JP5063992B2 - 新規なジ(ピリジルフェニル)誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
特に青色リン光材料についてはエネルギーギャップが大きいためにワイドギャップ化されたホール輸送剤や電子輸送剤が必要になってくる。現在これらリン光材料については、電子輸送材料に従来から使用されているAlq3〔トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム〕やBAlq2〔ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリノラト)(4−フェニルフェノキシ)アルミニウム〕等が使用されているが、リン光材料に使用するには十分なエネルギーギャップを持ち合わせていないため新規なワイドギャップな電子輸送材料の開発が必要である。
M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest Appl.Phys.Lett 1999 75(1) 4−7 Appl.Phys.Lett.,79, 2082(2001) J.Appl.Phys.90 5048(2001) Polyhedron 23 (2004) 419−428
で示されるジ(ピリジルフェニル)誘導体に関する。
本発明の第2は、請求項1記載のジ(ピリジルフェニル)誘導体よりなる電子輸送材料に関する。
本発明の第3は、請求項1記載のジ(ピリジルフェニル)誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
正孔注入材料としては、下記化学式に示すPEDOT−PSS(ポリマー混合物)やDNTPDを挙げることができる。
(1)3,5−ジ(ピリジン−3−イル)−1−ブロモベンゼン(略号BPyBBr)の合成
(2)3,3″,5,5″−テトラ(ピリジン−3−イル)−1:1′,3′:1″−ターフェニル(略号BmPyBB)の合成
このもののUV吸収スペクトルは図1に示す。
(1)3,5−ジ(ピリジン−4−イル)−1−ブロモベンゼン(略号BpPyBrB、mDPyPBまたはBmPyPB)の合成
(2)3,3″,5,5″−テトラ(ピリジン−4−イル)−1:1′,3′:1″−ターフェニル(略号m−BpPyPB、BpPyPBまたはBmPyPB)の合成
このもののUV吸収スペクトルは図1に示す。
実施例1のBmPyBB、実施例2のm−BpPyPB、実施例5のp−BPyPPyBのTGA、DSCを測定し、熱特性を評価した。また、紫外線可視吸収スペクトル、発光スペクトルおよびイオン化ポテンシャル(AC−3)を測定し、電気化学特性を評価した。紫外線可視吸収スペクトルは図1に、その他の電気化学的特性を下表に示す。
Tg(二次転移温度)については、DSC(Diffirential Scanning Calorimeter 示差熱量計)中にサンプルを加え、溶融させたものを急冷し、2〜3回繰り返すとガラス転移を表すカーブがチャート上に現れるので、そのカーブを接線で結び、その交点の温度をTgとして採用する。
Tm(融点)は、同じくDSCにサンプルを加え、昇温していくと吸熱カーブが現れるのでその極大のところとの温度を読んで、その温度をTmとする。
Td(分解温度)は、DTA(Differential thermal analyzer 示差熱分析装置)にサンプルを加え、加熱していくとサンプルが熱によって分解し、重量が減少しだす。その減少が開始しだしたところの温度を読んで、その温度をTdとする。
エネルギーギャップ(Eg)については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりの所に接線を引き、求まった交点の波長W(nm)を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がEgになる。
Eg=1240÷W
例えば接線を引いて求めた値W(nm)が470nmだったとしたらこの時のEgの値は
Eg=1240÷470=2.63(eV)
と言うことになる。
Ip(イオン化ポテンシャル)は、イオン化ポテンシャル測定装置(例えば理研計器AC−1)を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始しだしたところの電圧(eV)の値を読む。
Ea(電子親和力)は、IpからEgを引いた値である。
本明細書における波長に対する強度(intensity a.u.)の測定は、浜松ホトニクス社製ストリークカメラを用いて、クライオスタット中で4.2Kにおいて測定した。
(1)3,5−ジ(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)トルエン(略号mBDOBT)の合成
Ref.T.Ishimaya,M.Murata,N.Miyaura,J.Org.Chem.,1995,60,7508.
(2)3′−メチル−3,3″,5,5″−テトラ(ピリジン−4−イル)−1:1′,3′:1″−ターフェニル(略号BpPyPMB)の合成
3′−メチル−3,3″,5,5″−テトラ(ピリジン−3−イル)−1:1′,3′:1″−ターフェニル(略号BmPyPMB)の合成
実施例3で得られたBpPyPMBおよび実施例4で得られたBmPyPMBの紫外線可視吸収スペクトル、発光スペクトルおよびイオン化ポテンシャル(AC−3)を測定し、電気化学特性を評価した。両者の紫外線可視吸収スペクトルは図2に、その他の電気化学的特性を下表に示す。
(1)4−〔3,5−ジ(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル〕ピリジン(略号pPyBBB)の合成
Ref.T.Ishimaya,M.Murata,N.Miyaura,J.Org.Chem.,1995,60,7508.
(2)3′−(ピリジン−4−イル)−3,3″,5,5″−テトラ(ピリジン−3−イル)−1:1′,3′:1″−ターフェニル(略号p−BPyPPyB)の合成
このもののUV吸収スペクトルは図1に示す。
(1)BPyBBr〔実施例1(1)〕と3−(3,5−ジブロモフェニル)ピリジン(略号DBrPyB)の合成
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/酢酸エチル=1/2を使用し、ついでクロロホルム/酢酸エチル/メタノール=10/20/1のものを使用)を行った。3−(3,5−ジブロモフェニル)ピリジン(DBrPyB)〕:収量:9.33g、収率:49.7mol%;3,5−ビスピリド−3−イル−ブロモベンゼン(BPyBBr):収量:2.93g、収率:15.7mol%。
(2)3−〔3,5−ジ(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル〕ピリジン(略号BDOBPyB)の合成
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/酢酸エチル=4/1)を行い、白色粉末のBDOBPyBを得た。収率:52.5mol%。
(3)mBPyPPyBの合成
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=20:1)を行い、白色固体のmBPyPPyBを得た。収率:45.7mol%。
(1)2,6−ビス−(3,5−ジクロロフェニル)ピリジン(略号BCPPY)の合成
(2)2,6−ビス−〔3,5−ジ−(ピリジン−3−イル)フェニル〕ピリジン(略号26D3PYPPY)の合成
3,5−ビス−〔3,5−ジ−(ピリジン−3−イル)フェニル〕ピリジン(略号35DPyPB)の合成
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=30/1)を行い、白い粉末を得た。収率:22.1mol%。
構造確認は1H−NMRで行った。
実施例1、5、6、7、8で得られた化合物の電気化学特性を下記表に示す。
(1)2−メチル−4,6−ビス−(3,5−ジクロロフェニル)ピリミジン(略号BCPMPM)の合成
(2)2−メチル−4,6−ビス〔3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル〕ピリミジン(略号D3PyPMPM)の合成
2−メチル−4,6−ビス〔3,5−ジ(ピリジン−4−イル)フェニル〕ピリミジン(略号D4PyPMPM)の合成
(1)3,4−ビス(3,5−ジクロロフェニル)チオフェン〔3,4−Bis−(3,5−dichloro−phenyl)−thiophen〕(略号3,4BDCPT)の合成
(2)3,4−ビス〔3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル〕チオフェン(略号3,4BmPyPT)の合成
(1)2,5−ビス(3,5−ジクロロフェニル)チオフェン〔2,5−Bis(3,5−dichloro−phenyl)−thiophene〕(略号BDCPT)の合成
(2)2,5−ビス〔3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル〕チオフェン(略号2,5BmPyPT)の合成
Ref.T.Ishimaya,M.Murata,N.Miyaura,J.Org.Chem.,1995,60,7508.
(1)2,4−ビス(3,5−ジクロロフェニル)チオフェン〔2,4−Bis(3,5−dichloro−phenyl)−thiophen〕(略号2,4BDCPT)の合成
(2)2,4−ビス〔3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル〕チオフェン(略号BmPyPT、2,4BmPyPT)の合成
2,5−ビス〔3,5−ジ(ピリジン−4−イル)フェニル〕チオフェン(略号BpPyPT、2,5−BpPyPT)の合成
〈実施例1で得られたBmPyBBを電子輸送層に用いた青色リン光素子の評価〉
下記の構成の有機EL素子を作った。実施例15の有機EL素子のエネルギーダイアグラムは図4に示す。
〔比較例1〕
ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:11wt%FIrpic(30nm)/TAZ(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
〔実施例15〕
デバイス1:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:11wt%FIrpic(30nm)/実施例1で得られたBmPyBB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス2:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(200Å)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:15wt%FIrpic(30nm)/実施例1で得られたBmPyBB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス3:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(30nm)/4CzPBP:11wt%FIrpic(10nm)/実施例1で得られたBmPyBB(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス4:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:11wt%FIrpic(10nm)/実施例1で得られたBmPyBB(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス5:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:15wt%FIrpic(10nm)/実施例1で得られたBmPyBB(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
TBPAHはトリス(4−ブロモフェニル)アミニウム ヘキサクロロアンチモネート〔Tris(4−bromophenyl)aminium hexachloroantimonate〕である。
実施例1で得られたBmPyBBは、公知のTAZと比較して高い電子輸送性を示した。膜厚、ドープ濃度を変化させた素子を作製したところ、最大視感効率41.5lm/W@100cd/m2(4CzPBP:11wt%FIrpic、HTL/EML/ETL=20nm/10nm/50nm)を示した。
各素子の
電流密度 −電圧特性は図5に、
輝度 −電圧特性は図6に、
視感効率 −電圧特性は図7に、
電流効率 −電圧特性は図8に、
輝度 −電流密度特性は図9に、
視感効率 −輝度特性は図10に、
ELスペクトルは 図11に、
ELスペクトル拡大図は図12に、
それぞれ示す。
実施例1で得られたBmPyPBを電子輸送層に用いた緑色リン光素子の評価
BmPyPBについてIr(ppy)3をドーパントとした緑色リン光素子を作成・評価を行った。その結果、BCP/Alq3をホールブロック層・電子輸送層として用いた素子と比較して高い電子輸送性を示した。そこで、膜厚を変化させた素子を作製したところ、最大視感効率94.9lm/W@100cd/m2〔CBP:8wt%Ir(ppy)3、HTL/EML/ETL=20nm/10nm/50nm〕の素子特性を示した。なお、実施例16の有機EL素子のエネルギーダイアグラムは図13に示す。
下記に素子の構成を示す。
〔比較例2〕
デバイス7:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
〔実施例16〕
デバイス8:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/BmPyPB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス9:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(10nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス10:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(20nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(10nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
電流密度 −電圧特性は図14に、
輝度 −電圧特性は図15に、
視感効率 −電圧特性は図16に、
電流効率 −電圧特性は図17に、
輝度 −電流密度特性は図18に、
視感効率 −輝度特性は図19に、
ELスペクトルは 図20に、
ELスペクトル拡大図は図21に、
それぞれ示す。
実施例6で得られたmBPyPPyBと実施例8で得られた35DPyPBを用いて下記有機EL素子をつくり、mBPyPPyBと35DPyPBの電子輸送性を評価した。
有機EL素子の構成
比較例3:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例17:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(40nm)/mBPyPPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例18:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(40nm)/35DPyPB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
電流密度 −電圧特性は図22に、
輝度 −電圧特性は図23に、
視感効率 −電圧特性は図24に、
電流効率 −電圧特性は図25に、
視感効率 −輝度特性は図26に、
ELスペクトルは 図27に、
それぞれ示す。
α−NPD/Alq3素子と較べ、mBPyPPyBおよび35DPyPBを用いた実施例17および18の素子の電流注入(<3V)は、若干低い。それはmBPyPPyBおよび35DPyPBのLUMOレベルが高いため、電子注入障壁も高いではないかと考えられる。しかし、高電圧領域にα−NPD/Alq3素子と同等またはその以上の電流密度を有する。これからみてmBPyPPyBおよび35DPyPBは高い電子移動度を有するものと思われる。
比較例4:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/BCP/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例19:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/実施例1で得られたBmPyPB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例20:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/実施例9で得られたD3PYPMPM(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例1で得られたBmPyPB、実施例9で得られたD3PYPMPMを電子輸送層に用いて、緑リン光素子を作った(実施例19、実施例20)。
なお、比較のため電子輸送層にBCP/Alq3を用いたものを比較例4とした。
これにより得られた素子の物性を下記表に示す。
電圧−電流特性 は図28に、
電圧−輝度特性 は図29に、
視感効率−輝度特性は図30に、
輝度−電流効率特性は図31に、
それぞれ示す。
また、D3PYPMPMを用いた20mA/cm2時のELスペクトルを図32に示す。
図32のELスペクトルよりD3PYPMPMを用いた素子からはIr(ppy)3のみの発光が得られている。D3PYPMPMのIpは6.75eVと大きいため良好なホールブロック性を示していると考えられる。図28の電圧−電流特性よりD3PYPMPMを用いた素子は2.5Vから電流注入し始めており、BCP/Alq3やBmPyPBを用いた素子よりも電子注入障壁が低いと考えられる。また5Vまでの低電圧領域の電流密度も他の2つの素子を上回っており、良好な電子輸送性を示している。この素子の100cd/m2時の視感効率は87.01m/W、外部量子効率は21.7%と、発光層が30nmの素子としては、これまでにない高効率な結果が得られている。
実施例5で得られたpBPyPPyBを電子輸送層に用いた青色リン光素子を作成し、この素子(実施例21)の評価を行った。
なお、比較のためpBPyPPyBの代わりにTAZ(比較例1参照)を用いた素子を比較例5とした。
比較例5:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:11wt%FIrpic(30nm)/TAZ(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例21:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/3DTAPBP(20nm)/4CzPBP:11wt%FIrpic(30nm)/pBPyPPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
この素子の特性を下記表に示す。
電流密度 −電圧特性 は図34に、
輝度 −電圧特性 は図35に、
視感効率 −電圧特性 は図36に、
電流効率 −電圧特性 は図37に、
輝度 −電流密度特性は図38に、
視感効率 −輝度特性 は図39に、
ELスペクトル は図40に、
ELスペクトル拡大図 は図41に、
それぞれ示す。
実施例5で得られたpBPyPPyBについてIr(ppy)3をドーパントとした緑色リン光素子(実施例22、デバイス12〜14)を作成・評価を行ったところ、BCP/Alq3(比較例6、デバイス11)と比較して高い素子特性を示した。次いで、発光層を10nmとして高効率化を目指した素子を作製したところ、最大視感効率80.6lm/W@100cd/m2〔CBP:8wt%Ir(ppy)3、HTL/EML/ETL=30nm/10nm/30nm〕の素子特性を示した。
素子の構成
デバイス11:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス12:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(30nm)/pBPyPPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス13:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(10nm)/pBPyPPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
デバイス14:ITO/TPDPES:10wt%TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:8wt%Ir(ppy)3(10nm)/pBPyPPyB(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
電流密度 −電圧特性 は図43に、
輝度 −電圧特性 は図44に、
視感効率 −電圧特性 は図45に、
電流効率 −電圧特性 は図46に、
輝度 −電流密度特性は図47に、
視感効率 −輝度特性 は図48に、
ELスペクトル は図49に、
ELスペクトル拡大図 は図50に、
それぞれ示す。
実施例1で得られたBmPyBBと実施例12で得られた2,5BmPyPTと実施例14で得られた2,5BpPyPTをそれぞれ電子輸送材料として用いた素子を用い、その特性を評価した。
素子の構成
比較例7:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例23:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(40nm)/BmPyBB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例24:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(40nm)/BmPyPT(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例25:ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(40nm)/BpPyPT(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
電流密度はBmPyBB>BmPyPT>BpPyPT>Alq3の順となることが示された。特に、メタ置換のBmPyPTは電子注入特性が高いことがわかった。
各有機EL素子の
電流密度 −電圧特性は図51に、
電流密度 −電圧特性(線形:低電圧領域)は図52に、
輝度 −電圧特性は図53に、
視感効率 −電圧特性は図54に、
電流効率 −電圧特性は図55に、
ELスペクトル は図56に、
それぞれ示す。
実施例1で得られたBmPyBB(実施例27に相当)
実施例5で得られたpBPyPPyB(実施例29に相当)
実施例6で得られたmBPyPPyB(実施例28に相当)
実施例8で得られた35DPyPB(実施例26に相当)
をそれぞれ電子輸送材料として用いて、緑色リン光素子を得た。
素子の構成
実施例26:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)3(8wt%)(30nm)/DPyPB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例27:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)3(8wt%)(30nm)/BmPyBB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例28:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)3(8wt%)(30nm)/mBPyPPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例29:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(20nm)/CBP:Ir(ppy)3(8wt%)(30nm)/pBPyPPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
これらの素子の物性を下記表に示す。
電流密度 −電圧特性 は図57に、
輝度 −電圧特性 は図58に、
輝度 −電流密度特性は図59に、
外部量子効率−輝度特性 は図60に、
視感効率 −輝度特性 は図61に、
電流効率 −電圧特性 は図62に、
視感効率 −電圧特性 は図63に、
電流効率 −電流密度特 は図64に、
ELスペクトル は図65に、
それぞれ示す。
実施例1で得られたBmPyBBを用いた緑色リン光素子と比べ、実施例8で得られたDPyPBを用いた素子の電流密度は遥かに高いことが確認された。同じ素子構造でこれまで一番高い電流密度ではないかと思われる。しかし、電子が過剰に注入し、逆にキャリアバランスが崩れることがわかった。それでも、DPyPBは電子輸送材料として優れているのではないかと思われる。適当に素子周辺材料を選べば、より高い効率が期待できると思われる。また実施例6で得られたmBPyPPyBを用いた素子は実施例1で得られたBmPyBBまたは実施例5で得られたpBPyPPyBを用いた素子より電子注入は若干低いが、高電圧領域での電流密度はいずれの素子よりも高い。
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔輸送層(ホール輸送層)
6 電子輸送層
7 正孔注入層(ホール注入層)
8 電子注入層
9 正孔ブロック層(ホールブロック層)
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