JP2009076834A - 有機電界発光素子および新規なインドール誘導体 - Google Patents

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Abstract

【課題】耐久性および効率に優れ、経時での色度変化の少ない発光素子を提供すること。および新規なインドール誘導体を提供すること。
【解決手段】一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも一層に、一般式（１）で表されるインドール誘導体を含む有機電界発光素子。
Figure 2009076834

【選択図】なし

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子、特に、有機電界発光素子（発光素子、又はＥＬ素子）に関する。また、本発明は、発光素子にも有用な、新規なインドール誘導体を提供するものである。
有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。この有機電界発光素子の重要な特性値として、消費電力がある。「消費電力＝電圧×電流」で表され、所望の明るさを得るに必要な電圧値が低く、かつ、電流値を小さくするほど、素子の消費電力を低くする事が出来る。
素子に流れる電流値を低くする一つの試みとして、オルトメタル化イリジウム錯体（Ir(ppy)3:Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅｔａｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｏｆ Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｗｉｔｈ ２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）からの発光を利用した発光素子が報告されている（例えば特許文献１参照）。これらに記載のりん光発光素子は、従来の一重項発光素子に比べて外部量子効率が大幅に向上し、電流値を小さくすることに成功している。しかし、耐久性、効率、素子劣化時の色調の悪化の点で充分な性能といえず、更なる改良が求められている。
りん光発光素子の効率、耐久性改良を目的に、インドール誘導体を含有する素子（特許文献２）が報告されているが、耐久性、効率の点で、さらなる改良が望まれていた。
特開２００１−２４７８５９号公報 特開２００２−３０５０８４号公報
本発明の目的は、耐久性および効率が良好で、経時での色度変化の少ない発光素子を提供すること、および新規なインドール誘導体を提供することである。
この課題は下記手段によって達成された。
（１） 一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも一層に、一般式（１）で表されるインドール誘導体を含む有機電界発光素子。
Figure 2009076834
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ１０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ１０１とＲ１０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｌ１０１は連結基を表し、ｎ１０１は２以上の整数を表す。
（２） 前記インドール誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
Figure 2009076834
Ｒ２０１〜Ｒ２０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ２０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ２０１とＲ２０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ２０７は置換基を表す。ｎ２０１は２〜６の整数を表し、ｎ２０２は０〜４の整数を表す。但し、ｎ２０１＋ｎ２０２≦６ である。
（３） 前記インドール誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
Figure 2009076834
Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
（４） 前記インドール誘導体を発光層に含有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（５） 前記インドール誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（６） 前記発光層に含有される発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
（７） 前記発光層に含有される発光材料が白金錯体であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
（８） 下記一般式（３）で表される化合物。
Figure 2009076834
Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
本発明の発光素子は、高効率発光が可能であり、耐久性に優れ、経時での色相変化が少ない。また、本発明の新規インドール誘導体は、発光素子材料として有用である。
本発明は、一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも一層に、一般式（１）で表されるインドール誘導体を含むことを特徴とする。
以下、一般式（１）について説明する。
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子又は置換基を表す。
置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基がより好ましく、水素原子、アルキル基がさらに好ましく、水素原子が特に好ましい。
Ｒ１０６は、３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ１０６の３級または４級の炭素原子は、インドール環に直結することが好ましい（例えばｔ−ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−フェニル−２−プロピル基、２−（２−ピリジル）プロピル基など）。Ｒ１０６は４級の炭素原子を有するアルキル基が好ましく、４級の炭素原子がインドール環に結合したアルキル基がより好ましく、４級の炭素原子がインドール環に結合した炭素数４〜１０のアルキル基がさらに好ましく、４級の炭素原子がインドール環に結合した炭素数４〜６のアルキル基が特に好ましい（好ましくはｔ−ブチル基）。さらに、Ｒ１０１とＲ１０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ１０１とＲ１０６が互いに結合して形成する環としては、例えばシクロペンテン環、シクロヘキセン環、１，４−シクロヘキサジエン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などが挙げられる。
Ｒ１０６は、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば前記Ｒ１０１〜Ｒ１０５で表される置換基として挙げたものが適用できる。
Ｌ１０１は連結基を表す。連結基としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましく、アルキル連結基、アリール連結基、ヘテロアリール連結基がより好ましく、アリール連結基、ヘテロアリール連結基が更に好ましく、アリール連結基が特に好ましい。
Ｌ１０１で表される連結基は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば前記Ｒ１０１〜Ｒ１０５で表される置換基として挙げたものが適用できる。
Ｌ１０１で表される連結基の具体例としては、例えば以下のものが挙げられる。
Figure 2009076834
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ｎ１０１は２以上の整数を表し、２〜４の整数が好ましく、２、３がより好ましく、２がさらに好ましい。
なお、一般式（１）における複数のインドール骨格部分の構造は同一または互いに異なっていてもよい。
一般式（１）で表される化合物は、一般式（２）で表される化合物が好ましく、一般式（３）で表される化合物がより好ましい。
一般式（２）について説明する。
Ｒ２０１〜Ｒ２０６はそれぞれ前記Ｒ１０１〜Ｒ１０６と同義であり、好ましい範囲も同じである。さらに、Ｒ２０１とＲ２０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ２０１とＲ２０６が互いに結合して形成する環としては、例えばシクロペンテン環、シクロヘキセン環、１，４−シクロヘキサジエン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などが挙げられる。
Ｒ２０６は、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば前記Ｒ１０１〜Ｒ１０５で表される置換基として挙げたものが適用できる。
Ｒ２０７は置換基を表す。置換基としては、前記Ｒ１０１で説明した置換基が挙げられ、アルキル基、アリール基、シリル基が好ましく、アルキル基、アリール置換シリル基がより好ましく、アルキル基、トリフェニルシリル基が更に好ましい。
ｎ２０１は２〜６の整数を表し、ｎ２０２は０〜４の整数を表す。但し、ｎ２０１＋ｎ２０２≦６ である。ｎ２０１は２〜４の整数が好ましく、２、３がより好ましく、２がさらに好ましい。ｎ２０２は０〜３が好ましく、０〜２がより好ましく、０〜１がさらに好ましく、０が特に好ましい。ｎ２０１が２〜４の整数の場合、複数のＲ２０７は、同一または互いに異なってもよい。
なお、一般式（２）における複数のインドール骨格部分の構造は同一または互いに異なっていてもよい。
一般式（３）について説明する。Ｒ３０１〜Ｒ３０６はそれぞれ前記Ｒ１０１〜Ｒ１０６と同義であり、好ましい範囲も同じである。さらに、Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３０１とＲ３０６が互いに結合して形成する環としては、例えばシクロペンテン環、シクロヘキセン環、１，４−シクロヘキサジエン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などが挙げられる。
Ｒ３０６は、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば前記Ｒ１０１〜Ｒ１０５で表される置換基として挙げたものが適用できる。
Ｒ３１１〜Ｒ３１６はそれぞれ前記Ｒ１０１〜Ｒ１０６と同義であり、好ましい範囲も同じである。さらに、Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３
１１とＲ３１６が互いに結合して形成する環としては、例えばシクロペンテン環、シクロヘキセン環、１，４−シクロヘキサジエン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などが挙げられる。
Ｒ３１６は、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば前記Ｒ１０１〜Ｒ１０５で表される置換基として挙げたものが適用できる。
Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前記Ｒ１０１で説明した置換基が挙げられる。Ｒ３２１、Ｒ３２２、Ｒ３２４は水素原子、アルキル基、アリール基が好ましく、水素原子、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。Ｒ３２３は、水素原子、アルキル基、アリール基が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール置換シリル基がより好ましく、水素原子、トリフェニルシリル基がさらに好ましい。
本発明に用いられるインドール誘導体は低分子量化合物であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）もしくは、本発明のインドール誘導体構造を主鎖に持つ高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）であっても良い。高分子量化合物の場合はホモポリマーであっても良いし、他のポリマーとの共重合体であっても良く、共重合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であっても良い。更に共重合体の場合、発光機能を有する化合物および／または電荷輸送機能を有する化合物をポリマー内に有しても良い。
一般式（１）〜（３）のいずれかで表されるインドール誘導体は、発光層、または、発光層に隣接する層に含まれることが好ましく、発光層、または、発光層の陽極側の隣接層に含まれることが好ましい。さらに、一般式（１）〜（３）のいずれかで表されるインドール誘導体を発光層および発光層の陽極側の隣接層の両方に導入することも好ましい。
一般式（１）〜（３）のいずれかで表されるインドール誘導体は、発光層に含まれる場合、５０〜９９質量％であることが好ましく、６０〜９５質量％であることがより好ましく、７０〜９０質量％であることが更に好ましい。発光層以外の層に含まれる場合には、２０〜１００質量％であることが好ましく、６０〜１００質量％であることがより好ましく、９０〜１００質量％であることがさらに好ましい。
一般式（１）〜（３）のいずれかで表されるインドール誘導体を発光素子中に導入することにより、良好な効率および耐久性、さらには経時での色度変化を防止することが可能である。
本発明の発光素子は、りん光材料を含有することが好ましく、白金系りん光材料を含有することが好ましく、４座配位白金錯体を含有することがさらに好ましい。
りん光材料の発光極大波長は５００ｎｍ以下であることが好ましく、４８０ｎｍ以下であることがよりに好ましく、４７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、４６０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ２付近での外部量子効率の値を用いることができる。
本発明の発光素子の内部量子効率としては、３０％以上が好ましく、５０％以上がさら
に好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は「内部量子効率＝外部量子効率／光取り出し効率」で算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能で有る。
本発明の発光素子は、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の少なくとも３層を有する素子であることが好ましい。ホール輸送層と発光層の間に、発光層へのホール注入を促進する層、電子をブロックする層、励起子をブロックする層を追加する事がより好ましい。
発光層中に含まれるホスト材料の電荷移動度は １×１０−６ ｃｍ２／Ｖｓ以上、１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが好ましく、５×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがより好ましく、１×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがさらに好ましく、５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが特に好ましい。
本発明の有機電界発光素子に含まれるホスト材料、電子輸送材料、及び、ホール輸送材料のガラス転移点は９０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上３８０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上３７０℃以下であることがさらに好ましく、１４０℃以上３６０℃以下であることが特に好ましい。
本発明の有機電界発光素子は白色発光素子であっても良い。
本発明の発光素子に含まれるホスト材料のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ ｋcal／ｍｏｌ 以上（２５１．４ ｋJ／ｍｏｌ以上）、９０ ｋcal／ｍｏｌ 以下（３７７．１ ｋJ／ｍｏｌ以下） が好ましく、６２ ｋcal／ｍｏｌ 以上（２５９．７８ ｋJ／ｍｏｌ 以上）、８５ ｋcal／ｍｏｌ 以下（３５６．１５ ｋJ／ｍｏｌ 以下）がより好ましく、６５ ｋcal／ｍｏｌ 以上（２７２．３５ ｋJ／ｍｏｌ以上）、８０ ｋcal／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ｋJ／ｍｏｌ 以下）がさらに好ましい。
本発明の発光素子の発光層に隣接する層のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ ｋcal／ｍｏｌ 以上（２５１．４ ｋJ／ｍｏｌ以上）、９０ ｋcal／ｍｏｌ 以下（３７７．１ ｋJ／ｍｏｌ以下） が好ましく、６２ ｋcal／ｍｏｌ 以上（２５９．７８ ｋJ／ｍｏｌ 以上）、８５ ｋcal／ｍｏｌ 以下（３５６．１５ ｋJ／ｍｏｌ 以下）がより好ましく、６５ ｋcal／ｍｏｌ 以上（２７２．３５ ｋJ／ｍｏｌ以上）、８０ ｋcal／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ｋJ／ｍｏｌ 以下）がさらに好ましい。
ここで、Ｔ1エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約50ｎｍの膜厚に成膜する。薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でF-7000日立分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ）を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することにより求めることができる。
次に本発明の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
Figure 2009076834
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本発明の化合物の一般的な合成例について示す。合成法は、以下の手法に限定されるわけではない。
3位にアルキル基の置換したインドールの合成法は、種々あるが、例えば求電子置換反応で導入する方法や縮合反応により合成する方法が挙げられる。求電子置換反応で導入する方法に関しては、例えば、適当なルイス酸（塩化アルミニウム、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛、塩化亜鉛、臭化ホウ素など）と適当なアルキルカチオン前駆体（例えばハロゲン化アルキルなど）とを溶媒中で混合することにより合成できる（参考文献：Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００２，６７，２７０５−２７０８）。縮合反応による合成法は、例えばFischerのインドール合成が挙げられ、フェニルヒドラジンと対応するアルデヒドを酸存在下、加熱することで3位にアルキル基の置換したインドールが得られる(参考文献：小倉克之著、「化学者のための基礎講座９ 有機人名反応」、朝倉書店、１９９７年刊、１８２ページ)。
得られた3位にアルキル基の置換したインドールと適当なハロゲン化アリールとを遷移金属触媒（パラジウム触媒、銅触媒など）によるクロスカップリング反応を行なうことで
、本発明の化合物を得ることが出来る（参考文献：Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００４，６９，５５７８）。
［有機電界発光素子］
以下、本発明の有機電界発光素子について詳細に説明する。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合がある。）を含む少なくとも一層の有機層（有機化合物のみからなる層であってもよいし、無機化合物を含有する有機層であってもよい）を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
本発明における有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の
電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、
これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、有機発光層以外の他の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
−有機層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。特に、白金系燐光発光材料を含有することが好ましく、４座配位白金錯体を含有することがさらに好ましい。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体で
あってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
４座配位子を有する白金錯体系りん光材料としては、具体的には米国特許第６，６５３，６５４号、国際公開第０４−１０８８５７号、国際公開第０４−０８１０１７号、国際公開第０５−０４２４４４号、特開２００６−２３２７８４、国際公開第０５−０４２５５０号、特開２００５−３１０７３３、特開２００５−３１７５１６、特開２００６−２６１６２３、国際公開第０６−０９８５０５号に記載の化合物が挙げられる。
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。ホスト材料として好ましくは、インドール骨格を有する化合物であり、より好ましくは前述の一般式（１）で表される化合物であり、更に好ましくは一般式（２）で表される化合物であり、特に好ましくは一般式（３）で表される化合物である。
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、および三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開平１１−１１１４６３、特開平１１−２５１０６７、特開２０００−１９６１４０、特開２０００−２８６０５４、特開２０００−３１５５８０、特開２００１−１０２１７５、特開２００１−１６０４９３、特開２００２−２５２０８５、特開２００２−５６９８５、特開２００３−１５７９８１、特開２００３−２１７８６２、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４、特開
２００５−７２０１２、特開２００５−１６６６３７、特開２００５−２０９６４３等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、またはフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、または２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃ
ｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることが出来る。
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、Ａｌｕｍｉｎｕｍ （ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）−４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する）等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する）等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3
、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、Ｌ
ｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
・例示化合物（１−６）の合成
文献（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００２，６７，２７０５−２７０８）記載の手法により、３−ｔｅｒｔ−ブチルインドールを合成した。
窒素雰囲気下で、３−ｔｅｒｔ−ブチルインドール（０．９７５ｇ，５．６３ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモベンゼン（０．６０４ｇ，２．５６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１４ｍｇ，０．０６ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（０．７４ｇ，７．７ｍｍｏｌ）、キシレン（２５ｍＬ）の混合液に、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．０６ｍＬ，０．２４ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流しながら６時間攪拌した。得られた反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させたのち、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、例示化合物（１−６）を１．０５ｇ（９８％，２．５１ｍｍｏｌ）得た。
例示化合物（1-6） 1H-NMR: 1.52(s, 18H), 7.12(s, 2H), 7.14-7.27(m, 4H), 7.47(d, 2H), 7.62(dd, 4H), 7.89(d, 2H) 400MHz
Figure 2009076834
・例示化合物（１−３）の合成
窒素雰囲気下で、３−ｔｅｒｔ−ブチルインドール（４．３０ｇ，２４．８ｍｍｏｌ）、１，３，５−トリブロモベンゼン（２．３６ｇ，７．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（４５ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（３．２７ｇ，３４ｍｍｏｌ）、キシレン（１２０ｍＬ）の混合液に、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．２０ｍＬ，０．８０ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流しながら６時間攪拌した。得られた反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させたのち、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、例示化合物（１−３）を１．９２ｇ（３．２４ｍｍｏｌ）得た。
例示化合物（１−３）1H-NMR: 1.52(s, 27H), 7.14-7.28(m, 9H), 7.61(s, 3H), 7.68(d,3H), 7.90(s, 3H) 300MHz
・例示化合物（１−１０）の合成
窒素雰囲気下、３−ｔｅｒｔ−ブチルインドール（３．４７ｇ，２０ｍｍｏｌ）のＮ−メチルピロリドン（２０ｍL）溶液に水素化ナトリウム（０．９６ｇ，オイル添加物，純度５０−７０％）を加え、攪拌した。得られた混合物に塩化イソシアヌル（１．２２g，６．６mmol）を加えた。反応液を２００度に加熱し、５時間攪拌した。放冷後、反応液を水に加え、得られた固体をろ取した。この固体を、イソプロピルアルコールで加熱洗浄し、例示化合物（１−１０）を１．０６ｇ得た。
例示化合物（１−１０）1H-NMR: 1.58(s, 27H), 7.33(dd, 3H), 7.42(dd, 3H), 7.87(d, 2H), 8.10(s, 1H), 8.92(d, 2H) 300MHz
・例示化合物（１−１７）の合成
例示化合物（１−６）の合成と同様の手法で、１，３−ジブロモベンゼンを１，４−ジブロモベンゼンに換えて合成を行なった。
例示化合物（１−１７）1H-NMR: 1.52(s, 18H), 7.13-7.28(m, 6H), 7.58-7.67(m, 6H), 7.90(d, 2H) 400MHz
・例示化合物（１−１８）の合成
文献（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９９，９，２０７９）記載の手法を参考にして、１，３−ジブロモベンゼンを１，３−ジブロモ−５−トリフェニルシリルベンゼンを合成した。
例示化合物（１−６）の合成と同様の手法で、１，３−ジブロモベンゼンを１，３−ジブロモ−５−トリフェニルシリルベンゼンに換えて合成を行なった。
例示化合物（１−１８）1H-NMR: 1.47(s, 18H), 7.05(s, 2H), 7.12-7.16(m, 4H), 7.40-7.50(m, 11H), 7.61(dd, 1H), 7.64-7.68(m, 8H), 7.82-7.85(m, 2H) 400MHz
・例示化合物（１−２２）の合成
窒素雰囲気下、３−ｔｅｒｔ−ブチルインドール（３．４３ｇ，１９．８ｍｍｏｌ）のＮ−メチルピロリドン（４０ｍL）溶液にカリウムヘキサメチルジシラザン（４．３２ｇ，２１．７ｍｍｏｌ）を加え、続いて２，６−ジフルオロベンゾニトリル（１．２５ｇ，９．０ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を２００度で３０分間攪拌した後、室温まで放冷した。反応液を水に注ぎ、得られた固形物をろ取した。この固形物をカラムクロマトグラフィーにより生成し、更にイソプロピルアルコール−ヘキサン混合溶媒から再結晶することで、白色固体として例示化合物（１−２２）０．９０ｇを得た。
例示化合物（１−２２）1H-NMR: 1.51(s, 18H), 7.08(s, 2H), 7.18-7.32(m, 4H), 7.60(d, 2H), 7.72(d, 2H), 7.87-7.92(m, 3H) 300MHz
・例示化合物（１−２１）の合成
文献（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９９，９，２０７９）記載の手法を参考にして、１，３−ジブロモベンゼンを１，３−ジブロモ−５−トリメチルシリルベンゼンを合成した。
例示化合物（１−６）の合成と同様の手法で、１，３−ジブロモベンゼンを１，３−ジブロモ−５−トリメチルシリルベンゼンに換えて合成を行なった。
例示化合物（１−２１）1H-NMR: 0.36(s, 9H), 1.51(s, 18H), 7.23-7.27(m, 5H), 7.55-7.62(m, 5H), 7.89(d, 2H) 300MHz
・例示化合物（１−１９）の合成
例示化合物（１−２２）の合成と同様の手法で、２，６−ジフルオロベンゾニトリルを３，５−ジフルオロベンゾニトリルに換えて合成を行なった。
例示化合物（１−１９）1H-NMR: 1.52(s, 18H), 7.18-7.30(m, 6H), 7.44(d, 2H), 7.59(d, 2H), 7.78(dd, 1H), 7.89(d, 2H) 400MHz
他のインドール誘導体も同様に合成することが出来る。例えば、例示化合物（１−７）はビス（４−ブロモフェニル）ジフェニルシランを原料に、同様に合成することが出来る。
［比較例１］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、Ｂ−１と化合物Ａを１２：８８の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し（発光層）、この上に、Ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）−４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する）を６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、シャドウマスクによりパターニングして陰極として厚み６０ｎｍのＡｌを設けた。
各層はいずれも抵抗加熱真空蒸着により設けた。
作製した積層体を、窒素ガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２］
比較例１の化合物Ａの換わりに、化合物Ｂを用いて素子作製評価した。Ｂ−１に由来する青色りん光発光が得られた。
Figure 2009076834
Figure 2009076834
Figure 2009076834
［実施例１］
比較例１の化合物Ａの換わりに本発明の例示化合物（１−１）を用い、比較例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例２］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−３）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［実施例３］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−６）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［実施例４］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−７）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［実施例５］
実施例３のＢ−１の換わりにＢ−２を用い、実施例３と同様に素子評価した。Ｂ−２に由来する赤色りん光発光が得られた。
［実施例６］
実施例３のＢ−１の換わりにＢ−３を用い、実施例３と同様に素子評価した。Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例７］
ＮＰＤ層と発光層の間に、例示化合物（１−６）からなる層を３ｎｍ挿入し、実施例３と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
（発光素子の評価）
得られた発光素子を２０℃で定電流駆動し、輝度はトプコン社の輝度計ＢＭ−８（商品名）を用いて測定した。発光スペクトルは島津製作所製の発光スペクトル測定システム（ＥＬＳ１５００）で測定した。初期輝度３６０ｃｄ／ｍ２から輝度半減した時間を測定して輝度半減時間を求めた。また、色度変化は２０℃で測定した発光スペクトル（島津製作所製の発光スペクトル測定システム（ＥＬＳ１５００）を使用）からＣＩＥ Ｙ値を求め、算出した。外部量子効率は２０℃、輝度３６０ｃｄ／ｍ２で素子を定電流駆動し、得られた発光スペクトルと正面輝度から輝度換算法により算出した。
各評価結果を表１に示す。
Figure 2009076834
表１に記載の素子評価結果は比較例１の素子評価結果を基準とした相対値である。
表１から本発明のインドール誘導体を発光層に用いた本発明のりん光発光素子は、効率、耐久性に優れ、かつ、色度変化の少ないことが分かる。また、実施例７のように本発明のインドール誘導体を発光層に用いると同時に隣接層にも用いた場合にも上記効果が現れることが分かる。
［実施例８］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−１０）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。評価結果を表２に示す。
［実施例９］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−１７）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。評価結果を表２に示す。
［実施例１０］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−１８）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。評価結果を表２に示す。
［実施例１１］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−１９）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。 評価結果を表２に示す。
［実施例１２］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−２１）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。評価結果を表２に示す。
［実施例１３］
実施例１の（１−１）の換わりに例示化合物（１−２２）を用い、実施例１と同様に素子評価した。Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。評価結果を表２に示す。
［実施例１４］
実施例３のＢ−１の換わりにＢ−４を用い、実施例３と同様に素子評価した。Ｂ−４に由来する青色りん光発光が得られた。評価結果を表２に示す。
Figure 2009076834
表２に記載の素子評価結果は比較例１の素子評価結果を基準とした相対値である。
表２から本発明の発光素子は、効率、耐久性に優れ、かつ、色度変化の少ないことが分かる。
［比較例３］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、化合物１２−１と化合物Ａを５：９５の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し（発光層）、この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、化合物１２−１に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［比較例４］
比較例３の化合物１２−１の換わりに化合物１２−２を、化合物Ａの換わりに化合物Ｂを用いて素子作製評価した。化合物１２−２に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［実施例１５］
比較例３の化合物Ａの換わりに本発明の例示化合物（１−１）を用い、比較例１と同様に素子評価した。化合物１２−１に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［実施例１６］
比較例３の化合物Ａの換わりに本発明の例示化合物（１−６）を用い、比較例１と同様に素子評価した。化合物１２−１に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［実施例１７］
比較例３の化合物Ａの換わりに本発明の例示化合物（１−７）を用い、比較例１と同様に素子評価した。化合物１２−１に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［実施例１８］
比較例４の化合物Bの換わりに本発明の例示化合物（１−１）を用い、比較例１と同様
に素子評価した。化合物１２−２に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［実施例１９］
比較例４の化合物Bの換わりに本発明の例示化合物（１−６）を用い、比較例１と同様
に素子評価した。化合物１２−２に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
［実施例２０］
比較例４の化合物Bの換わりに本発明の例示化合物（１−７）を用い、比較例１と同様
に素子評価した。化合物１２−２に由来する蛍光発光が得られた。
評価結果を表３に示す。
表３において、２０℃で素子を定電流駆動し、初期輝度から輝度半減した時間を測定し
て輝度半減時間を求めた。また、色度変化は２０℃で測定した。
Figure 2009076834
表３に記載の素子評価結果は比較例３の素子評価結果を基準とした相対値である。
表３から本発明の発光素子は、効率、耐久性に優れ、かつ、色度変化の少ないことが分かる。
他の本発明の化合物を用いた素子でも、同様な効果を得ることが出来た。
［実施例２１］
実施例１４の（１−６）の換わりに例示化合物（１−３）を用い、Ｂ−４の換わりにＢ−５を用い、実施例１４と同様に素子評価した。Ｂ−５に由来する青緑色りん光発光が得られた。評価結果を表４に示す。
［実施例２２］
実施例２１の（１−３）の換わりに例示化合物（１−２２）を用い、Ｂ−５の換わりにＢ−６を用い、実施例２１と同様に素子評価した。Ｂ−６に由来する緑色りん光発光が得られた。評価結果を表４に示す。
［実施例２３］
実施例２１の（１−３）の換わりに例示化合物（１−１９）を用い、Ｂ−５の換わりにＢ−７を用い、実施例２１と同様に素子評価した。Ｂ−７に由来する緑色りん光発光が得られた。評価結果を表４に示す。
［実施例２４］
実施例２１の（１−３）の換わりに例示化合物（１−１７）を用い、Ｂ−５の換わりにＢ−８を用い、実施例２１と同様に素子評価した。Ｂ−８に由来する緑色りん光発光が得られた。評価結果を表４に示す。
［実施例２５］
実施例２１の（１−３）の換わりに例示化合物（１−１８）を用い、Ｂ−５の換わりにＢ−９を用い、実施例２１と同様に素子評価した。Ｂ−９に由来する赤色りん光発光が得られた。評価結果を表４に示す。
[実施例２６]
比較例１におけるＮＰＤ層と発光層との間に例示化合物（１−２０）を３ｎｍ挿入し、それ以外は比較例１と同様に素子を作製し、比較例１と同様な評価を行った。結果を表４に示す。
[実施例２７]
比較例１における発光層とＢＡｌｑ層との間に例示化合物（１−５１）を３ｎｍ挿入し、それ以外は比較例１と同様に素子を作製し、比較例１と同様な評価を行った。結果を表４に示す。
Figure 2009076834
表４に記載の素子評価結果は比較例１の素子評価結果を基準とした相対値である。
表４から本発明のインドール誘導体を発光層の隣接層に用いた本発明の素子は、効率、耐久性に優れ、かつ色度変化の少ないことが分かる。

Claims (8)

  1. 一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも一層に、一般式（１）で表されるインドール誘導体を含む有機電界発光素子。
    Figure 2009076834
     Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ１０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ１０１とＲ１０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｌ１０１は連結基を表し、ｎ１０１は２以上の整数を表す。
  2. 前記インドール誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2009076834
     Ｒ２０１〜Ｒ２０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ２０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ２０１とＲ２０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ２０７は置換基を表す。ｎ２０１は２〜６の整数を表し、ｎ２０２は０〜４の整数を表す。但し、ｎ２０１＋ｎ２０２≦６ である。
  3. 前記インドール誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2009076834
     Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
  4. 前記インドール誘導体を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
  5. 前記インドール誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
  6. 前記発光層に含有される発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
  7. 前記発光層に含有される発光材料が白金錯体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
  8. 下記一般式（３）で表される化合物。
    Figure 2009076834
     Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素
    原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
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