JPH0590011A - 感温抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
感温抵抗体及びその製造方法Info
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- JPH0590011A JPH0590011A JP27468791A JP27468791A JPH0590011A JP H0590011 A JPH0590011 A JP H0590011A JP 27468791 A JP27468791 A JP 27468791A JP 27468791 A JP27468791 A JP 27468791A JP H0590011 A JPH0590011 A JP H0590011A
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- Japan
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- temperature
- thin film
- sensitive resistor
- germanium
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】電子デバイスや電子機器の温度を高精度に制御
するための感温センサに用いる感温抵抗体、及びその製
造方法を提供する。 【構成】絶縁基板１上にｖ族元素を含むｎ形シリコン・
ゲルマニウム薄膜２を形成する工程と、ｎ形シリコン・
ゲルマニウム薄膜２を少なくとも８００℃まで上昇させ
る工程からなる製造方法。この製造方法より、導電率の
温度係数が安定した感温抵抗体を得ることができた。
するための感温センサに用いる感温抵抗体、及びその製
造方法を提供する。 【構成】絶縁基板１上にｖ族元素を含むｎ形シリコン・
ゲルマニウム薄膜２を形成する工程と、ｎ形シリコン・
ゲルマニウム薄膜２を少なくとも８００℃まで上昇させ
る工程からなる製造方法。この製造方法より、導電率の
温度係数が安定した感温抵抗体を得ることができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜型感温抵抗体、す
なわち薄膜サーミスタに関するものであり、電子デバイ
スや電子機器の温度を高精度に制御するための感温セン
サに用いる。
なわち薄膜サーミスタに関するものであり、電子デバイ
スや電子機器の温度を高精度に制御するための感温セン
サに用いる。
【従来技術の説明】電子デバイスや電子機器の温度を高
精度に制御するための感温センサとしては、特に高速応
答性を実現するため、熱容量の小さくできる薄膜型白金
測温体や薄膜サーミスタ及び薄膜感温抵抗体が提案され
ている。特に、微結晶化半導体薄膜を用いるものは、高
感度化が期待できるものとして、既にいくつかの提案が
なされている（例えば、「半導体素子の温度制御装置
と、それに用いた温度センサ」（特開平３−１７６６２
３号公報））。
精度に制御するための感温センサとしては、特に高速応
答性を実現するため、熱容量の小さくできる薄膜型白金
測温体や薄膜サーミスタ及び薄膜感温抵抗体が提案され
ている。特に、微結晶化半導体薄膜を用いるものは、高
感度化が期待できるものとして、既にいくつかの提案が
なされている（例えば、「半導体素子の温度制御装置
と、それに用いた温度センサ」（特開平３−１７６６２
３号公報））。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の薄膜感温センサにおいても比較的高温にさらされると
抵抗値の経時変化が発生するため、その利用分野が限定
されていた。従って、比較的高温にさらされても経時変
化の小さい感温抵抗体を実現することが本発明の解決す
べき課題である。
の薄膜感温センサにおいても比較的高温にさらされると
抵抗値の経時変化が発生するため、その利用分野が限定
されていた。従って、比較的高温にさらされても経時変
化の小さい感温抵抗体を実現することが本発明の解決す
べき課題である。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて堆積したｎ型シリコン・ゲルマニウム半導
体薄膜を特定の高温まで熱アニールを施すことにより、
極めて経時変化の小さい感温抵抗体が得られるという発
明者の発見した事実に基づく。図１、及び図２は、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて堆積したｎ型シリコン・ゲルマニ
ウム半導体薄膜を高温まで熱アニールした場合の温度−
抵抗率特性を示すものである。図２は５００℃まで昇温
し、その後室温まで降下させた場合の実験結果を示す。
又、図１は、１回目に８００℃まで昇温し、その後一旦
室温まで降下し、その後引続き７５０℃まで昇温した後
室温まで降下させた場合の実験結果を示している。これ
らの図を比較すると、５００℃までの昇温による熱アニ
ールでは室温まで降下させた場合に、ｎ型シリコン・ゲ
ルマニウム半導体薄膜の抵抗率は昇温前と比較し大幅に
変化している。しかしながら、一旦８００℃まで昇温
し、その後７５０℃まで昇温して室温に降下した場合、
昇温前と比較し５００℃以下の温度領域においてはほと
んど差がない実験結果が得られた。
Ｄ法を用いて堆積したｎ型シリコン・ゲルマニウム半導
体薄膜を特定の高温まで熱アニールを施すことにより、
極めて経時変化の小さい感温抵抗体が得られるという発
明者の発見した事実に基づく。図１、及び図２は、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて堆積したｎ型シリコン・ゲルマニ
ウム半導体薄膜を高温まで熱アニールした場合の温度−
抵抗率特性を示すものである。図２は５００℃まで昇温
し、その後室温まで降下させた場合の実験結果を示す。
又、図１は、１回目に８００℃まで昇温し、その後一旦
室温まで降下し、その後引続き７５０℃まで昇温した後
室温まで降下させた場合の実験結果を示している。これ
らの図を比較すると、５００℃までの昇温による熱アニ
ールでは室温まで降下させた場合に、ｎ型シリコン・ゲ
ルマニウム半導体薄膜の抵抗率は昇温前と比較し大幅に
変化している。しかしながら、一旦８００℃まで昇温
し、その後７５０℃まで昇温して室温に降下した場合、
昇温前と比較し５００℃以下の温度領域においてはほと
んど差がない実験結果が得られた。
【０００４】
【作用】このようにして作られたｎ型シリコン・ゲルマ
ニウム半導体薄膜を用いて感温抵抗体は、図３のレーザ
ラマンスペクトルに示すように、シリコン及びゲルマニ
ウムのそれぞれの微結晶相が混在していることに起因し
て極めて経時変化が小さくなっている。図３中、（ａ）
はプラズマＣＶＤ法で堆積した直後の薄膜を、（ｂ）は
５００℃まで熱アニールした場合の薄膜を、また（ｃ）
は８００℃まで熱アニールした場合の薄膜の各レーザラ
マンスペクトルを示している。（ａ）、（ｂ）ではゲル
マニウムのスペクトルは現れていないが、（ｃ）ではゲ
ルマニウムのスペクトルがはっきりと現れており、微結
晶相が形成されていることが確認されている。
ニウム半導体薄膜を用いて感温抵抗体は、図３のレーザ
ラマンスペクトルに示すように、シリコン及びゲルマニ
ウムのそれぞれの微結晶相が混在していることに起因し
て極めて経時変化が小さくなっている。図３中、（ａ）
はプラズマＣＶＤ法で堆積した直後の薄膜を、（ｂ）は
５００℃まで熱アニールした場合の薄膜を、また（ｃ）
は８００℃まで熱アニールした場合の薄膜の各レーザラ
マンスペクトルを示している。（ａ）、（ｂ）ではゲル
マニウムのスペクトルは現れていないが、（ｃ）ではゲ
ルマニウムのスペクトルがはっきりと現れており、微結
晶相が形成されていることが確認されている。
【０００５】
【実施例】図４及び図５は本発明に係る感温抵抗体の一
実施例の構成を示す図であり、図４にその平面図を、図
５に図４の線Ｘ−Ｙにおける断面図を示す。図４及び図
５において、１は絶縁性基板、２は非晶質半導体薄膜で
あるｎ型アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜、３
ａと３ｂは一対のオーミック電極（単に電極ともい
う）、４ａと４ｂは一対のリード線を示す。
実施例の構成を示す図であり、図４にその平面図を、図
５に図４の線Ｘ−Ｙにおける断面図を示す。図４及び図
５において、１は絶縁性基板、２は非晶質半導体薄膜で
あるｎ型アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜、３
ａと３ｂは一対のオーミック電極（単に電極ともい
う）、４ａと４ｂは一対のリード線を示す。
【０００６】次に、本発明に係る感温装置の製造方法に
ついて述べる。絶縁性基板１の材料としては、耐熱性が
ある絶縁体や、同様の性質を有する導体板あるいは半導
体板の表面をＣＶＤ法による二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜や窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜で覆ったもの
が望ましく、例えばガラス板、アルミナ板、石英板、溶
融石英ガラス板、水晶板、ポリミィドフィルム、金属板
や半導体の表面を絶縁薄膜（例えば、ＣＶＤ法による二
酸化シリコン薄膜や窒化シリコン薄膜）で覆ったもの等
が用いられる。特に、線膨脹率がアモルファスシリコン
・ゲルマニウム薄膜に近いガラス板やアルミナ板が良
い。これらによる基板は、有機溶剤等で十分に洗浄した
後、清浄な雰囲気中で瞬時に乾燥させる。
ついて述べる。絶縁性基板１の材料としては、耐熱性が
ある絶縁体や、同様の性質を有する導体板あるいは半導
体板の表面をＣＶＤ法による二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜や窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜で覆ったもの
が望ましく、例えばガラス板、アルミナ板、石英板、溶
融石英ガラス板、水晶板、ポリミィドフィルム、金属板
や半導体の表面を絶縁薄膜（例えば、ＣＶＤ法による二
酸化シリコン薄膜や窒化シリコン薄膜）で覆ったもの等
が用いられる。特に、線膨脹率がアモルファスシリコン
・ゲルマニウム薄膜に近いガラス板やアルミナ板が良
い。これらによる基板は、有機溶剤等で十分に洗浄した
後、清浄な雰囲気中で瞬時に乾燥させる。
【０００７】次に、（シラン（ＳｉＨ4 ）＋ゲルマン
（ＧｅＨ4）、又は（シラン＋ゲルマン＋水素
（Ｈ2 ））の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤ法又は光
ＣＶＤ法等を用いてアモルファスシリコン・ゲルマニウ
ム薄膜（アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗
体ともいう）２を堆積させる。この場合、アモルファス
シリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗体の導電率が大きい程
望ましく、通常σ＝０．１Ｓ・ｃｍ-1以上のものが用い
られる。プラズマＣＶＤ法を用いた堆積条件の一例とし
ては、放電圧力０．１〜１０Ｔｏｒｒ、放電電流１〜１
００ｍＡ／ｃｍ2 、放電電圧５００〜８００ｖ、電極間
隔１．５〜３ｃｍ、基板温度２００〜４５０℃、（シラ
ン＋ゲルマン）／水素＝０．０１〜０．１、ホスフィン
（ＰＨ3 ）／（シラン＋ゲルマン）＝１０〜２５００ｐ
ｐｍ、シラン／ゲルマン＝０．１〜１００である。これ
らの条件で堆積したｎ型アモルファスシリコン・ゲルマ
ニウム薄膜として、導電率σが０．１Ｓ・ｃｍ-1以上で
最大１００Ｓ・ｃｍ-1のものが容易に得られている。
（ＧｅＨ4）、又は（シラン＋ゲルマン＋水素
（Ｈ2 ））の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤ法又は光
ＣＶＤ法等を用いてアモルファスシリコン・ゲルマニウ
ム薄膜（アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗
体ともいう）２を堆積させる。この場合、アモルファス
シリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗体の導電率が大きい程
望ましく、通常σ＝０．１Ｓ・ｃｍ-1以上のものが用い
られる。プラズマＣＶＤ法を用いた堆積条件の一例とし
ては、放電圧力０．１〜１０Ｔｏｒｒ、放電電流１〜１
００ｍＡ／ｃｍ2 、放電電圧５００〜８００ｖ、電極間
隔１．５〜３ｃｍ、基板温度２００〜４５０℃、（シラ
ン＋ゲルマン）／水素＝０．０１〜０．１、ホスフィン
（ＰＨ3 ）／（シラン＋ゲルマン）＝１０〜２５００ｐ
ｐｍ、シラン／ゲルマン＝０．１〜１００である。これ
らの条件で堆積したｎ型アモルファスシリコン・ゲルマ
ニウム薄膜として、導電率σが０．１Ｓ・ｃｍ-1以上で
最大１００Ｓ・ｃｍ-1のものが容易に得られている。
【０００８】アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜
の導電率を高める方法としては、放電電流を大きくする
方法あるいはドーピングガスの割合を高くする方法等が
一般的である。微結晶化度の制御方法としては、同一出
願人により開示されている方法（「シリコン・ゲルマニ
ウム混晶薄膜導電体」（特開昭６２−４７１７７号公
報））と同様な手法を用いた。
の導電率を高める方法としては、放電電流を大きくする
方法あるいはドーピングガスの割合を高くする方法等が
一般的である。微結晶化度の制御方法としては、同一出
願人により開示されている方法（「シリコン・ゲルマニ
ウム混晶薄膜導電体」（特開昭６２−４７１７７号公
報））と同様な手法を用いた。
【０００９】次に、プラズマＣＶＤ法を用いて堆積した
ｎ型シリコン・ゲルマニウム半導体薄膜を特定の高温ま
で熱アニールを施す。図１に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて堆積したｎ型シリコン・ゲルマニウム半導
体薄膜を高温まで熱アニールする。この時、温度−抵抗
率特性をモニターしながら行う。図１に示すように８０
０℃まで昇温し、その後一旦室温まで降下し、その後引
続き７５０℃まで昇温した後室温まで降下させる。この
図に示されているように、一旦８００℃まで昇温し、そ
の後７５０℃まで昇温して室温に降下した場合、昇温前
と比較しほとんど経時変化がないシリコン・ゲルマニウ
ム薄膜を得ることができる。次に、真空蒸着法を用い
て、電極用金属膜（例えば、Ｃｒ ５００オングストロ
ーム／Ｐｔ ２５００オングストローム）を堆積させ
る。さらに、フォトエッチング技術を用いて不要部を除
去し、電極対３ａ、３ｂ及びアモルファスシリコン・ゲ
ルマニウム薄膜抵抗体２を形成する。このアモルファス
シリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗体２の形状としてはア
モルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜の導電率、膜厚
及び出力インピーダンスを考慮して決められるが、アモ
ルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜の長さをＬ、幅を
Ｗとすれば、通常Ｌ／Ｗ＝１／１０〜１０に設定され
る。
ｎ型シリコン・ゲルマニウム半導体薄膜を特定の高温ま
で熱アニールを施す。図１に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて堆積したｎ型シリコン・ゲルマニウム半導
体薄膜を高温まで熱アニールする。この時、温度−抵抗
率特性をモニターしながら行う。図１に示すように８０
０℃まで昇温し、その後一旦室温まで降下し、その後引
続き７５０℃まで昇温した後室温まで降下させる。この
図に示されているように、一旦８００℃まで昇温し、そ
の後７５０℃まで昇温して室温に降下した場合、昇温前
と比較しほとんど経時変化がないシリコン・ゲルマニウ
ム薄膜を得ることができる。次に、真空蒸着法を用い
て、電極用金属膜（例えば、Ｃｒ ５００オングストロ
ーム／Ｐｔ ２５００オングストローム）を堆積させ
る。さらに、フォトエッチング技術を用いて不要部を除
去し、電極対３ａ、３ｂ及びアモルファスシリコン・ゲ
ルマニウム薄膜抵抗体２を形成する。このアモルファス
シリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗体２の形状としてはア
モルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜の導電率、膜厚
及び出力インピーダンスを考慮して決められるが、アモ
ルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜の長さをＬ、幅を
Ｗとすれば、通常Ｌ／Ｗ＝１／１０〜１０に設定され
る。
【００１０】次に、絶縁性基板の表面に保護膜を堆積す
る。保護膜としてはＣＶＤ法による二酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜及びポリミイド樹脂等を用いる。フォト
エッチング技術を用いて、電極パット部の保護膜を除去
する。最後に、電極３ａ、３ｂに取り出し用リード線４
ａ、４ｂを取り付けて完成する。リード線としては、ビ
ームリード方式又はＡｕ線やＡｕリボン線等をワイヤボ
ンデングすることによって構成される。
る。保護膜としてはＣＶＤ法による二酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜及びポリミイド樹脂等を用いる。フォト
エッチング技術を用いて、電極パット部の保護膜を除去
する。最後に、電極３ａ、３ｂに取り出し用リード線４
ａ、４ｂを取り付けて完成する。リード線としては、ビ
ームリード方式又はＡｕ線やＡｕリボン線等をワイヤボ
ンデングすることによって構成される。
【００１１】以上に述べた製造方法では、半導体薄膜抵
抗体及び電極対の形式にフォトエッチング技術を用いた
がメタルマスクを用いた方法でも形成できる。この場合
は、アモルファス半導体薄膜を堆積する時、あるいは真
空蒸着法を用いて電極金属薄を堆積する時に不要部をメ
タルマスクでカバーする方法が用いられる。図５は上に
述べた方法で作製した微結晶化シリコン・ゲルマニウム
薄膜抵抗体の抵抗Ｒの温度（Ｔ）依存性の一例を示す図
である。
抗体及び電極対の形式にフォトエッチング技術を用いた
がメタルマスクを用いた方法でも形成できる。この場合
は、アモルファス半導体薄膜を堆積する時、あるいは真
空蒸着法を用いて電極金属薄を堆積する時に不要部をメ
タルマスクでカバーする方法が用いられる。図５は上に
述べた方法で作製した微結晶化シリコン・ゲルマニウム
薄膜抵抗体の抵抗Ｒの温度（Ｔ）依存性の一例を示す図
である。
【００１２】図５より、４×１０-1〜１．５×１０1 の
導電率において温度係数として０．２５％／Ｋ〜０．７
５％／Ｋと大きな検出感度を示すことが確認されてい
る。図６に本発明によるｎ型シリコン・ゲルマニウム薄
膜抵抗体の有するゼーベック係数を示す。なお、図中に
は、同一出願人による他のアモルファス材料に関する実
験データも参考のため示した。金属薄膜と比較し大きな
ゼーベック係数を有しており薄膜熱電対材料としても大
いに有用であることが示されている。
導電率において温度係数として０．２５％／Ｋ〜０．７
５％／Ｋと大きな検出感度を示すことが確認されてい
る。図６に本発明によるｎ型シリコン・ゲルマニウム薄
膜抵抗体の有するゼーベック係数を示す。なお、図中に
は、同一出願人による他のアモルファス材料に関する実
験データも参考のため示した。金属薄膜と比較し大きな
ゼーベック係数を有しており薄膜熱電対材料としても大
いに有用であることが示されている。
【００１３】以上に述べた本発明の感温抵抗体として
は、１ｍｍ角以内の超小型のものが形成でき、また絶縁
性基板として熱伝導率の大きなアルミナ等を用いて、応
答速度１０ｍｓｅｃ以下のものを実現している。また、
数Ｔガウスの磁界内での抵抗率の変化は１％以下である
ことを確認している。また、低温域での検出感度が大き
いので低温域の温度計測に用いることができる。
は、１ｍｍ角以内の超小型のものが形成でき、また絶縁
性基板として熱伝導率の大きなアルミナ等を用いて、応
答速度１０ｍｓｅｃ以下のものを実現している。また、
数Ｔガウスの磁界内での抵抗率の変化は１％以下である
ことを確認している。また、低温域での検出感度が大き
いので低温域の温度計測に用いることができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明では、感温抵抗体を構成する非
晶質半導体薄膜として、所定の高温までの熱アニール処
理を施すことにより経時変化を小さく抑制したｎ型シリ
コン・ゲルマニウム薄膜を用いたので、検出感度が大き
くかつ安定な感温抵抗体を実現できた。更に、以下に示
す固有の効果を有する感温抵抗体を実現することができ
た。 （１）半導体プロセスを用いることにより、再現性がよ
く、また大量生産が可能なので安価な感温抵抗体を実現
できた。 （２）検出温度範囲が４．２Ｋ〜３００Ｋと広い範囲の
感温抵抗体を実現できた。 （３）形状が１ｍｍ角以下と小さいので小型化でき、ま
た、基板に熱伝導率のよいアルミナ基板を用いることに
より応答速度１０ｍｓｅｃ以下の高速応答性の感温抵抗
体を実現できた。 （４）磁界の影響を受けにくい感温抵抗体を実現でき
た。
晶質半導体薄膜として、所定の高温までの熱アニール処
理を施すことにより経時変化を小さく抑制したｎ型シリ
コン・ゲルマニウム薄膜を用いたので、検出感度が大き
くかつ安定な感温抵抗体を実現できた。更に、以下に示
す固有の効果を有する感温抵抗体を実現することができ
た。 （１）半導体プロセスを用いることにより、再現性がよ
く、また大量生産が可能なので安価な感温抵抗体を実現
できた。 （２）検出温度範囲が４．２Ｋ〜３００Ｋと広い範囲の
感温抵抗体を実現できた。 （３）形状が１ｍｍ角以下と小さいので小型化でき、ま
た、基板に熱伝導率のよいアルミナ基板を用いることに
より応答速度１０ｍｓｅｃ以下の高速応答性の感温抵抗
体を実現できた。 （４）磁界の影響を受けにくい感温抵抗体を実現でき
た。
【図１】本発明に係る感温抵抗体の一実施例を示す図で
あり、熱アニール処理時（８００℃）の抵抗と温度との
関係を示す図。
あり、熱アニール処理時（８００℃）の抵抗と温度との
関係を示す図。
【図２】本発明の効果を示すための熱アニール処理時
（５００℃）の抵抗と温度との関係を示す図。
（５００℃）の抵抗と温度との関係を示す図。
【図３】アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗
体のレーザラマンスペクトルを示す図。
体のレーザラマンスペクトルを示す図。
【図４】本発明に係る感温抵抗体の一実施例の平面図。
【図５】本発明に係る感温抵抗体の一実施例の線Ｘ−Ｙ
における断面を示す図。
における断面を示す図。
【図６】アモルファスシリコン・ゲルマニウム薄膜抵抗
体の低温域での温度特性を示す図。
体の低温域での温度特性を示す図。
【図７】ゼーベック係数と導電率の関係を示した図。
１ 絶縁性基板。 ２ 非晶質半導体薄膜。 ３ａ、３ｂ オ−ミック電極。 ４ａ、４ｂ リード線。
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁性基板（１）と、該絶縁性基板上に形
成されたアモルファス相と微結晶相とからなるｎ形シリ
コン・ゲルマニウム薄膜（２）と、該ｎ形シリコン・ゲ
ルマニウム薄膜に電流を入出力するための一対の電極
（３ａ、３ｂ）とを備えた感温抵抗体の製造方法におい
て、前記絶縁性基板上にｖ族元素を含む前記ｎ形シリコ
ン・ゲルマニウム薄膜を形成する工程と、前記シリコン
・ゲルマニウム薄膜を少なくとも８００℃まで上昇させ
ることにより前記ｎ形シリコン・ゲルマニウム薄膜の導
電率の温度係数を定着させる工程とを備えたことを特徴
とする感温抵抗体の製造方法。 - 【請求項２】前記感温抵抗体の製造方法を用いて構成さ
れた感温抵抗体。 - 【請求項３】前記感温抵抗体の抵抗率温度係数が０．２
５％／Ｋ〜０．７５％／Ｋであることを特徴とする請求
項２記載の感温抵抗体。 - 【請求項４】前記感温抵抗体の電極が白金薄膜からなる
ことを特徴とする請求項２記載の感温抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27468791A JPH0590011A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 感温抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27468791A JPH0590011A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 感温抵抗体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590011A true JPH0590011A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17545166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27468791A Pending JPH0590011A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 感温抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590011A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996018871A1 (fr) * | 1994-12-15 | 1996-06-20 | Anritsu Corporation | Systeme de sonde de temperature utilisant un film mince de semi-conducteur microcristallin |
| JP2000500336A (ja) * | 1995-11-16 | 2000-01-18 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | Ｆａｓリガンド融合タンパク質 |
| WO2013129638A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2013129680A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2013147291A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | フィルム型サーミスタセンサ |
| WO2013147290A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| JP2013211436A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | 温度調節機能付き電池 |
| WO2014097949A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014097883A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014097910A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014097891A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196488A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196486A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196583A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196649A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP27468791A patent/JPH0590011A/ja active Pending
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996018871A1 (fr) * | 1994-12-15 | 1996-06-20 | Anritsu Corporation | Systeme de sonde de temperature utilisant un film mince de semi-conducteur microcristallin |
| US5775811A (en) * | 1994-12-15 | 1998-07-07 | Anritsu Corporation | Temperature sensor system using a micro-crystalline semiconductor thin film |
| JP2000500336A (ja) * | 1995-11-16 | 2000-01-18 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | Ｆａｓリガンド融合タンパク質 |
| WO2013129638A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2013129680A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| JP2013179162A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| JP2013179161A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| US9905341B2 (en) | 2012-02-28 | 2018-02-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| US9852829B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-12-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film thermistor sensor |
| TWI552173B (zh) * | 2012-02-28 | 2016-10-01 | Mitsubishi Materials Corp | Metal nitride material for thermistor and its manufacturing method and film type thermistor |
| JP2013211433A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | フィルム型サーミスタセンサ |
| JP2013211434A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| US9978484B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-05-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride film for thermistor, process for producing same, and thermistor sensor of film type |
| WO2013147291A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | フィルム型サーミスタセンサ |
| WO2013147290A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| TWI555039B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | Thin film type thermistor sensor |
| JP2013211436A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | 温度調節機能付き電池 |
| CN104137196A (zh) * | 2012-03-30 | 2014-11-05 | 三菱综合材料株式会社 | 薄膜型热敏电阻传感器 |
| CN104170031A (zh) * | 2012-03-30 | 2014-11-26 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻用金属氮化物膜及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器 |
| CN104797734A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-07-22 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器 |
| WO2014097910A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014097949A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| US9905342B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-02-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor method made of metal nitride material, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| WO2014097883A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| US9903013B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-02-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor made of metal nitride material, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| US9863035B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-01-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| CN104812927A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-07-29 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器 |
| CN104838453A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-08-12 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器 |
| US9831019B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-11-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| WO2014097891A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| JP2014122388A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| CN105144309A (zh) * | 2013-06-05 | 2015-12-09 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器 |
| US9754706B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-09-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| CN105144310A (zh) * | 2013-06-05 | 2015-12-09 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器 |
| US9842675B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-12-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor |
| WO2014196486A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196488A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| JP2014236205A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| JP2014236204A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196649A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
| WO2014196583A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
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