CN105506562A - 一种无氧镀制咖啡色pvd膜的方法 - Google Patents
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Abstract
一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,采用多弧离子镀膜技术,并采用TiAl合金作弧靶,使钛离子和铝离子均匀的充盈于真空炉内,与氮结合而生成稳定的咖啡色薄膜,过程中没有使用C2H2或C中的碳元素调色,因此镀膜颜色均匀稳定;另一方面,镀膜过程中没有O2,可以避免镀膜设备氧化的问题。
Description
技术领域
发明涉及一种镀制PVD膜方法,尤其涉及一种无氧镀制咖啡色PVD膜方法。
背景技术
PVD(PhysicalVaporDeposition),指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。PVD操作时可选取不同的金属蒸发,电离成电子态,利用电偏压将离子引领到工件上,沉积成薄膜。在离子沉积到工件前,也可与其他离子作出反应结合,生成复合式薄膜,在硬度、光亮度、摩擦系数、颜色等发生变化,满足在功能或外观上的要求。
PVD镀膜能在多种材质上制备膜,颜色种类繁多,如金色、银色、咖啡色、蓝色、紫色等。由于终端客户对产品表面膜层效果需求越来越高档,PVD镀膜机作为高档表面处理的设备,应用越来越广泛。随着市场的发展,越来越多的客户需求产品表面最终膜层为PVD装饰膜层,并且颜色多样化,其中对咖啡色的需求也越来越多。目前,公知的咖啡色PVD镀膜技术多以O2与Ti结合而生成浅蓝色,再与C2H2或C等物质中的碳元素结合反应,从而做成深蓝色、咖啡色效果。
现有技术咖啡色PVD膜的生成需用到碳元素,此方法所兼顾的参数繁多,碳离子分布不均会带来技术问题,使颜色不均匀,生产良品率低;另一方面,输入O2到真空炉室内,会使炉室内的钢氧化,破坏炉壁及炉内结构,造成维修困难,会增加运作成本。
发明内容
本发明的目的是针对现有PVD镀膜技术不能均匀成咖啡色膜、设备易氧化的问题,提供一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法。
一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,包括如下步骤:
1)预处理:将工件表面洗净,脱去氧化膜,放入真空炉内,抽真空,升温;
2)生成基础膜层:启动Cr弧靶,在工件表面沉积Cr基础薄膜;
3)生成过渡膜层:持续开启Cr弧靶,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜;
4)生成咖啡色膜层:关闭Cr弧靶,启动Ti/Al原子比为75∶25至85∶15的TiAl弧靶,并同时注入N2,加载偏压,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜。
在其中一个实施例中,所述方法还包括薄膜沉积完成后关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至65℃~75℃后,取出工件。
在其中一个实施例中,所述步骤1)中预处理还包括抽真空后通入Ar将工件离子清洗20分钟。
在其中一个实施例中,所述镀膜方法均采用多弧离子镀膜法。
在其中一个实施例中,步骤1)中所述抽真空压强为4.0×10-3~6.0×10-3Pa。
在其中一个实施例中,步骤1)中所述升温温度至200~250℃。
在其中一个实施例中,步骤2)中所述Cr基础薄膜沉积时间为3~5分钟。
在其中一个实施例中,步骤4)中所述N2流量为600~700sccm,通入N2时间为5~8分钟。
在其中一个实施例中,步骤4)中所述偏压为-150V~-250V。
在其中一个实施例中,步骤4)中所述通入N2,使炉内气压为2.5Pa,通入N2时间为4~5小时。
以上所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,采用多弧离子镀膜技术,并采用TiAl合金作弧靶,使钛离子和铝离子均匀的充盈于真空炉内,与氮离子结合而生成稳定的咖啡色薄膜,过程中没有使用C2H2或C中的碳元素调色,因此镀膜颜色均匀稳定;另一方面,镀膜过程中没有O2,可以避免镀膜设备氧化的问题。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清晰,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以更好地理解本发明的技术方案,并不用于限定本发明。
一实施方式的无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,包括如下步骤:1)预处理:将工件表面洗净,脱去氧化膜,放入真空炉内,抽真空,升温;2)生成基础膜层:启动Cr弧靶,在工件表面沉积Cr基础薄膜;3)生成过渡膜层:持续开启Cr弧靶,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜;4)生成咖啡色膜层:关闭Cr弧靶,启动Ti/Al原子比为75∶25至85∶15的TiAl弧靶,并同时注入N2,加载偏压,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜。
沉积一层Cr基础膜,能够活化铬表面,提高表面能,且能形成工件表面区的高密度缺陷,如空位、间隙原子、位错等,能够提高薄膜与工件表面的结合力。Cr基础层上沉积一层CrN薄膜,沉积过程中Cr原子与N原子成的Cr-N分子键会增加薄膜间的结合力,使薄膜能够更均匀稳定。CrN层为底层反射,使咖啡色的色彩丰富,有金属感。
钛铝靶的原子比是成咖啡色膜的关键,钛铝的原子重量比影响成膜的颜色。钛铝原子比为75∶25至85∶15,钛铝原子均匀的充盈在真空炉内,在工件上形成稳定的咖啡色膜。
在其中一个实施例中,所述方法还包括薄膜沉积完成后关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至65℃~75℃后,取出工件。温度太高出真空炉后易与空气中的氧发生氧化反应,影响PVD膜的质量。
在其中一个实施例中,所述步骤1)中预处理还包括抽真空后通入Ar将工件离子清洗20分钟。离子清洗一方面清洁度高,另一方面,离子清洗过程中激发了工件表面的活化能,能够增加镀膜的结合力。
在其中一个实施例中,所述镀膜方法均采用多弧离子镀膜法。多弧离子镀具有靶材利用率高,金属离子离化率高,薄膜与基体之间结合力强的优点。
在其中一个实施例中,步骤1)中所述抽真空压强为4.0×10-3~6.0×10-3Pa。
在其中一个实施例中,步骤1)中所述升温温度至200~250℃。
在其中一个实施例中,步骤2)中所述Cr基础薄膜沉积时间为3~5分钟。
在其中一个实施例中,步骤4)中所述N2流量为600~700sccm,通入N2时间为5~8分钟。通入N2与铬靶离子化的Cr离子反应,生成均匀的CrN薄膜,N2流量和时间随着工件材质和镀膜面积的改变而改变。
在其中一个实施例中,步骤4)中所述偏压为-150V~-250V。通过偏压来控制工件温度在合适的范围内,因而制备的薄膜晶粒细小,组织致密,良好的微观结构不仅使薄膜颜色均匀稳定,而且增加了薄膜的耐磨损性能。
在其中一个实施例中,步骤4)中所述通入N2,使炉内气压为2.5Pa,通入N2时间为4~5小时。N2气体流量影响TiAlN膜的颜色深浅,可以根据需要调整N2流量。
本发明方法可在铜合金、锌合金、不锈钢等多种材质表面镀制咖啡色PVD膜。
实施例1
1)将工件表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至4.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至200℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为3分钟;4)铬弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为600sccm,沉积时间为8分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为75∶25,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-150V,沉积时间为4小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至65℃,取出工件。
实施例2
1)将工件表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空5.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至250℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为3分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为650sccm,沉积时间为5分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为78∶22,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-200V,沉积时间为4.5小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至70℃后,取出工件。
实施例3
1)将工件铜合金表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至5.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至250℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为5分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为700sccm,沉积时间为6分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为79∶21,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-250V,沉积时间为5小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至75℃后,取出工件。
实施例4
1)将工件铜合金表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至4.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至200℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为5分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为700sccm,沉积时间为7分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为80∶20,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-250V,沉积时间为5小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至65℃后,取出工件。
实施例5
1)将工件铜合金表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至5.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至225℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为4分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为600sccm,沉积时间为8分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为82∶18,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-250V,沉积时间为4小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至70℃后,取出工件。
实施例6
1)将工件铜合金表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至6.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至200℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为5分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为700sccm,沉积时间为5分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为83∶17,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-250V,沉积时间为4小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至75℃后,取出工件。
实施例7
1)将工件铜合金表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至6.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至200℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为3分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为650sccm,沉积时间为6分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为84∶16,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-250V,沉积时间为5小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至65℃后,取出工件。
实施例8
1)将工件铜合金表面洗净,脱去氧化膜,装夹上多弧离子镀膜机夹具,一同放入真空炉内,启动抽真空装置抽真空至4.0×10-3Pa,注入Ar进行20分钟离子清洗后关闭Ar;2)将炉内温度提升至240℃;3)启动Cr弧靶,使工件表面沉积Cr基础薄膜,沉积时间为4分钟;4)Cr弧靶持续开启,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜,其中N2流量为630sccm,沉积时间为7分钟;5)关闭Cr弧靶,启动TiAl弧靶,其中Ti/Al原子比为85∶15,并同时注入N2,使炉内气压为2.5Pa,加载偏压-250V,沉积时间为5小时,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜;6)关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至70℃后,取出工件。
以上所述实施方式仅是本发明的优选实施方式,应当指出的是,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出改进和变形,这些改进和变形也应视为不脱离本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:包括如下步骤:
1)预处理:将工件表面洗净,脱去氧化膜,放入真空炉内,抽真空,升温;
2)生成基础膜层:启动Cr弧靶,在工件表面沉积Cr基础薄膜;
3)生成过渡膜层:持续开启Cr弧靶,注入N2使工件表面沉积CrN薄膜;
4)生成咖啡色膜层:关闭Cr弧靶,启动Ti/Al原子比为75∶25至85∶15的TiAl弧靶,并同时注入N2,加载偏压,直至工件表面沉积咖啡色TiAlN薄膜。
2.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:所述方法还包括薄膜沉积完成后关闭TiAl弧靶及所有电源,真空炉内逐步升压及降温至65℃~75℃后,取出工件。
3.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:所述步骤1)中预处理还包括抽真空后通入Ar将工件离子清洗20分钟。
4.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:所述镀膜方法均采用多弧离子镀膜法。
5.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:步骤1)中所述抽真空压强为4.0×10-3~6.0×10-3Pa。
6.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:步骤1)中所述升温温度至200~250℃。
7.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:步骤2)中所述Cr基础薄膜沉积时间为3~5分钟。
8.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:步骤4)中所述N2流量为600~700sccm,通入N2时间为5~8分钟。
9.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:步骤4)中所述偏压为-150V~-250V。
10.根据权利要求1所述一种无氧镀制咖啡色PVD膜的方法,其特征是:步骤4)中所述通入N2,使炉内气压为2.5Pa,通入N2时间为4~5小时。
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CN111057994A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-24 | 上海子创镀膜技术有限公司 | 一种磁控溅射工艺的咖啡色调色技术 |
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- 2016-01-22 CN CN201610041145.5A patent/CN105506562A/zh not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20160420 |
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WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |