KR20040103920A - 레이저 형성 및 용융에 의한 고융점 금속 및 합금 정련 - Google Patents

레이저 형성 및 용융에 의한 고융점 금속 및 합금 정련 Download PDF

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KR20040103920A
KR20040103920A KR10-2004-7011395A KR20047011395A KR20040103920A KR 20040103920 A KR20040103920 A KR 20040103920A KR 20047011395 A KR20047011395 A KR 20047011395A KR 20040103920 A KR20040103920 A KR 20040103920A
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Abstract

본 발명은 탄탈륨, 니오븀 및 그 합금을 종래 기술 또는 손상되고 열화된 고융점 금속 부품을 회생하는 것과 비교하여 높은 작업 처리량과, 향상된 일관성 및 낮은 제조 단가를 갖는 정밀 정형 제품을 제조하기 위해 화학 정련 및 고상화하는 공정에 관한 것이다. 분말 금속은 레이저 형성/용융 장치로 공급되기 위해 호퍼에 장전된다. 적절한 기재가 분말이 점 주사 공정에서 적층되고 고상화되는 레이저 형성/용융 챔버로 장전된다. 분말이 선형 조사 영역에 있는 기재 표면의 연속적인 점들 상에 공급될 때, 기재를 가열하여 부분적으로 용융하고 분말을 완전히 용융시키는데 사용된다. 조합된 적층 및 용융 빔이 다층으로 제어된 마이크로 구조의 조밀한 코팅을 구성하도록 선택된 영역 위로 기재 표면을 반복하여 조사한다. 충분히 조밀한 적층물이 구성되어 소정의 형상이 된다.

Description

레이저 형성 및 용융에 의한 고융점 금속 및 합금 정련 {REFRACTORY METAL AND ALLOY REFINING BY LASER FORMING AND MELTING}
(스퍼티링 타깃, 튜브 작업, 노 부품 작업 등에 사용되는) 탄탈륨 및 탄탈륨 합금으로 제조된 시트와 같은 고순도 고융점 금속 부품을 제조하는 현재의 공정들은 분말 야금 및 잉곳 야금에 포함된다. 잉곳 야금 공정들은 적절한 분말을 선택하고 혼합하여 바아 형상으로 가압 소결시키는 것으로부터 시작된다. 전자빔, 플라즈마 또는 아크로가 상기 바아를 용융하여 잉곳으로 냉각시키는데 사용된다. 용융은 많은 단계를 거쳐 수행된다. 필요한 순수 탄탈륨 잉곳을 제조하기 위해 전자빔 용융 및 재용융은 불순물들을 제거한다. 순도 99.9%의 탄탈륨은 일련의 단계들을 거쳐 얻어진다. 상기 잉곳은 열역학적으로 처리되며 이후 판, 시트, 로드 또는 (반구, 4분의 1 구, 원뿔, 접시형 시트, 컵, 박스 등의) 조립 부품과 같은 소정 형상을 제조하기 위해 필요에 따라 냉간 또는 열간 가공된다. 또한, 구성요소들은 잉곳(3)으로부터 직접 기계 가공될 수 있다.
이러한 전체 공정은 비교적 느리고 그 최종 수율은 대략 40% 내지 60%이다.상기 소결 공정은 노 안에서 상당한 시간을 소비하지만, 이것은 바아의 충분한 기계적 강도를 제공하기 위해 필요한 것이며 탄탈륨과 같은 고융점 금속 분말에서는 산소 제거 단계가 우선 시행된다. 보통, 화학적 불순물들을 제거하기 위해 상기 바아들은 강한 진공 조건에서 전자빔으로 용융된다. 또한, 전자빔 용융 공정은 세 개의 전자빔 건으로 105 킬로와트에서 8시간 내지 16시간 사용되는 것과 같이 상당한 시간 및 출력을 노에서 소모할 수 있다. 보통, 재용융은 네 개의 전자빔 건으로 150 킬로와트에서 8시간 내지 16시간 사용되는 것과 같이 상당한 시간 및 출력이 요구될 때 사용된다.
레이저 부가 가공(LAM)은 금속 분말로부터 복잡한 3차원 구성 요소를 제조하기 위해 고출력 레이저 및 분말 공급 시스템을 사용하는 직접적인 적층 공정이다. 이러한 고출력 레이저 및 다축 위치 설정 시스템은 적절한 금속 분말을 사용하여 구성요소를 구성하기 위해 CAD 파일로부터 직접 작동된다. 상기 공정은 스테레오 리소그래피 선택적 레이저 소결(SLS) 및 레이저 용접과 같은 종래의 급속 조형 기술과 유사하다. 레이저 용접은 두 개의 구성요소를 접합하거나 하나의 물체를 다른 구성요소에 일체로 제조하기 위해 개발되었다. 그러나, 충분히 조밀한 금속 구성요소는 주조 또는 열간 등방 가압 처리(HIPing; hot isostatic processing)와 같은 부가적인 단계에 의해서만 제조될 수 있다. 이러한 레이저 공정은 우주항공 산업용의 정밀 정형된 티타늄 구성요소를 제조하기 위해 개발되었다. 그러나, 아직 탄탈륨과 같은 고융점 금속을 위한 공정은 존재하지 않는다.
또한, 적층식 회로 제조 및 다른 전기, 자기 및 광학 제품 제조에 사용되는탄탈륨 및 다른 고융점 금속(TA, Nb, Ti, Mo, Zr 금속과 합금 및 그 혼성물과 질화물)과 같은 고온 재료의 스퍼터링 타깃들은 스퍼터링 공정 중 비균일하게 부식되어 타깃의 작업 측면 상의 트렌치(trench)와 같은 래이스 트랙(race track)이 된다. 기재의 오염 또는 타깃 뒤에서 냉각액의 치명적인 돌진을 방지하기 위해, 일반적으로 타깃들은 고융점 스퍼터 금속이 관통되기 전에 공급원으로부터 회수되므로, 매우 적은 부분의 스퍼터 금속이 소모된 후에도 새로운 타깃이 필요하게 된다. 스퍼터 금속의 주요부는 스크랩(scrap) 가격으로 재판매될 수 있거나 어렵게 재생되고, 이와는 별개로, 타깃의 지지판을 제거하여 재생을 위한 새로운 스퍼터 금속판으로 재접합 될 수 있다.
결과적으로, 매우 적은 부분의 탄탈륨 판이 소모된 후에도 전체 타깃을 재생할 필요가 없도록 스퍼터링 타깃의 고융점 금속을 재생할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 종래의 용융되고 고상화되어 롤 가공 및 열처리되는 부품과 적어도 동등한 매크로 및 마이크로의 기계적 특성을 갖는 판형 또는 만곡형의 충분히 조밀한 적층물을 만드는 고융점 금속 및 합금을 위한 레이저 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 재생 수율을 높이고 정밀 정형에 의해 제조 시간과 제조 단가를 낮추는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 지지판을 구비한 스퍼터링 타깃용 탄탈륨 판과 같은 고융점 금속 부품의 재생 단가를 낮추는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 스퍼터링 타겟과 같은 제거되는 고융점 금속 부품이공급원과 공급원으로 되돌아오는 사이클을 줄이는 것이다.
본 발명은 고융점 금속 부품의 제조 및 회생에 관한 것이며, 특히 제어된 마이크로 구조를 갖는 정밀 정형된 고융점 금속 부품의 제조 및 회생에 관한 것이다.
도1은 본 발명의 공정의 바람직한 실시예에 의해 형성된 5 개의 적층물(제품)을 도시한 도면이다.
도2는 각각의 적층물로부터 취한 전형적인 금속학적 단면을 도시한 도면이다.
도3은 전형적인 타깃 및 지지판의 단면도이다.
도4는 통상적인 부식 골(goal)을 구비한 정면도이다.
도5는 회생 공정의 블록 다이어그램이다.
도6은 본 발명의 실시를 위한 진공 또는 비활성 가스 챔버의 셋업을 형성하는 개요를 도시한 도면이다.
본 발명은 (a) 분말 금속 입자를 레이저 부가 챔버로 공급하기 위해 호퍼(hopper)에 장전하는 단계와, (b) 기재를 레이저 부가 챔버에 장전하는 단계와, (c) 부가 챔버 내에서 선형 조사 영역의 기재 상의 연속적인 점들 위로 분말 금속 분말을 공급하는 단계와, (d) 기재 및 분말을 레이저빔으로 용융하여 제어된 마이크로 구조물의 다중 코팅을 구성하는 단계와, (e) 조합된 적층 및 용융 빔으로 기재의 선택된 영역 위를 조사하고 다층의 제어된 마이크로 구조의 코팅을 구성하는 단계와, (f) 코팅으로 적층물을 구성하고 고융점 금속 부품을 형성하는 단계를 포함하는 고융점 금속 부품을 제조하는 공정에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식된 영역에 플라즈마 적층을 가하는 단계와, 조밀한 코팅을 형성하는 단계와, 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생하는 단계를 포함하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생시키는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식된 영역에 레이저 소결을 가하는 단계와, 조밀한 코팅을 형성하는 단계와, 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생하는 단계를 포함하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생시키는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식된 영역에 열간 등방 가압처리를 가하는 단계와, 조밀한 코팅을 형성하는 단계와, 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식된 영역을 채우는 단계와, 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생시키는 단계를 포함하는 탄탈륨 스퍼티링 타깃을 회생시키는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 공정으로 제조된 제품을 포함한다.
상기와 같이, 본 발명은 소정의 공정 및 그 제품에 관한 것이다. 상기 공정은 종래 기술의 처리 단계와 비교하여 높은 작업 처리량으로 더욱 일관되며 낮은 생산 단가를 갖는 정밀 정형된 조립 제품을 위한 화학적으로 정련되고 고상화된 고융점 금속 및 그 합금에 관한 것이다. 분말 금속은 LAM 장치로 공급되기 위해 호퍼에 장전된다. 적절한 기재가 분말이 적층되고 점 주사(point scan) 공정에서 적층되고 고상화될 수 있는 LAM 챔버 내부로 장전된다. 분말이 선형 조사 영역에 있는 기재 표면의 연속적인 점들 상으로 공급될 때, 레이저가 기재를 부분적으로 용융하고 분말을 부분적으로 또는 전부 용융하는데 사용된다. 조합된 적층 및 용융 빔은 다층의 제어된 마이크로 구조물의 조밀한 코팅을 구성하도록 선택된 영역 위를 반복적으로 기재의 표면에 조사한다. 소정의 형상이 되는 충분히 조밀한 적층물이 구성된다. 전체 공정은 대기압 또는 그 보다 낮은 압력의 아르곤과 같은 비활성 조건에 있는 챔버 내에서 구성될 수 있으나, 높은 진공의 조건에서도 구성될 수 있다.
분말 입자로의 비교적 높은 온도 또는 출력과 짧은 확산 거리가 분말 및 결과물을 정화한다. 상기 공정은 90% 이상의 수율을 얻고, 최종 형상 및 최종 사용 적용예에 따라서는 적층 에지와 제품 표면을 완벽히 처리하기 위한 기계 가공의 필요를 최소로 한다.
스퍼터링 타깃의 제조에 사용되었던 바와 같이, 상기 공정은 필수적인 그래인 순도를 얻을 수 있으며 균일한 스퍼터링 특성을 보조하는 컬럼식 그래인 구조를갖는다.
회생의 목적에 있어서, 상기 열화된 탈탈륨 스퍼터링 타깃 면 상의 래이스 트랙 트렌치는 충분히 조밀한 코팅을 얻을 수 있는 레이저 소결, 플라즈마 적층, 또는 HIP 접합 분말/판 재료에 의해 충전된다. 레이저 소결 또는 플라즈마 적층의 경우, 타깃은 타깃으로부터 지지판을 떼내지 않고 회생될 수 있다. HIP 접합의 경우 저산소 Ta 분말 또는 임의의 Ta 판 재료가 사용될 수 있다. 임의의 제안된 방법에 의해 트렌치를 채우는 것이 전체 타깃을 재생하는 것보다 싸다면 회생은 경제적인 공정이 된다. 지지판을 떼어낼 필요가 없다. 원하는 만큼 재사용할 수도 있다.
사용된 스퍼터링 타깃은 스퍼터 금속의 배치 또는 적층과 적층 또는 HIP 접합 분말/판 재료와 결합된 소결, 플라즈마 방전을 위한 레이저 또는 EB 가열에 의한 소결 접합에 의해 타깃 면 상의 래이스 트랙 트렌치 또는 부식 영역을 채우도록 처리될 수 있다. 이러한 방법을 사용하여 충분히 조밀한 코팅을 얻을 수 있다. 이것은 구리로부터 탄탈륨의 결합을 해제하고, 탄탈륨 판의 부식 영역을 탄탈륨 분말로 충전시켜 HIP 접합 및 재조립할 필요를 없앤다. 적층과 관련된 레이저, EB 조사 소결 또는 플라즈마 방전의 경우, 타깃은 지지판을 분리하지 않고 회생될 수 있다.
회생의 다양한 형태는 타깃의 잔여물과 유사한 마이크로 구조를 갖는 충전된 부식 영역을 만든다.
고융점 금속(예로써, 탄탈륨) 타깃의 회생은 스퍼터 판의 약간의 부분만이사용되어도 전체 타깃을 재생해야 하는 필요를 없앤다. 이러한 회생은 전체 타깃을 교환하는 것보다 더욱 경제적이다. 접합식 지지판(예로써, 구리)의 분리가 필요하지 않다.
이러한 회생은 필요한 만큼 여러 번 재사용될 수 있다. 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부도면과 연결된 바람직한 실시예에 대한 설명을 통해 상세히 설명된다.
본 발명의 실시예는 고융점 금속 분말로 형성된 고순도 고융점 금속 및 합금을 제조하기 위한 레이저 공정이다. 탄탈륨 분말(-120+325 메쉬) 및 탄탈륨 판 기재는 본 명세서에서 참조하는 미국 특허 제6,269,536호에 개시된 적층 장치에 적용된다. 레이저 에너지는 대략 17kW가 방출되었다. 도1은 레이저 공정으로 형성된 5개의 적층물을 도시한다. 각각의 적층물은 각각의 층이 대략 0.010 inch의 두께를 갖는 5 내지 7층이다.
또한, 상기 설명한 물리적 특성의 차이는 적층 속도가 티타늄에서의 속도보다 낮다는 것을 의미한다. 티타늄과 비교하여 탄탈륨의 높은 융점과 열전도성은 탄탈륨 용융 풀이 적으며 적은 양의 분말이 입수 가능한 레이저 출력에 의해 용융될 수 있다는 것을 의미한다.
표1은 개시 분말 및 최종 적층물의 화학 분석(GDMS)의 결과를 나타낸다. 일반적으로, 개시 분말과 비교할 때 적층물의 고융점 금속 내용물(예로서, Nb, W)에는 매우 적은 변화만이 있었다. 티타늄과 바나디움을 제외하고는 적층물의 금속학적 오염이 현저하게 감소된다. 티타늄 및 바나디움 오염물은 Ti-6Al-4V 합금으로 수행된 상기 시험 장치에서의 이전 작업으로부터 비롯된 것이다.
[표1]
농도(ppm) 농도(ppm)
요소 분말 적층물 ppm감소 분말-적층물
B 0.18 0.04 0.14
Mg 35 0.21 34.79
Al 1.4 0.46 0.94
Si 30 4.2 25.80
P 1.1 0.1 1.00
Ti 0.9 30 (-29.10)
V 0.1 3.1 (-3.00)
Cr 3.8 1.4 2.40
Mn 0.8 0.07 0.73
Fe 50 4.5 45.50
Co 0.47 0.07 0.40
Ni 700 29 671.00
Cu 4.6 0.05 4.55
Nb 91 90 1.00
Mo 1.8 0.44 1.36
W 2.6 2.4 0.20
%Ta 99.908 99.983 -
계 925 166 759
도2는 각각의 적층물로부터 취한 전형적인 금속학적 단면들을 도시한다. 적층물의 최외각면을 제외하고는 검사된 어떠한 단면에서도 미세 구멍(porosity)을 찾아 볼 수 없었다. 검사된 적층물들은 그 폭을 가로질러 2개 내지 5개의 그래인(화살표로 표시된 입계)들을 갖는다.
이러한 그래인들은 기판에서 초기 그래인로부터 성장한 것이다. 적층물 내에 내부 결함(즉, 균열, 개재물, 외부 입자 등)의 증거가 없었다.
표2 및 표3은 기계적 시험 결과를 나타낸다. 3개의 시료에 대한 비커스 경도 값(VHN, 500g)은 롤 가공 또는 어닐링된 탄탈륨 시트(대략 100의 VHN)에서 예상되었던 것보다 약간 높다. 이러한 적층물들은 어닐링되지 않았으며 VHN은 상기 재료가 취성이 아니라는 것을 암시한다. 시료2 및 시료3과 비교하여 시료1의 약간높은 경도는 약간 높은 산소 함유량 때문이다. 표3은 롤 가공되고 어닐링된 탄탈륨 시트의 ASTM 규격에 맞는 상기 3개의 적층물의 실온에서의 수율과 극한 강도를 나타낸다. 시료1, 2, 3은 신장치가 규격의 최소값보다 약간 낮음에도 불구하고, 용인할 수 있다(시료3은 측정 부위의 중심이 아닌 테스트 바아의 반경 근처에서 파손되었으며, 이는 잘못된 테스트 때문으로 생각된다).
[표2]비커스 경도 값 500a
시료1 시료2 시료3
121.7 114.0 109.8
120.0 106.6 109.2
125.4 107.4 110.7
125.0 106.6 108.3
124.3 106.6 111.6
123.2 111.5 110.7
121.1 123.6 111.7 110.1
121.4 105.4 109.9
121.1 112.1 106.8
123.5 110.0 106.2
평균122.9±1.8 109.2±3.0 109.3±1.7
[표3]실온 인장 테스트 결과
시료 번호 항복 강도(ksi) 극한 인장 강도(ksi) 최종 신장
1 29.7 31.7 24.1
2 25.9 31.5 23.5
3 26.4 30.0 12.7
ASTM B365(분) 15.0 25.0 25.0
상기 결과는 레이저로 형성된 탄탈륨 적층물이 롤 가공되어 어닐링된 탄탈륨 시트와 동등한 화학적 기계적 특성을 갖는다는 것을 나타낸다. 상기 적층물들은 적층물의 최외각면을 제외하고는 미세 구멍의 흔적이 없고 매우 조밀하다.
고융점 금속 부품의 회생이 도3 내지 도6에 도시된다. 도3 및 도4는 수냉코일(CL) 상에 접합되거나 대형 냉각액 저장소의 일부와 같은 부가적인 복합성을 가질 수 있으며/또는 복잡한 플랜지 및 기계적이며 전기적인 부착 구조물을 갖는 구리(Cu) 지지판에 접합되는 탄탈륨(Ta) 스퍼터 판을 도시한다.
E는 스퍼터링 사용으로부터 상승하는 부식 영역을 형성하는 전형적인 레이스 트랙을 나타낸다.
도5는 본 발명의 실시를 위한 플로우차트이다. 진공 또는 비활성 가스 영역이 사용된 Ta-Cu 타깃 조립체를 위해 마련된다. 부식 영역(E-영역)은 완전한 입자들은 아니지만 분말 표면을 용융하기 위한 레이저 또는 전자빔(EB) 래스터(raster) 주사에 의해 접합되는 스퍼터 금속의 분말로 충전된다. 분말 적층 중 또는 층상 층식으로 적층시킨 후 용융이 수행될 수 있다. 또한, 포일(foil)에서 비롯된 분말이 미리 제조되어 트렌치에 놓여질 수 있다.
모든 경우에 있어서, 상기 충전물은 스스로 타깃에 접합되고 부착되기 위해 소결되며 기계가공, 샌딩 또는 마찰식 에칭 및/또는 번인(burn-in) 스퍼터링 공정에 의해 평활하게 된다.
이후에는 내화 부품을 회생시키는 몇몇 방법을 상세히 설명한다. 도6에 도시된 바와 같이, 이러한 판은 밸브(V)를 갖는 가스 백-필(back-fill) 장치(G) 및 종래의 펌프(P)를 사용하는 비활성 가스(아르곤) 분위기로 정화된 진공 배기된 챔버(VC)에 놓여질 수 있다. 복수의 노즐을 포함하는 분말 공급기가 -100 내지 325 메쉬의 Ta 분말의 다단 고속 흐름을 부식 영역으로 삽입시킬 수 있다. 분말 공급기는 부식 영역을 따라 주사할 수 있으며 또는 타겟이 고정된 분말 공급기에 대해이동될 수 있다. 케이스(c) 및 빔 경로용 윈도우를 사용하여 챔버 내에 모두가 있거나 챔버 밖에 부분적으로 있게 되는 종래의 주사 광학부(M1, M2)에 의해 형성된 15 kW 내지 20 kW(바람직하게는 20 내지 25)의 레이저빔(LB)은 분말이 떨어질 때 부식 영역 위로 래스터 주사 방식으로 분말 입자의 표면을 용융하고 입자들이 접합되어 부식 영역의 기부에 연속적으로 접합되어 부식 영역 주위를 채울 때까지 반복하도록 조사될 수 있다. 분말의 질량 계산기 및/또는 광학적 모니터가 완료 및 충전부 절단을 결정하는데 사용될 수 있다. 레이저는 소결을 완료하기 위해 충전된 부분을 가열하도록 제공될 수 있다. 개별적인 타깃 히터들이 타깃을 예열하고 회생 중 부가적인 가열을 제공하는데 사용될 수 있다.
고융점 금속을 제조하고 회생하는데 사용될 수 있는 장비의 한가지 형태는 예로써, 아보트(Abbott) 등에 의해 1998년 5월 발행된 어드밴스드 메탈 앤 프로세스즈(Advanced Metals & Processes)의 "레이저 형성 티타늄 구성 요소"와, 알세라(Arcella) 등에 의해 저널 오브 메탈스(Journal of metals)(2000년 5월) 페이지 28 내지 30의 "레이저 형성을 이용한 분말로 제조된 항공기 구성 요소 티타늄 제조"에 개시된 바와 같은 에어로메트(AeroMet Corp.)사의 금속 적층 시스템용 래스폼(Lasform)이다.
또한, 본 발명은 Re, W, Mo, W 합금, Mo 합금, Re 합금, 니오븀, 탄탈륨 합금 및 니오븀 합금과 같은 다른 내화 분말 금속에도 적용될 수 있다.
이 기술 분야의 숙련자들에게는 다른 실시예, 개선 예, 상세 사항 및 그 사용이 본 명세서와 상기한 설명 및 본 발명의 범위와 일치한다는 것을 알 수 있다.

Claims (16)

  1. (a) 분말 금속 입자를 레이저 부가 챔버로 공급하기 위해 호퍼에 장전하는 단계와,
    (b) 기재를 레이저 부가 챔버에 장전하는 단계와,
    (c) 상기 분말 금속 분말을 보조 챔버 내의 기재 상의 연속적인 점에 선형 조사식으로 공급하는 단계와,
    (d) 레이저빔으로 기재와 분말을 용융하여 제어된 마이크로 구조물의 다중 코팅을 구성하는 단계와,
    (e) 조합된 적층 및 용융 빔으로 기재의 선택된 영역 위를 조사하고 제어된 마이크로 구조의 코팅을 다층으로 구성하는 단계와,
    (f) 코팅으로부터 적층물을 구성하고 고융점 금속 부품을 형성하는 단계를 포함하는 고융점 금속 부품 제조 공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코팅으로부터 구성된 적층물은 충분히 조밀한 적층물인 고융점 금속 부품 제조 공정.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공정은 비활성 조건에서 수행되는 고융점 금속 부품 제조 공정.
  4. 제3항에 있어서, 상기 조건은 대기압에서 또는 그 인근에서 또는 그 아래에서 아르곤을 구비하는 고융점 금속 부품 제조 공정.
  5. 제1항에 있어서, 상기 공정은 강한 진공 하에서 수행되는 고융점 금속 부품 제조 공정.
  6. 제1항에 있어서, 상기 레이저빔은 분말 및 고융점 금속 부품을 정화하는 조건을 발생시키기에 충분한 고열을 생성시키는 고융점 금속 부품 제조 공정.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고융점 금속 부품은 스퍼터링 타깃인 고융점 금속 부품 제조 공정.
  8. 제1항의 공정에 의해 제조된 고융점 금속 부품.
  9. 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식 영역에 플라즈마 적층을 가하는 단계와, 충분히 조밀한 코팅을 형성하는 단계와, 이로써 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생시키는 단계를 포함하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃 회생 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 탄탈륨 스퍼터링 타깃은 지지판을 가지며, 상기 타깃은 타깃으로부터 지지판의 접착을 해제시키지 않으면서 회생되는 탄탈륨 스퍼터링타깃 회생 방법.
  11. 제9항의 방법에 의해 제조된 스퍼터링 타깃.
  12. 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식 영역에 레이저 소결을 가하는 단계와, 충분히 조밀한 코팅을 형성하는 단계와, 이로써 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생시키는 단계를 포함하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃 회생 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 탄탈륨 스퍼터링 타깃은 지지판을 가지며, 상기 타깃은 타깃으로부터 지지판의 접착을 해제시키지 않으면서 회생되는 탄탈륨 스퍼터링 타깃 회생 방법.
  14. 제12항의 방법에 의해 제조되는 스퍼터링 타깃.
  15. 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식 영역에 열간 등방 가압 처리를 가하는 단계와, 충분히 조밀한 코팅을 형성하는 단계와, 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 부식 영역을 충전시키는 단계와, 이로써 고 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 회생하는 단계를 포함하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃 회생 방법.
  16. 제15항의 방법에 의해 제조된 스퍼터링 타깃.
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