KR20180133376A - 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물 - Google Patents

디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물 Download PDF

Info

Publication number
KR20180133376A
KR20180133376A KR1020187017906A KR20187017906A KR20180133376A KR 20180133376 A KR20180133376 A KR 20180133376A KR 1020187017906 A KR1020187017906 A KR 1020187017906A KR 20187017906 A KR20187017906 A KR 20187017906A KR 20180133376 A KR20180133376 A KR 20180133376A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
aromatic
substituted
radicals
Prior art date
Application number
KR1020187017906A
Other languages
English (en)
Inventor
아미르 파르함
토마스 에베를레
안야 야치
토비아스 그로쓰만
요나스 크뢰버
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Priority to KR1020237000272A priority Critical patent/KR20230010818A/ko
Publication of KR20180133376A publication Critical patent/KR20180133376A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/10—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D491/14—Ortho-condensed systems
    • C07D491/147—Ortho-condensed systems the condensed system containing one ring with oxygen as ring hetero atom and two rings with nitrogen as ring hetero atom
    • H01L51/0067—
    • H01L51/0071—
    • H01L51/0072—
    • H01L51/0073—
    • H01L51/0085—
    • H01L51/0087—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

본 발명은, 특히 전자 소자에서 삼중항 매트릭스 재료로서 사용하기 위한, 전자-수송기로 치환된 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 유도체를 기재한다. 본 발명은 나아가 본 발명의 화합물의 제조 방법 및 본 발명의 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

Description

디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물
본 발명은, 특히 전자 소자에서 사용하기 위한, 전자-수송기로 치환된 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 유도체를 기재한다. 본 발명은 나아가 본 발명의 화합물의 제조 방법 및 본 발명의 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
유기 반도체가 기능성 재료로서 사용되는 유기 전계발광 소자 (OLED) 의 구조는, 예를 들어 US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 사용되는 방사성 재료는 흔히 인광을 나타내는 유기금속 착물이다. 양자 역학적 이유로, 인광 방사체로서 유기금속 화합물을 사용하면, 4 배까지의 에너지 효율 및 전력 효율이 가능하다. 일반적으로, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명에 관하여, OLED, 특히 또한 인광을 나타내는 OLED 에 있어서의 개선이 여전히 요구되고 있다.
인광 OLED 의 특성은 단지 사용되는 삼중항 방사체에 의해서만 결정되는 것은 아니다. 더욱 특히, 사용되는 다른 재료, 예를 들어 매트릭스 재료가, 또한 여기서 특히 중요하다. 따라서, 이러한 재료에 대한 개선은 OLED 특성에 있어서의 뚜렷한 개선을 유도할 수 있다.
선행 기술에 따르면, 다른 재료들 중에서, 카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2014/015931 에 따름), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름) 또는 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109 또는 WO 2011/000455 에 따름), 특히 트리아진과 같은 전자-결핍 헤테로방향족으로 치환된 것들이, 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 사용된다. 또한, 예를 들어, 비스디벤조푸란 유도체 (예를 들어 EP 2301926 에 따름) 가 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 사용된다. WO 2013/077352 에는, 트리아진기가 2가 아릴렌기를 통해 디벤조푸란기에 결합된 트리아진 유도체가 개시되어 있다. 이러한 화합물은 정공 차단제 재료로서 기재되어 있다. 인광 방사체용 호스트로서 이러한 재료의 사용은 개시되어 있지 않다. 나아가, EP 2752902 에는, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 구조를 갖는 헤테로시클릭 화합물이 개시되어 있다. 하지만, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 구조는 다른 헤테로사이클에 대하여 단지 하나의 결합 부위만을 가지며, 즉 단지 단일치환된다. 유사한 화합물이 또한 KR 20130115160 에 공지되어 있다.
일반적으로, 매트릭스 재료로서 사용되는 이러한 재료의 경우, 소자의 수명 뿐 아니라, 효율 및 작동 전압에 관한 개선이 여전히 요구되고 있다.
본 발명의 목적은, 특히 매트릭스 재료로서, 인광 또는 형광 OLED 에 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것이다. 더욱 특히, 본 발명의 목적은 적색-, 황색- 및 녹색-인광 OLED 및 가능하게는 또한 청색-인광 OLED 에 적합하고, 긴 수명, 양호한 효율 및 낮은 작동 전압을 유도하는 매트릭스 재료를 제공하는 것이다. 특히 매트릭스 재료의 특성은 또한 유기 전계발광 소자의 수명 및 효율에 중요한 영향을 미친다.
나아가, 화합물은 매우 간단한 방식으로 가공 가능해야 하고, 특히 양호한 용해도 및 필름 형성을 나타내야 한다. 예를 들어, 화합물은 상승된 산화 안정성 및 개선된 유리 전이 온도를 나타내야 한다.
추가의 목적으로는, 탁월한 성능을 갖는 전자 소자를 매우 저렴하고 일정한 품질로 제공하는 것이 고려될 수 있다.
나아가, 여러 목적을 위하여 전자 소자를 사용 또는 적용할 수 있어야 한다. 더욱 특히, 전자 소자의 성능은 넓은 온도 범위에 걸쳐 유지되어야 한다.
놀랍게도, 하기 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물을 함유하는 소자가, 특히 인광 도펀트용 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 선행 기술에 비해 개선된 점을 갖는다는 것이 확인되었다.
따라서, 본 발명은 하기 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물을 제공한다:
Figure pct00001
[식 중, 사용된 기호는 하기와 같음:
Y 는 O 또는 S 이고;
X 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, 단, 하나의 사이클 내 X 기 중 2 개 이하는 N 이고, C 는 L2 기의 부착 부위이고;
Q1, Q2 는 각각의 경우 독립적으로 전자-수송기이고;
L1, L2 는 결합, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR2)2, CHO, C(=O)R2, CR2=C(R2)2, CN, C(=O)OR2, C(=O)N(R2)2, Si(R2)3, N(R2)2, NO2, P(=O)(R2)2, OSO2R2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비(非)인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이러한 시스템의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R1 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR3)2, CHO, C(=O)R3, CR3=C(R3)2, CN, C(=O)OR3, C(=O)N(R3)2, Si(R3)3, N(R3)2, NO2, P(=O)(R3)2, OSO2R3, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들은 각각 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이러한 시스템의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 히드로카르빌 라디칼 (여기서 수소 원자는 또한 F 로 대체될 수 있음) 이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R3 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있음].
본 발명의 맥락에서 인접한 탄소 원자는, 서로 직접 결합된 탄소 원자이다. 또한, 라디칼의 정의에서 "인접한 라디칼" 은, 이러한 라디칼이 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합되어 있다는 것을 의미한다. 이러한 정의는, 특히 용어 "인접한 기" 및 "인접한 치환기" 에 상응하여 적용된다.
둘 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수 있다는 표현은, 본 명세서의 맥락에서, 특히 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거 (formal elimination) 를 통해 화학 결합에 의해 서로 연결된다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이는 하기 반응식으로 예시된다:
Figure pct00002
.
하지만, 또한, 상기 언급된 표현은 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우, 제 2 라디칼이 수소 원자가 결합되어 있는 위치에 결합되어, 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이는 하기 반응식으로 예시된다:
Figure pct00003
.
본 발명의 맥락에서 융합된 아릴기는, 둘 이상의 방향족기가 공통의 에지 (common edge) 를 따라 서로 융합된, 즉 애널레이트된 (annelated) 기이며, 예를 들어 나프탈렌에서와 같이, 예를 들어 2 개의 탄소 원자가 적어도 2 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 속해 있는 기이다. 대조적으로, 예를 들어, 플루오렌의 2 개의 방향족기는 공통의 에지를 갖지 않기 때문에, 플루오렌은 본 발명의 맥락에서 융합된 아릴기가 아니다.
본 발명의 맥락에서 아릴기는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴기는 2 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 여기서, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 사이클, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 사이클, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 융합된 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 1 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 단지 아릴 또는 헤테로아릴기만을 반드시 함유하는 것이 아니라, 또한, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기에 비(非)방향족 단위 (바람직하게는 10% 미만의 H 이외의 원자), 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자, 또는 카르보닐기가 개재될 수 있는 시스템을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 예를 들어 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로서 간주될 수 있으며, 둘 이상의 아릴기에, 예를 들어 선형 또는 시클릭 알킬기 또는 실릴기가 개재된 시스템도 마찬가지이다. 또한, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 서로 직접 결합된 시스템, 예를 들어 바이페닐, 테르페닐, 쿼테르페닐 또는 바이피리딘도 마찬가지로 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로서 간주될 수 있다.
본 발명의 맥락에서 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기는, 모노시클릭, 바이시클릭 또는 폴리시클릭기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서, 개별적인 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 상기 언급된 기로 치환될 수 있는, C1- 내지 C20-알킬기는, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, 시클로프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 시클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 시클로헵틸, 1-메틸시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 시클로옥틸, 1-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디메틸-n-데크-1-일, 1,1-디메틸-n-도데크-1-일, 1,1-디메틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디메틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디메틸-n-옥타데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1,1-디에틸-n-헵트-1-일, 1,1-디에틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-데크-1-일, 1,1-디에틸-n-도데크-1-일, 1,1-디에틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디에틸-n-옥타데크-1-일, 1-(n-프로필)시클로헥스-1-일, 1-(n-부틸)시클로헥스-1-일, 1-(n-헥실)시클로헥스-1-일, 1-(n-옥틸)시클로헥스-1-일 및 1-(n-데실)시클로헥스-1-일 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 알케닐기는, 예를 들어 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐 또는 시클로옥타디에닐을 의미하는 것으로 이해된다. 알키닐기는, 예를 들어 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 이해된다. C1- 내지 C40-알콕시기는, 예를 들어 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하는 것으로 이해된다.
또한 각각의 경우 상기 언급된 라디칼로 치환될 수 있고, 임의의 목적하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수 있는, 5-40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 예를 들어 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤조플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-모노벤조인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-디벤조인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 화학식 (II) 의 구조를 형성할 수 있다:
Figure pct00004
[식 중,
기호 X, Y, L1, L2, Q1 및 Q2 는, 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가짐].
나아가, 화학식 (I) 및 (II) 에서, 2 개 이하의 X 기가 N 이고, 바람직하게는 1 개 이하의 X 기가 N 이고, 바람직하게는 모든 X 가 CR1 이며, 여기서 X 가 나타내는 CR1 기 중 바람직하게는 최대 4 개, 더욱 바람직하게는 최대 3 개 및 특히 바람직하게는 최대 2 개는 CH 기가 아닌 것을 특징으로 하는 화합물이 바람직하다. 나아가, 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서, X 기의 R1 라디칼이 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 구조의 고리 원자와 융합된 고리 시스템을 형성하지 않는 경우가 있을 수 있다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R2, R3 치환기를 갖는 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다. 바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서, X 기의 R1 라디칼이 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 구조의 고리 원자와 고리 시스템을 형성하지 않는 경우가 있을 수 있다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R2, R3 치환기를 갖는 고리 시스템의 형성을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 화합물은 화학식 (Ia) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure pct00005
[식 중, 기호 Y, R1, L1, L2, Q1 및 Q2 는, 특히 화학식 (I) 및/또는 (II) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖고, q 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 임].
추가의 구성에서, 본 발명의 화합물은 화학식 (IIa) 의 구조를 포함할 수 있다:
[식 중, 기호 Y, R1, L1, L2, Q1 및 Q2 는, 특히 화학식 (I) 및/또는 (II) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖고, q 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 임].
또한, 화학식 (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 구조의 R1 치환기가 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 구조의 고리 원자와 융합된 고리 시스템을 형성하지 않는 경우가 있을 수 있다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R2, R3 치환기를 갖는 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다. 바람직하게는, 화학식 (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 구조의 R1 치환기가 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 구조의 고리 원자와 고리 시스템을 형성하지 않는 경우가 있을 수 있다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R2, R3 치환기를 갖는 고리 시스템의 형성을 포함한다.
바람직한 구성에서, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 구조를 포함하는 화합물은, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 구조로 표시될 수 있고, 특히 바람직하게는, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 화합물로 제시된다. 바람직하게는, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 구조를 포함하는 화합물은, 5000 g/mol 이하, 바람직하게는 4000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000 g/mol 이하 및 가장 바람직하게는 1200 g/mol 이하의 분자량을 갖는다.
또한, 본 발명의 화합물의 바람직한 특징은, 이것이 승화성이라는 점이다. 이러한 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
Q1 및 Q2 기는 전자-수송기이다. 이러한 기는 기술 분야에 널리 공지되어 있으며, 전자를 수송 및/또는 전도하는 화합물의 능력을 촉진시킨다.
나아가, 화학식 (I) 의 화합물은, 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, Q1 및/또는 Q2 기가 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 이미다졸 및/또는 벤즈이미다졸의 군으로부터 선택되는 구조를 적어도 하나 포함하는 경우, 놀라운 이점을 나타낸다.
추가로, Q1 및/또는 Q2 기 중 적어도 하나 및 바람직하게는 둘 모두가 5 내지 24 개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 고리 원자는 적어도 하나의 질소 원자를 포함하고, 고리 시스템은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있으며, 여기서 R1 은 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물이 바람직하다.
추가의 구성에서, 특히 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 상술된 Q1 및/또는 Q2 기 중 적어도 하나 및 바람직하게는 둘 모두가, 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 고리 원자는 1 내지 4 개의 질소 원자를 포함하고, 고리 시스템은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있으며, 여기서 R1 은 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖는 경우가 있을 수 있다.
또한, 특히 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 상술된 Q1 및/또는 Q2 기 중 적어도 하나 및 바람직하게는 둘 모두가, 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 R1 은 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖는 경우가 있을 수 있다.
바람직하게는, 특히 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 상술된 Q1 및/또는 Q2 기는, 화학식 (Q-1), (Q-2) 및/또는 (Q-3) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure pct00007
[식 중, 기호 X 및 R1 은, 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시하고, Ar1 은 6 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아르알킬기이고, 여기서 둘 이상의 인접한 R1 및/또는 R2 치환기는 임의로 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있으며, R2 및 R3 은 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가짐].
추가의 구현예에서, 특히 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 상술된 Q1 및/또는 Q2 기는, 화학식 (Q-4), (Q-5), (Q-6), (Q-7), (Q-8), (Q-9), (Q-10), (Q-11), (Q-12) 및/또는 (Q-13) 의 구조로부터 선택된다:
Figure pct00008
Figure pct00009
[식 중, 기호 Ar1 및 R1 은 특히 화학식 (I) 및 (Q-1) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시하고, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0 또는 1 임].
추가로, 특히 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 에서, 상술된 Q1 및/또는 Q2 기가 화학식 (Q-14), (Q-15), (Q-16) 및/또는 (Q-17) 의 구조로부터 선택되는 경우가 있을 수 있다:
Figure pct00010
[식 중, 기호 Ar1 및 R1 은 특히 화학식 (I) 및 (Q-1) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시하고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0 또는 1 임].
바람직하게는, 기호 Ar1 은, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족기가 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해, 추가의 기의 각각의 원자에, 예를 들어 상기 제시된 (Q-1) 내지 (Q-17) 기의 탄소 또는 질소 원자에 결합된 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼을 나타낸다.
본 발명의 보다 바람직한 구현예에서, Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 더욱 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환되며, 여기서 R2 는 특히 화학식 (I) 에서 상기 제시된 정의를 가질 수 있음) 이다. 적합한 Ar1 기의 예는, 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼테르페닐, 특히 분지형 쿼테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어진 군으로부터 선택되며, 이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환된다.
유리하게는, 화학식 (Q-1) 내지 (Q-17) 에서의 Ar1 은, 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환되고, 여기서 R2 는 특히 화학식 (I) 에서 상기 제시된 정의를 가짐) 이다.
바람직하게는, 화학식 (Q-1) 내지 (Q-17) 에서 R2 라디칼은, R2 라디칼에 결합된 아릴기 또는 헤테로아릴기 Ar1 의 고리 원자와 함께 융합된 고리 시스템을 형성하지 않는다. 이는 R2 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R3 치환기를 갖는 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다.
또한, 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 의 화합물은, Q1 및/또는 Q2 기가 화학식 (Q-18), (Q-19), (Q-20), (Q-21), (Q-22), (Q-23), (Q-24), (Q-25), (Q-26), (Q-27) 및/또는 (Q-28) 의 구조로부터 선택되는 경우, 놀라운 이점을 나타낸다:
Figure pct00011
Figure pct00012
[식 중, 기호 R1 은 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 상술된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시함].
바람직한 구현예에서, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, Q1 기 및 Q2 기는 화학식 (Q-1) 내지 (Q-13) 의 기로부터 선택된다.
추가의 구성에서, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, Q1 기 및 Q2 기는 화학식 (Q-14) 내지 (Q-17) 의 기로부터 선택된다.
추가로, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, Q1 기 및 Q2 기가 화학식 (Q-18) 내지 (Q-28) 의 기로부터 선택되는 경우가 있을 수 있다.
또한, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, Q1, Q2 기 중 하나는 화학식 (Q-1) 내지 (Q-13) 의 기로부터 선택되고, Q1, Q2 기 중 하나는 화학식 (Q-14) 내지 (Q-17) 의 기로부터 선택될 수 있다.
추가로, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, Q1, Q2 기 중 하나가 화학식 (Q-1) 내지 (Q-13) 의 기로부터 선택되고, Q1, Q2 기 중 하나가 화학식 (Q-18) 내지 (Q-28) 의 기로부터 선택되는 경우가 있을 수 있다.
또한, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, Q1, Q2 기 중 하나가 화학식 (Q-14) 내지 (Q-17) 의 기로부터 선택되고, Q1, Q2 기 중 하나가 화학식 (Q-18) 내지 (Q-28) 의 기로부터 선택되는 경우가 있을 수 있다.
추가의 구성에서, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, 전자-수송기 Q1 및 Q2 는 동일하다.
추가로, 상기 언급된 화학식에서, 특히 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 에서, 전자-수송기 Q1 및 Q2 가 동일하지 않은 경우가 있을 수 있다.
X 가 CR1 이거나, 또는 방향족 및/또는 헤테로방향족기가 R1 치환기로 치환되는 경우, 이러한 R1 치환기는 바람직하게는 H, D, F, CN, N(Ar1)2, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, 탄소수 1 내지 10 의 직쇄 알킬 또는 알콕시기 또는 탄소수 3 내지 10 의 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐기 (이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨), 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기 (이는 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있음) 로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 임의로 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 치환기는 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수 있다. Ar1 기는 특히 구조 (Q-1) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가질 수 있다. 바람직하게는, 기호 Ar1 은, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족기가 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해, 추가의 기의 각각의 원자에, 예를 들어 N(Ar1)2, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2 기의 탄소, 질소 또는 인 원자에 결합된 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼을 나타낸다.
더욱 바람직하게는, 이러한 R1 치환기는 H, D, F, CN, N(Ar1)2, 탄소수 1 내지 8, 바람직하게는 탄소수 1, 2, 3 또는 4 의 직쇄 알킬기, 또는 탄소수 3 내지 8, 바람직하게는 탄소수 3 또는 4 의 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 탄소수 2 내지 8, 바람직하게는 탄소수 2, 3 또는 4 의 알케닐기 (이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 더욱 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우 하나 이상의 비방향족 R1 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨) 으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 임의로 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 치환기는 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있다. Ar1 기는, 특히 구조 (Q-1) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가질 수 있다. 바람직하게는, 기호 Ar1 은, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족기가 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해, 추가의 기의 각각의 원자에, 예를 들어 N(Ar1)2 기의 질소 원자에 결합된 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼을 나타낸다.
가장 바람직하게는, R1 치환기는 H, 및 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 적합한 R1 치환기의 예는, 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼테르페닐, 특히 분지형 쿼테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어진 군으로부터 선택되며, 이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환된다.
또한, 화학식 (I), (Ia), (II), (IIa) 및/또는 (Q-1) 내지 (Q-28) 의 구조에서, 적어도 하나의 R1 및/또는 Ar1 라디칼이 화학식 (R1-1) 내지 (R1-79) 로부터 선택되는 기인 경우가 있을 수 있다:
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
[식 중, 사용된 기호는 하기와 같음:
Y 는 O, S 또는 NR2, 바람직하게는 O 또는 S 이고;
i 는 각각의 경우, 독립적으로 0, 1 또는 2 이고;
j 는 각각의 경우, 독립적으로 0, 1, 2 또는 3 이고;
h 는 각각의 경우, 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
g 는 각각의 경우, 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고;
R2 는 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가질 수 있고;
점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시함].
바람직하게는, 화학식 (R1-1) 내지 (R1-79) 의 구조에서 지수 g, h, i 및 j 의 총합은, 각각의 경우 3 이하, 바람직하게는 2 이하 및 더욱 바람직하게는 1 이하일 수 있다.
바람직하게는, L1 및/또는 L2 기는, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 전자-수송기 Q1 및/또는 Q2, 및 디벤조푸란 구조 (Y = O) 및/또는 디벤조티오펜 구조 (Y = S) 와 스루-컨쥬게이션 (through-conjugation) 을 형성할 수 있다. 방향족 또는 헤테로방향족 시스템의 스루-컨쥬게이션은 직접 결합이 인접한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 형성되자마자 형성된다. 예를 들어 황, 질소 또는 산소 원자, 또는 카르보닐기를 통한, 상기 언급된 컨쥬게이트된 기 사이의 추가 결합은, 컨쥬게이션에 해를 끼치지 않는다. 플루오렌 시스템의 경우, 2 개의 방향족 고리는 직접 결합되며, 여기서 위치 9 의 sp3-하이브리드된 탄소 원자가 전자-수송기 Q1 및/또는 Q2 와, 디벤조푸란 구조 (Y = O) 및/또는 디벤조티오펜 구조 (Y = S) 사이에 반드시 존재하지 않기 때문에, 위치 9 의 이러한 sp3-하이브리드된 탄소 원자가 이들 고리의 융합을 방지하지만, 컨쥬게이션은 가능하다. 대조적으로, 스피로바이플루오렌 구조의 경우, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 전자-수송기 Q1 및/또는 Q2 와, 디벤조푸란 구조 (Y = O) 및/또는 디벤조티오펜 구조 (Y = S) 사이의 결합이, 스피로바이플루오렌 구조의 동일한 페닐기를 통해, 또는 서로 직접 결합되고 하나의 면에 존재하는 스피로바이플루오렌 구조의 페닐기들을 통해 존재하는 경우, 스루-컨쥬게이션이 형성될 수 있다. 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 전자-수송기 Q1 및/또는 Q2 와, 디벤조푸란 구조 (Y = O) 및/또는 디벤조티오펜 구조 (Y = S) 사이의 결합이, 위치 9 의 sp3-하이브리드된 탄소 원자를 통해 결합된 스피로바이플루오렌 구조의 상이한 페닐기를 통해 존재하는 경우, 컨쥬게이션이 개재된다.
본 발명의 보다 바람직한 구현예에서, L1 및/또는 L2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 단일 결합, 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 더욱 바람직하게는, L1 및/또는 L2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 단일 결합, 또는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환되며, 여기서 R2 는 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가질 수 있음) 이다. 보다 바람직하게는, 기호 L1 및/또는 L2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 단일 결합, 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족기가 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해, 다른 기의 각각의 원자에 결합된 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이다. 가장 바람직하게는, L1 및/또는 L2 는 단일 결합이다. 적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 L1 및/또는 L2 의 예는, 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 바이페닐, 플루오렌, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환된다.
화학식 (I), (IIa) 및/또는 (IIb) 의 적어도 하나의 L1 및/또는 L2 기가 결합, 또는 화학식 (L-1) 내지 (L-70) 으로부터 선택되는 기인, 화학식 (I), (II), (Ia) 및/또는 (IIa) 의 구조를 포함하는 화합물이 바람직하다:
Figure pct00020
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
[식 중, 점선으로 표시된 결합은 각각의 경우 부착 위치를 표시하고, 지수 l 은 0, 1 또는 2 이고, 지수 g 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고, j 는 독립적으로 각각의 경우 0, 1, 2 또는 3 이고; h 는 독립적으로 각각의 경우 0, 1, 2, 3 또는 4 이고; Y 는 O, S 또는 NR2, 바람직하게는 O 또는 S 이고; R2 는 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가짐].
바람직하게는, 화학식 (L-1) 내지 (L-70) 의 구조에서 지수 l, g, h 및 j 의 총합이, 각각의 경우 최대 3, 바람직하게는 최대 2 및 더욱 바람직하게는 최대 1 인 경우가 있을 수 있다.
유리하게는, 화학식 (I), (Ia), (II) 및/또는 (IIa) 의 구조를 적어도 하나 포함하는 본 발명의 화합물이, 임의의 카르바졸 및/또는 트리아릴아민기를 포함하지 않는 경우가 있을 수 있다. 더욱 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 임의의 정공-수송기를 포함하지 않는다. 정공-수송기는 전문 분야에 공지되어 있으며, 이러한 기는 다수의 경우 카르바졸, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 아릴아민 또는 디아릴아민 구조이다.
본 발명의 보다 바람직한 구현예에서, R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 탄소수 1, 2, 3 또는 4 의 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 더욱 바람직하게는 5 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각 탄소수 1 내지 4 의 하나 이상의 알킬기로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 화합물이 방향족 또는 헤테로방향족 R1 또는 R2 또는 Ar1 기로 치환되는 경우, 이들이 서로 직접 융합된 방향족 6-원 고리를 2 개 초과로 갖는 임의의 아릴 또는 헤테로아릴기를 갖지 않는 경우가 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 치환기는 서로 직접 융합된 6-원 고리를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기를 전혀 갖지 않는다. 이러한 바람직한 것에 대한 이유는, 상기와 같은 구조의 낮은 삼중항 에너지이다. 서로 직접 융합된 방향족 6-원 고리를 2 개 초과로 갖지만 그럼에도 불구하고 또한 본 발명에 따라 적합한 융합된 아릴기는, 페난트렌 및 트리페닐렌인데, 이는 이들이 또한 높은 삼중항 준위를 갖기 때문이다.
적합한 본 발명의 화합물의 예는, 하기 제시되는 하기 화학식 1 내지 120 의 구조이다:
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
.
본 발명의 화합물의 바람직한 구현예는 실시예에 구체적으로 상술되어 있으며, 이러한 화합물은 본 발명의 모든 목적을 위하여 단독으로 또는 추가 화합물과 조합으로 사용 가능하다.
청구항 제 1 항에 기재된 조건이 충족되는 한, 상기 언급된 바람직한 구현예는 목적하는 대로 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 구현예에서, 상기 언급된 바람직한 구현예는 동시에 적용된다.
본 발명의 화합물은 이론적으로 각종 방법에 의해 제조 가능하다. 하지만, 이하 기재되는 방법이 특히 적합한 것으로 확인되었다.
따라서, 본 발명은 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물의 제조 방법으로서, 커플링 반응으로, 적어도 하나의 전자-수송기를 포함하는 화합물이 적어도 하나의 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 라디칼을 포함하는 화합물에 연결되는 제조 방법을 제공한다.
전자-수송기를 갖는 적합한 화합물은 다수의 경우 상업적으로 입수 가능하고, 실시예에 상술된 출발 화합물은 공지된 방법에 의해 수득 가능하며, 따라서 그와 같은 것들이 이에 참조된다.
이러한 화합물을 추가의 아릴 화합물과 공지된 커플링 반응에 의해 반응시킬 수 있고, 이러한 목적을 위해 필요한 조건은 당업자에게 공지되어 있으며, 실시예에 상술된 설명은 이러한 반응을 수행함에 있어서 당업자에게 뒷받침을 제공한다.
모두 C-C 결합 형성 및/또는 C-N 결합 형성을 유도하는 특히 적합하고 바람직한 커플링 반응은, 부흐발트 (BUCHWALD), 스즈키 (SUZUKI), 야마모토 (YAMAMOTO), 스틸 (STILLE), 헥 (HECK), 네기시 (NEGISHI), 소노가시라 (SONOGASHIRA) 및 히야마 (HIYAMA) 에 따른 반응이다. 이러한 반응은 널리 공지되어 있으며, 실시예는 당업자에게 추가의 지시를 제공할 것이다.
하기의 모든 합성 반응식에서, 구조를 단순화하기 위하여 화합물은 적은 수의 치환기를 갖는 것으로 제시되어 있다. 이는 방법에서의 임의의 목적하는 추가 치환기의 존재를 배제하지 않는다.
예시적인 구현은 하기 반응식으로 제시되며, 이들이 제한을 부과한다는 어떠한 의도도 없다. 개별적인 반응식의 구성 단계는 목적하는 대로 서로 조합될 수 있다.
Figure pct00035
Figure pct00036
반응식 1 및 2 에서, Q1 및/또는 Q2 의 정의 하에 상술된 라디칼은 상기 정의된 바와 같은 전자-전도성 기이다.
본 발명의 화합물의 합성을 위하여 제시된 방법은 단지 예시로서 이해되어야 한다. 당업자는 업계의 그의 일반 지식의 범위 내에서 대안적인 합성 경로를 개발할 수 있을 것이다.
상기 상술된 제조 방법의 원리는 이론적으로 유사한 화합물에 대한 문헌으로부터 공지된 것으로, 이는 당업자에 의해 본 발명의 화합물의 제조에 대하여 용이하게 조정될 수 있다. 추가의 정보는 실시예에서 확인할 수 있다.
요구되는 경우, 예를 들어 재결정 또는 승화와 같은 정제가 후속되는 이러한 방법에 의해, 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 고 순도로, 바람직하게는 99% 초과의 순도로 (1H-NMR 및/또는 HPLC 로 측정 시) 수득할 수 있다.
본 발명의 화합물은 또한 적합한 치환기, 예를 들어 비교적 장쇄 알킬기 (약 탄소수 4 내지 20), 특히 분지형 알킬기, 또는 임의로 치환된 아릴기, 예를 들어 자일릴, 메시틸, 또는 분지형 테르페닐 또는 쿼테르페닐기를 가질 수 있고, 이는 표준 유기 용매, 예를 들어 톨루엔 또는 자일렌 중에서, 실온에서, 충분한 농도로 가용성이 되는 용해도를 제공하여, 용액으로부터 화합물의 가공을 가능하게 한다. 이러한 가용성 화합물은, 예를 들어 프린팅 방법에 의한 용액으로부터의 가공에 특히 적합하다. 또한, 화학식 (I) 의 구조를 적어도 하나 포함하는 본 발명의 화합물은, 이러한 용매 중에서 이미 향상된 용해도를 갖는다는 점이 강조되어야 한다.
본 발명의 화합물은 또한 폴리머와 혼합될 수 있다. 마찬가지로, 이러한 화합물을 폴리머에 공유 결합으로 혼입할 수 있다. 이는, 특히 반응성 이탈기, 예컨대 브롬, 요오드, 염소, 보론산 또는 보론산 에스테르에 의해, 또는 반응성 중합 가능기, 예컨대 올레핀 또는 옥세탄으로 치환된 화합물을 이용하여 이루어질 수 있다. 이는 해당 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조를 위한 모노머로서 사용될 수 있다. 올리고머화 또는 폴리머화(중합)는 바람직하게는 할로겐 관능기 또는 보론산 관능기를 통해, 또는 중합 가능기를 통해 일어난다. 또한 이러한 유형의 기를 통해 폴리머를 가교시킬 수 있다. 본 발명의 화합물 및 폴리머는 가교 또는 비(非)가교된 층의 형태로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 나아가 본 발명의 화합물 또는 상기 상술된 화학식 (I) 의 구조를 하나 이상 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 본 발명의 화합물 또는 화학식 (I) 의 구조의 하나 이상의 결합이 존재하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공한다. 따라서, 화학식 (I) 의 구조 또는 상기 화합물의 연결에 따라, 이는 올리고머 또는 폴리머의 측쇄를 형성하거나, 또는 주쇄 내에 결합된다. 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 컨쥬게이트, 부분 컨쥬게이트 또는 비(非)컨쥬게이트될 수 있다. 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지형 (dendritic) 일 수 있다. 올리고머, 덴드리머 및 폴리머 중 본 발명의 화합물의 반복 단위에 대하여, 상기 기재된 바와 동일한 바람직한 것들이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위하여, 본 발명의 모노머는 추가의 모노머와 공중합되거나 동종중합된다. 화학식 (1), 또는 상기 및 하기에 기재된 바람직한 구현예의 단위가 0.01 내지 99.9 mol%, 바람직하게는 5 내지 90 mol%, 특히 바람직하게는 20 내지 80 mol% 의 범위로 존재하는 코폴리머가 바람직하다. 폴리머 기본 골격을 형성하는 적합하고 바람직한 코모노머 (comonomer) 는, 플루오렌 (예를 들어 EP 842208 또는 WO 2000/022026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어 EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어 WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어 WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어 EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어 WO 2005/014689 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어 WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어 WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 복수의 이러한 단위들로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 또한 추가의 단위, 예를 들어 정공 수송 단위, 특히 트리아릴아민 기재의 단위, 및/또는 전자 수송 단위를 함유할 수 있다.
또한, 높은 유리 전이 온도를 특징으로 하는 본 발명의 화합물에 특히 관심이 있다. 이와 관련하여, DIN 51005 (2005-08 버전) 에 따라 측정 시, 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 110℃ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 125℃ 이상 및 특히 바람직하게는 150℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는, 일반식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하다.
액체상으로부터, 예를 들어 스핀-코팅 또는 프린팅 방법에 의해, 본 발명의 화합물을 가공하기 위하여, 본 발명의 화합물의 제형이 요구된다. 이러한 제형은, 예를 들어 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수 있다. 이를 위하여, 2 종 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는, 예를 들어 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌 (fenchone), 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 헥사메틸인단 또는 이러한 용매의 혼합물이다.
본 발명은 나아가 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 제형을 제공한다. 추가 화합물은, 예를 들어 용매, 특히 상기 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다. 추가 화합물은 대안적으로 또한 전자 소자에 사용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어 방사성 화합물, 특히 인광 도펀트, 및/또는 추가 매트릭스 재료일 수 있다. 이러한 추가 화합물은 또한 폴리머일 수 있다.
본 발명은 더 나아가 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 유기 기능성 재료를 포함하는 조성물을 제공한다. 기능성 재료는 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료이다. 바람직하게는, 유기 기능성 재료는 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, n-도펀트, 와이드 밴드갭 (wide band gap) 재료, 전자 차단제 재료 및 정공 차단제 재료로 이루어진 군으로부터 선택된다.
따라서, 본 발명은 또한 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물, 및 적어도 하나의 추가 매트릭스 재료를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 특정 양태에 있어서, 추가 매트릭스 재료는 정공-수송 특성을 갖는다.
본 발명은 나아가 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 적어도 하나 포함하는 적어도 하나의 화합물, 및 적어도 하나의 와이드 밴드갭 재료를 포함하는 조성물을 제공하며, 여기서 와이드 밴드갭 재료는 US 7,294,849 의 개시의 의미에서의 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 이러한 시스템은 전계발광 소자에서 특히 유리한 성능 데이터를 나타낸다.
바람직하게는, 부가적인 화합물은 2.5 eV 이상, 바람직하게는 3.0 eV 이상, 매우 바람직하게는 3.5 eV 이상의 밴드갭을 가질 수 있다. 밴드갭을 계산하는 하나의 방법은 최고준위 점유 분자 오비탈 (HOMO) 및 최저준위 비점유 분자 오비탈 (LUMO) 의 에너지 준위를 통한 것이다.
재료의 분자 오비탈, 특히 또한 최고준위 점유 분자 오비탈 (HOMO) 및 최저준위 비점유 분자 오비탈 (LUMO), 이의 에너지 준위, 및 최저 삼중항 상태 T1 및 최저 여기된 단일항 상태 S1 의 에너지는, 양자 화학적 연산을 통해 측정된다. 금속 미함유 유기 물질의 계산의 경우, 기하구조의 최적화가 먼저 "Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1/Charge 0/Spin Singlet" 방법에 의해 수행된다. 이어서, 에너지 계산이 최적화된 기하구조를 기반으로 수행된다. 이는 "6-31G(d)" 기본 세트 (전하 0, 스핀 단일항) 를 갖는 "TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91" 방법을 사용하여 수행된다. 금속 함유 화합물의 경우, 기하구조는 "Ground State/Hatree-Fock/Default Spin/LanL2MB/Charge 0/Spin Singlet" 방법을 통해 최적화된다. 금속 원자의 경우 "LanL2DZ" 기본 세트가 사용되고, 리간드의 경우 "6-31G(d)" 기본 세트가 사용되는 것을 제외하고는, 에너지 계산은 유기 물질에 대한 상기 기재된 방법과 유사하게 수행된다. HOMO 에너지 준위 HEh 또는 LUMO 에너지 준위 LEh 는 하트리 (Hartree) 단위로의 에너지 계산으로부터 수득된다. 이는, 하기와 같이, 순환전압전류 측정 (cyclic voltammetry measurement) 에 의해 보정된, 전자 볼트로의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 측정하는데 사용된다:
HOMO(eV) = ((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV) = ((LEh*27.212)-2.0041)/1.385
이러한 값은 본 출원의 맥락에서 재료의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위로서 간주되어야 한다.
최저 삼중항 상태 T1 은 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 에너지로서 정의되며, 이는 상기 기재된 양자 화학적 연산으로부터 명백해진다.
최저 여기된 단일항 상태 S1 은 최저 에너지를 갖는 여기된 단일항 상태의 에너지로서 정의되며, 이는 상기 기재된 양자 화학적 연산으로부터 명백해진다.
본원에 기재된 방법은 사용되는 소프트웨어 패키지와 독립적이며, 항상 동일한 결과를 제공한다. 이를 위하여 흔히 이용되는 프로그램의 예는, "Gaussian09W" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다.
본 발명은 또한 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물, 및 적어도 하나의 인광 방사체를 포함하는 조성물에 관한 것으로, 용어 "인광 방사체" 는 또한 인광 도펀트를 의미하는 것으로 이해된다.
매트릭스 재료 및 도펀트를 포함하는 시스템에서 도펀트는, 혼합물 중 보다 적은 비율을 갖는 구성성분을 의미하는 것으로 이해된다. 따라서, 매트릭스 재료 및 도펀트를 포함하는 시스템에서 매트릭스 재료는, 혼합물 중 보다 큰 비율을 갖는 구성성분을 의미하는 것으로 이해된다.
매트릭스 시스템, 바람직하게는 혼합 매트릭스 시스템에 사용하기에 바람직한 인광 도펀트는, 하기 명시되는 바람직한 인광 도펀트이다.
용어 "인광 도펀트" 는, 전형적으로 발광이 스핀-금지 전이, 예를 들어 여기된 삼중항 상태 또는 보다 높은 양자수를 갖는 상태, 예를 들어 오중항 상태로부터의 전이를 통해 이루어지는 화합물을 포함한다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방사체) 는 특히, 적합하게 여기되는 경우, 바람직하게는 가시 영역에서 발광하고, 또한 원자 번호 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 더욱 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자를 적어도 하나 함유하는 화합물이다. 사용되는 바람직한 인광 방사체는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다. 본 발명의 맥락에서, 상기 언급된 금속을 함유하는 모든 발광 화합물은 인광 화합물로서 간주된다.
상기 기재된 방사체의 예는, 특허 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, 및 미공개 특허 출원 EP 13004411.8, EP 14000345.0, EP 14000417.7 및 EP 14002623.8 에서 확인할 수 있다. 일반적으로, 선행 기술에 따라 인광 OLED 에 사용되고 유기 전계발광 소자 분야의 당업자에게 공지된 모든 인광 착물이 적합하고, 당업자는 창의력을 발휘하지 않고 추가의 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
인광 도펀트의 명백한 예는 하기 표에 제시되어 있다:
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
화학식 (I), 또는 상기 상술된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 상기 기재된 화합물은, 바람직하게는 전자 소자에서 활성 구성성분으로서 사용될 수 있다. 전자 소자는 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이에 적어도 하나의 층을 포함하는 임의의 소자로서, 상기 층이 적어도 하나의 유기 또는 유기금속 화합물을 포함하는 소자를 의미하는 것으로 이해된다. 따라서, 본 발명의 전자 소자는 애노드, 캐소드, 및 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물을 적어도 하나 함유하는 적어도 하나의 개재 (intervening) 층을 포함한다. 여기서, 바람직한 전자 소자는, 적어도 하나의 층에 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물을 적어도 하나 함유하는, 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 유기 전기 센서, 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-laser) 및 유기 플라즈몬 발광 소자 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4) 로 이루어진 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 특히 인광 OLED 이다. 유기 전계발광 소자가 특히 바람직하다. 활성 구성성분은 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료, 예를 들어 전하 주입, 전하 수송 또는 전하 차단제 재료이지만, 특히 방사성 재료 및 매트릭스 재료이다.
본 발명의 바람직한 구현예는 유기 전계발광 소자이다. 유기 전계발광 소자는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방사 층을 포함한다. 이러한 층 이외에, 이는 또 다른 추가의 층, 예를 들어 각각의 경우 하나 이상의 정공 주입 층, 정공 수송 층, 정공 차단제 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 여기자 차단제 층, 전자 차단제 층, 전하 생성 층 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합을 포함할 수 있다. 동시에, 하나 이상의 정공 수송 층이, 예를 들어 MoO3 또는 WO3 와 같은 금속 산화물, 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족 시스템으로 p-도핑되고/되거나, 하나 이상의 전자 수송 층이 n-도핑될 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 전계발광 소자에서 여기자-차단 기능을 갖고/갖거나 전하 균형을 조절하는 중간층이, 2 개의 방사 층 사이에 도입될 수 있다. 하지만, 이러한 층들이 모두 존재해야 할 필요는 없다는 점이 지적되어야 한다.
이러한 경우, 유기 전계발광 소자는 하나의 방사 층 또는 복수의 방사 층을 함유할 수 있다. 복수의 방사 층이 존재하는 경우, 이는 바람직하게는 전체적인 결과가 백색 방사가 되도록, 종합적으로 380 nm 내지 750 nm 에서 수 개의 방사 최대값을 가지며; 즉, 형광 또는 인광일 수 있는 각종 방사성 화합물이 방사 층에 사용된다. 특히 바람직한 것은 3-층 시스템 (여기서 3 개의 층은 청색, 녹색 및 주황색 또는 적색 방사를 나타냄) (기본 구조에 대해서, 예를 들어 WO 2005/011013 참조), 또는 3 개 초과의 방사 층을 갖는 시스템이다. 시스템은 또한 하나 이상의 층이 형광을 나타내고, 하나 이상의 다른 층이 인광을 나타내는 하이브리드 시스템일 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 유기 전계발광 소자는 화학식 (I), 또는 상기 상술된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을, 매트릭스 재료로서, 바람직하게는 전자-전도성 매트릭스 재료로서, 하나 이상의 방사 층에, 바람직하게는 추가 매트릭스 재료, 바람직하게는 정공-전도성 매트릭스 재료와 조합으로 함유한다. 본 발명의 보다 바람직한 구현예에서, 추가 매트릭스 재료는 전자-수송 화합물이다. 추가의 바람직한 구현예에서, 추가 매트릭스 재료는, 층 내에서 정공 및 전자 수송에 관여한다고 하더라도, 유의한 정도로 관여하지 않는, 큰 밴드갭을 갖는 화합물이다. 방사 층은 적어도 하나의 방사성 화합물을 포함한다.
화학식 (I) 또는 바람직한 구현예에 따른 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는, 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭사이드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 특히 모노아민 (예를 들어 WO 2014/015935 에 따름), 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 카르바졸 유도체 (WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시됨), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 양극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보론산 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 브릿지된 카르바졸 유도체 (예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 또는 WO 2012/143080 에 따름), 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름), 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865, WO 2011/137951 또는 WO 2013/064206 에 따름), 또는 4-스피로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2014/094963 또는 미공개 특허 출원 EP 14002104.9 에 따름) 이다. 마찬가지로, 실제 방사체보다 단파장에서 방사하는 추가의 인광 방사체가 혼합물 중에 공-호스트 (co-host) 로서 존재할 수 있다.
바람직한 공-호스트 재료는 트리아릴아민 유도체, 특히 모노아민, 인데노카르바졸 유도체, 4-스피로카르바졸 유도체, 락탐 및 카르바졸 유도체이다.
본 발명의 화합물과 함께 공-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 트리아릴아민 유도체는, 하기 화학식 (TA-1) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00047
[식 중, Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 상기 제시된 정의를 가짐]. 바람직하게는, Ar1 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 상기 언급된 R1-1 내지 R1-79 기, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 로부터 선택된다.
화학식 (TA-1) 의 화합물의 바람직한 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐기일 수 있는 바이페닐기로부터 선택된다. 화학식 (TA-1) 의 화합물의 보다 바람직한 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 플루오렌기 또는 스피로바이플루오렌기로부터 선택되고, 이러한 기는 각각 1, 2, 3 또는 4 위치에서 질소 원자에 결합될 수 있다. 화학식 (TA-1) 의 화합물의 추가로 바람직한 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 페닐렌 또는 바이페닐기로부터 선택되고, 상기 기는 디벤조푸란기, 디벤조티오펜기 또는 카르바졸기, 특히 디벤조푸란기로 치환된 오르토-, 메타- 또는 파라-결합된 기이며, 여기서 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜기는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 페닐렌 또는 바이페닐기에 결합되고, 카르바졸기는 1, 2, 3 또는 4 위치, 또는 질소 원자를 통해 페닐렌 또는 바이페닐기에 결합된다.
화학식 (TA-1) 의 화합물의 특히 바람직한 구현예에서, 하나의 Ar1 기는 플루오렌 또는 스피로바이플루오렌기, 특히 4-플루오렌 또는 4-스피로바이플루오렌기로부터 선택되고, 하나의 Ar1 기는 바이페닐기, 특히 파라-바이페닐기, 또는 플루오렌기, 특히 2-플루오렌기로부터 선택되고, 세 번째 Ar1 기는 디벤조푸란기, 특히 4-디벤조푸란기, 또는 카르바졸기, 특히 N-카르바졸기 또는 3-카르바졸기로 치환된 파라-페닐렌기 또는 파라-바이페닐기로부터 선택된다.
본 발명의 화합물과 함께 공-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 인데노카르바졸 유도체는, 하기 화학식 (TA-2) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00048
[식 중, Ar1 및 R1 은 상기 열거된 정의를 가짐]. Ar1 기의 바람직한 구현예는, 상기 열거된 구조 R1-1 내지 R1-79, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
화학식 (TA-2) 의 화합물의 바람직한 구현예는, 하기 화학식 (TA-2a) 의 화합물이다:
Figure pct00049
[식 중, Ar1 및 R1 은 상기 제시된 정의를 가짐]. 여기서 인데노 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 기는 바람직하게는 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 4 의 알킬기, 특히 메틸기, 또는 탄소수 6 내지 12 의 방향족 고리 시스템, 특히 페닐기이다. 더욱 바람직하게는, 인데노 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 기는 메틸기이다. 보다 바람직하게는, 화학식 (TA-2a) 에서 인데노카르바졸 기본 골격에 결합된 R1 치환기는, H, 또는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해, 또는 질소 원자를 통해, 특히 3 위치를 통해 인데노카르바졸 기본 골격에 결합될 수 있는 카르바졸기이다.
본 발명의 화합물과 함께 공-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 4-스피로카르바졸 유도체는, 하기 화학식 (TA-3) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00050
[식 중, Ar1 및 R1 은 상기 열거된 정의를 가짐]. Ar1 기의 바람직한 구현예는, 상기 열거된 구조 R1-1 내지 R1-79, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
화학식 (TA-3) 의 화합물의 바람직한 구현예는, 하기 화학식 (TA-3a) 의 화합물이다:
Figure pct00051
[식 중, Ar1 및 R1 은 상기 열거된 정의를 가짐]. Ar1 기의 바람직한 구현예는, 상기 열거된 구조 R1-1 내지 R1-79, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
본 발명의 화합물과 함께 공-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 락탐은, 하기 화학식 (LAC-1) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00052
[식 중, R1 은 상기 열거된 정의를 가짐].
화학식 (LAC-1) 의 화합물의 바람직한 구현예는, 하기 화학식 (LAC-1a) 의 화합물이다:
Figure pct00053
[식 중, R1 은 상기 제시된 정의를 가짐]. R1 은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으며, 여기서 R2 는 특히 화학식 (I) 에 대하여 상기 제시된 정의를 가질 수 있음) 이다. 가장 바람직하게는, R1 치환기는 H, 및 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 적합한 R1 치환기의 예는, 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼테르페닐, 특히 분지형 쿼테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환된다. 적합한 R1 구조는, R1-1 내지 R1-79, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 에 대하여 상기 도시된 바와 동일한 구조이다.
또한 복수의 상이한 매트릭스 재료, 특히 적어도 하나의 전자-전도성 매트릭스 재료 및 적어도 하나의 정공-전도성 매트릭스 재료를 혼합물로서 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 WO 2010/108579 에 기재된 바와 같이, 전하 수송 매트릭스 재료, 및 전하 수송이 있는 경우, 이에 유의하게 관여하지 않는 전기적으로 불활성인 매트릭스 재료의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.
나아가, 둘 이상의 삼중항 방사체와 매트릭스의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 보다 단파장의 방사 스펙트럼을 갖는 삼중항 방사체는 보다 장파장의 방사 스펙트럼을 갖는 삼중항 방사체에 대한 공-매트릭스 (co-matrix) 로서 간주된다.
더욱 바람직하게는, 바람직한 구현예에서, 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을, 유기 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자, 예를 들어 OLED 또는 OLEC 의 방사 층에서, 매트릭스 재료로서 사용할 수 있다. 이러한 경우, 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 화합물을 함유하는 매트릭스 재료는, 하나 이상의 도펀트, 바람직하게는 인광 도펀트와 조합으로 전자 소자에 존재한다.
이러한 경우에서 방사 층 내 매트릭스 재료의 비율은, 형광 방사 층에 있어서는 50.0 부피% 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 80.0 부피% 내지 99.5 부피%, 및 더욱 바람직하게는 92.0 부피% 내지 99.5 부피% 이고, 인광 방사 층에 있어서는 85.0 부피% 내지 97.0 부피% 이다.
따라서, 상기 도펀트의 비율은 형광 방사 층에 있어서는 0.1 부피% 내지 50.0 부피%, 바람직하게는 0.5 부피% 내지 20.0 부피%, 및 더욱 바람직하게는 0.5 부피% 내지 8.0 부피% 이고, 인광 방사 층에 있어서는 3.0 부피% 내지 15.0 부피% 이다.
유기 전계발광 소자의 방사 층은 또한 복수의 매트릭스 재료 (혼합 매트릭스 시스템) 및/또는 복수의 도펀트를 포함하는 시스템을 포함할 수 있다. 이러한 경우 마찬가지로, 도펀트는 일반적으로 시스템에서 보다 적은 비율을 갖는 재료이고, 매트릭스 재료는 시스템에서 보다 큰 비율을 갖는 재료이다. 하지만, 각각의 경우, 시스템에서 단일 매트릭스 재료의 비율은 단일 도펀트의 비율보다 적을 수 있다.
본 발명의 보다 바람직한 구현예에서, 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 화합물은, 혼합 매트릭스 시스템의 구성성분으로서 사용된다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 2 또는 3 종의 상이한 매트릭스 재료, 특히 바람직하게는 2 종의 상이한 매트릭스 재료를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 경우, 2 종의 재료 중 하나는 정공-수송 특성을 갖는 재료이고, 다른 하나의 재료는 전자-수송 특성을 갖는 재료이다. 하지만, 혼합 매트릭스 구성성분의 목적하는 전자-수송 및 정공-수송 특성은, 또한 주로 또는 전적으로 단일 혼합 매트릭스 구성성분 내에 조합될 수 있고, 이러한 경우 추가의 혼합 매트릭스 구성성분(들)이 다른 기능을 충족시킨다. 2 종의 상이한 매트릭스 재료는 1:50 내지 1:1, 바람직하게는 1:20 내지 1:1, 더욱 바람직하게는 1:10 내지 1:1 및 가장 바람직하게는 1:4 내지 1:1 의 비로 존재할 수 있다. 인광 유기 전계발광 소자에서 혼합 매트릭스 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템에 대한 보다 상세한 정보의 한 공급원은, 특허출원 WO 2010/108579 이다.
본 발명은 나아가 하나 이상의 본 발명의 화합물 및/또는 적어도 하나의 본 발명의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 하나 이상의 전자-전도성 층에, 전자-전도성 화합물로서 포함하는 전자 소자, 바람직하게는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
바람직한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 금속 합금, 또는 각종 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란타노이드 (예를 들어 Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 로 구성된 다중층 구조이다. 또한, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성된 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은으로 구성된 합금이 적합하다. 다중층 구조의 경우, 상기 언급된 금속 이외에, 비교적 높은 일함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 가 또한 사용될 수 있고, 이러한 경우, 금속의 조합, 예컨대 Mg/Ag, Ca/Ag 또는 Ba/Ag 가 일반적으로 사용된다. 또한, 금속 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수 있다. 이에 유용한 재료의 예는, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐 아니라, 해당 산화물 또는 탄산염 (예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 유기 알칼리 금속 착물, 예를 들어 Liq (리튬 퀴놀리네이트) 이 마찬가지로 이에 적합하다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일함수를 갖는 재료이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 비해 4.5 eV 초과의 일함수를 갖는다. 우선적으로, 이를 위하여 높은 산화환원 전위를 갖는 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au 이 적합하다. 두 번째로는, 금속/금속 산화물 전극 (예를 들어 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수 있다. 일부 적용에 있어서, 적어도 하나의 전극은 유기 재료의 조사 (O-SC) 또는 발광 (OLED/PLED, O-laser) 을 가능하게 하기 위하여 투명하거나 부분적으로 투명해야 한다. 여기서, 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 산화인듐주석 (ITO) 또는 산화인듐아연 (IZO) 이 특히 바람직하다. 나아가 전도성 도핑된 유기 재료, 특히 전도성 도핑된 폴리머, 예를 들어 PEDOT, PANI 또는 이러한 폴리머의 유도체가 바람직하다. 나아가 p-도핑된 정공 수송 재료가 정공 주입 층으로서 애노드에 적용되는 경우가 바람직하며, 이러한 경우 적합한 p-도펀트는 금속 산화물, 예를 들어 MoO3 또는 WO3, 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족 시스템이다. 보다 적합한 p-도펀트는 HAT-CN (헥사시아노헥사아자트리페닐렌) 또는 Novaled 사의 화합물 NPD9 이다. 이와 같은 층은 낮은 HOMO, 즉 규모의 관점에서 큰 HOMO 를 갖는 재료에의 정공 주입을 용이하게 한다.
추가의 층에, 상기 층에 대하여 선행 기술에 따라 사용되는 임의의 재료가 일반적으로 사용될 수 있고, 당업자는, 창의력을 발휘하지 않고, 전자 소자에서 임의의 이러한 재료와 본 발명의 재료를 조합할 수 있다.
상기와 같은 소자의 수명은 물 및/또는 공기의 존재 하에서 심하게 단축되기 때문에, 상기 소자는 적절하게 (적용에 따라) 구조화되고, 접촉-연결되고, 최종적으로 밀폐밀봉된다.
또한, 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 경우, 재료는 진공 승화 시스템에서 전형적으로는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 증기 증착에 의해 적용된다. 또한, 상기 초기 압력은 더 낮아지거나 더 높아질 수도 있으며, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 증기상 증착) 방법에 의해 또는 운반 기체 (carrier gas) 승화에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 경우, 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이러한 방법의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 프린팅) 방법으로, 여기서 재료는 노즐을 통해 직접 적용되고, 이에 따라 구조화된다 (예를 들어 [M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301]).
또한, 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 프린팅 공정, 예를 들어 스크린 프린팅, 플렉소그래피 프린팅, 오프셋 프린팅 또는 노즐 프린팅, 더욱 바람직하게는 LITI (광 유도 열 이미지화 (light-induced thermal imaging), 열 전사 프린팅) 또는 잉크젯 프린팅에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이를 위하여, 가용성 화합물이 요구되며, 이는, 예를 들어 적합한 치환을 통해 수득된다.
전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는, 또한 용액으로부터 하나 이상의 층을 적용하고, 증기 증착에 의해 하나 이상의 다른 층을 적용하는, 하이브리드 시스템으로서 제조될 수 있다. 예를 들어, 용액으로부터 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물 및 매트릭스 재료를 포함하는 방사 층을 적용하고, 여기에 감압 하에서의 증기 증착에 의해 정공 차단제 층 및/또는 전자 수송 층을 적용할 수 있다.
이러한 방법은 일반적으로 당업자에게 공지되어 있고, 이는 화학식 (I), 또는 상기 상술된 바람직한 구현예의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 포함하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에, 어려움 없이 적용될 수 있다.
본 발명의 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는, 선행 기술에 비해 하기 놀라운 이점 중 하나 이상에 대하여 주목할 만하다:
1. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 특히 전자-전도성 재료로서 포함하는, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는, 매우 양호한 수명을 갖는다.
2. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 전자-전도성 재료로서 포함하는, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는, 탁월한 효율을 갖는다. 더욱 특히, 효율은 화학식 (I) 의 구조 단위를 함유하지 않는 유사 화합물과 비교하여 훨씬 더 높다.
3. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 본 발명의 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는, 매우 높은 안정성을 나타내며, 매우 긴 수명을 갖는 화합물을 유도한다.
4. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 이용하는 경우, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 광 손실 채널의 형성을 방지할 수 있다. 그 결과, 이러한 소자는 방사체의 높은 PL 효율 및 따라서 높은 EL 효율, 및 매트릭스에서 도펀트로의 탁월한 에너지 전달을 특징으로 한다.
5. 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자의 층에의, 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 사용은, 전자 전도체 구조체의 높은 이동도를 유도한다.
6. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는, 탁월한 열 안정성을 특징으로 하고, 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는 화합물은 양호한 승화성을 갖는다.
7. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는, 탁월한 유리 필름 형성을 갖는다.
8. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는, 용액으로부터 매우 양호한 필름을 형성한다.
9. 화학식 (I), 또는 상기 및 하기 기재된 바람직한 구현예의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는, 놀랍게도 높은 삼중항 준위 T1 을 갖고, 이는 특히 전자-전도성 재료로서 사용되는 화합물에 적용된다.
상기 언급된 이러한 이점은 다른 전자적 특성의 저하를 동반하지 않는다.
본 발명의 화합물 및 혼합물은 전자 소자에서의 사용에 적합하다. 전자 소자는 적어도 하나의 유기 화합물을 함유하는 층을 적어도 하나 함유하는 소자를 의미하는 것으로 이해된다. 구성성분은 또한 무기 재료 또는 다르게는 전적으로 무기 재료로 형성된 층을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은 나아가 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서의 본 발명의 화합물 및 혼합물의 용도를 제공한다.
본 발명은 나아가 전자 소자에서 정공 차단제 재료, 전자 주입 재료 및/또는 전자 수송 재료로서의, 본 발명의 화합물 및/또는 본 발명의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 용도를 제공한다.
본 발명은 나아가 상기 상술된 본 발명의 화합물 및 혼합물을 적어도 하나 포함하는 전자 소자를 제공한다. 이러한 경우, 화합물에 대하여 상기 상술된 바람직한 것들이 또한 전자 소자에 적용된다.
본 발명의 추가의 구현예에서, 본 발명의 유기 전계발광 소자는 임의의 별도의 정공 주입 층 및/또는 정공 수송 층 및/또는 정공 차단제 층 및/또는 전자 수송 층을 함유하지 않으며, 이는, 예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같이, 방사 층이 정공 주입 층 또는 애노드에 바로 인접해 있고/있거나, 방사 층이 전자 수송 층 또는 전자 주입 층 또는 캐소드에 바로 인접해 있다는 것을 의미한다. 또한, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방사 층에 바로 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서, 방사 층의 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 사용할 수 있다.
또한, 정공 차단제 또는 전자 수송 층에 본 발명의 화합물을 사용할 수 있다. 이는, 특히 카르바졸 구조를 갖지 않는 본 발명의 화합물에 적용된다. 이들은 바람직하게는 또한 하나 이상의 추가의 전자-수송기, 예를 들어 벤즈이미다졸기로 치환될 수 있다.
본 발명의 유기 전계발광 소자의 추가의 층에, 선행 기술에 따라 전형적으로 사용되는 바와 같은 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서, 당업자는, 창의력을 발휘하지 않고, 화학식 (I) 또는 바람직한 구현예에 따른 본 발명의 화합물과 조합으로, 유기 전계발광 소자에 대하여 공지된 임의의 재료를 사용할 수 있다.
본 발명의 화합물은 일반적으로 유기 전계발광 소자에서의 사용 시 매우 양호한 특성을 갖는다. 특히, 유기 전계발광 소자에서 본 발명의 화합물이 사용되는 경우, 수명은 선행 기술에 따른 유사한 화합물과 비교하여 유의하게 우수하다. 동시에, 유기 전계발광 소자의 추가의 특성, 특히 효율 및 전압은, 마찬가지로 보다 우수하거나, 적어도 필적한다.
본 발명에 기재된 구현예의 변형이 본 발명의 범위에 포함된다는 점이 지적되어야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 이것이 명백하게 배재되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적으로 제공되는 대안적인 특징과 교환될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 달리 언급되지 않는 한, 일반적인 시리즈의 예시로서 또는 동등하거나 유사한 특징으로서 간주되어야 한다.
본 발명의 모든 특징은, 특정한 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수 있다. 이는 특히 본 발명의 바람직한 특징에 적용된다. 동일하게, 비필수적인 조합의 특징은 별도로 (및 조합이 아닌 것으로) 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 다수의 특징, 및 특히 바람직한 구현예의 특징은, 그 자체가 본 발명이며, 단지 본 발명의 구현예의 일부로서 간주되어서는 안된다는 점이 지적되어야 한다. 이러한 특징에 대하여, 임의의 현재 청구된 본 발명에 대한 대안으로서 또는 이에 부가적으로 독립적인 보호가 추구될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추상화되고, 다른 예와 조합될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 상세하게 예시되지만, 이에 의해 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아니다.
당업자는 창의력을 발휘하지 않고, 제시된 상세한 설명을 사용하여, 본 발명의 추가의 전자 소자를 제조하고, 따라서 청구된 전체 범위에 걸쳐 본 발명을 실시할 수 있을 것이다.
실시예
달리 언급되지 않는 한, 하기 합성은 보호 기체 분위기 하에 무수 용매 중에서 수행하였다. 용매 및 시약은, 예를 들어 Sigma-ALDRICH 또는 ABCR 사에서 구입할 수 있었다. 문헌에 공지된 화합물의 경우, 각각의 경우 상응하는 CAS 번호를 또한 제시하였다.
합성예
a) 6-브로모-2-플루오로-2'-메톡시바이페닐
Figure pct00054
200 g (664 mmol) 의 1-브로모-3-플루오로-2-요오도벤젠, 101 g (664 mmol) 의 2-메톡시페닐보론산 및 137.5 g (997 mmol) 의 소듐 테트라보레이트를, 1000 ml 의 THF 및 600 ml 의 물에 용해시키고, 탈기시켰다. 9.3 g (13.3 mmol) 의 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 클로라이드 및 1 g (20 mmol) 의 히드라지늄 히드록사이드를 첨가하였다. 이어서, 반응 혼합물을 보호 기체 분위기 하 70℃ 에서 48 h 동안 교반하였다. 냉각된 용액에 톨루엔을 보충하고, 물로 반복적으로 세정하고, 건조시키고, 농축시켰다. 생성물을 톨루엔/헵탄 (1:2) 을 이용하여 실리카겔 상에서 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하였다. 수율: 155 g (553 mmol), 이론치의 83%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00055
b) 6'-브로모-2'-플루오로바이페닐-2-올
Figure pct00056
112 g (418 mmol) 의 6-브로모-2-플루오로-2'-메톡시바이페닐을 2 l 의 디클로로메탄에 용해시키고, 5℃ 까지 냉각시켰다. 41.01 ml (431 mmol) 의 보론 트리브로마이드를 상기 용액에 90 min 내에 적가하고, 혼합물을 밤새 교반하였다. 이어서, 혼합물을 물과 서서히 혼합하고, 유기 상을 물로 3 회 세정하고, Na2SO4 상에서 건조시키고, 회전식 증발기로 농축시키고, 크로마토그래피로 정제하였다. 수율: 104 g (397 mmol), 이론치의 98%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00057
c) 1-브로모디벤조푸란
Figure pct00058
111 g (416 mmol) 의 6'-브로모-2'-플루오로바이페닐-2-올을 2 l 의 DMF (최대 0.003% H2O) SeccoSolv® 에 용해시키고, 5℃ 까지 냉각시켰다. 20 g (449 mmol) 의 소듐 하이드라이드 (파라핀 오일 중 60% 현탁액) 를 이러한 용액에 분할하여 첨가하고, 첨가가 종결되면, 혼합물을 20 min 동안 교반한 후, 혼합물을 100℃ 까지 45 min 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 500 ml 의 에탄올을 혼합물에 서서히 첨가하고, 이를 회전식 증발기로 완전히 농축시킨 후, 크로마토그래피로 정제하였다. 수율: 90 g (367 mmol), 이론치의 88.5%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00059
d) 1-브로모-8-요오도디벤조푸란
Figure pct00060
20 g (80 mmol) 의 1-브로모디벤조푸란, 2.06 g (40.1 mmol) 의 요오드, 3.13 g (17.8 mmol) 의 요오드산, 80 ml 의 아세트산, 5 ml 의 황산, 5 ml 의 물 및 2 ml 의 클로로포름을, 65 ℃ 에서 3 h 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 혼합물을 물과 혼합하고, 침전된 고체를 흡입으로 여과해내고, 물로 3 회 세정하였다. 잔류물을 톨루엔 및 디클로로메탄/헵탄으로부터 재결정하였다. 수율은 이론치의 85% 에 상응하는, 25.6 g (68 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00061
e) 디벤조푸란-1-보론산
Figure pct00062
180 g (728 mmol) 의 1-브로모디벤조푸란을 1500 ml 의 무수 THF 에 용해시키고, -78℃ 까지 냉각시켰다. 이러한 온도에서, 305 ml (764 mmol/헥산 중 2.5 M) 의 n-부틸리튬을 약 5 min 내에 첨가한 후, 혼합물을 -78℃ 에서 추가 2.5 h 동안 교반하였다. 이러한 온도에서, 151 g (1456 mmol) 의 트리메틸 보레이트를 매우 빠르게 첨가하고, 반응액을 서서히 실온에 이르게 하였다 (약 18 h). 반응 용액을 물로 세정하고, 침전된 고체 및 유기 상을 톨루엔을 이용한 공비 건조 (azeotropic drying) 에 적용시켰다. 미정제 생성물을 교반하면서 약 40℃ 에서 톨루엔/메틸렌 클로라이드로부터 추출하고, 흡입으로 여과해내었다. 수율: 146 g (690 mmol), 이론치의 95%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00063
f) 4-바이페닐-4-일-2-클로로퀴나졸린
Figure pct00064
13 g (70 mmol) 의 바이페닐-4-보론산, 13.8 g (70 mmol) 의 2,4-디클로로퀴나졸린 및 14.7 g (139 mmol) 의 소듐 카르보네이트를, 200 ml 의 톨루엔, 52 ml 의 에탄올 및 100 ml 의 물에 현탁시켰다. 800 mg (0.69 mmol) 의 테트라키스페닐포스핀팔라듐(0) 을 상기 현탁액에 첨가하고, 반응 혼합물을 16 h 동안 환류 하에서 가열하였다. 냉각시킨 후, 유기 상을 제거하고, 실리카겔을 통해 여과하고, 200 ml 의 물로 3 회 세정한 후, 건조될 때까지 농축시켰다. 잔류물을 헵탄/디클로로메탄으로부터 재결정하였다. 수율은 이론치의 59% 에 상응하는, 13 g (41 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 수득하였다:
Figure pct00065
Figure pct00066
g) 2-디벤조푸란-1-일-4-페닐퀴나졸린
Figure pct00067
23 g (110.0 mmol) 의 디벤조푸란-1-보론산, 29.5 g (110.0 mmol) 의 2-클로로-4-페닐퀴나졸린 및 26 g (210.0 mmol) 의 소듐 카르보네이트를, 500 ml 의 에틸렌 글리콜 디아민 에테르 및 500 ml 의 물에 현탁시켰다. 이러한 현탁액에, 913 mg (3.0 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 및 이어서 112 mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 반응 혼합물을 환류 하에서 16 h 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 유기 상을 제거하고, 실리카겔을 통해 여과하고, 200 ml 의 물로 3 회 세정한 후, 건조될 때까지 농축시켰다. 잔류물을 톨루엔 및 디클로로메탄/헵탄으로부터 재결정하였다. 수율은 이론치의 80% 에 상응하는, 32 g (86 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00068
Figure pct00069
h) 2-(8-브로모디벤조푸란-1-일)-4-페닐퀴나졸린
Figure pct00070
70.6 g (190.0 mmol) 의 2-디벤조푸란-1-일-4-페닐퀴나졸린을 2000 ml 의 아세트산 (100%) 및 2000 ml 의 황산 (95-98%) 에 현탁시켰다. 상기 현탁액에 34 g (190 mmol) 의 NBS 를 첨가하고, 혼합물을 암실에서 2 시간 동안 교반하였다. 그 후, 물/얼음을 첨가하고, 고체를 제거하고, 에탄올로 세정하였다. 잔류물을 톨루엔으로부터 재결정하였다. 수율은 이론치의 69% 에 상응하는, 59 g (130 mmol) 이었다.
티오펜 유도체의 경우, NBS 대신 황산 및 원소 브롬보다, 니트로벤젠을 사용하였다:
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00071
Figure pct00072
j) 2-디벤조푸란-1-일-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진
Figure pct00073
23 g (110.0 mmol) 의 디벤조푸란-1-보론산, 29.5 g (110.0 mmol) 의 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 및 21 g (210.0 mmol) 의 소듐 카르보네이트를, 500 ml 의 에틸렌 글리콜 디아민 에테르 및 500 ml 의 물에 현탁시켰다. 상기 현탁액에, 913 mg (3.0 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 및 이어서 112 mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 반응 혼합물을 환류 하에서 16 h 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 유기 상을 제거하고, 실리카겔을 통해 여과하고, 200 ml 의 물로 3 회 세정한 후, 건조될 때까지 농축시켰다. 잔류물을 톨루엔 및 디클로로메탄/헵탄으로부터 재결정하였다. 수율은 이론치의 87% 에 상응하는, 37 g (94 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00074
Figure pct00075
i) 2-(8-브로모디벤조푸란-1-일)-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진
Figure pct00076
70 g (190.0 mmol) 의 2-디벤조푸란-1-일-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진을 2000 ml 의 아세트산 (100%) 및 2000 ml 의 황산 (95-98%) 에 현탁시켰다. 상기 현탁액에 34 g (190 mmol) 의 NBS 를 첨가하고, 혼합물을 암실에서 2 시간 동안 교반하였다. 그 후, 물/얼음을 첨가하고, 고체를 제거하고, 에탄올로 세정하였다. 잔류물을 톨루엔에서 재결정하였다. 수율은 이론치의 87% 에 상응하는, 80 g (167 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00077
티오펜 유도체의 경우, NBS 대신 황산 및 원소 브롬보다, 니트로벤젠을 사용하였다:
Figure pct00078
k) 2,4-디페닐-6-[8-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보롤란-2-일)-디벤조푸란-1-일]-[1,3,5]트리아진
Figure pct00079
500 ml 플라스크에서, 보호 기체 하에서, 60 g (125 mmol) 의 2-(8-브로모디벤조푸란-1-일)-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진을 39 g (1051 mmol) 의 비스(피나콜라토)디보란 (CAS 73183-34-3) 과 함께, 900 ml 의 무수 DMF 에 용해시키고, 혼합물을 30 분 동안 탈기시켰다. 이어서, 37 g (376 mmol) 의 포타슘 아세테이트 및 1.9 g (8.7 mmol) 의 팔라듐 아세테이트를 첨가하고, 혼합물을 80℃ 까지 밤새 가열하였다. 반응이 종결된 후, 혼합물을 300 ml 의 톨루엔으로 희석하고, 물로 추출하였다. 용매를 회전식 증발기 상에서 제거하고, 헵탄을 이용하여 재결정하였다. 수율: 61 g (117 mmol), 이론치의 94%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00080
Figure pct00081
l) 2,4-디페닐-6-[8-(2,4-디페닐-[1,3,5]트리아진-2-일)디벤조푸란-1-일]-[1,3,5]트리아진
Figure pct00082
68.7 g (110.0 mmol) 의 2,4-디페닐-6-[8-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보롤란-2-일)-디벤조푸란-1-일]-[1,3,5]트리아진, 29.3 g (110.0 mmol) 의 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 및 21 g (210.0 mmol) 의 소듐 카르보네이트를, 500 ml 의 에틸렌 글리콜 디아민 에테르 및 500 ml 의 물에 현탁시켰다. 상기 현탁액에, 913 mg (3.0 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 및 이어서 112 mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 반응 혼합물을 환류 하에서 16 h 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 유기 상을 제거하고, 실리카겔을 통해 여과하고, 200 ml 의 물로 3 회 세정한 후, 건조될 때까지 농축시켰다. 생성물을 톨루엔/CHCl3 (1:1) 을 이용하여 실리카겔 상에서 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하고, 최종적으로 고 진공 하에서 (p = 5 x 10-7 mbar) 승화시켰다 (99.9% 순도). 수율은 이론치의 74% 에 상응하는, 51 g (81 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00083
Figure pct00084
Figure pct00085
Figure pct00086
Figure pct00087
m) 1-[9-(4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진-2-일)-디벤조푸란-2-일]-1H-벤조이미다졸
Figure pct00088
보호 기체 하에서, 10 g (84.7 mmol) 의 벤즈이미다졸, 42 g (127.4 mmol) 의 CsCO3, 2.4 g (14.7 mmol) 의 CuI 및 30 g (63 mmol) 의 2-(8-브로모디벤조푸란-1-일)-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진을, 100 ml 의 탈기된 DMF 에 현탁시키고, 반응 혼합물을 환류 하에서 120℃ 에서 40 h 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 용매를 감압 하에서 제거하고, 잔류물을 디클로로메탄에 용해시키고, 물을 첨가하였다. 그 후, 유기 상을 제거하고, 실리카겔을 통해 여과하였다. 수율은 이론치의 86% 에 상응하는, 27.9 g (54 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00089
n) 1-[9-(4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진-2-일)-디벤조푸란-2-일]-3-페닐-1H-벤조이미다졸
Figure pct00090
보호 기체 하에서, 25.7 g (50 mmol) 의 1-[9-(4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진-2-일)-디벤조푸란-2-일]-1H-벤즈이미다졸, 560 mg (25 mmol) 의 Pd(OAc)2, 19.3 g (118 mmol) 의 CuI 및 20.8 g (100 mmol) 의 요오도벤젠을, 300 ml 의 탈기된 DMF 에 현탁시키고, 반응 혼합물을 환류 하에서 140℃ 에서 24 h 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 용매를 감압 하에서 제거하고, 잔류물을 디클로로메탄에 용해시키고,물을 첨가하였다. 그 후, 유기 상을 제거하고, 실리카겔을 통해 여과하였다. 생성물을 톨루엔/헵탄 (1:2) 을 이용하여 실리카겔 상에서 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하고, 최종적으로 고 진공 하에서 (p = 5 x 10-7 mbar) 승화시켰다 (99.9% 순도). 수율은 이론치의 63% 에 상응하는, 18.6 g (31 mmol) 이었다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조하였다:
Figure pct00091
OLED 의 제조
하기 실시예 C1 내지 I19 (표 1 및 2 참조) 에, 다양한 OLED 의 데이터가 제시되어 있다.
개선된 가공을 위하여, 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (산화인듐주석) 로 코팅된, 세척된 유리 플라크 (실험실용 유리 세정제, Merck Extran 세척제로 세척함) 를, 20 nm 의 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리(스티렌술포네이트), Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland 사에서 CLEVIOS™ P VP AI 4083 로서 구입함, 수용액으로부터 스핀된 것) 로 코팅하였다. 이러한 코팅된 유리 플라크로 기판을 형성하고, 여기에 OLED 를 적용하였다.
OLED 는 기본적으로 하기 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공 수송 층 (HTL) / 중간층 (IL) / 전자 차단제 층 (EBL) / 방사 층 (EML) / 임의적 정공 차단제 층 (HBL) / 전자 수송 층 (ETL) / 임의적 전자 주입 층 (EIL) 및 최종적으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층으로 형성되어 있다. OLED 의 정확한 구조는 표 1 에서 확인할 수 있다. OLED 의 제조에 필요한 재료는 표 3 에 제시되어 있다.
모든 재료를 진공 챔버에서 열 증기 증착에 의해 적용하였다. 이러한 경우, 방사 층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료), 및 동시 증발에 의해 특정한 부피비로 매트릭스 재료(들)에 첨가되는 방사성 도펀트 (방사체) 로 이루어진다. 여기서, INV-1:IC3:TEG1 (60%:35%:5%) 과 같은 형태로 제시되는 표현은, 재료 INV-1 이 60% 의 부피비로, IC3 이 35% 의 부피비로, TER1 이 5% 의 부피비로 층에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 가지 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 를 표준 방식으로 특징분석하였다. 이를 위하여, 외부 양자 효율 (EQE, 백분율 (%) 로 측정됨) 을 람버트 (Lambertian) 방사 특성을 가정하여 전류-전압-휘도 특성선 (IUL 특성선) 으로부터 계산된, 휘도의 함수로서 측정하였다. 표 2 의 파라미터 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 요구되는 전압을 나타낸다. 최종적으로, EQE1000 은 1000 cd/㎡ 의 작동 휘도에서의 외부 양자 효율을 나타낸다. 수명 LT 는, 일정한 전류에서 작동하는 동안 휘도가 초기 휘도에서 특정한 비율 L1 로 하락한 후의 시간으로서 정의된다. 표 X2 에서 L0;j0 = 4000 cd/㎡ 및 L1 = 70% 의 수치는, LT 컬럼에 보고된 수명이, 초기 휘도가 4000 cd/㎡ 에서 2800 cd/㎡ 로 하락한 후 시간에 해당한다는 것을 의미한다. 유사하게, L0;j0 = 20 mA/㎠, L1 = 80% 는, 20 mA/㎠ 에서 작동하는 동안 휘도가 LT 시간 후에 이의 초기 값의 80% 로 하락한다는 것을 의미한다.
다양한 OLED 에 대한 데이터를 표 2 에 요약하였다. 실시예 C1-C4 는 비교예이며, 선행 기술에 따른 재료를 함유하는 OLED 를 나타낸다. 실시예 I1-I19 는 본 발명의 재료를 포함하는 OLED 에 대한 데이터를 나타낸다.
본 발명의 화합물의 이점을 예시하기 위하여, 일부 실시예를 이하에서 상세하게 설명한다. 하지만, 이는 단지 표 2 에 제시된 데이터 중 선택된 것일 뿐이라는 점이 지적되어야 한다. 상기 표에서 추론될 수 있는 바와 같이, 구체적으로 상술되지 않은 본 발명의 화합물을 사용하는 경우에도, 일부 경우에는 모든 파라미터에 있어서 선행 기술에 비해 뚜렷한 개선이 달성되지만, 일부 경우에는 단지 효율, 전압 또는 수명에서의 개선만이 관찰된다. 하지만, 다양한 적용은 상이한 파라미터에 대한 최적화를 필요로 하기 때문에, 상기 언급된 파라미터 중 하나에서의 개선은 이미 유의한 진보이다.
전자 수송 재료로서의 본 발명의 화합물의 사용
실시예 및 비교예는, 본 발명의 치환이 다른 특성에 있어서의 유의한 손실을 감내하지 않으면서 전압 및 수명에 있어서의 뚜렷한 개선을 유도한다는 것을 보여준다.
재료 INV-7 이 ETL 에 사용되는 OLED 와 비교하여, 바람직한 재료 INV-2, INV-3, INV-4 및 INV-5 가 사용되는 경우, 일부의 경우 전압에 있어서의 약간의 개선이 관찰되고, 일부의 경우에는 또한 수명에 있어서의 개선이 관찰된다.
인광 OLED 에서의 매트릭스 재료로서의 본 발명의 화합물의 사용
실시예 및 비교예는, 본 발명의 치환이 다른 특성에 있어서의 유의한 손실을 감내하지 않으면서 전압 및 수명에 있어서의 뚜렷한 개선을 유도한다는 것을 보여준다.
재료 INV-6 이 EML 에 사용되는 OLED 와 비교하여, 바람직한 재료 INV-1, INV-2, INV-3 및 INV-4 가 사용되는 경우, 일부의 경우 전압 및 EQE 에 있어서는 약간의 개선이 관찰되지만, 특히 수명에 있어서는 유의한 개선이 관찰된다.
Figure pct00092
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
Figure pct00098
Figure pct00099
Figure pct00100

Claims (18)

  1. 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물:
    Figure pct00101

    [식 중, 사용된 기호는 하기와 같음:
    Y 는 O 또는 S 이고;
    X 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, 단, 하나의 사이클 내 X 기 중 2 개 이하는 N 이고, C 는 L2 기의 부착 부위이고;
    Q1, Q2 는 각각의 경우 독립적으로 전자-수송기이고;
    L1, L2 는 결합, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR2)2, CHO, C(=O)R2, CR2=C(R2)2, CN, C(=O)OR2, C(=O)N(R2)2, Si(R2)3, N(R2)2, NO2, P(=O)(R2)2, OSO2R2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들은 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비(非)인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이러한 시스템의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R1 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR3)2, CHO, C(=O)R3, CR3=C(R3)2, CN, C(=O)OR3, C(=O)N(R3)2, Si(R3)3, N(R3)2, NO2, P(=O)(R3)2, OSO2R3, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들은 각각 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이러한 시스템의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
    R3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 히드로카르빌 라디칼 (여기서 수소 원자는 또한 F 로 대체될 수 있음) 이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R3 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있음].
  2. 제 1 항에 있어서, 화학식 (II) 의 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00102

    [식 중,
    기호 X, Y, L1, L2, Q1 및 Q2 는 제 1 항에 제시된 정의를 가짐].
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 화학식 (Ia) 의 구조를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00103

    [식 중, 기호 Y, R1, L1, L2, Q1 및 Q2 는 제 1 항 또는 제 2 항에 상술된 정의를 갖고, q 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 임].
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 적어도 한 항에 있어서, Q1 및/또는 Q2 기가 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 이미다졸 및/또는 벤즈이미다졸의 군으로부터 선택되는 구조를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 적어도 한 항에 있어서, Q 기가 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 R1 은 제 1 항에 상기 제시된 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 적어도 한 항에 있어서, Q1 및/또는 Q2 기가 화학식 (Q-1), (Q-2) 및/또는 (Q-3) 의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00104

    [식 중, 기호 X 및 R1 은 제 1 항에 상기 제시된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시하고, Ar1 은 6 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아르알킬기이고, 여기서 둘 이상의 인접한 R1 및/또는 R2 치환기는 임의로 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있으며, R2 및 R3 은 제 1 항에 상기 제시된 정의를 가짐].
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 적어도 한 항에 있어서, Q1 및/또는 Q2 기가 화학식 (Q-4), (Q-5), (Q-6), (Q-7), (Q-8), (Q-9), (Q-10), (Q-11), (Q-12) 및/또는 (Q-13) 의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00105

    Figure pct00106

    [식 중, 기호 Ar1 및 R1 은 제 6 항에 상술된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시하고, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0 또는 1 임].
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 적어도 한 항에 있어서, Q1 및/또는 Q2 기가 화학식 (Q-14), (Q-15), (Q-16) 및/또는 (Q-17) 의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00107

    [식 중, 기호 Ar1 및 R1 은 제 6 항에 상술된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시하고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0 또는 1 임].
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 적어도 한 항에 있어서, Q1 및/또는 Q2 기가 화학식 (Q-18), (Q-19), (Q-20), (Q-21), (Q-22) (Q-23), (Q-24), (Q-25), (Q-26), (Q-27) 및/또는 (Q-28) 의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00108

    Figure pct00109

    [식 중, 기호 R1 은 제 1 항에 상술된 정의를 갖고, 점선으로 표시된 결합은 부착 위치를 표시함].
  10. 제 6 항 내지 제 8 항 중 적어도 한 항에 있어서, Ar1 이 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 R2 는 제 1 항에 제시된 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 적어도 한 항에 있어서, 임의의 카르바졸 및/또는 트리아릴아민기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 적어도 한 항에 있어서, 임의의 정공-수송기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 따른 하나 이상의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머에 대한 화합물의 하나 이상의 결합이 존재하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 따른 적어도 하나의 화합물 및/또는 제 13 항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 및 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, n-도펀트, 와이드 밴드 갭 (wide band gap) 재료, 전자 차단제 재료 및 정공 차단제 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 조성물.
  15. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 따른 적어도 하나의 화합물, 제 13 항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머 및/또는 제 14 항에 따른 적어도 하나의 조성물, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 제형.
  16. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물, 또는 제 13 항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 제조 방법으로서, 커플링 반응으로, 적어도 하나의 전자-수송기를 포함하는 화합물이 적어도 하나의 벤조푸란 및/또는 벤조티오펜 라디칼을 포함하는 화합물에 연결되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  17. 전자 소자에서 정공 차단제 재료, 전자 주입 재료 및/또는 전자 수송 재료로서의, 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물, 또는 제 13 항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 또는 제 14 항에 따른 조성물의 용도.
  18. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 따른 적어도 하나의 화합물, 또는 제 13 항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 또는 제 14 항에 따른 조성물을 포함하는 전자 소자로서, 바람직하게는 유기 전계발광 소자, 유기 집적 회로, 유기 전계효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 유기 광 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계 켄치 소자, 발광 전기화학 전지 및 유기 레이저 다이오드로 이루어진 군으로부터 선택되는 전자 소자.
KR1020187017906A 2016-04-11 2017-04-06 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물 KR20180133376A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237000272A KR20230010818A (ko) 2016-04-11 2017-04-06 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16164690 2016-04-11
EP16164690.6 2016-04-11
PCT/EP2017/058176 WO2017178311A1 (de) 2016-04-11 2017-04-06 Heterocyclische verbindungen mit dibenzofuran- und/oder dibenzothiophen-strukturen

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237000272A Division KR20230010818A (ko) 2016-04-11 2017-04-06 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180133376A true KR20180133376A (ko) 2018-12-14

Family

ID=55755359

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237000272A KR20230010818A (ko) 2016-04-11 2017-04-06 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물
KR1020187017906A KR20180133376A (ko) 2016-04-11 2017-04-06 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237000272A KR20230010818A (ko) 2016-04-11 2017-04-06 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20190165282A1 (ko)
EP (1) EP3442968A1 (ko)
JP (2) JP7444607B2 (ko)
KR (2) KR20230010818A (ko)
CN (1) CN108884087A (ko)
TW (2) TWI805547B (ko)
WO (1) WO2017178311A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190009704A (ko) * 2017-07-19 2019-01-29 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20190010474A (ko) * 2017-07-20 2019-01-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107848989B (zh) * 2016-07-20 2021-06-11 株式会社Lg化学 新杂环化合物和包含其的有机发光器件
KR101849747B1 (ko) 2016-07-20 2018-05-31 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR101885898B1 (ko) * 2016-11-16 2018-08-06 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102059242B1 (ko) * 2016-11-18 2019-12-24 주식회사 엘지화학 함질소 화합물 및 이를 포함하는 색변환 필름
KR101857703B1 (ko) * 2016-12-26 2018-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102016081B1 (ko) * 2017-04-27 2019-08-29 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
WO2019017734A1 (ko) * 2017-07-20 2019-01-24 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190070586A (ko) 2017-12-13 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 전자수송 재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드
WO2019132545A1 (ko) * 2017-12-27 2019-07-04 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102163072B1 (ko) * 2017-12-27 2020-10-07 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102044943B1 (ko) * 2018-05-28 2019-11-14 삼성에스디아이 주식회사 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111683947B (zh) * 2018-05-29 2024-02-09 株式会社Lg化学 杂环化合物及包含其的有机发光器件
KR102322698B1 (ko) * 2018-06-22 2021-11-09 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법
KR20200011873A (ko) * 2018-07-25 2020-02-04 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN110818696A (zh) * 2018-08-09 2020-02-21 昱镭光电科技股份有限公司 苯并咪唑化合物及其有机电子装置
KR102231624B1 (ko) * 2018-09-04 2021-03-24 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2020050622A1 (ko) * 2018-09-04 2020-03-12 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN112088159B (zh) * 2018-10-04 2023-10-03 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光元件
WO2020080693A1 (en) * 2018-10-17 2020-04-23 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and organic electroluminescent device comprising the same
TWI702207B (zh) * 2018-11-02 2020-08-21 昱鐳光電科技股份有限公司 芳胺化合物及其有機電激發光裝置
KR102392658B1 (ko) * 2019-05-23 2022-04-29 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
WO2020251031A1 (ja) 2019-06-13 2020-12-17 三菱ケミカル株式会社 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、表示装置及び照明装置
CN110256412B (zh) * 2019-06-27 2022-04-05 武汉天马微电子有限公司 一种化合物、有机电致发光器件及显示装置
CN110317187B (zh) * 2019-07-26 2022-01-14 北京燕化集联光电技术有限公司 一种有机主体材料及其制备方法与应用
WO2021052921A1 (de) 2019-09-19 2021-03-25 Merck Patent Gmbh Mischung von zwei hostmaterialien und organische elektrolumineszierende vorrichtung damit
KR102275039B1 (ko) * 2019-10-08 2021-07-08 엘티소재주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
KR20210071602A (ko) * 2019-12-06 2021-06-16 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN111072637B (zh) * 2019-12-27 2023-04-07 吉林奥来德光电材料股份有限公司 有机发光化合物、其制备方法及有机发光器件
CN113497198A (zh) 2020-04-06 2021-10-12 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 有机电致发光化合物、多种主体材料和包含其的有机电致发光装置
CN113061127A (zh) * 2021-03-26 2021-07-02 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种有机电致发光材料及其应用
KR20240012506A (ko) 2021-05-21 2024-01-29 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 하나의 기능성 물질의 연속 정제 방법 및 적어도 하나의 기능성 물질의 연속 정제를 위한 디바이스
CN113388852B (zh) * 2021-07-26 2022-07-15 河南师范大学 电化学脱氢偶联合成多取代吡啶并[1,2-e]嘌呤类化合物的方法

Family Cites Families (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
DE4111878A1 (de) 1991-04-11 1992-10-15 Wacker Chemie Gmbh Leiterpolymere mit konjugierten doppelbindungen
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
JPH07133483A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子用有機発光材料及びｅｌ素子
EP0676461B1 (de) 1994-04-07 2002-08-14 Covion Organic Semiconductors GmbH Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
DE4436773A1 (de) 1994-10-14 1996-04-18 Hoechst Ag Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
CN1229415C (zh) 1995-07-28 2005-11-30 陶氏环球技术公司 2,7－芳基－9－取代的芴和9－取代的芴的低聚物和聚合物
DE19614971A1 (de) 1996-04-17 1997-10-23 Hoechst Ag Polymere mit Spiroatomen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
DE19652261A1 (de) 1996-12-16 1998-06-18 Hoechst Ag Arylsubstituierte Poly(p-arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektroluminszenzbauelementen
DE19846766A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Aventis Res & Tech Gmbh & Co Konjugierte Polymere, enthaltend spezielle Fluorenbausteine mit verbesserten Eigenschaften
US6166172A (en) 1999-02-10 2000-12-26 Carnegie Mellon University Method of forming poly-(3-substituted) thiophenes
EP1729327B2 (en) 1999-05-13 2022-08-10 The Trustees Of Princeton University Use of a phosphorescent iridium compound as emissive molecule in an organic light emitting device
JP4357781B2 (ja) 1999-12-01 2009-11-04 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機ｌｅｄ用燐光性ドーパントとしての式ｌ２ｍｘの錯体
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
CN101924190B (zh) 2000-08-11 2012-07-04 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
US7294849B2 (en) 2001-03-14 2007-11-13 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
GB0226010D0 (en) 2002-11-08 2002-12-18 Cambridge Display Tech Ltd Polymers for use in organic electroluminescent devices
DE10304819A1 (de) 2003-02-06 2004-08-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Carbazol-enthaltende konjugierte Polymere und Blends, deren Darstellung und Verwendung
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101162933B1 (ko) 2003-04-15 2012-07-05 메르크 파텐트 게엠베하 매트릭스 재료 및 방출 가능 유기 반도체의 혼합물, 그의 용도 및 상기 혼합물을 함유하는 전자 부품
WO2004095891A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置
EP1491568A1 (en) 2003-06-23 2004-12-29 Covion Organic Semiconductors GmbH Semiconductive Polymers
DE10328627A1 (de) 2003-06-26 2005-02-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialien für die Elektrolumineszenz
DE10333232A1 (de) 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10337346A1 (de) 2003-08-12 2005-03-31 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte Polymere enthaltend Dihydrophenanthren-Einheiten und deren Verwendung
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
EP1675930B1 (de) 2003-10-22 2018-05-30 Merck Patent GmbH Neue materialien für die elektrolumineszenz und deren verwendung
JP2007512692A (ja) 2003-11-25 2007-05-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセンス素子
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
DE102004020298A1 (de) 2004-04-26 2005-11-10 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektrolumineszierende Polymere und deren Verwendung
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US7598388B2 (en) 2004-05-18 2009-10-06 The University Of Southern California Carbene containing metal complexes as OLEDs
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
ITRM20040352A1 (it) 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
EP1669386A1 (de) 2004-12-06 2006-06-14 Covion Organic Semiconductors GmbH Teilkonjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung
US8674141B2 (en) 2005-05-03 2014-03-18 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescent device and boric acid and borinic acid derivatives used therein
DE102005037734B4 (de) 2005-08-10 2018-02-08 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende Polymere, ihre Verwendung und bifunktionelle monomere Verbindungen
WO2007063754A1 (ja) 2005-12-01 2007-06-07 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4388590B2 (ja) 2006-11-09 2009-12-24 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
KR101118808B1 (ko) 2006-12-28 2012-03-22 유니버셜 디스플레이 코포레이션 긴 수명의 인광 유기 발광 소자(ｏｌｅｄ) 구조체
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US7862908B2 (en) 2007-11-26 2011-01-04 National Tsing Hua University Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use
WO2009069442A1 (ja) 2007-11-26 2009-06-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
KR101523124B1 (ko) 2008-06-05 2015-05-26 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008036247A1 (de) 2008-08-04 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Elektronische Vorrichtungen enthaltend Metallkomplexe
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102008048336A1 (de) 2008-09-22 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Einkernige neutrale Kupfer(I)-Komplexe und deren Verwendung zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen
KR101506919B1 (ko) 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
JP5701766B2 (ja) 2008-11-11 2015-04-15 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセント素子
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008057050B4 (de) 2008-11-13 2021-06-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008057051B4 (de) 2008-11-13 2021-06-17 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009011223A1 (de) 2009-03-02 2010-09-23 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009013041A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009014513A1 (de) 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009041414A1 (de) 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009048791A1 (de) 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009057167A1 (de) 2009-12-05 2011-06-09 Merck Patent Gmbh Elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102010012738A1 (de) 2010-03-25 2011-09-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102010019306B4 (de) 2010-05-04 2021-05-20 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN102939296B (zh) 2010-06-15 2016-02-10 默克专利有限公司 金属络合物
DE102010027317A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP6007467B2 (ja) * 2010-07-27 2016-10-12 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、
DE102010048608A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2699571B1 (de) 2011-04-18 2018-09-05 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5987281B2 (ja) * 2011-08-24 2016-09-07 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR102021162B1 (ko) 2011-11-01 2019-09-11 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자
EP2752902B9 (en) 2011-11-22 2017-08-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd Aromatic heterocyclic derivative, material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element
KR102191024B1 (ko) 2012-04-10 2020-12-14 에스에프씨 주식회사 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR101474713B1 (ko) * 2012-05-30 2014-12-23 주식회사 알파켐 신규한 전자 수송 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US9837622B2 (en) 2012-07-13 2017-12-05 Merck Patent Gmbh Metal complexes
EP2875004B1 (de) 2012-07-23 2018-07-18 Merck Patent GmbH Fluorene und elektronische vorrichtungen, die sie enthalten
US10991892B2 (en) * 2012-07-23 2021-04-27 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
US11917901B2 (en) 2012-08-07 2024-02-27 Udc Ireland Limited Metal complexes
CN113943306A (zh) * 2012-09-20 2022-01-18 Udc 爱尔兰有限责任公司 供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件
JP6230868B2 (ja) * 2012-10-22 2017-11-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104870459B (zh) 2012-12-21 2018-06-26 默克专利有限公司 金属络合物
WO2014094960A1 (de) 2012-12-21 2014-06-26 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP6342419B2 (ja) 2012-12-21 2018-06-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセント素子のための材料
WO2015140073A1 (en) * 2014-03-17 2015-09-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. New dibenzofurans and dibenzothiophenes
CN106459018B (zh) * 2014-05-05 2022-01-25 默克专利有限公司 用于有机发光器件的材料
CN106661006B (zh) * 2014-07-29 2019-11-08 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
KR101694487B1 (ko) * 2014-10-24 2017-01-11 (주)위델소재 퀴녹살린 유도체 화합물, 피리도피라진 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자
KR102266693B1 (ko) * 2014-10-31 2021-06-21 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2016198144A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190009704A (ko) * 2017-07-19 2019-01-29 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20190010474A (ko) * 2017-07-20 2019-01-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190010475A (ko) * 2017-07-20 2019-01-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190010476A (ko) * 2017-07-20 2019-01-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US11518769B2 (en) 2017-07-20 2022-12-06 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compounds and organic light emitting device using the same
US11578076B2 (en) 2017-07-20 2023-02-14 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device using the same
US11840538B2 (en) 2017-07-20 2023-12-12 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compounds and organic light emitting device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20190165282A1 (en) 2019-05-30
KR20230010818A (ko) 2023-01-19
JP7444607B2 (ja) 2024-03-06
JP2022068199A (ja) 2022-05-09
JP2019513833A (ja) 2019-05-30
EP3442968A1 (de) 2019-02-20
TW201803855A (zh) 2018-02-01
WO2017178311A1 (de) 2017-10-19
TW202340153A (zh) 2023-10-16
CN108884087A (zh) 2018-11-23
TWI805547B (zh) 2023-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI805547B (zh) 具有二苯并呋喃及／或二苯并噻吩結構之雜環化合物
CN109689658B (zh) 具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的化合物
TWI776260B (zh) 雜環螺化合物
CN109790173B (zh) 具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的咔唑
CN107108623B (zh) 具有二苯并氮杂卓结构的杂环化合物
KR102402723B1 (ko) 스피로바이플루오렌-구조를 갖는 화합물
CN107108589B (zh) 具有两个二苯并呋喃或二苯并噻吩取代基的咔唑
KR20170084318A (ko) 전자 디바이스에서의 사용을 위한 복소환 화합물
KR102625926B1 (ko) 카르바졸 유도체
CN107849016B (zh) 具有芴结构的化合物
KR20210068054A (ko) 유기 전자 디바이스에서 활성 화합물로 사용될 수 있는 화합물
KR20190047014A (ko) 카르바졸 구조를 갖는 화합물
KR20210065972A (ko) 입체 장애 함질소 헤테로방향족 화합물의 제조 방법
KR20200101387A (ko) 전자 디바이스에서 이용하기 위한 복소환 화합물
KR102468446B1 (ko) 스피로바이플루오렌-구조를 갖는 화합물
KR102596593B1 (ko) 전자 디바이스를 위한 헥사시클릭 헤테로방향족 화합물
KR20210088629A (ko) 유기 전자 디바이스에서 사용될 수 있는 화합물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination