JP5477671B2 - サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ - Google Patents
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Description
近年、樹脂フィルム上にサーミスタ材料を形成したフィルム型サーミスタセンサの開発が検討されており、フィルムに直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれている。すなわち、フィルムを用いることで、フレキシブルなサーミスタセンサが得られることが期待される。さらに、0.1mm程度の厚さを持つ非常に薄いサーミスタセンサの開発が望まれているが、従来はアルミナ等のセラミックス材料を用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ0.1mmへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、フィルムを用いることで非常に薄いサーミスタセンサが得られることが期待される。
しかしながら、樹脂材料で構成されるフィルムは、一般的に耐熱温度が150℃以下と低く、比較的耐熱温度の高い材料として知られるポリイミドでも200℃程度の耐熱性しかないため、サーミスタ材料の形成工程において熱処理が加わる場合は、適用が困難であった。上記従来の酸化物サーミスタ材料では、所望のサーミスタ特性を実現するために600℃以上の焼成が必要であり、フィルムに直接成膜したフィルム型サーミスタセンサを実現できないという問題点があった。そのため、非焼成で直接成膜できるサーミスタ材料の開発が望まれているが、上記特許文献3に記載のサーミスタ材料でも、所望のサーミスタ特性を得るために、必要に応じて、得られた薄膜を350〜600℃で熱処理する必要があった。また、このサーミスタ材料では、Ta−Al−N系材料の実施例において、B定数:500〜3000K程度の材料が得られているが、耐熱性に関する記述がなく、窒化物系材料の信頼性が不明であった。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
このサーミスタ用金属窒化物材料では、一般式:TixAly(N1−wOw)z(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.45≦z≦0.55、0<w≦0.35、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なB定数が得られると共に高い耐熱性を有している。特に、酸素(O)が含まれることで、結晶内の窒素欠陥を酸素が埋める、もしくは、格子間酸素が導入される等の効果によって耐熱性がより向上する。
また、上記「y/(x+y)」(すなわち、Al/(Ti+Al))が0.95を超えると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「z」(すなわち、(N+O)/(Ti+Al+N+O))が0.45未満であると、窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高B定数とが得られない。
また、上記「z」(すなわち、(N+O)/(Ti+Al+N+O))が0.55を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において窒素サイトにおける欠陥がない場合の正しい化学量論比が、N/(Ti+Al+N)=0.5であることと、窒素サイトにおける欠陥を酸素が全て補なった場合の正しい化学量論比が、(N+O)/(Ti+Al+N+O)=0.5であることとに起因し、0.5を超えるz量については、格子間酸素が導入されたことと、XPS分析における軽元素(窒素、酸素)の定量精度とに起因するものである。
また、本研究において、上記「w」(すなわち、O/(N+O))が0.35を超えたウルツ鉱型の単相を得ることができなかった。このことは、w=1、かつ、y/(x+y)=0では、ルチル型TiO2相であり、w=1、かつ、y/(x+y)=1ではコランダム型Al2O3相であることを考慮すると理解できる。w値が増え、窒素量に対し酸素量が増えると、ウルツ鉱型単相が得ることが困難であることがわかり、本研究では、O/(N+O)=0.35まで、ウルツ鉱型単相が得られることを見出している。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸が強く配向しているので、a軸配向が強い場合に比べて高いB定数が得られ、さらに耐熱性に対する信頼性も優れている。
すなわち、このフィルム型サーミスタセンサでは、絶縁性フィルム上に第1から第3のいずれかの発明のサーミスタ用金属窒化物材料で薄膜サーミスタ部が形成されているので、非焼成で形成され高B定数で耐熱性の高い薄膜サーミスタ部により、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルムを用いることができると共に、良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。
また、従来、アルミナ等のセラミックスを用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ0.1mmへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、本発明においてはフィルムを用いることができるので、例えば、厚さ0.1mmの非常に薄いフィルム型サーミスタセンサを得ることができる。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法では、Ti−Al合金スパッタリングターゲットを用いて窒素及び酸素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、上記TixAly(N,O)zからなる本発明のサーミスタ用金属窒化物材料を非焼成で成膜することができる。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法では、反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、0.67Pa未満に設定するので、膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸が強く配向している第3の発明に係るサーミスタ用金属窒化物材料の膜を形成することができる。
すなわち、本発明に係るサーミスタ用金属窒化物材料によれば、一般式:TixAly(N1−wOw)z(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.45≦z≦0.55、0<w≦0.35、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、非焼成で良好なB定数が得られると共に高い耐熱性を有している。また、本発明に係るサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法によれば、Ti−Al合金スパッタリングターゲットを用いて窒素及び酸素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、上記TixAly(N,O)zからなる本発明のサーミスタ用金属窒化物材料を非焼成で成膜することができる。さらに、本発明に係るフィルム型サーミスタセンサによれば、絶縁性フィルム上に本発明のサーミスタ用金属窒化物材料で薄膜サーミスタ部が形成されているので、樹脂フィルム等の耐熱性の低い絶縁性フィルムを用いて良好なサーミスタ特性を有した薄型でフレキシブルなサーミスタセンサが得られる。さらに、基板材料が、薄くすると非常に脆く壊れやすいセラミックス材料でなく、樹脂フィルムであることから、厚さ0.1mmの非常に薄いフィルム型サーミスタセンサが得られる。
なお、上記点A,B,C,Dの各組成比(x、y、z)は、A(x,y,z=13.5、31.5、55),B(x,y,z=2.25、42.75、55),C(x,y,z=2.75、52.25、45),D(x,y,z=16.5、38.5、45)である。
なお、膜の表面に対して垂直方向(膜厚方向)にa軸配向(100)が強いかc軸配向(002)が強いかの判断は、X線回折(XRD)を用いて結晶軸の配向性を調べることで、(100)(a軸配向を示すhkl指数)と(002)(c軸配向を示すhkl指数)とのピーク強度比から、「(100)のピーク強度」/「(002)のピーク強度」が1未満であることで決定する。
上記一対のパターン電極4は、例えばCr膜とAu膜との積層金属膜でパターン形成され、互いに対向状態に配した櫛形パターンの一対の櫛形電極部4aと、これら櫛形電極部4aに先端部が接続され基端部が絶縁性フィルム2の端部に配されて延在した一対の直線延在部4bとを有している。
また、上記反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、0.67Pa未満に設定することが好ましい。
さらに、上記成膜工程後に、形成された膜に窒素プラズマを照射することが好ましい。
なお、複数のフィルム型サーミスタセンサ1を同時に作製する場合、絶縁性フィルム2の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部3及びパターン電極4を上述のように形成した後に、大判シートから各フィルム型サーミスタセンサ1に切断する。
このようにして、例えばサイズを25×3.6mmとし、厚さを0.1mmとした薄いフィルム型サーミスタセンサ1が得られる。
また、このサーミスタ用金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であるので、膜の結晶性が高く、高い耐熱性が得られる。
さらに、このサーミスタ用金属窒化物材料では、膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸を強く配向させること、a軸配向が強い場合に比べて高いB定数が得られる。
また、反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、0.67Pa未満に設定することで、膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸が強く配向しているサーミスタ用金属窒化物材料の膜を形成することができる。
また、従来、アルミナ等のセラミックスを用いた基板材料がしばしば用いられ、例えば、厚さ0.1mmへと薄くすると非常に脆く壊れやすい等の問題があったが、本実施形態においてはフィルムを用いることができるので、例えば、厚さ0.1mmの非常に薄いフィルム型サーミスタセンサを得ることができる。
本発明の実施例及び比較例として、図4に示す膜評価用素子21を次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、様々な組成比のTi−Al合金ターゲットを用いて、Si基板Sとなる熱酸化膜付きSiウエハ上に、厚さ500nmの表1及び表2に示す様々な組成比で形成されたサーミスタ用金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部3を形成した。その時のスパッタ条件は、到達真空度:5×10−6Pa、スパッタガス圧:0.1〜1Pa、ターゲット投入電力(出力):100〜500Wで、Arガス+窒素ガス+酸素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分圧を10〜100%、酸素ガス分圧を0〜3%と変えて作製した。
なお、比較としてTixAly(N,O)zの組成比が本発明の範囲外であって結晶系が異なる比較例についても同様に作製して評価を行った。
(1)組成分析
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部3について、X線光電子分光法(XPS)にて元素分析を行った。このXPSでは、Arスパッタにより、最表面から深さ20nmのスパッタ面において、定量分析を実施した。その結果を表1及び表2に示す。なお、以下の表中の組成比は「原子%」で示している。
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部3について、4端子法にて25℃での比抵抗を測定した。その結果を表1及び表2に示す。
(3)B定数測定
膜評価用素子21の25℃及び50℃の抵抗値を恒温槽内で測定し、25℃と50℃との抵抗値よりB定数を算出した。その結果を表1及び表2に示す。
B定数(K)=ln(R25/R50)/(1/T25−1/T50)
R25(Ω):25℃における抵抗値
R50(Ω):50℃における抵抗値
T25(K):298.15K 25℃を絶対温度表示
T50(K):323.15K 50℃を絶対温度表示
反応性スパッタ法にて得られた薄膜サーミスタ部3を、視斜角入射X線回折(Grazing Incidence X-ray Diffraction)により、結晶相を同定した。この薄膜X線回折は、微小角X線回折実験であり、管球をCuとし、入射角を1度とすると共に2θ=20〜130度の範囲で測定した。一部のサンプルについては、入射角を0度とし、2θ=20〜100度の範囲で測定した。
なお、表2に示す比較例1,2は、上述したように結晶相がウルツ鉱型相でもNaCl型相でもなく、本試験においては同定できなかった。また、これらの比較例は、XRDのピーク幅が非常に広いことから、非常に結晶性の劣る材料であった。これは、電気特性により金属的振舞いに近いことから、窒化不足の金属相になっていると考えられる。
なお、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、同様にウルツ鉱型の単一相が形成されていることを確認している。また、同じ成膜条件でポリイミドフィルムに成膜しても、配向性は変わらないことを確認している。
また、a軸配向が強い実施例のXRDプロファイルの一例を、図8に示す。この実施例は、Al/(Ti+Al)=0.83(ウルツ鉱型、六方晶)であり、入射角を1度として測定した。この結果からわかるように、この実施例では、(002)よりも(100)の強度が非常に強くなっている。
表3及び図10に示すように、Al/(Ti+Al)比がほぼ同じ比率のものに対し、基板面に垂直方向の配向度の強い結晶軸がc軸である材料(実施例5,7,8,9)とa軸である材料(実施例19,20,21)とがある。
次に、薄膜サーミスタ部3の断面における結晶形態を示す一例として、熱酸化膜付きSi基板S上に成膜された実施例(Al/(Ti+Al)=0.84,ウルツ鉱型、六方晶、c軸配向性が強い)の薄膜サーミスタ部3における断面SEM写真を、図12に示す。また、別の実施例(Al/(Ti+Al)=0.83,ウルツ鉱型、六方晶、a軸配向性が強い)の薄膜サーミスタ部3における断面SEM写真を、図13に示す。
これら実施例のサンプルは、Si基板Sをへき開破断したものを用いている。また、45°の角度で傾斜観察した写真である。
表4に示す実施例及び比較例において、大気中,125℃,1000hの耐熱試験前後における抵抗値及びB定数を評価した。その結果を表4に示す。なお、比較として従来のTa−Al−N系材料による比較例も同様に評価した。また、参考として、酸素ガスを含有しない窒素ガスとArガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタを行い、Ti−Al−N系材料による薄膜サーミスタ部3を形成した参考例1(ウルツ鉱型、六方晶系、c軸配向が強い)についても同様に耐熱試験を行った結果を、表4に併せて示す。
また、酸素を積極的に含有させていないTi−Al−N系材料による参考例1は、比較例よりも耐熱性に優れているが、この参考例1に比べて、酸素を積極的に含有させた本発明のTi−Al−N−O系材料による実施例の方が、さらに耐熱性に優れていることがわかる。
Claims (6)
- サーミスタに用いられる金属窒化物材料であって、
一般式:TixAly(N1−wOw)z(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.45≦z≦0.55、0<w≦0.35、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、
その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とするサーミスタ用金属窒化物材料。 - 請求項1に記載のサーミスタ用金属窒化物材料において、
膜状に形成され、
前記膜の表面に対して垂直方向に延在している柱状結晶であることを特徴とするサーミスタ用金属窒化物材料。 - 請求項1又は2に記載のサーミスタ用金属窒化物材料において、
膜状に形成され、
前記膜の表面に対して垂直方向にa軸よりc軸が強く配向していることを特徴とするサーミスタ用金属窒化物材料。 - 絶縁性フィルムと、
該絶縁性フィルム上に請求項1から3のいずれか一項に記載のサーミスタ用金属窒化物材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
少なくとも前記薄膜サーミスタ部の上又は下に形成された一対のパターン電極とを備えていることを特徴とするフィルム型サーミスタセンサ。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載のサーミスタ用金属窒化物材料を製造する方法であって、
Ti−Al合金スパッタリングターゲットを用いて窒素及び酸素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有していることを特徴とするサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法。 - 請求項5に記載のサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法において、
前記反応性スパッタにおけるスパッタガス圧を、0.67Pa未満に設定することを特徴とするサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法。
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JP6115823B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-04-19 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
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JP6394939B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-09-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
EP3204771A4 (en) | 2014-10-09 | 2018-03-14 | Cedars-Sinai Medical Center | Methods and systems for distinguishing irritable bowel syndrome from inflammatory bowel disease and celiac disease |
JP2016134491A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
JP6601614B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2019-11-06 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
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JPH0590011A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Anritsu Corp | 感温抵抗体及びその製造方法 |
JPH06158272A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-07 | Ulvac Japan Ltd | 抵抗膜および抵抗膜の製造方法 |
US5367285A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-22 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Metal oxy-nitride resistance films and methods of making the same |
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JP2003226573A (ja) | 2002-02-01 | 2003-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | 複合磁器材料およびlc複合部品 |
SE523826C2 (sv) * | 2002-03-20 | 2004-05-25 | Seco Tools Ab | Skär belagt med TiAIN för bearbetning med hög hastighet av legerade stål, sätt att framställa ett skär och användning av skäret |
AU2003227598A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-20 | Cemecon Ag | Coated bodies and a method for coating a body |
JP3862080B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2006-12-27 | 防衛庁技術研究本部長 | 熱型赤外線検出器の製造方法 |
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US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8277958B2 (en) * | 2009-10-02 | 2012-10-02 | Kennametal Inc. | Aluminum titanium nitride coating and method of making same |
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