JP5256485B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDF

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本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、ELDという)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。
無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
一方、有機EL素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
しかしながら、今後の実用化に向けた有機EL素子においては、更に低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。
特許第3093796号公報では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
また、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特開昭63−264692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特開平3−255190号公報)等が知られている。
以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であり、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。
ところが、プリンストン大より励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Baldo et al.,Nature、395巻、151〜154頁(1998年))がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている。
例えば、M.A.Baldo et al.,Nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)、また米国特許第6,097,147号明細書等にも開示されている。
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから照明用途としても注目されている。
例えば、S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)等においては、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている。
また、前述のM.A.Baldo et al.,Nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)においては、ドーパントとしてトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムを用いた検討がされている。
その他、M.E.Tompson等は、The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてL2Ir(acac)、例えば、(ppy)2Ir(acac)を、またMoon−Jae Youn.0g、Tetsuo Tsutsui等は、やはりThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてトリス(2−(p−トリル)ピリジン)イリジウム(Ir(ptpy)3),トリス(ベンゾ[h]キノリン)イリジウム(Ir(bzq)3)等を用いた検討を行っている(なおこれらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。)。
また、前記S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)や特開2001−247859号公報等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。
また、高い発光効率を得るためにThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)では、Ikai等はホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いている。また、M.E.Tompson等は各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。
中心金属をイリジウムの代わりに白金としたオルトメタル化錯体も注目されている。この種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている。
いずれの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光がリン光に由来することから従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の素子よりも低いという問題点があった。
このように、リン光性の高効率の発光材料は、発光波長の短波化と素子の発光寿命の改善が難しく、実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。
また、波長の短波化に関してはこれまでフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている。
しかしながら、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。
配位子としてフェニルピラゾールを有する金属錯体は発光波長が短波な発光材料であることが開示されている(例えば、特許文献1、2参照。)。
更に、フェニルピラゾールの5員環に6員環が縮合した部分構造を有する配位子から形成される金属錯体が開示されている(例えば、特許文献3、4参照。)。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を向上させる手段としては、種々の技術がある。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成層を成膜した後に、高分子量化するという技術がある。
例えば、分子内にビニル基を2つ有する2官能性のトリフェニルアミン誘導体が開示されており、その化合物を成膜した後に紫外線照射により3次元架橋されたポリマーを形成すること開示されている(例えば、特許文献5参照)。
また、2つ以上のビニル基を有する材料を複数の層に添加する技術が開示されている、重合反応は、陰極を積層する前に有機層成膜時点で紫外線や熱の照射で行う方法が開示されている(例えば、特許文献6参照)。
また、リン光発光性ドーパントの末端にビニル基を有する材料と同様にビニル基を有するコモノマーの混合物にラジカル発生剤であるAIBN(アゾイソブチロニトリル)を添加して成膜時に重合反応を進行させる製造方法が開示されている(例えば、特許文献7参照)。
これらの重合反応を利用した成膜方法においては、成膜方法として蒸着のようなドライプロセスによって層を作成した後に紫外線や熱の照射によって重合反応を進行させる方法と、塗布や印刷のようなウェットプロセスによって層を作成した後に紫外線や熱の照射によって重合反応を進行させる方法があるが、製造設備に特殊な設備が必要でなく、生産性を高めることが可能な点でウェットプロセスによって層を作成した後に紫外線や熱の照射によって重合反応を進行させる方法が好ましい。
しかしながら、このような塗布のようなウェットプロセスによって層を作成した後に紫外線や熱の照射によって重合反応を進行させる方法により成膜された青色リン光発光素子において、発光寿命と発光効率を満足出来ているものは知られていない。
国際公開第2004/085450号パンフレット 特開2005−53912号公報 特開2006−28101号公報 米国特許第7147937号明細書 特開平5−271166号公報 特開2001−297882号公報 特開2003−73666号公報
本発明の目的は、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することである。
特に、青色〜青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機EL素子材料を生産性の高いウェットプロセスを用いて提供することである。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。
1.陽極と陰極により挟まれた少なくとも一層の有機層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該有機層が下記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005256485
Figure 0005256485
Figure 0005256485
〔式中、E1a〜E1eで形成される環は、イミダゾール環、ピラゾール環またはオキサゾール環を表す。E1f〜E1kで形成される環は、ベンゼン環、イミダゾール環またはチオフェン環を表す。E1l〜E1qで形成される環は、ベンゼン環、チオフェン環またはピリジン環を表す。R1a〜R1iは、各々水素原子、メチル基、フェニル基、キシリル基、トリル基、メシチル基、ピリジル基、チエニル基、シアノ基、カルバゾール基、またはジベンゾフラン基を表す。Mは、イリジウムまたは白金を表す
−L−X で表される2座の配位子は、1−メシチル−2−フェニル−1H−イミダゾール、アセチルアセトナート、3,5−ジメチル−1,4−ジフェニル−1H−ピラゾール、または4−(2,6−ジメチル)−1−フェニル−1H−ピラゾールを表す。
n1は1、2、または3の整数を表し、n2は0、1または2の整数を表すが、n1+n2は2または3であり、これは、中心金属Mの正電荷と同じ数である。
Rxは、下記重合性の官能基群Aから選ばれる1種を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基R1a〜R1iのいずれかとして結合しているか、Lに置換基として結合している。複数のRxは各々異なる位置に結合している
Figure 0005256485
2.前記一般式(M1)、(M2)または(M3)のE1a〜E1eにより形成される環がピラゾール環であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3.前記一般式(M1)、(M2)または(M3)のE1a〜E1eにより形成される環がイミダゾール環を形成することを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
.前記重合体が、下記一般式(Ma)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体であることを特徴とする前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005256485
〔式中、Ar、Arは各々カルバゾール環、カルボリン環またはジベンゾフラン環を表す。Rxは、下記重合性の官能基群Bから選ばれる1種の重合性の官能基を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基としてAr、Ar、ベンゼン環のいずれかに結合している。複数のRxは、各々異なる位置に結合している。〕
Figure 0005256485
.前記一般式(Ma)が下記一般式(Mb)で表されることを特徴とする前記4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005256485
〔式中、Arはカルバゾール環、カルボリン環またはジベンゾフラン環を表す。Rxは、前記重合性の官能基群Bから選ばれる1種の重合性の官能基を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基としてAr、カルバゾール環、またはベンゼン環に結合している。複数のRxは、各々異なる位置に結合している。
.構成層として、発光層を有し、該発光層が前記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有することを特徴とする前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
.構成層として、非発光性の電荷輸送層を有し、該非発光性の電荷輸送層が前記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有することを特徴とする前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
.前記有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
.白色発光することを特徴とする前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
.前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
.前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
本発明により、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機EL素子、及び該素子を用いた照明装置、表示装置を提供することができた。
また、生産性の高いウェットプロセスを用いて有機EL素子の作製ができた。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求項1〜のいずれか1項に規定される構成により、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。
また、本発明者等は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用に有用な有機EL素子材料を分子設計することに成功した。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料は、特異的に短波な発光が観測され、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を著しく向上させる事ができた。
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
《遷移金属錯体(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)》
本発明に係る遷移金属錯体(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)について説明する。
本発明者等は、有機EL素子の発光層に用いる有機EL素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる遷移金属錯体(金属錯体化合物)について種々検討した。
その中で、従来公知の金属錯体化合物の配位子においては、金属錯体の基本骨格に電子吸引性の置換基を導入して得られた発光材料は、素子の発光寿命が大幅に劣化しやすくなるという問題点があることがわかったが、一方において、発光材料の発光波長が短波化して青色が達成され、且つ、高効率の素子を達成できるという効果が得られることが判ってきた。
そこで、本発明者らは、金属錯体の基本骨格に置換基を導入することで、波長のコントロールや寿命の改善を図るという、従来公知のアプローチではなく、置換基の導入と同様の効果が期待できる縮合環に着目した。
その結果、幾つかの構造で寿命の改善傾向が見出された。しかしながら、これまで知られているような縮合環を導入した場合には、発光波長のレッドシフトが著しく、緑、赤色発光となってしまっていた。
本発明者等は更に検討を進め、本発明に係る一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を用いることで、発光材料の発光波長シフトが小さく、且つ、所望の発光波長で、長寿命化を実現した発光ドーパントの開発に成功した。
更に、本発明に係る一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有する有機層をウェットプロセスを用いて形成することで、長寿命化を実現した有機エレクトロルミネッセンス素子の開発に成功した。
また、本発明に係る一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体に、更に一般式(Ma)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を導入することにより、あるいは、本発明に係る一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物に、更に一般式(Ma)で表されるモノマー化合物を導入することにより得られるモノマー組成物を重合して得られる共重合体を用いることにより、更に高効率な有機エレクトロルミネッセンス素子の開発に成功した。
本発明に係る一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体は、各々Mで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。
ここで、配位子とは、一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体において、遷移金属元素Mを除いた部分が、各々配位子である。
(従来公知の配位子)
また、所謂配位子としては、当該業者が周知の配位子(配位化合物ともいう)を必要に応じて配位子として併用することができる。
本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は、好ましくは1〜2種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは1種類である。
従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社 H.Yersin著 1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 1982年発行 等に記載の配位子(例えば、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子なと)が挙げられる。
(元素周期表の8〜10族の遷移金属元素)
本発明に係る、一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体の形成に用いられる金属Mは、イリジウムまたは白金である
(本発明に係る遷移金属錯体の含有層)
本発明に係る一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体の含有層としては、電荷を輸送する層(電荷輸送層)であれば特に制限はないが、正孔輸送層、発光層または電子阻止層が好ましく、より好ましくは発光層または電子阻止層であり、特に好ましくは発光層である
また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機EL素子の外部取り出し量子効率の効率アップ(高輝度化)や発光寿命の長寿命化を達成することができる。尚、本発明の有機EL素子の構成層についてのは、後に詳細に説明する。
ここで、本発明に係る一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体について説明する。
《一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマー》
本発明に係る一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーについて説明する。
一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーにおいて、E1a〜E1eにより形成される環は、イミダゾール環、ピラゾール環またはオキサゾール環を表す。これらの各環は各々更に、後述する置換基を有していても良い。
一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーにおいて、E1f〜E1kにより形成される環は、ベンゼン環、イミダゾール環またはチオフェン環を表す。
これらの各環は各々更に、後述する置換基を有していても良い。
一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーにおいて、E1l〜E1pにより形成される環は、ベンゼン環、チオフェン環またはピリジン環を表す。
一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーにおいて、R1a〜R1iは、各々水素原子、メチル基、フェニル基、キシリル基、トリル基、メシチル基、ピリジル基、チエニル基、シアノ基、カルバゾール基、またはジベンゾフラン基を表す。
これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよく、また、複数の置換基が存在する場合、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、お互いに連結して環を形成しても良い。
次に、本発明に係る、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体について説明する。
《一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体》
本発明に係る重合体は、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる。
前記重合体とは、重合体の一部に一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーが重合して得られる重合体が含有されていればよく、また、一般式(M1)、(M2)または(M)で表される遷移金属化合物モノマーの単独種または複数種が反応性基(或いは重合性基)を介して重合しているものである。
上記の重合体は、溶液または分散液として調製することができ、また、塗布によって作製された膜は均一であり有機エレクトロルミネッセンス素子として有用である。
また、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体は青色のリン光発光ドーパントとして十分に広いバンドギャップを有しており、外部取り出し量子効率が高く、且つ、発光寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができ、更には、該有機エレクトロルミネッセンス素子を具備した照明装置および表示装置を提供することが出来る。
本発明の有機EL素子においては、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーの状態、即ち、重合前の状態(単量体、モノマーともいう)で素子に組み込まれていてもよく、予め、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体として調製され、素子の構成層に組み込まれていてもよい。
特に、塗布等の湿式法により素子の構成層が形成される場合、例えば、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーが発光層の形成時に単量体として組み込まれた場合には、紫外線照射等の光重合や加熱による熱重合等を行う工程を経て重合体を形成して得られた発光層上に、電子輸送層等を設けることが好ましい。
一方、本発明に係る一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを、単量体(重合前の状態)のままで、蒸着等により本発明の有機EL素子の構成層に組み込むことも可能である。
その場合は、有機EL素子が形成された後、通電が行われて発生する活性種等により、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーは重合反応により重合体形成が行われる。
一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーの塗布膜を作製後、重合前に、例えば塗布溶媒の沸点より少し高い温度での加熱等、重合前に乾燥プロセスを入れることも好ましい。また、塗布膜を重合した後、適当な(重合膜を溶解しない)溶媒にて重合膜をリンスして溶媒可溶物を除いた後、更に上層を積層塗布する等のプロセスを付加することも好ましい。
一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーから導かれる構造単位を有する重合体を調整する際、前駆体(モノマー)の有する反応性基としては下記のような置換基例が挙げられるが、これらに限定されない。
中でも、好ましい反応性置換基としては、炭素−炭素二重結合を含む置換基、更に好ましくは、ビニル基が挙げられる。また、前記一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーは、反応性置換基を2つ以上有していることが好ましい。
Figure 0005256485
なお、一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーが2以上の反応性基を有する場合、反応性基は同じであっても異なっていてもよい。
一般式(M1)〜(M)で表される遷移金属化合物モノマーは相互に反応する反応性基を少なくとも1つは有する必要がある。
複数の反応性基を有する前駆体(モノマー)を用いる場合、各々の反応性基は同じものでも良いし異なるものでも良い、異なる反応性子を持つ前駆体(モノマー)を用いると重合反応の条件を調整することで生成する重合膜の物性を制御することが可能になる。
《重合体の分子量、分子量分布(Mw/Mn)》
本発明に係る一般式(M1)〜(M)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体の分子量(重量平均分子量Mw)は、1000000以下であることが好ましく、更に好ましくは、10000〜200000の範囲である。更に、本発明に係る、重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比率(分子量分布)は、3以下であることが好ましい。
本発明に係る一般式(M1)〜(M)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)の測定は、THF(テトラヒドロフラン)をカラム溶媒として用いるGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用いて分子量測定を行うことができる。
また、一般式(M1)〜(M)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体が重合前の前駆体(モノマー)の状態で、有機EL素子の発光層等に組み込まれ、その後、有機EL素子に通電が行われ、発光層中において重合が進行して得られる重合体の分子量については、予め、一般式(M1)〜(M)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体の前駆体(モノマー)のみを含む層を別途作製しておき、紫外線照射時間を調整した光重合後の試料を複数(例えば、10サンプル程度)作製し、紫外線照射時間と重合体の分子量(重量平均、数平均分子量等)の検量線を予め作成しておき、紫外線照射時間から、分子量の算出をすることが出来る。
一方、重合体そのものの分子量の測定は、従来公知の方法により測定できる。
具体的には、測定試料を1mgに対してTHF(脱気処理を行ったものを用いる)を1ml加え、室温下にてマグネチックスターラーを用いて撹拌を行い、充分に溶解させる。ついで、ポアサイズ0.45μm〜0.50μmのメンブランフィルターで処理した後に、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフ)装置に注入する。
GPC測定条件は、40℃にてカラムを安定化させ、THF(テトラヒドロフラン)を毎分1mlの流速で流し、1mg/mlの濃度の試料を約100μl注入して測定する。
カラムとしては、市販のポリスチレンジェルカラムを組み合わせて使用することが好ましい。例えば、昭和電工社製のShodex GPC KF−801、802、803、804、805、806、807の組み合わせや、東ソー社製のTSKgelG1000H、G2000H、G3000H、G4000H、G5000H、G6000H、G7000H、TSK guard column等の組み合わせ等が好ましい。
検出器としては、屈折率検出器(RI検出器)、あるいはUV検出器が好ましく用いられる。
本発明では、下記の測定条件にて分子量測定を行った。
(測定条件)
装置:東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC
カラム:TOSOH TSKgel Super HM−M
検出器:RI及び/またはUV
溶出液流速:0.6ml/分
試料濃度:0.1質量%
試料量:100μl
検量線:標準ポリスチレンにて作製:標準ポリスチレンSTK standard ポリスチレン(東ソー(株)製)Mw=1000000〜500迄の13サンプルを用いて検量線(校正曲線ともいう)を作成、分子量の算出に使用した。13サンプルは、ほぼ等間隔にすることが好ましい。
以下、本発明に係る前記一般式(M1)、(M2)または(M3)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマー及び参考例の遷移金属化合物モノマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
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これらの遷移金属錯体化合物は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、Organic Letter誌、vol8、No.3、415〜418頁(2006)、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用して合成できる。
以下、本発明に係る前記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体及び参考例の重合体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
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《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10nm〜20nmの範囲である。
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。
本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント(リン光ドーパント(リン光発光性ドーパントともいう)や蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。
(ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよく、1種でもまたは複数種用いても良い。
前記一般式(M1)〜(M)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を構成する電荷輸送材料(ホスト)としては、上記一般式(Ma)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体、あるいは上記一般式(Ma)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる共重合体であることが好ましい。
(一般式(a)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体
一般式(a)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体について説明する。
一般式(Ma)において、Ar、Ar は各々カルバゾール環、カルボリン環またはジベンゾフラン環を表す。これらの環は、更に一般式(M1)〜(M3)のいずれかで表される部分構造におけるR1a〜R1iで各々表される置換基を有していてもよい。
Rxは、前記重合性の官能基群Bから選ばれる1種の重合性の官能基を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基としてAr 、Ar 、ベンゼン環のいずれかに結合している。複数のRxは、各々異なる位置に結合している。
更に、本発明では、一般式(a)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体としては一般式(b)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体がより好ましい。
(一般式(b)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体
一般式(b)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体について説明する。
一般式(b)においてArにより形成される芳香環は、一般式(a)において、Ar1、Ar2で、各々形成される芳香環と同義である。
前記一般式(a)または(b)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を調整する際、前駆体(モノマー)の有する反応性基としては、上記一般式(1)〜(4)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体の前駆体(モノマー)と同様の例が挙げられる。前駆体(モノマー)は、反応性置換基を2つ以上有していることが好ましい。
一般式(a)または(b)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を調整する際に用いる前駆体(モノマー)は相互に反応する反応性基を少なくとも1つは有する必要がある。
複数の反応性基を有する前駆体(モノマー)を用いる場合、各々の反応性基は同じものでも良いし異なるものでも良い、異なる反応性子を持つ前駆体(モノマー)を用いると重合反応の条件を調整することで生成する重合膜の物性を制御することが可能になる。
以下、本発明に係る前記一般式(Ma)または一般式(Mb)で表されるモノマー化合物の具体例及び参考例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
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また、併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
(発光ドーパント)
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
(リン光ドーパント)
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
本発明に係るリン光ドーパントは、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
本発明に係るリン光ドーパントとして用いられる化合物としては、上記の本発明に係る一般式(M1)〜(M)のいずれかで表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体が好ましい。
また、以下に示すような従来公知の発光ドーパントを併用してもよい。
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(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体(カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示す)を含有することが好ましい。
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
また、IDIXO(In23−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/(m2・24h・atm)以下、水蒸気透過度が、10-5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。
ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m2・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。
《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。
まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。
次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜を形成させる。
これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。
本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは、50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。
また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000Cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
また、以下の実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。
Figure 0005256485
Figure 0005256485
Figure 0005256485
実施例1
《有機EL素子1−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。
この基板を窒素雰囲気下に移し、第1正孔輸送層上に、50mgの化合物Aを10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し膜厚25nmの第2正孔輸送層とした。
次に、HM1−1(60mg)、Ir−16(6.0mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。
180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し、膜厚30nmの発光層とした。
更に、化合物C(20mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中80℃で1時間加熱を行い、膜厚10nmの正孔阻止層とした。
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。
作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
図3は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている(尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。
図4は、照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
《有機EL素子1−2〜1−48の作製》
有機EL素子1−1の作製において、表1に記載のように発光ホスト材料、発光ドーパント材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−48を作製した。
《有機EL素子1−1〜1−48の評価》
以下のようにして作製した有機EL素子1−1〜1−48の評価を行い、その結果を表1に示す。
(外部取りだし量子効率)
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。尚、測定には同様に分光放射輝度計CS−1000(ミノルタ製)を用いた。
表1の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子1−1の測定値を100とした時の相対値で表した。
(寿命)
10mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ0.5)として寿命の指標とした。測定には分光放射輝度計CS−1000(ミノルタ製)を用いた。
表1の寿命の測定結果は、有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表した。
(発光色)
有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光色を目視で評価した。
Figure 0005256485
表1から、比較の素子1−1に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、寿命が長いことが明らかである。
また、ドーパントとして低分子化合物を用いた比較の素子1−2〜1−4は、外部取り出し量子効率が低く、寿命も短いのに比べ、高分子化した本発明の化合物を用いた素子は外部取り出し量子効率が高く、且つ、寿命も長いことが明らかである。
実施例2
《有機EL素子2−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70質量%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入・輸送層を設けた。
この正孔注入・輸送層上に、30mgの例示化合物P−Aをトルエン3mlに溶解した溶液を、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、60℃で1時間真空乾燥し、膜厚80nmの発光層とした。
これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、陰極バッファー層としてカルシウム10nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。
《有機El素子2−2〜2−17の作製》
有機EL素子2−1の作製において、発光層の作製に用いた例示化合物P−Aを、表2に記載した化合物に各々変更した以外は全く同様にして、有機EL素子2−2〜2−17を各々作製した。
《有機EL素子2−18の作製》
有機EL素子2−1の作製において、3mlの例示化合物P−Aの溶液を以下[A]に記載する溶液に置き換えた以外は全く同様にして、有機EL素子2−18を作製した。
[A]:ポリビニルカルバゾール30mgとIr−13(青発光性オルトメタル化錯体)1.5mgとをトルエン3mlに溶解した溶液
《有機EL素子2−1〜2−18の評価》
得られた有機EL素子 2−1〜2−18を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
次いで、下記のようにして外部取り出し量子効率および発光寿命を測定した。
《外部取りだし量子効率》
有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下、2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。尚、測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ(株)製)を用いた。
《発光寿命》
23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下、2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ12)として寿命の指標とした。
尚、測定には同様に、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ(株)製)を用いた。
有機EL素子2−1〜2−18の外部取り出し量子効率、発光寿命の測定結果は、有機EL素子2−18を100とした時の相対評価を行った。
得られた結果を下記の表2に示す。
Figure 0005256485
表2から、本発明の高分子化合物を発光層に用いることで、外部取り出し量子効率が大幅に向上し、消費電力が抑制されることがわかった。また発光寿命も改善されることも併せてわかった。
実施例3
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子1−19を青色発光素子として用いた。
(緑色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子1−1において、Ir−16をIr−15に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として用いた。
(赤色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子1−1において、Ir−16をIr−14に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。
上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機EL素子を同一基板上に並置し、図1に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。
即ち、同一基板上に複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。
前記複数画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されるとデータ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
このフルカラー表示装置は駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。
実施例4
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。
この基板を窒素雰囲気下に移し、第1正孔輸送層上に、50mgの化合物Bを10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。
次に、HM1−9(60mg)、DM1−2(4.0mg)、Ir−14(2.0mg)、Ir−15(2.0mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し膜厚30nmの発光層とした。
更に、化合物C(20mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中80℃で1時間加熱を行い、膜厚10nmの正孔阻止層とした。
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して、更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機EL素子を作製した。この素子に通電したところ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。
有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部の模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の断面図である。
符号の説明
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
107 透明電極付きガラス基板
106 有機EL層
105 陰極
102 ガラスカバー
108 窒素ガス
109 捕水剤

Claims (11)

  1. 陽極と陰極により挟まれた少なくとも一層の有機層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    該有機層が下記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005256485
    Figure 0005256485
    Figure 0005256485
    〔式中、E1a〜E1eで形成される環は、イミダゾール環、ピラゾール環またはオキサゾール環を表す。E1f〜E1kで形成される環は、ベンゼン環、イミダゾール環またはチオフェン環を表す。E1l〜E1qで形成される環は、ベンゼン環、チオフェン環またはピリジン環を表す。R1a〜R1iは、各々水素原子、メチル基、フェニル基、キシリル基、トリル基、メシチル基、ピリジル基、チエニル基、シアノ基、カルバゾール基、またはジベンゾフラン基を表す。Mは、イリジウムまたは白金を表す
    −L−X で表される2座の配位子は、1−メシチル−2−フェニル−1H−イミダゾール、アセチルアセトナート、3,5−ジメチル−1,4−ジフェニル−1H−ピラゾール、または4−(2,6−ジメチル)−1−フェニル−1H−ピラゾールを表す。
    n1は1、2、または3の整数を表し、n2は0、1または2の整数を表すが、n1+n2は2または3であり、これは、中心金属Mの正電荷と同じ数である。
    Rxは、下記重合性の官能基群Aから選ばれる1種を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基R1a〜R1iのいずれかとして結合しているか、Lに置換基として結合している。複数のRxは各々異なる位置に結合している
    Figure 0005256485
  2. 前記一般式(M1)、(M2)または(M3)のE1a〜E1eにより形成される環がピラゾール環であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 前記一般式(M1)、(M2)または(M3)のE1a〜E1eにより形成される環がイミダゾール環を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 前記重合体が、下記一般式(Ma)で表されるモノマー化合物を含むモノマー組成物を重合して得られる重合体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005256485
    〔式中、Ar 、Ar は各々カルバゾール環、カルボリン環またはジベンゾフラン環を表す。Rxは、下記重合性の官能基群Bから選ばれる1種の重合性の官能基を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基としてAr 、Ar 、ベンゼン環のいずれかに結合している。複数のRxは、各々異なる位置に結合している。〕
    Figure 0005256485
  5. 前記一般式(Ma)が下記一般式(Mb)で表されることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005256485
    〔式中、Arはカルバゾール環、カルボリン環またはジベンゾフラン環を表す。Rxは、前記重合性の官能基群Bから選ばれる1種の重合性の官能基を表し、mは1〜3の整数のいずれかを表す。Rxは、置換基としてAr、カルバゾール環、またはベンゼン環に結合している。複数のRxは、各々異なる位置に結合している。〕
  6. 構成層として、発光層を有し、該発光層が前記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 構成層として、非発光性の電荷輸送層を有し、該非発光性の電荷輸送層が前記一般式(M1)、(M2)または(M3)で表される遷移金属化合物モノマーを含むモノマー組成物を重合して得られる重合体を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 白色発光することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置
  11. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2010004887A1 (ja) * 2008-07-07 2012-01-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5810529B2 (ja) * 2009-01-09 2015-11-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5402703B2 (ja) * 2009-02-13 2014-01-29 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機elディスプレイ、有機el照明及び有機el信号装置
JP5531446B2 (ja) * 2009-04-20 2014-06-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置および照明装置
JP5600891B2 (ja) * 2009-05-15 2014-10-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP4523992B1 (ja) 2009-07-31 2010-08-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5577650B2 (ja) * 2009-08-24 2014-08-27 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP4564585B1 (ja) * 2009-08-31 2010-10-20 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP2010185068A (ja) * 2009-08-31 2010-08-26 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP4523990B1 (ja) 2009-08-31 2010-08-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
JP4564588B1 (ja) 2009-08-31 2010-10-20 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子
JP4551480B1 (ja) * 2009-08-31 2010-09-29 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP6219443B2 (ja) * 2009-08-31 2017-10-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 金属錯体化合物の製造方法及び有機電界発光素子
JP4474492B1 (ja) 2009-08-31 2010-06-02 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子
JP5779318B2 (ja) * 2009-08-31 2015-09-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5926785B2 (ja) * 2009-09-30 2016-05-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5778251B2 (ja) * 2010-04-28 2015-09-16 コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション イリジウムおよび関連する第viii族の燐光性金属多環化合物に基づくエレクトロルミネセント素子
US20130331577A1 (en) 2010-12-23 2013-12-12 Solvay Sa Preparation of a fac-isomer for a tris homoleptic metal complex
KR20140076572A (ko) 2011-09-12 2014-06-20 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 함규소 4원환구조를 가지는 유기전계발광 소자용 재료 및 유기전계발광 소자
EP2757607B1 (en) 2011-09-12 2016-02-10 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent element
EP2757608B1 (en) 2011-09-12 2016-03-23 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent element
WO2013088934A1 (ja) 2011-12-12 2013-06-20 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及びそれを用いた有機電界発光素子
JP6140146B2 (ja) 2012-03-12 2017-05-31 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子
JP6015103B2 (ja) * 2012-04-27 2016-10-26 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5880274B2 (ja) * 2012-05-21 2016-03-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP6153522B2 (ja) 2012-06-28 2017-06-28 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
CN104471734B (zh) 2012-07-19 2016-11-09 新日铁住金化学株式会社 有机电场发光元件
TWI599570B (zh) 2012-09-28 2017-09-21 新日鐵住金化學股份有限公司 Compounds for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices
GB2520738B (en) * 2013-11-29 2018-08-08 Cambridge Display Tech Ltd Phosphorescent metal complex dendrimers containing an imidazo[1,2-f]phenanthridine ligand
EP3741768B1 (en) * 2014-05-08 2022-12-07 Universal Display Corporation Stabilized imidazophenanthridine materials
US10686140B2 (en) 2016-06-20 2020-06-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10727423B2 (en) 2016-06-20 2020-07-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102486941B1 (ko) 2018-02-02 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자, 이를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치, 및 유기 전계 발광 소자용 유기금속 화합물
US11165028B2 (en) * 2018-03-12 2021-11-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11279722B2 (en) 2018-03-12 2022-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20210011836A (ko) 2019-07-23 2021-02-02 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CZ2022180A3 (cs) 2019-11-21 2022-05-25 Mitsubishi Electric Corporation Hermetický kompresor, zařízení chladicího cyklu a způsob výroby hermetického kompresoru

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5135660B2 (ja) * 2001-09-27 2013-02-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4196639B2 (ja) * 2002-06-10 2008-12-17 三菱化学株式会社 有機金属錯体、およびこれを用いた有機電界発光素子
JP4211433B2 (ja) * 2002-08-14 2009-01-21 三菱化学株式会社 有機金属錯体、発光色素、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
JP2005255992A (ja) * 2004-02-13 2005-09-22 Kochi Univ ルテニウム錯体及びその用途
JP4756273B2 (ja) * 2005-08-31 2011-08-24 独立行政法人産業技術総合研究所 オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法ならびに製造されたイリジウム錯体からなる発光材料
KR102103062B1 (ko) * 2006-02-10 2020-04-22 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
JP2008147354A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2010004887A1 (ja) * 2008-07-07 2012-01-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
JP5699603B2 (ja) * 2008-07-07 2015-04-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

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