JP5581420B2 - 液晶表示装置、液晶モジュール及び電子機器 - Google Patents
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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-
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Description
装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置お
よびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
ンサが挙げられる。
隔を保つための粒子状スペーサと、基板間に封入された液晶材料とを備えている。
度で均一に制御する必要がある。基板間隔にばらつきが生じると、色むら、干渉縞などの
表示品位の劣化原因となるばかりではなく、外力により基板間隔が狭められた際に電極が
接触して回路損傷や表示不能などの不良の発生要因となるためである。このようにスペー
サは液晶表示素子の性能保持のための重要な部材である。
ス状に形成する。もう一方の基板には、電極またはカラーフィルター等を形成する。次い
で、一対の基板のそれぞれに配向膜を形成した後、ラビング処理を行う。
次に、もう一方の基板とを組み合わせ、周縁部をシール用接着剤でシールして液晶セルを
形成する。次いで、この液晶セル内に液晶材料を真空注入法により充填した後、注入口を
封止する。
サの擬集による透過率の低減やスペーサ直下の素子を破壊してリークやショートが生じて
いることが問題となっている。
央部が両面凹形状となり、この周辺において従来の粒子状スペーサでは圧縮強度が足りず
破壊されてしまったり、スペーサが移動させられて、その移動した跡が配向不良の原因と
なっている。
)を用いた場合、粒子状スペーサを一方の基板上に散布する方法をとっている。そのため
、画素電極上にスペーサが配置され、入射光を遮ったり、液晶分子の配向を乱してしまう
。結果的に透過光量や発色を調節することが困難となっていた。また、粒子状スペーサは
静電気が帯電しやすく、このためスペーサ同士が集まりやすくなり均一に分布させること
が困難であった。
な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な液晶パネルおよびその作製方法を提
供することである。
記第2の基板との間に配置され、前記第1の基板と前記第2の基板との間隔を保つ柱状の
スペーサを複数備えたことを特徴とする半導体装置である。
基板との間に柱状のスペーサを複数備えた半導体装置であって、前記柱状のスペーサの曲
率半径Rは、2μm以下、好ましくは1μm以下であることを特徴とする半導体装置であ
る。
好ましくは1.2μm〜5μmであることを特徴としている。
は7μm以下であることを特徴としている。
の角度αは、65°〜115°であることを特徴としている。
特徴としている。
楕円形、三角形、四角形、またはそれ以上の多角形であることを特徴としている。
徴としている。
ンタクト部の上に形成されていることを特徴としている。
領域及び駆動回路において素子が存在しない領域の上に形成してもよい。また、前記柱状
のスペーサはシール領域及び画素部に形成してもよいし、駆動回路において素子が存在し
ない領域の上及び画素部に形成してもよい。また、前記柱状のスペーサはシール領域及び
駆動回路と画素部との間の領域に形成してもよいし、前記柱状のスペーサは駆動回路と画
素部との間の領域及び画素部に形成してもよい。
及び画素部に形成してもよいし、前記柱状のスペーサは駆動回路において素子が存在しな
い領域の上及び駆動回路と画素部との間の領域に形成してもよい。また、前記柱状のスペ
ーサはシール領域、駆動回路において素子が存在しない領域の上、駆動回路と画素部との
間の領域及び画素部に形成してもよいし、前記柱状のスペーサはシール領域と画素部との
間の領域に形成してもよい。また、前記柱状のスペーサはシール領域と駆動回路との間の
領域に形成してもよいし、前記柱状のスペーサはシール領域と基板の端部との間の領域に
形成してもよい。
また、前記柱状のスペーサは基板全域に形成してもよい。
場合、プレチルト角は、4〜5°であることを特徴としている。
チルト角は、6〜10°であることを特徴としている。
基板との間に配置された柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備え
たタッチパネルとを有することを特徴とする半導体装置である。
の基板との間に配置された柱状スペーサを複数備えた表示装置と、感圧式の検出素子を備
えたタッチパネルとを有することを特徴とする半導体装置である。
基板との間に配置された柱状スペーサを複数備えた表示装置と、静電容量式の検出素子を
備えたタッチパネルとを有することを特徴とする半導体装置である。
、前記TFTを覆って平坦化膜を形成する第2工程と、前記平坦化膜を開孔して、前記T
FTに接続するとともに画素電極を形成する第3工程と、 前記画素電極上に配向膜を形
成する第4工程と、 前記配向膜にラビング処理を施す第5工程と、 前記TFTと前記
画素電極とが接続するコンタクト部の上方に絶縁膜でなる柱状スペーサを形成する第6工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
平坦化膜を形成する第2工程と、前記平坦化膜を開孔して、前記TFTに接続するととも
に画素電極を形成する第3工程と、前記TFTと前記画素電極とが接続するコンタクト部
の上に絶縁膜でなる柱状スペーサを形成する第4工程と、 前記画素電極および前記柱状
スペーサを覆う配向膜を形成する第5工程と、 前記配向膜にラビング処理を施す第6工
程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
る工程と、前記絶縁膜をパターニングする工程とによって柱状スペーサを形成することを
特徴としている。
や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な液晶パネル
を提供することができる。
る。
等による歩留まりの低下、信頼性の低下を防ぐことが可能となる。このように液晶表示装
置に代表される電気光学装置の動作性能の向上と信頼性の向上とを達成することができる
。
本願発明の柱状スペーサの形状は以下に示す条件に適合することが望ましい。
をL3、下端の幅(径)をL2とする。図3に示した工程(配向膜301上に柱状スペー
サ303を形成する場合)においては、柱状スペーサ自体の幅の値とするが、図14に示
した工程(柱状スペーサ1102上に配向膜1103を形成する場合)は、柱状スペーサ
自体に配向膜の膜厚分も加えた値を幅L1〜L3とする。なお、幅L2は、柱状スペーサ
形成以前の平面上から0.2μm以上の膜厚の柱状スペーサ材料が存在する領域の幅であ
る。柱状スペーサの中央の幅L1は十分にスペーサとしての役割を果たすことが必要であ
り、20μm以下、好ましくは10μm以下、さらに好ましくは7μm以下であることが
望ましい。
上端とは、柱状スペーサの頭頂部を指す。なお、本発明の柱状スペーサの頭頂部は、外圧
がかけられた時、均等な圧力が柱状スペーサにかかる様に、平坦な面を有する。また、樹
脂材料でなるスペーサは弾力性に富むため、圧力を適当に吸収することができる。また、
本発明の柱状スペーサは、粒子状スペーサと違って面で素子と接するため圧力が分散し、
一点に過剰な圧力がかかるようなことがない。本発明においては、柱状スペーサの頭頂部
における端部の曲率半径Rを2μm以下、好ましくは1μm以下とすることで均等な圧力
が柱状スペーサにかかる様にする。
望ましい。また、柱状スペーサの中央部における側面と基板表面とがなす角α°は65°
〜115°の範囲とすることが望ましい。
下、好ましくは1μm以下を有する端部となり、柱状スペーサの下端にはテーパー部が形
成されるため、L2>L1>L3となる。テーパー部では液晶の配向不良が生じやすく、
この周辺では光漏れが発生する。本発明においては、0.8≦L2/L1≦3の範囲内に
なるようにすることで光漏れを低減する。なお、図3に示した工程(配向膜上に柱状スペ
ーサを形成する場合)においては、1≦L2/L1≦1.1とすることが望ましい。また
、図14に示した工程(柱状スペーサ上に配向膜を形成する場合)においては、1≦L2
/L1≦2.5とすることが望ましい。
所的にかかる。このことは、スペーサ強度の劣化の原因となる。本発明においては、0.
6≦L3/L1≦1.2とすることでスペーサ強度を強化した。
御できるため、適宜、所望の値に設定すればよい。例えば、液晶表示装置において、その
装置に用いられる液晶材料(TN液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等)に応じて最適
な基板間隔(0.5μm〜10μm、好ましくは1.2μm〜5μm)に設定する。
リイミドなどの樹脂材料でなる絶縁膜は溶液を塗布して形成することができるが、溶液塗
布系の絶縁膜は微小な孔を充填する上で非常に好適である。もちろん、溶液を塗布して形
成する酸化シリコン膜などを用いても構わない。また、樹脂材料でなる絶縁膜を用いる場
合、光重合型絶縁膜でも良いし、熱重合型絶縁膜でも良い。特に、ポジ型またはネガ型の
感光性樹脂を用いると簡単な工程で柱状スペーサを形成することができるので好ましい。
また、光劣化を避けるためにネガ型感光性をもつ樹脂材料を用いることが望ましい。
あってもよい。さらに、三角形や四角形であってもよいし、それ以上の多角形であっても
よい。
画素(6行×1列)当たりに1個の柱状スペーサ202を配置する構成としているが特に
限定されず、10〜200個/mm2の密度で配置すればよい。図2中の201は画素電
極、203は柱状スペーサの形成されていないコンタクト部である。また、図2において
は、TFTと画素電極とが接続するコンタクト部上の位置に形成しているが、特に限定さ
れない。例えば、配線(ソース配線、ゲート配線、容量配線等)の上方、または遮光膜の
上方に形成すれば透過率に影響しないため好ましい。また、柱状スペーサを画素部以外、
例えば、駆動回路において素子が存在しない領域、シール領域、画素部と駆動回路との間
の領域、画素部とシール領域との間の領域、駆動回路とシール領域の間の領域、シール領
域と基板端部との間の領域に形成してもよい。なお、シール領域と基板端部との間の領域
に形成すると、貼り合わせ工程及び基板分断工程において圧力が均等に基板にかかるため
、歩留まりが向上する。また、FPCを接続する端子部から駆動回路につながる配線に柱
状スペーサを形成すれば、FPCと接続する部分の機械強度を補強することができる。
なお、図3は本願発明の工程断面図を示し、図4は工程順序を示したフローチャート図で
ある。
形成する。また、電極を形成した第2の基板304を形成する。なお、図3には簡略化の
ためスイッチング素子および画素電極等は図示していない。次いで、第1の基板300と
第2の基板304のそれぞれに配向膜301、305を形成した後、ラビング処理を行う
。(図3(a))
))なお、ここでは、第1の基板に柱状スペーサを形成した例を示したが、第2の基板に
柱状スペーサを形成する工程としてもよい。
ーンを露光した後、現像処理を行い、柱状スペーサ303を形成する。
(図3(c))
6を形成する。シール材パターンは液晶注入口を形成した矩形で、且つ同じ幅のパターン
枠を形成する。なお、ここでは、第2の基板にシール領域を形成した例を示したが、第1
の基板にシール領域を形成する工程としてもよい。そして、第1の基板300と第2の基
板304を貼り合わせる。貼り合わせ工程は、アライメントマークを利用して精度よく貼
り合わせた後、加圧焼成してシール材を硬化させる工程である。(図3(d))
料307を注入した後、注入口を封止する。こうして液晶パネルを完成させる。
成した例を示したが、図14に示したように第1の基板1100上に柱状スペーサ110
2を形成した後、その上に配向膜1103を形成する工程としてもよい。
もよい。
ない。例えば、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用でき、表示方式がTN型でもS
TN型でもよく、透過型でも反射型でもよい。
うこととする。
けられる駆動回路を同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするため
に、駆動回路に関しては、シフトレジスタ回路、バッファ回路等の基本回路であるCMO
S回路と、サンプリング回路を形成するnチャネル型TFTとを図示することとする。
い。その他にもシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成した
ものを基板としても良い。耐熱性が許せばプラスチック基板を用いることも可能である。
本明細書中では酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜の総称を指
す)からなる下地膜502をプラズマCVD法やスパッタ法で100〜400nmの厚さ
に形成する。
、珪素、酸素、窒素を所定の割合で含む絶縁膜を指す。本実施例では、下地膜502とし
て、窒素を20〜50atomic%(典型的には20〜30atomic%)で含む100nm厚の
窒化酸化シリコン膜と、窒素を1〜20atomic%(典型的には5〜10atomic%)で含む
200nm厚の窒化酸化シリコン膜との積層膜を用いる。なお、厚さはこの値に限定する
必要はない。また、窒化酸化シリコン膜に含まれる窒素と酸素の含有比(atomic%比)は
3:1〜1:3(典型的には1:1)とすればよい。また、窒化酸化シリコン膜は、Si
H4とN2OとNH3を原料ガスとして作製すればよい。
石英基板を用いた場合には必ずしも設けなくても良い。
晶質構造を含む半導体膜(本実施例では非晶質シリコン膜(図示せず)
)を公知の成膜法で形成する。なお、非晶質構造を含む半導体膜としては、非晶質半導体
膜、微結晶半導体膜があり、さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含
む化合物半導体膜も含まれる。また、上記膜厚で形成しておけば、最終的にTFTが完成
した時点の活性層の膜厚は10〜100nm(好ましくは30〜50nm)となる。
された技術に従って、結晶構造を含む半導体膜(本実施例では結晶質シリコン膜)503
を形成する。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜の結晶化に際して、結晶化を助長す
る触媒元素(ニッケル、コバルト、ゲルマニウム、錫、鉛、パラジウム、鉄、銅から選ば
れた一種または複数種の元素、代表的にはニッケル)を用いる結晶化手段である。
晶質シリコン膜を結晶質シリコン膜に変化させるものである。本実施例では同公報の実施
例1に記載された技術を用いるが、実施例2に記載された技術を用いても良い。なお、結
晶質シリコン膜には、いわゆる単結晶シリコン膜も多結晶シリコン膜も含まれるが、本実
施例で形成される結晶質シリコン膜は結晶粒界を有するシリコン膜である。(図5(A)
)
して脱水素処理を行い、含有水素量を5atom%以下として、結晶化の工程を行うことが望
ましい。また、非晶質シリコン膜をスパッタ法や蒸着法などの他の作製方法で形成しても
良いが、膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物元素を十分低減させておくことが望まし
い。
で両者を連続形成しても良い。下地膜を形成後、一旦大気雰囲気にさらされないようにす
ることで表面の汚染を防ぐことが可能となり、作製されるTFTの特性バラツキを低減さ
せることができる。
射(以下、レーザーアニールという)して結晶性の改善された結晶質シリコン膜504を
形成する。レーザー光としては、パルス発振型または連続発振型のエキシマレーザー光が
望ましいが、連続発振型のアルゴンレーザー光でも良い。また、レーザー光のビーム形状
は線状であっても矩形状であっても構わない。(図5(B))
下、ランプアニールという)しても良い。ランプ光としては、ハロゲンランプ、赤外ラン
プ等から発するランプ光を用いることができる。
アニール工程という。光アニール工程は短時間で高温熱処理が行えるため、ガラス基板等
の耐熱性の低い基板を用いる場合にも効果的な熱処理工程を高いスループットで行うこと
ができる。勿論、目的はアニールであるので電熱炉を用いたファーネスアニール(熱アニ
ールともいう)で代用することもできる。
程を行う。レーザーアニール条件は、励起ガスとしてXeClガスを用い、処理温度を室
温、パルス発振周波数を30Hzとし、レーザーエネルギー密度を250〜500mJ/cm2
(代表的には350〜400mJ/cm2)とする。
に結晶化すると共に、既に結晶化された結晶質領域の欠陥等を低減する効果を有する。そ
のため、本工程は光アニールにより半導体膜の結晶性を改善する工程、または半導体膜の
結晶化を助長する工程と呼ぶこともできる。このような効果はランプアニールの条件を最
適化することによっても得ることが可能である。本明細書中ではこのような条件を第1ア
ニール条件と呼ぶことにする。
う)505〜508を形成する。なお、このとき同時に、今後のパターニング時の位置合
わせに用いるアライメントマーカーを、結晶質シリコン膜を用いて形成する。本実施例の
場合、活性層の形成と同時にアライメントマーカーを形成することができるため、アライ
メントマーカーを別途形成する手間(マスク数の増加)を防ぐことができる。
保護膜509は100〜200nm(好ましくは130〜170nm)
の厚さの窒化酸化シリコン膜または酸化シリコン膜を用いる。この保護膜509は不純物
添加時に結晶質シリコン膜が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な濃度制
御を可能にするための意味がある。(図5(C))
る不純物元素(以下、p型不純物元素という)を添加する。p型不純物元素としては、代
表的には13族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。
この工程(チャネルドープ工程という)はTFTのしきい値電圧を制御するための工程で
ある。なお、ここではジボラン(B2H6)を質量分離しないでプラズマ励起したイオンド
ープ法でボロンを添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用い
ても良い。
/cm3)の濃度でp型不純物元素(本実施例ではボロン)が添加された活性層511〜51
3が形成される。この活性層511〜513は後のnチャネル型TFTの活性層となる。
但し、本明細書中で記載する濃度は全てSIMS(質量二次イオン分析)による測定値で
ある。
し、1×1016atoms/cm3の濃度でn型を付与する不純物元素、典型的にはリン又は砒素
が添加された領域を除く)をp型不純物領域(b)と定義する。(図5(D))
する。そして、n型を付与する不純物元素(以下、n型不純物元素という)を添加してn
型を呈する不純物領域515〜517を形成する。なお、n型不純物元素としては、代表
的には15族に属する元素、典型的にはリンまたは砒素を用いることができる。(図5(
E))
nチャネル型TFTにおいて、LDD領域として機能させるための不純物領域である。な
お、ここで形成された不純物領域にはn型不純物元素が2×1016〜5×1019atoms/cm
3(代表的には5×1017〜5×1018atoms/cm3)の濃度で含まれている。本明細書中で
は上記濃度範囲でn型不純物元素を含む不純物領域をn型不純物領域(b)と定義する。
ープ法でリンを1×1018atoms/cm3の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンイ
ンプランテーション法を用いても良い。この工程では、保護膜509を介して結晶質シリ
コン膜にリンを添加する。
照射工程を行う。ここでもレーザー光としては、パルス発振型または連続発振型のエキシ
マレーザー光が望ましいが、連続発振型のアルゴンレーザー光でも良い。また、レーザー
光のビーム形状は線状であっても矩形状であっても構わない。但し、添加された不純物元
素の活性化が目的であるので、結晶質シリコン膜が溶融しない程度のエネルギーで照射す
ることが好ましい。また、保護膜509をつけたままレーザーアニール工程を行うことも
可能である。(図5(F)
)
程を行う。レーザーアニール条件は、励起ガスとしてKrFガスを用い、処理温度を室温
、パルス発振周波数を30Hzとし、レーザーエネルギー密度を100〜300mJ/cm2(
代表的には150〜250mJ/cm2)とする。
素を活性化すると共に、不純物元素の添加時に非晶質化した半導体膜を再結晶化する効果
を有する。なお、上記条件は半導体膜を溶融させることなく原子配列の整合性をとり、且
つ、不純物元素を活性化することが好ましい。また、本工程は光アニールによりn型また
はp型を付与する不純物元素を活性化する工程、半導体膜を再結晶化する工程、またはそ
れらを同時に行う工程と呼ぶこともできる。このような効果はランプアニールの条件を最
適化することによっても得ることが可能である。本明細書中ではこのような条件を第2ア
ニール条件と呼ぶことにする。
(b)の周囲に存在する真性な領域(p型不純物領域(b)も実質的に真性とみなす)と
の接合部が明確になる。このことは、後にTFTが完成した時点において、LDD領域と
チャネル形成領域とが非常に良好な接合部を形成しうることを意味する。
る活性化を併用しても構わない。熱処理による活性化を行う場合は、基板の耐熱性を考慮
して450〜650℃(好ましくは500〜550℃)の熱処理を行えば良い。
絶縁膜518は、10〜200nm、好ましくは50〜150nmの厚さに形成すれば良
い。本実施例では、プラズマCVD法でN2OとSiH4を原料とした窒化酸化シリコン膜
を115nmの厚さに形成する。(図6(A))
ても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜とすることが好ましい。本実施例で
は、第1導電膜519と第2導電膜520とでなる積層膜を形成する。(図6(B))
i)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、クロム(Cr)、ニオブ(Nb)、シ
リコン(Si)から選ばれた元素を含む金属膜、または前記元素を主成分とする金属化合
物膜(代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜)、または前記元
素を組み合わせた合金膜(代表的にはMo−W合金膜、Mo−Ta合金膜、タングステン
シリサイド膜)、若しくはそれらの薄膜を積層した積層膜を用いることができる。
電膜520は200〜400nm(好ましくは250〜350nm)とすれば良い。本実
施例では、第1導電膜519として、50nm厚の窒化タンタル(TaN)膜を、第2導
電膜520として、350nm厚のタンタル(Ta)
膜を用いる。
層膜、タングステンシリサイド膜も好適である。また、第1導電膜519の下にシリコン
膜を2〜20nm程度の厚さで形成する構造(ポリサイド構造)とすると、シリコン膜上
に形成された導電膜の密着性を向上させると同時に、導電膜の酸化を抑制することができ
る。
モニアガスまたは窒素ガスを用いたプラズマ雰囲気に曝すことで窒化することも有効であ
る。こうすることで、金属膜表面の酸化を抑制することが可能である。
ゲート配線(ゲート電極とも言える)521〜524a、524bを形成する。この時、駆
動回路に形成されるゲート配線522、523はn型不純物領域(b)515〜517の
一部とゲート絶縁膜を介して重なるように形成する。
なお、ゲート配線524a、524bは断面では二つに見えるが、実際は連続的に繋がった
一つのパターンから形成されている。(図6(C))
例ではリン)を添加する。こうして形成された不純物領域525〜530には前記n型不
純物領域(b)の1/2〜1/10(代表的には1/3〜1/4)の濃度(但し、前述の
チャネルドープ工程で添加されたボロン濃度よりも5〜10倍高い濃度、代表的には1×
1016〜5×1018atoms/cm3、典型的には3×1017〜3×1018atoms/cm3、)でリン
が添加されるように調節する。なお、本明細書中では上記濃度範囲でn型不純物元素を含
む不純物領域をn型不純物領域(c)と定義する。(図6(D))
〜1×1018atoms/cm3の濃度のボロンが添加されているが、この工程ではp型不純物領
域(b)に含まれるボロンの5〜10倍の濃度でリンが添加されるので、ボロンの影響は
無視して良い。
のリン濃度が2×1016〜5×1019atoms/cm3のままであるのに対し、ゲート配線に重
ならない部分はそれに1×1016〜5×1018atoms/cm3の濃度のリンが加わっており、
若干高い濃度でリンを含むことになる。
ッチングする。エッチングはドライエッチング法を用い、エッチングガスとしてはCHF
3ガスを用いれば良い。但し、エッチングガスはこれに限定する必要はない。こうしてゲ
ート配線下にゲート絶縁膜531〜534a、534bが形成される。(図6(E))
速電圧を低くすることができる。そのため、また必要なドーズ量が少なくて済むのでスル
ープットが向上する。勿論、ゲート絶縁膜をエッチングしないで残し、スルードーピング
によって不純物領域を形成しても良い。
素(本実施例ではリン)を添加して高濃度にリンを含む不純物領域536〜544を形成
する。ここでも、フォスフィン(PH3)を用いたイオンドープ法(勿論、イオンインプ
ランテーション法でも良い)で行い、この領域のリンの濃度は1×1020〜1×1021at
oms/cm3(代表的には2×1020〜5×1021atoms/cm3)とする。(図6(F))
域(a)と定義する。また、不純物領域536〜544が形成された領域には既に前工程
で添加されたリンまたはボロンが含まれるが、十分に高い濃度でリンが添加されることに
なるので、前工程で添加されたリンまたはボロンの影響は考えなくて良い。従って、本明
細書中では不純物領域536〜544はn型不純物領域(a)と言い換えても構わない。
する。そして、p型不純物元素(本実施例ではボロン)を添加し、高濃度にボロンを含む
不純物領域546、547を形成する。ここではジボラン(B2H6)を用いたイオンドー
プ法(勿論、イオンインプランテーション法でも良い)により3×1020〜3×1021at
oms/cm3(代表的には5×1020〜1×1021atoms/cm3)濃度でボロンを添加する。なお
、本明細書中では上記濃度範囲でp型不純物元素を含む不純物領域をp型不純物領域(a
)と定義する。(図7(A))
)には既に1×1020〜1×1021atoms/cm3の濃度でリンが添加されているが、ここで
添加されるボロンはその少なくとも3倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成さ
れていたn型の不純物領域は完全にP型に反転し、P型の不純物領域として機能する。従
って、本明細書中では不純物領域546、547をp型不純物領域(a)と言い換えても
構わない。
間絶縁膜548としては、珪素を含む絶縁膜、具体的には窒化シリコン膜、酸化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜またはそれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。また、膜
厚は50〜400nm(好ましくは100〜200nm)とすれば良い。
m厚の窒化酸化シリコン膜(但し窒素濃度が25〜50atomic%)を用いる。この第1層
間絶縁膜548は次に行われる熱処理工程(活性化工程)において、ゲート配線521〜
524a、524bが酸化されて抵抗値が増加するのを防ぐ効果を有する。
処理工程を行う。この工程はファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはラピッ
ドサーマルアニール法(RTA法)で行うことができる。ここではファーネスアニール法
で活性化工程を行う。この熱処理工程は、窒素雰囲気中において300〜650℃、好ま
しくは400〜550℃、ここでは550℃、4時間の熱処理を行う。(図7(B))
ニッケル)が、矢印で示す方向に移動して、前述の図6(F)の工程で形成された高濃度
にリンを含む領域に捕獲(ゲッタリング)される。これはリンによる金属元素のゲッタリ
ング効果に起因する現象であり、この結果、後のチャネル形成領域549〜553は前記
触媒元素の濃度が1×1017atoms/cm3以下となる。但し、ニッケルの場合、1×1017a
toms/cm3以下はSIMSの測定下限となるため、現状の技術では測定不能である。
域536〜544が形成された領域)は高濃度に触媒元素が偏析して5×1018atoms/cm
3以上(代表的には1×1019〜5×1020atoms/cm3)濃度で存在するようになる。しか
し、このゲッタリングサイトとなった領域はソース領域またはドレイン領域として機能す
れば良いので、ニッケルの有無は問題とはならないと考えられる。
理を行い、活性層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導
体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水
素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。
層間絶縁膜554を形成する。本実施例では第2層間絶縁膜554として800nm厚の
酸化シリコン膜をプラズマCVD法により形成する。こうして第1層間絶縁膜(窒化酸化
シリコン膜)548と第2層間絶縁膜(酸化シリコン膜)554との積層膜でなる1μm
厚の層間絶縁膜を形成する。
アミド、BCB(ベンゾシクロブテン)等の有機樹脂絶縁膜を用いることも可能である。
が形成され、ソース配線555〜558と、ドレイン配線559〜562を形成する。な
お、図示されていないがCMOS回路を形成するためにドレイン配線559、560は同
一配線で形成されている。また、本実施例ではこの電極を、Ti膜を100nm、Tiを
含むアルミニウム膜300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続して形成した3層
構造の積層膜とする。
化酸化シリコン膜で50〜500nm(代表的には200〜300nm)の厚さで形成す
る。(図7(C))
、成膜後に熱処理を行うことは有効である。この前処理により励起された水素が第1、第
2層間絶縁膜中に供給される。、この状態で熱処理を行うことで、パッシベーション膜5
63の膜質を改善するとともに、第1、第2層間絶縁膜中に添加された水素が下層側に拡
散するため、効果的に活性層を水素化することができる。
例えば、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜450℃で1〜12時間の熱処
理を行うと良く、あるいはプラズマ水素化法を用いても同様の効果が得られた。
る位置において、パッシベーション膜563に開口部を形成しておいても良い。
以下、樹脂絶縁膜という)でなる第3層間絶縁膜(本明細書中では平坦化膜と呼ぶ場合も
ある)564を約1〜3μm(典型的には1.5〜2μm)の厚さに形成する。
ベンゾシクロブテン)、シクロテン等を使用することができる。樹脂絶縁膜を用いること
の利点は、極めて平坦性に優れる点、比誘電率が低い点などが上げられる。なお上述した
以外の樹脂絶縁膜や有機系SiO化合物などを用いることもできる。また、平坦性さえ高け
れば無機材料でなる絶縁膜を用いることも可能である。
により重合するタイプを用いても良い。勿論、ポジ型またはネガ型の感光性材料であって
も良い。
ーフィルターとして用いることも可能である。
565を形成する。なお、本明細書中において遮蔽膜とは、光若しくは電磁波を遮断する
性質を有する導電膜を指す。
た元素でなる金属膜または前記いずれかの元素を主成分(本明細書中では50重量%以上
で含む場合に主成分とみなす)とする金属膜で100〜300nmの厚さに形成する。本
実施例では1wt%のチタンを含有させたアルミニウム膜を125nmの厚さに形成する。な
お、本明細書中ではこの遮蔽膜を第「1導電膜」と呼ぶ場合がある。
的には20〜30nm)の厚さに形成している。そして、その上に遮蔽膜565を形成し
、遮蔽膜565をマスクとして上記絶縁膜のエッチング処理を行い、566で示される酸
化シリコン膜が形成される。
めに設けるが、遮蔽膜が存在する以外の領域では、後に第3層間絶縁膜にコンタクトホー
ルを形成する際の障害になるため除去することが望ましい。なお、第3層間絶縁膜564
の表面にCF4ガスを用いたプラズマ処理を施すことによっても、表面改質により膜上に
形成する遮蔽膜の密着性を向上させることができる。
線を形成することも可能である。例えば、駆動回路内で回路間をつなぐ接続配線を形成で
きる。但し、その場合は遮蔽膜または接続配線を形成する材料を成膜する前に、予め第3
層間絶縁膜にコンタクトホールを形成しておく必要がある。
酸化法)により20〜100nm(好ましくは30〜50nm)の厚さの酸化物を形成す
る。本実施例では遮蔽膜565としてアルミニウムを主成分とする膜を用い、陽極酸化法
を用いるため、陽極酸化物567として酸化アルミニウム膜(アルミナ膜)が形成される
。この陽極酸化物567が本実施例の保持容量の誘電体となる。
の絶縁物(絶縁膜)をプラズマCVD法、熱CVD法またはスパッタ法などの気相法によ
って形成しても良い。その場合も膜厚は20〜100nm(好ましくは30〜50nm)
とすることが好ましい。
るコンタクトホールを形成し、画素電極569を形成する。なお、画素電極570、57
1はそれぞれ隣接する別の画素の画素電極である。本実施例では画素電極569〜571
として透明導電膜を用い、具体的には酸化インジウム・スズ(ITO)膜を110nmの
厚さにスパッタ法で形成する。なお、本明細書中では画素電極を「第2導電膜」と呼ぶ場
合がある。
い。
保持容量(キャハ゜シタンス・ストレーシ゛又はコンデンサ)572を形成する。なお、
保持容量572しか符号を付していないが、遮蔽膜と画素電極とが重なる領域は全て保持
容量として機能する。
な容量を形成するための面積を少なくすることを可能としている。さらに、本実施例のよ
うに画素TFT上に形成される遮蔽膜を保持容量の一方の電極とすることで、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置の画像表示部の開口率を向上させることができる。
電位、好ましくはコモン電位(データとして送られる画像信号の中間電位)に設定してお
くことが望ましい。
1の基板)を形成した。
示装置を作製する工程を説明する。まず、画素TFTおよび画素電極を形成した第1の基
板上に配向膜573を成膜した。また、対向基板(第2の基板)574には、透明導電膜
575と、配向膜576とを形成する。なお、第2の基板には必要に応じてカラーフィル
ターや遮蔽膜を形成しても良い。本実施例では配向膜としてポリイミド膜を用いる。配向
膜573をロールコーターにより塗布した後、200℃で90分加熱した。なお、配向膜
573を形成する前に第1の基板を洗浄することが好ましい。その後、布を装着したロー
ラーで配向膜表面を擦り、液晶分子がある一定のプレチルト角(6°〜10°、好ましく
は7°〜8°)を持って配向するようにラビング配向処理を行った。
SR製)を900rpmでスピンコートし4.7μmの膜厚とした。その後、ホットプレ
ートを用いて80℃、3分間加熱した。加熱後の感光性アクリル樹脂膜の厚さは、4.0
μmとした。
サイズ:6μm四方)を露光した後、現像した。現像条件は、現像液として、CD−70
0(TMAH 0.14%)を用い、液温を18±1℃、現像時間は60秒とした。次い
で、クリーンオーブンを用いて180℃、1分間加熱した。
た、柱状のスペーサ568は、その形成位置を自由に設計することができるので、画像表
示領域を有効に活用することができる。なお、現像液によりプレチルト角は、4°〜5°
に変化した。
は、画素TFTと画素電極62とが電気的に接続するコンタクト部65の上に柱状スペー
サ63を設ける。また、図12において、565は遮蔽膜であり、その上には図示されて
いない酸化物567を介して画素電極62が設けられている。このとき、遮蔽膜565、
酸化物567及び画素電極62で保持容量64a〜64cが形成される。本実施例の構造と
することで、コンタクト部に形成される段差(層間絶縁膜564の膜厚分)を埋め込むこ
とが可能となり、段差に起因する液晶分子の配向不良を防止することができる。
した例を示したが、柱状のスペーサ568は、遮蔽膜やソース配線上など画像表示領域と
して用いない領域に形成すれば特に限定されない。本実施例においては、1mm2あたり
約100個の割合で規則正しく画素部に配置した。本実施例の柱状スペーサの断面におけ
るSEM観察写真図が、図17(A)である。また、外観を示すSEM観察写真図が、図
1(A)である。図2(A)には配置された模式図を示し、図2(B)および図2(C)
には、図1(A)に相当する倍率の異なるSEM観察写真を示した。
さH=4μm、幅L1=6μm、曲率半径は1μm以下であった。また、柱状スペーサの
側面中央における接平面と基板面との角度αは、85°〜95°となっており、ほぼ垂直
であった。このような形状とすることで、光漏れを低減することができる。
公知のセル組み工程によってシール材579を介して貼りあわせる。本実施例では、フィ
ラー580を含むシール材を用いて基板間隔を一定に保った。
また、本実施例では弾力性に富んだ樹脂材料でなる柱状スペーサ568を用いているため
、貼り合わせ工程でかかる圧力を吸収(緩和)することができる。また、本実施例のスペ
ーサは素子に対する接触面積がビーズ状スペーサのそれより大きいため、特定部分に過剰
な圧力がかかるようなことがない。
る。液晶には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図8(B)に示すアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
FT702、703が形成され、画素部にはnチャネル型TFTでなる画素TFT704
が形成される。
的に形成されるTFTの構造が図8(B)のような構造であればアクティブマトリクス基
板の基本的な機能は変化せず、本発明の効果を損なうものではない。
2、ドレイン領域603がそれぞれp型不純物領域(a)で形成される。但し、実際には
ソース領域またはドレイン領域の一部に1×1020〜1×1021atoms/cm3の濃度でリン
を含む領域が存在する。また、その領域には図7(B)の工程でゲッタリングされた触媒
元素が5×1018atoms/cm3以上(代表的には1×1019〜5×1020atoms/cm3)濃度で
存在する。
ドレイン領域606、そしてチャネル形成領域の片側(ドレイン領域側)に、ゲート絶縁
膜を介してゲート配線と重なったLDD領域(本明細書中ではこのような領域をLov領域
という。なお、ovはoverlapの意味で付した。)607が形成される。この時、Lov領域
607は2×1016〜5×1019atoms/cm3の濃度でリンを含み、且つ、ゲート配線と全
部重なるように形成される。
ドレイン領域610、そしてチャネル形成領域の両側にLDD領域611、612が形成
された。なお、この構造ではLDD領域611、612の一部がゲート配線と重なるよう
に配置されたために、ゲート絶縁膜を介してゲート配線と重なったLDD領域(Lov領域
)とゲート絶縁膜を介してゲート配線と重ならないLDD領域(本明細書中ではこのよう
な領域をLoff領域という。なお、offはoffsetの意味で付した。)が形成されている。
の工程まで作製した状態を示す拡大図である。ここに示すように、LDD領域611はさ
らにLov領域611a、Loff領域611bに、LDD領域612はさらにLov領域612a
、Loff領域612bに区別できる。また、前述のLov領域611a、612aには2×10
16〜5×1019atoms/cm3の濃度でリンが含まれるが、Loff領域611b、612bはその
1〜2倍(代表的には1.2〜1.5倍)の濃度でリンが含まれる。
ドレイン領域616、Loff領域617〜620、Loff領域618、619に接したn型
不純物領域(a)621が形成される。この時、ソース領域615、ドレイン領域616
はそれぞれn型不純物領域(a)で形成され、Loff領域617〜620はn型不純物領
域(c)で形成される。
するTFTの構造を最適化し、半導体装置の動作性能および信頼性を向上させることがで
きる。具体的には、nチャネル型TFTは回路仕様に応じてLDD領域の配置を異ならせ
、Lov領域またはLoff領域を使い分けることによって、同一基板上に高速動作またはホ
ットキャリア対策を重視したTFT構造と低オフ電流動作を重視したTFT構造とを実現
しうる。
速動作を重視するシフトレジスタ回路、信号分割回路、レベルシフタ回路、バッファ回路
などの駆動回路に適している。即ち、チャネル形成領域の片側(ドレイン領域側)のみに
Lov領域を配置することで、できるだけ抵抗成分を低減させつつホットキャリア注入によ
る劣化に強い動作を達成しうる。これは上記回路の場合、ソース領域とドレイン領域の機
能が変わらず、キャリア(電子)の移動する方向が一定だからである。但し、必要に応じ
てチャネル形成領域の両側にLov領域を配置することもできる。
するサンプリング回路(サンプル及びホールド回路)に適している。即ち、Lov領域を配
置することでホットキャリア対策とし、さらにLoff領域を配置することで低オフ電流動
作を達成しうる。また、サンプリング回路はソース領域とドレイン領域の機能が反転して
キャリアの移動方向が180°変わるため、ゲート配線を中心に線対称となるような構造
としなければならない。なお、場合によってはLov領域のみとすることもありうる。
路(サンプルホールド回路)に適している。即ち、オフ電流値を増加させる要因となりう
るLov領域を配置せず、Loff領域のみを配置することで低オフ電流動作を達成しうる。
また、駆動回路のLDD領域よりも低い濃度のLDD領域をLoff領域として用いること
で、多少オン電流値が低下するが徹底的にオフ電流値を低減することができる。さらに、
n型不純物領域(a)621はオフ電流値を低減する上で非常に有効である。
、代表的には0.2〜1.5μmとすれば良い。また、nチャネル型TFT703のLov
領域611a、612aの長さ(幅)は0.1〜3.0μm、代表的には0.2〜1.5μ
m、Loff領域611b、612bの長さ(幅)は1.0〜3.5μm、代表的には1.5
〜2.0μmとすれば良い。また、画素TFT704に設けられるLoff領域617〜6
20の長さ(幅)は0.5〜3.5μm、代表的には2.0〜2.5μmとすれば良い。
明する。アクティブマトリクス基板(第1の基板)は、ガラス基板801上に形成された
、画素部802と、ゲート側駆動回路803と、ソース側駆動回路804で構成される。
画素部の画素TFT805(図8(B)の画素TFT704に相当する)はnチャネル型
TFTであり、画素電極806及び保持容量807(図8(A)の保持容量572に相当
する)に接続される。
側駆動回路803と、ソース側駆動回路804はそれぞれゲート配線808とソース配線
809で画素部802に接続されている。また、FPC810が接続された外部入出力端
子811には駆動回路まで信号を伝達するための入出力配線(接続配線)812、813
が設けられている。また、814は対向基板(第2の基板)である。
置と呼んでいるが、図10に示すようにFPCまで取り付けられた液晶パネルのことを一
般的には液晶モジュールという。従って、本実施例でいうアクティブマトリクス型液晶表
示装置を液晶モジュールと呼んでも差し支えない。
、ソース側駆動回路901、ゲート側駆動回路(A)907、ゲート側駆動回路(B)9
11、プリチャージ回路912、画素部906を有している。
なお、本明細書中において、駆動回路とはソース側駆動回路およびゲート側駆動回路を含
めた総称である。
ッファ回路904、サンプリング回路905を備えている。また、ゲート側駆動回路(A
)907は、シフトレジスタ回路908、レベルシフタ回路909、バッファ回路910
を備えている。ゲート側駆動回路(B)911も同様な構成である。
)であり、回路を形成するCMOS回路に使われるnチャネル型TFTは図8(B)の7
02で示される構造が適している。
14〜16Vと高くなるが、シフトレジスタ回路と同様に、図8(B)
のnチャネル型TFT702を含むCMOS回路が適している。なお、ゲート配線をダブ
ルゲート構造、トリプルゲート構造といったマルチゲート構造とすることは、各回路の信
頼性を向上させる上で有効である。
イン領域が反転する上、オフ電流値を低減する必要があるので、図8(B)のnチャネル
型TFT703を含むCMOS回路が適している。なお、図8(B)ではnチャネル型T
FTしか図示されていないが、実際にサンプリング回路を形成する時はnチャネル型TF
Tとpチャネル型TFTとを組み合わせて形成することになる。
さらにオフ電流値が低いことを要求するので、オフ電流の増加を招くLov領域を配置しな
い構造とすることが望ましく、図8(B)のnチャネル型TFT704を画素TFTとし
て用いることが望ましい。
図13(a)および図13(b)に示す。本実施例は、図8(B)に示されていなかった
領域(外部端子接続部)を示している。従って、実施例1の図8(B)に対応しており、
同じ符号を一部用いている。なお、シール材1000にフィラーを示していない点だけが
実施例1と異なっている。
構造図を示す。また、上面図におけるd−d’断面での断面構造も示している。
部端子接続部、1003はITO膜、1004は導電性スペーサ、1005は接着剤、1
006はFPCである。
ース電極(配線)から延在している。
柱状スペーサ1001を形成する。この柱状スペーサ1001は、引き出し配線間に設け
られ、機械的強度を補強している。また、この柱状スペーサ1001は、対向基板の分断
工程においても分断不良を防止する効果を有している。なお、ここではpチャネル型TF
T701のソース電極と外部端子接続部との間の配線を引き出し配線と呼んでいる。
て形成することができる。
形成し、FPCと良好なコンタクトを形成する。なお、接着剤1005中には金ペースト
等の導電性スペーサが混入しており、圧着することによってFPC1006とITO膜1
003とを接続している。
、図15にそのフローチャート図を示した)により、柱状スペーサを形成する例に示す。
また、本実施例では、実施例1とは工程順序が異なっており、配向膜の形成前に柱状スペ
ーサを形成する。
101を形成する。(図14(a))次いで、実施例1と同様にして露光および現像を行
って、柱状スペーサ1102を形成する。(図14(b))次いで、柱状スペーサ110
2を覆う配向膜1103を形成し、ラビング処理を行う。(図14(c))次いで、配向
膜1105とシール1106とが設けられた第2の基板1104を第1の基板1100と
貼り合わせる。(図14(d))次いで、第1の基板および第2の基板を適当な形状に分
断し、液晶材料1107を注入、封止して液晶パネルが完成する。(図14(e))
素電極569、570を形成する工程までは全く同一の工程を用いた。
次いで、第1の基板上に実施例1と同じスペーサ材料を用い、同じ条件(成膜条件、露光
条件、現像条件、ベーク条件等)で柱状スペーサ1201を形成した。
その後、ラビング処理を行った。以後、これらの工程以外は実施例1と全く同様にして図
16(B)に示す液晶表示装置を作製した。
し、幅L1=7〜8μm、曲率半径は2μmであった。また、柱状スペーサの側面中央に
おける接平面と基板面との角度αは、68°であった。本実施例において、幅L1は配向
膜の厚さを含めた値としている。なお、本実施例においては、1≦L2/L1≦2.5と
するとテーパー部による光漏れを低減できるため望ましい。
っていたが、本実施例では、柱状スペーサを形成した後に配向膜を形成してラビング処理
を行うため、プレチルト角を6°〜10°、好ましくは7°〜8°とすることができ、液
晶の配向を良好なものとすることができた。
し込み量とは、配向膜に施すラビング処理の際、ロールを押し込む量のことを指している
。
件をふってラビング処理を行い、それぞれのプレチルト角を測定する実験を行った。実験
結果は、0.3mmとした場合、平均のプレチルト角は、8.23°となり、0.4mm
とした場合、平均のプレチルト角は、7.42°となり、0.5mmとした場合、平均の
プレチルト角は、6.95°となった。ラビングロール押し込み量を調節することによっ
て、プレチルト角を6°〜10°、好ましくは7°〜8°とすることができる。このよう
に、本実施例は、配向膜上に球状スペーサを散布した従来例と比較しても、大差なく良好
な値を示している。
で設けた例を示す。
、1303はゲート側駆動回路、1304はソース側駆動回路、1305は信号分割回路
、1306は外部接続端子部、1308はシール領域、1321は第2の基板である。
接続端子部に柱状スペーサ1309、画素部に柱状スペーサ1310、ゲート側駆動回路
に柱状スペーサ1311、シール領域に柱状スペーサ1312がそれぞれ一定の間隔でフ
ォトリソグラフィ法により設けた。このように一定の間隔で柱状スペーサを設けることに
より均一な基板間隔を維持することができる。また、シール領域に柱状スペーサ1312
を設けることによりフィラーを用いなくともよい。また、外部接続端子部に柱状スペーサ
1309を設けることにより接続部における機械強度を補強することができる。なお、上
記各柱状スペーサは実施例1または実施例3に示した作製方法を用いればよい。
に示した。図18(A)と同じ符号を用いた。図18(A)において、1314はCMO
S回路、1315はnチャネル型TFT、1316は画素TFT、1317は層間絶縁膜
、1318aは画素電極、1318bはITO膜である。このITO膜1318bは、F
PC等の外部端子と接続するために設ける。
また、1319は液晶材料、1320は対向電極である。
8内に均一に柱状スペーサ1407を形成した例である。また、図19(B)は、画素部
には柱状スペーサを設けず、シール領域に柱状スペーサ1410と、外部接続端子部に1
409とを形成した例である。また、図19(C)は、シール領域以外の領域に柱状スペ
ーサ1411、1412を形成した例である。なお、同様に上記各柱状スペーサは実施例
1または実施例3に示した作製方法を用いればよい。
製する。なお、本実施例のTFT作製工程の詳細は、特願平11−104646号に記載
の工程を用いる。
例では低アルカリガラス基板を用いた。この基板1501のTFTを形成する表面には、
基板1501からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜などの下地膜1502を形成する。
体膜を、プラズマCVD法やスパッタ法などの公知の方法で形成する。
本実施例では、プラズマCVD法で非晶質シリコン膜を55nmの厚さに形成した。そし
て、公知の結晶化技術を使用して非晶質シリコン膜から結晶質シリコン膜を形成する。例
えば、レーザー結晶化法や熱結晶化法(固相成長法)を適用すれば良いが、ここでは、特
開平7−130652号公報で開示された技術に従って、触媒元素を用いる結晶化法で結
晶質シリコン膜を形成した。
マCVD法またはスパッタ法により50〜100nmの厚さの酸化シリコン膜によるマス
ク層を形成する。そしてレジストマスクを設け、nチャネル型TFTを形成する島状半導
体層の全面にしきい値電圧を制御する目的で1×1016〜5×1017atoms/cm3程度の濃
度でp型を付与する不純物元素としてボロン(B)を添加した。次いで、駆動回路のnチ
ャネル型TFTのLDD領域を形成するために、n型を付与する不純物元素を島状半導体
層に選択的に添加する。そのため、あらかじめレジストマスクを形成した。次に、マスク
層をフッ酸などにより除去して、添加した不純物元素を活性化させる工程を行う。活性化
は、窒素雰囲気中で500〜600℃で1〜4時間の熱処理や、レーザー活性化の方法に
より行うことができる。また、両者を併用して行っても良い。本実施例では、レーザー活
性化の方法を用いた。
50nmの厚さでシリコンを含む絶縁膜で形成する。次に、本実施例では、導電性の窒化
物金属膜から成る導電層(A)と金属膜から成る導電層(B)
とを積層させた。導電層(B)はタンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo
)、タングステン(W)から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金か、前記
元素を組み合わせた合金膜(代表的にはMo−W合金膜、Mo−Ta合金膜)で形成すれ
ば良く、導電層(A)は窒化タンタル(TaN)、窒化タングステン(WN)、窒化チタ
ン(TiN)膜、窒化モリブデン(MoN)
で形成する。本実施例では、導電層(A)に30nmの厚さの窒化タンタル膜を、導電層
(B)には350nmのTa膜を用い、いずれもスパッタ法で形成した。
ゲート電極1528〜1531と容量配線132を形成する。
に、p型を付与する不純物元素を添加する工程を行う。ここでは、ゲート電極1528を
マスクとして、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、nチャネル型TFTが形
成される領域はレジストマスクで被覆しておく。
純物領域の形成を行った。
を付与する不純物添加の工程を行った。その後、それぞれの濃度で添加されたn型または
p型を付与する不純物元素を活性化するために窒素雰囲気中でファーネスアニール法で活
性化工程を行った。ここで実施される活性化工程の熱処理により、nチャネル型TFTお
よびpチャネル型TFTのチャネル形成領域から触媒元素をゲッタリングをすることがで
きた。この熱処理において、ゲート電極1528〜1531と容量配線1532の表面に
は窒化金属層が形成される。さらに、島状半導体層を水素化する工程を行った。
549を形成した。
窒化シリコン膜で形成され、その後、それぞれの島状半導体層に形成されたソース領域ま
たはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース配線1551〜1554と
、ドレイン配線1555〜1558を形成する。次に、パッシベーション膜1559とし
て、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜を50〜500nm(
代表的には100〜300nm)の厚さで形成する。
成する。そして、第2の層間絶縁膜1560にドレイン配線1558に達するコンタクト
ホールを形成し、画素電極1561、1562を形成する。画素電極は、透過型液晶表示
装置とする場合には透明導電膜を用いれば良く、反射型の液晶表示装置とする場合には金
属膜を用いれば良い。
スペーサ作製工程と同一であるので省略する。次いで、実施例3と同様に柱状スペーサ1
607を覆う配向膜1601を形成する。配向膜を形成した後、ラビング処理を施して液
晶分子がある一定のプレチルト角(6°〜10°、好ましくは7°〜8°)を持って配向
するようにした。対向側の対向基板1602には、遮光膜1603、透明導電膜1604
および配向膜1605を形成した。
そして、画素マトリクス回路と、CMOS回路が形成されたアクティブマトリクス基板と
対向基板とを、公知のセル組み工程によって貼りあわせる。その後、両基板の間に液晶材
料1606を注入し、封止剤(図示せず)によって完全に封止した。液晶材料には公知の
液晶材料を用いれば良い。このようにして図20に示すアクティブマトリクス型液晶表示
装置が完成した。
T1702、第2のnチャネル型TFT1703、表示領域には画素TFT1704、保
持容量1705が形成されている。
す。
TFTを用いて第1の基板を作製する。
画素TFT、1817は層間絶縁膜、1818aは画素電極、1818bはITO膜であ
る。このITO膜1818bは、FPC等の外部端子と接続するために設ける。また、1
819は液晶材料、1820は対向電極である。また、1801は第1の基板、1808
はシール領域、1821は第2の基板である。
外部接続端子部に柱状スペーサ1809、画素部に柱状スペーサ1810、ゲート側駆動
回路に柱状スペーサ1811、シール領域に柱状スペーサ1812がそれぞれ一定の間隔
でフォトリソグラフィ法により設けた。このように一定の間隔で柱状スペーサを設けるこ
とにより均一な基板間隔を維持することができる。また、シール領域に柱状スペーサ18
12を設けることによりフィラーを用いなくともよい。また、外部接続端子部に柱状スペ
ーサ1809を設けることにより接続部における機械強度を補強することができる。なお
、上記各柱状スペーサは実施例1または実施例3に示した作製方法を用いればよい。
れない。
場合について図22(a)および図22(b)を用い説明する。
び断面図である。
3は液晶パネル、3004はLEDバックライト、3100は発光素子、3200は受光
素子である。
ペン先が触ると、パネルの端部に設けられた発光素子3100からの光路aの一部が遮断
され光の一部が光路bに進んでしまう。そして、その光路aの一部が遮断された発光素子
に対応する受光素子3200は光を受光しないから、触った箇所の時間的な位置変化を検
出することができる。
の柱状スペーサは、実施例1または実施例3に記載した作製方法により形成する。こうす
ることにより、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができた。また、本発明
の柱状スペーサによって、外部からの圧力(指先やペン先からの)により基板間隔がほと
んど変化しないので表示画像が乱れにくい。
ックライトを用いない反射型LCDパネルを用いてもよい。また、外光の光量に応じて自
由に、反射型や透過型に切り替え可能なLCDパネルを用いてもよい。
および断面図である。
バックライト、3105は入力ペンである。
や静電容量式の検出素子が設けられている。入力ペン3105で触ると、検出素子により
時間的な位置変化を検出することができる。
の柱状スペーサは、実施例1または実施例3に記載した作製方法により形成する。こうす
ることにより、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができた。また、本発明
の柱状スペーサによって、外部からの圧力(指先やペン先からの)により基板間隔がほと
んど変化しないので表示画像が乱れにくい。
なお、このような感圧式や静電容量式の検出素子が設けられたタッチパネル3102はL
CDパネル3103に直接接しているため、LCDパネル3103が外部からの圧力を受
けやすく効果的である。
可能である。
について説明する。本実施例は、実施例1において、結晶質シリコン膜でなる活性層の代
わりに、シリコン基板(シリコンウェハ)に直接的にn型またはp型を付与する不純物元
素を添加し、TFT構造を実現すれば良い。また、反射型であるので、画素電極として反
射率の高い金属膜(例えばアルミニウム、銀、またはこれらの合金(Al−Ag合金)等
を用いれば良い。
可能である。
用いることも可能である。即ち、三次元構造の半導体装置を実現することも可能である。
また、基板としてSIMOX、Smart−Cut(SOITEC社の登録商標)、ELTRA
N(キャノン株式会社の登録商標)などのSOI基板を用いることも可能である。
可能である。
用することも可能である。その例を図23に示す。
しており、その周辺にはX方向駆動回路12、Y方向駆動回路13が設けられている。ま
た、表示領域11の各画素は、スイッチ用TFT14、保持容量15、電流制御用TFT
16、有機EL素子17を有し、スイッチ用TFT14にX方向信号線18a(または1
8b)、Y方向信号線19a(または19b、19c)が接続される。また、電流制御用TF
T16には、電源線20a、20bが接続される。
駆動回路13に用いられるTFTを図8(B)のpチャネル型TFT701、nチャネル
型TFT702または703を組み合わせて形成する。また、スイッチ用TFT14や電
流制御用TFT16のTFTを図8(B)のnチャネル型TFT704で形成する。
そのような材料として、TN液晶、PDLC(ポリマー分散型液晶)、FLC(強誘電性
液晶)、AFLC(反強誘性電液晶)、またはFLCとAFLCの混合物が挙げられる。
ed Monostable FLCD Exhibiting Fast Response Time and High Contrast Ratio with Gr
ay-Scale Capability,SID,1998」、「T.Yoshida et al.;A Full-Color Thresholdless An
tiferroelectric LCD Exhibiting Wide Viewing Angle with Fast Response Time,841,SI
D97DIGEST,1997」、または米国特許第5,594,569号に開示された材料を用いることができ
る。
ric LCD:TL−AFLCと略記する)を使うと、液晶の動作電圧を±2.5V程度に低
減しうるため電源電圧として5〜8V程度で済む場合がある。
即ち、ドライバー回路と画素マトリクス回路を同じ電源電圧で動作させることが可能とな
り、液晶表示装置全体の低消費電力化を図ることができる。
の駆動電圧が約±2.5V程度(セル厚約1μm〜2μm)のものも見出されている。
る光透過率の特性を図24に示す。図24に示すグラフの縦軸は透過率(任意単位)、横
軸は印加電圧である。なお、液晶パネルにおける入射側の偏光板の透過軸は、液晶パネル
のラビング方向にほぼ一致する無しきい値反強誘電性混合液晶のスメクティック層の法線
方向とほぼ平行に設定されている。また、出射側の偏光板の透過軸は、入射側の偏光板の
透過軸に対してほぼ直角(クロスニコル)に設定されている。
もつ。上記実施例で用いるような結晶質TFTは非常に動作速度の速いTFTを実現しう
るため、強誘電性液晶や反強誘電性液晶の応答速度の速さを十分に生かした画像応答速度
の速い液晶表示装置を実現することが可能である。
レイとして用いることが有効であることは言うまでもない。
が可能である。
、それら電気光学装置を表示部として組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、ウエアラブルディスプレイ、カーナビゲーション、パ
ーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍
等)などが挙げられる。それらの一例を図25に示す。
表示部2003、キーボード2004で構成される。本願発明を画像入力部2002、表
示部2003やその他の駆動回路に適用することができる。
03、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106で構成される。本願
発明を表示部2102、音声入力部2103やその他の駆動回路に適用することができる
。
、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205で構成さ
れる。本願発明は表示部2205やその他の駆動回路に適用できる。
ム部2303で構成される。本発明は表示部2302やその他の駆動回路に適用すること
ができる。
ーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404
、操作スイッチ2405で構成される。なお、この装置は記録媒体としてDVD(Dig
tial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。本発明は表示部2402やその他の駆動回路に
適用することができる。
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)で構成される。本願発明を表示部25
02やその他の駆動回路に適用することができる。
とが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜9および実施例11のどのよう
な組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
、それら電気光学装置を表示部として組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
れる。それらの一例を図26に示す。
02等を含む。本発明は投射装置2601の一部を構成する液晶表示装置2808やその
他の駆動回路に適用することができる。
ー2703、スクリーン2704等を含む。本発明は投射装置2702の一部を構成する
液晶表示装置2808やその他の駆動回路に適用することができる。
2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2
801、ミラー2802、2804〜2806、ダイクロイックミラー2803、プリズ
ム2807、液晶表示装置2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成され
る。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の
例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図26(C)中に
おいて矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、
位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源28
12、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で
構成される。なお、図26(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。
例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相
差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
合を示しており、反射型の電気光学装置及びEL表示装置での適用例は図示していない。
とが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜9および実施例11のどのよう
な組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
Claims (3)
- 画素部を有し、
前記画素部は、
トランジスタの第1のチャネル形成領域、前記トランジスタの第2のチャネル形成領域、前記トランジスタのソース領域及び前記トランジスタのドレイン領域を有する半導体層と、
前記トランジスタの第1のゲート電極となる領域及び前記トランジスタの第2のゲート電極となる領域を有する第1の導電層と、
前記トランジスタの前記ソース領域又は前記トランジスタの前記ドレイン領域の一方と電気的に接続される第2の導電層と、
前記トランジスタの前記ソース領域又は前記トランジスタの前記ドレイン領域の他方と電気的に接続される第3の導電層と、
前記第2の導電層上方及び前記第3の導電層上方の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上方の第4の導電層と、
前記第4の導電層上方の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上方の第5の導電層と、
前記第5の導電層上方の配向膜と、
前記配向膜上方のスペーサと、
前記配向膜上方の液晶と、を有し、
前記第2の導電層は、前記第1の導電層を介して前記第2のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第5の導電層と電気的に接続され、
前記第4の導電層は、前記第2の絶縁層を介して前記第5の導電層と重なる領域を有し、
前記第5の導電層は、画素電極となる領域を有し、
前記スペーサは、有機材料を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載された液晶表示装置と、
FPCと、を有することを特徴とする液晶モジュール。 - 請求項1に記載された液晶表示装置、又は請求項2に記載された液晶モジュールと、
操作スイッチ、バッテリー又はスピーカ部と、を有することを特徴とする電子機器。
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