TWI418606B

TWI418606B - 有機電致發光裝置

Info

Publication number: TWI418606B
Application number: TW095114488A
Authority: TW
Inventors: Takeshi Murakami; Kazunari Yagi; Seiji Ichijima; Tatsuya Igarashi; Tasuku Satou
Original assignee: Udc Ireland Ltd
Priority date: 2005-04-25
Filing date: 2006-04-24
Publication date: 2013-12-11
Also published as: TW200702423A; EP1874894A1; US8048538B2; US20090079329A1; WO2006115301A1; EP1874894B1

Description

有機電致發光裝置

本發明是關於有機電致發光裝置，藉由轉換電能為光能來發光。

因為有機電致發光裝置(有機EL裝置)可使用低電壓來發射高亮度的光，所以已經積極投入有機EL裝置之研究。一般來說，有機EL裝置包括了有機層(在下，同樣關聯於有機化合物層)，該有機層具有光發射層和一對中間夾有有機層的電極，且使用從激勵器藉由重組電子從負電極進入和電洞從正電極進入位於光發射層中來產生之光。

近年來，磷光材料的使用促進了有機EL效率的增加。銥複合物(PCT日本翻譯專利公開號00/57676)和鉑複合物為熟習之磷光材料，但是磷光材料仍需要改善其發光效率、耐久性和發光顏色。

本發明技術主題為提供一種可以發各種不同顏色的光線之有機電致發光裝置，該裝置具有高耐久壽命或高發光效率。

本技術主題達到下列目的：(1)一種有機電致發光裝置，包括：一對電極；和至少一有機層位於兩電極之間，在至少一層的有機層處包含一化合物，由化學式(1)表示：

其中M表示過渡金屬原子或是過渡金屬離子；R¹ ¹ 和R¹ ² 每個單獨表示氫原子或取代基團，且R¹ ¹ 和R¹ ² 可被單獨的鍵結在M上，或是R¹ ¹ 和R¹ ² 可互相鍵結形成環狀結構；L¹ ¹ 表示為配位子，且L¹ ¹ 可被鍵結至少在R¹ ¹ 或R¹ ² 之上；X¹ ¹ 表示為相對離子；n¹ ¹ 表示為整數0至5；n¹ ² 表示為整數1至6；n¹ ³ 表示為整數0至3；且C表示為碳烯碳，被鍵結於R¹ ¹ 和R¹ ² 上來與M配位。

(2)如第(1)項之有機電致發光裝置，在其中由化學式(1)所表示的化合物為由化學式(2)所表示的化合物：

在其中M表示過渡金屬原子或是過渡金屬離子；R² ¹ ，R² ² ，R² ³ 和R² ⁴ 每個單獨表示氫原子或取代基團，且R² ¹ ，R² ² ，R² ³ 和R² ⁴ 可被單獨鍵結於M或是R² ¹ ，R² ² ，R² ³ 和R² ⁴ 可互相鍵結形成環狀結構；L² ¹ 表示為配位子，且L² ¹ 可被鍵結在R² ¹ ，R² ² ，R² ³ 和R² ⁴ 至少之一上；X² ¹ 表示為相對離子；n² ¹ 表示為整數0至5；n² ² 表示為整數1至6；n² ³ 表示為整數0至3；且C表示為碳烯碳，被鍵結在兩個氮原子上來與M配位。

(3)如第(2)項之有機電致發光裝置，在其中由化學式(2)所表示的化合物為由化學式(3)所表示的化合物：

在其中M表示為過渡金屬原子或過渡金屬離子；R³ ¹ ，R³ ² 和R³ ³ 每個單獨表示氫原子或是取代基團，且R³ ¹ ，R³ ² 和R³ ³ 可互相鍵結形成環狀結構或是R³ ¹ ，R³ ² 和R³ ³ 可經由R³ ¹ ，R³ ² 和R³ ³ 的原子來配位於M；R³ ⁴ 表示取代基團，規定當R³ ⁴ 為複數時，R³ ⁴ 的複數可彼此相等或不同，且R³ ⁴ 的複數可以可彼此鍵結形成環狀結構或R³ ⁴ 可經由R³ ⁴ 的原子來配位於M；L³ ¹ 表示為配位子；X³ ¹ 表示為相對離子；n³ ¹ 表示為整數0至4；n³ ² 表示為整數1至3；n³ ³ 表示為整數0至2；m³ ¹ 表示為整數0至4；且C表示為碳烯碳，被鍵結在兩個氮原子上藉由碳烯碳的兩個主要電子與M配位。

(4)如第(3)項之有機電致發光裝置，在其中由化學式(3)所表示的化合物為由化學式(4)所表示的化合物：

R⁴ ¹ ，R⁴ ² 和R⁴ ³ 每個單獨表示氫原子或取代基團，且R⁴ ¹ ，R⁴ ² 和R⁴ ³ 可互相鍵結形成環狀結構或是R⁴ ¹ ，R⁴ ² 和R⁴ ³ 可經由R⁴ ¹ ，R⁴ ² 和R⁴ ³ 的原子來配位於M；R⁴ ⁴ ，R⁴ ⁵ ，R⁴ ⁶ 每個單獨表示取代基團，規定當R⁴ ⁴ ，R⁴ ⁵ ，R⁴ ⁶ 各自為複數時，R⁴ ⁴ 的複數，R⁴ ⁵ 的複數，R⁴ ⁶ 的複數可各自互相鍵結形成環狀結構，或R⁴ ⁴ ，R⁴ ⁵ ，R⁴ ⁶ 各自可經由R⁴ ⁴ ，R⁴ ⁵ ，R⁴ ⁶ 的原子與M共價；n⁴ ¹ 表示為整數0至2；n⁴ ² 表示為整數1至3；且m⁴ ¹ ，m⁴ ² 和m⁴ ³ 各自獨立表示為整數0至4。

(5)如第(1)項至第(4)項之有機電致發光裝置，在其中包含碳烯碳的配位子為一種三牙至六牙之配位子。

(6)如第(1)項之有機電致發光裝置，在其中由化學式(1)所表示的化合物為由化學式(5)所表示的化合物：

R⁵ ² 和R⁵ ³ 每個單獨表示氫原子或取代基團，且R⁵ ² 和R⁵ ³ 可互相鍵結形成環狀結構；R⁵ ⁴ ，R⁵ ⁵ ，R⁵ ⁶ 每個單獨表示取代基團，規定當R⁵ ⁴ ，R⁵ ⁵ ，R⁵ ⁶ 各自為複數時，複數R⁵ ⁴ ，複數R⁵ ⁵ ，複數R⁵ ⁶ 可各自互相鍵結形成環狀結構；Y⁵ ¹ 和Y⁵ ² 每個單獨表示為單鍵或是連接基；n⁵ ¹ 表示為0或1；且m⁵ ¹ ，m⁵ ² 和m⁵ ³ 每個單獨表示為整數0至4。

(7)如第(1)項至第(6)項之有機電致發光裝置，在其中至少一有機層包括光發射層，且在該光發射層中包括至少光發射材料和化學式(1)至(5)表示之化合物。

(8)如第(1)項至第(7)項之有機電致發光裝置，在其中之至少一有機層包括光發射層，且至少一層位在光發射層和正電極之間，該層包含由化學式(1)至(5)表示之化合物。

(9)如第(1)項至第(7)項之有機電致發光裝置，在其中之至少一有機層包括光發射層，且至少一層位在光發射層和負電極之間，該層包含由化學式(1)至(5)表示之化合物。

在有機電致發光裝置中具有一有機層位於兩電極之間，可以增進裝置的耐久性(減少驅動電壓和防止當長時間驅動時裝置惡化產生暗點)或藉由使用由化學式(1)至(5)表示的化合物讓光發射效率增進，在有機層中該化學式在過渡金屬和碳烯碳間具有鍵結。

而且，藉由使用化學式(1)至(5)表示的任何化合物在至少一層有機層中，特別是在光發射層和正電極之間的薄層，或在光發射層和負電極之間的薄層，除了裝置壽命之外有可能更加改進光發射效率(減少驅動電壓和防止當長時間驅動時裝置惡化產生暗點。)

本發明詳細描述說明如下。

本發明提供有機電致發光裝置，該裝置具有至少一有機層介於一對電極之間。此處，至少一有機層包括藉由化學式(1)至(5)表示之化合物(具有跟化合物相同的意義，根據本發明中之過渡金屬和碳烯碳彼此鍵結)。

化學式(1)描述如下。M表示為過渡金屬原子或過渡金屬離子。R¹¹ 和R¹² 獨立表示為氫原子或取代基。R¹¹ 和R¹² 兩者或其中之一可能經由R¹¹ 和R¹² 兩者或其中之一的原子來與M配位。L¹¹ 表示配位子而X¹¹ 表示為相對離子。n¹¹ 表示為整數0至5，n¹² 表示為整數1至6，而n¹³ 表示為整數0至3。C表示為碳烯碳。該碳烯碳被鍵結於R¹¹ 和R¹² (最好用共價鍵)上和藉由碳的兩個主要電子來與M配位。

在本發明中使用的該過度金屬原子沒有特別限制，但以釕、銠、鈀、鎢、錸、鋨、銥、鉑之一為佳，以鈀、錸、銠、銥、鉑較佳，而鈀、銠、銥、鉑為最佳。

由R¹¹ 和R¹² 表示取代基團的例子可以包括烷基團(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至10為最佳，且該例子中可以包括甲基、乙基、異丙基、三級丁基、正辛基、正癸基、正十六基、環丙基、環戊基、和環己基)，一種烯基(該烯基具有碳數為2至30，以2至20為較佳，2至10為最佳，例如可以包括乙烯基、芳香基、2-丁烯基和3-丁烯基)，和炔基(該炔基具有碳數為2至30，以2至20為較佳，2至10為最佳，例如可以包括炔丙基和3-戊烯基)。

另外，其他由R¹¹ 和R¹² 所表示取代基團的例子可包括芳基(具有碳數為6至30，以6至20為較佳，6至12為最佳，而該例子中可以包括苯基、對甲苯基、萘基和苯甲醯亞胺酸)，取代或非取代氨基(具有碳數為0至30，以0 至20為較佳，0至10為最佳，而該例子中可以包括胺基、甲基胺、二甲基胺、二乙基胺、二苯胺和二硫胺)，烷氧基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至10為最佳，而該例子中可以包括甲氧基、乙氧基、丁氧基和2-乙基己氧基)，芳氧基(具有碳數為6至30，以6至20為較佳，6至12為最佳，而該例子中可以包括苯氧基、1-萘氧基和2-萘氧基)，和雜環氧基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括吡啶基氧、吡唑基氧、嘧啶基氧和喹啉基氧)。

另外，其他由R¹¹ 和R¹² 所表示取代基團的例子可包括一醯基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括乙醯基、苯甲醯基、甲醯基和三甲基乙醯基)，烷氧羰基(具有碳數為2至30，以2至20為較佳，2至12為最佳，而該例子中可以包括甲氧羰基和乙氧羰基)，芳氧羰基(具有碳數為7至30，以7至20為較佳，7至12為最佳，而該例子中可以包括苯氧羰基)，醯氧基(具有碳數為2至30，以2至20為較佳，2至10為最佳，而該例子中可以包括乙醯氧基和苯甲醯氧基)，醯胺基(具有碳數為2至30，以2至20為較佳，2至10為最佳，而該例子中可以包括乙醯胺基和苯甲醯胺基)。

另外，其他由R¹¹ 和R¹² 所表示取代基團的例子可包括一烷氧羰基胺基(具有碳數為2至30，以2至20為較佳，2至12為最佳，而該例子中可以包括甲氧基胺基)，芳氧羰基胺基(具有碳數為7至30，以7至20為較佳，7至12 為最佳，而該例子中可以包括苯氧羰基胺基)，磺醯胺基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括甲烷磺醯胺基和苯磺醯胺基)，胺磺醯基(具有碳數為0至30，以0至20為較佳，0至12為最佳，而該例子中可以包括胺磺醯、甲基胺磺醯、二甲基胺磺醯和苯基胺磺醯)。

另外，其他由R¹¹ 和R¹² 所表示取代基團的例子可包括胺甲醯基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括胺甲醯、甲基胺甲醯、二乙基胺甲醯和苯基胺甲醯)，烷硫基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括甲基硫和乙基硫)，芳香硫基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括苯硫基)，雜環硫基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括吡啶基硫、2-聯苯咪唑硫(2-benzimizolythio)，2-苯并唑基硫和2-苯并噻唑基硫)。

另外，其他由R¹¹ 和R¹² 所表示取代基團的例子可包括一磺醯基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括甲黃醯基和甲苯磺醯基)，亞磺醯基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括甲烷亞磺醯和乙苯亞磺醯)，脲基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括脲基，甲基脲基和苯基脲基)，醯胺磷酸鹽基(具有碳數為1至30，以1至20為較佳，1至12為最佳，而該例子中可以包括二乙醯胺磷酸鹽和苯乙醯胺磷酸鹽)，羥基，氫硫基和鹵素原子(例子中可以包括氟原子，氯原子，溴原子，碘原子)。

另外，其他由R¹¹ 和R¹² 所表示取代基團的例子可包括氰基，磺酸基，羧基，硝基，羥胺基，亞磺基，肼基，亞胺基，雜環基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括一氮原子，氧原子和硫原子作為該異質原子，例如可包括咪唑基，吡啶基，喹啉基，呋喃基，噻吩基，哌啶基，味啉基，苯并唑，苯并咪唑，苯噻唑基，咔唑基和氮呯(azepinyl)，矽烷基(具有碳數為3至40，以3至30為較佳，3至24為最佳，而該例子中可以包括三甲基矽烷基和三苯矽烷基)，和矽烷氧基(具有碳數為3至40，以3至30為較佳，3至24為最佳，而該例子中可以包括甲基矽氧和三苯矽氧)。這些取代基可被再次置換。

R¹¹ 和R¹² 可以鍵結成環狀結構。R¹¹ 和R¹² 經由R¹¹ 和R¹² 的原子來與M配位。R¹¹ 和R¹² 至少之一可以鍵結於L¹¹ 上而行成螯合配位子。R¹¹ 和R¹² 可為烷氧基，芳氧基、異質芳氧基和取代型胺基之一，而以烷氧基和取代型胺基為較佳。

L¹¹ 表示為一配位子。配位子例如可以包括在1987年由Springer Verlag Co.的H.Yersin發表"光化學和光物理學之相關化合物"和在1982年由Shokabou Co.的Yamamoto發表的"有機金屬化學的基礎和應用"中所描述的配位子。該配位子為下列其中之一，鹵素配位子(例如可包括氯配位子和氟配位子)，含氮雜環配位子(例如可包括雙吡啶基，啡咯啉，苯基吡啶，吡唑基吡啶，苯咪唑基吡啶，苯基吡唑，吡啶甲酸和二吡啶甲酸)，乙二酮，氮基配位子，CO配位子，異氰化物配位子，磷配位子(例如可包括磷化氫衍生物，磷酯衍生物，膦衍生物)，和碳酸配位子(例如可包括醋酸配位子)，而以含氮雜環配位子(例如可包括雙吡啶基，啡咯啉，苯基吡啶，吡唑基吡啶，苯咪唑基吡啶和苯基吡唑)為佳。

一種含氮雜環位於含氮雜環配位子中為一種吡啶環，吡基環，嘧啶環，嗒環，咯環，吡唑環，咪唑環，三唑環，噻唑環，噁唑環，噁二唑環，乙二唑環，氮磷酸環，而以吡啶環，吡唑環和咪唑環為較佳。

該含氮雜環配位子可具有取代基。例如該取代基包括R¹¹ 和烷基，芳基，烷氧基，氟原子，氰基，而以取代胺基為較佳。

X¹¹ 表示為相對離子。該相對離子並沒有特別限定，但以鹼金屬離子，鹼土金屬離子，鹵素離子，過氯酸離子，PF₆ 離子，銨基離子為佳(例如四甲銨離子)，硼酸鹽離子和鏻離子，而以過氯酸鹽離子和PF₆ 離子為佳。

n¹¹ 表示一整數0至5，以整數1至4為佳，而以整數 1或2為較佳。當n¹¹ 為複數時，複數L¹¹ 可彼此相等或是彼此不同。n¹² 表示為整數1至6，以整數1至4為佳，而以整數1至3為較佳。當n¹² 為複數時，由R¹¹ -C-R¹² 表示之複數碳烯配位子可彼此相等或是彼此不同。n¹³ 表示一整數0至3，而以1或2為佳，而以0為較佳。當n¹³ 為複數時，複數X¹¹ 可彼此相等或是彼此不同。

化學式(2)如下描述。M，L²¹ ，X²¹ ，n²¹ ，n²² 和n²³ 與上述化學式(1)中描述的M，L¹¹ ，X¹¹ ，n¹¹ ，n¹² 和n¹³ 相同且需要之範圍也相同。R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 表示為氫原子或是取代基，而取代基為包括R¹¹ 所描述之取代基。R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 可鍵結形成環狀結構。R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 可經由R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 之原子來與M配位。R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 鍵結於L²¹ 形成螯合配位子。R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 可為烷基，芳香基，異質芳香基，烯基，烷氧基，芳氧基，烷氨基，芳香氨基和雜環胺基，而以烷基，芳香基，異芳香基，烷氧基和芳氧基為較佳，以雜環胺基為較佳，以烷基，芳香基，異芳香基為最佳。

碳烯配位子由下列所形成：碳烯碳，兩個氮原子，R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 具有含有碳烯碳和兩個氮原子之環狀結構，以五員或六員環結構為較佳，而以五員環結構最佳，如下化學式(Z-1)所表示：

上面化學式中，R⁶¹ ，R⁶² ，R⁶³ 和R⁶⁴ 表示為氫原子或是取代基。C表示為碳烯碳。該碳烯碳鍵結到兩個氮原子且具有兩個電子，在碳上該電子可與過渡金屬配位。

化學式(Z-1)如下所描述：R⁶¹ ，R⁶² ，R⁶³ 和R⁶⁴ 與化學式(2)中的M，R²¹ ，R²² ，L²³ 和X²¹ 相同且所需的範圍也是相同。

化學式(3)如下所描述：M，R³¹ ，R³² ，R³³ ，L³¹ 和X³¹ 與化學式(2)中的M，R²¹ ，R²² ，R²³ ，L²³ 和X²¹ 相同且所需的範圍也是相同。R³⁴ 表示為取代基，例如該取代基可以包括R¹¹ 。複數R³⁴ 可以彼此相同或是不同。複數R³⁴ 可以藉由鍵結或是在R³⁴ 上的原子與M配位來各自形成環狀結構。R³⁴ 可為烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基，氟原子，氰基和取代胺基，以烷基，芳香基，氟原子和氰基為較佳，而以氟原子和氰基為最佳。N³¹ 表示為整數0至4而以1至4為佳。N³² 表示為整數1至3而以1或2為佳。N³³ 表示為整數0至2而以0或1為佳。M³¹ 表示為整數0至4而以0至2為佳。當m³¹ 為複數時，複數R³⁴ 可彼此相同或是相異。

化學式(4)如下所描述：R⁴¹ ，R⁴² ，R⁴³ ，n⁴² 和m⁴¹ 相同於化學式(3)中的R³¹ ，R³² ，R³³ ，R³⁴ ，n³² 和m³¹ 且所需的範圍也是各自相同。R⁴⁵ 和R⁴⁶ 表示為取代基，例如該取代基可以包括R¹¹ 。當m⁴² 為複數時，複數R⁴⁵ 可以彼此相同或相異。複數R⁴⁵ 藉由鍵結或是在R⁴⁵ 上的原子與銥原子配位來各自形成環狀結構。R⁴⁵ 可為烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基，氟原子，氰基和取代型胺基，以烷基，芳香基，烷氧基和取代胺基為較佳，而以烷氧基和取代胺基為最佳。N⁴² 表示一整數0至4而以0至2為佳。當m⁴³ 為複數時，複數R⁴⁶ 可以彼此相同或是不同。複數R⁴⁶ 藉由鍵結或是在R⁴⁶ 上的原子與銥原子配位來各自形成環狀結構。R⁴⁶ 可為烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基，氟原子，氰基和取代胺基，以烷基，芳香基，氟原子，氰基為較佳，而以氟原子，氰基為最佳。M⁴³ 表示為整數0至4而以0至2為佳。N⁴¹ 表示為整數0至2而以1或2為佳。

化學式(1)至(4)中表示的化合物，其包括碳烯碳的配位子以三牙至六牙為佳，而以三牙或四牙為較佳。

化學式(5)如下所描述：R⁵² 和R⁵³ 表示氫原子或取代基，例如該取代基可以包括R¹¹ 。R⁵² 和R⁵³ 藉由鍵結來各自形成環狀結構。可為烷基，芳香基，異質芳香基，烯基，烷氧基，芳氧基，烷胺基，芳香胺基和雜環胺基，以烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基和芳氧基為較佳，而以烷基，芳香基和異質芳香基為最佳。

碳烯配位子由下列所形成：碳烯碳，兩個氮原子，和R⁵² 和R⁵³ 具有含有碳烯碳和兩個氮原子之環狀結構，以五員或六員環結構為較佳，而以五員環結構最佳，如下化學式(Z-2)所表示：

上面化學式中，R⁹ ² 和R⁹ ³ 表示氫原子或是取代基，而R⁹ ⁴ ，R⁹ ⁵ 和R⁹ ⁶ 表示取代基。Y⁹ ¹ 和Y⁹ ² 表示單鍵或是連接基。N⁹ ¹ 表示0或1而m⁹ ¹ ，m⁹ ² 和m⁹ ³ 表示為整數0至4。C表示為碳烯碳。該碳烯碳鍵結於兩個氮原子上，且具有兩個電子於碳上與過渡金屬配位。

R⁵ ⁴ 和R⁵ ⁶ 表示為取代基，例如該取代基可以包括R¹ ¹ 。當m⁵ ¹ 和m⁵ ³ 表示為複數時，複數R⁵ ⁴ 和R⁵ ⁶ 可彼此相同或相異且藉由各自鍵結可形成環狀結構。R⁵ ⁴ 和R⁵ ⁶ 最好為烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基，氟原子，氰基和取代胺基，以烷基，芳香基，氟原子和取代胺基為較佳，而以氟原子和取代胺基為最佳。m⁵ ¹ 和m⁵ ³ 表示為整數0至4而以0至2為佳。

R⁵ ⁵ 表示為取代基，例如該取代基可以包括R¹ ¹ 。複數R⁵ ⁵ 可彼此相同或是相異，或藉由各自鍵結來形成環狀結構。R⁵ ⁵ 可為烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基，氟原子，氰基和取代胺基，以烷基，芳香基，烷氧基和取代型胺基為較佳，而以烷氧基和取代型胺基為最佳。m⁵ ² 表示為整數0至4而以0至2為佳。Y⁵ ¹ 和Y⁵ ² 表示為單鍵或連接基。該連接基並沒有特別限定，但以具有碳原子，氮原子，氧原子，硫原子和矽原子的連接基為佳。下面描述了幾個例子，而該連接基並無限定：

該連接基可再次被取代，而例如該取代基可以包括由化學式(1)所描述的R¹ ¹ 。該取代基最好為烷基，芳香基，異質芳香基，烯基，烷氧基，芳氧基，烷胺基，芳香胺基和雜環胺基，以烷基，芳香基，異質芳香基，烷氧基和芳香胺基為佳，而以為烷基，芳香基和異質芳香基為最佳。Y⁵ ¹ 和Y⁵ ² 為單鍵，烷基，芳香基和矽烷基，以單鍵，二甲基和乙烯基。N⁵ ¹ 表示為0或1，而以0為佳。

化學式(Z－2)如下所描述：R⁹ ² ，R⁹ ³ ，R⁹ ⁴ ，R⁹ ⁵ ，R⁹ ⁶ ，Y⁹ ¹ ，Y⁹ ² ，m⁹ ¹ ，m⁹ ² ，m⁹ ³ 和n⁹ ¹ 與化學式(5)中的R⁵ ² ，R⁵ ³ ，R⁵ ⁴ ，R⁵ ⁵ ，R⁵ ⁶ ，Y⁵ ¹ ，Y⁵ ² ，m⁵ ¹ ，_m ⁵ ² ，_m ⁵ ³ 和n⁵ ¹ 相同且所需的範圍也相同。

化學式(1)至(5)所表示的化合物可為低分子量化合物。該低聚合物化合物和聚合物化合物(平均重量分子量(在聚苯乙烯當量))之範圍以1,000至5,000,000為佳，以2,000至1,000,000為較佳，而以3,000至100,000為最佳。如果是聚合物化合物的話，化學式(1)至(5)表示的結構可包括在聚合物的主鏈中或是邊鏈中。該聚合物化合物可為同元聚合物化合物或共聚物化合物。本發明的化合物為低分子量化合物。

本發明之化合物的例子如下所描述，但本發明並非只限定於這些例子。

化學式(1)至(5)所表示的化合物可使用各種不同的方法來合成。例如，混合配位子與在室溫下或加溫時使用過渡金屬化合物混合分離的金屬來得到所需的化合物。一旦加溫時，使用微波加熱材料會比使用傳統方法加熱更有效率。可使用溶劑(例如鹵素溶劑，醇溶劑，乙醚溶劑和水)或是基底(可為無機基底或是有機基底，例如可包括甲氧基納，t－丁氧鉀，三乙胺和碳烯鉀)。

例如，可使用下面方法來合成化合物(1)。氯橋聯(架橋)之銥金屬錯合物A－1可以使用文獻1(J.Am Chem.Soc.1984,106,6647)所描述之方法來合成。接下來從錯合物A－1和咪唑鹽A－2中形成錯合物，該錯合物為碳烯配位子之前驅物，該前驅物為藉由使用在文獻2(Inorg.Chem.2004,43,6896)所描述的反應條件，可合成化合物(1)。

該四牙白金錯合物化合物(113)之綜合體可由下面之方法形成。咪唑鹽A－3為四牙碳烯配位子之驅物，該前驅物為藉由使用在文獻3(Tetrahedron,2004,60,5807)中所描述的方法來合成。然後，使用文獻4(Coordination Chemistry Reviews,2004,248,2247)或是相似的方法從咪唑鹽A－3和白金鹽中製成錯合物，然後合成化合物(113)。

本發明可使用文獻(Angew.Chem.Int.Ed.2002,41,1290)，文獻5("金屬混合化學"Hirokawa Shoten於1990年發表，而Ogino Hiroshi,Matsubayasi Genetsu,Yamamoto Yosihisa合著)或是相似的方法來合成。

根據本發明該化合物可使用各種含有電洞注入材料，電洞傳輸材料，光發射材料，電子注入材料，電子傳輸材料，電洞阻擋材料，電子阻擋材料，激發阻擋材料和電洞注入引發材料。該化合物使用以電洞注入材料，電洞傳輸材料，電子阻擋材料和光發射材料為佳，以電洞注入材料和光發射材料為較佳，而以光發射材料為最佳。當化合物為光發射材料時，發射出的光線可為紫外光，可見光或紅外光之一，或螢光和磷光之一。而以發射磷光為較佳。

根據本發明之化合物發射磷光的最大波長為380nm至490nm，400nm至480nm為較佳，以410nm至470nm為更佳，以420nm至460nm為最佳。

根據本發明化合物之磷光量子產率為20%或以上，40%或以上為較佳，以60%或以上為最佳。磷光材料發射磷光量子的產率在20℃測量冰凍且除氣的磷光材料水溶液(例如，1x10^－ ⁵ mol/l的甲苯溶液)。

本發明中的有機電致發光裝置，表面量子效率(＝(輸入電子數量)/(輸出光子數量)x100(%))為5%或以上，以10%或以上為較佳，以13%或以上為最佳。表面量子效率數值之最大值是當裝置在20℃驅動的值，或是裝置在100至300cd/m² 與20℃時的值。

本發明中的有機電致發光裝置，內部量子效率(＝(外面量子效率)x(光發射效率)/100(%))為30%或以上，以50%或以上為較佳，以70%或以上為最佳。常見的有機EL裝置的發光效率約為20%，但是光產生效率可藉由設計基板外形，電極外形，有機層的厚度，無機層的厚度，有機層的反射率，無機層的反射率而超過20%或以上。

本發明之有機電致發光裝置至少包括一有機層位於一正電極和一負電極之一對電極之間，且該有機層是一光發射層或是有機層的複數電極包括光發射層。除了發射層之外，該有機層還可包括一電洞注入層，一電洞傳輸層，一電子傳輸層，一電洞注入引發材料和一保護層。各個層具有不同的化學式。不同的材料使用於各個不同層之上。

有機層的結構例子可包括一單層結構(光發射層)，兩層結構(光發射層和電子傳輸層，和電洞傳輸層)，三層結構(電子傳輸層，光發射層，和洞動傳輸層)，四層結構(電子注入層，光發射層，電洞傳輸層，和電洞注入層)，和五層結構(電子注入層，電子傳輸層，光發射層，電洞傳輸層，和電洞注入層)。

本案之該有機電致發光裝置有至少一電洞傳輸層，一光發射層和一電子傳輸層三層結構之一。該光發射層最好包括至少兩種主材料與螢光材料。

本發明的有機電致發光裝置包括一化合物，本發明之化合物具有至少一光發射層，一層位在光發射層和負電極之間，一層位在光發射層和正電極之間，以至少一光發射層和位在光發射層與正電極之間之層為較佳，而以位在光發射層為更佳。

當本發明之化合物在光發射層上使用時，光發射層最好包括至少一本發明之化合物和一光發射層。

在光發射層中，本發明之化合物最好包括0.1重量百分比至99.5重量百分比，以1至98重量百分比為佳，以5至90重量百分比為較佳。

更者，當本發明之化合物包括在位於光發射層和負電極間之間層或是位於光發射層和正電極間之間層，本發明之化合物包括10重量百分比至100重量百分比，以30重量百分比至100重量百分比為較佳，以50重量百分比至100重量百分比為更佳。

該光發射層中的光發射材料並無限定且可以從已知的材料中選取。例如螢光材料可包括在Paragraph No.0027 of Japanese Unexamined Patent Application Publication No.2004－146067中描述之材料和在Paragraph No.0057 of Japanese Unexamined Patent Application Publication No.2004－103577中描述之材料。

例如磷光材料可包括重金屬(例如銥，鉑，錸，鋨，銅和金)錯合物，和包括銥錯合物或是鉑錯合物。例如在Paragraph Nos.0051 to 0057 of Japanese Unexamined Patent Application Publication No.2004－221068中所描述者。在其中，鉑錯合物具有四牙配位子，而鉑錯合物以具有氮原子配位的四牙配位子為較佳，而鉑錯合物以具有六員雜環氮原子配位的四牙配位子更佳，而鉑錯合物以具有非環狀結構之六員雜環氮原子配位的四牙配位子為最佳。例如鉑錯和物具有的四牙配位子可包括由化學式(P－1)表示的鉑錯合物。鉑錯和物具有的四牙配位子可由WO2004－108857A1中所提之方法來合成。

本發明之化合物可使用做為光發射層之主材料。當本發明之化合物使用該主材料時，該光發射材料最好包括具有四牙配位子之鉑錯合物。該鉑錯合物具有四牙配位子最好為具有氮原子配位的四牙配位子之鉑錯合物，而以具有六員雜環氮原子配位的四牙配位子之鉑錯合物為較佳，而以具有非原形結構六員雜環氮原子配位之鉑錯合物為最佳。例如鉑錯合物具有四牙配位子可包括由化學式(P－1)表示之鉑錯合物。

本發明之化合物可使用於光發射層的鄰近層(該鄰近層表示鄰近於光發射層之層，例如為電洞傳輸層，電洞注入層，電子傳輸層，電子充電阻擋層，和激發阻擋層)。特別是本發明之化合物最好包括位於正電極和光發射層間的鄰近層，而以在電洞傳輸層和/或電洞注入促進層中為佳。該電洞注入層表示鄰近於光發射層之層且促進電洞注入光發射層。

當本發明之化合物使用於光發射層之鄰近層時，該光發射層包括至少一本發明之化合物，至少一光發射材料和至少一主材料，或是至少一主材料和致少一光發射材料，而以至少一主材料和至少一光發射材料為較佳。

該光發射層之材料以具有磷光性材料為佳，以具有重金屬錯合物為較佳，以具有多種金屬錯合物為更佳，以具有銥錯合物或鉑錯合物為更佳，而以鉑錯合物為最佳。

鉑錯合物以具有四牙配位子為佳，該鉑錯合物具有氮原子配位之四牙配位子為更佳，而以具有六員雜環氮原子配位的四牙配位子之鉑錯合物為較佳，而以具有非原形結構六員雜環氮原子配位之鉑錯合物為最佳。例如鉑錯合物具有四牙配位子可包括由化學式(P－1)表示之鉑錯合物。

例如在光發射層中的主材料可包括稍後描述的主材料。該主材料最好為重金屬錯合物，咔唑衍生物，芳香三級胺，和一硫二烯伍環衍生物，且在分子中以咔唑複數架構和/或芳香三級胺架構為佳。

此下表示化學式(P－1)。

這裡Pt表示鉑離子，L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ ，L¹ ⁴ 和L¹ ⁵ 表示配位子與鉑離子配位。環狀配位子並非由L¹ ¹ 和L¹ ⁴ 間原子團額外存在所形成。

L¹ ⁵ 並非用結合L¹ ¹ 和L¹ ⁴ 來形成環狀配位子。Y¹ ¹ ，Y¹ ² 和Y¹ ³ 表示連接基，單鍵，或是雙鍵。介於L¹ ¹ 和Y¹ ² ，L¹ ² 和Y¹ ² ，L¹ ² 和Y¹ ¹ ，L¹ ³ 和Y¹ ³ 以及L¹ ⁴ 和Y¹ ³ 之鍵表示單鍵或是雙鍵。n^E ¹ ¹ 表示整數0至4。

方程式(P－1)可由方程式(P－2)，方程式(P－9)，方程式(P－10)，方程式(P－5)和方程式(I)如下描述所表示。

這裡，Pt表示鉑離子而Y² ¹ 表示連接基，單鍵，或雙鍵。Y² ² 和Y² ³ 表示單鍵或連接健。Q² ¹ 和Q² ² 表示由含氮雜環構成之原子團，而Q² ¹ 和Y² ¹ 形成在環之間的鍵，Q² ² 和Y² ¹ 形成在環之間的單鍵或雙鍵。X^E ² ¹ 和X^E ² ² 表示氧原子，硫原子，或是取代或非取代之氮原子。R^E ² ¹ ，R^E ² ² ，R^E ² ³ ，和R^E ² ⁴ 表示氫原子或是取代基，而R^E ² ¹ ，R^E ² ² ，R^E ² ³ ，和R^E ² ⁴ 可以各自鍵結形成一環。L² ⁵ 表示配位子與鉑離子配位。n^E ² ¹ 表示為整數0至4。

此處，Pt表示鉑離子，而Q^A ¹ 和Q^A ² 表示由含氮雜環構成的原子團。R^A ¹ ，R^A ² ，R^A ³ 和R^A ⁴ 表示氫原子或是取代基，而R^A ¹ ，R^A ² ，R^A ³ 和R^A ⁴ 可以各自鍵結形成環。Y^A ² 和Y^A ³ 表示單鍵或連接健。Y^A ¹ 表示連接鍵，單鍵，或雙鍵，用來連接括號中的兩二牙配位子。L⁴ ⁵ 表示與鉑離子配位的配位子。n^A ¹ 表示為整數0至4。

這裡，Pt表示鉑離子，Y^B ² 表示連接基而Y^B ² 和Y^B ³ 表示連接基或單鍵。X^B ¹ 和X^B ² 表示氧原子，硫原子，或是取代或不可取代之氮原子。N^B ¹ 和N^B ² 表示整數0或1。R^B ¹ ，R^B ² ，R^B ³ ，R^B ⁴ ，R^B ⁵ 和R^B ⁶ 表示氫原子或者取代基團，且R^B ¹ 和R^B ² ，以及R^B ³ 和R^B ⁴ 可藉由鍵結各自來形成環狀結構。L^B ⁵ 表示配位子與鉑離子配位。N^B ³ 表示為整數0至4。Y^B ¹ 沒有連接到R^B ⁵ 或R^B ⁶ 。

Pt表示鉑離子，而Q⁵ ¹ ，Q⁵ ² ，Q⁵ ³ 和Q⁵ ⁴ 表示一含氮雜環原子團。Y⁵ ¹ 表示連接基，單鍵或雙鍵。W⁵ ¹ 和W⁵ ² 表示取代或者非取代碳原子或氮原子。L⁵ ⁵ 表示配位子與鉑離子配位。n^E ⁵ ¹ 表示為整數0至4。

在化學式(I)中，Z¹ 和Z² 表示含氮六員方香環，該氮原子與鉑配位。Q表示具有一或二個氮原子的五員方香環。L¹ 和L² 表示為單鍵或者二價連接基。N表示0或1。

上述化學式(P－2)由下面之化學式(P－3)描述如下。

在化學式(P－3)中，Z³ ¹ ，Z³ ² ，Z³ ³ ，Z³ ⁴ ，Z³ ⁵ ，Z³ ⁶ ，T³ ¹ ，T³ ² ，T³ ³ ，T³ ⁴ ，T³ ⁵ ，T³ ⁶ ，T³ ⁷ 和T³ ⁸ 表示一取代或者非取代碳原子或氮原子。X³ ¹ 和X³ ² 表示一氧原子，一硫原子，或者一取代或非取代氮原子。

上述化學式(P－9)由下面化學式(P－6)和(P－7)描述如下。

在化學式(P－6)中，Pt表示一鉑離子，而Q⁶ ¹ 和Q⁶ ² 表示為含環原子團。Z⁶ ¹ ，Z⁶ ² ，Z⁶ ³ ，Z⁶ ⁴ ，Z⁶ ⁵ ，Z⁶ ⁶ ，Z⁶ ⁷ 和Z⁶ ⁸ 表示為取代或非取代碳原子或氮原子。Y⁶ ¹ 表示為連接基，單鍵，或雙鍵。Y⁶ ² 和Y⁶ ³ 表示為連接基或者單鍵。L⁶ ⁵ 表示為配位子與鉑離子配位。N⁶ ¹ 表示為整數0至4。

在化學式(P－7)中，Pt表示為鉑離子，而Z⁷ ¹ ，Z⁷ ² ，Z⁷ ³ ，Z⁷ ⁴ ，Z⁷ ⁵ 和Z⁷ ⁶ 表示取代或非取代碳原子或氮原子。Y⁷ ¹ ，Y⁷ ² 和Y⁷ ³ 表示連接基或單鍵。R⁷ ¹ ，R⁷ ² ，R⁷ ³ 和R⁷ ⁴ 表示氫原子和取代基，且R⁷ ¹ 和R⁷ ² ，R⁷ ³ 和R⁷ ⁴ 可藉由鍵結各自形成環狀結構。L⁷ ⁵ 表示配位子與鉑離子配位。N⁷ ¹ 表示為整數0至4。

上述化學式(P－7)由下面化學式(P－11)描述如下。

R^C ¹ 和R^C ² 表示為氫原子或取代基，而R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 表示為取代基。n^C ³ 和n^C ⁶ 表示整數0至3，且n^C ⁴ 和n^C ⁵ 表示整數0至4。當R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 為複數時，複數R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 可彼此相等或相異，或者可藉由鍵結來形成環狀結構。

上述化學式(P－10)由下面化學式(P－12)描述如下。

R^D ³ 和R^D ⁴ 表示一氫原子或一取代基，而R^D ¹ 和R^D ² 表示取代基。n^D ¹ 和n^D ² 表示整數0至4。當R^D ¹ 和R^D ² 為複數時，複數R^D ¹ 和R^D ² 可彼此相同或相異，或者可就由鍵結來形成環狀結構。Y^D ¹ 表示為在第一和第二位置被取代之乙烯基，苯環，吡啶，嘧啶基，或具有碳數目1至8之甲基。

上述化學式(I)由下面化學式(II)，(III)，(IV)描述如下。

在化學式(II)中，Z¹ ，Z² 和L¹ 與化學式(I)中為相同。R^P ² ¹ 和R^P ² ² 各自表示氫原子或取代基。

在化學式(III)中，Z¹ ，Z² 和L¹ 與化學式(I)中的相同，且R^P ³ ¹ ，R^P ³ ² 和R^P ³ ³ 各自表示為氫原子或取代基。

在化學式(IV)中，Z¹ ，Z² 和L¹ 與化學式(I)中相同。R^P ⁴ ¹ 和R^P ⁴ ² 各自表示為氫原子或取代基。

上述化學式(II)由下面化學式(IIA)描述如下。

在化學式(IIA)中，L¹ 表示單鍵或二價連接基。R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ 和R^P ⁵ ⁶ 各自表示氫原子或取代基。

上述化學式(IIA)由下面化學式(IIB)描述如下。

在化學式(IIB)中，R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ ，R^P ⁵ ⁶ ，R^P ⁶ ¹ 和R^P ⁶ ² 各自表示氫原子或取代基。

上述化學式(IIB)由下面化學式(IIC)描述如下。

在化學式(IIC)中，R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ 和R^P ⁵ ⁶ 各自表示氫原子或取代基。

上述化學式(IIC)由下面化學式(IID)描述如下。

在化學式(IID)中，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ 和R^P ⁵ ⁶ 各自表示一氫原子或一取代基。R^P ² ¹ 表示一取代基。

化學式(P－1)如下描述。Pt表示一鉑離子。

L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 表示配位子與鉑離子配位。L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 包含的原子與鉑離子配位最好為氮原子，氧原子，硫原子，或碳原子，而以氮原子，氧原子或碳原子為較佳。

該鉑離子與L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 鍵結可為共價鍵，離子鍵，或配位鍵。該配位子各自包括L¹ ¹ ，Y¹ ² ，L¹ ² ，Y¹ ¹ ，L¹ ³ ，Y¹ ³ 和L¹ ⁴ 最好為陰離子配位子(其中至少一陰離子鍵結於金屬)。在該陰離子配位子的陰離子數最好為1至3，而以1或2為佳，以2為最佳。

L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 中與鉑離子配位的碳原子沒有特別限定，例如可包括亞胺配位子，芳香碳環配位子(例如苯配位子，奈配位子，蔥配位子和菲配位子)，和雜環配位子(例如一硫二烯伍環配位子，一氯三烯陸環配位子，吡配位子，嘧啶配位子，噻唑配位子，噁唑配位子，吡咯環配位子，咪唑配位子，吡唑配位子，壓縮環包括它們(例如喹啉配位子和苯噻唑配位子)，和其互變異構物)。

L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 中與鉑離子配位的氮原子沒有特別限定，例如可包括含氮雜環配位子(例如一氯三烯陸環配位子，吡配位子，嘧啶配位子，咯配位子，三氮雜苯配位子，噻唑配位子，噁唑配位子，吡咯環配位子，咪唑配位子，吡唑配位子，三氮二烯伍員配位子，噁二唑配位子，噻二唑配位子，聚集環包括它們(例如喹啉配位子，苯并唑配位子，和苯噻唑配位子)，其互變異構物，和胺基配位子(例如烷胺基配位子(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括甲胺)，和芳香胺基配位子(例如苯胺)，醯胺基配位子(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括乙醯胺基和苯甲醯胺)，烷氧羰胺配位子(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括甲氧羰胺基)，芳香氧羰胺配位子(最好具有碳數在7至30，以7至20為較佳，而以7至10為最佳，例如可包括苯氧羰胺基)，磺醯胺基配位子(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至10為最佳，例如可包括甲烷磺醯胺和苯磺醯胺)，和亞胺配位子)。這些配位子可被再次取代。

L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 中與鉑離子配位的氧原子沒有特別限定，例如可包括烷氧配位子(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至10為最佳，例如可包括甲氧基，乙氧基，丁氧基和2－乙烷己烷氧基)，芳氧基配位子(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包括苯氧基，1－萘氧基，和2－萘氧基)，雜環氧基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括吡啶氧基，吡唑氧基，嘧啶氧基，和喹啉氧)，醯氧基配位子(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括乙醯氧和苯甲醯氧基)，矽烷氧基配位子(最好具有碳數在3至40，以3至30為較佳，而以3至24為最佳，例如可包括三甲氧基和三苯矽烷氧基)，碳醯基配位子(例如可包括酮配位子，酯配位子和醯胺配位子)，和醚配位子(例如可包括二烷基醚配位子，二芳基醚配位子和呋喃配位子)。

L¹ ¹ ，L¹ ² ，L¹ ³ 和L¹ ⁴ 中與鉑離子配位的硫原子沒有特別限定，例如可包括烷硫基配位子(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲基硫和乙基硫)，芳香硫基配位子(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包括苯硫)，雜環硫基配位子(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括吡啶硫基，2－苯並咪唑硫，2－苯唑硫基，和2－苯噻唑硫基)，硫碳醯基配位子(例如硫酮配位子和硫酯配位子)，和硫醚配位子(例如二烷基硫醚配位子，二芳基硫醚配位子和硫呋喃基配位子)。這些配位子可被再次取代。

L₁ ₁ 和L₁ ₄ 最好為芳香碳環配位子，烷氧基配位子，芳香氧基配位子，醚配位子，烷硫基配位子，芳香硫基配位子，烷胺基配位子，芳香胺基配位子，醯胺配位子和含氮雜環配位子(例如吡啶配位子，吡配位子，嘧啶配位子，嗒配位子，三氮雜苯配位子，噻唑配位子，噁唑配位子，吡咯環配位子，咪唑配位子，吡唑配位子，三唑配位子，噁二唑配位子，噻二唑配位子，均具有環結構(例如喹啉配位子，苯并唑配位子和苯并咪唑配位子)，和其互變異構物)其中之一，而以芳香碳環配位子，芳香氧基配位子，芳香硫基配位子，芳香胺基配位子，醯胺基配位子，吡啶配位子，吡配位子，咪唑配位子，均具有環結構(例如喹啉配位子，喹喔啉配位子和苯並咪唑配位子)，和其互變異構物為較佳，而以芳香碳環配位子，芳香氧基配位子，芳香硫基配位子，芳香胺基配位子為更佳，以芳香碳環配位子和芳香氧基配位子為最佳。

L¹ ² 和L¹ ³ 最好為配位子與鉑離子形成配位鍵。該配位子最好為吡啶環，吡環，嘧啶環，三氮雜苯環，噻唑環，噁唑環，吡咯環，噻唑環，均具有環結構(例如喹啉環，苯并唑環，苯并咪唑環，和吲哚啉環)，和其互變異構物為佳，而以吡啶環，吡環，嘧啶環，三氮雜苯環，均具有環結構(例如喹啉環和苯吡咯環)，及其互變異構物為較佳，而以吡啶環和含有吡啶環之環結構(例如喹啉環)為最佳。

L¹⁵ 表示為配位子與鉑離子配位L¹⁵ 最好為單牙至四牙的配位子和單牙至四牙的陰離子配位子。該單牙至四牙的陰離子配位子並沒有特別限定，但最好為鹵素配位子，1,3-二酮配位子(例如乙醯丙酮配位子)，單牙雙牙團配位子(例如吡啶酸配位子和2-(2-羥苯)-吡啶配位子)其係包括吡啶配位子，和由L¹¹ ，Y¹² ，L¹² ，Y¹¹ ，L¹³ ，Y¹³ 和L¹⁴ 構成的四牙配位子為較佳，以1,3-二酮配位子(例如乙醯丙酮配位子)，和單牙雙牙團配位子(例如甲基吡啶酸配位子和2-(2-羥苯)-吡啶配位子)其係包括吡啶配位子為更佳，而以1,3-二酮配位子(例如乙醯丙酮配位子)為最佳。該齒之數量和配位子之數量比金屬配位數還少。L¹⁵ 表沒有藉由與L¹¹ 和L¹⁴ 耦合來形成環狀配位子。

Y¹¹ ，Y¹² 和Y¹³ 表示連接基，單鍵，或者雙鍵。該連接基並沒有限定，但是最好為碳醯連接基，硫碳醯連接基，烷基，烯基，芳香碁，異質芳香基，氧原子連接基，氮原子連接基，矽原子連接基和結合全部之基。L¹¹ 和Y¹² 之間，L¹² 和Y¹² 之間，L¹² 和Y¹¹ 之間，L¹³ 和Y¹¹ 之間，L¹³ 和Y¹³ 之間，L¹⁴ 和Y¹³ 之間的鍵表示為單鍵或者雙鍵。

Y¹¹ ，Y¹² 和Y¹³ 最好為單鍵，雙鍵，碳醯連接基，烷連接基，和烯連接基。Y¹¹ 以單鍵和烷連接基為較佳，而以烷連接基為更佳。Y¹² 和Y¹³ 以單鍵和烯基為較佳，而以單鍵為最佳。

Y¹² ，L¹¹ ，L¹² 和鉑離子形成之環，Y¹¹ ，L¹² ，L¹³ 和鉑離子形成之環，和Y¹³ ，L¹³ ，L¹⁴ 和鉑離子形成之環最好為擁有環數目在4至10之間，以5至7為較佳，而以5或6為最佳。

n^E11 表示為整數0至4。當該鉑離子的配位數為4時，n^E11 最好為0。當該鉑離子的配位數為6時，n^E11 最好為1或2。當該鉑離子的配位數為6時且n^E11 為1時，L¹⁵ 表示為一雙牙團。當該鉑離子的配位數為6時且n^E11 為2時，L¹⁵ 表示為單牙團。當n^E11 為複數時，複數L¹⁵ 可彼此相等或相異。

化學式(P-2)如下所描述。

Q²¹ 和Q²² 表示原子團形成含氧雜環(環結構包括氮與鉑離子配位)。該含氮雜環由Q²¹ 和Q²² 所形成但是並無特別限定，例如其可包括吡啶環，吡環，嘧啶環，三氮雜苯環，噻唑環，噁唑環，吡咯環，三環，或該等之稠和環(例如喹啉環，苯并唑環，苯并咪唑環，和吲哚啉環)，和其互變異構物。

由Q²¹ 和Q²² 形成的含氮雜環最好為吡啶環，吡環，嘧啶環，嗒環，三氮雜苯環，吡唑環，咪唑環，噁唑環，吡咯環，苯吡咯環，均具有環結構(例如喹啉環，苯并唑環和苯并咪唑環)，和其互變異構物，而以吡啶環，吡環，嘧啶環，咪唑環，吡咯環，均具有環結構(例如喹啉環)，和其互變異構物為較佳，而以吡啶環和一其壓縮之環(例如喹啉環)為更佳，而以吡啶環為最佳。

X^E21 和X^E22 最好為氧原子，硫原子和取代或非取代氮原子之一，而以氧原子，硫原子和一取代氮原子為較佳，而以氧原子和硫原子為更加，而以氧原子為最佳。

Y²¹ 與上述之Y¹¹ 相同，且其範圍也相同。

Y²² 和Y²³ 表示連接基或單鍵，且最好為單鍵。該連接基沒有特別限定，但最好為碳醯連接基，硫碳醯連接基，烷連接基，芳香連接基，雜環芳香基，氧原子連接基，氮原子連接基，和與其結合之基包括其之基。

該連接基最好為碳醯連接基，烷連接基，和烯連接基，而以碳醯連接基和烷基連接基為較佳，而以碳醯連接基為最佳。

R^E21 ，R^E22 ，R^E23 和R^E24 表示氫原子或取代基。該取代基沒有限定，例如其可為烷基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至10為最佳，例如可包括甲基，乙基，異丙基，三級丁基，正辛基，正癸基，正十六基，環奎基，環戊基和環己基)，烯基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括乙烯，芳香基和2-丁烯基和3-戊烯基)，炔基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括丙炔和3－戊烯基)，芳香基(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至10為最佳，例如可包括伸苯基，p－甲伸苯基，萘基和苯甲醯亞胺酸)，和胺基(最好具有碳數在0至30，以0至20為較佳，而以0至10為最佳，例如可包括胺基，甲胺基，二甲胺基，二乙胺基，二苯胺基，二苯胺基和二胺基(ditolylamino))。

其它取代基之例子可包括一烷氧基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至10為最佳，例如可包括正氧基，乙氧基，丁氧基和2－乙己氧基)，芳香氧基(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包括苯氧基，1－萘氧基和2－萘氧基)，雜環氧基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括吡啶氧基，吡唑氧，嘧啶氧基和喹啉氧基)，醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括乙炔基，苯基，甲醯基和新戊基)，烷氧碳醯基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至12為最佳，例如可包括甲氧碳醯基和乙氧碳醯基)，和芳香氧碳醯基(最好具有碳數在7至30，以7至20為較佳，而以7至12為最佳，例如可包括苯氧碳醯基)。

其它取代基之例子可包括醯氧基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括乙醯和苯氧基)，芳香胺基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括乙炔胺和苯胺)，烷氧碳醯胺基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至12為最佳，例如可包括甲氧碳醯胺基)，芳香氧碳醯胺基(最好具有碳數在7至30，以7至20為較佳，而以7至12為最佳，例如可包括苯氧碳醯胺基)，磺醯胺基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲烷磺醯胺基和苯磺醯胺基)，和胺磺醯基(最好具有碳數在0至30，以0至20為較佳，而以0至12為最佳，例如可包括胺磺醯基，甲胺磺醯基，二甲胺磺醯基和苯磺醯基)。

其它取代基之例子可包括胺甲醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括胺甲醯基，甲胺甲醯基，二乙胺甲醯基和苯胺甲醯基)，烷硫基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲基硫和乙基硫)，芳香硫基(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包括苯硫基)，雜環硫基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括吡啶硫基，2－聯苯咪唑硫，2－苯并唑，和苯三氮唑硫)，磺醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲磺醯基和甲苯磺醯基)，乙磺醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲烷亞磺醯基和苯亞磺醯基)，和脲基基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括脲基，甲脲基和苯脲基)。

其它取代基的例子可包括磷酸基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括二乙醯胺磷酸和苯醯胺磷酸)，羥基，氫硫基，鹵素原子(例如可包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子)，氰基，磺酸基，碳醯基，硝基，羥基，肼基，亞胺基，雜環基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括一氮原子，氧原子和硫原子作為該異質原子，例如可包括咪唑基，吡時基，喹啉基，呋喃基，噻吩基，哌啶基，味啉基，苯并唑，苯并咪唑，苯噻唑基，咔唑基和azepinyl)，矽烷基(最好具有碳數在3至40，以3至30為較佳，而以3至24為最佳，例如可包括三甲基矽烷和三苯矽烷)，和矽烷氧基(最好具有碳數在3至40，以3至30為較佳，而以3至24為最佳，例如可包括甲基矽烷氧和三苯矽烷氧)。該些取代基可被再次取代。

R^E ² ¹ ，R^E ² ² ，R^E ² ³ 和R^E ² ⁴ 為形成環狀結構之基(例如苯環和吡啶環)在其中烷基，芳香基和R^E ² ¹ 和R^E ² ² 或R^E ² ³ 和R^E ² ⁴ 彼此鍵結，而以形成環狀結構之基(例如苯環和吡啶環)在其中R^E ² ¹ 和R^E ² ² 或R^E ² ³ 和R^E ² ⁴ 互相鍵結。

L² ⁵ 與上述之L¹ ⁵ 為相同，且其範圍也相同。

n^E ² ¹ 與上述之n^E ¹ ¹ 為相同，且其範圍也相同。

在化學式(P－2)中，金屬錯合物中由Q² ¹ 和Q² ² 形成的環為一吡啶環，而Y² ¹ 為一連接基，金屬錯合物中由Q² ¹ 和Q² ² 形成的環為吡啶環，而Y² ¹ 為單鍵或雙鍵，而X^E ² ¹ 和X^E ² ² 為硫原子或取代或非取代氮原子，或金屬錯合物中由Q² ¹ 和Q² ² 形成的環為含氮五員雜環或氮六員雜環，以含有兩氮原子為佳。

化學式(P－3)如下所示。

Z³ ¹ ，Z3² ，Z³ ³ ，Z³ ⁴ ，Z³ ⁵ 和Z³ ⁶ 表示為取代或非取代碳原子或氮原子而最好為取代或非取代碳原子。例如在碳原子上的取代基可包括R^E ² ¹ 相關之基。Z³ ¹ 和Z³ ² ，Z³ ² 和Z³ ³ ，Z³ ³ 和Z³ ⁴ ，Z³ ⁴ 和Z³ ⁵ ，和Z³ ⁵ 和Z³ ⁶ 為可經由連接基來各自彼此鍵結以形成環(例如苯環或吡啶環)。Z³ ¹ 和T³ ¹ ，Z³ ⁶ 和T³ ⁸ ，可經由連接基來各自彼此鍵結，來形成環(例如苯環或吡啶環)。

位於碳元子上之該取代基最好為烷基，烷氧基，烷胺基，芳香基，形成環之基(例如苯環和吡啶環)，和鹵素原子其中之一，而以烷胺基，芳香基和形成環之基(例如苯環和吡啶環)其中之一為較佳，以芳香基和形成環之基(例如苯環和吡啶環)其中之一為更佳，而以形成環之基(例如苯環和吡啶環)為最佳。

T³ ¹ ，T³ ² ，T³ ³ ，T³ ⁴ ，T³ ⁵ ，T³ ⁶ ，T³ ⁷ 和T³ ⁸ 最好為取代或非取代碳原子或氮原子，而以取代或非取代之碳原子為較佳。該位於碳原子上之取代基可包括R^E ² ¹ 中描述之基。T³ ¹ 和T³ ² ，T³ ² 和T³ ³ ，T³ ³ 和T³ ⁴ ，T³ ⁵ 和Z³ ⁶ ，T³ ⁶ 和Z³ ⁷ ，和T³ ⁷ 和T³ ⁸ 可經由連接基各自彼此鍵結，來形成環(例如含苯環)。

該位於碳原子上之取代基最好為烷基，烷氧基，烷胺基，芳香基，形成環之基(例如含苯之環和含吡啶之環)，鹵素原子其中之一，而以芳香基，形成環之基(例如含苯之環和含吡啶之環)其中之一為較佳，以芳香基和鹵素原子為更佳，以一芳香基為最佳。

X³ ¹ 和X³ ² 與上述之X^E ² ¹ 和X^E ² ² 各自相同，且其範圍也相同。

化學式(P－5)如下所述。

Q⁵ ¹ 和Q⁵ ² 與上述之Q² ¹ 和Q² ² 各自相同，且其範圍也相同。

Q⁵ ³ 和Q⁵ ⁴ 表示形成含氮雜環之基(含氮環與鉑離子配位)。該含氮雜環由Q⁵ ³ 和Q⁵ ⁴ 形成並無特別限定，但最好為吡咯環衍生物之互變異構物，咪唑衍生物之互變異構物，三唑之互變異構物，噁唑之互變異構物，以吡咯環衍生物之互變異構物，咪唑衍生物之互變異構物，三唑之互變異構物為較佳，以吡咯環衍生物之互變異構物，咪唑衍生物之互變異構物為更佳，以吡咯環衍生物之互變異構物為最佳。

Y⁵ ¹ 與上述之Y¹ ¹ 相同，且其範圍也相同。

L⁵ ⁵ 與上述L¹ ⁵ 相同，且其範圍也相同。

n^E ⁵ ¹ 與上述之n^E ¹ ¹ 相同，且其範圍也相同。

W⁵ ¹ 和W⁵ ² 最好為取代或非取代碳原子或氮原子，以非取代碳原子或氮原子為較佳，而以非取代碳原子為更佳。

化學式(P－9)如下所描述。Q^A ¹ ，Q^A ² ，Y^A ¹ ，Y^A ² ，Y^A ³ ，R^A ¹ ，R^A ² ，R^A ³ ，R^A ⁴ ，L^A ⁵ 和n^A ¹ 與化學式(P－2)中之M² ¹ ，Q² ¹ ，Q² ² ，Y² ¹ ，Y² ³ ，R^E ² ¹ ，R^E ² ² ，R^E ² ³ ，R^E ² ⁴ 和L² ⁵ 為相同，且其範圍也相同。

化學式(P－6)如下所描述。

Q⁶ ¹ 和Q⁶ ² 係代表形成環之基。由Q⁶ ¹ 和Q⁶ ² 所形成之環並沒有限制，其例如可包含苯環、吡啶環、嗒環、嘧啶環、噻吩環、正酛唑環、呋喃環、正噁唑環及其縮合環等。

其由Q⁶ ¹ 和Q⁶ ² 所形成之環較佳為苯環、吡啶環、噻吩環、酛唑環及其縮合環等其中之一，更佳為苯環、吡啶環及其縮合環等其中之一，以及最佳者為苯環及其縮合環等其中之一。

Y⁶ ¹ 與上述之Y¹ ¹ 相同，且其範圍也相同。

Y⁶ ² 和Y⁶ ³ 表示連接基或單鍵。該連接基沒有特別限定，例如其可包括一碳醯連接基，硫碳醯連接基，烷基，烯基，芳香基，雜芳香基，氧原子連接基，氮原子連接基，和包括他們之基。

Y⁶ ² 和Y⁶ ³ 最好為單鍵，碳醯連接基，烷連接基和烯/8連接基之一，而以單鍵和烯連接基之一為較佳，而以單鍵為最佳。

L⁶ ⁵ 與上述之L¹ ⁵ 相同，且其範圍也相同。

n⁶ ¹ 與上述之n^E ¹ ¹ 相同，且其範圍也相同。

Z⁶ ¹ ，Z⁶ ² ，Z⁶ ³ ，Z⁶ ⁴ ，Z⁶ ⁵ ，Z⁶ ⁶ ，Z⁶ ⁷ 和Z⁶ ⁸ 為取代或非取代碳原子或氮原子，而最好為取代或非取代碳原子。例如在碳原子上之取代基可包括R^E ² ¹ 中所描述之基。Z⁶ ¹ 和Z⁶ ² ，Z⁶ ² 和Z⁶ ³ ，Z⁶ ³ 和Z⁶ ⁴ ，Z⁶ ⁴ 和Z⁶ ⁵ ，Z⁶ ⁵ 和Z⁶ ⁶ ，Z⁶ ⁶ 和Z⁶ ⁷ ，和Z⁶ ¹ 和Z⁶ ⁸ 可各自經由連接基彼此鍵結，來形成環(例如含苯之環和含吡啶之環)。該由Q⁶ ¹ 和Q⁶ ² 形成之環可各自經由連接基來與Z⁶ ¹ 和Z⁶ ⁸ 鍵結，來形成環。

該位於碳原子上之取代基最好為烷基，烷氧基，烷胺基，芳香基，形成環之基(例如含苯之環和含吡啶之環)，和鹵素原子其中之一，以烷胺基和芳香基，和形成環之基(例如含苯之環和含吡啶之環)之一為較佳，以芳香基和形成環之基(例如含苯之環和含吡啶之環)之一為更佳，以形成環之基(例如含苯之環和含吡啶之環)之一為最佳。

化學式(P－7)如下所描述。

Y⁷ ¹ ，Y⁷ ² 和Y⁷ ³ 與上述之Y⁶ ² 相同，且其範圍也相同。

L⁷ ⁵ 與上述之L¹ ⁵ 相同，且其範圍也相同。

n⁷ ¹ 與上述之n^E ¹ ¹ 相同，且其範圍也相同。

Z⁷ ¹ ，Z⁷ ² ，Z⁷ ³ ，Z⁷ ⁴ ，Z⁷ ⁵ 和Z⁷ ⁶ 為取代或非取代碳原子或氮原子，而最好為取代或非取代碳原子。例如在碳原子上之取代基可包括R^E ² ¹ 中所描述之基。Z⁷ ¹ 和Z⁷ ² ，和Z⁷ ³ 和Z⁷ ⁴ 可各自經由連接基彼此鍵結，來形成環(例如含苯之環和含吡啶之環)。

R⁷ ¹ 至R⁷ ⁴ 與化學式(P－2)中的R^E ² ¹ 至R^E ² ⁴ 的取代基相同，且其範圍相同。

化學式(P－11)如下所描述。

R^C ¹ 和R^C ² 為氫原子或取代基，例如取代基可為烷基和芳香基，如化學式(P－2)中R^E ² ¹ 至R^E ² ⁴ 所描述的取代基。該取代基由R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 為表示與化學式(P－2)中的R^E ² ¹ 相同。n^C ³ 與n^C ⁶ 為一整數0至3，而n^C ⁴ 與n^C ⁵ 為一整數0至4。當R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 各自為複數時，該複數R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 可相同或相異。R^C ³ ，R^C ⁴ ，R^C ⁵ 和R^C ⁶ 最好為烷基，芳香基，雜芳香基和鹵素原子之一。

化學式(P－10)如下所描述。

Y^B ² ，Y^B ³ ，R^B ¹ ，R^B ² ，R^B ³ ，R^B ⁴ ，L^B ⁵ ，n^B ³ ，X^B ¹ ，和X^B ² 與化學式(P－2)中的Y² ² ，Y² ³ ，R^B ² ¹ ，R^B ² ² ，R^B ² ³ ，R^B ² ⁴ ，L² ⁵ ，n^B ² ¹ ，X^B ² ¹ ，和X^B ² ² 相同。Y^E ¹ 表示連接基且與化學式(P－2)中之Y² ¹ 相同，最好為乙稀基，在第一和第二位置取代，苯環，吡環，噁啶環，和甲基具有碳數1至8。R^B ⁵ 和R^B ⁶ 為氫原子或取代基，例如該取代基可包含烷基，芳香基，和一雜環基如化學式(P－2)中R^E ² ¹ 所描述。然而，Y^B ¹ 沒有連接R^B ⁵ 或R^B ⁶ 。n^B ¹ 與n^B ² 為整數0至1。

化學式(P－12)如下所示。

由R^D ¹ ，RD² ，R^D ³ 和R^D ⁴ 表示之該取代基與在化學式(P－10)中的R^B ⁵ 或R^B ⁶ 表示的取代基相同，且其範圍也相同。n^D ¹ 和n^D ² 基為一整數0至4。Y^D ¹ 為乙稀基，在第一和第二位置被取代，苯環，吡啶環，吡環，嘧啶環，或者甲基具有碳數1至8。

在本發明中之取代基A可被定義為下列化合物之解釋。

(取代基A)烷基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至10為最佳，例如可包括甲基，乙基，異丙基，三級丁基，正辛基，正癸基，正十六基，環丙基，環戊基和環己基)，烯基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括乙烯，芳香基，2－丁烯基，和3－戊烯基)，炔基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包括丙炔，和3－戊烯基)，芳香基(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包括苯基，p－苯甲基，奈基，和奈甲醯亞氨酸)，胺基(最好具有碳數在0至30，以0至20為較佳，而以0至10為最佳，例如可包括胺基，甲基胺，雙甲基胺，雙乙基胺，雙酯胺，和二胺)，烷氧基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至10為最佳，例如可包括甲氧基，乙氧基，丁烯氧基，和2－乙己氧基)，芳香氧基(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包括苯氧基，1－萘氧基，和2－萘氧基)，雜環氧基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括吡啶氧基，吡唑氧基，嘧啶氧基，和喹啉氧基)。

醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包乙醯基，苯甲醯基，甲醯，和特戊酰)，烷氧碳醯基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至12為最佳，例如可包甲基氧碳醯基和乙基氧碳醯基)，芳香氧碳醯基(最好具有碳數在7至30，以7至20為較佳，而以7至12為最佳，例如可包本氧碳醯基)，芳香氧基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包乙醯氧和苯甲醯氧基)，醯胺基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至10為最佳，例如可包乙醯胺和苯胺)，烷氧碳醯胺基(最好具有碳數在2至30，以2至20為較佳，而以2至12為最佳，例如可包甲基氧碳醯胺)，和芳香氧碳醯胺基(最好具有碳數在7至30，以7至20為較佳，而以7至12為最佳，例如可包苯氧碳醯胺)。

磺醯胺基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包磺醯胺和苯磺醯胺)，胺磺醯基(最好具有碳數在0至30，以0至20為較佳，而以0至12為最佳，例如可包胺磺醯基，甲基胺磺醯基，雙甲基胺磺醯基，和苯胺磺醯基)，胺甲醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包胺甲醯基，甲基胺甲醯基，和苯胺甲醯基)，烷硫基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲基硫和乙基硫)，芳香硫基(最好具有碳數在6至30，以6至20為較佳，而以6至12為最佳，例如可包苯硫)，雜環硫基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括吡啶硫，2－聯苯咪唑硫，2－苯并唑硫，和2－苯咪唑硫)，和磺醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括甲磺醯基和甲苯磺醯基)，亞磺醯基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包甲烷亞磺醯基和苯甲烷亞磺醯基)，脲基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包含脲基，甲基脲基，和苯脲基)，醯胺磷酸基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括雙乙基醯胺磷酸和苯醯胺磷酸)，雜氧基，氫硫基，鹵素原子(例如可包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子)，氰基，磺酸基，羧基，硝基，羥胺基，碸基，肼基，亞胺基，雜環基(最好具有碳數在1至30，以1至20為較佳，而以1至12為最佳，例如可包括氮原子，氧原子，和硫原子，例如可包括咪唑基，吡啶基，喹啉基，呋喃基，噻吩基，哌啶基，N－味啉基，苯并唑基，苯并咪唑基，咔唑基，和吖庚因基)，矽烷基(最好具有碳數在3至40，以3至30為較佳，而以3至24為最佳，例如可包括甲基矽烷氧和三苯矽烷氧)。這些取代基均可再次被取代。

取代基A中之基或者在化學式(I)，(II)，(III)，(IV)，(IIA)，(IIB)，(IIC)和(IID)中之基如下所表示(R^P ² ¹ ，R^P ² ² _， R^P ³ ¹ ，R^P ³ ² ，R^P ³ ³ ，R^P ⁴ ¹ ，R^P ⁴ ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ ，R^P ⁵ ⁶ ，R^P ⁶ ¹ 和R^P ⁶ ² 最好選擇下列之基：烷基具有碳數在1至20之間，烯基具有碳數在2至10之間，芳香基具有碳數在6至20之間，胺基具有碳數在2至20之間，烷氧基具有碳數在1至20之間，芳香氧基具有碳數在6至20之間，醯基具有碳數在2至20之間，烷氧碳醯基句有碳數在2至20之間，烷硫基具有碳數在1至20之間，芳香硫基具有碳數在6至20之間，磺醯基具有碳數在1至20之間，羥基，鹵素原子，氰基，硝基，和雜環基具有環數在5至7之間。

化學式(I)中表示之化合物如下所描述。在化學式(I)中，Z¹ 和Z² 表示含氮六員芳香環，具有氮原子與鉑配位。Q表示五員芳香環含有一或二個氮原子。L1和L2表示單鍵或連接基。n表示0或1。

Z¹ 和Z² 表示含氮六員芳香環，具有氮原子與鉑配位。Z¹ 和Z² 最好為吡啶，吡，嘧啶，咯，和三氮雜苯，以吡啶，吡基，和嘧啶為較佳，以吡啶，和吡基為更佳，以吡啶為最佳。Z¹ 和Z² 可彼此相等或者相異。Z¹ 和Z² 具有從取代基A中選出的取代基。

Z¹ 和Z² 所具有的取代基最好為烷基，芳香基，胺基，烷氧基，芳香氧基，醯基，烷氧碳醯基，烷硫基，磺醯基，羥基，鹵素原子，氰基，硝基，和雜環基。

Z¹ 和Z² 可與其他環形成被壓縮之環。例如該被壓縮之環可包括苯環，吡啶，吡基，嘧啶，嗒，三[氮]唑，噁唑，噻唑，二唑，和噻二唑基環。

Z¹ 和Z² 最好為取代或非取代的吡啶環，吡環，和嘧啶環，以非取代的吡啶環，和吡環為較佳，以非取代的吡啶環為更佳。

Q表示含氮五員芳香環具有一或二個氮原子。Q表示一基形成該含氮五員芳香環具有一或二個氮原子與碳原子相鄰，表示為Z¹ －N－C－Pt(或Z² －N－C－Pt)。例如Q可包括(非－)取代的吡咯環，吡唑，和咪唑。Q最好為(非－)取代型吡咯環，和吡唑，以一(非－)取代型吡咯環為較佳，以吡咯環具有取代基位於第三位置為較佳，而最好吡咯環具有三氟甲基，t－丁基，或者氰基。

Q可具有取代基而該取代基與取代基A中的取代基相同。Q的取代基最好為烷基，芳香基，雜環基，和氰基其中之一，以烷基和氰基其中之一為較佳，而以三氟甲基，t－丁基，和氰基其中之一為更加。Q可與其他環形成壓縮環。例如該被壓縮之環可包括苯環，吡啶環，吡環，噁啶環，嗒，三[氮]唑，呋喃環，吡咯環，咪唑環，吡唑環，三[氮]唑，噁唑，噻唑，二唑，和噻二唑環。

L¹ 和L² 表示單鍵或2－價連接基。n表示為0或者1。n最好為0。當n為0時，兩Q’s不由鍵結形成環。該二價連接基沒有特別限定，但連接基最好包括碳原子，氮原子，氧原子，硫原子或者矽原子。兩價連接基的特別例子如下所描述，但本發明並未只限定於該例子。

這些連接基可具有取代基，而該Z¹ 和Z² 之取代基可使用為所描述之取代基。

L¹ 最好為雙烷甲基，雙芳香甲基，和雙雜氧甲基其中之一，最好為雙甲基和雙苯甲基為較佳，而以雙甲基為最佳。L² 最好為雙烷甲基，雙芳香甲基，乙基，雙烷乙基，三烷乙基，四烷乙基和四芳香乙基其中之一，以雙烷甲基，雙芳香甲基，乙基和四烷乙基其中之一為較佳，以雙烷甲基，乙基和四烷乙基其中之一為更佳。

化學式(I)中表示之錯合物與化學式(II)中表示之錯合物相同。在化學式(II)中，Z1和Z2表示含氮六員芳香環，具有氮原子與鉑配位。L¹ 表示單鍵或二價連接基。L¹ 與化學式(I)的L¹ 相同，且其範圍也相同。R^P ² ¹ 和R^P ² ² 各自表示氫原子或者取代基，且該取代基與取代基A的基相同。取代該相同吡唑環的R^P ² ¹ 和R^P ² ² 可藉由連結來形成壓縮環。R^P ² ² 可藉由連結到R^P ² ² 所取代其他之吡唑形成環。

R^P ² ¹ 可為氫原子，甲基，三氟甲基，t－丁基，和氰基其中之一，以甲基，三氟甲基，t－丁基，和氰基其中之一為較佳，以三氟甲基，t－丁基，和氰基其中之一為更佳。

R^P ² ² 可為氫原子，甲基，三氟甲基，t－丁基，和氰基，和藉由連結R^P ² ² 來形成取代或者非取代甲基或者乙基其中之一，以氫原子，氰基，和藉由連結R^P ² ² 來形成取代或者非取代甲基或者乙基其中之一為較佳，以氰原子和藉由連結R^P ² ² 來形成取代或者非取代甲基或者乙基其中之一為更佳，而以氫原子為最佳。

化學式(I)表示的該錯合物最好為一由化學式(III)中表示的錯合物。在化學式(III)中，Z¹ 和Z² 表示含氮六員芳香環，具有氮原子與鉑配位。L1表示單鍵或者二價連接基。L1與化學式(I)中相同，且其具有相同的範圍。R^P ³ ¹ ，R^P ³ ² ，和R^P ³ ³ 各自表示氫原子或取代基，且該取代基與取代基A中的基相同。R^P ³ ¹ 和R^P ³ ² ，和R^P ³ ² 和P^R ³ ³ 靠著彼此連接可形成壓縮環。

例如該藉由連接R^P ³ ¹ 和R^P ³ ² 之間，和R^P ³ ² 和R^P ³ ³ 之間形成的壓縮環可包括苯環，吡啶環，吡環，嘧啶環，嗒，吡咯環，吡唑環，咪唑環，噁唑環，噻唑環，類噻唑環，和類噁唑環。其中，最好為苯環，吡啶環，嘧啶環，和吡環。該環可與其它環聚集一起。

P^R ³ ¹ 為氫原子，烷基，芳香基，氰基，和與P^R ³ ² 形成聚集環之基其中之一，以氫原子，甲基，正丁基，苯基，氰基，三氟甲基，和與P^R ³ ² 形成聚集環之基其中之一為較佳，以甲基，正丁基，和與P^R ³ ² 形成聚集環之基其中之一為更佳。

R^P ³ ² 為氫原子，烷基，芳香基，氰基，與P^R ³ ¹ 形成聚集環之基，和與P^R ³ ³ 形成聚集環之基其中之一，以氫原子，甲基，正丁基，苯基，氰基，三氟甲基，與P^R ³ ¹ 形成聚集環之基，和與P^R ³ ³ 形成聚集環之基其中之一為較佳，以正丁基，氰基，三氟甲基，和與P^R ³ ¹ 形成聚集環之基其中之一為更佳。

R^P ³ ³ 為氫原子，烷基，芳香基，氰基，和與R^P ³ ² 形成聚集環之基其中之一，以氫原子，甲基，和與R^P ³ ² 形成聚集環之基其中之一為較佳，以氫原子和與R^P ³ ² 形成聚集環之基其中之一為最佳。

化學式(I)中表示之錯合物為化學式(IV)中表示之錯合物。化學式(IV)如下所描述。在化學式(IV)中，Z¹ 和Z² 表示含氮六元芳香環，其一氮原子與鉑配位。L¹ 表示單鍵或二價連接基。L¹ 與化學式(I)中的L¹ 相同，且其範圍也相同。R^P ⁴ ¹ 和R^P ⁴ ² 各自表示氫原子或取代基，且該取代基使用選自取代基A中之基做為取代基。R^P ⁴ ¹ 和R^P ⁴ ² 可形成藉由互相連結來形成聚集環。例如藉由連接RP⁴ ¹ 和R^P ⁴ ² 來形成的聚集環可包括苯環，吡啶環，吡環，嘧啶環，嗒，吡咯環，吡唑環，咪唑環，噁唑環，噻唑環，類噻唑環，和類噁唑環。其中，以苯環，吡啶環，嘧啶環，和吡環為佳。該環可與其它環聚集。

R^P ⁴ ¹ 為氫原子，烷基，芳香基，氰基，和與R^P ⁴ ² 形成聚集環之基其中之一，以氫原子，甲基，正丁基，苯基，氰基，三氟甲基，和與R^P ⁴ ² 形成聚集環之基其中之一為較佳，以甲基，氰基，和與R^P ⁴ ² 形成聚集環之基其中之一為更佳。

R^P ⁴ ² 為氫原子，烷基，芳香基，氰基，和與R^P ⁴ ¹ 形成聚集環之基其中之一，以氫原子，甲基，正丁基，苯基，氰基，三氟甲基，和與R^P ⁴ ¹ 形成聚集環之基其中之一為較佳，以甲基，氰基，和與R^P ⁴ ¹ 形成聚集環之基其中之一為更佳。

該由化學式(II)表示之錯合物可為化學式(IIA)中表示之錯合物。化學式(IIA)如下所描述。在化學式(IIA)中，L1表示為單鍵或者二價連接基。L1與化學式(I)中的L1相同，且其範圍亦相同。R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，RP⁵ ⁵ 和R^P ⁵ ⁶ 表示為氫原子或者取代基。R^P ² ¹ 和R^P ² ² 與化學式(II)中之R^P ² ¹ 和R^P ² ² 相同，且其範圍亦相同。R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 表示氫原子或者取代基。該由R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 表示之取代基與取代基A中的基相同。

R^P ⁵ ¹ 和R^P ⁵ ⁴ 為氫原子，烷基，芳香基，胺基，烷氧基，芳香氧基，醯基，烷氧碳醯基，烷硫基，磺醯基，羥基，鹵素原子，氰基，硝基，和雜環基其中之一，以氫原子，烷基，芳香基，鹵素原子，氰基，硝基，和雜環基其中之一為較佳，以氫原子，甲基，正丁基，三氟甲基，苯基，氟原子，氰基，和吡啶基其中之一為更佳，以氫原子，甲基，和氟原子其中之一為更佳，而以氫原子為最佳。

R^P ⁵ ³ 和R^P ⁵ ⁶ 與R^P ⁵ ¹ 和R^P ⁵ ⁴ 中的環為相同。

R^P ⁵ ² 和R^P ⁵ ⁵ 為一氫原子，烷基，芳香基，胺基，烷氧基，芳氧基，烷硫基，芳硫基，鹵素原子，氰基，和雜環基其中之一，以氫原子，烷基，芳香基，胺基，烷氧基，芳氧基，和雜環基其中之一為較佳，以氫原子，甲基，正丁基，雙甲基胺，雙苯基胺，甲氧基，和咔唑基其中之一為更佳，而以氫原子為最佳。

化學式(IIA)中表示之錯合物可為化學式(IIB)中表示之錯合物。化學式(IIB)如下所描述。在化學式(IIB)中，R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ ，R^P ⁵ ⁶ ，R^P ⁶ ¹ ，和R^P ⁶ ² 表示為氫原子或者取代基。R^P ² ¹ 和R^P ² ² 與化學式(II)中之R^P ² ¹ 和R^P ² ² 相同，且其範圍亦相同。R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 與化學式(IIA)中的R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 相同，且其範圍亦相同。R^P ⁶ ¹ 和R^P ⁶ ² 表示表示氫原子和取代基。R^P ⁶ ¹ 和R^P ⁶ ² 表示之取代基與取代基A中的取代基相同。R^P ⁶ ¹ 和R^P ⁶ ² 可為氫原子，烷基，芳香基，鹵素原子，氰基，和雜環基其中之一，以氫原子，甲基，三氟甲基，苯基，氟原子，氰基，和吡啶基其中之一為較佳，以甲基，苯基，和吡啶基其中之一為更佳，而以甲基為最佳。

該錯合物由化學式(IIB)所表示可為錯合物由化學式(IIC)所表示。化學式(IIC)如下所描述。在化學式(IIC)中，R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ ，和R^P ⁵ ⁶ 表示為氫原子或者取代基。R^P ² ¹ 和R^P ² ² 與化學式(II)中的R^P ² ¹ 和R^P ² ² 相同，且範圍亦相同。R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 與化學式(IIA)中的R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 相同，且範圍亦相同。

該錯合物由化學式(IIC)所表示可為錯合物由化學式(IID)所表示。化學式(IID)如下所描述。在化學式(IIC)中，R^P ² ¹ ，R^P ² ² ，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ² ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，R^P ⁵ ⁵ ，和R^P ⁵ ⁶ 表示為氫原子或者取代基。R^P ² ¹ 為一取代基。R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 與化學式(IIA)中的R^P ⁵ ¹ 至R^P ⁵ ⁶ 相同，且範圍亦相同。R^P ² ³ 與取代基A中之R^P ² ³ 相同。R^P ² ¹ 可為烷基，芳香基，胺基，烷氧基，醯基，烷氧碳醯基，烷硫基，磺醯基，羥基，鹵素原子，氰基，硝基，和雜環基其中之一，以烷基，芳香基，磺醯基，鹵素原子，氰基，和雜環基其中之一為較佳。以烷基，全氟伸烷基，磺醯基，鹵素原子，氰基，和雜環基其中之一為更佳。以甲基，正丁基，三氟甲基，苯基，甲苯基，五氟苯基，甲磺醯基，甲苯磺醯基，氟原子，氰基，和吡啶基其中之一為更佳，以正丁基，三氟甲基，和氰基為更佳。

在化學式(IID)中，R^P ⁵ ¹ ，R^P ⁵ ³ ，R^P ⁵ ⁴ ，和R^P ⁵ ⁶ 可為氫原子。

例如依據本發明鉑錯合物可用來作為電致發光裝置，可包括International PublicationNo.WO2004/108859號專利中描述之化合物(1)至(6)，化合物(12)至(97)，化合物(138)至(140)，化合物(144)至(152)，和化合物(178)至(242)。化合物之例子如下所描述，但本發明並未侷限在該例子中。

該含光發射層之主材料之離子化電位可為5.8eV至6.3eV，以5.95eV至6.25eV為佳，而以6.0eV至6.2eV為最佳。

該含光發射層之主材料的電子遷移率較佳為在1×10^－ ⁶ cm² /Vs至1×10^－ ¹ cm² /Vs之範圍，更佳為5×10^－ ⁶ cm² /Vs至1×10^－ ² cm² /Vs之範圍，更進一步較佳為1×10^－ ⁵ cm² /Vs至1×10^－ ² cm² /Vs之範圍，以及最佳為5×10^－ ⁵ cm² /Vs至1×10^－ ² cm² /Vs之範圍。

該含光發射層之主材料的電洞遷移率較佳為在1×10^－ ⁶ cm² /Vs至1×10^－ ¹ cm² /Vs之範圍，更佳為5×10^－ ⁶ cm² /Vs至1×10^－ ² cm² /Vs之範圍，更進一步較佳為1×10^－ ⁵ cm² /Vs至1×10^－ ² cm² /Vs之範圍，以及最佳為5×10^－ ⁵ cm² /Vs至1×10^－ ² cm² /Vs之範圍。

在該光發射層中的主材料、電子轉移材料及電洞轉移材料之玻璃轉移溫度，其較佳的範圍在於90℃~400℃，更佳的範圍在於100℃~380℃，更優的範圍在於120℃~370℃，以及最佳的範圍在於140℃~360℃。

本發明之該有機電致發光裝置中，該發射光之最大波長可為390nm至495nm之間藍色納粹度，而以400nm至490nm為較佳。本發明之光發射元件可具有光發射最大波長範圍在500nm以上，且可為白光發射元件。

在本發明之有機電致發光裝置中，該發射光的CIE彩度之x值可為0.22或以下的藍色納粹度，而以0.20或以下為較佳。

在本發明之有機電致發光裝置中，該發射光的CIE彩度之y值可為0.25或以下，以0.20或以下為較佳，而以0.15或以下為最佳。

在本發明之有機電致發光裝置中，該發射光譜之半高寬可為100nm或以下，以90nm或以下為較佳，以80nm或以下為更佳，而以70nm或以下為最佳。

在本發明中使用之磷光材料(根據本發明的化合物或是使用該手段之磷光材料)的T₁ 程度(最後三個之一激發位階的能階)範圍可在60Kcal/mol(251.4KJ/mol)至90Kcal/mol(377.1 KJ/mol)，以62Kcal/mol(259.78KJ/mol)至85Kcal/mol(356.15 KJ/mol)之間為較佳，以65Kcal/mol(272.35KJ/mol)至80Kcal/mol(335.2 KJ/mol)之間為最佳。

包含在光發射層之該主材料的T₁ 程度(最後三個之一激發位階的能階)範圍可在60Kcal/mol(251.4KJ/mol)至90Kcal/mol(377.1 KJ/mol)，以62Kcal/mol(259.78KJ/mol)至85Kcal/mol(356.15 KJ/mol)之間為較佳，以65Kcal/mol(272.35KJ/mol)至80Kcal/mol(335.2 KJ/mol)之間為最佳。

鄰接到光發射層之該層(例如電洞傳輸層，電子傳輸層，電荷阻隔層，和激發阻隔層)的T₁ 程度(最後三個之一激發位階的能階)範圍可在60Kcal/mol(251.4KJ/mol)至90Kcal/mol(377.1 KJ/mol)，以62Kcal/mol(259.78KJ/mol)至85Kcal/mol(356.15 KJ/mol)之間為較佳，以65Kcal/mol(272.35KJ/mol)至80Kcal/mol(335.2 KJ/mol)之間為最佳。

本發明之有機電致發光裝置中，該光激發效率可藉由已知技術的變化來改進。例如藉由基板表面外形處裡(例如形成微小不對稱光罩)，或者控制基板，ITO層，和有機層的折射率，或者控制基板，ITO層，和有機層的厚度，來使得光激發效率可以提升，從而增進該外部量子效率。

本發明之有機電致發光裝置可為一頂射形，光由正電極激發(見日本未審查專利申請公開第2003－208109、2003－248441、2003－257651、和2003－282261號)。

本發明使用於有機電致發光裝置的基板材料並無特別限制，例如其可包括一有機材料，像是氧化鋯－穩定釔和玻璃，聚酯像是PET，聚丁烯對苯二甲酸，和聚乙基乙二酯，一高分子材料像是聚乙基，聚碳酸鹽，聚環氧乙烷，聚芳酯化合物，芳香二醇咔唑，聚醯亞胺，聚環烯烴，聚去甲[0XA29C]烯松香，聚(三氟氯乙烯)，特夫綸(註冊商標)，和聚四氯乙烯－聚乙基共聚物。

本發明之有機電致發光裝置可包括一藍螢光化合物。一多彩光發射裝置和一全彩發射裝置兩者可藉由使用一藍光發射裝置來製造，該藍光發射裝置包括一藍螢光化合物和本發明之光發射裝置。

本發明之有機電致發光裝置，光發射層中之主材料可為一種或兩種或更多種類。

本發明之有機電致發光裝置可包括一在光發射層中主材料的複數來控制在光發射層中電洞和電子的傳輸特性。主材料的複數，一電洞傳輸主材料優於在電洞傳輸效率(電洞傳輸宿主)和一電子傳輸主材料優於在電子傳輸效率(電子傳輸宿主)可被組合使用。此處，"優於在電洞傳輸效率"或者"優於在電子傳輸效率"表示結合時主材料複數的相對關係，且表示主材料複數之一是優於其他在電洞傳輸效率或者電子傳輸效率。

當本發明之化合物使用作為光發射層中之主材料時，和本發明之化合物於電子傳輸效率較好時，該化合物可使用與主材料聯合而優於在電洞傳輸效率。

－電洞傳輸宿主－

當在本發明的光發射層使用一傳輸宿主時，可使用公開之宿主電洞傳輸材料。例如如下所示之材料；吡咯環，咔唑，噻唑，噁唑，二唑，咪唑，聚芳香烷，吡唑，伸苯對胺，芳香胺，胺被取代之查耳酮，苯乙烯蒽，茀酮，聯氨，二苯乙烯，矽氮烷，芳香第三胺化合物，苯乙烯胺化合物，芳香雙亞甲基化合物，吡咯紫質化合物，聚矽烷，聚(N－乙烯咔唑基)，苯胺共聚物，噻吩寡聚物，傳導性聚合寡聚物像是聚噻吩，有機矽烷，碳膜，和其衍生物。其中特別可為咔唑基衍生物，芳香第三胺化合物，噻吩衍生物，其以具有咔唑架構和/或芳香第三胺吖呵酮(akeltones)的複數在其分子量中為佳。

－電子傳輸宿主－

當在本發明的光發射層使用一傳輸宿主時，可使用公開之宿主電洞傳輸材料。例如如下所示之材料；吡啶，嘧啶，三氮雜苯，噁唑，噁二唑，茀酮，喹啉二甲基，蔥酮，對苯環，硫哌喃二氧，碳二醯亞胺，亞茀基甲烷，二苯乙稀吡啶，氟取代之芳香化合物，雜環四甲酸酐例如伸萘基對二萘嵌苯，鈦菁素，和其衍生物(其可與其他環形成聚合環)且由8－喹啉醇，金屬苯二甲藍，或金屬鹽具有苯噁唑或苯噻唑為配位子之金屬錯合物來表示之金屬錯合物之變化。

電子傳輸宿主可為金屬錯合物，吡咯環衍生物(苯並咪唑衍生物，咪唑吡啶衍生物)，[0X9FBD](吡啶衍生物，嘧啶衍生物，三氮雜苯衍生物)。其中，有關耐久性，以本發明之金屬錯合物為佳。該金屬錯合物具有配位子包含下列之一，氮原子，氧原子和硫原子與金屬配位。金屬離子在金屬錯合物中並沒有特別限定，但以鈹離子，鎂離子，鋁離子，鎵離子，鋅離子，銦離子或錫離子為佳，以鈹離子，鋁離子，鎵離子或鋅離子為較佳，以鋁離子或鋅離子為更佳。

本發明案之有機電致發光裝置具有含有一化合物之層介於負電極和光發射層之間，該化合物具有離子化位能5.9eV或以上(以6.0eV或以上為佳)，而該電子傳輸層的離子化電位為5.9eV或以上為佳。

本發明形成具有化合物之有機層的方法並未特別限定，例如其可為包括電阻加熱鍍覆法，電子束法，濺鍍法，分子鍍覆法，鍍覆法(例如噴霧沉積法，沉浸鍍覆法，注入法，滾壓鍍覆法，凹版印刷法，翻轉鍍覆法，滾刷法，空氣刀鍍覆法，簾度法，旋轉鍍覆法，鍍覆法，桿鍍法，微凹版印刷法，空氣鍍覆法，片鍍法，擠壓鍍覆法，傳輸滾動鍍覆法，輕拂鍍覆法，拋鍍法，擠壓鍍覆法，桿鍍覆法，和篩子鍍覆)，噴墨法，印鍍法，LB法，和傳輸法。其中，電阻加入沉積法，鍍覆法，和傳輸法為較常使用之典型方法和製造生產方法。本發明之化合物層是形成於基板上藉由使用任何一種上述之方法來鍍覆，其鍍覆層之厚度並未特別限定。該厚度最好為10nm或更厚，以50nm至5μm為較佳。

光發射層上之過渡金屬錯合物之濃度並未特別限定，但以相等或小於其主要組成物之主材料為佳，該範圍以0.1質量%至50質量%為較佳，以0.2質量%至30質量%為更佳，以0.3質量%至20質量%為更佳，而以0.5質量%至10質量%為最佳。(在本說明書中，質量比率等於重量比率)。

該正電極提供電洞給電洞注入層，電洞傳輸層，和光發射層，且可可由金屬，合金，氧化金屬，電子傳導化合物，或其混合物來製造。其中，材料可具有4eV或更大的工作能量為佳。例如該材料可包括傳導金屬氧化物，像是氧化錫，氧化鋅，氧化銦，和氧化銦錫(ITO)，金屬可為像是金，銀，鉻，鎳，混合或堆疊之金屬材料，和傳導金屬氧化物，無機傳導金屬像是碘化銅和硫化銅，有機傳導金屬像是聚苯胺，聚噻吩，和聚吡咯環，和堆疊材料和ITO。在考慮生產率，高傳導率，和透明度上，以該傳輸氧化金屬為佳，而以ITO為更佳。該正電極的厚度可根據選擇之材料性質而不同，但最好厚度範圍在10nm至5μm之間，以50nm至1μm之間為更佳，以100nm至500nm為最佳。

該正電極一般使用在狀態上，狀態形成於蘇打石灰玻璃基板，無鹼基板，透明樹脂基板上，或同類基板上。當使用玻璃基板時，其材料可為無鹼玻璃以便於減少離子從玻璃洗滌的步驟。當使用蘇打石灰玻璃基板時，其可為一阻擋層鍍膜方法形成二氧化矽。該基板厚度沒有特別限定’只要能夠維持其機械強度就可以，但當使用玻璃基板時，該基板厚度最好為0.2mm或者以上為佳，而以厚度0.7mm或者以上為更佳。

用來生產製造該正電極的方法種類可不同。例如當正電極為ITO時，該正電極是使用電子束法，濺鍍法，電阻加熱沉積法，化學反應法來成膜)溶膠－凝膠法)，或鍍覆材料的方法來分散銦－錫氧化物。

藉由執行正電清除製程或其他製程，會使得裝置的驅動電壓減小或者其光發射效率遞增。例如當正電極是由ITO製成時，使用UV－臭氧或電漿製程為有益的。

該負電極提供電子給電子注入層，電子傳輸層，和光發射層，而該負電極的材料選擇為考慮該層與負電極的黏性，例如電子注入層，電子傳輸層，和光發射層，該離子化位能，和穩定性。例如該負電極的材料可包括金屬，合金，鹵素金屬，金屬氧化物，導電性化合物，和其混何物。例如材料特別可包括鹼金屬(例如鋰，鈉，和鉀)和氟或氧，鹼土金屬(例如鎂和鈣)和氟和氧，金，銀，鉛，鋁，鉀鈉合金或混合物，鋰鋁合金或混合物，鎂銀合金或混合物，和稀有金屬例如銦和釔。其中該材料具有工作能量在4eV或更少為佳，而以鋁，鋰鋁合金或混合物，和鎂銀合金或混合物為更佳。該負電極可具有一化合物的單層結構和如上描述之混合物，或者可具有多層結構包括化合物和如上描述之混合物。多層結構例如以鋁/鋰氟化物和鋁/鋰氧化物為佳。該負電極的厚度可根據不同材料來鍍覆，但其厚度範圍以10nm至5μm為佳，而以50nm至1μm為較佳，以100nm至1μm為最佳。

製造負電極的方法可為電子束法，濺鍍法，電阻加熱沉積法，鍍覆法，轉換法，或相似之方法。兩種或以上之金屬可同時沉積為單一金屬。此外，合金電極可藉由同時沉積一複合金屬來形成，而合金已事先調節好比例才來鍍覆。

正電極和負電極的片狀阻抗最好為低，而以數百萬或小於Ω/_□ 為更佳。

該光發射層可由各種材料所製造，只要該材料具有從正電極電洞，電洞注入層，或電洞傳輸層注入之功能，在供應電壓和從負電極，電子注入層，或電子傳輸層注入電子時，移動該注入電荷載體之功能，或者提供位置給予再連結電洞和電子的功能來產生光。例如該光發射層之材料可包括一金屬錯合物像是稀有錯合物或苯并唑、苯并咪唑、苯并噻唑，苯乙烯苯，聚苯，雙苯丁二烯，四苯丁二烯，萘二甲酰亞胺，香豆素，對二嵌苯，哌立剛(perignon)，噁二唑，醛，吡，環戊二烯，二苯乙烯蒽，煃吖啶酮，吡咯環吡啶，噻啶唑(thiadiazoro)吡啶，苯乙烯胺，芳香雙甲基化合物，和8－喹啉，聚合化合物像是聚噻吩，聚苯，和聚苯乙烯基，過渡金屬錯合物像是有機矽烷，銥三苯吡啶錯合物，和鉑比林類錯合物，和其衍生物。

該光發射層中之光發射材料可為單一種類或兩種或大於兩種之彼此不同的材料。

該光發射材料之厚度並無特別限定，但其範圍以1nm至5μm之間為佳，以5nm至1μm之間為較佳，而以10nm至500nm為最佳。

光發射層的形成方法沒有特別限定，但以電阻加熱法、電子束法、濺鍍法、分子沉積法、鍍覆法、噴墨法、印刷法、LB法、和轉換法其中之一為佳，而以電阻加熱法和鍍覆法較佳。

該光發射層可為單一錯合物，或複合錯合物所製成。該光發射層可具有單層或複合層。在這個例子，各個層可發射不同顏色之光，例如，白光。該單層光發射層可發射白光。當該光發射層包含一複合層時，各個層可由單一化合物或複合之化合物所製成。

再者，為了要增加光發射效率和增進壽命，其光發射材料可包括一貼合在光發射層的正極之一層或貼合在光發射層的負極之一層。因此，假定電荷保留在光發射層的正電極介面或光發射層的負電極介面可有效率的使用來發光。

另外，本發明可使用能量從三重態激子轉換到單一激子之構造。例如JP A－2005－190949中一光發射層可包括當施予一電壓會發射螢光之化合物，而該化合物在提供電壓期間藉由增加單一激子數量而具有放大功能的光發射強度。

該電洞注入層和電洞傳輸層的材料可具有從正電極注入電洞的功能，傳輸電洞的功能，和阻擋從負電極注入的電子的功能。例如其材料可為具傳導性的高分子寡聚合物，像是咔唑，三唑，噁唑，噁二唑，咪唑，聚芳香烷，吡唑，伸苯基雙胺，芳香胺，胺取代查耳酮，史特蘭特斯(styralantrance)，茀酮，腙，二苯乙烯，矽氮烷，芳香三度胺化合物，苯乙烯胺化合物，芳香吉咪唑來啶(JIMECHIRIDIN)化合物，吡咯紫質化合物，聚矽烷化合物，聚乙烯卡唑，苯胺共聚合物，噻吩寡聚合物，和聚噻吩，有機矽烷，碳膜，本發明之化合物，和其衍生物。該電洞層厚度沒有特別限定，其範圍以1nm至5μm為佳，以1nm至100nm為較佳，而以1nm至10nm為最佳。該電洞傳輸層厚度沒有特別限定，其範圍以1nm至5μm為佳，以5nm至1μm為較佳，而以10nm至500nm為最佳。該電洞注入層和電洞傳輸層可具有單層結構，包括一或二或以上之上述的材料，或具有多層結構包括具有相同或不同種材料之複數層。

當電洞注入層和電洞傳輸層為多層結構時，假設光發射層之離子化電位為Ip0，該電洞注入層和電洞傳輸層，一層之離子化電位注入到光發射層為Ip1，從光發射層邊位在n－th位置之層的離子化電位為Ipn，由化學式(1)表示的關係為與低電壓趨動有關。

化學式(1)：Ip0>Ip1>Ip2>…>Ipn－1>Ipn(n表示一整數2或以上)。

在本發明之有機EL裝置的電洞注入層和電洞傳輸層中，可包括電子摻雜物。當電子參雜物引入電洞注入層或電洞傳輸層時，無機化合物或有機化合物可被用在當其可接收電子和具有氧化有機化合物的特性。

無機化合物包括金屬鹵化物，例如氯化鐵，氯化鋁，氯化鎵，氯化銦，和五氯化銻，和金屬氧化物，例如五氧化釩，鉬酐。

當電子參雜為有機化合物時，該化合物具有硝基，鹵素，氰基或者三氟甲基等作為取代基。以苯酮化合物，酸酐化合物和富勒烯為佳。

根據上面，可使用在JPA－06－212153，JPA－11－111463，JPA－11－251067，JPA－2000－196140，JPA－2000－286054，JPA－2000－315580，JPA－2001－102175，JPA－2001－160493，JPA－2002－252085，JPA－2002－56985，JPA－2003－157981，JPA－2003－217862，JPA－2003－229278，JPA－2004－342614，JPA－2005－72012，JPA－2005－166637，JPA－2005－029643中所描述的化合物。

該些電子摻雜物可為單一、二或以上之種類。電子摻雜物隨著不同材料種類而改變，然而相關於電洞傳輸層材料以0.01質量%至50質量%為佳，以0.05質量%至20質量%為較佳，以0.1質量%至10質量%為更佳。

真空沉積法、LB法、鍍覆法使用電洞注入層和電動傳輸層的材料溶解於溶劑中，噴墨法、印刷法、或轉換法可用來形成電洞注入層和電洞傳輸層。當使用鍍覆法時，該材料可使用樹脂組成物來溶解。例如該樹脂材料可包括聚氯乙烯，聚碳酸鹽，聚甲基丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸丁酯，聚酯，聚磺醯，聚苯醚，聚丁二烯，聚(N－乙烯咔唑)，烴樹脂，酮樹脂，苯氧樹脂，聚醯胺，乙基纖維素，乙烯醋酸，ABS樹脂，聚胺甲酸乙酯，三聚氫胺樹脂，不飽和聚酯樹脂，烷基樹脂，環氧樹脂，和矽樹脂。

該電子注入層和電子傳輸層的材料可具有從負電極注入電子的功能，傳輸電子的功能，和從正電極注入電洞的功能。例如其可包括不同的金屬錯合物，像是芳香咔唑酸酐金屬錯合物像是三[氮]唑、噁唑、噁二唑、咪唑、茀酮、蔥醌雙甲基、蔥酮、二苯環、二氧化硫呱喃、碳醯亞胺、亞茀甲烷、二苯乙烯吡、奈、和戊二烯，苯二甲藍和8－喹啉醇之金屬錯合物，和金屬錯合物具有金屬苯二甲藍、苯并唑、或苯并噻唑作為基，有機矽烷，和其衍生物。電子注入層和電子傳輸層的厚度並未特別限定，但其範圍在1nm至5μm之間為佳，以5nm至1μm之間為較佳，而以10nm至500nm之間為最佳。電子注入層和電子傳輸層可具有單層結構包括一種、兩種或以上的上述之材料，或可具有複合層結構包括有相同或不同種類的聚合物之複數層。

當電子注入層和電子傳輸層為複合層結構時，假設光發射層的電子親合性為Ea0，電子傳輸層的電子親合性為Ea1，電子傳輸層位在n－th負極從光發射層邊之電子親合性為Eam，化學式(2)中所表示者最好為符合其低電壓驅動。

化學式(2)：Ea0<Ea1<Ea2<…<Eam－1<Eam(m表示一整數2或以上)。

本發明之有機EL裝置之電子注入層或電子傳輸層可包括電子捐贈參雜。當電子捐贈參雜引入電子注入層或電子傳輸層時，可使用那些具有電子捐贈能力之特性和還原有機化合物之材料。例如更好使用鹼金屬像是鋰，鹼土金屬像是鎂，過渡金屬包括稀有土金屬，和還原有機化合物，等等。當金屬具有4.2eV或以下之工作能量時，其可為Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd和Yb等等。例如為可還原有機化合物，含氮化合物，含硫化合物，和含磷化合物。

除上述材料之外，亦可使用在JP A－06－212153，JP A－2000－196140，JP A－2003－68468，JP A－2003－229278，JP A－2004－342614等等之中所描述的材料。

該些電子捐贈摻雜物可為單一種、兩種或多種摻雜物。

電子捐贈摻雜的數量隨不同的材料而改變，然而關於傳輸層材料以0.01質量%至99質量%為佳，以1.0質量%至80質量%為較佳，以2.0質量%至70質量%為更佳。

真空沉積法、LB法、鍍覆法使用於電子注入層和電子傳輸層的材料溶解或分散於溶劑中，噴墨法、印刷法、或轉換法可用來形成電子注入層和電子傳輸層。當使用鍍覆法時，材料可使用樹脂組成物來溶解或分散。例如樹脂組成物可包括使用於電洞注入層和電洞傳輸層之材料。

保護層之材料可具有防止裝置材料之惡化，例如防止水氣和氧化進入裝置中。例如其可包括金屬像是In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、和Ni，金屬氧化物像是MgO、SiO、SiO₂ 、Al₂ O₃ 、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe₂ O₃ 、Y₂ O₃ 、和Ti₂ O，金屬氟化物像是MgF₂ 、LiF、AlF₃ 、和CaF₂ ，氮化物像是SiNx和SiOxNy，聚乙烯，聚丙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚醯亞胺，聚脲，聚三氟氯乙烯，聚四氟乙烯，聚二氯二氟乙烯，藉由異分子聚合四氟乙烯和單體混合物而得到共聚物，該單體混合物包括至少一種共單體、含氟共聚物具有環狀結構位於共聚物主鏈、吸水材料具有水吸收率1%或以上，和防水氣材料具有水吸收率0.1%或以下。形成保護層的方法並未特別限定，例如其可包括真空沉積法，濺鍍法，反應式濺鍍法，MBE(分子束磊晶)法，聚離子束法，離子鍍膜法，電漿聚合法(高頻激發離子鍍膜法)，電漿CVD法，電射CVD法，熱CVD法，氣相CVD法，鍍覆法，印刷法，和轉換法。

本發明之有機EL裝置中，電荷產生層可提供複數光發射層用來增進光發射效率。

電荷產生層在提供電壓時具有產生電荷(電洞和電子)的功能，此外，還具有注入產生的電子到電荷產生層之鄰近層的功能。

使用的材料具有形成電荷產生層具有上述功能之材料。該材料可藉由單化合物或複合化合物來形成。尤其那些具有導體特性，具有半導體特性作為摻雜之有機層或使用那些具有電子隔絕特性之材料。例如在JPA－11－329748、JPA－2003－272860或JPA－2004－39617中所描述之材料。

尤其，透明導電材料例如ITO或IZO(銦鋅氧化物)，有機導電材料像是富勒烯，例如C60，或寡噻吩，有機導電材料像是苯二甲藍，無金屬苯二甲藍，金屬紫質，或無金屬紫質，金屬材料像是Ca、Ag、Al、Mg：Ag合金、Al：Li合金、或Mg：Li合金，電洞傳導材料，電子傳導材料和其混合之材料。

當電洞傳導材料，例如電洞傳導有機材料像是2－TNATA或NPD，其氧化劑具有電子擷取能力像是F4－TCNQ、TCNQ、FeCL₃ 的添加，以P型傳導聚合物或P型半導體為例。

當電子傳導材料、電子傳輸有機材料中的金屬或金屬化合物具有小於4.0eV的工作能量時，以N型導電聚合物或N型半導體為例。N型半導體包括N型Si、N型Cds和N型Zns等等，而P型半導體包括P型Si、P型CdTe和P型Cuo等等。電絕緣材料像是V₂ O₅ 可用作為電荷產生層。

該電荷產生層可為單一層或複數薄層。複數薄層的構造例如其材料具有傳導性能像是傳輸傳導材料和金屬材料，和電洞傳導材料或電子傳導材料為薄層的構造，且電洞傳輸材料和電子傳輸材料為薄層構造。

電荷產生層的材料及厚度可藉由電荷產生層在發光時具有50%或更高的可見光透明度來選擇。其厚度沒有特別限定，但厚度以0.5至200nm為佳，以1至100nm為較佳，以3至50nm為更佳，而以5至30nm為最佳。

電荷產生層之形成方法沒有特別限定。可使用上述之用來形成有基化合物層之方法。

然而電荷產生層是構成於兩層光發射層或多層之間，電荷產生層的陰極和陽極可包括具有注入電荷到鄰近於電荷產生層之層的功能之材料。

為了增進電子注入至鄰近陰極的性能，最好為電子注入化合物，像是薄板BaO、SrO、Li₂ O、LiCl、LiF、MgF₂ 、MgO和CaF₂ 位於電荷產生層之陰極。

除了上述之內容之外，可根據JP A－2003－45676、US Patent No.6337492、US Patent No.6107734和US Patent No.6872472等所描述的材料來選擇電荷產生層的材料。

本發明之有機電致發光裝置之申請案並未特別限定，但該裝置必須可使用於適合的領域，例如顯示器裝置、顯示器、背光、電子相片、發光光源、紀錄光源、曝光光源、讀光光源、招牌、室內照明、光學通訊。化學式(1)中之本發明的化合物可作為醫學應用、螢光照明劑、相片材料、UV吸收材料、雷射顏料、紀錄媒體材料、噴墨顏料、濾光器顏料、換色濾光器和其類似之材料。

例如

接下來本發明將具體化描述，但本發明不限定於下面具體化之描述。

化合物(184)之合成

加入氮、鉀、六甲基(1.55克；7.4m莫耳)加入甲苯(200毫升)中然後混合溶液降溫至室溫。之後，該溶劑由蒸發法來移除，且殘渣再經由使用二氧化矽膠體柱中層析術(己烷/三氯甲烷＝1/1)來提煉，以得到粉體。所得的粉體溶於三氯甲烷中，而己烷加入得到結晶體，因此得到1.17克的化合物(184)。產率為64%。這裡¹ H－NMR(CDCl₃ )300MHz：δ8.11(d,3H),7.92(d,3H),7.20－7.30(m,6H),7.09(dd,3H),6.98(dd,3H),6.66－6.78(m,9H),6.53(d,3H),6.40(d,3H),6.20－6.30(m,6H)。

化合物(185)之合成

將氮、鉀六甲基(2.5克；11.9m莫耳)加入二甲苯(300毫升)中，其中室溫時含有咪唑鹽－2(4.00克；11.9毫莫耳)、銥(I)氯化物1、和5－環鋅二烯錯合二聚物(1.11克；1.65毫莫耳)，然後加熱和攪拌混合溶液6小時。等混合溶液降溫至室溫。之後，該溶劑由蒸發法來移除，且殘渣再經由使用二氧化矽膠體柱中層析術(己烷/三氯甲烷＝1/1)來提煉，以得到粉體1.16克。所得到的0.84克的粉體加入甘油(10毫升)中，然後在氮氣氛中攪拌10小時。在冷卻到室溫之後，加入甲醇(30毫升)至反應溶液之中，然後再將粉體淬取出來然後篩選過濾。粉體溶解在三氯甲烷中，然候己烷加入其中形成結晶，因此得到化合物(185)0.77克。其產率為29%。這裡¹ H－NMR(CDCl₃ )300MHz：δ8.13(d,3H),7.86(d,3H),7.11－7.35(m,9H),7.07(dd,3H),6.73(dd,3H),6.64(d,3H),3.27(s,9H)。

化合物(208)之合成

將氮、鉀六甲基(3.84克；18.3毫莫耳)加入三甲苯(200毫升)中，其中室溫時含有咪唑鹽－1(6.55克；18.3m莫耳)、銥(I)氯化物1、和5－環鋅二烯錯合二聚物(1.00克；2.02m莫耳)。然後加熱和攪拌混合溶液15小時。之後，該溶劑由蒸發法來移除，且殘渣再經由使用二氧化矽膠體柱中層析術(己烷/三氯甲烷＝1/1)來提煉，得到化合物(208)固體1.4克。產率為29%。這裡¹ H－NMR(CDCl₃ )300MHz：δ8.12(d,3H),7.92(d,3H),7.20－7.30(m,6H),6.97－7.12(m,6H),6.65－6.81(m,9H),6.44－6.53(m,6H),6.19－6.30(m,6H)。

【對照案例1】

將ITO基板置於氣相沉積設備中且鍍覆上一層10奈米苯二甲藍銅。鍍覆NPD(N,N’－對－α－基－N,N'－聯苯－聯苯胺)40奈米厚於基板上。Ir(ppy)₃ 和CBP(4,4－N,N'二咔唑－二苯)以5：95的質量百分比鍍覆30nm於合成結構上。鍍覆Aalq 10nm於其上，然後鍍覆Alq(tris(8－酚)鋁錯合物)30nm於其上。然後，施予光罩(4mm×5mm的光罩面積)於合成的有機薄膜上，鍍覆氟化鋰3nm於其上，然後鍍覆鋁100nm，製造出EL裝置。由於使用Toyo公司的來源測量單元(SourceMeasureUnit)2400來供應穩定的直流電壓於EL裝置來產生光，所以可得到綠光。

【例子1】

藉由使用本發明的化合物(1)代替Ir(ppy)₃ 於對照案例1的光發射裝置之中，該裝置之製法與對照案例1相似。該合成之裝置產生的暗點數目可減少到對照案例1的裝置的一半，因此可降低EL裝置的驅動電壓讓電流為1mA。

【例子2】

藉由使用本發明之Ir(ppy)₃ ，CBP(4,4－N,N'二咔唑－二苯)，和化合物(113)，其質量比率為5：70：25，取代對照案例1光發射裝置之Ir(ppy)₃ 和CBP(4,4－N,N'二咔唑－二苯)，本裝置之製造方法與對照案例1相似。該合成之裝置產生的暗點數目可減少到對照案例1的裝置的一半，因此可降低EL裝置的驅動電壓讓電流為1mA。

【例3】

藉由使用本發明之Ir(ppy)₃ 和化合物(184)，其質量比率為1：2，取代對照案例1光發射裝置之Ir(ppy)₃ 和CBP(4,4－N,N'二咔唑－二苯)，本裝置之製造方法與對照案例1相似。該合成之裝置產生的暗點數目可減少到對照案例1的裝置的一半，因此可降低EL裝置的驅動電壓讓電流為1mA。

【對照案例A－0】

置入清潔完成的ITO基板於氣相沉積設備中且鍍覆NPD(N,N'－di－α－萘基－N,N'－二苯)－聯苯胺)於其上，作為一10nm厚的電洞傳導層。Ir(ppy)₃ 為光發射材料而CBP(4,4－N,N'二咔唑－二苯)為主材料以5：95的質量比率鍍覆在合成構上，其厚度為30nm，然後BAlq鍍覆於其上為電子傳導層，其厚度為40nm。之後，施予一光罩(光罩範圍4mmx5mm)於上面所得之有機薄膜，鍍覆1nm的氟化鋰於其上，然後將100nm的鋁鍍覆於其上，從而製造出EL裝置。由於使用Toyo公司的來源測量單元(Source Measure Unit)2400來供應穩定的直流電壓於EL裝置來產生光，所以可得到綠光。表1表示了在EL裝置的正面亮度為2000cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例A－1】

使用本發明之化合物(5)取代對照案例A－0之EL裝置中的電洞傳輸層NPD，EL裝置與對照案例A－0之製造方法相同。表1表示了在EL裝置的正面亮度為2000cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例A－2】

使用本發明之化合物(185)取代對照案例A－0之EL裝置中的電洞傳輸層NPD，EL裝置與對照案例A－0之製造方法相同。表1表示了在EL裝置的正面亮度為2000cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例A－3】

使用本發明之化合物(208)取代對照案例A－0之EL裝置中的電洞傳輸層NPD，EL裝置與對照案例A－0之製造方法相同。表1表示了在EL裝置的正面亮度為2000cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

由表1顯然可見使用本發明化合物之EL裝置作為電洞傳輸層與對照案例之裝置相對表現出高發光發射效率，而在相同亮度下之電壓值與對照案例A－0之EL裝置為相同或是小於其值，從發光效率改變的觀點來看。

【對照案例B－0】

將ITO基板置入氣相沉積設備中，鍍覆140nm厚2－TNATA於其上作為電洞注入層。鍍覆NPD(N,N'－di－α－萘基－N,N'－二苯)－聯苯胺)7nm其上作為電洞傳輸層。鍍覆咔唑衍生物(1)3nm厚作為電洞注入促進層。法比克(Firpic)作為光發射材料而mCP作為主材料，以質量比率為8：92來將其鍍覆於合成結構上，厚度為40nm。之後，施予一光罩(光罩範圍4mmx5mm)於上面所得之有機薄膜，鍍覆1nm的氟化鋰於其上，然後將100nm的鋁鍍覆於其上，從而製造出EL裝置。由於使用Toyo公司的來源測量單元(Source Measure Unit)2400來供應穩定的直流電壓於EL裝置來產生光，所以可得到綠光。表2表示了在EL裝置的正面亮度為600cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【對照案例B－1】

使用本發明之化合物(5)取代7nm的NPD作為對照案例B－0之EL裝置中的電洞傳輸層，EL裝置與對照案例B－0之製造方法相同。表2表示了在EL裝置的正面亮度為600cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【對照案例B－2】

使用本發明之化合物(185)取代7nm的NPD作為對照案例B－0之EL裝置中的電洞傳輸層，EL裝置與對照案例B－0之製造方法相同。表2表示了在EL裝置的正面亮度為600cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【對照案例B－3】

使用本發明之化合物(208)取代7nm的NPD作為對照案例B－0之EL裝置中的電洞傳輸層，EL裝置與對照案例B－0之製造方法相同。表2表示了在EL裝置的正面亮度為600cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

由表2顯然可見使用本發明化合物之EL裝置作為電洞傳輸層與對照案例之裝置相對表現出高發光發射效率，而在相同亮度下之電壓值與對照案例B－0之EL裝置為相同或是小於其值，從發光效率改變的觀點來看。

【對照案例C－0】

將ITO基板置入氣相沉積設備中，鍍覆140nm厚2－TNATA於其上作為電洞注入層。鍍覆NPD(N,N'－di－α－萘基－N,N'－二苯)－聯苯胺)7nm於其上作為電洞傳輸層。鍍覆咔唑衍生物(1)3nm厚作為電洞注入促進層。化合物(P－2)作為光發射材料而mCP作為主材料，以質量比率為15：85來將其鍍覆於合成結構上，厚度為30nm，而鍍覆Balq 40nm於其上作為電子傳輸層。之後，施予一光罩(光罩範圍4mmx5mm)於上面所得之有機薄膜，鍍覆1奈米的氟化鋰於其上，然後將100奈米的鋁鍍覆於其上，從而製造出EL裝置。由於使用Toyo公司的來源測量單元(Source Measure Unit)2400來供應穩定的直流電壓於EL裝置來產生光’藍光從光發射材料(P－2)來得到。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例C－1】

鍍覆本發明之化合物(5)10奈米厚取代7nm之NPD作為電洞傳輸層而咔唑衍生物(1)3nm作為電洞注入促進層’在對照案例C－0之EL裝置中。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例C－2】

鍍覆本發明之化合物(185)10nm厚取代7nm之NPD作為電洞傳輸層而咔唑衍生物(1)3nm作為電洞注入促進層，在對照案例C－0之EL裝置中。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例C－3】

鍍覆本發明之化合物(208)10nm厚取代7nm之NPD作為電洞傳輸層而咔唑衍生物(1)3nm作為電洞注入促進層，在對照案例C－0之EL裝置中。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例C－4】

鍍覆本發明之化合物(5)和咔唑衍生物(1)10奈米厚，質量比例為70：30，取代7nm之NPD作為電洞傳輸層而咔唑衍生物(1)3nm作為電洞注入促進層，在對照案例C－0之EL裝置中，EL裝置與對照案例C－0之製造方法相同。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例C－5】

鍍覆本發明之化合物(185)和咔唑衍生物(1)10奈米厚，質量比例為70：30，取代7nm之NPD作為電洞傳輸層而咔唑衍生物(1)3nm作為電洞注入促進層，在對照案例C－0之EL裝置中，EL裝置與對照案例C－0之製造方法相同。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

【例C－6】

鍍覆本發明之化合物(208)和咔唑衍生物(1)10nm厚，質量比例為70：30，取代7nm之NPD作為電洞傳輸層而咔唑衍生物(1)3奈米作為電洞注入促進層，在對照案例C－0之EL裝置中，EL裝置與對照案例C－0之製造方法相同。表3表示了在EL裝置的正面亮度為400cd/m² 時，驅動電壓計算的外部量子效益。

由表3顯然可見EL裝置使用包含有電洞注入層之電洞注入促進層，該電洞注入層包含相對於對置案例EL裝置具有高發光效率之本發明裝置，從發光效率改變的觀點來看，在相同亮度下之電壓值與對照案例C－0之EL裝置為相同或是小於其值。

上述之對照案例和例子可知，有機EL裝置使用本發明之化合物作為鄰接層可實現高發光效率和低驅動電壓。

產業利用性

具有本發明化合物之有機電致發光裝置擁有優異的耐久性。另外，藉由使用具有特別結構之化合物在有機層之特別層中，可使高發光效率成為可能。

國外優先權之外國專利申請案之權利，已完全揭露於本案申請專利範圍中。

Claims

一種有機電致發光裝置，包括：一對電極；至少二個有機層位於該對電極之間，其中有機層包含電洞傳輸層及光發射層，其中該電洞傳輸層係包含一化合物，由分子式(1)表示：其中M表示過渡金屬原子或是過渡金屬離子；R¹¹ 和R¹² 分別單獨表示氫原子或取代基團，該取代基團係選自由下述群組所組成之群組，C_1-10 烷基、C_2-10 烯基、C_2-10 炔基、C₆ -₁₂ 芳基、C₀ -C₁₀ 經取代或未經取代之胺基、C_1-10 烷氧基、C_6-12 芳氧基、C_1-12 雜環氧基、C_1-12 醯基、C_2-12 烷氧羰基、C_7-12 芳氧羰基、C_2-10 醯氧基、C_2-10 醯胺基、C_2-12 烷氧羰基胺基、C_7-12 芳氧羰基胺基、C_1-12 磺醯胺基、C_0-12 胺磺醯基、C_1-12 胺甲醯基、C_1-12 烷硫基、C_6-12 芳硫基、C_1-12 雜環硫基、C_1-12 磺醯基、C_1-12 亞磺醯基、C_1-12 脲基、C_1-12 醯胺磷酸鹽基(amide phosphate group)、羥基、氫硫基、鹵素原子、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羥胺酸、亞磺基、肼基、亞胺基、C_1-12 雜環基、C_3-24 矽烷基、C_3-24 矽氧烷基，其中該雜環基包括氮原子、氧原子、及硫原子作為雜原子；且R¹¹ 和R¹² 可獨立地鍵結至M，或者R¹¹ 和R¹² 可互相鍵結形成環狀結構；L¹¹ 表示含氮雜環之配位子，其係選自由雙吡啶基、啡咯啉、苯基吡啶、吡唑基吡啶、苯并咪唑基吡啶、及苯基吡唑所組成之群組，L¹¹ 係透過含氮雜環之碳烯碳的一個氮及/或兩個電子與M配位，且L¹¹ 可與R¹¹ 或是R¹² 至少一者鍵結；X¹¹ 表示相對離子；n¹¹ 表示整數0至5；n¹² 表示整數1至6；n¹³ 表示整數0至3；且C表示碳烯碳，其係與R¹¹ 和R¹² 鍵結而與M配位；其中光發射層包含一化合物，由分子式(P-2)表示：其中Pt表示鉑離子，Y²¹ 表示單鍵、雙鍵、或包含碳醯連結基、伸烷基連接基、或伸烯連接基之連接基；Y²² 及Y²³ 表示單鍵或包含包含碳醯連結基、伸烷基連接基、或伸烯連接基之連接基；Q²¹ 及Q²² 表示組成含氮五員雜環，含氮六員雜環，其稠合環或其互變異構物之原子團、且Q²¹ 和Y²¹ 形成在環之間的鍵及Q²² 和Y²¹ 形成在環之間的鍵係表示單鍵或雙鍵；X^E21 及X^E22 表示氧原子、硫原子、或氮原子；R^E21 ，R^E22 ，R^E23 ，及R^E24 表示氫原子、或其係選自由下述群組所組成之群組之取代基，C_1-10 烷基、C_2-10 烯基、C_2-10 炔基、C_6-12 芳基、C_0-10 胺基、C_1-10 烷氧基、C_6-12 芳氧基、C_1-12 雜環氧基、C_1-12 醯基、C_2-12 烷氧羰基、C_7-12 芳氧羰基、C_2-10 醯氧基、C_2-10 醯胺基、C_2-12 烷氧羰基胺基、C_7-12 芳氧羰基胺基、C_1-12 磺醯胺基、C_0-12 胺磺醯基、C_1-12 胺甲醯基、C_1-12 烷硫基、C_6-12 芳硫基、C_1-12 雜環硫基、C_1-12 磺醯基、C_1-12 亞磺醯基、C_1-12 脲基、C_1-12 醯胺磷酸鹽基、羥基、氫硫基、鹵素原子、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羥胺酸、亞磺基、肼基、亞胺基、C_1-12 雜環基、C_3-24 矽烷基、及C_3-24 矽氧烷基，其中該雜環基包括氮原子、氧原子、及硫原子作為雜原子；且R^E21 ，R^E22 ，R^E23 ，及R^E24 可透過各自鍵結形成環；L²⁵ 表示與鉑離子配位之配位子，其中配位子係選自1,3-二酮配位子、及含吡啶之配位子之含單陰離子之雙牙配位子之一者；n^E21 表示0至4之整數。
如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，在其中由化學式(1)所表示之該化合物係為由化學式(2)所表示之化合物：其中M表示過渡金屬原子或是過渡金屬離子；R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 分別單獨表示氫原子或取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，且R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 可獨立地鍵結至M，或者R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 可互相鍵結形成環狀結構；L²¹ 表示含氮雜環之配位子，其係選自由雙吡啶基、啡咯啉、苯基吡啶、吡唑基吡啶、苯并咪唑基吡啶、及苯基吡唑所組成之群組，L²¹ 係透過含氮雜環之碳烯碳的一個氮及/或兩個電子與M配位，且L²¹ 可與R²¹ ，R²² ，R²³ 和R²⁴ 至少一者鍵結；X²¹ 表示相對離子；n²¹ 表示整數0至5；n²² 表示整數1至6； n²³ 表示整數0至3；且C表示碳烯碳，其係與兩個氮原子鍵結而與M配位。
如申請專利範圍第2項之有機電致發光裝置，其中由化學式(2)所表示之該化合物係為由化學式(3)所表示之化合物：其中M表示過渡金屬原子或過渡金屬離子；R³¹ ，R³² 和R³³ 分別獨立表示氫原子或是取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，且R³¹ ，R³² 和R³³ 可互相鍵結形成環狀結構，或者R³¹ ，R³² 和R³³ 可各自經由R³¹ ，R³² 和R³³ 的原子來配位於M；R³⁴ 表示取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，當R³⁴ 為複數時，R³⁴ 的複數可彼此相等或不同，且R³⁴ 的複數可以可彼此鍵結形成環狀結構或R³⁴ 可經由R³⁴ 的原子來配位於M；L³¹ 表示含氮雜環之配位子，其係選自由雙吡啶基、啡咯啉、苯基吡啶、吡唑基吡啶、苯并咪唑基吡啶、及苯基吡唑所組成之群組，L³¹ 係透過含氮雜環之碳烯碳的一個氮及/或兩個電子與M配位；X³¹ 表示相對離子；n³¹ 表示0至4整數；n³² 表示1至3整數；n³³ 表示0至2整數；m³¹ 表示整數0至4；且C表示碳烯碳，其係與兩個氮原子鍵結，而以碳烯碳的兩個主要電子與M配位。
如申請專利範圍第3項之有機電致發光裝置，其中由化學式(3)所表示之該化合物係為由化學式(4)所表示之化合物： R⁴¹ ，R⁴² 和R⁴³ 分別單獨表示氫原子或取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，且R⁴¹ ，R⁴² 和R⁴³ 可互相鍵結形成環狀結構，或者R⁴¹ ，R⁴² 和R⁴³ 可各自經由R⁴¹ ，R⁴² 和R⁴³ 的一個原子來配位於M；R⁴⁴ ，R⁴⁵ 和R⁴⁶ 每個單獨表示取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，當R⁴⁴ ，R⁴⁵ 和R⁴⁶ 各自為複數時，R⁴⁴ 的複數，R⁴⁵ 的複數，R⁴⁶ 的複數可各自互相鍵結形成環狀結構，或者R⁴⁴ ，R⁴⁵ ，R⁴⁶ 各自可經由R⁴⁴ ，R⁴⁵ ，R⁴⁶ 的原子與M配位；n⁴¹ 表示整數0至2；n⁴² 表示整數1至3；且m⁴¹ ，m⁴² 和m⁴³ 分別獨立表示整數0至4。
如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中包含碳烯碳的配位子係為三牙到六牙的配位子。
如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中由化學式(1)所表示之該化合物係為由化學式(5)所表示之化合物：其中R⁵² 和R⁵³ 分別單獨表示氫原子或取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，且R⁵² 和R⁵³ 可互相鍵結形成環狀結構；R⁵⁴ ，R⁵⁵ ，R⁵⁶ 分別單獨表示取代基團，該取代基團之定義係參照R¹¹ ，假設當R⁵⁴ ，R⁵⁵ ，R⁵⁶ 分別為複數時，複數的R⁵⁴ ，複數的R⁵⁵ ，複數的R⁵⁶ 可各自互相鍵結形成環狀結構；Y⁵¹ 和Y⁵² 分別單獨表示單鍵或是連接團，該連接基團係包含下列基團，該等基團係可經取代基取代，該取代基之定義係參照R¹¹ ； n⁵¹ 表示0或1；且m⁵¹ ，m⁵² 和m⁵³ 分別單獨表示整數0至4。
如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中該光發射層中包括至少一光發射材料和化學式(1)表示之化合物。
如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中至少一層位在光發射層和正電極之間，該層包含由化學式(1)表示之化合物。
如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中至少一層位在光發射層和負電極之間，該層包含由化學式(1)表示之化合物。