 실시태양에서, 금속은 Ir 또는 Pt이고, 2배위 리간드는 세트 2로부터 선택된다. 제3의 바람직한 실시태양에서, 금속 착체는 세트 2로부터 선택된 리간드를 갖는 동종리간드성 Ir 착체이다. 제4의 바람직한 실시태양에서, 금속 착체는 세트 2로부터 선택된 2 개의 2배위 리간드 및 제3의 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 이종리간드성 Ir 착체, 바람직하게는 아세틸아세토네이트 또는 치환된 아세틸아세토네이트이다. 제5의 바람직한 실시태양에서, 금속은 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au로 구성된 군으로부터 선택되며, R1a-i 중 1 이상은 2,6-이중치환된 아릴 기이다. 제6의 바람직한 실시태양에서, 금속은 Ir 및 Pt로 구성된 군으로부터 선택되며, 리간드는 화학식 gs1-1을 가지며, R1b는 2,6-이중치환된 아릴 기, 바람직하게는 2,6-디메틸페닐; 2,4,6-트리메틸페닐; 2,6-디이소프로필페닐; 2,4,6-트리이소프로필페닐; 2,6-디이소프로필-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디페닐페닐; 2,6-디페닐-4-이소프로필페닐; 2,4,6-트리페닐페닐; 2,6-디이소프로필-4-(4-이소프로필페닐); 2,6-디이소프로필-4-(3,5-디메틸페닐)페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디이소프로필-4-(피리딘-4-일)페닐; 및 2,6-디-(3,5-디메틸페닐)페닐로 구성된 군으로부터 선택된다.
제2의 구체예에서, 본 발명은 하기 세트 3으로부터 선택된 화합물이며, 여기서 acac는 아세틸아세토네이트이다:
세트 3
Figure 112008056848610-PCT00008
Figure 112008056848610-PCT00009
Figure 112008056848610-PCT00010
Figure 112008056848610-PCT00011
Figure 112008056848610-PCT00012
Figure 112008056848610-PCT00013
제3의 구체예에서, 본 발명은 제1의 또는 제2의 구체예 중 임의의 것을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다.
제4의 구체예에서, 본 발명은 하기 세트 4로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이며, 여기서 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 2배위 리간드는 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있다:
세트 4
Figure 112008056848610-PCT00014
상기 화학식에서,
E1a-q는 각각 독립적으로 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되며, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하고; 단 E1a 및 E1p는 상이해야 하며;
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
상기 제4의 구체예의 제1의 바람직한 실시태양에서, 2배위 리간드는 하기 세트 5로부터 선택된다:
세트 5
Figure 112008056848610-PCT00015
Figure 112008056848610-PCT00016
Figure 112008056848610-PCT00017
Figure 112008056848610-PCT00018
Figure 112008056848610-PCT00019
상기 화학식에서,
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
제4의 구체예의 제2의 바람직한 실시태양에서, 2배위 리간드는 하기 세트 6으로부터 선택된다:
세트 6
Figure 112008056848610-PCT00020
상기 화학식에서,
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
제4의 구체예의 제3의 바람직한 실시태양에서, 2배위 리간드는 바람직하게는 2,6-디메틸페닐; 2,4,6-트리메틸페닐; 2,6-디이소프로필페닐; 2,4,6-트리이소프로필페닐; 2,6-디이소프로필-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디페닐페닐; 2,6-디페닐-4-이소프로필페닐; 2,4,6-트리페닐페닐; 2,6-디이소프로필-4-(4-이소프로필페닐); 2,6-디이소프로필-4-(3,5-디메틸페닐)페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디이소프로필-4-(피리딘-4-일)페닐; 및 2,6-디-(3,5-디메틸페닐)페닐로 구성된 군으로부터 선택된 1 이상의 2,6-이중치환된 아릴 또는 헤테로아릴 기로 치환된다.
제4의 구체예의 제4의 바람직한 실시태양에서, 금속은 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au로 구성된 군으로부터 선택되며, 더욱 바람직하게는 Os, Ir 및 Pt로 구성된 군으로부터 선택되며, 가장 바람직하게는 Ir이다.
제5의 구체예에서, 본 발명은 제4의 구체예의 화합물을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다.
제6의 구체예에서, 본 발명은 금속이 H로 치환된 제4의 구체예의 리간드에 해당하는 화합물에 관한 것이다.
제7의 구체예에서, 본 발명은 하기 세트 7로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이며, 여기서 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 2배위 리간드는 카르벤 공여체를 포함하며, 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있다:
세트 7
Figure 112008056848610-PCT00021
상기 화학식에서,
E1a -q는 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되며, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하고; 단, E1a 및 E1p는 모두 탄소이어야 하며;
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
제7의 구체예의 제1의 바람직한 실시태양에서, 화합물은 하기 세트 8로부터 선택된다:
세트 8
Figure 112008056848610-PCT00022
상기 화학식에서,
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
제8의 구체예에서, 본 발명은 제7의 구체예의 화합물을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다.
제9의 구체예에서, 본 발명은 하기 세트 9로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이며, 여기서 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 2배위 리간드는 카르벤 공여체를 포함하며, 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있다:
세트 9
Figure 112008056848610-PCT00023
상기 화학식에서,
E1a -q는 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되며, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하고; 단, E1a 및 E1p는 모두 탄소이어야 하며; 그리고
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
제9의 구체예의 제1의 바람직한 실시태양에서, 화합물은 하기 세트 10으로부터 선택된다:
세트 10
Figure 112008056848610-PCT00024
Figure 112008056848610-PCT00025
상기 화학식에서,
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
제10의 구체예에서, 본 발명은 제9의 구체예의 화합물을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다.
제11의 구체예에서, 본 발명은 하기 세트 11로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이며, 여기서 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 2배위 리간드는 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있다:
세트 11
Figure 112008056848610-PCT00026
상기 화학식에서,
R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
제12의 구체예에서, 본 발명은 제11의 구체예의 화합물을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다.
제13의 구체예에서, 본 발명은 금속이 H로 치환된 제11의 구체예의 리간드에 해당하는 화합물에 관한 것이다.
제14의 구체예에서, 본 발명은 하기 표 1로부터 선택된 금속 착체를 포함하는 화합물에 관한 것이다.
제15의 구체예에서, 본 발명은 제14의 구체예의 화합물을 포함하는 OLED 소자에 관한 것이다.
하기 표 1은 본 발명의 각종 화합물에 대한 HOMO, LUMO, 갭, 쌍극자, S1 및 T1의 이론치를 얻기 위하여 G98/B31yp/cep-31 g 기본 설정을 이용한 밀도 범위 함수론(DFT) 이론치를 제공한다.
Figure 112008056848610-PCT00027
Figure 112008056848610-PCT00028
Figure 112008056848610-PCT00029
Figure 112008056848610-PCT00030
Figure 112008056848610-PCT00031
Figure 112008056848610-PCT00032
Figure 112008056848610-PCT00033
Figure 112008056848610-PCT00034
Figure 112008056848610-PCT00035
Figure 112008056848610-PCT00036
Figure 112008056848610-PCT00037
Figure 112008056848610-PCT00038
Figure 112008056848610-PCT00039
Figure 112008056848610-PCT00040
Figure 112008056848610-PCT00041
Figure 112008056848610-PCT00042
Figure 112008056848610-PCT00043
Figure 112008056848610-PCT00044
Figure 112008056848610-PCT00045
Figure 112008056848610-PCT00046
Figure 112008056848610-PCT00047
특별하게 명시하지 않았다면, 본 명세서에 기재된 인광 금속 착체의 제조 및 정제는 금속 착체의 광-산화를 최소로 하기 위하여 흐린 실내광으로 또는 광에 황색 필터를 사용하거나 또는 알루미늄 호일로 싼 유리용기를 사용하여 실시하였다. 착체는 이의 감도가 크게 변동된다. 예를 들면, 일부 착체, 예컨대 es20은 신중한 주의를 요하며, 일부 착체, 예컨대 es1은 공기 및 특정의 할로겐화 용매중에서 광-유도된 분해 가능성이 있다. 특별하게 명시하지 않았다면, fac-이성체를 분리하였다.
실시예 1
es1의 제조
Figure 112008056848610-PCT00048
단계 1
페난트리디논(5.0 g, 0.027 몰)을 오염화인(6.1 g, 0.29 몰) 및 50 ㎖의 염화포스포릴을 포함하는 반응 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 1 시간 동안 환류시키고, 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 희석하였다. 과량의 염화포스포릴 및 톨루엔을 회전 증발기상에서 제거하였다. 잔류물을 에틸 아세테이트에 용해시키고, 증류수에 이어서 염수로 세정하였다. 용매 층을 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과 및 농축시켜 pl2-i1(5.5 g, 96%)을 회백색 고형물로서 얻었다. 생성물을 질량 스펙트럼 및 1H NMR으로 확인하고, 그 다음 단계에 직접 사용하였다.
단계 2
단계 1로부터의 화합물 pl2-i1(5.5 g, 0.026 몰)을 200 ㎖ 디글림에 용해시킨 아미노아세트알데히드 디메틸아세탈(6.8 g, 0.0646 몰)을 포함하는 반응 플라스크에 첨가하고, 환류 가열하고, 질소 대기하에서 교반하였다. 72 시간 후, 반응은 TLC에 의하여 완료된 것으로 측정되었다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 과 량의 용매를 증류로 제거하였다. 잔류물을 염화메틸렌으로 취하고, 불용물을 진공 여과로 제거하였다. 용매를 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과 및 농축시켰다. 미정제 생성물을 용출액으로서 80% 에틸 아세테이트 및 20% 염화메틸렌을 사용하는 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하였다. 정제된 생성물을 수집하고, 헥산으로 세정하고, 건조시켜 pl2-H(2.6 g, 46% 수율)를 회백색 고형물로서 얻었다.
단계 3
상기 단계 2로부터의 화합물 pl2-H(0.67 g, 3.1 mmol) 및 이리듐(III) 아세틸아세토네이트(0.38 g, 0.77 mmol)를 250℃로 밤새 질소 대기하에서 가열하였다. 반응을 냉각시킨 후, 잔류물을 에틸 아세테이트 및 염화메틸렌의 1:1 혼합물로 취하고, 여과하고, 1:1 에틸 아세테이트:헥산을 사용하는 제1의 실리카 겔 크로마토그래피에 이어서 1:1 클로로포름:헥산을 사용하는 제2의 실리카 겔 컬럼으로 정제하여 es1(0.15 g, 23% 수율)을 베이지색 고형물을 얻었다. 디클로로메탄 용액중의 인광에 대한 높은 에너지 피이크는 458 ㎚에 집중되어 있으며, CIE 좌표는 0.18, 0.27이다.
실시예 2
이미다조페난트리딘 리간드 합성에 대한 일반적인 절차 A
Figure 112008056848610-PCT00049
1 ℓ 둥근 플라스크에 2-요오도-4,5-디메틸아날린(24.7 g, 100 mmol), 2-시 아노페닐보론산, 피나콜 에스테르(27.5 g, 120 mmol), 디클로로비스(트리페닐포스핀) 팔라듐(II)(3.51 g, 5 mmol), 인산칼륨 3염기성 일수화물(46.0 g, 200 mmol) 및 400 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 4 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 형성된 침전물을 여과하고, 톨루엔, 헥산 및 물로 세정하였다. 산출량은 14 g이다.
1 ℓ 둥근 플라스크에 상기 중간체 클로로아세트알데히드(물중의 50 중량%, 15.7 g, 100 mmol), 탄산나트륨(15.9 g, 150 mmol) 및 300 ㎖의 2-프로판올을 첨가하였다. 혼합물을 2 시간 동안 환류 가열하였다. 용매를 제거하고, 잔류물을 CH2Cl2로 추출하고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하였다. 산출량은 13 g이다.
실시예 3
트리스(2배위 리간드)이리듐 착체 합성에 대한 일반적인 절차
Figure 112008056848610-PCT00050
하기 절차는 금속 착체의 광-산화를 최소로 하기 위하여 흐린 실내광으로 또는 광원에 황색 필터를 사용하거나 또는 알루미늄 호일로 싼 유리용기를 사용하여 실시하였다. 50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(1.68 g, 6.8 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.59 g, 1.4 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에 서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es12(0.30 g)를 얻었다. 구조 및 순도는 1H NMR 분석에 의하여 확인하였다. λmax 발광=456, 486 ㎚(실온에서, CH2Cl2 용액중에서); CIE=(0.18, 0.23).
실시예 4
es3의 제조
Figure 112008056848610-PCT00051
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 8b,13-디아자-인데노[1,2-f]페난트렌(3.49 g, 13 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(1.27 g, 2.6 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es3(1.4 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=492, 524 ㎚(CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.23, 0.51).
실시예 5
es4의 제조
Figure 112008056848610-PCT00052
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 10-이소프로필-8b,13-디아자-인데노[1,2-f]페난트렌(6.07 g, 19.6 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(1.91 g, 3.92 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es4(0.7 g)를 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=496 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.26, 0.57).
실시예 6
es7의 제조
Figure 112008056848610-PCT00053
단계 1: 4-브로모-6-아미노페난트리딘의 합성
1 ℓ 3목 둥근 바닥 플라스크에 2,6-디브로모아닐린(143.51 g, 0.57 몰), 2-시아노페닐붕산 트리메틸렌 에스테르(34.35 g, 0.19 몰), K3PO4·H2O(43.89 g, 0.1906 몰), PdCl2(PPh3)2(6.67 g, 9.5 mmol) 및 무수 톨루엔(700 ㎖)을 넣었다. 반응 혼합물을 100℃로 질소하에서 6 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 무수 상태로 농축시키고, 컬럼 크로마토그래피를 실시하여 표제 화합물(19.11 g, 36.7%)을 얻었다.
단계 2: 5-브로모-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
2-프로판올(200 ㎖)중의 4-브로모-6-아미노페난트리딘(19.1 g, 69.91 mmol), 중탄산나트륨(12.3 g, 146 mmol)의 혼합물에 클로로아세트알데히드(50% 수용액 17.35 g)를 첨가하였다. 반응 혼합물을 75℃에서 5 시간 동안 가열한 후, 용매를 제거하였다. 잔류물을 염화메틸렌에 다시 용해시키고, 물로 세정하였다. 유기 분획을 합하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 여과 및 진공하에서 농축시켰다. 미정제 혼합물을 헥산/에틸 아세테이트(80/20)를 사용하는 실리카 겔상에서의 크로마토그래피로 정제하여 표제 화합물(13 g, 62%)을 얻었다.
단계 3: 5-(4-이소프로필페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
1 ℓ 3목 둥근 바닥 플라스크에 5-브로모-이미다조[1,2-f]페난트리딘(4.55 g, 15.31 mmol), 4-이소프로필페닐붕산(3.59 g, 21.89 mmol), 탄산칼륨(2N 수용액, 27 ㎖), Pd(OAc)2(223 ㎎, 0.99 mmol), 트리페닐포스핀(1.044 g, 3.98 mmol) 및 100 ㎖의 1,2-디메톡시에탄을 넣었다. 반응 혼합물을 80℃로 질소하에서 17 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 염화메틸렌으로 희석하고, 염수로 세정하였다. 유기 분획을 합하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 여과 및 진공하에서 농축시켰다. 미정제 혼합물을 헥산/에틸 아세테이트(80/20)를 사용하는 실리카 겔상에서의 크로마토그래피로 정제하여 순수한 5-(4-이소프로필페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘(4 g, 77%)을 얻었다.
단계 4: 착체화
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 5-(4-이소프로필페닐)이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.94 g, 8.74 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.86 g, 1.75 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es7(0.7 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=496 ㎚(CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.26, 0.57).
실시예 7
es10의 제조
Figure 112008056848610-PCT00054
단계 1: 리간드 합성
500 ㎖ 둥근 플라스크에 7-클로로이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.8 g, 15 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성됨), 4-이소프로필페닐보론산(3.7 g, 23 mmol), 팔라듐(II) 아세테이트(0.084 g, 0.38 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 0.31 g, 0.75 mmol), 인산칼륨 3염기성 일수화물(6.9 g, 30 mmol) 및 200 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 12 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 3.8 g이다.
단계 2: 착체화
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 7-(4-이소프로필페닐)이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.8 g, 11.3 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(1.11 g, 2.26 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃ 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es10(1.2 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=464, 492 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.20, 0.32).
실시예 8
es16의 제조
Figure 112008056848610-PCT00055
단계 1: 리간드 합성
500 ㎖ 둥근 플라스크에 7-클로로이미다조[1,2-f]페난트리딘(5.2 g, 20.6 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성됨), 트리스(아세틸아세토네이트)철(III)(0.35 g, 1.0 mmol), 30 ㎖의 NMP 및 300 ㎖의 무수 THF를 첨가하였다. 이 혼합물에 교반하면서 15 ㎖의 염화시클로헥실마그네슘 용액(에테르중의 2 M)을 실온에서 적가하였다. 첨가후 반응이 완료되었다. 혼합물을 1N HCl 용액으로 종결시켰다. 일반적인 워크-업 및 실리카 겔 컬럼에 의한 정제후 산출량은 3.4 g이다.
단계 2: 착체화
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 7-시클로헥실이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.4 g, 11.2 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(1.1 g, 2.25 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼 으로 추가로 정제하여 es8(1.5 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=462, 486 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.17, 0.27).
실시예 9
es18의 제조
Figure 112008056848610-PCT00056
단계 1: 리간드 합성
500 ㎖ 둥근 플라스크에 7-클로로이미다조[1,2-f]페난트리딘(5.1 g, 20 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성됨), 2,4,6-트리이소프로필페닐보론산(9.9 g, 40 mmol), Pd2(dba)3(0.92 g, 1.0 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 1.64 g, 4.0 mmol), 인산칼륨 3염기성(12.7 g, 60 mmol) 및 200 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 72 시간 동안 고반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 2.6 g이다.
단계 2: 착체화
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 7-(2,4,6-트리이소프로필페닐)이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.6 g, 6.2 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.61 g, 1.2 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es18(0.3 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=464, 488 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.17, 0.29).
실시예 10
es20의 제조
Figure 112008056848610-PCT00057
단계 1
1 ℓ 둥근 플라스크에 7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(5.7 g, 24.5 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성됨) 및 200 ㎖의 무수 DMF를 첨가하였다. 이 혼합물에 교반하면서 100 ㎖의 N-브로모숙신이미드 DMF 용액(4.6 g, 25.7 mmol)을 실온에서 암실에서 적가하였다. 반응 혼합물을 밤새 교반을 지속하였다. 그후, 혼합물을 교반하면서 1 ℓ의 물에 부었다. 침전물을 여과로 수집하고, 다량의 물 및 마지막으로 MeOH(50 ㎖×2)로 추가로 세정한 후, 건조시켰다. 3-브로모-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘의 산출량은 6.5 g이다.
단계 2
500 ㎖ 둥근 플라스크에 3-브로모-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(6.2 g, mmol), 2,6-디메틸페닐보론산(9.0 g, 60 mmol), Pd2(dba)3(4.58 g, 5.0 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 8.2 g, 20 mmol), 인산칼륨 3염기성(17.0 g, 80 mmol) 및 200 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 84 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 4.0 g이다.
단계 3
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.3 g, 10 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.98 g, 2.0 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es20(0.8 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=466, 492 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.17, 0.30).
실시예 11
es21의 제조
Figure 112008056848610-PCT00058
단계 1
1 ℓ 둥근 플라스크에 6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(13.0 g, 52.8 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성됨) 및 400 ㎖의 무수 DMF를 첨가하였다. 이 혼합물에 교반하면서 150 ㎖의 N-브로모숙신이미드 DMF 용액(10.3 g, 58 mmol)을 실온에서 암실에서 적가하였다. 반응 혼합물을 밤새 교반을 지속하였다. 그후, 혼합물을 교반하면서 1 ℓ의 물에 부었다. 침전물을 여과로 수집하고, 다량의 물 및 마지막으로 MeOH(50 ㎖×2)로 추가로 세정하고, 건조시켰다. 3-브로모-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘의 산출량은 14.7 g이다.
단계 2
500 ㎖ 둥근 플라스크에 3-브로모-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(6.5 g, 20 mmol), 2,6-디메틸페닐보론산(9.0 g, 60 mmol), Pd2(dba)3(4.58 g, 5.0 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 8.2 g, 20 mmol), 인산칼륨 3염기성(17.0 g, 80 mmol) 및 200 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 84 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 2.6 g이다.
단계 3
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디메틸페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.6 g, 7.4 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.73 g, 1.5 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es21(0.35 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=460, 490 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.16, 0.27).
실시예 12
es26의 제조
Figure 112008056848610-PCT00059
단계 1
500 ㎖ 둥근 플라스크에 5-브로모-7-t-부틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.9 g, 11 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성함), 2,6-디메틸페닐보론산(3.5 g, 23 mmol), Pd2(dba)3(0.51 g, 0.56 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 0.91 g, 2.2 mmol), 인산칼륨 3염기성(7.2 g, 34 mmol) 및 60 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 48 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 1.2 g이다.
단계 2
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 5-(2,6-디메틸페닐)-7-t-부틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(0.40 g, 1.1 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.10 g, 0.2 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 24 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 fac-트리스 이리듐(III)(0.01 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=462, 488 ㎚ (CH2Cl2 용액 실온에서).
실시예 13
es22의 제조
Figure 112008056848610-PCT00060
단계 1
500 ㎖ 둥근 플라스크에 3-브로모-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(8.2 g, 25.2 mmol), 2,6-디클로로페닐보론산(19.2 g, 100.9 mmol), Pd2(dba)3(2.29 g, 2.5 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 4.11 g, 10.0 mmol), 인산칼륨 3염기성(26.7 g, 126 mmol) 및 250 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 48 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 3-(2,6-디클로로페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-J]페난트리딘의 산출량은 2.4 g이다.
단계 2
500 ㎖ 둥근 플라스크에 3-(2,6-디클로로페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.4 g, 6.1 mmol), 페닐보론산(3.74 g, 30 mmol), Pd2(dba)3(1.1 g, 1.2 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 1.97 g, 4.8 mmol), 인산칼륨 3염기성(7.64 g, 36 mmol) 및 100 ㎖의 톨루엔을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 12 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 3-(2,6-디페닐페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘의 산출량은 0.9 g이다.
단계 3
25 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디페닐페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(0.095 g, 0.2 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.025 g, 0.05 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 24 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es22(0.01 g)를 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=468, 496 ㎚(CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.19, 0.35).
실시예 14
es25의 제조
Figure 112008056848610-PCT00061
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 7-n-도데실이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.66 g, 9.34 mmol, 일반적인 절차 A로부터 생성됨) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.92 g, 1.87 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es25(1.5 g)를 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다.
실시예 15
es9의 제조
Figure 112008056848610-PCT00062
단계 1: 2-(1,3,2-디옥사보리난-2-일)벤조니트릴의 합성
49.0 g(334 mmol) 2-시아노벤젠보론산 및 25.9 g(340 mmol) 1,3-프로판디올을 교반하면서 2 ℓ 둥근 바닥 플라스크에서 1 ℓ CH2Cl2에 20 시간 동안 용해시켰다. 그후, 용액을 필터에 흡인으로 부어서 껌상의 고형물을 제거하였다. 그후, 여과액을 무수 MgSO4로 건조시켜 잔류 물을 제거하고, 여과하고, 용매를 증발시켜 옅게 착색된 오일을 얻었다. 그후, 오일을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 플러그상에서 용출액으로서 CH2Cl2를 사용하여 정제하였다. 생성물 분획을 증류시켜 생성물(35.7 g, 57.2% 수율)을 맑은 오일로서 얻었다.
단계 2: 2-(t-부틸)-6-아미노페난트리딘의 합성
35.7 g(190 mmol) 2-(1,3,2-디옥사보리난-2-일)벤조니트릴, 31.9 g(158 mmol) 2-브로모-4-(t-부틸)아닐린, 3.6 g(3.16 mmol) 테트라키스(트리페닐포스핀) 팔라듐(0) 및 59.0 g(427 mmol) K2CO3를, 400 ㎖ 톨루엔 및 300 ㎖ 에탄올을 포함하는 2 ℓ 플라스크에서 환류 가열하였다. 반응 혼합물을 19 시간 동안 일정한 N2 세정하에서 가열하였다. 반응 혼합물의 HPLC는 출발 아닐린의 소비를 나타낸다. 혼합 물을 냉각하고, 여과하여 염기를 제거하였다. 염기를 EtOAc로 세정하여 미량의 유기물을 제거하였다. 합한 여과액을 증류시켜 불순한 오일을 얻었다. 오일을 실리카 컬럼상에서 용출액으로서 95/5/0.05 CH2Cl2/MeOH/NH4OH를 사용하여 정제하여 분리를 얻었다. 생성물 분획을 용매를 증발시키고, 생성된 잔류물을 CH2Cl2/헥산으로부터 재결정화시켜 14.0 g의 목표 화합물(35.5% 수율, GC-MS로 확인함)을 백색 고형물로서 얻었다.
단계 3: es9 리간드의 합성
Figure 112008056848610-PCT00063
13.0 g(52 mmol) 2-(t-부틸)-6-아미노페난트리딘, 12.3 g(78 mmol, H2O중의 50% v/v) 클로로아세트알데히드 및 8.74 g(104 mmol) 중탄산나트륨을 500 ㎖ 플라스크에 첨가하고, 200 ㎖ 2-프로판올중에서 35 시간 동안 N2 대기하에서 환류시켰다. 완료후, 혼합물을 냉각시키고, 이때 TLC 및 HPLC는 출발 페난트리딘이 완전 소비된 것을 나타낸다. 혼합물을 에틸 아세테이트에서 취하고, 여과하여 염기를 제거하였다. 여과액을 증발시켜 담황갈색 오일을 얻었다. 용출액으로서 95/5/0.05 CH2Cl2/MeOH/NH4OH를 사용하는 실리카 컬럼상에서 정제하였다. 또는, 리간드는 Al2O3 컬럼 및 2% EtOAc/헥산-20% EtOAc/헥산의 구배를 용출액으로서 사용하는 자동화된 크로마토그래피를 사용하여 정제하였다. 이들 정제로부터의 생성물 분획의 용매를 증발시키고, 염화메틸렌/헥산으로부터 재결정화시켜 총 10.8 g의 es9 리간드를 백색 고형물(76.1% 수율, NMR 확인함)로서 얻었다.
단계 4
10.6 g(38.7 mmol) es9 리간드 및 4.76 g(9.7 mmol) Ir(acac)3을 교반 막대가 장착된 50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 첨가하였다. 20 개 방울의 트리데칸을 첨가하고, 튜브를 격막으로 밀폐시키고, N2로 완전 진공 탈기시켰다. 튜브를 모래 배쓰에 담그고, 245℃에서 72 시간 동안 N2 대기하에서 가열하였다. 그후, 냉각시킨 혼합물을 초음파로 처리하면서 CH2Cl2에서 취하여 불순물을 용해시켰다. 혼합물을 진공하에 여과하고, 고형물을 CH2Cl2 및 헥산으로 헹구어 8.5 g 함량의 짙은 황색 고형물을 얻었다. 그후, 고형물을 1 ℓ 끓는 클로로벤젠에 용해시키고, 셀라이트 매트(고온)에 부어 불순물을 제거하였다. 생성된 여과액을 500 ㎖로 증발시켜 도펀트가 밝은 황색 고형물(6.5 g, 66.4% 수율, NMR 확인함, 99.3% HPLC 분석)로서 재결정화되도록 하였다. 추가의 정제 방법으로서, 3.5 g의 도펀트를 3 구역 승화기에서 370℃ 및 1.0×10-5 Torr 진공에서 승화시켜 400 ㎎의 es9를 밝은 황색 고형물(100% HPLC 분석)로서 얻었다.
실시예 16
es8의 제조
Figure 112008056848610-PCT00064
단계 1: 2-(n-헥실)-6-아미노페난트리딘의 합성
13.1 g(69.8 mmol) 2-(1,3,2-디옥사보리난-2-일)벤조니트릴, 16.3 g(63.4 mmol) 2-브로모-4-헥실아닐린, 1.62 g(1.40 mmol) 테트라키스(트리페닐포스핀) 팔라듐(0) 및 23.6 g(171 mmol) 탄산칼륨을 250 ㎖ 톨루엔 및 100 ㎖ EtOH중에서 N2 대기하에서 20 시간 동안 환류시켰다. HPLC 및 TLC에 의하면 아닐린이 완전 소비된 것으로 밝혀졌다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 필터에 통과시켰다. 고형물을 에틸 아세테이트로 세정하여 유기물을 수집된 염기로부터 제거하였다. 그후, 여과액을 증발시키고, 실리카상에서 건조시켰다. 샘플을 용출액으로서 100% 에틸 아세테이트를 사용하는 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하였다. 그후, 생성물 분획을 최소량으로 증류시키고, 헥산을 첨가하여 생성물을 회백색 고형물(7.05 g, 39.8% 수율, GC-MS 확인함)로서 결정화시켰다.
단계 2: es8 리간드의 합성
Figure 112008056848610-PCT00065
7.02 g(25.2 mmol) 2-(n-헥실)-6-아미노페난트리딘, 2.99 g(37.8 mmol, H2O중의 50% v/v) 클로로아세트알데히드 및 4.24 g(50.4 mmol) 중탄산나트륨을 500 ㎖ 플라스크에 첨가하고, 150 ㎖ 2-프로판올중에서 20 시간 동안 N2 대기하에서 환류시켰다. 완료후, 혼합물을 냉각시키고, 이때 TLC 및 HPLC는 출발 페난트리딘이 완전 소비된 것으로 나타났다. 혼합물을 EtOAc에서 취하고, 여과하여 염기를 제거하였다. 여과액을 증발시켜 담황갈색 오일을 얻었다. 그후, 오일을 실리카상에서 건조시키고, 용출액으로서 70% 에틸 아세테이트/헥산→약 100% 에틸 아세테이트를 사용하는 실리카 컬럼상에서 정제하였다. 이러한 정제로부터의 생성물 분획의 용매를 증발시키고, 에틸 아세테이트/헥산으로부터 재결정화하여 총 4.9 g의 es8 리간드를 백색 고형물(55.1% 수율, GC-MS 확인함)로서 얻었다.
단계 3
50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 2.9 g(9.6 mmol)의 es8 리간드, 0.94 g(1.9 mmol) 이리듐 아세틸아세토네이트 및 20 방울의 트리데칸을 넣었다. 반응기를 비우고, 질소 기체로 3회 다시 채웠다. 반응을 240℃로 70 시간 동안 가열하였다. 반응을 냉각시키고, 디클로로메탄을 첨가하였다. 생성물을 용출액으로서 디클로로메탄을 사용하 는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 회전 증발로 제거하였다. 생성물을 톨루엔으로부터 결정화시켜 300 ㎎의 es8를 얻고, 이를 승화에 의하여 추가로 정제하였다.
실시예 17
es13의 제조
Figure 112008056848610-PCT00066
단계 1: 2-브로모페난트리디논의 합성
99.8 g(511 mmol) 페난트리디논을 교반 아암 및 응축기가 장착된 3 ℓ 복수개의 목이 있는 플라스크에 첨가하였다. 1.2 ℓ 빙초산을 첨가하고, 혼합물을 150 rpm에서 교반시키고, 환류 가열하였다. 100 ㎖ 아세트산중에 분산된 90 g(562 mmol) Br2를 환류중인 용액에 3 시간에 걸쳐 적가하였다. 첨가후, 혼합물을 분석하여 약 80%가 완료된 것으로 밝혀졌다. 이러한 분석에 기초하여, 추가의 20 g의 Br2(30 ㎖ 아세트산중의)를 혼합물에 환류하면서 적가하였다. 첨가후, 분석은 >90% 완료되었다. 최종 20 g Br2(30 ㎖ 아세트산중의)를 적가하고, 첨가후 혼합물을 1 시간 동안 교반시켰다. 최종 분석은 >97%이었다. 혼합물을 냉각하고, 1 ℓ의 물을 첨가하고, 혼합물을 여과하였다. 젖은 고형물을 티오황산나트륨 수용액중에서 교반하 여 잔류 브롬을 분해하고, 다시 여과하였다. 이들 고형물을 H2O로 헹구고, 진공하에서 건조되도록 하여 잔류하는 물을 제거하였다. 그후, 고형물을 니트로벤젠(>2 ℓ)으로부터 재결정화하고, 깔때기에서 수집하여 128 g의 2-브로모페난트리디논(90.8% 수율)을 얻었다.
단계 2: 2-브로모-6-클로로페난트리딘의 합성
36.7 g(139 mmol) 2-브로모페난트리디논 및 30.7 g(147 mMol) PCl5를 350 ㎖ POCl3와 함께 1 ℓ 복수개의 목이 있는 플라스크(교반 아암, 응축기 및 베이스 트랩이 장착됨)에 첨가하고, 93℃에서 16 시간 동안 가열하였다. (주: HCl 기체의 발생은 베이스 트랩에 의하여 주로 파괴되었다. 그후, 혼합물을 분석하여 2-브로모페난트리디논의 완전 소비를 측정하였다. 딘 스타크 트랩을 플라스크에 연결하여 용매를 1/2 부피만큼 감소시켰다. 그후, 동부피의 톨루엔을 첨가하고, 증류 제거하여 대부분의 POCl3을 제거하였다. 톨루엔의 제3의 첨가후, 부피를 300 ㎖로 감소시키고, 나머지 용매를 회전 증발에 의하여 제거하였다. 그후, 고형물을 톨루엔으로부터 재결정화하고, 건조시켜 30.8 g(78.6% 수율, 98% 분석) 2-브로모-6-클로로페난트리딘을 회백색 고형물(GC-MS 확인함)로서 얻었다.
단계 3: es13-i1의 합성
Figure 112008056848610-PCT00067
20 g 4A 건조된 분자체를 교반 아암 및 응축기가 장착된 2 ℓ 복수개의 목이 있는 플라스크에 첨가하였다. 73.8 g(252 mmol) 2-브로모-6-클로로페난트리딘 및 79.4 g(756 mmol) 아미노아세트알데히드 디메틸아세탈을 750 ㎖ 무수 디글림과 함께 플라스크에 첨가하였다. 혼합물을 135℃에서 기계적 교반을 이용하여 18 시간 동안 N2 대기하에서 가열하였다. 혼합물의 HPLC에 의하면 출발 물질이 완전 소비된 것으로 밝혀졌다. 그후, 반응을 냉각시키고, 에틸 아세테이트를 농축시켰다. 구운 고형물을 긁어서 플라스크의 벽면으로부터 제거하였다. 그후, 혼합물을 진공하에서 여과하고, 여과액을 방치하였다. 깔때기로부터의 고형물을 막자 사발을 사용하여 (건조되었을 때) 부수고, 1 ℓ 플라스크에 첨가하고, 600 ㎖ 클로로벤젠중에서 환류시켰다. 클로로벤젠 혼합물을 여과하고, 여과액을 합하였다. 용매를 회전 증발로 제거하여 짙은색 고형물을 얻었다. 그후, 고형물을 용출액으로서 CH2Cl2 및 CH2Cl2/MeOH를 사용하는 커다란 실리카 컬럼상에서 정제하였다(주: 생성물의 CH2Cl2 용액이 컬럼의 상부에 있을 때, 고형물 전체가 고형화되지는 않는다. 추가의 용출액을 첨가하여 고형물이 마침내 용해되었다). 긴 크로마토그래피로 처리한 후, 생 성물 분획의 용매를 증발시키고, 고형물을 CH2Cl2헥산으로 세정하였다. 고형물을 여과시키고, 건조시 62.0 g의 표제 화합물을 얻었다(83.1% 수율, NMR 확인함).
단계 4: es13 리간드의 합성
Figure 112008056848610-PCT00068
3.12 g(10.5 mmol) 7-[브로모]-이미다조[1,2-f]페난트리딘, 3.93 g(26.2 mmol) 2,6-디메틸페닐보론산, 0.18 g(0.53 mmol) 2-(디시클로헥실포스피노)비페닐, 0.13 g(0.14 mmol) Pd2(dba)3 및 6.68 g(31.5 mmol) 인산칼륨을 교반 막대가 장착된 50 ㎖ 공기가 없는 플라스크에 첨가하고, N2로 진공 탈기시켰다. 20 ㎖ 무수 m-크실렌을 첨가하고, 혼합물을 130℃로 N2 대기하에서 고정시켰다. 16 시간 후 혼합물의 HPLC는 출발 페난트리딘이 완전 소비된 것으로 나타났다. 혼합물을 에틸 아세테이트 및 염화메틸렌으로 농축시키고, 여과하여 염기를 제거하였다. 그후, 여과액을 854-8741-076(1 g 저울 r×n)으로 푸울링 처리하고, 증류시켜 짙은색 오일을 얻었다. 오일을 실리카상에서 (염화메틸렌을 사용하여) 건조시키고, 생성물을 5% EtOAc/헥산→50% EtOAc/헥산의 구배로 1 시간에 걸쳐 자동화된 크로마토그래피를 사용하여 크로마토그래피 처리하였다. 순수한 분획을 증류시켜 3.40 g의 카키색 고형물(76.2% 수율, 98% HPLC 분석, NMR 확인함)을 얻었다.
단계 5
3.40 g(10.6 mmol) 7-(2,6-디메틸페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 1.30 g(2.6 mmol) 이리듐(III) 아세틸아세토네이트를 교반 막대가 장착된 25 ㎖ 쉬렌크 튜브에 12 방울의 트리데칸과 함께 첨가하였다. 플라스크를 밀폐시키고, N2로 진공 탈기시켰다. 그후, 혼합물을 모래 배쓰에 담그고, 250℃에서 N2 대기하에서 96 시간 동안 가열하였다. 그후, 혼합물을 염화메틸렌에서 취하고, 용출액으로서 염화메틸렌을 사용하여 실리카 컬럼상에서 정제하였다. 생성물 분획을 용매를 증발시켜 미정제 도펀트를 얻었다. 그후, 고형물을 염화메틸렌/메탄올로부터 재결정화시켜 2.1 g의 es13을 황색 고형물(68.9% 수율, HPLC 분석 99.5%, NMR 확인함)로서 얻었다.
실시예 18
es15의 제조
Figure 112008056848610-PCT00069
단계 1: 2-(n-부틸)-6-아미노페난트리딘의 제조
20.0 g(87.7 mmol) 2-(1,3,2-디옥사보리난-2-일)벤조니트릴, 13.7 g(73.1 mmol) 2-브로모-4-부틸아닐린, 1.70 g(1.46 mmol) 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 및 27.2 g(198 mmol) 탄산칼륨을 400 ㎖ 톨루엔 및 200 ㎖ 에탄올중에서 N2 대기하에서 20 시간 동안 환류시켰다. HPLC 및 TLC에 의하면, 아닐린이 거의 완전 소비된 것으로 나타났다. 추가의 1.8 g 2-(1,3,2-디옥사보리난-2-일)벤조니트릴을 첨가하고, 추가의 18 시간 동안 환류를 지속시켰다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 필터에 통과시켰다. 고형물을 에틸 아세테이트로 세정하여 수집된 염기로부터 유기물을 제거하였다. 그후, 여과액을 증발시키고, 실리카상에서 건조시켰다. 샘플을 용출액으로서 100% 에틸 아세테이트를 사용하는 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하였다. 그후, 생성물 분획을 최소량으로 증류시키고, 생성물을 EtOAc/헥산으로부터 재결정화시켜 12.0 g의 표제 화합물을 담황색 고형물(65.9% 수율, GC-MS 확인함)로서 얻었다.
단계 2: es15 리간드의 합성
Figure 112008056848610-PCT00070
12.0 g(48.0 mmol) 2-(n-부틸)-6-아미노페난트리딘, 11.4 g(72.0 mmol, H2O중의 50% v/v) 클로로아세트알데히드 및 8.06 g(96.0 mmol) 중탄산나트륨을 500 ㎖ 플라스크에 첨가하고, 200 ㎖ 2-프로판올중에서 20 시간 동안 N2 대기하에서 환류시켰다. 완료후, 혼합물을 냉각시키고, 이때 TLC 및 HPLC는 출발 페난트리딘이 완전 소비된 것으로 나타났다. 혼합물을 EtOAc에서 취하고, 여과하여 염기를 제거하였다. 여과액을 증발시켜 갈색 오일을 얻었다. 그후, 오일을 실리카상에서 건조시키고, 용출액으로서 70% 에틸 아세테이트/헥산→약 100% 에틸 아세테이트를 사용하여 실리카 컬럼상에서 정제하였다. 이러한 정제로부터의 생성물 분획을 용매를 증발시키고, 에틸 아세테이트/헥산으로부터 재결정시켜 총 5.22 g의 es15 리간드를 회백색 고형물(40.5% 수율, NMR 확인함)로서 얻었다.
단계 3
5.2 g(21.0 mmol) es15 리간드 및 2.58 g(5.25 mmol) 이리듐(III) 아세틸아세토네이트를 교반 막대가 장착된 25 ㎖ 쉬렌크 튜브에 첨가하였다. 10 방울의 트리데칸을 첨가하고, 튜브를 격막으로 밀폐시키고, N2를 사용하여 완전 진공 탈기시켰다. 튜브를 모래 배쓰에 담그고, 250℃에서 72 시간 동안 N2 대기하에서 가열하였다. 냉각된 혼합물을 CH2Cl2에서 취하고, 초음파 처리하여 불순물을 용해시켰다. 혼합물을 진공하에 여과하고, 고형물을 CH2Cl2 및 헥산으로 헹구어 황색 고형물을 2.74 g의 함량으로 얻었다. 그후, 고형물을 130 ㎖ 끓는 클로로벤젠에 용해시키고, 셀라이트 매트(고온)에 부어 불순물을 제거하였다. 생성된 여과액을 무수 상태로 증발시켰다. 잔류물을 염화메틸렌에서 취하고, 내용물을 염화메틸렌 및 플래쉬를 사용하는 실리카 겔 컬럼상에서 정제하였다. 생성물 분획을 용매를 증발시키고, 고형물을 클로로벤젠으로부터 재결정시켜 1.52 g의 es15를 황색 고형물(29.6% 수율, NMR 확인함, 96.3% HPLC 분석)로서 얻고, 이의 1.5 g을 360℃및 1.0×10-5 torr 진공에서 3 구역 승화기에서 승화로 추가로 정제하여 160 ㎎의 es15를 밝은 황색 고형물로서 얻었다.
실시예 19
es6의 제조
Figure 112008056848610-PCT00071
단계 1: 2-이소프로필-페난트리딘-6-일아민의 합성
500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 12.2 g(65.4 mmol)의 2-시아노페닐보론산 프로판디올 에스테르, 14.0 g(65.4 mmol)의 2-브로모-4-이소프로필아닐린, 2.27 (2 mmol) 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 18.0 g(131 mmol)의 탄산칼륨, 150 ㎖ 톨루엔 및 50 ㎖ 에탄올을 넣었다. 반응을 N2하에서 18 시간 동안 환류 가열하였다. 실온으로 냉각시킨 후, 반응을 에틸 아세테이트 및 물로 추출하였다. 유기물을 염수로 세정한 후, 황산마그네슘으로 건조시켰다. 고형물을 여과로 수집하고, 용매를 여과액으로부터 제거하였다. 생성물을 용출액으로서 94.5% 디클로로메탄, 5% 메탄올, 0.5% 수산화암모늄을 사용하는 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 제거하였다. 생성물을 NMR 및 질량 스펙트럼으로 확인하였다.
단계 2: es6 리간드의 합성
Figure 112008056848610-PCT00072
250 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 5 g(21.2 mmol) 2-이소프로필-페난트리딘-6-일아민, 5 g(31.8 mmol, 물중의 50% 용액) 클로로아세트알데히드, 3.56 g(42.4 mmol) 중탄산나트륨 및 150 ㎖ 이소프로판올을 넣었다. 혼합물을 18 시간 동안 환류 가열하고, 실온으로 냉각시켰다. 디클로로메탄을 첨가하고, 고형물을 여과하였다. 용매를 회전 증발로 제거하고, 생성물을 용출액으로서 40% 헥산/에틸 아세테이트를 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 제거하였다. 생성물을 Kugelrohr 증류에 의하여 추가로 정제하였다. 5.8 g의 es6 리간드를 수집하였다.
단계 3
50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 2.8 g(10.8 mmol)의 7-이소프로필-이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 1.05 g(2.2 mmol) 이리듐 아세틸아세토네이트를 넣었다. 반응기를 비우고, 질소 기체로 3회 다시 채웠다. 반응을 250℃로 24 시간 동안 가열하였다. 반응을 냉각시키고, 디클로로메탄을 첨가한 후, 고형물을 여과하여 1.5 g의 황색 고형물을 얻었다. 고형물을 고온의 1,2-디클로로벤젠에 용해시켰다. 혼합물을 냉각시키고, 고형물 여과하여 0.4 g의 es6을 황색 고형물로서 얻었다. 물질을 승화에 의하 여 추가로 정제하였다.
실시예 20
es8의 제조
Figure 112008056848610-PCT00073
50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 2.9 g(9.6 mmol)의 es8 리간드, 0.94 g(1.9 mmol) 이리듐 아세틸아세토네이트 및 20 방울의 트리데칸을 넣었다. 반응기를 비우고, 질소 기체로 3회 다시 채웠다. 반응을 240℃로 70 시간 동안 가열하였다. 반응을 냉각시키고, 디클로로메탄을 첨가하였다. 생성물을 용출액으로서 디클로로메탄을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 회전 증발로 제거하였다. 생성물을 톨루엔으로부터 결정화시켜 300 ㎎의 es8을 얻고, 이를 승화에 의하여 추가로 정제하였다.
실시예 21
es5의 제조
Figure 112008056848610-PCT00074
단계 1: 9-플루오로-6-페난트리딘아민의 합성
2-클로로-4-플루오로벤조니트릴(1.0 g, 6.42 mmol), 2-아미노페닐보론산 피나콜 에스테르(1.6 g, 7.1 mmol), 팔라듐(II) 아세테이트(0.07 g, 0.32 mmol), 아만타딘 염산염(0.24 g, 1.3 mmol) 및 탄산세슘(4.6 g, 14.1 mmol)의 용액에 미리 질소로 탈기시킨 디옥산에 첨가하고, 17 시간 동안 환류 가열시켰다. 냉각후, 증류수 및 염화메틸렌(50 ㎖) 모두를 반응 혼합물에 첨가하였다. 용매 층을 분리하고, 농축시켜 미정제 오일을 얻고, 이를 용출제로서 1:1 비의 에틸 아세테이트 및 헥산에 이어서 4:1 에틸 아세테이트/헥산을 사용하여 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 순수한 생성물을 수집하여 9-플루오로-6-페난트리딘아민(42 g, 32% 수율)을 얻었으며, 이의 NMR 스펙트럼은 제안된 구조와 일치하였다.
단계 2: 10-플루오로-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
9-플루오로-6-페난트리딘아민(0.8 g, 3.7 mmol) 및, 중탄산나트륨(0.6 g, 7.54 mmol)을 포함하는 물중의 염화아세틸(0.4 g, 5.66 mmol)의 50% 용액을 이소프로필 알콜(25 ㎖)에 용해시켰다. 반응 혼합물을 17 시간 동안 질소 패드하에서 환류시켰다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 침전물을 진공 여과하고, 염화메틸렌으로 세정하였다. 미정제 생성물을 용출액으로서 1:1 비의 에틸 아세테이트 및 헥산을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 증류시켜 10-플루오로-이미다조[1,2-f]페난트리딘)(0.46 g, 52% 수율)을 얻었다.
단계 3
50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 2.1 g(9.6 mmol)의 10-플루오로-이미다조[1,2-f]페난트 리딘, 0.87 g(1.9 mmol) 이리듐 아세틸아세토네이트 및 15 방울의 트리데칸을 넣었다. 반응기를 비우고, 질소 기체로 3회 다시 채웠다. 반응을 230℃로 40 시간 동안 가열하였다. 반응을 냉각시키고, 디클로로메탄을 첨가하였다. 생성물을 용출액으로서 디클로로메탄을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 회전 증발로 제거하였다. 생성물을 디클로로메탄/헥산 혼합물로부터 결정화시켜 500 ㎎의 es5를 얻고, 이를 승화에 의하여 추가로 정제하였다.
실시예 22
es19의 제조
Figure 112008056848610-PCT00075
단계 1: 3-t-부틸페닐보론산의 합성
무수 THF (10 ㎖)의 용액에 마그네슘(1.25 g, 52 mmol), 3-t-부틸 브로모벤젠(2.0 g, 9.4 mmol) 및 요오드 결정을 첨가하였다. 반응이 개시될 때까지 반응을 우선 약간 가열한 후, 제거하였다. 자발적인 환류가 중지될 때까지 나머지 3-t-부틸 브로모벤젠(8.0 g, 37.7 mmol)을 첨가 깔때기를 통하여 첨가하였다. 반응 혼합물을 2 시간 동안 환류 가열하였다. 그리나드를 주사기를 통하여 THF에 용해된 트 리메틸 보레이트의 냉각된 용액(-40℃)으로 주사기를 통하여 옮기고, 10 분 동안 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온으로 밤새 가온시켰다. 에틸 아세테이트 및 증류수를 반응 혼합물에 첨가하고, 층을 분리시켰다. 유기물을 염수로 세정하고, 황산마그네슘상에서 건조시켰다. 용매를 농축시키고, 용출액으로서 10% 에틸 아세테이트 및 헥산을 사용하는 실리카 겔 컬럼으로 정제하여 3-t-부틸페닐 보론산(4.0 g, 46% 수율)을 백색 고형물로서 얻었다. 생성물을 GCMS에 의하여 확인하고, 이를 그 다음 단계에 직접 사용하였다.
단계 2: 2-아미노-3',5-디-t-부틸 비페닐의 합성
3-t-부틸페닐보론산(4.0 g, 22.4 mmol), 2-브로모-4-t-부틸아닐린(4.3 g, 18.7 mmol), 팔라듐(II)아세테이트(0.11 g, 0.468 mmol), 트리페닐 포스핀(0.5 g, 1.8 mmol) 및, 36 ㎖의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르중의 탄산칼륨의 2 M 용액 25 ㎖을 첨가하였다. 반응 혼합물을 18 시간 동안 환류 가열하였다. 반응을 실온으로 냉각시키고, 수성상을 유기상으로부터 분리하였다. 수성상을 에틸 아세테이트로 추출하였다. 유기 추출물을 합하고, 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과 및 농축시켰다. 미정제 생성물을 용출액으로서 20% 에틸 아세테이트 및 헥산을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 순수한 생성물인 2-아미노-3',5-디-t-부틸 비페닐(3.0 g, 57% 수율)을 백색 고형물로서 수집하고, 이의 NMR은 제안된 구조와 일치한다.
단계 3: N-포르밀-2-아미노-3',5-디-t-부틸 비페닐의 합성
2-아미노-3',5-디-t-부틸 비페닐(2.0 g, 7.11 mmol)을 포름산 용액에 첨가하 고, 16 시간 동안 환류 가열하였다. 냉각후, 물(25 ㎖)을 첨가하고, 생성물 및 침전물을 진공 여과에 의하여 수집하엿다. 미정제 생성물을 에틸 아세테이트에 용해시키고, 물로 세정하였다. 유기물을 황산마그네슘상에서 건조시키고, 농축시키고, 용출액으로서 10% 에틸 아세테이트 및 헥산을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 GCMS로 측정한 바와 같은 순수한 N-포르밀-2-아미노-3',5-디-t-부틸 비페닐(1.8 g, 82% 수율)을 얻었다.
단계 4: 2,9-디-t-부틸페난트리디논의 합성
상기 화합물, N-포르밀-2-아미노-3',5-디-t-부틸 비페닐(6.5 g, 21 mmol)을 50 ㎖의 클로로벤젠에 용해시키고, 이에 5 당량의 디-t-부틸 퍼옥시드를 첨가하였다. 반응 혼합물을 110℃로 72 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 반으로 농축시키고, 0℃로 냉각시켰다. 형성된 침전물을 진공 여과로 수집하였다. 회백색 고형물을 헥산으로 세정하여 GCMS에 의하여 측정한 바와 같은 2,9-디-t-부틸페난트리디논을 얻고, 이는 더 이상 정제하지 않았다.
단계 5: 2,9-디-t-부틸-6-클로로페난트리딘의 합성
상기 2,9-디-t-부틸페난트리디논(3.0 g, 9.7 mmol)을 오염화인(3.0 g, 14.6 mmol) 및 50 ㎖의 염화포스포릴을 포함하는 반응 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 밤새 환류시키고, 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 희석하였다. 과량의 염화포스포릴 및 톨루엔을 회전 증발기로 제거하였다. 잔류물을 에틸 아세테이트에 용해시키고, 증류수에 이어서 염수로 세정하였다. 용매 층 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과 및 농축시켜 목적하는 2,9-디-t-부틸-6-클로로페난트리딘(3.0 g, 98%)을 회백색 고형물로서 얻었다. 생성물을 GC 질량 스펙트럼으로 확인하고, 이를 추가로 정제하지 않았으나, 그 다음 단계에 직접 사용하였다.
단계 5: 7,10-디-t-부틸-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
2,9-디-t-부틸-6-클로로페난트리딘(3.7 g, 11.0 mmol)을 200 ㎖의 디글림에 용해된 아미노아세트알데히드 디메틸아세탈(2.4 g, 23 mmol)을 포함하는 반응 플라스크에 첨가하고, 환류 가열하고, 질소 대기하에서 교반하였다. 96 시간 후, 반응은 TLC에 의하여 완료된 것으로 측정되었다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 과량의 용매를 증류로 제거하였다. 잔류물을 염화메틸렌으로 취하였다. 용매를 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과 및 농축시켰다. 미정제 생성물을 용출액으로서 10% 에틸 아세테이트 및 90% 염화메틸렌을 사용하는 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하였다. 정제된 생성물을 수집하고, 헥산으로 세정하고, 건조시켜 7,10-디-t-부틸-이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.0 g, 56% 수율)을 백색 고형물로서 얻었다.
단계 6
50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 2.0 g(6.1 mmol)의 10-플루오로-이미다조[1,2-f]페난트리딘, 0.84 g(1.7 mmol) 이리듐 아세틸아세토네이트 및 10 방울의 트리데칸을 넣었다. 반응기를 비우고, 질소 기체로 3회 다시 채웠다. 반응을 240℃로 18 시간 동안 가열하였다. 반응을 냉각시키고, 디클로로메탄을 첨가하였다. 생성물을 용출액으로서 디클로로메탄을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 회전 증발로 제거하였다. 생성물을 디클로로메탄/헥산 혼합물로부터 결정화하여 0.6 g의 es19를 얻고, 이를 승화에 의하여 추가 로 정제하였다.
실시예 23
es14의 제조
Figure 112008056848610-PCT00076
단계 1: 3,5-디메틸-6-페난트리딘아민의 합성
2-시아노페닐보론산 피나콜 에스테르(13.7 g, 60 mmol), 2-브로모-4,6-디메틸아닐린(10.0 g, 50 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(2.3 g, 2.0 mmol) 및 탄산칼륨(18.6 g, 138.21 mol)을 125 ㎖의 95/5의 톨루엔/메탄올의 혼합물에 함께 첨가하였다. 용매를 탈기시키고, 반응 혼합물 48 시간 동안 환류 가열하였다. 냉각후, 반응 혼합물을 진공 여과하고, 유기물을 증발시키고, 미정제 생성물을 용출액으로서 트리에틸아민 및, 1:9 에틸 아세테이트 및 염화메틸렌 혼합물로 처리한 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피를 사용하여 정제하였다. 순수한 생성물을 수집하고, 농축시켜 3,5-디메틸-6-페난트리딘아민(9.1 g, 82% 수율)을 얻었다.
단계 2: 5,7-디메틸-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
3,5-디메틸-6-페난트리딘아민(8.6 g, 39 mmol), 물중의 염화아세틸(4.6 g, 58 mmol)의 50% 용액, 258 ㎖의 이소프로필 알콜중의 중탄산나트륨(6.5 g, 77.4 mmol)를 40 시간 동안 환류 가열하였다. 냉각후, 미정제 생성물을 염화메틸렌에 용 해시키고, 진공 여과하였다. 여과액을 농축시키고, 미정제 생성물을 염화메틸렌 및 에틸 아세테이트 혼합물중에서 결정화시켰다. 순수한 생성물을 진공 여과로 수집하여 NMR에 의하여 측정한 바와 같은 5,7-디메틸-이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.8 g, 40% 수율)을 얻었다.
단계 3
3.7 g(15.0 mmol) 5,7-디메틸(이미다조[1,2-f]페난트리딘) 및 1.85 g(3.76 mmol) Ir(acac)3를 교반 막대가 장착된 50 ㎖ 쉬렌크 튜브에 첨가하였다. 12 방울의 트리데칸을 첨가하고, 튜브를 밀폐시키고, N2로 진공 탈기시켰다. 튜브를 샌드 배쓰에 침지시키고, 250℃로 72 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 내용물을 CH2Cl2와 함께 초음파로 처리하여 용해시켰다. 황색 고형물을 여과하고, 클로로벤젠중에서 가열하였다. 용액을 셀라이트로 여과하고, 농축시켜 결정화를 유도하였다. 고형물을 여과하여 600 ㎎의 es14를 황색 고형물로서 얻고, 이를 승화에 의하여 추가로 정제하였다.
실시예 24
es27의 제조
Figure 112008056848610-PCT00077
단계 1: 2-아미노-2'-메틸-비페닐의 합성
2-메틸페닐 보론산(24.7 g, 181 mmol), 2-브로모 아닐린(25.7 g, 151 mmol), 팔라듐(II)아세테이트(0.85 g, 3.78 mmol), 트리페닐포스핀(4.0 g, 15.1 mmol)과 함께 탄산칼륨(204 ㎖) 및 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(223 ㎖)의 2 M 용액에 첨가하고, 반응 혼합물을 18 시간 동안 환류 가열하였다. 반응을 실온으로 냉각시킨 후, 수성상을 유기상으로부터 분리하였다. 수성상을 에틸 아세테이트로 추출하고, 유기 추출물을 합하고, 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과하였다. 미정제 생성물을 용출액으로서 헥산중의 10% 에틸 아세테이트를 사용하여 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 순수한 분획을 수집하여 합하고, 이를 농축시켜 2-아미노-2'-메틸-비페닐(23.5 g, 84.8% 수율)을 얻고, 이의 구조는 GCMS 및 NMR로 확인하였다.
단계 2: N-에톡시카르보닐-2-아미노-2'메틸 비페닐의 합성
상기 화합물 2-아미노-2'-메틸-비페닐(11.0 g, 60 mmol)을 트리에틸 아민(24 g, 24 mmol)을 포함하는 무수 톨루엔(250 ㎖)에 첨가하고, 질소 패드하에서 교반하 였다. 에틸 클로로포르메이트(26 g, 240 mmol)를 상기 교반된 용액에 주사기로 서서히 첨가하였다. 반응 혼합물을 염수로 세정하고, 유기물을 분리하고, 황산마그네슘상에서 건조시키고, 농축시켜 N-에톡시카르보닐-2-아미노-2'메틸 비페닐을 무색 오일(7.0 g, 46% 수율)로서 얻었으며, 이의 구조를 GCMS 및 NMR로 확인하였다.
단계 3: 10-메틸-페난트리디논의 합성
상기 화합물 N-에톡시카르보닐-2-아미노-2'메틸 비페닐(6.7 g, 26 mmol)을 다가인산(15 g)에 첨가하고, 170℃로 밤새 가열하였다. 냉각후, 물을 첨가하고, 백색 침전물을 진공 여과에 의하여 수집하여 10-메틸-페난트리디논(3.5 g, 65% 수율)을 얻고, 이의 구조를 CGMS 및 NMR로 확인하였다.
단계 4: 6-클로로-10-메틸페난트리딘의 합성
상기 화합물 10-메틸-페난트리디논(4.0 g, 19 mmol)을 오염화인(6.0 g, 0.29 몰) 및 염화포스포릴(50 ㎖)을 포함하는 반응 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 4 시간 동안 환류시키고, 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 희석하였다. 과량의 염화포스포릴 및 톨루엔을 회전 증발기로 제거하였다. 잔류물을 에틸 아세테이트에 용해시키고, 증류수에 이어서 염수로 세정하였다. 용매 층을 황산마그네슘상에서 건조시키고, 여과 및 농축시켜 6-클로로-10-메틸페난트리딘(4.1 g, 95%)을 회백색 고형물로서 얻었다. 생성물을 질량 스펙트럼 및 NMR로 확인하고, 추가로 정제하지 않고 그 다음 단계에 직접 사용하였다.
단계 5: es27i-1의 합성
Figure 112008056848610-PCT00078
디글림(100 ㎖)의 용액에 상기 6-클로로-10-메틸-페난트리딘(1.8 g, 7.9 mmol) 및 2-브로모-4-이소프로필아날린(3.4 g, 15.8 mmol)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 질소 패드하에 3 시간 동안 160℃에서 교반하였다. 냉각후, 침전물을 진공 여과하고, 에틸 아세테이트에 이어서 헥산으로 세정하여 es27i-1(2.5 g, 78% 수율)을 베이지색 고형물로서 얻었다.
단계 6: 10-이소프로필-3-메틸-8b,13-디아자-인데노[1,2-f]페난트렌의 합성
상기 화합물(3.5 g, 8.7 mmol)을 트리페닐포스핀(0.45 g, 1.7 mmol), 팔라듐 아세테이트(0.12 g, 0.5 mmol), 탄산칼륨(3.6 g, 26 mmol)을 포함하는 톨루엔에 용해시켰다. 반응 혼합물을 밤새 질소 패드하에서 환류시켰다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 증류수에 이어서 염수로 세정하였다. 유기 층을 분리한 후, es27 리간드 생성물을 실리카 겔 컬럼상에서 정제하였다.
단계 7
50 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 1.8 g(5.5 mmol)의 10-이소프로필-3-메틸-8b,13-디아자-인데노[1,2-f]페난트렌, 0.67 g(1.4 mmol) 이리듐 아세틸아세토네이트 및 20 ㎖ 에틸렌 글리콜을 넣었다. 반응을 질소하에서 24 시간 동안 환류 가열 하였다. 반응을 냉각시키고, 메탄올을 첨가한 후, 황색 고형물을 여과하였다. 고형물을 디클로로메탄에 용해시키고, 용출액으로서 디클로로메탄을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 목적하는 생성물을 포함하는 분획을 합하고, 용매를 회전 증발로 제거하였다. 생성물을 클로로벤젠으로부터 결정화시켜 0.3 g의 es27을 얻었다.
실시예 25
es17의 제조
Figure 112008056848610-PCT00079
단계 1: es17i-1의 합성
1 ℓ 3목 둥근 바닥 플라스크에 2,6-디브로모-4-t-부틸 아닐린(38 g, 0.124 몰), 2-시아노페닐붕산 피나콜 에스테르(10 g, 0.044 몰), K3PO4·H2O(35.4 g, 0.154 몰), PdCl2(PPh3)2(1.8 g, 2.6 mmol) 및 무수 톨루엔(500 ㎖)을 넣었다. 반응 혼합물을 100℃로 질소하에서 6 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 무수 상태로 농축시키고, 컬럼 크로마토그래피로 처리하여 es17i-1(5.65 g, 39%)을 얻었다.
단계 2: es17i-2의 합성
2-프로판올(75 ㎖)중의 es17i-1(2.75 g, 8.4 mmol), 중탄산나트륨(1.4 g, 16.7 mmol)의 혼합물에 클로로아세트알데히드(50% 수용액, 1.96 g)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 75℃에서 5 시간 동안 가열하고, 용매를 제거하였다. 잔류물을 염화메틸렌에 다시 용해시키고, 물로 세정하였다. 유기 분획을 합하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 여과 및 진공하에서 농축시켰다. 미정제 혼합물을 헥산/에틸 아세테이트(80/20)를 사용하는 실리카 겔상에서 크로마토그래피로 정제하여 순수한 es17i-2(2.52 g, 85%)를 얻었다.
단계 3: es17i-3의 합성
1 ℓ 3목 둥근 바닥 플라스크에 es17i-2(4.5 g, 12.7 mmol), 4-t-부틸페닐붕산(5.09 g, 29 mmol), 탄산나트륨(9.22 g, 87 mmol), Pd(PPh)4(0.99 g, 0.86 mmol), 50 ㎖의 물 및 400 ㎖의 톨루엔을 넣었다. 반응 혼합물을 100℃로 질소하에서 17 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 염화메틸렌으로 희석하고, 염수로 세정하였다. 유기 분획을 합하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 여과 및 진공하에서 농축시켰다. 미정제 혼합물을 헥산/에틸 아세테이트(80/20)를 사용한 실리카 겔상에서의 크로마토그래피로 정제하여 순수한 es17i-3(5.05 g, 97%)을 얻었다.
단계 4
25 ㎖ 2목 플라스크에 es17i-3(3.41 g, 8.38 mmol), Ir(acac)3(821.24 ㎎, 1.67 mmol) 및 30 방울의 트리데칸을 넣었다. 플라스크를 진공으로 만들고, 질소로 3회 다시 채운 후, 220℃로 65 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 염화메틸렌에 용해시키고, 컬럼 크로마토그래피를 실시하여 es17(1 g, 42% 수율)을 얻었다.
실시예 26
es23의 제조
Figure 112008056848610-PCT00080
단계 1: 3-(트리부틸주석)-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
3목 둥근 바닥 플라스크에 이미다조[1,2-f]페난트리딘(11.6 g, 53.21 mmol) 및 600 ㎖의 무수 THF를 넣었다. n-부틸 리튬의 용액(시클로헥산중의 2 M 용액, 39.9 ㎖, 79.8 mmol)을 반응 혼합물에 -78℃에서 첨가하였다. -78℃에서 2 시간 동안 교반한 후, 염화트리부틸주석(25.97 g, 79.8 mmol)을 -78℃에서 첨가하였다. 반응 혼합물을 -78℃에서 2 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 무수 상태로 진공하에서 농축시키고, 컬럼 크로마토그래피(트리에틸아민으로 전처리한 실리카 겔, 헥산중의 50% EtOAC)으로 처리하여 표제 화합물(24.61 g, 91% 수율)을 얻었다.
단계 2: 3-(2,6-디클로로페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
250 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 3-(트리부틸주석)-이미다조[1,2-f]페난트리딘(23.87 g, 47 mmol), 2,6-디클로로요오도벤젠(12.84 g, 47.08 mmol), PdCl2(PPh3)2(1.97 g, 2.82 mmol) 및 170 ㎖의 무수 파라크실렌을 넣었다. 반응 혼합물을 120℃로 질소하에서 17 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 염화메틸렌으로 희석하고, 포화 KF 수용액으로 세정하였다. 침전물을 여과로 제거하고, 여과액을 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔, 염화메틸렌)로 처리하여 표제 화합물(10.35 g, 60.8% 수율)을 얻었다.
단계 3: 3-(2,6-디페닐페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 합성
200 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 3-(2,6-디클로로페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.1 g, 5.8 mmol), 페닐 붕산(2.828 g, 23.4 mmol), Pd(OAc)2(1.127 g, 5.02 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 (4.11 g, 10.03 mmol), K3PO4 및 70 ㎖의 무수 톨루엔을 넣었다. 반응 혼합물을 100℃로 질소하에서 22 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 무수 상태로 농축시키고, 컬럼 크로마토그래피를 실시하여 표제 화합물(1.62 g, 62% 수율)을 얻었다.
단계 4
25 ㎖ 2목 플라스크에 3-(2,6-디페닐페닐)-이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.93 g, 6.56 mmol), Ir(ACAC)3(0.643 g, 1.31 mmol) 및 30 방울의 트리데칸을 넣었다. 플라스크를 진공으로 하고, 질소로 3회 다시 채우고, 220℃로 65 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 염화메틸렌에 용해시키고, 컬럼 크로마토그래피를 실시하여 es23(560 ㎎, 28% 수율)을 얻었다.
실시예 27
es101의 제조
Figure 112008056848610-PCT00081
단계 1: 2-(1H-벤조[d]이미다졸-1-일)벤조니트릴 1
벤즈이미다졸(2.00 g, 16.9 mmol)을 30 ㎖의 무수 디메틸포름아미드에 용해시켰다. 이에 수소화나트륨(0.68 g 60%, 16.9 mmol)을 첨가하였다. 이를 상온에서 30 분 동안 교반한 후, 1.80 ㎖(16.9 mmol)의 2-플루오로벤조니트릴을 첨가하였다. 반응을 50℃에서 18 시간 동안 교반한 후, 혼합물을 얼음물 배쓰에서 냉각시키고, 100 ㎖의 물로 희석하였다. 생성물을 에틸 아세테이트로 추출하였다. 유기 층을 물로 세정하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 진공하에서 증발시켜 표제 화합물을 얻었다. 질량 스펙트럼 및 NMR 데이타는 구조와 일치한다. 또한, 5,6-디메틸 벤즈이미다졸 유사체를 유사하게 합성하였다.
단계 2: 2-(2-브로모-1H-벤조[d]이미다졸-1-일)벤조니트릴 2
화합물 1(25.75 g, 117.5 mmol)을 디옥산(400 ㎖)에 용해시켰다. 이에 N-브로모숙신이미드(20.91 g, 117.5 mmol)를 첨가하였다. 이를 3 시간 동안 환류 교반하고, 이때 혼합물을 물에 붓고, 생성물을 에틸 아세테이트로 추출하였다. 유기 층을 황산나트륨상에서 건조시키고, 진공하에서 농축시키고, 디클로로메탄-에틸 아세테이트 5:1(v/v)의 이동상을 사용하여 크로마토그래피(실리카 겔)로 처리하여 표제 화합물을 얻었다. 질량 스펙트럼 및 NMR 데이타는 구조와 일치한다. 또한, 5,6-디메틸벤즈이미다졸 유사체를 유사하게 합성하였다.
단계 3: 화합물 3 의 합성
화합물 2(4.86 g, 16.3 mmol)를 20 ㎖의 무수테트라히드로푸란중에서 교반하였다. 이에 테트라히드로푸란중의 25 ㎖의 리튬 헥사메틸디실라잔 1 N 용액을 첨가하였다. 반응을 65℃에서 2.5 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각시키고, 물로 종결시켰다. 수성 염산(25 ㎖의 1 N 용액)을 첨가하고, 이를 10 분 동안 교반한 후, 수성 수산화암모늄으로 중화시켰다. 생성된 갈색 고형물을 여과로 수집하고, 진공하에서 건조시켰다. 구조는 질량 스펙트럼 및 NMR 데이타에 의하여 확인하였다.
단계 4: 화합물 4 의 합성
화합물 3(2.15 g, 9.18 mmol)을 200 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 넣었다. 이에 1,2-디요오도벤젠(1.20 ㎖, 9.18 mmol), 요오드화구리(0.52 g, 2.75 mmol), 1,10-페난트롤린(0.50 g, 2.75 mmol) 및 탄산칼륨(2.66 g, 19.28 mmol)을 첨가하였다. 플라스크를 탈기시키고, 질소로 다시 채운 후, 40 ㎖의 무수 디메틸포름아미드를 첨가하였다. 반응을 150℃에서 18 시간 동안 교반한 후, 냉각시키고, 물에 부었다. 미정제 고형물을 여과하고, 디클로로메탄-메탄올 19:1의 이동상을 이용하여 크로마토그래피(실리카 겔)로 처리하여 생성물 4를 얻었다. LCMS 309.2 (ES+), 309.2 (AP+); 1H NMR (CDCl3) δ 8.75 (m, 2H), 8.36 (d, 1H), 8.15 (d, 1H), 7.95 (m, 2H), 7.81 (m, 1H), 7.56 (m, 3H), 7.44 (m, 2H).
단계 5
Figure 112008056848610-PCT00082
25 ㎖ 2 목 플라스크에 화합물 4(0.6 g, 1.945 mmol), Ir(acac)3(0.19 g, 0.389 mmol) 및 30 방울의 트리데칸을 넣었다. 플라스크를 비우고, 질소로 3회 다시 채운 후, 240℃로 26 시간 동안 가열하였다. 생성된 혼합물을 염화메틸렌에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 처리하여 es101을 얻었으며, 이의 구조는 질량 스펙트럼으로 확인하였다.
실시예 28
화합물 5의 제조
화합물 3(0.59 g, 2.52 mmol)을 15 ㎖의 이소프로판올에서 교반하였다. 이에 중탄산나트륨(0.42 g, 5.04 mmol) 및 클로로아세트알데히드(0.50 ㎖ 50% 용액, 3.78 mmol)를 첨가하였다. 이를 7 시간 동안 교반한 후, 냉각시키고, 물로 희석하고, 디클로로메탄으로 추출하였다. 생성물을 디클로로메탄-메탄올 19:1로 용출하는 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하였다. LCMS 258.7(AP+), 259.3(ES+); 1H NMR (DMSO d6) δ 8.66 (d, 1H), 8.55 (m, 1H), 8.46 (dd, 1H), 8.28 (d, 1H), 7.84 (m, 2H), 7.62 (m, 2H), 7.47 (m, 2H).
실시예 29
2-(2,4-디메틸-1H-이미다졸-1-일)벤조니트릴 6 의 제조
Figure 112008056848610-PCT00083
수소화나트륨(8.65 g 60%, 0.216 mol)을 75 ㎖의 무수 디메틸포름아미드중에서 교반하였다. 이에 100 ㎖의 DMF중의 2,4-디메틸이미다졸(20.75 g, 0.216 mol)의 용액을 적가하였다. 상온에서 1 시간 동안 교반한 후, 75 ㎖의 DMF중의 2-플루오로벤조니트릴(23.0 ㎖, 0.216 mol)의 용액을 적가하였다. 이를 50℃에서 2 시간 동안 교반한 후, 상온에서 16 시간 동안 교반하였다. 혼합물을 물에 붓고, 생성물을 에 틸 아세테이트로 추출하였다. 유기 층을 물로 세정하고, 황산나트륨상에서 건조시켰다. 미정제 생성물을 19:1 디클로로메탄-메탄올에 이어서 9:1 디클로로메탄-메탄올로 용출하는 크로마토그래피(실리카 겔)로 처리하여 생성물을 고형물로서 얻었다. LCMS 데이타는 구조를 확인하였다.
실시예 30
2-(5-브로모-2,4-디메틸-1H-이미다졸-1-일)벤조니트릴 7 의 제조
화합물 6(5.18 g, 26.0 mmol)을 아세토니트릴(150 ㎖)에 용해시켰다. 이에 N-브로모숙신이미드(4.67 g, 26.0 mmol)를 첨가하였다. 이를 1 시간 동안 환류 교반한 후, 진공하에서 증발시켰다. 잔류물을 디클로로메탄에 용해시키고, 물로 세정하였다. 유기 층을 진공하에서 증발시켜 표제 화합물을 황색 고형물로서 얻었다. NMR은 구조를 확인하였다.
실시예 31
2-(2,4-디메틸-5-니트로-1H-이미다졸-1-일)벤조니트릴 8 의 제조
화합물 6(6.82 g, 34.5 mmol)을 일부분씩 0℃로 냉각된 트리플루오로아세트산 무수물(50 ㎖)에 첨가하였다. 15 분후, 염화나트륨 얼음물 배쓰를 드라이아이스 아세톤 배쓰로 교체하고, 질산(6.0 ㎖ 70%)을 적가하였다. 이를 16 시간 동안 상온으로 교반한 후, 얼음물에 붓고, 고체 중탄산나트륨으로 중화시켰다. 생성물을 디클로로메탄으로 추출하고, 49:1 디클로로메탄-메탄올로 용출시키는 실리카 겔 플래쉬 컬럼상에서 정제하여 목적하는 생성물을 오렌지색 페이스트로서 얻었다. LCMS 데이타는 구조를 뒷받침한다.
Figure 112008056848610-PCT00084
실시예 32
2-(1H-피롤-1-일)벤조니트릴 9 의 제조
안트라닐로니트릴(10.0 g, 85.0 mmol)을 350 ㎖의 아세트산에 용해시켰다. 이에 2,5-디메톡시테트라히드로푸란(11.0 ㎖, 85.0 mmol)을 첨가하였다. 이를 2 시간 동안 환류 교반한 후, 반응 혼합물을 물에 붓고, 생성물을 디클로로메탄으로 추출하였다. 유기 층을 물로 세정하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 1:1 디클로로메탄-헥산의 이동상을 사용하는 실리카 겔 컬럼상에서 크로마토그래피 처리하여 표제 화합물을 백색 고형물로서 얻었다. NMR로 구조를 확인하였다.
실시예 33
2-(1H-2-브로모-피롤-1-일)벤조니트릴 10 의 제조
화합물 9(12.07 g, 72.0 mmol)를 250 ㎖의 무수 디메틸포름아미드에 용해시켰다. 이를 얼음 물 배쓰에서 냉각시켰다. 이에 N-브로모숙신이미드(12.77 g, 72.0 mmol)를 첨가하였다. 반응 혼합물을 0℃에서 3 시간 동안 교반한 후, 이를 물에 부었다. 생성물을 디클로로메탄으로 추출하였다. 유기 층을 물로 세정하고, 황산나트륨상에서 건조시키고, 진공하에 농축시켰다. 미정제 생성물을 1:1 디클로로메탄-헥산의 이동상을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔)로 처리하여 화합물 10을 무색 오일로서 얻었다. NMR 및 LCMS 데이타는 구조를 확인하였다.
실시예 34
es33의 제조
Figure 112008056848610-PCT00085
단계 1
1 ℓ 둥근 바닥 플라스크에 7-브로모이미다조[1,2-f]페난트리딘(10 g, 33.89 mmol, 일반적인 절차로 제조함), 피페리딘(8.66 g, 101 mmol), 팔라듐 아세테이트(532 ㎎, 2.37 mmol), 디-t-부틸비페닐포스핀(1.41 g, 4.74 mmol), 나트륨 t-부톡시드(4.56 g, 47.45 mmol) 및 200 ㎖의 무수 톨루엔을 첨가하였다. 반응 혼합물을 100℃로 14 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 반응 혼합물을 산화알루미늄 컬럼상에서 크로마토그래피로 정제하였다. 산출량: 3.19 g.
단계 2
1 ℓ 둥근 바닥 플라스크에 7-피페리딘-이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.9 g, 33.89 mmol, 단계 1로부터 생성함) 및 200 ㎖의 무수 DMF를 첨가하였다. 이 혼합물에 교반하면서 100 ㎖의 N-브로모숙신이미드 DMF 용액(1.79 g, 10.08 mmol)을 실온에서 암실에서 적가하였다. 반응 혼합물을 밤새 교반을 지속하였다. 그후, 혼합물을 교반하면서 1 ℓ의 물에 부었다. 침전물을 여과로 수집하고, 다량의 물 및 마지막으로 MeOH(50 ㎖×2)로 추가로 세정한 후, 건조시켰다. 3-브로모-7-피페리데닐-이미다조[1,2-f]페난트리딘의 산출량은 3.5 g이다.
단계 3
500 ㎖ 둥근 플라스크에 3-브로모-7-피페리데닐-이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.5 g, 9.2 mmol), 2,6-디메틸페닐보론산(8.28 g, 55.2 mmol), Pd2(dba)3(4.21 g, 4.6 mmol), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(S-Phos, 7.55 g, 18.40 mmol), 인산칼륨 3염기성(15.6 g, 73.6 mmol) 및 200 ㎖의 크실렌을 첨가하였다. 반응을 환류 가열하고, 질소 대기하에서 84 시간 동안 교반하였다. 냉각후, 혼합물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 2.25 g이다.
단계 4
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디메틸페닐)-7-피페리데닐-이미다조[1,2-f]페난트리딘(1.75 g, 4.32 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.5 g, 1 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 목적 화합물(0.38 g)을 얻었다.
실시예 35
es28의 제조
Figure 112008056848610-PCT00086
단계 1
300 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 6-클로로이미다조[1,2-f]페난트리딘(5 g, 19.78 mmol, 일반적인 절차로부터 생성됨), pd2(dba)3(1.08 g, 1.18 mmol), 2-(디-시클로헥실)포스피노비페닐(998 ㎎, 2.84 mmol), THF중의 리튬 비스(트리메틸실릴)아미드(23.75 ㎖, 1 M, 23.74 ㎖)를 주사기로 첨가하였다. 반응 플라스크를 비우고, 질소로 다시 채웠다. 반응 혼합물을 65℃로 밤새 가열하였다. 반응이 실온으로 냉각되도록 하고, 수성 1 M HCl(100 ㎖)을 첨가하고, 반응을 실온에서 5 분 동안 교반하였다. 그후, NaOH 수용액을 첨가하여 용액을 중화시켰다. 수성상을 디클로로 메탄으로 3회 추출하였다. 유기 층을 합하고, 진공하에서 농축시켰다. 잔류물을 플래쉬 크로마토그래피로 정제하였다. 산출량은 1.56 g이다.
단계 2
100 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 6-아미노-이미다조[1,2-f]페난트리딘(100 ㎎, 0.42 mmol, 단계 1로부터 생성함), 부틸 알데히드(61.84 ㎎, 0.85 mmol), 나트륨 트리아세톡시붕수소화물(272 ㎎, 1.28 mmol) 및 50 ㎖의 염화메틸렌을 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 수성 포화 NaHCO3를 첨가하여 반응 혼합물을 종결시키고, 생성물을 EtOAC로 추출하였다. EtOAC 층을 농축시키고, 목적하는 생성물(140 ㎎)을 얻었다.
단계 4
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 6-N,N-디이소프로필-이미다조[1,2-f]페난트리딘(0.45 g, 1.14 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.138 g, 0.28 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 목적 화합물(0.1 g)을 얻었다.
실시예 36
es36의 제조
Figure 112008056848610-PCT00087
500 ㎖ 2목 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모-4-n-헥실아닐린(8.87 g, 0.035 mol), 2-시아노페닐보론산 피나콜 에스테르(8.82 g, 0.039 mol), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II)(0.98 g, 4%) 및 인산칼륨 3염기성 일수화물(12.1 g, 0.053 mol)을 넣었다. 플라스크를 탈기시키고, 질소로 다시 채운 후, 톨루엔(120 ㎖)을 주사기를 통하여 첨가하였다. 반응을 3 시간 동안 교반한 후, 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. 디클로로메탄(200 ㎖)을 첨가하고, 혼합물을 물로 세정하였다. 유기 층을 황산나트륨상에서 건조시키고, 진공하에서 농축시키고, 크로마토그래피(실리카 겔)로 처리하였다. 디클로로메탄-메탄올 9:1 v/v로 용출시켜 목적하는 생성물을 황갈색 고형물을 얻었다. NMR, MS로 구조를 확인하였다.
Figure 112008056848610-PCT00088
250 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 2-헥실페난트리딘-6-아민(6.17 g, 0.022 mol), 2,4,6-트리이소프로필페닐브로모아세트알데히드(7.93 g, 0.024 mol, 일반적인 절차 B로 생성함) 및 이소프로판올(50 ㎖)을 넣었다. 이를 2 시간 동안 환류 교반한 후, 중탄산나트륨(3.7 g, 0.044 mol)을 첨가하였다. 이를 추가의 18 시간 동안 환류 교반하였다. 물(100 ㎖) 및 디클로로메탄(100 ㎖)을 첨가하였다. 층을 분리시켰다. 유기 층을 황산나트륨상에서 건조시키고, 진공하에 농축시키고, 크로마토그래피(실리카 겔)로 처리하였다. 에틸 아세테이트-디클로로메탄 1:1 v/v로 용출시켜 목적하는 생성물을 오렌지색 오일로서 얻고, 이를 정치시켜 고형화시켰다. 1H NMR (CDCl3) δ8.72 (d, 1H), 8.37 (d, 1H), 7.64 (m, 2H), 7.36 (s, 1H), 7.19 (m, 1H), 7.14 (s, 2H), 7.00 (d, 1H), 3.00 (p, 1H), 2.69 (t, 2H), 2.59 (p, 2H), 1.36 (d, 6H), 1.09 (d, 6H), 0.93(d, 6H), 0.83(t, 3H); GC MS 504.
Figure 112008056848610-PCT00089
50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 7-헥실-3-(2,4,6-트리이소프로필페닐)이미다조[1,2-f]페난트리딘(3.9 g, 7.72 mmol) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.757 g, 1.54 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 목적 화합물(0.732 g)을 얻었다.
실시예 37
이미다조페난트리딘 리간드 합성에 대한 일반적인 절차 B
Figure 112008056848610-PCT00090
기계 교반기, 온도계 및 첨가 깔때기가 장착된 2 ℓ 3목 플라스크에 300 g의 얼음 및 300 ㎖의 H2SO4를 첨가하였다. 200 ㎖의 CH3CN중의 2,6-디이소프로필-4-브로모아닐린(46.0 g, 0.18 mol)을 이 혼합물에 온도를 5℃ 이하로 유지하면서 적가하였다. 180 ㎖의 얼음 냉각 수중의 아질산나트륨(22.5 g, 0.32 mol)을, 약 0℃로 온도를 유지하면서 적가하였다. 생성된 맑은 용액을 300 ㎖의 물중의 요오드화칼륨(105 g, 0.63 mol)의 용액에 서서히 실온에서 부었다. 혼합물을 1 시간 동안 교반하였다. 통상의 워크업후, 미정제 생성물을 170℃에서 진공하에서 증류시켜 1-요오도-2,6-디이소프로필-4-브로모벤젠(60 g)을 냉각하에 담갈색 부드러운 고형물로 얻었다.
1-요오도-2,6-디이소프로필-4-브로모벤젠(17.6 g, 0.048 mol)의 150 ㎖의 무수 톨루엔 용액을 n-BuLi(헥산중의 1.6 M, 75 ㎖)로 -78℃에서 30 분 동안 처리하였다. 15 분 동안 교반한 후, 50 ㎖의 톨루엔중의 무수 DMF(20 ㎖)를 적가하였다. 생성된 혼합물을 실온 이하로 서서히 가온시켰다. 통상의 워크업후, 미정제 생성물을 140℃에서 진공하에서 증류시켜 2,6-디이소프로필-4-브로모벤즈알데히드(11.5 g)을 얻었다.
메톡시메틸 염화트리페닐포스포늄(18.68 g, 54.5 mmol)을 200 ㎖의 THF에 약 78℃에서 현탁시켰다. 리튬 헥사메틸디실라지드(THF중의 1.0 M, 50 ㎖)를 적가하였다. 생성된 혼합물을 0℃ 이하로 교반하면서 가온시켰다. 용액을 약 -78℃로 냉각후, 20 ㎖의 THF중의 2,6-디이소프로필-4-브로모벤즈알데히드(11.5 g, 42.7 mmol)를 적가하였다. 혼합물을 실온 이하로 서서히 가온시키고, 밤새 교반을 지속하였다. 통상의 워크업후, 미정제 생성물을 165℃에서 진공하에서 증류시켜 2,6-디이소프로필-4-브로모-β-메톡시스티렌(10 g)을 얻었다. 이 생성물을 20 ㎖의 디옥산 및 100 ㎖의 18% HCl 용액에 용해시키고, 100℃에서 6 시간 동안 환류시켰다. 통상의 워크업후, 미정제 생성물을 160℃에서 진공하에서 증류시켜 2,6-디이소프로필-4-브 로모페닐아세트알데히드(7.5 g)를 얻었다.
0℃에서 2,6-디이소프로필-4-브로모페닐아세트알데히드(7.3 g, 25.8 mmol)의 무수 DMF 용액에 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀(0.056 g, 0.26 mmol)에 이어서 NBS(4.59 g, 25.8 mmol)를 첨가하였다. 수 분 동안 교반한 후, 벤젠설폰산(8.16 g, 51.6 mmol)을 첨가하였다. 생성된 혼합물을 35℃에서 12 시간 동안 질소하에서 교반하였다. 통상의 워크업후, 미정제 생성물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 2-(2,6-디이소프로필-4-브로모페닐)프로피온알데히드(5.4 g)를 얻었다.
500 ㎖ 둥근 플라스크에 상기 중간체 2,3-디메틸-6-아미노페난트리딘(6.6 g, 30 mmol) 및 100 ㎖의 NMP를 첨가하였다. 혼합물을 80℃에서 48 시간 동안 교반하였다. 통상의 워크업후, 미정제 생성물을 실리카 겔 컬럼으로 정제하였다. 산출량은 여러 가지 실시에서 약 1 내지 2 g이다.
실시예 38
es32의 제조
Figure 112008056848610-PCT00091
하기 절차 각각의 단계는 광으로부터 보호되어야 한다. 50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디메틸-4-페닐페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(1.90 g, 4.46 mmol, 일반적인 방법 B에 이어서 스즈키 커플링에 의하여 3-(2,6-디메틸-4-브로모페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘으로부터 얻음) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.48 g, 0.99 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es32(0.60 g)를 얻었다. 1H NMR 결과로 목적 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=468, 490 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.17, 0.33).
실시예 39
es24의 제조
Figure 112008056848610-PCT00092
하기 절차 각각의 단계는 광으로부터 보호되어야 한다. 50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디이소프로필페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(2.10 g, 5.17 mmol, 일반적인 방법 B에 이어서 이러한 THF 용액을 n-BuLi로 처리하고, 물로 -78℃에서 급냉시켜 3-(2,6-디이소프로필-4-브로모페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘으로부터 얻음) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리 듐(III)(0.56 g, 1.15 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es24(0.54 g)를 얻었다. 1H NMR 결과로 목적하는 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=458, 488 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.17, 0.25).
실시예 40
es37의 제조
Figure 112008056848610-PCT00093
하기 절차 각각의 단계는 광으로부터 보호되어야 한다. 50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,6-디이소프로필-4-페닐페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(1.75 g, 3.60 mmol, 일반적인 방법 B에 이어서 스즈키 커플링에 의한 3-(2,6-디이소프로필-4-브로모페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘으로부터 얻음) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.40 g, 0.80 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es37(0.54 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적하는 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=456, 488 ㎚ (CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.17, 0.24).
실시예 41
es31의 제조
Figure 112008056848610-PCT00094
하기 절차 각각의 단계는 광으로부터 보호되어야 한다. 50 ㎖ 쉬렌크 튜브 플라스크에 3-(2,4,6-트리이소프로필페닐)-6,7-디메틸이미다조[1,2-f]페난트리딘(1.95 g, 4.35 mmol, 일반적인 방법 B로부터 출발 물질로서 2,4,6-트리이소프로필벤즈알데히드를 사용하여 얻음) 및 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III)(0.43 g, 0.96 mmol)을 넣었다. 반응 혼합물을 질소 대기하에서 교반하고, 모래 배쓰에서 240℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 냉각후, 고형화된 혼합물을 CH2Cl2에 용해시키고, 실리카 겔 컬럼으로 추가로 정제하여 es31(0.52 g)을 얻었다. 1H NMR 결과로 목적하는 화합물을 확인하였다. 발광의 λmax=460, 490 ㎚(CH2Cl2 용액, 실온에서), CIE=(0.16, 0.25).
실시예 42
es101을 포함하는 OLED 소자의 제조
발광 화합물로서 es101을 포함하는 OLED 소자는 미국 특허 출원 제11/241,981호(Lin et al.) 및 미국 특허 출원 제11/242,025호(Tung et al.)에 기재된 절차에 의하여 제조하고, 10 mA/㎠ 전류를 소자에 통과시킬 때 청색-녹색 광이 발광하였다.
실시예 43
OLED 소자
본 발명의 도펀트를 포함하는 OLED 소자는 미국 특허 출원 제11/241,981호(Lin et al.) 및 미국 특허 출원 제11/242,025호(Tung et al.)에 기재된 절차에 의하여 제조하고, 도 3 내지 도 13, 도 15 및 도 16에 기재된 데이타를 산출하였다.
본 발명을 특정한 실시예 및 바람직한 실시태양에 관하여 설명하였으나, 본 발명은 이들 실시예 및 실시태양에 한정되지 않는 것으로 이해하여야 한다. 그러므로, 특허청구된 본 발명은 당업자에게 자명한 바와 같이 본 명세서에 기재된 특정한 실시예 및 바람직한 실시태양으로부터 유래한 변형예를 포함한다.

Claims (33)

  1. 하기 세트 1로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하며, 상기 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 상기 2배위 리간드는 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있는 것인 화합물:
    세트 1:
    Figure 112008056848610-PCT00095
    상기 화학식에서,
    E1a -q는 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되며, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하고; 단 E1a 및 E1p는 상이해야 하며;
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, 여기서 R1a -i 및 R2a -c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리 를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속은 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au로 구성된 군으로부터 선택되며, 상기 2배위 리간드는 하기 세트 2로부터 선택되는 것인 화합물:
    세트 2:
    Figure 112008056848610-PCT00096
    Figure 112008056848610-PCT00097
    Figure 112008056848610-PCT00098
    Figure 112008056848610-PCT00099
    Figure 112008056848610-PCT00100
    Figure 112008056848610-PCT00101
    상기 화학식에서,
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
  3. 제2항에 있어서, 상기 2배위 리간드는 화학식 gs1-1을 갖는 것인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속은 Ir 또는 Pt이고, 상기 2배위 리간드는 세트 2로부터 선택되는 것인 화합물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 착체는 세트 2로부터 선택된 리간드의 동종리간드성 Ir 착체인 것인 화합물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속 착체는 세트 2로부터 선택된 2 개의 2배위 리간드 및 제3의 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 이종리간드성 Ir 착체인 것인 화합물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3의 모노음이온성 2배위 리간드는 아세틸아세토네이트 또는 치환된 아세틸아세토네이트인 것인 화합물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속은 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au로 구성된 군으로부터 선택되며, R1a-i 중 1 이상은 2,6-이중치환된 아릴 기인 것인 화합물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 금속은 Ir 및 Pt로 구성된 군으로부터 선택되고, 상기 리간드는 화학식 gs1-1을 가지며, R1b는 2,6-이중치환된 아릴 기인 것인 화합물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 2,6-이중치환된 아릴 기는 2,6-디메틸페닐; 2,4,6-트리메틸페닐; 2,6-디이소프로필페닐; 2,4,6-트리이소프로필페닐; 2,6-디이소프로필-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디페닐페닐; 2,6-디페닐-4-이소프로필페닐; 2,4,6-트리페닐페닐; 2,6-디이소프로필-4-(4-이소프로필페닐)페닐; 2,6-디이소프로필-4-(3,5-디메틸페닐)페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디이소프로필-4-(피리딘-4-일)페닐; 및 2,6-디-(3,5-디메틸페닐)페닐로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  11. 하기 세트 3으로부터 선택되며, acac는 아세틸아세토네이트인 것인 화합물:
    세트 3:
    Figure 112008056848610-PCT00102
    Figure 112008056848610-PCT00103
    Figure 112008056848610-PCT00104
    Figure 112008056848610-PCT00105
    Figure 112008056848610-PCT00106
    Figure 112008056848610-PCT00107
  12. 제1항 또는 제11항의 화합물 중 임의의 것을 포함하는 OLED 소자.
  13. 하기 세트 4로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하며, 상기 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 상기 2배위 리간드는 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있는 것인 화합물:
    세트 4:
    Figure 112008056848610-PCT00108
    상기 화학식에서,
    E1a -q는 각각 독립적으로 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되고, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하며; 단 E1a 및 E1p는 상이해야 하고;
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, R1a -i 및 R2a -c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
  14. 제13항에 있어서, 상기 2배위 리간드는 하기 세트 5로부터 선택되는 것인 화합물:
    세트 5:
    Figure 112008056848610-PCT00109
    Figure 112008056848610-PCT00110
    Figure 112008056848610-PCT00111
    Figure 112008056848610-PCT00112
    Figure 112008056848610-PCT00113
    상기 화학식에서,
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, 여기서 R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
  15. 제13항에 있어서, 상기 2배위 리간드는 하기 세트 6으로부터 선택되는 것인 화합물:
    세트 6:
    Figure 112008056848610-PCT00114
    상기 화학식에서,
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
  16. 제14항에 있어서, 상기 2배위 리간드는 1 이상의 2,6-이중치환된 아릴 또는 헤테로아릴 기로 치환된 것인 화합물.
  17. 제16항에 있어서, 상기 2,6-이중치환된 아릴 기는 2,6-디메틸페닐; 2,4,6-트리메틸페닐; 2,6-디이소프로필페닐; 2,4,6-트리이소프로필페닐; 2,6-디이소프로필-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-페닐페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디페닐페닐; 2,6-디페닐-4-이소프로필페닐; 2,4,6-트리페닐페닐; 2,6-디이소프로필-4-(4-이소프로필페닐)페닐; 2,6-디이소프로필-4-(3,5-디메틸페닐)페닐; 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐; 2,6-디이소프로필-4-(피리딘-4-일)페닐; 및 2,6-디-(3,5-디메틸페닐)페닐로 구성된 군으로부터 선택된 것인 화합물.
  18. 제14항에 있어서, 상기 금속은 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au로 구성된 군으로부터 선택된 것인 화합물.
  19. 제14항에 있어서, 상기 금속은 Os, Ir 및 Pt로 구성된 군으로부터 선택된 것인 화합물.
  20. 제14항에 있어서, 상기 금속은 Ir인 것인 화합물.
  21. 제14항의 화합물을 포함하는 OLED 소자.
  22. 제14항에 있어서, 상기 금속은 H로 치환되는 것인 화합물.
  23. 하기 세트 7로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하며, 상기 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 상기 2배위 리간드는 카르벤 공여체를 포함하며, 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있는 것인 화합물:
    세트 7:
    Figure 112008056848610-PCT00115
    상기 화학식에서,
    E1a -q는 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되며, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하고; 단, E1a 및 E1p는 모두 탄소이어야 하며;
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각 각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
  24. 제23항에 있어서, 상기 화합물은 하기 세트 8로부터 선택되는 것인 화합물:
    세트 8:
    Figure 112008056848610-PCT00116
    상기 화학식에서,
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
  25. 제23항의 화합물을 포함하는 OLED 소자.
  26. 하기 세트 9로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하며, 상기 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 상기 2배위 리간드는 카르벤 공여체를 포함하며, 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있는 것인 화합물:
    세트 9
    Figure 112008056848610-PCT00117
    상기 화학식에서,
    E1a -q는 C 및 N으로 구성된 군으로부터 선택되고, 총체적으로 18 π-전자계를 포함하며; 단, E1a 및 E1p는 모두 탄소이어야 하고;
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각 각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, 여기서 R1a -i 및 R2a -c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이야 한다.
  27. 제26항에 있어서, 상기 화합물은 하기 세트 10으로부터 선택되는 것인 화합물:
    세트 10
    Figure 112008056848610-PCT00118
    Figure 112008056848610-PCT00119
    상기 화학식에서,
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, 여기서 R2a-c는 각각 독립적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이며, R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있고; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
  28. 제26항의 화합물을 포함하는 OLED 소자.
  29. 하기 세트 11로부터 선택된 모노음이온성 2배위 리간드를 포함하는 인광 금속 착체를 포함하며, 상기 금속은 원자 번호가 40보다 큰 비-방사성 금속으로 구성된 군으로부터 선택되며, 상기 2배위 리간드는 기타의 리간드와 함께 결합되어 3배 위, 4배위, 5배위 또는 6배위 리간드를 포함할 수 있는 것인 화합물:
    세트 11:
    Figure 112008056848610-PCT00120
    상기 화학식에서,
    R1a-i는 각각 독립적으로 H, 히드로카르빌, 이종원자 치환된 히드로카르빌, 시아노, 플루오로, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c이고, R2a-c는 각각 독립 적으로 히드로카르빌 또는 이종원자 치환된 히드로카르빌이고, R1a-i 및 R2a-c 중 임의의 2 개는 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있으며; 단 R1a -i는 N에 결합되는 경우 H 이외의 것이어야 한다.
  30. 제29항의 화합물을 포함하는 OLED 소자.
  31. 제29항에 있어서, 상기 금속은 H로 치환되는 것인 화합물.
  32. 표 1로부터 선택된 금속 착체를 포함하는 화합물.
  33. 제32항의 화합물을 포함하는 OLED 소자.
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