JP5198856B2 - 金属錯体 - Google Patents

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Description

有機金属化合物、特にd金属の化合物は、近い将来において、最も広い意味において電子産業とみなされ得る様々なタイプの多くのアプリケーションにおける機能性材料として用いられるであろう。有機成分に基づく有機エレクトロルミネセンスデバイスまたは有機発光ダイオード(OLED)の場合(例えば、US 4539507、US 5151629)、パイオニア社製のカーラジオ、並びにパイオニア社およびSNMD社製の「有機ディスプレイ」を有する携帯電話により確認されるように、市場への導入は既に行われている。このタイプの他の製品も、導入されようとしている。それにも関らず、これらのディスプレイを、現在市場を独占している液晶ディスプレイ(LCD)の真の競合物とするためには、かなりの改善がここでは未だに必要である。
近年明らかになっている開発は、蛍光の代わりにリン光を示す有機金属錯体の使用である(M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4 6)。理論的なスピン統計論上、リン光エミッタとして有機金属化合物を用いれば、最大で4倍までのエネルギーとパワー効率が可能となる。この開発が成功するか否かは、OLEDにおいて、これらの利点(一重項発光=蛍光と比較して、三重項発光=リン光)を実行することができる対応するデバイス組成物を見出せるか否かにかかっている。ここで述べられる必須条件は、特に、長い駆動寿命、並びに駆動中および蒸着中の双方での高い熱的安定性である。ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、金および白金化合物の場合において、金属の希少さを背景に、資源を節約するようにそれらを用いることを可能にするために、このことは特に重要である。
今日までのリン光OLEDは、とりわけ、以下の弱点を示す。
1.駆動寿命は、多くの場合において未だに、明らかにあまりにも低く、これは、(リン光)OLEDの市場への導入を妨げている。
2.多くの既知の金属錯体は、低い熱的安定性を有する。金属錯体の真空蒸着中、これは、必ず常に有機熱分解生成物の遊離を招き、これは時には少量であっても、OLEDの駆動寿命を大きく縮める。しかしながら、特に、昇華による金属錯体の精製中、および真空プロセスによる蒸着中、分解は、錯体の大きな損失を招くために、十分により温度安定である錯体を利用できるようにすることが望ましい。
3.リン光エミッタ、特に赤色発光錯体として用いられている多くの錯体は、非常に酸素に敏感である。このことは、合成および精製の双方、並びにデバイス製造中の全ての他の処理工程を、酸素の厳格な排除をもって行う必要があるために、取り扱いをかなりより困難にしている。より敏感でない錯体を利用できるようにすることが望ましい。
4.これまでOLEDにおいて用いられてきた、文献中で述べられる金属錯体の多くが、3つの二座配位子に配位した中心金属から成るホモレプティックの、(擬)八面体錯体である。この構造のタイプの錯体は、2つの異性体形態、メリジオナル異性体およびフェイシャル異性体で存在する。2つの異性体の一方は、しばしば、熱力学的に、ほんのわずかに好ましい。このことは、ある種の条件下、例えばある昇華温度において、異性体の一方または他方、あるいは混合物も形成されるという結果を招く。2つの異性体は、しばしば、その物理的性質(発光スペクトル、電荷輸送性等)においてかなり異なり、従って、OLEDの性質は、製造プロセスをわずかに変える場合においてさえも、互いにかなり異なり得るために、これは望ましくない。
従って、上記の弱点を有さず、効率および発光色の点では既知の金属錯体と少なくとも同等である代替化合物についての要求が存在する。
驚くべきことに、クリプタートが、有機電子部品において、特に三重項エミッタとしての使用時に、従来技術をしのぐ、優れた性質を有するということをここに見出した。これは、特に、熱的安定性と寿命に当てはまる。本発明は、これらの化合物に関する。以下により詳しく述べる有機金属クリプタートのクラスと、電気光学部品におけるその使用は新規であり、純物質としてのその効率的な調製と入手可能性は、本目的上非常に重要である。
本発明は、式(1)
Figure 0005198856
の有機金属クリプタートであって、式(2)
Figure 0005198856
(式中、Vは、出現毎に同一か異なり、1〜80個の原子を含む架橋単位であり、これは、出現毎に同一であるか異なり得る3つの構成配位子(part-ligand)Lと互いに共有結合しており、3つの構成配位子Lは、式(3)
Figure 0005198856
(式中、DCyは、置換または無置換の環状基であって、当該環内または環外に結合し、且つ環状基DCyが経由して金属に結合する少なくとも1つのドナー原子を含有する環状基であり、並びにCCyは、置換または無置換の環状基であって、環状基CCyが経由して金属に結合する少なくとも1つの炭素原子を含有する環状基であり、基DCyとCCyは、共有結合により互いに結合しており、およびさらに、置換基により互いに結合していてもよく、従って、多環の脂肪族環系若しくは芳香族環系を形成していてもよい)
により記述される)
のクリプタンドKに配位した少なくとも1つの金属を含有する有機金属クリプタートに関する。
本発明の目的上、有機金属化合物とは、少なくとも1つの直接の金属−炭素結合を有する化合物を意味するものと解釈される。
本発明の目的上、クリプタートとは、クリプタンドと金属イオンとの間の化合物であって、金属イオンが、3次元様式で、錯体を形成するクリプタンドの架橋により取り囲まれているものを意味するものと解釈される。
本発明の目的上、クリプタンドとは、多環式大環状配位子、特に2つの橋頭原子または橋頭基が、3つの架橋により接続されており、このそれぞれが、金属原子またはイオンに配位することができる配位子を意味するものと解釈されたい。
ヘテロ環であるか、CCyの場合には同素環でもあり得る環状基DCyとCCyは、飽和しているか、不飽和であるか、または芳香族であり得る。この基は、好ましくは、芳香族である。
荷電していない、すなわち、電気的に中性であることを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。
少なくとも1つの構成配位子L、好ましくは少なくとも2つの構成配位子L、および特に好ましくは3つ全ての構成配位子Lが、一価で、負に荷電していることを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。
クリプタンドK内の全ての構成配位子Lが、同一であることを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。
同様に、少なくとも2つの構成配位子Lが、互いに異なることを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。
架橋単位Vが、架橋原子として、第3、4、5若しくは6主族からの元素、または3〜6員環の同素環若しくはヘテロ環を含有することを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。架橋単位Vは、中性であるか、一価で負に荷電しているか、あるいは一価で正に荷電している。Vの電荷は、好ましくは、中性の錯体が形成されるように選択される。つまり、例えば、三価の金属イオンM3+と、3つの一価の負の構成配位子Lの場合には、2つの中性の架橋単位Vが好ましい。四価の金属イオンM4+と、3つの一価の負の構成配位子Lの場合には、中性の架橋単位と一価の負の架橋単位Vが好ましい。さらに、五価の金属イオンM5+と、3つの一価の負の構成配位子Lの場合には、2つの一価の負の架橋単位Vが好ましい。さらに、二価の金属イオンM2+と、3つの一価の負の構成配位子Lの場合には、中性の架橋単位と一価の正の架橋単位Vが好ましい。さらに、一価の金属イオンMと、3つの一価の負の構成配位子Lの場合には、2つの一価の正の架橋単位Vが好ましい。
式(4)のクリプタンドKが、金属Mにおいてフェイシャル配位を形成することを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。
Figure 0005198856
同様に、式(5)のクリプタンドKが、金属Mにおいてメリジオナル配位を形成することを特徴とする、本発明による式(1)の化合物が好ましい。
Figure 0005198856
本明細書の目的上、フェイシャル配位またはメリジオナル配位は、6つのドナー原子を伴う金属Mの環境を記述する。フェイシャル配位は、3つの同じドナー原子が、(擬)八面体配位多面体において三角形の面を占め、且つ先のドナー原子とは異なる3つの同じドナー原子が、(擬)八面体配位多面体において、もう1つの三角形の面を占める場合に存在する。メリジオナル配位の場合は、3つの同じドナー原子は、(擬)八面体配位多面体における第1の経線を占め、且つ先のドナー原子とは異なる3つの同じドナー原子が、(擬)八面体配位多面体における他の経線を占める。このことを、3つのNドナー原子と3つのCドナー原子の配位の例に関して以下に示す(スキーム1)。この記述はドナー原子に関し、これらのドナー原子を提供する環CCyおよびDCyには関しないため、3つの環CCyと3つの環DCyは、出現毎に同一であるか異なっていてよく、いずれにせよ、本明細書の目的上、フェイシャル配位またはメリジオナル配位に対応する。同一のドナー原子は、同じ元素(例えば、窒素)から成るものを意味するものと解釈され、これらの元素が、異なる、任意的に環状の、構造中に取り込まれているか否かに関らない。
Figure 0005198856
金属においてフェイシャル配位形状を有する化合物(1)〜(4)により記述される有機金属クリプタートが好ましい
Figure 0005198856
(式中、記号および添え字は、以下の意味を有する。すなわち、
Mは、出現毎に同一であるか異なり、主族金属イオン、遷移金属イオン、またはランタノイドイオンであり、
Qは、出現毎に同一であるか異なり、O、S、Se、TeまたはNであり、
Tは、出現毎に同一であるか異なり、N、PまたはCであり、
Xは、出現毎に同一であるか異なり、CR、NまたはPであり、
Yは、出現毎に同一であるか異なり、NR、O、S、Se、Te、SO、SeO、TeO、SO、SeO、TeO、RPOであり、
Zは、出現毎に同一であるか異なり、B、BR、B(CR、RB(CR 、B(O)、RB(O) 、B(CRCR、RB(CRCR 、B(CRO)、RB(CRO) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、CR、CO、CNR 、RC(CR、RC(O)、RC(CRCR、RC(CRO)、RC(OCR、RC(SiR、RC(SiRCR、RC(CRSiR、RC(SiRSiR、シス,シス−1,3,5−シクロヘキシル、1,3,5−(CR、SiR、RSi(CR、RSi(O)、RSi(CRCR、RSi(OCR、RSi(CRO)、RSi(SiR、RSi(SiRCR、RSi(CRSiR、RSi(SiRSiR、N、NO、NR、N(CR、RN(CR 、N(C=O)、N(CRCR、RN(CRCR、P、PO、PS、PSe、PTe、P(O)、PO(O)、P(OCR、PO(OCR、P(CR、PO(CR、P(CRCR、PO(CRCR、As、AsO、AsS、AsSe、AsTe、As(O)、AsO(O)、As(OCR、AsO(OCR、As(CR、AsO(CR、As(CRCR、AsO(CRCR、Sb、SbO、SbS、SbSe、SbTe、Sb(O)、SbO(O)、Sb(OCR、SbO(OCR、Sb(CR、SbO(CR、Sb(CRCR、SbO(CRCR、Bi、BiO、BiS、BiSe、BiTe、Bi(O)、BiO(O)、Bi(OCR、BiO(OCR、Bi(CR、BiO(CR、Bi(CRCR、BiO(CRCR、S、S(CR 、S(CRCR 、Se、Se(CR 、Se(CRCR 、Te、Te(CR 、Te(CRCR であり、
Rは、出現毎に同一であるか異なり、H、F、Cl、Br、I、OH、NO、CN、1〜20個のC原子を有する直鎖の、分枝の若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基(ここで、1個以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、Ge(R、Sn(R、C=O、C=S、C=Se、C=NR、−O−、−S−、−NR−、または−CONR−により置き換えられてもよく、並びに1個以上のH原子は、Fにより置き換えられてもよい)、または1〜14個のC原子を有する芳香族環系若しくは複素環式芳香族環系(これらは、1個以上の非芳香族R基により置換されていてもよい)であり、ここで、(同じ環上、または2つの異なる環上の)2以上の置換基Rは、互いに、さらなる単環または多環の脂肪族環系若しくは芳香族環系、および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく、
は、出現毎に同一であるか異なり、H、または1〜20個のC原子を有する脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基であり、
cは、出現毎に同一であるか異なり、0または1であり、但し、対応する構成配位子における記号Tが、NまたはPを表す場合には、c=0である)。
加えて、金属においてメリジオナル配位形状を有する化合物(5)〜(8)が好ましい
Figure 0005198856
(式中、記号および添え字のM、Q、T、X、Y、Z、R、Rおよびcは、上記した意味を有し、並びにnが、1または2である)。
本発明は、さらに、異なる構成配位子Lを同時に含有する、すなわち、混合配位子系を含有する化合物に関する。これらを、化合物(9)〜(26)により記述する
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
(式中、記号および添え字のM、Q、T、X、Y、Z、R、R、cおよびnは、上記した意味を有する)。
出現毎に同一か異なるMが、遷移金属イオン、非常に特に好ましくはタングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金または金を表す、本発明による化合物(1)〜(26)が、特に好ましい。
さらに、出現毎に同一か異なるQが、O、SまたはSe、非常に特に好ましくはOまたはSを表す、本発明による化合物(1)〜(26)が特に好ましい。
さらに、出現毎に同一か異なるTが、NまたはP、非常に特に好ましくはNを表す、本発明による化合物(1)〜(26)が特に好ましい。
さらに、出現毎に同一か異なるXが、CRまたはNを表す、本発明による化合物(1)〜(26)が特に好ましい。
出現毎に同一か異なるZが、B、BR、B(CR、RB(CR 、B(O)、RB(O) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、CR、CNR 、RC(CR、RC(O)、RC(CRCR、RC(CRO)、RC(OCR、SiR、RSi(CR、RSi(O)、RSi(CRCR、RSi(OCR、RSi(CRO)、N、NO、NR、N(CR、RN(CR 、N(C=O)、N(CRCR、RN(CRCR、P、PO、P(O)、PO(O)、P(OCR、PO(OCR、S、S(CR 、S(CRCR 、非常に特に好ましくは、B(O)、RB(O) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、P(O)、P(OCR、RC(CR、RSi(O)、N(CR、RN(CR を表す、本発明による化合物(1)〜(26)が特に好ましい。
さらに、出現毎に同一か異なるYが、O、SまたはNR、非常に特に好ましくは、OまたはSを表す、本発明による化合物(1)〜(26)が特に好ましい。
さらに、出現毎に同一か異なるRが、H、F、Cl、Br、I、CN、1〜6個のC原子を有する直鎖の、分枝の若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基、または3〜8個のC原子を有するアリール基若しくはヘテロアリール基(これらは、1以上の非芳香族R基により置換されていてもよい)を表し、ここで、同一の環上または2つの異なる環上の2以上の置換基Rが、互いに、さらなる単環若しくは多環の、脂肪族環系、芳香族環系、および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよいところの本発明による化合物(1)〜(26)の化合物が特に好ましい。
さらに、出現毎に添え字cが、0であるところの本発明による化合物(1)〜(26)の化合物が特に好ましい。
本発明は、同様に、本発明によるクリプタート(1)〜(26)の配位子を表す、化合物(27)〜(52)により記述されるクリプタンドに関する
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
(式中、記号および添え字のQ、T、X、Y、Z、R、R、c、nは、上記した意味を有する)。
本発明による化合物(1)〜(26)を、原則として、種々の方法により調製することができるが、ここで、以下に記載する方法が、特に適していることが判明した。
従って、本発明は、化合物(27)〜(52)により記述されるクリプタンド、またはこれらのクリプタンドの前駆体と、化合物(53)により記載される金属アルコキシドとの、化合物(54)により記載される金属ケトケトナートとの、または化合物(55)により記載される金属ハライドとの反応により、化合物(1)〜(26)を調製するための方法に関する
Figure 0005198856
(式中、以下が、記号および添え字に適用される。すなわち、
Mは、出現毎に同一であるか異なり、主族金属イオン、遷移金属イオン、またはランタノイドイオンであり、
Halは、出現毎に同一であるか異なり、F、Cl、Br、またはIであり、
Aは、出現毎に同一であるか異なり、中性若しくはモノアニオン性の単座配位子、または二座配位子、例えばハライドであり、
pは、出現毎に同一であるか異なり、1、2、3、4、または5であり、ここで、化合物(53)と(55)におけるpは、金属Mの原子価を示し、
qは、出現毎に同一であるか異なり、0、1、2、3、または4であり、好ましくは0、1、または2であり、
化合物(54)は、荷電していてもよく、並びに対イオンを有していてもよく、
他の記号および添え字は、上記したものと同じ意味を有する)。
合成を、例えば、熱的に、光化学的に、またはマイクロ波放射により活性化することができる。このタイプのトリス−オルト−メタル化金属錯体の合成は、概括的に、WO 02/060910, WO 04/085469 および WO 04/108738 中に記載されている。
好ましい合成方法において、化合物(27)〜(52)により記載されるクリプタンドを、化合物(53)、(54)および(55)により記述される金属化合物と反応させる。この合成方法を、スキーム2において、図式的に示す。
Figure 0005198856
本発明によるクリプタートについてのさらに好ましい合成方法が、テンプレート合成であることが判明した。このために、化合物(53)、(54)および(55)により上に記述した金属化合物を、配位子(27)〜(52)の単純な、大環状の、または多座の前駆体と反応させる。ここで、配位子前駆体は、架橋単位VまたはZを2個でなく、全く含まないか、1つのみ含む配位子、または構成配位子Lを3個でなく、2個のみ含む配位子から誘導される。対応する多座配位子系および錯体は、例えば、WO 04/081017 中に記載されている。第2の合成工程において、続いて、第2の架橋単位VまたはZを、錯体類似反応、すなわち、金属錯体における反応において導入するか、あるいは両方の架橋単位VまたはZを形成するか、あるいは第3の構成配位子Lを導入し、架橋単位VまたはZと結合させる。これらの合成法は、錯体形成が既に行われているという事実は、3つの構成配位子Lが、空間的に好ましい配置で既に存在していることを意味する(これは、VまたはZの導入について、あるいは第3の構成配位子の結合について、単純な閉環を可能にする)という利点を有し、これは、錯化されていない多座配位子を用いる場合には、かなり技術的に複雑であり、および乏しい収率でのみ可能である。これらの合成法を、スキーム3において、図式的に示す。
対応する多座配位子から出発する合成が特に好ましい。
Figure 0005198856
これらの方法は、容易に、高い純度で、好ましくはH−NMRまたはHPLCにより測定して>99%の純度で、錯体を与える。
ここに説明した合成方法は、とりわけ、以下に示す化合物(1)〜(26)の例の調製を可能にする。
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
Figure 0005198856
上記した本発明による化合物、例えば例10、11、12、14および18により記述される化合物を、共役、部分的に共役する、または非共役ポリマーの製造のためのコモノマーとして用いることができ、あるいは、デンドリマーのコアとして、例えば、例2および62により記述される化合物を用いることができる。対応する重合を、好ましくは、ハロゲン官能基を介して行うことができる。つまり、これらを、とりわけ、可溶性のポリフルオレン(例えば、EP 842208、 WO 00/22026 に従う)、ポリスピロビフルオレン(例えば、EP 707020, EP 894107 に従う)、ポリ−パラ−フェニレン(例えば、WO 92/18552 に従う)、ポリジヒドロフェナントレン(例えば、WO 05/014689 に従う)、ポリフェナントレン(例えば、未公開特許出願 DE 102004020298.2 に従う)、ポリカルバゾール(例えば、WO 04/070772、WO 04/113468 に従う)、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン(例えば、EP 1028136 に従う)、シラン含有ポリマー(例えば、未公開特許出願 DE 102004023278.4 に従う)、または複数のこれらの単位を含むコポリマー中に共重合することができる。
従って本発明は、さらに、式(1)または化合物(1)〜(26)の1種以上のクリプタートを含有する共役、部分的に共役する、および非共役ポリマーまたはデンドリマーに関し、ここで、上記した置換基Rの1以上が、ポリマーまたはデンドリマーへの結合を表す。
本発明による金属錯体を、さらに、官能化し、よって、拡張された金属錯体へと変換してもよい。述べることができる例は、アリールボロン酸を用いるスズキ官能化と、アミンを用いるハルトビヒ−ブーフバルト(HARTWIG-BUCHWALD)官能化である。
上記した、本発明による化合物、ポリマーまたはデンドリマーを、例えば、有機発光ダイオード(OLED)、有機集積回路(O−IC)、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)、有機太陽電池(O−SC)、有機光学検波器、または有機レーザダイオード(O−laser)のような電子部品における活性成分として用いる。
活性成分は、例えば、電荷注入材料または電荷輸送材料、電荷障壁材料、および発光材料である。化合物を、特に好ましくは、発光材料として用いる。
従って本発明は、さらに、電子部品におけるクリプタートの使用に関する。式(1)の有機金属クリプタートの使用が好ましく、化合物(1)〜(26)の使用が特に好ましい。
本発明は、さらに、1種以上のクリプタートを含む、例えば有機集積回路(O−IC)、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)、有機太陽電池(O−SC)、有機光学検波器、または有機レーザダイオード(O−laser)、特には有機発光ダイオード(OLED)のような有機電子部品に関する。式(1)の1種以上の有機金属クリプタートを含む有機電子部品が好ましい。化合物(1)〜(26)により記述される1種以上のクリプタートを含む有機電子部品が特に好ましく、ここで、化合物(1)〜(26)について上記した好ましさが、電子部品についても当てはまる。
本化合物は、以下の利点により特徴づけられる:
1.昇華時に、部分的なまたは完全な熱分解を被る従来技術に従う多くの金属錯体と比較して、本発明による化合物は、高い熱的安定性を有する。対応するデバイスにおける使用時に、これは、駆動寿命における有意な延長をもたらす。
2.本発明による化合物を、信頼性をもって、高い純度で、再現可能に調製することができ、バッチ変動を有さない。これらは、さらに、困難さを伴わずに、並びに精製、または電子デバイスの製造について明らかな分解を伴わずに昇華することができる。錯体の高い熱的安定性は、それらの資源保護的な使用を可能にする。
3.エレクトロルミネセンスデバイスにおいて用いられる本発明による化合物は、高い効率と、急峻な電流/電圧曲線をもたらす。
4.本発明による化合物は、有機溶媒中での、良好な、時として優れた溶解性を有する。従って、これらの材料を、例えば再結晶、クロマトグラフィー等により、溶液状態からより容易に精製することができ、並びにこれらを、コーティング法または印刷法により、溶液状態から処理することもできる。この性質は、蒸発による従来型の処理の場合において有利であり、何故なら、用いられる装置とシャドーマスクの洗浄が、大幅に簡素化されるためである。
5.本発明による化合物は、従来技術に従う錯体と比較して、より高い酸素安定性を有する。従って、これらの化合物の工業上の取り扱いは、かなり平易になる。
本発明を、以下の例により極めて詳細に説明するが、これらに制限されることを望まない。当業者は、発明を必要とすることなく、記載から本発明によるさらなるクリプタートを調製する、並びに有機電子デバイスにおいてこれらを使用することができるであろう。

以下の合成は、別に指摘のない限り、保護ガス雰囲気下で行った。出発材料は、アルドリッチ社またはABCR社から購入した(溶媒、3−ブロモベンジルブロミド、氷酢酸中の臭化水素、亜鉛、2−ブロモ−6−メトキシピリジン、ピリジニウム塩酸塩、THF中1Mのボラン、ジクロロジアセチルアセトナトイリジウム(III)ナトリウム)。3−ブロモベンジルホスホニウムブロミド(Organikum [Practical Organic Chemistry], 19th Edition, 1993, Johann Ambrosius Barth Verlagsgesellschaft, Edition Deutscher Verlag der Wissenschaften, Leipzig, Berlin, Heidelberg, p. 215)、およびビス(3−ブロモベンジル)ケトン(H. Sauriat-Dorizon et al., J. Org. Chem., 2003, 68, 2, 240)は、文献の方法により調製した。
例1:1,1,2−トリス(3−ブロモベンジル)エテン
Figure 0005198856
164.2g(320mmol)の3−ブロモベンジルトリフェニルホスホニウムブロミドを、2000mlのトルエン中の7.2g(300mmol)の水素化ナトリウムの懸濁液に加えた。この混合物を80℃で3時間撹拌した。続いて、500mlのトルエン中の110.4g(300mmol)のビス(3−ブロモベンジル)ケトンの溶液を滴下して加え、混合物を80℃で、さらに48時間撹拌した。反応混合物を冷却した後、生成した沈殿を、吸引しながらろ過した。この沈殿を、100mlのトルエンで洗浄し、集めた有機相を、蒸発乾固した。残渣を、1000mlのn−ヘキサン中に溶解し、ヘキサンをデカント除去し、残渣を、再び、300mlのn−ヘキサンをその都度用いて2回抽出した。集めたヘキサン相を、約500mlの体積にまで濃縮し、200gの酸化アルミニウム(活性グレード4)を通してろ過した。ろ液を蒸発させると、薄い黄色オイルとして生成物が残る。収量は、約97%の純度で、理論の97.4%に相当する152.3g(292mmol)であった。
H−NMR(CDCl):δ[ppm]=7.42−7.34(m,4H),7.30−7.22(m,2H),7.19−7.14(m,4H),7.08−7.00(m,2H),6.49(s,1H,CH),3.47(s,2H,CH),3.32(s,2H,CH)。
例2:トリス(3−ブロモベンジル)ブロモメタン
Figure 0005198856
氷酢酸中の500mlの臭化水素の30重量%溶液を、1000mlの氷酢酸中の140.7g(270mmol)の1,1,2−トリス(3−ブロモベンジル)エテンの溶液に滴下して加えた。混合物を室温で48時間撹拌した後、透明な沈殿を吸引しながらろ過し、その都度200mlの氷酢酸を用いて2回洗浄し、続いて減圧下で乾燥させた。約97%の純度で、収量は、理論の96.7%に相当する157.2g(261mmol)であった。
H−NMR(CDCl):δ[ppm]=7.45(s,3H,H−2),7.42(d,HH=8.0Hz,3H,H−4),7.22(d,HH=8.0Hz,3H,H−6),7.18(dd,HH=8.0Hz,3H,H−5),3.04(s,6H,CH)。
例3:トリス(3−ブロモベンジル)メタン
Figure 0005198856
2000mlの氷酢酸中の150.5g(250mmol)のトリス(3−ブロモベンジル)ブロモメタンと163.5g(2.5mol)の亜鉛粉の懸濁液を、50℃で6時間撹拌した。冷却後、反応混合物を、シリカゲルを通してろ過した(注意:ろ過残渣は、自然発火性である)。ろ液を、減圧下で氷酢酸から分離し、残渣を1000mlのジクロロメタン中に溶解させた。ジクロロメタン相を、水(2×500ml)を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム/炭酸水素ナトリウムにて乾燥させ、蒸発させ、残渣を、500mlのトルエン中に溶解することにより、最終痕跡量の水から分離し、共沸蒸留によりトルエンを除去した。収量は、約97%の純度で、理論の94.0%に相当する122.9g(235mmol)であった。
H−NMR(CDCl):δ[ppm]=7.29(d,HH=8.0Hz,3H,H−4),7.19(s,3H,H−2),7.10(dd,HH=8.0Hz,3H,H−5),6.97(d,HH=8.0Hz,3H,H−6),2.46(d,HH=7.0Hz,6H,CH),2.19(sep.,HH=7.0Hz,1H,CH)。
例4:トリス(ベンジル−3−ボロン酸)メタン
Figure 0005198856
対応するグリニャール試薬を、1000mlのTHF中の120.3g(230mmol)のトリス(3−ブロモベンジル)メタンと5.4ml(69mmol)の1,2−ジクロロエタンの溶液、および18.6g(765mmol)のマグネシウム(1グレインのヨウ素を用いてエッチ処理)から調製した。グリニャール試薬を、111.5ml(995mmol)のホウ酸トリメチルと600mlのTHFの、−78℃に冷却した混合物に、1時間に渡って滴下して加え、この間、温度は−60℃を超えない。反応混合物をRTにまで緩徐に(約12時間)昇温させた後、80mlの濃HClと400mlの水の混合物を加えた。30分間撹拌した後、有機相を分離し、500mlの飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄した。有機相を、蒸発乾固した。オイル状の残渣を、沸点における400mlのアセトニトリルと1000mlの水から再結晶した。収量は、約97%の純度で、理論の84.3%に相当する81.1g(194mmol)であった。
H−NMR(DMSO):δ[ppm]=7.97(br.s,6H,OH),7.61(d,HH=7.6Hz,3H,H−4),7.57(s,3H,H−2),7.26(dd,HH=7.6Hz,3H,H−5),7.16(d,HH=7.6Hz,3H,H−6),2.47(d,HH=6.7Hz,6H,CH),2.28(sep.,HH=6.7Hz,1H,CH)。
例5:トリス(3−(6−メトキシ−2−ピリジル)ベンジル)メタン
Figure 0005198856
347mg(0.3mmol)のテトラキス(トリフェニルホスフィノ)パラジウム(0)を、120mlの1,2−ジメトキシエタン、30mlのエタノールおよび90mlの水の混合物中の4.18g(10mmol)のトリス(ベンジル−3−ボロン酸)メタン、5.5ml(45mmol)の2−ブロモ−6−メトキシピリジン、および9.54g(90mmol)の炭酸ナトリウムの脱気した懸濁液に加え、この混合物を48時間還流した。500mlのジクロロメタンを、冷却した反応混合物に加え、これを、500mlの水を用いて5回洗浄した。硫酸ナトリウムにて乾燥させ、蒸発させた有機相の、ヘキサン:酢酸エチル(1:1)を用いるシリカゲル上でのクロマトグラフィーは、理論の83.1%に相当する5.0g(8.3mmol)の薄い黄色オイルを与えた。
H−NMR(CDCl):δ[ppm]=7.78(m,6H),7.65(m,6H),7.35(dd,HH=8.0Hz,3H),7.21−7.14(m,6H),3.92(s,9H,CH),2.76(d,HH=7.0Hz,6H,CH),2.52(sep.,HH=7.0Hz,1H,CH)。
例6:トリス(3−(6−ヒドロキシ−2−ピリジル)ベンジル)メタン
Figure 0005198856
4.9g(8.0mmol)のトリス(3−(6−メトキシ−2−ピリジル)ベンジル)メタンと、7.4g(64mmol)のピリジニウム塩酸塩の混合物を、190℃で3時間加熱した。冷却後、この混合物を200mlの水中に溶解させ、1Nの水酸化カリウムを用いてpH=7.7に調節した。水相を、200mlのジクロロメタンを用いて5回抽出した。有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥させ、シリカゲルを充填した短いフリットを通してろ過した。溶媒を除去した後、残渣を、tert−ブチルメチルエーテル:n−ヘプタン(1:2)から再結晶した。収量は、97%の純度で、理論の83.8%に相当する3.8g(6.7mmol)であった。
H−NMR(CDCl):δ[ppm]=11.44(br.s,3H),7.88(m,6H),7.70(m,6H),7.39(dd,HH=8.0Hz,3H),7.26−7.13(m,6H),2.78(d,HH=7.0Hz,6H,CH),2.51(sep.,HH=7.0Hz,1H,CH)。
例7:モノ[トリス(3−(6−ヒドロキシ−2−ピリジル)ベンジル)メタン]イリジウム(III)
Figure 0005198856
100mlのトリエチレングリコール中の2.83g(5mmol)のトリス(3−(6−ヒドロキシ−2−ピリジル)ベンジル)メタンと、2.42g(5mmol)のジクロロジアセチルアセトナトイリジウム(III)ナトリウムの懸濁液を、220℃のオイルバス温度で、40時間撹拌した。反応混合物を60℃にまで冷却した後、これを、100mlの5Nの塩酸と500mlのエタノールの混合物中に注ぎ入れ、このようにして生成した懸濁液を、さらに1時間撹拌した。その後、黄色の微晶質の固体を、吸引(P3)しながらろ過した。この固体を、100mlの5Nの塩酸と500mlのエタノールの混合物の50mlをその都度用いて3回、50mlの水/エタノール混合物(1:1 v:v)をその都度用いて3回、並びに最後に50mlのエタノールをその都度用いて3回洗浄し、減圧下で乾燥した。収量は、約99.5%の純度で、理論の48.8%に相当する1.84g(2.4mmol)であった。
MS(FAB):m/e=755。
例8:クリプタートK1の合成
Figure 0005198856
THF中のボランの1M溶液の5mlを、300mlのTHF中の1.51g(2mmol)のモノ[トリス(3−(6−ヒドロキシ−2−ピリジル)ベンジル)メタン]イリジウム(III)の懸濁液に滴下して加え、この混合物を室温で24時間撹拌した。5mlのエタノールの添加後、この懸濁液を、30mlの体積にまで濃縮し、さらに100mlのエタノールを加えた。黄色沈殿を、吸引(P3)しながらろ過し、30mlのエタノールを用いて5回洗浄し、減圧下で乾燥させ、DMFから再結晶し、高真空(p=5×10−5mbar)下420℃で昇華させた。収量は、HPLCによれば99.9%の純度で、理論の76.7%に相当する1.19g(1.5mmol)であった。
MS(FAB):m/e=763。
例9:熱的安定性の比較
例8において記載したクリプタート(分子量 762.7g/モル)を、減圧(p=5×10−5mbar)下420℃で昇華させた。昇華は、HPLCを用いてチェックしたところ、残渣を残すことなく、且つ分解の兆候を伴わずに進行した。封止したアンプル中での400℃における160時間の貯蔵実験は、同様に、例8のクリプタートの熱的に誘発された分解の兆候を与えなかった。
比較して、類似の非クリプタートイリジウム錯体Ir(PPy)(fac−トリス(2−(2−ピリジニル)フェニル)イリジウム、CAS:94928-86-6、従来技術に従う比較例、分子量=654.8g/モル)は、極めて低い安定性を有する。H−NMRとHPLCによれば99.9%を超える初期純度を有するこの錯体の、T=360℃、およびp=5×10−5mbarでの昇華は、2時間後に、
・約5重量%のイリジウム含有灰、
・約94重量%の黄色昇華物、
・特に、2−フェニルピリジンを含む、痕跡量の有機縮合物(H−NMRにより測定)
を与えた。
黄色の昇華物は均一でなかった。H−NMRとHPLC分析によれば、種々の種の混合物から成っていた。純度は、Ir(PPy)の約99.6%であった。340℃、160時間の貯蔵実験は、従来技術に従う錯体の昇華分解をもたらした。
これらの結果は、本発明による例8のクリプタートは、優れた長期安定性を有し、従って、工業的な使用に対して極めて安定であるということを示す。特に、本発明による例8のクリプタートの安定性は、従来技術に従う比較錯体のものと比べて、有意により高い。

Claims (15)

  1. 式(1)
    Figure 0005198856
    の電気的に中性であり、式(2)
    Figure 0005198856
    (式中、Vは、出現毎に同一か異なり、1〜80個の原子を含む架橋単位であり、これは、互いに、出現毎に同一であるか異なり得る3つの構成配位子(part-ligand)Lと互いに共有結合しており、3つの構成配位子Lは、式(3)
    Figure 0005198856
    (式中、DCyは、置換または無置換の芳香族基であって、その環内にあり、且つ芳香族基DCyが経由して金属に結合する少なくとも1つのドナー原子を含有する芳香族基であり、並びにCCyは、置換または無置換の芳香族基であって、芳香族基CCyが経由して金属に結合する少なくとも1つの炭素原子を含有する芳香族基であり、基DCyとCCyは、共有結合により互いに結合しており、およびさらに、置換基により互いに結合していてもよく、従って、多環の芳香族環系を形成していてもよい)
    により記述される)
    のクリプタンドKに配位した少なくとも1つの金属Mを含有し、前記金属Mはイリジウムである有機金属クリプタートであって、
    化合物(1)〜(4)により記述される、前記金属においてフェイシャル配位構造を有する有機金属クリプタート。
    Figure 0005198856
    (式中、記号および添え字は、以下の意味を有する。すなわち、
    Mは、イリジウムであり、
    Qは、出現毎に同一であるか異なり、O、S、Se、TeまたはNであり、
    Tは、出現毎に同一であるか異なり、N、PまたはCであり、
    Xは、出現毎に同一であるか異なり、CR、NまたはPであり、
    Yは、出現毎に同一であるか異なり、NR、O、S、Se、Te、SO、SeO、TeO、SO、SeO、TeO、RPOであり、
    Zは、出現毎に同一であるか異なり、B、BR、B(CR、RB(CR 、B(O)、RB(O) 、B(CRCR、RB(CRCR 、B(CRO)、RB(CRO) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、CR、CO、CNR 、RC(CR、RC(O)、RC(CRCR、RC(CRO)、RC(OCR、RC(SiR、RC(SiRCR、RC(CRSiR、RC(SiRSiR、シス,シス−1,3,5−シクロヘキシル、1,3,5−(CR、SiR、RSi(CR、RSi(O)、RSi(CRCR、RSi(OCR、RSi(CRO)、RSi(SiR、RSi(SiRCR、RSi(CRSiR、RSi(SiRSiR、N、NO、NR、N(CR、RN(CR 、N(C=O)、N(CRCR、RN(CRCR、P、PO、PS、PSe、PTe、P(O)、PO(O)、P(OCR、PO(OCR、P(CR、PO(CR、P(CRCR、PO(CRCR、As、AsO、AsS、AsSe、AsTe、As(O)、AsO(O)、As(OCR、AsO(OCR、As(CR、AsO(CR、As(CRCR、AsO(CRCR、Sb、SbO、SbS、SbSe、SbTe、Sb(O)、SbO(O)、Sb(OCR、SbO(OCR、Sb(CR、SbO(CR、Sb(CRCR、SbO(CRCR、Bi、BiO、BiS、BiSe、BiTe、Bi(O)、BiO(O)、Bi(OCR、BiO(OCR、Bi(CR、BiO(CR、Bi(CRCR、BiO(CRCR、S、S(CR 、S(CRCR 、Se、Se(CR 、Se(CRCR 、Te、Te(CR 、Te(CRCR であり、
    Rは、出現毎に同一であるか異なり、H、F、Cl、Br、I、OH、NO、CN、1〜20個のC原子を有する直鎖の、分枝の若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基(ここで、1個以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、Ge(R、Sn(R、C=O、C=S、C=Se、C=NR、−O−、−S−、−NR−、または−CONR−により置き換えられてもよく、並びに1個以上のH原子は、Fにより置き換えられてもよい)、または1〜14個のC原子を有する芳香族環系若しくは複素環式芳香族環系(これらは、1個以上の非芳香族R基により置換されていてもよい)であり、ここで、同じ環上、または2つの異なる環上の2以上の置換基Rは、互いに、さらなる単環または多環の脂肪族環系若しくは芳香族環系、および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく、
    は、出現毎に同一であるか異なり、H、または1〜20個のC原子を有する脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基であり、
    cは0である)。
  2. 式(1)
    Figure 0005198856
    の電気的に中性であり、式(2)
    Figure 0005198856
    (式中、Vは、出現毎に同一か異なり、1〜80個の原子を含む架橋単位であり、これは、互いに、出現毎に同一であるか異なり得る3つの構成配位子(part-ligand)Lと互いに共有結合しており、3つの構成配位子Lは、式(3)
    Figure 0005198856
    (式中、DCyは、置換または無置換の芳香族基であって、その環内にあり、且つ芳香族基DCyが経由して金属に結合する少なくとも1つのドナー原子を含有する芳香族基であり、並びにCCyは、置換または無置換の芳香族基であって、芳香族基CCyが経由して金属に結合する少なくとも1つの炭素原子を含有する芳香族基であり、基DCyとCCyは、共有結合により互いに結合しており、およびさらに、置換基により互いに結合していてもよく、従って、多環の芳香族環系を形成していてもよい)
    により記述される)
    のクリプタンドKに配位した少なくとも1つの金属Mを含有し、前記金属Mはイリジウムである有機金属クリプタートであって、
    化合物(5)〜(8)により記述される、前記金属においてメリジオナル配位形状を有する有機金属クリプタート。
    Figure 0005198856
    (式中、記号および添え字のM、Q、T、X、Y、Z、R、R、cおよびnは、以下の意味を有する。すなわち:
    Mは、イリジウムであり、
    Qは、出現毎に同一であるか異なり、O、S、Se、TeまたはNであり、
    Tは、出現毎に同一であるか異なり、N、PまたはCであり、
    Xは、出現毎に同一であるか異なり、CR、NまたはPであり、
    Yは、出現毎に同一であるか異なり、NR、O、S、Se、Te、SO、SeO、TeO、SO、SeO、TeO、RPOであり、
    Zは、出現毎に同一であるか異なり、B、BR、B(CR、RB(CR 、B(O)、RB(O) 、B(CRCR、RB(CRCR 、B(CRO)、RB(CRO) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、CR、CO、CNR 、RC(CR、RC(O)、RC(CRCR、RC(CRO)、RC(OCR、RC(SiR、RC(SiRCR、RC(CRSiR、RC(SiRSiR、シス,シス−1,3,5−シクロヘキシル、1,3,5−(CR、SiR、RSi(CR、RSi(O)、RSi(CRCR、RSi(OCR、RSi(CRO)、RSi(SiR、RSi(SiRCR、RSi(CRSiR、RSi(SiRSiR、N、NO、NR、N(CR、RN(CR 、N(C=O)、N(CRCR、RN(CRCR、P、PO、PS、PSe、PTe、P(O)、PO(O)、P(OCR、PO(OCR、P(CR、PO(CR、P(CRCR、PO(CRCR、As、AsO、AsS、AsSe、AsTe、As(O)、AsO(O)、As(OCR、AsO(OCR、As(CR、AsO(CR、As(CRCR、AsO(CRCR、Sb、SbO、SbS、SbSe、SbTe、Sb(O)、SbO(O)、Sb(OCR、SbO(OCR、Sb(CR、SbO(CR、Sb(CRCR、SbO(CRCR、Bi、BiO、BiS、BiSe、BiTe、Bi(O)、BiO(O)、Bi(OCR、BiO(OCR、Bi(CR、BiO(CR、Bi(CRCR、BiO(CRCR、S、S(CR 、S(CRCR 、Se、Se(CR 、Se(CRCR 、Te、Te(CR 、Te(CRCR であり、
    Rは、出現毎に同一であるか異なり、H、F、Cl、Br、I、OH、NO、CN、1〜20個のC原子を有する直鎖の、分枝の若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基(ここで、1個以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、Ge(R、Sn(R、C=O、C=S、C=Se、C=NR、−O−、−S−、−NR−、または−CONR−により置き換えられてもよく、並びに1個以上のH原子は、Fにより置き換えられてもよい)、または1〜14個のC原子を有する芳香族環系若しくは複素環式芳香族環系(これらは、1個以上の非芳香族R基により置換されていてもよい)であり、ここで、同じ環上、または2つの異なる環上の2以上の置換基Rは、互いに、さらなる単環または多環の脂肪族環系若しくは芳香族環系、および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく、
    は、出現毎に同一であるか異なり、H、または1〜20個のC原子を有する脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基であり、
    cは0であり、
    nは、1または2である)。
  3. 式(1)
    Figure 0005198856
    の電気的に中性であり、式(2)
    Figure 0005198856
    (式中、Vは、出現毎に同一か異なり、1〜80個の原子を含む架橋単位であり、これは、互いに、出現毎に同一であるか異なり得る3つの構成配位子(part-ligand)Lと互いに共有結合しており、3つの構成配位子Lは、式(3)
    Figure 0005198856
    (式中、DCyは、置換または無置換の芳香族基であって、その環内にあり、且つ芳香族基DCyが経由して金属に結合する少なくとも1つのドナー原子を含有する芳香族基であり、並びにCCyは、置換または無置換の芳香族基であって、芳香族基CCyが経由して金属に結合する少なくとも1つの炭素原子を含有する芳香族基であり、基DCyとCCyは、共有結合により互いに結合しており、およびさらに、置換基により互いに結合していてもよく、従って、多環の芳香族環系を形成していてもよい)
    により記述される)
    のクリプタンドKに配位した少なくとも1つの金属Mを含有し、前記金属Mはイリジウムである有機金属クリプタートであって、
    化合物(9)〜(26)により記載される有機金属クリプタート。
    Figure 0005198856
    Figure 0005198856
    Figure 0005198856
    (式中、記号および添え字のM、Q、T、X、Y、Z、R、R、cおよびnは、以下の意味を有する。すなわち:
    Mは、イリジウムであり、
    Qは、出現毎に同一であるか異なり、O、S、Se、TeまたはNであり、
    Tは、出現毎に同一であるか異なり、N、PまたはCであり、
    Xは、出現毎に同一であるか異なり、CR、NまたはPであり、
    Yは、出現毎に同一であるか異なり、NR、O、S、Se、Te、SO、SeO、TeO、SO、SeO、TeO、RPOであり、
    Zは、出現毎に同一であるか異なり、B、BR、B(CR、RB(CR 、B(O)、RB(O) 、B(CRCR、RB(CRCR 、B(CRO)、RB(CRO) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、CR、CO、CNR 、RC(CR、RC(O)、RC(CRCR、RC(CRO)、RC(OCR、RC(SiR、RC(SiRCR、RC(CRSiR、RC(SiRSiR、シス,シス−1,3,5−シクロヘキシル、1,3,5−(CR、SiR、RSi(CR、RSi(O)、RSi(CRCR、RSi(OCR、RSi(CRO)、RSi(SiR、RSi(SiRCR、RSi(CRSiR、RSi(SiRSiR、N、NO、NR、N(CR、RN(CR 、N(C=O)、N(CRCR、RN(CRCR、P、PO、PS、PSe、PTe、P(O)、PO(O)、P(OCR、PO(OCR、P(CR、PO(CR、P(CRCR、PO(CRCR、As、AsO、AsS、AsSe、AsTe、As(O)、AsO(O)、As(OCR、AsO(OCR、As(CR、AsO(CR、As(CRCR、AsO(CRCR、Sb、SbO、SbS、SbSe、SbTe、Sb(O)、SbO(O)、Sb(OCR、SbO(OCR、Sb(CR、SbO(CR、Sb(CRCR、SbO(CRCR、Bi、BiO、BiS、BiSe、BiTe、Bi(O)、BiO(O)、Bi(OCR、BiO(OCR、Bi(CR、BiO(CR、Bi(CRCR、BiO(CRCR、S、S(CR 、S(CRCR 、Se、Se(CR 、Se(CRCR 、Te、Te(CR 、Te(CRCR であり、
    Rは、出現毎に同一であるか異なり、H、F、Cl、Br、I、OH、NO、CN、1〜20個のC原子を有する直鎖の、分枝の若しくは環状のアルキル基若しくはアルコキシ基(ここで、1個以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、Ge(R、Sn(R、C=O、C=S、C=Se、C=NR、−O−、−S−、−NR−、または−CONR−により置き換えられてもよく、並びに1個以上のH原子は、Fにより置き換えられてもよい)、または1〜14個のC原子を有する芳香族環系若しくは複素環式芳香族環系(これらは、1個以上の非芳香族R基により置換されていてもよい)であり、ここで、同じ環上、または2つの異なる環上の2以上の置換基Rは、互いに、さらなる単環または多環の脂肪族環系若しくは芳香族環系、および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく、
    は、出現毎に同一であるか異なり、H、または1〜20個のC原子を有する脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基であり、
    cは0であり、
    nは、1または2である)。
  4. Qが、出現毎に同一か異なり、O、S、またはSeを表すことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機金属クリプタート。
  5. Tが、出現毎に同一か異なり、NまたはPを表すことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機金属クリプタート。
  6. Xが、出現毎に同一か異なり、CRまたはNを表すことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機金属クリプタート。
  7. Zが、出現毎に同一か異なり、B、BR、B(CR、RB(CR 、B(O)、RB(O) 、B(OCR、RB(OCR 、Al(O)、RAl(O) 、Al(OCR、RAl(OCR 、CR、CNR 、RC(CR、RC(O)、RC(CRCR、RC(CRO)、RC(OCR、SiR、RSi(CR、RSi(O)、RSi(CRCR、RSi(OCR、RSi(CRO)、N、NO、NR、N(CR、RN(CR 、N(C=O)、N(CRCR、RN(CRCR、P、PO、P(O)、PO(O)、P(OCR、PO(OCR、S、S(CR 、S(CRCR を表すことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機金属クリプタート。
  8. Yが、出現毎に同一か異なり、O、S、またはNRを表すことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機金属クリプタート。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の1種以上の有機金属クリプタートを含有し、置換基Rの1以上が、ポリマーまたはデンドリマーへの結合を表す、共役、部分的に共役する、または非共役のポリマーおよびデンドリマー。
  10. 可溶性のポリフルオレン、ポリスピロビフルオレン、ポリ−パラ−フェニレン、ポリカルバゾール、ポリジヒドロフェナントレン、ポリフェナントレン、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン、シラン含有ポリマー、または複数のこれらの単位を含むコポリマーであることを特徴とする請求項9に記載のポリマー。
  11. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のクリプタート(1)〜(26)の配位子を表す、化合物(27)〜(52)により記述されるクリプタンド。
    Figure 0005198856
    Figure 0005198856
    Figure 0005198856
    Figure 0005198856
    (式中、記号および添え字のQ、T、X、Y、Z、R、R、cおよびnは、請求項1ないし3にて示す意味を有する)。
  12. 請求項11に記載の前記クリプタンドまたはこれらのクリプタンドの前駆体と、化合物(53)により記述される金属アルコキシド、化合物(54)により記述される金属ケトケトナート、または化合物(55)により記述される金属ハライドとの反応により、請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機金属クリプタートを調製するための方法。
    Figure 0005198856
    (式中、以下が、記号および添え字に適用される。すなわち、
    Mは、イリジウムであり、
    Halは、出現毎に同一であるか異なり、F、Cl、Br、またはIであり、
    Aは、出現毎に同一であるか異なり、中性若しくはモノアニオン性の単座配位子、または二座配位子であり、
    pは、出現毎に同一であるか異なり、1、2、3、4、または5であり、ここで、化合物(53)と(55)におけるpは、金属Mの原子価を示し、
    qは、出現毎に同一であるか異なり、0、1、2、3、または4であり、
    化合物(54)は、荷電していてもよく、並びに対イオンを有していてもよく、
    は、出現毎に同一であるか異なり、H、または1〜20個のC原子を有する脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基である)。
  13. 有機電子部品における、請求項1〜10のいずれか一項に記載のクリプタート、ポリマー、またはデンドリマーの使用。
  14. 請求項1〜8のいずれか一項に記載のクリプタートを含むことを特徴とする有機電子部品。
  15. 有機発光ダイオード(OLED)、有機集積回路(O−IC)、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)、有機太陽電池(O−SC)、有機光学検波器、または有機レーザダイオード(O−laser)であることを特徴とする請求項14に記載の有機電子部品。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011515423A (ja) * 2008-03-25 2011-05-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004034517A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
KR20080037006A (ko) * 2005-08-05 2008-04-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 전이금속 착체화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
DE102007002420A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-24 Universität Regensburg Polymere Anionen/Kationen
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
DE102008036247A1 (de) * 2008-08-04 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Elektronische Vorrichtungen enthaltend Metallkomplexe
DE102008063490B4 (de) 2008-12-17 2023-06-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zum Einstellen des Farbortes einer weiß emittierenden Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102008063470A1 (de) 2008-12-17 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009009277B4 (de) 2009-02-17 2023-12-07 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung von Verbindungen
DE102009011223A1 (de) 2009-03-02 2010-09-23 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009012346B4 (de) 2009-03-09 2024-02-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009013041A1 (de) * 2009-03-13 2010-09-16 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009014513A1 (de) 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009017064A1 (de) 2009-04-09 2010-10-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
CN102421858A (zh) 2009-06-22 2012-04-18 默克专利有限公司 导电制剂
JP4551480B1 (ja) 2009-08-31 2010-09-29 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE102009041289A1 (de) 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009049587A1 (de) 2009-10-16 2011-04-21 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
US9178156B2 (en) 2009-12-23 2015-11-03 Merck Patent Gmbh Compositions comprising polymeric binders
KR20120123361A (ko) 2009-12-23 2012-11-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
DE102010010481A1 (de) 2010-03-06 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP5864525B2 (ja) 2010-03-23 2016-02-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセンスデバイス用材料
US20130026421A1 (en) 2010-04-12 2013-01-31 Merck Patent Gmbh Composition and method for preparation of organic electronic devices
WO2011128034A1 (en) 2010-04-12 2011-10-20 Merck Patent Gmbh Composition having improved performance
DE102010020044A1 (de) 2010-05-11 2011-11-17 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
EP2576724B1 (en) 2010-05-27 2019-04-24 Merck Patent GmbH Method for preparation of organic electronic devices
KR20130087499A (ko) 2010-06-15 2013-08-06 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
KR101877582B1 (ko) 2010-07-30 2018-07-12 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스
DE102010046512A1 (de) 2010-09-24 2012-03-29 Merck Patent Gmbh Phosphorhaltige Metallkomplexe
DE102010048497A1 (de) 2010-10-14 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Formulierungen für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102010048498A1 (de) 2010-10-14 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP6022478B2 (ja) 2011-01-13 2016-11-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
JP6038879B2 (ja) 2011-04-05 2016-12-07 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセント素子
CN103858249B (zh) 2011-10-06 2017-10-17 默克专利有限公司 有机电致发光器件
JP5783007B2 (ja) * 2011-11-21 2015-09-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
EP2872590B1 (de) 2012-07-13 2018-11-14 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
WO2014023377A2 (de) 2012-08-07 2014-02-13 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR102102103B1 (ko) * 2012-10-09 2020-04-20 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
CN104870458B (zh) * 2012-12-21 2019-02-15 默克专利有限公司 金属络合物
WO2014094961A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR20150100913A (ko) 2012-12-28 2015-09-02 메르크 파텐트 게엠베하 중합체성 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
WO2015082037A1 (en) 2013-12-06 2015-06-11 Merck Patent Gmbh Compositions containing a polymeric binder which comprises acrylic and/or methacrylic acid ester units
EP3251128B1 (en) 2015-01-30 2023-06-14 Merck Patent GmbH Formulations with a low particle content
KR102643183B1 (ko) 2015-07-15 2024-03-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도전성 화합물들을 포함하는 조성물
WO2018114744A1 (en) 2016-12-20 2018-06-28 Merck Patent Gmbh A white light emitting solid state light source
TWI813576B (zh) 2017-07-03 2023-09-01 德商麥克專利有限公司 具有低含量苯酚類雜質的調配物

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US5679760A (en) 1991-04-11 1997-10-21 Hoechst Aktiengesellschaft Ladder polymers containing conjugated double bonds
DE4111878A1 (de) 1991-04-11 1992-10-15 Wacker Chemie Gmbh Leiterpolymere mit konjugierten doppelbindungen
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
DE4436773A1 (de) 1994-10-14 1996-04-18 Hoechst Ag Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
WO1996041177A1 (en) * 1995-06-07 1996-12-19 Igen, Inc. Simultaneous assay method using lanthanide chelates as the luminophore for multiple labels
JP3865406B2 (ja) 1995-07-28 2007-01-10 住友化学株式会社 2,7−アリール−9−置換フルオレン及び9−置換フルオレンオリゴマー及びポリマー
DE19614971A1 (de) 1996-04-17 1997-10-23 Hoechst Ag Polymere mit Spiroatomen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
FR2768817B1 (fr) * 1997-09-19 1999-12-10 Cis Bio Int Methode homogene pour la detection et/ou la determination de l'activite phosphorylante d'un materiel biologique
DE19846766A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Aventis Res & Tech Gmbh & Co Konjugierte Polymere, enthaltend spezielle Fluorenbausteine mit verbesserten Eigenschaften
US6166172A (en) 1999-02-10 2000-12-26 Carnegie Mellon University Method of forming poly-(3-substituted) thiophenes
DE10104426A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Covion Organic Semiconductors Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris-ortho-metallierten Organo-Iridium-Verbindungen
DE10304819A1 (de) 2003-02-06 2004-08-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Carbazol-enthaltende konjugierte Polymere und Blends, deren Darstellung und Verwendung
DE10310887A1 (de) 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
DE10314102A1 (de) 2003-03-27 2004-10-14 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinen Organo-Iridium-Verbindungen
DE10325820A1 (de) 2003-06-07 2004-12-23 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris- und bis-ortho-metallierten Organometall-Verbindungen
DE10328627A1 (de) 2003-06-26 2005-02-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialien für die Elektrolumineszenz
DE10337346A1 (de) 2003-08-12 2005-03-31 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte Polymere enthaltend Dihydrophenanthren-Einheiten und deren Verwendung
DE102004020298A1 (de) 2004-04-26 2005-11-10 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektrolumineszierende Polymere und deren Verwendung
DE102004023278A1 (de) 2004-05-11 2005-12-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektrolumineszierende Polymere
DE102004034517A1 (de) * 2004-07-16 2006-02-16 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011515423A (ja) * 2008-03-25 2011-05-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体

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