KR20180079328A - 벤즈이미다졸 축합 헤테로아릴 - Google Patents

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유이치 니시마에
토마스 셰퍼
유키 나카노
히데아키 나가시마
마시히로 가와무라
다스쿠 하케타
다쿠시 시오미
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

일반식 (I)의 화합물은 전자 기기, 바람직하게는 OLED의 우수한 효율, 우수한 작동 수명 및 열 스트레스에 대한 높은 안정성, 및 낮은 사용 및 작동 전압을 보장하는 OLED를 제공한다:
Figure pct00244

상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 명세서에 정의된 의미를 갖는다.

Description

벤즈이미다졸 축합 헤테로아릴
본 발명은 일반식 (I)의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 기기, 일반식 (I)의 하나 이상의 화합물을 포함하는, 바람직하게는 전자 기기에 존재하는, 발광층, 전자 기기에서 호스트 물질, 전하 수송 물질 또는 금속 종 불포함 도펀트로서의 일반식 (I)에 따른 화합물의 용도, 일반식 (IV)에 따른 특정 화합물 및 이들 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.
벤즈이미다졸 축합 헤테로아릴 및 전자 기기에서 이들의 용도가 선행 기술로부터 공지되어 있다.
WO 2014/008982 A1호에는 전자 기기, 특히 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)에서 에미터로서 일반식 M(L)n(L')m의 금속 착물의 용도가 개시되어 있다. 이들 착물에 존재하는 리간드 L 및 L'은 그 중에서도 하기 일반식에 상응한다:
Figure pct00001
상기 식에서, -X=X-는
Figure pct00002
에 상응한다. 전자 기기에서 임의의 금속 양이온이 없는 리간드의 용도 또는 상응하는 전자 기기는 WO 2014/008982 A1호에 개시되지 않는다.
CN 1017781312 A호에는 퀴놀론 또는 인돌 유도체의 제조 방법 및 생화학, 화장품학, 약학, 재료 응용에서 이들의 용도가 개시되어 있다. 그 중에서도, Y, Z가 N 또는 C일 수 있고, R1이 알킬, 아릴 등일 수 있는 식
Figure pct00003
의 화합물이 개시된다. CN 1017781312 A1호에 예시된 특정한 화합물은
Figure pct00004
및
Figure pct00005
이다. 전자 기기에서 벤즈이미다졸 축합 헤테로아릴의 용도는 이러한 문서에 개시되지 않는다.
문헌[M. Hranjec et al., J. Med. Chem. 2008, 51, (16), pages 4899 - 4910]에는 일반식
Figure pct00006
의 화합물의 제조 방법이 개시되어 있다. 전자 기기에서 이들 화합물의 용도는 이 문서에 개시되어 있지 않다.
인용문헌 목록
특허 문헌
특허 문헌 1: WO 2014/008982 A1호
특허 문헌 2: CN 1017781312 A호
비특허 문헌
비특허 문헌 1: 문헌[M. Hranjec et al., J. Med. Chem. 2008, 51, (16), pages 4899 - 4910]
전자 기기의 개선된 효율, 안정성, 제조성, 구동 전압 및/또는 스펙트럼 특성을 제공하는 신규한 물질, 특히 호스트 물질, 전자 수송 물질 및/또는 정공 수송 물질을 포함하는 전자 기기에 대한 요구가 존재한다.
따라서, 상기 언급된 선행 기술과 관련하여 본 발명의 목적은 전자 기기, 바람직하게는 OLED, 및 유기 전자에서 추가의 응용분야에서 사용에 적합한 물질을 제공하는 것이다. 더 특히, 전자 수송 물질, 정공 수송 물질 또는 호스트 물질로서 신규한 화합물을 포함하는 전자 기기를 제공하는 것이 가능하여야 한다. 물질은 바람직하게는 인광 에미터, 예를 들면, 하나 이상의 녹색, 적색 또는 황색 에미터, 특히 하나 이상의 녹색 에미터 또는 하나 이상의 적색 에미터인 하나 이상의 에미터를 포함하는 OLED에 특히 적합하여야 한다. 물질은 특히 전자 수송 물질로서, 바람직하게는 형광 에미터, 예를 들면, 하나 이상의 청색 에미터인 하나 이상의 에미터를 포함하는 OLED에 특히 적합하여야 한다.
추가로, 물질은 전자 기기, 바람직하게는 OLED의 우수한 효율, 우수한 작동 수명 및 열 스트레스에 대한 높은 안정성, 및 낮은 사용 및 작동 전압을 보장하는 OLED를 제공하는데 적합하여야 한다.
상기 목적은 일반식 (I)의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 기기에 의해 해결된다:
Figure pct00007
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 하기 의미를 갖는다:
A1, A2, A3, 및 A4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 A1은 N 또는 CR1이고, A2는 N 또는 CR2이고, A3은 N 또는 CR3이고, A4는 N 또는 CR4이고,
B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5 또는 6원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합, NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2는 직접 결합, NR9, N, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 직접 결합, NR13, N, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 직접 결합, NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고,
C1, C2, C3, 및 C4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 C1은 N 또는 CR21이고, C2는 N 또는 CR22이고, C3은 N 또는 CR23이고, C4는 N 또는 CR24이고,
X1 및 X2는 각각 직접 결합, O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고,
여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고,
D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CR31=CR32-, -NR33-, -SiR28R29-, -POR34-, 또는 -C≡C-이고,
E는 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않은 C6-C60아릴 기, J 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C60아릴 기, O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기, 치환되지 않은 C2-C60헤테로아릴 기, 또는 J, C1-C18알킬, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고,
J는 -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 또는 -C(CF3)3이고,
G는 E, C1-C18알킬 기, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬이고,
R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 C1-C18알킬 기, C6-C18아릴 기, 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C18아릴 기이고,
R31 및 R32는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
R33, R34, R35, 및 R39는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
R36은 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
R37, R38, R40, R41, 및 R42는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이거나,
R37 및 R38은 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
R41 및 R42는 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, 및 R20은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R17, R18, R19, 및 R20 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
R21, R22, R23 및 R24 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하거나,
R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
일반식 (I)의 화합물의 실시양태에서, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24로부터 선택된 하나 이상은 H(수소)가 아닌 치환기, 즉, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다. H가 아닌 치환기는 바람직하게는 하기 언급되는 일반식 (b) 및 (b1)의 치환기이다.
상기 언급된 목적은 본 발명에 따른 일반식 (I)의 하나 이상의 화합물을 포함하는, 바람직하게는 전자 기기, 더 바람직하게는 일렉트로루미네센스 소자, 특히 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED)에 존재하는 발광층에 의해 추가로 해결된다.
상기 언급된 목적은 전자 기기, 바람직하게는 일렉트로루미네센스 소자, 특히 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 바람직하게는 발광층에서, 호스트 물질, 전하 수송 물질, 예를 들면, 전자 수송 물질 또는 정공 수송 물질, 또는 금속 종 불포함 도펀트, 바람직하게는 호스트 물질로서, 본 발명에 따른 일반식 (I)에 따른 화합물의 용도에 의해 추가로 해결된다.
본 발명에 따른 전자 기기는 하기 상세히 설명될 것이다.
본 발명에 따른 전자 기기는 상기 언급된 일반식 (I)에 따른 하나 이상의 화합물을 포함한다. 본 발명에 따라, 전자 기기는 본 발명에 따른 1종의 화합물을 포함할 수 있거나 일반식 (I)에 따른 상이한 화합물의 혼합물을 포함할 수 있다. 추가로, 본 발명에 따른 전자 기기는 장치의 상이한 부분, 예를 들면, 층에 일반식 (I)에 따른 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 실시양태에 따라, 일반식 (I)에 따른 1종의 화합물은 상이한 부분, 예를 들면, 층에 존재할 수 있다. 또 다른 실시양태에 따라, 일반식 (I)에 따른 상이한 화합물은 상이한 부분, 예를 들면, 층에 존재할 수 있다.
본 발명에 따라 용어 할로겐, 알킬, 아릴, 아릴옥시 및 헤테로아릴은, 상기 기가 하기 언급된 특정한 실시양태에서 추가로 특정되지 않는 경우, 일반적으로 하기 의미를 갖는다:
할로겐은 플루오르, 염소, 브롬 및 요오드이다.
C1-C25알킬, 바람직하게는 C1-C18알킬은 전형적으로, 가능한 경우, 선형 또는 분지형이다. 예는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec.-부틸, 이소부틸, tert.-부틸, n-펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 2,2-디메틸프로필, 1,1,3,3-테트라메틸펜틸, n-헥실, 1-메틸헥실, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸헥실, n-헵틸, 이소헵틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸, 1-메틸헵틸, 3-메틸헵틸, n-옥틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 및 2-에틸헥실, n-노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 및 옥타데실이다. C1-C8알킬은 전형적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec.-부틸, 이소부틸, tert.-부틸, n-펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 2,2-디메틸-프로필, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 또는 2-에틸헥실이다. C1-C4알킬은 전형적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec.-부틸, 이소부틸, 또는 tert.-부틸이다.
C1-C25알콕시 기, 바람직하게는 C1-C18알콕시 기는 직쇄 또는 측쇄 알콕시 기, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, sec-부톡시, tert-부톡시, 아밀옥시, 이소아밀옥시 또는 tert-아밀옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 테트라데실옥시, 펜타데실옥시, 헥사데실옥시, 헵타데실옥시 및 옥타데실옥시이다. C1-C8알콕시의 예는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, sec.-부톡시, 이소부톡시, tert.-부톡시, n-펜틸옥시, 2-펜틸옥시, 3-펜틸옥시, 2,2-디메틸프로폭시, n-헥실옥시, n-헵틸옥시, n-옥틸옥시, 1,1,3,3-테트라메틸부톡시 및 2-에틸헥실옥시, 바람직하게는 C1-C4알콕시, 예를 들면, 전형적으로 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, sec.-부톡시, 이소부톡시, 및 tert.-부톡시이다.
임의로 치환될 수 있는 C6-C60아릴, 바람직하게는 C6-C24아릴, 특히 바람직하게는 C6-C18아릴은 전형적으로 페닐, 4-메틸페닐, 4-메톡시페닐, 나프틸, 특히 1-나프틸 또는 2-나프틸, 비페닐일, 터페닐일, 피레닐, 2- 또는 9-플루오레닐, 페난트릴, 또는 안트릴이고, 이는 치환되지 않거나 치환될 수 있다. 페닐, 1-나프틸 및 2-나프틸은 C6-C10아릴 기의 예이다.
임의로 치환될 수 있는 C6-C24아릴옥시는 전형적으로 C6-C10아릴옥시이고, 이는 하나 이상의 C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시 기, 예를 들면, 페녹시, 1-나프톡시, 또는 2-나프톡시에 의해 임의로 치환될 수 있다.
C2-C60헤테로아릴, 바람직하게는 C2-C30헤테로아릴, 특히 바람직하게는 C2-C13　헤테로아릴은 질소, 산소 또는 황이 가능한 헤테로 원자인, 5 내지 7개의 고리 원자를 갖는 고리 또는 축합된 고리 시스템을 나타내고, 전형적으로 6개 이상의 컨쥬게이트 π-전자를 갖는 5 내지 40개의 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 예를 들면, 티에닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 티안트레닐, 푸릴, 퍼푸릴, 2H-피라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 페녹시티에닐, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 비피리딜, 프리아지닐, 피리미디닐, 피라지닐, 피리다지닐, 인돌리지닐, 이소인돌릴, 인돌릴, 인다졸릴, 푸리닐, 퀴놀리지닐, 키놀릴, 이소키놀릴, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 치녹살리닐, 키나졸리닐, 신놀리닐, 프테리디닐, 카바졸릴, 카볼리닐, 벤조트리아졸릴, 벤족사졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 피리미디닐, 페난트롤리닐, 페나지닐, 이소티아졸릴, 페노티아지닐, 이속사졸릴, 푸라자닐, 4-이미다조[1,2-a]벤즈이미다조일, 5-벤즈이미다조[1,2-a]벤즈이미다조일, 벤즈이미다졸로[2,1-b][1,3]벤조티아졸릴, 카바졸릴, 또는 펜옥사지닐이고, 이는 치환되지 않거나 치환될 수 있다. 벤즈이미다조[1,2-a]벤즈이미다조-5-일, 벤즈이미다조[1,2-a]벤즈이미다조-2-일, 카바졸릴 및 디벤조푸라닐은 C2-C14헤테로아릴 기의 예이다.
C7-C25아르알킬은, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω,ω-디메틸-ω-페닐-부틸, ω-페닐-도데실, ω-페닐-옥타데실, ω-페닐-에이코실 또는 ω-페닐-도코실, 바람직하게는 C7-C18아르알킬, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω,ω-디메틸-ω-페닐-부틸, ω-페닐-도데실 또는 ω-페닐-옥타데실, 특히 바람직한 C7-C12아르알킬, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, 또는 ω,ω-디메틸-ω-페닐-부틸이고, 여기서 지방족 탄화수소 기 및 방향족 탄화수소 기는 둘 다 치환되지 않거나 치환될 수 있다. 바람직한 예는 벤질, 2-페닐에틸, 3-페닐프로필, 나프틸에틸, 나프틸메틸, 및 큐밀이다.
C5-C12사이클로알킬은, 예를 들면, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐, 사이클로데실, 사이클로운데실, 사이클로도데실, 바람직하게는 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 또는 사이클로옥틸이고, 이는 치환되지 않거나 치환될 수 있다.
상기 언급된 기의 가능한 바람직한 치환기는 C1-C8알킬, 하이드록실 기, 머캅토 기, C1-C8알콕시, C1-C8알킬티오, 할로겐, 할로-C1-C8알킬, 또는 시아노 기이다.
일반적으로, 본 발명에 따른 전자 기기는 일반식 (I)에 따른 하나 이상의 화합물을 포함한다:
Figure pct00008
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 상기 언급된 의미를 갖는다.
일반적으로, A1, A2, A3, 및 A4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 A1은 N 또는 CR1이고, A2는 N 또는 CR2이고, A3은 N 또는 CR3이고, A4는 N 또는 CR4이다.
하나의 실시양태에 따라 A1은 N이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, 여기서 R2, R3 및 R4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
또 다른 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 N이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, 여기서 R1, R3 및 R4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
또 다른 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 N이고, A4는 CR4이고, 여기서 R1, R2 및 R4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
또 다른 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 N이고, 여기서 R1, R2 및 R3은 상기 언급된 의미를 갖는다.
바람직한 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이다. 이러한 바람직한 실시양태에 따라, A1, A2, A3 및 A4는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 R1, R2, R3 및 R4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고,
D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CR31=CR32-, -NR33-, -SiR28R29-, -POR34-, 또는 -C≡C-이고,
E는 J, -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않은 C6-C60아릴 기, J로 치환된 C6-C60아릴 기, C1-C18알킬, O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기, 치환되지 않은 C2-C60헤테로아릴 기, 또는 J, C1-C18알킬, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고,
J는 -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 또는 -C(CF3)3이고,
G는 E, C1-C18알킬 기, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬이거나,
R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성한다.
더 바람직하게는, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, R1, R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 E 및 G는 상기 언급된 의미를 갖는다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, R1 및 R4는 H이고, R2 및 R3은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 E 및 G는 상기 언급된 의미를 갖는다.
가장 바람직하게는, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, R1, R2 및 R4는 H이고, R3은 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 R28, R29, R30, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42 및 G는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖거나,
R1, R3 및 R4는 H이고, R2는 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 R28, R29, R30, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42 및 G는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
R1, R2, R3 및/또는 R4, 바람직하게는 R2 및/또는 R3, 가장 바람직하게는 R3의 특히 바람직한 의미는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 바람직하게는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 방향족 및/또는 헤테로방향족 5 또는 6원 고리는 함께 축합되거나 탄소-탄소-결합에 의해 연결된다.
R1, R2, R3 및/또는 R4의 특히 바람직한 의미는 일반식 (IV)의 치환기이고, 추가의 치환기는 하기에 표시된다:
Figure pct00009
상기 식에서, R47은 2 내지 60개의 탄소 원자 및 N, O, 및 S로부터 선택된 임의로 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템일 수 있다. 임의로 존재하는 치환기는 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30로부터 선택되고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 R47은 하기에 표시된다:
Figure pct00010
본 발명의 특히 바람직한 실시양태에 따라, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, 여기서 R1, R3 및 R4는 H이고, R2는 -CN 또는 일반식 (IV)의 치환기이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에 따라 R1, R2, 및 R4는 H이고, R3은 -CN 또는 일반식 (IV)의 치환기이다.
추가의 바람직한 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3는 CR3이고, A4는 CR4이고, R1, R2, R3 및 R4는 H이고, 이는 A1, A2, A3 및 A4가 치환되지 않은 페닐 고리를 형성한다는 것을 의미한다.
추가의 바람직한 실시양태에 따라 A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족, 바람직하게는 헤테로방향족 고리를 형성하는 반면, R1, R2, R3 및 R4 중 남은 2개는 H이다.
R1, R2, R3 및 R4 중 2개에 의해 형성된 5 또는 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리는 바람직하게는 A1, A2, A3 및 A4에 의해 형성된 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 축합된다.
바람직하게는, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, R1 및 R2는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R3 및 R4는 H이거나,
R2 및 R3은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R1 및 R4는 H이거나,
R3 및 R4는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R1 및 R2는 H이다.
바람직하게는 R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5원의 치환된 헤테로방향족 고리를 형성한다.
이러한 5원의 치환된 헤테로방향족 고리는 바람직하게는 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30로 치환되고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
5원의 치환된 헤테로방향족 고리에 존재하는 치환기는 특히 바람직하게는 5원의 치환된 헤테로방향족 고리에 축합된다.
R1, R2, R3 및 R4 중 2개에 의해 형성되는 가장 바람직한 5원의 치환된 헤테로방향족 고리는 하기에 표시된다:
Figure pct00011
상기 식에서, 점선은 A1, A2, A3 및 A4에 의해 형성된 고리에 대한 결합을 나타내고, R48은 2 내지 60개의 탄소 원자 및 임의로 N, O, 및 S로부터 선택된 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템일 수 있다. 임의로 존재하는 치환기는 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택되고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 R48은 하기에 표시된다:
Figure pct00012
일반적으로, B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5 또는 6원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합, NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8, B2는 직접 결합, NR9, N, O, S, CR10 또는 CR11R12, B3은 직접 결합, NR13, N, O, S, CR14 또는 CR15R16 및/또는 B4는 직접 결합, NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖고, 바람직하게는 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 메틸(-CH3), CH3, 페닐, 트리페닐렌, 디벤조푸란,
Figure pct00013
또는
Figure pct00014
이다.
본 발명의 하나의 실시양태에 따라 B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5원의 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합, NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8, B2는 직접 결합, NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12, B3은 직접 결합, NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16 및/또는 B4는 직접 결합, NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖는다.
본 발명의 또 다른 실시양태에 따라 B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 N, O, S 또는 CR6, B2는 N, O, S 또는 CR10, B3은 N, O, S 또는 CR14 및/또는 B4는 N, O, S 또는 CR18이고, 여기서 R6, R10, R14 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖는다.
바람직한 실시양태에 따라, B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 N이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, 여기서 R10, R14 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 CR6이고, B2는 N이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, 여기서 R6, R14 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 N이고, B4는 CR18이고, 여기서 R6, R10 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 N이고, 여기서 R10, R14 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖는다.
특히 바람직하게는, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, 여기서 R6, R10, R14 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖는다. 이러한 실시양태에 따라, 본 발명에 따른 전자 기기에 포함된 일반식 (I)에 따른 화합물은 하기에 나타낸 바와 같은 일반식 (Ia)에 상응한다:
Figure pct00015
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, C1, C4, R6, R10, R14, R18, X1, X2, R22 및 R23는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
일반식 (Ia)의 화합물의 실시양태에서, R6, R10, R14, R18, R22 및 R23으로부터 선택된 하나 이상은 H가 아닌 치환기이고, 바람직하게는 R22 및 R23 중 하나 이상은 H가 아닌 치환기이다. 치환기는 일반식 (I)의 R6, R10, R14, R18, R22 및 R23에 관하여 상기 언급되고, 바람직하게는 하기 언급된 일반식 (b) 또는 (b1)이다.
바람직하게는, R6, R10, R14 및 R18은 서로 독립적으로 H, -CN,
Figure pct00016
또는
Figure pct00017
로부터 선택되고, 가장 바람직하게는 R6, R10, R14 및 R18은 H이다.
추가의 바람직한 실시양태에 따라 B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, R6, R10, R14 및 R18 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 바람직하게는 5원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족, 바람직하게는 헤테로방향족 고리를 형성하는 반면, R6, R10, R14 및 R18 중 남은 2개는 H이다.
R6, R10, R14 및 R18 중 2개에 의해 형성된 5 또는 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리는 바람직하게는 B1, B2, B3 및 B4에 의해 형성된 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 축합된다.
R6, R10, R14 및 R18 중 2개에 의해 형성된 5 또는 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 가능한 바람직한 치환기는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이다. 이들 아릴 또는 헤테로아릴 기는 R6, R10, R14 및 R18 중 2개에 의해 형성된 5 또는 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 축합될 수 있거나 이러한 고리에 단일 탄소-탄소-결합을 통해 결합될 수 있다.
바람직하게는, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, R6 및 R10은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R14 및 R18은 H이거나,
R10 및 R14는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R6 및 R18은 H이거나,
R14 및 R18은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R6 및 R10은 H이다.
특히 바람직하게는, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, R6 및 R10은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R14 및 R18은 H이거나,
R14 및 R18은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R6 및 R10은 H이다.
바람직하게는, R6, R10, R14 및 R18 중 2개는 5원의 치환된 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템을 형성한다.
R6, R10, R14 및 R18 중 2개에 의해 형성된 5원의 치환된 헤테로방향족 고리는 바람직하게는 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30에 의해 치환되고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
R6, R10, R14 및 R18 중 2개에 의해 형성된 5원의 치환된 헤테로방향족 고리에 존재하는 치환기는 특히 바람직하게는 5원의 치환된 헤테로방향족 고리에 축합되거나 이러한 5원의 치환된 헤테로방향족 고리에 탄소-탄소-결합을 통해 결합되고, 가장 바람직하게는 치환기는 5원의 치환된 헤테로방향족 고리에 축합된다.
따라서, R6, R10, R14 및 R18 중 2개에 의해 형성된 가장 바람직한 5원의 치환된 헤테로방향족 고리는 하기 하기에 표시된다:
Figure pct00018
상기 식에서, 점선은 B1, B2, B3 및 B4에 의해 형성된 고리에 대한 결합을 나타내고, R49는 2 내지 60개의 탄소 원자 및 임의로 N, O, 및 S로부터 선택된 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템일 수 있다. 임의로 존재하는 이의 치환기는 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택될 수 있고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 R49는 하기에 표시된다:
Figure pct00019
일반식 (Ia)의 화합물의 바람직한 실시양태에 따라, A1은 바람직하게는 CR1이고, A2는 바람직하게는 CR2이고, A3은 바람직하게는 CR3이고, A4는 바람직하게는 CR4이고, 여기서 R1, R2, R3 및 R4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다. 이러한 바람직한 실시양태에 따라, 일반식 (I)에 따른 화합물 또는 일반식 (Ia)에 따른 화합물은 하기에 표시된 바와 같은 일반식 (II)에 따른 화합물에 상응한다:
Figure pct00020
상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R22, R23, X1, X2, C1 및 C4 상기 언급된 의미를 갖는다.
따라서, 본 발명은 바람직하게는 일반식 (I)에 따른 화합물이 일반식 (II)에 상응하는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
Figure pct00021
상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R22, R23, X1, X2, C1 및 C4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
일반식 (II)의 화합물의 실시양태에서, R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R22, 및 R23으로부터 선택된 하나 이상은 H가 아닌 치환기이고, 바람직하게는 R22 및 R23 중 하나 이상은 H가 아닌 치환기이다. 치환기는 일반식 (I)의 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R22, 및 R23에 관하여 상기 언급되고, 바람직하게는 하기 언급되는 일반식 (b) 또는 (b1)이다.
특히 바람직하게는, R6, R10, R14 및 R18은 독립적으로 H, -CN,
Figure pct00022
또는
Figure pct00023
로부터 선택되고, 가장 바람직하게는 R6, R10, R14 및 R18은 H이다.
상기 언급된 바와 같이, A1은 바람직하게는 CR1이고, A2는 바람직하게는 CR2이고, A3은 바람직하게는 CR3이고, A4는 바람직하게는 CR4이고, R1, R2, R3 및 R4는 특히 바람직하게는 H이다. 이러한 바람직한 실시양태에 따라, 상기 표시된 바와 같은 일반식 (II)에 따른 화합물은 하기에 표시된 바와 같은 일반식 (IIa)에 따른 특히 바람직한 화합물에 상응한다:
Figure pct00024
상기 식에서, R22, R23, X1, X2, C1, 및 C4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
일반식 (IIa)의 화합물의 실시양태에서, R22 및 R23 중 하나 이상은 H가 아닌 치환기이다. 치환기는 일반식 (I)의 R22 및 R23에 관하여 상기 언급되고, 바람직하게는 하기 언급되는 일반식 (b) 또는 (b1)이다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에 따라, 일반식 (I)에서 B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합, NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8, B2는 직접 결합, NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12, B3은 직접 결합, NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16 및/또는 B4는 직접 결합, NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖는다.
이러한 바람직한 실시양태에 따라, B1은 직접 결합, B2는 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2는 직접 결합이고, B3은 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2는 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 직접 결합이고, B4는 NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2은 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 직접 결합이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15 및 R16은 상기 언급된 의미를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따라, B1은 직접 결합이고, B2는 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2는 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 직접 결합이고, 여기서 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15 및 R16은 상기 언급된 의미를 갖는다.
B1이 직접 결합이고, B2가 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3이 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4가 NR17, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20이 상기 언급된 의미를 갖는 특히 바람직한 실시양태는 하기 화합물 (Ib)에 표시된다:
Figure pct00025
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
바람직하게는, 일반식 (Ib)에 따른 화합물에서, B2는 NR9, O, 또는 S이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, 여기서 R9, R14 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B2는 CR10이고, B3은 NR13, O, 또는 S이고, B4는 CR18이고, 여기서 R10, R13 및 R18은 상기 언급된 의미를 갖거나,
B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 NR17, O, 또는 S이고, 여기서 R10, R14 및 R17은 상기 언급된 의미를 갖고,
여기서 A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
특히 바람직하게는, 일반식 (Ib)에 따른 화합물에서,
B2는 NR9, O, 또는 S이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이거나,
B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 NR17, O, 또는 S이고,
여기서 R9 및 R17은 2 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템으로부터 선택되고, R14 및 R18 또는 R10 및 R14는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성한다.
가장 바람직하게는, R9 및 R17은 서로 독립적으로
Figure pct00026
로 구성된 군으로부터 선택되고,
R14 및 R18 또는 R10 및 R14는 바람직하게는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리, 가장 바람직하게는 하기 일반식 (Id)에 상응하는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은 방향족 고리를 형성한다:
Figure pct00027
상기 식에서, 점선은 B1, B2, B3 및/또는 B4에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R43, R44, R45, 및 R46은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있고,
여기서 G, E, D, R28, R29, 및 R30은 상기 정의된 의미를 갖는다.
가장 바람직하게는 R43, R44, R45, 및 R46은 H,
Figure pct00028
Figure pct00029
또는
Figure pct00030
이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따라, X1 및 B1은 직접 결합이고, X2는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B4는 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27은 상기 정의된 의미를 갖는다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 X1 및 B1이 직접 결합이고, X2가 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B4가 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 상기 정의된 의미를 갖는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따라, X1 및 B4는 직접 결합이고, X2는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B1은 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27은 상기 정의된 의미를 갖는다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 X1 및 B4가 직접 결합이고, X2가 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B1이 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 상기 정의된 의미를 갖는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따라, X2 및 B4는 직접 결합이고, X1은 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B1은 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27은 상기 정의된 의미를 갖는다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 X2 및 B4가 직접 결합이고, X1이 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B1이 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 상기 정의된 의미를 갖는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따라, X2 및 B1은 직접 결합이고, X1은 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B4는 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, 여기서 R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27은 상기 정의된 의미를 갖는다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 X2 및 B1이 직접 결합이고, X1이 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B4가 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 상기 정의된 의미를 갖는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
B1이 NR5, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2가 NR9, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3이 NR13, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4가 직접 결합이고, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15 및 R16이 상기 언급된 의미를 갖는 추가의 특히 바람직한 실시양태는 화합물 (Ic)로서 하기에 표시된다:
Figure pct00031
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
바람직하게는, 일반식 (Ic)에 따른 화합물에서, B1은 NR5, O, 또는 S이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, 여기서 R5, R10 및 R14는 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 CR6이고, B2는 NR9이고, B3은 CR14이고, 여기서 R6, R9 및 R14는 상기 언급된 의미를 갖거나,
B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 NR13, O, 또는 S이고, 여기서 R6, R10 및 R13은 상기 언급된 의미를 갖고,
여기서 A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
특히 바람직하게는, 일반식 (Ic)에 따른 화합물에서,
B1은 NR5, O, 또는 S이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이거나,
B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 NR13, O, 또는 S이고,
여기서 R5 및 R13은 2 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템으로부터 선택되고, R10 및 R14 또는 R6 및 R10은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성한다.
가장 바람직하게는, R5 및 R13은 서로 독립적으로
Figure pct00032
로 구성된 군으로부터 선택된다.
R6 및 R10 또는 R14 및 R18은 바람직하게는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리, 가장 바람직하게는 하기 일반식 (Id)에 상응하는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은 방향족 고리를 형성한다:
Figure pct00033
상기 식에서, 점선은 B1, B2, B3 및/또는 B4에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R43, R44, R45, R46은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있고,
여기서 G, E, D, R28, R29, 및 R30은 상기 정의된 의미를 갖는다. 가장 바람직하게는 R43, R44, R45, R46은 H,
Figure pct00034
Figure pct00035
또는
Figure pct00036
이다.
가장 바람직하게는, 일반식 (Ib) 및 (Ic)에 따른 화합물에서 A1, A2, A3 및 A4는 CR1, CR2, CR3 및 CR4를 의미하고, 여기서 R1, R2, R3 및 R4는 상기 언급된 의미를 갖고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, 여기서 R10 및 R14는 하기 일반식 (Id)에 상응하는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은 방향족 고리를 형성한다:
Figure pct00037
상기 식에서, 점선은 B2 및 B3에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R43, R44, R45, 및 R46은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있고,
여기서 G, E, D, R28, R29, 및 R30은 상기 정의된 의미를 갖는다. 가장 바람직하게는 R43, R44, R45, R46은 H,
Figure pct00038
Figure pct00039
또는
Figure pct00040
이다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 일반식 (I)에 따른 화합물이 일반식 (III)에 상응하는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다:
Figure pct00041
상기 식에서,
B1은 직접 결합이고, B4는 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이거나; B1은 NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B4는 직접 결합이고,
C1은 N 또는 CR21이고, C4는 N 또는 CR24이고,
X1, X2는 직접 결합, O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고,
R43, R44, R45, 및 R46은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있고,
여기서 G, E, D, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R29, 및 R30은 상기 정의된 의미를 갖거나,
R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있거나,
R5 또는 R17은 R43, R44, R45 또는 R46과 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
추가의 바람직한 실시양태에 따라, R5 또는 R17은, 존재하는 경우, R43, R44, R45 또는 R46과 함께, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성한다. 바람직하게는 R5 또는 R17 및 R43, R44, R45 또는 R46은 이에 4 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템이 축합될 수 있는 5원의 포화 고리를 형성한다. 바람직하게는, R5 및 R46 또는 R17 및 R43은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, 특히 바람직하게는 이에 4 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템이 축합될 수 있는 5원의 포화 고리를 형성한다.
B1이 직접 결합인 경우, R17 및 R43에 의해 형성된 일반적으로 바람직한 모이어티는 하기 일반식에 상응한다:
Figure pct00042
상기 식에서, 점선은 R17 및 B4에 관하여 N에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R53은 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30로부터 선택된 1개 이상, 바람직하게는 최대 4개의 치환기일 수 있고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다. 이들 치환기는 탄소-탄소-결합에 의해 결합될 수 있거나 방향족 고리에 축합될 수 있다.
B4가 직접 결합인 경우, R5 및 R46에 의해 형성된 일반적으로 바람직한 모이어티는 하기 일반식에 상응한다:
Figure pct00043
상기 식에서, 점선은 R5 및 B4에 관하여 N에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R54는 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택된 1개 이상, 바람직하게는 최대 4개의 치환기일 수 있고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다. 이들 치환기는 탄소-탄소-결합에 의해 결합될 수 있거나 방향족 고리에 축합될 수 있다.
일반식 (I), 특히 일반식 (Ia), (Ib), (Ic), (II), (IIa), (III) 및 (IV)에 따른 화합물에서, C1, C2, C3, 및 C4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 C1은 N 또는 CR21이고, C2는 N 또는 CR22이고, C3은 N 또는 CR23이고, C4는 N 또는 CR24이고, 여기서 R21, R22, R23 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖는다.
하나의 바람직한 실시양태에 따라, C1은 N이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R22, R23 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖거나,
C1은 CR21이고, C2는 N이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R21, R23 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖거나,
C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 N 또는 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R21, R22 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖거나,
C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 N이고, 여기서 R21, R22 및 R23은 상기 언급된 의미를 갖는다.
C1, C2, C3 및 C4가 N-포함 헤테로방향족 사이클을 형성하는 이들 실시양태에 따라, R21, R22, R23 및 R24는 바람직하게는 H, -CN,
Figure pct00044
Figure pct00045
또는
Figure pct00046
로부터 선택된다.
가장 바람직하게는, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R21, R22, R23 및 R24는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 E 및 G는 상기 언급된 의미를 갖는다. 특히 바람직하게는, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R21, R22, R23 및 R24는 H이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시양태에 따라 C1은 CR21이고, C2는 C22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R21은 서로 독립적으로 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 E 및 G는 상기 언급된 의미를 갖고, R22, R23 및 R24는 H이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시양태에 따라 C1은 CR21이고, C2는 C22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R22는 서로 독립적으로 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 E 및 G는 상기 언급된 의미를 갖고, R21, R23 및 R24는 H이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시양태에 따라 C1은 CR21이고, C2는 C22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R23은 서로 독립적으로 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 E 및 G는 상기 언급된 의미를 갖거나, R21, R22 및 R24는 H이다.
가장 바람직하게는, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R21은 서로 독립적으로 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, R22, R23 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖고, 여기서 R28, R29, R30, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42 및 G는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖거나,
R22는 서로 독립적으로 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, R21, R23 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖고, 여기서 R28, R29, R30, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42 및 G는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖거나,
R23은 서로 독립적으로 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, R21, R22 및 R24는 상기 언급된 의미를 갖고, 여기서 R28, R29, R30, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42 및 G는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
R21, R22, R23 및/또는 R24의 특히 바람직한 의미는 일반식 (VI)의 치환기 및 하기 표시된 다른 치환기이다:
Figure pct00047
상기 식에서, R49는 2 내지 60개의 탄소 원자 및 임의로 N, O, 및 S로부터 선택된 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템일 수 있다. 임의로 존재하는 치환기는 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택되고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 R49은 하기에 표시된다:
Figure pct00048
R21, R22, R23 및/또는 R24, 특히 R23의 추가의 특히 바람직한 의미는 하기에 표시된 치환기이다:
Figure pct00049
Figure pct00050
A1이 CR1이고, A2가 CR2이고, A3이 CR3이고, A4가 CR4이고, R1, R2, R3 및 R4가 H이고, B1이 CR6이고, B2가 CR10이고, B3이 CR14이고, B4가 CR18이고, R6, R10, R14 및 R18이 H이고, C1이 CR21이고, C2가 CR22이고, C3이 CR23이고, C4가 CR24인 경우, R21, R22, R23 및/또는 R24, 특히 R23은 바람직하게는 상기 언급된 치환기이다. 이러한 실시양태에 따라, R21, R22, R23 및 R24 중 오직 하나, 바람직하게는 R23이 상기 언급된 치환기인 경우, 남은 것들은 바람직하게는 H이다.
R21, R22, R23 및/또는 R24의 추가의 특히 바람직한 의미는 -CN이다.
바람직한 실시양태에 따라 C1은 N 또는 CR21이고, C2는 N 또는 CR22이고, C3은 N 또는 CR23이고, C4는 N 또는 CR24이고, R21, R22, R23 및 R24 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족, 바람직하게는 헤테로방향족 고리를 형성하는 반면, R21, R22, R23 및 R24 중 남은 2개는 H이다.
R21, R22, R23 및 R24 중 2개에 의해 형성된 5 또는 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리는 바람직하게는 C1, C2, C3 및 C4에 의해 형성된 6원의 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 축합된다.
바람직하게는, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, R21 및 R22는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R23 및 R24는 H이거나,
R22 및 R23은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R21 및 R24는 H이거나,
R23 및 R24은 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R21 및 R22는 H이다.
C1이 CR21이고, C2가 CR22이고, C3이 CR23이고, C4가 CR24이고, R21 및 R22가 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, R23 및 R24이 H인 실시양태는 특히 바람직하다.
바람직하게는 R21, R22, R23 및 R24는 5원의 치환된 헤테로방향족 고리를 형성한다.
R21, R22, R23 및/또는 R24 중 2개에 의해 형성된 가장 바람직한 5원의 치환된 헤테로방향족 고리는 하기에 표시된다:
Figure pct00051
상기 식에서, 점선은 C1, C2, C3 및 C4에 의해 형성된 고리에 대한 결합을 나타내고, R50은 2 내지 60개의 탄소 원자 및 임의로 N, O, 및 S로부터 선택된 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템일 수 있다. 임의로 존재하는 치환기는 E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택되고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 R50은 하기에 표시된다:
Figure pct00052
일반식 (I), 특히 일반식 (Ia), (Ib), (Ic), (III) 및 (IV)에 따른 화합물에서, X1 및 X2는 직접 결합, O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이다.
본 발명에 따른 화합물은 따라서 바람직하게는 일반식 (Ie)에 따른 화합물에 상응한다:
Figure pct00053
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3 및 C4는 상기 언급된 의미를 갖고, X1은 직접 결합이고, X2는 O, S, NR25, CR26R27이거나, X1은 O, S, NR25, CR26R27이고, X2는 직접 결합이다.
일반식 (Ie)의 화합물의 실시양태에서, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24로부터 선택된 하나 이상은 H가 아닌 치환기이다. 치환기는 일반식 (I)의 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24에 관하여 상기 언급되고, 바람직하게는 하기 일반식 (b) 또는 (b1)에 의해 나타낸 것이다.
일반식 (Ie)의 화합물의 실시양태에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23 및 R24, R25, R26, 및 R27로부터 선택된 하나 이상은 일반식 (b)의 치환기이다:
Figure pct00054
상기 식에서,
L은 직접 결합, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴렌 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴렌 기, 바람직하게는 벤젠, 비페닐, 터페닐, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 디벤조푸란, 및 디벤조티오펜의 2가 잔기이고,
R56은 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기, C2-C60헤테로아릴 기 및 시아노 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 C6-C60아릴 기; 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기; 및 시아노 기이고,
t는 1 내지 5, 바람직하게는 1 내지 3, 더 바람직하게는 1 또는 2, 추가로 바람직하게는 1의 정수이고,
인접한 탄소 원자에서 2개의 기 R56은 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
일반식 (Ie)의 화합물의 실시양태에서, 일반식 (b)의 치환기는 일반식 (b1)에 상응한다:
Figure pct00055
상기 식에서, R56 및 t는 상기 정의된 바와 동일한 의미를 갖는다.
일반식 (Ie)의 화합물의 실시양태에서, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, C1은 CR21이고, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R21, R22, R23 및 R24로부터 선택된 하나 이상, 바람직하게는 R23은 일반식 (b) 또는 (b1)의 치환기이다.
일반식 (Ie)의 화합물의 상기 실시양태에서, R1, R2, R3 및 R4는 수소 원자이다.
일반식 (Ie)의 화합물의 상기 실시양태에서, R6, R10, R14 및 R18은 수소 원자이다.
일반식 (Ie)의 화합물의 상기 실시양태에서, 임의의 R21, R22, R23 및 R24는 일반식 (b) 또는 (b1)의 치환기가 아니고, 바람직하게는 R21, R22, 및 R24는 수소 원자이다.
R56의 바람직한 의미는 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상, 바람직하게는 피리딜 기, 피리미딜 기, 트리아지닐 기, 퀴놀리닐 기, 이소 퀴놀리닐 기, 또는 페난트롤리닐 기로 치환된 질소-포함 C2-C60헤테로아릴 기이고, 이들 각각은 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환될 수 있다.
R56의 바람직한 의미는 시아노 기이다.
R56의 바람직한 의미는 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기, C2-C60헤테로아릴 기 및 시아노 기, 바람직하게는 나프틸 기, 안트릴 기, 트리페닐레닐 기, 피레닐 기, 페난트레닐 기, 본조페난트레닐 기, 벤조크리세닐 기, 벤즈안트릴 기, 플루오레닐 기, 벤조플루오레닐 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 9,9,-디페닐플루오레닐 기, 및 9,9'-스피로비플루오레닐 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 축합된 C6-C60아릴 기이고, 이들 각각은 C6-C60아릴 기, C2-C60헤테로아릴 기 및 시아노 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환될 수 있다.
R56의 바람직한 의미는 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 카바졸릴 기, 바람직하게는 2개의 벤젠 고리 중 하나 이상이 축합된, 방향족 또는 헤테로방향족 고리, 예를 들면,
Figure pct00056
및
Figure pct00057
또는 하기 일반식의 치환기를 형성하는 카바졸릴 기이다:
Figure pct00058
상기 식에서,
R51은 C6-C60아릴 기, 바람직하게는 페닐 기이고,
R52, R53, R54, 및 R55는 서로 독립적으로 C1-C25알킬 기, C6-C60아릴 기, 또는 C2-C60헤테로아릴 기이고,
p는 0 내지 4의 정수, 바람직하게는 0이고,
q는 0 내지 2의 정수, 바람직하게는 0이고,
r은 0 내지 2의 정수, 바람직하게는 0이고,
s는 0 내지 4의 정수이고, 바람직하게는 0이고,
(R52)0, (R53)0, (R54)0, 및 (R55)0은 각각 R52, R53, R54, 및 R55의 부재를 의미한다.
일반식 (Ie)에 따른 바람직한 화학물에서, 특히 바람직한 일반식 (b) 및 (b1)는 하기 표시된다.
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
특히 바람직한 일반식 (b)는 하기 표시된다.
Figure pct00062
X1이 직접 결합이고, X2가 O, S, NR25, 또는 CR26R27인 실시양태는 따라서 일반식 (If)에 상응한다:
Figure pct00063
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3 및 C4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
일반식 (If)의 화합물의 실시양태에서, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, C1은 CR21, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24로부터 선택된 하나 이상은 H가 아닌 치환기이다. 치환기는 일반식 (I)의 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24에 관하여 상기 언급되고, 바람직하게는 일반식 (b) 또는 (b1)로 나타낸 것이다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 X1이 직접 결합이고, X2가 O, S 또는 NR25이고, R25가 상기 정의된 바와 동일한 의미를 갖는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
바람직하게는, X2는 O, S 또는 NR25이고, 가장 바람직하게는 X2는 O이다.
X1이 O, S, NR25, 또는 CR26R27, 바람직하게는 O, S 또는 NR25이고, X2가 직접 결합인 바람직한 실시양태는 일반식 (Ig)에 상응한다:
Figure pct00064
상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3 및 C4는 상기 언급된 의미를 갖는다.
일반식 (Ig)의 화합물의 실시양태에서, A1은 CR1이고, A2는 CR2이고, A3은 CR3이고, A4는 CR4이고, B1은 CR6이고, B2는 CR10이고, B3은 CR14이고, B4는 CR18이고, C1은 CR21, C2는 CR22이고, C3은 CR23이고, C4는 CR24이고, 여기서 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24로부터 선택된 하나 이상은 H가 아닌 치환기이다. 치환기는 일반식 (I)의 R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24에 관하여 상기 언급되고, 바람직하게는 일반식 (b) 또는 (b1)로 나타낸 것이다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 X1이 O, S 또는 NR25이고, X2가 직접 결합이고, R25가 상기 정의된 바와 동일한 의미를 갖는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
바람직하게는, X1은 O, S 또는 NR25이고, 더 바람직하게는 X1은 O이다.
R25의 바람직한 의미는 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다.
R25의 특히 바람직한 의미는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고, 여기서 G는 상기 언급된 의미를 갖고, C2-C60헤테로아릴 기는 바람직하게는 N을 헤테로원자로서 포함한다.
R25의 특히 바람직한 의미는 축합된 C6-C60아릴 기, 질소-포함 C2-C60헤테로아릴 기; 축합된 C6-C60아릴 기 및 질소-포함 C2-C60헤테로아릴 기 중 하나 이상으로 치환된 C6-C60아릴 기; 또는 축합된 C6-C60아릴 기 및 질소-포함 C2-C60헤테로아릴 기 중 하나 이상으로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이다.
R25의 특히 바람직한 의미는 하기에 표시된다:
Figure pct00065
일반식 (Ie), (If) 및 (Ig)에 따른 바람직한 화합물에서, 특히 바람직한 CR26R27은 C(CH3)2이고, 특히 바람직한 R25는 하기 표시된다.
Figure pct00066
추가의 바람직한 실시양태에 따라, R25는, 존재하는 경우, R21, R22, R23 또는 R24와 함께, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성한다. 바람직하게는 R25 및 R21, R22, R23 또는 R24는 이에 4 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템이 축합될 수 있는 5원의 포화 고리를 형성한다. 바람직하게는, R25 및 R21 또는 R25 및 R24는 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고, 특히 바람직하게는 이에 4 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리 시스템이 축합될 수 있는 5원의 포화 고리를 형성한다.
X1이 직접 결합인 경우, R25 및 R21에 의해 형성되는 주로 바람직한 모이어티는 하기 일반식에 상응한다:
Figure pct00067
상기 식에서, 점선은 R25 및 C1에 관하여 N에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R51은 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택된 1개 이상, 바람직하게는 최대 4개의 치환기일 수 있고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다. 이들 치환기는 탄소-탄소-결합에 의해 결합될 수 있거나, 방향족 고리에 축합될 수 있다.
X2가 직접 결합인 경우, R25 및 R24에 의해 형성된 주로 바람직한 모이어티는 하기 일반식에 상응한다:
Figure pct00068
상기 식에서, 점선은 R25 및 C4에 관하여 N에 대한 결합을 나타내고, 여기서 R51은 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 또는 -SiR28R29R30으로부터 선택된 1개 이상, 바람직하게는 최대 4개의 치환기일 수 있고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖는다. 이들 치환기는 탄소-탄소-결합에 의해 결합될 수 있거나, 방향족 고리에 축합될 수 있다.
본 발명에 따른 전자 기기 이외에 상기 언급된 목적은 또한 일반식 (IV)에 따른 화합물에 의해 해결된다:
Figure pct00069
상기 식에서,
A1, A2, A3, A4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 A1은 N 또는 CR1이고, A2는 N 또는 CR2이고, A3은 N 또는 CR3이고, A4는 N 또는 CR4이고,
B1은 직접 결합이고, B4는 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이거나; B1은 NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B4는 직접 결합이고,
C1은 N 또는 CR21이고, C4는 N 또는 CR24이고,
X1, X2는 직접 결합, O, S, NR25, CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고,
여기서 R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고,
D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CR31=CR32-, -NR33-, -SiR28R29-, -POR34-, 또는 -C≡C-이고,
E는 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않은 C6-C60아릴 기, J 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C60아릴 기, O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기, 치환되지 않은 C2-C60헤테로아릴 기, 또는 J, C1-C18알킬, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고,
J는 -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 또는 -C(CF3)3이고,
G는 E, C1-C18알킬 기, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬이고,
R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 C1-C18알킬 기, C6-C18아릴 기, 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C18아릴 기이고,
R31 및 R32는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
R33, R34, R35, 및 R39는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
R36은 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
R37, R38, R40, R41, 및 R42는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이거나,
R37, R38은 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
R41, R42는 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
R5, R6, R7, R8, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, 및 R27은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
R21, R22, R23 및 R24 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
R43, R44, R45, 및 R46은 서로 독립적으로 H, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있거나,
R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있거나,
R5 또는 R17은 R43, R44, R45 또는 R46과 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
일반식 (IV)에 따른 화합물은 본 발명에 따른 전자 기기에 존재하는 일반식 (I)에 따른 화합물의 특정한 선택이다. 일반식 (IV)에 따른 화합물의 공통적인 특징은 B1, B4가 인접한 탄소 원자와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 5원 고리를 형성한다는 것이다. 바람직한 실시양태에 따라, 본 발명에 따른 전자 기기는 일반식 (IV)의 하나 이상의 화합물을 포함한다.
일반식 (IV)에서 A1, A2, A3, A4, B1, B4, C1, C4, X1, X2, R22, R23, R43, R44, R45 및 R46에 관하여, 일반식 (I)의 화합물에 관하여 요약된 일반적이고 바람직한 실시양태가 상응하게 적용된다.
본 발명에 따라, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 6개 이상, 바람직하게는 7개 이상, 더 바람직하게는 8개 이상, 더 바람직하게는 9개 이상의, 직접 결합에 의해 연결되거나 함께 축합된 방향족 또는 헤테로방향족, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.
따라서, 본 발명은 바람직하게는 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이 6개 이상, 바람직하게는 7개 이상, 더 바람직하게는 8개 이상, 더 바람직하게는 9개 이상의, 직접 결합에 의해 연결되거나 함께 축합된 방향족 또는 헤테로방향족, 포화 또는 불포화 고리를 포함하는 본 발명에 따른 전자 기기에 관한 것이다.
일반식 (I), (Ia), (Ib), (Ic), (II), (IIa), (III) 및 (IV)에 따른 특히 바람직한 화합물은 하기에 표시된다:
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
Figure pct00084
Figure pct00085
Figure pct00086
Figure pct00087
Figure pct00088
Figure pct00089
Figure pct00090
Figure pct00091
Figure pct00092
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
Figure pct00098
Figure pct00099
Figure pct00100
Figure pct00101
Figure pct00102
Figure pct00103
Figure pct00104
Figure pct00105
Figure pct00106
Figure pct00107
Figure pct00108
Figure pct00109
본 발명은 추가로 일반식 (I)에 따른 화합물의 제조, 특히 일반식 (Ia), (Ib), (Ic), (II), (IIa), (III) 및 (IV)의 화합물의 제조, 가장 바람직하게는 일반식 (IV)의 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.
제1 실시양태에 따라, 일반식 (I)에 따른 화합물에서, X1은 직접 결합이고, X2는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, 여기서 R25, R26 및 R27은 상기 정의된 바와 동일한 의미를 갖는다. 이러한 제1 실시양태에 따른 화합물은 하기 단계 (a), (b), (c) 및 (d)를 포함하는 방법에 의해 제조된다.
방법의 단계 (a)에 따라, 일반식 (VI)에 따른 화합물은 염기의 존재하에 일반식 (VII)에 따른 화합물과 반응하여 일반식 (VIII)에 따른 화합물을 수득한다:
Figure pct00110
상기 식에서, X2, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖고, R'은 C1-C18알킬, -O-에 의해 개재된 C1-C18 알킬, C3-C25사이클로알킬, C6-C18아릴 기, 또는 5 내지 22개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴 기이고, Y는 F, Cl, Br, 또는 I이다.
적합한 반응 조건, 염기, 및 용매는 당해 분야의 숙련가에게 일반적으로 알려져 있다. 적합한 염기는 바람직하게는 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 수산화물, 예를 들면, NaOH, KOH, 또는 Ca(OH)2, 알칼리 금속 수소화물, 예를 들면, NaH 또는 KH, 알칼리 금속 아미드, 예를 들면, NaNH2, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 탄산화물, 예를 들면, K2CO3 또는 Cs2CO3, 알칼리 금속 인산화물, 예를 들면, K3PO4, 및 알칼리 금속 알콕사이드, 예를 들면, NaOMe, NaOEt, 또는 KOtBu로 구성된 군으로부터 선택된다. 추가로, 상기 언급된 염기의 혼합물이 적합하다.
적합한 용매는, 예를 들면, (극성) 비양성자성 용매, 예를 들면, THF, 디옥산, 디메틸 설폭사이드(DMSO), 디에틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 및 트리데칸 또는 알코올, 예를 들면, 에탄올이다.
특히 바람직한 조건, 염기, 및 용매는 문헌[Tetrahedron letters, 2011, 52, 1557], 및 [Tetrahedron letters, 2011, 52, 1574]에 개시된다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (a)의 생성물인 일반식 (VIII)에 따른 화합물은 단계 (b)로 도입된다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (b)는 염기의 존재하에 일반식 (VIII)에 따른 화합물과 일반식 (IX)에 따른 화합물을 반응시켜 식 (X)에 따른 화합물을 수득하는 것을 포함한다:
Figure pct00111
상기 식에서, X2, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖고, Y'는 F, Cl, Br, 또는 I이다.
적합한 반응 조건, 염기 및 용매는 당해 분야의 숙련가에게 일반적으로 알려져 있다.
적합한 염기는 바람직하게는 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 수산화물, 예를 들면, NaOH, KOH, 또는 Ca(OH)2, 알칼리 금속 수소화물, 예를 들면, NaH 또는 KH, 알칼리 금속 아미드, 예를 들면, NaNH2, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 탄산화물, 예를 들면, K2CO3 또는 Cs2CO3, 알칼리 금속 인산화물, 예를 들면, K3PO4, 및 알칼리 금속 알콕사이드, 예를 들면, NaOMe 또는 NaOEt로 구성된 군으로부터 선택된다. 추가로, 상기 언급된 염기의 혼합물이 적합하다.
더 바람직한 염기는 NaH, KOH, NaOH, K3PO4, 및 Cs2CO3이다. K3PO4 및 K2CO3이 특히 바람직하다.
적합한 용매는, 예를 들면, (극성) 비양성자성 용매, 예를 들면, THF, 디옥산, 디메틸 설폭사이드(DMSO), 디에틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 또는 트리데칸 또는 알코올, 예를 들면, 에탄올이다.
더 바람직한 용매는 THF, 디옥산, DMF, 및 DMSO이다.
단계 (b)의 반응 온도는 바람직하게는 실온(즉, 20℃) 내지 100℃의 범위이다.
반응 시간은 바람직하게는 4 내지 12시간이다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (b)의 생성물인 식 (X)에 따른 화합물은 본 발명에 따른 방법의 단계 (c)로 도입된다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (c)는 Pd/C와 같은 촉매의 존재하에 용매 중에서 환원 시약 또는 H2로 식 (X)에 따른 화합물을 환원시켜 식 (XI)에 따른 화합물을 수득하는 것을 포함한다:
Figure pct00112
상기 식에서, X2, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
단계 (c)에 적합한 반응 조건 및 용매는 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있다. 바람직한 환원 시약은, 예를 들면, Sn, Zn, 및/또는 Fe이다. 이들 환원제 중 하나가 사용되는 경우, 바람직한 용매는 알코올, 예를 들면, 에탄올, 이소프로판올, 아세트산, 및/또는 THF이다. 추가로, HCl(농축되거나 물로 희석됨)이 첨가될 수 있다. 반응 온도는 바람직하게는 실온 내지 130℃의 범위이다. 반응 시간은 바람직하게는 4 내지 12시간이다.
Pd/C와 같은 촉매의 존재하에 H2에 의한 환원에 적합한 반응 조건 및 용매는 당해 분야의 숙련가에게 일반적으로 알려져 있다. 이러한 실시양태에 적합한 용매는, 예를 들면, (극성) 비양성자성 용매, 예를 들면, THF, 디옥산, 디메틸 설폭사이드(DMSO), 디에틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 트리데칸 또는 알코올, 예를 들면, 에탄올이다. 더 바람직한 용매는 THF, 에탄올, 및/또는 DMF이다.
반응 온도는 바람직하게는 실온(즉, 20℃) 내지 50℃의 범위이다.
반응 시간은 바람직하게는 1 내지 5시간이다.
수소의 압력은 바람직하게는 1 내지 5 bar이다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (c)의 생성물인 식 (XI)에 따른 화합물은 본 발명에 따른 방법의 단계 (d)로 도입된다.
단계 (d)는 촉매의 존재하에 식 (XI)에 따른 화합물을 반응시켜 일반식 (I)에 따른 화합물을 수득하는 것을 포함한다:
Figure pct00113
상기 식에서, X2, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖는다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (d)에 적합한 반응 조건 및 용매는 당해 분야의 숙련가에게 일반적으로 알려져 있다.
바람직한 촉매는 폴리인산, p-톨루엔설폰산 및/또는 트리플루오로아세트산이다.
단계 (d)는 용매의 존재하에 또는 부재하에 수행될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 방법의 단계 (d)에서 용매가 사용되지 않는다.
용매가 사용되는 경우, 바람직한 용매는 방향족 용매, 예를 들면, 톨루엔 및 자일렌이다.
온도는 바람직하게는 실온(즉, 20℃) 내지 250℃, 바람직하게는 150 내지 220℃의 범위이다.
반응 시간은 바람직하게는 5 내지 24시간이다.
제2 실시양태에 따라, 일반식 (I)에 따른 화합물에서, X1은 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, X2는 직접 결합이고, 여기서 R25, R26 및 R27은 상기 정의된 바와 동일한 의미를 갖는다. 이러한 제2 실시양태에 따른 화합물은 단계 (e)를 포함하는 방법에 의해 제조된다.
방법의 단계 (e)에 따라, 식 (XII)에 따른 화합물은 식 (XIII)에 따른 화합물과 반응하여 일반식 (I)에 따른 화합물을 수득한다:
Figure pct00114
상기 식에서, X1, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 갖고, (i) Y1은 I이고, Y2는 Br 또는 Cl이거나, (ii) Y1은 Br이고, Y2는 Cl이거나, (iii) Y1 및 Y2는 동일한 할로겐이다.
본 발명에 따른 방법의 단계 (e)는 바람직하게는 염기 및 촉매의 존재하에 수행된다. 적합한 반응 조건, 염기 및 용매는 당해 분야의 숙련가에게 일반적으로 알려져 있고, 예를 들면, 문헌[Org. Biomol. Chem. 2013, 11, 7966]에 개시된다.
적합한 염기는 바람직하게는 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 수산화물, 예를 들면, NaOH, KOH, 또는 Ca(OH)2, 알칼리 금속 수소화물, 예를 들면, NaH 또는 KH, 알칼리 금속 아미드, 예를 들면, NaNH2, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 탄산화물, 예를 들면, K2CO3 또는 Cs2CO3, 알칼리 금속 인산화물, 예를 들면, K3PO4, 및 알칼리 금속 알콕사이드, 예를 들면, NaOMe 또는 NaOEt로 구성된 군으로부터 선택된다. 추가로, 상기 언급된 염기의 혼합물이 적합하다.
더 바람직한 염기는 NaH, KOH, NaOH, K3PO4, 및 Cs2CO3이다. Cs2CO3이 특히 바람직하다.
적합한 용매는, 예를 들면, (극성) 비양성자성 용매, 예를 들면, THF, 디옥산, 디메틸 설폭사이드(DMSO), 디에틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 또는 트리데칸 또는 알코올, 예를 들면, 에탄올이다.
더 바람직한 용매는 THF, 디옥산, DMF, 및 DMSO이고, DMF가 특히 바람직하다.
단계 (e)의 반응 온도는 바람직하게는 실온(즉, 20℃) 내지 200℃, 바람직하게는 100 내지 160℃의 범위이다.
반응 시간은 바람직하게는 12 내지 36시간이다.
유기 전자 응용분야에서 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물
식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 전하 캐리어 전도성이 필요한 응용분야에서의 사용에 특히 적합하고, 예를 들면, 스위칭 소자, 예를 들면, 유기 트랜지스터, 예를 들면, 유기 FET 및 유기 TFT, 유기 태양 전지 및 유기 발광 다이오드(OLED)로부터 선택된 유기 전자 응용분야에서의 사용에 특히 적합한 것으로 확인되었다.
유기 트랜지스터는 일반적으로 전하 수송 능력을 갖는 유기층으로부터 형성된 반도체층; 도전층으로부터 형성된 게이트 전극; 및 반도체층과 도전층 사이에 도입된 절연층을 포함한다. 소오스 전극 및 드레인 전극은 따라서 트랜지스터 소자를 제조하기 위하여 이러한 배열로 삽입된다. 추가로, 당해 분야의 숙련가에게 알려진 추가의 층은 유기 트랜지스터에 존재할 수 있다. 전하 수송 능력을 갖는 층은 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물을 포함할 수 있다.
유기 태양 전지(광전 변환 소자)는 일반적으로 평행으로 배열된 2개의 판형 전극 사이에 존재하는 유기층을 포함한다. 유기층은 빗형 전극 위에 구성될 수 있다. 유기층의 면에 관한 특정한 제한은 없고, 전극의 물질에 관한 특정한 제한은 없다. 그러나, 평행으로 배열된 판형 전극이 사용되는 경우, 하나 이상의 전극은 바람직하게는 투명 전극, 예를 들면, ITO 전극 또는 플루오르 도핑된 산화주석 전극으로부터 형성된다. 츄기층은 2개의 하위층, 즉, p형 반도체 성질 또는 정공 수송 능력을 갖는 층, 및 n형 반도체 성질 또는 전하 수송 능력을 갖는 층으로부터 형성된다. 추가로, 당해 분야의 숙련가에게 알려진 추가의 층은 유기 태양 전기에 존재하는 것이 가능하다. 전하 수송 능력을 갖는 층은 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물을 포함할 수 있다.
식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 호스트(=매트릭스) 물질, 바람직하게는 발광층, 및/또는 전하 및/또는 엑시톤 차단 물질, 및/또는 전하 수송 물질, 예를 들면, 정공 수송 물질 및/또는 전하 수송 물질, 바람직하게는 전자 수송 물질, 특히 인광 에미터와 조합으로, 및/또는 금속 종 불포함 도펀트로서 사용을 위하여 OLED에 특히 적합하다. 추가로 바람직하게는, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 전자 수송 물질로서, 바람직하게는 발광층에서, 특히 형광 에미터와 조합으로, 사용을 위하여 OLED에서 특히 적합하다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 전자 기기, 바람직하게는 일렉트로루미네센스 소자, 특히 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 바람직하게는 발광층에서, 호스트 물질, 전하 수송 물질, 예를 들면, 정공 수송 물질 또는 전자 수송 물질, 바람직하게는 전자 수송 물질, 및/또는 금속 종 불포함 도펀트, 바람직하게는 호스트 물질 또는 전자 수송 물질로서의 상기 정의된 바와 같은 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물의 사용에 관한 것이다.
OLED에서 본 발명의 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이 사용되는 경우, 우수한 효율 및 긴 수명을 갖고 특히 낮은 사용 및 작동 전압에서 작동될 수 있는 OLED가 수득된다. 본 발명의 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 녹색, 적색 및 황색, 바람직하게는 녹색 및 적색, 더 바람직하게는 적색 에미터를 위한 매트릭스 및/또는 전하 수송 및/또는 전하 차단 물질로서 사용에 특히 적합하다. 본 발명의 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 추가로 청색 에미터를 위한 전자 수송 물질로서 사용에 특히 적합하다. 추가로, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 스위칭 소자 및 유기 태양 전지로부터 선택된 유기 전자 응용분야에서 전도체/상보형 물질로서 사용될 수 있다. 본 발명의 응용분야에 따라, 용어 매트릭스 및 호스트는 상호교환적으로 사용된다.
OLED의 발광층 또는 발광층들 중 하나에서, 또한 에미터 물질을 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 하나 이상의 매트릭스 물질 및 하나 이상의, 바람직하게는 하나의, 추가의 매트릭스 물질(공동 호스트(co-host))과 조합하는 것이 가능한다. 이는 이들 장치의 높은 양자 효율, 낮은 구동 전압 및/또는 긴 수명을 달성할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시양태에 따라 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물은 호스트 물질로서, 바람직하게는 적색 발광 화합물을 포함하는 발광층에서 사용된다. 이러한 실시양태에 따라, 바람직하게는 추가의 호스트 물질은 발광층에 존재하지 않는다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에 따라 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물은 호스트 물질로서, 바람직하게는 녹색 발광 화합물을 포함하는 발광층에서 사용된다. 이러한 실시양태에 따라, 본 발명에 따른 화합물은 바람직하게는 하나 이상의 추가의 호스트 물질, 즉, 공동 호스트의 존재하에 사용된다. 추가의 호스트 물질은 하기에 언급된다.
마찬가지로 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 하기 층 중 2 또는 3개에서: 발광층에서(바람직하게는 호스트 물질로서) 및/또는 수송층에서(전자 수송 물질로서) 존재하는 것이 가능하다.
식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이 매트릭스(호스트) 물질로서 발광층에서 사용되고 추가로 전자 수송 물질로서 사용되는 경우, 물질의 화학적 동일성 또는 유사성 때문에, 발광층과 인접한 물질 사이의 개선된 계면은 동일한 휘도를 갖는 전압의 감소 및 OLED의 수명의 연장을 야기할 수 있다. 게다가, 전자 수송 물질 및/또는 발광층의 매트릭스로서 동일한 물질의 사용은 OLED의 제조 공정이 단순화되도록 하고, 이는 동일한 공급원이 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물 중 하나의 물질의 기상 증착 공정에 사용될 수 있기 때문이다.
유기 전자 기기, 특히 유기 발광 다이오드(OLED)의 적합한 구조는 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있고 하기 명시된다.
예를 들면, 본 발명에 따른 전자 기기, 바람직하게는 유기 일렉트로루미네센스 소자, 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED)는 캐소드, 애노드, 및 캐소드와 애노드 사이에 제공된 복수의 유기 박막층을 포함하고, 유기 박막층은 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을, 바람직하게는 호스트 물질, 전하 수송 물질, 예를 들면, 정공 수송 물질 또는 전자 수송 물질, 바람직하게는 전자 수송 물질, 및/또는 금속 종 불포함 도펀트, 특히 바람직하게는 호스트 물질 또는 전자 수송 물질로서 포함하는 발광층을 포함한다.
본 발명은 따라서 바람직하게는 캐소드, 애노드, 및 캐소드와 애노드 사이에 제공된 복수의 유기 박막층을 포함하는 본 발명에 따른 전자 기기, 바람직하게는 유기 일렉트로루미네센스 소자, 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED)에 관한 것이고, 유기 박막층은 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을, 바람직하게는 호스트 물질, 전하 수송 물질, 예를 들면, 정공 수송 물질 또는 전자 수송 물질, 바람직하게는 전자 수송 물질, 및/또는 금속 종 불포함 도펀트, 특히 바람직하게는 호스트 물질 또는 전자 수송 물질로서 포함하는 발광층을 포함한다.
더 바람직하게는, 본 발명은 애노드(a) 및 캐소드(i) 및 애노드(a)와 캐소드(i) 사이에 배열된 발광층(e), 및 적절한 경우, 정공/엑시톤을 위한 하나 이상의 차단층, 전자/엑시톤을 위한 하나 이상의 차단층, 하나 이상의 정공 주입층, 하나 이상의 정공 수송층, 하나 이상의 전자 주입층 및 하나 이상의 전자 수송층으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 추가의 층을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)를 제공하고, 여기서 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물은 발광층(e) 및/또는 하나 이상의 추가의 층에 존재한다. 하나 이상의 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 바람직하게는 발광층 및/또는 정공/엑시톤 차단층 및/또는 전하 차단층, 즉, 전자 또는 정공 수송층에 존재한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물은 전자 수송 물질로서 사용된다. 바람직한 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 예는 상기 표시된다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에서, 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물은 전하/엑시톤 차단 물질로서 사용된다. 바람직한 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 예는 상기 표시된다.
본 출원은 추가로 상기 정의된 바와 같은 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을, 바람직하게는 호스트 물질 또는 공동 호스트 물질로서 포함하는, 바람직하게는 전자 기기, 더 바람직하게는 일렉트로루미네센스 소자, 특히 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED)에 존재하는, 발광층에 관한 것이다. 바람직한 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 예는 상기 표시된다.
가장 바람직하게는, 본 발명에 따른 전자 기기는 유기 발광 다이오드(OLED)이다.
본 발명의 OLED의 구조
본 발명의 유기 발광 다이오드(OLED)는 따라서 일반적으로 하기 구조를 갖는다: 애노드(a) 및 캐소드(i) 및 애노드(a)와 캐소드(i) 사이에 배열된 발광층(e).
본 발명의 OLED는, 예를 들면, 바람직한 실시양태에서, 하기 층으로부터 형성될 수 있다:
1. 애노드(a)
2. 정공 수송층(c)
3. 발광층(e)
4. 정공/엑시톤을 위한 차단층(f)
5. 전자 수송층(g)
6. 캐소드(i)
상기 언급된 구조와 상이한 층 순서가 또한 가능하고, 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있다. 예를 들면, OLED는 언급된 모든 층을 갖지 않고; 예를 들면, 층 (a)(애노드), (e)(발광층) 및 (i)(캐소드)을 갖는 OLED가 마찬가지로 적합하고, 이러한 경우, 층 (c)(정공 수송층) 및 (f)(정공/엑시톤을 위한 차단층) 및 (g)(전자 수송층)의 기능은 인접한 층에 의해 추정되는 것이 가능하다. 층 (a), (c), (e) 및 (i), 또는 층 (a), (e), (f), (g) 및 (i)를 갖는 OLED가 마찬가지로 적합하다. 추가로, OLED는 정공 수송층(c)과 발광층(e) 사이에 전자/엑시톤을 위한 차단층(d)을 가질 수 있다.
복수의 상기 언급된 기능(전자/엑시톤 차단, 정공/엑시톤 차단, 정공 주입, 정공 전도, 전자 주입, 전자 전도)은 하나의 층에서 조합되고, 예를 들면, 이러한 층에 존재하는 단일 물질에 의해 추정되는 것이 추가로 가능하다. 예를 들면, 정공 수송층에서 사용된 물질은, 하나의 실시양태에서, 엑시톤 및/또는 전자를 동시에 차단할 수 있다.
추가로, 상기 특정된 이들 중에서 OLED의 개별적인 층은 결국 2개 이상의 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층은 정공이 전극으로부터 주입된 층, 및 정공 주입층으로부터 발광층으로 정공을 수송하는 층으로부터 형성될 수 있다. 전자 수송층은 마찬가지로 복수의 층, 예를 들면, 전자가 전극에 의해 주입되는 층, 및 전자 주입층으로부터 전자를 수용하고 이들을 발광층으로 수송하는 층으로 구성될 수 있다. 언급된 이들 층은 각각 에너지 준위, 열저항 및 전하 캐리어 이동성, 및 또한 유기층 또는 금속 전극에 의해 특정된 층의 에너지 차이와 같은 인자에 따라 선택된다. 당해 분야의 숙련가는 본 발명에 따라 사용되는 유기 화합물에 최적으로 적합하도록 OLED의 구조를 선택할 수 있다.
바람직한 실시양태에서 본 발명에 따른 OLED는 이러한 순서로 포함한다:
(a) 애노드,
(b) 임의로 정공 주입층,
(c) 임의로 정공 수송층,
(d) 임의로 엑시톤 차단층
(e) 발광층,
(f) 임의로 정공/엑시톤 차단층
(g) 임의로 전자 수송층,
(h) 임의로 전자 주입층, 및
(i) 캐소드.
특히 바람직한 실시양태에서 본 발명에 따른 OLED는 이러한 순서로 포함한다:
(a) 애노드,
(b) 임의로 정공 주입층,
(c) 정공 수송층,
(d) 엑시톤 차단층
(e) 발광층,
(f) 정공/엑시톤 차단층
(g) 전자 수송층, 및
(h) 임의로 전자 주입층, 및
(i) 캐소드.
이들 다양한 층의 성질 및 기능 뿐만 아니라 예시적인 물질은 선행 기술에 알려져 있고, 바람직한 실시양태를 근거로 하기 더 상세히 기재된다.
애노드(a):
애노드는 양성 전하 캐리어를 제공하는 전극이다. 이는, 예를 들면, 금속, 상이한 금속의 혼합물, 금속 합금, 금속 산화물 또는 상이한 금속 산화물의 혼합물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 대안적으로, 애노드는 전도성 중합체일 수 있다. 적합한 금속은 원소 주기율표의 11, 4, 5 및 6족 금속, 및 또한 8 내지 10족의 전이 금속을 포함한다. 애노드가 투명한 경우, 원소 주기율표의 12, 13 및 14족의 혼합된 금속 산화물, 예를 들면, 인듐 주석 산화물(ITO)이 일반적으로 사용된다. 마찬가지로 애노드(a)는 유기 물질, 예를 들면, 문헌[Nature, Vol. 357, pages 477 to 479(June 11, 1992)]에 기재된 바와 같은 폴리아닐린을 포함하는 것이 가능하다. 바람직한 애노드 물질은 전도성 금속 산화물, 예를 들면, 인듐 주석 산화물(ITO) 및 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 아연 산화물(AlZnO), 및 금속을 포함한다. 애노드(및 기판)는 하부 발광 장치를 생성하는데 충분하게 투명할 수 있다. 바람직한 투명 기판 및 애노드 조합은 상업적으로 이용 가능한 유리 또는 플라스틱(기판) 위에 증착된 ITO(애노드)이다. 반사 애노드는 장치의 상부로부터 방출된 광의 양을 증가시키는 일부 상부 발광 장치에 바람직할 수 있다. 적어도 애노드 또는 캐소드는 형성된 광을 방출하기 위하여 적어도 부분적으로 투명하여야 한다. 다른 애노드 물질 및 구조가 사용될 수 있다.
정공 주입층(b):
일반적으로, 주입층은 하나의 층, 예를 들면, 전극 또는 전하 발생층으로부터 인접한 유기층으로 전하 캐리어의 주입을 개선시킬 수 있는 물질을 포함한다. 주입층은 또한 전하 수송 기능을 수행할 수 있다. 정공 주입층은 애노드로부터 인접한 유기층으로의 정공의 주입을 개선시키는 임의의 층일 수 있다. 정공 주입층은 용액 증착된 물질, 예를 들면, 스핀 코팅된 중합체를 포함할 수 있거나, 이는 기상 증착된 소분자 물질, 예를 들면, CuPc 또는 MTDATA일 수 있다. 중합체성 정공 주입 물질, 예를 들면, 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 자가 도핑 중합체, 예를 들면, 설폰화 폴리(티오펜-3-[2[(2-메톡시에톡시)에톡시]-2,5-디일)(플렉스트로닉스(Plextronics)로부터 상업적으로 이용 가능한 플렉스코어(Plexcore)® OC 전도성 잉크), 및 공중합체, 예를 들면, PEDOT/PSS라고도 지칭되는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)가 사용될 수 있다. 적합한 정공 주입 물질의 예는
Figure pct00115
이다(또한 정공 수송 분자 참조).
정공 수송층(c):
바람직한 실시양태에 따라 본 발명에 따른 OLED는 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 하나 이상의 화합물 또는 이들의 바람직한 실시양태를 전하 수송 물질, 바람직하게는 정공 수송층으로서 포함한다. 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물 이외에 또는 이들 화합물 없이 정공 수송 분자 또는 중합체가 정공 수송 물질로서 사용될 수 있다. 본 발명의 OLED의 층을 위한 적합한 정공 수송 물질(c)은, 예를 들면, 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, 4th Edition, Vol. 18, pages 837 to 860, 1996], US20070278938호, US2008/0106190호, US2011/0163302호((디)벤조티오펜/(디)벤조푸란과 함께 트리아릴아민; 문헌[Nan-Xing Hu et al. Synth. Met. 111(2000) 421](인돌로카바졸), WO2010002850호(치환된 페닐아민 화합물) 및 WO2012/16601호(특히 WO2012/16601호의 16 및 17 페이지에 언급된 정공 수송 물질)에 개시된다. 상이한 정공 수송 물질의 조합이 사용될 수 있다. 예를 들면,
Figure pct00116
(HTL1-1) 및
Figure pct00117
(HTL2-1)이 정공 수송층을 구성하는 WO2013/022419호를 참조한다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자는
Figure pct00118
Figure pct00119
(4-페닐-N-(4-페닐페닐)-N-[4-[4-(N-[4-(4-페닐페닐)페닐]아닐리노)페닐]페닐]아닐린),
Figure pct00120
(4-페닐-N-(4-페닐페닐)-N-[4-[4-(4-페닐-N-(4-페닐페닐)아닐리노)페닐]페닐]아닐린),
Figure pct00121
(4-페닐-N-[4-(9-페닐카바졸-3-일)페닐]-N-(4-페닐페닐)아닐린),
Figure pct00122
(1,1',3,3'-테트라페닐스피로[1,3,2-벤조디아자실롤-2,2'-3a,7a-디하이드로-1,3,2-벤조디아자실롤]),
Figure pct00123
(N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-옥타키스(p-톨릴)-9,9'-스피로비[플루오렌]-2,2',7,7'-테트라민), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(α-NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)비페닐]-4,4'-디아민(ETPD), 테트라키스(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민(PDA), α-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌(TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데히드 디페닐하이드라존(DEH), 트리페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸9-일)-사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(TTB), 플루오르 화합물, 예를 들면, 2,2',7,7'-테트라(N,N-디-톨릴)아미노9,9-스피로비플루오렌(스피로-TTB), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)9,9-스피로비플루오렌(스피로-NPB) 및 9,9-비스(4-(N,N-비스-비페닐-4-일-아미노)페닐-9H플루오렌, 벤지딘 화합물, 예를 들면, N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘 및 포르피린 화합물, 예를 들면, 구리 프탈로시아닌으로 구성된 군으로부터 선택된다. 추가로, 중합체성 정공 주입 물질, 예를 들면, 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 자가 도핑 중합체, 예를 들면, 설폰화 폴리(티오펜-3-[2[(2-메톡시에톡시)에톡시]-2,5-디일)(플렉스트로닉스로부터 상업적으로 이용 가능한 플렉스코어® OC 전도성 잉크), 및 공중합체, 예를 들면, PEDOT/PSS라고도 지칭되는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)가 사용될 수 있다. 정공 주입층의 물질의 바람직한 예는 포르피린 화합물, 방향족 3차 아민 화합물, 또는 스티릴아민 화합물이다. 특히 바람직한 예는 방향족 3차 아민 화합물, 예를 드면, 헥사시아노헥사아자트리페닐렌(HAT)을 포함한다.
정공 수송층은 또한 사용된 물질의 수송 성질을 개선시키기 위하여, 첫째로 층 두께를 더 넉넉하게 하기 위하여(핀홀/단락의 회피), 그리고 둘째로 장치의 작동 전압을 최소화하기 위하여, 전자적으로 도핑될 수 있다. 전자 도핑은 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있고, 예를 들면, 문헌[W. Gao, A. Kahn, J. Appl. Phys., Vol. 94, 2003, 359](p-도핑된 유기층); [A. G. Werner, F. Li, K. Harada, M. Pfeiffer, T.　Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No. 25, 2003, 4495] 및 [Pfeiffer et al., Organic Electronics 2003, 4, 89 - 103] 및 [K. Walzer, B. Maennig, M. Pfeiffer, K. Leo, Chem. Soc. Rev. 2007, 107, 1233]에 개시된다. 예를 들면, 정공 수송층에서 혼합물, 특히 정공 수송층의 전기 p-도핑을 야기하는 혼합물을 사용하는 것이 가능하다. p-도핑은 산화성 물질의 첨가에 의해 달성된다. 이들 혼합물은, 예를 들면, 하기 혼합물일 수 있다: 상기 언급된 정공 수송 물질과 하나 이상의 금속 산화물, 예를 들면, MoO2, MoO3, WOx, ReO3 및/또는 V2O5, 바람직하게는 MoO3 및/또는 ReO3, 더 바람직하게는 MoO3의 혼합물, 또는 상기 언급된 정공 수송 물질과 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ), 2,5-비스(2-하이드록시에톡시)-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 비스(테트라-n-부틸암모늄)테트라시아노디페노퀴노디메탄, 2,5-디메틸-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 테트라시아노에틸렌, 11,11,12,12-테트라시아노나프토-2,6-퀴노디메탄, 2-플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노-디메탄, 2,5-디플루오로-7,7,8,8-에트라시아노퀴노디메탄, 디시아노메틸렌-1,3,4,5,7,8-헥사플루오로-6H-나프탈렌-2-일리덴)말로노니트릴(F6-TNAP), Mo(tfd)3(문헌[Kahn et al., J. Am. Chem. Soc. 2009, 131(35), 12530-12531]으로부터), EP1988587호, US2008265216호, EP2180029호, US20100102709호, WO2010132236호, EP2180029호에 기재된 바와 같은 화합물 및 EP2401254호에 언급된 퀴논 화합물로부터 선택된 하나 이상의 화합물의 혼합물.
엑시톤 차단층(d):
차단층은 발광층을 이탈하는 전하 캐리어(전자 또는 정공) 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 전자/엑시톤 차단층(d)은 정공 수송층(c)의 방향으로 발광층(e)으로부터 전자를 차단하기 위하여 제1 발광층(e)과 정공 수송층(c) 사이에 위치할 수 있다. 차단층은 또한 발광층의 확산으로부터 엑시톤을 차단하는데 사용될 수 있다.
전자/엑시톤 차단 물질로서 사용을 위한 적합한 금속 착물은, 예를 들면, WO2005/019373A2호, WO2006/056418A2호, WO2005/113704호, WO2007/115970호, WO2007/115981호, WO2008/000727호 및 제PCT/EP2014/055520호에 기재된 바와 같은 카르벤 착물이다. 기재된 WO 출원의 개시내용을 본원에서 분명히 참조하고, 이들 개시내용은 본 출원의 내용에 포함되는 것으로 간주될 것이다.
발광층(e):
발광층은 발광 기능을 갖는 유기층이고, 하나 이상의 층으로 형성되고, 여기서 층들 중 하나는 호스트 물질(제1 호스트 물질), 임의로 제2 호스트 물질, 및 하기 기재된 바와 같은 발광 물질을 포함한다.
발광층이 둘 이상의 층으로 구성되는 경우, 상기 언급된 것 이외의 발광층 또는 층들은, 도핑 시스템이 사용되는 경우, 호스트 물질 및 도펀트 물질을 함유한다. 호스트 물질의 주요 기능은 전자 및 정공의 재조합을 촉진하고 엑시톤을 발광층에 국한시키는 것이다. 도펀트 물질은 재조합에 의해 발생된 엑시톤을 야기하여 효율적으로 발광한다.
인광 장치의 경우, 호스트 물질의 주요 기능은 도펀트 위에 발생된 엑시톤을 발광층에 국한시키는 것이다.
발광층은 이중 도펀트 층으로 만들어질 수 있고, 여기서 높은 양자 수율을 갖는 2종 이상의 도펀트 물질이 조합으로 사용되고, 각각의 도펀트 물질은 이의 자신의 색으로 발광한다. 예를 들면, 황색 방출을 수득하기 위하여, 호스트, 적색 방출 도펀트 및 녹색 방출 도펀트의 공동 증착에 의해 형성된 발광층이 사용된다.
2개 이상의 발광층의 적층체에서, 전자 및 정공은 발광층 사이의 계면에 축적되고, 따라서, 재조합 영역은 발광층 사이의 계면에 국한되어 양자 효율을 개선시킨다.
발광층은 정공 주입 능력과 전자 주입 능력이 상이할 수 있고, 또한 정공 수송 능력 및 전자 수송 능력에서 각각은 이동성으로 표현된다.
발광층은, 예를 들면, 공지된 방법, 예를 들면, 기상 증착 방법, 스핀 코팅 방법, 및 LB 방법에 의해 형성된다. 대안적으로, 발광층은 스핀 코팅과 같은 방법에 의해 결합제, 예를 들면, 수지, 및 용매 중의 발광층을 위한 물질의 용액을 박막 내로 제조하여 형성될 수 있다.
발광층은 바람직하게는 분자 증착 막이다. 분자 증착 막은 기화된 물질을 증착함으로써 형성된 박막 또는 용액 또는 액체 상태의 물질을 고체화함으로써 형성된 막이다. 분자 증착 막은 어셈블리 구조에서의 차이 및 고차원 구조 및 구조적 차이로 인한 기능적 차이에 의해 LB 방법에 의해 형성된 박막(분자 빌드-업 막)과 구별될 수 있다.
발광층(e)은 하나 이상의 에미터 물질을 포함한다. 원칙적으로, 이는 형광 또는 인광 에미터일 수 있고, 적합한 에미터 물질은 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있다. 하나 이상의 에미터 물질은 바람직하게는 인광 에미터이다.
발광층에서 사용되는 인광 도펀트의 방출 파장은 특히 제한되지 않는다. 바람직한 실시양태에서, 발광층에서 사용되는 하나 이상의 인광 도펀트는 일반적으로 430 nm 이상 및 780 nm 이하, 바람직하게는 490 nm 이상 및 700 nm 이하, 더 바람직하게는 490 nm 이상 및 650 nm 이하의 방출 파장의 피크를 갖는다. 녹색 에미터 물질(490 내지 570 nm)이 가장 바람직하다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 적색 에미터 물질(570 내지 680 nm)이 바람직하다.
인광 도펀트(인광 에미터 물질)는 여기된 삼중항 상태의 에너지를 방출함으로써 발광하는 만큼 이에 특정하게 제한되지 않음에도 불구하고, 여기된 삼중항 상태를 방출함으로써 발광하는 화합물, 바람직하게는 Ir, Pt, Pd, Os, Au, Cu, Re, Rh 및 Ru로부터 선택된 하나 이상의 금속 및 리간드를 포함하는 유기금속 착물이다. 오르소 금속 결합을 갖는 리간드가 바람직하다. 높은 인광 양자 수율을 수득하고 및 일렉트로루미네센스 소자의 외부 양자 효율을 추가로 개선하는 관점에서, Ir, Os, 및 Pt로부터 선택된 금속을 포함하는 금속 착물이 바람직하고, 이리듐 착물, 오스뮴 착물, 및 플래티늄, 특히 이의 오르소 금속화된 착물이 더 바람직하고, 이리듐 착물 및 플래티늄 착물은 더 바람직하고, 오르소 금속화된 이리듐 착물이 특히 바람직하다.
본 발명에 따라, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 금속 종 불포함 도펀트로서 사용될 수 있다. 본 발명에 따라, 단어 "금속 종 불포함"은 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물 중의 금속의 양이 ICP-MS(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry) 및 ICP-AES(Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometry)와 같은 흔한 분석에 의해 검출될 수 있는 한계 미만인 것을 의미한다.
식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이 금속 종 불포함 도펀트로서 사용되는 경우, 방출 파장의 피크는 일반적으로 420 nm 이상 및 780 nm 이하, 바람직하게는 440 nm 이상 및 550 nm 이하, 더 바람직하게는 440 nm 이상 및 520 nm 이하이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따라, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 발광층에서 매트릭스(=호스트 물질)로서 사용될 수 있다.
식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 바람직하게는 발광층에서 매트릭스(=호스트 물질)로서 사용될 수 있다.
본 발명의 OLED에서, 바람직하게는 에미터 물질로서 사용을 위한 적합한 금속 착물은, 예를 들면, 문서 WO02/60910A1호, US2001/0015432A1호, US2001/0019782A1호, US2002/0055014A1호, US2002/0024293A1호, US2002/0048689A1호, EP1191612A2호, EP1191613A2호, EP1211257A2호, US2002/0094453A1호, WO02/02714A2호, WO00/70655A2호, WO01/41512A1호, WO02/15645A1호, WO2005/019373A2호, WO2005/113704A2호, WO2006/115301A1호, WO2006/067074A1호, WO2006/056418호, WO2006121811A1호, WO2007095118A2호, WO2007/115970호, WO2007/115981호, WO2008/000727호, WO2010129323호, WO2010056669호, WO10086089호, US2011/0057559호, WO2011/106344호, US2011/0233528호, WO2012/048266호 및 WO2012/172482호에 기재되어 있다.
추가의 적합한 금속 착물은 상업적으로 이용 가능한 금속 착물 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III), 이리듐(III) 트리스(2-(4-톨릴)피리디나토-N,C2'), 비스(2-페닐피리딘)(아세틸아세토나토)이리듐(III), 이리듐(III) 트리스(1-페닐이소퀴놀린), 이리듐(III) 비스(2,2'-벤조티에닐)피리디나토-N,C3')(아세틸아세토네이트), 트리스(2-페닐퀴놀린)이리듐(III), 이리듐(III) 비스(2-(4,6-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2)피콜리네이트, 이리듐(III) 비스(1-페닐이소퀴놀린)(아세틸아세토네이트), 비스(2-페닐퀴놀린)(아세틸아세토나토)이리듐(III), 이리듐(III) 비스(디-벤조[f,h]퀴녹살린)(아세틸아세토네이트), 이리듐(III) 비스(2-메틸디-벤조[f,h]퀴녹살린)(아세틸아세토네이트) 및 트리스(3-메틸-1-페닐-4-트리메틸아세틸-5-피라졸리노)테르븀(III), 비스[1-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)이소퀴놀린](아세틸아세토나토)이리듐(III), 비스(2-페닐벤조티아졸라토)(아세틸아세토나토)이리듐(III), 비스(2-(9,9-디헥실플루오레닐)-1-피리딘)(아세틸아세토나토)이리듐(III), 비스(2-벤조[b]티오펜-2-일-피리딘)(아세틸아세토나토)이리듐(III)이다.
추가로, 하기 상업적으로 이용 가능한 물질이 적합하다: 트리스(디벤조일아세토나토)모노(페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디벤조일메탄)-모노(페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디벤조일메탄)모노(5-아미노페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디-2-나프토일메탄)모노(페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(4-브로모벤조일메탄)모노(페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디(비페닐)메탄)모노(페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디벤조일메탄)모노(4,7-디페닐페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디벤조일메탄)모노(4,7-디-메틸페난트롤린)유로퓸(III), 트리스(디벤조일메탄)모노(4,7-디메틸페난트롤린디설폰산)유로퓸(III) 디나트륨 염, 트리스[디(4-(2-(2-에톡시에톡시)에톡시)벤조일메탄)]모노(페난트롤린)유로퓸(III) 및 트리스[디[4-(2-(2-에톡시에톡시)에톡시)벤조일메탄)]모노(5-아미노페난트롤린)유로퓸(III), 오스뮴(II) 비스(3-(트리플루오로메틸)-5-(4-tert-부틸피리딜)-1,2,4-트리아졸라토)디페닐메틸포스핀, 오스뮴(II) 비스(3-(트리플루오로메틸)-5-(2-피리딜)-1,2,4-트리아졸)디메틸페닐포스핀, 오스뮴(II) 비스(3-(트리플루오로메틸)-5-(4-tert-부틸피리딜)-1,2,4-트리아졸라토)디메틸페닐포스핀, 오스뮴(II) 비스(3-(트리플루오로메틸)-5-(2-피리딜)피라졸라토)디메틸페닐포스핀, 트리스[4,4'-디-tert-부틸(2,2')-비피리딘]루테늄(III), 오스뮴(II) 비스(2-(9,9-디부틸플루오레닐)-1-이소퀴놀린(아세틸아세토네이트).
특히 적합한 금속 착물은 US2014048784호, US2012223295호, US2014367667호, US2013234119호, US2014001446호, US2014231794호, US2014008633호, WO2012108388호 및 WO2012108389호에 기재되어 있다. US2013234119호, 문단 [0222]에 언급된 에미터가 예시된다. US2013234119호, 문단 [0222]에 언급된 상기 에미터 중 선택된 에미터는 하기와 같다:
Figure pct00124
Figure pct00125
추가의 적합한 에미터는 문헌[Mrs Bulletin, 2007, 32, 694]에 언급된다:
Figure pct00126
추가의 적합한 에미터는 WO2009100991호에 언급된다:
Figure pct00127
추가의 적합한 에미터는 WO2008101842호에 언급된다:
Figure pct00128
추가의 적합한 에미터는 US 20140048784호, 특히 문단 [0159]에 언급된다:
Figure pct00129
Figure pct00130
Figure pct00131
Figure pct00132
Figure pct00133
추가의 적합한 적색 에미터는 WO 200/109824호에 표시된다. 이러한 문서에 따른 바람직한 적색 에미터는 하기 화합물이다:
Figure pct00134
Figure pct00135
Figure pct00136
적합한 인광 청색 에미터는 하기 문헌에 명시된다: WO2006/056418A2호, WO2005/113704호, WO2007/115970호, WO2007/115981호, WO2008/000727호, WO2009050281호, WO2009050290호, WO2011051404호, US2011/057559호, WO2011/073149호, WO2012/121936A2호, US2012/0305894A1호, WO2012/170571호, WO2012/170461호, WO2012/170463호, WO2006/121811호, WO2007/095118호, WO2008/156879호, WO2008/156879호, WO2010/068876호, US2011/0057559호, WO2011/106344호, US2011/0233528호, WO2012/048266호, WO2012/172482호, 제PCT/EP2014/064054호 및 제PCT/EP2014/066272호.
발광층(e)은, 예를 들면, 하나 이상의 카벤 착물을 인광 에미터로서 포함한다. 적합한 카벤 착물은, 예를 들면, WO2005/019373A2호에 기재된 식
Figure pct00137
(XIV)의 화합물이고, 상기 식에서, 기호는 하기 의미를 갖는다:
M은 각각의 금속 원자에 있어서 가능한 임의의 산화 상태의 Co, Rh, Ir, Nb, Pd, Pt, Fe, Ru, Os, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Cu, Ag 및 Au로 구성된 군으로부터 선택된 금속 원자이고;
카벤은 하전되지 않거나 단일음이온성 및 한자리, 두자리 또는 세자리일 수 있는 카벤 리간드이고, 카벤 리간드는 또한 비스카벤 또는 트리스카벤 리간드일 수 있고;
L은 단일음이온성 또는 이중음이온성 리간드이고, 이는 한자리 또는 두자리일 수 있고;
K는 하전되지 않은 한자리 또는 두자리 리간드이고, 바람직하게는 포스핀; 포스포네이트 및 이의 유도체, 아르세네이트 및 이의 유도체; 포스파이트; CO; 피리딘; 니트릴 및 M1과 π 착물을 형성하는 컨쥬게이트 디엔으로 구성된 군으로부터 선택되고;
n1은 카벤 리간드의 수이고, 여기서 n1은 1 이상이고, n1 > 1인 경우, 식 I의 착물에서 카벤 리간드는 동일하거나 상이할 수 있고;
m1은 리간드 L의 수이고, 여기서 m1은 0 또는 ≥ 1일 수 있고, m1 > 1인 경우, 리간드 L은 동일하거나 상이할 수 있고;
o는 리간드 K의 수이고, 여기서 o는 0 또는 ≥ 1일 수 있고, o > 1인 경우, 리간드 K는 동일하거나 상이할 수 있고;
n1 + m1 + o의 합은 금속 원자의 산화 상태 및 배위수 및 리간드 카벤, L 및 K의 자리수(denticity), 및 또한 리간드, 카벤 및 L의 전하에 따라 좌우되고, 단 n1은 1 이상이다.
WO2011/073149호에 기재된 일반식
Figure pct00138
(XIVa)의 금속-카벤 착물이 더 바람직하고,
상기 식에서,
M은 Ir, 또는 Pt이고,
n1은 1, 2 및 3로부터 선택된 정수이고,
Y는 NR51', O, S 또는 C(R25')2이고,
A2', A3', A4', 및 A5'는 각각 독립적으로 N 또는 C이고, 여기서 2 A' = 질소 원자이고, 하나 이상의 탄소 원자는 고리의 2개의 질소 원자 사이에 존재하고,
R51'은 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 총 5 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 헤테로아릴 라디칼이고,
R52', R53', R54' 및 R55'는 각각, A2', A3', A4' 및/또는 A5'가 N인 경우, 유리 전자 쌍, 또는, A2', A3', A4' 및/또는 A5'가 C인 경우, 각각 독립적으로 수소; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 총 5 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 헤테로아릴 라디칼; 공여자 또는 수용자 작용을 하는 기이거나,
R53' 및 R54'는 A3' 및 A4'와 함께 임의로 하나 이상의 추가의 헤테로원자에 의해 중단되고 총 5 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 임의로 치환된, 불포화 고리를 형성하고,
R56', R57', R58' 및 R59'는 각각 독립적으로 수소; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로헤테로알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 총 5 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 헤테로아릴 라디칼; 공여자 또는 수용자 작용을 하는 기이거나,
R56' 및 R57', R57' 및 R58' 또는 R58' 및 R59'는, 이들이 결합된 탄소 원자와 함께, 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고 총 5 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 또는 방향족, 임의로 치환된 고리를 형성하고/하거나,
A5'가 C인 경우, R55' 및 R56'은 함께 임의로 헤테로원자, 방향족 단위, 헤테로방향족 단위 및/또는 작용성 기를 포함하고 총 1 내지 30개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화, 선형 또는 분지형 브릿지를 형성하고, 이에 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은, 5 내지 8원의 고리가 임의로 축합되고,
R25'는 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 독립적으로 선형 또는 분지형 알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼; 임의로 하나 이상의 헤테로원자에 의해 중단되고, 임의로 하나 이상의 작용성 기를 보유하고, 총 5 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 헤테로아릴 라디칼이고,
K는 하전되지 않은 한자리 또는 두자리 리간드이고,
L은 한자리 또는 두자리 리간드, 바람직하게는 단일음이온성 리간드이고, 이는 한자리 또는 두자리일 수 있고,
m1은 0, 1 또는 2이고, m1이 2인 경우, K 리간드는 동일하거나 상이할 수 있고,
o1은 0, 1 또는 2이고, o1이 2인 경우, L 리간드는 동일하거나 상이할 수 있다.
일반식 XIV의 화합물은 바람직하게는 하기 식의 화합물이다:
Figure pct00139
Figure pct00140
Figure pct00141
Figure pct00142
Figure pct00143
Figure pct00144
Figure pct00145
Figure pct00146
Figure pct00147
추가의 적합한 비-카벤(non-carbene) 에미터 물질은 하기 언급된다:
Figure pct00148
Figure pct00149
Figure pct00150
일반식 XIV의 화합물은 더 바람직하게는 화합물 (BE-1), (BE-2), (BE-7), (BE-12), (BE-16), (BE-64), 또는 (BE-70)이다. 가장 바람직한 인광 청색 에미터는 화합물 (BE-1) 및 (BE-12)이다.
동종리간드 금속-카벤 착물은 면(facial) 또는 자오선(meridional) 이성질체의 형태 또는 이의 혼합물로 존재할 수 있고, 면 이성질체가 바람직하다.
식 (XIV)의 적합한 카벤 착물 및 이의 제조 방법은, 예를 들면, WO2011/073149호에 기재되어 있다.
본 발명의 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 또한 인광 녹색 에미터를 위한 호스트로서 사용될 수 있다. 적합한 인광 녹색 에미터는, 예를 들면, 하기 문헌에 명시된다: WO2006014599호, WO20080220265호, WO2009073245호, WO2010027583호, WO2010028151호, US20110227049호, WO2011090535호, WO2012/08881호, WO20100056669호, WO20100118029호, WO20100244004호, WO2011109042호, WO2012166608호, US20120292600호, EP2551933A1호; US6687266호, US20070190359호, US20070190359호, US20060008670; WO2006098460호, US20110210316호, WO2012053627호; US6921915호, US20090039776호; JP2007123392호 및 유럽 특허 출원 제14180422.9호.
적합한 인광 녹색 에미터의 예는 하기 표시된다:
Figure pct00151
Figure pct00152
Figure pct00153
Figure pct00154
에미터 물질(도펀트), 바람직하게는 인광 에미터 물질은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 OLED의 발광층에 존재할 수 있는 추가의 바람직한 청색 도펀트는 EP 2924029호에 언급된 바와 같은 다환형 아민 유도체이다. 특히 바람직한 방향족 아민 유도체는 하기 식 (20)에 따른 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00155
식 (20)에서, Y는 10 내지 50개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 축합된 방향족 탄화수소 기이다.
Ar101, 및 Ar102는 독립적으로 6 내지 50개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 기 또는 5 내지 50개의 고리 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 헤테로사이클릭 고리 기이다.
Y의 특정한 예는 상기 언급된 축합된 아릴 기를 포함한다. Y는 바람직하게는 치환되거나 치환되지 않은 안트릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 피레닐 기 또는 치환되거나 치환되지 않은 크리세닐 기이다.
n은 1 내지 4의 정수이다. n은 1 내지 2의 정수인 것이 바람직하다.
상기 언급된 식 (20)은 바람직하게는 하기 식 (21) 내지 (24)로 나타낸 것이다:
Figure pct00156
식 (21) 내지 (24)에서, Re, Rf 및 Rg는 독립적으로 1 내지 20개의 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 알킬 기, 2 내지 50개의 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 알케닐 기, 2 내지 50개의 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 알키닐 기, 1 내지 20개의 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아르알킬 기, 3 내지 20개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 사이클로알킬 기, 1 내지 20개의 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 알콕시 기, 6 내지 20개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아릴옥시 기, 6 내지 50개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 실릴 기, 1 내지 50개의 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 알킬 게르마늄 기 또는 6 내지 50개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 게르마늄 기이다. Re, Rf 및 Rg는 독립적으로 축합된 다환형 골격을 구성하는 벤젠 고리의 임의의 결합 위치에 결합될 수 있다.
Re, Rf 및 Rg의 바람직한 예로서, 6 내지 50개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 기가 제공될 수 있다. 더 바람직하게는, Re, Rf 및 Rg는 치환되거나 치환되지 않은 페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 나프틸 기 등이다.
t는 0 내지 10의 정수이다. u는 0 내지 8의 정수이다. m은 0 내지 10의 정수이다. Ar201 내지 Ar218은 독립적으로 6 내지 50개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기 또는 5 내지 50개의 고리 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 헤테로사이클릭 기이다.
Ar201 내지 Ar218의 바람직한 예는 치환되거나 치환되지 않은 페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조푸라닐 기 등을 포함한다. Ar201 내지 Ar218의 치환기의 바람직한 예로서, 알킬 기, 시아노 기 및 치환되거나 치환되지 않은 실릴 기가 제공될 수 있다.
식 (21) 내지 (24)에서, 알킬 기, 알콕시 기, 아릴 기, 아릴옥시 기 및 헤테로사이클릭 기의 예로서, 상기 예시된 것들이 제공될 수 있다.
2 내지 50개, 바람직하게는 2 내지 30개, 더 바람직하게는 2 내지 20, 특히 바람직하게는 2 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 알케닐 기로서, 비닐 기, 알릴 기, 1-부테닐 기, 2-부테닐 기, 3-부테닐 기, 1,3-부탄디에닐 기, 1-메틸비닐 기, 스티릴 기, 2,2-디페닐비닐 기, 1,2-디페닐비닐 기, 1-메틸알릴 기, 1,1-디메틸알릴 기, 2-메틸알릴 기, 1-페닐알릴 기, 2-페닐알릴 기, 3-페닐알릴 기, 3,3-디페닐알릴 기, 1,2-디메틸알릴 기, 1-페닐-1-부테닐 기, 3-페닐-1-부테닐 기 등이 제공될 수 있다. 스티릴 기, 2,2-디페닐비닐 기, 1,2-디페닐비닐 기 등이 바람직하다.
2 내지 50개(바람직하게는 2 내지 30개, 더 바람직하게는 2 내지 20개, 특히 바람직하게는 2 내지 10개)의 탄소 원자를 포함하는 알키닐 기로서, 프로파길 기, 3-펜티닐 기 등이 제공될 수 있다.
알킬 게르마늄 기로서, 메틸하이듣로게르밀 기, 트리메틸게르밀 기, 트리에틸게르밀 기, 트리프로필게르밀 기, 디메틸-t-부틸게르밀 기 등이 제공될 수 있다.
아릴 게르마늄 기로서, 페닐디하이드로게르밀 기, 디페닐하이드로게르밀 기, 트리페닐게르밀 기, 트리톨릴게르밀 기, 트리나프틸게르밀 기 등이 제공될 수 있다.
스티릴아민 화합물 및 스티릴디아민 화합물로서, 하기 식 (17) 및 (18)로 나타낸 것들이 바람직하다:
Figure pct00157
식 (17)에서, Ar301은 k-가 기이고; k-가 기는 페닐 기, 나프틸 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 스틸벤 기, 스티릴아릴 기 및 디스티릴아릴 기에 상응한다. Ar302 및 Ar303은 독립적으로 6 내지 20개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기이고, Ar301, Ar302 및 Ar303은 치환될 수 있다.
k는 1 내지 4의 정수이고, 1 및 2의 정수가 바람직하다. Ar301 내지 Ar303 중 임의의 하나는 스티릴 기를 포함하는 기이다. Ar302 및 Ar303 중 하나 이상은 스티릴 기로 치환되는 것이 추가로 바람직하다.
6 내지 20개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기로서, 상기 언급된 아릴 기가 특히 제공될 수 있다. 바람직한 예는 페닐 기, 나프틸 기, 안트라닐 기, 페난트릴 기, 터페닐 기 등을 포함한다.
식 (18)에서, Ar304 내지 Ar306은 6 내지 40개의 고리 탄소 원자를 포함하는 v-가 치환되거나 치환되지 않은 아릴 기이다. v는 1 내지 4의 정수이고, 1 및 2의 정수가 바람직하다.
여기서, 식 (18)에서 6 내지 40개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기로서, 상기 언급된 아릴 기가 특히 제공될 수 있다. 식 (20)으로 나타낸 나프틸 기, 안트라닐 기, 크리세닐 기, 피레닐 기 또는 아릴 기가 바람직하다.
아릴 기 위를 치환하는 바람직한 치환기로서, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 알킬 기, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 알콕시 기, 6 내지 40개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기, 6 내지 40개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기로 치환된 아미노 기, 5 내지 40개의 고리 탄소 원자를 포함하는 아릴 기를 포함하는 에스테르 기, 1 내지 6개의 탄소 원자를 포함하는 알킬 기를 포함하는 에스테르 기, 시아노 기, 니트로 기, 할로겐 원자 등이 제공될 수 있다.
발광층에서 에미터 물질(도펀트), 바람직하게는 인광 에미터 물질의 함량은 특정하게 제한되지 않으며, 장치의 용도에 따라 선택되고, 바람직하게는 0.1 내지 70 질량%, 더 바람직하게는 1 내지 30 질량%이다. 0.1 질량% 이상인 경우, 발광의 양은 충분하다. 70 질량% 이하인 경우, 농도 소광은 회피될 수 있다. 발광층에서 추가의 구성원은 일반적으로 하나 이상의 호스트 물질이고, 이는 바람직하게는 30 내지 99.9 질량%, 더 바람직하게는 70 내지 99 질량%의 양으로 존재하고, 여기서 에미터 물질(들)과 호스트 물질(들)의 합은 100 질량%이다.
호스트(매트릭스) 물질
발광층은 에미터 물질 외에 추가의 구성원을 포함할 수 있다. 예를 들면, 에미터 물질의 방출 색을 변경하기 위하여 형광 염료가 발광층에 존재할 수 있다. 추가로, 바람직한 실시양태에서, 매트릭스 물질이 사용될 수 있다. 이러한 매트릭스 물질은 중합체, 예를 들면, 폴리(N-비닐카바졸) 또는 폴리실란일 수 있다. 매트릭스 물질은, 그러나, 소분자, 예를 들면, 4,4'-N,N'-디카바졸비페닐(CDP=CBP) 또는 3차 방향족 아민, 예를 들면, TCTA일 수 있다.
하나 이상의 인광 에미터 물질이 발광층에서 사용되는 경우, 하나 이상의 인광 호스트는 호스트 물질로서 사용된다. 인광 호스트는 발광층에서 인광 도펀트의 삼중항 에너지를 국한시켜 인광 도펀트가 효율적으로 발광하는 것을 유발하는 화합물이다.
바람직한 실시양태에서, 발광층은 하나 이상의 에미터 물질 및 본 출원에 언급된 하나 이상의 매트릭스 물질로 형성된다. 바람직한 실시양태에 따라, 본 발명에 따른 전자 기기, 바람직하게는 본 발명에 따른 OLED는 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을 매트릭스(호스트) 물질로서 포함한다.
하나의 실시양태에 따라, 발광층은 하나 이상의 에미터 물질 및 둘 이상의 매트릭스 물질을 포함하고, 여기서 하나의 매트릭스 물질은 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이고, 다른 매트릭스 물질(들)은 공동 호스트(들)로서 사용된다. 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이 아닌 적합한 다른 호스트 물질(공동 호스트)은 하기 언급된다. 이러한 실시양태는 바람직하게는 녹색 광을 방출하는 에미터 물질에 의해 실현된다.
또 다른 실시양태에 따라, 발광층은 하나 이상의 에미터 물질 및 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물을 단일 매트릭스 물질로서 포함한다. 단일 호스트 물질로서 유용한 식 (I), (II) 또는 (III)의 바람직한 화합물의 예는 하기 표시된다. 이러한 실시양태는 바람직하게는 적색 광을 방출하는 에미터 물질에 의해 실현된다.
식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 단일 호스트 물질 뿐만 아니라 하나 이상의 추가의 호스트 물질(공동 호스트)이 있는 호스트 물질로서 적합하다. 적합한 추가의 호스트 물질은 하기 언급된다. "추가의 호스트 물질"은 본 발명의 출원의 의미에서 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 상이한 호스트 물질을 의미한다. 그러나, 식 (I), (II) 또는 (III)의 둘 이상의 상이한 화합물을 본 발명의 OLED에서 발광층에서 호스트 물질로서 사용하는 것이 또한 가능하다.
더 바람직한 실시양태에서, 발광층은 하나 이상의 상기 언급된 에미터 물질 0.1 내지 70 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%, 및 명세서에서 언급된 하나 이상의 매트릭스 물질 30 내지 99.9 중량%, 바람직하게는 70 내지 99 중량%로 형성되고, 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물의 하나의 실시양태에서, 여기서 에미터 물질과 매트릭스 물질의 총 합은 100 중량%가 된다.
추가의 더 바람직한 실시양태에서, 발광층은 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물을 매트릭스 물질, 하나 이상의 추가의 매트릭스 물질(공동 호스트) 및 하나 이상의 에미터 물질로서 포함한다. 상기 실시양태에서, 발광층은 하나 이상의 에미터 물질 0.1 내지 70 중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%, 및 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물 및 추가의 매트릭스 물질 30 내지 99.9 중량%, 바람직하게는 70 내지 99 중량%로 형성되고, 여기서 하나 이상의 에미터 물질, 추가의 매트릭스 물질 및 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 총 합은 100 중량%가 된다.
발광층에서 제1 호스트 물질로서의 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 공동 호스트로서의 제2 매트릭스 물질의 함량 비는 특정하게 제한되지 않으며 따라서 선택될 수 있고, 제1 호스트 물질:제2 호스트 물질의 비는 각각 질량을 기준으로 바람직하게는 1:99 내지 99:1, 더 바람직하게는 10:90 내지 90:10이다.
하기에서 본 발명에 따른 화합물이 전하 수송 물질, 즉, 전자 수송 물질 또는 정공 수송 물질, 및/또는 금속 종 불포함 도펀트로서 사용되는 경우, 호스트 물질은 본 발명에 따른 전자 기기에서 단일 호스트 물질로서 사용될 수 있다고 언급된다. 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물이 제1 호스트 물질로 사용되는 경우, 하기에서 언급되는 호스트 물질은 또한 제2 호스트 물질로서 사용될 수 있고, 그 반대로 마찬가지이다.
언급된 소분자 또는 소분자의 (공)중합체일 수 있는 추가의 적합한 호스트 물질은 하기 문헌에 명시된다: WO2007108459호(H-1 내지 H-37), 바람직하게는 H-20 내지 H-22 및 H-32 내지 H-37, 가장 바람직하게는 H-20, H-32, H-36, H-37, WO2008035571 A1호(호스트 1 내지 호스트 6), JP2010135467호(화합물 1 내지 46 및 호스트-1 내지 호스트-39 및 호스트-43), WO2009008100호 화합물 No.1 내지 No.67, 바람직하게는 No.3, No.4, No.7 내지 No.12, No.55, No.59, No.63 내지 No.67, 더 바람직하게는 No.4, No.8 내지 No.12, No.55, No.59, No.64, No.65, 및 No.67, WO2009008099호 화합물 No.1 내지 No.110, WO2008140114호 화합물 1-1 내지 1-50, WO2008090912호 화합물 OC-7 내지 OC-36 및 Mo-42 내지 Mo-51의 중합체, JP2008084913호 H-1 내지 H-70, WO2007077810호 화합물 1 내지 44, 바람직하게는 1, 2, 4-6, 8, 19-22, 26, 28-30, 32, 36, 39-44, WO201001830호 단량체 1-1 내지 1-9, 바람직하게는 1-3, 1-7, 및 1-9의 중합체, WO2008029729호 화합물 1-1 내지 1-36(의 중합체), WO20100443342호 HS-1 내지 HS-101 및 BH-1 내지 BH-17, 바람직하게는 BH-1 내지 BH-17, JP2009182298호 단량체 1 내지 75를 기반으로 한 (공)중합체, JP2009170764호, JP2009135183호 단량체 1-14를 기반으로 한 (공)중합체, WO2009063757호 바람직하게는 단량체 1-1 내지 1-26을 기반으로 한 (공)중합체, WO2008146838호 화합물 a-1 내지 a-43 및 1-1 내지 1-46, JP2008207520호 단량체 1-1 내지 1-26을 기반으로 한 (공)중합체, JP2008066569호 단량체 1-1 내지 1-16을 기반으로 한 (공)중합체, WO2008029652호 단량체 1-1 내지 1-52를 기반으로 한 (공)중합체, WO2007114244호 단량체 1-1 내지 1-18을 기반으로 한 (공)중합체, JP2010040830호 화합물 HA-1 내지 HA-20, HB-1 내지 HB-16, HC-1 내지 HC-23 및 단량체 HD-1 내지 HD-12를 기반으로 한 (공)중합체, JP2009021336호, WO2010090077호 화합물 1 내지 55, WO2010079678호 화합물 H1 내지 H42, WO2010067746호, WO2010044342호 화합물 HS-1 내지 HS-101 및 폴리-1 내지 폴리-4, JP2010114180호 화합물 PH-1 내지 PH-36, US2009284138호 화합물 1 내지 111 및 H1 내지 H71, WO2008072596호 화합물 1 내지 45, JP2010021336호 화합물 H-1 내지 H-38, 바람직하게는 H-1, WO2010004877호 화합물 H-1 내지 H-60, JP2009267255호 화합물 1-1 내지 1-105, WO2009104488호 화합물 1-1 내지 1-38, WO2009086028호, US2009153034호, US2009134784호, WO2009084413호 화합물 2-1 내지 2-56, JP2009114369호 화합물 2-1 내지 2-40, JP2009114370호 화합물 1 내지 67, WO2009060742호 화합물 2-1 내지 2-56, WO2009060757호 화합물 1-1 내지 1-76, WO2009060780호 화합물 1-1 내지 1-70, WO2009060779호 화합물 1-1 내지 1-42, WO2008156105호 화합물 1 내지 54, JP2009059767호 화합물 1 내지 20, JP2008074939호 화합물 1 내지 256, JP2008021687호 화합물 1 내지 50, WO2007119816호 화합물 1 내지 37, WO2010087222호 화합물 H-1 내지 H-31, WO2010095564호 화합물 호스트-1 내지 호스트-61, WO2007108362호, WO2009003898호, WO2009003919호, WO2010040777호, US2007224446호, WO06128800호, WO2012014621호, WO2012105310호, WO2012/130709호 및 유럽 특허 출원 EP12175635.7호, EP12185230.5호 및 EP12191408.9호(특히 EP12191408.9호의 25 내지 29 페이지).
상기 언급된 소분자는 상기 언급된 소분자의 (공)중합체보다 더 바람직하다.
추가의 적합한 호스트 물질은 WO2011137072호(예를 들면,
Figure pct00158
및
Figure pct00159
이고, 가장 우수한 결과는 상기 화합물을
Figure pct00160
와 조합하는 경우에 달성됨); 및 WO2012048266호(예를 들면,
Figure pct00161
및
Figure pct00162
)에 기재되어 있다
상기 언급된 호스트 물질은 본 발명의 OLED에서 단독으로 또는 호스트 물질로서 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 조합으로 사용될 수 있다. 이러한 경우, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 호스트이고, 상기 언급된 호스트 물질은 공동 호스트이다.
단독으로 또는 호스트 물질로서 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 조합으로, 인광 호스트로서 적합한 화합물의 추가의 예는 카바졸 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노-치환된 칼콘 유도체, 스티릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 방향족 3차 아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 방향족 메틸리덴 화합물, 포르피린 화합물, 안트라퀴노디메탄 유도체, 안트론 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 티오피란 디옥사이드 유도체, 카보디이미드 유도체, 플루오레닐리덴메탄 유도체, 디스티릴피라진 유도체, 나프탈렌 및 페릴렌과 같은 축합된 고리의 테트라카복실산 무수물, 프탈로시아닌 유도체, 8-퀴놀린올 유도체의 금속 착물, 금속 프탈로시아닌, 벤족사졸 및 벤조티아졸과 같은 리간드를 갖는 금속 착물, 전기전도성 저중합체, 예를 들면, 폴리실란 화합물, 폴리(N-비닐카바졸) 유도체, 아닐린 공중합체, 티오펜 저중합체, 및 폴리티오펜, 및 중합체, 예를 드면, 폴리티오펜 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 및 폴리플루오렌 유도체를 포함한다. 이들 인광 호스트는 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이의 특정한 예는 하기 표시된다:
Figure pct00163
식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물과 함께 공동 호스트로서 특히 유용한 추가의 적합한 호스트는 US2014048784호, US2012223295호, US2014367667호, US2013234119호, US2014001446호, US2014231794호, US2014008633호, WO2012108388호, WO2014009317호 및 WO2012108389호에 기재된 호스트, 뿐만 아니라 2015년 10월 1일에 출원된 EP 출원 EP 15187954호에 기재된 식 (1)의 화합물이다.
US2013234119호에 언급된 제1 및 제2 호스트 물질, US2014048784호에 언급된 호스트 물질 및 2015년 10월 1일에 출원된 EP 출원 EP 15187954호에 기재된 식 (1)의 화합물이 특히 바람직하다.
바람직하게는 본 발명에 따른 OLED의 발광층에서 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물과 함께 공동 호스트로서 사용되는 US2013234119호에 언급된 제1 호스트 물질은 식 (A)로 나타낸다. OLED의 수명은 제1 호스트 물질로서 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물 및 공동 호스트로서 식 (A)로 나타낸 호스트 물질을 발광층에서 조합으로 사용함으로써 증가된다:
Figure pct00164
상기 식에서,
각각의 A1A 및 A2A는 독립적으로 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴 기; 또는 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
A3A는 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 아릴 기; 또는 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 2가 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
mA는 0 내지 3의 정수를 나타내고;
각각의 X1A 내지 X8A 및 Y1A 내지 Y8A는 독립적으로 N 또는 CRa를 나타내고;
각각의 Ra는 독립적으로 수소 원자; 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴 기; 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기; 예를 들면, E로 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기; 치환되지 않거나 치환될 수 있는 실릴 기; 할로겐 원자, 또는 시아노 기를 나타내고, 단 둘 이상의 Ra 기가 존재하는 경우, Ra 기는 동일하거나 상이할 수 있고, X5A 내지 X8A 중 하나 및 Y1A 내지 Y4A 중 하나는 A3A를 통해 서로 결합되고;
식 (A)는 하기 요건 (i) 내지 (v) 중 하나 이상을 충족시킨다;
(i) A1A 및 A2A 중 하나 이상은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 방향족 탄화수소 기 또는 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
(ii) X1A 내지 X4A 및 Y5A 내지 Y8A 중 하나 이상은 CRa를 나타내고, X1A 내지 X4A 및 Y5A 내지 Y8A에서 하나 이상의 Ra는 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 방향족 탄화수소 기 또는 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
(iii) mA는 1 내지 3의 정수를 나타내고, 하나 이상의 A3은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 2가 방향족 탄화수소 기 또는 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 2가 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
(iv) X5A 내지 X8A 및 Y1A 내지 Y4A 중 하나 이상은 CRa를 나타내고, X5A 내지 X8A 및 Y1A 내지 Y4A에서 하나 이상의 Ra는 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 방향족 탄화수소 기 또는 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
(v) X1A 내지 X8A 및 Y1A 내지 Y8A 중 하나 이상은 C―CN을 나타낸다.
6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 방향족 탄화수소 기 및 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 헤테로사이클릭 기는 시아노 기 이외의 기로 추가로 치환될 수 있다.
아래첨자 mA는 바람직하게는 0 내지 2 및 더 바람직하게는 0 또는 1이다. mA가 0인 경우, X5A 내지 X8A 중 하나 및 Y1A 내지 Y4A 중 하나는 단일 결합을 통해 서로 결합된다.
식 (A)에서, 상기 언급된 기는 하기 의미를 갖는다:
A1A, A2A 및 Ra로 나타낸 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기는 비-축합 방향족 탄화수소 기 또는 축합 방향족 탄화수소 기일 수 있다. 이의 특정한 예는 페닐 기, 나프틸 기, 페난트릴 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 쿼터페닐 기, 플루오르안테닐 기, 트리페닐레닐 기, 페난트레닐 기, 플루오레닐 기, 스피로플루오레닐 기, 9,9-디페닐플루오레닐 기, 9,9'-스피로비[9H-플루오렌]-2-일 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 벤조[c]페난트레닐 기, 벤조[a]트리페닐레닐 기, 나프토[1,2-c]페난트레닐 기, 나프토[1,2-a]트리페닐레닐 기, 디벤조[a,c]트리페닐레닐 기, 및 벤조[b]플루오르안테닐 기를 포함하고, 페닐 기, 나프틸 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 페난트릴 기, 트리페닐레닐 기, 플루오레닐 기, 스피로비플루오레닐 기, 및 플루오르안테닐 기가 바람직하고, 페닐 기, 1-나프틸 기, 2-나프틸 기, 비페닐-2-일 기, 비페닐-3-일 기, 비페닐-4-일 기, 페난트렌-9-일 기, 페난트렌-3-일 기, 페난트렌-2-일 기, 트리페닐렌-2-일 기, 9,9-디메틸플루오렌-2-일 기, 플루오르안텐-3-일 기가 더 바람직하다.
A3A로 나타낸 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기의 예는 상기 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기의 2가 잔기를 포함한다.
A1A, A2A 및 Ra로 나타낸 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기는 비-축합 헤테로사이클릭 기 또는 축합 헤테로사이클릭 기일 수 있다. 이의 특정한 예는 피롤 고리, 이소인돌 고리, 벤조푸란 고리, 이소벤조푸란 고리, 디벤조티오펜 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 페난트리딘 고리, 페난트롤린 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘 고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤족사졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤즈이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리, 및 벤조[c]디벤조푸란 고리의 잔기, 및 이들 고리의 유도체의 잔기를 포함하고, 디벤조푸란 고리, 카바졸 고리, 디벤조티오펜 고리, 및 이들 고리의 유도체의 잔기가 바람직하고, 디벤조푸란-2-일 기, 디벤조푸란-4-일 기, 9-페닐카바졸-3-일 기, 9-페닐카바졸-2-일 기, 디벤조티오펜-2-일 기, 및 디벤조티오펜-4-일 기의 잔기가 더 바람직하다.
A3A로 나타낸 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 2가 헤테로사이클릭 기는 상기 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기의 2가 잔기를 포함한다.
Ra로 나타낸 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 예는 메틸 기, 에틸 기, n-프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, s-부틸 기, 이소부틸 기, t-부틸 기, n-펜틸 기, n-헥실 기, n-헵틸 기, n-옥틸 기, n-노닐 기, n-데실 기, n-운데실 기, n-도데실 기, n-트리데실 기, n-테트라데실 기, n-펜타데실 기, n-헥사데실 기, n-헵타데실 기, n-옥타데실 기, 네오펜틸 기, 1-메틸펜틸 기, 사이클로프로필 기, 사이클로부틸 기, 사이클로펜틸 기, 사이클로헥실 기, 사이클로옥틸 기, 및 아다만틸 기를 포함하고, 메틸 기, 에틸 기, n-프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, s-부틸 기, 이소부틸 기, t-부틸 기, 사이클로펜틸 기, 및 사이클로헥실 기가 바람직하다.
Ra로 나타낸 치환되지 않거나 치환될 수 있는 실릴 기의 예는 트리메틸실릴 기, 트리에틸실릴 기, 트리부틸실릴 기, 디메틸에틸실릴 기, t-부틸디메틸실릴 기, 비닐디메틸실릴 기, 프로필디메틸실릴 기, 디메틸이소프로필실릴 기, 디메틸프로필실릴 기, 디메틸부틸실릴 기, 디메틸3차부틸실릴 기, 디에틸이소프로필실릴 기, 페닐디메틸실릴 기, 디페닐메틸실릴 기, 디페닐3차부틸실릴 기, 및 트리페닐실릴 기를 포함하고, 트리메틸실릴 기, 트리에틸실릴 기, t-부틸디메틸실릴 기, 비닐디메틸실릴 기, 및 프로필디메틸실릴 기가 바람직하다.
Ra로 나타낸 할로겐 원자의 예는 플루오르, 염소, 브롬, 및 요오드를 포함하고, 플루오르가 바람직하다.
또한 수소 원자 또는 치환되지 않거나 치환될 수 있는, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴 기가 Ra로서 바람직하다.
상기 또는 이하 언급되는 "치환되거나 치환되지 않은" 및 "치환될 수 있는"에 의해 지시되는 임의의 치환기의 예는 할로겐 원자(플루오르, 염소, 브롬, 요오드), 시아노 기, 1 내지 20개, 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 3 내지 20개, 바람직하게는 5 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 기, 1 내지 20개, 바람직하게는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알콕실 기, 1 내지 20개, 바람직하게는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 할로알킬 기, 1 내지 20개, 바람직하게는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 할로알콕실 기, 1 내지 10개, 바람직하게는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 6 내지 30개, 바람직하게는 6 내지 18개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 6 내지 30개, 바람직하게는 6 내지 18개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기, 6 내지 30개, 바람직하게는 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 7 내지 30개, 바람직하게는 7 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 및 5 내지 30개, 바람직하게는 5 내지 18개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴 기를 포함한다.
상기 언급된 임의의 치환기는 상기 언급된 임의의 기로 추가로 치환될 수 있다.
임의의 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 예는 메틸 기, 에틸 기, n-프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, s-부틸 기, 이소부틸 기, t-부틸 기, n-펜틸 기, n-헥실 기, n-헵틸 기, n-옥틸 기, n-노닐 기, n-데실 기, n-운데실 기, n-도데실 기, n-트리데실 기, n-테트라데실 기, n-펜타데실 기, n-헥사데실 기, n-헵타데실 기, n-옥타데실 기, 네오펜틸 기, 및 1-메틸펜틸 기를 포함한다.
임의의 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 기의 예는 사이클로프로필 기, 사이클로부틸 기, 사이클로펜틸 기, 사이클로헥실 기, 사이클로옥틸 기, 및 아다만틸 기를 포함한다.
임의의 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알콕실 기의 예는 상기 언급된 알킬 기로부터 선택된 알킬 부분을 갖는 것들을 포함한다.
임의의 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 할로알킬 기의 예는 상기 언급된 알킬 기를 포함하고, 여기서 이의 수소 원자는 할로겐 원자로 부분적으로 또는 완전히 치환된다.
임의의 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 할로알콕실 기의 예는 상기 언급된 알콕실 기를 포함하고, 여기서 이의 수소 원자는 할로겐 원자로 부분적으로 또는 완전히 치환된다.
임의의 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기의 예는 트리메틸실릴 기, 트리에틸실릴 기, 트리부틸실릴 기, 디메틸에틸실릴 기, t-부틸디메틸실릴 기, 비닐디메틸실릴 기, 프로필디메틸실릴 기, 디메틸이소프로필실릴 기, 디메틸프로필실릴 기, 디메틸부틸실릴 기, 디메틸3차부틸실릴 기, 및 디에틸이소프로필실릴 기를 포함한다.
임의의 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴 기의 예는 A1A, A2A 및 Ra에 관하여 상기 언급된 아릴 기로부터 선택된 것들을 포함한다.
임의의 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기의 예는 상기 언급된 방향족 탄화수소 기로부터 선택된 아릴 부분을 갖는 것들을 포함한다.
임의의 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기의 예는 페닐디메틸실릴 기, 디페닐메틸실릴 기, 디페닐3차부틸실릴 기, 및 트리페닐실릴 기를 포함한다.
임의의 7 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기의 예는 벤질 기, 2-페닐프로판-2-일 기, 1-페닐에틸 기, 2-페닐에틸 기, 1-페닐이소프로필 기, 2-페닐이소프로필 기, 페닐-t-부틸 기, α-나프틸메틸 기, 1-α-나프틸에틸 기, 2-α-나프틸에틸 기, 1-α-나프틸이소프로필 기, 2-α-나프틸이소프로필 기, β-나프틸메틸 기, 1-β-나프틸에틸 기, 2-β-나프틸에틸 기, 1-β-나프틸이소프로필 기, 2-β-나프틸이소프로필 기, 1-피롤릴메틸 기, 2-(1-피롤릴)에틸 기, p-메틸벤질 기, m-메틸벤질 기, o-메틸벤질 기, p-클로로벤질 기, m-클로로벤질 기, o-클로로벤질 기, p-브로모벤질 기, m-브로모벤질 기, o-브로모벤질 기, p-요오도벤질 기, m-요오도벤질 기, o-요오도벤질 기, p-하이드록시벤질 기, m-하이드록시벤질 기, o-하이드록시벤질 기, p-아미노벤질 기, m-아미노벤질 기, o-아미노벤질 기, p-니트로벤질 기, m-니트로벤질 기, o-니트로벤질 기, p-시아노벤질 기, m-시아노벤질 기, o-시아노벤질 기, 1-하이드록시-2-페닐이소프로필 기, 및 1-클로로-2-페닐이소프로필 기를 포함한다.
임의의 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴 기의 예는 A1A, A2A 및 Ra에 관하여 상기 언급된 헤테로사이클릭 기로부터 선택된 것들을 포함한다.
"a 내지 b개의 탄소 수를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 X 기"이라는 표현에서 "a 내지 b개의 탄소 수"는 치환되지 않은 X 기의 탄소 수이고, 임의의 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않는다.
본원에서 언급되는 수소 원자는 중성자수가 상이한 동위원소, 즉, 경수소(프로튬), 중수소(듀테륨) 및 트리튬을 포함한다.
식 (A)로 나타낸 호스트 물질에서, 식 (A) 및 (b)로 나타낸 기는 X5A 내지 X8A 중 하나 및 Y1A 내지 Y4A 중 하나에서 -(A3)mA-를 통해 서로 결합된다. 식 (A)와 (b) 사이의 결합 방식의 특정한 예는 X6A-(A3A)mA-Y3A, X6A-(A3A)mA-Y2A, X6A-(A3A)mA-Y4A, X6A-(A3A)mA-Y1A, X7A-(A3A)mA-Y3A, X5A-(A3A)mA-Y3A, X8A-(A3A)mA-Y3A, X7A-(A3A)mA-Y2A, X7A-(A3A)mA-Y4A, X7A-(A3A)mA-Y1A, X5A-(A3A)mA-Y2A, X8A-(A3A)mA-Y2A, X8A-(A3A)mA-Y4A, X8A-(A3A)mA-Y1A, X5A-(A3A)mA-Y1A, 및 X5A-(A3A)mA-Y4A로 나타낸다.
Figure pct00165
식 (A)로 나타낸 호스트 물질의 바람직한 실시양태에서, 식 (A)와 (b) 사이의 결합 방식은 X6A-(A3A)mA-Y3A, X6A-(A3A)mA-Y2A, 또는 X7A-(A3A)mA-Y3A로 나타내고, 즉, 유기 일렉트로루미네센스 소자를 위한 물질은 바람직하게는 식 (XXII), (XXIII), 또는 (XXIV)로 나타낸다:
Figure pct00166
Figure pct00167
상기 식에서, X1A 내지 X8A, Y1A 내지 Y8A, A1A 내지 A3A, 및 mA는 식 (A)에서 X1A 내지 X8A, Y1A 내지 Y8A, A1A 내지 A3A, mA와 동일하고, 각각의 식 (XXII), (XXIII), 및 (XXIV)는 식 (A)의 정의에 명시된 바와 같은 요건 (i) 내지 (v) 중 하나 이상을 충족시킨다.
식 (A)로 나타낸 호스트 물질은 요건 (i) 내지 (v) 중 하나 이상을 충족시키고, 즉, 호스트 물질은 서로 연결된 식 (A)로 나타낸 기 및 일반식 (b)로 나타낸 기를 갖는 시아노 기-도입된 비스카바졸 유도체이다.
식 (A)의 A3A는 바람직하게는 단일 결합, 6개 이하의 고리 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 2가 단환형 탄화수소 기, 또는 6개 이하의 고리 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 2가 단환형 헤테로사이클릭 기를 나타낸다.
A3A로 나타낸 6개 이하의 고리 탄소 원자를 갖는 단환형 탄화수소 기의 예는 페닐렌 기, 사이클로펜테닐렌 기, 사이클로펜타디에닐렌 기, 사이클로헥실렌 기, 및 사이클로펜틸렌 기를 포함하고, 페닐렌 기가 바람직하다.
A3A로 나타낸 6개 이하의 고리 원자를 갖는 단환형 헤테로사이클릭 기의 예는 피롤릴렌 기, 피라지닐렌 기, 피리디닐렌 기, 푸릴렌 기, 및 티오페닐렌 기를 포함한다.
식 (A), (XXII), (XXIII), 및 (XXIV)의 바람직한 실시양태에서, mA는 0이고, X5A 내지 X8A 중 하나 및 Y1A 내지 Y4A 중 하나는 단일 결합을 통해 서로 결합되거나; A3A는 6개 이하의 고리 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 단환형 탄화수소 기 또는 6개 이하의 고리 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 단환형 헤테로사이클릭 기를 나타낸다.
더 바람직한 실시양태에서, mA는 0이고, X5A 내지 X8A 중 하나 및 Y1A 내지 Y4A 중 하나는 단일 결합을 통해 서로 결합되거나; A3A는 치환되거나 치환되지 않은 페닐렌 기를 나타낸다.
식 (A)의 호스트 물질은 바람직하게는 요건 (i) 및 (ii) 중 하나 이상을 충족시킨다:
(i) A1A 및 A2A 중 하나 이상은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 방향족 탄화수소 기 또는 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
(ii) X1A 내지 X4A 및 Y5A 내지 Y8A 중 하나 이상은 CRa를 나타내고, X1A 내지 X4A 및 Y5A 내지 Y8A에서 하나 이상의 Ra는 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 시아노-치환된 방향족 탄화수소 기 또는 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 시아노-치환된 헤테로사이클릭 기를 나타낸다.
즉, 식 (A)의 호스트 물질은 바람직하게는 하기 화합물 중 임의의 하나이다:
(1) 요건 (i)를 충족시키지만, 요건 (ii) 내지 (v)를 충족시키지 않는 화합물;
(2) 요건 (ii)를 충족시키지만, 요건 (i) 및 (iii) 내지 (v)를 충족시키지 않는 화합물; 및
(3) 요건 (i) 및 (ii) 둘 다를 충족시키지만, 요건 (iii) 내지 (v)를 충족시키지 않는 화합물.
요건 (i) 및/또는 (ii)를 충족시키는 식 (A)의 호스트 물질은 시아노 기-함유 방향족 탄화수소 기 또는 시아노 기-함유 헤테로사이클릭 기가 식 (A) 및 (b)로 나타낸 기를 포함하는 중심 골격의 말단으로 도입되는 구조를 갖는다.
식 (A)의 호스트 물질이 요건 (i)를 충족시키는 경우, A1A 및 A2A 중 하나 이상은 바람직하게는 시아노-치환된 페닐 기, 시아노-치환된 나프틸 기, 시아노-치환된 페난트릴 기, 시아노-치환된 디벤조푸라닐 기, 시아노-치환된 디벤조티오페닐 기, 시아노-치환된 비페닐 기, 시아노-치환된 터페닐 기, 시아노-치환된 9,9-디페닐플루오레닐 기, 시아노-치환된 9,9'-스피로비[9H-플루오렌]-2-일 기, 시아노-치환된 9,9'-디메틸플루오레닐 기, 또는 시아노-치환된 트리페닐레닐 기이고, 더 바람직하게는 3'-시아노비페닐-2-일 기, 3'-시아노비페닐-3-일 기, 3'-시아노비페닐-4-일 기, 4'-시아노비페닐-3-일 기, 4'-시아노비페닐-4-일 기, 4'-시아노비페닐-2-일 기, 6-시아노나프탈렌-2-일 기, 4-시아노나프탈렌-1-일 기, 7-시아노나프탈렌-2-일 기, 8-시아노디벤조푸란-2-일 기, 6-시아노디벤조푸란-4-일 기, 8-시아노디벤조티오펜-2-일 기, 6-시아노디벤조티오펜-4-일 기, 7-시아노-9-페닐카바졸-2-일 기, 6-시아노-9-페닐카바졸-3-일 기, 7-시아노-9,9-디메틸플루오렌-2-일 기, 또는 7-시아노트리페닐렌-2-일 기이다.
A1A가 시아노 기로 치환되고 A2A가 시아노 기로 치환되지 않는 식 (A)의 호스트 물질이 바람직하다. 이 경우에, 요건 (ii)를 충족시키지 않는 제1 호스트 물질이 더 바람직하다.
식 (A)의 호스트 물질이 요건 (ii)를 충족시키는 경우, X1A 내지 X4A 및 Y5A 내지 Y8A 중 하나 이상은 바람직하게는 CRa이고, X1A 내지 X4A 및 Y5A 내지 Y8A에서 하나의 Ra는 바람직하게는 시아노-치환된 페닐 기, 시아노-치환된 나프틸 기, 시아노-치환된 페난트릴 기, 시아노-치환된 디벤조푸라닐 기, 시아노-치환된 디벤조티오페닐 기, 시아노-치환된 비페닐 기, 시아노-치환된 터페닐 기, 시아노-치환된 9,9-디페닐플루오레닐 기, 시아노-치환된 9,9'-스피로비[9H-플루오렌]-2-일 기, 시아노-치환된 9,9'-디메틸플루오레닐 기, 또는 시아노-치환된 트리페닐레닐 기이고, 더 바람직하게는 3'-시아노비페닐-2-일 기, 3'-시아노비페닐-3-일 기, 3'-시아노비페닐-4-일 기, 4'-시아노비페닐-3-일 기, 4'-시아노비페닐-4-일 기, 4'-시아노비페닐-2-일 기, 6-시아노나프탈렌-2-일 기, 4-시아노나프탈렌-1-일 기, 7-시아노나프탈렌-2-일 기, 8-시아노디벤조푸란-2-일 기, 6-시아노디벤조푸란-4-일 기, 8-시아노디벤조티오펜-2-일 기, 6-시아노디벤조티오펜-4-일 기, 7-시아노-9-페닐카바졸-2-일 기, 6-시아노-9-페닐카바졸-3-일 기, 7-시아노-9,9-디메틸플루오렌-2-일 기, 또는 7-시아노트리페닐렌-2-일 기이다.
요건 (ii)를 충족시키지만, 요건 (i)를 충족시키지 않는 식 (A)의 호스트 물질이 바람직하다.
식 (A) 및 (XXII) 내지 (XXIV)에서, A1A 및 A2A는 바람직하게는 서로 상이하고, 더 바람직하게는, A1A은 시아노 기로 치환되지만 A2A는 시아노 기로 치환되지 않는다. 즉, 식 (A)의 호스트 물질은 바람직하게는 구조적으로 비대칭이다.
제1 호스트 물질의 제조 방법은 특정하게 제한되지 않고, 이는 공지된 방법에 따라, 예를 들면, 문헌[Tetrahedron 40(1984) 1435 to 1456]에 기재된 구리 촉매 또는 문헌[Journal of American Chemical Society 123(2001) 7727 to 7729]에 기재된 팔라듐 촉매의 존재하에 카바졸 유도체와 방향족 할로겐화 화합물의 커플링 반응에 의해 제조된다.
식 (A)의 호스트 물질의 예는 US2013234119호의 [0145]에서 언급된다.
바람직하게는 본 발명에 따른 전자 기기에서 공동 호스트로서 사용되는 바람직한 호스트 물질의 예는 US2013234119호, WO2012108388호 및 WO2014009317호에 언급되고, 하기와 같다:
Figure pct00168
Figure pct00169
본 발명에 따라, 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물은 또한 US20130234119호에서 "제2 호스트 물질"로 불리는 호스트 물질과 조합으로 사용될 수 있고, 특히 US20130234119호의 0146 내지 0195 문단을 참조한다. 추가로 특히 US20130234119호의 0146 내지 0195 문단에 따른 이들 화합물은 또한 본 발명에 따른 전자 기기에서 단일 호스트 물질로서, 예를 들면, 적색 에미터 물질 또는 녹색 에미터 물질, 바람직하게는 적색 에미터 물질을 위하여 사용될 수 있다. 녹색 발광 물질을 위한 호스트 물질로서 US20130234119호의 0146 내지 0195 문단에 따른 호스트 물질과 조합으로의 본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물의 사용이 바람직하다.
특히, 식 (1a)에 따른 화합물은 본 발명에 따른 전자 기기에서 호스트 물질로서 사용될 수 있다:
Figure pct00170
상기 식에서,
Z1 은 a 면에 축합된 고리 구조를 나타내고, 식 (1-1) 또는 (1-2)로 나타내고, Z2 는 b 면에 축합된 고리 구조를 나타내고, 식 (1-1) 또는 (1-2)로 나타내고, 단, Z1 및 Z2 중 하나 이상은 식 (1-1)로 나타내고;
M1은 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 질소-함유 방향족 헤테로고리를 나타내고;
L1은 단일 결합, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 2가 헤테로사이클릭 기, 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 사이클로알킬렌 기, 또는 선행 기가 서로 직접적으로 연결되는 기를 나타내고;
k는 1 또는 2를 나타낸다.
Figure pct00171
식 (1-1)에서, c 면은 식 (1)의 a 또는 b 면에 축합된다. 식 (1-2)에서, d, e 및 f 면 중 임의의 하나는 식 (1)의 a 또는 b 면에 축합된다. 식 (1-1) 및 (1-2)에서, X11은 황 원자, 산소 원자, N―R19, 또는 C(R20)(R21)를 나타내고; 각각의 R11 내지 R21은 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고, 단 R11 내지 R21의 인접한 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
식 (1a)의 M1로 나타낸 질소-함유 방향족 헤테로고리는 아진 고리를 포함한다.
질소-함유 방향족 헤테로고리의 예는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 아지리딘, 아자인돌리진, 인돌리진, 이미다졸, 인돌, 이소인돌, 인다졸, 퓨린, 프테리딘, β-카볼린, 나프트리딘, 퀴녹살린, 터피리딘, 비피리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 및 이미다조피리딘을 포함하고, 피리딘, 피리미딘, 및 트리아진이 특히 바람직하다. 식 (1a)은 바람직하게는 식 (2)로 나타낸다:
Figure pct00172
Z1은 a 면에 축합된 고리 구조를 나타내고, 식 (1-1) 또는 (1-2)로 나타내고, Z2는 b 면에 축합된 고리 구조를 나타내고, 식 (1-1) 또는 (1-2)에 의해 나타내고, 단 Z1 및 Z2 중 하나 이상은 식 (1-1)로 나타내고;
L1은 식 (1a)로 정의되고;
각각의 X12 내지 X14는 독립적으로 질소 원자, CH, 또는 R31 또는 L1에 결합된 탄소 원자를 나타내고, 단 X12 내지 X14 중 하나 이상은 질소 원자를 나타내고;
각각의 Y11 내지 Y13은 독립적으로 CH 또는 R31 또는 L1에 결합된 탄소 원자를 나타내고;
각각의 R31은 독립적으로 할로겐 원자, 시아노 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고;
둘 이상의 R31 기가 존재하는 경우, R31 기는 동일하거나 상이할 수 있고, 인접한 R31 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
k는 1 또는 2를 나타내고, n은 0 내지 4의 정수를 나타내고;
식 (1-1)의 c 면은 식 (2)의 a 또는 b 면에 축합되고; 식 (1-2)의 d, e 및 f 면 중 임의의 하나는 식 (2)의 a 또는 b 면에 축합된다.
식 (1-1) 또는 (1-2)로 나타낸 고리가 식 (2)의 a 또는 b 면에 축합되는 화합물의 예는 하기 표시된다:
Figure pct00173
Figure pct00174
식 (1) 또는 (2)로 나타낸 화합물은 더 바람직하게는 식 (3)으로 나타내고, 특히 바람직하게는 식 (4)로 나타낸다.
Figure pct00175
식 (3)에서, L1은 식 (1)에서 정의된 바와 같고;
각각의 X12 내지 X14는 독립적으로 질소 원자, CH, 또는 R31 또는 L1에 결합된 탄소 원자를 나타내고, 단 X12 내지 X14 중 하나 이상은 질소 원자로 나타내고;
각각의 Y11 내지 Y13은 독립적으로 CH 또는 R31 또는 L1에 결합된 탄소 원자를 나타내고;
각각의 R31은 독립적으로 할로겐 원자, 시아노 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고;
둘 이상의 R31 기가 존재하는 경우, R31 기는 동일하거나 상이할 수 있고, 인접한 R31 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
n은 0 내지 4의 정수를 나타내고;
각각의 R41 내지 R48은 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고;
R41 내지 R48의 인접한 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
Figure pct00176
식 (4)에서, L1은 식 (1)에서 정의된 바와 같고;
각각의 X12 내지 X14는 독립적으로 질소 원자, CH, 또는 R31 또는 L1에 결합된 탄소 원자를 나타내고, 단 X12 내지 X14 중 하나 이상은 질소 원자를 나타내고;
각각의 Y11 내지 Y13은 독립적으로 CH 또는 R31 또는 L1에 결합된 탄소 원자를 나타내고;
각각의 R31은 독립적으로 할로겐 원자, 시아노 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고;
인접한 R31 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
n은 0 내지 4의 정수를 나타내고;
각각의 L2 및 L3은 독립적으로 단일 결합, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 2가 헤테로사이클릭 기, 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 사이클로알킬렌 기, 또는 선행 기가 서로 직접적으로 연결되는 기를 나타내고;
각각의 R51 내지 R54는 독립적으로 할로겐 원자, 시아노 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고;
둘 이상의 R51 기가 존재하는 경우, R51 기는 동일하거나 상이할 수 있고, 인접한 R51 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
둘 이상의 R52 기가 존재하는 경우, R52 기는 동일하거나 상이할 수 있고, 인접한 R52 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
둘 이상의 R53 기가 존재하는 경우, R53 기는 동일하거나 상이할 수 있고, 인접한 R53 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
둘 이상의 R54 기가 존재하는 경우, R54 기는 동일하거나 상이할 수 있고, 인접한 R54 기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고;
M2는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기 또는 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
각각의 p 및 s는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, 각각의 q 및 r은 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
식 (1) 내지 (4), (1-1), 및 (1-2)에서, R11 내지 R21, R31, R41 내지 R48, 및 R51 내지 R54로 나타낸 기는 식 (A)에 관하여 상기 정의된 바와 같다.
식 (1) 내지 (4)의 L1 내지 L3으로 나타낸 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기 및 5 내지 30개의 고리 원자를 갖는 2가 헤테로사이클릭 기의 예는 식 (A)에 상기 기재된 상응하는 기의 2가 잔기를 포함한다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시양태에 따라, US20140048784호에 따른, 특히 0098 내지 0154 문단에 따른 호스트 물질은 본 발명에 따른 전자 기기에서, 특히 적색 발광 물질이 사용되는 경우, 사용될 수 있다. US20140048784호에 따른 호스트 물질은 단일 호스트 물질로서 사용될 수 있으며 이는 바람직할 수 있거나, 호스트 물질 및 공동 호스트로서 본 발명에 따른 화합물 (I), (II) 또는 (III)와 조합으로 사용될 수 있다.
US20140048784호에 따른 호스트 물질은 이의 분자에서 2개의 카바졸 구조를 갖는 비스카바졸 유도체이다.
비스카바졸 유도체는, 특정 위치에서, 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 피세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조[b]플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 플루오레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 비나프틸 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조나프토푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조나프토티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 나프토트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조플루오레닐 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐 기를 갖는다. 이의 예는 임의의 식 (1) 내지 (4), (1'), (1a), 및 (10)로 나타낸 화합물을 포함한다.
Figure pct00177
상기 식에서,
각각의 A1 및 A2는 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기를 나타내고;
각각의 Y1 내지 Y16은 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자를 나타내고, 각각의 R 기는 독립적으로 수소 원자, 치환기, 또는 카바졸 골격에 결합된 원자가를 나타내고;
각각의 L1 및 L2는 독립적으로 단일 결합, 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 헤테로사이클릭 기를 나타내고,
단, A1, A2 및 R 중 하나 이상은 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 피세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조[b]플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 비나프틸 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 나프토트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조플루오레닐 기, 또는 나프틸 기를 나타내고;
Y1 내지 Y16이 모두 C(R)을 나타내고, R이 수소 원자인 경우, Y6 및 Y11은 단일 결합을 통해 서로 결합하고, 각각의 L1 및 L2는 단일 결합을 나타내고, A1은 페난트레닐 기를 나타내고, A2는 페닐 기, 비페닐일 기, 또는 나프틸 기를 나타내고;
Y1 내지 Y16이 모두 C(R)을 나타내고, R이 수소 원자인 경우, Y6 및 Y11은 단일 결합을 통해 서로 결합하고, 각각의 L1 및 L2는 단일 결합을 나타내고, A1은 나프틸 기를 나타내고, A1 및 A2는 서로 상이하다.
식 (1) 및 (1')에서, Y1 내지 Y4 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y5 내지 Y8 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y9 내지 Y12 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y13 내지 Y16 중 하나 이상은 C(R)을 나타낸다.
추가로, Y5 내지 Y8 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y9 내지 Y12 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, 여기서 2개의 R 기는 서로 결합하는 원자가를 나타낸다.
식 (1) 및 (1')에서 R 기는 동일하거나 상이할 수 있다.
식 (1a)에서, Y1a 내지 Y4a 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y5a 내지 Y8a 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y9a 내지 Y12a 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y13a 내지 Y16a 중 하나 이상은 C(R)을 나타낸다.
추가로, Y5a 내지 Y8a 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, Y9a 내지 Y12a 중 하나 이상은 C(R)을 나타내고, 여기서 2개의 R 기는 서로 결합하는 원자가를 나타낸다.
식 (1a)에서 R 기는 동일하거나 상이할 수 있다.
식 (10)에서, Y1' 내지 Y4' 중 하나 이상은 C(R')을 나타내고, Y5' 내지 Y8' 중 하나 이상은 C(R')을 나타내고, Y9' 내지 Y12' 중 하나 이상은 C(R')을 나타내고, Y13' 내지 Y16' 중 하나 이상은 C(R')을 나타낸다.
추가로, Y5' 내지 Y8' 중 하나 이상은 C(R')을 나타내고, Y9' 내지 Y12' 중 하나 이상은 C(R')을 나타내고, 여기서 2개의 R' 기는 서로 결합되는 원자가를 나타낸다.
식 (10)에서 R' 기는 동일하거나 상이할 수 있다.
Figure pct00178
식 (2) 내지 (4)에서, 각각의 A1, A2, Y1 내지 Y16, L1, 및 L2는 식 (1)에 정의된 바와 같다.
Figure pct00179
상기 식에서,
각각의 A1 및 A2는 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기 또는 치환되거나 치환되지 않은 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 헤테로사이클릭 기를 나타내고;
각각의 Y1 내지 Y16은 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자를 나타내고, 각각의 R 기는 독립적으로 수소 원자, 치환기, 또는 카바졸 골격에 결합된 원자가를 나타내고;
각각의 L1 및 L2는 독립적으로 단일 결합, 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 헤테로사이클릭 기를 나타내고,
단, A1, A2 및 R 중 하나 이상은 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 피세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조[b]플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 플루오레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 비나프틸 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조나프토푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조나프토티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 나프토트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조플루오레닐 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐 기를 나타내고;
Y1 내지 Y16이 모두 C(R)을 나타내고, R이 수소 원자인 경우, Y6 및 Y11은 단일 결합을 통해 서로 결합하고, 각각의 L1 및 L2는 단일 결합을 나타내고, A1은 페난트레닐 기를 나타내고, A2는 페난트레닐 기를 나타내지 않고;
Y1 내지 Y16이 모두 C(R)을 나타내는 경우, Y6 및 Y11은 단일 결합을 통해 서로 결합하고, 각각의 L1 및 L2는 단일 결합을 나타내고, 각각의 R 기는 플루오레닐 기를 나타내지 않고;
A1은 플루오레닐 기를 나타내는 경우, A2는 페닐 기, 나프틸 기, 또는 플루오레닐 기를 나타내지 않는다.
Figure pct00180
상기 식에서,
A1a 및 A2a 중 하나는 식 (A)로 나타낸 기를 나타내고, 다른 하나는 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 피세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조[b]플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 비나프틸 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 나프토트리페닐레닐 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 벤조플루오레닐 기를 나타내고;
각각의 Y1a 내지 Y16a는 독립적으로 C(R) 또는 질소 원자를 나타내고, 각각의 R 기는 독립적으로 수소 원자, 치환기, 또는 카바졸 골격에 결합된 원자가를 나타내고;
각각의 L1a 및 L2a는 독립적으로 단일 결합, 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 헤테로사이클릭 기를 나타내고:
Figure pct00181
상기 식에서, 각각의 Y21 및 Y25는 독립적으로 C(Ra) 또는 질소 원자를 나타내고, 각각의 Ra 기는 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
식 (1a) 및 (a)에서 A1a, A2a, Y1a 내지 Y16a, L1a, L2a, 및 Ra의 세부사항은 식 (1)에서 A1, A2, Y1 내지 Y16, L1, L2, 및 R의 것과 동일하다.
A1a 및 A2a 중 하나가 식 (A)로 나타낸 기를 나타내고 다른 하나가 큰 분자량 축합된 고리, 예를 들면, 트리페닐레닐 기 및 크리세닐 기를 포함하는 기를 나타내는 경우, 식 (1a)로 나타낸 화합물은 기상 증착 온도를 증가시키고 따라서 열 분해된 구성원의 양을 증가시킬 수 있는 과도하게 큰 분자량을 갖는다. 따라서, A1a 및 A2a 중 하나가 식 (A)로 나타낸 기를 나타내는 경우, 다른 하나는 바람직하게는 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기 또는 치환되거나 치환되지 않은 페난트레닐 기를 나타낸다.
Figure pct00182
상기 식에서,
A1' 및 A2' 중 하나는 치환되거나 치환되지 않은 나프틸 기 또는 치환되거나 치환되지 않은 플루오레닐 기를 나타내고, 다른 하나는 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기를 나타내고;
각각의 Y1' 내지 Y16'은 독립적으로 C(R') 또는 질소 원자를 나타내고, 각각의 R' 기는 독립적으로 수소 원자, 치환기, 또는 카바졸 골격에 결합된 원자가를 나타내고;
각각의 L1' 및 L2'는 독립적으로 단일 결합, 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 헤테로사이클릭 기를 나타낸다.
식 (10)에서 A1', A2', L1', L2', Y1' 내지 Y16', 및 R'의 세부사항은 식 (1)에서 A1, A2, L1, L2, Y1 내지 Y16, 및 R의 것과 동일하다.
식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서, A1, A2 및 R 중 하나 이상은 바람직하게는 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 피세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조[b]플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 플루오레닐 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 비나프틸 기를 나타내고, 이는 이들 기가 적당하게 부피가 크기 때문이다. 더 바람직하게는, A1 및 A2 중 하나 이상은 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조크리세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 피세닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조[b]플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조푸라닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조티오페닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조티오페닐 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 비나프틸 기를 나타낸다.
또한 바람직하게는, 식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서 각각의 A1 및 A2는 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 플루오르안테닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조트리페닐레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 벤조페난트레닐 기, 치환되거나 치환되지 않은 디벤조푸라닐 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 디벤조티오페닐 기를 나타낸다.
추가로, 식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서 -L1-A1 및 -L2-A2는 바람직하게는 서로 상이하다.
임의의 A1, A2 및 R에 대한 치환되거나 치환되지 않은 페닐 기는 바람직하게는 10 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기로 치환된 페닐 기, 특히 바람직하게는 나프틸페닐 기이다.
식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서 A1 및 A2 중 하나 이상이 식 (A)로 나타낸 기를 나타내는 경우, 비스카바졸 유도체는 녹색 방출 도펀트와 조합으로 사용되는 호스트 물질로서 특히 바람직하다.
식 (A)에서, Y21 및/또는 Y25는 바람직하게는 질소 원자를 나타내고, 각각의 Y22 및 Y24는 더 바람직하게는 C(Ra)을 나타낸다.
식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서 A1 및 A2가 가질 수 있는 치환기 및 R 및 Ra로 나타낸 치환기의 특정한 예는 플루오르 원자; 시아노 기; 치환되거나 치환되지 않은, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알킬 기; 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알킬렌 기; 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형, 2가, 불포화 탄화수소 기; 치환되거나 치환되지 않은, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알콕시 기; 치환되거나 치환되지 않은, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 할로알킬 기; 치환되거나 치환되지 않은, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 할로알콕시 기; 치환되거나 치환되지 않은, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알킬실릴 기; 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기; 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기; 및 치환되거나 치환되지 않은, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 헤테로사이클릭 기를 포함한다. 추가로, 임의의 이러한 유형의 복수의 치환기가 존재할 수 있고, 복수의 치환기가 존재하는 경우, 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
인접한 고리 탄소 원자 위의 R 기는 고리 탄소 원자와 함께 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알킬 기의 예는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, s-부틸 기, 이소부틸 기, t-부틸 기, n-펜틸 기, n-헥실 기, n-헵틸 기, n-옥틸 기, n-노닐 기, n-데실 기, n-운데실 기, n-도데실 기, n-트리데실 기, n-테트라데실 기, n-펜타데실 기, n-헥사데실 기, n-헵타데실 기, n-옥타데실 기, 네오펜틸 기, 1-메틸펜틸 기, 2-메틸펜틸 기, 1-펜틸헥실 기, 1-부틸펜틸 기, 1-헵틸옥틸 기, 3-메틸펜틸 기, 사이클로펜틸 기, 사이클로헥실 기, 사이클로옥틸 기, 3,5-테트라메틸사이클로헥실 기, 트리플루오로메틸 기, 2,2,2-트리플루오로에틸 기, 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필 기를 포함한다.
1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알킬렌 기의 예는 에틸렌 기, 프로필렌 기, 및 부틸렌 기를 포함한다.
1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형, 2가 불포화 탄화수소 기의 예는 1,3-부타디엔-1,4-디일 기를 포함한다.
1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형, 또는 환형 알킬실릴 기의 예는 트리메틸실릴 기, 트리에틸실릴 기, 트리부틸실릴 기, 디메틸에틸실릴 기, 디메틸이소프로필실릴 기, 디메틸프로필실릴 기, 디메틸부틸실릴 기, 디메틸-t-부틸실릴 기, 및 디에틸이소프로필실릴 기를 포함한다.
6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴 기의 예는 페닐디메틸실릴 기, 디페닐메틸실릴 기, 디페닐-t-부틸실릴 기, 및 트리페닐실릴 기를 포함한다.
할로겐 원자의 예는 플루오르 원자를 포함한다.
2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 헤테로사이클릭 기의 예는 축합되지 않은 방향족 헤테로사이클릭 및 축합된 방향족 헤테로사이클릭 기, 더 특히, 피롤릴 기, 피라지닐 기, 피리디닐 기, 인돌릴 기, 이소인돌릴 기, 푸릴 기, 벤조푸라닐 기, 이소벤조푸라닐 기, 디벤조푸라닐 기, 디벤조티오페닐 기, 퀴놀릴 기, 이소퀴놀릴 기, 퀴녹살리닐 기, 카바졸릴 기, 페난트리디닐 기, 아크리디닐 기, 페난트롤리닐 기, 티에닐 기, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘 고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤족사졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤즈이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리, 및 벤조[c]디벤조푸란 고리의 잔기를 포함한다.
6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기의 예는 축합되지 않은 방향족 탄화수소 기 및 축합된 방향족 탄화수소 기, 더 특히, 페닐 기, 나프틸 기, 페난트릴 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 쿼터페닐 기, 플루오르안테닐 기, 트리페닐레닐 기, 페난트레닐 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 벤조[c]페난트레닐 기, 벤조[α]트리페닐레닐 기, 나프토[1,2-c]페난트레닐 기, 나프토[1,2-a]트리페닐레닐 기, 디벤조[a,c]트리페닐레닐 기, 및 벤조[b]플루오르안테닐 기를 포함한다.
식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서 L1 및 L2로 나타낸 2가 연결 기의 예는 치환되거나 치환되지 않은, 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기 및 치환되거나 치환되지 않은, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 헤테로사이클릭 기를 포함한다.
6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 탄화수소 기의 예는 상기 언급된 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 기의 예를 2가 기로 제조함으로써 수득된 기를 포함한다.
추가로, 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 2가 방향족 헤테로사이클릭 기의 특정한 예는 상기 언급된 2 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는 방향족 헤테로사이클릭 기의 예를 2가 기로 제조함으로써 수득된 기를 포함한다.
각각의 식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서, Y1 내지 Y16은 모두 바람직하게는 C(R)을 나타낸다.
각각의 식 (1) 내지 (4) 및 (1')에서, Y1 내지 Y8 또는 Y9 내지 Y16에서 R로 나타낸 치환기의 수는 바람직하게는 0 내지 2, 더 바람직하게는 0 또는 1이다.
식 (1) 내지 (4), (1'), 및 (10) 중 임의의 하나로 나타낸 비스카바졸 유도체의 특정한 예는 하기 화합물을 포함한다. 하기 구조 일반식에서, D는 중수소(듀테륨)를 나타낸다.
본 발명에 따라, 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물은 바람직하게는 본 발명에 따른 전자 기기의 발광층에서, 바람직하게는 OLED에서 호스트 물질로서 사용된다. 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물은 (a) 단일 호스트 물질로서 사용될 수 있거나, (b) 상기 언급된 호스트 물질로서 적합한 임의의 화합물과 조합으로 사용될 수 있다. 적색 발광 물질이 발광층에 존재하는 경우, 실시양태 (a)가 바람직하다. 녹색 발광 물질이 발광층에 존재하는 경우, 실시양태 (b)가 바람직하다.
청색 도펀트가 발광층에 존재하는 경우, 사용될 수 있는 바람직한 호스트 물질은 US 2012/112169호에 언급된다. 바람직하게는, 식 (5)로 나타낸 안트라센 유도체가 청색 도펀트를 위한 호스트 물질로서 사용된다:
Figure pct00183
식 (5)에서, Ar11 및 Ar12는 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 50개의 고리 원자를 갖는 단환형 기, 치환되거나 치환되지 않은 8 내지 50개의 고리 원자를 갖는 축합된 고리 기, 또는 단환형 기과 축합된 고리 기의 조합에 의해 형성된 기이고, R101 내지 R108은 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 50개의 고리 원자를 갖는 단환형 기, 치환되거나 치환되지 않은 8 내지 50개의 고리 원자를 갖는 축합된 고리 기, 단환형 기과 축합된 고리 기의 조합에 의해 형성된 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 50개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 3 내지 50개의 고리 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 1 내지 50개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 치환되거나 치환되지 않은 7 내지 50개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 치환되거나 치환되지 않은 6 내지 50개의 고리 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기, 치환되거나 치환되지 않은 실릴 기, 할로겐 원자 및 시아노 기로부터 선택된 기이다.
식 (5)에서 단환형 기는 축합된 구조를 갖지 않는 고리 구조로만 구성된 기를 의미한다.
5 내지 50개(바람직하게는 5 내지 30개, 더 바람직하게는 5 내지 20개)의 고리 원자를 갖는 단환형 기의 특정한 예로서, 방향족 기, 예를 들면, 페닐 기, 비페닐 기, 터페닐 기 및 쿼터페닐 기, 및 헤테로사이클릭 기, 예를 들면, 피리딜 기, 피라질 기, 피리미딜 기, 트리아지닐 기, 푸릴 기 및 티에닐 기가 바람직하게는 제공될 수 있다.
이들 중에서, 페닐 기, 비페닐 기 또는 터페닐 기가 바람직하다.
식 (5)에서 축합된 고리 기는 2개 이상의 고리 구조의 축합에 의해 형성된 기를 의미한다.
8 내지 50개(바람직하게는 8 내지 30개, 더 바람직하게는 8 내지 20개)의 고리 원자를 갖는 축합된 고리 기의 특정한 예로서, 축합된 방향족 고리 기, 예를 들면, 나프틸 기, 페난트릴 기, 안트릴 기, 크리세닐 기, 벤즈안트릴 기, 벤조페난트릴 기, 트리페닐레닐 기, 벤조크리세닐 기, 인데닐 기, 플루오레닐 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 벤조플루오레닐 기, 디벤조플루오레닐 기, 플루오르안테닐 기 및 벤조플루오르안테닐 기, 및 축합된 헤테로사이클릭 기, 예를 들면, 벤조푸라닐 기, 벤조티오페닐 기, 인돌릴 기, 디벤조푸라닐 기, 디벤조티오페닐 기, 카바졸릴 기, 퀴놀릴 기 및 페난트롤리닐 기가 바람직하게는 제공될 수 있다.
이들 중에서, 나프틸 기, 페난트릴 기, 안트릴 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 플루오르안테닐 기, 벤즈안트릴 기, 디벤조티오페닐 기, 디벤조푸라닐 기 또는 카바졸릴 기가 바람직하다.
Ar11, Ar12, 및 R101 내지 R108에서 "치환되거나 치환되지 않은..."의 바람직한 치환기로서, 단환형 기, 축합된 고리 기, 알킬 기, 사이클로알킬 기, 실릴 기, 알콕시 기, 시아노 기 및 할로겐 원자(특히, 플루오르)가 제공될 수 있다. 단환형 기 및 축합된 고리 기가 특히 바람직하다.
식 (5)로 나타낸 안트라센 유도체는 임의의 하기 안트라센 유도체 (A), (B) 및 (C)인 것이 바람직하고, 이는 이것이 적용되는 유기 EL 장치의 구조 또는 요구된 성질에 따라 선택된다.
(안트라센 유도체 (A))
이러한 안트라센 유도체는 Ar11 및 Ar12가 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 8 내지 50개의 고리 원자를 갖는 축합된 고리 기인 식 (5)의 유도체이다. 이러한 안트라센 유도체는 Ar11 및 Ar12가 동일한 치환되거나 치환되지 않은 축합된 고리 기인 경우 및 Ar11 및 Ar12가 상이한 치환되거나 치환되지 않은 축합된 고리 기인 경우로 분류될 수 있다.
Ar11 및 Ar12가 상이한(치환된 위치의 상이함을 포함함) 치환되거나 치환되지 않은 축합된 고리 기인 식 (5)의 안트라센 유도체가 특히 바람직하다. 축합된 고리의 바람직한 특정한 예는 상기 기재된 것들과 동일하다. 이들 중에서, 나프틸 기, 페난트릴 기, 벤즈안트릴 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기 및 디벤조푸라닐 기가 바람직하다.
(안트라센 유도체 (B))
이러한 안트라센 유도체는 Ar11 및 Ar12 중 하나가 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 50개의 고리 원자를 갖는 단환형 기이고, 다른 하나가 치환되거나 치환되지 않은 8 내지 50개의 고리 원자를 갖는 축합된 고리 기인 식 (5)의 유도체이다.
바람직한 실시양태로서, Ar12는 나프틸 기, 페난트릴 기, 벤즈안트릴 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기 또는 디벤조푸라닐 기이고, Ar11은 단환형 기 또는 축합된 고리 기로 치환된 페닐 기이다.
또 다른 바람직한 실시양태로서, Ar12는 축합된 고리 기이고, A11은 치환되지 않은 페닐 기이다. 이러한 경우, 축합된 고리 기로서, 페난트릴 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 디벤조푸라닐 기 및 벤조안트릴 기가 특히 바람직하다.
(안트라센 유도체 (C))
이러한 안트라센 유도체는 Ar11 및 Ar12가 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 5 내지 50개의 고리 원자를 갖는 단환형 기인 식 (5)의 유도체이다.
바람직한 실시양태로서, Ar11 및 Ar12는 둘 다 치환되거나 치환되지 않은 페닐 기이다.
추가로 바람직한 실시양태로서, Ar11은 치환되지 않은 페닐 기이고, Ar12는 치환기로서 단환형 기 또는 축합된 고리 기를 갖는 페닐 기이고, Ar11 및 Ar12는 독립적으로 치환기로서 단환형 기 또는 축합된 고리 기를 갖는 페닐 기이다.
치환기로서의 단환형 기 및 축합된 고리 기의 바람직한 특정한 예는 상기 기재된 것들과 동일하다. 치환기로서의 단환형 기로서, 페닐 기 및 비페닐 기가 추가로 바람직하다. 치환기로서의 축합된 고리 기로서, 나프틸 기, 페난트릴 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 디벤조푸라닐 기 및 벤즈안트릴 기는 추가로 바람직하다.
정공/엑시톤 차단층(f):
차단층은 발광층을 이탈하는 전하 캐리어(전자 또는 정공) 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 정공 차단층은 전자 수송층(g)의 방향으로 이탈층(e)으로부터 정공을 차단하기 위하여 발광층(e)과 전자 수송층(g) 사이에 위치할 수 있다. 차단층은 또한 발광층 외부로의 확산으로부터 엑시톤을 차단하는데 사용될 수 있다.
OLED에서 전형적으로 사용되는 추가의 정공 차단 물질은 2,6-비스(N-카바졸릴)피리딘(mCPy), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(바토쿠프로인, (BCP)), 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)-4-페닐페닐레이트)알루미늄(III)(BAIq), 페노티아진 S,S-디옥사이드 유도체 및 1,3,5-트리스(N-페닐-2-벤질이미다졸릴)벤젠)(TPBI)이고, TPBI이 또한 전자 수송 물질로서 적합하다. 추가의 적합한 정공 차단 및/또는 전자 전도체 물질은 2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸), 2-(4-비페닐일)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 8-하이드록시퀴놀리노라토리튬, 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸, 1,3-비스[2-(2,2'-비피리딘-6-일)-1,3,4-옥사디아조-5-일]벤젠, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린, 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-tert-부틸페닐-1,2,4-트리아졸, 6,6'-비스[5-(비페닐-4-일)-1,3,4-옥사디아조-2-일]-2,2'-비피리딜, 2-페닐-9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센, 2,7-비스[2-(2,2'-비피리딘-6-일)-1,3,4-옥사디아조-5-일]-9,9-디메틸플루오렌, 1,3-비스[2-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아조-5-일]벤젠, 2-(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린, 트리스(2,4,6-트리메틸-3-(피리딘-3-일)페닐)보란, 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린, 1-메틸-2-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)-1H-이미다조[4,5-f][1,10]페난트롤린이다. 추가의 실시양태에서, WO2006/100298호에 개시된 바와 같은 카보닐 기를 포함하는 기를 통해 결합되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 포함하는 화합물, 예를 들면, PCT 출원 WO2009/003919호 및 WO2009003898호에 명시된 바와 같은 디실릴카바졸, 디실릴벤조푸란, 디실릴벤조티오펜, 디실릴벤조포스폴, 디실릴벤조티오펜 S-옥사이드 및 디실릴벤조티오펜 S,S-디옥사이드로 구성된 군으로부터 선택된 디실릴 화합물, 및 WO2008/034758호에 개시된 바와 같은 디실릴 화합물을 정공/엑시톤을 위한 차단층(f)으로서 사용되는 것이 가능하다.
또 다른 바람직한 실시양태에서 화합물 (SH-1), (SH-2), (SH-3), SH-4, SH-5, SH-6, (SH-7), (SH-8), (SH-9), (SH-10) 및 (SH-11)은 정공/엑시톤 차단 물질로서 사용될 수 있다.
전자 수송층(g):
전자 수송층은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않거나), 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 개선시키기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 단독으로 또는 하기 언급된 하나 이상의 전자 수송 물질과 조합으로, 전자 수송 물질로서 적합하다. 본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물은 바람직하게는, 청색 형광 에미터가 발광층에 존재하는 경우, 전자 수송 물질로서 적합하다.
전자 수송 물질로서 본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 조합으로 또는 본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 부재하에 사용될 수 있는 본 발명의 OLED의 층(g)을 위한 추가의 적합한 전자 수송 물질은 옥시노이드 화합물에 의해 킬레이트화된 금속, 예를 들면, 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3), 페난트롤린계 화합물, 예를 들면, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DDPA = BCP), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(Bphen), 2,4,7,9-테트라페닐-1,10-페난트롤린, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DPA) 또는 EP1786050호, EP1970371호, 또는 EP1097981호에 개시된 페난트롤린 유도체, 및 아졸 화합물, 예를 들면, 2-(4-비페닐일)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-비페닐일)-4페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)을 포함한다.
전자 수송 물질로서 본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 조합으로 또는 본 발명에 따른 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 부재하에 사용될 수 있는 추가의 적합한 전자 수송 물질은 문헌[Abhishek P. Kulkarni, Christopher J. Tonzola, Amit Babel, and Samson A. Jenekhe, Chem. Mater. 2004, 16, 4556-4573]; [G. Hughes, M. R. Bryce, J. Mater. Chem. 2005, 15, 94-107] 및 [Yasuhiko Shirota and Hiroshi Kageyama, Chem. Rev. 2007, 107, 953-1010(ETM, HTM)]에 언급된다.
전자 수송층에서 둘 이상의 물질의 혼합물을 사용하는 것이 마찬가지로 가능하고, 이 경우, 하나 이상의 물질은 전자 전도성이다. 바람직하게는, 이러한 혼합된 전자 수송층에서, 하나 이상의 페난트롤린 화합물, 바람직하게는 BCP, 또는 하기 식 (XVI)에 따른 하나 이상의 피리딘 화합물, 바람직하게는 하기 식 (XVIa)의 화합물이 사용된다. 더 바람직하게는, 혼합된 전자 수송층에서, 하나 이상의 페난트롤린 화합물 이외에, 알칼리 토금속 또는 알칼리 금속 하이드록시퀴놀레이트 착물, 예를 들면, Liq가 사용된다. 적합한 알칼리 토금속 또는 알칼리 금속 하이드록시퀴놀레이트 착물은 하기 명시된다(일반식 XVII). WO2011/157779호를 참조한다.
전자 수송층은 또한 사용된 물질의 수송 성질을 개선시키기 위하여, 첫째로 층 두께를 더 넉넉하게 하기 위하여(핀홀/단락의 회피), 그리고 둘째로 장치의 작동 전압을 최소화하기 위하여, 전자적으로 도핑될 수 있다. 전자 도핑은 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있고, 예를 들면, 문헌[W. Gao, A. Kahn, J. Appl. Phys., Vol. 94, No. 1, 1　July　2003(p-도핑된 유기층)]; [A. G. Werner, F. Li, K. Harada, M. Pfeiffer, T.　Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No. 25, 23 June 2003] 및 [Pfeiffer et al., Organic Electronics 2003, 4, 89 - 103] 및 [K. Walzer, B. Maennig, M. Pfeiffer, K. Leo, Chem. Soc. Rev. 2007, 107, 1233]에 개시된다. 예를 들면, 전자 수송층의 전자 n-도핑을 야기하는 혼합물을 사용하는 것이 가능하다. n-도핑은 환원성 물질의 첨가에 의해 달성된다. 이들 혼합물은, 예를 들면, 상기 언급된 전자 수송 물질과 알칼리/알칼리 토금속 또는 알칼리/알칼리 토금속 염, 예를 들면, Li, Cs, Ca, Sr, Cs2CO3, 알칼리 금속 착물, 예를 들면, 8-하이드록시퀴놀라토리튬(Liq), 및 Y, Ce, Sm, Gd, Tb, Er, Tm, Yb, Li3N, Rb2CO3, 디칼륨 프탈레이트, EP1786050호로부터의 W(hpp)4, 또는 EP1837926B1호, EP1837927호, EP2246862호 및 WO2010132236호에 기재된 화합물의 혼합물일 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 고도의 전자 주입성 및/또는 고도의 전자 수송성을 갖는 성분을, 바람직하게는 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물과 조합으로, 포함한다. 성분은, 예를 들면, 성분은, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리 금속 포함 화합물, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속 포함 화합물, 희토류 금속, 및 희토류 금속 포함 화합물이다.
알칼리 금속은 Li, Na, K, Rb, 및 Cs일 수 있다. 알칼리 금속 포함 화합물은 할로겐화물, 예를 들면, 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 및 요오다이드, 산화물, 및 착물, 예를 들면, 8-퀴놀리놀라토리튬(Liq)일 수 있다.
알칼리 토금속은 Be, Mg, Ca, Sr, 및 Ba일 수 있다. 알칼리 토금속 포함 화합물은 할로겐화물, 예를 들면, 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 및 요오다이드, 산화물, 및 착물, 예를 들면, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)페릴륨(BeBq2)일 수 있다.
희토류 금속은 Sc, Y, Ce, Eu, Tb, Er, 및 Lu일 수 있다. 희토류 금속 포함 화합물은 할로겐화물, 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 및 요오다이드, 산화물, 및 착물일 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 전자 수송층을 식 (XVII)의 하나 이상의 화합물을 포함한다:
Figure pct00184
상기 식에서,
R32' 및 R33'은 각각 독립적으로 F, C1-C8-알킬, 또는 C6-C14-아릴이고, 이는 하나 이상의 C1-C8-알킬 기로 임의로 치환되거나,
2개의 R32' 및/또는 R33' 치환기는 함께 축합된 벤젠 고리를 형성하고, 이는 하나 이상의 C1-C8-알킬 기로 임의로 치환되고;
a 및 b는 각각 독립적으로 0, 또는 1, 2 또는 3이고,
M1은 알칼리 금속 원자 또는 알칼리 토금속 원자이고,
M1이 알칼리 금속 원자인 경우, p는 1이고, M1이 알칼리 토금속 원자인 경우, p는 2이다.
식 (XVII)의 매우 특히 바람직한 화합물은
Figure pct00185
(Liq)이고, 이는 단일 종, 또는 다른 형태, 예를 들면, LigQg로 존재할 수 있고, 여기서 g는 정수이고, 예를 들면, Li6Q6이다. Q는 8-하이드록시퀴놀레이트 리간드 또는 8-하이드록시퀴놀레이트 유도체이다.
추가의 바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 식 (XVI)의 하나 이상의 화합물을 포함한다:
Figure pct00186
(XVI)
상기 식에서,
R34", R35", R36", R37", R34', R35', R36' 및 R37'은 각각 독립적으로 H, C1-C18-알킬, E'로 치환되고/되거나 D'에 의해 개재된 C1-C18-알킬, C6-C24-아릴, G'로 치환된 C6-C24-아릴, C2-C20-헤테로아릴 또는 G'로 치환된 C2-C20-헤테로아릴이고;
Q은 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기이고, 각각은 G'로 임의로 치환되고;
D'는 -CO-; -COO-; -S-; -SO-; -SO2-; -O-; -NR40'-; -SiR45'R46'-; -POR47'-; -CR38'=CR39'-; 또는 -C≡C-이고;
E'는 -OR44'; -SR44'; -NR40'R41'; -COR43'; -COOR42'; -CONR40'R41'; -CN; 또는 F이고;
G'는 E', C1-C18-알킬, D'에 의해 개재된 C1-C18-알킬, C1-C18-퍼플루오로알킬, C1-C18-알콕시, 또는 E'로 치환되고/되거나 D'에 의해 개재된 C1-C18-알콕시이고, 여기서,
R38' 및 R39'는 각각 독립적으로 H, C6-C18-아릴; C1-C18-알킬 또는 C1-C18-알콕시로 치환된 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬; 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18-알킬이고;
R40' 및 R41'은 각각 독립적으로 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬 또는 C1-C18-알콕시로 치환된 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬; 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18-알킬이거나;
R40' 및 R41'은 함께 6원 고리를 형성하고;
R42' 및 R43'은 각각 독립적으로 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬 또는 C1-C18-알콕시로 치환된 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬; 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18-알킬이고,
R44'는 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬 또는 C1-C18-알콕시로 치환된 C6-C18-아릴; C1-C18-알킬; 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18-알킬이고,
R45' 및 R46'은 각각 독립적으로 C1-C18-알킬, C6-C18-아릴 또는 C1-C18-알킬로 치환된 C6-C18-아릴이고,
R47'은 C1-C18-알킬, C6-C18-아릴 또는 C1-C18-알킬로 치환된 C6-C18-아릴이다.
식 (XVI)의 바람직한 화합물은 식 (XVIa)의 화합물이다:
Figure pct00187
상기 식에서,
Q는
Figure pct00188
이고,
R48'는 H 또는 C1-C18-알킬이고,
R48"는 H, C1-C18-알킬
Figure pct00189
이다.
식 (ETM-2)의 화합물이 특히 바람직하다:
Figure pct00190
추가의 매우 특히 바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 화합물 Liq 및 화합물 ETM-2를 포함한다.
바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 99 내지 1 중량%, 바람직하게는 75 내지 25 중량%, 더 바람직하게는 약 50 중량%의 양의 식 (XVII)의 하나 이상의 화합물, 및 1 내지 99 중량%, 바람직하게는 25 내지 75 중량%, 더 바람직하게는 약 50 중량%의 양의 식 (XVI)의 하나 이상의 화합물을 포함하고, 식 (XVII)의 화합물의 양과 식 (XVI)의 화합물의 양의 합은 총 100 중량%가 된다.
식 (XVI)의 화합물의 제조는 문헌[J. Kido et al., Chem. Commun.(2008) 5821-5823, J. Kido et al., Chem. Mater. 20(2008) 5951-5953] 및 JP2008/127326호에 기재되거나, 화합물은 상기 언급된 문서에 개시된 방법과 유사하게 제조될 수 있다.
전자 수송층에서 알칼리 금속 하이드록시퀴놀레이트 착물, 바람직하게는 Liq와 디벤조푸란 화합물의 혼합물을 사용하는 것이 마찬가지로 가능하다. WO2011/157790호를 참조한다. WO2011/157790호에 기재된 디벤조푸란 화합물 A-1 내지 A-36 및 B-1 내지 B-22가 바람직하고, 여기서 디벤조푸란 화합물
Figure pct00191
(A-10; = ETM-1)이 가장 바람직하다.
바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 99 내지 1 중량%, 바람직하게는 75 내지 25 중량%, 더 바람직하게는 약 50 중량%의 양의 Liq, 및 1 내지 99 중량%, 바람직하게는 25 내지 75 중량%, 더 바람직하게는 약 50 중량%의 양의 하나 이상의 디벤조푸란 화합물을 포함하고, 여기서 Liq의 양과 디벤조푸란 화합물(들), 특히 ETM-1의 양의 합은 총 100 중량%가 된다.
바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 하나 이상의 페난트롤린 유도체 및/또는 피리딘 유도체를 포함한다.
추가의 바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 하나 이상의 페난트롤린 유도체 및/또는 피리딘 유도체 및 하나 이상의 알칼리 금속 하이드록시퀴놀레이트 착물을 포함한다.
추가의 바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 WO2011/157790호에 기재된 디벤조푸란 화합물 A-1 내지 A-36 및 B-1 내지 B-22 중 하나 이상, 특히 ETM-1을 포함한다.
추가의 바람직한 실시양태에서, 전자 수송층은 WO2012/111462호, WO2012/147397호, WO2012014621호에 기재된 화합물, 예를 들면, 식
Figure pct00192
(ETM-3)의 화합물, US2012/0261654호에 기재된 화합물, 예를 들면, 식
Figure pct00193
(ETM-4)의 화합물, 및 WO2012/115034호에 기재된 화합물, 예를 들면, 식
Figure pct00194
(ETM-5)의 화합물을 포함한다.
본 발명에 따른 OLED의 전자 주입층의 추가의 바람직한 실시양태는 US 2013306955호에 언급된다.
특히, 발광층과 캐소드 사이의 본 발명에 따른 OLED의 전자 수송층은, 바람직하게는 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을 포함한다.
바람직한 실시양태에서, 식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 수송층은 환원성 도펀트를 추가로 포함한다.
환원성 도펀트의 예는 공여 금속, 공여 금속 화합물, 및 공여 금속 착물을 포함한다. 환원성 도펀트는 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
본원에서 언급되는 환원성 도펀트는 전자 공여 물질이다. 전자 공여 물질은 전자 수송층에서 공존하는 유기 물질 또는 전자 수송층에 인접한 층에서 유기 물질과 상호작용에 의해 라디칼 음이온을 생성하는 물질, 또는 전자 공여 라디칼을 갖는 물질이다.
공여 금속은 3.8 eV 이하의 일함수를 갖는 금속, 바람직하게는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 희토류 금속, 더 바람직하게는 Cs, Li, Na, Sr, K, Mg, Ca, Ba, Yb, Eu, 또는 Ce이다.
공여 금속 화합물은 상기 공여 금속을 포함하는 화합물, 바람직하게는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 희토류 금속을 포함하는 화합물, 더 바람직하게는 이들 금속의 할로겐화물, 산화물, 탄산화물, 또는 붕산염, 예를 들면, MOx(M: 공여 금속, x: 0.5 내지 1.5), MFx(x: 1 내지 3), 또는 M(CO3)x(x: 0.5 내지 1.5)로 나타낸 화합물이다.
공여 금속 착물은 상기 공여 금속을 포함하는 착물, 바람직하게는 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 희토류 금속의 유기 금속 착물, 더 바람직하게는 일반식 (I)로 나타낸 유기 금속 착물이다:
Figure pct00195
상기 식에서, M은 공여 금속이고, Q는 리간드, 바람직하게는 카복실산 유도체, 디케톤 유도체, 또는 퀴놀린 유도체이고, n은 1 내지 4의 정수이다.
공여 금속 착물의 예는 JP 2005-72012A호에 기재된 물레방아 형상의 텅스텐 화합물, 및 JP 11-345687A호에 기재된 중심 금속으로서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 갖는 프탈로시아닌 화합물을 포함한다.
환원성 도펀트는 바람직하게는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 토금속 산화물, 알칼리 토금속 할로겐화물, 희토류 금속 산화물, 희토류 금속 할로겐화물, 알칼리 금속을 갖는 유기 착물, 알칼리 토금속을 갖는 유기 착물, 및 희토류 금속을 갖는 유기 착물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 더 바람직하게는 알칼리 금속의 8-퀴놀리놀 착물이다.
알칼리 금속의 예를 하기를 포함한다:
Li(리튬, 일함수: 2.93 eV),
Na(나트륨, 일함수: 2.36 eV),
K(칼륨, 일함수: 2.3 eV),
Rb(루비듐, 일함수: 2.16 eV), 및
Cs(세슘, 일함수: 1.95 eV).
일함수의 값은 문헌[Handbook of Chemistry(Pure Chemistry II, 1984, p. 493, edited by The Chemical Society of Japan)]을 기초로 한다. 동일한 것이 하기에 적용된다.
알칼리 토금속의 바람직한 예는 하기와 같다:
Ca(칼슘, 일함수: 2.9 eV),
Mg(마그네슘, 일함수: 3.66 eV),
Ba(바륨, 일함수: 2.52 eV), 및
Sr(스트론튬, 일함수: 2.0 내지 2.5 eV).
스트론튬의 일함수는 문헌[Physics of Semiconductor Device(N.Y., Wiley, 1969, p. 366)]을 기초로 한다.
희토류 금속의 바람직한 예는 하기와 같다:
Yb(이테르븀, 일함수: 2.6 eV),
Eu(유로퓸, 일함수: 2.5 eV),
Gd(가돌리늄, 일함수: 3.1 eV), 및
Er(에르븀, 일함수: 2.5 eV).
알칼리 금속 산화물의 예는 Li2O, LiO, 및 NaO를 포함한다. 알칼리 토금속 산화물은 바람직하게는 CaO, BaO, SrO, BeO, 또는 MgO이다.
알칼리 금속 할로겐화물의 예는 플루오라이드, 예를 들면, LiF, NaF, CsF, 및 KF 및 클로라이드, 예를 들면, LiCl, KCl, 및 NaCl을 포함한다.
알칼리 토금속 할로겐화물은 바람직하게는 플루오라이드, 예를 들면, CaF2, BaF2, SrF2, MgF2, 및 BeF2 및 플루오라이드가 아닌 할로겐화물이다.
효율을 증가하는 동안 구동 전압은 감소하기 때문에 하나 이상의 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물이 전자 수송층에서 사용되는 OLED가 특히 바람직하다.
전자 수송층에서 하나 이상의 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물의 함량은 바람직하게는 50 질량% 이상, 더 바람직하게는 60 질량% 이상이다.
전자 수송층은 발광층으로의 전자의 주입 및 발광 영역으로의 전자의 수송을 촉진하고, 큰 전자 이동성 및 일반적으로 2.5 eV 이상만큼 큰 전자 친화도를 갖는다. 전자 수송층은 바람직하게는 전계의 낮은 강도에서 발광층으로 전자를 수송할 수 있는 물질, 바람직하게는, 예를 들면, 104 내지 106 V/cm의 전계하에 10-6 cm2/V·s 이상의 전자 이동성을 갖는 물질로 형성된다.
하나 이상의 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물이 전자 수송층에서 사용되는 경우, 전자 수송층은 하나 이상의 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물로 단독으로 또는 또 다른 물질과 조합으로 형성될 수 있다.
하나 이상의 식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물과의 조합으로 전자 주입/수송층을 형성하기 위한 물질은 상기 언급된 바람직한 성질을 갖는 한 특정하게 제한되지 않으며, 광전도성 물질의 필드에 전자 수송 물질로서 흔히 사용되는 것들 및 유기 EL 장치의 전자 주입/수송층을 위한 물질로서 알려진 것들로부터 선택될 수 있다.
본 발명에서, 절연 물질 또는 반도체를 포함하는 전자 주입층이 캐소드와 유기층 사이에 위치할 수 있다. 이러한 전자 주입층에 의해, 전류의 누설이 효율적으로 방지되어 전자 주입 능력을 개선시킨다. 절연 물질의 바람직한 예는 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속 할로겐화물, 및 알칼리 토금속 할로겐화물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 화합물을 포함한다. 상기 알칼리 금속 칼코게나이드를 포함하는 전자 주입층은 전자 주입 성질이 추가로 개선되기 때문에 바람직하다. 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드는 Li2O, K2O, Na2S, Na2Se, 및 Na2O를 포함하고; 바람직한 알칼리 토금속 칼코게나이드는 CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, 및 CaSe를 포함하고; 바람직한 알칼리 금속 할로겐화물은 LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, 및 NaCl를 포함하고; 바람직한 알칼리 토금속 할로겐화물은 플루오라이드, 예를 들면, CaF2, BaF2, SrF2, MgF2, 및 BeF2 및 플루오라이드가 아닌 할로겐화물을 포함한다.
전자 수송층을 위한 반도체는 Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, 및 Zn로부터 선택된 하나 이상의 원소의 산화물, 질화물 및 산화질화물을 포함하고, 이는 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용된다. 전자 수송층을 구성하는 무기 화합물은 미세결정질 또는 비정질 절연 박막을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 기재된 절연 박막을 구성하는 경우, 전자 주입층은 더 균일하게 제조되어 암점과 같은 픽셀 결함을 감소시킨다. 이러한 무기 화합물의 예는 상기 기재된 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속 할로겐화물 및 알칼리 토금속 할로겐화물을 포함한다.
전자 주입층(h):
전자 주입층은 인접한 유기층으로의 전자의 주입을 개선시키는 임의의 층일 수 있다.
리튬 포함 유기금속성 화합물, 예를 들면, 8-하이드록시퀴놀라토리튬(Liq), CsF, NaF, KF, Cs2CO3 또는 LiF는 작동 전압을 감소시키기 위하여 전자 주입층(h)으로서 전자 수송층(g)과 캐소드(i) 사이에 적용될 수 있다.
캐소드(i):
캐소드(i)는 전자 또는 음성 전하 캐리어의 도입을 제공하는 전극이다. 캐소드는 애노드보다 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드에 적합한 물질은 희토류 금속 및 란탄 계열 원소 및 악티늄 원소를 포함하는, 원소 주기율표의 1족 알칼리 금속, 예를 들면, Li, Cs, 2족 알칼리 토금속, 12족 금속으로 구성된 군으로부터 선택된다. 추가로, 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 금속, 및 이의 조합이 사용될 수 있다.
일반적으로, 존재하는 경우, 상이한 층은 하기 두께를 갖는다:
애노드(a): 500 내지 5000 Å(옹스트롬), 바람직하게는 1000 내지 2000 Å;
정공 주입층(b): 50 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 내지 800 Å;
정공-수송층(c): 50 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 내지 800 Å,
엑시톤 차단층(d): 10 내지 500 Å, 바람직하게는 50 내지 100 Å,
발광층(e): 10 내지 1000 Å, 바람직하게는 50 내지 600 Å,
정공/엑시톤 차단층(f): 10 내지 500 Å, 바람직하게는 50 내지 100 Å,
전자 수송층(g): 50 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 내지 800 Å,
전자 주입층(h): 10 내지 500 Å, 바람직하게는 20 내지 100 Å, 및
캐소드(i): 200 내지 10 000 Å, 바람직하게는 300 내지 5000 Å.
당해 분야의 숙련가는 어떻게 적합한 물질이 선택되어야 하는지를 알고 있다(예를 들면, 전기화학 연구를 기반으로). 개별적인 층에 적합한 물질은 당해 분야의 숙련가에게 알려져 있고, 예를 들면, WO00/70655호에 개시된다.
추가로, 본 발명의 OLED에서 사용되는 일부 층은 전하 캐리어 수송의 효율을 증가시키기 위하여 표면 처리되었던 것이 가능하다. 언급된 각각의 층을 위한 물질의 선택은 바람직하게는 높은 효율 및 수명을 갖는 OLED를 수득함으로써 결정된다.
본 발명의 OLED는 당해 분야의 숙련가에게 알려진 방법에 의해 제조될 수 있다. 일반적으로, 본 발명의 OLED는 적합한 기판 위에 개별적인 층의 연속 기상 증착에 의해 제조된다. 적합한 기판은, 예를 들면, 유리, 무기 반도체 또는 중합체 필름이다. 기상 증착을 위하여, 통상적인 기술, 예를 들면, 열 증발, 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD) 등을 사용하는 것이 가능하다. 대안적인 공정에서, OLED의 유기층은 당해 분야의 숙련가에게 알려진 코팅 기술을 사용하여, 적합한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 적용될 수 있다.
OLED의 하나 이상의 층에서, 바람직하게는 발광층에서, 바람직하게는 호스트 물질, 전하 수송 물질 및/또는 금속 종 불포함 도펀트, 특히 바람직하게는 호스트 물질 및 정공 또는 전자 수송 물질로서 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 사용은 높은 효율 및 낮은 사용 및 작동 전압을 갖는 OLED를 수득하는 것을 가능하게 만든다. 자주, 식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물의 사용에 의해 수득된 OLED는 추가로 높은 수명을 갖는다. OLED의 효율은 OLED의 다른 층을 최적화함으로써 추가로 개선될 수 있다. 예를 들면, 높은 효율의 캐소드, 예를 들면, Ca 또는 Ba는, 적절한 경우, LiF의 중간층과의 조합으로, 사용될 수 있다. 게다가, 상이한 층의 에너지 준위를 조정하고 일렉트로루미네센스를 촉진하기 위하여 추가의 층이 OLED에 존재할 수 있다.
OLED는 하나 이상의 제2 발광층을 추가로 포함할 수 있다. OLED의 전체 방출은 둘 이상의 발광층의 방출로 구성될 수 있고, 또한 백색광을 포함할 수 있다.
OLED는 일렉트로루미네센스가 유용한 모든 기구에서 사용될 수 있다. 적합한 장치는 바람직하게는 정지 및 이동 영상 표시 유닛 및 조명 유닛으로부터 선택된다. 정지 영상 표시 유닛은, 예를 들면, 컴퓨터, 텔레비전의 영상 표시 유닛, 프린터, 주방 용품 및 광고 패널, 조명 및 정보 패널의 영상 표시 유닛이다. 이동 영상 표시 유닛은, 예를 들면, 휴대폰, 태블릿 PC, 랩탑, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 자동차 및 버스와 기차의 도착지 표시에서의 영상 표시 유닛이다. 본 발명의 OLED가 사용될 수 있는 추가의 장치는, 예를 들면, 키보드; 의류 물품; 가구; 벽지이다. 추가로, 본 발명은 하나 이상의 본 발명의 유기 발광 다이오드 또는 하나 이상의 본 발명의 발광층을 포함하는, 정지 영상 표시 유닛, 예를 들면, 컴퓨터, 텔레비전의 영상 표시 유닛, 프린터, 주방용품 및 광고 패널, 조명, 정보 패널의 영상 표시 유닛, 및 이동 영상 표시 유닛, 예를 들면, 휴대폰, 태블릿 PC, 랩탑, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 자동차 및 버스와 기차의 도착지 표시; 조명 유닛; 키보드; 의류 물품; 가구; 벽지에서의 영상 표시 유닛으로 구성된 군으로부터 선택된 장치에 관한 것이다.
하기 실시예는 오로지 예시적인 목적을 위하여 포함되고, 청구범위를 제한하지 않는다. 달리 기재되지 않는 한, 모든 부 및 퍼센트는 중량을 기준으로 한다.
실시예
합성예 1 - 화합물 1
중간체 1-1
Figure pct00196
5-브로모-2-하이드록시-벤조니트릴(441.8 g, 2.23 mol), 메틸 2-(브로모메틸)벤조에이트(479 g, 2.03 mol), 및 탄산칼륨(560 g, 4.05 mol)을 Ar 대기하에 DMF(4.6 L)에 가하였다. 혼합물을 50℃에서 1시간 동안 교반한 후, 반응 혼합물을 0℃로 냉각하였다. 물 2L를 이에 가한 후, 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반하여 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, THF 중에 용해시켰다. THF 용액을 MgSO4로 건조시킨 다음, 이를 농축시켜 1-1 673 g을 수득하였다. 추가의 정제 없이, 이를 다음 반응에서 사용하였다.
중간체 1-2
Figure pct00197
1-1(673 g, 1.95 mol)을 DMF(4.6 L) 중에 용해시키고, 칼륨 tert-부톡사이드(250 g, 2.23 mol)를 실온에서 가하였다. 그 다음, 혼합물을 80℃에서 1시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 톨루엔 1.5 L를 이에 가한 후, 디옥산 중의 4 M HCl 1.2 L를 0℃에서 적가하여 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, 톨루엔으로 세척하여 백색 분말로서 1-2 478 g(75%)을 수득하였다.
LC-MS(m/z) 314
중간체 1-3
Figure pct00198
1-2(203 g, 646 mmol) 및 1-플루오로-2-니트로-벤젠(100 g, 711 mmol)을 DMSO 2 L에 가하였다. 혼합물을 80℃에서 가열하였다. 혼합물에 탄산칼륨(116 g, 840 mmol)을 가하고, 혼합물을 100℃에서 20시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 실온에서 냉각한 후, 물 1 L를 이에 가하여 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, 물 및 n-헵탄으로 세척하였다. 미정제 생성물을 자일렌으로 용리되는 실리카겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 1-3 134 g(47%)을 수득하였다.
LC-MS(m/z) 435
중간체 1-4
Figure pct00199
1-3(134 g, 309 mmol)을 에탄올 3.6 L에 가하고, 혼합물을 60℃에서 Ar 대기하에 가열하였다. 혼합물에 물(555 mL) 중에 용해된 염화암모늄(82.7 g, 1.546 mol) 및 철(86.3 g, 1.546 mol)에 가하고, 혼합물을 70℃에서 20시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 실온에서 냉각시킨 후, 10% 탄산칼륨 수용액 1 L를 이에 가하고, 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반하여 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, 물로 세척하였다. 고체를 혼합물 용매 THF(2.5 L) 및 DMF(0.5 L) 중에 현탁시키고, 불용성 물질을 여과로 제거하였다. 여과액을 농축시킨 후, 물 1 L를 이에 가하여 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, 물 및 메탄올로 세척하여 1-4 127.7 g(98%)을 수득하였다.
LC-MS(m/z) 405
중간체 1-5
Figure pct00200
1-4(103 g, 251 mmol)을 Ar 대기하에 폴리인산(1050 mL)에 가하였다. 혼합물을 225℃에서 4시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 실온에서 냉각한 후, 이를 빙수에 부어 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, 물로 세척하였다. 이를 10% 탄산칼륨 수용액 1 L 중에서 실온에서 3시간 동안 교반한 후, 고체를 여과로 수집하고, 물로 세척하였다. 미정제 생성물을 톨루엔으로 용리되는 실리카겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 1-5 92 g(50%)을 베이지색 분말로서 수득하였다.
1H-NMR(300 MHz, DMSO-d6) δ 8.73(ddd, J = 0.7, 0.9, 8.1 Hz, 1H), 8.56(d, J = 1.8 Hz, 1H), 8.43(m, 1H), 8.17(ddd, J = 0.7, 0.8, 7.9 Hz, 1H), 7.86(m, 5H), 7.57(m, 2H)
LC-MS(m/z) 388
화합물 1
Figure pct00201
1-5(1.56 g, 4.0 mmol), 3-(9H-카바졸-3-일)-9-페닐-카바졸(1.63 g, 4.0 mmol), 및 나트륨 tert-부톡사이드(769 mg, 8.0 mmol)를 Ar 대기하에 톨루엔 27 mL 중에 현탁하였다. 잔트포스(185 mg, 0.32 mmol) 및 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)(183 mg, 0.2 mmol)을 이에 가하고, 혼합물을 밤새 환류시켰다. 반응 혼합물을 실온에서 냉각한 후, 고체를 여과로 제거하고, THF로 세척하였다. 용액을 농축시켜 암갈색 분말을 수득하였다. 미정제 생성물을 톨루엔-CHCl3(10:1)의 혼합된 용액로 용리되는 실리카겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 1 2.29 g(80%)을 베이지색 분말로서 수득하였다.
1H-NMR(300 MHz, CDCl3) δ 9.03(d, J = 8.2 Hz, 1H), 8.85(d, J = 2.2 Hz, 1H), 8.57(d, J = 1.8 Hz, 1H), 8.51(d, J = 1.8 Hz, 1H), 8.45(d, J = 8.2 Hz, 1H), 8.41(d, J = 8.3Hz, 1H), 8.35(d, J = 7.3 Hz, 1H), 8.24(d, J = 7.2 Hz, 1H), 8.11(d, J = 8.1 Hz, 1H), 8.06(d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.92-7.78(m, 5H), 7.69-7.65(m, 4H), 7.60-7.39(m, 10H), 7.37-7.33(m, 1H)
LC-MS(m/z) 714
합성예 2 - 화합물 2
Figure pct00202
[3,5-디(카바졸-9-일)페닐]보론산(1.5 g, 3.3 mmol)(US 2013/0082591 A1호에 기재됨)을 3구 환저 플라스크에서 1-5(1.3 g, 3.3 mmol) 및 K2CO3(0.9 g, 6.6 mmol)과 조합하고, N2로 탈기시켰다. 그 다음, Pd(PPh3)4(0.2 g, 0.16 mmol)를 가한 후, 디옥산/H2O(30 mL, 4:1)을 가하였다. 수득된 반응 혼합물을 N2의 스트림하에 90℃의 오일 욕조 온도에서 가열하였다. 3시간 후, 반응이 완료되었다. 혼합물을 실온으로 냉각하고, 용매를 감압하에 농축시켰다. 미정제 잔여물을 CHCl3 중에 흡입시키고, 물(x2)로 세척하고, 무수 MgSO4 상에서 건조시키고, 용매를 증발시켰다. 미정제 생성물을 아세톤 중에 현탁시키고, 밤새 실온에서 아세톤 중에서 교반하였다. 침전물을 여과한 다음, CHCl3(1 L) 중에 용해시키고, 실리카겔의 플러그를 통해 부었다. 용매를 증발시키고, 생성물을 클로로벤젠으로부터의 재결정화에 의해 최종적으로 정제시켜 생성물 2 g(85% 수율)을 백색 고체로서 수득하였다.
1H-NMR(400 MHz, CDCl3) 8.99(d, J = 7.7 Hz, 1H), 8.91(s, 1H), 8.66(d, J = 8.1 Hz, 1H), 8.33(d, J = 7.6 Hz, 1H), 8.22(d, J = 7.8 Hz, 4H), 8.16 - 8.01(m, 3H), 7.94(s, 1H), 7.86(m, 3H), 7.77(m, 5H), 7.53(m, 6H), 7.39(m, 4H).
LC-MS(M+1) 715
합성예 3 - 화합물 3
중간체 3-1
Figure pct00203
2-(3-브로모-5-클로로페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(공지된 절차에 따라 합성됨) 24.40 g(57.6 mmol), 9-페난트릴보론산 12.80 g(57.6 mmol) 및 2M 탄산나트륨 용액 86 ml(173 mmol)를 DME 450 ml 중에 현탁시키고, 진공 처리하고, 아르곤으로 4회 정화시켰다. 그 다음, 아르곤을 이를 통해 30분 동안 발포시켰다. 테트라키스(트리페닐포스핀)-팔라듐(0) 1.33 g(1.15 mmol)을 아르곤하에 가하고, 아르곤을 이를 통해 추가 5분 동안 발포시켰다. 그 다음, 반응 혼합물을 85℃로 가열하였다. 아르곤하에 14시간 동안 이 온도에서 교반한 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고 여과하였다. 잔여물을 뜨거운 톨루엔으로 세척하여 3-1 25.7g(85%)을 수득하였다.
1H-NMR(400 MHz, CDCl3-d) δ 8.89 - 8.71(m, 8H), 7.96(dd, J = 7.8, 1.5 Hz, 1H), 7.91(dd, J = 8.3, 1.3 Hz, 1H), 7.83 - 7.63(m, 5H), 7.64 - 7.52(m, 7H).
중간체 3-2
Figure pct00204
3-1 8.58 g(16.50 mmol), 4,4,5,5-테트라메틸-2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-1,3,2-디옥사보롤란 4.61 g(18.15 mmol) 및 아세트산칼륨 4.05 g(41.25 mmol)을 혼합하였다. 그 다음, 디옥산 85 ml, 및 그 다음, 디사이클로헥실-[2-(2,6-디메톡시페닐)페닐]포스판 0.203 g(0.495 mmol) 및 Pd2(dba)3 0.227 g(0.248 mmol)을 아르곤하에 가하고, 현탁액을 115℃로 가열하였다. 이 온도에서 4시간 동안 교반한 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하였다. 물 250 ml 및 클로로포름 150 ml를 오렌지색 현탁액에 가하고, 이를 교반하고, 클로로포름 200 ml로 세척하면서 하이플로(hyflo)를 통해 분리 깔대기로 여과하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 클로로포름 100 ml로 추출하고, 조합된 유기 상을 물 200 ml로 세척하고, Na2SO4 상에서 건조시키고, 여과하고, 용매를 진공하에 제거하였다. 미정제 생성물을 톨루엔 60 ml로부터 재결정화시키고, 고진공하에 건조시켜 3-2 9.39g(93%)을 수득하였다.
1H-NMR(400 MHz, CDCl3-d) δ 9.25(t, J = 1.5 Hz, 1H), 9.03(t, J = 1.8 Hz, 1H), 8.92 - 8.60(m, 6H), 8.24(t, J = 1.5 Hz, 1H), 8.06 - 7.86(m, 2H), 7.83(s, 1H), 7.75 - 7.48(m, 10H), 1.43(s, 12H).
화합물 3
Figure pct00205
3-2 2.57 g(4.20 mmol) 및 1-5 1.55 g(4.00 mmol)을 THF 40ml 중에 현탁시켰다. Pd2(dba)3 0.110 g(0.120 mmol) 및 트리-t-부틸포스포늄 테트라플루오로보레이트 0.07 g(0.240 mmol)을 가하고, 혼합물을 50℃로 가열하였다. 물 8 ml 중에 용해된 인산칼륨 2.12 g(10.0 mmol)의 용액을 이에 가하고, 반응 혼합물을 가열하여 4시간 동안 환류시킨 다음, 실온으로 냉각하였다. 클로로포름 100 ml 및 시안화나트륨 3% 용액 200 ml를 가하고, 혼합물을 가열하여 2시간 동안 환류시킨 다음, 실온으로 냉각하였다. 황색 현탁액을 여과하고, 클로로포름 및 물로 세척하고 고진공하에 건조시켰다. 미정제 생성물을 1,2-디클로로벤젠로부터의 재결정화에 의해 정제하였다. 잔여물을 1,2-디클로로벤젠 및 헵탄으로 세척하고, 고진공하에 건조시켜 3 2.73 g(86%)을 백색 결정으로서 수득하였다.
LC-MS(M) 791
합성예 4 - 화합물 4
Figure pct00206
1,2-디메톡시에탄(80 ml) 및 2M 탄산나트륨 수용액(15.5 mL, 31.0 mmol)을 [10-(2-나프틸)-9-안트릴]보론산(3.96 g, 11.4 mmol), 1-5(4.00 g, 10.3 mmol), 및 (AMPHOS)2PdCl2(0.293 g, 0.413mmol)에 Ar 대기하에 가하였다. 혼합물을 5시간 동안 환류하에 교반하였다. 반응이 완료된 후, 용매를 증발시키고, 잔여물을 메탄올로 세척하고, 클로로벤젠으로부터 재결정화시켜 생성물(4.10 g, 63 % 수율)을 수득하고, 이는 질량 분석기에 의해 화합물 4로 확인되었다(m/e = 610, 정확한 질량: 610.20).
합성예 5 - 화합물 5
중간체 5-1
Figure pct00207
1,4-디옥산(140 ml)을 1-5(7.00 g, 18.1 mmol), 비스(피라콜라토)디보론(5.51 g, 21.7 mmol), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II) 디클로라이드 디클로로메탄 부가물(0.443 g, 0.542 mmol), 및 아세트산칼륨(3.55 g, 36.2 mmol)에 Ar 대기하에 가하였다. 혼합물을 4시간 동안 환류하에 교반하였다. 반응이 완료된 후, 혼합물을 실리카겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 용매를 증발시켜 중간체 5-1(7.86 g, 99% 수율)을 수득하였다.
화합물 5
Figure pct00208
1,4-디옥산(250 ml) 및 2M 탄산나트륨 수용액(27.1 ml, 54.2 mmol)을 5-1(7.85 g, 18.1 mmol), 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(7.02 g, 18.1 mmol), 및 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II) 디클로라이드 디클로로메탄 부가물(0.590 g, 0.723 mmol)에 Ar 대기하에 가하였다. 혼합물을 90℃에서 20시간 동안 교반하였다. 반응 후, 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 메탄올을 가하여 고체를 수득하였다. 고체를 여과로 수집하고, 1,4-디옥산으로 세척하여 생성물(3.20 g, 27% 수율)을 수득하고, 이는 질량 분석기에 의해 화합물 5로 확인되었다(m/e = 615, 정확한 질량: 615.21).
합성예 6 - 화합물 6
Figure pct00209
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 1-(4- 브로모페닐)나프탈렌을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(62% 수율), 이는 질량 분석기에 의해 화합물 6로 확인되었다(m/e = 510, 정확한 질량: 510.17).
합성예 7 - 화합물 7
Figure pct00210
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 4-브로모벤조니트릴을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(70% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 7로 확인되었다(m/e = 409, 정확한 질량: 409.12).
합성예 8 - 화합물 8
Figure pct00211
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 4-(4-브로모페닐)벤조니트릴을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(65% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 8로 확인되었다(m/e = 485, 정확한 질량: 485.15).
합성예 9 - 화합물 9
Figure pct00212
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 4-(4-브로모페닐)-2,6-디페닐피리미딘을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(55% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 9로 확인되었다(m/e = 614, 정확한 질량: 614.21).
합성예 10 - 화합물 10
Figure pct00213
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 2-[3-(3-브로모페닐)페닐]-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(55% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 10으로 확인되었다(m/e = 691, 정확한 질량: 691.24).
합성예 11 - 화합물 11
Figure pct00214
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 2-(4-브로모페닐)-1,10-페난트롤린을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(42% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 11로 확인되었다(m/e = 562, 정확한 질량: 562.18).
합성예 12 - 화합물 12
Figure pct00215
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 4-(4-브로모페닐)디벤조푸란을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(60% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 12로 확인되었다(m/e = 550, 정확한 질량: 550.17).
합성예 13 - 화합물 13
Figure pct00216
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 2-(8-브로모디벤조푸란-2-일)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(51% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 13로 확인되었다(m/e = 705, 정확한 질량: 705.22).
합성예 14 - 화합물 14
Figure pct00217
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 7-브로모페난트렌-2-카보니트릴을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(45% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 14로 확인되었다(m/e = 509, 정확한 질량: 509.15).
합성예 15 - 화합물 15
Figure pct00218
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 2-브로모트리페닐렌을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(61% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 15로 확인되었다(m/e = 534, 정확한 질량: 534.17).
합성예 16 - 화합물 16
Figure pct00219
2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 대신에 4-브로모-9,9-디페닐플루오렌을 사용하는 것을 제외하고 합성예 5에서 화합물 5의 합성과 동일한 방식으로 생성물을 수득하였고(60% 수율), 이는 질량 분석기에 의하여 화합물 16로 확인되었다(m/e = 624, 정확한 질량: 624.22).
실시예 1
1.1 OLED 제작
애노드로서 사용되는 120 nm 두께의 인듐-주석-산화물(ITO) 투명 전극(지오마텍 코 엘티디(Geomatec Co., Ltd.)에 의해 제조됨)을 갖는 유리 기판을 먼저 초음파 욕조에서 10분 동안 이소프로판올로 세정하였다. 임의의 가능한 유기 잔기를 제거하기 위하여, 기판을 자외선 및 오존에 추가 30분 동안 노출시켰다. 이러한 처리는 또한 ITO의 정공 주입 성질을 개선시킨다. 세정된 기판을 기판 홀더 위에 마운팅하고, 진공 챔버에 로딩시켰다. 그 후, 하기 명시된 유기 물질을 기상 증착으로 ITO 기판에 약 0.2-1 Å/초의 속도로 약 10-6-10-8 mbar에서 적용하였다. 제1 층으로서, 5 nm 두께의 전자 수용 화합물 A를 기상 증착시켰다. 50 nm 두께의 방향족 아민 화합물 B를 제1 정공 수송층으로서 적용하였다. 연속적으로, 60 nm 두께의 방향족 아민 화합물 C를 제2 정공 수송층으로서 적용하였다. 그 다음, 에미터 화합물(Ir(piq)3) 8 중량%, 호스트(화합물 1) 92 중량%의 혼합물을 적용하여 45 nm 두께의 인광-발광층을 형성하였다. 발광층 위에, 30 nm 두께의 화합물 D를 전자 수송층으로서 적용하였다. 최종적으로, 1 nm 두께의 LiF를 전자 주입층으로서 증착시킨 다음, 80 nm 두께의 Al을 캐소드로서 증착시켜 장치를 완성하였다. 장치를 물 및 산소가 1 ppm 미만인 불활성 질소 대기에서 유리 리드 및 게터로 밀봉하였다.
Figure pct00220
Figure pct00221
1.2 OLED 특성화
OLED를 특성화하기 위하여, 일렉트로루미네센스 스펙트럼을 다양한 전류 및 전압에서 기록하였다. 추가로, 전류-전압 특성을 휘도와 조합으로 측정하여 발광 효율 및 외부 양자 효율(EQE)을 결정하였다. 구동 전압 V, EQE 및 국제 조명 위원회(CIE) 좌표는 달리 기재되는 경우를 제외하고 10mA/cm2에서 제공되었다.
표 1
Figure pct00222
결과는 표 1에 나타낸다. CIE 값은 일렉트로루미네센스가 적색 에미터 화합물(Ir(piq)3)로부터 기원하였다는 것을 보여주고, 이는 화합물 1이 적색 인광 호스트로서 사용될 수 있다는 것을 증명한다.
실시예 2
2.1 OLED 제작
애노드로서 사용되는 120 nm 두께의 인듐-주석-산화물(ITO) 투명 전극(지오마텍 코 엘티디에 의해 제조됨)을 갖는 유리 기판을 먼저 초음파 욕조에서 10분 동안 이소프로판올로 세정하였다. 임의의 가능한 유기 잔기를 제거하기 위하여, 기판을 자외선 및 오존에 추가 30분 동안 노출시켰다. 이러한 처리는 또한 ITO의 정공 주입 성질을 개선시킨다. 세정된 기판을 기판 홀더 위에 마운팅하고, 진공 챔버에 로딩시켰다. 그 후, 하기 명시된 유기 물질을 기상 증착으로 ITO 기판에 약 0.2-1 Å/초의 속도로 약 10-6-10-8 mbar에서 적용하였다. 정공 주입층으로서, 50 nm 두께의 화합물 E를 적용하였다. 그 다음, 45 nm 두께의 방향족 아민 화합물 F를 정공 수송층으로서 적용하였다. 그 다음, 에미터 화합물 G 3 중량%, 호스트 화합물 H 97 중량%의 혼합물을 적용하여 20 nm 두께의 형광-발광층을 형성하였다. 발광층 위에, 5 nm 두께의 화합물 1을 제1 전자 수송층으로서 적용하였다. 그 다음, 25 nm 두께의 화합물 I을 제2 전자 수송층으로서 적용하였다. 최종적으로, 1 nm 두께의 LiF를 전자 주입층으로서 증착시킨 다음, 80 nm 두께의 Al을 캐소드로서 증착시켜 장치를 완성하였다. 장치를 물 및 산소가 1 ppm 미만인 불활성 질소 대기에서 유리 리드 및 게터로 밀봉하였다.
Figure pct00223
2.2 OLED 특성화
OLED의 특성화를 1.2번하에 유약된 바와 같이 수행하였다.
표 2
Figure pct00224
결과는 표 2에 나타낸다. CIE 값은 일렉트로루미네센스가 청색 도펀트 화합물 G로부터 기원한다는 것을 보여준다. 추가로, 실시예 2는 5%의 이론적 한계를 초과하는 8% 초과의 EQE를 보여준다. 결과는 화합물 1이 발광층에서 삼중항 엑시톤을 국한시킴으로서 5%의 순수한 이론적 한계를 극복할 수 있다는 것을 증명하고, 이는 삼중항-삼중항 축합을 향상시킨다. 실시예 2는, 청색 형광 에미터 물질이 사용되는 경우, 본 발명에 따른 화합물, 특히 화합물 1이 전자 수송 물질로서 사용될 수 있다는 것을 명백하게 보여준다.
실시예 3 내지 17
각각의 유기 EL 장치는 전자 수송 물질로서 화합물 1 대신에 표 3에 나타낸 각각의 화합물을 사용하는 것을 제외하고 실시예 2와 동일한 방식으로 제조하였다. 방출 성능의 평가는 실시예 2와 동일한 방식으로 수행하였다. 결과는 표 3에 요약하였다.
비교예 1
전자 수송 물질로서 하기 화합물 (ET-1)을 사용하는 것을 제외하고 실시예 2와 동일한 방식으로 유기 EL 장치의 제작을 시도하였다. 그러나, ET-1로 구성된 장치는 불안정한 기상 증착 성질로 인하여 제작될 수 없었다.
Figure pct00225
표 3
Figure pct00226
결과는 표 3에 나타낸다. CIE 값은 일렉트로루미네센스가 청색 에미터 화합물 G로부터 기원한다는 것을 보여준다. 추가로, 실시예 3 내지 17은 5%의 이론적 한계를 초과하는 7% 초과의 EQE를 나타낸다. 결과는 화합물 2 및 3이 발광층에서 삼중항 엑시폰을 국한시킴으로써 5%의 순수한 이론적 한계를 극복할 수 있다는 것을 증명하고, 이는 삼중항-삼중항 축합을 향상시킨다.
실시예 18 및 19
OLED 제작
애노드로서 사용되는 120 nm 두께의 인듐-주석-산화물(ITO) 투명 전극(지오마텍 코 엘티디에 의해 제조됨)을 갖는 유리 기판을 먼저 초음파 욕조에서 10분 동안 이소프로판올로 세정하였다. 임의의 가능한 유기 잔기를 제거하기 위하여, 기판을 자외선 및 오존에 추가 30분 동안 노출시켰다. 이러한 처리는 또한 ITO의 정공 주입 성질을 개선시킨다. 세정된 기판을 기판 홀더 위에 마운팅하고, 진공 챔버에 로딩시켰다. 그 후, 하기 명시된 유기 물질을 기상 증착으로 ITO 기판에 약 0.2-1 Å/초의 속도로 약 10-6-10-8 mbar에서 적용하였다. 정공 주입층으로서, 50 nm 두께의 화합물 E를 적용하였다. 그 다음, 45 nm 두께의 방향족 아민 화합물 F를 정공 수송층으로서 적용하였다. 그 다음, 에미터 화합물 G 3 중량%, 호스트 화합물 H 97 중량%의 혼합물을 적용하여 20 nm 두께의 형광-발광층을 형성하였다. 발광층 위에, 화합물 4 또는 5 50 중량%, Liq 50 중량%의 혼합물을 적용하여 30 nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 최종적으로, 1 nm 두께의 LiF를 전자 주입층으로서 증착시킨 다음, 80 nm 두께의 Al을 캐소드로서 증착시켜 장치를 완성하였다. 장치를 물 및 산소가 1 ppm 미만인 불활성 질소 대기에서 유리 리드 및 게터로 밀봉하였다.
Figure pct00227
표 4
Figure pct00228

Claims (31)

  1. 하기 일반식 (I)의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 기기:
    Figure pct00229

    상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3, C4, X1 및 X2는 하기 의미를 갖는다:
    A1, A2, A3, A4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 A1은 N 또는 CR1이고, A2는 N 또는 CR2이고, A3은 N 또는 CR3이고, A4는 N 또는 CR4이고,
    B1, B2, B3, B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5 또는 6원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합, NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8, B2는 직접 결합, NR9, N, O, S, CR10 또는 CR11R12, B3은 직접 결합, NR13, N, O, S, CR14 또는 CR15R16 및/또는 B4는 직접 결합, NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고,
    C1, C2, C3, C4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 C1은 N 또는 CR21이고, C2는 N 또는 CR22이고, C3은 N 또는 CR23이고, C4는 N 또는 CR24이고,
    X1, X2는 직접 결합, O, S, NR25, CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고,
    여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고,
    D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CR31=CR32-, -NR33-, -SiR28R29-, -POR34-, -C≡C-이고,
    E는 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않은 C6-C60아릴 기, J로 치환된 C6-C60아릴 기, C1-C18알킬, O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기, 치환되지 않은 C2-C60헤테로아릴 기, 또는 J, C1-C18알킬, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고,
    J는 -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 또는 -C(CF3)3이고,
    G는 E, C1-C18알킬 기, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 C1-C18알킬 기, C6-C18아릴 기, 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C18아릴 기이고,
    R31 및 R32는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R33, R34, R35, 및 R39는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R36은 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R37, R38, R40, R41, 및 R42는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이거나,
    또는 R37, R38은 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
    또는 R41, R42는 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
    또는 R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
    R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12 , R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, 및 R20은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
    또는 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R17, R18, R19, 및 R20 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
    R21, R22, R23, R24, R25, R26, 및 R27은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
    또는 R21, R22, R23 및 R24 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하거나,
    또는 R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, X1이 직접 결합이고, X2가 O, S 또는 NR25이고, R25가 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖는 것인 전자 기기.
  3. 제1항에 있어서, X1이 O, S 또는 NR25이고, X2가 직접 결합이고, R25가 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖는 것인 전자 기기.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, A1이 CR1이고, A2가 CR2이고, A3이 CR3이고, A4가 CR4이고, B1이 CR6이고, B2가 CR10이고, B3이 CR14이고, B4가 CR18이고, C1이 CR21이고, C2가 CR22이고, C3이 CR23이고, C4가 CR24이고, R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R21, R22, R23, 및 R24로부터 선택된 하나 이상이 H가 아닌 치환기인 전자 기기.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식 (I)에 따른 화합물이 하기 일반식 (II)에 상응하는 것인 전자 기기:
    Figure pct00230

    상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R22, R23, X1, X2, C1 및 C4는 제1항에 정의된 의미를 갖는다.
  6. 제5항에 있어서, R1, R2, R3, R4, R6, R10, R14, R18, R22, 및 R23으로부터 선택된 하나 이상이 H가 아닌 치환기인 전자 기기.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식 (I)에 따른 화합물이 하기 일반식 (III)에 상응하는 것인 전자 기기:
    Figure pct00231

    상기 식에서,
    B1은 직접 결합이고, B4는 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이거나; B1은 NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B4는 직접 결합이고,
    C1은 N 또는 CR21이고, C4는 N 또는 CR24이고,
    X1, X2는 직접 결합, O, S, NR25, 및 CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고,
    R43, R44, R45, 및 R46은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
    또는 R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있거나,
    또는 R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께, 바람직하게는 R21 또는 R24와 함께, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있거나,
    또는 R5 또는 R17은 R43, R44, R45 또는 R46와 함께, 바람직하게는 R43 또는 R46와 함께, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있고,
    여기서, G, E, D, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R29, 및 R30은 제1항에 정의된 의미를 갖는다.
  8. 제7항에 있어서, X1 및 B1이 직접 결합이고, X2가 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B4가 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 제1항에 정의된 의미를 갖는 것인 전자 기기.
  9. 제7항에 있어서, X1 및 B4가 직접 결합이고, X2가 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B1이 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 제1항에 정의된 의미를 갖는 것인 전자 기기.
  10. 제7항에 있어서, X2 및 B4가 직접 결합이고, X1이 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B1이 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 제1항에 정의된 의미를 갖는 것인 전자 기기.
  11. 제7항에 있어서, X2 및 B1이 직접 결합이고, X1이 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, B4가 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고, R17, R18, R19, R20, R25, R26 및 R27이 제1항에 정의된 의미를 갖는 것인 전자 기기.
  12. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, R43, R44, R45 및 R46이 H인 전자 기기.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식 (I), (II) 또는 (III)의 화합물이 직접 결합에 의해 연결되거나 함께 축합된 6개 이상, 바람직하게는 7개 이상, 더 바람직하게는 8개 이상, 더 바람직하게는 9개 이상의 방향족, 헤테로방향족, 포화 또는 불포화 고리를 포함하는 것인 전자 기기.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드, 애노드, 및 캐소드와 애노드 사이에 제공된 복수의 유기 박막층을 포함하고, 유기 박막층이 일반식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을, 바람직하게는 호스트 물질, 전하 수송 물질 및/또는 금속 종 불포함 도펀트로서, 특히 바람직하게는 호스트 물질 또는 전자 수송 물질로서 포함하는 발광층을 포함하는 것인 전자 기기, 바람직하게는 유기 일렉트로루미네센스 소자, 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED).
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드, 애노드, 및 캐소드와 애노드 사이에 제공된 복수의 유기 박막층을 포함하고, 유기 박막층이 일반식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 수송층을 포함하는 것인 전자 기기, 바람직하게는 유기 일렉트로루미네센스 소자, 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED).
  16. 제15항에 있어서, 전자 수송층이 알칼리 금속, 알칼리 금속 포함 화합물, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속 포함 화합물, 희토류 금속, 및 희토류 금속 포함 화합물로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것인 전자 기기, 바람직하게는 유기 일렉트로루미네센스 소자, 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED).
  17. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드, 애노드, 및 캐소드와 애노드 사이에 제공된 복수의 유기 박막층을 포함하고, 유기 박막층이, 발광층 및 발광층의 캐소드 면에 인접하고 일반식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을 포함하는 층을 포함하는 것인 전자 기기, 바람직하게는 유기 일렉트로루미네센스 소자, 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED).
  18. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 일반식 (I), (II) 또는 (III)의 하나 이상의 화합물을 포함하는, 바람직하게는 전자 기기, 더 바람직하게는 일렉트로루미네센스 소자, 특히 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED)에 존재하는 발광층.
  19. 전자 기기, 바람직하게는 일렉트로루미네센스 소자, 특히 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 바람직하게는 발광층에서, 호스트 물질, 전하 수송 물질 및/또는 금속 종 불포함 도펀트로서, 바람직하게는 호스트 물질 또는 전자 수송 물질로서의, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 일반식 (I), (II) 또는 (III)에 따른 화합물의 용도.
  20. 하기 일반식 (IV)에 따른 화합물:
    Figure pct00232

    상기 식에서,
    A1, A2, A3, A4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 A1은 N 또는 CR1이고, A2는 N 또는 CR2이고, A3은 N 또는 CR3이고, A4는 N 또는 CR4이고,
    B1, B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합이고, B4는 NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이거나; B1은 NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B4는 직접 결합이고,
    C1은 N 또는 CR21이고, C4는 N 또는 CR24이고,
    X1, X2는 직접 결합, O, S, NR25, CR26R27이고, 여기서 X1 및 X2 중 하나는 직접 결합이고, 다른 하나는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고,
    여기서, R1, R2, R3, R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고,
    D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CR31=CR32-, -NR33-, -SiR28R29-, -POR34-, -C≡C-이고,
    E는 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않은 C6-C60아릴 기, J 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C60아릴 기, O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기, 치환되지 않은 C2-C60헤테로아릴 기, 또는 J, C1-C18알킬, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고,
    J는 -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 또는 -C(CF3)3이고,
    G는 E, C1-C18알킬 기, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬이고,
    R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 C1-C18알킬 기, C6-C18아릴 기, 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C18아릴 기이고,
    R31 및 R32는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R33, R34, R35, 및 R39는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R36은 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R37, R38, R40, R41, 및 R42는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이거나,
    또는 R37 및 R38은 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
    또는 R41 및 R42는 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
    또는 R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
    R5, R6, R7, R8, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, 및 R27은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
    또는 R21, R22, R23 및 R24 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
    R43, R44, R45, 및 R46은 서로 독립적으로 H, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이거나,
    또는 R43, R44, R45 및 R46 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하거나,
    또는 R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께, 바람직하게는 R21 또는 R24와 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있거나,
    또는 R5 또는 R17은 R43, R44, R45 또는 R46과 함께, 바람직하게는 R43 또는 R46과 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
  21. 하기 일반식 (Ie)에 따른 화합물:
    Figure pct00233

    상기 식에서,
    A1, A2, A3, 및 A4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 A1은 N 또는 CR1이고, A2는 N 또는 CR2이고, A3은 N 또는 CR3이고, A4는 N 또는 CR4이고,
    B1, B2, B3, 및 B4는 방향족 또는 헤테로방향족 5 또는 6원 고리를 형성하고, 여기서 B1은 직접 결합, NR5, N, O, S, CR6 또는 CR7R8이고, B2는 직접 결합, NR9, N, O, S, CR10 또는 CR11R12이고, B3은 직접 결합, NR13, N, O, S, CR14 또는 CR15R16이고, B4는 직접 결합, NR17, N, O, S, CR18 또는 CR19R20이고,
    C1, C2, C3, 및 C4는 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리를 형성하고, 여기서 C1은 N 또는 CR21이고, C2는 N 또는 CR22이고, C3은 N 또는 CR23이고, C4는 N 또는 CR24이고,
    X1은 직접 결합이고, X2는 O, S, NR25, 또는 CR26R27이거나; X1은 O, S, NR25, 또는 CR26R27, 또는 X2는 직접 결합이고,
    여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고,
    D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CR31=CR32-, -NR33-, -SiR28R29-, -POR34-, -C≡C-이고,
    E는 -OR35, -SR36, -NR37R38, -COR39, -COOR40, -CONR41R42, -CN, -SiR28R29R30, 할로겐, 치환되지 않은 C6-C60아릴 기, J로 치환된 C6-C60아릴 기, C1-C18알킬, O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기, 치환되지 않은 C2-C60헤테로아릴 기, 또는 J, C1-C18알킬, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기이고,
    J는 -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 또는 -C(CF3)3이고,
    G는 E, C1-C18알킬 기, 또는 O에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 C1-C18알킬 기, C6-C18아릴 기, 또는 C1-C18알킬로 치환된 C6-C18아릴 기이고,
    R31 및 R32는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R33, R34, R35, 및 R39는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R36은 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이고,
    R37, R38, R40, R41, 및 R42는 서로 독립적으로 H, C6-C18아릴 기, C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시로 치환된 C6-C18아릴, C1-C18알킬 기, 또는 -O-에 의해 개재된 C1-C18알킬 기이거나,
    또는 R37, R38은 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
    또는 R41, R42는 함께 5 또는 6원 고리를 형성하거나,
    또는 R1, R2, R3 및 R4 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
    R5, R6, R7, R8 , R9, R10, R11, R12 , R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, 및 R20은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C24아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
    또는 R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R17, R18, R19, 및 R20 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하고,
    R21, R22, R23, R24, R25, R26, 및 R27은 서로 독립적으로 H, E, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 E로 치환되고/되거나 D에 의해 개재된 C1-C25알킬 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴옥시 기, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C7-C25아르알킬, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C5-C12사이클로알킬 기, 또는 -SiR28R29R30이고, 여기서 G, E, D, R28, R29 및 R30은 서로 독립적으로 상기 정의된 의미를 갖거나,
    또는 R21, R22, R23 및 R24 중 2개는, 인접한 탄소 원자에 존재하는 경우, 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하거나,
    또는 R25는 R21, R22, R23 또는 R24와 함께 5 또는 6원의, 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
  22. 제21항에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23 및 R24로부터 선택된 하나 이상이 하기 일반식 (b)의 치환기인 화합물:
    Figure pct00234

    상기 식에서,
    L은 직접 결합, 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C6-C60아릴렌 기, 또는 치환되지 않거나 또는 하나 이상의 기 G로 치환된 C2-C60헤테로아릴렌 기이고,
    R56은 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기, C2-C60헤테로아릴 기 및 시아노 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 C6-C60아릴 기; 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 C2-C60헤테로아릴 기; 및 시아노 기이고,
    t는 1 내지 5, 바람직하게는 1 내지 3, 더 바람직하게는 1 또는 2, 추가로 바람직하게는 1의 정수이고,
    인접한 탄소 원자에서 2개의 기 R56은 치환되거나 치환되지 않은, 포화 또는 불포화, 방향족 또는 헤테로방향족 고리를 형성할 수 있다.
  23. 제22항에 있어서, 일반식 (b)의 치환기가 하기 일반식 (b1)에 상응하는 것인 화합물:
    Figure pct00235

    상기 식에서, R56 및 t는 제21항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖는다.
  24. 제22항 또는 제23항에 있어서, R21, R22, R23 및 R24로부터 선택된 하나 이상, 바람직하게는 R23이 일반식 (b) 또는 (b1)의 치환기인 화합물.
  25. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, R56이 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 질소-포함 C2-C60헤테로아릴 기, 바람직하게는 각각이 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환될 수 있는 피리딜 기, 피리미딜 기, 트리아지닐 기, 퀴놀리닐 기, 이소 퀴놀리닐 기, 또는 페난트롤리닐 기인 화합물.
  26. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, R56이 시아노 기인 화합물.
  27. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, R56이 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기, C2-C60헤테로아릴 기 및 시아노 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 축합된 C6-C60아릴 기, 바람직하게는 각각이 C6-C60아릴 기, C2-C60헤테로아릴 기 및 시아노 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환될 수 있는 나프틸 기, 안트릴 기, 트리페닐레닐 기, 피레닐 기, 페난트레닐 기, 본조페난트레닐 기, 벤조크리세닐 기, 벤즈안트릴 기, 플루오레닐 기, 벤조플루오레닐 기, 9,9-디메틸플루오레닐 기, 9,9,-디페닐플루오레닐 기, 및 9,9'-스피로비플루오레닐 기인 화합물.
  28. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, R56이 치환되지 않거나 C6-C60아릴 기 및 C2-C60헤테로아릴 기로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 카바졸릴 기, 바람직하게는 2개의 벤젠 고리 중 하나 이상이 하기 일반식의 축합된, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 치환기를 형성하는 카바졸릴 기인 화합물:
    Figure pct00236

    상기 식에서,
    R51은 C6-C60아릴 기이고,
    R52, R53, R54, 및 R55는 서로 독립적으로 C1-C25알킬 기, C6-C60아릴 기, 또는 C2-C60헤테로아릴 기이고,
    p는 0 내지 4의 정수, 바람직하게는 0이고,
    q는 0 내지 2의 정수, 바람직하게는 0이고,
    r은 0 내지 2의 정수, 바람직하게는 0이고,
    s는 0 내지 4의 정수, 바람직하게는 0이고,
    (R52)0, (R53)0, (R54)0, 및 (R55)0은 각각 R52, R53, R54, 및 R55의 부재를 의미한다.
  29. 제21항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식 (Ie)에 따른 화합물이 하기 일반식 (If)에 상응하는 것인 화합물:
    Figure pct00237

    상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3 및 C4는 제19항에 정의된 의미를 갖고, X2는 O, S, NR25, 또는 CR26R27, 바람직하게는 O이다.
  30. 제21항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식 (Ie)에 따른 화합물이 하기 일반식 (Ig)에 상응하는 것인 화합물:
    Figure pct00238

    상기 식에서, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, C1, C2, C3 및 C4는 제19항에 정의된 의미를 갖고, X1은 O, S, NR25, 또는 CR26R27, 바람직하게는 O이다.
  31. 제1항 내지 제30항 중 어느 한 항에 정의된 일반식 (I)에 따른 화합물의 제조 방법으로서,
    X1이 직접 결합이고, X2가 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, R25, R26 및 R27이 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖는 경우, 하기 단계 (a) 내지 (d)를 포함하고,
    또는, X1이 O, S, NR25, 또는 CR26R27이고, X2가 직접 결합이고, R25, R26 및 R27이 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖는 경우, 하기 단계 (e)를 포함하는 것인 제조 방법:
    (a) 일반식 (VI)에 따른 화합물을 염기의 존재하에 일반식 (VII)에 따른 화합물과 반응시켜 일반식 (VIII)에 따른 화합물을 수득하는 단계:
    Figure pct00239

    상기 식에서, X2, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖고, R'는 C1-C18알킬, -O-에 의해 개재된 C1-C18 알킬, C3-C25사이클로알킬, C6-C18아릴 기, 또는 5 내지 22개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴 기이고, Y는 F, Cl, Br, 또는 I이다;
    (b) 일반식 (VIII)에 따른 화합물을 염기의 존재하에 일반식 (IX)에 따른 화합물과 반응시켜 일반식 (X)에 따른 화합물을 수득하는 단계:
    Figure pct00240

    상기 식에서, X2, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖고, Y'는 F, Cl, Br, 또는 I이다;
    (c) 일반식 (X)에 따른 화합물을 용매 중에서 촉매의 존재하에 환원 시약 또는 H2로 환원시켜 일반식 (XI)에 따른 화합물을 수득하는 단계:
    Figure pct00241

    상기 식에서, X2, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 가진다;
    (d) 일반식 (XI)에 따른 화합물을 촉매의 존재하에 반응시켜 일반식 (I)에 따른 화합물을 수득하는 단계:
    Figure pct00242

    상기 식에서, X2, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 상기 언급된 바와 동일한 의미를 가진다;
    (e) 일반식 (XII)에 따른 화합물을 염기 및 촉매의 존재하에 일반식 (XIII)에 따른 화합물과 반응시켜 일반식 (I)에 따른 화합물을 수득하는 단계:
    Figure pct00243

    상기 식에서, X1, A1, A2, A3, A4, C1, C2, C3, C4, B1, B2, B3 및 B4는 제1항에 정의된 바와 동일한 의미를 갖고, (i) Y1는 I이고, Y2는 Br 또는 Cl이거나, (ii) Y1은 Br이고, Y2는 Cl이거나, (iii) Y1 및 Y2는 동일한 할로겐이다.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3700909B1 (de) * 2017-10-24 2024-01-24 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR102472915B1 (ko) * 2017-12-28 2022-12-01 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN113508117A (zh) * 2019-03-20 2021-10-15 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
GB2593130A (en) 2019-10-24 2021-09-22 Sumitomo Chemical Co Photoactive materials

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4208290B2 (ja) 1998-06-01 2009-01-14 キヤノン株式会社 発光素子
IL146242A0 (en) 1999-05-13 2002-07-25 Univ Princeton Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
JP3924648B2 (ja) 1999-11-02 2007-06-06 ソニー株式会社 有機電界発光素子
KR100840637B1 (ko) 1999-12-01 2008-06-24 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 유기 ｌｅｄ용 인광성 도펀트로서 ｌ2ｍｘ 형태의 착물
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US6565994B2 (en) 2000-02-10 2003-05-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting device material comprising iridium complex and light emitting device using same material
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US7306856B2 (en) 2000-07-17 2007-12-11 Fujifilm Corporation Light-emitting element and iridium complex
WO2002015645A1 (en) 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4344494B2 (ja) 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP4067286B2 (ja) 2000-09-21 2008-03-26 富士フイルム株式会社 発光素子及びイリジウム錯体
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4086499B2 (ja) 2000-11-29 2008-05-14 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
DE10104426A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Covion Organic Semiconductors Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris-ortho-metallierten Organo-Iridium-Verbindungen
JP4307000B2 (ja) 2001-03-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
US6687266B1 (en) 2002-11-08 2004-02-03 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2005113704A2 (en) 2004-05-18 2005-12-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
KR101258042B1 (ko) 2004-07-07 2013-04-24 유니버셜 디스플레이 코포레이션 안정하면서 효율이 높은 전기발광 재료
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
US8492749B2 (en) 2004-12-23 2013-07-23 Basf Se Electroluminescent metal complexes with nucleophilic carbene ligands
KR101318125B1 (ko) 2005-03-17 2013-10-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기금속 착체 및 이를 사용하는 발광 소자, 발광 장치 및 전자 장치
DE102005014284A1 (de) 2005-03-24 2006-09-28 Basf Ag Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden
TWI418606B (zh) 2005-04-25 2013-12-11 Udc Ireland Ltd 有機電致發光裝置
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
KR101425423B1 (ko) 2005-05-30 2014-08-01 시바 홀딩 인크 전계발광 장치
JP4887731B2 (ja) 2005-10-26 2012-02-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
EP1786050B1 (de) 2005-11-10 2010-06-23 Novaled AG Dotiertes organisches Halbleitermaterial
JP5181676B2 (ja) 2006-01-05 2013-04-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20180117719A (ko) 2006-02-10 2018-10-29 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
WO2007108362A1 (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
ATE394800T1 (de) 2006-03-21 2008-05-15 Novaled Ag Heterocyclisches radikal oder diradikal, deren dimere, oligomere, polymere, dispiroverbindungen und polycyclen, deren verwendung, organisches halbleitendes material sowie elektronisches bauelement
EP1837927A1 (de) 2006-03-22 2007-09-26 Novaled AG Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern
EP2615153B1 (en) 2006-03-23 2017-03-01 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
US20070224446A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
US7897962B2 (en) 2006-03-30 2011-03-01 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence device, lighting device, and display having a reactive organic compound
WO2007115981A1 (de) 2006-04-04 2007-10-18 Basf Se Übergangsmetallkomplexe, enthaltend einen nicht-carben- und ein oder zwei carbenliganden und deren verwendung in oleds
EP2007779B1 (de) 2006-04-05 2012-03-21 Basf Se Heteroleptische übergangsmetall-carben-komplexe und deren verwendung in organischen leuchtdioden (oleds)
JP5055818B2 (ja) 2006-04-19 2012-10-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101453109B1 (ko) 2006-04-26 2014-10-27 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기 발광 소자
KR20090024300A (ko) 2006-06-26 2009-03-06 바스프 에스이 비카르벤에 의한 임의의 금속 고리화를 포함하지 않는 전이금속-카르벤 착물의 ｏｌｅｄ에서의 용도
JP2008021687A (ja) 2006-07-10 2008-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
EP2055701A1 (en) 2006-08-23 2009-05-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent devices made by using the same
JP5444715B2 (ja) 2006-09-08 2014-03-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP2008066569A (ja) 2006-09-08 2008-03-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5332614B2 (ja) 2006-09-08 2013-11-06 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5556014B2 (ja) 2006-09-20 2014-07-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5589251B2 (ja) 2006-09-21 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
EP2082447B1 (de) 2006-09-21 2018-10-24 UDC Ireland Limited Oled-anzeige mit verlängerter lebensdauer
JP5011908B2 (ja) 2006-09-26 2012-08-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP5063992B2 (ja) 2006-11-20 2012-10-31 ケミプロ化成株式会社 新規なジ（ピリジルフェニル）誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
US8119255B2 (en) 2006-12-08 2012-02-21 Universal Display Corporation Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same
EP2437326A3 (en) 2006-12-13 2013-11-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
WO2008090912A1 (ja) 2007-01-23 2008-07-31 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US9362510B2 (en) 2007-02-23 2016-06-07 Basf Se Electroluminescent metal complexes with benzotriazoles
JP2008207520A (ja) 2007-02-28 2008-09-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR102236225B1 (ko) 2007-03-08 2021-04-05 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광성 물질
DE102007012794B3 (de) 2007-03-16 2008-06-19 Novaled Ag Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial
EP3076451B1 (de) 2007-04-30 2019-03-06 Novaled GmbH Oxokohlenstoff, pseudooxokohlenstoff- und radialenverbindungen sowie deren verwendung
US20100141126A1 (en) 2007-05-16 2010-06-10 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display and illuminating device
WO2008146838A1 (ja) 2007-05-30 2008-12-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP5540701B2 (ja) 2007-06-21 2014-07-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2009000412A1 (en) * 2007-06-26 2008-12-31 Sanofi Aventis A regioselective metal catalyzed synthesis of annelated benzimidazoles and azabenzimidazoles
US8697255B2 (en) 2007-07-05 2014-04-15 Basf Se Organic light-emitting diodes comprising at least one disilyl compound selected from disilylcarbazoles, disilyldibenzofurans, disilyldibenzothiophenes, disilyldibenzopholes, disilyldibenzothiophene S-oxides and disilyldibenzothiophene S,S-dioxides
KR101577465B1 (ko) 2007-07-05 2015-12-14 바스프 에스이 카르벤 전이 금속 착체 이미터, 및 디실릴카르바졸, 디실릴디벤조푸란, 디실릴디벤조티오펜, 디실릴디벤조포스폴, 디실릴디벤조티오펜 ｓ-옥사이드 및 디실릴디벤조티오펜 ｓ,ｓ-디옥사이드로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드
JPWO2009008099A1 (ja) 2007-07-10 2010-09-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5194596B2 (ja) 2007-07-11 2013-05-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
JP5186843B2 (ja) 2007-08-30 2013-04-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US8258297B2 (en) 2007-10-17 2012-09-04 Basf Se Transition metal complexes with bridged carbene ligands and use thereof in OLEDs
ATE519770T1 (de) 2007-10-17 2011-08-15 Basf Se Übergangsmetallkomplexe mit verbrückten carbenliganden und deren verwendung in oleds
JP5691170B2 (ja) 2007-11-08 2015-04-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2009060757A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009114370A (ja) 2007-11-08 2009-05-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置、照明装置
WO2009060779A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2009060742A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009114369A (ja) 2007-11-08 2009-05-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20100276637A1 (en) 2007-11-14 2010-11-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, method of manufacturing organic electroluminescent element, display device, and illuminating device
JP2009135183A (ja) 2007-11-29 2009-06-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20090153034A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emittinig diodes
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
WO2009084413A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5549053B2 (ja) 2008-01-18 2014-07-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP2009182298A (ja) 2008-02-01 2009-08-13 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
KR101812441B1 (ko) 2008-02-12 2017-12-26 유디씨 아일랜드 리미티드 디벤조［ｆ,ｈ］퀴녹살린과의 전계발광 금속 착물
JP5381719B2 (ja) 2008-02-20 2014-01-08 コニカミノルタ株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009267255A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8057712B2 (en) 2008-04-29 2011-11-15 Novaled Ag Radialene compounds and their use
EP2479234B1 (en) 2008-05-13 2017-06-21 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
KR101778910B1 (ko) 2008-06-30 2017-09-14 유니버셜 디스플레이 코포레이션 트리페닐렌을 포함하는 정공 수송 물질
KR101913462B1 (ko) 2008-06-30 2018-10-30 유니버셜 디스플레이 코포레이션 황 함유 그룹을 포함하는 정공 수송 물질
WO2010001830A1 (ja) 2008-07-01 2010-01-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP2010021336A (ja) 2008-07-10 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5609641B2 (ja) 2008-07-10 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5338184B2 (ja) 2008-08-06 2013-11-13 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
WO2010040777A1 (de) 2008-10-07 2010-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mit kondensierten ringsystemen substituierte silole und deren verwendung in der organischen elektronik
JPWO2010044342A1 (ja) 2008-10-15 2012-03-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
EP2180029B1 (en) 2008-10-23 2011-07-27 Novaled AG Radialene compounds and their use
CN102119158B (zh) * 2008-11-03 2015-09-09 株式会社Lg化学 含氮杂环化合物及使用该化合物的有机电子器件
JP5493333B2 (ja) 2008-11-05 2014-05-14 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101919207B1 (ko) 2008-11-11 2018-11-15 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광성 에미터
JP5707665B2 (ja) 2008-12-03 2015-04-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置
WO2010067746A1 (ja) 2008-12-08 2010-06-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
JP5810529B2 (ja) 2009-01-09 2015-11-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20110260152A1 (en) 2009-01-28 2011-10-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
EP3046156A1 (en) 2009-02-06 2016-07-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element
WO2010095564A1 (ja) 2009-02-18 2010-08-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置
US8592806B2 (en) 2009-02-26 2013-11-26 Novaled Ag Quinone compounds as dopants in organic electronics
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US8709615B2 (en) 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
TWI751419B (zh) 2009-04-06 2022-01-01 美商環球展覽公司 包含新穎配位體結構之金屬錯合物
JP5202730B2 (ja) 2009-04-24 2013-06-05 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2246862A1 (en) 2009-04-27 2010-11-03 Novaled AG Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
TWI638808B (zh) 2009-04-28 2018-10-21 美商環球展覽公司 具有甲基-ｄ３取代之銥錯合物
US8603642B2 (en) 2009-05-13 2013-12-10 Global Oled Technology Llc Internal connector for organic electronic devices
KR101986469B1 (ko) 2009-10-28 2019-06-05 유디씨 아일랜드 리미티드 이종 리간드 카르벤 착체 및 유기 전자장치에서의 이의 용도
ES2525757T3 (es) 2009-12-14 2014-12-30 Basf Se Complejos metálicos que contienen ligandos de diazabencimidazolcarbeno y su uso en OLED
CN101781312B (zh) 2009-12-30 2012-09-26 中国科学院广州生物医药与健康研究院 一种吲哚衍生物的合成方法
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
TWI620747B (zh) 2010-03-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 雜環化合物及發光裝置
US9175211B2 (en) 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
US8227801B2 (en) 2010-04-26 2012-07-24 Universal Display Corporation Bicarbzole containing compounds for OLEDs
WO2011157790A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer of a dibenzofurane compound and a 8-hydroxyquinolinolato earth alkaline metal, or alkali metal complex
CN102947415B (zh) 2010-06-18 2016-01-06 巴斯夫欧洲公司 包含吡啶化合物和8-羟基喹啉根合碱土金属或碱金属配合物的层的有机电子器件
RU2452872C2 (ru) 2010-07-15 2012-06-10 Андрей Леонидович Кузнецов Пьезоэлектрический насос
JP5741581B2 (ja) 2010-07-29 2015-07-01 コニカミノルタ株式会社 透明導電膜、および有機エレクトロルミネッセンス素子
ES2386564B1 (es) 2010-08-06 2013-04-26 Telefónica, S.A. Método para gestionar información de presencia.
US8932734B2 (en) 2010-10-08 2015-01-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE112011106096B3 (de) 2010-10-22 2023-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metallorganischer Komplex, Licht emittierendes Element und Licht emittierende Vorrichtung
JP5900351B2 (ja) 2011-02-02 2016-04-06 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
EP2672540A4 (en) 2011-02-02 2015-06-24 Idemitsu Kosan Co NITROGENATED HETEROCYCLIC DERIVATIVE, ELECTRON TRANSPORT MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH
EP2674429B1 (en) 2011-02-07 2020-12-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Biscarbazole derivative and organic electroluminescent element using same
US10147888B2 (en) 2011-02-07 2018-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Biscarbazole derivative and organic electroluminescent element using same
US9368735B2 (en) 2011-02-15 2016-06-14 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element and illumination device
WO2012115034A1 (ja) 2011-02-22 2012-08-30 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US8883322B2 (en) 2011-03-08 2014-11-11 Universal Display Corporation Pyridyl carbene phosphorescent emitters
CN103429570A (zh) 2011-03-24 2013-12-04 出光兴产株式会社 双咔唑衍生物及使用其的有机电致发光元件
KR101951852B1 (ko) 2011-03-25 2019-02-26 유디씨 아일랜드 리미티드 전자장치 응용을 위한 4h-이미다조[1,2-a]이미다졸
JP5821951B2 (ja) 2011-04-26 2015-11-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US9212197B2 (en) 2011-05-19 2015-12-15 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants
US10079349B2 (en) 2011-05-27 2018-09-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20120135363A (ko) 2011-06-01 2012-12-13 엘지디스플레이 주식회사 청색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자
KR102119353B1 (ko) 2011-06-08 2020-06-29 유니버셜 디스플레이 코포레이션 헤테로렙틱 이리듐 카르벤 착물 및 이를 사용한 발광 디바이스
KR102090916B1 (ko) 2011-06-14 2020-03-19 유디씨 아일랜드 리미티드 아자벤즈이미다졸 카르벤 리간드를 포함하는 금속 착물 및 oled 에서의 이의 용도
JP2014528916A (ja) * 2011-07-08 2014-10-30 エルジー・ケム・リミテッド 新規な化合物およびこれを用いた有機電子素子
US9705092B2 (en) 2011-08-05 2017-07-11 Universal Display Corporation Phosphorescent organic light emitting devices combined with hole transport material having high operating stability
KR102081791B1 (ko) 2011-08-30 2020-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복소 고리 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6012611B2 (ja) 2011-09-28 2016-10-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN103959503B (zh) 2011-12-05 2016-08-24 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
US9530969B2 (en) 2011-12-05 2016-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
JPWO2013105206A1 (ja) 2012-01-10 2015-05-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた素子
KR102563117B1 (ko) 2012-07-10 2023-08-04 유디씨 아일랜드 리미티드 전자 응용을 위한 벤즈이미다조[1,2-a]벤즈이미다졸 유도체
CN104428392B (zh) 2012-07-13 2017-05-31 默克专利有限公司 金属络合物
AR092742A1 (es) * 2012-10-02 2015-04-29 Intermune Inc Piridinonas antifibroticas
TWI547490B (zh) 2013-03-15 2016-09-01 Idemitsu Kosan Co Anthracene derivatives and organic electroluminescent elements using them

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CN108349987A (zh) 2018-07-31

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