KR20190112853A - 유기 전계발광 소자 - Google Patents

유기 전계발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20190112853A
KR20190112853A KR1020197028343A KR20197028343A KR20190112853A KR 20190112853 A KR20190112853 A KR 20190112853A KR 1020197028343 A KR1020197028343 A KR 1020197028343A KR 20197028343 A KR20197028343 A KR 20197028343A KR 20190112853 A KR20190112853 A KR 20190112853A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
ring
atom
general formula
integer
Prior art date
Application number
KR1020197028343A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102140247B1 (ko
Inventor
히로오 다키자와
사키 다카다
에이지 후쿠자키
Original Assignee
유디씨 아일랜드 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 유디씨 아일랜드 리미티드 filed Critical 유디씨 아일랜드 리미티드
Priority to KR1020207021860A priority Critical patent/KR102314519B1/ko
Publication of KR20190112853A publication Critical patent/KR20190112853A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102140247B1 publication Critical patent/KR102140247B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/0085—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/06—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom
    • C07D213/16—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom containing only one pyridine ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/24—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms
    • C07D213/26—Radicals substituted by halogen atoms or nitro radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/24—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms
    • C07D213/54—Radicals substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C07D213/57—Nitriles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/60—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D213/61—Halogen atoms or nitro radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/60—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D213/78—Carbon atoms having three bonds to hetero atoms, with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C07D213/79—Acids; Esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D215/00—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems
    • C07D215/02—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D215/04—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, directly attached to the ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D217/00—Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems
    • C07D217/02—Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems with only hydrogen atoms or radicals containing only carbon and hydrogen atoms, directly attached to carbon atoms of the nitrogen-containing ring; Alkylene-bis-isoquinolines
    • C07D217/06—Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems with only hydrogen atoms or radicals containing only carbon and hydrogen atoms, directly attached to carbon atoms of the nitrogen-containing ring; Alkylene-bis-isoquinolines with the ring nitrogen atom acylated by carboxylic or carbonic acids, or with sulfur or nitrogen analogues thereof, e.g. carbamates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D221/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00
    • C07D221/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00 condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D221/04—Ortho- or peri-condensed ring systems
    • C07D221/06—Ring systems of three rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/56—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms
    • C07D233/60—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms with hydrocarbon radicals, substituted by oxygen or sulfur atoms, attached to ring nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D263/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings
    • C07D263/52—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D263/62—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems having two or more ring systems containing condensed 1,3-oxazole rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/06—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing only aliphatic carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System compounds of the platinum group
    • C07F15/0033—Iridium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System compounds of the platinum group
    • C07F15/0086—Platinum compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/10—Metal complexes of organic compounds not being dyes in uncomplexed form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0087—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/361—Polynuclear complexes, i.e. complexes comprising two or more metal centers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C09K2211/1051—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms with sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/187—Metal complexes of the iron group metals, i.e. Fe, Co or Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/188—Metal complexes of other metals not provided for in one of the previous groups
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Abstract

본 발명의 목적은 높은 발광 효율 (예를 들어, 외부 양자 효율) 및 고내구성을 갖고 소자 열화 후의 색도 이동이 적은 유기 전계발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 유기 전계발광 소자는 기판 상에 한 쌍의 전극과, 그 전극 간에 하나 이상의 유기층을 갖는 유기 전계발광 소자로서, 유기층이 발광층을 함유하고, 유기층 중 어느 한 층이, 예를 들어, 하기 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 유기 전계발광 소자이다:
Figure pat00136
.

Description

유기 전계발광 소자 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 전기 에너지를 빛으로 전환하여 발광할 수 있는 발광 소자에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 본 발명은 유기 전계발광 소자 (발광 소자 또는 EL 소자) 에 관한 것이다.
유기 전계발광 (EL) 소자는 저전압으로 고휘도 강도 발광을 얻을 수 있기 때문에 유망한 표시 소자로서 주목받고 있다. 이 유기 전계발광 소자의 중요한 특성 값은 소비 전력이다. 소비 전력은 전압과 전류의 곱으로 표시되며, 원하는 밝기를 얻는데 필요한 전압치가 낮을수록, 전류치가 작을수록, 소자의 소비 전력은 감소될 수 있다.
유기 전계발광 소자의 제조에 있어서, 한 쌍의 전극 간에 설치되는 유기층인 박막을 형성하는 방법으로서, 증착법 예컨대 진공 증착, 및 습식법 예컨대 스핀 코팅 (spin coating) 법, 인쇄법 및 잉크젯 (inkjet) 법이 행해지고 있다.
이들 중에서, 습식법을 사용하는 경우, 증착과 같은 건식법으로는 증착이 곤란한 유기 화합물 중합체를 사용할 수 있고, 플렉서블 디스플레이 (flexible display) 등에 사용하는 경우, 습식법은 자유도 및 막 강도와 같은 내구성의 면에서 적합하고, 특히 대면적 소자를 제작하는 경우에 바람직하다.
그러나, 습식법에 의해 얻어지는 유기 전계발광 소자는 발광 효율 또는 소자 내구성이 불량하다는 문제를 갖는다.
근래, 인광성 재료를 사용함으로써 소자 효율이 점차 증가되고 있다. 인광성 재료로서는, 이리듐 착물, 백금 착물 등이 알려져 있지만 (참조, 예를 들어, JP-A-2001-247859 및 JP-A-2007-19462), 고효율 및 고내구성을 모두 만족시키는 소자는 아직 개발되지 않았다.
또한, 소자의 고효율 및 저전압을 실현할 수 있는 재료를 얻으려는 시도로 특정 위치에서 특정 종류의 알킬기로 치환한 특정 인광 재료를 발광 재료로서 이용한 유기 EL 소자가 보고되었다 (참조, 예를 들어, JP-A-2008-210941 및 US 2008-0297033). JP-A-2008-210941 에서, 시클로프로필기를 치환기로서 갖는 화합물을 함유하는 유기 EL 소자가 기재되어 있지만, 발광 양자 효율, 구동 전압 및 내구성의 면에서 불충분하여, 더 많은 개선이 요구되고 있다.
또, 종래의 소자는 때로 소자 열화 후 색도 이동을 야기하며, 이 점에서도 개선이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 고효율 및 고내구성을 갖고 소자 열화 후의 색도 이동이 적은 유기 전계발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 또다른 목적은 소자에 이용하기에 적합한, 특정 알킬기를 갖는 인광 재료를 제공하는 것이다.
이들 목적은 하기 기술에 의해 달성되었다.
[1]
기판 상에 한 쌍의 전극과, 그 전극 간에 하나 이상의 유기층을 갖는 유기 전계발광 소자로서, 유기층이 발광층을 함유하고,
유기층 중 어느 한 층이 하기 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00001
(일반식 (I) 에서, R1 은 알킬기를 나타내고, 각각의 R2 및 R3 은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, n 은 0 내지 6 의 정수를 나타내고, Z 는 포화 5- 내지 8-원 고리를 나타냄).
[2]
[1] 에 있어서, 일반식 (I) 에서 n 이 1 내지 3 의 정수를 나타내는 유기 전계발광 소자.
[3]
*[1] 또는 [2] 에 있어서, 일반식 (I) 에서 n 이 1 인 유기 전계발광 소자.
[4]
[1] 내지 [3] 중 어느 하나에 있어서, 일반식 (I) 에서 각각의 R2 및 R3 이 수소 원자를 나타내는 유기 전계발광 소자.
[5]
[1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 일반식 (I) 에서 Z 가 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기를 나타내는 유기 전계발광 소자.
[6]
[1] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물이 하기 일반식 (1) 로 표시되는 금속 착물인 유기 전계발광 소자:
Figure pat00002
(일반식 (1) 에서, M11 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, A11 은 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, X11 은 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환 질소 원자 또는 단일결합을 나타내고, Y11 은 연결기 또는 단일결합을 나타내고, L11 은 X11 에 결합된 원자를 갖는 부분 구조를 나타내고, Z11 은 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, 각각의 L12 및 L13 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E11 은 L12 및 L13 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, S11 은 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, n 은 1 내지 4 의 정수를 나타내고, 각각의 S11 은 다른 S11 과 동일 또는 상이할 수 있음).
[7]
[6] 에 있어서, 일반식 (1) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물인 유기 전계발광 소자:
Figure pat00003
(일반식 (2) 에서, M21 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 A21 내지 A23 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, Z21 은 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, Z22 는 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 각각의 L22 및 L23 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E21 은 L22 및 L23 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S21 및 S22 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S21 또는 S22 는 다른 S21 또는 S22 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[8]
[7] 에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (4) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00004
(일반식 (4) 에서, M41 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R43 내지 R46 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B41 내지 B44 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R47 을 나타내고, R47 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R47 은 다른 R47 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L42 및 L43 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E41 은 L42 및 L43 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S41 및 S42 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S41 또는 S42 는 다른 S41 또는 S42 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[9]
[8] 에 있어서, 일반식 (4) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (5) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00005
(일반식 (5) 에서, M51 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R53 내지 R59 및 R510 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L52 및 L53 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E51 은 L52 및 L53 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S51 및 S52 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S51 또는 S52 는 다른 S51 또는 S52 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[10]
[7] 에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (7) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00006
(일반식 (7) 에서, M71 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R73 내지 R76 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 A71 및 A72 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D71 내지 D73 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D71 내지 D73, A71 및 A72 에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D71 내지 D73 은 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, 각각의 L72 및 L73 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E71 은 L72 및 L73 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S71 및 S72 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S71 또는 S72 는 다른 S71 또는 S72 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[11]
[7] 에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (9) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
*
Figure pat00007
(일반식 (9) 에서, M91 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R93 및 R94 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R95 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B91 내지 B94 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R96 을 나타내고, R96 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R96 은 다른 R96 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L92 및 L93 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E91 은 L92 및 L93 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S91 및 S92 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S91 또는 S92 는 다른 S91 또는 S92 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[12]
[7] 에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (12) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00008
(일반식 (12) 에서, M121 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R123 내지 R125 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B121 내지 B124 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R126 을 나타내고, R126 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R126 은 다른 R126 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L122 및 L123 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E121 은 L122 및 L123 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S121 및 S122 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S121 또는 S122 는 다른 S121 또는 S122 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[13]
[6] 에 있어서, 일반식 (1) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (13) 으로 표시되는 금속 착물인 유기 전계발광 소자:
Figure pat00009
(일반식 (13) 에서, 각각의 A131 및 A132 는 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 Y131 및 Y132 는 연결기 또는 단일결합을 나타내고, 각각의 L131 및 L132 는 Pt 에 결합된 원자를 갖는 부분 구조를 나타내고, 각각의 Z131 및 Z132 는 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, 각각의 X131 및 X132 는 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환 질소 원자 또는 단일결합을 나타내고, E131 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S131 및 S132 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S131 또는 S132 는 다른 S131 또는 S132 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[14]
[13] 에 있어서, 일반식 (13) 으로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (14) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00010
(일반식 (14) 에서, 각각의 A141 내지 A146 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 Z141 및 Z142 는 독립적으로 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, 각각의 Z143 및 Z144 는 독립적으로 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, E141 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S141 내지 S144 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S141, S142, S143 또는 S144 는 다른 S141, S142, S143 또는 S144 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[15]
[14] 에 있어서, 일반식 (14) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (15) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00011
(일반식 (15) 에서, 각각의 A151 내지 A154 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 R153 내지 R158 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 Z151 및 Z152 는 독립적으로 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, E151 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S151 내지 S154 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S151, S152, S153 또는 S154 는 다른 S151, S152, S153 또는 S154 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[16]
[14] 에 있어서, 일반식 (14) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (18) 로 표시되는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00012
(일반식 (18) 에서, 각각의 A181 내지 A186 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D181 내지 D184 는 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D181, D182, A181, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D183, D184, A184, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D181 내지 D184 는 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, 각각의 Z181 및 Z182 는 독립적으로 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, E181 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S181 내지 S184 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S181, S182, S183 또는 S184 는 다른 S181, S182, S183 또는 S184 와 동일 또는 상이할 수 있음).
[17]
[1] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물이 하기 일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드 및 원자량이 40 이상인 금속을 함유하는 인광성 금속 착물인 유기 전계발광 소자:
Figure pat00013
Figure pat00014
(일반식 (A1) 내지 (A4) 에서, 각각의 E1a 내지 E1q 는 독립적으로 탄소 원자 또는 헤테로원자를 나타내고, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 각각의 구조는 π-전자가 총 18 개인 구조를 가짐).
[18]
[17] 에 있어서, 인광성 금속 착물이 하기 일반식 (A1-3) 또는 (A3-3) 으로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드 및 원자량이 40 이상인 금속을 함유하는 유기 전계발광 소자:
Figure pat00015
Figure pat00016
(일반식 (A1-3) 내지 (A3-3) 에서, 각각의 E1f 내지 E1k 는 독립적으로 탄소 원자 또는 헤테로원자를 나타내고, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 일반식 (A1-3) 및 (A3-3) 으로 표시되는 각각의 구조는 π-전자가 총 18 개인 구조를 가짐).
[19]
[18] 에 있어서, 인광성 금속 착물이 하기 일반식 (A9) 로 표시되는 이리듐 착물인 유기 전계발광 소자:
Figure pat00017
(일반식 (9) 에서, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, X-Y 는 모노음이온성 두자리 리간드를 나타내고, n 은 1 내지 3 의 정수를 나타냄).
[20]
[1] 내지 [19] 중 어느 하나에 있어서, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물이 발광층에 함유되어 있는 유기 전계발광 소자.
[21]
[1] 내지 [20] 중 어느 하나에 있어서, 카르바졸 또는 인돌 구조-함유 재료가 유기층 중 임의의 하나에 추가로 함유되어 있는 유기 전계발광 소자.
[22]
[1] 내지 [21] 중 어느 하나에 있어서, 카르바졸 또는 인돌 구조-함유 재료가 발광층에 추가로 함유되어 있는 유기 전계발광 소자.
[23]
[1] 에서의 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 조성물.
[24]
[1] 에서의 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 발광층.
[25]
[1] 내지 [22] 중 어느 하나에 따른 유기 전계발광 소자를 이용한 발광 장치.
[26]
[1] 내지 [22] 중 어느 하나에 따른 유기 전계발광 소자를 이용한 표시 장치.
[27]
[1] 내지 [22] 중 어느 하나에 따른 유기 전계발광 소자를 이용한 조명 장치.
본 발명의 유기 전계발광 소자는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유한다. 이러한 구성에 의해, 높은 발광 효율 (예를 들어, 외부 양자 효율) 및 고내구성을 갖고 소자 열화 후의 색도 이동이 적은 유기 전계발광 소자 (본 명세서에서, 이 용어는 "본 발명의 소자" 와 동일한 의미로 사용됨) 가 제공될 수 있다. 또한, 소자의 긴 수명이 실현될 수 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 구성의 일례를 보여주는 개략도이다.
도 2 는 본 발명에 따른 발광 장치의 일례를 보여주는 개략도이다.
도 3 은 본 발명에 따른 조명 장치의 일례를 보여주는 개략도이다.
도 4 는 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자에 포함되는 금속 착물의 일반식이다.
본 발명의 유기 전계발광 소자는 기판 상에 한 쌍의 전극과, 그 전극 간에 하나 이상의 유기층을 갖는 유기 전계발광 소자로서, 유기층이 발광층을 함유하고, 유기층 중 어느 한 층이 하기 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 유기 전계발광 소자이다:
Figure pat00018
(식에서, R1 은 알킬기를 나타내고, 각각의 R2 및 R3 은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, n 은 0 내지 6 의 정수를 나타내고, Z 는 포화 5- 내지 8-원 고리를 나타냄).
일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물은 그것의 호변이성체를 포함하며, 특정 포화 고리기를 함유하는 기를 갖는 금속 착물이다. 통상, 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리 상에서 2급 또는 3급 탄소로 치환되어 있는 경우, 여기 상태로부터의 수소 이탈 반응 또는 이량체화 반응이 일어나서, 소자 수명이 감소되는 것으로 여겨져 왔다. 그러나, 입체적으로 벌키한 기를 도입하면 발광 재료의 반응 자리가 공간적으로 분리되어, 금속 착물의 수소 이탈 반응 또는 이량체화 반응이 억제되고 소자 수명이 연장될 것으로 예상된다.
특히, 리간드인 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리 상에서 포화 5- 내지 8-원 고리기에 4급 탄소가 있는 포화 고리기를 함유하는 기로 치환되어 있는 본 발명의 금속 착물을 발광 재료로서 이용한 유기 전계발광 소자에 있어서, 포화 고리기는 입체적으로 벌키하지만 동일한 수의 원자를 골격으로 갖는 사슬기에 비해 더욱 조밀하고 강직하게 조직되어 있다. 따라서, 적당한 분자간 거리를 유지하면서도 막 상태가 어떠한 형태로도 변화하여, 분자 배열의 질서도가 증가되는 것으로 여겨지며, 그 결과, 상기 금속 착물을 이용한 소자에서 전류가 흐르기 쉬워지고, 소자 효율의 향상 및 구동 전압의 감소와 같은 효과가 얻어진다.
또한, 구동시 막 구조가 안정적이므로, 상기 금속 착물이 내구성의 향상에도 기여할 수 있는 것으로 추정된다.
또한, 일반식 (I) 로 표시되는 기인 포화 고리기가 치환 또는 비치환 메틸렌 기를 통해 리간드에 연결되어 있는 구현예에서, 일반식 (I) 로 표시되는 기의 자유도가 증가되고, 종래의 알킬기-치환된 인광성 재료에 비해 발광 재료의 유기층에의 분산성이 향상되고, 그 결과, 발광 재료 분자 사이의 상호작용이 억제된다. 이러한 향상된 분산성 및 감소된 상호작용이 소자 효율을 더욱 향상시키고 소자 열화시 색도 이동의 감소 효과를 쉽게 얻게 하는 것으로 추정된다.
자유도가 높은 일반식 (I) 로 표시되는 기가 도입된 구현예에 따르면, 인광성 재료의 유기 용매 중에의 용해성이 증가될 수 있고, 고농도 용액이 제조될 수 있다. 고농도 용액을 이용하는 도포 공정은 막 균질성의 향상 및 불순물 (용존 산소, 물) 의 감소에 유리하며, 습식법으로 제작된 소자의 향상된 효율 및 긴 수명이 실현될 수 있다.
R1 은 알킬기를 나타낸다. 여기에서, R1 은 치환될 수 있는 또는 선형 또는 분지형일 수 있는 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12, 더욱 바람직하게는 1 내지 6 인 알킬기를 나타낸다. R1 은 바람직하게는 비치환 알킬기, 더욱 바람직하게는 비치환 선형 알킬기, 더욱더 바람직하게는 메틸기 또는 에틸기, 가장 바람직하게는 메틸기이다.
각각의 R2 및 R3 은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. 여기에서, 각각의 R2 및 R3 은 독립적으로 수소 원자, 또는 치환될 수 있는 또는 선형 또는 분지형일 수 있는 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12, 더욱 바람직하게는 1 내지 6 인 알킬기를 나타낸다. 각각의 R2 및 R3 은 바람직하게는 수소 원자 또는 비치환 알킬기, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 비치환 선형 알킬기, 더욱더 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기, 또 더욱더 바람직하게는 수소 원자이다.
n 은 0 내지 6 의 정수를 나타내고, n 은 바람직하게는 1 내지 6 의 정수, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 의 정수, 또 더욱더 바람직하게는 1 이다.
n 이 1 이상인 경우, 일반식 (I) 로 표시되는 기의 자유도가 증가되고 발광 재료의 유기층에의 분산성이 향상되고, 그 결과, 발광 재료 분자 사이의 상호작용이 억제된다. 이러한 향상된 분산성 및 감소된 상호작용이 소자 효율을 향상시키고 소자 열화시 색도 이동의 감소 효과를 쉽게 얻게 하는 것으로 여겨진다.
Z 는 C 와 함께 포화 5- 내지 8-원 고리, 더욱 바람직하게는 5- 또는 6-원 고리를 나타낸다. Z 로 표시되는 포화 5- 내지 8-원 고리는 바람직하게는 탄소 원자, 수소 원자, 산소 원자, 질소 원자 및 황 원자로 형성되고, 더욱 바람직하게는 탄소 원자, 수소 원자 및 산소 원자로 형성되고, 더욱더 바람직하게는 탄소 원자 및 수소 원자로 형성된다.
Z 로 표시되는 포화 5- 내지 8-원 고리의 바람직한 예는 시클로펜탄 고리, 시클로헥산 고리, 시클로헵탄 고리, 시클로옥탄 고리, 테트라히드로푸란 고리, 테트라히드로피란 고리, 테트라히드로티오펜 고리, 디옥산 고리, 피롤리딘 고리, 피페리딘 고리, 피페라진 고리 및 모르폴린 고리를 포함한다. 이들 중에서, 시클로펜탄 고리, 시클로헥산 고리, 시클로헵탄 고리 및 시클로옥탄 고리가 더욱 바람직하고, 시클로펜탄 고리 및 시클로헥산 고리가 더욱더 바람직하다.
포화 5- 내지 8-원 고리는 일반적으로는 포화 3- 또는 4-원 고리에 비해 화학적 안정성이 우수하므로, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 발광 재료를 이용한 본 발명의 소자는 포화 3- 또는 4-원 고리를 함유하는 치환기를 갖는 발광층을 이용한 소자에 비해 구동 내구성이 우수하다고 여겨진다. 또한, 구조가 벌키하고 강직하므로, 향상된 배열의 질서도에 의한 효과가 크다고 여겨진다.
또한, 일반식 (I) 로 표시되는 기는 포화 고리기에 4급 탄소 원자가 있으므로, 벌키할 뿐만 아니라 강직하고, 이것이 향상된 질서도에 의한 효과를 더 크게 하고, 소자 효율의 향상, 구동 전압의 감소 및 내구성의 향상의 면에서 효과를 얻게 한다고 추정된다.
Z 로 표시되는 포화 5- 내지 8-원 고리 상에 치환기를 또한 가질 수 있다. 이러한 치환기의 바람직한 예는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기를 포함한다.
이하에서 일반식 (1) 로 표시되는 기의 바람직한 예로서 치환기 a1 내지 a31 을 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00019
이들 중에서, a1, a2, a3, a5, a8, a9, a1O, a12, a14, a15, a18, a19, a28, a29, a30 및 a31 이 바람직하고, a2, a5, a9, a12, a18, a19, a28 및 a29 가 더욱 바람직하고, a2, a5, a9 및 a12 가 더욱더 바람직하다.
[일반식 (I) 로 표시되는 화합물]
일반식 (1) 로 표시되는 화합물을 상세히 기술한다.
Figure pat00020
(일반식 (1) 에서, M11 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, A11 은 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, X11 은 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환 질소 원자 또는 단일결합을 나타내고, Y11 은 연결기 또는 단일결합을 나타내고, L11 은 X11 에 결합된 원자를 갖는 부분 구조를 나타내고, Z11 은 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, 각각의 L12 및 L13 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E11 은 L12 및 L13 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S11 은 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, n 은 1 내지 4 의 정수를 나타내고, 각각의 S11 은 다른 S11 과 동일 또는 상이할 수 있음).
M11 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속 (금속 원자 또는 이온일 수 있음) 을 나타내고, 바람직하게는 금, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 이리듐, 로듐, 오스뮴 또는 루테늄, 더욱 바람직하게는 금, 백금, 팔라듐, 이리듐 또는 루테늄, 더욱더 바람직하게는 금, 백금, 팔라듐 또는 이리듐, 가장 바람직하게는 백금 또는 이리듐이다.
A11 은 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, N 원자 및 Z11 과 함께 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 형성한다.
일반식 (1) 에서 Z11 로 표시되는 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리의 예는 피리딘 고리, 피리다진 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 트리아진 고리, 벤지미다졸 고리, 옥사디아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 벤지미다졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤족사졸 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 퀴나졸린 고리, 프탈라진 고리, 카르볼린 고리, 및 카르볼린 고리를 구성하는 탄화수소 고리의 탄소 원자가 질소 원자로 추가로 치환되어 있는 고리를 포함한다.
Z11 은 바람직하게는 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 벤지미다졸 고리, 옥사디아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 벤지미다졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤족사졸 고리, 이소퀴놀린 고리 또는 퀴녹살린 고리, 더욱 바람직하게는 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 이소퀴놀린 고리 또는 퀴녹살린 고리, 더욱더 바람직하게는 이소퀴놀린 고리, 벤족사졸 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리 또는 피라졸 고리이다.
방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리는 치환기를 가질 수 있고, 치환기로는 이하에서 치환기 군 A 로 기술된 것들이 적용될 수 있다.
(치환기 군 A)
알킬기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 10 임, 예를 들어, 메틸, 에틸, 이소프로필, tert-부틸, n-옥틸, n-데실, n-헥사데실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸), 시클로알킬기 (바람직하게는 탄소수가 3 내지 30, 더욱 바람직하게는 3 내지 20, 더욱더 바람직하게는 3 내지 10 임, 예를 들어, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실), 알케닐기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 임, 예를 들어, 비닐, 알릴, 2-부테닐, 3-펜테닐), 알키닐기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 임, 예를 들어, 프로파르길, 3-펜티닐),
아릴기 (바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 임, 예를 들어, 페닐, p-메틸페닐, 나프틸, 안트라닐), 아미노기 (바람직하게는 탄소수가 0 내지 30, 더욱 바람직하게는 0 내지 20, 더욱더 바람직하게는 0 내지 10 임, 예를 들어, 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디벤질아미노, 디페닐아미노, 디톨릴아미노), 알콕시기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 10 임, 예를 들어, 메톡시, 에톡시, 부톡시, 2-에틸헥실옥시), 아릴옥시기 (바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 임, 예를 들어, 페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시), 헤테로시클릭 옥시기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시, 퀴놀릴옥시),
아실기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 아세틸, 벤조일, 포르밀, 피발로일), 알콕시카르보닐기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 12 임, 예를 들어, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐), 아릴옥시카르보닐기 (바람직하게는 탄소수가 7 내지 30, 더욱 바람직하게는 7 내지 20, 더욱더 바람직하게는 7 내지 12 임, 예를 들어, 페닐옥시카르보닐), 아실옥시기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 임, 예를 들어, 아세톡시, 벤조일옥시), 아실아미노기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 임, 예를 들어, 아세틸아미노, 벤조일아미노),
알콕시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 12 임, 예를 들어, 메톡시카르보닐아미노), 아릴옥시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수가 7 내지 30, 더욱 바람직하게는 7 내지 20, 더욱더 바람직하게는 7 내지 12 임, 예를 들어, 페닐옥시카르보닐아미노), 설포닐아미노기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 메탄설포닐아미노, 벤젠설포닐아미노), 설파모일기 (바람직하게는 탄소수가 0 내지 30, 더욱 바람직하게는 0 내지 20, 더욱더 바람직하게는 0 내지 12 임, 예를 들어, 설파모일, 메틸설파모일, 디메틸설파모일, 페닐설파모일),
카르바모일기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 카르바모일, 메틸카르바모일, 디에틸카르바모일, 페닐카르바모일), 알킬티오기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 메틸티오, 에틸티오), 아릴티오기 (바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 임, 예를 들어, 페닐티오), 헤테로시클릭 티오기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 피리딜티오, 2-벤지미졸릴티오, 2-벤족사졸릴티오, 2-벤조티아졸릴티오),
설포닐기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 메실, 토실), 설피닐기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 메탄설피닐, 벤젠설피닐), 우레이도기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 우레이도, 메틸우레이도, 페닐우레이도), 인산 아미도기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 임, 예를 들어, 디에틸인산 아미도, 페닐인산 아미도), 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자 (예를 들어, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자, 바람직하게는 불소 원자),
시아노기, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 히드록삼산기, 설피노기, 히드라지노기, 이미노기, 헤테로시클릭기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 12 임; 헤테로원자의 예는 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자를 포함함; 구체적으로는 이미다졸릴기, 피리딜기, 퀴놀릴기, 푸릴기, 티에닐기, 피페리딜기, 모르폴리노기, 벤족사졸릴기, 벤지미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 카르바졸릴기, 아제피닐기 등), 실릴기 (바람직하게는 탄소수가 3 내지 40, 더욱 바람직하게는 3 내지 30, 더욱더 바람직하게는 3 내지 24 임, 예를 들어, 트리메틸실릴, 트리페닐실릴), 및 실릴옥시기 (바람직하게는 탄소수가 3 내지 40, 더욱 바람직하게는 3 내지 30, 더욱더 바람직하게는 3 내지 24 임, 예를 들어, 트리메틸실릴옥시, 트리페닐실릴옥시). 이들 치환기는 추가로 치환될 수 있다.
또한, 복수의 이들 치환기가 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리의 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
X11 은 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환 질소 원자 또는 단일결합을 나타내고, 바람직하게는 산소 원자, 황 원자 또는 단일결합, 더욱 바람직하게는 산소 원자 또는 단일결합, 더욱더 바람직하게는 단일결합이다. X11 이 치환 질소 원자를 나타내는 경우, 치환기는, 예를 들어, 바람직하게는 치환기 군 A 로부터 선택되는 치환기, 더욱 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기, 더욱더 바람직하게는 탄소수가 1 내지 7 인 알킬기 또는 탄소수가 6 내지 12 (고리 일원의 수: 1 내지 2) 인 아릴기이다.
Y11 은 연결기 또는 단일결합을 나타낸다. 연결기는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 단일결합, 또는 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 규소 원자, 게르마늄 원자 또는 인 원자를 함유하는 2가 연결기, 더욱 바람직하게는 단일결합, 또는 아래 제시된 연결기 군 A 로부터 선택되는 기이다.
연결기 군 A:
Figure pat00021
연결기 군 A 에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11 및 R12 (R1 내지 R12) 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 각각의 R1 내지 R12 가 치환기를 나타내는 경우, 치환기는 바람직하게는 치환기 군 A 로부터 선택되는 치환기이다. 각각의 R1 내지 R12 는 이들이 치환될 수 있는 경우 치환기를 추가로 가질 수 있고, R1 및 R2, R3 및 R4, R5 및 R6, R3 및 R5, R3 및 R6, R4 및 R6, 또는 R10 및 R11 은 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
Y11 은 더욱 바람직하게는 단일결합, 또는 연결기 군 A 로부터 선택되는 치환기이다. 이들 중에서, 단일결합, -C(R1)(R2)-, -C(R3)(R4)C(R5)(R6)-, -Si(R7)(R8)-, -N(R9)-, -O-, -S-, -SO-, -SO2- 및 -CO- 가 바람직하고, 단일결합, -C(R1)(R2)-, -C(R3)(R4)C(R5)(R6)-, -Si(R7)(R8)-, -O- 및 -S- 가 더욱 바람직하고, 단일결합 -C(R1)(R2)- 및 -C(R3)(R4)C(R5)(R6)- 이 더욱더 바람직하고, 단일결합이 또 더욱더 바람직하다.
-C(R1)(R2)- 에서, 각각의 R1 및 R2 는 바람직하게는 수소 원자, 또는 이하의 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
(치환기 군 B)
치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 할로겐 원자, 아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 히드록시기, 메르캅토기 및 할로겐 원자를 포함한다. 이들 중에서, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 할로겐 원자, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시기, 아릴옥시기 및 할로겐 원자가 바람직하고, 알킬기 및 아릴기가 더욱 바람직하다.
-C(R3)(R4)C(R5)(R6)- 에서, 각각의 R3, R4, R5 및 R6 은 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-Si(R7)(R8)- 에서, 각각의 R7 및 R8 은 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-Ge(R10)(R11)- 에서, 각각의 R10 및 R11 은 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-N(R9)- 에서, R9 는 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기, 더욱 바람직하게는 알킬기 또는 아릴기, 더욱더 바람직하게는 아릴기이다.
-P(R12)- 에서, R12 는 R9 의 바람직한 범위와 동일한 의미를 갖는다.
일반식 (1) 에서, L11 은 X11 에 결합된 원자를 갖는 부분 구조를 나타낸다. L11 의 부분 구조는 바람직하게는 탄소 원자를 통해 결합된 기, 질소 원자를 통해 결합된 기, 규소 원자를 통해 결합된 기, 인 원자를 통해 결합된 기, 산소 원자를 통해 결합된 기, 또는 황 원자를 통해 결합된 기, 더욱 바람직하게는 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자를 통해 결합된 기, 더욱더 바람직하게는 탄소 원자 또는 산소 원자를 통해 결합된 기이다.
탄소 원자를 통해 결합된 기는 바람직하게는 탄소 원자를 통해 결합된 치환 또는 비치환 아릴기, 탄소 원자를 통해 결합된 치환 또는 비치환 5-원 헤테로아릴기, 또는 탄소 원자를 통해 결합된 치환 또는 비치환 6-원 헤테로아릴기, 더욱 바람직하게는 탄소 원자를 통해 결합된 치환 또는 비치환 아릴기, 탄소 원자를 통해 결합된 치환 또는 비치환 질소-함유 5-원 헤테로아릴기, 또는 탄소 원자를 통해 결합된 질소-함유 6-원 헤테로아릴기, 더욱더 바람직하게는 탄소 원자를 통해 결합된 치환 아릴기이다.
산소 원자를 통해 결합된 기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 히드록시기 또는 치환 또는 비치환 카르복시기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 카르복시기이다.
질소 원자를 통해 결합된 기는 바람직하게는 질소 원자를 통해 결합된 치환 아미노기 또는 질소-함유 5-원 헤테로아릴기, 더욱 바람직하게는 질소 원자를 통해 결합된 질소-함유 5-원 헤테로아릴기, 더욱더 바람직하게는 치환 카르바졸기, 치환 피롤기 또는 치환 인돌기이다.
인 원자를 통해 결합된 기는 바람직하게는 치환 포스피노기이다. 규소 원자를 통해 결합된 기는 바람직하게는 치환 실릴기이다. 황 원자를 통해 결합된 기는 바람직하게는 티올기 또는 치환 티올기이다.
각각의 L12 및 L13 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E11 은 L12 및 L13 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타낸다. L12 및 L13 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 질소 원자-탄소 원자, 질소 원자-산소 원자, 또는 산소 원자-산소 원자이다. L12-E11-L13 으로 표시되는 두자리 리간드는 특별히 한정되지 않으나, 그의 구체적인 예는 치환 또는 비치환 페닐피리딘, 페닐피라졸, 페닐이미다졸, 페닐트리아졸, 페닐테트라졸, 피리딜피리딘, 이미다졸릴피리딘, 피라졸릴피리딘, 트리아졸릴피리딘, 피라자볼, 디페닐포스피노에틸렌, 피콜린산 및 아세틸아세톤을 포함한다. 이들 중에서, 페닐피리딘, 페닐피라졸, 페닐이미다졸, 피리딜피리딘, 피라자볼, 피콜린산 및 아세틸아세톤이 바람직하고, 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 및 아세틸아세톤이 더욱 바람직하다. 이들 기는 위에서 기술된 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이다. l 은 바람직하게는 1 또는 0, 더욱 바람직하게는 0 이다.
S11 은 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타낸다.
일반식 (I) 로 표시되는 기로서, 치환기 a1 내지 a31 이 바람직하고, a1, a2, a3, a5, a8, a9, a1O, a12, a14, a15, a18, a19, a28, a29, a30 및 a31 이 더욱 바람직하고, a2, a5, a9, a12, a18, a19, a28 및 a29 이 더욱더 바람직하고, a2, a5, a9 및 a12 가 가장 바람직하다. 이는 벌키성, 강직성 및 조밀성이 모두 만족되기 때문인 것으로 추정된다.
일반식 (I) 로 표시되는 기는 포화 5- 내지 8-원 고리에 4급 탄소-함유 포화 고리기를 함유하므로, 입체적으로 벌키하나 동일한 수의 원자를 골격으로서 갖는 사슬기에 비해 더욱 조밀하고 강직하게 조직되어 있다. 따라서, 적당한 분자간 거리를 유지하면서도 막 상태가 임의의 형태로 변화하여, 분자 배열의 질서도가 증가하는 것으로 여겨지며, 그 결과, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 발광 재료로서 이용한 소자에서 전류가 흐르기 쉬워지고, 소자 효율의 향상 및 구동 전압의 감소와 같은 효과가 얻어진다. 또한, 구동시 막 구조가 안정적이므로, 상기 금속 착물이 내구성의 향상에도 기여할 수 있는 것으로 추정된다.
또한, 포화 5- 내지 8-원 고리가 일반적으로는 포화 3- 또는 4-원 고리에 비해 화학적 안정성이 우수하므로, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 발광 재료를 이용한 본 발명의 소자가 포화 3- 또는 4-원 고리를 함유하는 치환기를 갖는 발광층을 이용한 소자에 비해 구동 내구성이 우수하다고 여겨진다. 또한, 구조가 벌키하고 강직하므로, 향상된 배열의 질서도에 의한 효과도 크다고 예상된다.
n 은 1 내지 4 의 정수를 나타낸다. n 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (1) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (2) 로 표시된다:
Figure pat00022
(일반식 (2) 에서, M21 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 A21 내지 A23 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, Z21 은 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, Z22 는 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 각각의 L22 및 L23 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E21 은 L22 및 L23 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S21 및 S22 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S21 또는 S22 는 다른 S21 또는 S22 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (2) 에서, M21, A21, Z21, L22, L23, E21, S21, S22, k 및 l 은 일반식 (1) 에서의 M11, A11, Z11, L12, L13, E11, S11, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 A22 및 A23 은 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 이들은 Z22 와 함께 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성한다.
Z22 로 표시되는 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리의 예는 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 피렌 고리, 페난트렌 고리, 페릴렌 고리, 피리딘 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 페난트리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 신놀린 고리, 아크리딘 고리, 프탈라진 고리, 퀴나졸린 고리, 퀴녹살린 고리, 나프티리딘 고리, 프테리딘 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 트리아졸 고리, 인돌 고리, 카르바졸 고리, 인다졸 고리, 벤지미다졸 고리, 옥사졸 고리, 티아졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤족사졸 고리, 벤조티아졸 고리, 이미다조피리딘 고리, 티오펜 고리, 벤조티오펜 고리, 푸란 고리, 벤조푸란 고리, 포스폴 고리, 포스피닌 고리 및 실롤 고리를 포함한다.
Z22 는 바람직하게는 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 벤족사졸 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 피리딘 고리, 인돌 고리 또는 티오펜 고리, 더욱 바람직하게는 벤젠 고리, 피라졸 고리, 피리딘 고리, 벤족사졸 고리 또는 티오펜 고리이다.
Z22 는 치환기를 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다. 또한, Z22 는 다른 고리와 축합 고리를 형성할 수 있다.
이러한 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이다. n+m 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (2) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (3) 으로 표시된다:
Figure pat00023
(일반식 (3) 에서, M31 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 A31 및 A32 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 R33 내지 R36 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, Z32 는 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 각각의 L32 및 L33 은 독립적으로 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E31 은 L32 및 L33 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S31 및 S32 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S31 또는 S32 는 다른 S31 또는 S32 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (3) 에서, M31, A31, A32, Z32, L32, L33, E31, S31, S32, n, m, k 및 l 은 일반식 (2) 에서의 M21, A22, A23, Z22, L22, L23, E21, S21, S22, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R33 내지 R36 은 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (3) 으로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (4) 로 표시된다:
Figure pat00024
(일반식 (4) 에서, M41 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R43 내지 R46 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B41 내지 B44 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R47 을 나타내고, R47 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R47 은 다른 R47 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L42 및 L43 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E41 는 L42 및 L43 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S41 및 S42 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, S41 또는 S42 는 다른 S41 또는 S42 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (4) 에서, M41, R43 내지 R46, L42, L43, E41, S41, S42, n, m, k 및 l 은 일반식 (3) 에서의 M31, R33 내지 R36, L32, L33, E31, S31, S32, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 B41 내지 B44 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R47 을 나타내고, R47 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. B41 내지 B44 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, B41 내지 B44 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이다.
R47 로 표시되는 치환기로서는, 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다.
각각의 R47 은 다른 R47 과 동일 또는 상이할 수 있다. R47 은 치환기를 추가로 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다. 또한, R47 들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
R47 은 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (4) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (5) 로 표시된다:
Figure pat00025
(일반식 (5) 에서, M51 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R53 내지 R59 및 R510 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L52 및 L53 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E51 은 L52 및 L53 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S51 및 S52 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S51 또는 S52 는 다른 S51 또는 S52 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (5) 에서, M51, L52, L53, E51, S51, S52, k 및 l 은 일반식 (4) 에서의 M41, L42, L43, E41, S41, S42, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R53 내지 R59 및 R510 은 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이다. n+m 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (5) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (5-1) 로 표시된다:
Figure pat00026
(일반식 (5-1) 에서, M511 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R513 내지 R5114 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S511 및 S512 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S511 또는 S512 는 다른 S511 또는 S512 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (5-1) 에서, M511, R513 내지 R516, R517 내지 R5110, S511, S512, n 및 m 은 일반식 (5) 에서의 M51, R53 내지 R56, R57 내지 R510, S51, S52, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R5111 내지 R5114 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 R5111 내지 R5114 은 바람직하게는 수소 원자이다.
일반식 (5) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (5-2) 로 표시된다:
Figure pat00027
(일반식 (5-2) 에서, M521 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R523 내지 R5213 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S521 및 S522 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S521 또는 S522 는 다른 S521 또는 S522 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (5-2) 에서, M521, R523 내지 R526, R527 내지 R5210, S521, S522, n 및 m 은 일반식 (5) 에서의 M51, R53 내지 R56, R57 내지 R510, S51, S52, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R5211 내지 R5213 은 독립적으로 수소 원자를 나타내거나, 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 R5211 내지 R5213 은 바람직하게는 수소 원자, 메틸기 또는 tert-부틸기이다.
일반식 (5) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (5-3) 으로 표시된다:
Figure pat00028
(일반식 (5-3) 에서, M531 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R533 내지 R5310 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S531 및 S532 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S531 또는 S532 는 다른 S531 또는 S532 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (5-3) 에서, M531, R533 내지 R5310, S531, S532, n 및 m 은 일반식 (5) 에서의 M51, R53 내지 R510, S51, S52, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (4) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (6) 으로 표시된다:
Figure pat00029
(일반식 (6) 에서, M61 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R63 내지 R66 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B61 내지 B63 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R67 을 나타내고, R67 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R67 은 다른 R67 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L62 및 L63 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E61 은 L62 및 L63 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S61 및 S62 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S61 또는 S62 는 다른 S61 또는 S62 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (6) 에서, M61, L62, L63, E61, S61, S62, k 및 l 은 일반식 (4) 에서의 M41, L42, L43, E41, S41, S42, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
R63 내지 R66 및 B61 내지 B63 은 일반식 (4) 에서의 R43 내지 R46 및 B41 내지 B44 와 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이다. n+m 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (6) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (6-1) 로 표시된다:
Figure pat00030
(일반식 (6-1) 에서, M611 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R613 내지 R619 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L612 및 L613 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E611 은 L612 및 L613 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S611 및 S612 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 S611 내지 S612 는 다른 S611 내지 S612 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (6-1) 에서, M611, R613 내지 R619, L612, L613, E611, S611, S612, n, m, k 및 l 은 일반식 (6) 에서의 M61, R63 내지 R66, L62, L63, E61, S61, S62, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R617 내지 R619 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (6-1) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (6-2) 로 표시된다:
Figure pat00031
(일반식 (6-2) 에서, M621 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R623 내지 R629 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S621 및 S622 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S621 또는 S622 는 다른 S621 또는 S622 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (6-2) 에서, M621, R623 내지 R626, R627 내지 R629, S621, S622, n 및 m 은 일반식 (6-1) 에서의 M611, R613 내지 R616, R617 내지 R619, S611, S612, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R623 내지 R626 은 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (6-1) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (6-3) 으로 표시된다:
Figure pat00032
(일반식 (6-3) 에서, M631 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R633 내지 R6312 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S631 및 S632 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 S631 또는 S632 는 다른 S631 또는 S632 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (6-3) 에서, M631, R633 내지 R636, R637 내지 R639, S631, S632, n 및 m 은 일반식 (6-1) 에서의 M611, R613 내지 R616, R617 내지 R619, S611, S612, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R6310 내지 R6312 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 R6310 내지 R6312 는 바람직하게는 수소 원자, 메틸기 또는 tert-부틸기이다.
일반식 (6-1) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (6-4) 로 표시된다:
Figure pat00033
(일반식 (6-4) 에서, M641 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R643 내지 R649 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S641 및 S642 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S641 또는 S642 는 다른 S641 또는 S642 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (6-4) 에서, M641, R643 내지 R646, R647 내지 R649, S641, S642, n 및 m 은 일반식 (6-1) 에서의 M611, R613 내지 R616, R617 내지 R619, S611, S612, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (3) 으로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (7) 로 표시된다:
Figure pat00034
(일반식 (7) 에서, M71 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R73 내지 R76 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 A71 및 A72 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D71 내지 D73 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D71 내지 D73, A71 및 A72 에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D71 내지 D73 은 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, 각각의 L72 및 L73 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E71 은 L72 및 L73 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S71 및 S72 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S71 또는 S72 는 다른 S71 또는 S72 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (7) 에서, M71, R73 내지 R76, L72, L73, E71, S71, S72, n, m, k 및 l 은 일반식 (3) 에서의 M31, R33 내지 R36, L32, L33, E31, S31, S32, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 A71 및 A72 는 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 이들은 D71 내지 D73 과 함께 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성한다.
각각의 D71 내지 D73 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D71 내지 D73, A71 및 A72 에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 특별히 한정되지 않으나, 단일결합 및 이중결합의 임의의 조합일 수 있다. 각각의 D71 내지 D73 은 바람직하게는 탄소 원자 또는 질소 원자이다.
D71 내지 D73, A71 및 A72 에 의해 형성되는 5-원 고리에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 내지 2 이다.
각각의 D71 내지 D73 은 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기 군 A 로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (7) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (7-1) 로 표시된다:
Figure pat00035
(일반식 (7-1) 에서, M711 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R713 내지 R718 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L712 및 L713 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E711 은 L712 및 L713 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S711 및 S712 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S711 또는 S712 는 다른 S711 또는 S712 와 동일 또는 상이할 수 있음).
*일반식 (7-1) 에서, M711, R713 내지 R718, L712, L713, E711, S711, S712, n, m, k 및 l 은 일반식 (7) 에서의 M71, R73 내지 R76, L72, L73, E71, S71, S72, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (2) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (8) 로 표시된다:
Figure pat00036
(일반식 (8) 에서, M81 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 A81 내지 A83 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D81 내지 D83 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D81 내지 D83, A81 및 N 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D81 내지 D83 은 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, Z82 는 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 각각의 L82 및 L83 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E81 은 L82 및 L83 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S81 및 S82 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S81 또는 S82 는 다른 S81 또는 S82 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (8) 에서, M81, A82, A83, Z82, L82, L83, E81, S81, S82, n, m, k 및 l 은 일반식 (2) 에서의 M21, A21, A22, Z22, L22, L23, E21, S21, S22, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 D81 내지 D83 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D81 내지 D83, A81 및 질소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 특별히 한정되지 않으나, 단일결합 및 이중결합의 임의의 조합일 수 있다. 각각의 D81 내지 D83 은 바람직하게는 탄소 원자 또는 질소 원자이다.
D81 내지 D83, A81 및 질소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 내지 2 이다.
각각의 D81 내지 D83 은 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기 군 A 로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (8) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (9) 로 표시된다:
Figure pat00037
(일반식 (9) 에서, M91 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R93 및 R94 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R95 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B91 내지 B94 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R96 을 나타내고, R96 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R96 은 다른 R96 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L92 및 L93 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E91 은 L92 및 L93 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S91 및 S92 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S91 또는 S92 는 다른 S91 또는 S92 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (9) 에서, M91, L92, L93, E91, S91, S92, n, m, k 및 l 은 일반식 (8) 에서의 M81, L82, L83, E81, S81, S82, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 B91 내지 B94 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R96 을 나타내고, R96 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. B91 내지 B94 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, B91 내지 B94 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이다.
각각의 R93 및 R94 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
R95 는 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 트리플루오로메틸기 또는 아릴기이다.
R96 으로 표시되는 치환기로서는, 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다.
각각의 R96 은 다른 R96 과 동일 또는 상이할 수 있다. R96 은 치환기를 추가로 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다. 또한, R96 들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
R96 은 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (9) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (10) 으로 표시된다:
Figure pat00038
(일반식 (10) 에서, M101 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R103 내지 R108 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R109 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L102 및 L103 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E101 은 L102 및 L103 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S101 및 S102 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S101 또는 S102 는 다른 S101 또는 S102 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (10) 에서, M101, L102, L103, E101, S101, S102, k 및 l 은 일반식 (9) 에서의 M91, L92, L93, E91, S91, S92, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
R103 내지 R108 은 R93 및 R94 와 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
R109 는 R95 와 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다
각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이다. n+m 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (9) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (11) 로 표시된다:
Figure pat00039
(일반식 (11) 에서, M111 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R113 및 R114 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R115 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B111 내지 B113 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R116 을 나타내고, R116 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R116 은 다른 R116 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L112 및 L113 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E111 은 L112 및 L113 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S111 및 S112 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S111 또는 S112 는 다른 S111 또는 S112 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (11) 에서, M111, S111, S112, k 및 l 은 일반식 (9) 에서의 M91, S91, S92, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
R113 및 R114 는 R93 및 R94 와 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
R116 은 R95 와 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다
B111 내지 B114 는 B91 내지 B94 와 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이다. n+m 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (11) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (11-1) 로 표시된다:
Figure pat00040
(일반식 (11-1) 에서, M1111 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R1113 및 R1114 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R1115 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R1116 내지 R1118 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L1112 및 L1113 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E1111 은 L1112 및 L1113 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S1111 및 S1112 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S1111 또는 S1112 는 다른 S1111 또는 S1112 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (11-1) 에서, M1111, R1113, R1114, R1115, L1112, L1113, E1111, S1111, S1112, n, m, k 및 l 은 일반식 (9) 에서의 M91, R93, R94, R95, L92, L93, E91, S91, S92, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R1116 내지 R1118 은 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (11-1) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (11-2) 로 표시된다:
(일반식 (11-2) 에서, M1121 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R1123 및 R1124 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R1125 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R1126 내지 R1128 및 R1129 내지 R11212 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S1121 및 S1122 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S1121 또는 S1122 는 다른 S1121 또는 S1122 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (11-2) 에서, M1121, R1123, R1124, R1125, R1126 내지 R1128, S1121, S1122, n 및 m 은 일반식 (11-1) 에서의 M1111, R1113, R1114, R1115, R1116 내지 R1118, S1111, S1112, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R1129 내지 R11212 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 R1129 내지 R11212 는 바람직하게는 수소 원자이다.
일반식 (11-1) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (11-3) 으로 표시된다:
Figure pat00042
(일반식 (11-3) 에서, M1131 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R1133 및 R1134 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R1135 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R1136 내지 R1138 및 R1139 내지 R11311 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S1131 및 S1132 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수임).
일반식 (11-3) 에서, M1131, R1133, R1134, R1135, R1136 내지 R1138, S1131, S1132, n 및 m 은 일반식 (11-1) 에서의 M1111, R1113, R1114, R1115, R1116 내지 R1118, S1111, S1112, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R1139 내지 R11311 은 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 R1139 내지 R11311 은 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.
일반식 (11-1) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (11-4) 로 표시된다:
Figure pat00043
(일반식 (11-4) 에서, M1141 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R1143 및 R1144 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R1145 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R1146 내지 R1148 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 S1141 및 S1142 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S1141 또는 S1142 는 다른 S1141 또는 S1142 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (11-4) 에서, M1141, R1143, R1144, R1145, R1146 내지 R1148, S1141, S1142, n 및 m 은 일반식 (11-1) 에서의 M1111, R1113, R1114, R1115, R1116 내지 R1118, S1111, S1112, n 및 m 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (8) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (12) 로 표시된다:
Figure pat00044
(일반식 (12) 에서, M121 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R123 내지 R125 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B121 내지 B124 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R126 을 나타내고, R126 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R126 은 다른 R126 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L122 및 L123 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E121 은 L122 및 L123 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S121 및 S122 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S121 또는 S122 는 다른 S121 또는 S122 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (12) 에서, M121, L122, L123, E121, S121, S122, n, m, k 및 l 은 일반식 (8) 에서의 M81, L82, L83, E81, S81, S82, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R123 내지 R125 는 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
각각의 B121 내지 B124 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R126 을 나타내고, R126 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. B121 내지 B124 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, B121 내지 B124 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이다.
R126 으로 표시되는 치환기로서는, 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다.
각각의 R126 은 다른 R126 과 동일 또는 상이할 수 있다. R126 은 치환기를 추가로 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다. 또한, R126 들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
R126 은 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (12) 의 하나의 바람직한 구현예는 하기 일반식 (12-1) 로 표시된다:
Figure pat00045
(일반식 (12-1) 에서, M1211 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R1213 내지 R1215 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B1211 내지 B1213 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R1216 을 나타내고, R1216 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R1216 은 다른 R1216 과 동일 또는 상이할 수 있고, 각각의 L1212 및 L1213 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E1211 은 L1212 및 L1213 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S1211 및 S1212 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S1211 또는 S1212 는 다른 S1211 또는 S1212 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (12-1) 에서, M1211, R1213 내지 R1215, B1211 내지 B1213, L1212, L1213, E1211, S1211, S1212, n, m, k 및 l 은 일반식 (12) 에서의 M121, R123 내지 R125, B121 내지 B124, L122, L123, E121, S121, S122, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (12) 는 바람직하게는 일반식 (12-2) 로 표시된다.
Figure pat00046
(일반식 (12-2) 에서, M1221 은 원소의 주기율표에서 8 내지 11 족에 속하는 금속을 나타내고, 각각의 R1223 내지 R1229 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 L1222 및 L1223 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 인 원자를 나타내고, E1221 은 L1222 및 L1223 과 함께 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 2 또는 3 이고, 각각의 S1221 및 S1222 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S1221 또는 S1222 는 다른 S1221 또는 S1222 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (12-2) 에서, M1221, R1223 내지 R1225, L1222, L1223, E1221, S1221, S1222, n, m, k 및 l 은 일반식 (12) 에서의 M121, R123 내지 R125, L122, L123, E121, S121, S122, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R1226 내지 R1229 는 독립적으로 수소 원자를 나타내거나, 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있고, 바람직한 범위는 일반식 (12) 에서의 R126 의 경우와 동일하다.
일반식 (1) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (13) 으로 표시된다:
Figure pat00047
(일반식 (13) 에서, 각각의 A131 및 A132 는 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 Y131 및 Y132 는 연결기 또는 단일결합을 나타내고, 각각의 L131 및 L132 는 Pt 에 결합된 원자를 갖는 부분 구조를 나타내고, 각각의 Z131 및 Z132 는 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, 각각의 X131 및 X132 는 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환 질소 원자 또는 단일결합을 나타내고, E131 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S131 및 S132 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S131 또는 S132 는 다른 S131 또는 S132 와 동일 또는 상이할 수 있음).
식 (13) 에서, A131 내지 A136, Z131 내지 Z134, S131 내지 S134, L131, L132, X131, X132, Y131, Y132, n, m, k 및 l 은 일반식 (1) 에서의 A11 내지 A13, Z11, Z12, S11, S12, L11, X11, Y11, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
E131 은 2가 연결기를 나타낸다. 연결기는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 단일결합, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 규소 원자 또는 게르마늄 원자로 이루어지는 2가 연결기, 더욱 바람직하게는 연결기 군 A 로부터 선택되는 기이다.
E131 은 바람직하게는 연결기 군 A 로부터 선택되는 치환기이고, 이들 중에서, -C(R1)(R2)-, -C(R3)(R4)C(R5)(R6)-, -Si(R7)(R8)-, -N(R9)-, -O-, -S-, -SO-, -SO2- 및 -CO- 가 바람직하고, -C(R1)(R2)-, -C(R3)(R4)C(R5)(R6)-, -Si(R7)(R8)-, -O- 및 -S- 가 더욱 바람직하고, -C(R1)(R2)- 및 -C(R3)(R4)C(R5)(R6)- 가 더욱더 바람직하다.
-C(R1)(R2)- 에서, 각각의 R1 및 R2 는 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-C(R3)(R4)C(R5)(R6)- 에서, 각각의 R3, R4, R5 및 R6 은 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-Si(R7)(R8)- 에서, 각각의 R7 및 R8 은 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-Ge(R10)(R11)- 에서, 각각의 R10 및 R11 은 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환기 군 B 로부터 선택되는 치환기이다.
-N(R9)- 에서, R9 는 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기, 더욱 바람직하게는 알킬기 또는 아릴기, 더욱더 바람직하게는 아릴기이다.
-P(R12)- 에서, R12 는 R9 의 바람직한 범위와 동일한 의미를 갖는다.
일반식 (13) 에서, Z131 및 Z132 로 표시되는 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리의 예는 피리딘 고리, 피리다진 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 트리아진 고리, 벤지미다졸 고리, 옥사디아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 벤지미다졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤족사졸 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 퀴나졸린 고리, 프탈라진 고리, 카르볼린 고리, 및 카르볼린 고리를 구성하는 탄화수소 고리의 탄소 원자가 질소 원자로 추가로 치환되어 있는 고리를 포함한다.
각각의 Z131 및 Z132 는 바람직하게는 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 벤지미다졸 고리, 옥사디아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 벤지미다졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤족사졸 고리, 이소퀴놀린 고리 또는 퀴녹살린 고리, 더욱 바람직하게는 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 피라진 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 이소퀴놀린 고리 또는 퀴녹살린 고리, 더욱더 바람직하게는 이소퀴놀린 고리, 벤족사졸 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리 또는 피라졸 고리이다.
방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리는 치환기를 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 기술된 것들이 적용될 수 있다.
치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (13) 으로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (14) 로 표시된다:
Figure pat00048
(일반식 (14) 에서, 각각의 A141 내지 A146 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 Z141 및 Z142 는 독립적으로 방향족 질소-함유 헤테로시클릭 고리를 나타내고, 각각의 Z143 및 Z144 는 독립적으로 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, E141 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S141 내지 S144 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S141, S142, S143 또는 S144 는 다른 S141, S142, S143 또는 S144 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (14) 에서, A141 내지 A146, Z141 내지 Z144, S141 내지 S144, E141, n, m, k 및 l 은 일반식 (13) 에서의 A131 내지 A133, Z131, Z132, S131, S132, E131, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이다. n+m 은 바람직하게는 1 또는 2 이다.
일반식 (14) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (15) 로 표시된다:
Figure pat00049
(일반식 (15) 에서, 각각의 A151 내지 A154 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 R153 내지 R158 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 Z151 및 Z152 는 독립적으로 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, E151 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S151 내지 S154 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S151, S152, S153 또는 S154 는 다른 S151, S152, S153 또는 S154 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (15) 에서, A151, A152, A153, A154, Z151, Z152, E151, S151 내지 S154, n, m, k 및 l 은 일반식 (14) 에서의 A142, A143, A145, A146, Z143, Z144, E141, S141 내지 S144, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 R153 내지 R158 은 독립적으로 수소 원자를 나타내거나, 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (15) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (16) 으로 표시된다:
Figure pat00050
(일반식 (16) 에서, 각각의 R163 내지 R168 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B161 내지 B168 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R169 를 나타내고, R169 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R169 는 다른 R169 와 동일 또는 상이할 수 있고, E161 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S161 내지 S164 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S161, S162, S163 또는 S164 는 다른 S161, S162, S163 또는 S164 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (16) 에서, R163 내지 R168, E161, S161 내지 Sl64, n, m, k 및 l 은 일반식 (15) 에서의 R153 내지 R158, E151, S151 내지 S154, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 B161 내지 B168 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R169 를 나타내고, R169 는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. B161 내지 B164 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, B161 내지 B164 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이고, B165 내지 B168 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이다.
R169 로 표시되는 치환기로서는, 치환기 군 A 로서 기술된 것들이 적용될 수 있다.
각각의 R169 는 다른 R169 와 동일 또는 상이할 수 있다. R169 는 치환기를 추가로 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다. 또한, R169 들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
R169 는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (15) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (17) 로 표시된다:
Figure pat00051
(일반식 (17) 에서, 각각의 R173 내지 R178 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 A171 내지 A174 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D171 내지 D176 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D171 내지 D173, A171 및 A172 에 의해 또는 D174 내지 D176, A173 및 A174 에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D171 내지 D176 은 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, E171 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S171 내지 S174 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S171, S172, S173 또는 S174 는 다른 S171, S172, S173 또는 S174 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (17) 에서, R173 내지 R178, E171, S171 내지 S174, n, m, k 및 l 은 일반식 (15) 에서의 R153 내지 R158, E151, S151 내지 S154, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 A171, A172, A173 및 A174 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. A171 및 A172 는 D171 내지 D173 과 함께 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성하고, A173 및 A174 는 D174 내지 D176 과 함께 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성한다.
각각의 D171 내지 D173 및 D174 내지 D176 은 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타낸다. A171, A172 및 D171 내지 D173 에 의해 또는 A173, A174 및 D174 내지 D176 에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 특별히 한정되지 않으나, 단일결합 및 이중결합의 임의의 조합일 수 있다. 각각의 D171 내지 D173 및 D174 내지 D176 은 바람직하게는 탄소 원자 또는 질소 원자이다.
A171, A172 및 D171 내지 D173 에 의해 또는 A173, A174 및 D174 내지 D176 에 의해 형성되는 5-원 고리에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 내지 2 이다.
각각의 D171 내지 D173 및 D174 내지 D176 은 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기 군 A 로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
그의 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (14) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (18) 로 표시된다:
Figure pat00052
(일반식 (18) 에서, 각각의 A181 내지 A186 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D181 내지 D184 는 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D181, D182, A181, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D183, D184, A184, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D181 내지 D184 는 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, 각각의 Z181 및 Z182 는 독립적으로 방향족 헤테로시클릭 고리 또는 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, E181 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S181 내지 S184 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S181, S182, S183 또는 S184 는 다른 S181, S182, S183 또는 S184 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (18) 에서, A182, A183, A185, A186, Z181, Z182, E181, S181 내지 S184, n, m, k 및 l 은 일반식 (14) 에서의 A142, A143, A145, A146, Z143, Z144, E141, S141 내지 S144, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 D181, D182, D183 및 D184 는 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타낸다. D181, D182, A181, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D183, D184, A184, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 특별히 한정되지 않으나, 단일결합 및 이중결합의 임의의 조합일 수 있다. 각각의 D181, D182, D183 및 D184 는 바람직하게는 탄소 원자 또는 질소 원자이다.
D181, D182, A181, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D183, D184, A184, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 내지 2 이다.
각각의 D181, D182, D183 및 D184 는 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기 군 A 로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (18) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (19) 로 표시된다:
Figure pat00053
(일반식 (19) 에서, 각각의 A191 및 A192 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고, 각각의 D191 내지 D194 는 독립적으로 탄소, 질소, 산소, 황 및 규소로부터 선택되는 원자를 나타내고, D191, D192, A191, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D193, D194, A194, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고, 각각의 D191 내지 D194 는 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우 치환기를 가질 수 있고, 각각의 B191 내지 B198 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R199 를 나타내고, R199 는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R199 는 다른 R199 와 동일 또는 상이할 수 있고, E191 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S191 내지 S194 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S191, S192, S193 또는 S194 는 다른 S191, S192, S193 또는 S194 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (19) 에서, E191, S191 내지 S194, n, m, k 및 l 은 일반식 (18) 에서의 E181, S181 내지 S184, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 B191 내지 B198 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R197 를 나타내고, R197 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. B191 내지 B198 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, B191 내지 B194 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이고, B195 내지 B198 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이다.
R197 로 표시되는 치환기로서는, 치환기 군 A 로서 기술된 것들이 적용될 수 있다.
각각의 R197 은 다른 R197 과 동일 또는 상이할 수 있다. R197 은 치환기를 추가로 가질 수 있고, 치환기로서는 치환기 군 A 로서 위에서 기술된 것들이 적용될 수 있다. 또한, R197 들은 서로 결합되어 축합 고리를 형성할 수 있고, 형성되는 고리의 예는 벤젠 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 피리다진 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 트리아졸 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 셀레노펜 고리, 실롤 고리, 게르몰 고리 및 포스폴 고리를 포함한다.
R197 은 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (19) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (20) 으로 표시된다:
Figure pat00054
(일반식 (20) 에서, 각각의 R203 내지 R206 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B201 내지 B208 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R207 을 나타내고, R207 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R207 은 다른 R207 과 동일 또는 상이할 수 있고, E201 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S201 내지 S204 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 S201, S202, S2O3 또는 S2O4 는 다른 S201, S202, S2O3 또는 S2O4 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (20) 에서, E201, S201 내지 S204, B201 내지 B208, R203 내지 R207, n, m, k 및 l 은 일반식 (19) 에서의 E191, S191 내지 S194, B191 내지 B198, R191 내지 R197, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (19) 로 표시되는 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (21) 로 표시된다:
Figure pat00055
(일반식 (21) 에서, 각각의 R213 및 R214 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R215 및 R216 은 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 B211 내지 B218 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R217 을 나타내고, R217 은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 각각의 R217 은 다른 R217 과 동일 또는 상이할 수 있고, E211 은 2가 연결기를 나타내고, 각각의 S211 내지 S214 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m+k+l 은 1 내지 4 의 정수이고, 각각의 S211, S212, S213 또는 S214 는 다른 S211, S212, S213 또는 S214 와 동일 또는 상이할 수 있음).
일반식 (21) 에서, E211, S211 내지 S214, n, m, k 및 l 은 일반식 (17) 에서의 E171, S171 내지 S174, n, m, k 및 l 과 동일한 의미를 갖고, 바람직한 범위도 동일하다.
각각의 B211 내지 B218 은 독립적으로 질소 원자 또는 C-R217 을 나타내고, R217 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. B211 내지 B218 의 조합은 특별히 한정되지 않으나, B211 내지 B214 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이고, B215 내지 B218 에서, 질소 원자의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더욱 바람직하게는 0 내지 1 이다.
각각의 R213 내지 R216 은 독립적으로 수소 원자를 나타내거나, 치환기 군 A 를 포함하는 치환기로부터 선택되는 치환기를 가질 수 있다. 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로시클릭 티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 설피노기, 헤테로시클릭기 또는 실릴기, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 시아노기, 불소 원자 또는 헤테로시클릭기, 더욱더 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기이다. 특히, 치환기는 바람직하게는 치환 또는 비치환 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기, 가장 바람직하게는 메틸기, 트리플루오로메틸기, 불소 원자 또는 시아노기이다.
일반식 (1) 내지 (21) 로 표시되는 각각의 화합물은 이러한 화합물을 주쇄 또는 측쇄에 갖는 중합체 화합물일 수 있다.
중합체 화합물은 단독중합체 화합물 또는 공중합체일 수 있고, 공중합체는 임의의 랜덤 공중합체, 교대 공중합체 및 블록 공중합체일 수 있다. 공중합체의 경우, 다른 단량체는 바람직하게는 전하 수송 기능 부분을 갖는 단량체이다. 전하 수송 기능을 갖는 단량체의 예는 호스트 재료, 정공 수송층에 함유된 재료, 또는 전자 수송층에 함유된 재료로서 후술되는 화합물을 부분 구조에 갖는 단량체를 포함한다. 호스트 재료로서 후술되는 화합물을 부분 구조에 갖는 단량체가 바람직하다.
중합체 화합물의 경우, 분자량은 바람직하게는 2,000 내지 1,000,000 미만, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 500,000 미만, 더욱더 바람직하게는 10,000 내지 100,000 미만이다.
본 발명에 사용되는 일반식 (1) 로 표시되는 화합물의 구체적인 예를 이하에서 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
다른 구체적인 예를 이하에서 설명한다.
Figure pat00070
Figure pat00071
이들 화합물은, 예를 들어, Org. Lett., 3, 2579-2581 (2001), Inorg. Chem., 30, 1685-1687 (1991), J. Am. Chem. Soc., Vol. 123, 4304 (2001), Inorg. Chem., Vol. 40, 1704-1711 (2001), Inorg. Chem., 41, 3055-3066 (2002), 및 Eur. J. Org. Chem., 4, 695-709 (2004) 에 기재된 다양한 알려진 합성 방법에 의해 합성될 수 있다.
또한, 위에서 기술된 금속 착물 화합물은 Journal of Organic Chemistry, 53, 786 (1988), G.R. Newkome 등, 페이지 789, 왼쪽 칼럼, 라인 53 부터 오른쪽 칼럼, 라인 7 까지 기재된 방법, 페이지 790, 왼쪽 칼럼, 라인 18 내지 38 에 기재된 방법, 페이지 790, 오른쪽 칼럼, 라인 19 내지 30 에 기재된 방법, 그들의 조합, 및 Chemische Berichte, 113, 2749 (1980), H. Lexy 등, 페이지 2752, 라인 26 내지 35 에 기재된 방법과 같은 다양한 기술에 의해 합성될 수 있다.
예를 들어, 리간드 또는 그의 해리 산물 및 금속 화합물은 용매 (예를 들어, 할로겐계 용매, 알코올계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 케톤계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매, 설폰계 용매, 설폭시드계 용매 또는 물) 와 함께 또는 용매 없이 염기 (다양한 무기 또는 유기 염기, 예를 들어, 나트륨 메톡시드, tert-부톡시 칼륨, 트리에틸아민 또는 칼륨 카르보네이트) 의 존재 또는 부재 하에 실온 이하에서 또는 가열 (통상의 가열 이외에도, 마이크로웨이브 가열이 또한 효과적임) 하에 반응하여, 화합물이 얻어질 수 있다.
본 발명의 또다른 구현예에서, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물은 바람직하게는 하기 일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드 및 원자량이 40 이상인 금속을 함유하는 인광성 금속 착물이다.
한편, 본 발명에 사용되는 리간드의 일반식에서, * 는 금속에의 배위 자리이고, Ela 와 금속 사이의 결합 및 E1p 와 금속 사이의 결합은 각각 개별적으로 공유 결합 또는 배위 결합일 수 있다.
하기 일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 두자리 리간드를 이하에서 설명한다.
[일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 두자리 리간드]
Figure pat00072
(일반식 (1) 내지 (4) 에서, 각각의 E1a 내지 E1q 는 독립적으로 탄소 원자 또는 헤테로원자를 나타내고, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 각각의 골격은 π-전자가 총 18 개인 구조를 갖는다).
하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타낸다.
R1a 내지 R1i 에서 일반식 (I) 로 표시되는 기로서, 치환기 a1 내지 a31 이 바람직하고, a1, a2, a3, a5, a8, a9, a1O, a12, a14, a15, a18, a19, a28, a29, a30 및 a31 이 더욱 바람직하고, a2, a5, a9, a12, a18, a19, a28 및 a29 가 더욱더 바람직하고, a2, a5, a9 및 a12 가 가장 바람직하다. 이는 벌키성, 강직성 및 조밀성이 모두 만족되기 때문인 것으로 추정된다.
바람직하게는, 하나 이상의 R1a, R1b, R1d, R1e, R1g 및 R1h 가 일반식 (I) 로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는, 하나 이상의 R1a, R1b, R1d 및 R1e 가 일반식 (I) 로 표시되는 기이다. 일반식 A1 및 A2 에서, 더욱더 바람직하게는, 하나 이상의 R1a, R1b 및 R1d 가 일반식 (I) 로 표시되는 기이고, 또 더욱더 바람직하게는, 하나 이상의 R1a 및 R1d 가 일반식 (I) 로 표시되는 기이다. 일반식 A3 및 A4 에서, 더욱더 바람직하게는, 하나 이상의 R1a, R1b 및 R1d 가 일반식 (I) 로 표시되는 기이고, 또 더욱더 바람직하게는, 하나 이상의 R1a, R1c 및 R1d 가 일반식 (I) 로 표시되는 기이다.
두자리 리간드는 다른 리간드와 조합되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.
각각의 E1a 내지 E1q 는 탄소 원자 및 헤테로 원자로부터 선택되고, 바람직하게는 탄소 원자 및 질소 원자로부터 선택된다. E1a 내지 E1p 는 바람직하게는 상이한 원자이다. 금속 착물은 π-전자가 18 개인 구조를 갖는다.
E1a 내지 E1q 로 이루어지는 고리는 5-원 헤테로사이클, 더욱 구체적으로는, 옥사졸, 티아졸, 이속사졸, 이소티아졸, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 또는 테트라졸, 바람직하게는 이미다졸 또는 피라졸, 더욱 바람직하게는 이미다졸을 나타낸다. 이러한 5-원 고리는 다른 고리와 축합 고리를 형성할 수 있다.
E1a 내지 E1e 중 1 개 이상이 바람직하게는 질소 원자를 나타내고; 더욱 바람직하게는, E1a 내지 E1e 중 2 또는 3 개가 질소 원자를 나타내고; 더욱더 바람직하게는, E1a 내지 E1e 중 2 개가 질소 원자를 나타낸다. E1a 내지 E1e 중 2 개가 질소 원자를 나타내는 경우, 바람직하게는, E1a, E1d 및 E1e 중 2 개가 질소 원자를 나타내고; 더욱 바람직하게는 E1a 및 E1d, 또는 E1a 및 E1e 가 질소 원자를 나타내고; 더욱더 바람직하게는, E1a 및 E1d 가 질소 원자를 나타낸다.
E1f 내지 E1k 에 의해 형성되는 고리는 5- 또는 6-원 방향족 탄화수소 고리 또는 헤테로시클릭 고리, 바람직하게는 6-원 고리, 더욱 바람직하게는 6-원 방향족 탄화수소 고리이다. E1f 내지 E1k 에 의해 형성되는 고리의 구체적인 예는 벤젠, 옥사졸, 티아졸, 이속사졸, 이소티아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 푸란, 티오펜, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진 및 트리아진을 포함한다. 이들 중에서, 피리딘 및 벤젠이 바람직하고, 벤젠이 더욱 바람직하다.
E1l 내지 E1q 에 의해 형성되는 고리는 5- 또는 6-원 방향족 탄화수소 고리 또는 헤테로시클릭 고리, 바람직하게는 6-원 고리, 더욱더 바람직하게는 6-원 방향족 탄화수소 고리이다. E1l 내지 E1q 에 의해 형성되는 고리의 구체적인 예는 벤젠, 옥사졸, 티아졸, 이속사졸, 이소티아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 푸란, 티오펜, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진 및 트리아진을 포함한다. 이들 중에서, 피리딘 및 벤젠이 바람직하고, 벤젠이 더욱 바람직하다.
각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 치환기는 바람직하게는 치환기 군 Z 로부터 선택되는 기이다.
치환기 군 Z 의 구체적인 예는 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로시클릭 옥시기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 설포닐아미노기, 설파모일기, 카르바모일기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로아릴티오기, 설포닐기, 설피닐기, 우레이도기, 인산 아미도기, 히드록시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 시아노기, 설포기, 카르복시기, 니트로기, 히드록삼산기, 설피노기, 히드라지노기, 이미노기, 헤테로시클릭기 (헤테로아릴기는 제외함), 실릴기, 실릴옥시기 및 중수소 원자를 포함한다. 이들 치환기는 다른 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
여기에서, 알킬기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 10 인 알킬기이고, 그의 예는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, tert-부틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실, n-도데실, n-옥타데실, n-헥사데실, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸, 1-아다만틸 및 트리플루오로메틸을 포함한다.
알케닐기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 인 알케닐기이고, 그의 예는 비닐, 알릴, 1-프로페닐, 1-이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐 및 3-펜테닐을 포함한다.
알키닐기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 인 알키닐기이고, 그의 예는 에티닐, 프로파르길, 1-프로피닐 및 3-펜티닐을 포함한다.
아릴기는 방향족 탄화수소 모노라디칼을 나타낸다. 아릴기가 치환되는 경우, 치환기의 바람직한 예는 플루오로기, 탄화수소 치환기, 헤테로원자-치환된 탄화수소 치환기 및 시아노기를 포함한다. 아릴기는 바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 인 아릴기이고, 그의 예는 페닐, o-메틸페닐, m-메틸페닐, p-메틸페닐, 2,6-자일릴, p-쿠메닐, 메시틸, 나프틸 및 안트라닐을 포함한다.
헤테로아릴기는 방향족 헤테로시클릭 모노라디칼을 나타낸다. 헤테로아릴기가 치환되는 경우, 치환기의 바람직한 예는 플루오로기, 탄화수소 치환기, 헤테로원소-치환된 탄화수소 치환기 및 시아노기를 포함한다. 헤테로시클릭기의 예는 이미다졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 피라질, 피리미딜, 트리아지닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀리닐, 피롤릴, 인돌릴, 푸릴, 티에닐, 벤족사졸릴, 벤지미다졸릴, 벤조티아졸릴, 카르바졸릴 및 아제피닐을 포함한다.
아미노기는 바람직하게는 탄소수가 0 내지 30, 더욱 바람직하게는 0 내지 20, 더욱더 바람직하게는 0 내지 10 인 아미노기이고, 그의 예는 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디벤질아미노, 디페닐아미노 및 디톨릴아미노를 포함한다.
알콕시기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 10 인 알콕시기이고, 그의 예는 메톡시, 에톡시, 부톡시 및 2-에틸헥실옥시를 포함한다.
아릴옥시기는 바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 인 아릴옥시기이고, 그의 예는 페닐옥시, 1-나프틸옥시 및 2-나프틸옥시를 포함한다.
헤테로시클릭 옥시기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 헤테로시클릭 옥시이고, 그의 예는 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시 및 퀴놀릴옥시를 포함한다.
아실기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 12 인 아실기이고, 그의 예는 아세틸, 벤조일, 포르밀 및 피발로일을 포함한다.
알콕시카르보닐기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 12 인 알콕시카르보닐기이고, 그의 예는 메톡시카르보닐 및 에톡시카르보닐을 포함한다.
아릴옥시카르보닐기는 바람직하게는 탄소수가 7 내지 30, 더욱 바람직하게는 7 내지 20, 더욱더 바람직하게는 7 내지 12 인 아릴옥시카르보닐기이고, 그의 예는 페닐옥시카르보닐을 포함한다.
아실옥시기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 인 아실옥시기이고, 그의 예는 아세톡시 및 벤조일옥시를 포함한다.
아실아미노기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 10 인 아실아미노기이고, 그의 예는 아세틸아미노 및 벤조일아미노를 포함한다.
알콕시카르보닐아미노기는 바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 2 내지 20, 더욱더 바람직하게는 2 내지 12 인 알콕시카르보닐아미노기이고, 그의 예는 메톡시카르보닐아미노를 포함한다.
아릴옥시카르보닐아미노기는 바람직하게는 탄소수가 7 내지 30, 더욱 바람직하게는 7 내지 20, 더욱더 바람직하게는 7 내지 12 인 아릴옥시카르보닐아미노기이고, 그의 예는 페닐옥시카르보닐아미노를 포함한다.
설포닐아미노기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 설포닐아미노기이고, 그의 예는 메탄설포닐아미노 및 벤젠설포닐아미노를 포함한다.
설파모일기는 바람직하게는 탄소수가 0 내지 30, 더욱 바람직하게는 0 내지 20, 더욱더 바람직하게는 0 내지 12 인 설파모일기이고, 그의 예는 설파모일, 메틸설파모일, 디메틸설파모일 및 페닐설파모일을 포함한다.
카르바모일기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 카르바모일기이고, 그의 예는 카르바모일, 메틸카르바모일, 디에틸카르바모일 및 페닐카르바모일을 포함한다.
알킬티오기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 알킬티오기이고, 그의 예는 메틸티오 및 에틸티오를 포함한다.
아릴티오기는 바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 인 아릴티오기이고, 그의 예는 페닐티오를 포함한다.
헤테로아릴티오기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 헤테로아릴티오기이고, 그의 예는 피리딜티오, 2-벤지미다졸릴티오, 2-벤족사졸릴티오 및 2-벤조티아졸릴티오를 포함한다.
설포닐기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 설포닐기이고, 그의 예는 메실, 토실 및 트리플루오로메탄설포닐을 포함한다.
설피닐기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 설피닐기이고, 그의 예는 메탄설피닐 및 벤젠설피닐을 포함한다.
우레이도기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 우레이도기이고, 그의 예는 우레이도, 메틸우레이도 및 페닐우레이도를 포함한다.
인산 아미도기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 12 인 인산 아미도기이고, 그의 예는 디에틸인산 아미도 및 페닐인산 아미도를 포함한다.
할로겐 원자의 예는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자를 포함한다.
헤테로시클릭기 (헤테로아릴기는 제외함) 는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 12 인 헤테로시클릭기이다. 헤테로원자는, 예를 들어, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다. 헤테로시클릭기의 구체적인 예는 피페리딜, 모르폴리노 및 피롤리딜을 포함한다.
실릴기는 바람직하게는 탄소수가 3 내지 40, 더욱 바람직하게는 3 내지 30, 더욱더 바람직하게는 3 내지 24 인 실릴기이고, 그의 예는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리이소프로필실릴, 디메틸-tert-부틸실릴, 디메틸페닐실릴, 디페닐-tert-부틸실릴, 트리페닐실릴, 트리-1-나프틸실릴 및 트리-2-나프틸실릴을 포함한다.
실릴옥시기는 바람직하게는 탄소수가 3 내지 40, 더욱 바람직하게는 3 내지 30, 더욱더 바람직하게는 3 내지 24 인 실릴옥시기이고, 그의 예는 트리메틸실릴옥시 및 트리페닐실릴옥시를 포함한다.
각각의 R1a 내지 R1i 는 바람직하게는 수소 원자, 탄화수소 치환기 (바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기), 시아노기, 플루오로기, OR2a, SR2a, NR2aR2b, BR2aR2b 또는 SiR2aR2bR2c 이다. 각각의 R2a 내지 R2c 는 독립적으로 탄화수소 치환기 또는 헤테로원자로 치환된 탄화수소 치환기이다. R1a 내지 R1i 및 R2a 내지 R2c 중 2 개가 서로 결합되어 포화 또는 불포화, 방향족 또는 비방향족 고리를 형성할 수 있다.
하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 바람직하게는 모구조에 대한 이면각이 70°이상인 아릴기, 더욱 바람직하게는 하기 일반식 ss-1 로 표시되는 치환기, 더욱더 바람직하게는 2,6-이치환 아릴기이고, R1b 가 2,6-이치환 아릴기인 것이 가장 바람직하다.
Figure pat00073
(일반식 ss-1 에서, 각각의 Ra, Rb 및 Rc 는 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, Rc 의 수는 0 내지 3 임).
Ra, Rb 및 Rc 로 표시되는 알킬기는 바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 1 내지 20, 더욱더 바람직하게는 1 내지 10 인 알킬기이고, 그의 예는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, tert-부틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실, n-도데실, n-옥타데실, n-헥사데실, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸, 1-아다만틸 및 트리플루오로메틸을 포함한다. 이들 중에서, 메틸기 및 이소프로필기가 바람직하다.
Ra, Rb 및 Rc 로 표시되는 아릴기는 바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 6 내지 20, 더욱더 바람직하게는 6 내지 12 인 아릴기이고, 그의 예는 페닐, o-메틸페닐, m-메틸페닐, p-메틸페닐, 2,6-자일릴, p-쿠메닐, 메시틸, 나프틸 및 안트라닐을 포함한다. 이들 중에서, 페닐기, 2,6-자일릴기 및 메시틸기가 바람직하고, 페닐기가 더욱 바람직하다.
하나 이상의 Ra 및 Rb 가 바람직하게는 알킬기 및 아릴기로부터 선택되고; 더욱 바람직하게는, 하나 이상의 Ra 및 Rb 가 알킬기로부터 선택되고; 더욱더 바람직하게는, Ra 및 Rb 가 둘다 알킬기이고; 가장 바람직하게는, Ra 및 Rb 가 둘다 메틸기 또는 이소프로필기이다.
2,6-이치환 아릴기는 바람직하게는 2,6-디메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 2,4,6-디이소프로필페닐기, 2,6-디메틸-4-페닐페닐기, 2,6-디메틸-4-(2,6-디메틸피리딘-4-일)페닐기, 2,6-디페닐페닐기, 2,6-디페닐-4-이소프로필페닐기, 2,4,6-트리페닐페닐기, 2,6-디이소프로필-4-(4-이소프로필페닐)페닐기, 2,6-디이소프로필-4-(3,5-디메틸페닐)페닐기, 2,6-디이소프로필-4-(피리딘-4-일)페닐기 또는 2,6-디-(3,5-디메틸페닐)페닐기이다.
Rc 의 수는 바람직하게는 0 또는 1 이다. 각각의 Rc 는 다른 Rc 와 동일 또는 상이할 수 있다.
하나 이상의 R1a 및 R1b 가 바람직하게는 전자-공여 기이고; 더욱 바람직하게는, R1a 가 전자-공여 기이고; 더욱더 바람직하게는, R1a 가 메틸기이다.
탄화수소 치환기는 탄소 원자 및 수소 원자만으로 이루어지는 1가 또는 2가, 사슬, 분지형 또는 시클릭 치환기를 나타낸다.
1가 탄화수소 치환기의 예는 탄소수가 1 내지 20 인 알킬기; 탄소수가 1 내지 20 인 알킬기, 탄소수가 3 내지 8 인 시클로알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환된 탄소수가 1 내지 20 인 알킬기; 탄소수가 3 내지 8 인 시클로알킬기; 탄소수가 1 내지 20 인 알킬기, 탄소수가 3 내지 8 인 시클로알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환된 탄소수가 3 내지 8 인 시클로알킬기; 탄소수가 6 내지 18 인 아릴기; 및 탄소수가 1 내지 20 인 알킬기, 탄소수가 3 내지 8 인 시클로알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환된 아릴기를 포함한다.
2가 탄화수소기의 예는 -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2- 및 1,2-페닐렌기를 포함한다.
본 발명에 사용되는 인광성 금속 착물 중의 금속은 바람직하게는 원자량이 40 이상인 주기율표의 8 족 내지 10 족에 속하는 금속이다. 또한, 금속은 바람직하게는 비방사성 금속이다. 본 발명에 사용되는 인광성 금속 착물 중의 금속은 바람직하게는 Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu 및 Au 중 임의의 하나, 더욱 바람직하게는 Os, Ir 또는 Pt, 더욱더 바람직하게는 Ir 또는 Pt 이고, 높은 발광 효율, 높은 착물 안정성, 및 발광층 내의 정공/전자 수송의 캐리어 밸런스 (carrier balance) 제어의 관점에서 가장 바람직하게는 Ir 이다.
본 발명에서, 일반식의 리간드로 이루어지는 금속 착물은 주 리간드 또는 그것의 호변이성체 및 부 리간드 또는 그것의 호변이성체로 구성되거나, 금속 착물의 모든 리간드가 주 리간드 또는 그것의 호변이성체로 표시되는 부분 구조만으로 구성될 수 있다.
원하는 경우, 금속 착물은, 부 리간드로서, 종래에 공지된 금속 착물의 형성에 사용되는 당업자에게 소위 리간드로서 공지된 리간드 (때로 배위 화합물로 언급됨) 를 가질 수 있다.
본 발명에서 기술된 효과를 성공적으로 얻는 관점으로부터, 착물은 바람직하게는 1종 또는 2종의 리간드, 더욱 바람직하게는 1종의 리간드로 이루어진다. 착물 분자 내에 반응성 기를 도입하는 경우 합성의 용이성의 관점에서, 착물이 2종의 리간드로 이루어지는 것이 또한 바람직하다.
종래에 공지된 금속 착물에 사용되는 리간드로서는, 다양한 리간드가 공지되어 있으나, 그의 예는 H. Yersin, Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds, Springer-Verlag (1987), 및 Akio Yamamoto, Yuki Kinzoku Kagaku-Kiso to Oyo- (Organic Metal Chemistry-Basic and Application-), Shokabo (1982) 에 기재된 리간드 (예를 들어, 할로겐 리간드 (바람직하게는 염소 리간드), 시아노 리간드, 포스핀 리간드, 질소-함유 헤테로아릴 리간드 (예를 들어, 비피리딜, 페난트롤린), 및 디케토네이트 리간드 (예를 들어, 아세틸아세톤)) 를 포함한다. 디케톤 및 피콜린산 유도체가 바람직하다.
부 리간드의 구체적인 예를 이하에서 제시하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00074
(M1 은 원자량이 40 이상인 금속 원자를 나타내고, 각각의 Rx, Ry 및 Rz 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타냄).
일반식 (A1) 내지 (A4) 중 임의의 하나로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드는 바람직하게는 일반식 (A1) 또는 (A3) 으로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드이다.
일반식 (A1) 또는 (A3) 으로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드는 바람직하게는 일반식 (A1-1) 또는 (A3-1) 로 표시되거나 일반식 (A1-2) 또는 (A3-2) 로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드이다.
Figure pat00075
Figure pat00076
(일반식 (A1-1), (A3-1), (A1-2) 및 (A3-2) 에서, 각각의 E1f 내지 Elq 는 독립적으로 탄소 원자 또는 헤테로원자를 나타내고, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 일반식 (A1-1), (A3-1), (A1-2) 및 (A3-2) 로 표시되는 각각의 골격은 π-전자가 총 18 개인 구조를 가짐).
일반식 (A1-1), (A3-1), (A1-2) 및 (A3-2) 에서, E1f 내지 Elq 및 R1a 내지 R1i 의 정의는 일반식 (A1) 및 (A3) 에서의 E1f 내지 Elq 및 R1a 내지 R1i 의 정의와 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (A1-1), (A3-1), (A1-2) 또는 (A3-2) 로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드는 바람직하게는 일반식 (A1-3) 또는 (A3-3) 으로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드이다:
Figure pat00077
Figure pat00078
(일반식 (A1-3) 및 (A3-3) 에서, 각각의 E1f 내지 E1k 는 독립적으로 탄소 원자 또는 헤테로원자를 나타내고, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, 일반식 (A1-3) 및 (A3-3) 으로 표시되는 각각의 골격은 π-전자가 총 18 개인 구조를 가짐).
일반식 (A1-3) 및 (A3-3) 에서, E1f 내지 E1q 및 R1a 내지 R1i 의 정의는 일반식 (A1-1), (A3-1), (A1-2) 및 (A3-2) 에서의 E1f 내지 E1q 및 R1a 내지 R1i 의 정의와 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (A1-3) 또는 (A3-3) 으로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드 및 원자량이 40 이상인 금속을 함유하는 인광성 금속 착물은 바람직하게는 일반식 (A9) 로 표시되는 이리듐 착물이다:
Figure pat00079
(일반식 (9) 에서, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 단, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고, X-Y 는 (1-1) 내지 (1-14) 로부터 선택되는 하나 이상의 모노음이온성 두자리 리간드를 나타내고, n 은 1 내지 3 의 정수를 나타냄).
일반식 (A9) 에서, R1a 내지 R1i 의 바람직한 범위는 일반식 (A1) 에서의 R1a 내지 R1i 의 바람직한 범위와 동일하다.
X-Y 는 부 리간드를 나타내고, n 은 1 내지 3 의 정수를 표현하고, 바람직하게는 n=3 이다. 부 리간드로서는, 구체적으로는, 상기와 동일한 리간드가 적합하게 사용될 수 있고, 아세틸아세토네이트 리간드 및 치환 아세틸아세토네이트 리간드 유사체가 바람직하다.
합성의 용이성의 관점에서, n 은 바람직하게는 3 이나, 비용의 관점에서 n 이 1 또는 2 인 것이 리간드가 값싼 부 리간드로 대체될 수 있으므로 또한 바람직하다.
일반식 (A9) 로 표시되는 금속 착물은 바람직하게는 일반식 (A1O) 으로 표시되는 금속 착물이다. 일반식에서, R1e 는 일반식 (I) 로 표시되는 치환기이다.
Figure pat00080
더욱 구체적으로는, 일반식 (A1) 및 (A3) 은 바람직하게는 하기 구조이다. 이들 중에서, X-1, X-4, X-32, X-33, X-38, X-39, X-46, X-51, X-52, X-53, X-55, X-56, X-57, X-58, X-59, X-62, X-63, X-64, X-66, X-67 및 X-68 이 더욱 바람직하고, X-46, X-52, X-53, X-56, X-57, X-58, X-62 및 X-66 이 가장 바람직하다.
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Rla 내지 R1i 는 일반식 (A1) 에서와 동일한 의미를 갖고, 모두 수소 원자인 것이 바람직하다.
일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 모노음이온성 두자리 리간드 및 원자량이 40 이상인 금속을 함유하는 인광성 금속 착물은 US2007/0190359 및 US2008/0297033 에 기재된 방법과 같은 다양한 방법에 의해 합성될 수 있다.
예를 들어, 리간드 또는 그의 해리 산물 및 금속 화합물이 용매 (예를 들어, 할로겐계 용매, 알코올계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 케톤계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매, 설폰계 용매, 설폭시드계 용매 또는 물) 와 함께 또는 용매 없이 염기 (다양한 무기 또는 유기 염기, 예를 들어, 나트륨 메톡시드, tert-부톡시 칼륨, 트리에틸아민 또는 칼륨 카르보네이트) 의 존재 또는 부재 하에 실온 이하에서 또는 가열 (통상의 가열 이외에도, 마이크로웨이브 가열이 또한 효과적임) 하에 반응하여, 착물이 얻어질 수 있다. 구체적으로는, US2007/0190359, 단락 [0132] 내지 [0134] 에 기재된 합성 방법에 따라 7-메틸-이미다조페난트리딘으로부터 시작하여 XM-64 가 합성될 수 있다. 또한, US2008/0297033, 단락 [0281] 내지 [0287] 에 기재된 합성 방법에 따라 XM-63 이 합성될 수 있다.
본 발명에서, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물은 그것의 용도가 한정되지 않고, 유기층 내의 임의의 층에 함유될 수 있다. 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물이 도입되는 층은 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 블록층 및 전하 블록층 중 임의의 하나일 수 있다.
본 발명은 또한 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 조성물에 관한 것이다. 포화 5- 내지 8-원 고리-함유 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 조성물을 사용함으로써, 외부 양자 효율이 더욱 우수한 유기 전계발광 소자가 얻어질 수 있다.
본 발명에서, 고온 구동시 색도 변화를 더욱 감소시키기 위해, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물이 바람직하게는 발광층에 함유된다.
본 발명은 또한 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 발광층에 관한 것이다.
일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 발광층에 함유시키는 경우, 금속 착물은 발광층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 50 질량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 50 질량%, 더욱더 바람직하게는 2 내지 40 질량% 의 양으로 함유된다.
또한, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 발광층 이외의 층에 함유시키는 경우, 금속 착물은 바람직하게는 0.1 내지 100 질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 100 질량%, 더욱더 바람직하게는 30 내지 100 질량% 의 양으로 함유된다.
[유기 전계발광 소자]
본 발명의 소자를 이하에서 상세히 설명한다.
본 발명의 유기 전계발광 소자는 기판 상에 한 쌍의 전극과, 그 전극 간에 하나 이상의 유기층을 갖는 유기 전계발광 소자로서, 유기층이 발광층을 함유하고,
유기층 중 어느 한 층이 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물을 함유하는 유기 전계발광 소자이다.
본 발명의 유기 전계발광 소자에서, 발광층은 유기층이고, 소자는 복수의 유기층을 가질 수 있다.
발광 소자의 성질상, 양극 및 음극 중 적어도 한 전극은 바람직하게는 투명 또는 반투명이다.
도 1 은 본 발명의 유기 전계발광 소자의 구성의 일례를 보여준다. 도 1 에 나타낸 본 발명의 유기 전계발광 소자 (10) 은, 지지 기판 (2) 상에서 양극 (3) 과 음극 (9) 사이에 발광층 (6) 이 끼어 있다. 더욱 구체적으로는, 양극 (3) 과 음극 (9) 사이에 정공 주입층 (4), 정공 수송층 (5), 발광층 (6), 정공 블록층 (7) 및 전자 수송층 (8) 이 이 순서로 적층되어 있다.
<유기층의 구성>
유기층의 층 구성은 특별히 한정되지 않고, 유기 전계발광 소자의 용도 및 목적에 따라 적절히 선택될 수 있으나, 바람직하게는 투명 전극 또는 배면 전극 상에 형성된다. 이러한 경우, 유기층은 투명 전극 또는 배면 전극의 앞면 또는 한 면 상에 형성된다.
유기층의 형상, 크기, 두께 등은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다.
층 구성의 구체적인 예는 하기 구성을 포함하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
·양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극
·양극/정공 수송층/발광층/블록층/전자 수송층/음극
·양극/정공 수송층/발광층/블록층/전자 수송층/전자 주입층/음극
·양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/블록층/전자 수송층/음극
·양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/블록층/전자 수송층/전자 주입층/음극
유기 전계발광 소자의 소자 구성, 기판, 음극 및 양극이, 예를 들어, JP-A-2008-270736 에 상세히 기재되어 있고, 그안에 기재된 사항이 본 발명에 적용될 수 있다.
<기판>
본 발명에 사용되는 기판은 바람직하게는 유기층으로부터 발광되는 빛을 산란 또는 감쇠시키지 않는 기판이다. 기판이 유기 재료로 만들어지는 경우, 유기 재료가 우수한 내열성, 치수 안정성, 내용제성, 전기 절연성 및 가공성을 갖는 것이 바람직하다.
<양극>
양극은 통상 유기층에 정공을 공급하는 전극으로서의 기능을 갖고 있으면 충분하다. 그의 형상, 구조, 크기 등은 특별히 한정되지 않고, 양극 재료는 발광 소자의 용도 또는 목적에 따라 공지된 전극 재료로부터 적절히 선택될 수 있다. 상기와 같이, 양극은 통상 투명 양극으로서 설치된다.
<음극>
음극은 통상 유기층에 전자를 주입하는 전극으로서의 기능을 갖고 있으면 충분하다. 그의 형상, 구조, 크기 등은 특별히 한정되지 않고, 음극 재료는 발광 소자의 용도 또는 목적에 따라 공지된 전극 재료로부터 적절히 선택될 수 있다.
기판, 양극 및 음극에 관하여, JP-A-2008-270736, 단락 [0070] 내지 [0089] 에 기재된 사항이 본 발명에 적용될 수 있다.
<유기층>
본 발명에 사용되는 유기층을 이하에서 기술한다.
-유기층의 형성-
본 발명의 유기 전계발광 소자에서, 각각의 유기층은 증착 및 스퍼터링 (sputtering) 과 같은 건식 증착법, 전사법, 인쇄법 등의 임의의 방법에 의해 적절히 형성될 수 있다.
(발광층)
<발광 재료>
본 발명에 사용되는 발광 재료는 바람직하게는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물이다.
발광층 중의 발광 재료는 발광층 중에 일반적으로는, 발광층을 형성하는 모든 화합물의 질량에 대하여, 0.1 내지 50 질량% 의 양으로 함유되고, 내구성 및 외부 양자 효율의 관점에서, 바람직하게는 1 내지 50 질량%, 더욱더 바람직하게는 2 내지 40 질량% 의 양으로 함유된다.
발광층의 두께는 특별히 한정되지 않으나 통상, 두께는 바람직하게는 2 내지 500 ㎚ 이고, 외부 양자 효율의 관점에서, 더욱 바람직하게는 3 내지 200 ㎚, 더욱더 바람직하게는 5 내지 100 ㎚ 이다.
본 발명의 소자에서, 발광층은 발광 재료만으로 구성될 수 있고, 또는 호스트 재료와 발광 재료가 혼합된 층 구성을 가질 수 있다. 발광 재료는 형광성 재료 또는 인광성 재료일 수 있고, 도펀트로서는, 1종의 도펀트 또는 2종 이상의 도펀트가 사용될 수 있다. 호스트 재료는 바람직하게는 전하 수송 재료이다. 호스트 재료로서는, 1종의 호스트 재료 또는 2종 이상의 호스트 재료가 사용될 수 있고, 이러한 구성의 예는 전자 수송 호스트 재료와 정공 수송 호스트 재료가 혼합되어 있는 구성을 포함한다. 또한, 발광층은 전하 수송성을 갖지 않고 발광할 수 없는 재료를 함유할 수 있다.
또한, 발광층은 단층, 또는 2 이상의 층으로 이루어진 다층일 수 있다. 복수의 발광층의 경우, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물은 2 이상의 발광층에 함유될 수 있다. 또한, 각각의 발광층이 상이한 색으로 발광할 수 있다.
본 발명의 조성물의 예로서, 본 발명의 일반식 (1) 로 표시되는 치환기를 갖는 발광 재료에, 상기 발광층을 구성하는 성분이 첨가될 수 있다. 또한, 후술할 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물을 추가로 첨가하는 것이 바람직하다.
<호스트 재료>
발광층에 함유되는 호스트 재료의 예는 카르바졸 구조를 갖는 화합물, 아자카르바졸 구조를 갖는 화합물, 인돌 구조를 갖는 화합물, 아자인돌 구조를 갖는 화합물, 디아릴아민 구조를 갖는 화합물, 피리딘 구조를 갖는 화합물, 피라진 구조를 갖는 화합물, 트리아진 구조를 갖는 화합물, 아릴실란 구조를 갖는 화합물, 및 후술할 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층의 단락에서 예시되는 재료를 포함한다. 이들 중에서, 카르바졸 구조를 갖는 화합물 및 인돌 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.
그의 예는 피롤, 인돌, 카르바졸 (예컨대 CBP (4,4'-디(9-카르바졸릴)비페닐)), 아자인돌, 아자카르바졸, 트리아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 피라졸, 이미다졸, 티오펜, 폴리아릴알칸, 피라졸린, 피라졸론, 페닐렌디아민, 아릴아민, 아미노-치환된 칼콘, 스티릴안트라센, 플루오레논, 히드라존, 스틸벤, 실라잔, 방향족 3급 아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 포르피린 화합물, 폴리실란 화합물, 폴리(N-비닐카르바졸), 아닐린 공중합체, 티오펜 올리고머, 폴리티오펜과 같은 전도성 중합체의 올리고머, 유기 실란, 탄소 막, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 안트라퀴노디메탄, 안트론, 디페닐퀴논, 티오피란 디옥시드, 카르보디이미드, 플루오레닐리덴메탄, 디스티릴피라진, 플루오로-치환된 방향족 화합물, 나프탈렌 및 페릴렌과 같은 축합 방향족 고리 화합물의 테트라카르복시산 무수물, 프탈로시아닌, 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착물 및 리간드가 메탈로-프탈로시아닌, 벤족사졸 또는 벤조티아졸 분자인 금속 착물로 대표되는 다양한 종류의 금속 착물, 및 상기 금속 착물의 유도체 (예를 들어 치환기로 치환된 것 또는 다른 고리와 축합된 것) 를 포함한다.
색 순도, 발광 효율 및 구동 내구성의 관점에서, 본 발명에 사용되는 발광층 중의 호스트 재료의 최저 트리플릿 여기 에너지 (lowest triplet excitation energy, T1 에너지) 는 바람직하게는 인광성 재료의 T1 에너지보다 높다.
본 발명에서, 호스트 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 발광 효율 및 구동 전압의 관점에서, 함량은 발광층을 형성하는 모든 화합물의 질량에 대하여 바람직하게는 15 내지 95 질량% 이다.
발광층의 두께는 특별히 한정되지 않으나 통상, 두께는 바람직하게는 1 내지 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 5 내지 200 ㎚, 더욱더 바람직하게는 10 내지 100 ㎚ 이다.
(형광성 재료)
본 발명에 사용될 수 있는 형광성 재료의 예는 벤족사졸 유도체, 벤지미다졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 스티릴벤젠 유도체, 폴리페닐 유도체, 디페닐부타디엔 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 나프탈이미드 유도체, 쿠마린 유도체, 축합 방향족 화합물, 페리논 유도체, 옥사디아졸 유도체, 옥사진 유도체, 알다진 유도체, 피랄리딘 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 티아디아졸로피리딘 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 스티릴아민 유도체, 디케토피롤로피롤 유도체, 방향족 디메틸리딘 유도체, 8-퀴놀리놀 유도체의 착물 및 피로메텐 유도체의 착물로 대표되는 다양한 종류의 착물, 중합체성 화합물 예컨대 폴리티오펜, 폴리페닐렌 및 폴리페닐렌비닐렌, 및 유기 실란 유도체와 같은 화합물을 포함한다.
(인광성 재료)
본 발명에 사용될 수 있는 인광성 재료의 예는, 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물 이외에, 특허 문헌 예컨대 US 6303238B1, US 6097147, WO 00/57676, WO 00/70655, WO 01/08230, WO 01/39234A2, WO 01/41512A1, WO 02/02714A2, WO 02/15645A1, WO 02/44189Al, WO 05/19373A2, JP-A-2001-247859, JP-A-2002-302671, JP-A-2002-117978, JP-A-2003-133074, JP-A-2002-235076, JP-A-2003-123982, JP-A-2002-170684, EP 1211257, JP-A-2002-226495, JP-A-2002-234894, JP-A-2001-247859, JP-A-2001-298470, JP-A-2002-173674, JP-A-2002-203678, JP-A-2002-203679, JP-A-2004-357791, JP-A-2006-256999, JP-A-2007-19462, JP-A-2007-84635 및 JP-A-2007-96259 에 기재된 인광성 화합물을 포함한다. 이들 화합물 중에서 매우 바람직한 발광성 도펀트의 예는 Ir 착물, Pt 착물, Cu 착물, Re 착물, W 착물, Rh 착물, Ru 착물, Pd 착물, Os 착물, Eu 착물, Tb 착물, Gd 착물, Dy 착물 및 Ce 착물을 포함한다. 이들 착물 중에서, Ir 착물, Pt 착물 및 Re 착물이 특히 바람직하고, 특히 금속-탄소, 금속-질소, 금속-산소 및 금속-황 배위 결합으로부터 선택되는 1종 이상의 배위 결합을 각각 갖는 Ir 착물, Pt 착물 및 Re 착물이 바람직하다. 발광 효율, 구동 내구성, 색도 등의 면에서, 세자리 이상의 리간드를 포함하는 다자리 리간드를 각각 갖는 Ir 착물, Pt 착물 및 Re 착물이 특히 바람직하다.
발광층 중의 인광성 재료의 함량은 발광층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 50 질량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 50 질량%, 더욱더 바람직하게는 0.3 내지 40 질량%, 가장 바람직하게는 20 내지 30 질량% 이다.
본 발명에 사용될 수 있는 인광성 재료 (일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물 및/또는 병용되는 인광성 재료) 의 함량은 발광층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 50 질량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 40 질량%, 가장 바람직하게는 5 내지 30 질량% 이다. 특히, 5 내지 30 질량% 의 범위에서, 유기 전계발광 소자의 발광의 색도는 첨가되는 인광성 재료의 농도에 대한 의존성이 작다.
본 발명의 유기 전계발광 소자는 가장 바람직하게는 1종 이상의 화합물 (I) (일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 금속 착물) 을 발광층의 총 질량에 대하여 5 내지 30 질량% 의 양으로 함유한다.
유기 전계발광 소자는 바람직하게는 탄화수소 화합물을 추가로 함유하고, 더욱 바람직하게는 탄화수소 화합물을 발광층 중에 함유한다.
탄화수소 화합물은 바람직하게는 하기 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물이다.
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물을 발광 재료와 함께 적절히 사용함으로써, 재료 분자 간의 상호작용을 적절히 제어하여 인접 분자 간의 상호작용 및 에너지 갭을 균일하게 할 수 있고, 이로써 구동 전압을 더욱 저하시킬 수 있다.
또한, 유기 전계발광 소자에 사용되는 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물은 화학적 안정성이 우수하고 소자의 구동 동안 재료의 분해와 같은 열화를 덜 야기하여, 재료의 분해로 인한 유기 전계발광 소자의 효율 또는 수명 감소가 방지될 수 있다.
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물을 이하에서 기술한다.
Figure pat00087
일반식 (VI) 에서, 각각의 R4, R6, R8, R10 및 X4 내지 X15 는 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.
일반식 (VI) 에서 각각의 R4, R6, R8, R10 및 X4 내지 X15 로 표시되는 알킬기는 치환기로서 아다만탄 구조 또는 아릴 구조를 가질 수 있고, 알킬기의 탄소수는 바람직하게는 1 내지 70, 더 바람직하게는 1 내지 50, 더욱 바람직하게는 1 내지 30, 더욱더 바람직하게는 1 내지 10, 특히 바람직하게는 1 내지 6 이다. 가장 바람직한 알킬기는 탄소수가 2 내지 6 인 선형 알킬기이다.
일반식 (VI) 에서 각각의 R4, R6, R8, R10 및 X4 내지 X15 로 표시되는 알킬기의 예는 n-C5OH101 기, n-C30H61 기, 3-(3,5,7-트리페닐아다만탄-1-일)프로필기 (탄소수: 31), 트리틸기 (탄소수: 19), 3-(아다만탄-1-일)프로필기 (탄소수: 13), 9-데칼릴기 (탄소수: 10), 벤질기 (탄소수: 7), 시클로헥실기 (탄소수: 6), n-헥실기 (탄소수: 6), n-펜틸기 (탄소수: 5), n-부틸기 (탄소수: 4), n-프로필기 (탄소수: 3), 시클로프로필기 (탄소수: 3), 에틸기 (탄소수: 2) 및 메틸기 (탄소수: 1) 를 포함한다.
일반식 (VI) 에서 각각의 R4, R6, R8, R10 및 X4 내지 X15 로 표시되는 아릴기는 치환기로서 아다만탄 구조 또는 알킬 구조를 가질 수 있고, 아릴기의 탄소수는 바람직하게는 6 내지 30, 더 바람직하게는 6 내지 20, 더욱 바람직하게는 6 내지 15, 특히 바람직하게는 6 내지 10, 가장 바람직하게는 6 이다.
일반식 (VI) 에서 각각의 R4, R6, R8, R10 및 X4 내지 X15 로 표시되는 아릴기의 예는 1-피레닐기 (탄소수: 16), 9-안트라세닐기 (탄소수: 14), 1-나프틸기 (탄소수: 10), 2-나프틸기 (탄소수: 10), p-t-부틸페닐기 (탄소수: 10), 2-m-자일릴기 (탄소수: 8), 5-m-자일릴기 (탄소수: 8), o-톨릴기 (탄소수: 7), m-톨릴기 (탄소수: 7), p-톨릴기 (탄소수: 7) 및 페닐기 (탄소수: 6) 를 포함한다.
일반식 (VI) 에서 각각의 R4, R6, R8 및 R10 은 수소 원자, 또는 알킬기, 또는 아릴기일 수 있지만, 높은 유리 전이 온도가 바람직하다는 관점으로부터, 그들 중 1 개 이상이 아릴기인 것이 바람직하고, 그들 중 2 개 이상이 아릴기인 것이 더욱 바람직하고, 그들 중 3 또는 4 개가 아릴기인 것이 특히 바람직하다.
일반식 (VI) 에서 각각의 X4 내지 X15 는 수소 원자, 또는 알킬기, 또는 아릴기를 나타낼 수 있지만, 각각 수소 원자 또는 아릴기, 특히 수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다.
유기 전계발광 소자는 진공 증착법 또는 용액 도포법을 이용하여 만들어지므로, 진공 증착 적합성 및 용해성의 관점에서, 본 발명에서 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물의 분자량은 바람직하게는 2,000 이하, 더욱 바람직하게는 1,200 이하, 특히 1,000 이하이다. 또한, 진공 증착 적합성의 관점에서, 분자량은 바람직하게는 250 이상, 더욱 바람직하게는 350 이상, 특히 바람직하게는 400 이상이다. 이는, 화합물의 분자량이 너무 작은 경우, 그들의 증기압이 낮아지고 증기상에서 고체상으로의 변화가 일어나지 않아서, 화합물이 유기층을 형성하는 것이 곤란하기 때문이다.
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물은 바람직하게는 실온 (25 ℃) 에서 고체상이고, 더욱 바람직하게는 실온 내지 40 ℃ 의 범위에서 고체상이고, 특히 바람직하게는 실온 내지 60 ℃ 의 범위에서 고체상이다.
일반식 (VI) 으로 표시되지만 실온에서 고체상이 아닌 화합물을 이용하는 경우, 화합물을 다른 물질과 조합시킴으로써 상온에서 고체상을 형성할 수 있다.
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물의 용도는 한정되지 않고, 화합물은 임의의 유기층에 함유될 수 있다. 본 발명에서 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물이 도입되는 층은 바람직하게는 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 블록 층 및 전하 블록층으로부터 선택되는 층, 또는 이들 층의 2 이상의 조합, 더욱 바람직하게는 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로부터 선택되는 층, 또는 이들 층의 2 이상의 조합, 특히 바람직하게는 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층으로부터 선택되는 층, 또는 이들 층의 2 이상의 조합, 가장 바람직하게는 발광층이다.
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물이 유기층 중에 이용되는 경우, 그것의 함량은 전하 수송성을 억제하지 않도록 제한될 필요가 있으므로, 바람직하게는 0.1 질량% 내지 70 질량%, 더욱 바람직하게는 0.1 질량% 내지 30 질량%, 특히 바람직하게는 0.1% 내지 25 질량% 이다.
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물이 2 이상의 유기층에 사용되는 경우, 각각의 유기층 중의 그것의 함량은 바람직하게는 상기 범위 내이다.
오직 한 종류의 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물이 임의의 유기층에 함유거나, 복수의 종류의 일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물이 임의의 비율로 조합되어 함유될 수 있다.
탄화수소 화합물의 구체적인 예를 이하에서 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00088
Figure pat00089
Figure pat00090
Figure pat00091
일반식 (VI) 으로 표시되는 화합물은 아다만탄 또는 할로아다만탄과 할로알칸 또는 알킬마그네슘 할로겐화물 (그리나드 시약) 을 적절히 조합함으로써 합성될 수 있다. 예를 들어, 인듐을 이용하여 할로아다만탄과 할로알칸을 커플링할 수 있다 (문헌 1). 대안적으로는, 할로알칸을 알킬구리 시약으로 변환한 후, 그 시약을 방향족 화합물의 그리나드 시약에 커플링할 수 있다 (문헌 2). 또한, 적당한 아릴붕산 및 팔라듐 촉매를 이용하여 할로알칸의 커플링이 수행될 수 있다 (문헌 3).
문헌 1: Tetrahedron Lett. 39, 9557-9558 (1998)
문헌 2: Tetrahedron Lett. 39, 2095-2096 (1998)
문헌 3: J. Am. Chem. Soc. 124, 13662-13663 (2002)
아릴기를 갖는 아다만탄 구조는 아다만탄 또는 할로아다만탄을 상응하는 아렌 또는 할로아렌과 적절히 조합함으로써 합성될 수 있다.
또한, 정의된 치환기가 상기 제조 방법에서 특정 합성 조건 하에 변화되거나 상기 제조 방법을 수행하기에 부적합한 경우에도, 예를 들어 기능기의 보호 및 탈보호 방법을 이용하여 의도하는 화합물이 용이하게 제조될 수 있다 (T.W. Greene, Protective Groups in Organic Synthesis, John Wiley & Sons Inc. (1981)). 또한, 치환기 도입 단계를 비롯한 반응 단계의 순서를 필요한 경우 적절히 변화시킬 수 있다.
발광층의 두께는 특별히 한정되지 않으나 통상, 두께는 바람직하게는 1 내지 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 5 내지 200 ㎚, 더욱더 바람직하게는 10 내지 100 ㎚ 이다.
-정공 주입층, 정공 수송층-
정공 주입층 및 정공 수송층은 양극 또는 양극측으로부터 정공을 수취하여 음극측으로 수송하는 기능을 하는 층이다.
-전자 주입층, 전자 수송층-
전자 주입층 및 전자 수송층은 음극 또는 음극측으로부터 전자를 수취하여 양극측으로 수송하는 기능을 하는 층이다.
정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층에 관해서는, JP-A-2008-270736, 단락 [0165] 내지 [0167] 에 기재된 사항이 본 발명에 적용될 수 있다.
-정공 블록층-
정공 블록층은 양극측으로부터 발광층으로 수송되는 정공이 음극측을 통과해서 빠지는 것을 방지하는 기능을 하는 층이다. 본 발명에서, 정공 블록층은 음극측에서 발광층에 인접하는 유기층으로서 설치될 수 있다.
정공 블록층을 구성하는 유기 화합물의 예는 알루미늄 착물 예컨대 알루미늄(III) 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토) A-페닐페놀레이트 (BAlq 로 축약됨), 트리아졸 유도체, 및 페난트롤린 유도체 예컨대 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP 로 축약됨) 을 포함한다.
정공 블록층이 두께는 바람직하게는 1 내지 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 내지 200 ㎚, 더욱더 바람직하게는 10 ㎚ 내지 100 ㎚ 이다.
정공 블록층은 상술한 재료의 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 단층 구조 또는 조성이 동일 또는 상이한 2 이상의 층으로 이루어지는 다층 구조일 수 있다.
-전자 블록층-
전자 블록층은 음극측으로부터 발광층으로 수송되는 전자가 양극측을 통과해서 빠지는 것을 방지하는 기능을 하는 층이다. 본 발명에서, 전자 블록층은 양극측에서 발광층에 인접하는 유기층으로서 설치될 수 있다.
전자 블록층을 구성하는 화합물의 예로서, 예를 들어, 상기 정공 수송 재료가 적용될 수 있다.
전자 블록층의 두께는 바람직하게는 1 ㎚ 내지 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 내지 200 ㎚, 더욱더 바람직하게는 10 ㎚ 내지 100 ㎚ 이다. 전자 블록층은 상술한 재료 1종 이상으로 이루어지는 단층 구조 또는 조성이 동일 또는 상이한 2 이상의 층으로 이루어지는 다층 구조일 수 있다.
<보호층>
본 발명에서, 유기 EL 소자 전체가 보호층에 의해 보호될 수 있다.
보호층에 관하여, JP-A-2008-270736, 단락 [0169] 및 [0170] 에 기재된 사항이 본 발명에 적용될 수 있다.
<포장 용기>
본 발명의 소자 전체가 포장 용기를 사용하여 포장될 수 있다.
포장 용기에 관하여, JP-A-2008-270736, 단락 [0171] 에 기재된 사항이 본 발명에 적용될 수 있다.
(구동)
본 발명의 유기 전계발광 소자의 발광은 양극과 음극 사이에 DC (필요에 따라, AC 성분이 포함될 수 있음) 전압 (일반적으로는 2 내지 15 볼트) 또는 DC 전류를 인가하는 것에 의해 얻어질 수 있다.
본 발명의 유기 전계발광 소자의 구동 방법에 관하여, 예를 들어, JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234685, JP-A-8-241047, 일본 특허 제 2784615 호, 및 미국 특허 제 5,828,429 호 및 제 6,023,308 호에 기재된 구동 방법이 적용될 수 있다.
다양한 공지된 개선수단을 이용하여 본 발명의 유기 전계발광 소자의 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 예를 들어, 기판 표면 형상을 가공 (예를 들어 기판 표면에 미세한 요철 패턴을 형성) 하거나, 기판, ITO 층 및 유기층의 굴절률을 제어하거나, 기판, ITO 층 및 유기층의 두께를 제어하는 등에 의해 광 추출 효율을 향상시키고 외부 양자 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 발광 소자는 양극측으로부터 빛을 수집하는 소위 전면 발광 (top emission) 방식일 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자는 공진기 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 소자의 투명 기판 상에, 굴절률이 상이한 복수의 적층막으로 이루어지는 다층막 미러 (mirror), 투명 또는 반투명 전극, 발광층 및 금속 전극이 중첩되어 있다. 발광층에서 생긴 빛은 반사판으로서 기능하는 다층 막 미러와 금속 전극 사이에서 반복적으로 반사되어 공진한다.
또다른 양상에서, 투명 기판 상에서 투명 또는 반투명 전극 및 금속 전극이 각각 반사판으로서 기능하고, 발광층에서 생긴 빛은 반사판들 사이에서 반복적으로 반사되어 공진한다.
공진 구조를 형성하기 위해, 2 개의 반사판의 유효 굴절률, 및 2 개의 반사판 사이의 각 층의 굴절률 및 두께로부터 결정되는 광학적 거리가 원하는 공진 파장을 얻기에 최적치가 되도록 조정된다. 제 1 양상의 경우 계산식은 JP-A-9-180883 에 기재되어 있고, 제 2 양상의 경우는 JP-A-2004-127795 에 기재되어 있다.
(본 발명의 발광 소자의 용도)
본 발명의 발광 소자는 발광 장치, 픽셀, 표시 소자, 디스플레이, 백라이트, 전자사진 장치, 조명 광원, 기록 광원, 노광 광원, 판독 광원, 표지, 간판, 내부 장식 또는 광통신에, 특히 바람직하게는 조명 장치 및 표시 장치와 같이 고강도 발광 영역에서 구동하는 소자에 적합하게 이용될 수 있다.
이후 도 2 를 참조하여 본 발명의 발광 장치를 설명한다.
본 발명의 발광 장치는 본 발명의 유기 전계발광 소자 중 임의의 하나를 포함한다.
도 2 는 본 발명의 발광 장치의 일례를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2 의 발광 장치 (20) 은 투명 기판 (2) (지지 기판), 유기 전계발광 소자 (10), 포장 용기 (16) 등을 포함한다.
유기 전계발광 소자 (10) 은 기판 (2) 상에 양극 (3) (제 1 전극), 유기층 (11) 및 음극 (9) (제 2 전극) 을 언급한 순서로 적층하여 형성된다. 또한, 보호층 (12) 가 음극 (9) 상에 적층되어 있고, 또한 보호층 (12) 상에 접착층 (14) 를 통해 포장 용기 (16) 이 설치되어 있다. 한편, 각각의 전극 (3) 및 (9) 의 일부, 칸막이벽 및 절연층이 도 2 에서 생략되어 있다.
여기에서, 빛 경화형 접착제 예컨대 에폭시 수지, 또는 열 경화형 접착제가 접착층 (14) 에 이용될 수 있다. 대안적으로는, 열 경화형 접착제 시트가 접착층 (14) 로서 이용될 수 있다.
본 발명의 발광 장치는 용도가 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는, 조명 장치 뿐만 아니라 텔레비전 수상기, 개인용 컴퓨터, 휴대 전화, 전자 종이 등의 표시 장치로도 이용될 수 있다.
이하에서 도 3 을 참조하여 본 발명의 구현예에 따른 조명 장치를 기술한다.
본 발명의 구현예에 따른 조명 장치 (40) 은, 도 3 에 나타낸 바와 같이, 위에서 기술된 유기 전계발광 소자 (10) 및 광산란 부재 (30) 을 포함한다. 더욱 구체적으로는, 조명 장치 (40) 은 유기 전계발광 소자 (10) 의 기판 (2) 와 광산란 부재 (30) 이 서로 접촉하도록 구성되어 있다.
광산란 부재 (30) 은 빛을 산란시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 도 3 에서는, 투명 기판 (31) 에 미립자 (32) 를 분산시켜 만든 부재를 사용하고 있다. 투명 기판 (31) 의 적합한 예는 유리 기판을 포함하고, 미립자 (32) 의 적합한 예는 투명 수지 미립자를 포함한다. 유리 기판 및 투명 수지 미립자로서 모두 공지된 제품을 사용할 수 있다. 이러한 조명 장치 (40) 에서, 유기 전계발광 소자 (10) 으로부터 발광된 빛이 산란 부재 (30) 의 광입사면 (30A) 에 입사될 때, 입사광이 광산란 부재에 의해 산란되고, 산란광이 광출사면 (30B) 로부터 조명광으로서 출사된다.
[실시예]
이하에서 실시예를 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명의 구현예가 이에 한정되는 것은 아니다.
[화합물 2 의 합성]
화합물 2 를 하기 반응식에 따라 합성했다.
Figure pat00092
Figure pat00093
질소 분위기에서, 2-에톡시에탄올/H2O 의 혼합 용매 (=3:1) 중에서, 2.1 당량의 리간드 1 및 1 당량의 염화 이리듐 n-수화물을 5 시간 동안 비등점에서 환류하여 반응시켜 염소 가교 착물 2 를 얻었다. 2-에톡시에탄올 중에서, 염소 가교 착물 2 및 3 당량의 아세틸아세톤을 탄산나트륨의 공존 하에 3 시간 동안 비등점에서 환류하여 acac 착물 3 을 얻었다. 그 뒤, acac 착물 3 및 1.5 당량의 리간드 1 을 글리세롤 중에서 200 ℃ 에서 반응시켜, 목적 화합물 2 를 합성했다.
[화합물 157 의 합성]
화합물 157 을 하기 반응식에 따라 합성했다.
Figure pat00094
1 내지 1.2 당량의 염기 예컨대 리튬 디이소프로필아미드, 칼륨 tert-부톡시드 및 수소화 나트륨을 0 ℃ 내지 실온에서 화합물 (A) 의 N,N-디메틸포름아미드 용액에 첨가하고, 0 ℃ 내지 실온에서 약 30 분 동안 반응을 진행시켰다. 여기에, 1.5 내지 4 당량의 요오드화 메틸을 첨가하고, 실온에서 약 30 분 동안 반응시켜 모노메틸화한 후, 상기 염기 1 내지 1.2 당량과 과잉의 요오드화 메틸을 동일한 조건 하에 다시 반응시켜 디메틸 치환체 (B) 를 수율 70 내지 99 % 로 얻었다.
화합물 (B) 로부터 화합물 (C) 를 얻는 공정에서, 화합물 (B) 뿐만 아니라 2 내지 3 당량의 탄산나트륨 및 0.05 내지 0.2 당량의 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 을 톨루엔/에탄올/물 혼합 용매 또는 1,2-디메톡시에탄/물 혼합 용매 중에 용해시키고, 용액을 70 ℃ 내지 가열 환류 온도로 가열하고, 2 내지 24 시간 동안 교반하여, 화합물 (C) 를 합성했다.
화합물 (C) 로부터 화합물 157 을 얻는 공정에서, 화합물 (C) 및 1 내지 1.5 당량의 염화 백금을 벤조니트릴 중에 용해시키고, 용액을 130 ℃ 내지 가열 환류 온도 (벤조니트릴의 비등점: 191 ℃) 로 가열하고, 30 분 내지 4 시간 동안 교반하여, 화합물을 합성했다. 화합물 157 을 클로로포름 또는 에틸 아세테이트를 이용하는 재결정화, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피, 승화 정제 등에 의해 정제했다.
한편, 일반식 (A1) 내지 (A4) 로 표시되는 금속 착물을 다양한 기술, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 2007/0190359 및 미국 특허 출원 공개 2008/0297033 에 기재된 방법에 의해 합성했다. 또한, JP-A-2009-102533, 페이지 189, 단락 288 내지 302 에 기재된 합성 방법을 이용하여 11 및 12 를 합성할 수 있다.
Figure pat00095
Figure pat00096
실시예 1:
(실시예 1-1)
ITO 막이 위에 있는 0.5 ㎜-두께, 2.5 ㎝-정사각형의 유리 기판 (GEOMATEC Corporation 사제, 표면 저항: 10 Ω/sq.) 을 세척 용기에 넣고, 2-프로판올 중에서 초음파 세척한 후, 30 분 동안 UV-오존 처리했다. 이러한 투명 양극 (ITO 막) 위에, 하기 유기층 (유기 화합물 층) 을 진공 증착법에 의해 순차적으로 증착했다.
특별한 언급이 없는 경우, 본 발명의 실시예에서 증착 속도는 0.2 ㎚/초이다. 증착 속도를 수정 진동자를 이용하여 측정했다. 이하에서, 막 두께도 수정 진동자를 이용하여 측정한 값이다.
세척한 ITO 기판을 증착 장치에 넣고, 구리 프탈로시아닌을 두께 10 ㎚ 로 증착하고 (제 1 층), 그 위에 NPD (N,N'-디-α-나프틸-N,N'-디페닐)-벤지딘) 을 두께 40 ㎚ 로 증착했다 (제 2 층). 또한, 그 위에 H-1 및 본 발명의 화합물 A-1 을 95:5 의 비율 (질량비) 로 두께 30 ㎚ 로 증착하고 (제 3 층/발광층), 그 위에 BAlq [알루미늄 비스-(2-메틸-8-퀴놀리나토)-4-페닐페놀레이트] 를 두께 40 ㎚ 로 증착했다 (제 4 층). 그 후, 불화 리튬을 두께 3 ㎚ 로 증착하고, 또한 알루미늄을 두께 60 ㎚ 로 증착했다. 수득한 적층을 아르곤 기체로 퍼지한 글러브 박스 (glove box) 내에 넣어 대기에 노출되지 않게 한 후, 스테인레스 스틸제 포장 캔 및 자외선 경화형 접착제 (XNR5516HV, Nagase-Ciba Ltd. 사제) 를 이용하여 포장하여 실시예 1-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 (Source Measure Unit) 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 본 발명의 화합물 A-1 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 1-2 내지 1-5 및 비교예 1-1 내지 1-5)
실시예 1-1 에서 사용한 재료를 표 1 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 1-2 내지 1-5 및 비교예 1-1 내지 1-5 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(구동 전압의 측정)
실시예 1-1 내지 1-5 및 비교예 1-1 내지 1-5 의 각각의 유기 전계발광 소자를 발광 스펙트럼 측정 시스템 (ELS 1500) (Shimadzu Corporation 사제) 에 세팅하고, 휘도 100 cd/㎡ 에서의 인가 전압을 측정했다.
(구동 내구성의 평가)
실시예 1-1 내지 1-5 및 비교예 1-1 내지 1-5 의 각각의 유기 전계발광 소자를 OLED 테스트 시스템 모델 ST-D (Tokyo System Development Co., Ltd. 사제) 에 세팅하고, 정전류 모드 및 초기 휘도 1,000 cd/㎡ 의 조건 하에 구동하고, 휘도 반감기를 측정했다.
(외부 양자 효율의 평가)
실시예 1-1 내지 1-5 및 비교예 1-1 내지 1-5 의 유기 전계발광 소자를, 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 EL 소자에 DC 전압을 인가하여 발광시키고, 100 cd/㎡ 에서의 정면 휘도로부터 외부 양자 효율 (%) 을 산출했다.
(색도의 평가)
휘도가 1,000 cd/㎡ 가 되도록 DC 전압을 인가하고, 발광 스펙트럼 측정 시스템 (ELS 1500) (Shimadzu Corporation 사제) 으로 발광 스펙트럼을 측정하여 색도 (CIE 색도) 를 산출했다.
표 1
Figure pat00097
실시예 1-1 내지 1-5 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 1-1 내지 1-5 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 2:
(실시예 2-1)
Figure pat00098
실시예 1-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 막의 조성비를 95:5 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 93:7 (질량비) 의 H-1 및 A-6 으로 바꿔서 증착 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 2-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-6 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 2-2 내지 2-4 및 비교예 2-1 내지 2-4)
실시예 2-1 에서 사용한 재료를 표 2 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 2-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 2-2 내지 2-4 및 비교예 2-1 내지 2-4 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 2
Figure pat00099
실시예 2-1 내지 2-4 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 2-1 내지 2-4 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 3:
(실시예 3-1)
Figure pat00100
Figure pat00101
실시예 1-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 막의 조성비를 95:5 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 93:7 (질량비) 의 H-2 및 A-1O 으로 바꿔서 증착 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 3-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-10 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 3-2 내지 3-9 및 비교예 3-1 내지 3-8)
실시예 3-1 에서 사용한 재료를 표 3 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 3-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 3-2 내지 3-9 및 비교예 3-1 내지 3-8 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 3
Figure pat00102
실시예 3-1 내지 3-6 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 3-1 내지 3-5 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다. 또한, 본 발명의 A-15, A-35, A-36 및 A-37 을 이용하는 실시예 3-6 내지 3-9 에서, 소자가 JP-A-2008-210941 에 기재된 상응하는 화합물 C-1O, C-36 및 C-37 을 이용하는 비교예 3-6 내지 3-8 에 비해 내구성 (휘도 반감기가 김), 소자 열화시 색도 이동, 및 저전압의 면에서 우수하다.
실시예 4:
(실시예 4-1)
Figure pat00103
Figure pat00104
실시예 1-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 막의 조성비를 95:5 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 95:5 (질량비) 의 H-2 및 A-16 으로 바꿔서 증착 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 4-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-16 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 4-2 내지 4-9 및 비교예 4-1 내지 4-9)
실시예 4-1 에서 사용한 재료를 표 4 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 4-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 4-2 내지 4-9 및 비교예 4-1 내지 4-9 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 사용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 4
Figure pat00105
실시예 4-1 내지 4-9 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 4-1 내지 4-9 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 5:
(실시예 5-1)
ITO 막이 위에 있는 0.5 ㎜-두께, 2.5 ㎝-정사각형의 유리 기판 (GEOMATEC Corporation 사제, 표면 저항: 10 Ω/sq.) 을 세척 용기에 넣고, 2-프로판올 중에서 초음파 세척한 후, 30 분 동안 UV-오존 처리했다. 이 기판 위에, 순수한 물로 70 % 로 희석한 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리스티렌 설포네이트 (PEDOT/PSS) 용액을 스핀 코터 (spin coater) 로 도포하여 두께 50 ㎚ 의 정공 수송층을 설치하고, H-1 및 A-1 을 98:2 의 비 (질량비) 로 용해한 메틸렌 클로리드 용액을 스핀 코터로 추가로 도포하여 두께 30 ㎚ 의 발광층을 얻었다. 그 후, 그 위에 BAlq [알루미늄 비스-(2-메틸-8-퀴놀리나토)-4-페닐페놀레이트] 를 두께 40 ㎚ 로 증착했다 (제 4 층). 이러한 유기 화합물 층 위에, 증착 장치 내에서 불화 리튬 0.5 ㎚ 를 음극 버퍼 층으로서 및 알루미늄 150 ㎚ 를 음극으로서 증착했다. 수득한 적층을 아르곤 기체로 퍼지한 글러브 박스에 넣어 대기에 노출되지 않게 한 후, 스테인레스 스틸제 포장 캔 및 자외선 경화형 접착제 (XNR5516HV, Nagase-Ciba Ltd. 사제) 를 이용하여 포장하여 실시예 5-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 본 발명의 화합물 A-1 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 5-2 내지 5-3 및 비교예 5-1 내지 5-3)
실시예 5-1 에서 사용한 재료를 표 5 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 5-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 5-2 내지 5-3 및 비교예 5-1 내지 5-3 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 5
Figure pat00106
실시예 5-1 내지 5-3 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 5-1 내지 5-3 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 6:
(실시예 6-1)
실시예 5-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 용액을 조성비를 98:2 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 96:4 (질량비) 의 H-1 및 A-6 으로 바꿔서 도포 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 5-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 6-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-6 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 6-2 및 비교예 6-1 및 6-2)
실시예 6-1 에서 사용한 재료를 표 6 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 6-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 6-2 및 비교예 6-1 및 6-2 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 6
Figure pat00107
실시예 6-1 및 6-2 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 6-1 및 6-2 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 7:
(실시예 7-1)
Figure pat00108
실시예 5-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 용액을 조성비를 98:2 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 96:4 (질량비) 의 H-4 및 A-1O 으로 바꿔서 도포 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 5-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 7-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-10 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 7-2 및 비교예 7-1 및 7-2)
실시예 7-1 에서 사용한 재료를 표 7 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 7-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 7-2 및 비교예 7-1 및 7-2 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 7
Figure pat00109
실시예 7-1 및 7-2 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 7-1 및 7-2 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 8:
(실시예 8-1)
실시예 5-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 용액을 조성비를 98:2 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 96:4 (질량비) 의 H-4 및 A-15 로 바꿔서 도포 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 5-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 8-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-15 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 8-2 내지 8-5 및 비교예 8-1 내지 8-5)
실시예 8-1 에서 사용한 재료를 표 8 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 8-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 8-2 내지 8-5 및 비교예 8-1 내지 8-5 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 8
Figure pat00110
실시예 8-1 내지 8-5 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 8-1 내지 8-5 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 9:
(실시예 9-1)
Figure pat00111
실시예 1-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 막의 조성비를 95:5 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 93:7 (질량비) 의 H-1 및 A-6 으로 바꿔서 증착 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 9-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-6 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 9-2 내지 9-6 및 비교예 9-1)
실시예 9-1 에서 사용한 재료를 표 9 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 9-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 9-2 내지 9-6 및 비교예 9-1 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 9
Figure pat00112
실시예 9-1 내지 9-6 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 부분 구조의 수 및 치환 위치에 따라 효과의 정도가 다르지만, 소자가 비교예 9-1 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 10:
(실시예 10-1)
Figure pat00113
실시예 1-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 막의 조성비를 95:5 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 90:10 (질량비) 의 H-2 및 A-14 로 바꿔서 증착 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 10-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-14 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 10-2 내지 10-4 및 비교예 10-1)
실시예 10-1 에서 사용한 재료를 표 10 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 10-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 10-2 내지 10-4 및 비교예 10-1 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 10
Figure pat00114
실시예 10-1 내지 10-4 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 부분 구조의 수 및 치환 위치에 따라 효과의 정도가 다르지만, 소자가 비교예 10-1 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 11:
(실시예 11-1)
Figure pat00115
실시예 1-1 에서 제 3 층 (발광층) 의 막의 조성비를 95:5 (질량비) 의 H-1 및 A-1 에서 90:10 (질량비) 의 H-3 및 A-17 로 바꿔서 증착 (막 두께: 50 ㎚) 한 것 외에는 실시예 1-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 11-1 의 유기 EL 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, A-17 에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
(실시예 11-2 및 11-3 및 비교예 11-1)
실시예 11-1 에서 사용한 재료를 표 11 에 나타낸 재료로 바꾼 것 외에는 실시예 11-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 11-2 및 11-3 및 비교예 11-1 의 소자를 제작했다. 소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 각각의 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다.
표 11
Figure pat00116
실시예 11-1 내지 11-3 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 소자가 비교예 11-1 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기를 나타내고 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
실시예 12:
(실시예 12-1)
산화 인듐 주석 (ITO) 막이 위에 있는 100 ㎛-두께, 2.5 ㎝-정사각형의 유리 기판 (GEOMATEC Corporation 사제, 표면 저항: 10 Ω/sq.) 을 세척 용기에 넣고, 2-프로판올 중에서 초음파 세척한 후, 30 분 동안 UV-오존 처리했다. 이러한 투명 양극 (ITO 막) 위에, 진공 증착법에 의해 하기 유기 화합물 층을 순차적으로 증착했다.
제 1 층: CuPc (구리 프탈로시아닌), 두께: 120 ㎚
제 2 층: NPD (N,N'-디-α-나프틸-N,N'-디페닐)-벤지딘, 두께: 7 ㎚
제 3 층: CBP (4,4'-디(9-카르바조일)비페닐), 두께: 3 ㎚
제 4 층 (발광층): 도펀트 (9 질량%), mCBP (91 질량%), 두께: 30 ㎚
제 5 층: 제 1 전자 수송 재료 (Balq), 두께: 30 ㎚
상기 층 위에, 불화 리튬 1 ㎚ 및 금속 알루미늄 100 ㎚ 를 이 순서로 증착하여 음극을 형성했다.
수득한 적층을 아르곤 기체로 퍼지한 글러브 박스에 넣어 대기에 노출되지 않게 한 후, 스테인레스 스틸제 포장 캔 및 자외선 경화형 접착제 (XNR5516HV, Nagase-Ciba Ltd. 사제) 를 이용하여 포장하여 실시예 12-1 의 유기 EL 소자를 제작했다.
(실시예 12-2 내지 12-16 및 비교예 12-1 내지 12-13)
소자의 발광 재료를 하기 표 12 에 나타낸 바와 같이 바꾼 것 외에는 실시예 12-1 에서와 동일한 방식으로 실시예 12-2 내지 12-16 및 비교예 12-1 내지 12-13 의 소자를 제작했다.
(유기 전계발광 소자의 성능 평가)
소스 메저 유닛 모델 2400 (Toyo Corp. 사제) 을 이용하여 DC 전압을 유기 EL 소자에 인가하여 발광시킨 결과, 사용한 발광 재료에서 유래하는 발광이 얻어졌다. 결과를 표 12 에 종합했다.
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
표 12
Figure pat00120
실시예 12-1 내지 12-16 에서는 본 발명의 화합물을 발광 재료로서 이용하므로, 미국 특허 출원 공개 2008-297033 에 기재된 상응하는 화합물을 이용하는 비교예 12-1 내지 12-13 에 비해 고효율 및 긴 휘도 반감기가 모두 만족되고 소자가 내구성의 면에서 우수한 것으로 보인다. 또한, 소자 열화시 색도 이동이 적고 전압이 낮다.
산업상 이용가능성
본 발명에 따르면, 높은 발광 효율 (예를 들어, 외부 양자 효율), 소자의 고내구성 및 긴 수명을 갖고 소자 열화 후의 색도 이동이 적은 유기 전계발광 소자가 제공될 수 있다.
본 출원은 일본 특허 출원 제 2009-201150 호 (2009 년 8 월 31 일에 출원) 에 기초하며, 이의 전문이 상세히 제시된 것과 같이 본원에 참조로 포함된다.
부호의 설명
2 기판
3 양극
4 정공 주입층
5 정공 수송층
6 발광층
7 정공 블록층
8 전자 수송층
9 음극
10 유기 전계발광 소자 (유기 EL 소자)
11 유기층
12 보호층
14 접착층
16 포장 용기
20 발광 장치
30 광산란 부재
30A 광입사면
30B 광출사면
32 미립자
40 조명 장치

Claims (14)

  1. 하기 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 하기 일반식 (2)로 표시되거나; 하기 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 하기 일반식 (14)로 표시되거나; 하기 일반식 (I) 로 표시되는 기를 갖는 하기 일반식 (A9)로 표시되는, 유기 전계발광 소자용 재료:
    Figure pat00121

    (일반식 (I) 에서, R1 은 알킬기를 나타내고;
    각각의 R2 및 R3 은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고;
    ns 은 0 내지 6 의 정수를 나타내고;
    Z 는 포화 5- 내지 8-원 고리를 나타냄),
    Figure pat00122

    (일반식 (2) 에서, M21 은 Ir을 나타내고;
    각각의 A21 내지 A23 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고;
    Z21 은 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 벤조옥사졸 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리, 피라졸 고리, 아자퀴놀린 고리 또는 아자이소퀴놀린 고리를 나타내고, 이들 고리는 알킬기, 불소 원자 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기를 가질 수 있고;
    Z22 는 벤젠 고리, 피라졸 고리, 피리딘 고리, 벤조옥사졸 고리 또는 티오펜 고리를 나타내고, 이들 고리는 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기를 가질 수 있고, 다른 고리와 축합 고리를 형성할 수 있고;
    단, Z21이 이미다졸 고리를 나타내는 경우, Z22는 벤젠 고리를 나타내지 않으며;
    각각의 L22 및 L23 은 탄소 원자, 질소 원자, 또는 산소 원자를 나타내고;
    L22 및 L23 은 E21 과 함께, 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 및 아세틸아세톤에서 선택된 두자리 리간드를 형성하는 원자단을 나타내고;
    k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고;
    l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    k+l 은 3 이고;
    각각의 S21 및 S22 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고;
    n+m 은 1 내지 4 의 정수이고;
    각각의 S21 또는 S22 는 동일하거나, 다른 모든 S21 또는 S22 와 상이할 수 있음);
    Figure pat00123

    (일반식 (14) 에서, 각각의 A141 내지 A146 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고;
    각각의 Z141 및 Z142 는 독립적으로 이소퀴놀린 고리, 벤조옥사졸 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리 또는 피라졸 고리를 나타내고;
    각각의 Z143 및 Z144 는 독립적으로 이소퀴놀린 고리, 벤조옥사졸 고리, 벤젠 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리 또는 피라졸 고리를 나타내고, 이들 고리는 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기를 가질 수 있고;
    E141 은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 연결기를 나타내고, 이때 R1 및 R2는 알킬기를 나타내고;
    각각의 S141 내지 S144 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    n+m+k+l 은 1 내지 2 의 정수이고;
    각각의 S141, S142, S143 또는 S144 는 동일하거나, 다른 모든 S141, S142, S143 또는 S144 와 상이할 수 있음);
    Figure pat00124

    (일반식 (A9) 에서, 각각의 R1a 내지 R1i 는 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 시아노기를 나타내고, 하나 이상의 R1a 내지 R1i 는 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    X-Y 는 하나 이상의 디케톤 및 피콜린산 유도체로부터 선택된 모노음이온성 두자리 리간드를 나타내고;
    n 은 1 내지 3 의 정수를 나타냄).
  2. 제 1 항에 있어서, 일반식 (I) 에서 ns 이 1 내지 3 의 정수를 나타내는 재료.
  3. 제 1 항에 있어서, 일반식 (I) 에서 ns 이 1 인 재료.
  4. 제 1 항에 있어서, 일반식 (I) 에서 각각의 R2 및 R3 이 수소 원자를 나타내는 재료.
  5. 제 1 항에 있어서, 일반식 (I) 에서 Z 가 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기를 나타내는 재료.
  6. 제 1 항에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (3) 으로 표시되는 재료:
    Figure pat00125

    (일반식 (3) 에서, M31 은 Ir을 나타내고,
    각각의 A31 및 A32 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고,
    각각의 R33 내지 R36 은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기를 나타내고, R33 내지 R36 중 n개가 S31로 대체될 수 있고,
    Z32 는 벤젠 고리, 피라졸 고리, 피리딘 고리, 벤조옥사졸 고리 또는 티오펜 고리를 나타내고, 이들 고리는 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기를 가질 수 있고, 각각의 L32 및 L33 은 독립적으로 탄소 원자, 질소 원자, 또는 산소 원자를 나타내고,
    L32 및 L33 은 E31 과 함께, 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 또는 아세틸아세톤을 나타내고,
    k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, k+l 은 3 이고,
    각각의 S31 및 S32 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고,
    각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고, n+m 은 1 내지 4 의 정수이고,
    각각의 S31 또는 S32 는 동일하거나, 다른 모든 S31 또는 S32 와 상이할 수 있음).
  7. 제 1 항에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (4) 로 표시되는 재료:
    Figure pat00126

    (일반식 (4) 에서, M41 은 Ir을 나타내고;
    각각의 R43 내지 R46 은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기를 나타내고, R43 내지 R46 중 n개가 S41로 대체될 수 있고,
    각각의 B41 내지 B44 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R47 을 나타내고, B41 내지 B44 중 질소 원자의 수는 0 또는 1이고, R47 은 수소 원자, 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기를 나타내고, R47 중 m개가 S42로 대체될 수 있고;
    각각의 R47 은 다른 모든 R47 과 동일 또는 상이할 수 있고;
    각각의 L42 및 L43 은 탄소 원자, 질소 원자 또는 산소 원자를 나타내고;
    E41 은 L42 및 L43 과 함께 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 또는 아세틸아세톤을 나타내고;
    k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고;
    l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    k+l 은 3 이고;
    각각의 S41 및 S42 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고;
    n+m 은 1 내지 4 의 정수이고;
    각각의 S41 또는 S42 는 동일하거나, 다른 모든 S41 또는 S42 와 상이할 수 있음).
  8. 제 7 항에 있어서, 일반식 (4) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (5) 로 표시되는 재료:
    Figure pat00127

    (일반식 (5) 에서, M51 은 Ir을 나타내고;
    각각의 R53 내지 R59 및 R510 은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기를 나타내고, R53 내지 R56 중 n개가 S51로 대체될 수 있고, R57 내지 R59 및 R510 중 m개가 S52로 대체될 수 있고;
    각각의 L52 및 L53 은 탄소 원자, 질소 원자, 또는 산소 원자를 나타내고;
    E51 은 L52 및 L53 과 함께 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 또는 아세틸아세톤을 나타내고;
    k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고;
    l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    k+l 은 3 이고;
    각각의 S51 및 S52 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    각각의 n 및 m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고;
    n+m 은 1 내지 4 의 정수이고;
    각각의 S51 또는 S52 는 동일하거나, 다른 모든 S51 또는 S52 와 상이할 수 있음).
  9. 제 1 항에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (9) 로 표시되는 재료:
    Figure pat00128

    (일반식 (9) 에서, M91 은 Ir을 나타내고;
    각각의 R93 및 R94 는 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 불소 원자 또는 시아노기를 나타내고, R93 내지 R95 중 n개가 S91로 대체될 수 있고;
    R95 는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고;
    각각의 B91 내지 B94 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R96 을 나타내고, B91 내지 B94 중 질소 원자의 수는 1이고, R96 은 수소 원자, 알킬기, 불소 원자, 메톡시기, 아릴기 또는 시아노기를 나타내고, R96 중 m개가 S92 로 대체될 수 있고, 각각의 R96 은 다른 모든 R96 과 동일 또는 상이할 수 있고;
    각각의 L92 및 L93 은 탄소 원자, 질소 원자, 또는 산소 원자를 나타내고;
    E91 은 L92 및 L93 과 함께 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 또는 아세틸아세톤을 나타내고;
    k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고;
    l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    k+l 은 3 이고;
    각각의 S91 및 S92 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    n 은 0 내지 3 의 정수를 나타내고;
    m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고;
    n+m 은 1 내지 4 의 정수이고;
    각각의 S91 또는 S92 는 동일하거나, 다른 모든 S91 또는 S92 와 상이할 수 있음).
  10. 제 1 항에 있어서, 일반식 (2) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (12) 로 표시되는 재료:
    Figure pat00129

    (일반식 (12) 에서, M121 은 Ir을 나타내고;
    각각의 R123 내지 R125 는 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 불소 원자, 또는 시아노기를 나타내고, R123 내지 R125 중 n개가 S121로 대체될 수 있고;
    각각의 B121 내지 B124 는 독립적으로 질소 원자 또는 C-R126 을 나타내고,
    B121 내지 B124 중 질소 원자의 수는 0 또는 1이고, R126 은 수소 원자, 알킬기, 불소 원자, 또는 시아노기를 나타내고, R126 중 m개가 S122로 대체될 수 있고, 각각의 R126 은 다른 모든 R126 과 동일 또는 상이할 수 있고;
    각각의 L122 및 L123 은 탄소 원자, 질소 원자, 또는 산소 원자를 나타내고;
    E121 은 L122 및 L123 과 함께 페닐피리딘, 피리딜피리딘, 피콜린산 또는 아세틸아세톤을 나타내고;
    k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고;
    l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    k+l 은 3 이고;
    각각의 S121 및 S122 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    n 은 0 내지 3 의 정수를 나타내고;
    m 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고;
    n+m 은 1 내지 4 의 정수이고;
    각각의 S121 또는 S122 는 동일하거나, 다른 모든 S121 또는 S122 와 상이할 수 있음).
  11. 제 1 항에 있어서, 일반식 (14) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (15) 로 표시되는 재료:
    Figure pat00130

    (일반식 (15) 에서, 각각의 A151 내지 A154 는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고;
    각각의 R153 내지 R158 은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 불소 원자, 또는 시아노기를 나타내고, R153 내지 R155 중 n개가 S151로 대체될 수 있고, R156 내지 R158 중 m개가 S152로 대체될 수 있고;
    각각의 Z151 및 Z152 는 독립적으로 벤젠 고리, 이소퀴놀린 고리, 벤조옥사졸 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리 또는 피라졸 고리를 나타내고;
    E151 은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 연결기를 나타내고, 이때 R1 및 R2는 알킬기를 나타내고;
    각각의 S151 내지 S154 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 2의 정수를 나타내고;
    n+m+k+l 은 1 또는 2 의 정수이고;
    각각의 S151, S152, S153 또는 S154 는 동일하거나, 다른 모든 S151, S152, S153 또는 S154 와 상이할 수 있음).
  12. 제 1 항에 있어서, 일반식 (14) 로 표시되는 금속 착물이 하기 일반식 (18) 로 표시되는 재료:
    Figure pat00131

    (일반식 (18) 에서, 각각의 A181 내지 A186 은 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타내고;
    각각의 D181 내지 D184 는 독립적으로 탄소 및 질소로부터 선택되는 원자를 나타내고;
    D181, D182, A181, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D183, D184, A184, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리는 두개의 질소 원자를 갖고;
    D181, D182, A181, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 또는 D183, D184, A184, 질소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되는 5-원 고리의 원자간 결합은 단일결합 또는 이중결합을 나타내고;
    각각의 D181 내지 D184 는 이들이 추가로 치환될 수 있는 경우, 치환기로서 알킬기, 불소 원자, 시아노기, S181 또는 S182를 가질 수 있고;
    각각의 Z181 및 Z182 는 독립적으로 벤젠 고리, 이소퀴놀린 고리, 벤조옥사졸 고리, 피리딘 고리, 이미다졸 고리 또는 피라졸 고리를 나타내고;
    E181 은 -C(R1)(R2)-로 표시되는 2가 연결기를 나타내고, 이때 R1 및 R2는 알킬기를 나타내고;
    각각의 S181 내지 S184 는 독립적으로 일반식 (I) 로 표시되는 기를 나타내고;
    각각의 n, m, k 및 l 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고;
    n+m+k+l 은 1 내지 2 의 정수이고;
    각각의 S181, S182, S183 또는 S184 는 동일하거나, 다른 모든 S181, S182, S183 또는 S184 와 상이할 수 있음).
  13. 제 1 항에 있어서, 일반식 (A9)로 표시되는 금속 착물 중 일반식 (I) 로 표시되는 기가 하기의 a2, a5, a9 또는 a12를 나타내는 재료:
    Figure pat00132

    Figure pat00133

    Figure pat00134

    Figure pat00135
  14. 한 쌍의 전극과, 그 전극 간에 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기 전계발광 소자로서, 상기 유기층이 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 재료를 포함하는 발광층을 함유하는, 유기 전계발광 소자.
KR1020197028343A 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자 KR102140247B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020207021860A KR102314519B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009201150A JP4551480B1 (ja) 2009-08-31 2009-08-31 有機電界発光素子
JPJP-P-2009-201150 2009-08-31
PCT/JP2010/064664 WO2011024986A1 (en) 2009-08-31 2010-08-24 Organic electroluminescence device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187027409A Division KR102028130B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207021860A Division KR102314519B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190112853A true KR20190112853A (ko) 2019-10-07
KR102140247B1 KR102140247B1 (ko) 2020-08-12

Family

ID=42978723

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187027409A KR102028130B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자
KR1020207021860A KR102314519B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자
KR1020127005259A KR101903793B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자
KR1020197028343A KR102140247B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187027409A KR102028130B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자
KR1020207021860A KR102314519B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자
KR1020127005259A KR101903793B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-24 유기 전계발광 소자

Country Status (5)

Country Link
US (4) US8945725B2 (ko)
JP (1) JP4551480B1 (ko)
KR (4) KR102028130B1 (ko)
TW (1) TWI501951B (ko)
WO (1) WO2011024986A1 (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3623444B1 (en) * 2003-06-02 2021-05-26 UDC Ireland Limited Organic electroluminescent devices and metal complex compounds
JP5067114B2 (ja) * 2007-10-24 2012-11-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP4551480B1 (ja) * 2009-08-31 2010-09-29 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP2013545754A (ja) * 2010-11-22 2013-12-26 ソルヴェイ（ソシエテ アノニム） ドナー置換基とアクセプター置換基とを組合せて有する配位子を含む金属錯体
US10008677B2 (en) 2011-01-13 2018-06-26 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
WO2012116231A2 (en) * 2011-02-23 2012-08-30 Universal Display Corporation Novel tetradentate platinum complexes
KR101926892B1 (ko) * 2011-04-04 2018-12-07 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
TWI529238B (zh) * 2011-04-15 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 有機發光元件、有機金屬錯合物發光裝置、電子用具及照明裝置
CN103502256B (zh) 2011-04-29 2017-06-20 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
EP2727928A4 (en) * 2011-06-30 2015-03-18 Oceans King Lighting Science IRIDIUM-ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE COMPOSITE, METHOD OF MANUFACTURE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT
US9783564B2 (en) 2011-07-25 2017-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP2551274B1 (en) * 2011-07-25 2015-12-09 Universal Display Corporation Tetradentate platinum complexes
US9493698B2 (en) * 2011-08-31 2016-11-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN102977152B (zh) * 2012-12-07 2014-12-10 太原理工大学 一种橙红光磷光粉的制备方法
KR20140080606A (ko) 2012-12-12 2014-07-01 삼성전자주식회사 유기 금속 착물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치
JP2014175616A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Ube Ind Ltd 二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子
US10008679B2 (en) 2014-04-14 2018-06-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9911931B2 (en) 2014-06-26 2018-03-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9865825B2 (en) 2014-11-10 2018-01-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Emitters based on octahedral metal complexes
US10361381B2 (en) 2015-09-03 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101714760B1 (ko) * 2016-06-28 2017-03-22 삼성전자 주식회사 유기 금속 착물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치
US10608186B2 (en) * 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI586662B (zh) 2016-12-07 2017-06-11 國立清華大學 鉑錯合物、有機發光二極體與可發出可見光或近紅外光的裝置
US10844084B2 (en) * 2017-02-22 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056658B2 (en) * 2017-03-29 2021-07-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102520857B1 (ko) * 2017-06-16 2023-04-12 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물
US11937503B2 (en) * 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11925103B2 (en) 2018-06-05 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20200115795A (ko) * 2019-03-26 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 전자 장치
US20220209141A1 (en) 2019-04-15 2022-06-30 Merck Patent Gmbh Metal complexes
KR20200122194A (ko) * 2019-04-17 2020-10-27 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006008976A1 (ja) * 2004-07-16 2006-01-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007029461A1 (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置及び照明装置
WO2008117889A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
KR20080098489A (ko) * 2006-02-10 2008-11-10 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
KR101903793B1 (ko) * 2009-08-31 2018-10-02 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계발광 소자

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043973A (ja) 1999-07-29 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
US6391482B1 (en) 1999-02-04 2002-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic material for electroluminescent device and electroluminescent device using the same
US6821645B2 (en) * 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
DE10104426A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Covion Organic Semiconductors Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris-ortho-metallierten Organo-Iridium-Verbindungen
US6835469B2 (en) * 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
KR100509603B1 (ko) * 2002-12-28 2005-08-22 삼성에스디아이 주식회사 적색 발광 화합물 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자
WO2005113563A1 (de) 2004-05-19 2005-12-01 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP4531509B2 (ja) * 2004-09-27 2010-08-25 富士フイルム株式会社 発光素子
JP4995470B2 (ja) * 2005-07-20 2012-08-08 エスアイアイ・プリンテック株式会社 インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置
US8778509B2 (en) * 2005-09-01 2014-07-15 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5298460B2 (ja) * 2006-06-08 2013-09-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2008021687A (ja) 2006-07-10 2008-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
JP2008210941A (ja) 2007-02-26 2008-09-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5547476B2 (ja) * 2007-05-16 2014-07-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP5256485B2 (ja) * 2007-05-16 2013-08-07 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20100141125A1 (en) 2007-05-16 2010-06-10 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
WO2008143059A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
WO2008140114A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-20 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
CN103319540B (zh) * 2007-05-18 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物，包含该有机金属配合物的组合物和发光元件
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP5067114B2 (ja) * 2007-10-24 2012-11-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20130087499A (ko) * 2010-06-15 2013-08-06 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
DE102010027317A1 (de) * 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2014008982A1 (de) * 2012-07-13 2014-01-16 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
EP2906575B1 (de) * 2012-10-09 2018-01-17 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
US9831448B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-28 Merck Patent Gmbh Metal complexes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006008976A1 (ja) * 2004-07-16 2006-01-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007029461A1 (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置及び照明装置
KR20080098489A (ko) * 2006-02-10 2008-11-10 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
WO2008117889A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
KR101903793B1 (ko) * 2009-08-31 2018-10-02 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계발광 소자
KR102028130B1 (ko) * 2009-08-31 2019-10-04 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120081076A (ko) 2012-07-18
KR101903793B1 (ko) 2018-10-02
US20240057469A1 (en) 2024-02-15
KR20180108884A (ko) 2018-10-04
US11832508B2 (en) 2023-11-28
US20190372030A1 (en) 2019-12-05
US10403832B2 (en) 2019-09-03
KR20200094228A (ko) 2020-08-06
WO2011024986A1 (en) 2011-03-03
US20150243913A1 (en) 2015-08-27
JP4551480B1 (ja) 2010-09-29
KR102140247B1 (ko) 2020-08-12
TW201125853A (en) 2011-08-01
KR102314519B1 (ko) 2021-10-20
KR102028130B1 (ko) 2019-10-04
US8945725B2 (en) 2015-02-03
TWI501951B (zh) 2015-10-01
US20120153816A1 (en) 2012-06-21
JP2011054695A (ja) 2011-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102028130B1 (ko) 유기 전계발광 소자
JP4564590B1 (ja) 有機電界発光素子材料、及び有機電界発光素子
JP5414544B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5457907B2 (ja) 有機電界発光素子
JP6109797B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5779318B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5666111B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5926477B2 (ja) 金属錯体化合物の製造方法及び有機電界発光素子
KR20120025008A (ko) 유기 전계발광 디바이스
JP4523990B1 (ja) 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
JP4542607B1 (ja) イリジウム錯体を昇華精製する方法、及び有機電界発光素子の製造方法
JP4564585B1 (ja) 有機電界発光素子
JP6219443B2 (ja) 金属錯体化合物の製造方法及び有機電界発光素子
JP5859102B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2011213915A (ja) 有機薄膜及び有機電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant