JP5357579B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機化合物層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機化合物層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いた高効率素子の開発が盛んであり、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用いた発光素子に関する発明が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。しかしながら、さらなる素子性能の改良が求められており、特に青色領域に発光を有する素子で、高効率と高耐久性を両立することが強く求められている。

有機ＥＬ素子に使用される電子輸送材料としては、従来よりヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体系材料が用いられてきたが、最低励起三重項準位（Ｔ_１準位）が低く、燐光発光材料を使用した素子においては燐光発光を消光してしまうため、素子の高効率化が難しい難点があった。これは、より短波長に発光する場合に顕著であり、特に青色燐光素子に用いた場合、素子効率が大きく低下してしまう欠点があった。

新規な電子輸送材料として、アリーレン基と窒素原子が交互に結合して環状の分子鎖を形成した環状芳香族三級アミン類を用いた発明（特許文献５参照）、アリーレン基またはヘテロアリーレン基が直接、または連結基を介して結合し、環を形成した分子を用いた発明が提案されている（特許文献３、４参照）。しかしながら、発光素子の耐久性、駆動電圧の低下、更なる効率の向上の点で改良が望まれていた。

米国特許第６３０３２３８号明細書 国際公開第００／５７６７６号パンフレット 特開２００７−３３５６３８号公報 特開２００７−１６５３７７号公報 特開２００７−２１４３６４号公報

本発明の目的は、発光効率が高く、かつ耐久性が高い有機電界発光素子の提供にある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、単環の芳香族炭化水素環及び少なくとも二つの単環の芳香族ヘテロ環を有する特定構造の化合物を有機化合物層に含有する有機ＥＬ素子が、上記課題を解決することを見出した。すなわち、本発明は下記の手段により達成された。

〔１〕
陰極と陽極の間に少なくとも一種の発光材料を含有する発光層を含む、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、有機層に、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（１）中、ｎは３以上の整数を表す。Ｑ^１は縮環を有さないベンゼン環または単環の芳香族ヘテロ環を表す。複数のＱ^１は同一でも異なっていてもよく、少なくとも一つはベンゼン環であり、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環である。Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または置換基を表す。）
〔２〕
前記一般式（１）におけるｎが４であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕
前記一般式（１）において、Ｑ^１が表す芳香族ヘテロ環がピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環から選ばれるいずれかの環であることを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。

（一般式（２）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１６は置換または無置換の炭素原子または窒素原子を表し、Ｒ^５１〜Ｒ^５８は水素原子または置換基を表し、四つの芳香族六員環のうち少なくとも一つはベンゼン環であり、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環である。）
〔５〕
一般式（１）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔６〕
前記発光層と陰極との間にさらに少なくとも一層の有機層を有し、一般式（１）で表される化合物を該発光層と陰極との間の有機層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔７〕
前記発光層と陽極との間にさらに少なくとも一層の有機層を有し、一般式（１）で表される化合物を該発光層と陽極との間の有機層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔８〕
前記発光材料の少なくとも一種が燐光材料であることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔９〕
前記発光材料の少なくとも一種が白金錯体またはイリジウム錯体であることを特徴とする〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１０〕
前記白金錯体が三座または四座の配位子の白金錯体であることを特徴とする〔９〕に記載の有機電界発光素子。
〔１１〕
前記白金錯体が下記一般式（Ｃ−１）で表されることを特徴とする〔１０〕に記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４はそれぞれ独立にＰｔに結合する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。）

本発明の有機電界発光素子は、本発明の一般式（１）で表される化合物（本明細書において「本発明の化合物」と同義で用いる。）を有機層に含有することを特徴とする。本発明の化合物は特有の骨格によりＴ_１エネルギー準位が高く、これにより、高い発光効率（例えば外部量子効率）を有し、かつ耐久性に優れる有機電界発光素子（本明細書において「本発明の素子」と同義で用いる）が提供できる。また、本発明の化合物を用いることにより、青色領域においても高い外部量子効率で発光し、かつ耐久性に優れる素子が提供できる。

本発明の有機電界発光素子は、陰極と陽極の間に少なくとも一種の発光材料を含有する発光層を含む、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、有機層に、下記一般式（１）で表される化合物を含有する。

本発明の一般式（１）で表される化合物について詳細に説明する。

（一般式（１）中、ｎは３以上の整数を表す。Ｑ^１は縮環を有さないベンゼン環または単環の芳香族ヘテロ環を表す。複数のＱ^１は同一でも異なっていてもよく、少なくとも一つはベンゼン環であり、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環である。Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または置換基を表す。）

Ｑ^１は縮環を有さないベンゼン環または単環の芳香族ヘテロ環を表す。
本発明の化合物は、少なくとも一つのベンゼン環を有することで化合物の安定性が増すため、耐久性の点で好ましい。

縮環を有さないベンゼン環は置換基を有していてもよく、置換基としては下記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。

本発明の化合物は、少なくとも二つの単環の芳香族ヘテロ環基を有することで、電位のコントロールがしやすく、電荷注入の点で有利である。これにより駆動効率を高めることができ、駆動電圧を低減でき、好ましい。
縮環を有さないことから、Ｔ_１準位を高く保つことができ、燐光発光を利用した有機電界発光素子に適用する場合、素子の効率が高くなる点で好ましい。

単環の芳香族ヘテロ環としては、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環等を挙げることができ、好ましくは、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、より好ましくは、チオフェン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、さらに好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、特に好ましくはピリジン環、ピラジン環である。
単環の芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、置換基としては下記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。

また、一般式（１）で表される化合物は置換基としてＲ^１及びＲ^２を有するメチレン連結基を含むものである。メチレン連結基を有することにより芳香環同士が共役しなくなるため、高いＴ_１準位を保つことができ、燐光発光を利用する有機電界発光素子に適用した場合に素子の効率が高くなる点で好ましい。また、他のヘテロ原子で連結するよりも化合物の安定性が増すため、耐久性の点で好ましい。
Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２が表す置換基としては、下記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができ、好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、フルオロ基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基である。

ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜８であり、より好ましくは４〜６であり、更に好ましくは４である。
複数のＱ^１は同一でも異なっていてもよく、少なくとも一つは縮環を有さないベンゼン環である。また、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環基である。
隣り合うＱ^１の結合順序は問わないが、二つ以上のベンゼン環が含まれる場合、ベンゼン環同士は隣り合っていた方が好ましい。

置換基群Ａ：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピレニル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、２−エチルヘキシロキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ基、ピラジニルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、キノリルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、

アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ基、２−ベンゾイミダゾリルチオ基、２−ベンゾオキサゾリルチオ基、２−ベンゾチアゾリルチオ基などが挙げられる。）、

スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）

化合物の化学的安定性、熱的安定性を勘案すると、Ｒ^１１〜Ｒ^１４で表される置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環基であり、さらに上記化学的安定性、熱的安定性の観点および良好な電荷輸送性の観点から好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、π電子系が分子外側に広がり電荷輸送能が向上する観点からアリール基、ヘテロ環基が特に好ましい。

本発明において、前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（２）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１６は置換または無置換の炭素原子または窒素原子を表し、Ｒ^５１〜Ｒ^５８は水素原子または置換基を表し、四つの芳香族六員環のうち少なくとも一つはフェニル基であり、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環基である。）

Ｒ^５１〜Ｒ^５８は水素原子または置換基を表し、Ｒ^５１〜Ｒ^５８が表す置換基としては上記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができ、好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、フルオロ機、シアノ基である。

一般式（１）で表される化合物はメチレンで連結することにより共役長が短いため最低励起三重項エネルギー準位（Ｔ_１準位）が高く、燐光素子用ホスト材料、バインダー材料、電子輸送材料、ホール輸送材料等として有用であり、特に短波発光の燐光素子用ホスト材料、バインダー材料、電子輸送材料、ホール輸送材料等として有用である。

以下に一般式（１）および（２）で表される化合物の具体例を記すが、本発明はこれらに限定されることはない。

本発明の一般式（１）または（２）で表される化合物は、種々の公知の合成法にて合成することが可能である。

合成した化合物の精製は公知の手法（例えば「分離精製技術ハンドブック（１９９３年、日本化学会編）、「化学変換法による微量成分及び難精製物質の高度分離」（１９８８年、アイピーシー）、「実験化学講座（第四版）１」（１９９０年、日本化学会編）に記載の方法」を利用できる。具体的には抽出、吸着、吸蔵、再結晶、再沈殿、蒸留、昇華、イオン交換、濾過、ゾーンメルト法、電気泳動、遠心分離、沈降、洗浄、各種クロマトグラフィーなどが挙げられる。

本発明の素子の耐久性を勘案すると、本発明の化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３０℃以上、４５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１３５℃以上、４５０℃以下であり、さらに好ましくは１４０℃以上、４５０℃以下であり、特に好ましくは１５０℃以上、４５０℃以下であり、もっとも好ましくは１６０℃以上、４５０℃以下である。

ここで、Ｔｇは示差走査熱量測定（ＤＳＣ）、示差熱分析（ＤＴＡ）などの熱測定や、Ｘ線回折（ＸＲＤ）、偏光顕微鏡観察などにより確認できる。

［有機電界発光素子］
以下、本発明の素子について詳細に説明する。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合がある）を含む有機化合物層（有機化合物のみからなる層であっても良いし、無機化合物を含有する有機層であっても良い）を有する。従って、本発明では有機化合物層として発光層のみの構成であっても良い。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。

本発明の発光素子は、有機化合物層として、少なくとも一つの有機発光層（発光層）を有する。また発光層以外の有機化合物層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、励起子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、保護層などが適宜配置されていてもよく、それぞれ他の層の機能を兼ね備えていても良い。また各層は複数の二次層から構成されていても良い。

次に、本発明の素子を構成する要素について、詳細に説明する。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、及びポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等によって行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。

陽極の抵抗値としては、１０^３Ω／□以下が好ましく、１０^２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。

＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

陰極を構成する材料としては、例えば、単体金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独の材料から構成されていてもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上の材料を好適に組み合わせて構成された陰極を使用することもできる。

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点でアルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。

−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。

−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。

本発明の有機電界発光素子は、励起一重項からの発光（蛍光）を利用するものでも励起三重項からの発光（燐光）を利用するものでもよいが、発光効率の観点から、燐光を利用するものの方が好ましい。

本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
本発明の有機電界発光素子が、燐光を利用するものである場合、発光層は少なくとも一種の燐光材料と、少なくとも一種のホスト材料から構成されていることが好ましい。ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。

ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上を組み合わせられていても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料と正孔輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。

また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、本発明の化合物の他、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。

一般式（１）で表される化合物は、有機化合物層のうちいずれの層に含有されていてもよく、また複数の層に含有されていても良い。具体的には、発光層、発光層と陰極の間に形成される有機層（すなわち電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層など）、又は発光層と陽極の間に形成される有機層（すなわち正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層など）に含有されることが好ましい。
本発明の化合物が発光層に含有される場合、その含有率は、３０〜９９．９質量％が好ましく、５０〜９９．５質量％がより好ましく、６０〜９９質量％であることがさらに好ましい。
本発明の化合物が発光層と陰極の間に形成される有機層に含有される場合、その含有率は７０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％が好ましく、膜の均一性の観点から１００質量％であることがさらに好ましい。本発明の化合物が発光層と陰極の間に形成される有機層に含有されることにより、電子注入性向上による駆動電圧の低下、電荷バランス向上による効率の向上、正孔ブロックし再結合確率が向上することによる効率の向上などの性能向上が可能である。
本発明の化合物が発光層と陽極の間に形成される有機層に含有される場合、その含有率は７０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％が好ましく、膜の均一性の観点から１００質量％であることがさらに好ましい。本発明の化合物が発光層と陽極の間に形成される有機層に含有されることにより、正孔注入性向上による駆動電圧の低下、電荷バランス向上による効率の向上、電子ブロックし再結合確率が向上することによる効率の向上などの性能向上が可能である。

本発明の素子が燐光を利用する発光素子である場合には、一般式（１）で表される化合物の最低励起三重項エネルギー準位（Ｔ_１準位）は、４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（１８８．６ｋＪ／ｍｏｌ）以上８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３５６．２ｋＪ／ｍｏｌ）以下が好ましい。赤色燐光材料と共に用いる場合、４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（１８８．６ｋＪ／ｍｏｌ）以上６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ）以下が好ましく、緑色燐光材料と共に用いる場合、５３ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２２２．１ｋＪ／ｍｏｌ）以上７０ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２９３．３ｋＪ／ｍｏｌ）以下が好ましく、青色燐光材料と共に用いる場合６７ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２８０．７３ｋＪ／ｍｏｌ）以上８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３５６．２ｋＪ／ｍｏｌ）以下が好ましく、６９ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２８９．１１ｋＪ／ｍｏｌ）以上、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３５６．２ｋＪ／ｍｏｌ）以下がより好ましい。

ここで、Ｔ_１準位は、燐光スペクトルの短波長端から見積もることができる。

（発光材料）
本発明における発光材料は、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれも用いることができる。
本発明における発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光材料を含有することもできる。

《蛍光発光材料》
前記蛍光性の発光材料としては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などを挙げることができる。

《燐光発光材料》
前記燐光性の発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、該遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。

錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ
Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、芳香族炭素環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、またはナフチルアニオンなど）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、またはフェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜１６であり、酢酸配位子など）、アルコラト配位子（例えば、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、フェノラト配位子など）、シリルオキシ配位子（例えば、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０であり、例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルホスフィン配位子など）、チオラト配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０、例えば、フェニルチオラト配位子など）、ホスフィンオキシド配位子（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数８〜３０、さらに好ましくは炭素数１８〜３０、例えば、トリフェニルホスフィンオキシド配位子など）であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。

これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光材料としては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、およびＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が特に好ましく、Ｉｒ錯体、またはＰｔ錯体が最も好ましい。中でも三座又は四座座配位子を有するＰｔ錯体が好ましく、四座配位子を有するＰｔ錯体が特に好ましい。

発光材料としては、特に限定されないが、燐光発光材料を用いることが好ましく、金属錯体燐光発光材料を用いることがより好ましい。金属錯体燐光発光材料としてはイリジウム錯体燐光発光材料、又は、白金錯体燐光発光材料を用いることが更に好ましく、４座配位子を有する白金錯体燐光発光材料を用いることが特に好ましいが、他の燐光発光材料を併用してもよい。

錯体燐光発光材料としては、Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２５０（２００６）２０９３−２１２６に記載の化合物が挙げられる。

イリジウム錯体燐光発光材料としては、国際公開第００−７０６５５号、国際公開第０１−４１５１２号、国際公開第０２−５６４５号、特開２００２−１１７９７８、国際公開第０４−０８５４５０号、国際公開第０６−１２１８１１号、国際公開第０５−０１９３７３号、国際公開第０５−１１３７０４号、に記載の化合物が挙げられる。

白金錯体燐光発光材料としては、国際公開第００−５７６７６号に記載の化合物が挙げられる。

４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より具体的には、米国特許第６，６５３，６５４号、国際公開第２００４−０９９３３９号、国際公開第０４−１０８８５７号、特開２００５−３１０７３３、特開２００５−３１７５１６、特開２００６−２６１６２３、特開２００６−９３５４２、特開２００６−２５６９９９、国際公開第０６−０９８５０５号、特開２００７−１９４６２、特開２００７−９６２５５、特開２００７−９６２５９、国際公開第０５−０４２４４４号、特開２００６−２３２７８４、米国特許第０１３４４６１号、国際公開第０５−０４２５５０号、に記載の化合物が好ましい。

本発明の素子の燐光材料として特に好ましくは下記一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−１）中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−１）について説明する。Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する基を表す。この時、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４中のＰｔに結合する原子の内、少なくとも一つが炭素原子であることが好ましく、二つが炭素原子であることがより好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４としては、アニオン性の配位子でも中性の配位子でもよく、アニオン性の配位子としてはビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子および、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。中性の配位子としてはカルベン配位子が挙げられる。
窒素原子でＰｔに結合するＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としては含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサゾール配位子、チアゾール配位子およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））、アミン配位子、ニトリル配位子、イミン配位子が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アミノ配位子、イミノ配位子、含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピロール配位子、イミダゾール配位子、トリアゾール配位子およびそれらを含む縮環体（例えはインドール配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））が挙げられる。
酸素原子でＰｔに結合するＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはエーテル配位子、ケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子、含酸素ヘテロ環配位子（フラン配位子、オキサゾール配位子およびそれらを含む縮環体（ベンゾオキサゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子などが挙げられる。
硫黄原子でＰｔに結合するＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはチオエーテル配位子、チオケトン配位子、チオエステル配位子、チオアミド配位子、含硫黄ヘテロ環配位子（チオフェン配位子、チアゾール配位子およびそれらを含む縮環体（ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子などが挙げられる。
リン原子でＰｔに結合するＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはホスフィン配位子、リン酸エステル配位子、亜リン酸エステル配位子、含リンヘテロ環配位子（ホスフィニン配位子など）が挙げられ、アニオン性の配位子としては、ホスフィノ配位子、ホスフィニル配位子、ホスホリル配位子などが挙げられる。
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４で表される基は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い（Ｚ^３とＺ^４が連結した場合、環状四座配位子のＰｔ錯体になる）。

Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４で表される基として好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、より好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アリールオキシ配位子であり、さらに好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子である。

Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３は、単結合または二価の連結基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、またはこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。
Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、さらに好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、さらに好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基クロヘキサンジイル基である。

また、前記一般式（Ｃ−１）で表される四座配位子を有する白金錯体のうち、より好ましいもののひとつは一般式（Ａ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ａ）中、Ｒ^Ａ３、Ｒ^Ａ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^Ａ１、Ｒ^Ａ２は同じであっても異なってもよく、互いに連結して環を形成してもよい。ｎ^Ａ１及びｎ^Ａ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｙ^Ａ１は連結基を表す。）

Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ａ３、及びＲ^Ａ４が表す置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。

Ｙ^Ａ１が表す連結基としては、前記Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３で表される二価の連結基として挙げたものが適用できる。

Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ａ３、及びＲ^Ａ４が表す置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましく、アリール基、ヘテロ環基がより好ましく、アリール基が特に好ましい。

Ｙ^Ａ１が表す連結基としては、１，２位で置換したビニル基、フェニレン環基、ピリジン環ジイル基、ピラジン環ジイル基、ピリミジン環ジイル基または炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、１，２位で置換したビニル基、フェニレン環基、炭素数１〜６のアルキレン基がより好ましく、フェニレン環基が特に好ましい。

Ｒ^Ａ３、及びＲ^Ａ４が表す置換基は、Ｙ^Ａ１が表す連結基と連結して環を形成してもよく、例えば、Ｙ^Ａ１が１，２位で連結したフェニレン環である場合には、Ｒ^Ａ３、及びＲ^Ａ４がそれぞれ３，６位で連結して、１，１０−フェナントロリン環を形成していてもよく、更に置換基を有していてもよい。

４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ｂ）中、Ａ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｂ１は単結合または二価の連結基を表す。ＸはＣまたはＮを表す。Ｚは式中のＸ−Ｃと共に形成される５または６員の芳香環または芳香族ヘテロ環を表す。Ｑ^Ｂ１はＰｔに結合するアニオン性の基を表す。）

一般式（Ｂ）について説明する。
Ａ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基、アミノ基であり、より好ましくは水素原子、フッ素基である。Ａ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６として好ましくはＣ−Ｒである。
Ａ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^Ｂ２、Ａ^Ｂ５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基であり、Ａ^Ｂ１、Ａ^Ｂ３、Ａ^Ｂ４、Ａ^Ｂ６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。

Ｌ^Ｂ１は単結合または二価の連結基を表す。
Ｌ^Ｂ１で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、またはこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。 Ｌ^Ｂ１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基であり、さらに好ましくはジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。

ＸはＣまたはＮを表す。Ｚは式中のＸ−Ｃと共に形成される５または６員の芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。Ｚで表される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、シンノリン環、アクリジン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、プテリジン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾピリジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ホスホール環、ホスフィニン環、シロール環などが挙げられる。Ｚは置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。また、Ｚは他の環と縮合環を形成していても良い。
Ｚとして好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、インドール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピラゾール環、ピリジン環である。

Ｑ^Ｂ１はＰｔに結合するアニオン性の基を表す。Ｑ^Ｂ１で表されるアニオン性の基としては、前記ビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセンレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子および、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。この時、Ｑ^Ｂ１とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｑ^Ｂ１中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｑ^Ｂ１中のＰｔに結合する原子は炭素原子、酸素原子、窒素原子であることが好ましく、炭素原子であることがさらに好ましい。
Ｑ^Ｂ１で表される基として好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子であり、より好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子である。Ｑ^Ｂ１で表される基としては特に一般式（Ｂ）中のＣ−Ｘと共に形成されるＺ環と同一の基であることが好ましい。

一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体は、より好ましくは一般式（Ｃ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ｃ）中、Ａ^Ｃ１〜Ａ^Ｃ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｃ１は単結合または二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ）について説明する。
Ａ^Ｃ１〜Ａ^Ｃ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ａ^Ｃ１〜Ａ^Ｃ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ１４としては、Ａ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ１０とＡ^Ｃ１１〜Ａ^Ｃ１４のそれぞれにおいて、Ｎ（窒素原子）を表すものの数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。Ｎであるのは、Ａ^Ｃ８〜Ａ^Ｃ１０とＡ^Ｃ１２〜Ａ^Ｃ１４から選ばれるのが好ましく、Ａ^Ｃ８、Ａ^Ｃ９、Ａ^Ｃ１２、Ａ^Ｃ１３から選ばれるのがより好ましく、Ａ^Ｃ８、Ａ^Ｃ１２から選ばれるのが特に好ましい。
Ａ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ１４がＣ−Ｒを表す場合に、Ａ^Ｃ８、Ａ^Ｃ１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、ポリフルオロアルキル基、シアノ基である。Ａ^Ｃ７、Ａ^Ｃ９、Ａ^Ｃ１１、Ａ^Ｃ１３の表すＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基である。Ａ^Ｃ１０、Ａ^Ｃ１４の表すＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。Ａ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ９、Ａ^Ｃ１１〜Ａ^Ｃ１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。

Ｌ^Ｃ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬ^Ｂ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体は、より好ましくは一般式（Ｄ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ｄ）中、Ａ^Ｄ１〜Ａ^Ｄ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｄ１は単結合または二価の連結基を表す。）

一般式（Ｄ）について説明する。
Ａ^Ｄ１〜Ａ^Ｄ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。
Ａ^Ｄ１〜Ａ^Ｄ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^Ｄ７〜Ａ^Ｄ１２としては、Ａ^Ｄ７〜Ａ^Ｄ９とＡ^Ｄ１０〜Ａ^Ｃ１２のそれぞれにおいて、Ｎ（窒素原子）を表すものの数は、０〜２が好ましく、１〜２がより好ましく、１が特に好ましい。Ｎを表すものは、Ａ^Ｄ７〜Ａ^Ｄ９とＡ^Ｄ１０〜Ａ^Ｃ１２から選ばれることが好ましく、Ａ^Ｄ７、Ａ^Ｄ９、Ａ^Ｄ１０及びＡ^Ｄ１２から選ばれることがより好ましく、Ａ^Ｄ７及びＡ^Ｄ１０から選ばれることが特に好ましい。
Ａ^Ｄ７〜Ａ^Ｄ１２がＣ−Ｒである場合に、Ａ^Ｄ８、Ａ^Ｄ１１のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくポリフルオロアルキル基（例えば、トリフルオロメチル基やパーフルオロエチル基）、シアノ基である。Ａ^Ｄ７、Ａ^Ｄ９、Ａ^Ｄ１０、Ａ^Ｄ１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。Ａ^Ｄ７〜Ａ^Ｄ１２のいずれかがＤ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。

Ｌ^Ｄ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬ^Ｂ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｅ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ｅ）中、Ａ^Ｅ１〜Ａ^Ｅ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｅ１は単結合または二価の連結基を表す。）

一般式（Ｅ）について説明する。Ａ^Ｅ１〜Ａ^Ｅ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ａ^Ｅ１〜Ａ^Ｅ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ａ^Ｅ７〜Ａ^Ｅ１４としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ｌ^Ｅ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬ^Ｂ１が表す連結基と同義である。
Ｌ^Ｅ１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくはアルキレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、さらに好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基であり、さらに好ましくはジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。

４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｆ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ｆ）中、Ａ^Ｆ１〜Ａ^Ｆ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｆ１は単結合または二価の連結基を表す。）

一般式（Ｆ）について説明する。
Ａ^Ｆ１〜Ａ^Ｆ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ａ^Ｆ１〜Ａ^Ｆ５としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ５と同義である。Ａ^Ｆ１〜Ａ^Ｆ５として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^Ｆ１〜Ａ^Ｆ５がＣ−Ｒである場合に、Ａ^Ｆ１〜Ａ^Ｆ５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは水素原子である。

Ａ^Ｆ７〜Ａ^Ｆ１４としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。特に、Ａ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ９、Ａ^Ｃ１１〜Ａ^Ｃ１３のいずれかがＣ−Ｒである場合に、Ｒ同士が互いに連結して形成する環構造としては、フラン環、ベンゾフラン環、ピロール環、ベンゾピロール環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フルオレン環が好ましく、これらの環は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｆ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬ^Ｂ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｇ）で表されるＰｔ錯体である。

（一般式（Ｇ）中、Ａ^Ｇ１〜Ａ^Ｇ１３はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｇ１は単結合または二価の連結基を表す。）

一般式（Ｇ）について説明する。
Ａ^Ｇ１〜Ａ^Ｇ１３はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ａ^Ｇ１〜Ａ^Ｇ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡ^Ｂ１〜Ａ^Ｂ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ａ^Ｇ７〜Ａ^Ｇ１０としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡ^Ｃ７〜Ａ^Ｃ１０と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ａ^Ｇ１１〜Ａ^Ｇ１３としては、前記一般式（Ｄ）におけるＡ^Ｄ７〜Ａ^Ｄ９と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ｌ^Ｇ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬ^Ｂ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

発光材料の具体例としては例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、４座配位子を有する白金錯体燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

上記錯体化合物として例示した化合物は、例えば以下に示す工程により製造することができる。

上記の金属錯体化合物は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ５３， ７８６， （１９８８） 、Ｇ． Ｒ． Ｎｅｗｋｏｍｅ ｅｔ ａｌ．）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法およびその組み合わせ、Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １１３， ２７４９ （１９８０）、Ｈ． Ｌｅｘｙ ほか）の、２７５２頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

４座配位子を有する白金錯体は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。

発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。

燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、導電性カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、本発明の化合物の他、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、本発明の化合物の他、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる（ＢＡｌｑ、ＢＣＰなどの有機化合物の構造は実施例中に示した）。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ^２付近での外部量子効率の値を用いることができる。

本発明の発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能である。

本発明の発光素子は、３５０ｎｍ〜７００ｎｍに発光スペクトルの最大強度波長を有するものが好ましく、より好ましくは３５０ｎｍ〜６００ｎｍ、さらに好ましくは４００〜５５０ｎｍ、特に好ましくは４３０〜５００ｎｍである。

以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらによって限定されない。

＜例示化合物１の合成＞
例示化合物１は下記スキームにしたがって合成した。

＜例示化合物１の合成＞
（１）化合物１−Ｅの合成
窒素雰囲気下、化合物１−Ｆ（１０ｇ， ２２．３ｍｍｏｌ）とシアノ酢酸エチル（１０ｇ， ８９３ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１００ｍＬに溶解させた。炭酸カリウム（２４．７ｇ， １７８．４ｍｍｏｌ）とヨウ化銅（８５０ｍｇ， ４．４６ｍｍｏｌ）を加え、オイルバスで１２０℃まで昇温し、加熱下で５時間攪拌した。室温まで冷却した後、反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）で分離精製し、化合物１−Ｅを８．０ｇ（収率８６％）得た。

（２）化合物１−Ｄの合成
化合物１−Ｅ（６．４ｇ， １５．３３ｍｏｌ）、塩化ナトリウム（０．６ｇ， １０．２ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド２０ｍＬ、水（１．２３ｇ， ６８．３ｍｍｏｌ）を混合し、１５０℃まで昇温し、加熱下１．５時間攪拌した。室温まで冷却した後、反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）で分離精製し、化合物１−Ｄを４．３ｇ（収率１００％）得た。

（３）化合物１−Ｂの合成
化合物１−Ｃ（２．４ｇ， ６．７４ｍｍｏｌ）、化合物１−Ｄ（１．８５ｇ， ６．７４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（１．９ｇ， ３３．７ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１２０ｍＬを混合し、１００℃に昇温して４時間加熱攪拌した。室温まで冷却した後、反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）で分離精製し、化合物１−Ｂを２．５６ｇ（収率８１％）得た。

（４）化合物１−Ａの合成
化合物１−Ｂ（３９０ｍｇ， ０．８３ｍｍｏｌ）、濃硫酸１．６ｍＬ、酢酸１６ｍＬを混合し、７時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液を水にあけ、中和した。生成した白色沈殿を濾取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）で分離精製し、化合物１−Ａを２００ｍｇ（収率５８％）得た。

（５）例示化合物１の合成
化合物１−Ａ（５３０ｍｇ， １．２７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解させた。室温下でリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）のテトラヒドロフラン溶液２．１ｍＬ（３．８０ｍｍｏｌ）を滴下した。１５分攪拌した後、ヨウ化メチル（０．３２ｍＬ， ５．０８ｍｍｏｌ）を滴下した。ＬＤＡによるリチオ化、ヨウ化メチルによるメチル化操作を７回繰り返した。反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）で分離精製し、例示化合物１を４７０ｍｇ（収率７８％）得た。

以下に本実施例で用いた化合物の構造式を示す。

〔実施例〕
＜実施例１＞
（比較素子１−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）：１０ｎｍ
第２層：ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）：３０ｎｍ
第３層：比較化合物１およびＩｒ（ｐｐｙ）_３（重量比９５：５）：５０ｎｍ
第４層：ＢＡｌｑ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ （ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ）：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例１の有機電界発光素子を得た。

第３層の成分を下記表１に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子１−２、１−３、本発明の実施例の素子１−１〜１−５を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例２＞
第３層の成分を下記表２に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子２−１〜２−６、本発明の実施例の素子２−１〜２−４を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例３＞
第３層の成分を下記表３に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子３−１〜３−３、本発明の実施例の素子３−１〜３−３を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例４＞
第３層の成分を下記表４に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子４−１〜４−３、本発明の実施例の素子４−１〜４−３を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例５＞
第３層の成分を下記表５に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子５−１〜５−３、本発明の実施例の素子５−１〜５−２を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例６＞
第３層の成分を下記表６に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子６−１、本発明の実施例の素子６−１を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例７＞
第３層の成分を下記表７に示した組成に変更し、発光層と第４層との間に電子輸送層を設けた以外は、下記表７に示す成分を用いて、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子７−１〜７−２、本発明の実施例の素子７−１〜７−２を作製し、発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例８＞
第３層の成分を下記表８に示した組成に変更し、第４層と陰極との間に電子注入層を設けた以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子８−１〜８−６、本発明の実施例の素子８−１〜８−３を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例９＞
第２層及び第３層の成分を下記表９に示した組成に変更した以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子９−１、実施例の素子９−１を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

＜実施例１０＞
第３層の成分を下記表１０に示した組成に変更する以外は、比較素子１−１の作製と同様の方法で比較素子１０−１〜１０−６、本発明の実施例の素子１０−１〜１０−４を作製し発光させた結果、それぞれの発光材料に由来する発光が得られた。

比較例および実施例の素子特性の評価をし、結果を下記の表１１及び表１２にまとめた。

＜有機電界発光素子の評価＞
（有機電界発光素子の性能評価）
（ａ）外部量子効率
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させる。その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを元に輝度が１００ｃｄ／ｍ^２付近の外部量子効率を輝度換算法により算出した。
（ｂ）駆動電圧
各素子を輝度が６５０ｃｄ／ｍ^２になるように直流電圧を印加し発光させる。この時の印加電圧を駆動電圧評価の指標とした。
（ｃ）駆動耐久性
各素子を輝度が６５０ｃｄ／ｍ^２になるように直流電圧を印加し、輝度が３２５ｃｄ／ｍ^２になるまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。

表１１から実施例の素子は、比較例の素子に比べて、発光効率、輝度半減時間、駆動電圧で優れた結果を示していることがわかる。すなわち、単環の芳香族炭化水素環基及び少なくとも二つの単環の芳香族ヘテロ環基を有する本発明に係る化合物が、芳香族炭化水素環基のみを有する化合物（比較化合物１、６、７）よりも優れた発光効率、駆動電圧、駆動耐久性を示していることがわかる。
また、本発明に係る化合物は、単環の芳香族ヘテロ環基を一つ有する化合物（比較化合物５）、単環の芳香族ヘテロ環基を二つ以上有するが単環の芳香族炭化水素環基を有さない化合物（比較化合物３）、縮環の芳香族ヘテロ環基を有する化合物（比較化合物２、４）と比較しても優れた発光効率、駆動電圧、駆動耐久性を示していることがわかる。
さらに、本発明に係る化合物と白金錯体発光材料との組み合わせが特に好ましいという結果が得られた。

表１２から実施例の素子は本発明の化合物を発光層と陰極との間の有機層に用いた場合、比較例の素子に比べて、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性で優れた結果を示していることがわかる。
また、本発明の化合物を該発光層と陽極との間の有機層に用いた場合、比較例の素子に比べて、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性で優れた結果を示していることがわかる。

Claims (11)

1. 陰極と陽極の間に少なくとも一種の発光材料を含有する発光層を含む、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、有機層に、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
   

   

   （一般式（１）中、ｎは３以上の整数を表す。Ｑ^１は縮環を有さないベンゼン環または単環の芳香族ヘテロ環を表す。複数のＱ^１は同一でも異なっていてもよく、少なくとも一つはベンゼン環であり、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環である。Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または置換基を表す。）
2. 前記一般式（１）におけるｎが４であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
3. 前記一般式（１）において、Ｑ^１が表す芳香族ヘテロ環がピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環から選ばれるいずれかの環であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
4. 前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
   

   

   
   （一般式（２）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１６は置換または無置換の炭素原子または窒素原子を表し、Ｒ^５１〜Ｒ^５８は水素原子または置換基を表し、四つの芳香族六員環のうち少なくとも一つはベンゼン環であり、少なくとも二つが芳香族ヘテロ環である。）
5. 一般式（１）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
6. 前記発光層と陰極との間にさらに少なくとも一層の有機層を有し、一般式（１）で表される化合物を該発光層と陰極との間の有機層に含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
7. 前記発光層と陽極との間にさらに少なくとも一層の有機層を有し、一般式（１）で表される化合物を該発光層と陽極との間の有機層に含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
8. 前記発光材料の少なくとも一種が燐光材料であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
9. 前記発光材料の少なくとも一種が白金錯体またはイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子。
10. 前記白金錯体が三座または四座の配位子の白金錯体であることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
11. 前記白金錯体が下記一般式（Ｃ−１）で表されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子。
    

    

    （式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４はそれぞれ独立にＰｔに結合する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。）