JP2013104992A - 偏光素子、偏光素子の製造方法、プロジェクター、液晶装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】偏光素子100は、基板11と、基板11上に平面視ストライプ状に設けられた第1のグレーティング1と、基板11上に平面視ストライプ状に設けられた第2のグレーティング2と、を備えている。第1のグレーティング1は、複数のストライプ状の金属層12を備え、第2のグレーティング2は、金属層12の延在方向と平行に延在する複数のストライプ状の吸収層14を備えており、窒化クロム、窒化タングステン、窒化タンタルのうち少なくとも一つを含む。さらに、第1のグレーティング1と第2のグレーティング2とは積層体5をなし、金属層12と吸収層14との間に、誘電体層13が設けられている。
【選択図】図1
Description
この構成によれば、高温での信頼性に優れた表示部を具備した電子機器を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る偏光素子及び偏光素子の製造方法について説明する。図1は本実施形態の偏光素子100の概略図であり、図1(a)は部分斜視図、図1(b)は偏光素子100をYZ平面で切った部分断面図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、偏光素子100は、基板11と、基板11上に平面視ストライプ状に設けられた第1のグレーティング1と、基板11上に平面視ストライプ状に設けられた第2のグレーティング2と、を備えている。第1のグレーティング1は、複数のストライプ状の金属層12を備え、第2のグレーティング2は、金属層12の延在方向と平行に延在する複数のストライプ状の吸収層14を備えている。さらに、第1のグレーティング1と第2のグレーティング2とは積層体5をなし、金属層12と吸収層14との間に、誘電体層13が設けられている。
次に、本実施形態の偏光素子100の製造方法について説明する。図2は、第1実施形態における偏光素子100の製造方法を示す工程図である。本実施形態の偏光素子100の製造方法は、第2のグレーティング2が備える吸収層14を窒素雰囲気中で反応生成する工程を含むものである。
なお、本実施形態では、クロム窒化物からなる吸収層14を用いたが、先に挙げたタングステンやタンタルの窒化物からなる吸収層14を用いてもよい。クロム以外の金属の窒化物を用いる場合にも、上記と同様に反応性スパッタを用いて成膜してもよく、成膜速度という点で反応性スパッタよりも劣るが、金属窒化物のターゲットを用いたRFスパッタや、蒸着法を用いてもよい。
図3は、プロジェクターの一実施形態を示す図である。図3に示すプロジェクター800は、光源810、ダイクロイックミラー813、ダイクロイックミラー814、反射ミラー815、反射ミラー816、反射ミラー817、入射レンズ818、リレーレンズ819、射出レンズ820、光変調部822、光変調部823、光変調部824、クロスダイクロイックプリズム825、投射レンズ826、を有している。
図4は、本発明に係る偏光素子を備えた液晶装置300の一例を示した断面模式図である。本実施形態の液晶装置300は、素子基板310,対向基板320の間に液晶層350が挟持され構成されている。
次に、本発明の電子機器に係る他の実施形態について説明する。図5は、図4に示した液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図5に示す携帯電話(電子機器)1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。これにより、信頼性に優れ、高品質な表示が可能な表示部を具備した携帯電話1300を提供することができる。
発明の効果を確認するため、まず初めに、いろいろな窒化物系材料の高温安定性を評価した。これらは、後述の偏光素子のシミュレーション解析に必要な光学特性である。
反応性スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ35.0nmの窒化クロムの薄膜を形成することによって、サンプル2を作成した。サンプル2を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル2の屈折率nと消衰係数kとを測定した。屈折率nと消衰係数kの測定には、エリプソメーター法(J.A.ウーラム社製 M−2000)を使用した。測定波長は532nmである。測定結果を表1に示す。
反応性スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ48.0nmの窒化タンタルの薄膜を形成することによって、サンプル4を作成した。サンプル4を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル4の屈折率nと消衰係数kとを測定した。測定結果を表1に示す。
反応性スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ55.0nmの窒化タングステンの薄膜を形成することによって、サンプル6を作成した。サンプル6を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル6の屈折率nと消衰係数kとを測定した。測定結果を表1に示す。
反応性スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ35.4nmの窒化銅の薄膜を形成することによって、サンプル1を作成した。サンプル1を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル1の屈折率nと消衰係数kとを測定した。測定結果を表1に示す。
反応性スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ35.0nmの窒化モリブデンの薄膜を形成することによって、サンプル3を作成した。サンプル3を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル3の屈折率nと消衰係数kとを測定した。測定結果を表1に示す。
反応性スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ33.0nmの窒化チタンの薄膜を形成することによって、サンプル5を作成した。サンプル5を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル5の屈折率nと消衰係数kとを測定した。測定結果を表1に示す。
スパッタを用いて、ガラス基板上に厚さ10.0nmの金属クロムの薄膜を形成することによって、サンプル7を作成した。金属クロムは、特許文献1に記載された高融点材料(融点1863℃)である。サンプル7を大気雰囲気中において300℃で150時間加熱する前と後とで、サンプル7の屈折率nと消衰係数kとを測定した。測定結果を表1に示す。
第1実施形態に係る偏光素子のシミュレーション解析結果について説明する。
金属層12としてアルミニウムを用い、誘電体層13として酸化シリコンを用い、吸収層14として窒化クロムを用いた。金属層12の高さH1を152nm、金属層12の幅Lを62nmとし、誘電体層13の高さH2を25nm、誘電体層13の幅Lを62nmとし、吸収層14の高さH3を20nm、吸収層14の幅Lを62nmとし、溝部15のY軸方向の幅Sを83nm、複数の金属層12(あるいは誘電体層13)の周期Pを145nmとした。アルミニウムの屈折率nとアルミニウムの消衰係数kと酸化シリコンの屈折率nと酸化シリコンの消衰係数kとしては、GSolverに格納されている各パラメーターを用いた。また、窒化クロムの屈折率n及び窒化クロムの消衰係数kとしては、大気雰囲気中で300℃で150時間加熱する前と後それぞれに対して上述したエリプソメーターによって測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として窒化クロムを用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。
吸収層14として窒化タンタルを用いたことと、吸収層14の厚さを10nmにしたこと以外は、シミュレーション1と同様である。窒化タンタルの屈折率n及び消衰係数kは、上述したエリプソメーターによって300℃加熱前後それぞれで測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として窒化タンタルを用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。その結果を表2、表3および表4に示す。
吸収層14として窒化タングステンを用いたこと以外は、シミュレーション1と同様である。窒化タングステンの屈折率n及び消衰係数kは、上述したエリプソメーターによって300℃加熱前後それぞれで測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として窒化タングステンを用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。その結果を表2、表3および表4に示す。
比較例として本シミュレーションを行った。吸収層14として窒化銅を用いたことと、吸収層14の厚さを35nmにしたこと以外は、シミュレーション1と同様である。窒化銅の屈折率n及び消衰係数kは、上述したエリプソメーターによって300℃加熱前後それぞれで測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として窒化銅を用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。その結果を表2、表3および表4に示す。
比較例として本シミュレーションを行った。吸収層14として窒化モリブデンを用いたことと、吸収層14の厚さを25nmにしたこと以外は、シミュレーション1と同様である。窒化モリブデンの屈折率n及び消衰係数kは、上述したエリプソメーターによって300℃加熱前後それぞれで測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として窒化モリブデンを用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。その結果を表2、表3および表4に示す。
比較例として本シミュレーションを行った。吸収層14として窒化チタンを用いたことと、吸収層14の厚さを30nmにしたこと以外は、シミュレーション1と同様である。窒化チタンの屈折率n及び消衰係数kは、上述したエリプソメーターによって300℃加熱前後それぞれで測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として窒化チタンを用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。その結果を表2、表3および表4に示す。
比較例として本シミュレーションを行った。吸収層14として金属クロムを用いたことと、吸収層14の厚さを13nmにしたこと以外は、シミュレーション1と同様である。金属クロムの屈折率n及び消衰係数kは、上述したエリプソメーターによって300℃加熱前後それぞれで測定した値を用いた。このようにして、吸収層14として金属クロムを用いた偏光素子の偏光特性を、300℃加熱前後それぞれについてシミュレーションした。その結果を表2、表3および表4に示す。
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に平面視ストライプ状に設けられた第1のグレーティングと、
前記基板上に平面視ストライプ状に設けられ、前記第1のグレーティングの延在方向に延在する第2のグレーティングと、
を備えた偏光素子であって、
前記第1のグレーティングは光に対して反射性を示す材料からなり、
前記第2のグレーティングは、窒化クロム、窒化タングステン、窒化タンタルのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする偏光素子。 - 前記第1のグレーティングと前記第2のグレーティングとは積層体をなすことを特徴とする請求項1に記載の偏光素子。
- 前記第1のグレーティングと前記第2のグレーティングとの間に、誘電体層が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の偏光素子。
- 前記第1のグレーティングのピッチと前記第2のグレーティングのピッチとは、可視光の波長よりも短いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の偏光素子。
- 基板と、
前記基板上に平面視ストライプ状に設けられた第1のグレーティングと、
前記基板上に平面視ストライプ状に設けられ、前記第1のグレーティングの延在方向に延在する第2のグレーティングと、
を備えた偏光素子の製造方法であって、
前記第2のグレーティングを窒素雰囲気中で反応生成することを特徴とする偏光素子の製造方法。 - 前記第2のグレーティングは、窒化クロム、窒化タングステン、窒化タンタルのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項5に記載の偏光素子の製造方法。
- 光を射出する照明光学系と、前記光を変調する液晶ライトバルブと、前記液晶ライトバルブで変調された光を投射する投射光学系と、を備え、
前記液晶ライトバルブと前記照明光学系との間、及び前記液晶ライトバルブと前記投射光学系との間のうち少なくとも一方に、請求項1から4のいずれか一項に記載の偏光素子が設けられていることを特徴とするプロジェクター。 - 一対の基板間に液晶層を挟持してなり、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の前記液晶層側に、請求項1から4のいずれか一項に記載の偏光素子が設けられていることを特徴とする液晶装置。
- 請求項8に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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