JP6730470B2 - エレクトロニクス用途のための４Ｈ−イミダゾ［１，２−ａ］イミダゾール - Google Patents

Description

本発明は、式Ｉの化合物、その製造方法、および電子デバイス、特にエレクトロルミネ
センスデバイス、におけるそれらの使用に関する。式Ｉの化合物は、エレクトロルミネセ
ンスデバイスにおける正孔輸送材料として使用される場合、改良された、効率、安定性、
製造可能性、またはエレクトロルミネセンスデバイスのスペクトル特性を提供し得る。

Ｋｈａｎ，Ｍｉｓｂａｈｕｌ Ａｉｎ；Ｒｉｂｅｉｒｏ，Ｖｅｒａ Ｌｕｃｉａ Ｔｅｉ
ｘｅｉｒａ，Ｐａｋｉｓｔａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉ
ｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ４３（２０００）１６８−１７０には、トリアル
キルホスフィット誘導脱酸素化ならびに１−（ｏ−ニトロフェニル）ベンズイミダゾール
および１−（ｏ−アジドフェニル）ベンズイミダゾールの熱分解による、ベンズイミダゾ
［１，２−ａ］ベンズイミダゾール：

の合成について記載されている。

Ｐｅｄｒｏ Ｍｏｌｉｎａ ｅｔ ａｌ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ（１９９４）１００２
９−１００３６には、ビス（２−アミノフェニル）アミンから誘導されたビス（イミノホ
スホラン）と２当量のイソシアネートとのアザＷｉｔｔｉｇ型の反応から、ベンズイミダ
ゾ［１，２，ａ］ベンズイミダゾール誘導体が直接得られることが報告されている。

Ｋｏｌｅｓｎｉｋｏｖａ，Ｉ．Ｖ．；Ｚｈｕｒｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ Ｋ
ｈｉｍｉｉ ２５（１９８９）１６８９−９５には、５Ｈ−ベンズイミダゾ［１，２−ａ
］ベンズイミダゾール１，２，３，４，７，８，９，１０−オクタフルオロ−５−（２，
３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）の合成について記載されている。

Ａｃｈｏｕｒ，Ｒｅｄｄｏｕａｎｅ；Ｚｎｉｂｅｒ，Ｒａｃｈｉｄ，Ｂｕｌｌｅｔｉｎ
ｄｅｓ Ｓｏｃｉｅｔｅｓ Ｃｈｉｍｉｑｕｅｓ Ｂｅｉｇｅｓ ９６（１９８７）７８７
−９２には、ベンズイミダゾベンズイミダゾール：

（これは、ベンズイミダゾリノン誘導体から製造されている）の合成について記載されて
いる。

Ｈｕｂｅｒｔ，Ａｎｄｒｅ Ｊ．；Ｒｅｉｍｌｉｎｇｅｒ，Ｈａｎｓ，Ｃｈｅｍｉｓｃ
ｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １０３（１９７０）２８２８−３５には、ベンズイミダゾベンズ
イミダゾール

の合成について記載されている。

特開２００１−１６０４８８号には、対向する陽極と陰極との間に単層または多層の有
機化合物膜を有する発光層を有し、当該有機化合物膜の少なくとも１つの層が式：

によって示される化合物の少なくとも１種を含有する、エレクトロルミネセント素子につ
いて記載されている。以下の化合物：

についても明確に開示されている。

米国特許出願公開第２０１０／０２４４００６号は、陰極；陽極；および当該陰極と陽
極の間の少なくとも１つの有機層、を含む有機エレクトロルミネセントデバイスに関する
ものである。当該少なくとも１つの有機層は、少なくとも１種の発光材料を含有する発光
層を含む。以下の式：

によって表される化合物が、当該少なくとも１つの有機層中に含有されており、この場合
、ｎは２以上の整数を表し、Ｌはｎ価の結合基を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、およびＲ⁴は、そ
れぞれ独立して、水素原子または置換基を表している。

米国特許出願公開第２０１０／０２４４００６号に記載されている化合物は、好ましく
は、発光層においてホストとして使用される。

は、米国特許出願公開第２０１０／０２４４００６号に開示される化合物の例を表してい
る。

韓国特許第１０２０１１０００８７８４号は、式：

の新規の有機ルミネセント化合物、ならびにそれを含む有機エレクトロルミネセンスデバ
イスに関するものである。

米国特許出願公開第２００５／０７９３８７号は、式Ａｒ₁−Ａｒ₂−Ａｒ₃の化合物（
青色ルミネセントホスト化合物）を含むイミダゾール環、ならびにそれを使用する有機エ
レクトロルミネセンス（ＥＬ）表示デバイスに関するものである。

Ａｒ₂は、

からなる群より選択され、Ａｒ₁およびＡｒ₃のそれぞれは、独立して、

［式中、Ｘ’は、ＯまたはＳである］から選択される。

米国特許出願公開第２００５／０７４６３２号は、式：

の化合物を有するイミダゾール環、ならびにそれを用いた有機エレクトロルミネセンス（
ＥＬ）表示デバイスに関するものである。特に、当該イミダゾール環含有化合物は、エレ
クトロルミネセント層などの有機膜の材料として、単独で、またはドーパントと組み合わ
せて使用することができる。

Ａは、

からなる群より選択され、Ｂは、

からなる群より選択される。Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、および−ＮＨ−からなる
群より選択される。

特開２００７−１８０１４７号は、有機エレクトロルミネセンス素子に関するものであ
り、当該素子は、陽極と陰極とによって挟持され、少なくとも発光層を有し、当該発光層
は、一般式１、２、３、または４：

によって表される化合物を含有する。Ａｒ₁〜Ａｒ₄＝芳香族基または芳香族複素環基；Ｒ
₁〜Ｒ₅＝Ｈまたは置換基；Ｚ₁＝５または６員環の複素環を形成するために必要な残基；
Ｌ₁、Ｌ₂＝結合または連結基；ならびにＸ₁〜Ｘ₁₆＝炭素または窒素。Ａｒ₁およびＡｒ₂
ならびにＡｒ₃およびＡｒ₄の一部において、新しい環が形成されてもよい。

以下の化合物：

について、明確に開示されている。

米国特許第６５５１７２３号は、一対の電極の間に発光層、または発光層を含有する有
機化合物薄層を含む有機エレクトロルミネセンス素子に関するものであり、当該有機エレ
クトロルミネセンス素子における少なくとも１つの層は、式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）：

によって表される少なくとも１種の複素環式化合物を含む。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₂₁、Ｒ
₂₂、Ｒ₃₁、Ｒ₃₂、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₅₁、Ｒ₆₁、およびＲ₇₁は、それぞれ独立して、水素原子
または置換基であり；Ｚ₁、Ｚ₂、Ｚ₃、Ｚ₄、Ｚ₅、Ｚ₆、およびＺ₇は、５または６員環を
形成するために必要な原子団である。式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）によって表される化合物は、
特に、発光層および／または電子注入／輸送層に加えられる。以下の化合物：

について、明確に開示されている。

国際公開第２０１１／１６０７５７号は、陽極、陰極、および式：

［式中、Ｘは、単結合であってもよく、Ｌは、二価の基であってもよい］の化合物を含有
する少なくとも１つの有機層を備える電子デバイスに関するものである。以下の４Ｈ−イ
ミダゾ［１，２−ａ］イミダゾール化合物：

についても、明確に開示されている。

特開２００１−１６０４８８号公報 米国特許出願公開第２０１０／０２４４００６号明細書 米国特許出願公開第２０１０／０２４４００６号明細書 米国特許出願公開第２０１０／０２４４００６号明細書 韓国特許第１０２０１１０００８７８４号明細書 米国特許出願公開第２００５／０７９３８７号明細書 米国特許出願公開第２００５／０７４６３２号明細書 特開２００７−１８０１４７号公報 米国特許第６５５１７２３号明細書 国際公開第２０１１／１６０７５７号

Ｋｈａｎ，Ｍｉｓｂａｈｕｌ Ａｉｎ；Ｒｉｂｅｉｒｏ，Ｖｅｒａ Ｌｕｃｉａ Ｔｅｉｘｅｉｒａ，Ｐａｋｉｓｔａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ４３（２０００）１６８−１７０ Ｐｅｄｒｏ Ｍｏｌｉｎａ ｅｔ ａｌ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ（１９９４）１００２９−１００３６ Ｋｏｌｅｓｎｉｋｏｖａ，Ｉ．Ｖ．；Ｚｈｕｒｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ Ｋｈｉｍｉｉ ２５（１９８９）１６８９−９５ Ａｃｈｏｕｒ，Ｒｅｄｄｏｕａｎｅ；Ｚｎｉｂｅｒ，Ｒａｃｈｉｄ，Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ｄｅｓ Ｓｏｃｉｅｔｅｓ Ｃｈｉｍｉｑｕｅｓ Ｂｅｉｇｅｓ ９６（１９８７）７８７−９２ Ｈｕｂｅｒｔ，Ａｎｄｒｅ Ｊ．；Ｒｅｉｍｌｉｎｇｅｒ，Ｈａｎｓ，Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １０３（１９７０）２８２８−３５

これらの開発にもかかわらず、改良された、効率、安定性、製造可能性、および／また
はエレクトロルミネセンスデバイスのスペクトル特性を提供するための、新規の正孔輸送
材料を含む有機発光デバイスが依然として必要とされている。

したがって、本発明の目的は、前述の先行技術に関連して、ＯＬＥＤおよび有機エレク
トロニクスにおけるさらなる用途での使用に好適なさらなる材料を提供することである。
より具体的には、ＯＬＥＤでの使用のための、正孔輸送材料、電子／励起子ブロッカー材
料、およびマトリックス材料を提供可能であるべきである。当該材料は、とりわけ、少な
くとも１つのリン光発光体、とりわけ、少なくとも１つの緑色発光体または少なくとも１
つの青色発光体、を含むＯＬＥＤに好適であるべきである。さらに、当該材料は、良好な
効率、良好な作動寿命、および熱ストレスに対する高い安定性、ならびにＯＬＥＤの低い
使用電圧および作動電圧を確保するＯＬＥＤの提供に好適であるべきである。

ある特定のイミダゾール誘導体

（Ｒ^9’は、Ｒ⁹と同じ意味を有し、Ｒ^10’は、Ｒ¹⁰と同じ意味を有する）が、有機エレク
トロルミネセントデバイスでの使用に好適であることが分かっている。特に、ある特定の
イミダゾール誘導体は、好適な正孔輸送材料、あるいは良好な効率および耐久性を有する
リン光発光体のための良好なホスト材料である。

上記の目的は、式：

［式中、
Ｘ⁶は−Ｎ＝でありかつＸ⁷は−ＮＲ¹−であるか、または、
Ｘ⁷は＝Ｎ−でありかつＸ⁶は−ＮＲ¹−であり、
Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶の基であり、
ｐは０または１であり、ｑは０または１であり、ｒは０または１であり、
Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、場合によりＧで置換されていてもよいＣ
₆〜Ｃ₂₄アリーレン基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリ
ーレン基であり、この場合、
基Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、１つ以上の基−（ＳｉＲ⁷Ｒ⁸）−で中断されていてもよ
く；
Ｒ⁶は、Ｈ、基−（ＳｉＲ²⁰Ｒ²¹Ｒ²²）、場合によりＧで置換されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄
アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基で
あり；
Ｒ⁷およびＲ⁸は、互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキル基またはＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基であ
り、これらは場合によりＧで場合により置換されていてもよく；
Ｘ¹は、ＮまたはＣＲ⁹であり；
Ｘ²は、ＮまたはＣＲ¹⁰であり、
Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ^9’、およびＲ^10’は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＥで置換されてい
てもおよび／またはＤで中断されていてもよいＣ₁〜Ｃ₂₅アルキル基、場合によりＧで置
換されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよい
Ｃ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基であり；
あるいは、Ｒ⁹およびＲ¹⁰ならびに／あるいはＲ^9’およびＲ^10’は、一緒に環を形成し、
これは、場合により置換されていてもよく、
Ｒ²⁰、Ｒ²¹、およびＲ²²は、互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキル基またはＣ₆〜Ｃ₂₄アリ
ール基であり、これらは、場合によりＧで場合により置換されていてもよく；Ｄは、−Ｃ
Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−ＮＲ⁶⁵−、−ＳｉＲ⁷⁰Ｒ^7
1−、−ＰＯＲ⁷²−、−ＣＲ⁶³＝ＣＲ⁶⁴−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、
Ｅは、−ＯＲ⁶⁹、−ＳＲ⁶⁹、−ＮＲ⁶⁵Ｒ⁶⁶、−ＣＯＲ⁶⁸、−ＣＯＯＲ⁶⁷、−ＣＯＮＲ⁶⁵Ｒ
⁶⁶、−ＣＮ、またはハロゲンであり、
Ｇは、Ｅ、またはＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリール基、Ｆで置換されているＣ₆
〜Ｃ₂₄アリール基、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、またはＯで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル；
Ｃ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基、またはＦで置換されているＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基、Ｃ
₁〜Ｃ₁₈アルキル、またはＯで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルであり；
Ｒ⁶³およびＲ⁶⁴は、互いに独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁〜Ｃ_1
8アルコキシ、で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル；または−Ｏ−
で中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルであり；
Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は、互いに独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ
₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または
−Ｏ−で中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり；あるいは、
Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は一緒に、５または６員環を形成し、
Ｒ⁶⁷は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置換さ
れているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または−Ｏ−で中断されているＣ
₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ⁶⁸は、Ｈ；Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置
換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または−Ｏ−で中断されてい
るＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ⁶⁹は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置換され
ているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または−Ｏ−で中断されているＣ₁
〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ⁷⁰およびＲ⁷¹は、互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基、また
はＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルで置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基であり、ならびに、
Ｒ⁷²は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基、またはＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルで置換
されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基であり；ただし、以下の化合物：

を除く］の化合物によって解決される。

特に、上記の目的は、式：

［式中、
Ｘ⁶は−Ｎ＝でありかつＸ⁷は−ＮＲ¹−であるか、または
Ｘ⁷は＝Ｎ−でありかつＸ⁶は−ＮＲ¹−であり、この場合、
Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶の基であり、
ｐは０または１であり、ｑは０または１であり、ｒは０または１であり、
Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、場合によりＧで置換されていてもよいＣ
₆〜Ｃ₂₄アリーレン基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリ
ーレン基であり、この場合、
基Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、１つ以上の基−（ＳｉＲ⁷Ｒ⁸）−で中断されていてもよ
く；
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＥで置換されていてもお
よび／またはＤで中断されていてもよいＣ₁〜Ｃ₂₅アルキル基；場合によりＧで置換され
ていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ
₃₀ヘテロアリール基であり；
Ｒ⁶は、Ｈ、基−（ＳｉＲ²⁰Ｒ²¹Ｒ²²）、場合によりＧで置換されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄
アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基で
あり；
Ｒ⁷およびＲ⁸は、互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキル基またはＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基であ
り、これらはＧで場合により置換されていてもよく；
Ｘ¹は、ＮまたはＣＲ⁹であり、
Ｘ²は、ＮまたはＣＲ¹⁰であり、
Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＥで置換されていてもおよび／また
はＤで中断されていてもよいＣ₁〜Ｃ₂₅アルキル基；場合によりＧで置換されていてもよ
いＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロア
リール基であり；あるいは、
Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、一緒に環を形成し、これは、場合により置換されていてもよく、
Ｒ²⁰、Ｒ²¹、およびＲ²²は、互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキル基またはＣ₆〜Ｃ₂₄アリ
ール基であり、これらは、場合によりＧで場合により置換されていてもよく；Ｄは、−Ｃ
Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−ＮＲ⁶⁵−、−ＳｉＲ⁷⁰Ｒ^7
1−、−ＰＯＲ⁷²−、−ＣＲ⁶³＝ＣＲ⁶⁴−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、
Ｅは、−ＯＲ⁶⁹、−ＳＲ⁶⁹、−ＮＲ⁶⁵Ｒ⁶⁶、−ＣＯＲ⁶⁸、−ＣＯＯＲ⁶⁷、−ＣＯＮＲ⁶⁵Ｒ
⁶⁶、−ＣＮ、またはハロゲンであり、
Ｇは、Ｅ、またはＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリール基、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルで置
換されているＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基であり；
Ｒ⁶³およびＲ⁶⁴は、互いに独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁〜Ｃ_1
8アルコキシ、で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル；または−Ｏ−
で中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルであり；
Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は、互いに独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ
₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または
−Ｏ−で中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり；あるいは
Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は一緒に５または６員環を形成し、
Ｒ⁶⁷は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置換さ
れているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または−Ｏ−で中断されているＣ
₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ⁶⁸は、Ｈ；Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置
換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または−Ｏ−で中断されてい
るＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ⁶⁹は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシで置換され
ているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；または−Ｏ−で中断されているＣ₁〜
Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ⁷⁰およびＲ⁷¹は、互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基、また
はＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルで置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基であり、ならびに
Ｒ⁷²は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基、またはＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルで置換
されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基である］の化合物によって解決される。

本発明の化合物は、電子写真感光体、光電変換素子、有機太陽電池（有機光発電）、ス
イッチング素子、例えば、有機トランジスタ、例えば、有機ＦＥＴおよび有機ＴＦＴ、有
機発光電界効果トランジスタ（ＯＬＥＦＥＴ）、画像センサー、色素レーザー、ならびに
エレクトロルミネセントデバイス、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、に使用す
ることができる。

したがって、本発明のさらなる主題は、本発明による化合物を含む電子デバイスを対象
としている。当該電子デバイスは、好ましくは、エレクトロルミネセントデバイスである
。

式Ｉの化合物は、原則として、ＥＬデバイスの任意の層において使用することができる
が、好ましくは、ホスト、正孔輸送材料、および電子ブロッキング材料として使用される
。特に、式Ｉの化合物は、青色光を発するリン光発光体のホスト材料として使用される。

したがって、本発明のさらなる主題は、本発明による式Ｉの化合物を含む正孔輸送層を
対象とする。

本発明のさらなる主題は、本発明による式Ｉの化合物を含む発光層を対象とする。当該
実施形態において、式Ｉの化合物は、好ましくは、リン光発光体との組み合わせにおいて
ホスト材料として使用される。

本発明のさらなる主題は、本発明による式Ｉの化合物を含む電子ブロッキング層を対象
とする。

式Ｉの化合物は、とりわけ、式：

［式中、
Ｘ⁶は−Ｎ＝でありかつＸ⁷は−ＮＲ¹−であるか、または
Ｘ⁷は＝Ｎ−でありかつＸ⁶は−ＮＲ¹−であり、
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＥで置換されていてもお
よび／またはＤで中断されていてもよいＣ₁〜Ｃ₂₅アルキル基；場合によりＧで置換され
ていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ
₃₀ヘテロアリール基であり；
Ｘ¹、Ｘ²、Ｒ¹、Ｅ、Ｄ、およびＧは、上記において定義した通りである］の化合物であ
る。

式Ｉの化合物は、式：

の化合物であってもよく、この場合、Ｘ⁶は−Ｎ＝でありかつＸ⁷は−ＮＲ¹−であるか、
あるいはＸ⁷は＝Ｎ−でありかつＸ⁶は−ＮＲ¹−である。とりわけ好ましいのは、式Ｉｄ
の化合物であり、この場合、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は一緒に、環：

［式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、下記において定義される通りである］を形成
する。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、好ましくはＨである。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、および
Ｒ⁵は、好ましくはＨである。

好ましい実施形態において、式（Ｉ）の化合物は、式：

の化合物である。別の好ましい実施形態において、式（Ｉ）の化合物は、式：

の化合物である。

好ましくは、式Ｉの化合物は、式：

の化合物である。式Ｉｂ’およびＩｄ’の化合物が好ましい。式Ｉｄ’の化合物がより好
ましい。

さらにより好ましいのは、Ｒ⁹およびＲ¹⁰が一緒に、環：

［式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、下記において定義される通りである］を形成
している式Ｉｄ’の化合物である。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、好ましくはＨであ
る。

Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵は、好ましくはＨである。

軸に対して対称ではない式Ｉの化合物、例えば、Ｒ⁹およびＲ¹⁰がＨである式Ｉｄ’の
化合物など、は、２つの異性型：

に存在し得る。以下の化合物：

の混合物の合成について説明する、実施例２を参照されたい。

４Ｈ−イミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールは、ＡＲＫＩＶＯＣ ２００２（ｖ
）４８−６１に記載されている通りに製造する。４Ｈ−イミダゾ［１，２−ａ］ベンズイ
ミダゾールと１−ブロモ−３−ヨード−ベンゼンとのウルマン反応により、およそ１：１
の比率において２つの異性体が得られる。

Ｒ²⁰、Ｒ²¹、およびＲ²²は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−
ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルヘ
キシル、またはｎ−ヘプチル、Ｃ₆〜Ｃ₁₄アリール、例えば、フェニル、ナフチル、また
はビフェニリル、あるいは、Ｇで置換されているＣ₆〜Ｃ₁₄アリール、例えば、−Ｃ₆Ｈ₄
ＯＣＨ₃、−Ｃ₆Ｈ₄ＯＣＨ₂ＣＨ₃、−Ｃ₆Ｈ₃（ＯＣＨ₃）₂もしくは−Ｃ₆Ｈ₃（ＯＣＨ₂ＣＨ
₃）₂、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₃、−Ｃ₆Ｈ₃（ＣＨ₃）₂、−Ｃ₆Ｈ₂（ＣＨ₃）₃、または−Ｃ₆Ｈ₄Ｂｕ
である。

Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、好ましくは、Ｈ、あるいは、Ｃ₆〜Ｃ₁₄アリール、例えば、フェニル
、ナフチル、またはビフェニリル（場合により１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈アルキル基で置換され
ていてもよい）；またはＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール、例えば、ジベンゾフラニル（場合に
より１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈アルキル基で置換されていてもよい）、である。

好ましい実施形態において、本発明は、式：

［式中、
Ｘ⁶は−Ｎ＝でありかつＸ⁷は−ＮＲ¹−であるか、または
Ｘ⁷は＝Ｎ−でありかつＸ⁶は−ＮＲ¹−であり、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＥで置換されていて
もおよび／またはＤで中断されていてもよいＣ₁〜Ｃ₂₅アルキル基；場合によりＧで置換
されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂
〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基であり、ならびにＥ、Ｄ、Ｇ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵
は、上記において定義される通りである］の化合物を対象とする。

好ましい実施形態において、式（ＩＩ）の化合物は、式：

の化合物である。別の好ましい実施形態において、式（ＩＩ）の化合物は、式：

の化合物である。

Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴がＨであり、ならびにＲ¹が上記
において定義される通りである、式ＩＩの化合物：

が、さらにより好ましい。

Ｒ⁶は、場合によりＧで置換されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧ
で置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基であってもよい。

場合によりＧで置換されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基Ｒ⁶は、典型的には、フェニ
ル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、ナフチル、とりわけ１−ナフチルもし
くは２−ナフチル、ビフェニリル、ターフェニリル、ピレニル、２−もしくは９−フルオ
レニル、フェナントリル、またはアントリルであり、これらは、非置換であってもまたは
置換されていてもよい。

場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基であるＲ⁶は、５〜７
員環原子または縮合環系を表しており、この場合、窒素、酸素、または硫黄が、可能なヘ
テロ原子であり、ならびに、典型的には、少なくとも６つの共役π電子を有する５〜３０
個の原子を有する複素環基、例えば、チエニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェ
ニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベ
ンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニ
ル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、プリニル、キノリジ
ニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナ
ゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルボリニル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオ
キサゾリル、フェナントリジニル、アクリジニル、ピリミジニル、フェナントロリニル、
フェナジニル、イソチアゾリル、フェノチアジニル、イソキサゾリル、フラザニル、４−
イミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾイル、５−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベンズ
イミダゾイル、カルバゾリル、またはフェノキサジニル、であり、これらは、非置換であ
ってもまたは置換されていてもよい。さらに、Ｃ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基Ｒ⁶は、４Ｈ−
［１，２，４］トリアゾロ［１，５−ａ］ベンズイミダゾイルを含み、これは、非置換で
あってもまたは置換されていてもよい。

Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリールおよびＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基は、Ｇで場合により置換されてい
てもよく、ならびに、好ましくは、１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈アルキル基で置換されている。

好ましいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基は、ピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、４
−イミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾイル、５−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベン
ズイミダゾイル、カルバゾリル、ジベンゾフラニルであり、これらは、非置換であっても
よく、あるいは、とりわけＣ₆〜Ｃ₁₀アリール、またはＣ₁〜Ｃ₄アルキルで置換されてい
るＣ₆〜Ｃ₁₀アリール、またはＣ₂〜Ｃ₅ヘテロアリールで置換されていてもよい。４Ｈ−
［１，２，４］トリアゾロ［１，５−ａ］ベンズイミダゾイルも、好ましいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘ
テロアリール基Ｒ⁶を表す。

Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、場合によりＧで置換されていてもよい
Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリーレン基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロア
リーレン基である。場合によりＧで置換されていてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリーレン基Ａ¹、Ａ
²、Ａ³、およびＡ⁴は、典型的には、フェニレン、４−メチルフェニレン、４−メトキシ
フェニレン、ナフチレン、とりわけ、１−ナフチレンもしくは２−ナフチレン、ビフェニ
リレン、ターフェニリレン、ピレニレン、２−もしくは９−フルオレニレン、フェナント
リレン、またはアントリレンであり、これらは、非置換であってもまたは置換されていて
もよい。

場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリーレン基Ａ¹、Ａ²、Ａ³、お
よびＡ⁴は、５〜７員環原子または縮合環系を表しており、この場合、窒素、酸素、また
は硫黄が、可能なヘテロ原子であり、ならびに、典型的には、少なくとも６つの共役π電
子を有する５〜３０個の原子を有する複素環基、例えば、チエニレン、ベンゾチオフェニ
レン、ジベンゾチオフェニレン、チアントレニレン、フリレン、フルフリレン、２Ｈ−ピ
ラニレン、ベンゾフラニレン、イソベンゾフラニレン、ジベンゾフラニレン、フェノキシ
チエニレン、ピロリレン、イミダゾリレン、ピラゾリレン、ピリジレン、ビピリジレン、
トリアジニレン、ピリミジニレン、ピラジニレン、ピリダジニレン、インドリジニレン、
イソインドリレン、インドリレン、インダゾリレン、プリニレン、キノリジニレン、キノ
リレン、イソキノリレン、フタラジニレン、ナフチリジニレン、キノキサリニレン、キナ
ゾリニレン、シンノリニレン、プテリジニレン、カルボリニレン、ベンゾトリアゾリレン
、ベンゾキサゾリレン、フェナントリジニレン、アクリジニレン、ピリミジニレン、フェ
ナントロリニレン、フェナジニレン、イソチアゾリレン、フェノチアジニレン、イソキサ
ゾリレン、フラザニレン、カルバゾリレン、またはフェノキサジニレンなど、であり、こ
れらは、非置換であってもまたは置換されていてもよい。

好ましいＣ₆〜Ｃ₂₄アリーレン基は、１，３−フェニレン、３，３’−ビフェニリレン
、３，３’−ｍ−ターフェニレン、２−もしくは９−フルオレニレン、フェナントリレン
であり、これらは、非置換であってもまたは置換されていてもよい。

好ましいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリーレン基は、ピリジレン、トリアジニレン、ピリミジニ
レン、カルバゾリレン、ジベンゾフラニレンであり、これらは、非置換であっても、ある
いは、とりわけ、Ｃ₆〜Ｃ₁₀アリール、またはＣ₁〜Ｃ₄アルキルもしくはＣ₂〜Ｃ₅ヘテロ
アリールで置換されているＣ₆〜Ｃ₁₀アリール、で置換されていてもよい。

より好ましいＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリーレン基は、カルバゾリレンおよびジベンゾフラニ
レンであり、場合によりこれらは、場合により１つ以上のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基で置換され
ていてもよいＣ₆〜Ｃ₁₀アリールで置換されていてもよい。

Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリーレンおよびＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリーレン基は、Ｇで場合により置換され
ていてもよく、ならびに、好ましくは、１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈アルキル基で置換されている
。

「Ｃ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基」なる用語が、例えば、式：

の基を含む場合、基Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、例えば、式：

のうちの１つ以上の基で置換されていてもよく、結果、例えば、式：

の化合物を生じ、この場合、Ａ¹は、式：

であり、ならびにＲ⁶は、式：

の基である。さらに、Ｒ⁶は、式：

の基であってもよい。Ｘ^6’は−Ｎ＝でありかつＸ^7’は−Ｎ＜であるか、あるいはＸ^7’
は＝Ｎ−でありかつＸ^6’は−Ｎ＜である。ｍ３は、０または１〜４の整数である。ｍ４
は、０または１〜３の整数である。

Ｒ¹は、好ましくは、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶、例えば、−Ａ¹−
Ｒ⁶、−Ａ¹−Ａ²−Ｒ⁶、−Ａ¹−Ａ²−Ａ³−Ｒ⁶、−Ａ¹−Ａ²−Ａ³−Ａ⁴−Ｒ⁶、または

の基であり、この場合、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、式：

の基であり、この場合、
ｍ５は、０または１〜４の整数であり、
ｍ２は、０または１〜３の整数であり、
Ｘ³は、−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＮＲ¹⁵−であり、
Ｒ⁷およびＲ⁸は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ¹⁵は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；−Ｏ−で中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；Ｃ₆〜Ｃ_1
8アリール基；１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基またはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシ基で置換され
ているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール基、または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈
アルキル基で置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール基であり、
Ｒ⁴¹は、各場合において同じかまたは異なっていてもよく、ならびに、Ｆ，Ｃ₁〜Ｃ₁₈ア
ルキル、Ｅで置換されおよび／またはＤで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₂₄
アリール、Ｇで置換されているＣ₆〜Ｃ₂₄アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール、またはＧ
で置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリールであり、ならびにＲ⁶、ｐ、ｑ、ｒ、Ｅ、Ｄ、
およびＧは、上記または下記において定義される通りである。

式：

の基は、式：

の基よりも好ましくない。

より好ましくは、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁵は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アル
キル基で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基である。

Ｒ¹⁵は、好ましくは、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰は、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル基である。

基−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−が好ましく、この場合、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、お
よびＡ⁴のうちの少なくとも１つは、式：

の基であり、この場合、Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＮＲ¹⁵−であり、Ｒ¹⁵は、上記
において定義される通りである。基−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−がより好ま
しく、この場合、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴のうちの少なくとも１つは、式：

の基である。

好ましい基−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の例を以下に示す。

式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基のさらなる例は、式：

の基である。

別の好ましい実施形態において、Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ
⁶の基、例えば、−Ａ¹−Ｒ⁶、−Ａ¹−Ａ²−Ｒ⁶、−Ａ¹−Ａ²−Ａ³−Ｒ⁶、または−Ａ¹−
Ａ²−Ａ³−Ａ⁴−Ｒ⁶、であり、基Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴のうちの少なくとも１つは、
式：

の基であり；ならびに、残りは、互いに独立して、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁵は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アル
キル基で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基である。好ましい基−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ
³）_q−（Ａ⁴）_r−の例を以下に示す。

Ｒ⁶は、とりわけ、式：

の基であり、特段には、式：

の基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ⁴³、およびｍ３は、上記
において定義される通りである。

本発明の好ましい実施形態において、Ｒ⁶は、式：

の基、または基−（ＳｉＲ²⁰Ｒ²¹Ｒ²²）であり、この場合、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、
Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＥで置換されていてもおよ
び／またはＤで中断されていてもよいＣ₁〜Ｃ₂₅アルキル基；場合によりＧで置換されて
いてもよいＣ₆〜Ｃ₂₄アリール基、または場合によりＧで置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₃₀
ヘテロアリール基であり、
Ｒ¹⁶は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基で置換されている
Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基であり、
Ｒ²⁰、Ｒ²¹、およびＲ²²は、互いに独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上の
Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基であり、
Ｒ⁴³は、各場合において同じかまたは異なっていてもよく、ならびに、Ｆ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈ア
ルキル、Ｅで置換されおよび／またはＤで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₂₄
アリール、Ｇで置換されているＣ₆〜Ｃ₂₄アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール、またはＧ
で置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリールであり、
ｍ３は、０または１〜４の整数であり、ｍ４は、０または１〜３の整数であり、ならびに
Ｅ、Ｄ、およびＧは、上記において、または下記において定義される通りである。

Ｄは、好ましくは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−、
−ＮＲ⁶⁵−であり、Ｒ⁶⁵は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、またはｓｅｃ−ブチル、あるいはＣ₆
〜Ｃ₁₄アリール、例えば、フェニル、トリル、ナフチル、またはビフェニリル、である。

Ｅは、好ましくは、−ＯＲ⁶⁹；−ＳＲ⁶⁹；−ＮＲ⁶⁵Ｒ⁶⁵；−ＣＯＲ⁶⁸；−ＣＯＯＲ⁶⁷；
−ＣＯＮＲ⁶⁵Ｒ⁶⁵；または−ＣＮであり、この場合、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁷、Ｒ⁶⁸、およびＲ⁶⁹は、
互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ
−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、または２
−エチル−ヘキシル、あるいはＣ₆〜Ｃ₁₄アリール、例えば、フェニル、トリル、ナフチ
ル、またはビフェニリル、である。

Ｇは、Ｅと同じ選好性を有しているか、あるいはＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル、例えば、メチル
、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブ
チル、ヘキシル、オクチル、または２−エチル−ヘキシル、であるか、あるいは、Ｃ₁〜
Ｃ₁₈ペルフルオロアルキル、例えば、−ＣＦ₃、である。

Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、好ましくはＨである。

Ｒ⁴³は、好ましくは、Ｈ、またはＣ₆〜Ｃ₁₄アリール、例えば、フェニル、トリル、ナ
フチル、またはビフェニリルなど、であり、これらは場合により置換されていてもよい。

ｍ３は、好ましくは０または１、最も好ましくは０である。ｍ４は、好ましくは０また
は１、最も好ましくは０である。

Ｍ２は、好ましくは０または１、最も好ましくは０である。ｍ５は、好ましくは０また
は１、最も好ましくは０である。

Ｒ²⁰、Ｒ²¹、およびＲ²²は、好ましくは、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基である。

より好ましくは、Ｒ⁶は、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁶は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アル
キル基で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基である。

Ｒ¹⁶は、好ましくは、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基である。

好ましい実施形態において、本発明は、式：

［式中、Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶の基であり、
Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、式：

の基であり、
Ｒ⁶は、式：

の基であり、ならびに
Ｒ¹⁵は、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基であり、ならびに、ｐ、ｑ、および
ｒは、上記において定義される通りである］の化合物を対象とする。

当該実施形態において、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、とりわけ
、式：

（ＩＶｊ）の基である。式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基のさらなる例は
、式：

の基である。

現時点で最も好ましい式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、式（ＩＶａ
）、（ＩＶｂ）、（ＩＶｅ）、（ＩＶｌ）、（ＩＶｋ）、（ＩＶｓ）、（ＩＶｖ）、およ
び（ＶＩｊ）の基である。

好ましい化合物の例は、請求項８に示される化合物Ａ−１〜Ａ−２０、とりわけ、Ａ−
１〜Ａ−１９、ならびに下記の表に示される化合物Ａ−２１〜Ａ−３２である。

別の好ましい実施形態において、本発明は、式：

［式中、Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶の基であり、この場合、
Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴のうちの少なくとも１つは、式：

の基であり；ならびに、残りは、互いに独立して、式：

の基であり、Ｒ⁶は、式：

の基であり、ならびに、
Ｒ¹⁵は、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基であり、ならびにｐ、ｑ、およびｒ
は、上記において定義される通りである］の化合物を対象とする。

上記の実施形態において、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、とりわ
け、式：

の基である。

現時点で最も好ましい式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、式（ＩＶａ
）、（ＩＶｂ）、（ＩＶｅ）、（ＩＶｌ）、（ＩＶｋ）、（ＩＶｓ）、（ＩＶｖ）、およ
び（Ｖｌｊ）の基である。

式Ｉの化合物が、青色または緑色リン光発光体のホスト材料として、または電子／励起
子ブロッキング材料として使用される場合、
式：

の基、すなわち、式（ＩＶｐ）および（ＩＶｒ）の基、を有している、基Ａ¹−（Ａ²）_p
−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−は、それほど好ましくない。

好ましい化合物の例は、下記の表に示される化合物Ｃ−１〜Ｃ−７８である。

別の好ましい実施形態において、本発明は、式：

の化合物を対象とする。別の好ましい実施形態において、本発明は、式：

の化合物を対象とする。

上記の実施形態において、Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶の基
であり、この場合、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、式：

の基であり、
Ｒ⁶は、式：

の基であり、
Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基であり、ならびにｐ、ｑ、およびｒ
は、上記において定義される通りである。さらに、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、式：

の基を表し得る。さらに、Ｒ⁶は、式：

の基を表し得る。上記の実施形態において、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−
の基は、とりわけ、式：

の基である。さらに、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、式：

の基であり得る。

好ましい化合物の例は、請求項９に示される化合物Ｂ−１〜Ｂ−５、とりわけＢ−１〜
Ｂ−４、ならびに、下記の表に示される化合物Ｂ−６〜Ｂ−３５である。

好ましい化合物のさらなる例は、下記の表に示される化合物Ｊ−１〜Ｊ−３５、Ｋ−１
〜Ｋ−３５、ならびにＬ−１〜Ｌ−３５である。

別の好ましい実施形態において、本発明は、式：

の化合物を対象とし、この場合、Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−Ｒ⁶
の基であり；ならびにＡ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、ｐ、ｑ、およびｒは、
上記において定義される通りである。

Ｒ¹は、好ましくは、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ₄）_r−Ｒ⁶の基、または

であり、この場合、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、式：

［式中、
ｍ５は、０または１〜４の整数であり、
ｍ２は、０または１〜３の整数であり、
Ｘ³は、−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＮＲ¹⁵−であり、
Ｒ⁷およびＲ⁸は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基であり、
Ｒ¹⁵は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；−Ｏ−で中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基；Ｃ₆〜Ｃ_1
8アリール基；１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈アルコキシ基で置換されて
いるＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基；Ｃ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール基、または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈ア
ルキル基で置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール基であり、ならびに、
Ｒ⁴¹は、各場合において同じかまたは異なっていてもよく、ならびに、Ｆ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈ア
ルキル、Ｅで置換されおよび／またはＤで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₂₄
アリール、Ｇで置換されているＣ₆〜Ｃ₂₄アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール、またはＧ
で置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリールである］の基である。

Ｒ⁶は、好ましくは、式：

の基である。

Ｒ⁴³は、各場合において同じかまたは異なっていてもよく、ならびに、Ｆ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈
アルキル、Ｅで置換されおよび／またはＤで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₆〜Ｃ
₂₄アリール、Ｇで置換されているＣ₆〜Ｃ₂₄アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリール、または
Ｇで置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀ヘテロアリールであり、
ｍ３は、０または１〜４の整数である。Ｅ、Ｄ、Ｇ、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は、
上記において定義される通りである。

Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵は、好ましくは水素である。

好ましくは、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、およびＡ⁴は、互いに独立して、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁵は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アル
キル基で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基である。

Ｒ¹⁵は、好ましくは式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基である。

Ｒ⁶は、式：

の基、とりわけ、式：

の基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ⁴³、およびｍ３は、上記
において定義される通りである。

上記の実施形態において、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、とりわ
け、式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（ＩＶｃ）、（ＩＶｄ）、（ＩＶｅ）、（ＩＶｆ）、（
ＩＶｇ）、（ＩＶｈ）、（ＩＶｉ）、（ＩＶｊ）、（ＩＶｋ）、（ＩＶｌ）、（ＩＶｍ）
、（ＩＶｎ）、（ＩＶｏ）、（ＩＶｐ）、

（ＩＶｑ）、（ＩＶｒ）、（ＩＶｓ）、（ＩＶｔ）、（ＩＶｕ）、（ＩＶｖ）、（ＩＶｗ
）、（ＩＶｘ）、（ＩＶｙ）、（ＩＶｚ）、（ＶＩａ）、（Ｖｌｂ）、（ＶＩｃ）、（Ｖ
Ｉｄ）、（ＶＩｅ）、（ＶＩｆ）、（ＶＩｇ）、（ＶＩｈ）、（ＶＩｉ）、（ＶＩｊ）、
（ＶＩｋ）、（ＶＩｌ）、（ＶＩｍ）、（ＶＩｎ）、（ＶＩｏ）、（ＶＩｐ）、（ＶＩｑ
）、（ＶＩｒ）、（ＶＩｓ）、（ＶＩｔ）、または（ＶＩｕ）の基である。現時点で最も
好ましい式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−の基は、式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）
、（ＩＶｅ）、（ＩＶｌ）、（ＩＶｋ）、（ＩＶｓ）、（ＩＶｖ）、および（ＶＩｊ）の
基である。

好ましい化合物の例は、下記の表に示される化合物Ｄ−１〜Ｄ−１４４、Ｅ−１〜Ｅ−
１８３、ならびにＨ−１〜Ｈ−２６４である。

別の好ましい実施形態において、本発明は、式：

の化合物を対象とし、この場合、Ｒ¹は、式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−Ａ⁴−Ｒ⁶の基で
あり；この場合、Ａ¹、Ａ²、およびＡ³は、互いに独立して、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁵は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール基；または１つ以上のＣ₁〜Ｃ₁₈アル
キル基で置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈アリール基であり、
Ａ⁴は、式：

の基であり、これは、Ｎ原子を介してＡ³に結合しており；
Ｒ⁶は、式：

の基であり、ならびにｐおよびｑは、上記において定義される通りである。

Ｒ¹⁵は、好ましくは、式：

の基であり、この場合、Ｒ¹⁰⁰はＣ₁〜Ｃ₈アルキル基である。上記の実施形態において、
式−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−の基は、とりわけ、式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（ＩＶ
ｃ）、（ＩＶｄ）、（ＩＶｅ）、（ＩＶｆ）、（ＩＶｇ）、（ＩＶｉ）、（ＩＶｊ）、（
ＩＶｋ）、（ＩＶｌ）、（ＩＶｍ）、（ＩＶｎ）、（ＩＶｏ）、（ＩＶｐ）、（ＩＶｑ）
、（ＩＶｒ）、（ＩＶｓ）、（ＩＶｔ）、（ＩＶｕ）、（ＩＶｖ）、（ＩＶｗ）、（ＩＶ
ｘ）、（ＩＶｙ）、（ＩＶｚ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）、（ＶＩｃ）、（ＶＩｄ）、（
ＶＩｅ）、（ＶＩｆ）、（ＶＩｇ）、（ＶＩｈ）、（ＶＩｉ）、（ＶＩｊ）、（ＶＩｋ）
、（ＶＩｌ）、（ＶＩｍ）、（ＶＩｎ）、（ＶＩｏ）、（ＶＩｐ）、（ＶＩｑ）、（ＶＩ
ｒ）、（ＶＩｓ）、（ＶＩｔ）、または（ＶＩｕ）の基である。現時点で最も好ましい式
−Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−の基は、式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（ＩＶｅ）、（ＩＶ
ｌ）、（ＩＶｋ）、（ＩＶｓ）、（ＩＶｖ）、および（ＶＩｊ）の基である。

式Ｉの化合物が、青色または緑色リン光発光体のホスト材料として、または電子／励起
子ブロッキング材料として使用される場合、式：

の基を含有する基Ａ¹−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−、すなわち、式（ＩＶｐ）およ
び（ＩＶｒ）の基は、それほど好ましくない。好ましい化合物の例は、下記の表に示され
る化合物Ｆ−１〜Ｆ−６２、Ｇ−１〜Ｇ−６２である。

上記の表において、参照番号^1）、^2）、^3）、および^4）は、以下の意味を有する：
^1）Ｌ¹＝

^2）点線は、式：

の基への結合を示す。
^3）点線は、それぞれ、式：

の基への結合を示す。
^4）点線は、式：

の基への結合を示す。

別の好ましい実施形態において、本発明は、化合物Ｍ−１〜Ｍ−６２を対象とし、これ
らは、式：

の基を、式：

の基で置き換えることにより、化合物Ｆ−１〜Ｆ−６２から得られる。

別の好ましい実施形態において、本発明は、化合物Ｎ−１〜Ｎ−６２を対象とし、これ
らは、式：

の基を、式：

の基で置き換えることにより、化合物Ｆ−１〜Ｆ−６２から得られる。

別の好ましい実施形態において、本発明は、化合物Ｏ−１〜Ｏ−６２を対象とし、これ
らは、式：

の基を、式：

の基で置き換えることにより、化合物Ｆ−１〜Ｆ−６２から得られる。

別の好ましい実施形態において、本発明は、化合物Ｐ−１〜Ｐ−６２を対象とし、これ
らは、式：

の基を、式：

の基で置き換えることにより、化合物Ｇ−１〜Ｇ−６２から得られる。

別の好ましい実施形態において、本発明は、化合物Ｑ−１〜Ｑ−６２を対象とし、これ
らは、式：

の基を、式：

の基で置き換えることにより、化合物Ｇ−１〜Ｇ−６２から得られる。

別の好ましい実施形態において、本発明は、化合物Ｒ−１〜Ｒ−６２を対象とし、これ
らは、式：

の基を、式：

の基で置き換えることにより、化合物Ｇ−１〜Ｇ−６２から得られる。

現時点で最も好ましい化合物は、化合物：

である。

特に、式：

のイミダゾール部分を含有する化合物が有機エレクトロルミネセントデバイスにおける使
用に好適であることが、見出される。

ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素である。

Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキル（Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル）は、典型的には、可能であれば、直鎖状また
は分岐鎖状である。その例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３
−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ｎ−
ヘキシル、１−メチルヘキシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、ｎ−
ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、
３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、および２−
エチルヘキシル、ｎ−ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシ
ル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、またはオクタデシルである。Ｃ₁〜Ｃ₈
アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、
ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペ
ンチル、２，２−ジメチル−プロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、１
，１，３，３−テトラメチルブチル、および２−エチルヘキシルである。Ｃ₁〜Ｃ₄アルキ
ルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ
−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチルである。

Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルコキシ基（Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルコキシ基）は、直鎖状または分岐鎖状アルコキ
シ基、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、
ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシもしくはｔｅ
ｒｔ−アミルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、ノニルオ
キシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタ
デシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシ、およびオクタデシルオキシで
ある。Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシの例は、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキ
シ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチ
ルオキシ、２−ペンチルオキシ、３−ペンチルオキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、ｎ
−ヘキシルオキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、１，１，３，３−テトラ
メチルブトキシ、および２−エチルヘキシルオキシであり、好ましくはＣ₁〜Ｃ₄アルコキ
シ、例えば、典型的には、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−
ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、である。

「シクロアルキル基」なる用語は、典型的には、Ｃ₄〜Ｃ₁₈シクロアルキル、とりわけ
、Ｃ₅〜Ｃ₁₂シクロアルキル、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロウンデシル、シクロドデシル
、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、またはシクロオクチル
などであり、これらは、非置換であってもまたは置換されていてもよい。

Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリール（Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール）は、場合により置換されていてもよく、典型
的には、フェニル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、ナフチル、とりわけ１
−ナフチルもしくは２−ナフチル、ビフェニリル、ターフェニリル、ピレニル、２−もし
くは９−フルオレニル、フェナントリル、またはアントリルであり、これらは、非置換で
あってもまたは置換されていてもよい。

Ｃ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリールは、５〜７員環原子または縮合環系を表しており、この場合
、窒素、酸素、または硫黄が、可能なヘテロ原子であり、ならびに、典型的には、少なく
とも６つの共役π電子を有する５〜３０個の原子を有する複素環基、例えば、チエニル、
ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２
Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチ
エニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、
ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリ
ル、インダゾリル、プリニル、キノリジニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、
ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバ
ゾリル、カルボリニル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、フェナントリジニル
、アクリジニル、ピリミジニル、フェナントロリニル、フェナジニル、イソチアゾリル、
フェノチアジニル、イソオキサゾリル、フラザニル、４−イミダゾ［１，２−ａ］ベンズ
イミダゾイル、５−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾイル、カルバゾリル、
またはフェノキサジニルなど、であり、これらは、非置換であってもまたは置換されてい
てもよい。

Ｃ₆〜Ｃ₂₄アリール（Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール）およびＣ₂〜Ｃ₃₀ヘテロアリール基は、好ま
しくは、１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈アルキル基で置換されている。

「アリールエーテル基」なる用語は、典型的には、Ｃ_6〜24アリールオキシ基、すなわ
ち、Ｏ−Ｃ_6〜24アリール、例えば、フェノキシまたは４−メトキシフェニルなど、であ
る。

上記において言及した基の可能な置換基は、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル、ヒドロキシル基、メル
カプト基、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキルチオ、ハロゲン、ハロ−Ｃ₁〜Ｃ₈アル
キル、またはシアノ基である。

置換基、例えば、Ｒ⁴¹などが、１つの基において複数生じる場合、それらは、各場合に
おいて異なっていてもよい。

「Ｇで置換されている」なる語句は、１つ以上、とりわけ１〜３つの置換基Ｇが存在し
得ることを意味する。

上記において説明されるように、前述の基は、Ｅで置換されていてもよく、および／ま
たは所望であればＤで中断されていてもよい。割り込みは、当然のことながら、単結合で
互いに接続されている少なくとも２つの炭素原子を有する基の場合にのみ可能であり、Ｃ
₆〜Ｃ₁₈アリールは、割り込まれず；中断されているアリールアルキルは、アルキル部分
にユニットＤを含有する。１つ以上のＥで置換されおよび／または１つ以上の単位Ｄで中
断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルは、例えば、（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_1〜9−Ｒ^xであり、この場
合、Ｒ^xは、Ｈ、またはＣ₁〜Ｃ₁₀アルキル、またはＣ₂〜Ｃ₁₀アルカノイル（例えば、Ｃ
Ｏ−ＣＨ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃ₄Ｈ₉）、ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＲ^y’）−ＣＨ₂−Ｏ−Ｒ^yであり、この場
合、Ｒ^yは、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₅〜Ｃ₁₂シクロアルキル、フェニル、Ｃ₇〜Ｃ₁₅フェニ
ルアルキルであり、Ｒ^y’は、Ｒ^yと同じ定義を包含するか、または、Ｈ；Ｃ₁〜Ｃ₈アルキ
レン−ＣＯＯ−Ｒ^z、例えば、ＣＨ₂ＣＯＯＲ^z、ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＯＯＲ^z、Ｃ（ＣＨ₃）₂
ＣＯＯＲ^z（この場合、Ｒ^zは、Ｈ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_1〜9−Ｒ^xであ
り、Ｒ^xは、上記に示した定義を包含する）；ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ₂；ＣＨ
₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−ＣＯ−Ｃ（ＣＨ₃）＝ＣＨ₂である。

式：

の合成は、例えば、Ａｃｈｏｕｒ，Ｒｅｄｄｏｕａｎｅ；Ｚｎｉｂｅｒ，Ｒａｃｈｉｄ，
Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ｄｅｓ Ｓｏｃｉｅｔｅｓ Ｃｈｉｍｉｑｕｅｓ Ｂｅｉｇｅｓ ９６（
１９８７）７８７−９２に記載されている。

式：

の好適な基本骨格は、市販されている（とりわけ、Ｘが、Ｓ、Ｏ、ＮＨの場合）、または
当業者に既知のプロセスによって得られる。国際公開第２０１０／０７９０５１号および
欧州特許第１８８５８１８号を参照されたい。

ハロゲン化は、当業者に公知の方法によって実施することができる。式（ＩＩ）の基本
骨格、２、８位（ジベンゾフランおよびジベンゾチオフェン）または３、６位（カルバゾ
ール）、の３位および６位（二臭素化）あるいは３位または６位（一臭素化）での臭素化
およびヨウ素化が選好される。

場合により置換されていてもよいジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバ
ゾールは、氷酢酸中またはクロロホルム中で、臭素またはＮＢＳにより、２、８位（ジベ
ンゾフランおよびジベンゾチオフェン）において、または３、６位（カルバゾール）にお
いて二臭素化してもよい。例えば、Ｂｒ₂による臭素化は、低温、例えば０℃、において
、氷酢酸中またはクロロホルム中で実施することができる。好適なプロセスは、例えば、
Ｍ．Ｐａｒｋ，Ｊ．Ｒ．Ｂｕｃｋ，Ｃ．Ｊ．Ｒｉｚｚｏ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５４
（１９９８）１２７０７−１２７１４（Ｘ＝ＮＰｈの場合）、およびＷ．Ｙａｎｇ ｅｔ
ａｌ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．１３（２００３）１３５１（Ｘ＝Ｓの場合）に記載
されている。さらに、３，６−ジブロモカルバゾール、３，６−ジブロモ−９−フェニル
カルバゾール、２，８−ジブロモジベンゾチオフェン、２，８−ジブロモジベンゾフラン
、２−ブロモカルバゾール、３−ブロモジベンゾチオフェン、３−ブロモジベンゾフラン
、３−ブロモカルバゾール、２−ブロモジベンゾチオフェン、および２−ブロモジベンゾ
フランは、市販されている。

ジベンゾフラン（ジベンゾチオフェンの場合も同様に）の４位における一臭素化は、例
えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８４，１０６，７１５０に記載されている。ジ
ベンゾフラン（ジベンゾチオフェン）は、ニトロ化、還元、およびそれに続くザンドマイ
ヤー反応を含む、当業者に既知の手順により、３位において一臭素化することができる。

ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンの２位における一臭素化ならびにカルバゾー
ルの３位における一臭素化は、臭素またはＮＢＳを１当量のみ加えることを除いて、二臭
素化と同様に実施される。

あるいは、ヨウ素化されたジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバゾール
を用いることも可能である。当該製造については、とりわけ、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．
Ｌｅｔｔ．４７（２００６）６９５７−６９６０、Ｅｕｒ．Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．
２４（２００５）４９７６−４９８４、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ．３９
（２００２）９３３−９４１、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２４（２００２）１１９
００−１１９０７、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ，３８（２００１）７７−
８７に記載されている。

求核置換の場合、Ｃｌ置換またはＦ置換されたジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、
およびカルバゾールが必要である。塩素化については、とりわけ、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙ
ｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，３４（１９９７）８９１−９００、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．
，６（２００４）３５０１−３５０４；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．［Ｓｅｃｔｉｏｎ］Ｃ：
Ｏｒｇａｎｉｃ，１６（１９７１）２７７５−７、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．
２５（１９８４）５３６３−６、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．６９（２００４）８１７７−８
１８２に記載されている。フッ素化については、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．６３（１９９８
）８７８−８８０およびＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，５（
２００２）９５３−９５７に記載されている。

基：

の導入は、塩基の存在下において実施される。好適な塩基は、当業者に公知であり、好ま
しくは、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物、例えば、ＮａＯＨ、Ｋ
ＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）₂、アルカリ金属水素化物、例えば、ＮａＨ、ＫＨ、アルカリ金属ア
ミド、例えば、ＮａＮＨ₂、アルカリ金属炭酸塩またはアルカリ土類金属炭酸塩、例えば
、Ｋ₂ＣＯ₃またはＣｓ₂ＣＯ₃、ならびにアルカリ金属アルコキシド、例えば、ＮａＯＭｅ
、ＮａＯＥｔ、からなる群より選択される。さらに、前述の塩基の混合物も好適である。
特に好ましいのは、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮａＨ、Ｋ₂ＣＯ₃である。
ヘテロアリール化は、例えば、

による、式：

のハロゲン化化合物への銅触媒カップリングによって実施することができる（ウルマン反
応）。
Ｎ−アリール化については、例えば、Ｈ．Ｇｉｌｍａｎ ａｎｄ Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ
，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．６６（１９４４）８８８；Ｄ．Ｌｉ ｅｔ ａｌ．，Ｄｙ
ｅｓ ａｎｄ Ｐｉｇｍｅｎｔｓ ４９（２００１）１８１−１８６、ならびにＥｕｒ．Ｊ
．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．（２００７）２１４７−２１５１に記載されている。当該反応は、
溶媒中または溶融物中において実施することができる。好適な溶媒は、例えば、（極性）
非プロトン性溶媒、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ＮＭＰ、ト
リデカン、またはアルコール、である。

９−（８−ブロモジベンゾフラン−２−イル）カルバゾール：

の合成については、国際公開第２０１０／０７９０５１号に記載されている。２−ブロモ
−８−ヨード−ジベンゾフラン：

の合成については、欧州特許第１８８５８１８号に記載されている。

式：

の化合物のための可能な合成経路を、以下のスキームに示す。

Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．４６（２００７）１６２７−１６２９を参照さ
れたい。

ジボロン酸またはジボロネート基含有ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカ
ルバゾールは、増加する多くの経路によって容易に製造することができる。当該合成経路
の概要については、例えば、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．４８（２００９）９
２４０−９２６１に記載されている。

ジボロン酸もしくはジボロネート基含有ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、および
カルバゾールは、１つの一般的な経路によって、ハロゲン化されたジベンゾフラン、ジベ
ンゾチオフェン、およびカルバゾールを、（Ｙ¹Ｏ）₂Ｂ−Ｂ（ＯＹ¹）₂、

と、溶媒、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、および
／またはトルエンなど、において、触媒、例えば、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、錯体（Ｐｄ（Ｃｌ）₂（ｄｐｐｆ））
、および塩基、例えば、酢酸カリウム、の存在下で反応させることによって得られ（Ｐｒ
ａｓａｄ Ａｐｐｕｋｋｕｔｔａｎ ｅｔ ａｌ．，Ｓｙｎｌｅｔｔ ８（２００３）１２０
４を参照のこと）、この場合、Ｙ¹は、独立して各場合において、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル基で
あり、Ｙ²は、独立して各場合において、Ｃ₂〜Ｃ₁₀アルキレン基、例えば、−ＣＹ³Ｙ⁴−
ＣＹ⁵Ｙ⁶−または−ＣＹ⁷Ｙ⁸−ＣＹ⁹Ｙ¹⁰−ＣＹ¹¹Ｙ¹²−、であり、この場合、Ｙ³、Ｙ⁴
、Ｙ⁵、Ｙ⁶、Ｙ⁷、Ｙ⁸、Ｙ⁹、Ｙ¹⁰、Ｙ¹¹、およびＹ¹²は、互いに独立して、水素、また
はＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基、とりわけ、−Ｃ（ＣＨ₃）₂Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂Ｃ
Ｈ₂Ｃ（ＣＨ₃）₂−、または−ＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂−であり、ならびにＹ¹³およびＹ^1
4は、互いに独立して、水素またはＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル基である。

ジボロン酸もしくはジボロネート基含有ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、および
カルバゾールは、ハロゲン化されたジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバ
ゾールを、アルキルリチウム試薬、例えば、ｎ−ブチルリチウムまたはｔ−ブチルリチウ
ム、と反応させ、続いて、ボロン酸エステル、例えば、Ｂ（イソプロポキシ）₃、Ｂ（メ
トキシ）₃、または

と反応させることによっても製造することができる（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（２０００）４
４２−４４６を参照のこと）。
ジボロン酸もしくはジボロネート基含有ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカ
ルバゾールは、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバゾールを、リチウム
アミド、例えば、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）、と反応させ、続いて、ボロ
ン酸エステル、例えば、Ｂ（イソプロポキシ）₃、Ｂ（メトキシ）₃、または

と反応させることによっても製造することができる（Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．７３（２００８
）２１７６−２１８１を参照のこと）。

ジボロン酸もしくはジボロネート基含有ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、および
カルバゾール、例えば、

、は、等モル量のハロゲン化されたジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバ
ゾール、例えば、

と、溶媒中において、ならびに触媒の存在下において、反応させることができる。当該触
媒は、μ−ハロ（トリイソプロピルホスフィン）（η³−アリル）パラジウム（ＩＩ）タ
イプのものであり得る（例えば、国際公開第９９／４７４７４号を参照のこと）。

好ましくは、Ｓｕｚｕｋｉ反応は、有機溶媒、例えば、芳香族炭化水素または通常の極
性有機溶媒、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、もしくはジ
オキサン、またはそれらの混合物など、最も好ましくはトルエン、の存在下において実施
される。通常、溶媒の量は、ボロン酸誘導体１モル当たり１〜１０Ｌの範囲において選択
される。さらに好ましくは、当該反応は、不活性雰囲気下、例えば、窒素またはアルゴン
雰囲気下、において実施される。さらに、当該反応を水性塩基、例えば、アルカリ金属水
酸化物または炭酸塩、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ₂ＣＯ₃、Ｋ₂ＣＯ₃、Ｃｓ₂ＣＯ₃、
の存在下において実施することも好ましく、好ましくはＫ₂ＣＯ₃水溶液が選択される。通
常、当該塩基とボロン酸もしくはボロン酸エステル誘導体とのモル比は、０．５：１〜５
０：１の範囲において選択され、特段には１：１である。概して、当該反応温度は、４０
〜１８０℃の範囲において選択され、好ましくは還流条件下である。好ましくは、反応時
間は、１〜８０時間、より好ましくは２０〜７２時間の範囲において選択される。好まし
い実施形態において、カップリング反応または重縮合反応のための通常の触媒、好ましく
はＰｄベースの触媒、が使用され、それについては、国際公開第２００７／１０１８２０
号に記載されている。パラジウム化合物は、閉じられるべき結合の数に基づいて、１：１
００００〜１：５０、好ましくは１：５０００〜１：２００の比率において加えられる。
好ましいのは、例えば、パラジウム（ＩＩ）塩、例えば、ＰｄＡｃ₂またはＰｄ₂ｄｂａ₃
、の使用であり、ならびに、

からなる群より選択される配位子の添加であり；
この場合、

である。当該配位子は、Ｐｄに対して、１：１〜１：１０の比率において加えられる。さ
らに好ましくは、当該触媒は、溶液または懸濁液として加えられる。好ましくは、適切な
有機溶媒、例えば、上記において説明したものなど、好ましくは、ベンゼン、トルエン、
キシレン、ＴＨＦ、ジオキサン、より好ましくはトルエン、またはそれらの混合物が使用
される。溶媒の量は、通常、ボロン酸誘導体１モル当たり１〜１０Ｌの範囲において選択
される。有機塩基、例えば、水酸化テトラアルキルアンモニウム、および相間移動触媒、
例えば、ＴＢＡＢ、は、ホウ素の活性を促進することができる（例えば、Ｌｅａｄｂｅａ
ｔｅｒ ＆ Ｍａｒｃｏ；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇ．４２（２００３
）１４０７およびそこに引用されている文献を参照のこと）。反応条件の他のバリエーシ
ョンは、Ｔ．Ｉ．Ｗａｌｌｏｗ ａｎｄ Ｂ．Ｍ．Ｎｏｖａｋ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５
９（１９９４）５０３４−５０３７；Ｍ．Ｒｅｍｍｅｒｓ，Ｍ．Ｓｃｈｕｌｚｅ，Ｇ．Ｗ
ｅｇｎｅｒ，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．１７（１９９６）２３９−
２５２；Ｇ．Ａ．Ｍｏｌａｎｄｅｒ ｕｎｄ Ｂ．Ｃａｎｔｕｒｋ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ
．，１２１（２００９）９４０４−９４２５に記載されている。
化合物Ａ−１の可能な合成経路を、以下の反応スキームに示す。

化合物Ｂ−３の可能な合成経路を、以下の反応スキームに示す。

ハロゲン／金属交換は、−７８℃においてｎＢｕＬｉ／ＴＨＦにより、または−７８℃
においてｔＢｕＬｉ／ＴＨＦにより行われる。そのような化合物の合成について記載され
ている国際公開第２０１０／０７９０５１号を参照されたい。

式：

の化合物は、式：

の化合物を、触媒、例えば、酢酸銅（Ｃｕ（ＯＡｃ）₂）；配位子、例えば、ＰＰｈ₃およ
び１，１０−フェナントロリン；塩基、例えば、酢酸ナトリウム（ＮａＯＡｃ）、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、および炭酸水素ナトリウム；
溶媒、例えば、ｏ−、ｍ−、およびｐ−キシレン、ならびに酸素（１気圧）、の存在下に
おいて、高温、とりわけ、１００〜１６０℃にて、１〜７２時間、反応させることによっ
ても合成することができる。Ｘ．Ｗａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．１４（２０
１２）４５２−４５５［２０１１年１２月２９日にウェブ上で公開］を参照されたい。

式：

の化合物は、本発明の化合物の製造における中間体であり、新規の化合物であり、ならび
に本発明のさらなる主題を形成する。Ｘ^6’は−Ｎ＝でありかつＸ^7’は−ＮＲ^1’−であ
るか、あるいはＸ^7’は＝Ｎ−でありかつＸ^6’は−ＮＲ^1’−であり、Ｒ^1’は、式−Ａ¹
−（Ａ²）_p−（Ａ³）_q−（Ａ⁴）_r−（Ｒ^6’）_tの基であり、ｔは、１または２、とりわけ
１であり；ｐ、ｑ、ｒ、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、Ｘ¹、Ｘ²、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵は、
上記において定義される通りである。
一実施形態において、Ｒ^6’は、ハロゲン、とりわけ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＪ；−ＯＳ（
Ｏ）₂ＣＦ₃、−ＯＳ（Ｏ）₂−アリール、とりわけ

；または、−ＯＳ（Ｏ）₂ＣＨ₃であり、特段にはＢｒまたはＪである。

別の実施形態において、Ｒ^6’は、ＺｎＸ¹²；−ＳｎＲ²⁰⁷Ｒ²⁰⁸Ｒ²⁰⁹であり、この場合
、Ｒ²⁰⁷、Ｒ²⁰⁸、およびＲ²⁰⁹は、同じかまたは異なっており、ならびにＨまたはＣ₁〜Ｃ
₆アルキルであり、この場合、２つの基は、場合により、共通の環を形成し、これらの基
は、場合により分岐または非分岐であり；ならびに、Ｘ¹²は、ハロゲン原子、とりわけ、
ＩまたはＢｒ；−Ｂ（ＯＨ）₂、−Ｂ（ＯＹ¹）₂、

、−ＢＦ₄Ｎａ、または−ＢＦ₄Ｋであり、この場合、Ｙ¹は、独立して各場合において、
Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基であり、ならびに、Ｙ²は、独立して各場合において、Ｃ₂〜Ｃ₁₀ア
ルキレン基、例えば、−ＣＹ³Ｙ⁴−ＣＹ⁵Ｙ⁶−または−ＣＹ⁷Ｙ⁸−ＣＹ⁹Ｙ¹⁰−ＣＹ¹¹Ｙ^1
2−、であり、この場合、Ｙ⁴、Ｙ⁵、Ｙ⁶、Ｙ⁷、Ｙ⁸、Ｙ⁹、Ｙ¹⁰、Ｙ¹¹、およびＹ¹²は、
互いに独立して、水素、またはＣ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、とりわけ−Ｃ（ＣＨ₃）₂Ｃ（ＣＨ₃
）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）₂−、または−ＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂−であり
、ならびに、Ｙ¹³およびＹ¹⁴は、互いに独立して、水素またはＣ₁〜Ｃ₁₀アルキル基であ
る。ｐ、ｑ、ｒ、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、Ｘ¹、Ｘ²、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵に関して、
式Ｉの化合物と同じ選好性が適用される。中間体の例を以下に示す。

式Ｉの化合物は、例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング
反応、またはＮｅｇｉｓｈｉカップリング反応によって、中間体および好適な共反応体か
ら出発することにより得られる。

式：

［式中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴はＨであり、Ｒ¹は上記に
おいて定義される通りである］の化合物の製造方法は、（ａ）Ｈ₃ＰＯ₄、ポリリン酸、Ｃ
Ｈ₃ＳＯ₃Ｈ／Ｐ₂Ｏ₅、ＣＨ₃ＳＯ₃Ｈ、または硫酸中において、式：

の化合物を加熱して、式：

の化合物を得る工程；および（ｂ）式ＸＩの化合物を式ＩＩの化合物に反応させる工程、
を含み得る。工程ｂ）のための様々な例が上記に示されている。工程ａ）では、溶媒、ま
たは１４０℃を超える沸点を有する溶媒、例えばキシレンまたはメシチルエン、の混合物
が存在し得る。式Ｘの化合物を、不活性ガス、例えば、窒素またはアルゴン、の雰囲気下
で、１４０℃を超える、好ましくは１６０℃を超える、より好ましくは１８０℃を超える
温度において、３０分〜３週間、好ましくは１〜４８時間撹拌する。

式Ｉの化合物は、電荷キャリア伝導性が必要とされる用途での使用にとって、とりわけ
、例えば、スイッチング素子、例えば有機トランジスタ、例えば、有機ＦＥＴおよび有機
ＴＦＴ、有機太陽電池、ならびに有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選択される、有機
エレクトロニクス用途での使用に特に好適であり、式Ｉの化合物は、ＯＬＥＤにおいて、
とりわけリン光発光体との組み合わせにおいて、発光層におけるマトリックス材料として
、ならびに／あるいは正孔および／または励起子ブロッカー材料として、ならびに／ある
いは電子および／または励起子ブロッカー材料として、特に好適であることが見出された
。ＯＬＥＤにおいて式Ｉの本発明の化合物を使用する場合、良好な効率と長い耐用期間を
有しかつ特に低い使用電圧および作動電圧において作動可能なＯＬＥＤが得られる。式Ｉ
の本発明の化合物は、青色および緑色発光体、例えば淡青色または深青色発光体など（こ
れらは、とりわけリン光発光体である）、のマトリックスおよび／または正孔／励起子ブ
ロッカー材料としての使用にとりわけ好適である。さらに、式Ｉの化合物は、スイッチン
グ素子および有機太陽電池から選択される有機エレクトロニクス用途における導電体／補
助材料として使用することができる。

式Ｉの化合物は、マトリックス材料および／または正孔／励起子ブロッカー材料および
／または電子／励起子ブロッカー材料および／または正孔注入材料および／または電子注
入材料および／または正孔伝導体材料（正孔輸送材料）および／または電子伝導体材料（
電子輸送材料）として、好ましくは、有機エレクトロニクス用途において、とりわけ、Ｏ
ＬＥＤにおいて、マトリックス材料および／または電子／励起子ブロッカーおよび／また
は正孔輸送材料として、使用することができる。式Ｉの本発明の化合物は、より好ましく
は、有機エレクトロニクス用途において、とりわけ、ＯＬＥＤにおいて、マトリックス材
料として使用される。

ＯＬＥＤの発光層において、またはＯＬＥＤの複数ある発光層のうちの１つにおいて、
発光体材料を、式Ｉの化合物のマトリックス材料および、例えば良好な正孔伝導体（正孔
輸送）特性を有するさらなるマトリックス材料、と組み合わせることも可能である。これ
により、この発光層の高い量子効率が達成される。

式Ｉの化合物が、発光層においてマトリックス材料として、さらに正孔／励起子ブロッ
カー材料および／または電子／励起子ブロッカー材料として使用される場合、材料の化学
的同一性または類似性から、発光層と隣接する正孔／励起子ブロッカー材料および／また
は電子／励起子ブロッカー材料との間において改良された界面が得られ、これにより、同
じ輝度を得るための電圧が低下し、ＯＬＥＤの寿命が延長され得る。さらに、正孔／励起
子ブロッカー材料および／または電子／励起子ブロッカー材料と、発光層のマトリックス
とに同じ材料を使用することで、式Ｉの化合物のうちの１つの材料の蒸着プロセスに同じ
供給源を使用することができ、ＯＬＥＤの製造プロセスを簡素化することが可能である。

有機電子デバイスの好適な構造は、当業者に公知であり、以下に明記する。

当該有機トランジスタは、概して、正孔輸送能および／または電子輸送能を有する有機
層から形成された半導体層；導電層から形成されたゲート電極；および半導体層と導電層
との間に導入された絶縁層、を含む。ソース電極およびドレイン電極をこの配置の上に取
り付けて、トランジスタ素子を製造する。加えて、当業者に公知のさらなる層が、当該有
機トランジスタに存在していてもよい。

有機太陽電池（光電変換素子）は、概して、平行に配置されたプレートタイプの２つの
電極の間に存在する有機層を含む。当該有機層は、くし形電極上に構成され得る。有機層
の場所に関して特に制限はなく、電極の材料に関しても特に制限はない。しかしながら、
平行に配置されたプレートタイプの電極が使用される場合、少なくとも一方の電極は、好
ましくは、透明電極、例えば、ＩＴＯ電極またはフッ素ドーピングされた酸化スズ電極、
から形成される。当該有機層は、２つの副層、すなわち、ｐ型半導体特性または正孔輸送
能を有する層と、ｎ型半導体特性または電子輸送能を有するように形成された層、から形
成されている。さらに、当業者に公知のさらなる層が当該有機太陽電池に存在することも
可能である。正孔輸送能を有する層は、式Ｉの化合物を含み得る。

式Ｉの化合物が、発光層（好ましくはマトリックス材料として）および電子に対するブ
ロッキング層（電子／励起子ブロッカーとして）の両方に存在することも、同様に可能で
ある。

本発明はさらに、陽極Ａｎおよび陰極Ｋａ、ならびに陽極Ａｎと陰極Ｋａとの間に配置
された発光層Ｅ、ならびに、適切であれば、正孔／励起子に対する少なくとも１つのブロ
ッキング層、電子／励起子に対する少なくとも１つのブロッキング層、少なくとも１つの
正孔注入層、少なくとも１つの正孔伝導体層、少なくとも１つの電子注入層、および少な
くとも１つの電子伝導体層からなる群より選択される少なくとも１つのさらなる層を含み
、式Ｉの少なくとも１種の化合物が、発光層Ｅおよび／または当該さらなる層のうちの少
なくとも１つに存在する、有機発光ダイオードを提供する。式Ｉの少なくとも１種の化合
物は、好ましくは、発光層および／または正孔に対するブロッキング層に存在する。

本出願はさらに、式Ｉの少なくとも１種の化合物を含む発光層に関する。
本発明のＯＬＥＤの構造
したがって、本発明の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、概して、以下の構造：
陽極（Ａｎ）および陰極（Ｋａ）ならびに陽極（Ａｎ）と陰極（Ｋａ）との間に配置され
た発光層Ｅ
を有する。

本発明のＯＬＥＤは、例えば、好ましい実施形態において、以下の層：
１．陽極
２．正孔伝導体層
３．発光層
４．正孔／励起子に対するブロッキング層
５．電子伝導体層
６．陰極
から形成され得る。

前述の構造とは異なる層配置も可能であり、当業者に公知である。例えば、ＯＬＥＤが
、言及された層のいずれかを有していないことも可能であり、例えば、層（１）（陽極）
、（３）（発光層）、および（６）陰極を有するＯＬＥＤは、層（２）（正孔伝導体層）
および（４）（正孔／励起子に対するブロッキング層）および（５）（電子伝導体層）の
機能が隣接する層によって担われる場合、同様に好適である。層（１）、（２）、（３）
、および（６）、あるいは層（１）、（３）、（４）、（５）、および（６）を有するＯ
ＬＥＤも同様に好適である。さらに、当該ＯＬＥＤは、正孔伝導体層（２）と発光層（３
）との間に電子／励起子に対するブロッキング層を有していてもよい、
複数の前述の機能（電子／励起子ブロッカー、正孔／励起子ブロッカー、正孔注入、正
孔伝導、電子注入、電子伝導）を１つの層において組み合わせて、例えば、この層中に存
在する単一の材料が担うことも、さらに可能である。例えば、正孔伝導体層において使用
される材料は、一実施形態において、同時に励起子および／または電子を遮蔽し得る。

さらに、上記において指定されたものの中でも、ＯＬＥＤの個々の層を２つ以上の層か
ら形成することもできる。例えば、正孔伝導体層は、電極から正孔が注入される層と、正
孔注入層から発光層へ正孔を輸送する層とから形成してもよい。電子伝導層も同様に、複
数の層、例えば、電極によって電子が注入される層、および電子注入層から電子を受け取
ってそれを発光層へと輸送する層、からなっていてもよい。言及されたこれらの層は、そ
れぞれ、エネルギーレベル、耐熱性、および電荷キャリア移動度、ならびに有機層または
金属電極によって指定される層のエネルギー差などの因子に従って選択される。当業者は
、ＯＬＥＤの構造を選択することができるので、ＯＬＥＤの構造は、本発明により発光体
物質として使用される有機化合物に最適に適合される。

特に効率的なＯＬＥＤを得るためには、例えば、前述の層が本発明のＯＬＥＤに存在す
る場合には、正孔伝導体層のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）は、陽極の仕事関数に適合し
ているべきであり、ならびに電子伝導体層のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）は、陰極の仕事
関数に適合しているべきである。

陽極（１）は、正電荷キャリアを提供する電極である。例えば、それは、金属、様々な
金属の混合物、金属合金、金属酸化物、または様々な金属酸化物の混合物を含む材料から
形成することができる。あるいは、陽極は、導電性ポリマーであってもよい。好適な金属
は、主族の金属および金属の合金、遷移金属、ランタノイド金属、とりわけ、元素周期表
のＩｂ族、ＩＶａ族、Ｖａ族、およびＶＩａ族の金属ならびにＶＩＩＩａ族の遷移金属を
含む。陽極が透明であるべき場合、概して、元素周期表（ＩＵＰＡＣ版）のＩＩｂ族、Ｉ
ＩＩｂ族、およびＩＶｂ族の混合金属酸化物、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）
、が使用される。陽極（１）が、例えば、Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３５７，ｐａｇｅｓ４
７７ ｔｏ ４７９（Ｊｕｎｅ １１，１９９２）に記載されているように、有機材料、例
えばポリアニリン、を含むことも同様に可能である。陽極または陰極の少なくとももどち
らかは、形成された光を放出可能であるように、少なくとも部分的に透明であるべきであ
る。陽極（１）に使用される材料は、好ましくは、ＩＴＯである。

本発明のＯＬＥＤの層（２）に好適な正孔伝導体材料は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍ
ｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ
ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．１８，ｐａｇｅｓ ８３７ ｔｏ ８６０，１９９６に開示され
ている。正孔輸送分子およびポリマーの両方を、正孔輸送材料として使用することができ
る。通常使用される正孔輸送分子は、トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（フェニルア
ミノ）］トリフェニルアミン（１−ＮａｐｈＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（
ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰ
Ｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）
−［１，１’−（３．３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）
、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミ
ン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−
（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルア
ミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル）（４−
メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）ス
チリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳ
Ｐ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺ
Ｂ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル
）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルア
ミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル
）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ
’−ビス（フェニル）ベンジジン（β−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル
）Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，
Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビ
フルオレン（スピロ−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＴＰＤ）、ジ［４−（Ｎ，Ｎ
−ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル
）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフ
タレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２−ジメチルベンジジン、Ｎ，
Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ
’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、２，３，５
，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）
、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェ
ニルアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ
）トリフェニルアミン、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３
−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェ
ニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェ
ニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２’−
ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（
２，２’−ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−Ｎ，
Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
，Ｎ’−ジ［４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ
，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミ
ン（β−ＮＰＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル
）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン
−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ
−ＮＰＢ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’
−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＡＤ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェ
ニル−４−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＡＰＦ）、９，９−ビス
［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン
（ＮＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’
−ビスフェニルアミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＢＡＰＦ）、２，２’，７
，７’−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）アミノ］−９，９’−スピロビフル
オレン（スピロ−２ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ’
−ビス（フェニル）ベンジジン（ＰＡＰＢ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ス
ピロビフルオレン−２−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−５）、
２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフ
ルオレン（２，２’−スピロ−ＤＢＰ）、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
−９．９−スピロビフルオレン（スピロ−ＢＰＡ）、２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，
Ｎ−ジトリル）アミノスピロビフルオレン（スピロ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラナフタレン−２−イルベンジジン（ＴＮＢ）、ポルフィリン化合物、およびフタロシ
アニン、例えば、銅フタロシアニンおよび酸化チタンフタロシアニン、からなる群より選
択される。通常使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメ
チル）ポリシラン、およびポリアニリンからなる群より選択される。正孔輸送分子を、ポ
リマー、例えば、ポリスチレンおよびポリカーボネート、にドープすることによって正孔
輸送ポリマーを得ることも、同様に可能である。好適な正孔輸送分子は、上記において既
に言及されている分子である。
さらに、一実施形態において、正孔伝導体材料としてカルベン錯体を使用することが可
能であり、少なくとも１種の正孔伝導体材料のバンドギャップは、概して、使用される発
光体材料のバンドギャップより大きい。本出願の文脈において、「バンドギャップ」は、
三重項エネルギーを意味すると理解される。好適なカルベン錯体は、例えば、国際公開第
２００５／０１９３７３（Ａ２）号、国際公開第２００６／０５６４１８（Ａ２）号、国
際公開第２００５／１１３７０４号、国際公開第２００７／１１５９７０号、国際公開第
２００７／１１５９８１号、および国際公開第２００８／０００７２７号に記載されてい
るようなカルベン錯体である。好適なカルベン錯体の一例は、式：

のｌｒ（ｄｐｂｉｃ）₃であり、これは、例えば、国際公開第２００５／０１９３７３号
に開示されている。原則として、正孔伝導体層が、正孔伝導体材料として式Ｉの少なくと
も１種の化合物を含むことは可能である。

発光層（３）は、少なくとも１種の発光体材料を含む。原則として、それは、蛍光また
はリン光発光体であり得、好適な発光体材料は、当業者に公知である。当該少なくとも１
種の発光体材料は、好ましくは、リン光発光体である。選好的に使用されるリン光発光体
化合物は、金属錯体、とりわけ、金属Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、およびＰｔの錯体、をベ
ースとしており、特にＩｒの錯体は重要である。式Ｉの化合物は、発光層においてマトリ
ックスとして使用することができる。

本発明のＯＬＥＤにおける使用に好適な金属錯体は、例えば、文献国際公開第０２／６
０９１０（Ａ１）号、米国特許出願公開第２００１／００１５４３２（Ａ１）号、米国特
許出願公開第２００１／００１９７８２（Ａ１）号、米国特許出願公開第２００２／００
５５０１４（Ａ１）号、米国特許出願公開第２００２／００２４２９３（Ａ１）号、米国
特許出願公開第２００２／００４８６８９（Ａ１）号、欧州特許出願公開第１１９１６１
２（Ａ２）号、欧州特許出願公開第１１９１６１３（Ａ２）号、欧州特許出願公開第１２
１１２５７（Ａ２）号、米国特許出願公開第２００２／００９４４５３（Ａ１）号、国際
公開第０２／０２７１４（Ａ２）号、国際公開第００／７０６５５（Ａ２）号、国際公開
第０１／４１５１２（Ａ１）号、国際公開第０２／１５６４５（Ａ１）号、国際公開第２
００５／０１９３７３（Ａ２）号、国際公開第２００５／１１３７０４（Ａ２）号、国際
公開第２００６／１１５３０１（Ａ１）号、国際公開第２００６／０６７０７４（Ａ１）
号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００６／１２１８１１（Ａ１）
号、国際公開第２００７／０９５１１８（Ａ２）号、国際公開第２００７／１１５９７０
号、国際公開第２００７／１１５９８１号、国際公開第２００８／０００７２７号、国際
公開第２０１０／１２９３２３号、国際公開第２０１０／０５６６６９号、および国際公
開第１０／０８６０８９号に記載されている。

さらなる好ましい金属錯体は、市販の金属錯体である、トリス（２−フェニルピリジン
）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（２−（４−トリル）ピリジナト
−Ｎ，Ｃ^2’）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（ＩＩ
Ｉ）ビス（２，２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^3’）（アセチルアセトネー
ト）、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビ
ス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ²）ピコリネート、イリジ
ウム（ＩＩＩ）ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）、ビス（２
−フェニルキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩ
Ｉ）ビス（ジ−ベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）、イリジウム
（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート
）、およびトリス（３−メチル−１−フェニル−４−トリメチルアセチル−５−ピラゾリ
ノ）テルビウム（ＩＩＩ）、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イ
ル）イソキノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニル
ベンゾチアゾラト）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（９，９
−ジヘキシルフルオレニル）−１−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イルピリジン）（アセチルアセトナト）
イリジウム（ＩＩＩ）である。

さらに、以下の市販の材料：トリス（ジベンゾイルアセトナト）モノ（フェナントロリ
ン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）
ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（５−アミノフェナントロ
リン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ−２−ナフトイルメタン）モノ（フェナント
ロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（４−ブロモベンゾイルメタン）モノ（フェナ
ントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ（ビフェニル）メタン）モノ（フェナ
ントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジ
フェニルフェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モ
ノ（４，７−ジ−メチルフェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾ
イルメタン）モノ（４，７−ジメチルフェナントロリンジスルホン酸）ユウロピウム（Ｉ
ＩＩ）二ナトリウム塩、トリス［ジ（４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベ
ンゾイルメタン）］モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）およびトリス［ジ
［４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（５−アミ
ノフェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフ
ルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラト）
ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−
５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾール）ジメチルフェニルホスフィン、オス
ミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジ
ル）−１，２，４−トリアゾラト）ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビ
ス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）ピラゾラト）ジメチルフェニル
ホスフィン、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（２，２’）−ビピリジン］ルテ
ニウム（ＩＩＩ）、オスミウム（ＩＩ）ビス（２−（９，９−ジブチルフルオレニル）−
１−イソキノリン（アセチルアセトネート）が好適である。

当該発光層は、好ましくは、式：

の化合物を含み、これは、国際公開第２００５／０１９３７３（Ａ２）号に記載されてお
り、この場合、符号は、以下の意味を有する：
Ｍは、それぞれの金属原子において可能な任意の酸化状態である、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇ、
およびＡｕからなる群より選択され；
ｃａｒｂｅｎｅは、無電荷かまたはモノアニオン性の一座配位、二座配位、または三座配
位であり得るカルベン配位子であり、当該カルベン配位子は、ビスカルベン配位子または
トリスカルベン配位子であることも可能であり；
Ｌは、モノアニオン性またはジアニオン性配位子であり、これは、一座配位または二座配
位であってもよく；
Ｋは、ホスフィン；ホスホン酸塩およびその誘導体、ヒ酸塩およびそれらの誘導体；亜リ
ン酸塩；ＣＯ；ピリジン；ニトリル、およびＭ¹を有するπ錯体を形成する共役ジエンか
らなる群より選択される無電荷の一座または二座配位子であり；
ｎ１は、カルベン配位子の数であり、この場合、ｎ１は少なくとも１であり、ならびに、
ｎ１＞１の場合、式Ｉの錯体におけるカルベン配位子は、同じかまたは異なっていてもよ
く；
ｍ１は、配位子Ｌの数であり、この場合、ｍ１は０または≧１であってもよく、ならびに
、ｍ１＞１の場合、配位子Ｌは、同じかまたは異なっていてもよく；
ｏは、配位子Ｋの数であり、この場合、ｏは０または≧１であってもよく、ならびに、ｏ
＞１の場合、配位子Ｋは、同じかまたは異なっていてもよく；
ｎ１＋ｍ１＋ｏの合計は、酸化状態、金属原子の配位数、および配位子カルベン、Ｌ、お
よびＫの配座数、ならびに配位子、カルベン、およびＬの電荷に依存しており、ただし、
ｎ１は少なくとも１である。

好適な三重項発光体であるカルベン錯体は、例えば、国際公開第２００６／０５６４１
８（Ａ２）号、国際公開第２００５／１１３７０４号、国際公開第２００７／１１５９７
０号、国際公開第２００７／１１５９８１号、および国際公開第２００８／０００７２７
号、国際公開第２００９／０５０２８１号、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際
公開第２０１１／０５１４０４号、および国際公開第２０１１／０７３１４９号に記載さ
れている。

より好ましいのは、一般式：

の金属−カルベン錯体であり、これは、米国特許出願第６１／２８６０４６号、同第６１
／３２３８８５号、および欧州特許出願公開第１０１８７１７６．２号（ＰＣＴ／ＥＰ２
０１０／０６９５４１）に記載されており、この場合、Ｍ、ｎ１、Ｙ、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、
Ａ⁵、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶、Ｒ⁵⁷、Ｒ⁵⁸、Ｒ⁵⁹、Ｋ、Ｌ、ｍ１、および
ｏは、それぞれ、以下において定義される通りであり：
Ｍは、ＩｒまたはＰｔであり、
ｎ１は、１、２、および３から選択される整数であり、
Ｙは、ＮＲ⁵¹、Ｏ、Ｓ、またはＣ（Ｒ²⁵）₂であり、
Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、およびＡ⁵は、それぞれ独立して、ＮまたはＣであり、２つのＡ＝窒素原
子の場合、少なくとも１つの炭素原子が、環の２つの窒素原子の間に存在し、
Ｒ⁵¹は、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少
なくとも１つの官能基を有していてもよく、および１〜２０個の炭素原子を有している直
鎖状または分岐鎖状のアルキル基、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されて
いてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、および３〜２０個
の炭素原子を有しているシクロアルキル基、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中
断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、および６
〜２０個の炭素原子を有している置換または非置換のアリール基、ならびに、場合により
少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能
基を有していてもよく、および５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有して
いる、置換または非置換のヘテロアリール基、であり、
Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、およびＲ⁵⁵は、それぞれ、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、および／またはＡ⁵がＮの
場合には自由電子対であり、またはＡ²、Ａ³、Ａ⁴、および／またはＡ⁵がＣの場合には、
それぞれ独立して水素、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく
、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、および１〜２０個の炭素原子
を有している直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、場合により少なくとも１つのヘテロ原
子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、お
よび３〜２０個の炭素原子を有しているシクロアルキル基、場合により少なくとも１つの
ヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していても
よく、および６〜３０個の炭素原子を有している置換または非置換のアリール基、場合に
より少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの
官能基を有していてもよく、および５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有
している置換または非置換のヘテロアリール基、ならびに、ドナーまたはアクセプター作
用を有する基、であり、あるいは、
Ｒ⁵³およびＲ⁵⁴は、Ａ³およびＡ⁴と一緒に、場合により少なくとも１つのさらなるヘテロ
原子で中断されていてもよく、および合計で５〜８個の炭素原子および／またはヘテロ原
子を有する、場合により置換されていてもまたは非置換であってもよい環、を形成し、
Ｒ⁵⁶、Ｒ⁵⁷、Ｒ⁵⁸、およびＲ⁵⁹は、それぞれ独立して、水素、場合により少なくとも１つ
のヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していて
もよく、および１〜２０個の炭素原子を有している直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、
場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも
１つの官能基を有していてもよく、および３〜２０個の炭素原子を有しているシクロアル
キル基、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少
なくとも１つの官能基を有していてもよく、および３〜２０個の炭素原子を有しているシ
クロヘテロアルキル基、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく
、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、および６〜３０個の炭素原子
を有している置換または非置換のアリール基、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で
中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、合計５
〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有している置換または非置換のヘテロア
リール基、ならびに、ドナーまたはアクセプター作用を有する基、であり、あるいは、
Ｒ⁵⁶およびＲ⁵⁷、Ｒ⁵⁷およびＲ⁵⁸、あるいはＲ⁵⁸およびＲ⁵⁹は、それらが結合している炭
素原子と一緒に、飽和、不飽和、または芳香族の、場合により少なくとも１つのヘテロ原
子で中断されていてもよく、ならびに合計で５〜８個の炭素原子および／またはヘテロ原
子を有する、場合により置換されていてもよい環、を形成し、
Ａ⁵がＣの場合、Ｒ⁵⁵およびＲ⁵⁶は一緒に、場合によりヘテロ原子、芳香族ユニット、ヘ
テロ芳香族ユニット、および／または官能基を含んでいてもよくかつ合計で１〜３０個の
炭素原子および／またはヘテロ原子を有する飽和または不飽和の直鎖状または分岐鎖状の
ブリッジを形成し、当該ブリッジは、場合により、飽和または不飽和の、炭素原子および
／またはヘテロ原子を含む５〜８員環に縮合していてもよく、
Ｒ²⁵は、独立して、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場
合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、および１〜２０個の炭素原子を有
している直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、場合により少なくとも１つのヘテロ原子で
中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく、および
３〜２０個の炭素原子を有しているシクロアルキル基、場合により少なくとも１つのヘテ
ロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能基を有していてもよく
、および６〜３０個の炭素原子を有している置換または非置換のアリール基、場合により
少なくとも１つのヘテロ原子で中断されていてもよく、場合により少なくとも１つの官能
基を有していてもよく、および５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有して
いる置換または非置換のヘテロアリール基、であり、
Ｋは、無電荷の一座または二座配位子であり、
Ｌは、モノアニオン性またはジアニオン性配位子、好ましくはモノアニオン性配位子であ
り、これは、一座配位または二座配位であってもよく、
ｍ１は、０、１、または２であり、ｍ１が２の場合、Ｋ配位子は同じかまたは異なってい
てもよく、
ｏは、０、１、または２であり、ｏが２の場合、Ｌ配位子は同じかまたは異なっていても
よい。

式ＩＸの化合物は、好ましくは、式：

の化合物である。

当該ホモレプテイック金属−カルベン錯体は、フェイシャル異性体またはメリジオナル
異性体の形態において存在し得、フェイシャル異性体が選好される。

ヘテロレプティック金属−カルベン錯体の場合、４つの異なる異性体が存在し得、疑似
フェイシャル異性体が選好される。

発光層は、発光体材料以外に、さらなる成分を含んでいてもよい。例えば、発光体材料
の発光色を変えるために、蛍光染料が、発光層中に存在していてもよい。さらに、好まし
い実施形態では、マトリックス材料を使用することができる。このマトリックス材料は、
ポリマー、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）またはポリシラン、であり得る。し
かしながら、当該マトリックス材料は、小分子、例えば、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバ
ゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）、または第三級芳香族アミン、例えば、ＴＣＴＡ、
であってもよい。本発明の好ましい実施形態において、式Ｉの少なくとも１種の化合物が
、マトリックス材料として使用される。

好ましい実施形態において、当該発光層は、２〜４０質量％、好ましくは５〜３５質量
％の、前述の発光体材料うちの少なくとも１種と、６０〜９８質量％、好ましくは７５〜
９５質量％の、前述のマトリックス材料のうちの少なくとも１つ（一実施形態において、
式Ｉの少なくとも１種の化合物）とから形成され、この場合、発光体材料およびマトリッ
クス材料の合計は１００質量％までになる。

特に好ましい実施形態において、発光層は、式Ｉの化合物、例えば、

、および２つのカルベン錯体、好ましくは、式：

のカルベン錯体を含む。上記の実施形態において、発光層は、２〜４０質量％、好ましく
は５〜３５質量％の、

と、６０〜９８質量％、好ましくは６５〜９５質量％の、式Ｉの化合物および

とから形成され、この場合、カルベン錯体および式Ｉの化合物の合計は、１００質量％ま
でになる。

したがって、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または正孔／励起子ブロッカ
ー材料および／または電子／励起子ブロッカー材料および／または正孔注入材料および／
または電子注入材料および／または正孔伝導体材料および／または電子伝導体材料として
の、好ましくはマトリックス材料および／または正孔／励起子ブロッカー材料としての式
Ｉの化合物と一緒の使用に好適な金属錯体の例として、国際公開第２００５／０１９３７
３（Ａ２）号、国際公開第２００６／０５６４１８（Ａ２）号、国際公開第２００５／１
１３７０４号、国際公開第２００７／１１５９７０号、国際公開第２００７／１１５９８
１号、および国際公開第２００８／０００７２７号に記載されているカルベン錯体も挙げ
られる。引用された国際公開出願の開示についてここで明確に言及しており、これらの開
示内容は、本出願の内容に組み入れられると見なされるべきである。

正孔／励起子に対するブロッキング層（４）が、式Ｉのいかなる化合物も含まない場合
、ＯＬＥＤは、正孔に対するブロッキング層が存在する場合、ＯＬＥＤにおいて典型的に
使用される正孔ブロッカー材料、例えば、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン（
ｍＣＰｙ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バ
ソクプロイン、（ＢＣＰ））、ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェ
ニラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、フェノチアジンＳ，Ｓ−ジオキシド誘導
体、および１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンジルイミダゾリル）ベンゼン）
（ＴＰＢＩ）、を有し、ＴＰＢＩは、電子伝導性材料としても好適である。さらに好適な
正孔ブロッカーおよび／または電子伝導体材料は、２，２’，２’’−（１，３，５−ベ
ンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）、２−（４−ビ
フェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
、８−ヒドロキシキノリノラトリチウム、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフ
ェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン
−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、４，７−ジフェニル−
１，１０−フェナントロリン、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４
−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル、２−フェニ
ル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２，７−ビス［２−（２，２
’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチ
ルフルオレン、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾ−５−イル］ベンゼン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル
−１，１０−フェナントロリン、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３
−イル）フェニル）ボラン、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニ
ル−１，１０−フェナントロリン、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フ
ェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリンである。さらな
る実施形態において、国際公開第２００６／１００２９８号に開示されているカルボニル
基、例えばＰＣＴ出願ＰＣＴ／ＥＰ２００８／０５８２０７およびＰＣＴ／ＥＰ２００８
／０５８１０６（これらは、本出願の優先日においてまだ公開されていない）に指定され
る、ジシリルカルバゾール、ジシリルベンゾフラン、ジシリルベンゾチオフェン、ジシリ
ルベンゾホスホール、ジシリルベンゾチオフェンＳ−オキシド、およびジシリルベンゾチ
オフェンＳ，Ｓ−ジオキシドからなる群より選択されるジシリル化合物、ならびに、国際
公開第２００８／０３４７５８号に開示されているジシリル化合物、を含む基によって連
結された芳香族環またはヘテロ芳香族環を含む化合物を、電子／励起子に対するブロッキ
ング層（４）として、または発光層（３）におけるマトリックス材料として、使用するこ
とが可能である。

本発明のＯＬＥＤの層（５）に好適な電子伝導体材料は、オキシノイド化合物、例えば
、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール］（ＴＰＢＩ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、
フェナントロリンベースの化合物、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１
，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）、または４，７−ジフェニル−１，１０
−フェナントロリン（ＤＰＡ）、ならびにアゾール化合物、例えば、２−（４−ビフェニ
リル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、
および３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１
，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、８−ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、
４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、１，３−
ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル
］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，
３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル（ＢＰ−ＯＸＤ−Ｂｐｙ）、
４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール
（ＮＴＡＺ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０
−フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６
−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｂ
ｙ−ＦＯＸＤ）、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、トリス（２，４，６−トリメチル−
３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、１−メチル−２−（４
−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フ
ェナントロリン（２−ＮＰＩＰ）、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル
）アントラセン（ＰＡＤＮ）、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１
，１０−フェナントロリン（ＨＮＢｐｈｅｎ）、に対してキレートした金属を含む。層（
５）は、電子輸送を容易にするため、およびＯＬＥＤの層の界面での励起子のクエンチン
グを防ぐためにバッファー層またはバリア層として機能し得る。層（５）は、好ましくは
、電子の移動度を向上させ、励起子のクエンチングを減じる。好ましい実施形態において
、ＴＰＢＩは、電子伝導体材料として使用される。別の好ましい実施形態において、ＢＣ
Ｐは、電子伝導体材料として使用される。原則として、電子伝導体層は、電子伝導体材料
として式Ｉの少なくとも１種の化合物を含むことが可能である。

正孔伝導体材料および電子伝導体材料として上記において言及した材料の中のいくつか
は、複数の機能を満たし得る。例えば、いくつかの電子伝導性材料は、低いＨＯＭＯを有
する場合、同時に正孔ブロッキング材料でもある。これらは、例えば、正孔／励起子に対
するブロッキング層（４）において使用することができる。しかしながら、正孔／励起子
ブロッカーとしての機能も層（５）に担わせることも同様に可能であり、これにより、層
（４）を省くことができる。

電荷輸送層は、第一に層厚をより大きくするため（ピンホール／短絡の回避）、および
第二にデバイスの作動電圧を最小にするため、電子的にドープすることで当該材料の輸送
特性を向上させることもできる。例えば、正孔伝導体材料は、電子アクセプターでドープ
することができ；例えば、フタロシアニンまたはアリールアミン、例えば、ＴＰＤまたは
ＴＤＴＡ、は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）またはＭｏ
Ｏ₃もしくはＷＯ₃でドープすることができる。電子伝導体材料は、例えば、アルカリ金属
、例えば、リチウムを有するＡｌｑ₃、でドープすることができる。さらに、電子伝導体
は、Ｃｓ₂ＣＯ₃または８−ヒドロキシキノリラトリチウム（Ｌｉｑ）などの塩でドープす
ることができる。電子ドーピングは、当業者に公知であり、例えば、Ｗ．Ｇａｏ，Ａ．Ｋ
ａｈｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．９４，Ｎｏ．１，１ Ｊｕｌｙ ２００３（
ｐ−ドープされた有機層）；Ａ．Ｇ．Ｗｅｒｎｅｒ，Ｆ．Ｌｉ，Ｋ．Ｈａｒａｄａ，Ｍ．
Ｐｆｅｉｆｆｅｒ，Ｔ．Ｆｒｉｔｚ，Ｋ．Ｌｅｏ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖ
ｏｌ．８２，Ｎｏ．２５，２３ Ｊｕｎｅ ２００３、Ｐｆｅｉｆｆｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｏ
ｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２００３，４，８９−１０３に開示されている。
例えば、正孔伝導体層は、カルベン錯体、例えばｌｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、以外に、ＭｏＯ₃
またはＷＯ₃でドープしてもよい。例えば、電子伝導体層は、Ｃｓ₂ＣＯ₃でドープされた
ＢＣＰを含み得る。

陰極（６）は、電子または負電荷キャリアを導入する電極である。陰極に好適な材料は
、元素周期表（旧ＩＵＰＡＣ版）の、Ｉａ族のアルカリ金属、例えば、Ｌｉ、Ｃｓ、ＩＩ
ａ族のアルカリ土類金属、例えば、カルシウム、バリウム、またはマグネシウム、ＩＩｂ
族の金属、ならびにランタノイドおよびアクチニド、例えばサマリウム、からなる群より
選択される。さらに、アルミニウムもしくはインジウムなどの金属、および言及されたす
べての金属の組み合わせを使用することも可能である。さらに、アルカリ金属、とりわけ
、リチウムを含む有機金属化合物、またはアルカリ金属フッ化物、例えば、ＬｉＦ、Ｃｓ
Ｆ、またはＫＦ、は、有機層と陰極との間に適用することで、作動電圧を下げることがで
きる。

本発明によるＯＬＥＤは、さらに、当業者に公知のさらなる層を含んでいてもよい。例
えば、正電荷の輸送を促進する、および／または、層のバンドギャップを互いに適合させ
る層を、層（２）と発光層（３）との間に適用してもよい。あるいは、このさらなる層は
、保護層として機能し得る。類似の方法において、負電荷の輸送を促進する、および／ま
たは層間のバンドギャップを互いに適合させるために、さらなる層が、発光層（３）と層
（４）との間に存在していてもよい。あるいは、この層は、保護層として機能し得る。

好ましい実施形態において、本発明のＯＬＥＤは、層（１）〜（６）に加えて、以下に
言及する層：
・２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍの厚さを有する、陽極（１）と正孔輸送層（
２）との間の正孔注入層；
・正孔輸送層（２）と発光層（３）との間の、電子に対するブロッキング層；
・電子輸送層（５）と陰極（６）との間の電子注入層
のうちの少なくとも１つを含む。

正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチル
フェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，
４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２
Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン（１Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＮＡＴＡ）、酸化チタンフタロシアニン、２，３，
５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ
）、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル
（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（
ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９
，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス
（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−
スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルア
ミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［
４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ
（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（α−Ｎ
ＰＰ）、から選択され得る。原則として、正孔注入層が、正孔注入材料として式Ｉの化合
物の少なくとも１種の化合物を含むことは可能である。さらに、ポリマー性正孔注入材料
、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール
、ポリアニリン、自己ドーピングポリマー、例えば、スルホン化ポリ（チオフェン−３−
［２［（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２，５−ジイル）（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃ
ｓから市販されているＰｌｅｘｃｏｒｅ（登録商標） ＯＣ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｉｎ
ｋｓ）、およびコポリマー例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも呼ばれるポリ（３，４−エチ
レンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）、を使用することができ
る。

電子注入層の材料として、例えば、ＬｉＦを選択することができる。原則として、電子
注入層が、電子注入材料として式Ｉの化合物の少なくとも１種の化合物を含むことは可能
である。

当業者は、好適な材料をどのように選ばなければならないか理解している（例えば、電
気化学の研究に基づいて）。個々の層に好適な材料は、当業者に公知であり、ならびに、
例えば、国際公開第００／７０６５５号に開示されている。

さらに、電荷キャリア輸送の効率を高めるために、本発明のＯＬＥＤにおいて使用され
る層のいくつかを表面処理しておくことは可能である。言及された層のそれぞれに対する
材料の選択は、好ましくは、高効率および長寿命のＯＬＥＤが得られるように特定される
。

本発明のＯＬＥＤは、当業者に公知の方法によって製造することができる。概して、本
発明のＯＬＥＤは、個々の層を好適な基材上に連続的に蒸着することによって製造される
。好適な基材は、例えば、ガラス、無機半導体、またはポリマーフィルムである。蒸着に
は、慣例の技術、例えば、熱蒸発、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、を使用す
ることが可能である。代替のプロセスにおいて、ＯＬＥＤの有機層は、当業者に公知のコ
ーティング技術を用いて、好適な溶媒における溶液または分散液から適用することができ
る。

概して、異なる層は、以下の厚さ：陽極（１）５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜
２００ｎｍ；正孔伝導層（２）５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ；発光層（３
）１〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜８０ｎｍ；正孔／励起子に対するブロッキング層（
４）２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍ；電子伝導層（５）５〜１００ｎｍ、好ま
しくは２０〜８０ｎｍ；陰極（６）２０〜１０００ｎｍ、好ましくは３０〜５００ｎｍ、
を有する。陰極に関する、本発明のＯＬＥＤにおける正孔および電子の再結合領域の相対
位置、したがってＯＬＥＤの発光スペクトルは、いくつかある因子の中でも特に、各層の
相対厚さによって影響され得る。これは、電子輸送層の厚さは、好ましくは、当該再結合
領域の位置がダイオードの光学的共振器特性に、したがって、発光体の発光波長に適合す
るよう選択されるべきであることを意味している。当該ＯＬＥＤの個々の層の層厚の比率
は、使用する材料に依存する。使用する任意の追加の層の層厚は、当業者に公知である。
電子伝導層および／または正孔伝導層が、それらが電気的にドープされる場合に指定され
る層厚より厚い層厚を有することは可能である。

ＯＬＥＤの少なくとも１つの層において、好ましくは発光層（好ましくはマトリックス
材料として）および／または正孔／励起子に対するブロッキング層において、式Ｉの化合
物を使用することにより、高い効率と低い使用電圧および作動電圧とを有するＯＬＥＤが
得られる。さらに、式Ｉの化合物を使用して得られるＯＬＥＤは長寿命である。ＯＬＥＤ
の効率は、さらに、ＯＬＥＤの他の層を最適化することによって向上させることができる
。例えば、ＬｉＦの中間層との組み合わせにおいて適切であれば、高効率の陰極、例えば
、ＣａまたはＢａ、を使用することができる。成形基材ならびに、作動電極の低下または
量子効率の増加を生じる新規の正孔輸送材料も同様に、本発明のＯＬＥＤにおいて使用可
能である。さらに、異なる層のエネルギーレベルを調節するため、ならびにエレクトロル
ミネセンスを促進するために、ＯＬＥＤに追加の層が存在していてもよい。

当該ＯＬＥＤはさらに、少なくとも１つの第二の発光層を備えていてもよい。ＯＬＥＤ
の発光全体は、少なくとも２つの発光層の発光で構成され得、ならびに白色光も含み得る
。

当該ＯＬＥＤは、エレクトロルミネセンスが有用なすべての機器に使用することができ
る。好適なデバイスは、好ましくは、定置型または可動型視覚的表示装置ならびに照明装
置から選択される。定置型視覚的表示装置は、例えば、コンピュータの視覚的表示装置、
テレビ、プリンタの視覚的表示装置、台所用電化製品、ならびに広告パネル、照明パネル
、および情報パネルなどである。可動型視覚的表示装置は、例えば、携帯電話、タブレッ
ト型ＰＣ、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、自動車、ならびにバスお
よび車両の目的地表示の視覚的表示装置である。本発明のＯＬＥＤを使用可能なさらなる
デバイスは、例えば、キーボード；衣類のアイテム；家具；壁紙である。

さらに、本発明は、定置型視覚的表示装置、例えば、コンピュータの視覚的表示装置、
テレビ、プリンタの視覚的表示装置、台所用電化製品、ならびに広告パネル、照明パネル
、情報パネル、ならびに可動型視覚的表示装置、例えば、携帯電話、タブレット型ＰＣ、
ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、自動車、ならびにバスおよび電車の
行先表示の視覚的表示装置；照明装置；キーボード；衣服のアイテム；家具；壁紙、から
なる群より選択されるデバイスであって、少なくとも１つの本発明の有機発光ダイオード
または少なくとも１つの本発明の発光層を有する、デバイスに関する。

以下の実施例は、例示目的のみのために含まれ、本発明の範囲を制限するものではない
。特に明記しない限り、全ての部および百分率は、質量を基準とする。

実施例１

ａ）当該合成は国際公開第２０１０／０７９０５１号に記載されており、ペンタン中に
おける１６．４ｍｌ（２７．９ｍｍｏｌ）のｔ−ブチル−リチウムを、アルゴン下、−７
８℃において、無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中における５．００ｇ（１２．１ｍｍ
ｏｌ）の９−（８−ブロモジベンゾフラン−２−イル）カルバゾールの溶液に加える。１
５分後、２．９３ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）の２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テト
ラメチル−１，３，２−ジオキサボロランをゆっくりと加える。当該反応混合物を、アル
ゴン下において−７８℃で３時間撹拌し、水に注いで、当該水相をジエチルエーテルで抽
出する。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去する。エーテルから結晶化さ
せ、２．５７ｇの化合物１を得る（収率：４６％）。

ｂ）１１．３ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）の３−（２−アミノフェニル）−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール−２−オンを、１８０℃で、５０ｇのポリリン酸に加える。当該反応混合物を
、窒素下において２２０℃で３時間撹拌し、水に注ぐ。当該生成物をろ別し、水およびメ
タノールで洗浄する。５０ｍｌの３０％水酸化ナトリウム溶液を、２００ｍｌのＴＨＦ中
における当該生成物の懸濁液に加える。当該混合物を３０分間撹拌し、有機相を分離して
、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸留除去する。９．２６ｇの化合物２が得られる
（収率：８９％）。

５Ｈ−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールおよび３−（２−アミノフェ
ニル）−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−オンの合成は、Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．
Ｂｅｌｇ．９６（１９８７）７８７に記載されている。

ｃ）当該合成は欧州特許第１８８５８１８号に記載されており、５．００ｇ（１３．４
ｍｍｏｌ）の２−ブロモ−８−ヨード−ジベンゾフラン、８．７４ｇ（２６．８ｍｍｏｌ
）の炭酸セシウム、２５５ｍｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）、および３０９ｍ
ｇ（２．６８ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において、７５ｍｌのジメチルホルム
アミド中における２．７８ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）の５Ｈ−ベンズイミダゾ［１，２−ａ
］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合物を、１５０℃で１９時間加熱し、ＴＨＦ
によりＨｙｆｌｏ Ｓｕｐｅｒ Ｃｅｌ（登録商標）媒体、Ｆｌｕｋａ ５６６７８、ＣＡ
Ｓ［９１０５３３９−３］においてろ過する。有機相を水で洗浄する。溶媒を蒸留除去す
る。トルエン／酢酸エチル（１９／１）を用いたシリカゲルのカラムクロマトグラフィに
より、化合物３を得る（収量：２．２９ｇ（３７．７％））。

ｄ）１．９８ｇ（３．４１ｍｍｏｌ）の化合物１、ならびに４．０２ｇ（１６．６ｍｍ
ｏｌ）の三塩基性リン酸カリウム一水和物、１５ｍｌのジオキサン、６０ｍｌのトルエン
、および１２ｍｌの水を、１．５０ｇ（３．３２ｍｍｏｌ）の化合物３に加える。当該混
合物を、アルゴンで脱ガス処理する。８１ｍｇ（０．１９９ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘ
キシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）、および７４ｍｇ
（０．０３３ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加える。当該反応混合物をアルゴン
で脱ガス処理し、アルゴン下において１００℃で４．５時間撹拌する。４０ｍｌの１％シ
アン化ナトリウム溶液を加え、当該反応混合物を１時間還流させる。ジクロロメタンを加
え、有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。トルエンおよび次にトルエン
／酢酸エチル（９／１）を用いたシリカゲルのカラムクロマトグラフィにより、化合物Ａ
−１を得る（収量：１．４２ｇ（６１％））。

実施例２
４Ｈ−イミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールの合成は、ＡＲＫＩＶＯＣ ２００
２（ｖ）４８−６１に記載されている。

ａ）２００ｍｌのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中における８．０２ｇ（５１．０
ｍｍｏｌ）の４Ｈ−イミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１５．９ｇ（５６．１
ｍｍｏｌ）の１−ブロモ−３−ヨード−ベンゼン、３３．２ｇ（１０２ｍｍｏｌ）の炭酸
セシウム、１．９４ｇ（１０．２ｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）、および２．３５ｇ（２０．
４ｍｏｌ）のＬ−プロリンを、１００℃で２４時間撹拌する。固体をろ別し、ジクロロメ
タンで洗浄する。有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。当該溶媒を蒸留
除去する。トルエンおよび次にトルエン／酢酸エチル（２０／１）を用いたカラムクロマ
トグラフィにより、生成混合物（３．８９ｇ（２４％）の異性体Ａおよび４．４６ｇ（２
８％）の異性体Ｂ）を得る。２つの異性体の分離は、トルエン／酢酸エチル（トルエン（
１００％）、トルエン／酢酸エチル（９５／５）、トルエン／酢酸エチル（９０／１０）
、および酢酸エチル（１００％））を用いた勾配カラムクロマトグラフィにより達成され
る。

ｂ）化合物Ｃ−１の合成は、化合物Ａ−１の合成と同様に実施する。

ｃ）実施例２ｃ）の生成物の合成は、化合物Ａ−１の合成と同様に実施する。

適用実施例１−混合マトリックス
陽極として使用されるＩＴＯ基板を、超音波槽において、最初に、ＬＣＤ製造用の市販
の洗浄剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（登録商標） ２０ＮＳ、および２５ＯＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（
登録商標）中和剤）により、次いで、アセトン／イソプロパノール混合物中において清浄
化する。可能性のあるあらゆる有機残留物を排除するために、基板を、さらに２５分間、
オゾンオーブン中において連続するオゾン流に晒す。この処理は、ＩＴＯの正孔注入特性
も向上させる。次いで、Ｐｌｅｘｃｏｒｅ（登録商標） ＯＣ ＡＪ２０−１０００（Ｐｌ
ｅｘｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ．から市販されている）をスピンコーティングし、乾燥させ
て、正孔注入層（約４０ｎｍ）を形成する。

その後、下記に指定される有機材料を、当該清浄化された基板に、蒸着により、約１０
⁻⁷〜１０⁻⁹ｍｂａｒにおいて、およそ０．５〜５ｎｍ／分の速度で被着させる。正孔輸
送および励起子ブロッカー、

（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃）
（調製については、出願国際公開第２００５／０１９３７３号におけるＩｒ錯体（７）を
参照のこと）を、厚さ２０ｎｍで当該基板に適用し、最初の１０ｎｍにＭｏＯ_x（約１０
％）をドープして導電性を向上させる。

続いて、３０質量％の発光体化合物、

、８質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および６２質量％の化合物：

の混合物を、蒸着により３０ｎｍの厚さで被着させる。

続いて、材料

を、ブロッカーとして、蒸着により厚さ５ｎｍで被着させる。

次に、電子輸送層として、Ｃｓ₂ＣＯ_でドープした

層を、蒸着により厚さ２０ｎｍで被着し、最終的に１００ｎｍ厚のＡｌ電極によりデバイ
スが完成する。

すべての製作部品を、不活性窒素雰囲気下においてガラスリッドおよびゲッターにより
密封する。

適用実施例２−単一のマトリックス
発光層が３０質量％の化合物：

および７０質量％の化合物：

のみからなる（すなわち、化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃を含まない）ことを除き、適用実
施例１と同じＯＬＥＤの製造および構成。

当該ＯＬＥＤの特徴を明らかにするため、様々な電流および電圧において、エレクトロ
ルミネッセンススペクトルを記録する。加えて、放出された光出力と組み合わせて、電流
−電圧特性を測定する。当該光出力は、光度計を用いて較正することにより、光度測定パ
ラメータに変換することができる。寿命を特定するために、ＯＬＥＤを、一定電流密度に
おいて作動させ、光出力の減少を記録する。寿命は、輝度が初期の輝度の半分に低下する
までの経過時間として定義される。

^1）外部量子効率（ＥＱＥ）は、物質またはデバイスから放出された発生フォトンの＃／
それを流れる電子の＃、である。

実施例３

３．３０ｇ（１０ｍｍｏｌ）の１，３−ジヨードベンゼン、１３．０ｇ（４０．０ｍｍ
ｏｌ）の炭酸セシウム、１，９０ｇ（１．００ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）、および２．
３０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において、１００ｍｌのジメチル
スルホキシド（ＤＭＳＯ）中における４．５６ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）ｍｍｏｌ）の５Ｈ
−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合物を、１０
０℃で５時間撹拌する。当該反応混合物を水に注ぎ、生成物をろ別する。当該生成物をト
ルエンから２回結晶化させる。収量１．６ｇ（４８％）。ＭＳ（ＡＰＣＩ（正イオン）：
ｍ／ｚ＝４８９（Ｍ^＋1）。

実施例４

ａ）７．７８ｇ（２５ｍｍｏｌ）の１−ブロモ−３−ヨード−ベンゼン、１６．３ｇ（
５０．０ｍｍｏｌ）炭酸セシウム、１．２４ｇ（６．５０ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）、
および１．５０ｇ（１３．０ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において、１００ｍｌ
のジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中における５．１８ｇ（２５．０ｍｍｏｌ）ｍｍｏ
ｌ）の５Ｈ−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合
物を、１００℃で１８時間撹拌する。当該反応混合物を水に注ぐ。有機相をジクロロメタ
ンで抽出する。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させる。溶媒を蒸留除去する。トルエン
を用いたシリカゲルのカラムクロマトグラフィにより、生成物を得る。収量８．３５ｇ（
９２％）。

ｂ）２０ｍｌのＤＭＦ中における１．０９ｇ（３．００ｍｍｏｌ）の実施例４ａ）の生
成物、６９０ｍｇ（２．７０ｍｍｏｌ）の４，４，５，５−テトラメチル−２−（４，４
，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，３，２−ジ
オキサボロラン、５．８６ｇ（１．８０ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを、アルゴンで脱ガス
処理する。１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）ジクロロパラジウム（
ＩＩ）を加え、当該反応混合物をアルゴンで脱ガス処理する。当該反応混合物を、８０℃
で１８時間撹拌する。当該生成物をろ別し、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、水、およ
びメタノールで洗浄する。収量３７０ｍｇ（４４％）。

実施例５

ａ）５０ｍｌのＤＭＦ中における５．７８ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）の実施例４ａ）の生
成物、１２．１６ｇ（４７．８ｍｍｏｌ）の４，４，５，５−テトラメチル−２−（４，
４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，３，２−
ジオキサボロラン、１２．５ｇ（０．１２８ｍｏｌ）の酢酸カリウムを、アルゴンで脱ガ
ス処理する。１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）ジクロロパラジウム
（ＩＩ）を加え、当該反応混合物をアルゴンで脱ガス処理する。当該反応混合物を６０℃
で２２時間撹拌し、塩化ナトリウムの飽和水溶液に注ぐ。水相をテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）で抽出し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸留除去する。生成物を
ジエチルエーテルおよびシクロヘキサンから結晶化させる。収量３．６２ｇ（５９％）。

ｂ）２．７２ｇ（６．０１ｍｍｏｌ）の５−（８−ブロモジベンゾフラン−２−イル）
ベンズイミダゾロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、ならびに６．９２ｇ（３．０１ｍ
ｍｏｌ）の三塩基性リン酸カリウム一水和物、２７ｍｌのジオキサン、１００ｍｌのトル
エン、および２１ｍｌの水を、３．２０ｇ（７．８２ｍｍｏｌ）の５−［３−（４，４，
５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］ベンズイ
ミダゾロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該混合物を、アルゴンで脱ガス
処理する。１４８ｍｇ（０．３６１ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’
，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）および１３５ｍｇ（０．０６０ｍｍｏｌ）
の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加える。当該混合物をアルゴンで脱ガス処理し、アルゴン下
において１００℃で２２時間撹拌する。１１０ｍｌの１％シアン化ナトリウム溶液を加え
、当該反応混合物を１時間還流させる。ジクロロメタンを加え、有機相を水で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥させる。生成物をメタノールで煎じる（収量：１．６２ｇ（４１％
））。

実施例６

ａ）２００ｍｌのＤＭＦ中における２０．０ｇ（７８．８ｍｍｏｌ）の１，３−ジブロ
モ−５−フルオロ−ベンゼン、１６．３ｇ（７８．８ｍｍｏｌ）の６Ｈ−ベンズイミダゾ
ロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、および４３．５ｇ（０．３１５ｍｍｏｌ）の炭酸
カリウムを、１７０℃で１７時間撹拌する。当該反応混合物を熱ろ過し、冷却後、母液か
らの沈殿物を濾過する。当該生成物を、水およびエタノールで洗浄し、ジエチルエーテル
およびエタノールで煎じる。収量２１．２ｇ（６１％）。

ｂ）２．００ｇ（４．５３ｍｍｏｌ）の５−（３，５−ジブロモフェニル）ベンズイミ
ダゾロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、ならびに４．１５ｇ（３．００ｍｍｏｌ）の
炭酸カリウム、２７ｍｌのジオキサン、１００ｍｌのトルエン、および２１ｍｌの水を、
３．２０ｇ（７．８２ｍｍｏｌ）の２−ジベンゾフラン−２−イル−４，４，５，５−テ
トラメチル−１，３，２−ジオキサボロランに加える。当該混合物をアルゴンで脱ガス処
理する。３７ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６
’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）および１０ｍｇ（０．００４５ｍｍｏｌ）の酢
酸パラジウム（ＩＩ）を加える。当該反応混合物をアルゴンで脱ガス処理し、アルゴン下
において１２０℃で１９時間撹拌する。１１０ｍｌの１％シアン化ナトリウム溶液を加え
、当該反応混合物を１時間還流させる。当該溶媒を蒸留除去する。３０ｍｌのトルエンを
加え、生成物をろ別し、水およびシクロヘキサンで洗浄し、メチルブチルケトン（ＭＥＫ
）から結晶化させる。収率１．８４ｇ（６６％）。

実施例７

実施例７の生成物を、実施例６において説明した手順と同様にして調製する。

実施例８

３．８５ｇ（８．５１ｍｍｏｌ）の５−（８−ブロモジベンゾフラン−２−イル）ベン
ズイミダゾロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、ならびに１０．３ｇ（４．２６ｍｍｏ
ｌ）の三塩基性リン酸カリウム一水和物、２０ｍｌのジオキサン、８０ｍｌのキシレン、
および１６ｍｌの水を、２．０１ｇ（４．０９ｍｍｏｌ）の４，４，５，５−テトラメチ
ル−２−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−
イル）フェニル］−１，３，２−ジオキサボロランに加える。当該混合物をアルゴンで脱
ガス処理する。２１０ｍｇ（０．５１１ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−
２’，６’−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）および１９１ｍｇ（０．０８５ｍｍｏ
ｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加える。当該混合物をアルゴンで脱ガス処理し、アルゴ
ン下において１００℃で２２時間撹拌する。１１０ｍｌの１％シアン化ナトリウム溶液を
加え、当該反応混合物を１時間還流させる。ジクロロメタンを加える。有機相を水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。当該生成物をジエチルエーテルで煎じる。収率１．
３１（３９％）。

実施例９

ａ）２，６−ジヨード−ジベンゾフランを、国際公開第２０１１／１１１４２３号の実
施例１３に従って調製し、シクロヘキサンからの結晶化により精製する。

ｂ）実施例９の生成物を、実施例５において説明した手順と同様にして調製する。

実施例１０

４．２０ｇ（１０ｍｍｏｌ）の２，８−ジヨードジベンゾフラン、１３．０ｇ（４０．
０ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、１．９０ｇ（１．００ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）、およ
び２．３０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において、１００ｍｌのジ
メチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中における４．５６ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）ｍｍｏｌ）
の５Ｈ−ベンズイミダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合物を
１００℃で２４時間撹拌し、ろ過し、ジクロロメタンで洗浄する。有機層を硫酸マグネシ
ウムで乾燥させ、溶媒を蒸留除去する。当該生成物をエーテルから結晶化させる。収量４
．７ｇ（８１％）。

実施例１１

ａ）２−ブロモ−ジベンゾフランを、Ｅ．Ｈａｎｄ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．６２（１
９９７）１３４８に従って調製し、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（ＴＢＭＥ）からの
結晶化により精製する。

ｂ）４７．２７ｇ（０．１９９ｍｏｌ）の２−ブロモ−ベンゾフランを、４４０ｍｌの
乾燥ＴＨＦに溶解させ、アルゴン下において−７８℃に冷却する。１時間以内に、リチウ
ムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ；２５０ｍｌの乾燥ＴＨＦ中における８１．２ｍｌ（０
．２１９ｍｏｌ）のｎ−ブチルリチウム（ヘプタン中において２．７Ｍ）および２０．１
８ｇ（０．１９９ｍｏｌ）のジイソプロピルアミンから調製する）を加え、温度を−７３
℃未満に維持する。得られた黄色溶液を−７８℃で２時間撹拌する。次いで、１５０ｍｌ
の乾燥ＴＨＦに溶解させた５０．６ｇ（０．１９９ｍｏｌ）のヨウ素の溶液を５０分以内
に加え、温度を−７３℃未満に維持する。得られた茶色溶液を室温まで温め、５００ｍｌ
の緩衝液（ｐＨ＝７）に注ぎ、２ＮのＨＣｌでｐＨ＝７に中和する。有機溶媒を蒸発させ
、水相を酢酸エチルで３回抽出する。収集した有機層を水で３回洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させる。シクロヘキサン／ＴＢＭＥ＝１：１からの２
回の結晶化により、３５．０ｇの２−ブロモ−４−ヨード−ジベンゾフランを得る（収率
：４５．６％）。

実施例１２

ａ）４−ブロモ−ジベンゾフランを、米国特許第２０１１／０００６６７０号の実施例
１に従って調製し、メタノールからの結晶化により精製する。

ｂ）６−ブロモ−２−ヨード−ジベンゾフランを、米国特許第２０１１／０００６６７
０号の実施例１に従って調製し、２−プロパノールからの結晶化により精製する。

ｃ）１．００ｇ（２．６８ｍｍｏｌ）の６−ブロモ−２−ヨード−ジベンゾフラン、１
．７５ｇ（５．３６ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、１３０ｍｇ（０．６７ｍｍｏｌ）のヨウ
化銅（Ｉ）、および１５０ｍｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において
、２０ｍｌのＤＭＳＯ中における６７０ｍｇ（３．２２ｍｍｏｌ）の５Ｈ−ベンズイミダ
ゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合物を、１００℃で１８時間
撹拌し、ろ過する。ＴＨＦおよびトルエンを有機相に加え、当該有機相を水で洗浄する。
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸留除去する。当該生成物は、さらなる精
製を行わずに工程ｂ）において使用することができる（収量＝６５０ｍｇ（７８％））。

ｄ）実施例１２の生成物を、実施例５において説明した手順と同様にして調製する。Ｍ
Ｓ（ＡＰＣＩ（正イオン）、ｍ／ｚ）：６１５．５（Ｍ^＋1）。

実施例１３

９−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イ
ル）フェニル］カルバゾールの合成については、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０（２００８
）１６９１−１６９３に記載されている。実施例２１の生成物を、実施例５において説明
した手順と同様にして調製する。

実施例１４

２−ヨード−ジベンゾフランを、Ａ．Ｋｒｙｓｋａ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ １０（１９９９）２５０１に従って調製
し、メタノールからの結晶化により精製する。

実施例１５

ａ）２，４−ジヨード−ジベンゾフランを、２−ヨード−ジベンゾフラン（実施例１４
）から出発して、実施例１１において説明した手順と同様にして調製し、２−プロパノー
ルからの結晶化によって精製する（収率：８０％）。

ｂ）実施例１５の生成物を、実施例１０において説明した手順と同様にして調製する。

実施例１６

ａ）７．００ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）の１−ブロモ−４−ヨード−ベンゼン、１０．５
ｇ（３２．２ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、２．３６ｇ（１２．４ｍｍｏｌ）ヨウ化銅（Ｉ
）、および２．８５ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において、８０ｍ
ｌのＤＭＳＯ中における５．１３ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）ｍｍｏｌ）の５Ｈ−ベンズイミ
ダゾ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合物を、１００℃で１５時
間および１５０℃で４時間撹拌し、ジクロロメタンによりＨｙｆｌｏにおいてろ過する。
有機相を水で洗浄する。当該有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させる。生成物をジエチル
エーテルおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）で煎じる。収量：２．９０ｇ（７７％）。

ｂ）実施例１６ｂ）の生成物を、実施例４ｂ）において説明した手順と同様にして調製
する。

１つのシグナルがＤＭＦで覆われる。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（正イオン）、ｍ／ｚ）：５６５（Ｍ^＋1）。

実施例１７

ｂ）実施例１７の生成物を、実施例４ｂ）において説明した手順と同様にして調製する
。

実施例１８

実施例１８の生成物を、実施例５ｂ）において説明した手順と同様にして調製する。Ｍ
Ｓ（ＡＰＣＩ（正イオン）、ｍ／ｚ）：６１５（Ｍ^＋1）。

実施例１９

２ｇ（４．０４ｍｍｏｌ）の３，６−ジヨード−９−フェニル−カルバゾール、５．２
６ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、１９０ｍｇ（０．１０１ｍｍｏｌ）ヨウ化銅
（Ｉ）、および２３３ｍｇ（２．０２ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素下において、４
０ｍｌのＤＭＳＯ中における１．８４ｇ（８．８９ｍｍｏｌ）の５Ｈ−ベンズイミダゾ［
１，２−ａ］ベンズイミダゾールに加える。当該反応混合物を１５０℃で１０時間撹拌し
、Ｈｙｆｌｏ Ｓｕｐｅｒ Ｃｅｌ（登録商標）媒体（Ｆｌｕｋａ ５６６７８、ＣＡＳ［
９１０５３−３９−３］）においてろ過し、ジクロロメタンで洗浄する。有機相を硫酸マ
グネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸留除去する。シクロヘキサン／トルエン（シクロヘキサ
ン１００％、シクロヘキサン／トルエン（１０／１）、シクロヘキサン／トルエン（４／
１））による勾配カラムクロマトグラフィにより、生成物を得る（収量：７０ｍｇ（３％
））。ＭＳ（ＡＰＣＩ（正イオン）、ｍ／ｚ）：６５４（Ｍ^＋1）。

化合物Ａ−１２以外に、以下の化合物：

も、ＨＰＣＬ−ＭＳによって検出された。

実施例２０

ａ）実施例２０ａ）の生成物を、実施例１ｃ）において説明した手順と同様にして調製
する。４Ｈ−［１，２，４］トリアゾロ［１，５−ａ］ベンズイミダゾールの合成および
その合成のために使用される出発材料に関しては、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏ
ｍｐｏｕｎｄｓ（１９８９）１６８およびＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ ４２（１９７７）５４
２を参照されたい。ＭＳ（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ（、ｍ／ｚ）：４０３（Ｍ^＋1）。

ｂ）実施例２０ｂ）の生成物を、実施例１３において説明した手順と同様にして調製す
る。

実施例２１

ａ）５ｇ（３１．６ｍｍｏｌ）の４Ｈ−［１，２，４］トリアゾロ［１，５−ａ］ベン
ズイミダゾール、２０，６ｇ（６３，２ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、１，５ｇ（７．９ｍ
ｍｏｌ）ヨウ化銅（Ｉ）、および９１０ｍｇ（７．９ｍｍｏｌ）のＬ−プロリンを、窒素
下において、６０ｍＬのＤＭＳＯ中における１７．８ｇ（８ｍＬ）（６３．２ｍｍｏｌ）
の１−ブロモ−３−ヨードベンゼンに加える。当該反応混合物を、８５℃で１５時間撹拌
する。当該反応混合物を、ジクロロメタンを用いてシリカゲルによりろ過する。有機相を
水、ＮａＣｌ溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。生成物をジエチルエーテル
で煎じる（収量：８．０ｇ（８０％））。

ｂ）４０ｍＬのトルエン中における１．２５ｇ（４ｍｍｏｌ）の４−（３−ブロモフェ
ニル）−［１，２，４］トリアゾロ［１，５−ａ］ベンズイミダゾール、２，４ｇ（５，
２ｍｍｏｌ）の９−［８−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロ
ラン−２−イル）ジベンゾフラン−２−イル］カルバゾール、および４．３ｇ（２０ｍｍ
ｏｌ）リン酸カリウムを、アルゴン下において、ジオキサン／水４０ｍＬ／１０ｍＬ中に
おける９０ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）、１００ｍｇ（０．２４
ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２，６−ジメトキシビフェニル（ＳＰｈ
ｏｓ）に加える。当該反応混合物を８５℃で１５時間撹拌し、ジクロロエタンを用いてセ
ライトによりろ過する。有機相を水、ＮａＣｌ溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ
る（収量：１．７５ｇ（７７％））。

実施例２２

１０ｍＬのＤＭＳＯ中における１６０ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）の１，３−ジヨードベ
ンゼンおよび１７０ｍｇ（１．０６ｍｍｏｌ）の４Ｈ−［１，２，４］トリアゾロ［１，
５−ａ］ベンズイミダゾールを、アルゴン下において１５分間撹拌する。６２５ｍｇ（１
．９ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、１２０ｍｇ（１．０６ｍｍｏｌ）のＬ−プロリン、およ
び９０ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）を加える。当該反応混合物を１００℃
で１５時間撹拌し、ジクロロエタンを用いてセライトによりろ過する。有機相を水、Ｎａ
Ｃｌ溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させる。生成物をイソプロパノールから結晶化
させる（収量：１３０ｍｇ（６９％））。

実施例２３

１０ｍＬのＤＭＳＯ中における１ｇ（２．４ｍｍｏｌ）の２，８−ジヨードジベンゾフ
ランおよび８４０ｍｇ（５．３ｍｍｏｌ）の４Ｈ−［１，２，４］トリアゾロ［１，５−
ａ］ベンズイミダゾールを、アルゴン下において、１５分間撹拌する。３．１ｇｍｇ（９
．６ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、５５０ｍｇ（４．８ｍｍｏｌ）のＬ−プロリン、および
４６０ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）のヨウ化銅（Ｉ）を加える。茶色の反応混合物を１００℃
で１５時間撹拌する。当該反応混合物に水を加え、ろ過し、メタノールで洗浄する。生成
物をトルエンから結晶化させる（収量：３３０ｍｇ（２８％））。

実施例２４
９−（９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾールを、文献の手順（Ｊ．Ｏ
ｒｇ．Ｃｈｅｍ，２００８，７３，１８０９）に従って調製する。

ａ）実施例２４ａ）の生成物を、実施例１０の手順に従って調製する。精製：ＦＣ（Ｓ
ｉＯ₂、シクロヘキサン／ＣＨ₂Ｃｌ₂（４：１）。収率：８５％。

ｂ）Ｐｄ（ｄｐｐｆ）^＊ＣＨ₂Ｃｌ₂（８ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を、５−［３−（４
，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］ベ
ンズイミダゾロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール（１３３ｍｇ、０．３３ｍｍｏｌ）、
ジオキサン（５ｍＬ）中における実施例２４ａ）の生成物（１４４ｍｇ、０．２５ｍｍｏ
ｌ）、およびＮａＯＨ（３Ｍ、０．２５ｍＬ）の、脱ガス処理（Ａｒ）した混合物に加え
る。当該反応混合物を、８０℃で８時間加熱し、セライトによりろ過し、ＦＣ（ＳｉＯ₂
、ＣＨ₂Ｃｌ₂）により、生成物を得る（収量：５０ｍｇ、２６％）。

適用実施例３
ＩＴＯ基板の準備ならびにその後の完成したダイオードの特性評価は、以下の層の組成
物が異なっていることを除いて、適用実施例１と同じである。

正孔輸送および励起子ブロッカーとして、Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃を、厚さ２０ｎｍで基
板に適用し、導電性を向上させるために、最初の１０ｎｍにＭｏＯ₃（約１０％）をドー
プする。続いて、３０質量％の発光体化合物：

、１５質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および５５質量％の化合物：

の混合物を、蒸着により、厚さ３０ｎｍで被着させる。
続いて、化合物Ａ−１０を、正孔ブロッカーとして、蒸着により、厚さ５ｎｍで被着させ
る。続いて、５０質量％の材料：

および５０質量％の材料：

の混合物を、電子輸送層として、厚さ２０ｎｍで蒸着する。最後に、約２ｎｍのＫＦを電
子注入層として被着し、１００ｎｍ厚のＡｌ電極によりデバイスを完成させる。

適用比較例１
ＯＬＥＤの製造および構成は、以下を除き、適用実施例３と同じである。正孔輸送層に
おけるＩｒ（ｄｐｂｉｃ）₃中へのＭｏＯ₃のドーピング濃度は、５質量％である。発光層
は、３０質量％の化合物：

、１５質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および５５質量％の化合物：

からなる。正孔ブロッキング層は化合物Ｒｅｆ−１からなり、電子輸送層は２５ｎｍ厚で
ある

^＊測定された適用実施例３の寿命を１００として、適用比較例１の寿命を、適用実施例３
の寿命に対して特定する。

適用実施例４
ＯＬＥＤの製造および構成は、以下を除いて、適用実施例３と同じである。ＭｏＯ₃お
よびＩｒ（ｄｐｂｉｃ）₃を有する正孔輸送層は１５ｎｍであり、非ドープ電子ブロッカ
ーのＩｒ（ｄｐｂｉｃ）₃は、５ｎｍ厚のみである。発光層は、３０質量％の化合物：

、１０質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および６０質量％の化合物：

からなり、厚さは４０ｎｍである。正孔ブロッキング層は、材料Ｂ−５からなる。

適用比較例２
ＯＬＥＤの製造および構成は、以下を除いて、適用実施例３と同じである。発光層は、
３０質量％の化合物：

、１０質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および６０質量％の化合物：

からなり、厚さは４０ｎｍである。正孔ブロッキング層は、化合物Ｒｅｆ−２からなる。

^＊測定された適用実施例４の寿命を１００として、適用比較例２の寿命を、適用実施例４
の寿命に対して特定する。

適用実施例５
ＯＬＥＤの製造および構成は、以下を除いて、適用実施例４と同じである。発光層は、
３０質量％の化合物：

、１０質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および６０質量％の化合物

からなり、厚さは３０ｎｍである。電子輸送層は、２５ｎｍ厚である。
適用比較例３
ＯＬＥＤの製造および構成は、以下を除いて、適用実施例１と同じである。発光層は、
３０質量％の化合物：

、１０質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および６０質量％の化合物：

からなり、厚さは３０ｎｍである。電子輸送層は、２５ｎｍ厚である。

^＊測定された適用実施例５の寿命を１００として、適用比較例３の寿命を、適用実施例５
の寿命に対して特定する。

適用実施例６
ＯＬＥＤの製造および構成は、以下を除いて、適用実施例３と同じである。発光層は、
３０質量％の化合物：

、１０質量％の化合物Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃、および６０質量％の化合物：

からなり、厚さは４０ｎｍである。正孔ブロッキング層は、材料Ａ−３からなる。

Claims (2)

1. 下記式で表される化合物Ａ−２１〜Ａ−３２、Ｂ−６〜Ｂ−３５、Ｃ−１〜Ｃ−７８、Ｄ−１〜Ｄ−１４４、Ｅ−１〜Ｅ−１８３、Ｆ−１〜Ｆ−６２、Ｇ−１〜Ｇ−６２、及びＨ−１〜Ｈ−２６４からなる群から選択される化合物からなる、有機エレクトロルミネッセントデバイス用ホスト材料。
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   上記の式において、参照番号^２）、^３）、及び^４）は以下の意味を有する：
   ^２）点線は式：
   

   

   の基への結合を示し、
   ^３）点線は、それぞれ、式：
   

   

   の基への結合を示し；
   ^４）点線は、式：
   

   

   の基への結合を示す。
2. 請求項１に記載のホスト材料を含むエレクトロルミネッセントデバイス。