CN113943306A - 供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件 - Google Patents

供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件 Download PDF

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T·沙福尔
H·沃勒布
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C·伦纳茨
G·瓦根布拉斯特
渡边宗一
F·L·贝内蒂托
H·赫金格
O·杜森巴克
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Abstract

本发明涉及供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件。本发明涉及式(I)的化合物,其特征在于其经苯并咪唑并[1,2‑a]苯并咪唑‑5‑基和/或苯并咪唑并[1,2‑a]苯并咪唑‑2,5‑叉基取代,且在于取代基B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7及B8中的至少一个代表N;其产生方法及其在电子器件、尤其电致发光器件中的用途。当在电致发光器件中用作磷光发射体的主体材料时,式I的化合物可改进电致发光器件的效率、稳定性、可制造性或光谱特性。

Description

供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子 器件
本申请为申请日为2017年8月9日提交的、申请号为201710678256.1、发明名称为“供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件”的第一分案申请的第二分案申请。母案为为申请日2013年09月18日,申请号201380048768.X,名称为“供电子应用的氮杂二苯并呋喃”的发明申请。
技术领域
本发明涉及式I的化合物、其产生方法及其在电子器件、尤其电致发光器件中的用途。当在电致发光器件中用作空穴传输材料时,式I的化合物可改进电致发光器件的效率、稳定性、可制造性或光谱特性。
背景技术
Khan,Misbahul Ain;Ribeiro,Vera Lucia Teixeira,Pakistan Journal ofScientific and Industrial Research 43(2000)168-170阐述苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑
Figure BDA0003316287800000011
(R=H、Me、Et)通过亚磷酸三烷基酯诱导的1-(邻-硝基苯基)-及1-(邻-叠氮基苯基)苯并咪唑的脱氧及热分解的合成。
Pedro Molina等人,Tetrahedron(1994)10029-10036报导,衍生自双(2-氨基苯基)胺的双(亚氨基正膦)与两当量异氰酸酯的氮杂威蒂格型反应(aza Wittig-typereaction)直接提供苯并咪唑并[1,2,a]苯并咪唑衍生物。
Figure BDA0003316287800000012
Figure BDA0003316287800000021
Figure BDA0003316287800000022
R=异丙基,且R’=乙基)
Kolesnikova,I.V.;Zhurnal Organicheskoi Khimii 25(1989)1689-95阐述5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑1,2,3,4,7,8,9,10-八氟-5-(2,3,4,5,6-五氟苯基)的合成。
Figure BDA0003316287800000023
Achour,Reddouane;Zniber,Rachid,Bulletin des Societes Chimiques Belges96(1987)787-92阐述苯并咪唑并苯并咪唑
Figure BDA0003316287800000024
(R=H、-CH(CH3)2)的合成,其自苯并咪唑啉酮衍生物制得。
Hubert,Andre J.;Reimlinger,Hans,Chemische Berichte 103(1970)2828-35阐述苯并咪唑并苯并咪唑
Figure BDA0003316287800000025
(R=H、CH3
Figure BDA0003316287800000026
)的合成。
WO2011160757涉及包含阳极、阴极及至少一个有机层的电子器件,该有机层含有式
Figure BDA0003316287800000027
Figure BDA0003316287800000028
的化合物,其中X可为单键,且L可为二价基团。明确公开以下4H-咪唑并[1,2-a]咪唑化合物:
Figure BDA0003316287800000031
X.Wang等人,Org.Lett.14(2012)452-455公开式
Figure BDA0003316287800000032
的化合物的高效铜催化合成,其中使式
Figure BDA0003316287800000033
的化合物在乙酸铜(Cu(OAc)2)/PPh3/1,10-啡啉/乙酸钠及氧存在下在间二甲苯(1atm)中在升高的温度下反应[在网上公开:2011年12月29日]。以下化合物尤其可通过所阐述合成方法来制备:
Figure BDA0003316287800000041
WO2012/130709涉及4H-咪唑并[1,2-a]咪唑、
(例如
Figure BDA0003316287800000042
),其产生制程及其在电子器件、尤其电致发光器件中的用途。
WO2013/068376阐述式
Figure BDA0003316287800000043
的4H-咪唑并[1,2-a]咪唑,其中X6为-N=,且X7为-NR6-,或X7为=N-且X6为-NR6-,R6为式
Figure BDA0003316287800000044
Figure BDA0003316287800000045
(例如
Figure BDA0003316287800000046
)的基团;其产生制程及其在电子器件、尤其电致发光器件中的用途。
PCT/EP2013/064395涉及式
Figure BDA0003316287800000051
的化合物、其产生制程法及其在电子器件、尤其电致发光器件中的用途。2,5-二取代的苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物为适宜空穴传输材料或磷光发射体的主体材料。
US20090134784提供含咔唑化合物。该化合物尤其为具有不对称结构的含低聚咔唑化合物。该化合物可经氮杂二苯并呋喃基取代且可在有机发光器件的发射层中用作主体。
WO2010028262涉及白色磷光有机发光器件。以下化合物
Figure BDA0003316287800000052
用作主体及激子阻断材料。
US20100187984公开制备氮杂-二苯并噻吩化合物或氮杂-二苯并呋喃化合物的制程,其包含:
利用tBuONO处理具有式
Figure BDA0003316287800000053
(其中X1及X2中的一个为氮,且X1及X2中的另一个为碳,且其中Y为S或O)的氨基-芳基硫吡啶中间体的乙酸溶液,从而产生具有式
Figure BDA0003316287800000054
的氮杂配合物,其中R1及R2可代表单取代、二取代、三取代或四取代;其中R1选自氢、烷基、芳基、杂芳基及卤化物;且其中R2选自由氢、烷基、芳基及卤化物。US20100187984中所公开的氮杂-二苯并噻吩及氮杂-二苯并呋喃化合物在OLED中用作主体。
另外,对于氮杂-二苯并呋喃基取代的化合物及其在OLED中的用途,参考WO2012090967、WO2011137072、WO2010090077、WO2009060780、WO2009060757、JP2011084531及JP2008074939。
上述参考文献无一公开苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基取代的氮杂-二苯并呋喃化合物。
虽然已进行研发,但业内仍需要包含新颖空穴传输材料以改进电致发光器件的效率、稳定性、可制造性和/或光谱特性的有机发光器件。
发明内容
因此,就上述先前技术而言,本发明的目的为提供适用于OLED及有机电子中的其他应用中的其他材料。更尤其地,应可提供用于OLED中的空穴传输材料、电子/激子阻断剂材料及基质材料。该材料应尤其适于包含至少一个磷光发射体、尤其至少一个绿色发射体或至少一个蓝色发射体的OLED。另外,该材料应适于提供确保OLED的优良效率、优良操作寿命及对热应力的高稳定性以及低使用及操作电压的OLED。
发现某些经苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基和/或苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基取代的氮杂-二苯并呋喃衍生物适用于有机电致发光器件中。该衍生物尤其为适宜空穴传输材料或用于具有优良效率及耐久性的磷光发射体的主体材料。
该目的已通过式
Figure BDA0003316287800000061
的化合物解决,其中
B1为N或CR81
B2为N或CR82
B3为N或CR83
B4为N或CR84
B5为N或CR85
B6为N或CR86
B7为N或CR87
B8为N或CR88
R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此独立地为H、可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基,可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团,
o为0或1,p为0或1,q为0或1,r为0或1,
A1、A2、A3及A4彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24叉芳基或可任选地经G取代的C2-C30叉杂芳基;
R16为-NR10R11或-Si(R12)(R13)(R14)、可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
R10及R11彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
R12、R13及R14彼此独立地为可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-,
E为-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或F,
G为E,或C1-C18烷基、C6-C24芳基、经F、C1-C18烷基或间杂有O的C1-C18烷基取代的C6-C24芳基;C2-C30杂芳基,或经F、C1-C18烷基或间杂有O的C1-C18烷基取代的C2-C30杂芳基;
R63及R64彼此独立地为H;C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基;
R65及R66彼此独立地为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基;或
R65与R66一起形成五员或六员环,
R67为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R68为H;C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R69为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R70及R71彼此独立地为C1-C18烷基、C6-C18芳基或经C1-C18烷基取代的C6-C18芳基,且
R72为C1-C18烷基、C6-C18芳基或经C1-C18烷基取代的C6-C18芳基,限制条件为
取代基B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7及B8中的至少一个代表N;
基团B1、B2、B3及B4中不超过两个代表N;且
基团B5、B6、B7及B8中不超过两个代表N;且
另一限制条件为取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中的至少一个代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团,其中R16代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基,其可任选地经G取代;和/或基团A1、A2、A3及A4中的至少一个代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基,其可任选地经G取代。
本发明的某些化合物的LUMO值为2.0-2.5eV,且尤其地,在用作与磷光发射体组合的主体时显示最优选功率效率。包含本发明化合物的电致发光(EL)器件展现降低的驱动电压同时维持最优选亮度性质。
本发明化合物可用于电子照像光感受器、光电转换器、有机太阳能电池(有机光伏打)、开关组件(例如,有机晶体管,例如,有机FET及有机TFT)、有机发光场效晶体管(OLEFET)、影像传感器、染料激光及电致发光器件,例如,有机发光二极管(OLED)。
因此,本发明的另一标的涉及包含本发明化合物的电子器件。该电子器件优选地为电致发光器件。
式I的化合物原则上可用于EL器件的任何层中,但其优选地用作主体、空穴传输及电子阻断材料。尤其地,式I的化合物用作蓝色发光磷光发射体的主体材料。
因此,本发明的另一标的涉及包含本发明式I的化合物的空穴传输层。
本发明的另一标的涉及包含本发明式I的化合物的发射层。在该实施方案中,式I的化合物优选地用作与磷光发射体组合的主体材料。
式I的化合物的分子量优选地低于1500g/mol。
本发明的另一标的涉及包含本发明式I的化合物的电子阻断层。
D优选地为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-,其中R65为C1-C18烷基,例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基,或C6-C14芳基,例如苯基、甲苯基、萘基或联苯基,或C2-C30杂芳基,例如,苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基
Figure BDA0003316287800000091
苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基
Figure BDA0003316287800000092
咔唑基、二苯并呋喃基,其可未经取代或尤其经C6-C10芳基或经C1-C4烷基取代的C6-C10芳基取代;或C2-C14杂芳基。
E优选地为-OR69;-SR69;-NR65R65;-COR68;-COOR67;-CONR65R65;或-CN;其中R65、R67、R68及R69彼此独立地为C1-C18烷基,例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基,或C6-C14芳基,例如苯基、甲苯基、萘基或联苯基。
在式(I)的化合物中,式
Figure BDA0003316287800000093
Figure BDA0003316287800000101
Figure BDA0003316287800000102
的化合物优选,其中R81、R82、R83、R85、R86及R87分别具有上下文所给出的(优选)含义。
在优选实施方案中,本发明涉及下式的化合物:
Figure BDA0003316287800000103
Figure BDA0003316287800000111
Figure BDA0003316287800000112
Figure BDA0003316287800000113
其中R81、R82、R83、R85、R86及R87如上文所定义。
式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)及(In)的化合物优选。式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ij)及(In)的化合物尤其优选。
R16’(R16)可为可任选地经G取代的C6-C24芳基或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基。
可任选地经G取代的C6-C24芳基通常为苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基(尤其1-萘基或2-萘基)、联苯基、联三苯基、芘基、2-或9-茀基、菲基或蒽基,其可未经取代或经取代。
可任选地经G取代的C2-C30杂芳基R16’(R16)代表具有五至七个环原子的环或稠合环体系(其中氮、氧或硫为可能的杂原子),且通常为具有至少六个共轭π-电子的具有5至30个原子的杂环状基团,例如9H-吡啶并[2,3-b]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基、9H-吡啶并[2,3-c]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基、呋喃并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、吡咯并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、噻吩并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、噻吩基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、噻嗯基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、嗒嗪基、吲嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、呔嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、喋啶基、咔啉基、苯并三唑基、苯并
Figure BDA0003316287800000125
唑基、啡啶基、吖啶基、嘧啶基、啡啉基、啡嗪基、异噻唑基、啡噻嗪基、异
Figure BDA0003316287800000126
唑基、呋呫基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基,苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基或啡
Figure BDA0003316287800000123
嗪基,其可未经取代或经取代。
C6-C24芳基及C2-C30杂芳基可经G取代。
G具有与E相同的优先性,或为C1-C18烷基,例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基、或2-乙基-己基,或为C1-C18全氟烷基,例如,-CF3
优选C2-C30杂芳基为吡啶基、三嗪基、嘧啶基、尤其9H-吡啶并[2,3-b]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基、9H-吡啶并[2,3-c]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基、呋喃并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、吡咯并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、噻吩并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基
Figure BDA0003316287800000121
苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基
Figure BDA0003316287800000122
咔唑基、二苯并呋喃基及二苯并苯硫基,其可未经取代或尤其经C6-C10芳基或经C1-C4烷基取代的C6-C10芳基取代;或C2-C14杂芳基。
R16为式
Figure BDA0003316287800000131
的基团,或若基团A1、A2、A3及A4中的至少一个代表式
Figure BDA0003316287800000132
的基团,则R16具有R16’的含义。
R16’优选地为H或下式的基团:-Si(R12)(R13)(R14),尤其
Figure BDA0003316287800000133
Figure BDA0003316287800000134
尤其
Figure BDA0003316287800000135
尤其
Figure BDA0003316287800000136
尤其特别
Figure BDA0003316287800000137
尤其
Figure BDA0003316287800000138
尤其
Figure BDA0003316287800000139
尤其
Figure BDA00033162878000001310
R12、R13及R14彼此独立地为苯基,其可任选地经一个或多个C1-C18烷基取代;
R21及R21’彼此独立地为H、苯基或C1-C18烷基;
R22及R23彼此独立地为H或下式的基团:
Figure BDA0003316287800000141
Figure BDA0003316287800000142
尤其
Figure BDA0003316287800000143
X为O、S或NR24
R24为C6-C24芳基或C2-C30杂芳基,其可任选地经G取代,其中G如上文所定义;且
R89为H、下式的基团:
Figure BDA0003316287800000144
尤其
Figure BDA0003316287800000145
Figure BDA0003316287800000146
尤其
Figure BDA0003316287800000147
Figure BDA0003316287800000148
尤其
Figure BDA0003316287800000149
Figure BDA00033162878000001410
尤其
Figure BDA00033162878000001411
Figure BDA00033162878000001412
A1、A2、A3及A4彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24叉芳基,或可任选地经G取代的C2-C30叉杂芳基。可任选地经G取代的C6-C24叉芳基A1、A2、A3及A4通常为叉苯基、4-甲基叉苯基、4-甲氧基叉苯基、叉萘基(尤其1-叉萘基或2-叉萘基)、叉联苯基、叉联三苯基、叉芘基、2-或9-叉茀基、叉菲基或叉蒽基,其可未经取代或经取代。
可任选地经G取代的C2-C30叉杂芳基A1、A2、A3及A4代表具有五至七个环原子的环或稠合环体系(其中氮、氧或硫为可能的杂原子),且通常为具有至少六个共轭电子的具有5至30个原子的杂环状基团,例如叉苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基
Figure BDA0003316287800000151
叉苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基
Figure BDA0003316287800000152
叉吡啶并[2,3-b]吲哚基
Figure BDA0003316287800000153
叉苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基
Figure BDA0003316287800000154
叉苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基
Figure BDA0003316287800000155
叉吡啶并[2,3-c]吲哚基
Figure BDA0003316287800000156
叉呋喃并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基
Figure BDA0003316287800000157
叉噻吩并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基
Figure BDA0003316287800000158
叉吡咯并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基
Figure BDA0003316287800000159
叉噻吩基、叉苯并苯硫基、叉噻嗯基、叉呋喃基、叉糠基、2H-叉吡喃基、叉苯并呋喃基、叉异苯并呋喃基,叉二苯并呋喃基
Figure BDA0003316287800000161
叉二苯并苯硫基
Figure BDA0003316287800000162
叉苯氧基噻吩基、叉吡咯基、叉咪唑基、叉吡唑基、叉吡啶基、叉联吡啶基、叉三嗪基、叉嘧啶基、叉吡嗪基、叉嗒嗪基、叉吲嗪基、叉异吲哚基、叉吲哚基、叉吲唑基、叉嘌呤基、叉喹嗪基、叉喹啉基、叉异喹啉基、叉呔嗪基、叉萘啶基、叉喹喔啉基、叉喹唑啉基、叉噌啉基、叉喋啶基、叉咔啉基、叉苯并三唑基、叉苯并
Figure BDA0003316287800000168
唑基、叉啡啶基、叉吖啶基、叉嘧啶基、叉啡啉基、叉啡嗪基、叉异噻唑基、叉啡噻嗪基、叉异
Figure BDA0003316287800000163
唑基、叉呋呫基、叉咔唑基
Figure BDA0003316287800000164
Figure BDA0003316287800000165
苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基
Figure BDA0003316287800000166
或叉啡
Figure BDA0003316287800000167
嗪基,其可未经取代或经取代。
优选C6-C24叉芳基为1,3-叉苯基、3,3’-叉联苯基、3,3’-间叉联三苯基、2-或9-叉茀基、叉菲基,其可未经取代或尤其经C6-C10芳基、经C1-C4烷基取代的C6-C10芳基取代;或C2-C14杂芳基。
优选C2-C30叉杂芳基为叉吡啶基、叉三嗪基、叉嘧啶基、尤其叉苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基、叉苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基、叉吡啶并[2,3-b]吲哚基、叉苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基、叉苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基、叉吡啶并[2,3-c]吲哚基、叉呋喃并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基、叉噻吩并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基、叉吡咯并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基、叉二苯并呋喃基、叉二苯并苯硫基、叉咔唑基及苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基,其可未经取代或尤其经C6-C10芳基、经C1-C4烷基取代的C6-C10芳基取代;或C2-C14杂芳基。
苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基及二苯并呋喃基为C2-C14杂芳基的实例。苯基、1-萘基及2-萘基为C6-C10芳基的实例。
C6-C24叉芳基及C2-C30叉杂芳基可经G取代。
A1、A2、A3及A4优选地为下式的基团:
Figure BDA0003316287800000171
Figure BDA0003316287800000172
其中R89及X如下文所定义。X优选地为O。
本发明的氮杂-二苯并呋喃衍生物的特征在于其经至少一个苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基和/或至少一个苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基取代。
尤其地,本发明的氮杂-二苯并呋喃衍生物的特征在于,取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中的至少一个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团,其中R16为式
Figure BDA0003316287800000173
的基团;和/或取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中的至少一个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团,其中基团A1、A2、A3及A4中的至少一个代表式
Figure BDA0003316287800000174
的基团。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Il)、(Im)、(In)及(Io)的化合物,其中
在式(Ia)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ib)的化合物中,
R82为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R82为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ic)的化合物中,
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Id)的化合物中,
R81为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R81为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ie)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(If)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ig)的化合物中,
R82为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R82为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ih)的化合物中,
R81为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R81为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ii)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ij)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Ik)的化合物中,
R81为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R81为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Il)的化合物中,
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(Im)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R85为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R85为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
在式(In)的化合物中,
R83为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R87为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R83为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R87为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团。
o为0或1,p为0或1,q为0或1,r为0或1;
在式(Io)的化合物中,
R82为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;且
R86为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;或
R82为H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团;且
R86为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团;
A1、A2、A3及A4彼此独立地为下式的基团:
Figure BDA0003316287800000201
R16为式
Figure BDA0003316287800000202
的基团,或若基团A1、A2、A3及A4中的至少一个代表式
Figure BDA0003316287800000211
的基团,则R16具有R16’的含义;
R16’为H或下式的基团:-Si(R12)(R13)(R14)、
Figure BDA0003316287800000212
Figure BDA0003316287800000213
尤其
Figure BDA0003316287800000214
Figure BDA0003316287800000215
尤其
Figure BDA0003316287800000216
尤其特别
Figure BDA0003316287800000217
尤其
Figure BDA0003316287800000218
Figure BDA0003316287800000219
尤其
Figure BDA00033162878000002110
Figure BDA00033162878000002111
尤其
Figure BDA00033162878000002112
R12、R13及R14彼此独立地为苯基,其可任选地经一个或多个烷基、尤其C1-C18烷基取代;
R21及R21’彼此独立地为H、苯基或C1-C18烷基;
R22及R23彼此独立地为H或下式的基团:
Figure BDA00033162878000002113
Figure BDA0003316287800000221
尤其
Figure BDA0003316287800000222
X为O、S或NR24
R24为C6-C24芳基或C2-C30杂芳基,其可任选地经G取代,其中G如上文所定义;且
R89为H、下式的基团:
Figure BDA0003316287800000223
尤其
Figure BDA0003316287800000224
尤其
Figure BDA0003316287800000225
Figure BDA0003316287800000226
尤其
Figure BDA0003316287800000227
Figure BDA0003316287800000228
尤其
Figure BDA0003316287800000229
Figure BDA00033162878000002210
更优选地,A1、A2、A3及A4彼此独立地为下式的基团:
Figure BDA0003316287800000231
R16为式
Figure BDA0003316287800000232
的基团;或若基团A1、A2、A3及A4中的至少一个代表式
Figure BDA0003316287800000233
的基团,则R16具有R16’的含义;
R16’为H或下式的基团:
Figure BDA0003316287800000234
Figure BDA0003316287800000241
Figure BDA0003316287800000242
且R89为H、下式的基团:
Figure BDA0003316287800000243
Figure BDA0003316287800000244
其中X为O、S或NR24,其中R24
Figure BDA0003316287800000245
R24优选地为
Figure BDA0003316287800000246
X优选地为O。
式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团优选地为下式的基团:
Figure BDA0003316287800000251
Figure BDA0003316287800000261
Figure BDA0003316287800000271
Figure BDA0003316287800000281
式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’的基团优选地为H或下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义;或下式的基团:
Figure BDA0003316287800000282
Figure BDA0003316287800000291
Figure BDA0003316287800000301
Figure BDA0003316287800000311
Figure BDA0003316287800000321
在优选实施方案中,本发明涉及式(Ia)化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ia)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(Ia)的实施方案化合物中,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ia)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Ib)的化合物,其中R82为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ib)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R82为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(Ib)的实施方案化合物中,其中R82为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ib)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R82为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Ic)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ic)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义;且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在该(Ic)的实施方案式化合物中,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ic)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Id)的化合物,其中R81为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义;或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Id)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义;且
R81为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(Id)的实施方案化合物中,其中R81为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Id)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R81为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Ie)的化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ie)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(Ie)的实施方案化合物中,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或式(Ie)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(If)的化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(If)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(If)的实施方案化合物中,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(If)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Ij)的化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ij)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(Ij)的实施方案化合物中,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Ij)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
在优选实施方案中,本发明涉及式(Il)的化合物,其中R85为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(Il)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R85为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在优选实施方案中,本发明涉及式(In)的化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(In)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义。
在式(In)的实施方案化合物中,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
式(In)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;为更优选的。
优选化合物的实例为显示于权利要求9中的化合物A-1至A-65、B-1至B-8、C-1至C-65、D-1至D-8、E-1至E-65、F-1至F-65及G-1。
在尤其优选实施方案中,本发明涉及
式(Ia)的化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
涉及式(Ia)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;例如,化合物(A-4)。
在另一尤其优选实施方案中,本发明涉及
式(Ie)的化合物,其中R83为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R87为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;或
涉及式(Ie)的化合物,其中R87为下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,且
R83为H、下式的基团:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定义,或下式的基团:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定义;例如,化合物
Figure BDA0003316287800000511
如(E-57)等化合物可有利地用作主体和/或空穴传输材料。
Figure BDA0003316287800000512
等化合物尤其适宜作为电子传输材料。
卤素为氟、氯、溴及碘。
若可能,C1-C25烷基(C1-C18烷基)通常为直链或具支链烷基。实例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基及2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。C1-C8烷基通常为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基-丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基及2-乙基己基。C1-C4烷基通常为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。
C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)为直链或具支链烷氧基,例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲胺氧基、叔胺氧基、戊氧基、异戊氧基或第三戊氧基、庚氧基、辛氧基、异辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基及十八烷氧基。C1-C8烷氧基的实例为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲胺氧基、异丁氧基、叔胺氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基及2-乙基己氧基,优选地为C1-C4烷氧基,例如通常为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲胺氧基、异丁氧基、叔胺氧基。
C1-C18全氟烷基、尤其C1-C4全氟烷基为具支链或无支链基团,例如-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3及-C(CF3)3
术语“环烷基”通常为C4-C18环烷基,尤其C5-C12环烷基,例如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十一烷基、环十二烷基,优选地为可未经取代或经取代的环戊基、环己基、环庚基或环辛基。
可任选地经取代的C6-C24芳基(C6-C18芳基)通常为苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基(尤其1-萘基或2-萘基)、联苯基、联三苯基、芘基、2-或9-茀基、菲基或蒽基,其可未经取代或经取代。苯基、1-萘基及2-萘基为C6-C10芳基的实例。
C2-C30杂芳基代表具有五至七个环原子的环或稠合环体系(其中氮、氧或硫为可能的杂原子),且通常为具有至少六个共轭π-电子的具5至30个原子的杂环状基团,例如噻吩基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、噻嗯基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、嗒嗪基、吲嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、呔嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、喋啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并
Figure BDA0003316287800000531
唑基、啡啶基、吖啶基、嘧啶基、啡啉基、啡嗪基、异噻唑基、啡噻嗪基、异
Figure BDA0003316287800000532
唑基、呋呫基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、咔唑基或啡
Figure BDA0003316287800000533
嗪基,其可未经取代或经取代。苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基及二苯并呋喃基为C2-C14杂芳基的实例。
可任选地经G取代的C6-C24叉芳基通常为叉苯基、4-甲基叉苯基、4-甲氧基叉苯基、叉萘基(尤其1-叉萘基或2-叉萘基)、叉联苯基、叉联三苯基、叉芘基、2-或9-叉茀基、叉菲基或叉蒽基,其可未经取代或经取代。优选的C6-C24叉芳基为1,3-叉苯基、3,3’-叉联苯基、3,3’-间叉联三苯基、2-或9-叉茀基、叉菲基,其可未经取代或经取代。
可任选地经G取代的C2-C30叉杂芳基代表具有五至七个环原子的环或稠合环体系(其中氮、氧或硫为可能的杂原子),且通常为具有至少六个共轭-电子的具有5至30个原子的杂环状基团,例如叉噻吩基、叉苯并苯硫基、叉二苯并苯硫基、叉噻嗯基、叉呋喃基、叉糠基、2H-叉吡喃基、叉苯并呋喃基、叉异苯并呋喃基、叉二苯并呋喃基、叉苯氧基噻吩基、叉吡咯基、叉咪唑基、叉吡唑基、叉吡啶基、叉联吡啶基、叉三嗪基、叉嘧啶基、叉吡嗪基、叉嗒嗪基、叉吲嗪基、叉异吲哚基、叉吲哚基、叉吲唑基、叉嘌呤基、叉喹嗪基、叉喹啉基、叉异喹啉基、叉呔嗪基、叉萘啶基、叉喹喔啉基、叉喹唑啉基、叉噌啉基、叉喋啶基、叉咔啉基、叉苯并三唑基、叉苯并
Figure BDA0003316287800000536
唑基、叉啡啶基、叉吖啶基、叉嘧啶基、叉啡啉基、叉啡嗪基、叉异噻唑基、叉啡噻嗪基、叉异
Figure BDA0003316287800000534
唑基、叉呋呫基、叉咔唑基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基或叉啡
Figure BDA0003316287800000535
嗪基,其可未经取代或经取代。优选C2-C30叉杂芳基为叉吡啶基、叉三嗪基、叉嘧啶基、叉咔唑基、叉二苯并呋喃基及苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基
Figure BDA0003316287800000541
其可未经取代或尤其经C6-C10芳基、经C1-C4烷基取代的C6-C10芳基取代;或C2-C14杂芳基。
上述基团的可能取代基为C1-C8烷基、羟基、巯基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、卤素、卤-C1-C8烷基或氰基。
C6-C24芳基(C6-C18芳基)及C2-C30杂芳基优选地经一个或多个C1-C8烷基取代。
若取代基在基团中出现一次以上,则其在每次出现时皆可不同。
措辞“经G取代”意指可能存在一个或多个、尤其1至3个取代基G。
如上所述,上述基团可经E取代和/或若需要可间杂有D。当然,仅在含有至少2个由单键彼此连接的碳原子的基团情形下可能间杂;C6-C18芳基未被间杂;经间杂芳基烷基在烷基部分中含有单元D。经一个或多个E取代和/或间杂有一个或多个单元D的C1-C18烷基为(例如)(CH2CH2O)1-9-Rx,其中Rx为H或C1-C10烷基或C2-C10烷酰基(例如CO-CH(C2H5)C4H9)、CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry,其中Ry为C1-C18烷基、C5-C12环烷基、苯基、C7-C15苯基烷基,且Ry'涵盖与Ry相同的定义或为H;
C1-C8亚烷基-COO-Rz,例如CH2COORz、CH(CH3)COORz、C(CH3)2COORz,其中Rz为H、C1-C18烷基、(CH2CH2O)1-9-Rx,且Rx涵盖上文所指示的定义;
CH2CH2-O-CO-CH=CH2;CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)=CH2
Figure BDA0003316287800000542
的合成阐述于(例如)Achour,Reddouane;Zniber,Rachid,Bulletin des Societes Chimiques Belges 96(1987)787-92中。
Figure BDA0003316287800000551
Figure BDA0003316287800000552
的适宜基础骨架可自市面购得(尤其在X为S、O、NH的情形下),或可通过本领域熟练技术人员已知的制程获得。参考WO2010079051及EP1885818。
可通过本领域熟练技术人员已知的方法实施卤化。优选者为在式(II)的基础骨架的3位及6位(二溴化)或3位或6位(单溴化)、2位、8位(二苯并呋喃及二苯并噻吩)或3位、6位(咔唑)进行溴化或碘化。
任选地经取代的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可利用存于冰乙酸或氯仿中的溴或NBS在2位、8位(二苯并呋喃及二苯并噻吩)或3位、6位(咔唑)二溴化。例如,可在冰乙酸或氯仿中在低温(例如0℃)下利用Br2实现溴化。适宜制程阐述于(例如)M.Park,J.R.Buck,C.J.Rizzo,Tetrahedron,54(1998)12707-12714中(对于X=NPh)及W.Yang等人,J.Mater.Chem.13(2003)1351中(对于X=S)。另外,3,6-二溴咔唑、3,6-二溴-9-苯基咔唑、2,8-二溴二苯并噻吩、2,8-二溴二苯并呋喃、2-溴咔唑、3-溴二苯并噻吩、3-溴二苯并呋喃、3-溴咔唑、2-溴二苯并噻吩及2-溴二苯并呋喃可自市面购得。
二苯并呋喃4位的单溴化(且对于二苯并噻吩类似)阐述于(例如)J.Am.Chem.Soc.1984,106,7150中。可通过本领域熟练技术人员已知的顺序(包含硝化、还原及后续山德迈耳反应(Sandmeyer reaction))来在3位单溴化二苯并呋喃(二苯并噻吩)。
二苯并呋喃或二苯并噻吩2位的单溴化及咔唑3位的单溴化以类似于二溴化的方式来实现,只是仅添加一当量溴或NBS。
另一选择为,亦可利用碘化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑。制备尤其阐述于以下文献中:Tetrahedron.Lett.47(2006)6957-6960、Eur.J.Inorg.Chem.24(2005)4976-4984、J.Heterocyclic Chem.39(2002)933-941、J.Am.Chem.Soc.124(2002)11900-11907、J.Heterocyclic Chem,38(2001)77-87。
对于亲和取代而言,需要Cl-或F-取代的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑。氯化尤其阐述于以下文献中:J.Heterocyclic Chemistry,34(1997)891-900、Org.Lett.,6(2004)3501-3504;J.Chem.Soc.[Section]C:Organic,16(1971)2775-7、Tetrahedron Lett.25(1984)5363-6、J.Org.Chem.69(2004)8177-8182。氟化阐述于J.Org.Chem.63(1998)878-880及J.Chem.Soc.,Perkin Trans 2,5(2002)953-957中。
基团
Figure BDA0003316287800000561
的引入在碱存在下实施。适宜碱已为本领域熟练技术人员已知且优选地选自:碱金属及碱土金属氢氧化物(例如NaOH、KOH、Ca(OH)2)、碱金属氢化物(例如NaH、KH)、碱金属酰胺(例如NaNH2)、碱金属或碱土金属碳酸盐(例如K2CO3或Cs2CO3)及碱金属醇盐(例如NaOMe、NaOEt)。另外,上述碱的混合物亦适宜。尤其优选者为NaOH、KOH、NaH或K2CO3
可通过(例如)将
Figure BDA0003316287800000562
铜催化偶合成式
Figure BDA0003316287800000563
的卤化化合物(乌耳曼反应(Ullmann reaction))实现杂芳基化。
N-芳基化公开于例如以下文献中:H.Gilman及D.A.Shirley,J.Am.Chem.Soc.66(1944)888;D.Li等人,Dyes and Pigments 49(2001)181-186及Eur.J.Org.Chem.(2007)2147-2151。该反应可在溶剂或熔化物中实施。适宜溶剂为(例如)(极性)非质子性溶剂,例如二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、NMP、十三烷或醇。
9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)咔唑
Figure BDA0003316287800000571
的合成阐述于WO2010079051中。2-溴-8-碘-二苯并呋喃
Figure BDA0003316287800000572
的合成阐述于EP1885818中。
Figure BDA0003316287800000573
的化合物的可能合成路径显示于以下反应图中:
Figure BDA0003316287800000574
参考Angew.Chem.Int.Ed.46(2007)1627-1629及Synthesis 20(2009)3493。
含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可易于通过增加数量的路径来制备。合成路径的概述于(例如)Angew.Chem.Int.Ed.48(2009)9240–9261中给出。
通过一个常见路径,含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可通过使卤化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑与(Y1O)2B-B(OY1)2
Figure BDA0003316287800000581
在催化剂(例如[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)、配合物(Pd(Cl)2(dppf)))及碱(例如,乙酸钾)存在下在如二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二
Figure BDA0003316287800000585
烷和/或甲苯等溶剂中反应获得(参见Prasad Appukkuttan等人,Synlett 8(2003)1204),其中Y1在每次出现时独立地为C1-C18烷基,且Y2在每次出现时独立地为C2-C10亚烷基,例如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-,其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11及Y12彼此独立地为氢或C1-C18烷基,尤其为-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-,且Y13及Y14彼此独立地为氢或C1-C18烷基。
含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑亦可通过以下来制备:使卤化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑与烷基锂试剂(例如,正丁基锂或叔丁基锂)反应,随后与硼酸酯(例如,B(异丙氧基)3、B(甲氧基)3
Figure BDA0003316287800000582
)反应(参见Synthesis(2000)442-446)。
含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑亦可通过使二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑与酰胺锂(例如二异丙基酰胺锂(LDA))反应随后与硼酸酯(例如,B(异丙氧基)3、B(甲氧基)3
Figure BDA0003316287800000583
)反应来制备(J.Org.Chem.73(2008)2176-2181)。
含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑(例如,
Figure BDA0003316287800000584
)可在溶剂中及催化剂存在下与等摩尔量的卤化二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑及4H-咪唑并[1,2-a]咪唑(例如,
Figure BDA0003316287800000591
)反应。该催化剂可为μ-卤(三异丙基膦)(η3-烯丙基)钯(II)型催化剂之一(例如参见WO99/47474)。
优选地,在有机溶剂(例如芳烃)或通用极性有机溶剂(例如苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃或二
Figure BDA0003316287800000595
烷或其混合物、最佳甲苯)存在下实施Suzuki反应。通常,选择每mol硼酸衍生物1L至10L范围内的溶剂量。亦优选地,在惰性气氛(例如氮或氩)下实施该反应。另外,优选地在碱水溶液(例如碱金属氢氧化物或碳酸盐(例如NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3及如此类))存在下实施该反应,优选地选择水K2CO3溶液。通常,选择0.5:1至50:1的范围内、尤其特别1:1的碱对硼酸或硼酸酯衍生物的摩尔比。通常,选择40℃至180℃范围内的反应温度,优选地在回流条件下进行。优选地,选择1小时至80小时、更优选地20小时至72小时范围内的反应时间。在优选实施方案中,使用偶合反应或缩聚反应的通用催化剂,优选地阐述于WO2007/101820中的基于Pd者。钯化合物基于欲封闭键的数目以1:10000至1:50、优选地1:5000至1:200的比率添加。优选者为(例如)使用钯(II)盐(例如PdAc2或Pd2dba3)及添加选自如下的配体:
Figure BDA0003316287800000592
Figure BDA0003316287800000593
其中
Figure BDA0003316287800000594
该配体基于Pd以1:1至1:10的比率添加。亦优选地,以溶液或悬浮液形式添加催化剂。优选地,使用适当的有机溶剂,例如上文所阐述者,优选地苯、甲苯、二甲苯、THF、二
Figure BDA0003316287800000602
烷、更优选地甲苯或其混合物。通常,选择每mol硼酸衍生物1L至10L范围内的溶剂量。有机碱(例如,氢氧化四烷基铵)及相转移催化剂(例如,TBAB)可提升硼的活性(例如,参见Leadbeater &Marco;Angew.Chem.Int.Ed.Eng.42(2003)1407及其中所引用的参考文献)。反应条件的其他变化由T.I.Wallow及B.M.Novak在J.Org.Chem.59(1994)5034-5037中及M.Remmers、M.Schulze、G.Wegner在Macromol.Rapid Commun.17(1996)239-252中及G.A.Molander undB.Canturk,Angew.Chem.,121(2009)9404-9425中给出。
氮杂-及二氮杂-二苯并呋喃起始材料的合成在文献中已知或可以与已知程序类似的方式实现。
JP2011084531阐述(例如)苯并呋喃并[3,2-b]吡啶在两个步骤中自2-溴吡啶-3-醇起始使用碱催化环化的合成。通过在硫酸银存在下利用溴溴化得到溴化化合物。
Figure BDA0003316287800000601
US2010/0187984阐述(例如)3,6-二氯-苯并呋喃并[2,3-b]吡啶在三个步骤中自2-氨基-5-氯吡啶起始使用重氮离子盐的环化的合成。
Figure BDA0003316287800000611
L.Kaczmarek,Polish Journal of Chemistry 59(1985)1141阐述呋喃并[3,2-b:4,5-b]二吡啶自2-(3-氨基-2-吡啶基)吡啶-3-胺起始使用重氮离子盐的酸催化环化的合成。
Figure BDA0003316287800000612
JP2002284862阐述2,7-二溴-呋喃并[3,2-b:4,5-b]二吡啶自2-(3-氨基-5-溴-2-吡啶基)-5-溴-吡啶-3-胺起始使用重氮离子盐的酸催化环化的合成。Y.Fort,Tetrahedron50(41),11893(1994)阐述起始材料的合成。
Figure BDA0003316287800000613
J.Liu,J.Org.Chem.73,2951(2008)阐述(例如)苯并呋喃并[2,3-c]吡啶使用铜催化环化步骤的合成。
Figure BDA0003316287800000614
化合物E-57的可能合成路径显示于以下反应图中:
Figure BDA0003316287800000621
化合物E-12的可能合成路径显示于以下反应图中:
Figure BDA0003316287800000622
卤素/金属交换利用nBuLi/THF在-78℃下或tBuLi/THF在-78℃下实现。参考WO2010/079051,其中阐述该化合物的合成。
Figure BDA0003316287800000623
的化合物为在产生式(I)的化合物中的新中间体且构成本发明的另一标的。
B1为N或CR81
B2为N或CR82
B3为N或CR83
B4为N或CR84
B5为N或CR85
B6为N或CR86
B7为N或CR87
B8为N或CR88,其中R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此独立地为H、可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基、可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团,
o为0或1,p为0或1,q为0或1,r为0或1,
取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中的至少一个代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团;其中
X1为Cl、Br或I、ZnX12,X12为卤素原子;-SnR207R208R209,其中R207、R208及R209相同或不同且为H或C1-C8烷基,其中两个基团任选地形成公共环,且该基团任选地具支链或无支链;-B(OH)2、-B(OY1)2
Figure BDA0003316287800000631
-BF4Na或-BF4K,其中Y1在每次出现时独立地为C1-C18烷基,且Y2在每次出现时独立地为C2-C10亚烷基,且Y13及Y14彼此独立地为氢或C1-C18烷基,且o、p、q、r、G、A1、A2、A3、A4、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88如上文所定义。以下化合物自先前技术得知且被排除在外:
Figure BDA0003316287800000632
Figure BDA0003316287800000641
Figure BDA0003316287800000642
Figure BDA0003316287800000643
排除在外。
R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87、R88、A1、A2、A3、A4及R16的优先性原则上与式(I)的化合物的情形下相同。
若X1为Cl、Br或I,则p为0,q为0且r为0;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的至少一个基团中的o优选地为1。式(II)的化合物优选,其中X1为-B(OH)2、-B(OY1)2
Figure BDA0003316287800000644
在式(II)的化合物中,式
Figure BDA0003316287800000645
Figure BDA0003316287800000651
Figure BDA0003316287800000652
Figure BDA0003316287800000653
Figure BDA0003316287800000654
的化合物优选,其中R81、R82、R83、R85、R86及R87具有上文所给出的含义。
在本发明的优选实施方案中,式(II’)、(II”)、(II”’)、(II””)及(II””’)的化合物中的取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中的一个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团。
在本发明的另一优选实施方案中,式(II’)、(II”)、(II”’)、(II””)及(II””’)的化合物中的取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中的两个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团。
在优选实施方案中,本发明涉及下式的化合物:
Figure BDA0003316287800000661
Figure BDA0003316287800000662
Figure BDA0003316287800000671
其中R81、R82、R83、R85、R86及R87如上文所定义。
在本发明的优选实施方案中,式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIg)、(IIh)、(IIi)、(IIj)、(IIk)、(IIl)、(IIm)、(IIn)及(IIo)的化合物中的取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中的一个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团。
在本发明的另一优选实施方案中,式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIg)、(IIh)、(IIi)、(IIj)、(IIk)、(IIl)、(IIm)、(IIn)及(IIo)的化合物中的取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中的两个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团。
式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIi)、(IIj)、(IIl)及(IIn)的化合物优选。式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIj)及(IIn)的化合物尤其优选。
下文显示中间体的实例:
Figure BDA0003316287800000672
Figure BDA0003316287800000673
氮杂二苯并呋喃的溴化可以与阐述于(例如)J.Mater.Chem.18(2008)1296-1301中的咔唑的溴化类似的方式实施。
其他溴化方法阐述于(例如)Helvetica Chimica Acta 89(2006)1123及SYNLETT17(2006)2841-2845.10.206中。
利用卤化剂对(III)的选择性卤化产生式(II)的化合物。卤化剂为(例如)N-氯琥珀酰亚胺(NCS)(Synlett 18(2005)2837-2842);Br2(Synthesis 10(2005)1619-1624)、N-溴珀酰亚胺(NBS)(Organic Letters 12(2010)2194-2197;Synlett(2006)2841-2845)、1,3-二溴-5,5-二甲基乙内酰脲(DBH)(Organic Process Research & Development 10(2006)822-828、US2002/0151456)、CuBr2(Synthetic Communications 37(2007)1381-1388);R4NBr3(Can.J.Chem.67(1989)2062)、N-碘珀酰亚胺(NIS)(Synthesis 12(2001)1794-1799、J.Heterocyclic Chem.39(2002)933)、KI/KIO3(Org.Lett.9(2007)797、Macromolecules 44(2011)1405-1413)、NaIO4/I2/H2SO4或NaIO4/KI/H2SO4(J.HeterocyclicChem.38(2001)77;J.Org.Chem.75(2010)2578-2588);单氯化碘(ICl;Synthesis(2008)221-224)。其他方法阐述于以下文献中:J.Org.Chem.74(2009)3341-3349;J.Org.Chem.71(2006)7422-7432、Eur.J.Org.Chem.(2008)1065-1071、Chem.Asian J.5(2010)2162-2167、Synthetic.Commun.28(1998)3225。
可用于卤化中的溶剂的实例为二甲基甲酰胺(DMF)、CH2Cl2、CHCl3、CCl4、乙醇(EtOH)、乙酸(AcOH)、H2SO4、C6H5Cl及其混合物。该卤化分别可在酸及刘易斯酸(lewisacid)(例如、H2SO4、ZrCl4、TiCl4、AlCl3、HfCl4及AlCl3)存在下实施(Synlett 18(2005)2837-2842)。
可通过使卤化中间体(II)与(Y1O)2B-B(OY1)2
Figure BDA0003316287800000681
Figure BDA0003316287800000682
在催化剂(例如,[1,1′-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)、配合物(Pd(Cl)2(dppf)))及碱(例如,乙酸钾)存在下在如二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二
Figure BDA0003316287800000684
烷和/或甲苯等溶剂中反应将卤化中间体(II)(其中X3为Cl、Br或I)转化成硼酸酯中间体(II)(参见Prasad Appukkuttan等人,Synlett 8(2003)1204)。
制备硼酸试剂的概述于以下文献中给出:Angew.Chem.121(2009)9404-9425、Chem.Rev.95(1995)2457-2483、Angew.Chem.Int.Ed.41(2002)4176-4211、Tetrahedron 66(2010)8121-8136。
二硼酸或二硼酸酯中间体(II)亦可通过使卤化中间体(II)与烷基锂试剂(例如,正丁基锂、或叔丁基锂)反应随后与硼酸酯(例如,B(异丙氧基)3、B(甲氧基)3
Figure BDA0003316287800000683
)反应来制备(参见Synthesis(2000)442-446)。
式(I)的化合物可通过(例如)Suzuki-、Stille-或Negishi偶合反应自中间体及适宜共反应物起始而获得。
例如,可通过使中间体(N-2)与X2-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16(其中X2为(Y1O)2B-、
Figure BDA0003316287800000691
)在催化剂(例如,[1,1′-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)、配合物(Pd(Cl)2(dppf)))及碱(例如,乙酸钾)存在下在如二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二
Figure BDA0003316287800000693
烷和/或甲苯等溶剂中反应而将卤化中间体(其中X1为CI、Br或I)(例如,
Figure BDA0003316287800000692
)转化成式(I)的化合物(参见Prasad Appukkuttan等人,Synlett 8(2003)1204)。
已发现式I的化合物尤其适用于需要电荷载流子导电性的应用中,尤其用于(例如)选自开关组件(例如,有机晶体管(例如,有机FET及有机TFT)、有机太阳能电池及有机发光二极管(OLED))的有机电子应用中,式I的化合物尤其适于尤其与磷光发射体组合在OLED中用作基质材料用于发光层中,和/或用作空穴和/或激子阻断剂材料,和/或用作电子和/或激子阻断剂材料。在OLED中使用本发明式I的化合物的情形下,获得具有优良效率及长寿命且可尤其在低使用及操作电压下操作的OLED。本发明式I的化合物尤其适宜用作蓝色及绿色发射体(例如浅蓝色或深蓝色发射体,这些尤其为磷光发射体)的基质材料和/或空穴/激子阻断剂材料。另外,式I的化合物可在选自开关组件及有机太阳能电池的有机电子应用中用作导体/互补材料。
式I、尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)及(In)的化合物可在有机电子应用、尤其OLED中用作基质材料和/或空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料和/或空穴注入材料和/或电子注入材料和/或空穴导体材料(空穴传输材料)和/或电子导体材料(电子传输材料),优选地用作基质材料和/或电子/激子阻断剂和/或空穴传输材料。本发明式I的化合物更优选地在有机电子应用、尤其OLED中用作基质材料。
在OLED的发射层或一个发射层中,亦可将发射体材料与式I的化合物的基质材料及具有(例如)优良空穴导体(空穴传输)性质的另一基质材料组合。此使得此发射层实现高量子效率。
式I的某些化合物(例如,G-1)的离子化电位大于6eV,且因此适合作为电子传输材料。
当式I的化合物在发射层中用作基质材料且另外用作空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料时,由于该材料的化学一致性或类似性,故在发射层与毗邻空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料之间获得改进的界面,此可使得在等同亮度的情形下降低电压且可使得OLED的寿命延长。此外,对于空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料及发射层的基质,使用相同材料使得OLED的产生制程简化,此乃因可使用相同来源用于一种式I的化合物的材料的气相沉积制程。
有机电子器件的适宜结构已为本领域熟练技术人员所已知且指定于下文中。
有机晶体管通常包括半导体层,其自具有空穴传输能力和/或电子传输能力的有机层形成;栅电极,其自导电层形成;及绝缘层,其在半导体层与导电层之间引入。按顺序将源电极及漏电极安装于此配置上以由此产生晶体管组件。此外,本领域熟练技术人员已知的其他层可存在于有机晶体管中。
有机太阳能电池(光电转换组件)通常包含存在于并联配置的两个板型电极之间的有机层。有机层可组态于梳型电极上。对于有机层的位置并无具体限制关且对于电极的材料并无具体限制。然而,在使用并联配置的板型电极时,至少一个电极优选地自透明电极(例如ITO电极或掺氟氧化锡电极)形成。自两个子层(即具有p型半导体性质或空穴传输能力的层,及所形成的具有n型半导体性质或电子传输能力的层)形成有机层。此外,在有机太阳能电池中可能存在本领域熟练技术人员已知的其他层。具有空穴传输能力的层可包含式I的化合物。
式I的化合物同样可能既存在于发光层中(优选地作为基质材料)又存在于电子阻断层中(作为电子/激子阻断剂)。
本发明进一步提供有机发光二极管,其包含阳极An及阴极Ka及配置于阳极An与阴极Ka之间的发光层E,及(若适当)至少一个选自如下的其他层:至少一个空穴/激子阻断层、至少一个电子/激子阻断层、至少一个空穴注入层、至少一个空穴导体层、至少一个电子注入层及至少一个电子导体层,其中至少一种式I的化合物存在于发光层E和/或至少一个其他层中。至少一种式I的化合物优选地存在于发光层和/或空穴阻断层中。
本申请进一步涉及发光层,其包含至少一种式I的化合物、尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)的化合物、尤其特别化合物A-1至A-65、B-1至B-8、C-1至C-65、D-1至D-8、E-1至E-65或F-1至F-65。
本发明OLED的结构
本发明有机发光二极管(OLED)由此通常具有以下结构:
阳极(An)及阴极(Ka)及配置于阳极(An)与阴极(Ka)之间的发光层E。
例如,在一优选实施方案中,本发明OLED可自以下层形成:
1.阳极
2.空穴导体层
3.发光层
4.空穴/激子阻断层
5.电子导体层
6.阴极
不同于上述结构的层顺序亦可,且其已为本领域熟练技术人员所已知。例如,OLED可能并不具有所有所述层;例如,具有层(1)(阳极)、(3)(发光层)及(6)(阴极)的OLED同样适宜,在该情形下,层(2)(空穴导体层)及(4)(空穴/激子阻断层)及(5)(电子导体层)的功能由毗邻层承担。具有层(1)、(2)、(3)及(6)或层(1)、(3)、(4)、(5)及(6)的OLED同样适宜。此外,OLED可在空穴导体层(2)与发光层(3)之间具有电子/激子阻断层。
另外,复数个上述功能(电子/激子阻断剂、空穴/激子阻断剂、空穴注入、空穴传导、电子注入、电子传导)可组合于一个层中且(例如)由存在于此层中的单一材料承担。例如,在一实施方案中,空穴导体层中所使用的材料可同时阻断激子和/或电子。
另外,OLED的上文所指定层中的个别层可继而自两个或更多个层形成。例如,空穴导体层可自从电极注入空穴至其中的层及将空穴自空穴注入层传输至发光层的层形成。同样,电子传导层可由复数个层组成,例如通过电极注入电子的层及自电子注入层接收电子并将其传输至发光层中的层。这些所述层各自根据如以下等因素进行选择:能级、热阻及电荷载流子迁移率,亦及所指定层与有机层或金属电极的能量差。本领域熟练技术人员能够选择OLED的结构,以便使其与根据本发明用作发射体物质的有机化合物最佳匹配。
为获得尤其有效的OLED,例如,空穴导体层的HOMO(最高占据分子轨道)应与阳极的功函数匹配,且电子导体层的LUMO(最低未占据分子轨道)应与阴极的功函数匹配,限制条件为上述层存在于本发明OLED中。
阳极(1)为提供正电荷载流子的电极。其可自(例如)包含金属、各种金属的混合物、金属合金、金属氧化物或各种金属氧化物的混合物的材料形成。另一选择为,阳极可为导电聚合物。适宜金属包含主族的金属及金属合金、过渡金属及镧系元素的金属,尤其元素周期表的第Ib、IVa、Va及VIa族金属及第VIIIa族的过渡金属。在阳极应透明时,则通常使用元素周期表(IUPAC版本)的第IIb、IIIb及IVb族的混合金属氧化物,例如氧化铟锡(ITO)。阳极(1)同样可包含有机材料,例如聚苯胺,如(例如)Nature,第357卷,第477页至479页(1992年6月11日)中所阐述。至少阳极或阴极应至少部分地透明以能够发射所形成的光。用于阳极(1)的材料优选地为ITO。
用于本发明OLED的层(2)的适宜空穴导体材料公开于(例如)Kirk-OthmerEncyclopedia of Chemical Technology,第4版,第18卷,第837页至第860页,1996。空穴传输分子及聚合物皆可用作空穴传输材料。通常使用的空穴传输分子选自:三[N-(1-萘基)-N-(苯基氨基)]三苯基胺(1-NaphDATA)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-双(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)-[1,1’-(3.3'-二甲基)联苯基]-4,4’-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N’,N’-2,5-亚苯基二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4’-二胺(TTB)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(TDTA)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、N,N’-双(萘-2-基)-N,N’-双(苯基)联苯胺(β-NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-螺二茀(螺-TPD)、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-螺二茀(螺-NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基茀(DMFL-TPD)、二[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]环己烷、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基茀、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-2,2-二甲基联苯胺、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)联苯胺、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺、4,4’,4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基-氨基)三苯基胺、吡嗪并[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、N,N,N’,N’-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二茀(MeO-螺-TPD)、2,2’-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二茀(2,2’-MeO-螺-TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-二[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]联苯胺(NTNPB)、N,N’-二苯基-N,N’-二[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二苯基苯-1,4-二胺(β-NPP)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二苯基茀(DPFL-TPD)、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二苯基茀(DPFL-NPB)、2,2’,7,7’-四(N,N-二苯基氨基)-9,9’-螺二茀(螺-TAD)、9,9-双[4-(N,N-双(联苯基-4-基)氨基)苯基]-9H-茀(BPAPF)、9,9-双[4-(N,N-双(萘-2-基)氨基)苯基]-9H-茀(NPAPF)、9,9-双[4-(N,N-双(萘-2-基)-N,N’-联苯氨基)苯基]-9H-茀(NPBAPF)、2,2’,7,7’-四[N-萘基(苯基)氨基]-9,9’-螺二茀(螺-2NPB)、N,N’-双(菲-9-基)-N,N’-双(苯基)联苯胺(PAPB)、2,7-双[N,N-双(9,9-螺二茀-2-基)氨基]-9,9-螺二茀(螺-5)、2,2’-双[N,N-双(联苯基-4-基)氨基]-9,9-螺二茀(2,2’-螺-DBP)、2,2’-双(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺二茀(螺-BPA)、2,2’,7,7’-四(N,N-二甲苯基)氨基螺二茀(螺-TTB)、N,N,N’,N’-四萘-2-基联苯胺(TNB)、卟啉化合物及酞菁(例如铜酞菁及氧化钛酞菁)。通常使用的空穴传输聚合物选自:聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷及聚苯胺。同样可通过将空穴传输分子掺杂至如聚苯乙烯及聚碳酸酯等聚合物中来获得空穴传输聚合物。适宜空穴传输分子为上文已述分子。
此外,在一实施方案中,可使用碳烯配合物作为空穴导体材料,至少一种空穴导体材料的带隙通常大于所用发射体材料的带隙。在本申请的上下文中,“带隙”应理解为意指三重态能量。适宜碳烯配合物为(例如)如以下文件中所阐述的碳烯配合物:WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO2008/000727。适宜碳烯配合物的一实例为具有下式的Ir(dpbic)3
Figure BDA0003316287800000741
其公开于(例如)WO2005/019373中。原则上,空穴导体层可包含至少一种式I的化合物作为空穴导体材料,尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)的化合物,尤其特别化合物A-1至A-65、B-1至B-8、C-1至C-65、D-1至D-8、E-1至E-65或F-1至F-65。
空穴传输层亦可以电子方式掺杂,以改进所用材料的传输性质,以首先使层厚度更大(避免针孔/短路)且其次使器件的操作电压最小化。电子掺杂已为本领域熟练技术人员所已知,且公开于(例如)W.Gao,A.Kahn,J.Appl.Phys.,第94卷,2003,359(p掺杂的有机层);A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,第82卷,第25期,2003,4495;及Pfeiffer等人,Organic Electronics 2003,4,89-103,及K.Walzer,B.Maennig,M.Pfeiffer,K.Leo,Chem.Soc.Rev.2007,107,1233。例如,可在空穴传输层中使用混合物,尤其实现空穴传输层的电p掺杂的混合物。p掺杂通过添加氧化材料而实现。该混合物可为(例如)以下混合物:上述空穴传输材料与至少一种金属氧化物的混合物,该至少一种金属氧化物为(例如)MoO2、MoO3、WOx、ReO3和/或V2O5,优选为MoO3和/或ReO3,更优选为MoO3;或包含上述空穴传输材料及一种或多种选自以下各项的化合物的混合物:7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,5-双(2-羟基乙氧基)-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、双(四-正丁基铵)四氰基二苯酚醌二甲烷、2,5-二甲基-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌-二甲烷、2,5-二氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、二氰基亚甲基-1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-亚基)丙二腈(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(来自Kahn等人,J.Am.Chem.Soc.2009,131(35),12530–12531)、如EP1988587、US2008265216、EP2180029、US20100102709、WO2010132236、EP2180029中所述的化合物及如EP2401254中所述的醌化合物。优选混合物包含上述碳烯配合物,例如,碳烯配合物HTM-1及MoO3和/或ReO3,尤其MoO3。在尤其优选实施方案中,空穴传输层包含0.1重量%至10重量%MoO3及90重量%至99.9重量%碳烯配合物、尤其碳烯配合物HTM-1,其中MoO3及碳烯配合物的总量为100重量%。
发光层(3)包含至少一种发射体材料。原则上,其可为荧光或磷光发射体,适宜发射体材料已为本领域熟练技术人员所已知。至少一种发射体材料优选地为磷光发射体。优先使用的磷光发射体化合物为基于金属配合物,且尤其金属Ru、Rh、Ir、Pd及Pt的配合物、尤其Ir的配合物已非常重要。式I的化合物可用作发光层中的基质。
适用于本发明OLED中的金属配合物阐述于例如以下文件中:WO02/60910A1、US2001/0015432A1、US2001/0019782A1、US2002/0055014A1、US2002/0024293A1、US2002/0048689A1、EP1191612A2、EP1191613A2、EP1211257A2、US2002/0094453A1、WO02/02714A2、WO00/70655A2、WO01/41512A1、WO02/15645A1、WO2005/019373A2、WO2005/113704A2、WO2006/115301A1、WO2006/067074A1、WO2006/056418、WO2006121811A1、WO2007095118A2、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2010129323、WO2010056669、WO10086089、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266及WO2012/172482。
其他适宜金属配合物为可自市面购得的金属配合物:三(2-苯基吡啶)铱(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶-N,C2’)铱(III)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(2,2’-苯并噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)铱(III)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-(4,6-二氟苯基)吡啶-N,C2)吡啶甲酸铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(二-苯并[f,h]喹
Figure BDA0003316287800000761
啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-甲基二-苯并[f,h]喹
Figure BDA0003316287800000762
啉)(乙酰丙酮)铱(III)及三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉)铽(III)、双[1-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯基苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-(9,9-二己基茀基)-1-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)。
另外,以下可自市面购得的材料亦适宜:三(二苯甲酰基丙酮)单(啡啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)-单(啡啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(5-氨基啡啉)铕(III)、三(二-2-萘甲酰基甲烷)单(啡啉)铕(III)、三(4-溴苯甲酰基甲烷)单(啡啉)铕(III)、三(二(联苯基)甲烷)单(啡啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二苯基啡啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二-甲基啡啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二甲基啡啉二磺酸)铕(III)二钠盐、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)]单(啡啉)铕(III)及三[二[4-(2-(2-乙氧基-乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)]单(5-氨基啡啉)铕(III)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-第三-丁基吡啶基)-1,2,4-三唑)二苯基甲基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-第三-丁基吡啶基)-1,2,4-三唑合)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑)二甲基苯基膦锇(II)、三[4,4’-二-第三-丁基(2,2’)-联吡啶]钌(III)、双(2-(9,9-二丁基茀基)-1-异喹啉(乙酰丙酮)锇(II)。
优选磷光发射体为碳烯配合物。适宜磷光蓝色发射体指定于以下出版物中:WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404、US2011/057559、WO2011/073149、WO2012/121936A2、US2012/0305894A1、WO2012/170571、WO2012/170461、WO2012/170463、WO2006/121811、WO2007/095118、WO2008/156879、WO2008/156879、WO2010/068876、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266及WO2012/172482。
发光层优选地包含式[L]m1[K]o1M[碳烯]n1(IX)的化合物,其阐述于WO 2005/019373A2中,其中该符号具有以下含义:
M为选自如下的金属原子:Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag及Au,其呈各别金属原子可能的任何氧化态;
碳烯为碳烯配体,其可为不带电或单阴离子及单齿配位基、双齿配位基或三齿配位基,且碳烯配体亦能为双碳烯或三碳烯配体;
L为单阴离子或双阴离子配体,其可为单齿配位基或双齿配位基;
K为不带电单齿配位基或双齿配位基配体,其选自:膦;膦酸酯及其衍生物,砷酸酯及其衍生物;亚磷酸酯;CO;吡啶;腈及共轭二烯,其与M1形成π配合物;
n1为碳烯配体的数目,其中n1为至少1,且当n1>1时,式(IX)的配合物中的碳烯配体可相同或不同;
m1为配体L的数目,其中m1可为0或≥1,且当m1>1时,配体L可相同或不同;
o1为配体K的数目,其中o1可为0或≥1,且当o1>1时,配体K可相同或不同;
其中n1+m1+o1的和取决于以下各项:金属原子的氧化态及配位数,及配体碳烯、L及K的齿合度,亦及配体、碳烯及L上的电荷,限制条件为n1为至少1。
为适宜三重态发射体的碳烯配合物阐述于例如以下文件中:WO 2006/056418A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404及WO2011073149。
更优选者为以下通式的金属碳烯配合物
Figure BDA0003316287800000781
其阐述于美国专利申请第61/286046号、第61/323885号及欧洲专利申请10187176.2(PCT/EP2010/069541)中,其中M、n1、Y、A2’、A3’、A4’、A5’、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59、K、L、m1及o1各自定义如下:
M为Ir或Pt,
n1为选自1、2及3的整数,
Y为NR51、O、S或C(R25)2
A2’、A3’、A4’及A5’各自独立地为N或C,其中2个A=氮原子且环中的至少两个氮原子之间存在至少一个碳原子,
R51为直链或具支链烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有1至20个碳原子;环烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有3至20个碳原子;经取代或未经取代的芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有6至30个碳原子;经取代或未经取代的杂芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有总共5至18个碳原子和/或杂原子,
若A2’、A3’、A4’和/或A5’为N,则R52、R53、R54及R55各自为自由电子对,或若A2’、A3’、A4’和/或A5’为C,则其各自独立地为氢、直链或具支链烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有1至20个碳原子;环烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有3至20个碳原子;经取代或未经取代的芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有6至30个碳原子;经取代或未经取代的杂芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有总共5至18个碳原子和/或杂原子;具有供体或受体作用的基团,或
R53及R54连同A3’及A4’一起形成任选地经取代的不饱和环,该环任选地间杂有至少一个其他杂原子且具有总共5至18个碳原子和/或杂原子,
R56、R57、R58及R59各自独立地为氢;直链或具支链烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有1至20个碳原子;环烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有3至20个碳原子;杂环烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有3至20个碳原子;经取代或未经取代的芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有6至30个碳原子;经取代或未经取代的杂芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有总共5至18个碳原子和/或杂原子;具有供体或受体作用的基团,或
R56及R57、R57及R58或R58及R59连同其所键结的碳原子一起形成任选地经取代的饱和、不饱和或芳香族环,该环任选地间杂有至少一个杂原子且具有总共5至18个碳原子和/或杂原子,和/或
若A5’为C,则R55及R56一起形成饱和或不饱和直链或具支链桥,该桥任选地包含杂原子、芳香族单元、杂芳香族单元和/或官能基且具有总共1至30个碳原子和/或杂原子,任选地稠合包含碳原子和/或杂原子的经取代或未经取代的5至8员环,
R25独立地为直链或具支链烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有1至20个碳原子;环烷基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有3至20个碳原子;经取代或未经取代的芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有6至30个碳原子;经取代或未经取代的杂芳基,其任选地间杂有至少一个杂原子、任选地具有至少一个官能基且具有总共5至18个碳原子和/或杂原子,
K为不带电荷的单齿或双齿配体,
L为单阴离子或双阴离子配体,优选地单阴离子配体,其可为单齿或二齿配位基,
m1为0、1或2,其中当m1为2时,K配体可相同或不同,
o1为0、1或2,其中当o1为2时,L配体可相同或不同。
式IX的化合物优选地为下式的化合物:
Figure BDA0003316287800000801
Figure BDA0003316287800000811
Figure BDA0003316287800000821
Figure BDA0003316287800000831
Figure BDA0003316287800000841
Figure BDA0003316287800000851
Figure BDA0003316287800000861
其他适宜非碳烯发射体材料于下文阐述:
Figure BDA0003316287800000862
Figure BDA0003316287800000871
Figure BDA0003316287800000881
Figure BDA0003316287800000882
最佳磷光蓝色发射体为下式的化合物:
Figure BDA0003316287800000883
Figure BDA0003316287800000884
均配金属-碳烯配合物可以面式或经式异构物形式存在,优选者为面式异构物。
在杂配金属-碳烯配合物的情形下,可存在四种不同异构物,优选者为拟面式异构物。
除发射体材料以外,发光层亦可包含其他组份。例如,荧光染料可存在于发光层中以改变发射体材料的发射颜色。此外,在一优选实施方案中,可使用基质材料。此基质材料可为聚合物,例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而,基质材料可为小分子,例如4,4’-N,N’-二咔唑联苯(CDP=CBP)或三级芳香族胺(例如TCTA)。在本发明的一优选实施方案中,将至少一种式I的化合物用作基质材料。
在优选实施方案中,发光层自以下各项形成:2重量%至40重量%、优选地5重量%至35重量%的至少一种上述发射体材料及60重量%至98重量%、优选地75重量%至95重量%的至少一种上述基质材料,在一实施方案中至少一种式I的化合物,其中发射体材料及基质材料的总和总计为100重量%。
式I的化合物尤其为式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)的化合物,尤其特别化合物A-1至A-65、B-1至B-8、C-1至C-65、D-1至D-8、E-1至E-65或F-1至F-65。
在尤其优选实施方案中,发光层包含式I的化合物(例如,
Figure BDA0003316287800000891
)及两种碳烯配合物,优选地式
Figure BDA0003316287800000892
Figure BDA0003316287800000893
的碳烯配合物。在该实施方案中,发光层自以下各项形成:2重量%至40重量%、优选地5重量%至35重量%的
Figure BDA0003316287800000894
及60重量%至98重量%、优选地65重量%至95重量%的式I的化合物及
Figure BDA0003316287800000895
其中碳烯配合物及式I的化合物的总和总计为100重量%。
与式I的化合物一起在OLED中用作基质材料和/或空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料和/或空穴注入材料和/或电子注入材料和/或空穴导体材料和/或电子导体材料、优选地用作基质材料和/或空穴/激子阻断剂材料的适宜金属配合物由此亦为(例如)碳烯配合物,如WO 2005/019373A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727中所述。本文明确参考所引用WO申请的公开内容,且该公开内容应视为纳入本申请的内容中。
本发明化合物亦可用作磷光绿色发射体的主体。适宜磷光绿色发射体为例如以下出版物中所指定者:WO2006014599、WO20080220265、WO2009073245、WO2010027583、WO2010028151、US20110227049、WO2011090535、WO2012/08881、WO20100056669、WO20100118029、WO20100244004、WO2011109042、WO2012166608、US20120292600、EP2551933A1;US6687266、US20070190359、US20070190359、US20060008670;WO2006098460、US20110210316、WO2012053627;US6921915、US20090039776;及JP2007123392。
适宜磷光绿色发射体的实例显示于下文中:
Figure BDA0003316287800000901
Figure BDA0003316287800000911
Figure BDA0003316287800000921
Figure BDA0003316287800000931
若存在空穴阻断层,则通常用于OLED中的空穴阻断剂材料为(例如)2,6-双(N-咔唑基)吡啶(mCPy)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(浴铜灵(bathocuproin),(BCP))、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚)铝(III)(BAIq)、吩噻嗪S,S-二氧化物衍生物及1,3,5-三(N-苯基-2-苯甲基咪唑基)苯)(TPBI),TPBI亦适宜作为电子导电材料。其他适宜空穴阻断剂和/或电子导体材料为2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000932
二唑、8-羟基喹啉锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000933
二唑-5-基]苯、4,7-二苯基-1,10-啡啉、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑、6,6’-双[5-(联苯基-4-基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000945
二唑-2-基]-2,2’-联吡啶基、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000941
二唑-5-基]-9,9-二甲基茀、1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000942
二唑-5-基]苯、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]啡啉。在另一实施方案中,可使用如下化合物作为空穴/激子阻断层(4)或作为发光层(3)中的基质材料:包含经由包含羰基的基团连结的芳香族或杂芳香族环(如WO2006/100298中所公开)、二硅烷基化合物(其选自二硅烷基咔唑、二硅烷基苯并呋喃、二硅烷基苯并噻吩、二硅烷基苯并磷杂环戊二烯、二硅烷基苯并噻吩S-氧化物及二硅烷基苯并噻吩S,S-二氧化物,如(例如)在WO2009/003919及WO2009003898中所指定)及如在WO2008/034758中所公开的二硅烷基化合物。
适用于本发明OLED的层(5)的电子导体材料包含螯合至类喔星(oxinoid)化合物的金属,例如2,2’,2”-(1,3,5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、基于啡啉的化合物(例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(DDPA=BCP)或4,7-二苯基-1,10-啡啉(DPA))及唑化合物(例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000943
二唑(PBD)及3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ))、8-羟基喹啉锂(Liq)、4,7-二苯基-1,10-啡啉(BPhen)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝(BAlq)、1,3-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000944
二唑-5-基]苯(Bpy-OXD)、6,6’-双[5-(联苯基-4-基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000946
二唑-2-基]-2,2’-联吡啶基(BP-OXD-Bpy)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(NBphen)、2,7-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000947
二唑-5-基]-9,9-二甲基茀(Bby-FOXD)、1,3-双[2-(4-第三-丁基苯基)-1,3,4-
Figure BDA0003316287800000948
二唑-5-基]苯(OXD-7)、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]啡啉(2-NPIP)、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽(PADN)、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(HNBphen)。层(5)可用于促进电子传输且用作缓冲层或障壁层以防止激子在OLED的层界面处淬灭。层(5)优选地改进电子的迁移率且降低激子的淬灭。在一优选实施方案中,使用TPBI作为电子导体材料。在另一优选实施方案中,使用BCP作为电子导体材料。原则上,电子导体层可包括至少一种式I的化合物作为电子导体材料。
电子传输层亦可以电子方式掺杂,以改进所用材料的传输性质,以首先使层厚度更大(避免针孔/短路)且其次使器件的操作电压最小化。电子掺杂已为本领域熟练技术人员所已知,且公开于例如以下文献中:W.Gao,A.Kahn,J.Appl.Phys.,第94卷,第1期,2003年7月1日(p掺杂的有机层);A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,第82卷,第25期,2003年6月23日;及Pfeiffer等人,OrganicElectronics 2003,4,89-103;及K.Walzer,B.Maennig,M.Pfeiffer,K.Leo,Chem.Soc.Rev.2007,107,1233。例如,可使用实现电子传输层的电n掺杂的混合物。n掺杂通过添加还原材料而实现。该混合物可为(例如)上述电子传输材料与碱金属/碱土金属或碱金属/碱土金属盐(例如Li、Cs、Ca、Sr、Cs2CO3)、与碱金属配合物(例如8-羟基喹啉锂(Liq))、及与Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、邻苯二甲酸二钾、来自EP 1786050的W(hpp)4、或与如EP1837926B1、EP1837927、EP2246862及WO2010132236中所述化合物的混合物。
同样可在电子传输层中使用碱金属羟基喹啉盐配合物、优选地Liq与二苯并呋喃化合物的混合物。参考WO2011/157790。阐述于WO2011/157790中的二苯并呋喃化合物A-1至A-36及B-1至B-22优选,其中二苯并呋喃化合物
Figure BDA0003316287800000951
(A-10;=ETM-1)最佳。
在优选实施方案中,电子传输层包含Liq,其量为99重量%至1重量%、优选地75重量%至25重量%、更优选地约50重量%,其中Liq的量及二苯并呋喃化合物、尤其ETM-1的量总计为总共100重量%。
同样可在电子传输层中使用碱金属羟基喹啉盐配合物、优选地Liq与吡啶化合物的混合物。参考WO2011/157779。尤其优选者为下式的吡啶化合物
Figure BDA0003316287800000961
在另一优选实施方案中,电子传输层包含阐述于WO2012/111462、WO2012/147397、WO2012014621中的化合物,例如,式
Figure BDA0003316287800000962
的化合物;阐述于US2012/0261654中的化合物,例如,式
Figure BDA0003316287800000963
的化合物;及阐述于WO2012/115034中的化合物,例如,式
Figure BDA0003316287800000964
的化合物。
在作为空穴导体材料及电子导体材料的上述材料中,一些可实现若干功能。例如,一些电子导电材料在具有低位HOMO时,其同时为空穴阻断材料。该材料可用于(例如)空穴/激子阻断层(4)中。然而,同样,层(5)亦可采用其用作空穴/激子阻断剂,从而可省去层(4)。
亦可以电子方式掺杂电荷传输层,以改进所用材料的传输性质,从而首先使层厚度更大(避免针孔/短路)且其次使器件的操作电压最小化。例如,空穴导体材料可掺杂有电子受体;例如,酞菁或芳胺(例如TPD或TDTA)可掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)或掺杂有MoO3或WO3。电子导体材料可掺杂有(例如)碱金属,例如掺杂有锂的Alq3。另外,电子导体可掺杂有如Cs2CO3等盐或8-羟基喹啉锂(Liq)。电子掺杂已为本领域熟练技术人员所已知且公开于(例如)以下文献中:W.Gao,A.Kahn,J.Appl.Phys.,第94卷,第1期,2003年7月1日(p-掺杂有机层);A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo.Appl.Phys.Lett.,第82卷,第25期,2003年6月23日;及Pfeiffer等人,OrganicElectronics 2003,4,89-103。例如,除碳烯配合物(例如Ir(dpbic)3)以外,空穴导体层可掺杂有MoO3或WO3。例如,电子导体层可包含掺杂有Cs2CO3的BCP。
阴极(6)为用以引入电子或负电荷载流子的电极。适用于阴极的材料选自:第Ia族的碱金属(例如Li、Cs)、第IIa族的碱土金属(例如钙、钡或镁)、元素周期表(旧IUPAC版本)的第IIb族的金属(包含镧系元素及锕系元素,例如钐)。此外,亦可使用如铝或铟等金属及所述所有金属的组合。此外,可将包含碱金属、尤其锂的有机金属化合物或碱金属氟化物(例如,LiF、CsF或KF)施加于有机层与阴极之间以降低操作电压。
本发明OLED可另外包含本领域熟练技术人员已知的其他层。例如,可将促进正电荷的传输和/或使各层的带隙彼此匹配的层施加于层(2)与发光层(3)之间。另一选择为,此另一层可用作保护层。以类似方式,可在发光层(3)与层(4)之间存在其他层,以促进负电荷的传输和/或使各层之间的带隙彼此匹配。另一选择为,此层可用作保护层。
在一优选实施方案中,除层(1)至(6)外,本发明OLED亦包含下述层中的至少一个:
-空穴注入层,其位于阳极(1)与空穴传输层(2)之间,且厚度为2nm至100nm、优选地5nm至50nm;
-电子阻断层,其位于空穴传输层(2)与发光层(3)之间;
-电子注入层,其位于电子传输层(5)与阴极(6)之间。
用于空穴注入层的材料可选自铜酞菁、4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(NATA)、氧化钛酞菁、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、吡嗪并[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、N,N,N’,N’-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二茀(MeO-螺-TPD)、2,2’-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二茀(2,2’-MeO-螺-TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-二-[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]联苯胺(NTNPB)、N,N’-二苯基-N,N’-二-[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二苯基苯-1,4-二胺(α-NPP)。原则上,空穴注入层可包含至少一种式I的化合物作为空穴注入材料。此外,可使用聚合空穴注入材料,例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、自掺杂聚合物(例如,磺化聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)(
Figure BDA0003316287800000981
OC导电墨,购自Plextronics)]及共聚物(例如聚(3,4-叉乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯),亦称为PEDOT/PSS)。
式I的化合物、尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)的化合物、尤其特别化合物A-1至A-65、B-1至B-8、C-1至C-65、D-1至D-8、E-1至E-65或F-1至F-65可用作电子/激子阻断剂材料。
适宜用作电子/激子阻断剂材料的金属配合物为(例如)碳烯配合物,如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981及WO2008/000727中所述。适宜碳烯配合物的一个实例为化合物HTM-1。
可选择(例如)LiF作为用于电子注入层的材料。原则上,电子注入层可包含至少一种式I的化合物作为电子注入材料。
本领域熟练技术人员已知(例如基于电化学研究)如何必须选择适宜材料。适宜用于个别层的材料已为本领域熟练技术人员所已知,且公开于(例如)WO 00/70655中。
此外,可对本发明OLED中所使用的一些层实施表面处理以增加电荷载流子传输的效率。用于所述层中的每一个的材料的选择优选地通过获得具有高效率及寿命的OLED来确定。
本发明OLED可通过本领域熟练技术人员已知的方法产生。一般而言,通过将个别层连续气相沉积于适宜基板上来产生本发明OLED。适宜基板为(例如)玻璃、无机半导体或聚合物膜。对于气相沉积而言,可使用常用技术,例如热蒸发、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及其他技术。在替代制程中,可采用本领域熟练技术人员已知的涂覆技术自存于适宜溶剂中的溶液或分散液来施加OLED的有机层。
一般而言,不同层具有以下厚度:阳极(1)50nm至500nm、优选地100nm至200nm;空穴导电层(2)5nm至100nm、优选地20nm至80nm;发光层(3)1nm至100nm、优选地10nm至80nm;空穴/激子阻断层(4)2nm至100nm、优选地5nm至50nm;电子导电层(5)5nm至100nm、优选地20nm至80nm;阴极(6)20nm至1000nm、优选地30nm至500nm。各层的相对厚度尤其可影响本发明OLED中空穴及电子的重组区相对于阴极的相对位置及由此OLED的发射光谱。此意味着电子传输层的厚度应优选地经选择,以便重组区的位置匹配二极管的光学共振器性质及由此发射体的发射波长。OLED中个别层的层厚度的比率取决于所用材料。所用任何其他层的层厚度已为本领域熟练技术人员已知。电子导电层和/或空穴导电层可具有大于电掺杂时所指定层厚度的厚度。
在OLED的至少一个层中、优选地在发光层中(优选作为基质材料)和/或在阻断层中使用式I的化合物使得可获得具有高效率及低使用及操作电压的OLED。通常,通过使用式I的化合物获得的OLED另外具有高寿命。另外,可通过优化OLED的其他层来改进OLED的效率。例如,若适当,则可与LiF中间层组合使用高效阴极(例如Ca或Ba)。使操作电压降低或量子效率增加的成形基板及新颖空穴传输材料同样可用于本发明OLED中。此外,可在OLED中存在其他层以调节不同层的能级且促进电致发光。
OLED可进一步包含至少一个第二发光层。OLED的总发射可由至少两个发光层的发射构成且亦可包含白光。
OLED可用于使用电致发光的所有装置中。适宜器件优选地选自静止及移动视觉显示单元及照明单元。固定视觉显示单元为(例如)计算机、电视的视觉显示单元,打印机、厨房用具中的视觉显示单元,及广告面板、照明器及信息面板。移动视觉显示单元为(例如)移动电话、平板PC、膝上型计算机、数字相机、MP3播放器、车辆中的视觉显示单元,以及公共汽车及火车上的目的地显示器。可使用本发明OLED的其他显示器为(例如)键盘;衣物;家具;壁纸。此外,本发明涉及包含至少一个本发明有机发光二极管或至少一个本发明发光层的器件,其选自:固定视觉显示单元,例如计算机、电视的视觉显示单元,打印机、厨房用具中的视觉显示单元及广告面板、照明器、信息面板;及移动视觉显示单元,例如移动电话、平板PC、膝上型计算机、数字相机、MP3播放器、车辆中的视觉显示单元,以及公共汽车及火车上的目的地显示器;照明单元;键盘;衣物;家具;壁纸。
具体实施方式
所包括的以下实施例仅用于阐释本发明而并不限制申请专利范围的范围。除非另有说明,否则所有份数及百分比皆以重量计。
实施例
实施例1
Figure BDA0003316287800001001
a)将于200ml DMF中的20.0g(78.8mmol)1,3-二溴-5-氟-苯、16.3g(78.8mmol)6H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑及43.5g(0.315mmol)碳酸钾在170℃下搅拌17h。热过滤反应混合物,并在冷却后自母液过滤沉淀。用水及乙醇洗涤产物,并用乙醚及乙醇煎煮。产量21.2g(61%)。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.00(s,2H);7.90-7.80(m,3H);7.77(s,1H);7.60(d,J=7.6Hz,1H);7.45-7.30(m,4H)。
Figure BDA0003316287800001011
b)将3.31g(7.5mmol)实施例1a)的产物、4.76g(18.75mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼戊环-2-基)-1,3,2-二氧硼戊环与5.89g(60mmol)乙酸钾的混合物抽真空,并用氩吹扫5次。添加40ml DMF,并将混合物抽真空且吹扫。在氩下添加428.7mg(0.525mmol)1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁)二氯钯(II)。将反应混合物加热至65℃并搅拌3.5小时,然后冷却至室温,并在减压下去除溶剂。将残余物溶解于120ml水及120ml叔丁基甲醚(TBME)中,搅拌几分钟并过滤。分离各相,并用TBME萃取H2O相。干燥并蒸发有机相,且然后与50ml热异丙醇一起搅拌15分钟。过滤悬浮液,用异丙醇洗涤残余物,并干燥,从而得到2.29g。蒸发滤液,并在异丙醇中结晶,从而得到319mg。总产量:2.61g(65%)。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.38(s,1H);8.26(s,2H);7.89-7.77(m,3H);7.43-7.28(m,5H);1.37(s,12H);1.28(s,12H)。
Figure BDA0003316287800001012
c)以与T.Jensen in Angew.Chem.Int.Ed.47(2008)888阐述的程序类似的方式自3-氯-吡啶起始来制备3-氯-4-碘-吡啶(产量:52.9%)。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.56(s,1H);8.07(d,J=4.8Hz,1H);7.80(d,J=4.8Hz,1H)。
Figure BDA0003316287800001013
d)将11.1g(46.35mmol)3-氯-4-碘-吡啶、10.17g(44.03mmol)5-溴-2-甲氧基-苯基硼酸、32.67g(236.39mmol)碳酸钾、350ml甲苯、160ml乙醇及88ml水混合并抽真空,并用氩吹扫四次。然后,添加2.68g(2.31mmol)四三苯基膦钯,并再抽真空,并用氩吹扫四次。将所得澄清混合物在搅拌下加热至回流并保持3h,然后冷却至室温。分离各相,并用甲苯(各200ml)将水相萃取两次。用水(各100ml)将合并的有机相洗涤三次,经硫酸镁干燥,过滤,并在旋转蒸发器(rotavap)上蒸发溶剂。通过急骤层析使用己烷/乙酸乙酯作为洗脱剂来纯化粗制产物(16.07g),从而得到10.94g(83.2%)无色油状4-(4-溴-2-甲氧基-苯基)-3-氯-吡啶,其在静置时固化。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.66(s,1H);8.51(d,J=4.8Hz,1H);7.52(dxd,J1=8.8Hz,J2=2.4Hz,1H);7.30(d,J=2.4Hz,1H);7.22(d,J=4.8Hz,1H);6.88(d,J=8.8Hz,1H);3.77(s,3H)。
Figure BDA0003316287800001021
e)将10.94g(36.64mmol)4-(4-溴-2-甲氧基-苯基)-3-氯-吡啶溶解于200ml无水二氯甲烷中。在20min内,利用注射器添加145.9ml(145.9mmol)于二氯甲烷中的1M三溴化硼溶液,同时利用水浴将温度保持为室温。去除冷却,并将溶液在室温下搅拌18h。然后,逐滴添加500ml水。发生放热反应,且混合物开始回流。将混合物搅拌30分钟,且然后添加至200ml pH=7的缓冲溶液中。添加2N NaOH溶液,直至pH达到7为止。然后,添加500ml乙酸乙酯。分离各相,并用乙酸乙酯(250mL)将水相萃取两次。用水(各100ml)将合并的有机相洗涤三次,经硫酸镁干燥,过滤,并将溶剂在旋转蒸发器上蒸发至100ml的体积。用冰浴将悬浮液冷却至0℃,过滤,并用冰冷乙酸乙酯(各5ml)将残余物洗涤三次。将产物在50℃/125毫巴下干燥过夜,从而得到8.99g(86.2%)5-溴-2-(3-氯-4-吡啶基)苯酚。
1H NMR(400MHz,DMSO):δ10.09(s,1H);8.67(s,1H);8.52(d,J=4.8Hz,1H);7.44(d,J=2.8Hz,1H);7.42(d,J=2.8Hz,1H);7.40(d,J=4.8Hz,1H);7.31(d,J=2.8Hz,1H);6.91(d,J=8.8Hz,1H)。
Figure BDA0003316287800001031
f)使用噻吩-2-甲酸铜(I)(CuTC)以与J.Liu(J.Org.Chem.73(7),2951(2008))阐述的程序类似的方式将7.85g(27.59mmol)5-溴-2-(3-氯-4-吡啶基)苯酚环化成6-溴-4a,4b,8a,9a-四氢苯并呋喃并[2,3-c]吡啶,在使用2:1己烷/乙酸乙酯作为洗脱剂进行急骤层析后,得到54.1%产率。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ9.00(s,1H);8.61(d,J=5.2Hz,1H);8.16(d,J=2.0Hz,1H);7.85(d,J=5.2Hz,1H);7.71(dxd,J1=8.8Hz,J2=2.0Hz,1H);7.54(d,J=8.8Hz,1H)。
Figure BDA0003316287800001032
g)将401.4mg(0.75mmol)实施例1b)的产物与465.1mg(1.875mmol)实施例1f)的产物的混合物抽真空,并用氩吹扫3次。添加6ml四氢呋喃(THF)。用氩将955.2mg(4.5mmol)K3PO4及25ml水在分离烧瓶中鼓泡25分钟。将13.1mg(0.045mmol)四氟硼酸三叔丁基
Figure BDA0003316287800001033
盐及20.6mg(0.023mmol)Pd2(dba)3添加至起始材料于THF中的混合物中,用氩鼓泡3分钟,且然后加热至50℃。用注射器一次性添加K3PO4溶液,并将反应混合物在75℃的浴温下加热4小时。将反应混合物冷却至室温,并添加20ml水。蒸发THF,过滤反应混合物,用水及甲醇洗涤残余物,并干燥。将粗制产物在100ml CHCl3中搅拌30分钟,藉助Hyflo过滤,并用CHCl3洗涤。蒸发滤液,且然后在8ml热CHCl3中搅拌,过滤,用CHCl3洗涤残余物并干燥。产量:407.6mg(88%)
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ9.05(s,2H);8.63(d,J=5.2Hz,2H);8.37(s,2H);8.15(s,2H);8.03-7.98(m,3H);7.94(d,J=5.2Hz,2H);7.89(d,J=7.6Hz,2H);7.82-7.75(m,3H);7.66(d,J=8Hz,1H);7.46-7.32(m,4H)
实施例2
Figure BDA0003316287800001041
a)将7.78g(25.0mmol)1-溴-3-碘-苯、16.3g(50.0mmol)碳酸铯、1.24g(6.50mmol)碘化铜(I)及1.50g(13.0mmol)L-脯胺酸在氮下添加至5.18g(25.0mmol)于100ml二甲基亚砜(DMSO)中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑中。将反应混合物在100℃下搅拌18h,且然后倾倒入水中。用二氯甲烷萃取水相,并用硫酸镁干燥。蒸馏出溶剂。利用甲苯在硅胶上管柱层析,得到产物,产量为8.35g(92%)。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.25(s,1H);8.05-7.90(m,3H);7.71(d,J=7.9Hz,1H);7.65(d,J=7.9Hz,1H);7.65-7.50(m,2H);7.45-7.26(m,4H)。
Figure BDA0003316287800001042
b)将1.0g(2.73mmol)实施例2a)的产物、831.2mg(3.27mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼戊环-2-基)-1,3,2-二氧硼戊环、1.61g(16mmol)乙酸钾及25ml DMF抽真空,并用氩吹扫5次。添加111.4mg(0.136mmol)1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁)二氯钯(II),将反应混合物抽真空,并用氩吹扫5次。将反应混合物在60℃下搅拌20h,冷却至室温,且然后在减压下蒸发。添加50ml水、50ml TBME及3ml 1%NaCN水溶液,将混合物搅拌30分钟,过滤,并用100ml乙酸乙酯洗涤。分离各相,用乙酸乙酯萃取水相,且干燥并蒸发有机相。产量:0.8g(72%)
1H NMR(400MHz,THF-d8):δ8.26(s,1H),8.10-8.09(m,1H),8.09-8.07(m,2H),7.86(d,J=7.6Hz,1H),7.67-7.60(m,3H),7.42-7.28(m,4H),1.39(s,12H)。
Figure BDA0003316287800001051
c)将13.92g(46.56mmol)2-氨基-3-碘-5-溴吡啶、11.71g(50.75mmol)5-溴-2-甲氧基-苯基硼酸、32.82g(237.44mmol)碳酸钾、700ml甲苯、280ml乙醇及175ml水混合并抽真空,且用氩吹扫四次。然后,添加5.38g(4.66mmol)四三苯基膦钯。将混合物在搅拌下加热至回流并保持2.5小时,然后冷却至室温。分离各相,并用甲苯(各250ml)将水相萃取两次。用水(各100ml)将合并的有机相洗涤三次,经硫酸镁干燥,过滤,并在旋转蒸发器上蒸发溶剂。通过急骤层析使用庚烷/乙酸乙酯作为洗脱剂来纯化粗制产物(16.8g),从而得到12.4g(74%)5-溴-3-(5-溴-2-甲氧基苯基)吡啶-2-胺。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.07(s,1H);7.54-7.51(m,2H);7.36(s,1H);6.90(d,J=8.8Hz,1H);5.10(s,2H);3.82(s,3H)
Figure BDA0003316287800001052
d)将12.4g(35mmol)5-溴-3-(5-溴-2-甲氧基苯基)吡啶-2-胺于170ml THF及430ml冰乙酸中的溶液冷却至0℃,并逐滴添加7.14g(69mmol)亚硝酸叔丁基酯。将反应混合物在0℃下搅拌过夜,使其升温至室温,将其倾倒于800ml冰水上,并搅拌1小时。过滤黄色悬浮液,用冰水洗涤并干燥,从而得到8.5g(75%)纯产物。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ8.55(s,1H);8.40(s,1H);8.10(s,1H);7.70(d,J=8.7Hz,1H);7.60(d,J=8.7Hz,1H)
Figure BDA0003316287800001061
e)将267.3mg(0.818mmol)实施例2d)的产物、702.7mg(1.72mmol)实施例2b)的产物、576.2mg(4.17mmol)K2CO3、50ml甲苯、25ml乙醇与11ml水的混合物抽真空,并用氩吹扫5次。添加47.2mg(0.041mmol)四三苯基膦钯,并将反应混合物加热至回流并保持18小时。添加10ml 2%NaCN水溶液并将反应混合物冷却至室温。添加50ml水及50ml甲苯,将悬浮液搅拌15分钟,过滤,用甲苯/水洗涤并干燥。产量:330mg(55%)黄色晶体。
1H NMR(400MHz,DMSO):δ9.15(d,J=3.2Hz,1H);8.93(d,J=3.2Hz,1H);8.73(d,J=2.0Hz,1H);8.40-8.14(m,6H);8.10-7.56(m,12H);7.53-7.13(m,8H)。
应用实施例1
首先使用丙酮/异丙醇混合物在超音波浴中清洗用作阳极的ITO基板。为消除任何可能的有机残余物,将基板在臭氧烘箱中再暴露于连续臭氧流25分钟。此处理亦改进了ITO的空穴注入性质。然后旋涂
Figure BDA0003316287800001063
OC AJ20-1000(购自Plextronics公司)并干燥以形成空穴注入层(约40nm)。
此后,通过气相沉积以大约0.5-5nm/min的速率在约10-7-10-9毫巴下将下文指定的有机材料施加至清洁基板。作为空穴传输及激子阻断层,以20nm的厚度将
Figure BDA0003316287800001062
施加至基板,其中前10nm掺杂有MoOx(约10%)以改进导电性。
随后,通过气相沉积以40nm的厚度施加10重量%发射体化合物、
Figure BDA0003316287800001071
与90重量%化合物
Figure BDA0003316287800001072
的混合物。然后,沉积化合物(E-57)作为阻断层,其厚度为5nm。此后,沉积20nm厚的电子传输层,其由50重量%
Figure BDA0003316287800001073
及50%
Figure BDA0003316287800001074
(Liq)组成。最后,2nm KF层用作电子注入层,且100nm厚的Al电极完成器件。
所有制作部分皆用玻璃盖及吸气剂密封于惰性氮气氛中。
为表征OLED,在各种电流及电压下记录电致发光光谱。此外,组合所发射的光输出来量测电流-电压特性。可通过使用亮度计进行校准来将光输出转化成亮度参数。
Figure BDA0003316287800001075
1)外部量子效率(EQE)为自基板或器件逃逸所生成光子的数量/流经该基板或器件的电子的数量。
应用实施例2
通过气相沉积在约10-7-10-9毫巴下以大约0.5-5nm/min的速率将92重量%化合物
Figure BDA0003316287800001076
及8重量%化合物
Figure BDA0003316287800001081
施加至石英基板,其厚度为80nm。
在室温及370nm的激发波长下使用绝对量子产率量测体系“Quantaurus”(来自Hamamatsu,Japan)来量测PL光谱及PL量子效率。
PLQE[%] CIE
应用实施例2 54.0% 0.17/0.37

Claims (10)

1.一种下式的化合物,
Figure FDA0003316287790000011
其中
B1为N或CR81
B2为N或CR82
B3为N或CR83
B4为N或CR84
B5为N或CR85
B6为N或CR86
B7为N或CR87
B8为N或CR88,其中R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此独立地为H、可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基、可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团,
o为0或1,p为0或1,q为0或1,r为0或1,
A1、A2、A3及A4彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24叉芳基或可任选地经G取代的C2-C30叉杂芳基;
R16为-NR10R11或-Si(R12)(R13)(R14)、可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
R10及R11彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
R12、R13及R14彼此独立地为可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-,
E为-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或F,
G为E,或C1-C18烷基、C6-C24芳基、经F、C1-C18烷基或间杂有O的C1-C18烷基取代的C6-C24芳基;C2-C30杂芳基,或经F、C1-C18烷基或间杂有O的C1-C18烷基取代的C2-C30杂芳基;
R63及R64彼此独立地为H;C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基;
R65及R66彼此独立地为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基;或
R65及R66一起形成五员或六员环,
R67为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R68为H;C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R69为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R70及R71彼此独立地为C1-C18烷基、C6-C18芳基或经C1-C18烷基取代的C6-C18芳基,且
R72为C1-C18烷基、C6-C18芳基或经C1-C18烷基取代的C6-C18芳基,
取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中的至少一个代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团;其中
X1为Cl、Br或I、ZnX12,X12为卤素原子;-SnR207R208R209,其中R207、R208及R209为相同或不同且为H或C1-C8烷基,其中两个基团任选地形成公共环,且这些基团任选地具支链或无支链;-B(OH)2、-B(OY1)2
Figure FDA0003316287790000021
-BF4Na或-BF4K,其中Y1在每次出现时独立地为C1-C18烷基且Y2在每次出现时独立地为C2-C10亚烷基,且Y13及Y14彼此独立地为氢或C1-C18烷基,限制条件为以下化合物排除在外:
Figure FDA0003316287790000031
Figure FDA0003316287790000032
Figure FDA0003316287790000033
排除在外。
2.如权利要求1的化合物,其为下式的化合物
Figure FDA0003316287790000041
3.如权利要求2的化合物,其中式(II’)、(II”)、(II”’)、(II””)及(II””’)的化合物中的取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中的一个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团。
4.如权利要求2的化合物,其中式(II’)、(II”)、(II”’)、(II””)及(II””’)的化合物中的取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中的两个为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1的基团。
5.如权利要求1-4中任一项的化合物,其为下式的化合物
Figure FDA0003316287790000042
Figure FDA0003316287790000051
6.如权利要求5的化合物,其为式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIi)、(IIj)、(IIl)及(IIn)的化合物。
7.如权利要求5的化合物,其为式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIj)及(IIn)的化合物。
8.一种下式的化合物,
Figure FDA0003316287790000061
其中
B1为N或CR81
B2为N或CR82
B3为N或CR83
B4为N或CR84
B5为N或CR85
B6为N或CR86
B7为N或CR87
B8为N或CR88
R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此独立地为H、可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基、可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团,o为0或1,p为0或1,q为0或1,r为0或1,
A1、A2、A3及A4彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24叉芳基或可任选地经G取代的C2-C30叉杂芳基;
R16为-NR10R11或-Si(R12)(R13)(R14)、可任选地经G取代的C6-C24芳基;或
可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
R10及R11彼此独立地为可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
R12、R13及R14彼此独立地为可任选地经E取代及或间杂有D的C1-C25烷基;可任选地经G取代的C6-C24芳基;或可任选地经G取代的C2-C30杂芳基;
D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-,
E为-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或F,
G为E,或C1-C18烷基、C6-C24芳基、经F、C1-C18烷基或间杂有O的C1-C18烷基取代的C6-C24芳基;C2-C30杂芳基,或经F、C1-C18烷基或间杂有O的C1-C18烷基取代的C2-C30杂芳基;
R63及R64彼此独立地为H;C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基;
R65及R66彼此独立地为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基;或
R65及R66一起形成五员或六员环,
R67为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R68为H;C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R69为C6-C18芳基;经C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或间杂有-O-的C1-C18烷基,
R70及R71彼此独立地为C1-C18烷基、C6-C18芳基或经C1-C18烷基取代的C6-C18芳基,且
R72为C1-C18烷基、C6-C18芳基或经C1-C18烷基取代的C6-C18芳基,限制条件为
取代基B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7及B8中的至少一个代表N;
基团B1、B2、B3及B4中不超过两个代表N;且
基团B5、B6、B7及B8中不超过两个代表N;且
另一限制条件为取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中的至少一个代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16的基团,其中R16代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基,其可任选地经G取代;和/或基团A1、A2、A3及A4中的至少一个代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-叉基,其可任选地经G取代。
9.一种电子器件,其包含如权利要求8中的化合物。
10.一种空穴传输层或发射层,其包含如权利要求8中的化合物。
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