KR101322342B1 - 기판 프로세싱 챔버용 타겟 및 프로세스 키트 - Google Patents
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Abstract
프로세스 키트는 기판의 돌출 에지 상에 그리고 기판 프로세싱 챔버 상에 프로세스 증착물이 증착되는 것을 감소시키기 위해 기판 프로세싱 챔버 내의 기판 지지부 주위에 배치되는 링 조립체를 포함한다. 상기 프로세스 키트는 증착 링, 커버 링, 및 승강-방지 브래킷을 포함하며, 또한 일체형 실드를 포함할 수 있다. 또한, 타겟이 개시된다.
Description
도 1은 프로세스 키트의 실시예를 가지는 기판 프로세싱 챔버의 개략적 측단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 프로세스 키트의 측단면도이다.
도 3은 도 2의 프로세스 키트의 사시도이다.
도 4a는 승강-방지(anti-lift) 브래킷을 위한 유지 브래킷의 사시도이다.
도 4b는 승강-방지 브래킷을 위한 유지 브래킷이 위치된 것을 도시한 지지부의 후방면의 사시도이다.
도 5는 기판 지지부를 둘러싸는 증착 링 상에 리세스 포켓(recessed pocket)내의 홀딩 포스트상으로 활주하는(sliding) 승강-방지 브래킷의 사시도이다.
도 6은 기판 지지부 주위의 증착 링의 홀딩 포스트상에 장착된 후의 상태를 도시한 승강-방지 브래킷의 사시도이다.
도 7은 구속 빔(restraint beam)의 프롱(prong)을 핀과 결합시켜 조립체를 함께 유지하는 세라믹 절연부 상으로 활주하는 승강-방지 브래킷의 전개 사시도이다.
도 8은 승강-방지 브래킷, 세라믹 절연부, 핀, 및 구속 빔을 기판 지지부(130)상에 조립된 상태로 도시한 사시도이다.
도 9는 그 내부의 다각형 도관을 도시한 열교환기의 상부 단면도이다.
도 10은 기판 및 지지부로부터의 거리의 함수로서 컴포넌트들상에 형성된 증착물의 두께를 도시한 프로세스 키트의 스케일링된 기하학적 구조(scaled geometry)에 대해 얻어진 모델링 결과를 나타낸 그래프이다.
본 출원은 2005년 10월 31일자로 출원된 미국 가출원 제 60/732,324 호에 우선권을 주장하며, 상기 가출원은 그 전체가 여기에서 참조로서 통합된다.
본 발명의 실시예는 기판 프로세싱 챔버용 프로세스 키트 및 타겟에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 및 디스플레이와 같은 기판의 프로세싱 중에, 기판이 프로세스 챔버내에 배치되고, 프로세싱 조건들이 챔버내에서 셋팅되어, 기판상에서 물질을 증착 또는 에칭한다. 통상적인 프로세스 챔버는, 프로세스 존(zone)을 둘러싸는 외장 벽(enclosure wall), 챔버내로 가스를 공급하는 가스 공급부, 기판을 프로세싱하기 위해 프로세스 가스로 에너지를 공급하는 가스 에너자이저(energizer), 기판을 홀딩하는 기판 지지부, 및 소비된 가스를 제거하고 챔버내의 가스 압력을 유지하기 위한 가스 배기부를 포함하는 챔버 컴포넌트들을 구비한다. 그러한 챔버들은 예를 들어 CVD, PVD 및 에칭 챔버를 포함할 수 있다. PVD 챔버에서, 스퍼터링된 타겟 물질이 타겟과 마주하는 기판상에 증착되게 하도록 타겟이 스퍼터링된다. 스퍼터링 프로세스에서, 비활성 또는 활성 가스가 챔버내로 공급되고, 타겟은 통상적으로 전기적으로 바이어스되며, 기판은 전기적 플로팅 전위(floating potential)에서 유지되어, 타겟의 스퍼터링을 야기하는 플라즈마를 챔버내에서 생성한다.
PVD 챔버는, PVD 증착물이 내부 챔버 벽이나 기타 영역에 형성되는 것을 감소시키도록 기판 지지부에 위치되는 챔버 컴포넌트들을 포함하는 프로세스 키트를 포함할 수 있다. 통상적인 PVD 챔버 프로세스 키트는, 예를 들어, 증착, 커버 및/또는 새도우(shadow) 링을 포함할 수 있으며, 이 모든 것들은 기판의 둘레부(periphery) 주위에(about) 위치된다. 여러 가지 형상의 링이 배열되어 스퍼터링 증착물(deposit)을 수용하며, 그렇지 않은 경우에, 기판의 노출된 후방 표면 또는 지지부의 측면 상에 스퍼터링 증착물이 축적될 것이다. 프로세스 키트는, 또한 PVD 스퍼터링 증착물을 수용하는 수용 표면으로서 작용함으로써 챔버 측벽을 보호하는 챔버 실드(shield) 및 라이너(liner)를 포함할 수 있으며, 그렇지 않으면 PVD 스퍼터링 증착물은 챔버의 측벽에 증착될 것이다. 프로세스 키트 컴포넌트들은 또한 상기 표면들에 스퍼터링 증착물이 축적되는 것을 감소시키며, 만약 상기 스퍼터링 증착물들이 축적된다면 결국 박리되어 기판상에 부착되는(deposit) 오염물질 입자를 형성할 것이다. 키트 컴포넌트들은 또한 에너지화된 플라즈마에 의한 내부 챔버 구조물의 부식을 감소시킨다. 또한 키트 컴포넌트들은 축적된 증착물들의 세정을 위해 용이하게 제거가능하게 설계될 수 있을 것이다. 예를 들어 1000개의 기판 배치(batch)의 프로세싱 후에, 통상적으로 프로세스 키트 컴포넌트들이 제거되고 예를 들어 HF 및 HNO3 를 포함하는 산성 용액으로 세정되어, 기판 프로세스 사이클 동안에 키트 컴포넌트들에 축적된 스퍼터링된 증착물들을 제거한다.
챔버의 내측벽에 형성되는 스퍼터링된 증착물의 양을 감소시키기 위해 서로 관련된 형상을 가지고 정렬되는 컴포넌트들을 포함하는 프로세스 키트를 구비하는 것이 바람직하다. 축적된 증착물의 감소는, 세정을 위해 챔버를 중단하거나 분해할 필요가 없이, 많은 수의 기판들이 챔버 내에서 연속하여 프로세싱될 수 있게 허용한다. 챔버 세정이 필요할 때마다, 그 결과로서 생기는(resultant) 챔버의 중단시간(downtime)이 기판의 프로세싱 비용을 증가시킬 것이다. 따라서, 챔버의 내부 표면의 세정을 위해 챔버를 중단하지 않으면서, 챔버가 기판상으로 물질을 스퍼터링하도록 동작될 수 있는 시간의 양을 최대화하는 것이 바람직하다.
또한, 예를 들어 알루미늄 PVD 프로세스와 같은 특정 PVD 프로세스에서, 스퍼터링된 알루미늄 증착물이 기판 둘레부 주위의 여러 증착, 커버, 및 기타 링들 사이의 갭 내에 축적되고, 그리고 기판의 후방면에 형성된다. 축적된 스퍼터링된 증착물들은 기판이 증착 링에 부착되도록 하여 기판이 지지부로부터 제거되도록 할 때 기판 손상을 야기한다. 기판을 링에 부착되도록 하는 링 부분들에 증착물을 축적하지 않고 지지부의 측면 및 기판의 후방면상에서의 증착을 감소시킬 수 있는 링을 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 기판이 지지부로부터 승강될 때 기판 및/또는 증착 링에 대한 손상을 감소시킬 수 있도록, 부분적으로 부착된 증착 링이 기판과 함께 상승하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
기판을 둘러싸는 라이너 및 실드가 챔버내의 스퍼터링 플라즈마에 노출되어 가열될 때 다른 문제가 발생한다. 통상적으로, 실드 및 라이너는, 챔버내의 저압 환경에서 이들 주변의 챔버 컴포넌트들과 이러한 컴포넌트들의 온도를 허용가능한 레벨로 낮출 만큼 충분한 양의 열을 교환하지 않는다. 이러한 컴포넌트들의 과다한 가열은 해로운데, 이는 컴포넌트들의 열팽창이 열 응력을 유발하고, 이러한 열 응력은 프로세스 사이클이 완료된 후에 실드 및 라이너상에 형성된 스퍼터링된 증착물의 박리(peeling) 또는 분쇄(spalling)를 초래하기 때문이다. 따라서, 기판의 프로세싱 동안에 실드 및 라이너를 낮은 또는 감소된 온도에서 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 이러한 특징, 양상, 및 이점들은 본 발명의 예시들을 설명하고 있는 이하의 상세한 설명, 특허청구범위, 및 첨부 도면과 관련하여 보다 분명히 이해할 수 있을 것이다. 그러나, 특징들 각각은 단지 특정한 도면의 맥락에서 이용되는 것이 아니라 본 발명에 있어서 일반적으로 이용될 수 있을 것이며, 상기 발명은 이러한 특징들의 임의의 조합을 포함할 것이다.
기판(104)을 프로세싱할 수 있는 적절한 프로세스 챔버(100)의 예가 도 1에 도시되어 있다. 챔버(100)는 프로세스 존(106)을 둘러싸는 외장 벽(108)을 포함하고, 상기 외장 벽(180)은 측벽(116), 바닥 벽(120), 및 천장(124)을 포함한다. 챔버(100)는 챔버(106)들 사이에서 기판(104)을 이송하는 로봇 팔(arm) 메커니즘에 의해 연결된 상호연결 챔버들의 클러스터를 가지는 멀티-챔버 플랫폼(도시 안 됨)의 일부일 수 있다. 도시된 버전에서, 프로세스 챔버(100)는 스퍼터 증착 챔버(물리 기상 증착 또는 PVD 챔버라고도 한다)를 포함하며, 그러한 스퍼터 증착 챔버는 탄탈륨, 탄탈륨 나이트라이드, 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 구리, 텅스텐, 텅스텐 나이트라이드, 및 알루미늄 중 하나 이상과 같은 물질을 기판(104)상에 스퍼터링 증착시킬 수 있다.
챔버(100)는 기판(104)을 지지하기 위해 받침대(134)를 포함하는 기판 지지부(130)를 포함한다. 받침대(134)는 프로세싱 동안에 기판(104)을 지지하고 수용하는 기판 수용 표면(138)을 구비하고, 전기 저항식 히터 또는 히터 열교환기(도시 안 됨)와 같은 히터 또는 정전기 척(chuck)을 포함할 수 있다. 작동중에, 기판(104)은 챔버(100)의 측벽(116)내의 기판 로딩 유입구(도시 안 됨)를 통해 챔버(100)내로 도입되고 기판 지지부(130)상에 배치된다. 기판(104)을 지지부(130) 상에 배치하는 동안에, 지지부(130)는 지지부 승강 벨로우즈(support lift bellows)에 의해 승강 또는 하강될 수 있으며 그리고/또는 승강 핑거 조립체(도시 안 됨)는 지지부(130)상으로 기판을 승강 및 하강하도록 이용될 수 있다. 받침대(134)는 플라즈마 동작 동안에 전기적 플로팅 전위 상태로 유지될 수 있거나 또는 접지될 수 있다.
챔버(100)는 기판(104)과 마주하는 스퍼터링 표면(142)을 포함하는 스퍼터링 타겟(140)을 더 포함하고, 상기 스퍼터링 표면은 기판(104)상으로 스퍼터링되는 물질을 포함한다. 타겟(140)은 통상적으로 유전체 또는 절연체 물질로 제조되는 절연부(144)에 의해 챔버(100)로부터 전기적으로 절연된다. 타겟(140)은 전기적으로 플로팅된 지지부(130) 및/또는 챔버 컴포넌트들의 벽 전방에 있는 실드(150)에 대하여 타겟(140)으로 바이어스 전압을 인가하는 타겟 전원(148)에 연결된다. 타겟(140), 실드(150), 지지부(130), 및 타겟 전원(148)에 연결된 기타 챔버 컴포넌트들은 가스 에너자이저(152)로서 동작하여, 스퍼터링 가스의 플라즈마를 형성한다. 가스 에너자이저(152)는 또한 소스(source) 코일(153)을 포함할 수 있으며, 상기 소스 코일은 그 코일을 통해 전류를 인가함으로써 챔버(100)내에 플라즈마를 생성하는데 이용된다. 생성된 플라즈마는 타겟(140)의 스퍼터링 표면(142)에 에너지적으로(energetically) 충돌하고(impinge) 상기 표면을 타격하여(bombard) 표면(142)으로부터 기판(104)으로 물질을 스퍼터링한다.
스퍼터링 가스가 가스 전달 시스템(160)을 통해 챔버(100)로 도입되고, 상기 가스 전달 시스템(160)은 가스 공급원(162)으로부터 질량 유동 제어부와 같은 가스 유동 제어 밸브(166)를 가지는 도관(164)을 통해 가스를 제공하여서 설정된 가스의 유량을 통과시킨다. 가스들은 혼합 매니폴드(mixing manifold)(도시 안 됨)로 공급되고, 상기 매니폴드에서 가스들이 혼합되어 원하는 프로세스 가스 조성을 형성하고 챔버(100)내의 가스 배출구를 가지는 가스 분배기(168)로 공급된다. 프로세스 가스는 아르곤 또는 크세논과 같은 비-반응성 가스를 포함할 수 있으며, 그러한 비-반응성 가스는 에너지적으로 타겟으로 충돌할 수 있고 그 타겟으로부터 물질을 스퍼터링할 수 있다. 프로세스 가스는 또한 스퍼터링된 물질과 반응하여 기판(104)상에 층을 형성할 수 있는 산소-함유 가스 및 질소-함유 가스 중 하나 이상과 같은 반응성 가스를 포함할 수 있다. 소비된 프로세스 가스 및 부산물은 소비된 가스를 수용하고 그 소비된 가스를 스로틀 밸브(176)를 구비하는 배기 도관(174)로 전달하여 챔버(100)내의 가스 압력을 제어하기 위한 배기 포트(172)를 포함하는 배기부(170)를 통해 챔버(100)로부터 배기된다. 배기 도관(174)은 하나 이상의 배기 펌프(178)에 연결된다. 통상적으로, 챔버(100)내의 스퍼터링 가스의 압력은, 예를 들어 1 mTorr 내지 400 mTorr 가스 압력의 진공 환경과 같은 대기압 이하(sub-atmospheric) 레벨로 설정된다.
챔버(100)는 제어부(180)에 의해 제어되고, 상기 제어부는, 챔버(100)내의 기판(104)을 프로세싱하도록 챔버(100)의 컴포넌트들을 동작시키는 명령어 세트를 구비하는 프로그램 코드를 포함한다. 예를 들어, 제어부(180)는 기판 이송 및 기판 지지부(130)를 동작시키기 위한 기판 위치결정(positioning) 명령어 세트; 챔버(100)로의 스퍼터링 가스의 유동을 설정하기 위해 가스 유동 제어 밸브를 동작시키기 위한 가스 유동 제어 명령어 세트; 챔버(100)내의 압력을 유지하기 위해 배기 스로틀 밸브를 동작시키기 위한 가스 압력 제어 명령어 세트; 가스 에너지화 전력 레벨을 설정하기 위해 가스 에너자이저를 동작시키기 위한 가스 에너자이저 제어 명령어 세트; 챔버(100)내의 여러 컴포넌트들의 온도를 설정하기 위해 온도 제어 시스템을 제어하기 위한 온도 제어 명령어 세트; 및 챔버(100)내의 프로세스를 모니터링하기 위한 프로세스 모니터링 명령어 세트를 포함하는 프로그램 코드를 포함할 수 있다.
챔버는 여러 컴포넌트들을 포함하는 프로세스 키트(200)를 포함하며, 상기 키트는, 예를 들어, 컴포넌트 표면으로부터 스퍼터링 증착물을 세정하기 위해, 부식된 컴포넌트들을 교체하거나 수리하기 위해서, 또는 챔버를 기타 프로세스에 적응시키기 위해, 챔버(100)로부터 용이하게 제거될 수 있다. 하나의 버전에서, 프로세스 키트(200)는 기판 지지부(130)의 둘레 벽(204) 주위에 배치하기 위한 링 조립체(202)를 포함하며, 상기 둘레 벽은 기판의 돌출 엣지(206)에 못미쳐 종료된다. 링 조립체(202)는, 기판(104)의 돌출 엣지(206) 또는 지지부(130)의 둘레 벽(204)상에 스퍼터 증착물이 형성되는 것을 감소시키기 위해 서로 협력하는 증착 링(208) 및 커버 링(212)을 포함한다.
도 2 및 도 3 에 도시된 바와 같이, 증착 링(208)은 지지부(130)의 둘레 벽(204)을 둘러싸고 그 주위로 연장하는 환형 밴드(216)를 포함한다. 환형 밴드(216)는 상기 밴드로부터 횡방향으로 연장하고 상기 지지부(130)의 둘레 벽(204)에 실질적으로 평행한 내측 립(218)을 포함한다. 내측 립(218)은 기판(104)의 돌출 엣지(206) 바로 아래쪽에서 종료된다. 내측 립(218)은 지지부(130) 및 기판(104)의 둘레를 둘러싸는 증착 링(208)의 내측 둘레부를 규정하여 프로세싱 동안에 기판(104)에 의해 덮이지 않는 지지부(130) 영역을 보호한다. 예를 들어, 내측 립(218)은 프로세싱 환경에 노출될 지지부(130)의 둘레 벽(204)을 둘러싸고 적어도 부분적으로 덮어서, 둘레 벽(204)상에 스퍼터링 증착물이 증착되는 것을 감소시키거나 완전히 방지한다. 유리하게도, 지지부(130)가 세정을 위해 분해될 필요가 없도록, 증착 링(208)의 노출된 표면으로부터 스퍼터링 증착물을 세정하기 위해 증착 링(208)이 용이하게 제거될 수 있다. 증착 링(208)은 또한 지지부(130)의 노출된 측면들을 보호하여 에너지화된 플라즈마 종에 의한 이들의 부식을 감소시키는 역할을 할 수 있다. 통상적으로, 증착 링(208)은 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 금속으로부터 제조되거나, 또는 알루미늄 산화물과 같은 세라믹 물질로부터 제조될 수 있다.
도 2 및 도 3 에 도시된 버전에서, 증착 링(208)의 환형 밴드(216)는 상기 환형 밴드(216)의 중심 부분을 따라 연장하는 상승 릿지(224)를 구비한다. 상기 상승 릿지(224)는 상기 커버 링(212)으로부터 이격되어 그 사이에 회선형 갭(229)을 형성하는 편평한 상부 표면(228)을 구비하며, 상기 갭은 회선형 갭으로 플라즈마 종이 침투하는 것을 감소시키는 미로로서 작용한다. 개방 내측 채널(230)은 내측 립(218)과 상승 릿지(224) 사이에 놓인다. 개방 내측 채널(230)은 방사상 내측으로 연장하여 기판(104)의 돌출 엣지(206) 아래에서 적어도 부분적으로 종료된다. 내측 채널(230)은 내측 립(218)에 결합된 제 1 의 둥근 모서리(232) 및 상승 릿지(224)에 결합된 약간 경사진 표면(234)을 구비한다. 매끄러운 모서리(232) 및 경사진 표면(234)은 증착 링(208)의 세정 동안에 이러한 부분들로부터 스퍼터링 증착물의 제거를 용이하게 한다. 증착 링(208)은 또한 상승 릿지(224)로부터 방사상 외측에 위치되고 커버 링(212)을 지지하는 역할을 하는 렛지(ledge)(236)를 구비한다. 또한, U-자형 채널(237)이 상승 릿지(224)와 렛지(236) 사이에 제공되어 회선형 통로를 그 사이에 형성하고, 상기 회선형 통로는, 통로를 통해 플라즈마 또는 가스형 종(species)이 통과하여 유동하는 것을 추가적으로 방지하여 통로의 방사상 외측 영역에 프로세스 증착물이 증착되는 것을 감소시킨다. 따라서, 증착 링의 윤곽 및 프로파일은 이러한 영역들을 통해 프로세스 증착물이 통과하는 것을 감소시키도록 형상이 결정된다. 종래 기술의 설계와 달리, 기판(104)이 활주하는 경우에 또는 챔버(100)내에서 잘못 배치되는 경우에 기판(104)을 유지하기 위한 핀들이 증착 링(208)에 필요치 않게 되는데, 이는 챔버내로의 기판의 이송중에 기판이 챔버내에 정확하게 위치되기 때문이다.
링 조립체(202)의 커버 링(212)은 증착 링(208)을 둘러싸고 적어도 부분적으로 덮어서, 증착 링(208)을 수용하고 따라서 그 증착 링(208)을 스퍼터링 증착물 덩어리로부터 차폐한다. 스퍼터링 플라즈마에 의한 부식에 대해 내성을 가질 수 있는 물질, 예를 들어 스테인레스 스틸, 티타늄 또는 알루미늄과 같은 금속 물질, 또는 알루미늄 산화물과 같은 세라믹 물질로부터 커버 링(212)이 제조된다. 하나의 버전에서, 커버 링(212)이 티타늄으로 제조된다. 커버 링(212)은 증착 링(208)의 렛지(236)에 안착하는 발판(246)을 구비하여 커버 링(212)을 지지하는 환형 쐐기부(244)를 포함한다. 발판(246)은 쐐기부(244)로부터 하향 연장하여 실질적으로 링(208)의 균열(cracking)이나 파단(fracturing) 없이 증착 링(208)을 가압한다.
커버 링(212)의 환형 쐐기부(244)는 타겟과 지지부(130) 사이의 프로세스 존 내에서 스퍼터링 플라즈마를 수용하기 위한 경계로서 작용하는 경사 표면(248)을 구비한다. 상기 경사 표면(248)은 스퍼터링 증착물이 증착되고 용이하게 제거될 수 있는 매끄럽고 연속적인 표면을 제공한다. 하나의 버전에서, 경사 표면(248)은 기판(104)의 프로세싱 표면에 의해 형성된 평면에 수직인 축선에 대해 각도를 이루어 경사진다. 하나의 버전에서, 상기 각도는 약 60°이상이고, 약 65 내지 85°, 또는 심지어는 약 80°일 수도 있다. 커버 링(212)의 경사 표면의 각도는 기판(104)의 돌출 엣지(206)에 가장 근접한 스퍼터링 증착물이 적층되는 것(buildup)을 최소화하도록 설계되며, 만약 돌출 엣지(206)에 가장 근접한 스퍼터링 증착물이 적층되면 기판(104)에 걸쳐 얻어지는 증착 균일성에 부정적인 영향을 미칠 것이다.
쐐기부(244)는 증착 링(208)의 내측 채널(230)위에 가로놓인(overlie) 돌출 가장자리(252)로 테이퍼링된다. 상기 돌출 가장자리(252)는 둥근 엣지(256)에서 종료되고 평평한 바닥 표면(268)을 갖는다. 돌출 가장자리(252)는 증착 링(208)의 개방 내측 채널상에 스퍼터링 증착물이 증착되는 것을 감소시킨다. 유리하게도, 돌출 가장자리(252)는 증착 링(208)의 개방 내측 채널 폭의 약 절반 이상에 상응하는 거리 만큼 돌출한다. 예를 들어, 만약 내측 채널(230)이 약 12mm 이상의 폭을 가진다면, 돌출 가장자리(252)는 약 6mm 이상의 폭을 가진다. 돌출 가장자리(252)는 증착 링(208)의 개방 내측 채널(230) 위쪽으로 돌출하여 증착 링(208)의 개방 내측 채널(230)의 일부를 덮는 기판의 둘레 엣지(206)에 가깝게 도달한다. 또한, 돌출 가장자리(252)는 상승 릿지(253)를 구비하며, 상기 상승 릿지는 하부 증착 링(208)의 표면(234)의 윤곽을 따르고 그 윤곽과 매칭되는 프로파일을 가지는 외부 형상을 가진다. 이렇게 형상화되고 거의 매칭되는 윤곽을 가지는 형상부들이 스퍼터링 증착물이 기판의 둘레 돌출 엣지(206)에 증착되는 것을 방지하고, 또한 지지부(130)의 둘레 벽(204)상의 증착물을 감소시킨다. 또한, 스퍼터링된 증착물 및 가스형 플라즈마 종(species)이 둘레 엣지(206) 상으로 유동하는 것을 방지함으로써 채널(230)의 표면에서 증착이 일어나도록 강제한다. 따라서, 커버 링(212)과 증착 링(208) 사이에서 회선적이고 좁은 유동 경로를 형성하여 프로세스 증착물이 둘레 엣지(206)로 유동하는 것을 방지하기 위해, 증착 링(208)의 개방 내측 채널(230)과 협력하고 상보적이 되도록 돌출 가장자리(252)의 윤곽의 크기, 형상 및 위치가 결정된다. 좁은 유동 경로는 또한 커버 링(212) 및 증착 링(208)의 매칭(mating) 표면들상에 낮은-에너지 스퍼터 증착물들이 축적되는 것을 제한하며, 그렇지 않은 경우에는 이들이 기판(104)의 둘레 돌출 엣지(206)에 또는 서로 달라 붙게 될 것이다. 기판 돌출 엣지(206) 아래쪽으로 연장하는 증착 링(208)의 개방 내측 채널(230)은 커버 링(212)의 돌출 가장자리(252)로부터의 쉐도우(shadowing)과 관련하여 설계되어, 예를 들어, 알루미늄 스퍼터링 챔버(100)내에서 최소 3900㎛ 의 알루미늄 스퍼터 증착물을 수집하는 한편, 두개의 링(208, 212)의 매칭 표면상에서의 스퍼터 증착을 감소시키거나 실질적으로 방지한다.
커버 링(212)은 또한 환형 쐐기부(244)로부터 아래쪽으로 연장하는 한 쌍의 원통형 벽(260)을 구비한다. 원통형 벽(260)은 쐐기부(244) 발판(246)의 방사상 외측에 위치된다. 원통형 벽(260)은 내측 벽(260a) 및 외측 벽(260b)을 포함하며, 상기 내측 벽(260a)은 외측 벽(260b) 보다 높이가 낮다. 내측 벽(260a)의 방사상 내측 표면(262)은 증착 링(208)의 방사상 외측 표면(264)의 경사 각도와 매칭되도록 경사져서 또 다른 회선형 통로(266)를 형성하며, 상기 회선형 통로는 글로우 방전 및 플라즈마 종(species)이 주변 영역으로 이동하는 것을 방해한다. 통상적으로, 외측 벽(260b)의 높이는 내측 벽(260a)의 높이의 약 1.2배 이상이다. 예를 들어, 내경이 약 154mm 인 커버 링(212)의 경우에, 외측 벽(260b)의 높이는 약 25mm 부터이고, 내측 벽(260a)의 높이는 약 19mm 부터이다.
다른 버전에서, 프로세스 키트(200)는 또한 승강-방지 브래킷(270)을 포함하며, 상기 승강-방지 브래킷은 도 3 내지 도 6 에 도시된 바와 같이 챔버(100)내의 기판 지지부(130)의 둘레부 주위에서 증착 링(208)을 유지하는데 사용된다. 승강-방지 브래킷(270)은 지지부(130) 및 증착 링(208)의 추가적인 구조적 형상부와 협력한다. 예를 들어, 증착 링(208)은 포켓(274)으로부터 연장하는 홀딩 포스트(holding post)(278)를 구비하는 두개의 둘레 리세스형 포켓(274)을 포함하여 양측에 한 쌍의 승강-방지 브래킷(270)을 수용하며, 상기 양측부들 중 하나가 도 5에 도시되어 있다. 포켓 쌍들이 지지부(130)를 가로질러 다른 하나와 정반대로 대향하여 위치된다. 이러한 버전에서, 도 4a 및 도 4b 에 도시된 바와 같이, 구속 빔(280)은 또한 지지부(130)의 후방 표면(276)상에 장착되어 승강-방지 브래킷(270)을 홀딩한다. 구속 빔(280)은 지지부(130)의 후방 표면(276)내에서 원형 링(284)의 방사상 외측으로 연장하는 두개의 대향하는 평평한 프롱(prong)(282a, 282b)을 포함한다. 두개의 대향하는 평평한 프롱(282a, 282b)은 원형 링(284)에 결합되는 수직 팔(vertical arm)(286a, 286b)상에 장착된다. 원형 링(284)은 지지부(130) 후방부내의 리세스(287)에 적합하도록 형상 및 크기가 결정된다.
승강-방지 브래킷(270)은 도 5 및 도 6 에 도시된 바와 같이 구속 빔(280)의 프롱 단부(282a)를 수용하는 관통-채널(294)을 포함하는 블록(290)을 포함한다. 관통-채널(294)은 구속 빔(280)의 프롱(282a) 보다 큰 크기의 타원형 슬롯(296)을 포함한다. 블록(290)에 부착된 유지 후프(298)는 증착 링(208)의 리세스 포켓(274)내의 홀딩 포스트(278)상에서 활주하도록 크기가 정해진다. 조립 동안에, 승강-방지 브래킷(270)이 증착 링(208)의 외측 둘레부와 나란히 위치되고 관통-채널(294)의 슬롯(296)이 화살표(283)로 도시된 바와 같이 구속 빔(280)의 프롱(282)상으로 활주되어, 그에 따라 도 5 에 도시된 바와 같이 유지 후프(298)의 접근 홀(299)이 홀딩 포스트(278) 바로 위쪽에 있게 된다. 이어서, 화살표(285)로 도시된 바와 같이 승강-방지 브래킷(270)이 하강되어, 유지 후프(298)가 낙하되고(drop down) 홀딩 포스트(278)를 둘러싸서 도 6 에 도시된 바와 같이 브래킷(270)의 블록(290)의 중량이 증착 링(208)을 안정적으로 유지시키도록 허용한다. 예를 들어, 증착 링이 기판(104)에 부착될 때, 그 증착 링(208)이 위쪽으로 잡아당겨질 때, 승강-방지 브래킷(270)은 오직 구속 빔(280)과 결합된다(engated). 이러한 설계는 정상적인 사용시에 세라믹 증착 링(208)과 커버 링(212)에 대한 열적 및 기계적 변형을 최소화시킨다.
도 7 및 도 8 에는, 챔버(100)내의 기판 지지부(130)의 둘레부 주위에서 증착 링(208)을 유지하기 위해 사용되는 승강-방지 브래킷(270)을 포함하는 조립체의 다른 버전이 도시되어 있다. 이러한 버전에서, 승강-방지 브래킷(270)은 구속 빔(280)의 평평한 프롱(282a, 282b)에 결합되는 세라믹 절연부(400)에 부착된다. 승강-방지 브래킷(270)은 세라믹 절연부(400)의 블록(404) 외측으로 연장하는 렛지(402)상으로 활주한다. 세라믹 절연부(400)는 지지부(130)와 증착 링(208) 사이의 전기적 경로에 절연 부재를 제공함으로써 구속 빔(280)을 기타 컴포넌트들로부터 전기적으로 절연시키는 작용을 한다. 증착 링(208)이 금속으로 제조된 경우에, 전기적 경로의 차단은 이들 두 구조물들 사이의 전기적 간섭을 감소시키는 역할을 한다. 세라믹 절연부(400)의 블록(404)은 또한 구속 빔(280)을 안착시키기(resting) 위한 리세스형 표면(408)을 구비한다. 핀(414)이 세라믹 절연부(400)를 구속 빔(280)의 프롱(282a)의 마주하고 평행한 연장부(420a, 420b)내의 매칭 홀(422a, 422b)과 연결시킬 수 있도록, 블록(404)내의 관통-홀(410)이 제공된다. 핀(414)은 프롱(282a)의 평행한 연장부(420a, 420b)의 표면에 대하여 안착하는 평평한 엣지 및 관통 홀을 통해 통과되는 두개의 감소 직경 포스트(418a, 418b)를 구비한다. 핀(414)은 스테인레스 스틸과 같은 금속으로 제조될 수 있다. 세라믹 절연부의 렛지(402)는 블록(404)으로부터 방사상 외측으로 연장하고 승강-방지 브래킷(270)의 수용 표면(430)에 대한 정지부로서 작용하는 돌출부(protrusion)(424)를 구비한다. 통상적으로, 세라믹 절연부(400)는 알루미늄 산화물과 같은 세라믹으로부터 가공된다. 하나의 세라믹 구조물이 설명되었지만, 다른 세라믹 구조물 블록들 또한 구속 빔(280)과 승강-방지 브래킷(270) 사이의 경로에 배치되어 구속 빔(280)과 기판 지지부(130) 사이에 배치된 세라믹 블록(도시 안 됨)과 같은 구조물들을 그들의 계면에서 추가로 격리시킬 수 있다는 것을 주지하여야 한다.
또한, 프로세스 키트(200)는 기판 지지부(130)를 향하는 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면, 기판 지지부(130)의 외측 둘레부, 및 챔버(100)의 측벽(116)의 쉐도우를 둘러싸는 일체형 원통형 실드(150)를 포함할 수 있다. 실드(150)는 스퍼터링 타겟(140)의 스퍼터링 표면으로부터 기원하는 스퍼터링 증착물이 지지부(130)의 표면들상에, 그리고 챔버(100)의 측벽(116) 및 바닥벽(120)상에 증착되는 것을 감소시키는 역할을 한다. 실드(150)는 기판 지지부(130) 및 스퍼터링 타겟(140)의 스퍼터링 표면(142)을 둘러싸도록 크기가 정해진 지름을 가지는 원통형 외측 밴드(314)를 포함한다. 상기 외측 밴드(314)는 상단부(316) 및 하단부(318)를 구비한다. 상단부(316)는 스퍼터링 타겟(140)의 경사진 둘레 표면(322)에 인접하고 방사상 외측으로 테이퍼링된 표면(320)을 구비한다. 실드(150)는 기판 지지부(130)의 둘레 엣지(204)를 적어도 부분적으로 둘러싸는 원통형 내측 밴드(328)와 결합하기 위해 외측 밴드(314)의 바닥 단부(318)로부터 방사상 내측으로 연장하는 베이스 플레이트(324)를 더 포함한다. 상기 내측 밴드(328)의 높이는 외측 밴드(314)의 높이 보다 낮으며, 예를 들어, 상기 내측 밴드(328)의 높이는 외측 밴드(314)의 높이 보다 0.8 배 작다. 이번에도 내측 밴드(328)와 외측 밴드(314) 사이의 갭, 그리고 커버 링(212)의 외측 벽(260b)과 내측 벽(260a) 사이의 갭은 각각 이 영역내로 플라즈마 종이 유입되는 것을 방지하고 방해하는 역할을 한다.
일체형 실드(150)의 외측 밴드(314), 베이스 플레이트(324) 및 내측 밴드(328)는 단일 피스인 일체형 단일 구조물을 포함한다. 예를 들어, 전체 실드(150)는 300 계열 스테인레스 스틸로 제조될 수 있다. 이는, 예를 들어 완전한 실드를 구성하기 위해 2 또는 3 개의 개별적인 피스로 이루어진 다수의 컴포넌트를 포함하는 종래 실드 보다 유리하며, 상기 종래 실드는 세정을 위해 실드를 제거하는 것이 보다 힘들고 어려웠다. 또한, 단일 피스 실드(150)는 세정이 보다 더 곤란한 모서리 또는 계면들 없이 스퍼터링 증착에 노출되는 연속적인 표면(326)을 가진다. 또한, 단일 피스 실드(150)는, 플라즈마가 실드를 가열할 때 프로세스 동안의 냉각뿐만 아니라 주기적인 유지보수 동안의 가열 모두에 대해, 다수의 실드 보다 열적으로 더 균일하다. 단일 피스 실드(150)는 열 교환기(330)에 대한 하나의 열적 계면만을 가진다. 단일 피스 실드(150)는 또한 프로세스 사이클 동안에 스퍼터 증착으로부터 챔버 벽(180)을 실드한다. 실드(150)는 또한 타겟(140)과 챔버(100) 사이의 아크 발생(arcing)을 방지하면서 플라즈마의 성형(shape)을 돕기 위한 타겟(140)의 영역내의 윤곽 갭("다크 스페이스(darkspace)"라고 한다)을 생성한다.
열 교환기(330)는 열 팽창 응력을 감소시키기 위해 실드(150)를 냉각시키는데 이용되었었다. 기판 프로세싱 챔버내에 형성된 플라즈마로의 노출에 의해 실드(150)의 부분들이 과다하게 가열될 수 있다. 실드(150)의 과다한 가열은 실드의 열 팽창을 초래하고, 이는 실드상에 형성된 스퍼터링 증착물이 실드로부터 박리되어 기판(104)상에 낙하되고 기판을 오염시키는 원인이 된다. 열 교환기(330)는 스테인레스 스틸과 같은 금속으로 제조된 플레이트(332)를 포함한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 플레이트(332)는 원통형 실드(150) 둘레에 적합하도록 크기가 정해진 원형 개구(336)를 포함하는 내측 둘레(335), 및 육각형 측부(340)를 가지는 외측 둘레(338)를 구비한다.
열 교환기(330)는 다각형 도관(334)을 구비하여 플레이트(332)를 냉각시키기 위해 상기 다각형 도관(334)을 통해 열 교환 유체를 유체 공급원(도시 안 됨)으로부터 유동시킨다. 다각형 도관(334)은 원형 개구(336) 둘레의 다각형 패턴으로 상호연결되는 다수의 레그(344)를 포함한다. 레그(343a-344h)는 플레이트(332)의 외측 둘레의 육각형 측부(340)로부터 시작하여 예각으로 각각 드릴링된(drilled)되며, 상기 예각은 약 20 내지 약 45°이다. 도관(334)은 또한 계면을 밀봉하기 위해 플레이트(345a-345c)내의 홈(349a-349c)내의 타원형 O-링(347a-347c)을 구비하는 커버 플레이트(345a-345c)에 의해 각각 덮여지는 채널(342a-342c)을 포함한다. 다각형 도관(334)은 또한 열 교환 유체를 수용하고 배출하기 위한 유입구(346) 및 배출구(348)를 구비한다. 유입구(346) 및 배출구(348)는 매니폴드(350)내로 공급하기 위한 채널(352a, 352b)을 포함한다.
열교환 유체는 다각형 도관(334)을 통해 유동하여 실드(150)와 열을 교환하며 그 온도를 제어한다. 적절한 열교환 유체는, 예를 들어 물일 수 있다. 실드(150)의 온도를 제어하는 것은 플라즈마 환경내에서 실드의 팽창을 감소시켜, 실드로부터 스퍼터링 증착물이 박리되는 것을 제한한다. 실드(150)를 열 교환기(330)에 체결하는 것은 실드와 열 교환기 플레이트 사이에 보다 양호한 열 전달을 제공한다. 실드(150)는 체결구(358)에 의해 열교환기에 체결되고, 이러한 버전에서, 실드는 렛지(360)를 포함하며, 상기 렛지(360)는 상기 렛지(360)를 관통하여 연장하는 실질적으로 수직인 개구부(362)를 구비한다. 체결구(358)는 렛지(360)에서의 개구부(362)를 통과하여 실드(150)를 열 교환기(330)에 체결할 수 있도록 형상 및 크기가 정해진다. 유리하게, 열 교환기(330)는 소스 코일(153) 및 타겟(140)을 챔버(100)에 통합시키며, 또한 실드(150)를 홀딩한다. 수냉 방식(water-cooling)은 또한 프로세스 동안에 단일 피스 실드(150)의 보다 큰 열적 안정성을 제공한다.
스퍼터링 타겟(140)은 통상적으로 고강도 알루미늄 합금으로 제조되고 스퍼터링 표면(142)을 포함하는 스퍼터링 플레이트(374)를 지지하는 백킹 플레이트(backing plate)(370)를 포함한다. 타겟(140)의 백킹 플레이트(370)는 통상적으로 알루미늄 산화물과 같은 세라믹 물질로 제조되는 링(ring) 형태의 절연부(144)에 의해 챔버(100)로부터 분리되고 전기적으로 절연된다. 스퍼터링 플레이트(374)는 기판(104)으로 스퍼터링되는 고순도 스퍼터링 물질, 예를 들어 통상적으로 순도가 99.99% 이상인 알루미늄, 탄탈륨, 티타늄 및 다른 이러한 금속들로 구성된다. 스퍼터링 플레이트(374)는 실드(150)의 경사진 표면(320)에 인접한 경사진 엣지(322)를 구비한 둘레부를 포함하며, 상기 둘레부는 다른 플라즈마 지연 회선형 미로로서 작용하는 갭(380)을 실드(150)와의 사이에 형성한다.
다른 버전에서, 타겟(140)의 백플레이트는 스퍼터링 플레이트(374)의 반경을 지나서 연장하는 둘레 렛지(390)를 포함한다. 둘레 렛지(390)는 절연부(144)상에 안착함으로써 타겟(140)을 지지하며 절연부(144) 또는 챔버 측벽(116)에 체결될 수 있다. 둘레 렛지(390)는 스퍼터링 플레이트(374)의 경사진 엣지(322)를 지나 연장하고 챔버(100)내의 절연부(144)상에 안착하는 외측 발판 섹션(392)을 포함한다. 둘레 렛지(390)는 절연부(144) 및 실드(150)상에 스퍼터링 증착물이 증착되는 것을 감소시키도록 형상 및 크기가 결정되는 내측 범프(394)를 포함한다. 선행하는 홈(396)과 조합된 범프(394)는 챔버 벽(108), 절연부(144) 및 열 교환기(330)의 바람직하지 못한 영역상에서의 플라즈마의 형성 및 스퍼터링 프로세스 증착물의 증착을 감소시킨다. 범프(394)는 타겟(140)과 절연부(144) 사이의 갭을 통해 플라즈마 및 스퍼터링된 종의 이동 또는 유동을 방지하도록 형상, 크기 및 위치가 결정된다. 특히 범프(394)는 타겟과 절연부 사이의 갭내로 작은-각도로 스퍼터링된 증착물이 침투하는 것을 방지한다. 범프(394)는 높이가 약 1.5 내지 약 2mm인 곡선형 단면을 포함한다.
프로세스 키트(200) 및 타겟(140)의 여러 컴포넌트들은, 세정하기 위해 프로세스 키트를 제거하지 않고 프로세스 키트가 챔버 내에서 이용될 수 있는 프로세스 온-타임(on-time) 및 프로세스 사이클의 수를 상당히 증대시킨다. 이는, 세정하기 어려운 기판 둘레의 컴포넌트들 상에 형성된 스퍼터링 증착물의 양을 감소시킴으로써 달성된다. 타겟(140) 및 프로세스 키트(200)의 컴포넌트들은 스퍼터링 영역(106)내에서 증가된 전력 및 압력을 허용하도록 설계됨으로써, 타겟(140)에 인접하고 실드(150)의 상단부(316)에 인접한 다크스페이스 영역내의 온도를 감소시켜 높은 증착 생산성을 획득할 수 있다. 또한, 이는 열 교환기(330)를 이용하여 실드(150)의 열적 균일성을 개선한다. 또한, 프로세스 키트(200)는, 키트(200)가 교환되어야하기 전까지 그리고 유지보수 사이클의 실시 전까지, 적어도 85%가 더 많은 알루미늄이 챔버 내에서 증착되게 허용하도록 설계된다. 이는 챔버의 작동시간을 상당히 개선하고 프로세스 생산성을 또한 증가시킨다.
도 10 은, 지지부(130) 및 기판(104)으로부터의 거리를 함수로 하여 커버 링(212)과 증착 링(208)상에 형성된 증착물의 두께를 나타내는, 알루미늄 스퍼터 증착에서의 프로세스 키트의 스케일링된 기하학적 구조에 대해 얻어진 모델링 결과의 그래프이다. 모델링 프로그램은 PVD ProTM 프로그램이었고, 이는 타겟 및 기타 챔버 컴포넌트들의 기하학적 구조뿐만 아니라 증착되는 금속의 타입에 대한 파라미터를 이용하였다. 상기 모델은 증착 링(208) 및 커버 링(212)의 위치 및 형상에 대한 몇가지 상이한 형태를 비교할 수 있게 허용하였다. 이에 따라, 커버 링(212)의 엣지(252)의 가시선(line of sight)뿐만 아니라 증착 링(208)내의 홈(230)의 표면상에 알루미늄 증착물을 최소한으로 축적하기 위한 최적화를 허용하였다. 본 명세서에서 제시된 설계들을 획득하기 위해 공지된 성능의 기하학적 구조를 모델링함으로써, 그리고 프로토타입 하드웨어의 시운전(test run)을 이용하여 모델링 정확도가 결정되었다. 챔버 컴포넌트의 형상 및 설계 형태와 그 컴포넌트들 사이의 공간과 갭을 변경하는 것은 컴포넌트들의 표면상에서의 증착 물질의 두께를 상당히 변화시켰다는 것을 알 수 있다. 또한, 증착 링(ring) 상의 증착물의 양의 증가 속도(rate)는, x-축상의 0.5 내지 1.5의 그래프의 선형 구간의 동일 각도로서 도시된바와 같이 기판 중심으로부터의 거리가 증가하는 것과 거의 동일하게 유지되었다. 상이한 형태들에 대하여, 순수(net) 증착량의 수직방향 변화가 있으나, 곡선의 형상은 실질적으로 동일하게 유지된다.
본 발명은 본 발명의 바람직한 특정 버전들을 참조하여 설명되었지만; 다른 버전들도 가능하다. 예를 들어, 프로세스 키트(200) 및 링 조립체(202)는, 소위 당업자에게 분명한 바와 같이, 다른 타입의 용도, 예를 들어 에칭, CVD 및 에칭 챔버에 대해서도 사용될 수 있다. 증착 링(208), 커버 링(212), 실드(150) 및 승강-방지 브래킷(270)의 다른 형상 및 형태 또한 사용될 수 있다. 따라서, 첨부되는 청구범위의 사상 및 범위는 본 명세서에 기재된 바람직한 버전에 대한 설명으로 제한되지는 않아야 한다.
세정하기 위해 프로세스 키트를 제거하지 않고 프로세스 키트가 챔버 내에서 이용될 수 있는 프로세스 온-타임(on-time) 및 프로세스 사이클의 수를 상당히 증대시키고, 그에 따라 생산성을 높일 수 있다.
Claims (36)
- 기판 프로세싱 챔버 내에서 기판 지지부 주위에(about) 배치하기 위한 증착 링으로서,기판을 프로세싱하기 위해 상기 기판 프로세싱 챔버 내에서 프로세스 가스의 플라즈마가 형성되고,상기 지지부는 기판의 돌출(overhanging) 엣지에 못미쳐(before) 종료되는 둘레(peripheral) 벽을 포함하며,상기 증착 링은 (a) 상기 지지부의 둘레 벽을 둘러싸는 환형 밴드를 포함하고,상기 환형 밴드는:(ⅰ) 내측 립(lip)으로서, 상기 환형 밴드로부터 횡방향으로 연장하고, 상기 지지부의 둘레 벽에 평행하며, 상기 기판의 돌출 엣지 아래에서 종료되는, 내측 립;(ⅱ) 상승 릿지;(ⅲ) 상기 내측 립과 상기 상승 릿지 사이의 내측 개방 채널로서, 상기 기판의 돌출 엣지 아래에서 부분적으로 또는 전체적으로 연장하는 내측 개방 채널; 및(ⅳ) 상기 상승 릿지의 방사상 외측의 렛지; 를 포함하는,증착 링.
- 제 1 항에 있어서,상기 상승 릿지는 상기 환형 밴드의 중심 부분을 따라 연장하고 평평한 상부 표면을 구비하며,상기 평평한 상부 표면은 사용시에 커버 링으로부터 이격되어 그 사이에 회선형(convoluted) 갭을 형성하는,증착 링.
- 제 1 항에 있어서,상기 내측 채널은 상기 내측 립에 결합된 제 1 둥근 모서리 및 상기 상승 릿지에 결합된 경사진 표면을 구비하는,증착 링.
- 제 2 항에 있어서,상기 커버 링 및 상기 환형 밴드의 렛지와 상기 상승 릿지 사이에 형성된 U-자형 채널을 더 포함하는,증착 링.
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- 증착 링을 부분적으로 또는 전체적으로 덮는 커버 링으로서,상기 증착 링은 상승 릿지와 개방 내측 채널을 구비하고,상기 커버 링 및 상기 증착 링은 기판 프로세싱 챔버 내에서 기판 지지부 주위에 배치되며,기판을 프로세싱하기 위해 상기 기판 프로세싱 챔버 내에서 프로세스 가스의 플라즈마가 형성되고,상기 지지부는 상기 기판의 돌출 엣지에 못미쳐 종료되는 둘레 벽을 포함하며,상기 커버 링은:(a) 환형 쐐기부로서, 상기 증착 링의 렛지 상에 안착하는 발판, 경사 표면, 및 상기 증착 링의 개방 내측 채널 위에 가로놓인(overlying) 돌출 가장자리(brim)를 포함하는 환형 쐐기부; 및(b) 상기 환형 쐐기부로부터 하향 연장하는 하나 또는 복수의 원통형 벽; 을 포함하는,커버 링.
- 제 6 항에 있어서,상기 커버 링의 돌출 가장자리 및 상기 증착 링의 상승 릿지는 갭을 통한 플라즈마 종(species)의 이동을 방해하는 회선형 갭을 형성하는,커버 링.
- 제 6 항에 있어서,상기 커버 링의 환형 쐐기부의 경사 표면은 상기 기판의 평면에 수직인 축선에 대해 각도를 이루어 경사지며,상기 각도는 60°이상인,커버 링.
- 제 6 항에 있어서,상기 원통형 벽은 내측 벽 및 외측 벽을 포함하고,상기 내측 벽 및 외측 벽은 각각 상기 발판의 방사상 외측에 위치되며,상기 내측 벽은 상기 외측 벽보다 낮은 높이를 갖는,커버 링.
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- 제 6 항에 있어서,상기 돌출 가장자리는 둥근 엣지에서 종료되는,커버 링.
- 제 11 항에 있어서,상기 커버 링의 돌출 가장자리는:(a) 평평한 바닥 표면; 및(b) 상기 둥근 엣지에 못미친 상승 릿지; 중의 하나 이상을 포함하고,상기 상승 릿지는 하부 증착 링의 표면의 윤곽과 매칭되고 상기 윤곽을 따르는 프로파일을 가지는 외부 형상을 구비하는,커버 링.
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- 기판 프로세싱 챔버 내에서 기판 지지부 주위에 배치하기 위한 링 조립체로서,기판을 프로세싱하기 위해 상기 기판 프로세싱 챔버 내에서 프로세스 가스의 플라즈마가 형성되고,상기 지지부는 기판의 돌출 엣지에 못미쳐 종료되는 둘레 벽을 포함하며,상기 링 조립체는:(a) 상기 지지부의 둘레 벽을 둘러싸는 환형 밴드를 포함하는 증착 링; 및(b) 상기 증착 링을 부분적으로 또는 전체적으로 덮는 커버 링; 을 포함하며,상기 환형 밴드는:(ⅰ) 내측 립으로서, 상기 환형 밴드로부터 횡방향으로 연장하고, 상기 지지부의 둘레 벽에 평행하며, 그리고 상기 기판의 돌출 엣지 아래에서 종료되는, 내측 립;(ⅱ) 상승 릿지;(ⅲ) 상기 내측 립과 상기 상승 렛지 사이의 내측 개방 채널로서, 상기 기판의 돌출 엣지 아래에서 부분적으로 또는 전체적으로 연장하는 내측 개방 채널; 및(ⅳ) 상기 상승 릿지의 방사상 외측의 렛지; 를 포함하며,상기 커버 링은:(ⅰ) 환형 쐐기부로서, 상기 증착 링의 상승 렛지 상에 안착하는 발판, 경사 상부 표면, 및 상기 증착 링의 개방 내측 채널 위에 가로놓인 돌출 가장자리를 포함하는 환형 쐐기부; 및(ⅱ) 상기 환형 쐐기부로부터 하향 연장하는 하나 또는 복수의 원통형 벽; 을 포함하며,상기 상승 릿지와 커버 링은 갭을 통한 플라즈마 종의 이동을 방해하는 회선형 갭을 형성하는,링 조립체.
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KR1020130042352A KR101394085B1 (ko) | 2005-10-31 | 2013-04-17 | 기판 프로세싱 챔버용 타겟 및 프로세스 키트 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102709082B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2024-09-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 높은 증착 링 및 증착 링 클램프를 갖는 프로세스 키트 |
Families Citing this family (349)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
US7297247B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
US9659758B2 (en) * | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070125646A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US7901552B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
CN101452821B (zh) * | 2007-12-07 | 2011-09-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理装置及其屏蔽环 |
US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
US9062379B2 (en) | 2008-04-16 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing deposition shielding components |
JP5916384B2 (ja) | 2008-04-16 | 2016-05-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ウェハ処理堆積物遮蔽構成材 |
US8409355B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Applied Materials, Inc. | Low profile process kit |
JP5762281B2 (ja) | 2008-05-02 | 2015-08-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Rf物理気相蒸着用処理キット |
JP5194315B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2013-05-08 | 株式会社昭和真空 | スパッタリング装置 |
US8287650B2 (en) | 2008-09-10 | 2012-10-16 | Applied Materials, Inc. | Low sloped edge ring for plasma processing chamber |
US20100126854A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target |
US8900471B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum |
US9752228B2 (en) | 2009-04-03 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for PVD chamber |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
KR101929971B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2018-12-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 부품 |
US20110036709A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Applied Materials, Inc. | Process kit for rf physical vapor deposition |
US8580092B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Adjustable process spacing, centering, and improved gas conductance |
US9834840B2 (en) * | 2010-05-14 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Process kit shield for improved particle reduction |
CN103069542A (zh) * | 2010-08-20 | 2013-04-24 | 应用材料公司 | 延长寿命的沉积环 |
WO2012040986A1 (zh) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体加工设备 |
CN103189957B (zh) * | 2010-10-05 | 2016-01-20 | 欧瑞康先进科技股份公司 | 用于真空加工聚合物基板的原位调节 |
CN103140913B (zh) * | 2010-10-29 | 2016-09-28 | 应用材料公司 | 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘 |
CN203746815U (zh) * | 2011-03-01 | 2014-07-30 | 应用材料公司 | 用于处理基板的腔室 |
JP6114698B2 (ja) | 2011-03-01 | 2017-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | デュアルロードロック構成内の除害及びストリップ処理チャンバ |
US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
US9905443B2 (en) * | 2011-03-11 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
KR101897315B1 (ko) | 2011-12-12 | 2018-09-11 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 및 실드 |
JP5477671B2 (ja) | 2012-02-28 | 2014-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
CN104137248B (zh) | 2012-02-29 | 2017-03-22 | 应用材料公司 | 配置中的除污及剥除处理腔室 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US10177014B2 (en) * | 2012-12-14 | 2019-01-08 | Applied Materials, Inc. | Thermal radiation barrier for substrate processing chamber components |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9633824B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Target for PVD sputtering system |
CN104342758B (zh) * | 2013-07-24 | 2017-07-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 压环及等离子体加工设备 |
WO2015023329A1 (en) | 2013-08-10 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | A method of polishing a new or a refurbished electrostatic chuck |
US9799497B2 (en) * | 2013-08-16 | 2017-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Patterned processing kits for material processing |
WO2015116245A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Applied Materials, Inc. | Gas confiner assembly for eliminating shadow frame |
WO2015125242A1 (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
CN105097604B (zh) * | 2014-05-05 | 2018-11-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室 |
US20150354054A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Applied Materials, Inc. | Cooled process tool adapter for use in substrate processing chambers |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
CN105331933B (zh) * | 2014-08-13 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种物理气相沉积方法 |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10115573B2 (en) * | 2014-10-14 | 2018-10-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life |
CN105624634B (zh) * | 2014-11-04 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及半导体加工设备 |
KR102438139B1 (ko) | 2014-12-22 | 2022-08-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 높은 처리량의 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트 |
CN105779932B (zh) * | 2014-12-26 | 2018-08-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于处理腔室的工艺内衬和物理气相沉积设备 |
US10546733B2 (en) * | 2014-12-31 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | One-piece process kit shield |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
CN107548515B (zh) * | 2015-04-24 | 2019-10-15 | 应用材料公司 | 包含流动隔离环的处理套组 |
TWI588081B (zh) * | 2015-04-30 | 2017-06-21 | Target laminating machine structure | |
WO2016191621A1 (en) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for a microwave batch curing process |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
SG10202108705SA (en) * | 2015-07-03 | 2021-09-29 | Applied Materials Inc | Process kit having tall deposition ring and deposition ring clamp |
US10103012B2 (en) | 2015-09-11 | 2018-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate |
WO2017044791A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate |
US9953812B2 (en) * | 2015-10-06 | 2018-04-24 | Applied Materials, Inc. | Integrated process kit for a substrate processing chamber |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
CN108352297B (zh) * | 2015-12-07 | 2023-04-28 | 应用材料公司 | 合并式盖环 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10361069B2 (en) * | 2016-04-04 | 2019-07-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source repeller shield comprising a labyrinth seal |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
JP6688385B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2020-04-28 | 株式会社アルバック | 成膜装置、プラテンリング |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10435784B2 (en) * | 2016-08-10 | 2019-10-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally optimized rings |
US10858727B2 (en) | 2016-08-19 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
CN108010718B (zh) * | 2016-10-31 | 2020-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备 |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR101930788B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2018-12-24 | 주식회사 조인솔루션 | 기판 프로세싱 챔버의 냉각기 |
CN108231526B (zh) * | 2016-12-14 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种腔室和半导体设备 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10662520B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method for recycling substrate process components |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11043364B2 (en) * | 2017-06-05 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Process kit for multi-cathode processing chamber |
CN109023287B (zh) * | 2017-06-08 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 沉积环及卡盘组件 |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
CN109837518B (zh) * | 2017-11-28 | 2021-06-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 沉积环固定组件、承载装置及反应腔室 |
SG11202005861VA (en) * | 2017-12-27 | 2020-08-28 | Ulvac Inc | Sputtering method and sputtering device |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
JP7466460B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2024-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Pvdプロセスにおける粒子低減のためのプロセスキットの形状寸法 |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US20190259635A1 (en) * | 2018-02-17 | 2019-08-22 | Applied Materials, Inc. | Process kit for processing reduced sized substrates |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
CN110344006B (zh) * | 2018-04-02 | 2020-08-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室内的工艺套件及反应腔室 |
US20190301012A1 (en) * | 2018-04-02 | 2019-10-03 | Veeco Instruments Inc. | Wafer processing system with flow extender |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
TWI728456B (zh) | 2018-09-11 | 2021-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 相對於基板的薄膜沉積方法 |
US11024523B2 (en) * | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7290413B2 (ja) * | 2018-11-20 | 2023-06-13 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
US11961723B2 (en) * | 2018-12-17 | 2024-04-16 | Applied Materials, Inc. | Process kit having tall deposition ring for PVD chamber |
USD888903S1 (en) | 2018-12-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition ring for physical vapor deposition chamber |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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US11289312B2 (en) | 2019-06-12 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) * | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
USD941787S1 (en) * | 2020-03-03 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer blade |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
USD941371S1 (en) | 2020-03-20 | 2022-01-18 | Applied Materials, Inc. | Process shield for a substrate processing chamber |
US11339466B2 (en) * | 2020-03-20 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Heated shield for physical vapor deposition chamber |
USD941372S1 (en) | 2020-03-20 | 2022-01-18 | Applied Materials, Inc. | Process shield for a substrate processing chamber |
USD934315S1 (en) | 2020-03-20 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Deposition ring for a substrate processing chamber |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11846013B2 (en) * | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for extended chamber for through silicon via deposition |
US11581166B2 (en) * | 2020-07-31 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Low profile deposition ring for enhanced life |
USD933726S1 (en) | 2020-07-31 | 2021-10-19 | Applied Materials, Inc. | Deposition ring for a semiconductor processing chamber |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
US20220108872A1 (en) * | 2020-10-05 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Bevel backside deposition elimination |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TWI780572B (zh) * | 2021-01-13 | 2022-10-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 晶圓處理設備與製造半導體裝置的方法 |
CN114763602B (zh) * | 2021-01-13 | 2023-09-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 晶圆处理设备与制造半导体装置的方法 |
US11781212B2 (en) * | 2021-04-07 | 2023-10-10 | Applied Material, Inc. | Overlap susceptor and preheat ring |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
US11915918B2 (en) | 2021-06-29 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
USD1038901S1 (en) | 2022-01-12 | 2024-08-13 | Applied Materials, Inc. | Collimator for a physical vapor deposition chamber |
CN116904953A (zh) * | 2023-09-14 | 2023-10-20 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种气相沉积设备 |
CN117089822B (zh) * | 2023-10-20 | 2024-01-02 | 研微(江苏)半导体科技有限公司 | 半导体反应腔室及其隔离装置和隔离控制方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000138281A (ja) | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
JP2001313329A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
KR20050038898A (ko) * | 2003-10-23 | 2005-04-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 건식 식각 장치 |
Family Cites Families (385)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3482082A (en) | 1966-03-18 | 1969-12-02 | Techicon Corp | Sample identification apparatus |
US3716462A (en) | 1970-10-05 | 1973-02-13 | D Jensen | Copper plating on zinc and its alloys |
US3679460A (en) | 1970-10-08 | 1972-07-25 | Union Carbide Corp | Composite wear resistant material and method of making same |
US3748253A (en) | 1972-01-24 | 1973-07-24 | Gte Automatic Electric Lab Inc | Apparatus with labyrinth heat exchanger for the sputtering depositionof thin films |
US3725220A (en) | 1972-04-27 | 1973-04-03 | Lea Ronal Inc | Electrodeposition of copper from acidic baths |
JPS54162969U (ko) | 1978-05-04 | 1979-11-14 | ||
JPS54162969A (en) | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
GB2049737A (en) | 1979-06-01 | 1980-12-31 | Gen Eng Radcliffe | Sputtering Device Target |
EP0046154B1 (en) | 1980-08-08 | 1984-11-28 | Battelle Development Corporation | Apparatus for coating substrates by high-rate cathodic sputtering, as well as sputtering cathode for such apparatus |
US4384918A (en) | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
FR2510145B1 (fr) | 1981-07-24 | 1986-02-07 | Rhone Poulenc Spec Chim | Additif pour bain de cuivrage electrolytique acide, son procede de preparation et son application au cuivrage des circuits imprimes |
US4419201A (en) | 1981-08-24 | 1983-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers |
US4412133A (en) | 1982-01-05 | 1983-10-25 | The Perkin-Elmer Corp. | Electrostatic cassette |
JPS6059104B2 (ja) | 1982-02-03 | 1985-12-23 | 株式会社東芝 | 静電チヤツク板 |
JPS58147558A (ja) | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Anelva Corp | スパツタによるクロム膜形成方法 |
JPS58153776A (ja) | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Citizen Watch Co Ltd | 装飾部品の製造方法およびそれに用いるイオンプレ−テイング装置 |
JPS58147558U (ja) | 1982-03-31 | 1983-10-04 | 板羽 哲也 | ゴルフボ−ル携帯器 |
US4505947A (en) | 1982-07-14 | 1985-03-19 | The Standard Oil Company (Ohio) | Method for the deposition of coatings upon substrates utilizing a high pressure, non-local thermal equilibrium arc plasma |
JPH0227748B2 (ja) | 1982-10-29 | 1990-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | Roodeingusochi |
FR2538987A1 (fr) | 1983-01-05 | 1984-07-06 | Commissariat Energie Atomique | Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif |
US4545882A (en) | 1983-09-02 | 1985-10-08 | Shatterproof Glass Corporation | Method and apparatus for detecting sputtering target depletion |
GB2147459A (en) | 1983-09-30 | 1985-05-09 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck for semiconductor wafers |
US4606802A (en) | 1983-12-21 | 1986-08-19 | Hitachi, Ltd. | Planar magnetron sputtering with modified field configuration |
JPS60187660A (ja) | 1984-02-24 | 1985-09-25 | Honda Motor Co Ltd | 部分硬化鋳鉄部材 |
JPS6131636U (ja) | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 株式会社 徳田製作所 | 静電チヤツク |
US5215639A (en) | 1984-10-09 | 1993-06-01 | Genus, Inc. | Composite sputtering target structures and process for producing such structures |
DE3523958A1 (de) | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
JPS6260866A (ja) | 1985-08-02 | 1987-03-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
JP2515731B2 (ja) | 1985-10-25 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
US4684447A (en) | 1986-03-24 | 1987-08-04 | Conoco Inc. | Method for applying protective coatings |
CH670970A5 (ko) | 1986-09-18 | 1989-07-31 | Grob Ernst Fa | |
CH669609A5 (ko) | 1986-12-23 | 1989-03-31 | Balzers Hochvakuum | |
JPS63290270A (ja) | 1987-05-20 | 1988-11-28 | Toshiba Corp | スパッタリング装置におけるタ−ゲットの厚さ測定方法 |
US4924436A (en) | 1987-06-22 | 1990-05-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite |
US4832781A (en) | 1988-01-07 | 1989-05-23 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum |
ATE95513T1 (de) | 1988-04-26 | 1993-10-15 | Toto Ltd | Verfahren zur herstellung dielektrischer keramik fuer elektrostatische haltevorrichtungen. |
US4949783A (en) * | 1988-05-18 | 1990-08-21 | Veeco Instruments, Inc. | Substrate transport and cooling apparatus and method for same |
JPH0227748A (ja) | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
US4905886A (en) | 1988-07-20 | 1990-03-06 | Grumman Aerospace Corporation | Method for diffusion bonding of metals and alloys using thermal spray deposition |
JP2665242B2 (ja) | 1988-09-19 | 1997-10-22 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
US5409590A (en) | 1989-04-17 | 1995-04-25 | Materials Research Corporation | Target cooling and support for magnetron sputter coating apparatus |
JP2779950B2 (ja) | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US5041194A (en) | 1989-05-18 | 1991-08-20 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Aluminum electroplating method |
US4995958A (en) | 1989-05-22 | 1991-02-26 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile |
IT1235332B (it) | 1989-06-05 | 1992-06-26 | Diaprint S P A | Granitura elettrochimica di superfici in alluminio o in lega di alluminio |
EP0439000B1 (en) | 1990-01-25 | 1994-09-14 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic clamp and method |
US5391275A (en) | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
US5055964A (en) | 1990-09-07 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck having tapered electrodes |
JP3064409B2 (ja) | 1990-11-30 | 2000-07-12 | 株式会社日立製作所 | 保持装置およびそれを用いた半導体製造装置 |
US5280156A (en) | 1990-12-25 | 1994-01-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means |
US5166758A (en) | 1991-01-18 | 1992-11-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable phase change memory |
US5166856A (en) | 1991-01-31 | 1992-11-24 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with diamond coating |
JPH0539566A (ja) | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
US5191506A (en) | 1991-05-02 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic electrostatic chuck |
US5325261A (en) | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
JPH04367247A (ja) | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Kyocera Corp | セラミック製静電チャック |
US5458759A (en) | 1991-08-02 | 1995-10-17 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode apparatus |
US5275683A (en) | 1991-10-24 | 1994-01-04 | Tokyo Electron Limited | Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same |
US5539609A (en) | 1992-12-02 | 1996-07-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
JPH05166757A (ja) | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の温調装置 |
DE69222129T2 (de) | 1991-12-18 | 1998-04-09 | Sumitomo Light Metal Ind | Automobilkarrosserieblech aus mehrfach beschichteter Aluminiumplatte |
US5376223A (en) | 1992-01-09 | 1994-12-27 | Varian Associates, Inc. | Plasma etch process |
US5315473A (en) | 1992-01-21 | 1994-05-24 | Applied Materials, Inc. | Isolated electrostatic chuck and excitation method |
JP2865472B2 (ja) | 1992-02-20 | 1999-03-08 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック |
US5314597A (en) | 1992-03-20 | 1994-05-24 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile |
FR2692599B1 (fr) | 1992-06-17 | 1994-09-16 | Prod Ind Cfpi Franc | Procédé de traitement de substrats à base d'aluminium en vue de leur anodisation, bain mis en Óoeuvre dans ce procédé et concentré pour préparer le bain. |
JP2938679B2 (ja) | 1992-06-26 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス製静電チャック |
US5401319A (en) | 1992-08-27 | 1995-03-28 | Applied Materials, Inc. | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
US6338906B1 (en) | 1992-09-17 | 2002-01-15 | Coorstek, Inc. | Metal-infiltrated ceramic seal |
JP2839801B2 (ja) | 1992-09-18 | 1998-12-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハの製造方法 |
US5693203A (en) | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US5942089A (en) | 1996-04-22 | 1999-08-24 | Northwestern University | Method for sputtering compounds on a substrate |
US5350479A (en) | 1992-12-02 | 1994-09-27 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for high power plasma processing |
US5684669A (en) | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
JP3323924B2 (ja) | 1993-01-29 | 2002-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック |
US5542559A (en) | 1993-02-16 | 1996-08-06 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus |
JPH06326175A (ja) | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法 |
JPH08176808A (ja) | 1993-04-28 | 1996-07-09 | Japan Energy Corp | 寿命警報機能を備えたスパッタリングタ−ゲット |
CH690805A5 (de) | 1993-05-04 | 2001-01-15 | Unaxis Balzers Ag | Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit. |
US5403459A (en) | 1993-05-17 | 1995-04-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a PVD chamber containing a collimator |
US5342496A (en) | 1993-05-18 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method of welding sputtering target/backing plate assemblies |
DE69403386T2 (de) | 1993-05-19 | 1997-09-18 | Applied Materials Inc | Vorrichtung und Verfahren zur Erhöhung der Zerstäubungsrate in einem Zerstäubungsgerät |
US5407551A (en) | 1993-07-13 | 1995-04-18 | The Boc Group, Inc. | Planar magnetron sputtering apparatus |
JP3563095B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2004-09-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US6199259B1 (en) | 1993-11-24 | 2001-03-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
US5433835B1 (en) | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
US5487822A (en) | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
JPH07201700A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07197272A (ja) | 1993-12-29 | 1995-08-01 | Kobe Steel Ltd | フィルム密着性に優れた表面処理アルミニウム及びアルミニウム合金板 |
US5463526A (en) | 1994-01-21 | 1995-10-31 | Lam Research Corporation | Hybrid electrostatic chuck |
JP2953940B2 (ja) | 1994-02-14 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | スパッタリング装置およびターゲットのスパッタ面を測定する方法 |
US5474649A (en) | 1994-03-08 | 1995-12-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus employing a textured focus ring |
US5512078A (en) | 1994-03-24 | 1996-04-30 | Griffin; Stephen E. | Apparatus for making linearly tapered bores in quartz tubing with a controlled laser |
US5685914A (en) | 1994-04-05 | 1997-11-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
JP2720420B2 (ja) | 1994-04-06 | 1998-03-04 | キヤノン販売株式会社 | 成膜/エッチング装置 |
US5798029A (en) | 1994-04-22 | 1998-08-25 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering equipment |
US5518593A (en) * | 1994-04-29 | 1996-05-21 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Shield configuration for vacuum chamber |
US5628889A (en) | 1994-09-06 | 1997-05-13 | International Business Machines Corporation | High power capacity magnetron cathode |
EP0704878A1 (en) | 1994-09-27 | 1996-04-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform film thickness deposition of sputtered materials |
DE4446919A1 (de) | 1994-12-28 | 1996-07-04 | Dynamit Nobel Ag | Verfahren zur Herstellung von innenverzahnten Teilen |
JP2689931B2 (ja) | 1994-12-29 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | スパッタ方法 |
US5792562A (en) | 1995-01-12 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making |
US6073830A (en) | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5886863A (en) | 1995-05-09 | 1999-03-23 | Kyocera Corporation | Wafer support member |
US5695825A (en) | 1995-05-31 | 1997-12-09 | Amorphous Technologies International | Titanium-containing ferrous hard-facing material source and method for hard facing a substrate |
US5690795A (en) * | 1995-06-05 | 1997-11-25 | Applied Materials, Inc. | Screwless shield assembly for vacuum processing chambers |
JPH0917850A (ja) | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO1997003221A1 (en) | 1995-07-10 | 1997-01-30 | Cvc Products, Inc. | Magnetron cathode apparatus and method for sputtering |
US6221217B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-04-24 | Cvc, Inc. | Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate |
US5772858A (en) | 1995-07-24 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a target in a sputtering source |
KR100227924B1 (ko) | 1995-07-28 | 1999-11-01 | 가이데 히사오 | 반도체 웨이퍼 제조방법, 그 방법에 사용되는 연삭방법 및 이에 사용되는 장치 |
US5799860A (en) | 1995-08-07 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Preparation and bonding of workpieces to form sputtering targets and other assemblies |
JP3457477B2 (ja) | 1995-09-06 | 2003-10-20 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
JP2723857B2 (ja) | 1995-10-16 | 1998-03-09 | 九州日本電気株式会社 | スパッタターゲットモニタ装置 |
US5714768A (en) | 1995-10-24 | 1998-02-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Second-layer phase change memory array on top of a logic device |
US5697427A (en) * | 1995-12-22 | 1997-12-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for cooling a substrate |
US6033582A (en) | 1996-01-22 | 2000-03-07 | Etex Corporation | Surface modification of medical implants |
JP3545123B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2004-07-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハ加熱器用成膜防護具 |
JPH09270401A (ja) | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法 |
JPH09270400A (ja) | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
FR2744805B1 (fr) | 1996-02-13 | 1998-03-20 | Pechiney Aluminium | Cibles de pulverisation cathodique selectionnees par controle ultrasons pour leur faible taux d'emissions de particules |
US5879524A (en) | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Sony Corporation | Composite backing plate for a sputtering target |
JP3620554B2 (ja) | 1996-03-25 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ製造方法 |
JP3565985B2 (ja) | 1996-04-26 | 2004-09-15 | 愛知産業株式会社 | 半自動tig溶接装置 |
EP0803900A3 (en) | 1996-04-26 | 1999-12-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
US6108189A (en) | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
US5720818A (en) | 1996-04-26 | 1998-02-24 | Applied Materials, Inc. | Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck |
US6440221B2 (en) | 1996-05-13 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved temperature control |
US5948288A (en) | 1996-05-28 | 1999-09-07 | Komag, Incorporated | Laser disk texturing apparatus |
US5824197A (en) | 1996-06-05 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Shield for a physical vapor deposition chamber |
US5812362A (en) | 1996-06-14 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks |
US5736021A (en) | 1996-07-10 | 1998-04-07 | Applied Materials, Inc. | Electrically floating shield in a plasma reactor |
US6001426A (en) | 1996-07-25 | 1999-12-14 | Utron Inc. | High velocity pulsed wire-arc spray |
US5914018A (en) | 1996-08-23 | 1999-06-22 | Applied Materials, Inc. | Sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall |
US6143432A (en) | 1998-01-09 | 2000-11-07 | L. Pierre deRochemont | Ceramic composites with improved interfacial properties and methods to make such composites |
US5916454A (en) | 1996-08-30 | 1999-06-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for reducing byproduct particle generation in a plasma processing chamber |
US5942041A (en) | 1996-09-16 | 1999-08-24 | Mosel-Vitelic, Inc. | Non-sticking semi-conductor wafer clamp and method of making same |
US5830327A (en) | 1996-10-02 | 1998-11-03 | Intevac, Inc. | Methods and apparatus for sputtering with rotating magnet sputter sources |
US6007673A (en) | 1996-10-02 | 1999-12-28 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method of producing an electronic device |
US6190513B1 (en) * | 1997-05-14 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition |
US5685959A (en) | 1996-10-25 | 1997-11-11 | Hmt Technology Corporation | Cathode assembly having rotating magnetic-field shunt and method of making magnetic recording media |
US6284093B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
JP3867328B2 (ja) | 1996-12-04 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US6152071A (en) | 1996-12-11 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method |
US5821166A (en) | 1996-12-12 | 1998-10-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
US6120640A (en) | 1996-12-19 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor |
EP0946966B1 (de) | 1996-12-21 | 2005-05-11 | Singulus Technologies AG | Vorrichtung zur kathodenzerstäubung |
US5803342A (en) | 1996-12-26 | 1998-09-08 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Method of making high purity copper sputtering targets |
US6187151B1 (en) | 1997-01-02 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Method of in-situ cleaning and deposition of device structures in a high density plasma environment |
US6042706A (en) | 1997-01-14 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition |
JP2001509214A (ja) | 1997-01-16 | 2001-07-10 | ボトムフィールド,ロジャー,エル. | 蒸気蒸着構成要素及び対応する方法 |
US5963778A (en) | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
US5808270A (en) | 1997-02-14 | 1998-09-15 | Ford Global Technologies, Inc. | Plasma transferred wire arc thermal spray apparatus and method |
US5844318A (en) | 1997-02-18 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Aluminum film for semiconductive devices |
JP3098204B2 (ja) | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
US5916378A (en) | 1997-03-11 | 1999-06-29 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Method of reducing metal contamination during semiconductor processing in a reactor having metal components |
US6432203B1 (en) * | 1997-03-17 | 2002-08-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Heated and cooled vacuum chamber shield |
DE19719133C2 (de) | 1997-05-07 | 1999-09-02 | Heraeus Quarzglas | Glocke aus Quarzglas und Verfahren für ihre Herstellung |
US6361661B2 (en) * | 1997-05-16 | 2002-03-26 | Applies Materials, Inc. | Hybrid coil design for ionized deposition |
JP3934251B2 (ja) | 1997-06-10 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | Tig溶接方法および装置 |
US6051114A (en) | 1997-06-23 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition |
US6051122A (en) * | 1997-08-21 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system |
US6162297A (en) | 1997-09-05 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Embossed semiconductor fabrication parts |
US6010583A (en) | 1997-09-09 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
FR2768158B1 (fr) | 1997-09-10 | 2001-06-01 | Seb Sa | Revetement de couche antiadherent a durete amelioree pour support en aluminium, articles et ustensiles culinaires comportant ce revetement |
US5903428A (en) | 1997-09-25 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same |
US5879523A (en) | 1997-09-29 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor |
JPH11106904A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-20 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲットの製造方法 |
US5920764A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new |
GB9722649D0 (en) | 1997-10-24 | 1997-12-24 | Univ Nanyang | Cathode ARC source for metallic and dielectric coatings |
JPH11131254A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Nippon Parkerizing Co Ltd | アルミニウム含有金属材料の表面処理方法 |
US5953827A (en) | 1997-11-05 | 1999-09-21 | Applied Materials, Inc. | Magnetron with cooling system for process chamber of processing system |
US6139701A (en) | 1997-11-26 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Copper target for sputter deposition |
US5976327A (en) | 1997-12-12 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation |
EP1043428B1 (en) | 1997-12-22 | 2006-06-07 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Fibers for electric flocking and electrically flocked article |
US6340415B1 (en) | 1998-01-05 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime |
US6579431B1 (en) | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
EP1062503A4 (en) | 1998-01-16 | 2006-08-02 | Tosoh Smd Inc | ULTRASOUND TEXTURE ONLINE CHARACTERIZATION PROCESS |
KR100265289B1 (ko) | 1998-01-26 | 2000-09-15 | 윤종용 | 플라즈마식각장치의 캐소우드 제조방법 및 이에 따라 제조되는 캐소우드 |
US6244121B1 (en) | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system |
TW593731B (en) | 1998-03-20 | 2004-06-21 | Semitool Inc | Apparatus for applying a metal structure to a workpiece |
JP3271658B2 (ja) | 1998-03-23 | 2002-04-02 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコン単結晶ウェーハのラップ又は研磨方法 |
JP3483494B2 (ja) | 1998-03-31 | 2004-01-06 | キヤノン株式会社 | 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体 |
US6015465A (en) | 1998-04-08 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Temperature control system for semiconductor process chamber |
US6177350B1 (en) | 1998-04-14 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a multilayered aluminum-comprising structure on a substrate |
JP3500063B2 (ja) | 1998-04-23 | 2004-02-23 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ |
JP4164154B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2008-10-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化スパッタリング装置 |
US6187682B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-02-13 | Motorola Inc. | Inert plasma gas surface cleaning process performed insitu with physical vapor deposition (PVD) of a layer of material |
US6086735A (en) | 1998-06-01 | 2000-07-11 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Contoured sputtering target |
KR100625000B1 (ko) | 1998-06-09 | 2006-09-20 | 토소우 에스엠디, 인크 | 정량적 스퍼터 타겟 청정도 특성화 방법 및 장치 |
DE19830817B4 (de) | 1998-07-09 | 2011-06-09 | Leifeld Metal Spinning Gmbh | Verfahren zum Umformen eines Werkstücks durch Drückwalzen |
US6183686B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same |
US6231725B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma |
WO2000009724A1 (en) | 1998-08-10 | 2000-02-24 | The General Hospital Corporation | Transgenic plants expressing a mapkkk protein kinase domain |
US6071389A (en) | 1998-08-21 | 2000-06-06 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making |
US6309556B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-10-30 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of manufacturing enhanced finish sputtering targets |
US6749103B1 (en) | 1998-09-11 | 2004-06-15 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby |
KR100292410B1 (ko) | 1998-09-23 | 2001-06-01 | 윤종용 | 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버 |
US6170429B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-01-09 | Lam Research Corporation | Chamber liner for semiconductor process chambers |
US6238528B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP2000144399A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-26 | Applied Materials Inc | スパッタリング装置 |
US6365010B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-04-02 | Scivac | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
US6149776A (en) | 1998-11-12 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Copper sputtering target |
US6447853B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-09-10 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method and apparatus for processing semiconductor substrates |
EP1135233A4 (en) | 1998-12-03 | 2004-11-03 | Tosoh Smd Inc | INSERT TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
US6276997B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-08-21 | Shinhwa Li | Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers |
JP4141560B2 (ja) | 1998-12-28 | 2008-08-27 | 日本メクトロン株式会社 | 回路基板のプラズマ処理装置 |
US6179973B1 (en) | 1999-01-05 | 2001-01-30 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling plasma uniformity across a substrate |
JP3820787B2 (ja) | 1999-01-08 | 2006-09-13 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US6159299A (en) | 1999-02-09 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer pedestal with a purge ring |
US6183614B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Rotating sputter magnetron assembly |
JP2000265265A (ja) | 1999-03-12 | 2000-09-26 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 一体構造型スパッタリングターゲット |
CN100377239C (zh) | 1999-03-15 | 2008-03-26 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录媒体及其制造方法 |
KR100343136B1 (ko) | 1999-03-18 | 2002-07-05 | 윤종용 | 이중 연마저지층을 이용한 화학기계적 연마방법 |
JP4101966B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2008-06-18 | 三菱電機株式会社 | 薄膜の成膜装置 |
US6500321B1 (en) | 1999-05-26 | 2002-12-31 | Novellus Systems, Inc. | Control of erosion profile and process characteristics in magnetron sputtering by geometrical shaping of the sputtering target |
US6146509A (en) | 1999-06-11 | 2000-11-14 | Scivac | Inverted field circular magnetron sputtering device |
US6337453B1 (en) | 1999-06-25 | 2002-01-08 | West Bond, Inc. | Method and apparatus for arc-forming a bonding wire ball with attenuated electro-magnetic interference |
US6352620B2 (en) | 1999-06-28 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Staged aluminum deposition process for filling vias |
US6283357B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
US6337151B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Graded composition diffusion barriers for chip wiring applications |
US6413858B1 (en) | 1999-08-27 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Barrier and electroplating seed layer |
US6537428B1 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-25 | Veeco Instruments, Inc. | Stable high rate reactive sputtering |
JP4240679B2 (ja) | 1999-09-21 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
KR100315088B1 (ko) | 1999-09-29 | 2001-11-24 | 윤종용 | 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치 |
US6423175B1 (en) | 1999-10-06 | 2002-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for reducing particle contamination in an etcher |
US6190516B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-02-20 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions |
US6149784A (en) | 1999-10-22 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Sputtering chamber shield promoting reliable plasma ignition |
US6267851B1 (en) | 1999-10-28 | 2001-07-31 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Tilted sputtering target with shield to block contaminants |
WO2001037324A1 (en) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Midwest Research Institute | A NOVEL PROCESSING APPROACH TOWARDS THE FORMATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se¿2? |
CN1425196A (zh) | 1999-11-24 | 2003-06-18 | 霍尼韦尔国际公司 | 导电互连 |
US20020075631A1 (en) | 1999-12-30 | 2002-06-20 | Applied Materials, Inc. | Iridium and iridium oxide electrodes used in ferroelectric capacitors |
US6475854B2 (en) | 1999-12-30 | 2002-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method of forming metal electrodes |
US6299740B1 (en) | 2000-01-19 | 2001-10-09 | Veeco Instrument, Inc. | Sputtering assembly and target therefor |
US6780794B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-08-24 | Honeywell International Inc. | Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials |
US6451177B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes |
US6277249B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-08-21 | Applied Materials Inc. | Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions |
US6251242B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor |
CN1307143A (zh) * | 2000-01-21 | 2001-08-08 | 李京熙 | 薄膜的制作方法及制作装置 |
US6227435B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-05-08 | Ford Global Technologies, Inc. | Method to provide a smooth paintable surface after aluminum joining |
JP2002181050A (ja) | 2000-03-16 | 2002-06-26 | Nsk Ltd | 転がり摺動部材とその製造方法及び転がり摺動ユニット |
US6416634B1 (en) | 2000-04-05 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing target arcing during sputter deposition |
JP4592916B2 (ja) | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
US6287437B1 (en) | 2000-05-05 | 2001-09-11 | Alcatel | Recessed bonding of target for RF diode sputtering |
KR100783304B1 (ko) | 2000-05-11 | 2007-12-10 | 토소우 에스엠디, 인크 | 음파 위상 변화 검출을 이용하여 스퍼터 타겟들에서 비파괴 청결도를 평가하는 방법 및 장치 |
US6619537B1 (en) | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
US6699375B1 (en) | 2000-06-29 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method of extending process kit consumable recycling life |
US6620296B2 (en) | 2000-07-17 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Target sidewall design to reduce particle generation during magnetron sputtering |
US6627050B2 (en) | 2000-07-28 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a tantalum-containing layer on a substrate |
US6506289B2 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
JP2002060935A (ja) | 2000-08-09 | 2002-02-28 | Anelva Corp | ターゲットエロージョン計測を可能としたスパッタリング装置 |
EP1322796B1 (en) | 2000-08-17 | 2010-06-02 | Tosoh Smd, Inc. | High purity sputter targets with target end-of-life indication and method of manufacture |
JP3666375B2 (ja) | 2000-09-05 | 2005-06-29 | 日本軽金属株式会社 | 表面処理アルミニウム材及びその製造方法 |
JP3682575B2 (ja) | 2000-09-05 | 2005-08-10 | 日本軽金属株式会社 | 塗膜硬度、塗膜密着性及び耐衝撃性に優れた表面処理アルミニウム材 |
KR100764325B1 (ko) | 2000-09-07 | 2007-10-05 | 가부시끼가이샤 도시바 | 텅스텐 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
WO2002022300A1 (en) | 2000-09-11 | 2002-03-21 | Tosoh Smd, Inc. | Method of manufacturing sputter targets with internal cooling channels |
JP4673478B2 (ja) * | 2000-10-05 | 2011-04-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法 |
US6475336B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
US6503380B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-01-07 | Honeywell International Inc. | Physical vapor target constructions |
US6482302B1 (en) | 2000-10-13 | 2002-11-19 | Honeywell International Inc. | Container-shaped physical vapor deposition targets |
US6406599B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Magnetron with a rotating center magnet for a vault shaped sputtering target |
US6413382B1 (en) | 2000-11-03 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Pulsed sputtering with a small rotating magnetron |
KR100631275B1 (ko) | 2000-11-17 | 2006-10-02 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트 또는 배킹 플레이트 및 파티클 발생이 적은 스퍼터링 방법 |
EP1341948A1 (de) | 2000-11-27 | 2003-09-10 | Unaxis Trading AG | Target mit dickenprofilierung für rf magnetron |
US6887356B2 (en) | 2000-11-27 | 2005-05-03 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
US20020090464A1 (en) | 2000-11-28 | 2002-07-11 | Mingwei Jiang | Sputter chamber shield |
US6800173B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-10-05 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
WO2002047865A1 (en) | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Tosoh Smd, Inc. | Friction fit target assembly for high power sputtering operation |
EP1349682B1 (en) | 2000-12-18 | 2008-10-08 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target/backing plate joining technique and assemblies made thereby |
US6437383B1 (en) | 2000-12-21 | 2002-08-20 | Intel Corporation | Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same |
JP3818084B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2006-09-06 | 日立電線株式会社 | 冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法 |
US6531373B2 (en) | 2000-12-27 | 2003-03-11 | Ovonyx, Inc. | Method of forming a phase-change memory cell using silicon on insulator low electrode in charcogenide elements |
TW541350B (en) | 2000-12-29 | 2003-07-11 | Solar Applied Material Technol | Method for producing metal target for sputtering |
US6805952B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | Low contamination plasma chamber components and methods for making the same |
JP2002220661A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Sharp Corp | スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法 |
SK10062003A3 (sk) | 2001-02-14 | 2004-03-02 | H. C. Starck, Inc. | Renovovanie výrobkov z kovov taviteľných pri vysokých teplotách |
US6576909B2 (en) | 2001-02-28 | 2003-06-10 | International Business Machines Corp. | Ion generation chamber |
TWI232241B (en) | 2001-03-13 | 2005-05-11 | Ind Tech Res Inst | Method of regenerating a phase change sputtering target for optical storage media |
WO2002072911A1 (fr) | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation, plaque d'appui ou appareil dans un dispositif de pulverisation produisant tres peu de particules et procede de rugosification par usinage a decharge electrique |
DE60236264D1 (de) | 2001-04-24 | 2010-06-17 | Tosoh Smd Inc | Verfahren zur optimierung des targetprofils |
US6610959B2 (en) | 2001-04-26 | 2003-08-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Single-wire arc spray apparatus and methods of using same |
US6743488B2 (en) | 2001-05-09 | 2004-06-01 | Cpfilms Inc. | Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide |
US6795292B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-21 | Dennis Grimard | Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber |
US6599405B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-07-29 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Recessed sputter target |
US6777045B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Chamber components having textured surfaces and method of manufacture |
US6677254B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-01-13 | Applied Materials, Inc. | Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom |
US6620736B2 (en) | 2001-07-24 | 2003-09-16 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic control of deposition of, and etching by, ionized materials in semiconductor processing |
US20030047464A1 (en) | 2001-07-27 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces |
US6495009B1 (en) | 2001-08-07 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Auxiliary in-plane magnet inside a nested unbalanced magnetron |
US6491801B1 (en) | 2001-08-07 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Auxiliary vertical magnet outside a nested unbalanced magnetron |
US6507061B1 (en) | 2001-08-31 | 2003-01-14 | Intel Corporation | Multiple layer phase-change memory |
JP2005508444A (ja) | 2001-09-17 | 2005-03-31 | ヘラエウス インコーポレーテッド | 使用済みスパッタターゲットの再生 |
US6716321B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-04-06 | Northrop Grumman Corporation | Modified electrical properties of sputtered thermal coatings |
US6750156B2 (en) | 2001-10-24 | 2004-06-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate |
US6946408B2 (en) | 2001-10-24 | 2005-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing dielectric films |
US7041201B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith |
US20030102207A1 (en) | 2001-11-30 | 2003-06-05 | L. W. Wu | Method for producing nano powder |
US6656535B2 (en) | 2001-12-21 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc | Method of fabricating a coated process chamber component |
US6899798B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Reusable ceramic-comprising component which includes a scrificial surface layer |
US6828161B2 (en) | 2001-12-31 | 2004-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming an FeRAM having a multi-layer hard mask and patterning thereof |
US6730175B2 (en) * | 2002-01-22 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
KR20040103920A (ko) | 2002-01-24 | 2004-12-09 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 레이저 형성 및 용융에 의한 고융점 금속 및 합금 정련 |
KR100446623B1 (ko) | 2002-01-30 | 2004-09-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 및 그 제조방법 |
US6743340B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor |
US6709557B1 (en) | 2002-02-28 | 2004-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Sputter apparatus for producing multi-component metal alloy films and method for making the same |
KR20030071926A (ko) | 2002-03-02 | 2003-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이를 이용한 스퍼터링 장비 |
US6623610B1 (en) | 2002-03-02 | 2003-09-23 | Shinzo Onishi | Magnetron sputtering target for magnetic materials |
US6730174B2 (en) | 2002-03-06 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Unitary removable shield assembly |
US6743342B2 (en) | 2002-03-12 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with a partially enclosed vault |
US6812471B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
US6933508B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
US20030175142A1 (en) | 2002-03-16 | 2003-09-18 | Vassiliki Milonopoulou | Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications |
US7026009B2 (en) | 2002-03-27 | 2006-04-11 | Applied Materials, Inc. | Evaluation of chamber components having textured coatings |
BE1014736A5 (fr) | 2002-03-29 | 2004-03-02 | Alloys For Technical Applic S | Procede de fabrication et de recharge de cibles pour pulverisation cathodique. |
KR100476893B1 (ko) | 2002-05-10 | 2005-03-17 | 삼성전자주식회사 | 상변환 기억 셀들 및 그 제조방법들 |
TWI269815B (en) | 2002-05-20 | 2007-01-01 | Tosoh Smd Inc | Replaceable target sidewall insert with texturing |
US6841050B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Small planetary magnetron |
US6852202B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Small epicyclic magnetron with controlled radial sputtering profile |
US6708870B2 (en) | 2002-05-24 | 2004-03-23 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for forming sputter target assemblies |
US6652668B1 (en) | 2002-05-31 | 2003-11-25 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High-purity ferromagnetic sputter targets and method of manufacture |
WO2004001094A1 (en) | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target monitoring system |
DE10229530A1 (de) | 2002-07-01 | 2004-01-15 | Basf Ag | Chirale 3,4-Dihydro-2H-pyranverbindungen |
FR2842648B1 (fr) | 2002-07-18 | 2005-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince electriquement active |
US6759267B2 (en) | 2002-07-19 | 2004-07-06 | Macronix International Co., Ltd. | Method for forming a phase change memory |
US20040016635A1 (en) | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
US6730196B2 (en) | 2002-08-01 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Auxiliary electromagnets in a magnetron sputter reactor |
US6848608B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-02-01 | Cabot Corporation | Method of bonding sputtering target materials |
US20040065546A1 (en) | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Michaluk Christopher A. | Method to recover spent components of a sputter target |
JP3886878B2 (ja) | 2002-10-08 | 2007-02-28 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットの検査方法 |
DE60326621D1 (de) | 2002-10-21 | 2009-04-23 | Cabot Corp | Verfahren zur herstellung eines sputtertargets und sputtertarget |
US6797131B2 (en) | 2002-11-12 | 2004-09-28 | Applied Materials, Inc. | Design of hardware features to facilitate arc-spray coating applications and functions |
US6902628B2 (en) | 2002-11-25 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a coated process chamber component |
US20040115945A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lowrey Tyler A. | Using an electron beam to write phase change memory devices |
US6811657B2 (en) | 2003-01-27 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Device for measuring the profile of a metal film sputter deposition target, and system and method employing same |
US7115927B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase changeable memory devices |
US7402851B2 (en) | 2003-02-24 | 2008-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase changeable memory devices including nitrogen and/or silicon and methods for fabricating the same |
WO2004079036A1 (ja) | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US20060105182A1 (en) | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant textured chamber surface |
US20040261946A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
US7297247B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
JP2007523993A (ja) | 2003-06-20 | 2007-08-23 | キャボット コーポレイション | スパッタターゲットをバッキングプレートに結合させるための方法及び設計 |
US6992261B2 (en) | 2003-07-15 | 2006-01-31 | Cabot Corporation | Sputtering target assemblies using resistance welding |
US7425093B2 (en) | 2003-07-16 | 2008-09-16 | Cabot Corporation | Thermography test method and apparatus for bonding evaluation in sputtering targets |
US7893419B2 (en) | 2003-08-04 | 2011-02-22 | Intel Corporation | Processing phase change material to improve programming speed |
US20050061857A1 (en) | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Hunt Thomas J. | Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof |
US7431195B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-10-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof |
US20050072668A1 (en) | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Heraeus, Inc. | Sputter target having modified surface texture |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US6988306B2 (en) | 2003-12-01 | 2006-01-24 | Praxair Technology, Inc. | High purity ferromagnetic sputter target, assembly and method of manufacturing same |
US20050147742A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-07-07 | Tokyo Electron Limited | Processing chamber components, particularly chamber shields, and method of controlling temperature thereof |
US20050150452A1 (en) | 2004-01-14 | 2005-07-14 | Soovo Sen | Process kit design for deposition chamber |
KR20060123504A (ko) | 2004-02-03 | 2006-12-01 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 물리증착 표적 구조체 |
US20050178653A1 (en) | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Charles Fisher | Method for elimination of sputtering into the backing plate of a target/backing plate assembly |
US7504008B2 (en) | 2004-03-12 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of sputtering targets |
US7018515B2 (en) | 2004-03-24 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Selectable dual position magnetron |
US20060005767A1 (en) | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Chamber component having knurled surface |
US20060188742A1 (en) | 2005-01-18 | 2006-08-24 | Applied Materials, Inc. | Chamber component having grooved surface |
US7550066B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
US20060021870A1 (en) | 2004-07-27 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Profile detection and refurbishment of deposition targets |
US20060081459A1 (en) | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring of target erosion |
ATE546561T1 (de) | 2004-11-19 | 2012-03-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Trägerplatte mit einer darauf aufgesetzten gekühlten rückenplatte |
US20080271305A1 (en) | 2005-01-19 | 2008-11-06 | Tosoh Smd Etna, Llc | Automated Sputtering Target Production |
US20060266639A1 (en) | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target tiles having structured edges separated by a gap |
US7316763B2 (en) | 2005-05-24 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Multiple target tiles with complementary beveled edges forming a slanted gap therebetween |
US7550055B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
US7644745B2 (en) | 2005-06-06 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Bonding of target tiles to backing plate with patterned bonding agent |
US20060289305A1 (en) | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Applied Materials, Inc. | Centering mechanism for aligning sputtering target tiles |
US20070056845A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone sputtering target created through conductive and insulation bonding |
US7588668B2 (en) | 2005-09-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers |
WO2007037796A2 (en) | 2005-09-19 | 2007-04-05 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide pvd components and methods of formation |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070125646A1 (en) | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
JP2007247061A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Applied Materials Inc | スパッタリング前のスパッタリングターゲットの前調整 |
US20080006523A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Akihiro Hosokawa | Cooled pvd shield |
US7476289B2 (en) | 2006-06-29 | 2009-01-13 | Applied Materials, Inc. | Vacuum elastomer bonding apparatus and method |
KR101504085B1 (ko) | 2006-12-19 | 2015-03-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 비접촉 프로세스 키트 |
US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US20080257263A1 (en) | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Applied Materials, Inc. | Cooling shield for substrate processing chamber |
US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
US20090107834A1 (en) | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Chalcogenide target and method |
US20090114528A1 (en) | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Applied Materials, Inc. | Sputter coating device and coating method |
US20090178919A1 (en) | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Applied Materials, Inc. | Sputter coating device |
US20090272641A1 (en) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Sputter target, method for manufacturing a layer, particularly a tco (transparent conductive oxide) layer, and method for manufacturing a thin layer solar cell |
-
2006
- 2006-10-27 US US11/553,982 patent/US9127362B2/en active Active
- 2006-10-31 CN CN201310053011.1A patent/CN103147049B/zh active Active
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-
2013
- 2013-04-17 KR KR1020130042352A patent/KR101394085B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-09-07 US US14/846,951 patent/US10347475B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-10 US US16/409,757 patent/US11658016B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000138281A (ja) | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
JP2001313329A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
KR20050038898A (ko) * | 2003-10-23 | 2005-04-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 건식 식각 장치 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102709082B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2024-09-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 높은 증착 링 및 증착 링 클램프를 갖는 프로세스 키트 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103147049A (zh) | 2013-06-12 |
KR20130062955A (ko) | 2013-06-13 |
US9127362B2 (en) | 2015-09-08 |
US20190267220A1 (en) | 2019-08-29 |
JP2007146290A (ja) | 2007-06-14 |
TWI435941B (zh) | 2014-05-01 |
CN101089220B (zh) | 2013-03-27 |
CN101089220A (zh) | 2007-12-19 |
US11658016B2 (en) | 2023-05-23 |
US20150380223A1 (en) | 2015-12-31 |
CN103147049B (zh) | 2015-04-08 |
TW200730645A (en) | 2007-08-16 |
DE102006051443A1 (de) | 2007-05-24 |
US10347475B2 (en) | 2019-07-09 |
US20070102286A1 (en) | 2007-05-10 |
KR101394085B1 (ko) | 2014-05-13 |
KR20070046765A (ko) | 2007-05-03 |
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