JPS58147558A - スパツタによるクロム膜形成方法 - Google Patents
スパツタによるクロム膜形成方法Info
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- JPS58147558A JPS58147558A JP2907982A JP2907982A JPS58147558A JP S58147558 A JPS58147558 A JP S58147558A JP 2907982 A JP2907982 A JP 2907982A JP 2907982 A JP2907982 A JP 2907982A JP S58147558 A JPS58147558 A JP S58147558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- substrates
- chamber
- rooms
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスノｅツタによる金属膜の形成方法特にいわゆ
る連続ス／Ｐツタ或いは側室付きスパッタ装置を用いて
クロム膜を形成する方法およびそのために用いるクロム
膜用ターゲットに関するものである０ ス）Ｅ ツタで作られたクロム膜は付着強度が極めて大
きく、いろいろな分野で使われ始め、その需要はますま
す盲犬しつつある。従来このクロム膜を作るためには、
そのクロム膜形成のだめのターゲットとして、バッチ装
置用としては厚さ５ ｍｍ位の銅板に０．５ ｍｍ程度
のクロムをメッキして作っておシ、又連続装置用として
は５ｍＩｎ程度のクロムの板を、熱間で作った１５關程
度の板状の塊から削って作シ、これをｓ ｍｍ位の銅の
板に半田づけして作っていた。これはクロムの金属状の
板を作ることが困難なためである。しかし乍ら連続装置
用のものについては、この方法は生産性が低く従って運
転コストが扁くついていた。
る連続ス／Ｐツタ或いは側室付きスパッタ装置を用いて
クロム膜を形成する方法およびそのために用いるクロム
膜用ターゲットに関するものである０ ス）Ｅ ツタで作られたクロム膜は付着強度が極めて大
きく、いろいろな分野で使われ始め、その需要はますま
す盲犬しつつある。従来このクロム膜を作るためには、
そのクロム膜形成のだめのターゲットとして、バッチ装
置用としては厚さ５ ｍｍ位の銅板に０．５ ｍｍ程度
のクロムをメッキして作っておシ、又連続装置用として
は５ｍＩｎ程度のクロムの板を、熱間で作った１５關程
度の板状の塊から削って作シ、これをｓ ｍｍ位の銅の
板に半田づけして作っていた。これはクロムの金属状の
板を作ることが困難なためである。しかし乍ら連続装置
用のものについては、この方法は生産性が低く従って運
転コストが扁くついていた。
したがって本発明の目的は、上記の欠点を除き。
安価で稼動率が高く、運転コストの低いクロム膜形成方
法およびそのだめのクロム膜用ターケ゛′ットを得よう
とするものである。
法およびそのだめのクロム膜用ターケ゛′ットを得よう
とするものである。
本発明によれば、基板の真空室内への出入れと無関係に
事実上運転の大部分の時間ターケ゛ットを真空中に保管
するスパッタ装置を用いて前占ピ基板上にクロム膜をス
・Ｑ、夕により形成する方法において、前記ターゲット
として厚さほぼ２龍以上のクロムの電気メツキ層で構成
したクロム板を用いることを特徴とするスパッタによる
クロム膜形成力法が得られる。またこのクロム膜形成方
法に用いられる装置の一部として、厚さほぼ２１１以上
のクロムの電気メツキ層から構成した。ス・ぐツタによ
るクロム膜形成のためのクロム膜用ターゲットが得られ
る。
事実上運転の大部分の時間ターケ゛ットを真空中に保管
するスパッタ装置を用いて前占ピ基板上にクロム膜をス
・Ｑ、夕により形成する方法において、前記ターゲット
として厚さほぼ２龍以上のクロムの電気メツキ層で構成
したクロム板を用いることを特徴とするスパッタによる
クロム膜形成力法が得られる。またこのクロム膜形成方
法に用いられる装置の一部として、厚さほぼ２１１以上
のクロムの電気メツキ層から構成した。ス・ぐツタによ
るクロム膜形成のためのクロム膜用ターゲットが得られ
る。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明によるクロム膜のス・やツタによる形成
に用いられるス・ぐツタ装置の断面模式図である。
に用いられるス・ぐツタ装置の断面模式図である。
第２図は第１図の装置のＡで示した部分を拡大して示し
た図である。以下第１図および第２図を併用して説明す
ると、基板群１１とｌｌａはストッカルーｍ１２と１２
ａの中に積み重ねられている。バルブ１３と１３ａはス
トッカルーム１２゜１２ａとス・やツタ室１４の間にあ
シ、これを閉じておけは、注入弁１５と１５ａを開けて
ストッカルーム１２．１２ａ中に空気を注入し扉１６と
１６ａを開けて基板の出入れを行っても、ス・ゼッタ室
１４を真空に保持できるようになっている。
た図である。以下第１図および第２図を併用して説明す
ると、基板群１１とｌｌａはストッカルーｍ１２と１２
ａの中に積み重ねられている。バルブ１３と１３ａはス
トッカルーム１２゜１２ａとス・やツタ室１４の間にあ
シ、これを閉じておけは、注入弁１５と１５ａを開けて
ストッカルーム１２．１２ａ中に空気を注入し扉１６と
１６ａを開けて基板の出入れを行っても、ス・ゼッタ室
１４を真空に保持できるようになっている。
導入弁１７はスパッタのためのアルゴンなどの気体を導
入するだめのもので、ヒータ１８はレール１９上を移動
する基板２０−１．２０−２．２Ｏ−３（第２図のみ）
を加熱するだめのものである。
入するだめのもので、ヒータ１８はレール１９上を移動
する基板２０−１．２０−２．２Ｏ−３（第２図のみ）
を加熱するだめのものである。
また真空室１４の排気系は高＾空ボンノ２１と。
排気弁２２と９図示してない荒引き糸を取付けるための
弁２３とから成っておシ、ストッカルーム１２．１２７
１の排気は弁２４．２４ ａを介して図示してない排気
系によって行われる。
弁２３とから成っておシ、ストッカルーム１２．１２７
１の排気は弁２４．２４ ａを介して図示してない排気
系によって行われる。
ターゲット電極２５は、主として第２図を参照すると、
絶縁物２６を介してスパッタ室１４に取シ付けられた導
入管２７と、磁石２８と、この磁石を収容する容器２９
と、銅の葺板３ｏ上にめっきで形成したターゲット３１
とから成っている〇なお裏板３０は容器２９に取外し取
付けができ且つ気密が保てるようになっている。
絶縁物２６を介してスパッタ室１４に取シ付けられた導
入管２７と、磁石２８と、この磁石を収容する容器２９
と、銅の葺板３ｏ上にめっきで形成したターゲット３１
とから成っている〇なお裏板３０は容器２９に取外し取
付けができ且つ気密が保てるようになっている。
ターゲット３１は通常２１ｍないし１０．、位の厚さで
作る。ただこの９４にメッキは厚くすると表面か凹凸が
激しく、歪のため曲りや反シ或いは割れなどが発生し易
いので、これを防止するためクロムメッキを０５ないし
１龍毎に研磨して多層状に重ねて厚くするか、或いはメ
ッキ液中で軽く研磨しながらメッキを続けるようにした
。かくすることによシ２〜１０１ｍ程度の厚い而も平滑
なメッキ膜を得ることができた。
作る。ただこの９４にメッキは厚くすると表面か凹凸が
激しく、歪のため曲りや反シ或いは割れなどが発生し易
いので、これを防止するためクロムメッキを０５ないし
１龍毎に研磨して多層状に重ねて厚くするか、或いはメ
ッキ液中で軽く研磨しながらメッキを続けるようにした
。かくすることによシ２〜１０１ｍ程度の厚い而も平滑
なメッキ膜を得ることができた。
上記の装置は通常のスパッタ装置と同様に運転する。こ
の実施例の装置においては、ターゲット交換のためにス
・母ツタ室を一度大気圧にすると。
の実施例の装置においては、ターゲット交換のためにス
・母ツタ室を一度大気圧にすると。
大気中の水蒸気をスｉＲツタ室の内面が吸着し９次に運
転を貴開した時なかなか安定しない。通常その再開のだ
めのならし運転に１日を要する。従って、５日連続運転
、１日保守というようにして１週間の日程を組む方法が
通常とられる。この場合毎分０５μｍの消耗があると、
１日１０時間スパッタして５日間で１５朋消耗する。但
し一様に消耗するのではないので、実際ｙｃは２醋程度
以上必要となる。１日２４時間連続運転會行えば史にタ
ーケ゛７トとして厚い膜が必要であり、厚い程ならし運
転の時間の連続運転時間に対する′、！ｔｌＪ合が低ト
シ。
転を貴開した時なかなか安定しない。通常その再開のだ
めのならし運転に１日を要する。従って、５日連続運転
、１日保守というようにして１週間の日程を組む方法が
通常とられる。この場合毎分０５μｍの消耗があると、
１日１０時間スパッタして５日間で１５朋消耗する。但
し一様に消耗するのではないので、実際ｙｃは２醋程度
以上必要となる。１日２４時間連続運転會行えば史にタ
ーケ゛７トとして厚い膜が必要であり、厚い程ならし運
転の時間の連続運転時間に対する′、！ｔｌＪ合が低ト
シ。
より有効となる。従って従来のような薄いメッキ膜をタ
ーケ゛ットに用いた場合に比べ装置の稼動率ははるかに
向上し、運転コストは大［１］に低減さｉする。またハ
ンダ付けなどが不要であるので、工数低減に加えてター
グットヘインノウムなどのハンダ材料が拡散するという
こともなく面品位のターゲットを作ることができる。更
に従来の熱間加工から作り出す板に比し９本実施例のタ
ーゲットの製作費用は１／３から１／５程度に節減でき
た。こうして運転効率がよく運転コストも低く而も使用
するターゲットの製作費の安いクロム膜形成力σ、を実
現できた。
ーケ゛ットに用いた場合に比べ装置の稼動率ははるかに
向上し、運転コストは大［１］に低減さｉする。またハ
ンダ付けなどが不要であるので、工数低減に加えてター
グットヘインノウムなどのハンダ材料が拡散するという
こともなく面品位のターゲットを作ることができる。更
に従来の熱間加工から作り出す板に比し９本実施例のタ
ーゲットの製作費用は１／３から１／５程度に節減でき
た。こうして運転効率がよく運転コストも低く而も使用
するターゲットの製作費の安いクロム膜形成力σ、を実
現できた。
第１図は本発明によるクロム膜のス・ゼッタによる形成
に用いられるスパッタ装置の断面概要図。 第２図は第１図のＡで示した部分を拡大して小した図で
ある。 記号の説明＝１１とｌｌａは基板群、１；３と１．３ａ
はパルプ、１４はスｔＰ ｙり室、１９はレール、２０
−１などは基板、２１は高真空ポンプ。 ２５は−り゛ット′亀惚、２８は輯石、３０は裏板。 ３１は〉−ケ゛７トをそれぞれあられしている。 １９′
に用いられるスパッタ装置の断面概要図。 第２図は第１図のＡで示した部分を拡大して小した図で
ある。 記号の説明＝１１とｌｌａは基板群、１；３と１．３ａ
はパルプ、１４はスｔＰ ｙり室、１９はレール、２０
−１などは基板、２１は高真空ポンプ。 ２５は−り゛ット′亀惚、２８は輯石、３０は裏板。 ３１は〉−ケ゛７トをそれぞれあられしている。 １９′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板の真空室内への出入れと無関係に事実上運転の
大部分の時間ターケ゛ットを真空中に保管するス・ぐ、
夕装置を用いて前記基板上にクロム膜をス／ｅ ｙりに
よシ形成する方法において。 前記ターケ゛ットとして厚さほぼ２龍以上のクロムの電
気メツキ層で構成したクロム板を用いることを特徴と、
するスパッタによるクロム膜形成方法。 ２ 厚さｌ’Ｌは２ ｍｍ以上のクロムの電気メツキ層
から構成した。スノｅツタによるクロム膜形成のだめの
クロム膜用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2907982A JPS58147558A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | スパツタによるクロム膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2907982A JPS58147558A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | スパツタによるクロム膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147558A true JPS58147558A (ja) | 1983-09-02 |
Family
ID=12266328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2907982A Pending JPS58147558A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | スパツタによるクロム膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147558A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0416241A2 (de) * | 1989-09-07 | 1991-03-13 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
| US7297247B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
| US10347475B2 (en) | 2005-10-31 | 2019-07-09 | Applied Materials, Inc. | Holding assembly for substrate processing chamber |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP2907982A patent/JPS58147558A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0416241A2 (de) * | 1989-09-07 | 1991-03-13 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
| US7297247B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
| US10347475B2 (en) | 2005-10-31 | 2019-07-09 | Applied Materials, Inc. | Holding assembly for substrate processing chamber |
| US11658016B2 (en) | 2005-10-31 | 2023-05-23 | Applied Materials, Inc. | Shield for a substrate processing chamber |
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